JPH06180885A - 光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置 - Google Patents
光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置Info
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- JPH06180885A JPH06180885A JP5106941A JP10694193A JPH06180885A JP H06180885 A JPH06180885 A JP H06180885A JP 5106941 A JP5106941 A JP 5106941A JP 10694193 A JP10694193 A JP 10694193A JP H06180885 A JPH06180885 A JP H06180885A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光磁気ディスクに対して光変調方式
でオーバライトする記録方法及びその記録方法を用いた
記録装置に関し、記録パルスパターンに関係なく、レー
ザパワーを従来と同じ２値又は３値制御にすることによ
り、最適なＣ／Ｎ比が得られる記録方法及び記録装置を
実現することを目的とする。 【構成】 記録時のレーザパワーを、記録パルスが第１
の値“１”のときに第１のレーザパワーＰH で行ない、
記録パルスが第２の値“０”のときには第２のレザパワ
ーＰL としてマークの書込みを休止する記録方法におい
て、第２の値“０”のビットが第１の値“１”のビット
に隣接していないときには、その第２の値はＡで示す如
く第１及び第２のレーザパワーＰH 及びＰL を交互に出
力して消去を行なう。
でオーバライトする記録方法及びその記録方法を用いた
記録装置に関し、記録パルスパターンに関係なく、レー
ザパワーを従来と同じ２値又は３値制御にすることによ
り、最適なＣ／Ｎ比が得られる記録方法及び記録装置を
実現することを目的とする。 【構成】 記録時のレーザパワーを、記録パルスが第１
の値“１”のときに第１のレーザパワーＰH で行ない、
記録パルスが第２の値“０”のときには第２のレザパワ
ーＰL としてマークの書込みを休止する記録方法におい
て、第２の値“０”のビットが第１の値“１”のビット
に隣接していないときには、その第２の値はＡで示す如
く第１及び第２のレーザパワーＰH 及びＰL を交互に出
力して消去を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の記録方
法及び記録装置に係り、特に光磁気ディスクに対して光
変調方式でオーバライトする記録方法及びその記録方法
を用いた記録装置に関する。
法及び記録装置に係り、特に光磁気ディスクに対して光
変調方式でオーバライトする記録方法及びその記録方法
を用いた記録装置に関する。
【０００２】光磁気記録媒体、特に書き換え可能な光磁
気ディスクは、レーザ光を用いて媒体上にサブミクロン
オーダの記録マークが記録され、これを再生することに
より、これまでの記録媒体であるフロッピディスクやハ
ードディスクに比べ、格段に記録容量を増大させること
が可能であるため、近年、コンピュータの大容量外部記
録媒体等として脚光をあびている。
気ディスクは、レーザ光を用いて媒体上にサブミクロン
オーダの記録マークが記録され、これを再生することに
より、これまでの記録媒体であるフロッピディスクやハ
ードディスクに比べ、格段に記録容量を増大させること
が可能であるため、近年、コンピュータの大容量外部記
録媒体等として脚光をあびている。
【０００３】例えば、光磁気ディスクは直径３．５イン
チのもので片面当り約１２８ＭＢの記憶容量を持ってい
る。これに対し、直径３．５インチのフロッピディスク
は片面当りの記憶容量が約１ＭＢであるため、光磁気デ
ィスク１枚でフロッピディスク１２８枚分の記憶容量を
持つことができる。このように、光磁気ディスクは記録
密度の非常に高い可換記録媒体である。
チのもので片面当り約１２８ＭＢの記憶容量を持ってい
る。これに対し、直径３．５インチのフロッピディスク
は片面当りの記憶容量が約１ＭＢであるため、光磁気デ
ィスク１枚でフロッピディスク１２８枚分の記憶容量を
持つことができる。このように、光磁気ディスクは記録
密度の非常に高い可換記録媒体である。
【０００４】しかし、光磁気ディスクはハードディスク
と比較した場合、記憶容量及び可換性の面では有利であ
るが、データ転送速度についてみると例えば回転数３６
００ｒｐｍのハードディスクで約３ＭＢ／ｓであるのに
対し、光磁気ディスクでは回転数２４００〜３０００ｒ
ｐｍのもので約６４０ＫＢ／ｓである。これは光磁気デ
ィスクの場合、記録時にハードディスクで行なわれてい
る記録トラックに新たな記録情報を直接重ね書き記録す
るようなオーバライトを行なわず、記録時には記録トラ
ックを一旦消去した後に新たな記録情報を記録する必要
があり、少なくとも消去で１回転、記録に１回転、ベリ
ファイに１回転夫々必要であるからであり、消去の分転
送速度が遅くなるからである。
と比較した場合、記憶容量及び可換性の面では有利であ
るが、データ転送速度についてみると例えば回転数３６
００ｒｐｍのハードディスクで約３ＭＢ／ｓであるのに
対し、光磁気ディスクでは回転数２４００〜３０００ｒ
ｐｍのもので約６４０ＫＢ／ｓである。これは光磁気デ
ィスクの場合、記録時にハードディスクで行なわれてい
る記録トラックに新たな記録情報を直接重ね書き記録す
るようなオーバライトを行なわず、記録時には記録トラ
ックを一旦消去した後に新たな記録情報を記録する必要
があり、少なくとも消去で１回転、記録に１回転、ベリ
ファイに１回転夫々必要であるからであり、消去の分転
送速度が遅くなるからである。
【０００５】そこで、近年、光磁気ディスクに対してオ
ーバライトを行なう記録方法が盛んに開発されるように
なった。かかるオーバライトに際しては、現在の記録再
生装置に対して付加する回路を極力少なくして装置の大
型化を回避することが必要とされる。
ーバライトを行なう記録方法が盛んに開発されるように
なった。かかるオーバライトに際しては、現在の記録再
生装置に対して付加する回路を極力少なくして装置の大
型化を回避することが必要とされる。
【０００６】
【従来の技術】オーバライトを行なう従来の記録方法に
は大別して磁界変調方式と光変調方式とがある。磁界変
調方式は単層膜の光磁気ディスクに対して磁気ヘッドを
用いてオーバライトを行なう記録方法で、光磁気ディス
クに連続的にレーザ光を照射しながら、記録情報に応じ
て磁気ヘッドによる光磁気ディスクへの印加磁界の極性
を反転する。従って、この磁界変調方式ではオーバライ
ト速度は磁気ヘッドの磁界反転時間で決定される。
は大別して磁界変調方式と光変調方式とがある。磁界変
調方式は単層膜の光磁気ディスクに対して磁気ヘッドを
用いてオーバライトを行なう記録方法で、光磁気ディス
クに連続的にレーザ光を照射しながら、記録情報に応じ
て磁気ヘッドによる光磁気ディスクへの印加磁界の極性
を反転する。従って、この磁界変調方式ではオーバライ
ト速度は磁気ヘッドの磁界反転時間で決定される。
【０００７】一方、光変調方式は多層膜の光磁気ディス
クに対してレーザ光の強度を変化させることにより、オ
ーバライトする。従って、この光変調方式ではオーバラ
イト速度はレーザ光の強度変化時間で決定され、一般に
は磁界変調方式に比べて高速記録が可能である等の利点
を有する。
クに対してレーザ光の強度を変化させることにより、オ
ーバライトする。従って、この光変調方式ではオーバラ
イト速度はレーザ光の強度変化時間で決定され、一般に
は磁界変調方式に比べて高速記録が可能である等の利点
を有する。
【０００８】この光変調方式について更に説明するに、
光変調方式では例えば図２６に示す如き断面構造の交換
結合多層膜媒体を使用する。この記録媒体は同図に示す
ように、円盤状の透明基板１上に保護層２、メモリ層
３、中間層４、記録層５及び保護層６が順次積層された
３層構造である。メモリ層３及び記録層５の温度対保磁
力特性（磁気特性）は夫々図２７にＩ及びIIで示され
る。メモリ層３は図２７に示す如く記録層５に比しキュ
リー温度Ｔｃが低く、室温での保磁力Ｈｃが高い。な
お、中間層４はメモリ層３と記録層５との間の交換結合
力を制御するための膜である。また、図２７中、Ｈini
は後述の初期化磁界である。
光変調方式では例えば図２６に示す如き断面構造の交換
結合多層膜媒体を使用する。この記録媒体は同図に示す
ように、円盤状の透明基板１上に保護層２、メモリ層
３、中間層４、記録層５及び保護層６が順次積層された
３層構造である。メモリ層３及び記録層５の温度対保磁
力特性（磁気特性）は夫々図２７にＩ及びIIで示され
る。メモリ層３は図２７に示す如く記録層５に比しキュ
リー温度Ｔｃが低く、室温での保磁力Ｈｃが高い。な
お、中間層４はメモリ層３と記録層５との間の交換結合
力を制御するための膜である。また、図２７中、Ｈini
は後述の初期化磁界である。
【０００９】次にこの光変調方式による従来の記録方法
の動作について便宜上、消去時と書込み時とに分けて説
明する。消去時には図２８に模式的に示す如く、まず、
光磁気ディスクは初期化磁界Ｈini によって記録層５の
磁化方向が初期化磁界Ｈiniの方向に揃えられる。この
とき、光磁気ディスクの初期化磁界Ｈini 印加部分の媒
体温度は室温であるためメモリ層３の磁化方向には影響
はない。
の動作について便宜上、消去時と書込み時とに分けて説
明する。消去時には図２８に模式的に示す如く、まず、
光磁気ディスクは初期化磁界Ｈini によって記録層５の
磁化方向が初期化磁界Ｈiniの方向に揃えられる。この
とき、光磁気ディスクの初期化磁界Ｈini 印加部分の媒
体温度は室温であるためメモリ層３の磁化方向には影響
はない。
【００１０】続いて、光磁気ディスクの初期化磁界Ｈ
ini 印加部分はバイアス磁界Ｈb が印加され、かつ、レ
ーザ光８が定常的にローパワーで照射される位置に移動
してくる。すると、レーザ光８の照射により、レーザ光
８がローパワーであるためにメモリ層３が磁化反転する
温度以上に昇温されるが、記録層５はキュリー温度未満
しか昇温しない。
ini 印加部分はバイアス磁界Ｈb が印加され、かつ、レ
ーザ光８が定常的にローパワーで照射される位置に移動
してくる。すると、レーザ光８の照射により、レーザ光
８がローパワーであるためにメモリ層３が磁化反転する
温度以上に昇温されるが、記録層５はキュリー温度未満
しか昇温しない。
【００１１】これにより、レーザ光８が照射されたメモ
リ層２の部分は記録層５からの交換結合力によって記録
層５の磁化方向に磁化が揃えられ、消去が行なわれる。
Ｐ1は消去された部分、Ｐ2 は既記録部分を示す。
リ層２の部分は記録層５からの交換結合力によって記録
層５の磁化方向に磁化が揃えられ、消去が行なわれる。
Ｐ1は消去された部分、Ｐ2 は既記録部分を示す。
【００１２】次に書込み時には図２９に模式的に示す如
く、レーザ光８’をハイパワーとして光磁気ディスクに
照射する。この光磁気ディスクのレーザ光８’照射部分
にはバイアス磁界Ｈb が印加されており、またこのバイ
アス磁界Ｈb よりも光磁気ディスクのディスク回転方向
上後行する位置に初期化磁界Ｈini がバイアス磁界Ｈ b
と反対方向に印加されている。
く、レーザ光８’をハイパワーとして光磁気ディスクに
照射する。この光磁気ディスクのレーザ光８’照射部分
にはバイアス磁界Ｈb が印加されており、またこのバイ
アス磁界Ｈb よりも光磁気ディスクのディスク回転方向
上後行する位置に初期化磁界Ｈini がバイアス磁界Ｈ b
と反対方向に印加されている。
【００１３】レーザ光８’はハイパワーであるので、光
照射部分の記録層５はキュリー温度以上に昇温され、バ
イアス磁界Ｈb による磁界方向に磁化され、またメモリ
層２もキュリー温度以上となるからバイアス磁界Ｈb と
同一方向に磁化されることで記録情報の書込みが行なわ
れる。図２９中、Ｐ3 が書込み分、Ｐ4 が未記録部分
（消去部分）を示す。この書込み時には光ビームは記録
データの“１”のときハイパワー、“０”のときローパ
ワーに光強度変調されている。
照射部分の記録層５はキュリー温度以上に昇温され、バ
イアス磁界Ｈb による磁界方向に磁化され、またメモリ
層２もキュリー温度以上となるからバイアス磁界Ｈb と
同一方向に磁化されることで記録情報の書込みが行なわ
れる。図２９中、Ｐ3 が書込み分、Ｐ4 が未記録部分
（消去部分）を示す。この書込み時には光ビームは記録
データの“１”のときハイパワー、“０”のときローパ
ワーに光強度変調されている。
【００１４】実際のオーバライトではレーザパワーは図
３０に示す如く、ローパワーＰL で消去動作を行なった
媒体部分にハイパワーＰH で書込みを行なう。なお、同
図中、ＰR は再生時のレーザパワーを示す。
３０に示す如く、ローパワーＰL で消去動作を行なった
媒体部分にハイパワーＰH で書込みを行なう。なお、同
図中、ＰR は再生時のレーザパワーを示す。
【００１５】また光変調方式による従来の他の記録方法
としては、光磁気ディスクの構造を４層膜とし、そのう
ちの一層に初期化磁石の役目を分担させることにより、
初期化磁石を不要にした方法も知られている（提和彦
他；「オーバライト可能な光磁気ディスクを開発、現行
規格とほぼ同じ装置で実現可能」，日経エレクトロニク
ス１９９０．８．６、ｐｐ．１７３〜１８０）。
としては、光磁気ディスクの構造を４層膜とし、そのう
ちの一層に初期化磁石の役目を分担させることにより、
初期化磁石を不要にした方法も知られている（提和彦
他；「オーバライト可能な光磁気ディスクを開発、現行
規格とほぼ同じ装置で実現可能」，日経エレクトロニク
ス１９９０．８．６、ｐｐ．１７３〜１８０）。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の従来
の記録方法では記録パターンによって最適記録パワーが
変化するという問題がある。すなわち、このことについ
て更に詳細に説明するに、一例として記録データ（デー
タ語）を（２，７）変調して走長制限符号（ＲＬＬ）と
して記録する場合、（２，７）変調はビット周期τでｍ
ビットのデータ語を、２ｍチャネルビットの符号語に変
換する方式で、符号語はｍ＝２，３，４のＲＬＬであ
る。
の記録方法では記録パターンによって最適記録パワーが
変化するという問題がある。すなわち、このことについ
て更に詳細に説明するに、一例として記録データ（デー
タ語）を（２，７）変調して走長制限符号（ＲＬＬ）と
して記録する場合、（２，７）変調はビット周期τでｍ
ビットのデータ語を、２ｍチャネルビットの符号語に変
換する方式で、符号語はｍ＝２，３，４のＲＬＬであ
る。
【００１７】このＲＬＬはチャネルビットの隣り合う
“１”の間が少なくとも２個以上、多くとも７個以下の
“０”で隔てられるという規則になっているため、記録
マーク間隔はチャネルビットの隣り合う“１”が２個の
“０”で隔てられる３チャネルビット周期のＲＬＬ
（１．５τ信号）記録時に最短となり、チャネルビット
の隣り合う“１”が７個の“０”で隔てられる８チャネ
ルビット周期のＲＬＬ（４τ信号）記録時に最長とな
る。
“１”の間が少なくとも２個以上、多くとも７個以下の
“０”で隔てられるという規則になっているため、記録
マーク間隔はチャネルビットの隣り合う“１”が２個の
“０”で隔てられる３チャネルビット周期のＲＬＬ
（１．５τ信号）記録時に最短となり、チャネルビット
の隣り合う“１”が７個の“０”で隔てられる８チャネ
ルビット周期のＲＬＬ（４τ信号）記録時に最長とな
る。
【００１８】上記のＲＬＬを値が“１”のとき媒体上に
マーク（ピット）を記録し、値が“０”のときマークを
記録しないピットポジション記録方式（別名、マーク間
記録方式）で記録する場合、上記の１．５τ信号連続記
録時は図３１（Ａ）に示す如きレーザパワーパターンで
記録され、上記の４τ信号連続記録時は同図（Ｂ）に示
す如きレーザパワーパターンで記録される。
マーク（ピット）を記録し、値が“０”のときマークを
記録しないピットポジション記録方式（別名、マーク間
記録方式）で記録する場合、上記の１．５τ信号連続記
録時は図３１（Ａ）に示す如きレーザパワーパターンで
記録され、上記の４τ信号連続記録時は同図（Ｂ）に示
す如きレーザパワーパターンで記録される。
【００１９】ここで、従来の記録方法により例えば線速
度９ｍ／ｓ一定の光磁気ディスクに対して消去状態から
１．５τ信号を連続的に記録した後、その記録部分を４
τ信号で連続的にオーバライトした場合と、消去状態か
ら４τ信号を連続的に記録した後、その記録部分を１．
５τ信号で連続的にオーバライトした場合について、前
記ハイパワーＰH とローパワーＰL を可変したときの信
号品質の等高線図（これをＣ／Ｎマップと呼ぶものとす
る）は図３２に示される。
度９ｍ／ｓ一定の光磁気ディスクに対して消去状態から
１．５τ信号を連続的に記録した後、その記録部分を４
τ信号で連続的にオーバライトした場合と、消去状態か
ら４τ信号を連続的に記録した後、その記録部分を１．
５τ信号で連続的にオーバライトした場合について、前
記ハイパワーＰH とローパワーＰL を可変したときの信
号品質の等高線図（これをＣ／Ｎマップと呼ぶものとす
る）は図３２に示される。
【００２０】同図中、破線III-1 ，III-2 は１．５τ信
号記録部分を４τ信号でオーバライトしたときのＣ／Ｎ
マップを示し、実用上必要な４５ｄＢ以上の再生信号品
質（Ｃ／Ｎ比）を得るためには、破線III-2 で示す如
く、ローパワーＰL は約３．５ｍＷ〜約５ｍＷ、ハイパ
ワーＰH は約７ｍＷ以上必要であることがわかる。
号記録部分を４τ信号でオーバライトしたときのＣ／Ｎ
マップを示し、実用上必要な４５ｄＢ以上の再生信号品
質（Ｃ／Ｎ比）を得るためには、破線III-2 で示す如
く、ローパワーＰL は約３．５ｍＷ〜約５ｍＷ、ハイパ
ワーＰH は約７ｍＷ以上必要であることがわかる。
【００２１】一方、実線IV-1，IV-2は４τ信号記録部分
を１．５τ信号でオーバライトしたときのＣ／Ｎマップ
を示し、実線IV-2で示す如く、ローパワーＰL が約３ｍ
Ｗ以下、ハイパワーＰH が約８ｍＷ及びその近傍の値で
ないと実用上必要な４５ｄＢ以上の再生信号品質（Ｃ／
Ｎ比）が得られない。上記のIII-2 及びIV-2で等高線が
示されるＣ／Ｎマップは、等高線の山の中心が互いに異
なった位置にあるため、ハイパワーＰH とローパワーＰ
L とを夫々固定して記録することが困難であり、特にロ
ーパワーＰL については１．５τ信号記録部分を４τ信
号でオーバライトするときと、４τ信号記録部分を１．
５τ信号でオーバライトするときとでは明らかに異な
る。
を１．５τ信号でオーバライトしたときのＣ／Ｎマップ
を示し、実線IV-2で示す如く、ローパワーＰL が約３ｍ
Ｗ以下、ハイパワーＰH が約８ｍＷ及びその近傍の値で
ないと実用上必要な４５ｄＢ以上の再生信号品質（Ｃ／
Ｎ比）が得られない。上記のIII-2 及びIV-2で等高線が
示されるＣ／Ｎマップは、等高線の山の中心が互いに異
なった位置にあるため、ハイパワーＰH とローパワーＰ
L とを夫々固定して記録することが困難であり、特にロ
ーパワーＰL については１．５τ信号記録部分を４τ信
号でオーバライトするときと、４τ信号記録部分を１．
５τ信号でオーバライトするときとでは明らかに異な
る。
【００２２】上記のようにローパワー感度が記録パター
ンで異なるのは、４τ信号のような記録ピット間隔が長
い場合はレーザパワーで消去が起る温度まで昇温させる
必要があるのに対し、１．５τ信号のような記録ピット
間隔が短い場合はハイパワーのレーザ光照射部からの熱
干渉により消去部が昇温され、レーザパワーで消去が起
る温度まで昇温させる必要性が小さく、またハイパワー
のレーザ光でピット（マーク）を記録すると、そのピッ
トの囲りが消去されるからである。
ンで異なるのは、４τ信号のような記録ピット間隔が長
い場合はレーザパワーで消去が起る温度まで昇温させる
必要があるのに対し、１．５τ信号のような記録ピット
間隔が短い場合はハイパワーのレーザ光照射部からの熱
干渉により消去部が昇温され、レーザパワーで消去が起
る温度まで昇温させる必要性が小さく、またハイパワー
のレーザ光でピット（マーク）を記録すると、そのピッ
トの囲りが消去されるからである。
【００２３】このことにつき図３３と共に説明する。光
磁気ディスク（媒体）上に同図（Ａ）に示す如くハイパ
ワーＰH のレーザ光をｔ1 〜ｔ4 の期間照射したものと
すると、光磁気ディスク上のレーザ光照射部の温度は同
図（Ｂ）に示す如く、時刻ｔ 1 から時刻ｔ4 にかけて上
昇し、時刻ｔ1 で照射された部分の直後の位置ｄ2 で消
去開始温度ＴPLとなり、更に位置ｄ3 で書込み開始温度
ＴPHとなった後上昇し続けて前記時刻ｔ4 のレーザ光照
射位置から下降し始め、位置ｄ4 で書込み開始温度ＴPH
となった後も下降し続けて位置ｄ5 で消去開始温度ＴPL
となる。
磁気ディスク（媒体）上に同図（Ａ）に示す如くハイパ
ワーＰH のレーザ光をｔ1 〜ｔ4 の期間照射したものと
すると、光磁気ディスク上のレーザ光照射部の温度は同
図（Ｂ）に示す如く、時刻ｔ 1 から時刻ｔ4 にかけて上
昇し、時刻ｔ1 で照射された部分の直後の位置ｄ2 で消
去開始温度ＴPLとなり、更に位置ｄ3 で書込み開始温度
ＴPHとなった後上昇し続けて前記時刻ｔ4 のレーザ光照
射位置から下降し始め、位置ｄ4 で書込み開始温度ＴPH
となった後も下降し続けて位置ｄ5 で消去開始温度ＴPL
となる。
【００２４】これにより、位置ｄ3 からｄ4 の書込み開
始温度ＴPL以上の区間でピット（マーク）の記録が行な
われ、またその前後の位置ｄ2 からｄ3 ，ｄ4 からｄ5
の各部分では消去が行なわれる。特に位置ｄ4 からｄ5
の区間ではレーザ光を照射しなくても消去される。従っ
て、１．５τ信号のような記録ピット間隔が短い信号を
記録するときには、極端な場合、ローパワーのレーザ光
を照射しなくとも消去が可能となる。以上のような理由
により、従来方法では記録パターンが異なればローパワ
ー感度が異なる。
始温度ＴPL以上の区間でピット（マーク）の記録が行な
われ、またその前後の位置ｄ2 からｄ3 ，ｄ4 からｄ5
の各部分では消去が行なわれる。特に位置ｄ4 からｄ5
の区間ではレーザ光を照射しなくても消去される。従っ
て、１．５τ信号のような記録ピット間隔が短い信号を
記録するときには、極端な場合、ローパワーのレーザ光
を照射しなくとも消去が可能となる。以上のような理由
により、従来方法では記録パターンが異なればローパワ
ー感度が異なる。
【００２５】このように、従来方法では記録パターンに
よって最適なレーザパワーが異なるため、記録パターン
に応じてレーザパワーを可変することにより最適な記録
レーザパワーを得ることが考えられるが、その場合には
従来のレーザパワーをハイパワーＰH ，ローパワーＰL
及びリードパワーＰR の３値制御するだけでは収まりき
れず、それ以上の値のレーザパワー制御回路が新たに必
要となり、またそれに伴い装置が大型化するため、この
方法は実際には実現困難である。
よって最適なレーザパワーが異なるため、記録パターン
に応じてレーザパワーを可変することにより最適な記録
レーザパワーを得ることが考えられるが、その場合には
従来のレーザパワーをハイパワーＰH ，ローパワーＰL
及びリードパワーＰR の３値制御するだけでは収まりき
れず、それ以上の値のレーザパワー制御回路が新たに必
要となり、またそれに伴い装置が大型化するため、この
方法は実際には実現困難である。
【００２６】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
記録パルス波形に工夫を施すことにより、上記の課題を
解決した光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置を提供
することを目的とする。
記録パルス波形に工夫を施すことにより、上記の課題を
解決した光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置を提供
することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の記録方法は、記録情報が少なくとも第１の値のビット
の前後に隣接する各１ビットは夫々第２の値となるよう
に変調して得られた２値の記録パルスが、第１の値のと
き第１のレーザパワーで光磁気記録媒体にマークを書込
み、第２の値のとき第２のレーザパワーで光磁気記録媒
体へのマークの書込みを休止する光磁気記録媒体の記録
方法において、前記第１の値のビットに隣接しないビッ
ト位置にある前記第２の値の前記光磁気記録媒体への記
録部分に対しては、前記第１のレーザパワーと前記第２
のレーザパワーとを交互に所定回切り換えて照射し、消
去を行なう。
の記録方法は、記録情報が少なくとも第１の値のビット
の前後に隣接する各１ビットは夫々第２の値となるよう
に変調して得られた２値の記録パルスが、第１の値のと
き第１のレーザパワーで光磁気記録媒体にマークを書込
み、第２の値のとき第２のレーザパワーで光磁気記録媒
体へのマークの書込みを休止する光磁気記録媒体の記録
方法において、前記第１の値のビットに隣接しないビッ
ト位置にある前記第２の値の前記光磁気記録媒体への記
録部分に対しては、前記第１のレーザパワーと前記第２
のレーザパワーとを交互に所定回切り換えて照射し、消
去を行なう。
【００２８】また、 前記第１の値のビットの後に隣接
する第２の値のビットは前記第１，第２のレーザパワー
より小なる第３のレーザパワーとした後、前記第１のレ
ーザパワーと第２のレーザパワーとを交互に切り換えて
照射し、前記第２の値のビットの後に隣接する第２の値
のビットは前記第２のレーザパワーと第１のレーザパワ
ーとを交互に切り換えて照射し、消去を行なう。
する第２の値のビットは前記第１，第２のレーザパワー
より小なる第３のレーザパワーとした後、前記第１のレ
ーザパワーと第２のレーザパワーとを交互に切り換えて
照射し、前記第２の値のビットの後に隣接する第２の値
のビットは前記第２のレーザパワーと第１のレーザパワ
ーとを交互に切り換えて照射し、消去を行なう。
【００２９】また、本発明の光磁気記録媒体の記録装置
は、半導体レーザと、前記記録パルスが第１の値のとき
第１のレーザパワーで、第２の値のとき第２のレーザパ
ワーで半導体レーザより夫々取り出されるレーザ光を光
磁気記録媒体上に照射し、第１のレーザパワーのときマ
ークを書込み、第２のレーザパワーのときマークの書込
みを休止する光学系とを有する光磁気記録媒体の記録装
置において、前記記録パルスが入力され、前記第１の値
のビットに隣接しないビット位置にある前記第２の値の
ビットは第１の値と第２の値とが所定回交互に繰り返さ
れる第１の値のビットの周期よりも幅の狭いパルス列を
生成して、前記半導体レーザのレーザパワーを前記第１
のレーザパワーと前記第２のレーザパワーとに交互に切
り換え、第１の値入力時は前記第１のレーザパワーと
し、第１の値のビットに隣接するビット位置にある第２
の値入力時は前記第２のレーザパワーとする半導体レー
ザ制御手段を有する。
は、半導体レーザと、前記記録パルスが第１の値のとき
第１のレーザパワーで、第２の値のとき第２のレーザパ
ワーで半導体レーザより夫々取り出されるレーザ光を光
磁気記録媒体上に照射し、第１のレーザパワーのときマ
ークを書込み、第２のレーザパワーのときマークの書込
みを休止する光学系とを有する光磁気記録媒体の記録装
置において、前記記録パルスが入力され、前記第１の値
のビットに隣接しないビット位置にある前記第２の値の
ビットは第１の値と第２の値とが所定回交互に繰り返さ
れる第１の値のビットの周期よりも幅の狭いパルス列を
生成して、前記半導体レーザのレーザパワーを前記第１
のレーザパワーと前記第２のレーザパワーとに交互に切
り換え、第１の値入力時は前記第１のレーザパワーと
し、第１の値のビットに隣接するビット位置にある第２
の値入力時は前記第２のレーザパワーとする半導体レー
ザ制御手段を有する。
【００３０】また、前記記録パルスが入力され、前記第
１の値のビットの後に隣接する第２の値のビットは、該
第３の値とされた後、該第１の値と第２の値とが交互に
繰り返される前記第１の値のビットの周期よりも幅の狭
いパルス列を生成し、前記第２の値のビットの後に隣接
する第２の値のビットは、該第２の値と第１の値とが交
互に繰り返される前記第１の値のビットの同期よりも幅
の狭いパルス列を生成して、前記半導体レーザのレーザ
パワーを前記第１のレーザパワーと第２のレーザパワー
と第３のレーザパワーとに切り換え、該第１の値の入力
時は前記第１のレーザパワーとする半導体制御手段を有
する。
１の値のビットの後に隣接する第２の値のビットは、該
第３の値とされた後、該第１の値と第２の値とが交互に
繰り返される前記第１の値のビットの周期よりも幅の狭
いパルス列を生成し、前記第２の値のビットの後に隣接
する第２の値のビットは、該第２の値と第１の値とが交
互に繰り返される前記第１の値のビットの同期よりも幅
の狭いパルス列を生成して、前記半導体レーザのレーザ
パワーを前記第１のレーザパワーと第２のレーザパワー
と第３のレーザパワーとに切り換え、該第１の値の入力
時は前記第１のレーザパワーとする半導体制御手段を有
する。
【００３１】
【作用】請求項１の発明では図１に示すように、記録パ
ルスが第１の値（ここでは“１”）のときに第１のレー
ザパワーＰH で光磁気記録媒体にマークを書込み、第２
の値（ここでは“０”）のときに第２のレーザパワーＰ
L でマークの書込みを休止する記録方法において、第１
の値のビットに隣接しないビット位置にある第２の値の
記録部分に対しては、同図にＡ，Ｂで示す如く前記パル
ス列により第１のレーザパワーＰH と第２のレーザパワ
ーＰL とを交互に所定回切り換えて照射する。
ルスが第１の値（ここでは“１”）のときに第１のレー
ザパワーＰH で光磁気記録媒体にマークを書込み、第２
の値（ここでは“０”）のときに第２のレーザパワーＰ
L でマークの書込みを休止する記録方法において、第１
の値のビットに隣接しないビット位置にある第２の値の
記録部分に対しては、同図にＡ，Ｂで示す如く前記パル
ス列により第１のレーザパワーＰH と第２のレーザパワ
ーＰL とを交互に所定回切り換えて照射する。
【００３２】これにより、上記の区間Ａ，Ｂにおけるレ
ーザパワーは第１のレーザパワーＰ H が短時間ずつ断続
的に発生されるため、光磁気記録媒体上において書込み
開始温度までの昇温作用はなく媒体上にマークは形成さ
れないが、消去開始温度以上の昇温作用はある。従っ
て、記録マーク間隔が長くても消去開始温度程度に光磁
気記録媒体の温度を保つことができる。
ーザパワーは第１のレーザパワーＰ H が短時間ずつ断続
的に発生されるため、光磁気記録媒体上において書込み
開始温度までの昇温作用はなく媒体上にマークは形成さ
れないが、消去開始温度以上の昇温作用はある。従っ
て、記録マーク間隔が長くても消去開始温度程度に光磁
気記録媒体の温度を保つことができる。
【００３３】一方、記録パルスの第１の値のビットに隣
接するビット位置は第２の値であるから、第１のレーザ
パワーＰH でマーク書込みが行なわれる前後のビット位
置では、図１にＣ，Ｄで示す如く第２のレーザパワーＰ
L が光磁気記録媒体に照射され媒体温度が低下される。
このため、記録マーク間隔が短くても、マーク書込みが
行なわれるビットの前後のビット記録部分の媒体温度は
書込み開始温度以上に、昇温することが防止される。
接するビット位置は第２の値であるから、第１のレーザ
パワーＰH でマーク書込みが行なわれる前後のビット位
置では、図１にＣ，Ｄで示す如く第２のレーザパワーＰ
L が光磁気記録媒体に照射され媒体温度が低下される。
このため、記録マーク間隔が短くても、マーク書込みが
行なわれるビットの前後のビット記録部分の媒体温度は
書込み開始温度以上に、昇温することが防止される。
【００３４】また、請求項３の発明では図１０に示すよ
うに、第１の値のビット“１”の後に隣接する第２の値
のビット“０”は前記第１，第２のレーザパワーＰH ，
ＰLより小なる第３のレーザパワーＰR とした後、前記
第１のレーザパワーＰH と第２のレーザパワーＰL とを
交互に切り換えて照射し、前記第２の値のビット“０”
の後に隣接する第２の値のビット“０”は前記第２のレ
ーザパワーＰL と第１のレーザパワーＰH とを交互に切
り換えて照射する。
うに、第１の値のビット“１”の後に隣接する第２の値
のビット“０”は前記第１，第２のレーザパワーＰH ，
ＰLより小なる第３のレーザパワーＰR とした後、前記
第１のレーザパワーＰH と第２のレーザパワーＰL とを
交互に切り換えて照射し、前記第２の値のビット“０”
の後に隣接する第２の値のビット“０”は前記第２のレ
ーザパワーＰL と第１のレーザパワーＰH とを交互に切
り換えて照射する。
【００３５】これにより、記録パルスが第２の値“０”
の期間のレーザパワーは第１のレーザパワーＰH が短時
間ずつ断続的に発生されるため、光磁気記録媒体は書込
み開始温度まで昇温せず、記録マークは形成されない
が、消去開始温度以上に昇温され、記録マーク間隔が長
くても媒体の温度を消去開始温度程度に保つことができ
る。
の期間のレーザパワーは第１のレーザパワーＰH が短時
間ずつ断続的に発生されるため、光磁気記録媒体は書込
み開始温度まで昇温せず、記録マークは形成されない
が、消去開始温度以上に昇温され、記録マーク間隔が長
くても媒体の温度を消去開始温度程度に保つことができ
る。
【００３６】一方、記録パルスの第１の値のビット
“１”の後に隣接する第２の値のビット“０”は第３の
レーザパワーＰR とされた後に第１，第２のレーザパワ
ーＰH ，ＰL を繰り返されるため、光磁気記録媒体の温
度が低下され、記録マーク間隔が短かくても、マーク書
込みが行なわれたビットの直後のビット部分の媒体温度
が書込み開始温度以上に昇温することが防止される。
“１”の後に隣接する第２の値のビット“０”は第３の
レーザパワーＰR とされた後に第１，第２のレーザパワ
ーＰH ，ＰL を繰り返されるため、光磁気記録媒体の温
度が低下され、記録マーク間隔が短かくても、マーク書
込みが行なわれたビットの直後のビット部分の媒体温度
が書込み開始温度以上に昇温することが防止される。
【００３７】このように、本発明方法によれは、光磁気
記録媒体の温度を記録マーク間隔の長短に拘らず、消去
開始温度以上、書込み開始温度以下にすることができ
る。また、本発明記録装置によれば、前記半導体レーザ
制御手段により、半導体レーザに対し図１に示す如くに
レーザパワーを制御することができる。
記録媒体の温度を記録マーク間隔の長短に拘らず、消去
開始温度以上、書込み開始温度以下にすることができ
る。また、本発明記録装置によれば、前記半導体レーザ
制御手段により、半導体レーザに対し図１に示す如くに
レーザパワーを制御することができる。
【００３８】
【実施例】次に本発明になる光磁気記録媒体の記録方法
の第１実施例について説明する。本実施例は図１に示す
光変調方式でオーバライトする記録方法で、光磁気記録
媒体として例えば図２に示す如き断面構造の光磁気ディ
スクが用いられる。この光磁気ディスク１０は円盤状で
厚さ１．２ｍｍのレーザ光案内溝付きガラス基板１１上
に厚さ８０ｎｍのＴｂ−ＳｉＯ2 膜１２を介してメモリ
層としてＴb18 Ｆe 77Ｃo5膜１３を厚さ３０ｎｍでスパ
ッタリングにより製膜し、更にＴb18 Ｆe 77Ｃo5膜１３
上に厚さ５ｎｍのＴb12 Ｃo43 Ｃu45 膜１４、厚さ５０
ｎｍのＴb5Ｄy23 Ｆe32 Ｃo40 膜１５、及び厚さ８０ｎ
ｍのＴｂ−ＳｉＯ2 膜１６を順次積層した構造とされて
いる。
の第１実施例について説明する。本実施例は図１に示す
光変調方式でオーバライトする記録方法で、光磁気記録
媒体として例えば図２に示す如き断面構造の光磁気ディ
スクが用いられる。この光磁気ディスク１０は円盤状で
厚さ１．２ｍｍのレーザ光案内溝付きガラス基板１１上
に厚さ８０ｎｍのＴｂ−ＳｉＯ2 膜１２を介してメモリ
層としてＴb18 Ｆe 77Ｃo5膜１３を厚さ３０ｎｍでスパ
ッタリングにより製膜し、更にＴb18 Ｆe 77Ｃo5膜１３
上に厚さ５ｎｍのＴb12 Ｃo43 Ｃu45 膜１４、厚さ５０
ｎｍのＴb5Ｄy23 Ｆe32 Ｃo40 膜１５、及び厚さ８０ｎ
ｍのＴｂ−ＳｉＯ2 膜１６を順次積層した構造とされて
いる。
【００３９】上記のＴｂ−ＳｉＯ2 膜１２及び１６は夫
々保護層であり、またＴb12 Ｃo43Ｃu45 膜１４は中間
層であり、Ｔb5Ｄy23 Ｆe32 Ｃo40 膜１５は記録層であ
る。この光磁気ディスク１０は前記した従来の光磁気デ
ィスクと同様の３層の交換結合多層膜媒体であり、層間
の交換結合を利用してＴb18 Ｆe77 Ｃo5膜１３に磁化の
向きで情報が記録される。なお、この光磁気ディスク１
０の磁気特性は図２６のそれと同様であり、また書込み
動作も図２８に示した従来方法と同じである。本実施例
はかかる構造の光磁気ディスク１０に対して（２，７）
変調して得られた記録パルスが“１”のとき第１のレー
ザパワーであるハイパワーＰH でマークを書込み、記録
パルスが“０”のとき第２のレーザパワーであるローパ
ワーＰ L でマークの書込みを休止する記録方法におい
て、上記の“０”が“１”に隣接しないチャネルビット
（便宜上これをビットと略す）の位置にあるときはビッ
ト周期よりも幅の狭いパルスを２個発生してハイパワー
ＰH 及びローパワーＰL を交互に切換えて消去を行な
う。
々保護層であり、またＴb12 Ｃo43Ｃu45 膜１４は中間
層であり、Ｔb5Ｄy23 Ｆe32 Ｃo40 膜１５は記録層であ
る。この光磁気ディスク１０は前記した従来の光磁気デ
ィスクと同様の３層の交換結合多層膜媒体であり、層間
の交換結合を利用してＴb18 Ｆe77 Ｃo5膜１３に磁化の
向きで情報が記録される。なお、この光磁気ディスク１
０の磁気特性は図２６のそれと同様であり、また書込み
動作も図２８に示した従来方法と同じである。本実施例
はかかる構造の光磁気ディスク１０に対して（２，７）
変調して得られた記録パルスが“１”のとき第１のレー
ザパワーであるハイパワーＰH でマークを書込み、記録
パルスが“０”のとき第２のレーザパワーであるローパ
ワーＰ L でマークの書込みを休止する記録方法におい
て、上記の“０”が“１”に隣接しないチャネルビット
（便宜上これをビットと略す）の位置にあるときはビッ
ト周期よりも幅の狭いパルスを２個発生してハイパワー
ＰH 及びローパワーＰL を交互に切換えて消去を行な
う。
【００４０】従って、本実施例では１．５τ信号記録時
は図３（Ａ）に示す如きレーザパターンで記録を行な
い、４τ信号記録時は図３（Ｂ）に示す如きレーザパタ
ーンで記録を行なう。すなわち、（２，７）変調して得
られたＲＬＬ（記録パルス）は、マーク間隔が最も短い
１．５τ信号のときは図３（Ａ）の波形上部に示す如
く、隣り合う“１”の間に２つの“０”が存在するた
め、“０”のビットは必ず“１”のビットに隣接し、よ
ってこの場合は図３１（Ａ）に示した従来方法のレーザ
パターンと同一のレーザパターンで記録される。なお、
“０”，“１”の各ビット周期（パルス幅）は例えば６
０ｎｓである。
は図３（Ａ）に示す如きレーザパターンで記録を行な
い、４τ信号記録時は図３（Ｂ）に示す如きレーザパタ
ーンで記録を行なう。すなわち、（２，７）変調して得
られたＲＬＬ（記録パルス）は、マーク間隔が最も短い
１．５τ信号のときは図３（Ａ）の波形上部に示す如
く、隣り合う“１”の間に２つの“０”が存在するた
め、“０”のビットは必ず“１”のビットに隣接し、よ
ってこの場合は図３１（Ａ）に示した従来方法のレーザ
パターンと同一のレーザパターンで記録される。なお、
“０”，“１”の各ビット周期（パルス幅）は例えば６
０ｎｓである。
【００４１】これに対し、マーク間隔が最も長い４τ信
号のときは図３（Ｂ）の波形上部に示す如く、ＲＬＬは
隣り合う“１”の間に７つの“０”が存在するため、
“０”のビットは“１”のビットに隣接する位置と、
“１”のビットに隣接しない位置とに夫々存在する。こ
のうち、“１”のビットに隣接しない“０”のビット位
置にはパルス幅１５ｎｓで周期３０ｎｓのパルスが２個
発生せしめられる。
号のときは図３（Ｂ）の波形上部に示す如く、ＲＬＬは
隣り合う“１”の間に７つの“０”が存在するため、
“０”のビットは“１”のビットに隣接する位置と、
“１”のビットに隣接しない位置とに夫々存在する。こ
のうち、“１”のビットに隣接しない“０”のビット位
置にはパルス幅１５ｎｓで周期３０ｎｓのパルスが２個
発生せしめられる。
【００４２】これにより、４τ信号記録時のレーザパワ
ーは図３（Ｂ）に示す如く、“１”のビットに対応して
発生されるハイパワーＰH の期間（これを「書込み
部」というものとする）と、“１”のビットに隣接する
“０”のビットに対応して発生されるローパワーＰL の
期間（これを「休止部」というものとする）と、
“１”のビットに隣接しない“０”のビットに対応して
発生されるハイパワーＰH とローパワーＰL との交互配
列の期間（これを「消去部」というものとする）とが
ある。
ーは図３（Ｂ）に示す如く、“１”のビットに対応して
発生されるハイパワーＰH の期間（これを「書込み
部」というものとする）と、“１”のビットに隣接する
“０”のビットに対応して発生されるローパワーＰL の
期間（これを「休止部」というものとする）と、
“１”のビットに隣接しない“０”のビットに対応して
発生されるハイパワーＰH とローパワーＰL との交互配
列の期間（これを「消去部」というものとする）とが
ある。
【００４３】なお、（２，７）変調して得られたＲＬＬ
（記録パルス）は上記１．５τ信号と４τ信号以外に、
周知の如く２τ信号、２．５τ信号、３τ信号及び３．
５τ信号があり、それらは隣り合う“１”のビットの間
に“０”が夫々３個、４個、５個及び６個あるから、
“１”のビットに隣接しない“０”のビットが必ず１ビ
ット以上存在するから、４τ信号記録時と同様に記録レ
ーザパワーには６０ｎｓの書込み部と６０ｎｓの休止
部とパルス幅１５ｎｓ、周期３０ｎｓの２つのパルス
よりなる消去部とが夫々存在する。
（記録パルス）は上記１．５τ信号と４τ信号以外に、
周知の如く２τ信号、２．５τ信号、３τ信号及び３．
５τ信号があり、それらは隣り合う“１”のビットの間
に“０”が夫々３個、４個、５個及び６個あるから、
“１”のビットに隣接しない“０”のビットが必ず１ビ
ット以上存在するから、４τ信号記録時と同様に記録レ
ーザパワーには６０ｎｓの書込み部と６０ｎｓの休止
部とパルス幅１５ｎｓ、周期３０ｎｓの２つのパルス
よりなる消去部とが夫々存在する。
【００４４】次に本発明方法の一実施例によるＣ／Ｎマ
ップについて図４と共に説明する。図２に示した光磁気
ディスク１０を線速度９ｍ／ｓで回転して、消去状態か
ら１．５τ信号を図３（Ａ）に示したレーザパターンで
連続的に記録した後、その記録部分を４τ信号で図３
（Ｂ）に示したレーザパターンによりオーバライトした
場合のＣ／Ｎマップは図４に破線V-1 及びV-2 で示す如
くになる。
ップについて図４と共に説明する。図２に示した光磁気
ディスク１０を線速度９ｍ／ｓで回転して、消去状態か
ら１．５τ信号を図３（Ａ）に示したレーザパターンで
連続的に記録した後、その記録部分を４τ信号で図３
（Ｂ）に示したレーザパターンによりオーバライトした
場合のＣ／Ｎマップは図４に破線V-1 及びV-2 で示す如
くになる。
【００４５】同様にして、光磁気ディスク１０に対して
消去状態から４τ信号を図３（Ｂ）に示したレーザパタ
ーンで連続的に記録した後、その記録部分を１．５τ信
号で図３（Ａ）に示したレーザパターンによりオーバラ
イトした場合のＣ／Ｎマップは図４に実線VI-1及びVI-2
で示す如くになる。上記の破線V-1 及び実線VI-1は再生
信号品質（Ｃ／Ｎ比）が４０ｄＢのＣ／Ｎマップを示
し、また上記の破線V-2及び実線VI-2はＣ／Ｎ比が４５
ｄＢのＣ／Ｎマップを示す。
消去状態から４τ信号を図３（Ｂ）に示したレーザパタ
ーンで連続的に記録した後、その記録部分を１．５τ信
号で図３（Ａ）に示したレーザパターンによりオーバラ
イトした場合のＣ／Ｎマップは図４に実線VI-1及びVI-2
で示す如くになる。上記の破線V-1 及び実線VI-1は再生
信号品質（Ｃ／Ｎ比）が４０ｄＢのＣ／Ｎマップを示
し、また上記の破線V-2及び実線VI-2はＣ／Ｎ比が４５
ｄＢのＣ／Ｎマップを示す。
【００４６】図４からわかるように、実用上必要な４５
ｄＢのＣ／Ｎ比が得られるＣ／Ｎマップは、破線V-2 及
び実線VI-2で夫々示す如く、それらの等高線の山の中心
がハイパワーＰH は約７〜８ｍＷ、ローパワーＰL は約
２ｍＷ付近で略一致する。従って、本実施例によれば、
オーバライト時の記録パルスパターンが大きく異なって
も、Ｃ／Ｎ比４５ｄＢ以上の最適記録レーザパワーの領
域は共通に確保することができ、レーザパワーを可変し
なくともハイパワーＰH とローパワーＰL の各値を夫々
所定値に固定してオーバライト記録することができる。
ｄＢのＣ／Ｎ比が得られるＣ／Ｎマップは、破線V-2 及
び実線VI-2で夫々示す如く、それらの等高線の山の中心
がハイパワーＰH は約７〜８ｍＷ、ローパワーＰL は約
２ｍＷ付近で略一致する。従って、本実施例によれば、
オーバライト時の記録パルスパターンが大きく異なって
も、Ｃ／Ｎ比４５ｄＢ以上の最適記録レーザパワーの領
域は共通に確保することができ、レーザパワーを可変し
なくともハイパワーＰH とローパワーＰL の各値を夫々
所定値に固定してオーバライト記録することができる。
【００４７】ここで、特に、１．５τ信号記録部分を４
τ信号でオーバライトするときに、従来の特性（図１６
のIII-1,III-2)に比し図４にV-1 及びV-2 で示す如くロ
ーパワーＰL を小さくすることができるのは、図３
（Ｂ）に示したように消去部により光磁気ディスク１
０の媒体温度を消去開始温度以上で、かつ、書込み温度
以下に昇温させておくことができるためである。
τ信号でオーバライトするときに、従来の特性（図１６
のIII-1,III-2)に比し図４にV-1 及びV-2 で示す如くロ
ーパワーＰL を小さくすることができるのは、図３
（Ｂ）に示したように消去部により光磁気ディスク１
０の媒体温度を消去開始温度以上で、かつ、書込み温度
以下に昇温させておくことができるためである。
【００４８】また、４τ信号記録部分を１．５τ信号で
オーバライトするときの特性が図４に実線IV-1,IV-2 で
示す如く、図１６の従来の特性IV-1,IV-2 とローパワー
ＰLが略同じであるのは、１．５τ信号の記録レーザパ
ターンが図３（Ａ）に示す如く図１５（Ａ）に示した従
来のそれと同一であるからである。
オーバライトするときの特性が図４に実線IV-1,IV-2 で
示す如く、図１６の従来の特性IV-1,IV-2 とローパワー
ＰLが略同じであるのは、１．５τ信号の記録レーザパ
ターンが図３（Ａ）に示す如く図１５（Ａ）に示した従
来のそれと同一であるからである。
【００４９】なお、光磁気ディスクのオーバライト時に
記録マークの形成すべき部分以外の部分において、記録
マークの形成に用いられるものよりも幅の狭い光パルス
の連続からなる消去ビームを光磁気ディスクに照射する
ようにした記録方法を本出願人は先に特開平１−１１９
９４１号公報にて開示している。この本出願人の記録方
法は記録パルスの波形が図５（Ａ）に示す如く、ピット
（マーク）を書込むパルス部分以外の部分におい
て、本実施例の消去部（図３（Ｂ）の）に類似した連
続パルス列を有するようになされているが、この本出願
人の提案方法のオーバライトは本実施例の如き媒体の層
間の交換結合を利用するものではなく、反磁界を利用す
るものであり、このため“０”のビットは消去のために
で示す如く連続パルス列としている。
記録マークの形成すべき部分以外の部分において、記録
マークの形成に用いられるものよりも幅の狭い光パルス
の連続からなる消去ビームを光磁気ディスクに照射する
ようにした記録方法を本出願人は先に特開平１−１１９
９４１号公報にて開示している。この本出願人の記録方
法は記録パルスの波形が図５（Ａ）に示す如く、ピット
（マーク）を書込むパルス部分以外の部分におい
て、本実施例の消去部（図３（Ｂ）の）に類似した連
続パルス列を有するようになされているが、この本出願
人の提案方法のオーバライトは本実施例の如き媒体の層
間の交換結合を利用するものではなく、反磁界を利用す
るものであり、このため“０”のビットは消去のために
で示す如く連続パルス列としている。
【００５０】従って、この本出願人の提案になる記録方
法をそのまま本実施例で用いる交換結合多層膜媒体に適
用すると、“１”のビットに隣接する“０”のビット部
分の消去パルスによる昇温効果によって、記録されるピ
ット（マーク）は図５（Ｂ）に示す如く“１”のビット
よりも長くマークが形成されてしまう。
法をそのまま本実施例で用いる交換結合多層膜媒体に適
用すると、“１”のビットに隣接する“０”のビット部
分の消去パルスによる昇温効果によって、記録されるピ
ット（マーク）は図５（Ｂ）に示す如く“１”のビット
よりも長くマークが形成されてしまう。
【００５１】これは、データが“１”のビット位置毎に
記録用レーザ光の光強度を反転して、データ“１”に対
応した媒体位置にピットのエッジが位置するように記録
するピットエッジ記録方式に適用した場合、エッジ位置
が本来の位置で記録できないために致命的なエラーとな
る。これに対し、本発明では図３（Ｂ）にで示す如
く、“１”のビットに隣接する“０”のビット位置に休
止部を設けているため、上記のピットエッジ記録方式に
適用してもピットのエッジを本来の位置に記録すること
ができる。
記録用レーザ光の光強度を反転して、データ“１”に対
応した媒体位置にピットのエッジが位置するように記録
するピットエッジ記録方式に適用した場合、エッジ位置
が本来の位置で記録できないために致命的なエラーとな
る。これに対し、本発明では図３（Ｂ）にで示す如
く、“１”のビットに隣接する“０”のビット位置に休
止部を設けているため、上記のピットエッジ記録方式に
適用してもピットのエッジを本来の位置に記録すること
ができる。
【００５２】次に本発明の記録装置の一実施例について
説明する。図６は本発明になる記録装置の一実施例の構
成図を示す。本実施例は記録系と再生系を有する記録再
生装置の例で、記録再生装置２０は光磁気ディスク１０
に対して光ヘッド２１により情報を記録し、また既記録
情報を再生する。
説明する。図６は本発明になる記録装置の一実施例の構
成図を示す。本実施例は記録系と再生系を有する記録再
生装置の例で、記録再生装置２０は光磁気ディスク１０
に対して光ヘッド２１により情報を記録し、また既記録
情報を再生する。
【００５３】光磁気ディスク１０はスピンドルモータ２
２により矢印Ｘ方向に回転される。この光磁気ディスク
１０に対して光ヘッド２１よりレーザ光２３が照射さ
れ、かつ、その照射位置にバイアス磁石２４によりバイ
アス磁界Ｈb が与えられている。また光磁気ディスク１
０の別の位置には初期化磁石２５により初期化磁界Ｈin
i が印加されている。
２により矢印Ｘ方向に回転される。この光磁気ディスク
１０に対して光ヘッド２１よりレーザ光２３が照射さ
れ、かつ、その照射位置にバイアス磁石２４によりバイ
アス磁界Ｈb が与えられている。また光磁気ディスク１
０の別の位置には初期化磁石２５により初期化磁界Ｈin
i が印加されている。
【００５４】ドライブコントローラ２６は記録再生装置
２０全体の動作制御を司る制御装置で、上位装置（通常
はコンピュータ）と所定の外部インタフェース（例えば
ＳＣＳＩインタフェース）を介して接続される。信号処
理回路２７は記録時は記録データを前記した（２，７）
変調されたＲＬＬに変換し、また再生時には再生パルス
を復調する。光ヘッド制御回路２８は記録時は上記ＲＬ
Ｌに基づく記録パルスを生成し、再生時は光ヘッド２１
よりの再生信号に対してＡＧＣ（自動利得制御）や波形
等化を行ないパルス化する。
２０全体の動作制御を司る制御装置で、上位装置（通常
はコンピュータ）と所定の外部インタフェース（例えば
ＳＣＳＩインタフェース）を介して接続される。信号処
理回路２７は記録時は記録データを前記した（２，７）
変調されたＲＬＬに変換し、また再生時には再生パルス
を復調する。光ヘッド制御回路２８は記録時は上記ＲＬ
Ｌに基づく記録パルスを生成し、再生時は光ヘッド２１
よりの再生信号に対してＡＧＣ（自動利得制御）や波形
等化を行ないパルス化する。
【００５５】光ヘッド２１は記録時は上記パルスで光強
度が変調されたレーザ光を発生して光磁気ディスク１０
上に照射し、また再生時はレーザ光２３のレーザパワー
を前記した一定のリードパワーＰR にして光磁気ディス
ク１０に照射すると共に、光磁気ディスク１０からの反
射光を光学系を通して受光し、反射光の光量変化又は反
射偏光面の回転を検出して再生信号等を得る。
度が変調されたレーザ光を発生して光磁気ディスク１０
上に照射し、また再生時はレーザ光２３のレーザパワー
を前記した一定のリードパワーＰR にして光磁気ディス
ク１０に照射すると共に、光磁気ディスク１０からの反
射光を光学系を通して受光し、反射光の光量変化又は反
射偏光面の回転を検出して再生信号等を得る。
【００５６】また、バイアス磁石制御回路２９はバイア
ス磁石２４より所定のバイアス磁界Ｈb を発生させる。
スピンドルモータ制御回路３０はドライブコントローラ
２６の制御下でスピンドルモータ２２の回転を制御す
る。
ス磁石２４より所定のバイアス磁界Ｈb を発生させる。
スピンドルモータ制御回路３０はドライブコントローラ
２６の制御下でスピンドルモータ２２の回転を制御す
る。
【００５７】図６に示す構成は大部分は従来より公知で
あるが、第１実施例は光ヘッド制御回路２８の記録系に
図７に示すパルス発生回路を有し、また光ヘッド２１内
に図９に示す半導体レーザ及び半導体レーザ制御回路を
有する点に特徴を有する。
あるが、第１実施例は光ヘッド制御回路２８の記録系に
図７に示すパルス発生回路を有し、また光ヘッド２１内
に図９に示す半導体レーザ及び半導体レーザ制御回路を
有する点に特徴を有する。
【００５８】図７に示すパルス発生回路において、ＲＳ
フリップフロップ３３のクロック端子に図８（Ａ）に示
すクロックパルスＣＬＫがインバータ３２を介して印加
される。このクロックパルスＣＬＫはパルス幅１５ｎ
ｓ、周期３０ｎｓの対称方形波である。このＲＳフリッ
プフロップ３３により上記のクロックパルスＣＬＫは１
／２分周されて図８（Ｂ）に示す如くパルス幅３０ｎ
ｓ、周期６０ｎｓのクロックに変換された後、Ｄ型フリ
ップフロップ３４，３５及び３６の各クロック端子に印
加される。
フリップフロップ３３のクロック端子に図８（Ａ）に示
すクロックパルスＣＬＫがインバータ３２を介して印加
される。このクロックパルスＣＬＫはパルス幅１５ｎ
ｓ、周期３０ｎｓの対称方形波である。このＲＳフリッ
プフロップ３３により上記のクロックパルスＣＬＫは１
／２分周されて図８（Ｂ）に示す如くパルス幅３０ｎ
ｓ、周期６０ｎｓのクロックに変換された後、Ｄ型フリ
ップフロップ３４，３５及び３６の各クロック端子に印
加される。
【００５９】一方、図８（Ｅ）に示す記録データは値が
“１”のときハイレベルとなるビット周期６０ｎｓのパ
ルスで図８（Ｃ）に示すライトゲート信号ＷＧがハイレ
ベルの期間、図７のＡＮＤ回路３７を通してＤ型フリッ
プフロップ３５のデータ入力端子に印加される一方、イ
ンバータ３８を介してＡＮＤ回路３９に入力される。Ｄ
型フリップフロップ３４は上記のライトゲート信号ＷＧ
を図８（Ｂ）に示した１／２分周クロックでラッチし、
６０ｎｓ遅延した図８（Ｄ）に示すライトゲート信号Ｗ
Ｇ’を出力する。Ｄ型フリップフロップ３５は上記のＡ
ＮＤ回路３７の出力信号を６０ｎｓ遅延して図８（Ｆ）
に示す如きデータＷＤ’を出力する。Ｄ型フリップフロ
ップ３６はこのデータＷＤ’を更に６０ｎｓ遅延して図
８（Ｇ）に示す如きデータＷＤ”を出力する。
“１”のときハイレベルとなるビット周期６０ｎｓのパ
ルスで図８（Ｃ）に示すライトゲート信号ＷＧがハイレ
ベルの期間、図７のＡＮＤ回路３７を通してＤ型フリッ
プフロップ３５のデータ入力端子に印加される一方、イ
ンバータ３８を介してＡＮＤ回路３９に入力される。Ｄ
型フリップフロップ３４は上記のライトゲート信号ＷＧ
を図８（Ｂ）に示した１／２分周クロックでラッチし、
６０ｎｓ遅延した図８（Ｄ）に示すライトゲート信号Ｗ
Ｇ’を出力する。Ｄ型フリップフロップ３５は上記のＡ
ＮＤ回路３７の出力信号を６０ｎｓ遅延して図８（Ｆ）
に示す如きデータＷＤ’を出力する。Ｄ型フリップフロ
ップ３６はこのデータＷＤ’を更に６０ｎｓ遅延して図
８（Ｇ）に示す如きデータＷＤ”を出力する。
【００６０】ＡＮＤ回路３９はＤ型フリップフロップ３
４，３５及び３６より上記の出力信号ＷＧ’，ＷＤ’及
びＷＤ”の逆相の信号ＸＷＧ’，ＸＷＤ’及びＸＷＤ”
と、ＡＮＤ回路３７の出力信号の逆相の信号と図８
（Ａ）に示した周期３０ｎｓのクロックＣＬＫとが夫々
入力され、これらがすべてハイレベルの期間のみハイレ
ベルの信号を出力する。ＯＲ回路４０はこのＡＮＤ回路
３９の出力信号と前記データＷＤ’とが入力され、それ
ら入力信号の論理和をとり、図８（Ｈ）に示すパルスａ
を出力する。
４，３５及び３６より上記の出力信号ＷＧ’，ＷＤ’及
びＷＤ”の逆相の信号ＸＷＧ’，ＸＷＤ’及びＸＷＤ”
と、ＡＮＤ回路３７の出力信号の逆相の信号と図８
（Ａ）に示した周期３０ｎｓのクロックＣＬＫとが夫々
入力され、これらがすべてハイレベルの期間のみハイレ
ベルの信号を出力する。ＯＲ回路４０はこのＡＮＤ回路
３９の出力信号と前記データＷＤ’とが入力され、それ
ら入力信号の論理和をとり、図８（Ｈ）に示すパルスａ
を出力する。
【００６１】このパルスａはインバータ４１で反転され
てＡＮＤ回路４２に供給され、ここで前記遅延ライトゲ
ート信号ＷＧ’と論理積をとられて図８（Ｉ）に示すパ
ルスｂに変換されて出力される。更にＤ型フリップフロ
ップ３４より取り出された遅延ライトゲート信号ＷＧ’
の逆相の信号は図８（Ｊ）に示す如くパルスｃとして出
力される。上記のパルスａ，ｂ及びｃは光ヘッド２１内
の図９に示す半導体レーザ制御回路にスイッチングパル
スとして印加される。図９において、半導体レーザ４４
は前記レーザ光２３を放射する発光素子で、そのカソー
ドに定電流源４５〜４７が選択接続されることで駆動電
流が制御され、レーザパワー（光強度）が制御される。
てＡＮＤ回路４２に供給され、ここで前記遅延ライトゲ
ート信号ＷＧ’と論理積をとられて図８（Ｉ）に示すパ
ルスｂに変換されて出力される。更にＤ型フリップフロ
ップ３４より取り出された遅延ライトゲート信号ＷＧ’
の逆相の信号は図８（Ｊ）に示す如くパルスｃとして出
力される。上記のパルスａ，ｂ及びｃは光ヘッド２１内
の図９に示す半導体レーザ制御回路にスイッチングパル
スとして印加される。図９において、半導体レーザ４４
は前記レーザ光２３を放射する発光素子で、そのカソー
ドに定電流源４５〜４７が選択接続されることで駆動電
流が制御され、レーザパワー（光強度）が制御される。
【００６２】定電流源４５はスイッチＳＷ1 を直列に介
して半導体レーザ４４のカソードに接続され、定電流源
４６，４７は夫々スイッチＳＷ2 ，ＳＷ3 を直列に介し
て半導体レーザ４４のカソードに接続されている。スイ
ッチＳＷ1 ，ＳＷ2 及びＳＷ 3 は夫々パルスａ，ｂ及び
ｃがハイレベルのときにオンとされるスイッチである。
して半導体レーザ４４のカソードに接続され、定電流源
４６，４７は夫々スイッチＳＷ2 ，ＳＷ3 を直列に介し
て半導体レーザ４４のカソードに接続されている。スイ
ッチＳＷ1 ，ＳＷ2 及びＳＷ 3 は夫々パルスａ，ｂ及び
ｃがハイレベルのときにオンとされるスイッチである。
【００６３】上記のパルスａ及びｂは図８（Ｈ），
（Ｉ）からわかるように、図８（Ｊ）に示したパルスｃ
のローレベル期間（すなわち記録時間）は互いに逆相で
あるから、記録時にはスイッチＳＷ3 は常時オフとさ
れ、スイッチＳＷ1 及びＳＷ2 の一方がオンとされる。
ここで、スイッチＳＷ1 がオンのときは半導体レーザ４
４には定電流源４５により電流ＩH が流れ、レーザパワ
ーがハイパワーＰH に制御される。また、スイッチＳＷ
2 がオンのときは半導体レーザ４４には定電流源４６が
接続されて電流ＩL （ＩL ＜ＩH ）が流れ、このとき半
導体レーザ４４はレーザパワーがローパワーＰL に制御
される。
（Ｉ）からわかるように、図８（Ｊ）に示したパルスｃ
のローレベル期間（すなわち記録時間）は互いに逆相で
あるから、記録時にはスイッチＳＷ3 は常時オフとさ
れ、スイッチＳＷ1 及びＳＷ2 の一方がオンとされる。
ここで、スイッチＳＷ1 がオンのときは半導体レーザ４
４には定電流源４５により電流ＩH が流れ、レーザパワ
ーがハイパワーＰH に制御される。また、スイッチＳＷ
2 がオンのときは半導体レーザ４４には定電流源４６が
接続されて電流ＩL （ＩL ＜ＩH ）が流れ、このとき半
導体レーザ４４はレーザパワーがローパワーＰL に制御
される。
【００６４】従って、記録時は半導体レーザ４４からは
図８（Ｈ）に示したパルスａと同じようにレーザパワー
がハイパワーＰH とローパワーＰL に制御されたレーザ
光が放射されることとなる（図８（Ｈ）において、ハイ
レベルの期間がパイパワーＰ H 出力期間、ローレベルの
期間がローパワーＰL 出力期間に相当する。）。
図８（Ｈ）に示したパルスａと同じようにレーザパワー
がハイパワーＰH とローパワーＰL に制御されたレーザ
光が放射されることとなる（図８（Ｈ）において、ハイ
レベルの期間がパイパワーＰ H 出力期間、ローレベルの
期間がローパワーＰL 出力期間に相当する。）。
【００６５】なお、再生時はパルスａ〜ｃのうちパルス
ｃのみがハイレベルとされるため、スイッチＳＷ3 のみ
がオンとされ、半導体レーザ４４は定電流源４７に接続
されて電流ＩR （ＩR ＜ＩL ）が流され、これにより半
導体レーザ４４からリードパワーＰR のレーザ光が放射
される。
ｃのみがハイレベルとされるため、スイッチＳＷ3 のみ
がオンとされ、半導体レーザ４４は定電流源４７に接続
されて電流ＩR （ＩR ＜ＩL ）が流され、これにより半
導体レーザ４４からリードパワーＰR のレーザ光が放射
される。
【００６６】次に本発明方法の第２実施例について説明
する。第２実施例は図６に示す構成の光ヘッド制御回路
２８の記録系に図１１に示すパルス発生回路を有し、ま
た光ヘッド２１内に図９に示す半導体レーザ及び半導体
レーザ制御回路を有する。
する。第２実施例は図６に示す構成の光ヘッド制御回路
２８の記録系に図１１に示すパルス発生回路を有し、ま
た光ヘッド２１内に図９に示す半導体レーザ及び半導体
レーザ制御回路を有する。
【００６７】図１１において、図７と同一部分には同一
符号を付す。図１１において、ＲＳフリップフロップ３
３のクロック端子に図１２（Ａ）に示すクロックパルス
ＣＬＫがインバータ３２を介して印加される。このクロ
ックパルスＣＬＫは対称方形波である。このＲＳフリッ
プフロップ３３により上記のクロックパルスＣＬＫは１
／２分周されて図１２（Ｂ）に示すクロックに変換され
た後、Ｄ型フリップフロップ３４，３５及び３６の各ク
ロック端子に印加される。
符号を付す。図１１において、ＲＳフリップフロップ３
３のクロック端子に図１２（Ａ）に示すクロックパルス
ＣＬＫがインバータ３２を介して印加される。このクロ
ックパルスＣＬＫは対称方形波である。このＲＳフリッ
プフロップ３３により上記のクロックパルスＣＬＫは１
／２分周されて図１２（Ｂ）に示すクロックに変換され
た後、Ｄ型フリップフロップ３４，３５及び３６の各ク
ロック端子に印加される。
【００６８】一方、図１２（Ｅ）に示す記録データは値
が“１”のときハイレベルとなるパルス幅が例えばクロ
ックＣＬＫの２周期分のパルスで図１２（Ｃ）に示すラ
イトゲート信号ＷＧがハイレベルの期間、図７のＡＮＤ
回路３７を通してＤ型フリップフロップ３５のデータ入
力端子に印加される。Ｄ型フリップフロップ３４は上記
のライトゲート信号ＷＧを図１２（Ｂ）に示した１／２
分周クロックでラッチして遅延した図１２（Ｄ）に示す
ライトゲート信号ＷＧ’を出力する。Ｄ型フリップフロ
ップ３５は上記のＡＮＤ回路３７の出力信号を遅延して
図１２（Ｆ）に示す如きデータＷＤ’を出力する。Ｄ型
フリップフロップ３６はこのデータＷＤ’を更に遅延し
て図１２（Ｇ）に示す如きデータＷＤ”を出力する。
が“１”のときハイレベルとなるパルス幅が例えばクロ
ックＣＬＫの２周期分のパルスで図１２（Ｃ）に示すラ
イトゲート信号ＷＧがハイレベルの期間、図７のＡＮＤ
回路３７を通してＤ型フリップフロップ３５のデータ入
力端子に印加される。Ｄ型フリップフロップ３４は上記
のライトゲート信号ＷＧを図１２（Ｂ）に示した１／２
分周クロックでラッチして遅延した図１２（Ｄ）に示す
ライトゲート信号ＷＧ’を出力する。Ｄ型フリップフロ
ップ３５は上記のＡＮＤ回路３７の出力信号を遅延して
図１２（Ｆ）に示す如きデータＷＤ’を出力する。Ｄ型
フリップフロップ３６はこのデータＷＤ’を更に遅延し
て図１２（Ｇ）に示す如きデータＷＤ”を出力する。
【００６９】ＡＮＤ回路５０はＤ型フリップフロップ３
４，３５より上記の出力信号ＷＧ’，ＷＤ’の逆相の信
号ＸＷＧ’，ＸＷＤ’と、図１２（Ａ）に示したクロッ
クＣＬＫとが夫々入力され、これらがすべてハイレベル
の期間のみハイレベルの信号を出力する。ＯＲ回路５１
はこのＡＮＤ回路５０の出力信号と前記データＷＤ’と
が入力され、それら入力信号の論理和をとり、図１２
（Ｈ）に示すパルスａを出力する。
４，３５より上記の出力信号ＷＧ’，ＷＤ’の逆相の信
号ＸＷＧ’，ＸＷＤ’と、図１２（Ａ）に示したクロッ
クＣＬＫとが夫々入力され、これらがすべてハイレベル
の期間のみハイレベルの信号を出力する。ＯＲ回路５１
はこのＡＮＤ回路５０の出力信号と前記データＷＤ’と
が入力され、それら入力信号の論理和をとり、図１２
（Ｈ）に示すパルスａを出力する。
【００７０】このパルスａはインバータ４１で反転され
てＡＮＤ回路４２に供給され、ここで前記遅延ライトゲ
ート信号ＷＧ’と論理積をとられてＯＲ回路５３に供給
される。
てＡＮＤ回路４２に供給され、ここで前記遅延ライトゲ
ート信号ＷＧ’と論理積をとられてＯＲ回路５３に供給
される。
【００７１】ＲＯ回路５３は上記ＡＮＤ回路４２の出力
信号と、Ｄ型フリップフロップ３４の出力信号ＷＧ’と
論理和をとる。このＯＲ回路５３の出力信号はＡＮＤ回
路５４においてＤ型フリップフロップ３４の出力信号Ｗ
Ｇ’の逆相の信号ＸＷＧ’と論理積をとられ図１２
（Ｉ）に示すパルスｂとされて出力される。
信号と、Ｄ型フリップフロップ３４の出力信号ＷＧ’と
論理和をとる。このＯＲ回路５３の出力信号はＡＮＤ回
路５４においてＤ型フリップフロップ３４の出力信号Ｗ
Ｇ’の逆相の信号ＸＷＧ’と論理積をとられ図１２
（Ｉ）に示すパルスｂとされて出力される。
【００７２】短安定マルチバイブレータ（モノマルチ）
５５はＤ型フリップフロップ３６の出力信号ＷＤ”の立
上りを検出して立上り、パルス幅がクロックＣＬＫと略
同一のパルスを生成する。このモノマルチ５３の出力パ
ルスはＯＲ回路５６においてＤ型フリップフロップ３４
の出力信号ＷＧ’と論理和をとられ、図１２（Ｊ）に示
すパルスｃとされて出力される。
５５はＤ型フリップフロップ３６の出力信号ＷＤ”の立
上りを検出して立上り、パルス幅がクロックＣＬＫと略
同一のパルスを生成する。このモノマルチ５３の出力パ
ルスはＯＲ回路５６においてＤ型フリップフロップ３４
の出力信号ＷＧ’と論理和をとられ、図１２（Ｊ）に示
すパルスｃとされて出力される。
【００７３】上記のパルスａ，ｂ及びｃは光ヘッド２１
内の図９に示す半導体レーザ制御回路にスイッチングパ
ルスとして印加される 上記のパルスａ，ｂは遅延したライトゲート信号ＷＧ’
のハイレベル期間つまり記録時間では、パルスａがクロ
ックＣＬＫの２周期分ハイレベルとなるとスイッチＳＷ
1 がオンとされ半導体レーザ４４に定電流源４５より電
流ＩH が流れレーザパワーがハイパワーＰH とされて記
録データ“１”が記録される。
内の図９に示す半導体レーザ制御回路にスイッチングパ
ルスとして印加される 上記のパルスａ，ｂは遅延したライトゲート信号ＷＧ’
のハイレベル期間つまり記録時間では、パルスａがクロ
ックＣＬＫの２周期分ハイレベルとなるとスイッチＳＷ
1 がオンとされ半導体レーザ４４に定電流源４５より電
流ＩH が流れレーザパワーがハイパワーＰH とされて記
録データ“１”が記録される。
【００７４】この直後、パルスｃがクロックＣＬＫの１
／４周期分ハイレベルとなり、スイッチＳＷ3 がオンと
されて半導体レーザ４４に定電流源４７から電流ＩR が
流れレーザパワーはリードパワーＰR となる。
／４周期分ハイレベルとなり、スイッチＳＷ3 がオンと
されて半導体レーザ４４に定電流源４７から電流ＩR が
流れレーザパワーはリードパワーＰR となる。
【００７５】この後、クロックＣＬＫの１／４周期毎に
パルスａとｂとが交互にハイレベルとなり、スイッチＳ
Ｗ1 ，ＳＷ2 が交互にオンとされて半導体レーザ４４に
定電流源４５，４６から電流ＩH ，ＩL が流れレーザパ
ワーは交互にハイパワーＰH、ローパワーＰL となって
記録データ“０”が記録される。
パルスａとｂとが交互にハイレベルとなり、スイッチＳ
Ｗ1 ，ＳＷ2 が交互にオンとされて半導体レーザ４４に
定電流源４５，４６から電流ＩH ，ＩL が流れレーザパ
ワーは交互にハイパワーＰH、ローパワーＰL となって
記録データ“０”が記録される。
【００７６】これにより、記録パルスが第２の値“０”
の期間のレーザパワーは第１のレーザパワーＰH が短時
間ずつ断続的に発生されるため、光磁気記録媒体は書込
み開始温度まで昇温せず、記録マークは形成されない
が、消去開始温度以上に昇温され、記録マーク間隔が長
くても媒体の温度を消去開始温度程度に保つことができ
る。
の期間のレーザパワーは第１のレーザパワーＰH が短時
間ずつ断続的に発生されるため、光磁気記録媒体は書込
み開始温度まで昇温せず、記録マークは形成されない
が、消去開始温度以上に昇温され、記録マーク間隔が長
くても媒体の温度を消去開始温度程度に保つことができ
る。
【００７７】一方、記録パルスの第１の値のビット
“１”の後に隣接する第２の値のビット“０”は第３の
レーザパワーＰR とされた後に第１，第２のレーザパワ
ーＰH ，ＰL を繰り返されるため、光磁気記録媒体の温
度が低下され、記録マーク間隔が短かくても、マーク書
込みが行なわれたビットの直後のビット部分の媒体温度
が書込み開始温度以上に昇温することが防止される。
“１”の後に隣接する第２の値のビット“０”は第３の
レーザパワーＰR とされた後に第１，第２のレーザパワ
ーＰH ，ＰL を繰り返されるため、光磁気記録媒体の温
度が低下され、記録マーク間隔が短かくても、マーク書
込みが行なわれたビットの直後のビット部分の媒体温度
が書込み開始温度以上に昇温することが防止される。
【００７８】ここで、従来方法及び本発明方法の第１実
施例、第２実施例夫々におけるレーザパワーパターンを
図１３に示す。図１３（Ａ）は従来方法の１．５τ，
２．０τ，２．５τ，３．０τ，３．５τ，４．０τ夫
々のレーザパワーパターンを示し、図１３（Ｂ）は本発
明方法の第１実施例の１．５τ，２．０τ，２．５τ，
３．０τ，３．５τ，４．０τ夫々のレーザパワーパタ
ーンを示し、図１３（Ｃ）は本発明方法の第２実施例の
１．５τ，２．０τ，２．５τ，３．０τ，３．５τ，
４．０τ夫々のレーザパワーパターンを示している。
施例、第２実施例夫々におけるレーザパワーパターンを
図１３に示す。図１３（Ａ）は従来方法の１．５τ，
２．０τ，２．５τ，３．０τ，３．５τ，４．０τ夫
々のレーザパワーパターンを示し、図１３（Ｂ）は本発
明方法の第１実施例の１．５τ，２．０τ，２．５τ，
３．０τ，３．５τ，４．０τ夫々のレーザパワーパタ
ーンを示し、図１３（Ｃ）は本発明方法の第２実施例の
１．５τ，２．０τ，２．５τ，３．０τ，３．５τ，
４．０τ夫々のレーザパワーパターンを示している。
【００７９】ところで、１．５τ信号記録部分を４τ信
号でオーバーライトしたときのＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上
のＣ／Ｎマップと、４τ信号記録部分を１．５τ信号で
オーバーライトしたときのＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上のＣ
／Ｎマップとが重なる領域でローパワーが最も広くとれ
る部分を消去パワーのローパワーマージンと呼ぶ。
号でオーバーライトしたときのＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上
のＣ／Ｎマップと、４τ信号記録部分を１．５τ信号で
オーバーライトしたときのＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上のＣ
／Ｎマップとが重なる領域でローパワーが最も広くとれ
る部分を消去パワーのローパワーマージンと呼ぶ。
【００８０】光磁気ディスクが図２に示す断面構造であ
るとき、図３２に示す従来方法のＣ／Ｎマップではロー
パワーマージンは０ｍＷで、本出願人の特開平１−１１
９９４１号によって提案した方法ではＣ／Ｎマップは図
１４に示す如くなり、ローパワーマージンは１．５ｍＷ
である。これに対して本発明方法の第１実施例の図４に
示すＣ／Ｎマップではローパワーマージンは１．８ｍＷ
に拡がり、第２実施例ではＣ／Ｎマップは図１５に示す
如くなり、ローパワーマージンは２．０ｍＶに広がる。
るとき、図３２に示す従来方法のＣ／Ｎマップではロー
パワーマージンは０ｍＷで、本出願人の特開平１−１１
９９４１号によって提案した方法ではＣ／Ｎマップは図
１４に示す如くなり、ローパワーマージンは１．５ｍＷ
である。これに対して本発明方法の第１実施例の図４に
示すＣ／Ｎマップではローパワーマージンは１．８ｍＷ
に拡がり、第２実施例ではＣ／Ｎマップは図１５に示す
如くなり、ローパワーマージンは２．０ｍＶに広がる。
【００８１】次に光磁気ディスクが図１６（Ａ）に示す
如く、ガラス基板１１に保護層としてのＹ−ＳｉＯ2 膜
６１、メモリ層としてのＴｂ20Ｆｅ72Ｃｏ8 膜６２、記
録層としてのＴｂ2 Ｄｙ24Ｆｅ44Ｃｏ30膜６３、保護層
としてのＹ−ＳｉＯ2 膜６４を順次積層した構造の中間
層を設けない場合は、従来方法のローパワーマージンは
１．４ｍＷ、特開平１−１１９９４１号の方法のローパ
ワーマージンは１．９ｍＷである。これに対して本発明
方法の第１実施例、第２実施例夫々のローパワーマージ
ンは２．４ｍＷまで広がる。
如く、ガラス基板１１に保護層としてのＹ−ＳｉＯ2 膜
６１、メモリ層としてのＴｂ20Ｆｅ72Ｃｏ8 膜６２、記
録層としてのＴｂ2 Ｄｙ24Ｆｅ44Ｃｏ30膜６３、保護層
としてのＹ−ＳｉＯ2 膜６４を順次積層した構造の中間
層を設けない場合は、従来方法のローパワーマージンは
１．４ｍＷ、特開平１−１１９９４１号の方法のローパ
ワーマージンは１．９ｍＷである。これに対して本発明
方法の第１実施例、第２実施例夫々のローパワーマージ
ンは２．４ｍＷまで広がる。
【００８２】また、光磁気ディスクが図１６（Ｂ）に示
す如く、図１６（Ａ）の構成のメモリ層と記録層との間
に中間層としてのＧｄ32Ｆｅ48Ｃｏ20膜６５を追加した
構造の場合は、従来方法ではＣ／Ｎマップが図１７に示
す如くなり、ローパワーマージンは１．５ｍＷで、特開
平１−１１９９４１号の方法ではＣ／Ｎマップが図１８
に示す如くなりローパワーマージンは１．９ｍＷであ
る。これに対して本発明方法の第１実施例ではＣ／Ｎマ
ップが図１９に示す如くなりローパワーマージンは２．
３ｍＷに拡がり、第２実施例ではＣ／Ｎマップが図２０
に示す如くなりローパワーマージンは２．５ｍＷと更に
広がる。
す如く、図１６（Ａ）の構成のメモリ層と記録層との間
に中間層としてのＧｄ32Ｆｅ48Ｃｏ20膜６５を追加した
構造の場合は、従来方法ではＣ／Ｎマップが図１７に示
す如くなり、ローパワーマージンは１．５ｍＷで、特開
平１−１１９９４１号の方法ではＣ／Ｎマップが図１８
に示す如くなりローパワーマージンは１．９ｍＷであ
る。これに対して本発明方法の第１実施例ではＣ／Ｎマ
ップが図１９に示す如くなりローパワーマージンは２．
３ｍＷに拡がり、第２実施例ではＣ／Ｎマップが図２０
に示す如くなりローパワーマージンは２．５ｍＷと更に
広がる。
【００８３】また、光磁気ディスクが図１６（Ｃ）に示
す如く、図１６（Ｂ）の構成に放熱層としてのＡｌ膜６
６を追加した構造の場合は、従来方法ではＣ／Ｎマップ
が図２１に示す如くなり、ローパワーマージンは２．７
ｍＷで、特開平１−１１９９４１号の方法ではＣ／Ｎマ
ップが図２２に示す如くなりローパワーマージンは２．
８ｍＷである。これに対して本発明方法の第１実施例で
はＣ／Ｎマップが図２３に示す如くなりローパワーマー
ジンは３．２ｍＷに拡がり、第２実施例ではＣ／Ｎマッ
プが図２４に示す如くなりローパワーマージンは３．４
ｍＷと更に広がる。
す如く、図１６（Ｂ）の構成に放熱層としてのＡｌ膜６
６を追加した構造の場合は、従来方法ではＣ／Ｎマップ
が図２１に示す如くなり、ローパワーマージンは２．７
ｍＷで、特開平１−１１９９４１号の方法ではＣ／Ｎマ
ップが図２２に示す如くなりローパワーマージンは２．
８ｍＷである。これに対して本発明方法の第１実施例で
はＣ／Ｎマップが図２３に示す如くなりローパワーマー
ジンは３．２ｍＷに拡がり、第２実施例ではＣ／Ｎマッ
プが図２４に示す如くなりローパワーマージンは３．４
ｍＷと更に広がる。
【００８４】次に、光磁気ディスクが図２５（Ａ）に示
す如く、図１６（Ａ）の構成の記録層と保護層との間
に、スイッチ層としてのＴｂ18Ｆｅ80Ｃｏ2 膜７０と、
初期化層としてのＴｂ27Ｆｅ25Ｃｏ48膜７１とを追加し
た構造では、初期化層は初期化磁界Ｈini を与えるため
のものでキュリー温度が高く、ハイパワーＰH で加熱さ
れてもキュリー温度まで昇温しない。また、スイッチ層
は、メモリ層と記録層との結合度に比して、記録層と初
期化層との結合度を高くするために設けられている。こ
れによってこの構造の場合は図６の初期磁石を必要とし
ない。
す如く、図１６（Ａ）の構成の記録層と保護層との間
に、スイッチ層としてのＴｂ18Ｆｅ80Ｃｏ2 膜７０と、
初期化層としてのＴｂ27Ｆｅ25Ｃｏ48膜７１とを追加し
た構造では、初期化層は初期化磁界Ｈini を与えるため
のものでキュリー温度が高く、ハイパワーＰH で加熱さ
れてもキュリー温度まで昇温しない。また、スイッチ層
は、メモリ層と記録層との結合度に比して、記録層と初
期化層との結合度を高くするために設けられている。こ
れによってこの構造の場合は図６の初期磁石を必要とし
ない。
【００８５】図２５（Ａ）の構造の場合は、従来方法で
はローパワーマージンが１．７ｍＷで、特開平１−１１
９９４１号の方法ではローパワーマージンが２．０ｍＷ
であるのに対し、本発明方法の第１実施例ではローパワ
ーマージンが２．４ｍＷ、第２実施例ではローパワーマ
ージンが２．６ｍＷに広がる。
はローパワーマージンが１．７ｍＷで、特開平１−１１
９９４１号の方法ではローパワーマージンが２．０ｍＷ
であるのに対し、本発明方法の第１実施例ではローパワ
ーマージンが２．４ｍＷ、第２実施例ではローパワーマ
ージンが２．６ｍＷに広がる。
【００８６】また、光磁気ディスクが図２５（Ｂ）に示
す如く、図２５（Ａ）の構成のメモリ層と記録層との間
に中間層としてのＧｄ32Ｆｅ48Ｃｏ20膜６５を追加した
構造の場合は、従来方法ではローパワーマージンが１．
７ｍＷで、特開平１−１１９９４１号の方法ではローパ
ワーマージンが２．０ｍＷであるのに対し、本発明方法
の第１実施例ではローパワーマージンが２．６ｍＷ、第
２実施例ではローパワーマージンが２．６ｍＷと更に広
がる。
す如く、図２５（Ａ）の構成のメモリ層と記録層との間
に中間層としてのＧｄ32Ｆｅ48Ｃｏ20膜６５を追加した
構造の場合は、従来方法ではローパワーマージンが１．
７ｍＷで、特開平１−１１９９４１号の方法ではローパ
ワーマージンが２．０ｍＷであるのに対し、本発明方法
の第１実施例ではローパワーマージンが２．６ｍＷ、第
２実施例ではローパワーマージンが２．６ｍＷと更に広
がる。
【００８７】
【発明の効果】上述の如く、本発明方法によれば、光磁
気記録媒体の温度を記録マーク間隔の長短に拘らず消去
開始温度以上、書込み開始温度以下にすることができる
ため、オーバライト時の記録パルスパターンが大きく異
なっても、最適記録レーザパワーの領域を共通に確保す
ることができ、よって従来のレーザパワーの２値又は３
値の制御のみでオーバライトができる。
気記録媒体の温度を記録マーク間隔の長短に拘らず消去
開始温度以上、書込み開始温度以下にすることができる
ため、オーバライト時の記録パルスパターンが大きく異
なっても、最適記録レーザパワーの領域を共通に確保す
ることができ、よって従来のレーザパワーの２値又は３
値の制御のみでオーバライトができる。
【００８８】また、本発明記録装置によれば、半導体レ
ーザに対して記録パルスが第１の値のときは第１のレー
ザパワーでマークを書込み、第２の値のビットが第１の
値のビットに隣接するときは第２のレーザパワーでマー
クの書込みを休止し、更に第２の値のビットが第１の値
のビットに隣接しないときは第１のレーザパワーと第２
のレーザパワーとを交互配置として消去するレーザパワ
ーの制御を、２種類のレーザパワーででき、更に、記録
パルスが第１の値のときは第１のレーザパワーでマーク
を書き込み、第１の値のビットの後に隣接する第２の値
のビットは第３のレーザパワーとした後、前記第１のレ
ーザパワーと第２のレーザパワーとを交互に切り換えて
照射し、第２の値のビットの後に隣接する第２の値のビ
ットは前記第２のレーザパワーと第１のレーザパワーと
を交互に切り換えて照射して消去するレーザパワーの制
御を３種類のレーザパワーででき、簡単な回路構成で済
む等の特長を有するものである。
ーザに対して記録パルスが第１の値のときは第１のレー
ザパワーでマークを書込み、第２の値のビットが第１の
値のビットに隣接するときは第２のレーザパワーでマー
クの書込みを休止し、更に第２の値のビットが第１の値
のビットに隣接しないときは第１のレーザパワーと第２
のレーザパワーとを交互配置として消去するレーザパワ
ーの制御を、２種類のレーザパワーででき、更に、記録
パルスが第１の値のときは第１のレーザパワーでマーク
を書き込み、第１の値のビットの後に隣接する第２の値
のビットは第３のレーザパワーとした後、前記第１のレ
ーザパワーと第２のレーザパワーとを交互に切り換えて
照射し、第２の値のビットの後に隣接する第２の値のビ
ットは前記第２のレーザパワーと第１のレーザパワーと
を交互に切り換えて照射して消去するレーザパワーの制
御を３種類のレーザパワーででき、簡単な回路構成で済
む等の特長を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の作用説明図である。
【図２】本発明で用いる光磁気ディスクの一例の構造断
面図である。
面図である。
【図３】本発明方法の１．５τ信号及び４τ信号記録時
の一実施例のレーザパターンを示す図である。
の一実施例のレーザパターンを示す図である。
【図４】本発明方法の第１実施例によるＣ／Ｎマップを
示す図である。
示す図である。
【図５】本出願人が先に提案した記録方法による記録パ
ルスと媒体上に形成されるマークを示す図である。
ルスと媒体上に形成されるマークを示す図である。
【図６】本発明方法の第１実施例の構成図である。
【図７】本発明装置の要部の第１実施例の回路図であ
る。
る。
【図８】図７の動作説明用タイムチャートである。
【図９】本発明方法の他の要部の一実施例の概略回路図
である。
である。
【図１０】本発明の作用説明図である。
【図１１】本発明装置の要部の第２実施例の回路図であ
る。
る。
【図１２】図１１の動作説明用タイムチャートである。
【図１３】従来及び本発明のレーザパターンを示す図で
ある。
ある。
【図１４】従来方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図１５】本発明方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図１６】本発明方法で用いる光磁気ディスクの構造断
面図である。
面図である。
【図１７】従来方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図１８】従来方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図１９】本発明方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図２０】本発明方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図２１】従来方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図２２】従来方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図２３】本発明方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図２４】本発明方法のＣ／Ｎマップを示す図である。
【図２５】本発明方法で用いる光磁気ディスクの構造断
面図である。
面図である。
【図２６】光変調方式で用いる記録媒体の断面構造の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２７】図１０の記録媒体の磁気特性である。
【図２８】従来方法の消去動作説明図である。
【図２９】従来方法の書込み動作説明図である。
【図３０】オーバライト時のレーザパワーパターンの一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図３１】従来方法の１．５τ信号及び４τ信号記録時
のレーザパターンを示す図である。
のレーザパターンを示す図である。
【図３２】従来方法によるＣ／Ｎマップの一例を示す図
である。
である。
【図３３】レーザパワーと媒体上の温度分布を示す図で
ある。
ある。
１０ 光磁気ディスク ２０ 記録再生装置 ２１ 光ヘッド ２４ バイアス磁石 ２５ 初期化磁石 ２７ 信号処理回路 ２８ 光ヘッド制御回路 ３３ ＲＳフリップフロップ ３４〜３６ Ｄ型フリップフロップ ４４ 半導体レーザ ４５〜４７ 定電流源 ５５ モノマルチ 書込み部 休止部 消去部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 幸治 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 前田 巳代三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 記録情報が少なくとも第１の値のビット
の前後に隣接する各１ビットは夫々第２の値となるよう
に変調して得られた２値の記録パルスが、該第１の値の
とき第１のレーザパワーで光磁気記録媒体（１０）にマ
ークを書込み、該第２の値のとき第２のレーザパワーで
該光磁気記録媒体（１０）へのマークの書込みを休止す
る光磁気記録媒体の記録方法において、 前記第１の値のビットに隣接しないビット位置にある前
記第２の値の前記光磁気記録媒体（１０）への記録部分
に対しては、前記第１のレーザパワーと前記第２のレー
ザパワーとを交互に所定回切り換えて照射し、消去を行
なうことを特徴とする光磁気記録媒体の記録方法。 - 【請求項２】 前記光磁気記録媒体（１０）は交換結合
多層膜媒体であり、層間の交換結合を利用してオーバラ
イトされることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
媒体の記録方法。 - 【請求項３】 記録情報が少なくとも第１の値のビット
の前後に隣接する各１ビットは夫々第２の値となるよう
に変調して得られた２値の記録パルスが、該第１の値の
とき第１のレーザパワーで光磁気記録媒体（１０）にマ
ークを書込み、該第２の値のとき第２のレーザパワーで
該光磁気記録媒体（１０）へのマークの書込みを休止す
る光磁気記録媒体の記録方法において、 前記第１の値のビットの後に隣接する第２の値のビット
は前記第１，第２のレーザパワーより小なる第３のレー
ザパワーとした後、前記第１のレーザパワーと第２のレ
ーザパワーとを交互に切り換えて照射し、前記第２の値
のビットの後に隣接する第２の値のビットは前記第２の
レーザパワーと第１のレーザパワーとを交互に切り換え
て照射し、消去を行なうことを特徴とする光磁気記録媒
体の記録方法。 - 【請求項４】 記録情報が少なくとも第１の値のビット
の前後に隣接する各１ビットは夫々第２の値となるよう
に変調して得られた２値の記録パルスで光強度が変調さ
れたレーザ光を放射する半導体レーザ（４４）と、 該記録パルスが該第１の値のとき第１のレーザパワー
で、該第２の値のとき第２のレーザパワーで該半導体レ
ーザ（４４）より夫々取り出されるレーザ光を光磁気記
録媒体（１０）上に照射し、該第１のレーザパワーのと
きマークを書込み、該第２のレーザパワーのときマーク
の書込みを休止する光学系とを有する光磁気記録媒体の
記録装置において、 前記記録パルスが入力され、前記第１の値のビットに隣
接しないビット位置にある前記第２の値のビットは該第
１の値と第２の値とが所定回交互に繰り返される該第１
の値のビットの周期よりも幅の狭いパルス列を生成し
て、前記半導体レーザ（４４）のレーザパワーを前記第
１のレーザパワーと前記第２のレーザパワーとに交互に
切り換え、該第１の値入力時は前記第１のレーザパワー
とし、該第１の値のビットに隣接するビット位置にある
第２の値入力時は前記第２のレーザパワーとする半導体
レーザ制御手段（３２〜４２，４５，４６，ＳＷ1 ，Ｓ
Ｗ２）を有することを特徴とする光磁気記録媒体の記録
装置。 - 【請求項５】 記録情報が少なくとも第１の値のビット
の前後に隣接する各１ビットは夫々第２の値又は第３の
値となるように変調して得られた３値の記録パルスで光
強度が変調されたレーザ光を放射する半導体レーザ（４
４）と、 該記録パルスが該第１の値のとき第１のレーザパワー
で、該第２の値のとき第２のレーザパワーで、該第３の
値のとき第３のレーザパワーで該半導体レーザ（４４）
より夫々取り出されるレーザ光を光磁気記録媒体（１
０）上に照射し、該第１のレーザパワーのときマークを
書込み、該第２のレーザパワー又は第３のレーザパワー
のときマークの書込みを休止する光学系とを有する光磁
気記録媒体の記録装置であって、 前記記録パルスが入力され、前記第１の値のビットの後
に隣接する第２の値のビットは、該第３の値とされた
後、該第１の値と第２の値とが交互に繰り返される前記
第１の値のビットの周期よりも幅の狭いパルス列を生成
し、前記第２の値のビットの後に隣接する第２の値のビ
ットは、該第２の値と第１の値とが交互に繰り返される
前記第１の値のビットの同期よりも幅の狭いパルス列を
生成して、前記半導体レーザ（４４）のレーザパワーを
前記第１のレーザパワーと第２のレーザパワーと第３の
レーザパワーとに切り換え、該第１の値の入力時は前記
第１のレーザパワーとする半導体制御手段（３２〜５
６，ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ）を有することを特徴とす
る光磁気記録媒体の記録装置。 - 【請求項６】 前記光磁気記録媒体（１０）は交換結合
多層膜媒体であり、層間の交換結合を利用してオーバラ
イトすることを特徴とする請求項５記載の光磁気記録媒
体の記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106941A JPH06180885A (ja) | 1992-10-15 | 1993-05-07 | 光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置 |
| US08/093,641 US5381396A (en) | 1992-10-15 | 1993-07-20 | Magneto-optical recording method and apparatus for recording information on a magneto-optical recording media |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27753592 | 1992-10-15 | ||
| JP4-277535 | 1992-10-15 | ||
| JP5106941A JPH06180885A (ja) | 1992-10-15 | 1993-05-07 | 光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180885A true JPH06180885A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=26447037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5106941A Withdrawn JPH06180885A (ja) | 1992-10-15 | 1993-05-07 | 光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5381396A (ja) |
| JP (1) | JPH06180885A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5513165A (en) * | 1990-06-29 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for controlling the farm of a magnetic domain of a magneto-optical disk using pre-write testing |
| US5590111A (en) * | 1990-06-29 | 1996-12-31 | Hitachi, Ltd. | Method of controlling recording of optical records |
| JP2674453B2 (ja) * | 1993-01-18 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | 光ディスク媒体の記録方法および装置 |
| US6285647B1 (en) * | 1997-04-10 | 2001-09-04 | U.S. Philis Corporation | Method and device for writing an optical record carrier |
| JP3648914B2 (ja) * | 1997-04-11 | 2005-05-18 | ソニー株式会社 | レーザ光のパワー制御方法及び光ディスク記録装置 |
| US5991252A (en) * | 1997-07-21 | 1999-11-23 | Discovision Associates | Method and apparatus for reducing the width of marks written in optical media |
| US5981017A (en) * | 1997-12-19 | 1999-11-09 | Western Digital Corporation | Magnetic disk having a heat sink layer above the substrate and method of making |
| JP2001167484A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP2002319132A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Yamaha Corp | 光ディス記録方法及び装置 |
| JP2015149110A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | 磁気ディスク装置、及び制御方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144601A (en) * | 1987-11-02 | 1992-09-01 | Fujitsu Limited | Magneto-optical overwriting methods using erasing pulses, each of which has a higher frequency and narrower width than that of the overwriting pulses |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP5106941A patent/JPH06180885A/ja not_active Withdrawn
- 1993-07-20 US US08/093,641 patent/US5381396A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5381396A (en) | 1995-01-10 |
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