JPH07130030A - オーバーライト可能な光磁気記録方法、光磁気記録媒体 及び光磁気記録装置 - Google Patents
オーバーライト可能な光磁気記録方法、光磁気記録媒体 及び光磁気記録装置Info
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- JPH07130030A JPH07130030A JP5277947A JP27794793A JPH07130030A JP H07130030 A JPH07130030 A JP H07130030A JP 5277947 A JP5277947 A JP 5277947A JP 27794793 A JP27794793 A JP 27794793A JP H07130030 A JPH07130030 A JP H07130030A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザービームの低レベル、高レベル及びピー
クレベルのうち、低レベルと高レベルを含む少なくとも
２つの比を一定に制御すること、及び使用温度範囲で、
マークを形成する下限強度と、高レベルで形成したマー
クを消去できる下限強度の間に低レベルを調節するオー
バーライト可能な光磁気記録方法を提供する。 【構成】光磁気記録媒体に記録特性の温度依存性情報を
予め記録しておき、この媒体に記録する際にはレーザー
ビームの変調条件をこの情報に合わせて設定する。
クレベルのうち、低レベルと高レベルを含む少なくとも
２つの比を一定に制御すること、及び使用温度範囲で、
マークを形成する下限強度と、高レベルで形成したマー
クを消去できる下限強度の間に低レベルを調節するオー
バーライト可能な光磁気記録方法を提供する。 【構成】光磁気記録媒体に記録特性の温度依存性情報を
予め記録しておき、この媒体に記録する際にはレーザー
ビームの変調条件をこの情報に合わせて設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト（over
write）可能な光磁気記録方法、光磁気記録媒体及び光
磁気記録装置に関する。オーバーライトとは、前の情報
を消去せずに新たな情報を記録する行為を言う。この場
合、再生したとき、前の情報は再生されてはならない。
本明細書で言う「オーバーライト」とは、特に、記録磁
界Ｈbの向き及び強度を変調せずに、単にレーザビーム
を記録すべき情報に従いパルス変調しながら照射（irra
diate ）することにより、オーバーライトすることを言
う。
write）可能な光磁気記録方法、光磁気記録媒体及び光
磁気記録装置に関する。オーバーライトとは、前の情報
を消去せずに新たな情報を記録する行為を言う。この場
合、再生したとき、前の情報は再生されてはならない。
本明細書で言う「オーバーライト」とは、特に、記録磁
界Ｈbの向き及び強度を変調せずに、単にレーザビーム
を記録すべき情報に従いパルス変調しながら照射（irra
diate ）することにより、オーバーライトすることを言
う。
【０００２】
【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力がな
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力がな
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。 〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ groove ）が存在する。逆
に溝と溝の間をランド(land)と呼ぶ。実際には、ディス
クの裏表でランドと溝が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じにディスクを見て、手前を溝、奥をラン
ドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一
面に形成するので、溝の部分をトラックにしてもよい
し、ランドの部分をトラックにしてもよい。溝の幅とラ
ンドの幅との間に特に大小関係はない。
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。 〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ groove ）が存在する。逆
に溝と溝の間をランド(land)と呼ぶ。実際には、ディス
クの裏表でランドと溝が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じにディスクを見て、手前を溝、奥をラン
ドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一
面に形成するので、溝の部分をトラックにしてもよい
し、ランドの部分をトラックにしてもよい。溝の幅とラ
ンドの幅との間に特に大小関係はない。
【０００４】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。
【０００５】記録すべき情報は、予め２値化されてお
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ0)の２つの
信号で記録される。これらのマークＢ1 ，Ｂ0 は、デジ
タル信号の１，０の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化* （initialize* ）」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ
1)を形成する。情報は、このマーク（Ｂ1)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる。尚、マークは過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ0)の２つの
信号で記録される。これらのマークＢ1 ，Ｂ0 は、デジ
タル信号の１，０の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化* （initialize* ）」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ
1)を形成する。情報は、このマーク（Ｂ1)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる。尚、マークは過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。
【０００６】ところで、記録済みの媒体を再使用するに
は、 (１) 媒体を再び初期化* 装置で初期化* するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。
は、 (１) 媒体を再び初期化* 装置で初期化* するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。
【０００７】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。
【０００８】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層 recording layer（本明細書では、この記録再生層をメ
モリー層 Memory layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録補助層 reference layer （本明細書では、この記録補助層を記録層 Writi
ng layer 又はＷ層と言う）とを含み、両層は交換結合
（exchange-coupled) しており、かつ、室温でＭ層の磁
化の向きは変えないでＷ層の磁化のみを所定の向きに向
けておくことができるオーバーライト可能な多層光磁気
記録媒体」を使用する。
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層 recording layer（本明細書では、この記録再生層をメ
モリー層 Memory layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録補助層 reference layer （本明細書では、この記録補助層を記録層 Writi
ng layer 又はＷ層と言う）とを含み、両層は交換結合
（exchange-coupled) しており、かつ、室温でＭ層の磁
化の向きは変えないでＷ層の磁化のみを所定の向きに向
けておくことができるオーバーライト可能な多層光磁気
記録媒体」を使用する。
【０００９】そして、情報をＭ層（場合によりＷ層に
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。
【００１０】そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力
Ｈc と高いキュリー点Ｔc を持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
Ｗ層の磁化の向きだけが「Ａ向き」に揃えられる。この
行為を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼
ぶ。この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有
なことである。
Ｈc と高いキュリー点Ｔc を持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
Ｗ層の磁化の向きだけが「Ａ向き」に揃えられる。この
行為を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼
ぶ。この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有
なことである。
【００１１】その上で、２値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰH と低レベルＰL があり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰR よりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰR と同
一又は近似のレベルである。
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰH と低レベルＰL があり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰR よりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰR と同
一又は近似のレベルである。
【００１２】例えば、「Ａ向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルＰL のレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が上昇してＭ層の保磁力Ｈc1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がＭ層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、Ｗ層の保磁力Ｈc2は十分に大きく、
「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転されることはない。
そして、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ
層、Ｗ層は、一般に重希土類金属（heavy rareearth me
tal：以下、ＲＥと略す）−遷移金属（transition meta
l：以下、ＴＭと略す）合金で構成される。交換結合力
は、両層のＲＥ磁気モーメント同士を揃える力と両層の
ＴＭ磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではＲＥの副格子磁化とＴＭの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成（compensation composition) と言い、そ
の温度を補償温度（compensation temperature) と言
う。補償温度より上ではＴＭ副格子磁化の方が強く、補
償温度より下ではＲＥ副格子磁化の方が強い。
e)”された媒体は、低レベルＰL のレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が上昇してＭ層の保磁力Ｈc1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がＭ層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、Ｗ層の保磁力Ｈc2は十分に大きく、
「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転されることはない。
そして、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ
層、Ｗ層は、一般に重希土類金属（heavy rareearth me
tal：以下、ＲＥと略す）−遷移金属（transition meta
l：以下、ＴＭと略す）合金で構成される。交換結合力
は、両層のＲＥ磁気モーメント同士を揃える力と両層の
ＴＭ磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではＲＥの副格子磁化とＴＭの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成（compensation composition) と言い、そ
の温度を補償温度（compensation temperature) と言
う。補償温度より上ではＴＭ副格子磁化の方が強く、補
償温度より下ではＲＥ副格子磁化の方が強い。
【００１３】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との２種がある。存在しない状
態のマークは、形成しようとするマークと一致する。
存在する状態のマークは、形成しようとするマークと一
致しない。後者の場合、Ｗ層の力が交換結合力を介し
てＭ層に及ぶ結果、非常に小さくなった保磁力Ｈc1を持
つＭ層の磁化は、Ｗ層によって支配された所定の向き
（例えば、「Ａ向き」）を向かされる。その結果、Ｍ層
とＷ層との間に界面磁壁が存在しないマーク（目的とす
るマーク）が形成される。
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との２種がある。存在しない状
態のマークは、形成しようとするマークと一致する。
存在する状態のマークは、形成しようとするマークと一
致しない。後者の場合、Ｗ層の力が交換結合力を介し
てＭ層に及ぶ結果、非常に小さくなった保磁力Ｈc1を持
つＭ層の磁化は、Ｗ層によって支配された所定の向き
（例えば、「Ａ向き」）を向かされる。その結果、Ｍ層
とＷ層との間に界面磁壁が存在しないマーク（目的とす
るマーク）が形成される。
【００１４】仮にＭ層の磁化がゼロだった場合（Ｔc1以
上）でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の温度
が自然に低下してキュリー点Ｔc1よりやや下がると、Ｍ
層に磁化が現れる。このとき、同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に
補償温度があると、そこを越えたとき、その層の磁化の
向きは逆転する。このプロセスは低温サイクル又は低温
プロセスと呼ばれる。
上）でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の温度
が自然に低下してキュリー点Ｔc1よりやや下がると、Ｍ
層に磁化が現れる。このとき、同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に
補償温度があると、そこを越えたとき、その層の磁化の
向きは逆転する。このプロセスは低温サイクル又は低温
プロセスと呼ばれる。
【００１５】他方、例えば、「Ａ向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルＰH のレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁
力Ｈc1はゼロになり、Ｗ層の保磁力Ｈc2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Ｈc2を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層
の磁化がゼロだった場合でもレーザービームの照射がな
くなり、媒体の温度が自然に低下して キュリー点Ｔc2
よりやや下がると、Ｗ層に磁化が現れるが、このとき、
同様に記録磁界Ｈb に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き
（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。更に媒体の温度が冷
えてキュリー点Ｔc1よりやや下がると、Ｍ層に磁化が現
れる。このとき、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に
及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支
配された所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。
この状態から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但
し、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に補償温度があると、
そこを越えたとき、Ｍ層、Ｗ層の磁化の向きは逆転す
る。このプロセスは高温サイクル又は高温プロセスと呼
ばれる。
tialize)”された媒体は、高レベルＰH のレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁
力Ｈc1はゼロになり、Ｗ層の保磁力Ｈc2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Ｈc2を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層
の磁化がゼロだった場合でもレーザービームの照射がな
くなり、媒体の温度が自然に低下して キュリー点Ｔc2
よりやや下がると、Ｗ層に磁化が現れるが、このとき、
同様に記録磁界Ｈb に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き
（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。更に媒体の温度が冷
えてキュリー点Ｔc1よりやや下がると、Ｍ層に磁化が現
れる。このとき、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に
及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支
配された所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。
この状態から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但
し、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に補償温度があると、
そこを越えたとき、Ｍ層、Ｗ層の磁化の向きは逆転す
る。このプロセスは高温サイクル又は高温プロセスと呼
ばれる。
【００１６】以上の低温サイクル、高温サイクルは、Ｍ
層、Ｗ層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にＷ層が“初期化(initializ
e)”されておれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。
層、Ｗ層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にＷ層が“初期化(initializ
e)”されておれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。
【００１７】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。
【００１８】基本発明で使用される記録媒体は、Ｍ層と
Ｗ層を含む多層構造を有する。Ｍ層は、室温で保磁力が
高く磁化反転温度が低い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比
べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度が高い磁性
層である。なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自体多層膜か
ら構成されていてもよい。 場合によりＭ層とＷ層との
間に中間層（例えば、交換結合力σW 調整層・・・・以
下、この層をＩ層と略す）が存在していてもよい。Ｉ層
については、特開昭64−50257 号や特開平１−273248号
を参照されたい。
Ｗ層を含む多層構造を有する。Ｍ層は、室温で保磁力が
高く磁化反転温度が低い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比
べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度が高い磁性
層である。なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自体多層膜か
ら構成されていてもよい。 場合によりＭ層とＷ層との
間に中間層（例えば、交換結合力σW 調整層・・・・以
下、この層をＩ層と略す）が存在していてもよい。Ｉ層
については、特開昭64−50257 号や特開平１−273248号
を参照されたい。
【００１９】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その外、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、
“初期化”層 (Initializing layer：以下、Ｉni層と
略す）、Ｉni層とＷ層との間に両層の間の交換結合をオ
ン・オフするスイッチング層（Swithing layer：以下：
Ｓ層と略す）を持つ。
ついては、その外、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、
“初期化”層 (Initializing layer：以下、Ｉni層と
略す）、Ｉni層とＷ層との間に両層の間の交換結合をオ
ン・オフするスイッチング層（Swithing layer：以下：
Ｓ層と略す）を持つ。
【００２０】Ｃ／Ｎ比を高めるために、Ｍ層の上に（つ
まり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリー点
が高くカー効果の高い読出層（Readout layer ：以下：
Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金で
構成される。
まり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリー点
が高くカー効果の高い読出層（Readout layer ：以下：
Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金で
構成される。
【００２１】ところで、光記録は、レーザービームの熱
エネルギーを主に利用して行う（これをヒートモードと
いう）ので、記録媒体、わけても記録層の温度状態によ
りマークの形成され具合が大きく影響を受ける。これを
もう少し具体的に説明すると次のようになる。即ち、レ
ーザービーム強度を相対的に高い第１レベルと相対的に
低い第２レベル（基底レベル）との間で立ち上げ立ち下
げを行うと、第１レベルのときにマークが形成され、第
２レベルのときはマークは形成されない。つまり１回の
第１レベルで１個のマークが形成される。ここで、前述
したように第２レベルのときはマークは形成されないの
で、第２レベルは理屈上ゼロでもよいことになる。しか
し、マークが形成されるとき、特にマークの前エッジが
形成される直前の記録層の温度状態を、積極的に常に一
定になるようにしておかないと、マークの前エッジ位置
がその形成直前の記録層の温度状態に依存して、敏感に
変動することになる。この変動は高密度記録に対して大
きな障害となる。そこで、マークを形成しないときでも
所定の温度Θpre に保つように余熱しておくために、第
２レベルはこのための強度Ｐpre に設定することが一般
的である。このΘpr e は次式で与えられる。
エネルギーを主に利用して行う（これをヒートモードと
いう）ので、記録媒体、わけても記録層の温度状態によ
りマークの形成され具合が大きく影響を受ける。これを
もう少し具体的に説明すると次のようになる。即ち、レ
ーザービーム強度を相対的に高い第１レベルと相対的に
低い第２レベル（基底レベル）との間で立ち上げ立ち下
げを行うと、第１レベルのときにマークが形成され、第
２レベルのときはマークは形成されない。つまり１回の
第１レベルで１個のマークが形成される。ここで、前述
したように第２レベルのときはマークは形成されないの
で、第２レベルは理屈上ゼロでもよいことになる。しか
し、マークが形成されるとき、特にマークの前エッジが
形成される直前の記録層の温度状態を、積極的に常に一
定になるようにしておかないと、マークの前エッジ位置
がその形成直前の記録層の温度状態に依存して、敏感に
変動することになる。この変動は高密度記録に対して大
きな障害となる。そこで、マークを形成しないときでも
所定の温度Θpre に保つように余熱しておくために、第
２レベルはこのための強度Ｐpre に設定することが一般
的である。このΘpr e は次式で与えられる。
【００２２】 Θpre ＝Ａ・Ｐpre ・｛１−exp （−∞／τ）｝＋ΘA (1) ここで、Ａ（℃／mW）は、ディスク構造、レーザービー
ムのスポット形状、及び記録時のディスクとレーザービ
ームの相対速度によって決まるレーザービームの見かけ
の熱効率を表す定数であり、ΘA （℃）はレーザービー
ムが照射されない状態でのディスクの温度、また、τは
レーザービームの照射によるディスクの温度変化パター
ンを決定するディスクの熱時定数を表す。
ムのスポット形状、及び記録時のディスクとレーザービ
ームの相対速度によって決まるレーザービームの見かけ
の熱効率を表す定数であり、ΘA （℃）はレーザービー
ムが照射されない状態でのディスクの温度、また、τは
レーザービームの照射によるディスクの温度変化パター
ンを決定するディスクの熱時定数を表す。
【００２３】しかし、以上のように第１レベルと第２レ
ベルを設定しただけでは、以下に示す２つの問題によ
り、マークの開始位置と終了位置の精度は、高密度記録
という観点で充分ではなかった。第１の問題は、マーク
の前エッジ位置に関する問題である。これはマークの開
始位置が直前のマークの終了位置に接近している場合
に、直前のマークを形成した際の熱が記録層から逃げ切
らないうちに、次のマークを形成するための熱が与えら
れるために、後のマークの開始位置での記録層の温度上
昇が見込んだ時期より早くなってしまい、結果として、
後のマークの開始位置が前方にずれてしまう現象であ
る。この現象も、マークの開始位置と直前のマークの終
了位置の間隔が１μｓ以下程度の短い時間で発生するも
のである。この現象のことを「マーク形成の開始位置、
つまりマークの前エッジ位置の記録データ間隔依存性」
と言う。
ベルを設定しただけでは、以下に示す２つの問題によ
り、マークの開始位置と終了位置の精度は、高密度記録
という観点で充分ではなかった。第１の問題は、マーク
の前エッジ位置に関する問題である。これはマークの開
始位置が直前のマークの終了位置に接近している場合
に、直前のマークを形成した際の熱が記録層から逃げ切
らないうちに、次のマークを形成するための熱が与えら
れるために、後のマークの開始位置での記録層の温度上
昇が見込んだ時期より早くなってしまい、結果として、
後のマークの開始位置が前方にずれてしまう現象であ
る。この現象も、マークの開始位置と直前のマークの終
了位置の間隔が１μｓ以下程度の短い時間で発生するも
のである。この現象のことを「マーク形成の開始位置、
つまりマークの前エッジ位置の記録データ間隔依存性」
と言う。
【００２４】この問題に対しては、図９に示すように、
マーク形成を終了すべくレーザービーム強度を立ち下げ
るとき、一旦第２レベルＰpre より更に低いＰLBまで立
ち下げ、そのレベルを時間ＴOFF 維持した後、再びＰ
pre に戻すという方法が提案された。この方法によれ
ば、前のマークを形成し終わる位置での記録層の熱エネ
ルギーが減少するので次のマークにとっては前のマーク
からの熱的影響が残らなくなる。この方法を熱遮断方式
という。
マーク形成を終了すべくレーザービーム強度を立ち下げ
るとき、一旦第２レベルＰpre より更に低いＰLBまで立
ち下げ、そのレベルを時間ＴOFF 維持した後、再びＰ
pre に戻すという方法が提案された。この方法によれ
ば、前のマークを形成し終わる位置での記録層の熱エネ
ルギーが減少するので次のマークにとっては前のマーク
からの熱的影響が残らなくなる。この方法を熱遮断方式
という。
【００２５】第２の問題は、マークの後エッジ位置に関
する問題である。図１０に示すようにマーク形成を開始
すべくレーザービーム強度を第２レベルＰpre から第１
レベルＰw1に立ち上げ、その状態で時間ＴW1の間維持す
るとする。この場合、Ｔw1が長い、即ちマークが長い
と、記録層での熱蓄積が大きくなり、マーク形成を終了
すべくレーザービーム強度をＰpre に立ち下げても、記
録層温度がマーク形成温度以下に下がるまでの時間が長
くなり、そのためマークが見込んだ長さより長くなって
しまうということがあった。この現象を「マーク形成の
終了位置、つまりマークの後エッジ位置の、記録データ
長さ依存性」と言う。この現象は当然のことながら、デ
ータの弁別性を低下させることで、高密度記録にとって
障害になっていた。
する問題である。図１０に示すようにマーク形成を開始
すべくレーザービーム強度を第２レベルＰpre から第１
レベルＰw1に立ち上げ、その状態で時間ＴW1の間維持す
るとする。この場合、Ｔw1が長い、即ちマークが長い
と、記録層での熱蓄積が大きくなり、マーク形成を終了
すべくレーザービーム強度をＰpre に立ち下げても、記
録層温度がマーク形成温度以下に下がるまでの時間が長
くなり、そのためマークが見込んだ長さより長くなって
しまうということがあった。この現象を「マーク形成の
終了位置、つまりマークの後エッジ位置の、記録データ
長さ依存性」と言う。この現象は当然のことながら、デ
ータの弁別性を低下させることで、高密度記録にとって
障害になっていた。
【００２６】この問題に対しては、次の提案がなされ
た。即ち、図１１に示すように、長いマークを形成する
ときには、レーザービーム強度を第１レベルＰw1まで立
ち上げて時間Ｔw1維持し、その後は、(イ) Ｐw1と同じ、
又はそれより少し高いか又は少し低い強度Ｐw2と、(ロ)
第２レベルＰpre と同じ、又はそれより少し高いか又は
少し低い強度ＰLTとの間で周期Ｔp で「くしの歯」状に
変調する。この方式の考え方は、本来、図１０に示すよ
うな１つの矩形波であるべきものを、図１１に示すよう
に、先頭の小パルスと後続の１つ又は２つ以上の小パル
スに分割することにより、熱エネルギーの蓄積を防ぐと
いうものであり、パルストレイン( pulsetrain ) 方式
と呼ばれる。このようにレーザービーム強度を変調する
と、記録層の温度は、図１２に示すように、高温側で細
かく変動し、過度の熱蓄積による過熱が起きないことが
推定される。
た。即ち、図１１に示すように、長いマークを形成する
ときには、レーザービーム強度を第１レベルＰw1まで立
ち上げて時間Ｔw1維持し、その後は、(イ) Ｐw1と同じ、
又はそれより少し高いか又は少し低い強度Ｐw2と、(ロ)
第２レベルＰpre と同じ、又はそれより少し高いか又は
少し低い強度ＰLTとの間で周期Ｔp で「くしの歯」状に
変調する。この方式の考え方は、本来、図１０に示すよ
うな１つの矩形波であるべきものを、図１１に示すよう
に、先頭の小パルスと後続の１つ又は２つ以上の小パル
スに分割することにより、熱エネルギーの蓄積を防ぐと
いうものであり、パルストレイン( pulsetrain ) 方式
と呼ばれる。このようにレーザービーム強度を変調する
と、記録層の温度は、図１２に示すように、高温側で細
かく変動し、過度の熱蓄積による過熱が起きないことが
推定される。
【００２７】そこで、第１及び第２の問題に対する対策
を合わせて、即ち、熱遮断方式とパルストレイン方式を
併用することで、マーク形成の開始位置、つまりマーク
の前エッジ位置も、マーク形成の終了位置、つまりマー
クの後エッジ位置も精度良く形成することが提案され
た。（図８参照） オーバーライト方式の光磁気記録においても、高密度記
録のためには精度良くマークを形成する必要があること
は言うまでもなく、上記のような変調方法は必要欠くべ
からざる技術であった。
を合わせて、即ち、熱遮断方式とパルストレイン方式を
併用することで、マーク形成の開始位置、つまりマーク
の前エッジ位置も、マーク形成の終了位置、つまりマー
クの後エッジ位置も精度良く形成することが提案され
た。（図８参照） オーバーライト方式の光磁気記録においても、高密度記
録のためには精度良くマークを形成する必要があること
は言うまでもなく、上記のような変調方法は必要欠くべ
からざる技術であった。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オーバ
ーライト方式の光磁気記録においては、高温プロセスと
低温プロセスという２つの重要な意味を持つ過程で成り
立っているため、高温プロセス強度に相当する第１レベ
ルＰw1のみが重要な過程である一般の光記録に比較して
制約条件が厳しく、実現が困難であった。特に、レーザ
ビーム強度ＰL が、高温サイクルを生じさせないレーザ
ビーム強度の上限値ＰHth と、高温サイクルにより形成
されたマークを消去できる（低温サイクルが完全に生ず
る）レーザビーム強度の下限値ＰLth の間でなければな
らないという制約があるのに対して、熱遮断方式及びパ
ルストレイン方式の条件から決定されたＰL が、使用す
る光磁気記録媒体や光磁気記録装置によっては、上限値
ＰHth と下限値ＰLth の間に入らない可能性があるとい
う問題があった。ＰL が上限値ＰHth を越えると不要な
マークが形成されてしまい、また、ＰL が下限値ＰLth
を下回ると前のマークが残ってしまうという問題があっ
た。
ーライト方式の光磁気記録においては、高温プロセスと
低温プロセスという２つの重要な意味を持つ過程で成り
立っているため、高温プロセス強度に相当する第１レベ
ルＰw1のみが重要な過程である一般の光記録に比較して
制約条件が厳しく、実現が困難であった。特に、レーザ
ビーム強度ＰL が、高温サイクルを生じさせないレーザ
ビーム強度の上限値ＰHth と、高温サイクルにより形成
されたマークを消去できる（低温サイクルが完全に生ず
る）レーザビーム強度の下限値ＰLth の間でなければな
らないという制約があるのに対して、熱遮断方式及びパ
ルストレイン方式の条件から決定されたＰL が、使用す
る光磁気記録媒体や光磁気記録装置によっては、上限値
ＰHth と下限値ＰLth の間に入らない可能性があるとい
う問題があった。ＰL が上限値ＰHth を越えると不要な
マークが形成されてしまい、また、ＰL が下限値ＰLth
を下回ると前のマークが残ってしまうという問題があっ
た。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、この問題
を解決するために、鋭意研究の結果、オーバーライト方
式の光磁気記録における熱遮断方式とパルストレイン方
式の併用に対しての最適条件を見出すと同時に、Ｐ
L が、ＰHth とＰLth の間に入れられるようにする制御
方法を考案し、本発明をなすに至った。
を解決するために、鋭意研究の結果、オーバーライト方
式の光磁気記録における熱遮断方式とパルストレイン方
式の併用に対しての最適条件を見出すと同時に、Ｐ
L が、ＰHth とＰLth の間に入れられるようにする制御
方法を考案し、本発明をなすに至った。
【００３０】従って、本発明は、第１に、「記録すべき
２値化情報０、１に従いレーザービームを強度変調し、
変調された前記レーザービームを相対移動している光磁
気記録媒体上に照射することにより、前記０または１の
いずれか一方に相当するマークを前記媒体に形成し、そ
れにより情報を記録する光磁気記録方法であって、前記
レーザービーム強度をあるレベルＰL から、ＰL より高
いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した後、ＰL に立ち下
げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2とＰL の間を１回当
たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp で立ち上げ立ち下
げを繰り返した後、ＰL より低い強度ＰLBに立ち下げて
時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立ち上げるという一
連のパターンにより１個のマークを形成する記録方法に
おいて、次の条件を満たすことを特徴とするオーバーラ
イト可能な光磁気記録方法。
２値化情報０、１に従いレーザービームを強度変調し、
変調された前記レーザービームを相対移動している光磁
気記録媒体上に照射することにより、前記０または１の
いずれか一方に相当するマークを前記媒体に形成し、そ
れにより情報を記録する光磁気記録方法であって、前記
レーザービーム強度をあるレベルＰL から、ＰL より高
いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した後、ＰL に立ち下
げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2とＰL の間を１回当
たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp で立ち上げ立ち下
げを繰り返した後、ＰL より低い強度ＰLBに立ち下げて
時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立ち上げるという一
連のパターンにより１個のマークを形成する記録方法に
おいて、次の条件を満たすことを特徴とするオーバーラ
イト可能な光磁気記録方法。
【００３１】(1) 前記ＰL が、使用温度範囲でマークを
形成する下限強度ＰHth と、ＰH で形成したマークを消
去できる下限強度ＰLth の間であること。 (2) ＰL 、ＰH 及びＰw2のうちＰL とＰH を含む少なく
とも２つの比を一定に制御すること。」を提供し、第２
に、「記録すべき２値化情報０、１に従いレーザービー
ムを強度変調し、変調された前記レーザービームを相対
移動している光磁気記録媒体上に照射することにより、
前記０または１のいずれか一方に相当するマークを前記
媒体に形成し、それにより情報を記録する光磁気記録方
法であって、前記レーザービーム強度をあるレベルＰL
から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した
後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2と
ＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp
で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度
ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立
ち上げるという一連のパターンにより１個のマークを形
成する記録方法において、次の条件を満たすことを特徴
とするオーバーライト可能な光磁気記録方法。
形成する下限強度ＰHth と、ＰH で形成したマークを消
去できる下限強度ＰLth の間であること。 (2) ＰL 、ＰH 及びＰw2のうちＰL とＰH を含む少なく
とも２つの比を一定に制御すること。」を提供し、第２
に、「記録すべき２値化情報０、１に従いレーザービー
ムを強度変調し、変調された前記レーザービームを相対
移動している光磁気記録媒体上に照射することにより、
前記０または１のいずれか一方に相当するマークを前記
媒体に形成し、それにより情報を記録する光磁気記録方
法であって、前記レーザービーム強度をあるレベルＰL
から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した
後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2と
ＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp
で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度
ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立
ち上げるという一連のパターンにより１個のマークを形
成する記録方法において、次の条件を満たすことを特徴
とするオーバーライト可能な光磁気記録方法。
【００３２】(1) 前記ＰL が、使用温度範囲でマークを
形成する下限強度ＰHth と、ＰH で形成したマークを消
去できる下限強度ＰLth の間であること。 (2) （ＰL −ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−
ＰLB）のうち（ＰL −ＰLB）と（ＰH −ＰLB）を含む少
なくとも２つの比を一定に制御すること。」を提供し、
第３に、「次に示す制御情報の全てまたは一部の情報が
記録されていることを特徴とするオーバーライト可能な
光磁気記録媒体。
形成する下限強度ＰHth と、ＰH で形成したマークを消
去できる下限強度ＰLth の間であること。 (2) （ＰL −ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−
ＰLB）のうち（ＰL −ＰLB）と（ＰH −ＰLB）を含む少
なくとも２つの比を一定に制御すること。」を提供し、
第３に、「次に示す制御情報の全てまたは一部の情報が
記録されていることを特徴とするオーバーライト可能な
光磁気記録媒体。
【００３３】前記Ｐw2と媒体温度の関係、前記ＰH と媒
体温度の関係、前記ＰL と媒体温度の関係、前記ＰHth
と媒体温度の関係、及び前記ＰLth と媒体温度の関係、
及び前記各項目間の相互関係。」を提供し、第４に、
「記録すべき情報の入力部、レーザービーム光源、前記
光源からのビームを光磁気記録媒体に導く照射光学系、
前記媒体をレーザービームに対して相対的に移動させる
移動手段、及び記録すべき情報に応じて該レーザービー
ム強度を変調する変調手段からなるオーバーライト可能
な光磁気記録装置において、前記変調手段が次の条件を
満たすことを特徴とする光磁気記録装置。
体温度の関係、前記ＰL と媒体温度の関係、前記ＰHth
と媒体温度の関係、及び前記ＰLth と媒体温度の関係、
及び前記各項目間の相互関係。」を提供し、第４に、
「記録すべき情報の入力部、レーザービーム光源、前記
光源からのビームを光磁気記録媒体に導く照射光学系、
前記媒体をレーザービームに対して相対的に移動させる
移動手段、及び記録すべき情報に応じて該レーザービー
ム強度を変調する変調手段からなるオーバーライト可能
な光磁気記録装置において、前記変調手段が次の条件を
満たすことを特徴とする光磁気記録装置。
【００３４】(1) レーザービーム強度をあるレベルＰL
から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した
後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2と
ＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp
で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度
ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立
ち上げるという一連の動作パターンにより１個のマーク
を形成すること。
から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した
後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2と
ＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp
で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度
ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立
ち上げるという一連の動作パターンにより１個のマーク
を形成すること。
【００３５】(2) ＰL 、ＰH 及びＰw2のうちＰL とＰH
を含む少なくとも２つの比を一定に制御し、使用温度範
囲で前記ＰL が、マークを形成する下限強度ＰHth と、
ＰH で形成したマークを消去できる下限強度ＰLth の間
にない場合は、前記ＰLB、前記Ｔw1及び前記ＴOFF のう
ち少なくとも１つの値を変更することでＰL とＰH の比
を決定し直し、前記ＰL が前記ＰHth と前記ＰLth の間
に入るように設定すること。」を提供し、更に、第５
に、「記録すべき情報の入力部、レーザービーム光源、
前記光源からのビームを光磁気記録媒体に導く照射光学
系、前記媒体をレーザービームに対して相対的に移動さ
せる移動手段、及び記録すべき情報に応じて該レーザー
ビーム強度を変調する変調手段からなるオーバーライト
可能な光磁気記録装置において、前記変調手段が次の条
件を満たすことを特徴とする光磁気記録装置。
を含む少なくとも２つの比を一定に制御し、使用温度範
囲で前記ＰL が、マークを形成する下限強度ＰHth と、
ＰH で形成したマークを消去できる下限強度ＰLth の間
にない場合は、前記ＰLB、前記Ｔw1及び前記ＴOFF のう
ち少なくとも１つの値を変更することでＰL とＰH の比
を決定し直し、前記ＰL が前記ＰHth と前記ＰLth の間
に入るように設定すること。」を提供し、更に、第５
に、「記録すべき情報の入力部、レーザービーム光源、
前記光源からのビームを光磁気記録媒体に導く照射光学
系、前記媒体をレーザービームに対して相対的に移動さ
せる移動手段、及び記録すべき情報に応じて該レーザー
ビーム強度を変調する変調手段からなるオーバーライト
可能な光磁気記録装置において、前記変調手段が次の条
件を満たすことを特徴とする光磁気記録装置。
【００３６】(1) レーザービーム強度をあるレベルＰL
から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した
後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2と
ＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp
で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度
ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立
ち上げるという一連の動作パターンにより１個のマーク
を形成すること。
から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した
後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2と
ＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp
で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度
ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立
ち上げるという一連の動作パターンにより１個のマーク
を形成すること。
【００３７】(2) （ＰL −ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び
（Ｐw2−ＰLB）のうち（ＰL −ＰLB）と（ＰH −ＰLB）
を含む少なくとも２つの比を一定に制御し、使用温度範
囲で前記ＰL が、マークを形成する下限強度ＰHth と、
ＰH で形成したマークを消去できる下限強度ＰLth の間
にない場合は、前記ＰLB、前記Ｔw1及び前記ＴOFF のう
ち少なくとも１つの値を変更することで（ＰL −ＰLB）
と（ＰH −ＰLB）の比を決定し直し、前記ＰL が前記Ｐ
Hthと前記ＰLth の間に入るように設定すること。」を
提供するものである。
（Ｐw2−ＰLB）のうち（ＰL −ＰLB）と（ＰH −ＰLB）
を含む少なくとも２つの比を一定に制御し、使用温度範
囲で前記ＰL が、マークを形成する下限強度ＰHth と、
ＰH で形成したマークを消去できる下限強度ＰLth の間
にない場合は、前記ＰLB、前記Ｔw1及び前記ＴOFF のう
ち少なくとも１つの値を変更することで（ＰL −ＰLB）
と（ＰH −ＰLB）の比を決定し直し、前記ＰL が前記Ｐ
Hthと前記ＰLth の間に入るように設定すること。」を
提供するものである。
【００３８】
【作用】オーバーライト方式の光磁気記録においては、
一般の光記録における第１レベルＰw1が高レベルＰH に
相当し、第２レベルＰpre が低レベルＰL に相当する。
オーバーライト方式の光磁気記録の変調条件を実際に決
める場合を考えると、まず、所定の太さのマークを形成
するために必要なレーザービーム強度ＰH を決定し、次
に、熱遮断方式とパルストレイン方式を併用した変調パ
ターンの時間的要素であるＴw1、Ｔw2、Ｔp 及びＴOFF
が記録用の基準クロック周波数から決定されると、それ
に伴ってＰL 、及びＰw2の３者の比が決まるので、これ
ら３者の値が決まることになる。これら３者の値は、媒
体温度によって当然のことながら影響を受ける。従っ
て、光磁気記録装置は媒体温度もしくは周囲温度を測定
し、媒体温度が変化した場合にはそれに応じてレーザビ
ーム強度を制御する必要があるが、ＰL 、ＰH 及びＰW2
を１セットにしてその３者もしくはＰL とＰH の比を常
に所定の値になるように制御を行う必要がある。熱遮断
方式とパルストレイン方式を組み合わせたレーザービー
ム強度変調方式、即ち、レーザービーム強度をＰL から
それより高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した後ＰL
に立ち下げ、その後ＰL より高い強度Ｐw2とＰL の間を
１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp で立ち上げ
立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度ＰLBに立ち
下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立ち上げると
いう一連のパターンを決定するための、熱遮断方式とパ
ルストレイン方式のそれぞれの必要条件、即ち、前のマ
ークからの熱的影響が残らなくなる条件と過度の熱蓄積
による過熱が起きない条件は、それぞれ次に示す(1) 式
及び(2) 式に示す通りである。 ＴOFF ＝τ×ln〔｛（ＰH −ＰLB）−（ＰH −ＰL ）×exp （−Ｔw1／τ）｝ ÷（ＰL −ＰLB）〕 (1)式 （ＰH −ＰL ）×｛１−exp （−Ｔw1／τ）｝×｛１−exp （−Ｔp ／τ） ＝（Ｐw2−ＰL ）×｛１−exp （−Ｔw2／τ)} (2)式 なお、この式において、τはヒートモードによる光記録
におけるディスクの熱時定数で、本発明者らは、このτ
がディスクによって異なることを発見すると同時にこの
τを測定する方法を考案した（このτの測定方法につい
ては後述する）。(1) 式及び(2)式から、（ＰL −
ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−ＰLB）の比が次の
ように導かれる。 （ＰL −ＰLB）：（ＰH −ＰLB）：（Ｐw2−ＰLB） ＝｛１− exp（−Ｔw1／τ）｝×｛１− exp（−Ｔw2／τ）｝： ｛ exp（ＴOFF ／τ）− exp（−Ｔw1／τ）｝ ×｛１− exp（−Ｔw2／τ） ｝： ｛１− exp（−Ｔw1／τ）｝ ×〔 exp（ＴOFF ／τ）− exp｛（ＴOFF −Ｔp ）／τ｝ − exp（−Ｔw2／τ）＋ exp（−Ｔp ／τ）］ (3)式 (3) 式に示したような比を保つようにレーザービーム強
度を制御すると、常に最適な熱遮断条件及びパルストレ
イン条件が得られる。即ち、常に「マークの前エッジ位
置の記録データ間隔依存性」及び「マークの後エッジ位
置の記録データ長さ依存性」を最小にすることができ
る。ここで、ＰLBは一般に相当低いレベルの一定強度
（一般的には再生レベルのレーザビーム強度）に設定さ
れるので、実用上、ＰLBを無視して、（ＰL −ＰLB）、
（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−ＰLB）の比は、ＰL 、ＰH
及びＰw2の比として扱ってもよい。 (3)式から明らかな
ように、この比は、光磁気記録装置のレーザービームの
変調の各要素（ＰLB、Ｔw1、Ｔw2、Ｔp 及びＴOFF）を
設定し、同時に、光磁気記録媒体の熱的特性（光磁気記
録媒体の熱時定数τ）を知ることによって決まる。
一般の光記録における第１レベルＰw1が高レベルＰH に
相当し、第２レベルＰpre が低レベルＰL に相当する。
オーバーライト方式の光磁気記録の変調条件を実際に決
める場合を考えると、まず、所定の太さのマークを形成
するために必要なレーザービーム強度ＰH を決定し、次
に、熱遮断方式とパルストレイン方式を併用した変調パ
ターンの時間的要素であるＴw1、Ｔw2、Ｔp 及びＴOFF
が記録用の基準クロック周波数から決定されると、それ
に伴ってＰL 、及びＰw2の３者の比が決まるので、これ
ら３者の値が決まることになる。これら３者の値は、媒
体温度によって当然のことながら影響を受ける。従っ
て、光磁気記録装置は媒体温度もしくは周囲温度を測定
し、媒体温度が変化した場合にはそれに応じてレーザビ
ーム強度を制御する必要があるが、ＰL 、ＰH 及びＰW2
を１セットにしてその３者もしくはＰL とＰH の比を常
に所定の値になるように制御を行う必要がある。熱遮断
方式とパルストレイン方式を組み合わせたレーザービー
ム強度変調方式、即ち、レーザービーム強度をＰL から
それより高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した後ＰL
に立ち下げ、その後ＰL より高い強度Ｐw2とＰL の間を
１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp で立ち上げ
立ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度ＰLBに立ち
下げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立ち上げると
いう一連のパターンを決定するための、熱遮断方式とパ
ルストレイン方式のそれぞれの必要条件、即ち、前のマ
ークからの熱的影響が残らなくなる条件と過度の熱蓄積
による過熱が起きない条件は、それぞれ次に示す(1) 式
及び(2) 式に示す通りである。 ＴOFF ＝τ×ln〔｛（ＰH −ＰLB）−（ＰH −ＰL ）×exp （−Ｔw1／τ）｝ ÷（ＰL −ＰLB）〕 (1)式 （ＰH −ＰL ）×｛１−exp （−Ｔw1／τ）｝×｛１−exp （−Ｔp ／τ） ＝（Ｐw2−ＰL ）×｛１−exp （−Ｔw2／τ)} (2)式 なお、この式において、τはヒートモードによる光記録
におけるディスクの熱時定数で、本発明者らは、このτ
がディスクによって異なることを発見すると同時にこの
τを測定する方法を考案した（このτの測定方法につい
ては後述する）。(1) 式及び(2)式から、（ＰL −
ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−ＰLB）の比が次の
ように導かれる。 （ＰL −ＰLB）：（ＰH −ＰLB）：（Ｐw2−ＰLB） ＝｛１− exp（−Ｔw1／τ）｝×｛１− exp（−Ｔw2／τ）｝： ｛ exp（ＴOFF ／τ）− exp（−Ｔw1／τ）｝ ×｛１− exp（−Ｔw2／τ） ｝： ｛１− exp（−Ｔw1／τ）｝ ×〔 exp（ＴOFF ／τ）− exp｛（ＴOFF −Ｔp ）／τ｝ − exp（−Ｔw2／τ）＋ exp（−Ｔp ／τ）］ (3)式 (3) 式に示したような比を保つようにレーザービーム強
度を制御すると、常に最適な熱遮断条件及びパルストレ
イン条件が得られる。即ち、常に「マークの前エッジ位
置の記録データ間隔依存性」及び「マークの後エッジ位
置の記録データ長さ依存性」を最小にすることができ
る。ここで、ＰLBは一般に相当低いレベルの一定強度
（一般的には再生レベルのレーザビーム強度）に設定さ
れるので、実用上、ＰLBを無視して、（ＰL −ＰLB）、
（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−ＰLB）の比は、ＰL 、ＰH
及びＰw2の比として扱ってもよい。 (3)式から明らかな
ように、この比は、光磁気記録装置のレーザービームの
変調の各要素（ＰLB、Ｔw1、Ｔw2、Ｔp 及びＴOFF）を
設定し、同時に、光磁気記録媒体の熱的特性（光磁気記
録媒体の熱時定数τ）を知ることによって決まる。
【００３９】ここでＰL とＰH の値を決める過程に着目
すると、上記したように、光磁気記録媒体の記録特性か
らの制約でＰH の設定に対しては自由度が少ないため、
ＰHを優先して値を決めた後、(3)式により決めたＰL と
ＰH の比によりＰL を決める必要がある。ところが、こ
のようにして決めたＰL が、使用する光磁気記録媒体や
光磁気記録装置によっては、上限値ＰHth と下限値Ｐ
Lth の間に入らないことがあるので、この場合には、Ｐ
LB、Ｔw1及びＴOFF のうち１つ以上を調節することによ
り、ＰL とＰH の比を変更して、ＰL が上記の範囲に入
るようにすることが可能である。つまり、光磁気記録媒
体に光磁気記録装置を合わせ込むことができる。
すると、上記したように、光磁気記録媒体の記録特性か
らの制約でＰH の設定に対しては自由度が少ないため、
ＰHを優先して値を決めた後、(3)式により決めたＰL と
ＰH の比によりＰL を決める必要がある。ところが、こ
のようにして決めたＰL が、使用する光磁気記録媒体や
光磁気記録装置によっては、上限値ＰHth と下限値Ｐ
Lth の間に入らないことがあるので、この場合には、Ｐ
LB、Ｔw1及びＴOFF のうち１つ以上を調節することによ
り、ＰL とＰH の比を変更して、ＰL が上記の範囲に入
るようにすることが可能である。つまり、光磁気記録媒
体に光磁気記録装置を合わせ込むことができる。
【００４０】次に、光磁気記録媒体の熱的特性について
説明する。光磁気記録媒体の材料的あるいは構造的な違
いにより、レーザービームの熱エネルギーを受けた際、
温度上昇に違いが生ずる。相対的に熱拡散の大きな光磁
気記録媒体はレーザービームが照射された際、温度上昇
も温度降下も遅いが、反対に、相対的に熱拡散の小さな
光磁気記録媒体はレーザービームが照射された際、温度
上昇も温度降下も速い。光磁気記録媒体の熱的特性（光
磁気記録媒体の熱時定数τ）とは、このようなレーザー
ビームの照射による媒体の温度上昇または温度降下のし
易さに関する特性値であり、この値により、図３におけ
るＰH と媒体温度の関係（ＰH の傾き）、ＰHth と媒体
温度の関係（ＰHth の傾き）、ＰLth と媒体温度の関係
（ＰLthの傾き）、ＰL と媒体温度の関係（ＰL の傾
き）等が決まる。そこで、これらの情報を「制御情報」
として予め光磁気記録媒体に記録しておき、また光磁気
記録装置にはこれらの情報を読み取る手段を設けておけ
ば、これらの情報を光磁気記録装置に伝えることができ
る。光磁気記録装置はこの「制御情報」により、ＰLが
使用温度範囲で上限値ＰHth と下限値ＰLth の間に入る
かどうかを判断し、必要な場合には、上記のように
ＰLB、Ｔw1及びＴOFF のうち、少なくとも１つを調節す
ることにより、ＰL とＰH の比を変更して、ＰL が上記
の範囲に入るようにすることを行う。
説明する。光磁気記録媒体の材料的あるいは構造的な違
いにより、レーザービームの熱エネルギーを受けた際、
温度上昇に違いが生ずる。相対的に熱拡散の大きな光磁
気記録媒体はレーザービームが照射された際、温度上昇
も温度降下も遅いが、反対に、相対的に熱拡散の小さな
光磁気記録媒体はレーザービームが照射された際、温度
上昇も温度降下も速い。光磁気記録媒体の熱的特性（光
磁気記録媒体の熱時定数τ）とは、このようなレーザー
ビームの照射による媒体の温度上昇または温度降下のし
易さに関する特性値であり、この値により、図３におけ
るＰH と媒体温度の関係（ＰH の傾き）、ＰHth と媒体
温度の関係（ＰHth の傾き）、ＰLth と媒体温度の関係
（ＰLthの傾き）、ＰL と媒体温度の関係（ＰL の傾
き）等が決まる。そこで、これらの情報を「制御情報」
として予め光磁気記録媒体に記録しておき、また光磁気
記録装置にはこれらの情報を読み取る手段を設けておけ
ば、これらの情報を光磁気記録装置に伝えることができ
る。光磁気記録装置はこの「制御情報」により、ＰLが
使用温度範囲で上限値ＰHth と下限値ＰLth の間に入る
かどうかを判断し、必要な場合には、上記のように
ＰLB、Ｔw1及びＴOFF のうち、少なくとも１つを調節す
ることにより、ＰL とＰH の比を変更して、ＰL が上記
の範囲に入るようにすることを行う。
【００４１】勿論、自由度は小さいがＰH の値を変える
（所定のマーク太さを変える）ことによりＰL とＰH 両
方の値を変更して合わせ込みを行うことも可能である。
以上、説明したように、ＰL 、ＰH 及びＰw2のうちＰL
とＰH を含む少なくとも２つの比を一定にするようにレ
ーザビーム強度を変調し、かつ、前記ＰL が使用温度範
囲で、高温サイクルを生じさせないレーザビーム強度の
上限値ＰHth と、高温サイクルにより形成されたマーク
を消去できる（低温サイクルが完全に生ずる）レーザビ
ーム強度の下限値ＰLth の間に入るようにＰLB、Ｔw1及
びＴOFFのうち１つ以上を調節することにより常に最適
な記録を行うことができる。
（所定のマーク太さを変える）ことによりＰL とＰH 両
方の値を変更して合わせ込みを行うことも可能である。
以上、説明したように、ＰL 、ＰH 及びＰw2のうちＰL
とＰH を含む少なくとも２つの比を一定にするようにレ
ーザビーム強度を変調し、かつ、前記ＰL が使用温度範
囲で、高温サイクルを生じさせないレーザビーム強度の
上限値ＰHth と、高温サイクルにより形成されたマーク
を消去できる（低温サイクルが完全に生ずる）レーザビ
ーム強度の下限値ＰLth の間に入るようにＰLB、Ｔw1及
びＴOFFのうち１つ以上を調節することにより常に最適
な記録を行うことができる。
【００４２】なお、ＰL の上限が「高温サイクルを生じ
させないレーザビーム強度の上限値ＰHth 」より僅かに
高い強度、即ち、微かにマークが書かれる強度）であっ
ても、実用上問題ない程度であればＰL の上限として許
容することができる。また、ＰL の下限についても、
「高温サイクルにより形成されたマークを消去できる
（低温サイクルが完全に生ずる）レーザビーム強度の下
限値ＰLth 」より僅かに低い強度、即ち、消し残りが微
かに生じる強度）であっても、実用上問題ない程度であ
ればＰL の下限として許容することができる。勿論、Ｐ
L の強度設定は充分なマージンが得られることが好まし
いのは言うまでもないので、ＰL は、上限Ｐ Hth と下限
ＰLth の中間に位置することが最良である。
させないレーザビーム強度の上限値ＰHth 」より僅かに
高い強度、即ち、微かにマークが書かれる強度）であっ
ても、実用上問題ない程度であればＰL の上限として許
容することができる。また、ＰL の下限についても、
「高温サイクルにより形成されたマークを消去できる
（低温サイクルが完全に生ずる）レーザビーム強度の下
限値ＰLth 」より僅かに低い強度、即ち、消し残りが微
かに生じる強度）であっても、実用上問題ない程度であ
ればＰL の下限として許容することができる。勿論、Ｐ
L の強度設定は充分なマージンが得られることが好まし
いのは言うまでもないので、ＰL は、上限Ｐ Hth と下限
ＰLth の中間に位置することが最良である。
【００４３】次に、本発明者が考案した熱時定数τの測
定方法について説明する。 〔熱時定数τの測定方法〕熱時定数τを測定するガイド
溝付の光磁気記録媒体を光磁気記録再生装置にセット
し、線速度11.3 ｍ／sec で回転させる。そして、レー
ザービームをパルス状に発光させる。パルス発光間隔
は、各パルスによる熱が互いに干渉し合わないように充
分な間隔を取る。パルス時間長（Pulse Dulation Time
；以下、P.D.T.と略す）を種々変化させて各P.D.T.毎
に光磁気記録媒体に所定の幅のマークを形成できる最小
強度Ｐthを求める。図１３は結果をＰthを縦軸にP.D.T.
を横軸にプロットした結果である。図１３に示すよう
に、ＰthはP.D.T.が長くなるにつれて低下し、レベルＰ
0 に収束する。
定方法について説明する。 〔熱時定数τの測定方法〕熱時定数τを測定するガイド
溝付の光磁気記録媒体を光磁気記録再生装置にセット
し、線速度11.3 ｍ／sec で回転させる。そして、レー
ザービームをパルス状に発光させる。パルス発光間隔
は、各パルスによる熱が互いに干渉し合わないように充
分な間隔を取る。パルス時間長（Pulse Dulation Time
；以下、P.D.T.と略す）を種々変化させて各P.D.T.毎
に光磁気記録媒体に所定の幅のマークを形成できる最小
強度Ｐthを求める。図１３は結果をＰthを縦軸にP.D.T.
を横軸にプロットした結果である。図１３に示すよう
に、ＰthはP.D.T.が長くなるにつれて低下し、レベルＰ
0 に収束する。
【００４４】次に、ＰthをＰ0 で規格化した値の逆数、
即ち、Ｐ0 ／Ｐthを縦軸、P.D.T.を横軸にプロットした
ものを図１４に示す。これは、レーザビームを立ち上げ
た際の光磁気記録媒体の熱応答関数を表している。ま
た、図１５に示すように縦軸に１−Ｐ0 ／Ｐthをとれ
ば、レーザビームを立ち下げた際の光磁気記録媒体の熱
応答関数を表している。ここで、図１５の熱応答関数は
指数関数 exp（−ｔ／τ）に近似でき、このとき、τは
測定した光磁気記録媒体の、この測定条件（線速度、及
び測定したレーザビーム）での昇温降温の熱時定数を表
すのである。
即ち、Ｐ0 ／Ｐthを縦軸、P.D.T.を横軸にプロットした
ものを図１４に示す。これは、レーザビームを立ち上げ
た際の光磁気記録媒体の熱応答関数を表している。ま
た、図１５に示すように縦軸に１−Ｐ0 ／Ｐthをとれ
ば、レーザビームを立ち下げた際の光磁気記録媒体の熱
応答関数を表している。ここで、図１５の熱応答関数は
指数関数 exp（−ｔ／τ）に近似でき、このとき、τは
測定した光磁気記録媒体の、この測定条件（線速度、及
び測定したレーザビーム）での昇温降温の熱時定数を表
すのである。
【００４５】以下、実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
【００４６】
【実施例１】本実施例は請求項４の光磁気記録装置のそ
れであり、図１に示すように、主として光磁気記録媒体
Ｄを回転させるためのモータ 1、波長 830nmのレーザビ
ーム光源 2、開口数(N.A.)=0.55 の照射及び再生光学系
3、変調手段 4、情報の入力部 5、媒体温度検出手段
6、記録磁界印加手段 7、初期補助磁界 8、ディテクタ
ー 9、制御情報検出部10、及び復調手段11から構成さ
れ、以下のように機能する。レーザビーム光源 2から照
射及び再生光学系 3を通じて、再生レベル強度のビーム
が、制御情報を予め記録してある請求項３に係わる光磁
気記録媒体Ｄに照射されると、その反射光の強弱信号は
再び照射及び再生光学系 3を通じてディテクター 9に入
射する。このディテクター 9によって電流変化の形に変
換された信号は、復調手段11に出力され、ここで情報を
表す符号列に復調される。この情報は制御情報検出部10
に出力され蓄えられる。同時に、媒体温度検出手段 6に
よって光磁気記録媒体Ｄの温度が測定され、制御情報検
出部10に出力される。
れであり、図１に示すように、主として光磁気記録媒体
Ｄを回転させるためのモータ 1、波長 830nmのレーザビ
ーム光源 2、開口数(N.A.)=0.55 の照射及び再生光学系
3、変調手段 4、情報の入力部 5、媒体温度検出手段
6、記録磁界印加手段 7、初期補助磁界 8、ディテクタ
ー 9、制御情報検出部10、及び復調手段11から構成さ
れ、以下のように機能する。レーザビーム光源 2から照
射及び再生光学系 3を通じて、再生レベル強度のビーム
が、制御情報を予め記録してある請求項３に係わる光磁
気記録媒体Ｄに照射されると、その反射光の強弱信号は
再び照射及び再生光学系 3を通じてディテクター 9に入
射する。このディテクター 9によって電流変化の形に変
換された信号は、復調手段11に出力され、ここで情報を
表す符号列に復調される。この情報は制御情報検出部10
に出力され蓄えられる。同時に、媒体温度検出手段 6に
よって光磁気記録媒体Ｄの温度が測定され、制御情報検
出部10に出力される。
【００４７】変調手段 4はマーク１個につきレーザビー
ムの強度を図７に示すような波形になるように各条件を
設定し、制御情報検出部10に出力する。媒体温度も踏ま
えながら、設定された条件は制御情報検出部10に予め蓄
えられていた制御情報と比較されることで、ＰL がＰ
Hth とＰLth の間に入っているかどうかを判断され、入
っていない場合には、ＴOFF を変更することでＰL とＰ
H の比を変え、これによってＰL の値を変えてＰHth と
ＰLth の間に入るようにする。
ムの強度を図７に示すような波形になるように各条件を
設定し、制御情報検出部10に出力する。媒体温度も踏ま
えながら、設定された条件は制御情報検出部10に予め蓄
えられていた制御情報と比較されることで、ＰL がＰ
Hth とＰLth の間に入っているかどうかを判断され、入
っていない場合には、ＴOFF を変更することでＰL とＰ
H の比を変え、これによってＰL の値を変えてＰHth と
ＰLth の間に入るようにする。
【００４８】条件を満たされると、記録すべき２値化情
報が入力部 5に入力され、変調手段4は、条件を満たす
ようにした変調条件でレーザビームの強度を変調し、こ
れが照射光学系を通じて光磁気記録媒体に照射されるこ
とによって記録がなされる。
報が入力部 5に入力され、変調手段4は、条件を満たす
ようにした変調条件でレーザビームの強度を変調し、こ
れが照射光学系を通じて光磁気記録媒体に照射されるこ
とによって記録がなされる。
【００４９】
【実施例２】本実施例は請求項５の光磁気記録装置のそ
れであり、図１に示したものと略同一の構成である。即
ち、主として光磁気記録媒体Ｄを回転させるためのモー
タ 1、波長 830nmのレーザビーム光源 2、開口数(N.A.)
=0.55 の照射及び再生光学系3、変調手段 4、情報の入
力部 5、媒体温度検出手段 6、記録磁界印加手段 7、初
期補助磁界 8、ディテクター 9、制御情報検出部10、及
び復調手段11から構成され、以下のように機能する。
れであり、図１に示したものと略同一の構成である。即
ち、主として光磁気記録媒体Ｄを回転させるためのモー
タ 1、波長 830nmのレーザビーム光源 2、開口数(N.A.)
=0.55 の照射及び再生光学系3、変調手段 4、情報の入
力部 5、媒体温度検出手段 6、記録磁界印加手段 7、初
期補助磁界 8、ディテクター 9、制御情報検出部10、及
び復調手段11から構成され、以下のように機能する。
【００５０】レーザビーム光源 2から照射及び再生光学
系 3を通じて、再生レベル強度のビームが、制御情報を
予め記録してある請求項３に係わる光磁気記録媒体Ｄに
照射されると、その反射光の強弱信号は再び照射及び再
生光学系 3を通じてディテクター 9に入射する。このデ
ィテクター 9によって電流変化の形に変換された信号
は、復調手段11に出力され、ここで情報を表す符号列に
復調される。この情報は制御情報検出部10に出力され蓄
えられる。同時に、媒体温度検出手段 6によって光磁気
記録媒体Ｄの温度が測定され、制御情報検出部10に出力
される。
系 3を通じて、再生レベル強度のビームが、制御情報を
予め記録してある請求項３に係わる光磁気記録媒体Ｄに
照射されると、その反射光の強弱信号は再び照射及び再
生光学系 3を通じてディテクター 9に入射する。このデ
ィテクター 9によって電流変化の形に変換された信号
は、復調手段11に出力され、ここで情報を表す符号列に
復調される。この情報は制御情報検出部10に出力され蓄
えられる。同時に、媒体温度検出手段 6によって光磁気
記録媒体Ｄの温度が測定され、制御情報検出部10に出力
される。
【００５１】変調手段 4はマーク１個につきレーザビー
ムの強度を図７に示すような波形になるように各条件を
設定し、制御情報検出部10に出力する。媒体温度も踏ま
えながら、設定された条件は制御情報検出部10に予め蓄
えられていた制御情報と比較されることで、ＰL がＰ
Hth とＰLth の間に入っているかどうかを判断され、入
っていない場合には、ＰLB、Ｔw1、及びＴOFF のうち少
なくとも１つを調節することで（ＰL −ＰLB）と（ＰH
−ＰLB）の比を変え、これによってＰL の値を変えてＰ
Hth とＰLth の間に入るようにする。
ムの強度を図７に示すような波形になるように各条件を
設定し、制御情報検出部10に出力する。媒体温度も踏ま
えながら、設定された条件は制御情報検出部10に予め蓄
えられていた制御情報と比較されることで、ＰL がＰ
Hth とＰLth の間に入っているかどうかを判断され、入
っていない場合には、ＰLB、Ｔw1、及びＴOFF のうち少
なくとも１つを調節することで（ＰL −ＰLB）と（ＰH
−ＰLB）の比を変え、これによってＰL の値を変えてＰ
Hth とＰLth の間に入るようにする。
【００５２】条件を満たされると、記録すべき２値化情
報が入力部 5に入力され、変調手段4は、条件を満たす
ようにした変調条件でレーザビームの強度を変調し、こ
れが照射光学系を通じて光磁気記録媒体に照射されるこ
とによって記録がなされる。
報が入力部 5に入力され、変調手段4は、条件を満たす
ようにした変調条件でレーザビームの強度を変調し、こ
れが照射光学系を通じて光磁気記録媒体に照射されるこ
とによって記録がなされる。
【００５３】
【実施例３】実施例１の記録装置（図１）に、相対速度
11.3ｍ／sec においてτ＝55nsecのオーバーライト可能
な光磁気ディスクを、予め全面初期化した後セットし
た。また、信号として、1,7 変調、 RLL符号、Ｔ(write
clock period)＝33nsecのNRZI記録でマーク長記録用ラ
ンダム信号（以下、標準信号という）を準備した。この
場合のマークの種類は２Ｔマーク〜８Ｔマークの７種で
ある。ここで、ｎＴマークとは、記録されたマークの再
生信号長がクロック周期Ｔのｎ倍（例えば２Ｔマークの
場合は２倍）になるようなマークを言う（図７参照）。
１個のマークに対応する変調波形は図８に示すような熱
遮断方式及びパルストレイン方式を併用したもので、そ
の設定条件は、Ｔw1＝50nsec（＝Ｔ×3/2 ）、Ｔp ＝33
nsec（＝Ｔ）、Ｔw2＝16.5nsec（＝Ｔ×1/2）、ＴOFF
＝33nsec（＝Ｔ）、ＰLB＝0.5 mWである。
11.3ｍ／sec においてτ＝55nsecのオーバーライト可能
な光磁気ディスクを、予め全面初期化した後セットし
た。また、信号として、1,7 変調、 RLL符号、Ｔ(write
clock period)＝33nsecのNRZI記録でマーク長記録用ラ
ンダム信号（以下、標準信号という）を準備した。この
場合のマークの種類は２Ｔマーク〜８Ｔマークの７種で
ある。ここで、ｎＴマークとは、記録されたマークの再
生信号長がクロック周期Ｔのｎ倍（例えば２Ｔマークの
場合は２倍）になるようなマークを言う（図７参照）。
１個のマークに対応する変調波形は図８に示すような熱
遮断方式及びパルストレイン方式を併用したもので、そ
の設定条件は、Ｔw1＝50nsec（＝Ｔ×3/2 ）、Ｔp ＝33
nsec（＝Ｔ）、Ｔw2＝16.5nsec（＝Ｔ×1/2）、ＴOFF
＝33nsec（＝Ｔ）、ＰLB＝0.5 mWである。
【００５４】この光磁気ディスクを相対速度11.3m/sec
で回転させながら、室温（23℃）において、マーク太さ
が 0.7μm となるようにＰH の強度を決めたところ、Ｐ
H ＝7.8mW となった。これを基に熱遮断方式及びパルス
トレイン方式の最適条件からＰL 及びＰw2を決定し、こ
れらの値を記録装置に入力した。これらの値は、ＰH＝
7.8 mW、ＰL ＝3.6 mW、及びＰw2＝8.0mW であった。即
ち、ＰL 、ＰH 及びＰw2の比は次の通りである。
で回転させながら、室温（23℃）において、マーク太さ
が 0.7μm となるようにＰH の強度を決めたところ、Ｐ
H ＝7.8mW となった。これを基に熱遮断方式及びパルス
トレイン方式の最適条件からＰL 及びＰw2を決定し、こ
れらの値を記録装置に入力した。これらの値は、ＰH＝
7.8 mW、ＰL ＝3.6 mW、及びＰw2＝8.0mW であった。即
ち、ＰL 、ＰH 及びＰw2の比は次の通りである。
【００５５】ＰL ：ＰH ：Ｐw2＝0.46： 1：1.03 次いで、周囲温度を変化させることでディスク温度を使
用温度範囲の 5〜50℃に変化させて、種々の温度におけ
るＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth をそれぞれ測定
し、これらの関係をグラフにプロットした。これを図３
に示す。図３より、ＰL 、ＰH 及びＰw2が一点で交わっ
ており、これらの温度依存性がわかる。また、図３の斜
線部分はＰL として設定可能な範囲を表わしており、デ
ィスク温度が約20℃以下では、ＰL がＰLth より低くな
っており、ＰL が条件から外れていることがわかる。
用温度範囲の 5〜50℃に変化させて、種々の温度におけ
るＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth をそれぞれ測定
し、これらの関係をグラフにプロットした。これを図３
に示す。図３より、ＰL 、ＰH 及びＰw2が一点で交わっ
ており、これらの温度依存性がわかる。また、図３の斜
線部分はＰL として設定可能な範囲を表わしており、デ
ィスク温度が約20℃以下では、ＰL がＰLth より低くな
っており、ＰL が条件から外れていることがわかる。
【００５６】次に、ディスク温度を 5℃に保った状態で
オーバーライトを行ったところ、予想通り、前データの
消し残りが生ずることが確認できた。ここで、これらの
情報（制御情報）をこのディスクに記録して請求項３に
相当するディスクを製作した。次に、このディスクに記
録された制御情報を読み取らせた後、標準信号を記録さ
せた。
オーバーライトを行ったところ、予想通り、前データの
消し残りが生ずることが確認できた。ここで、これらの
情報（制御情報）をこのディスクに記録して請求項３に
相当するディスクを製作した。次に、このディスクに記
録された制御情報を読み取らせた後、標準信号を記録さ
せた。
【００５７】その後、使用温度範囲の 5〜50℃でオーバ
ーライトを行ったところ前データの消し残りは無かっ
た。この時のＰL 、ＰH 及びＰw2の値は室温(23 ℃)
で、ＰH ＝7.8 mW、ＰL ＝4.5 mW、及びＰw2＝7.9mW で
あり、ＰL 、ＰH 及びＰw2の比は、 ＰL ：ＰH ：Ｐw2＝0.57： 1：1.01 であった。また、変調条件は制御情報を読み取らせる前
に比べてＴOFF が22nsec（＝2/3 Ｔ）に変化していた。
ーライトを行ったところ前データの消し残りは無かっ
た。この時のＰL 、ＰH 及びＰw2の値は室温(23 ℃)
で、ＰH ＝7.8 mW、ＰL ＝4.5 mW、及びＰw2＝7.9mW で
あり、ＰL 、ＰH 及びＰw2の比は、 ＰL ：ＰH ：Ｐw2＝0.57： 1：1.01 であった。また、変調条件は制御情報を読み取らせる前
に比べてＴOFF が22nsec（＝2/3 Ｔ）に変化していた。
【００５８】このときのＰL 、ＰH 及びＰw2の制御値と
ＰLth 及びＰHth の測定値を図４に示した。図４よりＰ
L が使用温度範囲全域で略ＰLth とＰHth の中央になる
ように設定されていることがわかる。これらのことか
ら、実施例１の記録装置は、ＴOFF を変更することで、
使用温度範囲全域でＰL が条件に入るように、正しく制
御を行ったことが証明された。
ＰLth 及びＰHth の測定値を図４に示した。図４よりＰ
L が使用温度範囲全域で略ＰLth とＰHth の中央になる
ように設定されていることがわかる。これらのことか
ら、実施例１の記録装置は、ＴOFF を変更することで、
使用温度範囲全域でＰL が条件に入るように、正しく制
御を行ったことが証明された。
【００５９】
【実施例４】実施例２の記録装置（図１）と、実施例３
に用いたものと同じディスクを用いて、実施例３と途中
まで同じ方法で、室温（23℃）におけるＰH の強度を決
めた後、これを基に熱遮断方式及びパルストレイン方式
の最適条件からＰL 及びＰw2を決定し、これらの値を記
録装置に入力した。これらの値は、ＰH ＝7.8 mW、ＰL
＝3.6 mW、及びＰw2＝7.9mW であった。即ち、（ＰL −
ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−ＰLB）の比は次の
通りである。
に用いたものと同じディスクを用いて、実施例３と途中
まで同じ方法で、室温（23℃）におけるＰH の強度を決
めた後、これを基に熱遮断方式及びパルストレイン方式
の最適条件からＰL 及びＰw2を決定し、これらの値を記
録装置に入力した。これらの値は、ＰH ＝7.8 mW、ＰL
＝3.6 mW、及びＰw2＝7.9mW であった。即ち、（ＰL −
ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−ＰLB）の比は次の
通りである。
【００６０】 （ＰL −ＰLB）：（ＰH −ＰLB）：（Ｐw2−ＰLB）＝0.42： 1：1.02 次いで、周囲温度を変化させることでディスク温度を使
用温度範囲の 5〜50℃に変化させて、種々の温度におけ
るＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth をそれぞれ測定
し、これらの関係をグラフにプロットした。これを図５
に示す。図５より、（ＰL −ＰLB）（ＰH −ＰLB）及び
（Ｐw2−ＰLB）が一点で交わっており、これらの温度依
存性がわかる。また、図５の斜線部分はＰL として設定
可能な範囲を表わしており、ディスク温度が約17℃以下
では、ＰL がＰLth より低くなっており、ＰL が条件か
ら外れていることがわかる。
用温度範囲の 5〜50℃に変化させて、種々の温度におけ
るＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth をそれぞれ測定
し、これらの関係をグラフにプロットした。これを図５
に示す。図５より、（ＰL −ＰLB）（ＰH −ＰLB）及び
（Ｐw2−ＰLB）が一点で交わっており、これらの温度依
存性がわかる。また、図５の斜線部分はＰL として設定
可能な範囲を表わしており、ディスク温度が約17℃以下
では、ＰL がＰLth より低くなっており、ＰL が条件か
ら外れていることがわかる。
【００６１】次に、ディスク温度を 5℃に保った状態で
オーバーライトを行ったところ、やはり前データの消し
残りが生ずることが確認できた。ここで、これらの情報
（制御情報）をこのディスクに記録し直して、請求項３
に相当するディスクを製作し直した。次に、このディス
クに記録された制御情報を読み取らせた後、標準信号を
記録させた。
オーバーライトを行ったところ、やはり前データの消し
残りが生ずることが確認できた。ここで、これらの情報
（制御情報）をこのディスクに記録し直して、請求項３
に相当するディスクを製作し直した。次に、このディス
クに記録された制御情報を読み取らせた後、標準信号を
記録させた。
【００６２】その後、使用温度範囲の 5〜50℃でオーバ
ーライトを行ったところ前データの消し残りは無かっ
た。この時のＰL 、ＰH 及びＰw2の値は室温(23 ℃)
で、ＰH ＝7.8 mW、ＰL ＝4.5 mW、及びＰw2＝7.9mW で
あり、（ＰL −ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−Ｐ
LB）の比は、 （ＰL −ＰLB）：（ＰH −ＰLB）：（Ｐw2−ＰLB）＝0.55： 1：1.01 であった。また、変調条件は制御情報を読み取らせる前
に比べてＴOFF が22nsec（＝2/3 Ｔ）に変化していた。
ーライトを行ったところ前データの消し残りは無かっ
た。この時のＰL 、ＰH 及びＰw2の値は室温(23 ℃)
で、ＰH ＝7.8 mW、ＰL ＝4.5 mW、及びＰw2＝7.9mW で
あり、（ＰL −ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−Ｐ
LB）の比は、 （ＰL −ＰLB）：（ＰH −ＰLB）：（Ｐw2−ＰLB）＝0.55： 1：1.01 であった。また、変調条件は制御情報を読み取らせる前
に比べてＴOFF が22nsec（＝2/3 Ｔ）に変化していた。
【００６３】このときのＰL 、ＰH 及びＰw2の制御値と
ＰLth 、ＰHth の測定値を図６に示した。図６よりＰL
が使用温度範囲全域で略ＰLth とＰHth の中央になるよ
うに設定されていることがわかる。これらのことから、
実施例２の記録装置は、ＴOFF を変更することで、使用
温度範囲全域でＰL が条件に入るように、正しく制御を
行ったことが証明された。なお、以上の実施例ではＴ
OFF を変更することで、ＰL を条件内に入れることを行
ったが、ＰLBやＴw1を変更することでも同様の効果が得
られる。
ＰLth 、ＰHth の測定値を図６に示した。図６よりＰL
が使用温度範囲全域で略ＰLth とＰHth の中央になるよ
うに設定されていることがわかる。これらのことから、
実施例２の記録装置は、ＴOFF を変更することで、使用
温度範囲全域でＰL が条件に入るように、正しく制御を
行ったことが証明された。なお、以上の実施例ではＴ
OFF を変更することで、ＰL を条件内に入れることを行
ったが、ＰLBやＴw1を変更することでも同様の効果が得
られる。
【００６４】
【発明の効果】本発明によれば、マークの長さや直前の
マークからの悪影響を最少に抑えたオーバーライト方式
の光磁気記録媒が可能になったと同時に、光磁気記録媒
体の記録特性に応じて記録条件を制御できるようになっ
た。
マークからの悪影響を最少に抑えたオーバーライト方式
の光磁気記録媒が可能になったと同時に、光磁気記録媒
体の記録特性に応じて記録条件を制御できるようになっ
た。
【図１】 本発明の実施例１（請求項４）及び実施例２
（請求項５）に係る光磁気記録装置の全体構成を説明す
るブロック図である。
（請求項５）に係る光磁気記録装置の全体構成を説明す
るブロック図である。
【図２】 ＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体
温度の理想的な関係を説明するグラフである。
温度の理想的な関係を説明するグラフである。
【図３】 実施例３における、ＰL が条件に入らない場
合のＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の
説明するグラフである。
合のＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の
説明するグラフである。
【図４】 実施例３における、ＰL が条件に入る場合の
ＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の説明
するグラフである。
ＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の説明
するグラフである。
【図５】 実施例４における、ＰL が条件に入らない場
合のＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の
説明するグラフである。
合のＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の
説明するグラフである。
【図６】 実施例４における、ＰL が条件に入る場合の
ＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の説明
するグラフである。
ＰL 、ＰH 、Ｐw2、ＰLth 及びＰHth と媒体温度の説明
するグラフである。
【図７】 ２Ｔ〜８Ｔパターンの説明図である。
【図８】 熱遮断方式とパルストレイン方式を併用した
変調パターンの説明図である。
変調パターンの説明図である。
【図９】 熱遮断方式による変調パターンの説明図であ
る。
る。
【図１０】長いマークを形成する際のマーク太さの変化
を表す説明図である。
を表す説明図である。
【図１１】パルストレイン方式による変調パターンの説
明図である。
明図である。
【図１２】パルストレイン方式による変調を行った際の
媒体温度変化の説明図である。
媒体温度変化の説明図である。
【図１３】P.D.T.とＰthの関係を示すグラフである。
【図１４】P.D.T.とＰ0 ／Ｐthの関係を示す（媒体の昇
温プロフィールを表す）グラフである。
温プロフィールを表す）グラフである。
【図１５】P.D.T.と１−Ｐ0 ／Ｐthの関係を示す（媒体
の降温プロフィールを表す）グラフである。
の降温プロフィールを表す）グラフである。
１・・・モータ ２・・・レーザビーム光源 ３・・・照射及び再生光学系 ４・・・変調手段 ５・・・入力部 ６・・・媒体温度検出手段 ７・・・記録磁界印加手段 ８・・・初期補助磁界 ９・・・ディテクター １０・・・制御情報検出部 １１・・・復調手段 Ｄ・・・光磁気記録媒体 以上
Claims (5)
- 【請求項１】 記録すべき２値化情報０、１に従いレー
ザービームを強度変調し、変調された前記レーザービー
ムを相対移動している光磁気記録媒体上に照射すること
により、前記０または１のいずれか一方に相当するマー
クを前記媒体に形成し、それにより情報を記録する光磁
気記録方法であって、前記レーザービーム強度をあるレ
ベルＰL から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1
維持した後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強
度Ｐw2とＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、
周期Ｔp で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より
低い強度ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再び
ＰL に立ち上げるという一連のパターンにより１個のマ
ークを形成する記録方法において、次の条件を満たすこ
とを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法。 (1) 前記ＰL が、使用温度範囲でマークを形成する下限
強度ＰHth と、ＰH で形成したマークを消去できる下限
強度ＰLth の間であること。 (2) ＰL 、ＰH 及びＰw2のうちＰL とＰH を含む少なく
とも２つの比を一定に制御すること。 - 【請求項２】 記録すべき２値化情報０、１に従いレー
ザービームを強度変調し、変調された前記レーザービー
ムを相対移動している光磁気記録媒体上に照射すること
により、前記０または１のいずれか一方に相当するマー
クを前記媒体に形成し、それにより情報を記録する光磁
気記録方法であって、前記レーザービーム強度をあるレ
ベルＰL から、ＰL より高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1
維持した後、ＰL に立ち下げ、その後はＰL より高い強
度Ｐw2とＰL の間を１回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、
周期Ｔp で立ち上げ立ち下げを繰り返した後、ＰL より
低い強度ＰLBに立ち下げて時間ＴOFF 維持した後、再び
ＰL に立ち上げるという一連のパターンにより１個のマ
ークを形成する記録方法において、次の条件を満たすこ
とを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法。 (1) 前記ＰL が、使用温度範囲でマークを形成する下限
強度ＰHth と、ＰH で形成したマークを消去できる下限
強度ＰLth の間であること。 (2) （ＰL −ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−
ＰLB）のうち（ＰL −ＰLB）と（ＰH −ＰLB）を含む少
なくとも２つの比を一定に制御すること。 - 【請求項３】 次に示す制御情報の全てまたは一部の情
報が記録されていることを特徴とするオーバーライト可
能な光磁気記録媒体。前記Ｐw2と媒体温度の関係、前記
ＰH と媒体温度の関係、前記ＰL と媒体温度の関係、前
記ＰHth と媒体温度の関係、及び前記ＰLth と媒体温度
の関係、及び前記各項目間の相互関係。 - 【請求項４】 記録すべき情報の入力部、レーザービー
ム光源、前記光源からのビームを光磁気記録媒体に導く
照射光学系、前記媒体をレーザービームに対して相対的
に移動させる移動手段、及び記録すべき情報に応じて該
レーザービーム強度を変調する変調手段からなるオーバ
ーライト可能な光磁気記録装置において、 前記変調手段が次の条件を満たすことを特徴とする光磁
気記録装置。 (1) レーザービーム強度をあるレベルＰL から、ＰL よ
り高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した後、ＰL に立
ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2とＰL の間を１
回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp で立ち上げ立
ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度ＰLBに立ち下
げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立ち上げるとい
う一連の動作パターンにより１個のマークを形成するこ
と。 (2) ＰL 、ＰH 及びＰw2のうちＰL とＰH を含む少なく
とも２つの比を一定に制御し、使用温度範囲で前記ＰL
が、マークを形成する下限強度ＰHth と、ＰH で形成し
たマークを消去できる下限強度ＰLth の間にない場合
は、前記ＰLB、前記Ｔw1及び前記ＴOFF のうち少なくと
も１つの値を変更することでＰL とＰH の比を決定し直
し、前記ＰL が前記ＰHth と前記ＰLth の間に入るよう
に設定すること。 - 【請求項５】 記録すべき情報の入力部、レーザービー
ム光源、前記光源からのビームを光磁気記録媒体に導く
照射光学系、前記媒体をレーザービームに対して相対的
に移動させる移動手段、及び記録すべき情報に応じて該
レーザービーム強度を変調する変調手段からなるオーバ
ーライト可能な光磁気記録装置において、 前記変調手段が次の条件を満たすことを特徴とする光磁
気記録装置。 (1) レーザービーム強度をあるレベルＰL から、ＰL よ
り高いＰH に立ち上げて時間Ｔw1維持した後、ＰL に立
ち下げ、その後はＰL より高い強度Ｐw2とＰL の間を１
回当たりのＰw2の維持時間Ｔw2、周期Ｔp で立ち上げ立
ち下げを繰り返した後、ＰL より低い強度ＰLBに立ち下
げて時間ＴOFF 維持した後、再びＰL に立ち上げるとい
う一連の動作パターンにより１個のマークを形成するこ
と。 (2) （ＰL −ＰLB）、（ＰH −ＰLB）及び（Ｐw2−
ＰLB）のうち（ＰL −ＰLB）と（ＰH −ＰLB）を含む少
なくとも２つの比を一定に制御し、使用温度範囲で前記
ＰL が、マークを形成する下限強度ＰHth と、ＰH で形
成したマークを消去できる下限強度ＰLth の間にない場
合は、前記ＰLB、前記Ｔw1及び前記ＴOFF のうち少なく
とも１つの値を変更することで（ＰL −ＰLB）と（ＰH
−ＰLB）の比を決定し直し、前記ＰL が前記ＰHthと前
記ＰLth の間に入るように設定すること。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277947A JPH07130030A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | オーバーライト可能な光磁気記録方法、光磁気記録媒体 及び光磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277947A JPH07130030A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | オーバーライト可能な光磁気記録方法、光磁気記録媒体 及び光磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130030A true JPH07130030A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17590496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5277947A Pending JPH07130030A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | オーバーライト可能な光磁気記録方法、光磁気記録媒体 及び光磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650607B1 (en) | 1998-10-12 | 2003-11-18 | Hitachi, Ltd. | Information recording method, information recording medium, and information recording apparatus |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP5277947A patent/JPH07130030A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650607B1 (en) | 1998-10-12 | 2003-11-18 | Hitachi, Ltd. | Information recording method, information recording medium, and information recording apparatus |
| US6909682B2 (en) | 1998-10-12 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Information recording method, information recording medium, and information recording apparatus |
| US7057996B2 (en) | 1998-10-12 | 2006-06-06 | Hitachi, Ltd. | Information recording method, information recording medium, and information recording apparatus |
| US7170840B2 (en) | 1998-10-12 | 2007-01-30 | Hitachi, Ltd. | Information recording method |
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