JP2855918B2 - 光情報の記録方法およびその装置 - Google Patents
光情報の記録方法およびその装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報の記録方法およ
びその装置に関し、特に交換結合交互多層膜を用いたオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体に良好な記録を行う
ための、光情報の記録方法およびその装置に関する。
びその装置に関し、特に交換結合交互多層膜を用いたオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体に良好な記録を行う
ための、光情報の記録方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光情報記録装置としては、光磁気
ディスク装置が用いられている。この光磁気ディスク装
置は、ガラス、あるいはポリカーボネイトなどからなる
透明なディスク状の基板上に、ＴｂＦｅＣｏ薄膜などの
垂直磁化膜からなる光磁気記録膜を形成し、光ヘッドを
介して集光レンズで集束させた光スポットを、透明基板
を通して光磁気記録膜に照射すると同時に、バイアス磁
界発生コイルによって光磁気記録膜に垂直方向にバイア
ス磁界を印加することにより、光スポットの照射部分に
光磁気記録膜の磁化方向をデータとして記録する新しい
ファイル装置であり、大容量、書き換え可能、ディスク
可換性などの大きな特長がある。
ディスク装置が用いられている。この光磁気ディスク装
置は、ガラス、あるいはポリカーボネイトなどからなる
透明なディスク状の基板上に、ＴｂＦｅＣｏ薄膜などの
垂直磁化膜からなる光磁気記録膜を形成し、光ヘッドを
介して集光レンズで集束させた光スポットを、透明基板
を通して光磁気記録膜に照射すると同時に、バイアス磁
界発生コイルによって光磁気記録膜に垂直方向にバイア
ス磁界を印加することにより、光スポットの照射部分に
光磁気記録膜の磁化方向をデータとして記録する新しい
ファイル装置であり、大容量、書き換え可能、ディスク
可換性などの大きな特長がある。
【０００３】そして、光磁気ディスク装置で一般に行わ
れている光パワー変調記録方式の場合、情報を書き換え
る際に、一度消去バイアス磁界−Ｈｅを印加しながら、
集束させたレーザビームを照射して照射領域をキュリー
温度以上に上げた後、光磁気記録膜が冷却される過程
で、磁化の方向を消去バイアス磁界の方向に一様に揃え
る消去動作を行ってから、さらに消去バイアス磁界とは
反対方向の記録バイアス磁界Ｈｗを印加して、レーザビ
ームをオン・オフすることで、磁化の方向として情報の
記録を行っている。
れている光パワー変調記録方式の場合、情報を書き換え
る際に、一度消去バイアス磁界−Ｈｅを印加しながら、
集束させたレーザビームを照射して照射領域をキュリー
温度以上に上げた後、光磁気記録膜が冷却される過程
で、磁化の方向を消去バイアス磁界の方向に一様に揃え
る消去動作を行ってから、さらに消去バイアス磁界とは
反対方向の記録バイアス磁界Ｈｗを印加して、レーザビ
ームをオン・オフすることで、磁化の方向として情報の
記録を行っている。
【０００４】しかし、この方法ではオーバーライトがで
きないために、記録時には転送速度が実効的に低下して
いる。これに対して、オーバーライトが可能となれば、
記録、再生とも同一の転送速度で実行できることになる
ので、データ転送速度は向上し、より広範囲な分野に適
用可能となるということで、オーバーライトを可能にす
るために、これまでいくつかの方法が提案されている。
きないために、記録時には転送速度が実効的に低下して
いる。これに対して、オーバーライトが可能となれば、
記録、再生とも同一の転送速度で実行できることになる
ので、データ転送速度は向上し、より広範囲な分野に適
用可能となるということで、オーバーライトを可能にす
るために、これまでいくつかの方法が提案されている。
【０００５】その中の一つの方法として、佐藤正聡らに
よる「多層光磁気記録媒体を用いた単一ビームオーバー
ライト方式」，第３４回応用物理学関係連合講演会予稿
集Ｎｏ２８ｐ−ＺＬ−３，第７２１頁（１９８７）に記
述されている交換結合多層膜を用いた光パワー変調方式
が知られている。この方式に関して図９、および図１０
を用いて説明する。
よる「多層光磁気記録媒体を用いた単一ビームオーバー
ライト方式」，第３４回応用物理学関係連合講演会予稿
集Ｎｏ２８ｐ−ＺＬ−３，第７２１頁（１９８７）に記
述されている交換結合多層膜を用いた光パワー変調方式
が知られている。この方式に関して図９、および図１０
を用いて説明する。
【０００６】図９は光磁気ディスク装置での記録過程を
示す原理図である。
示す原理図である。
【０００７】図９において、光磁気記録媒体の移動方向
は、矢印３１で示すように右から左に進行していく。３
２は、光磁気記録媒体であり、メモリ層３３と補助層３
４とから構成されている。図９で、メモリ層３３および
補助層３４に書かれている矢印は、それぞれ磁化の方向
を示している。いま、上向きの磁化を”１”レベルの記
録状態、下向きの磁化を”０”レベルの記録状態とす
る。３５は初期化用磁気回路、３６はバイアス磁界印加
用磁気回路であり、矢印３９，４０はそれぞれの磁界の
方向を示している。３７は集光レンズで、図示しないレ
ーザからの光スポット３８を光磁気記録媒体３２上に集
光する。
は、矢印３１で示すように右から左に進行していく。３
２は、光磁気記録媒体であり、メモリ層３３と補助層３
４とから構成されている。図９で、メモリ層３３および
補助層３４に書かれている矢印は、それぞれ磁化の方向
を示している。いま、上向きの磁化を”１”レベルの記
録状態、下向きの磁化を”０”レベルの記録状態とす
る。３５は初期化用磁気回路、３６はバイアス磁界印加
用磁気回路であり、矢印３９，４０はそれぞれの磁界の
方向を示している。３７は集光レンズで、図示しないレ
ーザからの光スポット３８を光磁気記録媒体３２上に集
光する。
【０００８】次に、情報を書き込む動作について説明す
る。
る。
【０００９】図９（ａ）において、まず、強力な磁界強
度を発生する初期化用磁気回路３５で、補助層３４の磁
化を一定方向に揃える初期化を行う。そして、記録用の
光スポット３８を”０”と”１”のレベルに対応して変
調し、補助層３４の磁化またはバイアス磁界印加用磁気
回路３６による磁界の作用で情報を書き込む。
度を発生する初期化用磁気回路３５で、補助層３４の磁
化を一定方向に揃える初期化を行う。そして、記録用の
光スポット３８を”０”と”１”のレベルに対応して変
調し、補助層３４の磁化またはバイアス磁界印加用磁気
回路３６による磁界の作用で情報を書き込む。
【００１０】例えば、”１”レベルの記録を行う場合
は、図９（ｂ）に示すように、レーザから発光するパワ
ーをハイレベルにして、集光レンズ３７によって集光さ
れた光スポット３８によりメモリ層３３、および補助層
３４の２層ともキュリー温度以上に上昇させ、冷却過程
においてバイアス磁界印加用磁気回路３６による磁界作
用により、補助層３４、およびメモリ層３３の２層とも
上向きの磁化になるようにする。
は、図９（ｂ）に示すように、レーザから発光するパワ
ーをハイレベルにして、集光レンズ３７によって集光さ
れた光スポット３８によりメモリ層３３、および補助層
３４の２層ともキュリー温度以上に上昇させ、冷却過程
においてバイアス磁界印加用磁気回路３６による磁界作
用により、補助層３４、およびメモリ層３３の２層とも
上向きの磁化になるようにする。
【００１１】一方、”０”レベルの記録を行う場合は、
図９（ｃ）に示すように、レーザから発光するパワーを
ローレベルにして、集光レンズ３７によって集光された
光スポット３８により、メモリ層３３のみをキュリー温
度以上に上昇させ、冷却過程で補助層３４の磁化とのス
ピン相互作用により下向きの磁化を誘導して記録する。
図９（ｃ）に示すように、レーザから発光するパワーを
ローレベルにして、集光レンズ３７によって集光された
光スポット３８により、メモリ層３３のみをキュリー温
度以上に上昇させ、冷却過程で補助層３４の磁化とのス
ピン相互作用により下向きの磁化を誘導して記録する。
【００１２】以上のような過程により、単一ビームによ
るオーバーライトが可能となる。
るオーバーライトが可能となる。
【００１３】従って、図１０に示すように、コードデー
タに対応して、高いレベルの記録パワーＰｗと、中間の
レベルの消去パワーＰｅとの間で変調された出射光パワ
ーが光磁気記録媒体に照射されることにより、情報のオ
ーバーライトが行われている。
タに対応して、高いレベルの記録パワーＰｗと、中間の
レベルの消去パワーＰｅとの間で変調された出射光パワ
ーが光磁気記録媒体に照射されることにより、情報のオ
ーバーライトが行われている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光情報
記録装置では、交換結合交互多層膜を用いた光磁気記録
媒体に対して情報を書き換える際に、高いレベルの記録
パワーＰｗと中間レベルの消去パワーＰｅとを用いた３
値レベルの光変調を行うことにより、オーバーライトが
可能な方式と、記録パワーＰｗのみを用いた２値レベル
で記録を行いオーバーライトが不可能な方式とがある
が、前者は後者に比較して、Ｃ／Ｎ比が低く、分解能も
悪く、記録の高密度化が困難であるという欠点を有して
いる。本発明の目的は、交換結合交互多層膜を用いたオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体に対して、プリデー
タの消し残りのないオーバーライトができ、良好なＣ／
Ｎ比と分解能が得られ、記録の高密度化を図ることがで
きる光情報の記録方法およびその装置を提供することに
ある。
記録装置では、交換結合交互多層膜を用いた光磁気記録
媒体に対して情報を書き換える際に、高いレベルの記録
パワーＰｗと中間レベルの消去パワーＰｅとを用いた３
値レベルの光変調を行うことにより、オーバーライトが
可能な方式と、記録パワーＰｗのみを用いた２値レベル
で記録を行いオーバーライトが不可能な方式とがある
が、前者は後者に比較して、Ｃ／Ｎ比が低く、分解能も
悪く、記録の高密度化が困難であるという欠点を有して
いる。本発明の目的は、交換結合交互多層膜を用いたオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体に対して、プリデー
タの消し残りのないオーバーライトができ、良好なＣ／
Ｎ比と分解能が得られ、記録の高密度化を図ることがで
きる光情報の記録方法およびその装置を提供することに
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】第１の発明の光情報の記
録方法は、交換結合交互多層膜によるオーバーライト可
能な光磁気記録媒体に、光ビームの照射によって信号を
オーバーライトする記録方法であり、情報信号に応じ
て、高いレベルの光パワーを照射する記録部分から中間
のレベルの光パワーを照射する消去部分に切りかわる際
に、ある一定時間だけ、低いレベルの光パワーを照射す
るように構成されている。
録方法は、交換結合交互多層膜によるオーバーライト可
能な光磁気記録媒体に、光ビームの照射によって信号を
オーバーライトする記録方法であり、情報信号に応じ
て、高いレベルの光パワーを照射する記録部分から中間
のレベルの光パワーを照射する消去部分に切りかわる際
に、ある一定時間だけ、低いレベルの光パワーを照射す
るように構成されている。
【００１６】また、第２の発明の光情報記録装置は、交
換結合交互多層膜によるオーバーライト可能な光磁気記
録媒体に半導体レーザの収束光を照射して、情報の記
録、再生を行う光磁気ヘッドを備えた光情報記録装置に
おいて、オーバーライトするデータに応じて、高いレベ
ルの光パワーを照射する記録部分から中間のレベルの光
パワーを照射する消去部分に切りかわる際に、ある一定
時間だけ、低いレベルの光パワーを照射するように前記
半導体レーザの出射パワーを制御する半導体レーザ駆動
回路を備えて構成されている。
換結合交互多層膜によるオーバーライト可能な光磁気記
録媒体に半導体レーザの収束光を照射して、情報の記
録、再生を行う光磁気ヘッドを備えた光情報記録装置に
おいて、オーバーライトするデータに応じて、高いレベ
ルの光パワーを照射する記録部分から中間のレベルの光
パワーを照射する消去部分に切りかわる際に、ある一定
時間だけ、低いレベルの光パワーを照射するように前記
半導体レーザの出射パワーを制御する半導体レーザ駆動
回路を備えて構成されている。
【００１７】
【作用】交換結合交互多層膜によるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体も、一度プリデータを消去してから、
中間レベルの消去パワーＰｅを印加しないで２値記録を
行うことにより、３値で記録する場合と比較して、Ｃ／
Ｎ比が高く、分解能も高く、ジッタも減少させることが
できる。
な光磁気記録媒体も、一度プリデータを消去してから、
中間レベルの消去パワーＰｅを印加しないで２値記録を
行うことにより、３値で記録する場合と比較して、Ｃ／
Ｎ比が高く、分解能も高く、ジッタも減少させることが
できる。
【００１８】例えば、図６、および図７は、ある交換結
合交互多層膜を用いた光磁気記録媒体に対して、３値記
録でオーバーライトした場合と、一度プリデータを消去
してから２値記録で記録した場合とのＣ／Ｎ比と信号振
幅の記録周波数依存性とを評価した結果を示している。
これらの評価結果から、中間レベルの消去パワーＰｅを
印加しない２値記録の方がＣ／Ｎ比も高く、分解能も高
くなっていることが分かる。
合交互多層膜を用いた光磁気記録媒体に対して、３値記
録でオーバーライトした場合と、一度プリデータを消去
してから２値記録で記録した場合とのＣ／Ｎ比と信号振
幅の記録周波数依存性とを評価した結果を示している。
これらの評価結果から、中間レベルの消去パワーＰｅを
印加しない２値記録の方がＣ／Ｎ比も高く、分解能も高
くなっていることが分かる。
【００１９】図８は、プリデータの存在している上に、
２値記録を行ったときの消去部分の時間の長さに対する
プリデータの消去率の関係を示している。これから、消
去部分が短い場合は、消去パワーＰｅを加えなくてもオ
ーバーライトした際に、プリデータを完全に消去するこ
とができ、なおかつ消去パワーＰｅを加えたときより
も、Ｃ／Ｎ比が高く、ジッタも少ないことが分かる。
２値記録を行ったときの消去部分の時間の長さに対する
プリデータの消去率の関係を示している。これから、消
去部分が短い場合は、消去パワーＰｅを加えなくてもオ
ーバーライトした際に、プリデータを完全に消去するこ
とができ、なおかつ消去パワーＰｅを加えたときより
も、Ｃ／Ｎ比が高く、ジッタも少ないことが分かる。
【００２０】ここで、この消去部分の長さに対する消去
率の関係は、光磁気記録媒体の線速度によって異なって
くる。そこで、光磁気記録媒体の線速度を検出して、そ
の線速度を元に、記録パワーの直後の再生パワーに落と
す長さを調整することにより、良好な記録特性を得るこ
とが可能となる。
率の関係は、光磁気記録媒体の線速度によって異なって
くる。そこで、光磁気記録媒体の線速度を検出して、そ
の線速度を元に、記録パワーの直後の再生パワーに落と
す長さを調整することにより、良好な記録特性を得るこ
とが可能となる。
【００２１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２２】図１は、本発明に係わる交換結合交互多層
膜を用いたオーバーライト可能な光磁気記録媒体を用い
た光情報記録装置の第１の実施例を示す構成図である。
また、図２は、図１の光情報記録装置の動作を示す各部
の波形を示す波形図である。
膜を用いたオーバーライト可能な光磁気記録媒体を用い
た光情報記録装置の第１の実施例を示す構成図である。
また、図２は、図１の光情報記録装置の動作を示す各部
の波形を示す波形図である。
【００２３】図１において、１は光磁気記録媒体、２は
スピンドルモーター、３は光ヘッド、４は半導体レー
ザ、５はプリアンプ、６は復調器、７は符号器、８は半
導体レーザ駆動回路、９は消去パワーゲート設定部、１
０は記録パワー設定部、１１は消去パワー設定部、１２
は再生パワー設定部、１３は線速度検出部である。
スピンドルモーター、３は光ヘッド、４は半導体レー
ザ、５はプリアンプ、６は復調器、７は符号器、８は半
導体レーザ駆動回路、９は消去パワーゲート設定部、１
０は記録パワー設定部、１１は消去パワー設定部、１２
は再生パワー設定部、１３は線速度検出部である。
【００２４】次に、動作を説明する。図１において、記
録データ信号ａが符号器７によって、光磁気ディスクに
記録されるコードデータ、例えば図２に示すようなコー
ドデータＡに変換される。このコードデータＡをもと
に、半導体レーザ駆動回路８によって、半導体レーザ４
が駆動されて、コードデータＡに対して、図２に示す光
出射パワーＣが光ヘッド３から、スピンドルモーター２
によって回転している光磁気記録媒体１に照射され、情
報が書き換えられる。そして、光磁気記録媒体１に書か
れた情報を再生する際には、光ヘッド３によって、情報
信号を検出し、検出した信号をプリアンプ５によって増
幅し、復調器６によってデータが再生されるような構成
となっている。
録データ信号ａが符号器７によって、光磁気ディスクに
記録されるコードデータ、例えば図２に示すようなコー
ドデータＡに変換される。このコードデータＡをもと
に、半導体レーザ駆動回路８によって、半導体レーザ４
が駆動されて、コードデータＡに対して、図２に示す光
出射パワーＣが光ヘッド３から、スピンドルモーター２
によって回転している光磁気記録媒体１に照射され、情
報が書き換えられる。そして、光磁気記録媒体１に書か
れた情報を再生する際には、光ヘッド３によって、情報
信号を検出し、検出した信号をプリアンプ５によって増
幅し、復調器６によってデータが再生されるような構成
となっている。
【００２５】また、半導体レーザ駆動回路８では、コー
ドデータＡに対して、まず記録パワー設定部１０によ
り、記録パワー分の変調が行われる。また、消去パワー
ゲート設定部９によって、図２に示すようにコードデー
タＡの立ち下がりと立ち上がりのエッジから、消去パワ
ーゲートＢが作られる。ただし、次の記録部分が時間ｔ
の経過よりも早い場合は、消去パワーゲートが解除され
て、高いレベルの記録パワーＰｗが照射されるようにす
る。そして、この消去パワーゲートの時間ｔは、プリデ
ータの消し残りが残らないような長さに設定する。この
消去パワーゲートＢをもとに、消去パワー設定部１１に
よって、消去パワー分の変調が行われ、さらに再生パワ
ー設定部１２によって、常に再生パワー分が加えられ
る。
ドデータＡに対して、まず記録パワー設定部１０によ
り、記録パワー分の変調が行われる。また、消去パワー
ゲート設定部９によって、図２に示すようにコードデー
タＡの立ち下がりと立ち上がりのエッジから、消去パワ
ーゲートＢが作られる。ただし、次の記録部分が時間ｔ
の経過よりも早い場合は、消去パワーゲートが解除され
て、高いレベルの記録パワーＰｗが照射されるようにす
る。そして、この消去パワーゲートの時間ｔは、プリデ
ータの消し残りが残らないような長さに設定する。この
消去パワーゲートＢをもとに、消去パワー設定部１１に
よって、消去パワー分の変調が行われ、さらに再生パワ
ー設定部１２によって、常に再生パワー分が加えられ
る。
【００２６】従来の記録方法では、高いレベルの光パワ
ーＰｗが照射される記録部分から消去部分になるとき
に、光出射パワーを中間レベルの消去パワーＰｅにして
いたが、本発明では、光出射パワーをある一定時間ｔだ
け、低いレベルの再生パワーＰｒにしたのち、残りの消
去部分を消去パワーＰｅにする。もちろん、上述たよう
に次の記録部分が時間ｔだけ経過するよりも早い場合
は、消去パワーゲートが解除されて、高いレベルの記録
パワーＰｗが照射されるようにする。
ーＰｗが照射される記録部分から消去部分になるとき
に、光出射パワーを中間レベルの消去パワーＰｅにして
いたが、本発明では、光出射パワーをある一定時間ｔだ
け、低いレベルの再生パワーＰｒにしたのち、残りの消
去部分を消去パワーＰｅにする。もちろん、上述たよう
に次の記録部分が時間ｔだけ経過するよりも早い場合
は、消去パワーゲートが解除されて、高いレベルの記録
パワーＰｗが照射されるようにする。
【００２７】以上のように、記録部分の高いレベルから
消去部分の中間レベルに切り替わるときに、ある時間だ
け低いレベルの再生パワーに落として、その後中間レベ
ルの消去パワーにすることにより、プリデータの消し残
りなしに、良好な記録特性が得られ、高密度記録が実現
できる。
消去部分の中間レベルに切り替わるときに、ある時間だ
け低いレベルの再生パワーに落として、その後中間レベ
ルの消去パワーにすることにより、プリデータの消し残
りなしに、良好な記録特性が得られ、高密度記録が実現
できる。
【００２８】次に、図５に、消去パワーゲート設定部９
の一実施例のブロック図を示す。
の一実施例のブロック図を示す。
【００２９】図５において、８１は可変ディレイライン
である。線速度検出部１３で検出した光磁気記録媒体１
の線速度をもとに、消去パワーゲートの長さｔを設定す
る構成になっている。
である。線速度検出部１３で検出した光磁気記録媒体１
の線速度をもとに、消去パワーゲートの長さｔを設定す
る構成になっている。
【００３０】この消去パワーゲートの時間ｔは、プリデ
ータの消し残りが残らないような長さに設定されてい
る。この時間ｔは、光磁気記録媒体、およびその線速度
によって変化する。光磁気記録媒体１に、線速度に対す
る最適なｔの大きさをあらかじめ記録しておき、光磁気
記録媒体１をドライブに挿入したときに、その情報を読
み取り、線速度に対して可変ディレイライン８１によっ
て、時間ｔの大きさを設定するような構成にすれば良
い。
ータの消し残りが残らないような長さに設定されてい
る。この時間ｔは、光磁気記録媒体、およびその線速度
によって変化する。光磁気記録媒体１に、線速度に対す
る最適なｔの大きさをあらかじめ記録しておき、光磁気
記録媒体１をドライブに挿入したときに、その情報を読
み取り、線速度に対して可変ディレイライン８１によっ
て、時間ｔの大きさを設定するような構成にすれば良
い。
【００３１】この様な回路を用いることにより、コード
データＡの立ち下がりと立ち上がりから、必要な長さの
消去パワーゲートＢを作ることができる。この方法は、
プリデータ、あるいは記録データのデータパターンに関
係することなく、そしてそれらを参照することなしに、
簡単な回路で実現できるという利点がある。
データＡの立ち下がりと立ち上がりから、必要な長さの
消去パワーゲートＢを作ることができる。この方法は、
プリデータ、あるいは記録データのデータパターンに関
係することなく、そしてそれらを参照することなしに、
簡単な回路で実現できるという利点がある。
【００３２】なお、図１に示す光磁気ディスク装置の代
りに図３に示す光情報記録装置を用い、さらに図２に示
す各部の信号の代りに図４に示す信号波形を用いてもよ
い。
りに図３に示す光情報記録装置を用い、さらに図２に示
す各部の信号の代りに図４に示す信号波形を用いてもよ
い。
【００３３】この場合は、消去部分で消去パワーを取り
除く部分において、再生パワー分も取り除いて、出射パ
ワーをなくしてしまう方法をとっており、この方法によ
り、さらにＣ／Ｎ比が向上し、高記録密度を達成するこ
とが可能となる。これを実現するためには、消去パワー
ゲート設定部９によって作られたゲート信号を再生パワ
ー設定部１２にも加えて、再生パワーの印加状態を消去
パワーと同様に制御すればよい。
除く部分において、再生パワー分も取り除いて、出射パ
ワーをなくしてしまう方法をとっており、この方法によ
り、さらにＣ／Ｎ比が向上し、高記録密度を達成するこ
とが可能となる。これを実現するためには、消去パワー
ゲート設定部９によって作られたゲート信号を再生パワ
ー設定部１２にも加えて、再生パワーの印加状態を消去
パワーと同様に制御すればよい。
【００３４】このように、交換結合交互多層膜を用いた
光磁気記録媒体に対して高いレベルの記録パワーと中間
レベルの消去パワーとを用いた３値レベルの光変調を行
い、オーバーライトが可能な方式の場合、高いレベルの
光パワーを照射している記録部分から中間レベルの光パ
ワーを照射する消去部分に切り替わるときに、ある時間
だけ再生パワーに落として、その後中間レベルの消去パ
ワーにすることにより、プリデータの消し残りのないオ
ーバーライトができ、良好なＣ／Ｎ比と分解能が得ら
れ、この結果ジッタが減少してエラーレートが低減し、
記録の高密度化を図ることができる。
光磁気記録媒体に対して高いレベルの記録パワーと中間
レベルの消去パワーとを用いた３値レベルの光変調を行
い、オーバーライトが可能な方式の場合、高いレベルの
光パワーを照射している記録部分から中間レベルの光パ
ワーを照射する消去部分に切り替わるときに、ある時間
だけ再生パワーに落として、その後中間レベルの消去パ
ワーにすることにより、プリデータの消し残りのないオ
ーバーライトができ、良好なＣ／Ｎ比と分解能が得ら
れ、この結果ジッタが減少してエラーレートが低減し、
記録の高密度化を図ることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光情報の
記録方法およびその装置は、交換結合交互多層膜を用い
た光磁気記録媒体に対して高いレベルの記録パワーと中
間レベルの消去パワーとを用いた３値レベルの光変調を
行い、オーバーライトが可能な方式の場合、高いレベル
の光パワーを照射している記録部分から中間レベルの光
パワーを照射する消去部分に切り替わるときに、ある時
間だけ再生パワーに落として、その後中間レベルの消去
パワーにすることにより、プリデータの消し残りのない
オーバーライトができ、良好なＣ／Ｎ比と分解能が得ら
れ、この結果ジッタが減少してエラーレートが低減し、
記録の高密度化を図ることができるという効果を有して
いる。
記録方法およびその装置は、交換結合交互多層膜を用い
た光磁気記録媒体に対して高いレベルの記録パワーと中
間レベルの消去パワーとを用いた３値レベルの光変調を
行い、オーバーライトが可能な方式の場合、高いレベル
の光パワーを照射している記録部分から中間レベルの光
パワーを照射する消去部分に切り替わるときに、ある時
間だけ再生パワーに落として、その後中間レベルの消去
パワーにすることにより、プリデータの消し残りのない
オーバーライトができ、良好なＣ／Ｎ比と分解能が得ら
れ、この結果ジッタが減少してエラーレートが低減し、
記録の高密度化を図ることができるという効果を有して
いる。
【図１】本発明に係わる交換結合交互多層膜を用いたオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を用いた光情報記録
装置の第１の実施例を示す構成図である。
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を用いた光情報記録
装置の第１の実施例を示す構成図である。
【図２】図１の光情報記録装置の動作を示す各部の波形
を示す波形図である。
を示す波形図である。
【図３】本発明に係わる交換結合交互多層膜を用いたオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を用いた光情報記録
装置の第２の実施例を示す構成図である。
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を用いた光情報記録
装置の第２の実施例を示す構成図である。
【図４】図２の光情報記録装置の動作を示す各部の波形
を示す波形図である。
を示す波形図である。
【図５】消去パワーゲート設定部９の一実施例のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図６】３値記録でオーバーライトした場合と、一度プ
リデータを消去してから２値記録で記録した場合とのＣ
／Ｎ比の記録周波数依存性を評価した結果を示す図であ
る。
リデータを消去してから２値記録で記録した場合とのＣ
／Ｎ比の記録周波数依存性を評価した結果を示す図であ
る。
【図７】３値記録でオーバーライトした場合と、一度プ
リデータを消去してから２値記録で記録した場合との信
号振幅の記録周波数依存性を評価した結果を示す図であ
る。
リデータを消去してから２値記録で記録した場合との信
号振幅の記録周波数依存性を評価した結果を示す図であ
る。
【図８】２値記録を行ったときの消去部分の時間の長さ
に対するプリデータの消去率の関係を示す図である。
に対するプリデータの消去率の関係を示す図である。
【図９】図９は光磁気ディスク装置での記録過程を示す
原理図である。
原理図である。
【図１０】従来の光情報記録装置に記録されるコードデ
ータ、および光磁気記録媒体に照射される光出射パワー
の波形を示す波形図である。
ータ、および光磁気記録媒体に照射される光出射パワー
の波形を示す波形図である。
１ 光磁気記録媒体 ２ スピンドルモーター ３ 光ヘッド ４ 半導体レーザ ５ プリアンプ ６ 復調器 ７ 符号器 ８ 半導体レーザ駆動回路 ９ 消去パワーゲート設定部 １０ 記録パワー設定部 １１ 消去パワー設定部 １２ 再生パワー設定部 １３ 線速度検出部 ３１ 媒体進行方向 ３２ 光磁気記録媒体 ３３ メモリ層 ３４ 補助層 ３５ 初期化用磁気回路 ３６ バイアス磁界印加用磁気回路 ３７ 集光レンズ ３８ 光スポット ３９，４０ 矢印 ８１ 可変ディレイライン
Claims (2)
- 【請求項１】 交換結合交互多層膜によるオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体に、光ビームの照射によって信
号をオーバーライトする記録方法であり、情報信号に応
じて、高いレベルの光パワーを照射する記録部分から中
間のレベルの光パワーを照射する消去部分に切りかわる
際に、ある一定時間だけ、低いレベルの光パワーを照射
することを特徴とする光情報の記録方法。 - 【請求項２】 交換結合交互多層膜によるオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体に半導体レーザの収束光を照射
して、情報の記録、再生を行う光磁気ヘッドを備えた光
情報記録装置において、オーバーライトするデータに応
じて、高いレベルの光パワーを照射する記録部分から中
間のレベルの光パワーを照射する消去部分に切りかわる
際に、ある一定時間だけ、低いレベルの光パワーを照射
するように前記半導体レーザの出射パワーを制御する半
導体レーザ駆動回路を備えたことを特徴とする光情報記
録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3271620A JP2855918B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光情報の記録方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3271620A JP2855918B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光情報の記録方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114184A JPH05114184A (ja) | 1993-05-07 |
| JP2855918B2 true JP2855918B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=17502613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3271620A Expired - Fee Related JP2855918B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光情報の記録方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2855918B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP3271620A patent/JP2855918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05114184A (ja) | 1993-05-07 |
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