JPH07121918A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH07121918A JPH07121918A JP34141693A JP34141693A JPH07121918A JP H07121918 A JPH07121918 A JP H07121918A JP 34141693 A JP34141693 A JP 34141693A JP 34141693 A JP34141693 A JP 34141693A JP H07121918 A JPH07121918 A JP H07121918A
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- dielectric film
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- magneto
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界感度が高く、しかも信頼性の高い光磁気
記録媒体を安価に提供する。 【構成】 基板上に第一の誘電体膜、Ｆｅを含む希土類
元素−遷移元素合金の記録膜、金属元素Ｍと窒素Ｎとを
含む第二の誘電体膜および反射膜を有し、元素分布を所
定の条件でオージェ電子分光法により測定したとき、Ｆ
ｅ含有率がＦｅM （Ｆｅ含有率の最大値）の１／５とな
ったときのエッチング時間ＦｅS およびＦｅE と、Ｎ含
有率がＮM （Ｎ含有率の最大値）の１／５となったとき
のエッチング時間ＮE との関係が、 −０．４０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３５ であり、記録膜の厚さが６０nm以下である光磁気記録媒
体。
記録媒体を安価に提供する。 【構成】 基板上に第一の誘電体膜、Ｆｅを含む希土類
元素−遷移元素合金の記録膜、金属元素Ｍと窒素Ｎとを
含む第二の誘電体膜および反射膜を有し、元素分布を所
定の条件でオージェ電子分光法により測定したとき、Ｆ
ｅ含有率がＦｅM （Ｆｅ含有率の最大値）の１／５とな
ったときのエッチング時間ＦｅS およびＦｅE と、Ｎ含
有率がＮM （Ｎ含有率の最大値）の１／５となったとき
のエッチング時間ＮE との関係が、 −０．４０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３５ であり、記録膜の厚さが６０nm以下である光磁気記録媒
体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】大容量情報担持媒体として光ディスクが
注目されている。このなかには、磁界変調方式の光磁気
ディスクがあり、データファイル等への応用が期待され
ている。磁界変調方式では、光ヘッドからレーザー光を
ディスクの記録膜にＤＣ的に照射してその温度を上昇さ
せておき、これと同時に、変調された磁界を光ヘッドの
反対側に配置した磁気ヘッドから記録膜に印加し、記録
を行なう。従って、この方式ではオーバーライト記録が
可能である。
注目されている。このなかには、磁界変調方式の光磁気
ディスクがあり、データファイル等への応用が期待され
ている。磁界変調方式では、光ヘッドからレーザー光を
ディスクの記録膜にＤＣ的に照射してその温度を上昇さ
せておき、これと同時に、変調された磁界を光ヘッドの
反対側に配置した磁気ヘッドから記録膜に印加し、記録
を行なう。従って、この方式ではオーバーライト記録が
可能である。
【０００３】最近、コンパクトディスク（ＣＤ）と同等
（１．２〜１．４m/s ）の低い線速度で記録・再生が可
能な磁界変調方式の光磁気ディスク（ミニディスク）が
実用化されている。この光磁気ディスクは、ＣＤに準じ
た規格の再生専用光ディスクと駆動装置を共用すること
が可能である。この光磁気ディスクの駆動装置は携帯型
としての用途も考えられているが、この場合、消費電力
を抑えることが要求される。しかし、磁界変調型の光磁
気ディスクでは記録レーザーの他に記録用磁気ヘッドが
必要であり、一般に消費電力が多くなってしまう。した
がって、低磁界強度で記録可能な磁界感度の高いディス
クが望まれている。低磁界強度で記録可能であれば消費
電力が少なくなるので、バッテリを小さくすることもで
きる。さらに、磁気ヘッドのコイル巻数を少なくできる
など、磁気ヘッドの設計上も有益である。
（１．２〜１．４m/s ）の低い線速度で記録・再生が可
能な磁界変調方式の光磁気ディスク（ミニディスク）が
実用化されている。この光磁気ディスクは、ＣＤに準じ
た規格の再生専用光ディスクと駆動装置を共用すること
が可能である。この光磁気ディスクの駆動装置は携帯型
としての用途も考えられているが、この場合、消費電力
を抑えることが要求される。しかし、磁界変調型の光磁
気ディスクでは記録レーザーの他に記録用磁気ヘッドが
必要であり、一般に消費電力が多くなってしまう。した
がって、低磁界強度で記録可能な磁界感度の高いディス
クが望まれている。低磁界強度で記録可能であれば消費
電力が少なくなるので、バッテリを小さくすることもで
きる。さらに、磁気ヘッドのコイル巻数を少なくできる
など、磁気ヘッドの設計上も有益である。
【０００４】従来の光磁気ディスク、例えばＩＳＯ準拠
の３．５インチ光磁気ディスクでは、一般に十分なＣ／
Ｎを得るためには２００ Oe 以上の記録磁界が必要であ
る。これに対し、上記したミニディスクでは、消費電力
を抑えるために記録磁界強度を１００ Oe 以下、好まし
くは８０ Oe 以下に抑えることが望ましく、このような
弱磁界強度で４６dB以上のＣ／Ｎを得る必要がある。
の３．５インチ光磁気ディスクでは、一般に十分なＣ／
Ｎを得るためには２００ Oe 以上の記録磁界が必要であ
る。これに対し、上記したミニディスクでは、消費電力
を抑えるために記録磁界強度を１００ Oe 以下、好まし
くは８０ Oe 以下に抑えることが望ましく、このような
弱磁界強度で４６dB以上のＣ／Ｎを得る必要がある。
【０００５】特開平４−３１３８３５号公報では、「基
板上に少なくとも希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜
とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造方法において、
前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜した後、少なくと
も酸素ガスもしくは酸素を一構成元素とする化合物のガ
スを含む放電状態の雰囲気中に基板を保持する」方法を
提案しており、これにより低記録磁界下で高Ｃ／Ｎが得
られるとしている。しかし、周知のように希土類は極め
て酸化されやすい材料であり、本発明者らの実験によれ
ば、酸素を構成元素とする化合物のガス（ＣＯ2 等）を
適量に制御することが極めて難しく、目的とする特性を
安定して得るのは困難であった。また、希土類−遷移金
属合金の磁性層中に酸素を含ませた場合、信頼性に悪影
響を及ぼす可能性が大きい。
板上に少なくとも希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜
とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造方法において、
前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜した後、少なくと
も酸素ガスもしくは酸素を一構成元素とする化合物のガ
スを含む放電状態の雰囲気中に基板を保持する」方法を
提案しており、これにより低記録磁界下で高Ｃ／Ｎが得
られるとしている。しかし、周知のように希土類は極め
て酸化されやすい材料であり、本発明者らの実験によれ
ば、酸素を構成元素とする化合物のガス（ＣＯ2 等）を
適量に制御することが極めて難しく、目的とする特性を
安定して得るのは困難であった。また、希土類−遷移金
属合金の磁性層中に酸素を含ませた場合、信頼性に悪影
響を及ぼす可能性が大きい。
【０００６】この他、「Recording field sensitivity
of magneto-optical disks usingvery thin exchange-c
oupled films」{Ichitani et al.,J.Magn.Soc.Jpn.,Vo
l.17,Supplement No.S1(1993),pp.196-200}では、記録
膜としてＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏとの積層膜を用い
ることにより、磁界変調方式に好適な高磁界感度が得ら
れるとしているが、この方法では工数が増加し、低コス
ト化が難しい。
of magneto-optical disks usingvery thin exchange-c
oupled films」{Ichitani et al.,J.Magn.Soc.Jpn.,Vo
l.17,Supplement No.S1(1993),pp.196-200}では、記録
膜としてＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏとの積層膜を用い
ることにより、磁界変調方式に好適な高磁界感度が得ら
れるとしているが、この方法では工数が増加し、低コス
ト化が難しい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁界感度が
高く、しかも信頼性の高い光磁気記録媒体を安価に提供
することを目的とする。
高く、しかも信頼性の高い光磁気記録媒体を安価に提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（７）の本発明により達成される。 （１）透明基板上に第一の誘電体膜、希土類元素−遷移
元素合金の記録膜、第二の誘電体膜および反射膜をこの
順で有する光磁気記録媒体であって、第二の誘電体膜が
金属元素Ｍと窒素Ｎとを含有し、記録膜がＦｅを含有
し、第二の誘電体膜から記録膜にかけての元素分布を、
オージェ電子分光法により、電子銃の加速電圧５ kV 、
電子銃の照射電流５００ nA 、イオン銃の加速電圧２ k
V の条件下で測定して、横軸を分析時のエッチング時
間、縦軸を原子百分率としたチャートに測定結果をプロ
ットし、記録膜のＦｅ含有率の最大値をＦｅM、第二の
誘電体膜のＮ含有率の最大値をＮM 、第二の誘電体膜と
記録膜との境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１／
５となったときのエッチング時間をＦｅS 、第一の誘電
体膜と記録膜との境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM
の１／５となったときのエッチング時間をＦｅE 、第二
の誘電体膜と記録膜との境界付近においてＮ含有率がＮ
M の１／５となったときのエッチング時間をＮE とした
とき、 −０．４０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３５ であり、記録膜の厚さが６０nm以下であることを特徴と
する光磁気記録媒体。 （２）前記チャートにおいて、第二の誘電体膜と記録膜
との境界付近における酸素含有率が２５原子％以下であ
る上記（１）の光磁気記録媒体。 （３）前記チャートの第二の誘電体膜と記録膜との境界
付近において、酸素含有率曲線にピークが実質的に存在
しない上記（１）の光磁気記録媒体。 （４）前記チャートの第一の誘電体膜と記録膜との境界
付近において、酸素含有率曲線にピークが実質的に存在
しない上記（１）〜（３）のいずれかの光磁気記録媒
体。 （５）第二の誘電体膜に含まれる金属元素ＭがＳｉおよ
び／またはＡｌである上記（１）〜（４）のいずれかの
光磁気記録媒体。 （６）前記チャートにおいて、第二の誘電体膜中の金属
元素Ｍ含有率の最大値をＭM とし、第二の誘電体膜と記
録膜との境界付近において金属元素Ｍ含有率がＭM の１
／５となったときのエッチング時間をＭE としたとき、 ０≦（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦０．２５ である上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録媒
体。 （７）第二の誘電体膜のＮ含有率の最大値ＮM が３０原
子％以上である上記（１）〜（６）のいずれかの光磁気
記録媒体。
（１）〜（７）の本発明により達成される。 （１）透明基板上に第一の誘電体膜、希土類元素−遷移
元素合金の記録膜、第二の誘電体膜および反射膜をこの
順で有する光磁気記録媒体であって、第二の誘電体膜が
金属元素Ｍと窒素Ｎとを含有し、記録膜がＦｅを含有
し、第二の誘電体膜から記録膜にかけての元素分布を、
オージェ電子分光法により、電子銃の加速電圧５ kV 、
電子銃の照射電流５００ nA 、イオン銃の加速電圧２ k
V の条件下で測定して、横軸を分析時のエッチング時
間、縦軸を原子百分率としたチャートに測定結果をプロ
ットし、記録膜のＦｅ含有率の最大値をＦｅM、第二の
誘電体膜のＮ含有率の最大値をＮM 、第二の誘電体膜と
記録膜との境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１／
５となったときのエッチング時間をＦｅS 、第一の誘電
体膜と記録膜との境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM
の１／５となったときのエッチング時間をＦｅE 、第二
の誘電体膜と記録膜との境界付近においてＮ含有率がＮ
M の１／５となったときのエッチング時間をＮE とした
とき、 −０．４０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３５ であり、記録膜の厚さが６０nm以下であることを特徴と
する光磁気記録媒体。 （２）前記チャートにおいて、第二の誘電体膜と記録膜
との境界付近における酸素含有率が２５原子％以下であ
る上記（１）の光磁気記録媒体。 （３）前記チャートの第二の誘電体膜と記録膜との境界
付近において、酸素含有率曲線にピークが実質的に存在
しない上記（１）の光磁気記録媒体。 （４）前記チャートの第一の誘電体膜と記録膜との境界
付近において、酸素含有率曲線にピークが実質的に存在
しない上記（１）〜（３）のいずれかの光磁気記録媒
体。 （５）第二の誘電体膜に含まれる金属元素ＭがＳｉおよ
び／またはＡｌである上記（１）〜（４）のいずれかの
光磁気記録媒体。 （６）前記チャートにおいて、第二の誘電体膜中の金属
元素Ｍ含有率の最大値をＭM とし、第二の誘電体膜と記
録膜との境界付近において金属元素Ｍ含有率がＭM の１
／５となったときのエッチング時間をＭE としたとき、 ０≦（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦０．２５ である上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録媒
体。 （７）第二の誘電体膜のＮ含有率の最大値ＮM が３０原
子％以上である上記（１）〜（６）のいずれかの光磁気
記録媒体。
【０００９】
【作用および効果】本発明では、第二の誘電体膜と記録
膜との境界付近において、第二の誘電体膜に由来する窒
素原子の記録膜への拡散を制御し、窒素原子の濃度分布
と記録膜に由来する鉄原子の濃度分布とを上記のような
関係とする。これにより低磁界下で記録した場合でも高
Ｃ／Ｎが得られ、しかもその安定性の高い光磁気記録媒
体が実現する。
膜との境界付近において、第二の誘電体膜に由来する窒
素原子の記録膜への拡散を制御し、窒素原子の濃度分布
と記録膜に由来する鉄原子の濃度分布とを上記のような
関係とする。これにより低磁界下で記録した場合でも高
Ｃ／Ｎが得られ、しかもその安定性の高い光磁気記録媒
体が実現する。
【００１０】特開昭６３−３２７５０号公報には、「希
土類金属−遷移金属非晶質合金を主成分とする情報記録
層が、これに隣接する層との境界部分において１０ａｔ
％（原子％）以下の酸素を含有している情報記録媒体」
が開示されている。同公報の第４図（Ａ）〜（Ｄ）に
は、試料の膜厚方向の組成分布をオージェ分光分析によ
り測定した結果が記載されている。これらの試料は、ポ
リカーボネート基板上に、窒化シリコン、ＴｂＦｅＣ
ｏ、窒化シリコンをスパッタリングにより順次積層した
ものである。同図に示されるＮ原子のピーク強度曲線お
よびＦｅ原子のピーク強度曲線から本発明と同様にして
（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を求めると、同
図（Ａ）〜（Ｄ）の一部について、（ＮE −ＦｅS ）／
（ＦｅE −ＦｅS ）が本発明範囲内であることがわか
る。
土類金属−遷移金属非晶質合金を主成分とする情報記録
層が、これに隣接する層との境界部分において１０ａｔ
％（原子％）以下の酸素を含有している情報記録媒体」
が開示されている。同公報の第４図（Ａ）〜（Ｄ）に
は、試料の膜厚方向の組成分布をオージェ分光分析によ
り測定した結果が記載されている。これらの試料は、ポ
リカーボネート基板上に、窒化シリコン、ＴｂＦｅＣ
ｏ、窒化シリコンをスパッタリングにより順次積層した
ものである。同図に示されるＮ原子のピーク強度曲線お
よびＦｅ原子のピーク強度曲線から本発明と同様にして
（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を求めると、同
図（Ａ）〜（Ｄ）の一部について、（ＮE −ＦｅS ）／
（ＦｅE −ＦｅS ）が本発明範囲内であることがわか
る。
【００１１】しかし、同公報記載の発明の目的は、「耐
酸化性又は耐食性に優れ、ビット誤り率の少ない良好な
記録特性を示す情報記録媒体を提供すること」であり、
同公報は磁界感度の向上については全く触れていない。
実際、同公報記載の情報記録媒体では、以下に示す理由
により磁界感度向上効果は実現しない。同公報におい
て、第４図作成に用いた試料のＴｂＦｅＣｏ層は厚さ８
００ Aであり、本発明範囲（６００ A以下）より厚い。
記録膜の厚さが６００ Aを超えると、記録膜中での光吸
収率が臨界的に増大して反射膜に到達する光量が減少す
るため、ファラデー効果の寄与が少なくなってＣ／Ｎが
著しく低下してしまう。このため、磁界感度が著しく低
くなってしまう。
酸化性又は耐食性に優れ、ビット誤り率の少ない良好な
記録特性を示す情報記録媒体を提供すること」であり、
同公報は磁界感度の向上については全く触れていない。
実際、同公報記載の情報記録媒体では、以下に示す理由
により磁界感度向上効果は実現しない。同公報におい
て、第４図作成に用いた試料のＴｂＦｅＣｏ層は厚さ８
００ Aであり、本発明範囲（６００ A以下）より厚い。
記録膜の厚さが６００ Aを超えると、記録膜中での光吸
収率が臨界的に増大して反射膜に到達する光量が減少す
るため、ファラデー効果の寄与が少なくなってＣ／Ｎが
著しく低下してしまう。このため、磁界感度が著しく低
くなってしまう。
【００１２】しかも、同公報には、本発明において規定
しているようなオージェ分光分析の測定条件は一切開示
されていない。例えば、媒体の基板からは酸素が放出さ
れるので、測定開始時の真空度に依存して酸素含有率が
変動してしまう。また、イオン銃の加速電圧が大きくな
ると、ノックオンにより被測定元素の打ち込みが大きく
なり、見掛け上、被測定元素の拡散が大きくなってしま
う。したがって、同公報記載のオージェ分光分析グラフ
が本発明を示唆するものであるとはいえない。
しているようなオージェ分光分析の測定条件は一切開示
されていない。例えば、媒体の基板からは酸素が放出さ
れるので、測定開始時の真空度に依存して酸素含有率が
変動してしまう。また、イオン銃の加速電圧が大きくな
ると、ノックオンにより被測定元素の打ち込みが大きく
なり、見掛け上、被測定元素の拡散が大きくなってしま
う。したがって、同公報記載のオージェ分光分析グラフ
が本発明を示唆するものであるとはいえない。
【００１３】また、同公報第４図（Ａ）〜（Ｄ）のすべ
てにおいて、ＴｂＦｅＣｏ層とその両側の各窒化シリコ
ン膜との間にはほぼ同強度の酸素濃度のピークが存在す
るが、本発明の光磁気記録媒体では、酸素濃度のピーク
は少なくとも第一の誘電体膜と記録膜との間には実質的
に存在せず、この点においても異なる。記録膜厚さが本
発明のように６０nm以下と薄い場合に、基板側の第一の
誘電体膜と記録膜との間にも第二の誘電体膜と同程度の
酸素濃度のピークが存在すると、記録膜中の酸素含有率
が高くなりすぎ、磁気特性が著しく低下してしまう。
てにおいて、ＴｂＦｅＣｏ層とその両側の各窒化シリコ
ン膜との間にはほぼ同強度の酸素濃度のピークが存在す
るが、本発明の光磁気記録媒体では、酸素濃度のピーク
は少なくとも第一の誘電体膜と記録膜との間には実質的
に存在せず、この点においても異なる。記録膜厚さが本
発明のように６０nm以下と薄い場合に、基板側の第一の
誘電体膜と記録膜との間にも第二の誘電体膜と同程度の
酸素濃度のピークが存在すると、記録膜中の酸素含有率
が高くなりすぎ、磁気特性が著しく低下してしまう。
【００１４】なお、前述した特開平４−３１３８３５号
公報には、磁性膜が成膜された基板を酸素ガス等を含む
放電状態の雰囲気中に保持することにより、磁性膜上部
に酸素を含む組成の層が形成され、この層が誘電体膜に
由来する元素（ＮやＮ+ 等）の磁性膜への混入を防止す
ると推測される旨の記述がある。窒素の拡散を制御する
という点では同公報記載の発明は本発明と類似するが、
前述したように、酸素ガス等を含む放電状態の雰囲気中
に磁性膜を保持する方法では目的とする特性を安定して
得るのは困難である。同公報の実施例では、磁性膜の厚
さを２００〜３００ Aとしているが、このように薄い磁
性膜を記録特性に影響のないように部分的に酸化するこ
とは、極めて困難である。しかも、同公報には、窒素原
子の拡散に関する具体的な数値等は一切開示されていな
い。
公報には、磁性膜が成膜された基板を酸素ガス等を含む
放電状態の雰囲気中に保持することにより、磁性膜上部
に酸素を含む組成の層が形成され、この層が誘電体膜に
由来する元素（ＮやＮ+ 等）の磁性膜への混入を防止す
ると推測される旨の記述がある。窒素の拡散を制御する
という点では同公報記載の発明は本発明と類似するが、
前述したように、酸素ガス等を含む放電状態の雰囲気中
に磁性膜を保持する方法では目的とする特性を安定して
得るのは困難である。同公報の実施例では、磁性膜の厚
さを２００〜３００ Aとしているが、このように薄い磁
性膜を記録特性に影響のないように部分的に酸化するこ
とは、極めて困難である。しかも、同公報には、窒素原
子の拡散に関する具体的な数値等は一切開示されていな
い。
【００１５】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】図１に、本発明の光磁気記録媒体の一例と
して、光磁気ディスクの構成例を示す。同図において、
光磁気ディスク１は、透明基板２表面上に、第一の誘電
体膜４、記録膜５、第二の誘電体膜６、反射膜７および
保護コート８を有する。
して、光磁気ディスクの構成例を示す。同図において、
光磁気ディスク１は、透明基板２表面上に、第一の誘電
体膜４、記録膜５、第二の誘電体膜６、反射膜７および
保護コート８を有する。
【００１７】本発明の光磁気ディスクに対し記録および
再生を行なう際には、光学ヘッドは透明基板２の裏面側
（図中下側）に位置し、透明基板を通してレーザー光が
照射される。透明基板には、ガラスやポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレン系
樹脂等の透明樹脂が用いられる。
再生を行なう際には、光学ヘッドは透明基板２の裏面側
（図中下側）に位置し、透明基板を通してレーザー光が
照射される。透明基板には、ガラスやポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレン系
樹脂等の透明樹脂が用いられる。
【００１８】第一の誘電体膜４および第二の誘電体膜６
は、Ｃ／Ｎの向上および記録膜の腐食防止作用を有す
る。第一の誘電体膜の厚さは４０〜２００nm程度、第二
の誘電体膜の厚さは１０〜１００nm程度とされる。第一
の誘電体膜は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あ
るいはこれらの混合物（ＬａＳｉＯＮなど）等からなる
誘電体物質から構成される。第二の誘電体膜は、金属元
素Ｍと窒素Ｎとを含有する。金属元素ＭとしてはＳｉお
よび／またはＡｌが好ましい。すなわち、第二の誘電体
膜の組成は、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−ＮまたはＳｉ−Ａｌ−Ｎ
であることが好ましい。
は、Ｃ／Ｎの向上および記録膜の腐食防止作用を有す
る。第一の誘電体膜の厚さは４０〜２００nm程度、第二
の誘電体膜の厚さは１０〜１００nm程度とされる。第一
の誘電体膜は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あ
るいはこれらの混合物（ＬａＳｉＯＮなど）等からなる
誘電体物質から構成される。第二の誘電体膜は、金属元
素Ｍと窒素Ｎとを含有する。金属元素ＭとしてはＳｉお
よび／またはＡｌが好ましい。すなわち、第二の誘電体
膜の組成は、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−ＮまたはＳｉ−Ａｌ−Ｎ
であることが好ましい。
【００１９】記録膜５には、変調された熱ビームあるい
は変調された磁界により情報が磁気的に記録され、記録
情報は磁気−光変換して再生される。本発明の光磁気デ
ィスクは、通常、磁界変調方式に適用される。
は変調された磁界により情報が磁気的に記録され、記録
情報は磁気−光変換して再生される。本発明の光磁気デ
ィスクは、通常、磁界変調方式に適用される。
【００２０】記録膜５は、希土類元素および遷移元素を
含有する合金である。希土類元素としては、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される少なく
とも１種の元素が好ましく、遷移元素としては、Ｆｅを
必須とし、さらにＣｏが含まれることが好ましい。
含有する合金である。希土類元素としては、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される少なく
とも１種の元素が好ましく、遷移元素としては、Ｆｅを
必須とし、さらにＣｏが含まれることが好ましい。
【００２１】各元素の具体的含有量は、要求されるキュ
リー温度、保磁力、再生特性等に応じて適宜決定すれば
よいが、希土類元素をＲとし原子比組成をＲA ＦｅB Ｃ
ｏCとしたとき、通常、 １０≦Ａ≦３５、 ５５≦Ｂ≦７５、 ３≦Ｃ≦１５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１００ であることが好ましい。また、これらの元素に加え、さ
らにＣｒやＴｉ等の各種元素が必要に応じて添加されて
いてもよい。記録膜中におけるこれらの添加元素の含有
量は、１２原子％以下とすることが好ましい。具体的組
成としては、例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏや、Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。
リー温度、保磁力、再生特性等に応じて適宜決定すれば
よいが、希土類元素をＲとし原子比組成をＲA ＦｅB Ｃ
ｏCとしたとき、通常、 １０≦Ａ≦３５、 ５５≦Ｂ≦７５、 ３≦Ｃ≦１５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１００ であることが好ましい。また、これらの元素に加え、さ
らにＣｒやＴｉ等の各種元素が必要に応じて添加されて
いてもよい。記録膜中におけるこれらの添加元素の含有
量は、１２原子％以下とすることが好ましい。具体的組
成としては、例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏや、Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。
【００２２】記録膜５の厚さは、６０nm以下、好ましく
は１０〜４０nmとする。記録膜の厚さが６０nmを超える
と上述した理由で磁界感度が低下してしまい、本発明の
効果が実現しない。記録膜の厚さを４０nm以下とすれ
ば、磁界感度向上効果は極めて高くなる。なお、記録膜
の厚さが１０nm未満であると、酸化や窒素の拡散による
磁気特性への影響が大きくなってＣ／Ｎが低下してしま
い、また、反射率が急激に増大して記録感度が低下して
しまう。
は１０〜４０nmとする。記録膜の厚さが６０nmを超える
と上述した理由で磁界感度が低下してしまい、本発明の
効果が実現しない。記録膜の厚さを４０nm以下とすれ
ば、磁界感度向上効果は極めて高くなる。なお、記録膜
の厚さが１０nm未満であると、酸化や窒素の拡散による
磁気特性への影響が大きくなってＣ／Ｎが低下してしま
い、また、反射率が急激に増大して記録感度が低下して
しまう。
【００２３】本発明の光磁気ディスクは、第二の誘電体
膜から記録膜にかけての元素分布に特徴を有する。元素
分布は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）を用いて、第二
の誘電体膜側から各膜をエッチングしながら測定する。
このときの条件は、電子銃の加速電圧５ kV 、電子銃の
照射電流５００ nA 、イオン銃の加速電圧２ kV とす
る。また、エッチングに用いるアルゴンイオンの入射角
は、好ましくは５０度以上とする。この入射角は、アル
ゴンイオンの入射方向と膜面の法線とのなす角度であ
り、この入射角が大きいと膜の厚さ方向の分解能が向上
する。なお、この入射角は、通常、７０度以下とする。
膜から記録膜にかけての元素分布に特徴を有する。元素
分布は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）を用いて、第二
の誘電体膜側から各膜をエッチングしながら測定する。
このときの条件は、電子銃の加速電圧５ kV 、電子銃の
照射電流５００ nA 、イオン銃の加速電圧２ kV とす
る。また、エッチングに用いるアルゴンイオンの入射角
は、好ましくは５０度以上とする。この入射角は、アル
ゴンイオンの入射方向と膜面の法線とのなす角度であ
り、この入射角が大きいと膜の厚さ方向の分解能が向上
する。なお、この入射角は、通常、７０度以下とする。
【００２４】膜の厚さ方向の元素分布の測定は、イオン
エッチングと元素量測定とを交互に繰り返す間欠エッチ
ングにより行なう。一回のエッチング時間は３０〜４５
秒間程度とすればよい。エッチングレートはイオン銃の
加速電圧や膜組成によって異なるが、上記条件でエッチ
ングした場合、膜厚測定用のＳｉＯ2 膜（厚さ３３７
A）のエッチングレートは約２４ A/min、Ｓｉ−Ｎ膜で
は約１３ A/min、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜では約１２ A/min
であり、いずれもこれらの値を中心としてほぼ±５ A/m
inの範囲に収まり、通常は±２ A/minの範囲に収まる。
エッチングと元素量測定とを交互に繰り返す間欠エッチ
ングにより行なう。一回のエッチング時間は３０〜４５
秒間程度とすればよい。エッチングレートはイオン銃の
加速電圧や膜組成によって異なるが、上記条件でエッチ
ングした場合、膜厚測定用のＳｉＯ2 膜（厚さ３３７
A）のエッチングレートは約２４ A/min、Ｓｉ−Ｎ膜で
は約１３ A/min、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜では約１２ A/min
であり、いずれもこれらの値を中心としてほぼ±５ A/m
inの範囲に収まり、通常は±２ A/minの範囲に収まる。
【００２５】なお、基板からの脱ガスなどの影響を排除
するため、測定容器内に光磁気ディスクを入れ、容器内
を排気して１．０×１０-9 Torr 以下の真空度まで到達
させた後に測定を行なう。測定中にはアルゴンイオンが
容器内に射出されるため、真空度は１×１０-8〜１×１
０-7Torr程度まで低下する。
するため、測定容器内に光磁気ディスクを入れ、容器内
を排気して１．０×１０-9 Torr 以下の真空度まで到達
させた後に測定を行なう。測定中にはアルゴンイオンが
容器内に射出されるため、真空度は１×１０-8〜１×１
０-7Torr程度まで低下する。
【００２６】このような条件のオージェ電子分光法にお
いて測定された各元素のカウント数を原子百分率に換算
し、横軸を分析時のエッチング時間、縦軸を原子百分率
としたチャートに測定結果をプロットする。図２に、こ
のチャートの模式図を示す。同図に示すように、記録膜
のＦｅ含有率の最大値をＦｅM 、第二の誘電体膜のＮ含
有率の最大値をＮM 、第二の誘電体膜と記録膜との境界
付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１／５となったとき
のエッチング時間をＦｅS 、第一の誘電体膜と記録膜と
の境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１／５となっ
たときのエッチング時間をＦｅE 、第二の誘電体膜と記
録膜との境界付近においてＮ含有率がＮM の１／５とな
ったときのエッチング時間をＮE としたとき、本発明の
光磁気ディスクでは、 −０．４０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３５、 好ましくは −０．３０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３０ である。第二の誘電体膜形成の際にＮは記録膜へ拡散す
る。（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）はＮの拡散
の指標となる値である。本発明では（ＮE −ＦｅS ）／
（ＦｅE −ＦｅS ）を上記範囲とすることにより、８０
Oe 以下の低磁界強度で４６dB以上の十分なＣ／Ｎを得
ることができる。（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −Ｆｅ
S ）が小さすぎると、第二の誘電体膜のＮが記録膜近傍
で少なくなりすぎ、その領域での光の吸収が著増するた
め、高磁界下での記録および低磁界下での記録のいずれ
においてもＣ／Ｎが低くなってしまう。（ＮE −Ｆｅ
S ）／（ＦｅE −ＦｅS ）が大きすぎると、低磁界下で
記録したときのＣ／Ｎが著しく低くなってしまうので、
磁気ヘッドの負担が増大して消費電力が増えてしまう。
これは、記録膜に拡散したＮが記録膜のＦｅと結合し
て、記録膜の磁気特性を変化させるためであると考えら
れる。なお、第二の誘電体膜のＮ含有率の最大値Ｎ
Mは、好ましくは３０原子％以上、より好ましくは３５
原子％以上である。ＮM が小さすぎると、第二の誘電体
膜の光吸収量が大きくなり、Ｃ／Ｎ向上効果が不十分と
なる。ＮM の通常の範囲は組成によっても異なるが、４
０〜６０原子％程度である。
いて測定された各元素のカウント数を原子百分率に換算
し、横軸を分析時のエッチング時間、縦軸を原子百分率
としたチャートに測定結果をプロットする。図２に、こ
のチャートの模式図を示す。同図に示すように、記録膜
のＦｅ含有率の最大値をＦｅM 、第二の誘電体膜のＮ含
有率の最大値をＮM 、第二の誘電体膜と記録膜との境界
付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１／５となったとき
のエッチング時間をＦｅS 、第一の誘電体膜と記録膜と
の境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１／５となっ
たときのエッチング時間をＦｅE 、第二の誘電体膜と記
録膜との境界付近においてＮ含有率がＮM の１／５とな
ったときのエッチング時間をＮE としたとき、本発明の
光磁気ディスクでは、 −０．４０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３５、 好ましくは −０．３０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３０ である。第二の誘電体膜形成の際にＮは記録膜へ拡散す
る。（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）はＮの拡散
の指標となる値である。本発明では（ＮE −ＦｅS ）／
（ＦｅE −ＦｅS ）を上記範囲とすることにより、８０
Oe 以下の低磁界強度で４６dB以上の十分なＣ／Ｎを得
ることができる。（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −Ｆｅ
S ）が小さすぎると、第二の誘電体膜のＮが記録膜近傍
で少なくなりすぎ、その領域での光の吸収が著増するた
め、高磁界下での記録および低磁界下での記録のいずれ
においてもＣ／Ｎが低くなってしまう。（ＮE −Ｆｅ
S ）／（ＦｅE −ＦｅS ）が大きすぎると、低磁界下で
記録したときのＣ／Ｎが著しく低くなってしまうので、
磁気ヘッドの負担が増大して消費電力が増えてしまう。
これは、記録膜に拡散したＮが記録膜のＦｅと結合し
て、記録膜の磁気特性を変化させるためであると考えら
れる。なお、第二の誘電体膜のＮ含有率の最大値Ｎ
Mは、好ましくは３０原子％以上、より好ましくは３５
原子％以上である。ＮM が小さすぎると、第二の誘電体
膜の光吸収量が大きくなり、Ｃ／Ｎ向上効果が不十分と
なる。ＮM の通常の範囲は組成によっても異なるが、４
０〜６０原子％程度である。
【００２７】また、本発明では、第二の誘電体膜に含有
される金属元素Ｍについても、Ｎと同様に拡散の度合い
を制御することが好ましい。この場合、前述した条件の
オージェ電子分光法による測定に基づいて作成された前
記チャートにおいて、図３に示すように、第二の誘電体
膜中の金属元素Ｍ含有率の最大値をＭM とし、第二の誘
電体膜と記録膜との境界付近において金属元素Ｍ含有率
がＭM の１／５となったときのエッチング時間をＭE と
したとき、好ましくは ０≦（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦０．２
５、 より好ましくは ０≦（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦０．２０ である。（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を上記
範囲とすることにより、低磁界下で記録したときのＣ／
Ｎはさらに向上する。なお、第二の誘電体膜が例えばＳ
ｉ−Ａｌ−Ｎのように２種以上の金属を含有する場合、
各金属について（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）
が上記範囲に収まることが好ましい。
される金属元素Ｍについても、Ｎと同様に拡散の度合い
を制御することが好ましい。この場合、前述した条件の
オージェ電子分光法による測定に基づいて作成された前
記チャートにおいて、図３に示すように、第二の誘電体
膜中の金属元素Ｍ含有率の最大値をＭM とし、第二の誘
電体膜と記録膜との境界付近において金属元素Ｍ含有率
がＭM の１／５となったときのエッチング時間をＭE と
したとき、好ましくは ０≦（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦０．２
５、 より好ましくは ０≦（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦０．２０ である。（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を上記
範囲とすることにより、低磁界下で記録したときのＣ／
Ｎはさらに向上する。なお、第二の誘電体膜が例えばＳ
ｉ−Ａｌ−Ｎのように２種以上の金属を含有する場合、
各金属について（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）
が上記範囲に収まることが好ましい。
【００２８】記録膜および各誘電体膜は、スパッタ法に
より形成する。本発明では少なくとも記録膜および第二
の誘電体膜を形成する際には真空槽中に酸素を導入しな
いが、通常、スパッタ時の真空槽中には極微量の酸素が
存在するため、元素分析の際には酸素も検出される。そ
して、第二の誘電体膜の形成方法によっては、第二の誘
電体膜と記録膜との境界付近、すなわち、前記チャート
においてＮ含有率曲線とＦｅ含有率曲線との交点付近
で、酸素含有率がやや増加することがある。本発明で
は、このような場合でも、酸素含有率曲線のピークが好
ましくは２５原子％以下、より好ましくは２０原子％以
下、さらに好ましくは１５原子％以下となるようにす
る。酸素含有率を低く抑えることにより、繰り返し耐久
性が良好となり、高磁界下、高温度下での記録において
も安定して高Ｃ／Ｎが得られるようになる。これに対し
酸素含有率が高すぎる場合、記録膜中の希土類元素が選
択的に酸化されて記録膜の保磁力が低くなっているの
で、高磁界下や高温度下での記録に際して、隣接トラッ
クに影響が及びやすい。なお、本発明では低磁界下での
記録において高Ｃ／Ｎを得ることを目的としているが、
記録媒体として用いる場合には、高磁界下での記録にお
いても高特性を保証する必要がある。
より形成する。本発明では少なくとも記録膜および第二
の誘電体膜を形成する際には真空槽中に酸素を導入しな
いが、通常、スパッタ時の真空槽中には極微量の酸素が
存在するため、元素分析の際には酸素も検出される。そ
して、第二の誘電体膜の形成方法によっては、第二の誘
電体膜と記録膜との境界付近、すなわち、前記チャート
においてＮ含有率曲線とＦｅ含有率曲線との交点付近
で、酸素含有率がやや増加することがある。本発明で
は、このような場合でも、酸素含有率曲線のピークが好
ましくは２５原子％以下、より好ましくは２０原子％以
下、さらに好ましくは１５原子％以下となるようにす
る。酸素含有率を低く抑えることにより、繰り返し耐久
性が良好となり、高磁界下、高温度下での記録において
も安定して高Ｃ／Ｎが得られるようになる。これに対し
酸素含有率が高すぎる場合、記録膜中の希土類元素が選
択的に酸化されて記録膜の保磁力が低くなっているの
で、高磁界下や高温度下での記録に際して、隣接トラッ
クに影響が及びやすい。なお、本発明では低磁界下での
記録において高Ｃ／Ｎを得ることを目的としているが、
記録媒体として用いる場合には、高磁界下での記録にお
いても高特性を保証する必要がある。
【００２９】本発明では、前記チャートの第一の誘電体
膜と記録膜との境界付近には、酸素含有率曲線にピーク
が実質的に存在しないことが好ましい。本発明では記録
膜を薄くするため、この領域においても酸素含有率曲線
にピークが存在すると記録膜中の酸素含有率が多くなり
すぎ、記録膜の磁気特性が大きく低下してしまう。な
お、酸素含有率曲線にピークが実質的に存在しないと
は、前記チャートの第一の誘電体膜と記録膜との境界付
近に、記録膜中の酸素含有率の最低値より１０原子％以
上高い酸素含有率のピークが存在しないことを意味し、
好ましくは５原子％以上高いピークが存在しないことを
意味する。
膜と記録膜との境界付近には、酸素含有率曲線にピーク
が実質的に存在しないことが好ましい。本発明では記録
膜を薄くするため、この領域においても酸素含有率曲線
にピークが存在すると記録膜中の酸素含有率が多くなり
すぎ、記録膜の磁気特性が大きく低下してしまう。な
お、酸素含有率曲線にピークが実質的に存在しないと
は、前記チャートの第一の誘電体膜と記録膜との境界付
近に、記録膜中の酸素含有率の最低値より１０原子％以
上高い酸素含有率のピークが存在しないことを意味し、
好ましくは５原子％以上高いピークが存在しないことを
意味する。
【００３０】なお、前記チャートの第二の誘電体膜と記
録膜との境界付近においても、酸素含有率曲線にピーク
が実質的に存在しないようにすることが好ましい。
録膜との境界付近においても、酸素含有率曲線にピーク
が実質的に存在しないようにすることが好ましい。
【００３１】記録膜から第二の誘電体膜にかけての酸素
の混入および第一の誘電体膜から記録膜にかけての酸素
の混入を抑えるためには、真空槽の到達圧力をできるだ
け低くすることが好ましいが、真空槽の到達圧力は１×
１０-4Pa以下とすれば十分である。
の混入および第一の誘電体膜から記録膜にかけての酸素
の混入を抑えるためには、真空槽の到達圧力をできるだ
け低くすることが好ましいが、真空槽の到達圧力は１×
１０-4Pa以下とすれば十分である。
【００３２】記録膜形成の際のスパッタ条件は特に限定
されず、公知の通常の条件で行なえばよい。
されず、公知の通常の条件で行なえばよい。
【００３３】第二の誘電体膜は、反応性スパッタにより
形成することが好ましい。この場合、ターゲットには金
属元素Ｍからなるものを用い、反応性ガスにはＮ2 ガス
を用いる。（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）や
（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を前記した範囲
とするための方法は特に限定されず、どのような方法を
用いてもよいが、例えば、スパッタの際にＮ2 ガス流量
を経時的に制御することにより前記したような窒素濃度
分布やＭ濃度分布を設けることが可能である。具体的に
は、記録膜形成後、Ｎ2 ガスを真空槽内に導入しない
か、あるいはＮ2 ガス流量が少ない状態で金属元素Ｍの
ターゲットをスパッタし、所定時間経過後にＮ2 ガス流
量を増加させて引き続きスパッタを行なう。この場合、
Ｎ2 ガス流量やそれを増加させるタイミングなどの各種
条件は、投入パワー等の他の条件と相関して変動するた
め、実験的に決定すればよい。
形成することが好ましい。この場合、ターゲットには金
属元素Ｍからなるものを用い、反応性ガスにはＮ2 ガス
を用いる。（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）や
（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を前記した範囲
とするための方法は特に限定されず、どのような方法を
用いてもよいが、例えば、スパッタの際にＮ2 ガス流量
を経時的に制御することにより前記したような窒素濃度
分布やＭ濃度分布を設けることが可能である。具体的に
は、記録膜形成後、Ｎ2 ガスを真空槽内に導入しない
か、あるいはＮ2 ガス流量が少ない状態で金属元素Ｍの
ターゲットをスパッタし、所定時間経過後にＮ2 ガス流
量を増加させて引き続きスパッタを行なう。この場合、
Ｎ2 ガス流量やそれを増加させるタイミングなどの各種
条件は、投入パワー等の他の条件と相関して変動するた
め、実験的に決定すればよい。
【００３４】反射膜７は、Ｃ／Ｎ向上のために設けられ
る。反射膜７を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属、あるいはこれら
を含む合金、あるいはこれらを含む化合物であることが
好ましい。反射膜７は、スパッタ法により形成すること
が好ましい。反射膜７の厚さは、３０〜２００nm程度と
することが好ましい。
る。反射膜７を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属、あるいはこれら
を含む合金、あるいはこれらを含む化合物であることが
好ましい。反射膜７は、スパッタ法により形成すること
が好ましい。反射膜７の厚さは、３０〜２００nm程度と
することが好ましい。
【００３５】保護コート８は、反射膜７までのスパッタ
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。保護コ
ート８を構成する樹脂は特に限定されないが、放射線硬
化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線硬化
型化合物としてはアクリル基を有するものが好ましく、
これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有する塗膜を、
紫外線や電子線により硬化して保護コートを形成するこ
とが好ましい。保護コート８の厚さは、通常、１〜３０
μm 、好ましくは２〜２０μm とする。膜厚が薄すぎる
と一様な膜を形成することが困難となり、耐久性が不十
分となってくる。また、厚すぎると、硬化の際の収縮に
よりクラックが生じたり、ディスクに反りが発生しやす
くなってくる。
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。保護コ
ート８を構成する樹脂は特に限定されないが、放射線硬
化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線硬化
型化合物としてはアクリル基を有するものが好ましく、
これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有する塗膜を、
紫外線や電子線により硬化して保護コートを形成するこ
とが好ましい。保護コート８の厚さは、通常、１〜３０
μm 、好ましくは２〜２０μm とする。膜厚が薄すぎる
と一様な膜を形成することが困難となり、耐久性が不十
分となってくる。また、厚すぎると、硬化の際の収縮に
よりクラックが生じたり、ディスクに反りが発生しやす
くなってくる。
【００３６】なお、透明基板２の裏面側には、図示され
るように透明なハードコート３を形成してもよい。ハー
ドコートの材質および厚さは、保護コート８と同様とす
ればよい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加
などにより帯電防止性を付与することが好ましい。ハー
ドコートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外
周側面や内周側面に設けてもよい。
るように透明なハードコート３を形成してもよい。ハー
ドコートの材質および厚さは、保護コート８と同様とす
ればよい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加
などにより帯電防止性を付与することが好ましい。ハー
ドコートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外
周側面や内周側面に設けてもよい。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００３８】透明基板上に、第一の誘電体膜、記録膜、
第二の誘電体膜、反射膜および保護コートを以下に示す
条件で順次形成して、表１に示す光磁気ディスクサンプ
ルを作製した。
第二の誘電体膜、反射膜および保護コートを以下に示す
条件で順次形成して、表１に示す光磁気ディスクサンプ
ルを作製した。
【００３９】＜透明基板＞透明基板には、外径６４mm、
内径１１mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカーボネー
ト樹脂板を用いた。
内径１１mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカーボネー
ト樹脂板を用いた。
【００４０】＜第一の誘電体膜＞真空槽内を５．０×１
０-5Pa以下まで減圧した後、ＡｒガスとＮ2 ガスとを真
空槽内に流しながら、Ｓｉをターゲットとしてマグネト
ロンスパッタを行ない、Ｓｉ−Ｎを主成分とする第一の
誘電体膜を形成した。スパッタの際の条件は、投入パワ
ー１kW（ＲＦ）、スパッタガス圧力０．１Pa、Ａｒガス
流量３１SCCM、Ｎ2 ガス流量１９SCCMとした。第一の誘
電体膜の厚さは６０nmとした。なお、本実施例における
各膜の厚さは、スパッタレートとスパッタ時間とから算
出した。スパッタレートは、実際の成膜の際の条件と同
じ条件で長時間スパッタを行なって厚い膜を形成し、実
測により求めた膜厚とスパッタ時間とから算出した。
０-5Pa以下まで減圧した後、ＡｒガスとＮ2 ガスとを真
空槽内に流しながら、Ｓｉをターゲットとしてマグネト
ロンスパッタを行ない、Ｓｉ−Ｎを主成分とする第一の
誘電体膜を形成した。スパッタの際の条件は、投入パワ
ー１kW（ＲＦ）、スパッタガス圧力０．１Pa、Ａｒガス
流量３１SCCM、Ｎ2 ガス流量１９SCCMとした。第一の誘
電体膜の厚さは６０nmとした。なお、本実施例における
各膜の厚さは、スパッタレートとスパッタ時間とから算
出した。スパッタレートは、実際の成膜の際の条件と同
じ条件で長時間スパッタを行なって厚い膜を形成し、実
測により求めた膜厚とスパッタ時間とから算出した。
【００４１】＜記録膜＞第一の誘電体膜形成後、再び真
空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで減圧し、Ａｒガスを
真空槽内に流しながら、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金をター
ゲットとしてマグネトロンスパッタを行ない、Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏを主成分とする記録膜を形成した。スパッタの
際の条件は、投入パワー１kW（ＤＣ）、スパッタガス圧
力０．２Pa、Ａｒガス流量９８SCCMとした。記録膜の厚
さを表１に示す。
空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで減圧し、Ａｒガスを
真空槽内に流しながら、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金をター
ゲットとしてマグネトロンスパッタを行ない、Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏを主成分とする記録膜を形成した。スパッタの
際の条件は、投入パワー１kW（ＤＣ）、スパッタガス圧
力０．２Pa、Ａｒガス流量９８SCCMとした。記録膜の厚
さを表１に示す。
【００４２】＜第二の誘電体膜＞記録膜形成後、再び真
空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで減圧し、Ａｒガスと
Ｎ2 ガスとを真空槽内に流しながらＳｉまたはＡｌをタ
ーゲットとしてマグネトロンスパッタを行ない、Ｓｉ−
ＮまたはＡｌ−Ｎを主成分とする第二の誘電体膜を形成
した。第二の誘電体膜の形成に際しては、スパッタ初期
はＮ2 ガス流量をゼロとするか少なくし、所定時間スパ
ッタを行なった後、Ｎ2 ガス流量を増加させることによ
り、Ｎ、Ｓｉ、Ａｌの記録膜への拡散を制御した。スパ
ッタ条件は、投入パワー５００W （ＲＦ）、スパッタガ
ス圧力０．０８〜０．１Pa、Ａｒガス流量３１SCCM、増
加後のＮ2 ガス流量１９SCCMとした。スパッタ初期のＮ
2 ガス流量と、その流量の継続時間（スパッタ開始から
Ｎ2 ガス流量を増加させるまでの時間）とを表１に示
す。なお、サンプルNo.１は、スパッタ開始から終了ま
でＮ2 ガス流量を１９SCCMに保った比較サンプルであ
る。第二の誘電体膜の厚さは２０nmとした。
空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで減圧し、Ａｒガスと
Ｎ2 ガスとを真空槽内に流しながらＳｉまたはＡｌをタ
ーゲットとしてマグネトロンスパッタを行ない、Ｓｉ−
ＮまたはＡｌ−Ｎを主成分とする第二の誘電体膜を形成
した。第二の誘電体膜の形成に際しては、スパッタ初期
はＮ2 ガス流量をゼロとするか少なくし、所定時間スパ
ッタを行なった後、Ｎ2 ガス流量を増加させることによ
り、Ｎ、Ｓｉ、Ａｌの記録膜への拡散を制御した。スパ
ッタ条件は、投入パワー５００W （ＲＦ）、スパッタガ
ス圧力０．０８〜０．１Pa、Ａｒガス流量３１SCCM、増
加後のＮ2 ガス流量１９SCCMとした。スパッタ初期のＮ
2 ガス流量と、その流量の継続時間（スパッタ開始から
Ｎ2 ガス流量を増加させるまでの時間）とを表１に示
す。なお、サンプルNo.１は、スパッタ開始から終了ま
でＮ2 ガス流量を１９SCCMに保った比較サンプルであ
る。第二の誘電体膜の厚さは２０nmとした。
【００４３】＜反射膜＞第二の誘電体膜形成後、再び真
空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで減圧し、Ａｒガスを
真空槽内に流しながら、Ａｌをターゲットとしてマグネ
トロンスパッタを行ない、Ａｌを主成分とする反射膜を
形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー７５０W
（ＤＣ）、スパッタガス圧力０．１５Pa、Ａｒガス流量
５０SCCMとした。反射膜の厚さは６０nmとした。
空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで減圧し、Ａｒガスを
真空槽内に流しながら、Ａｌをターゲットとしてマグネ
トロンスパッタを行ない、Ａｌを主成分とする反射膜を
形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー７５０W
（ＤＣ）、スパッタガス圧力０．１５Pa、Ａｒガス流量
５０SCCMとした。反射膜の厚さは６０nmとした。
【００４４】＜保護コート＞下記の重合用組成物の塗膜
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化した。硬化後の平均厚さは約５μm であっ
た。
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化した。硬化後の平均厚さは約５μm であっ
た。
【００４５】重合用組成物 オリゴエステルアクリレート（分子量５，０００） ５０重量部 トリメチロールプロパントリアクリレート ５０重量部 アセトフェノン系光重合開始剤 ３重量部
【００４６】このようにして得られた各光磁気ディスク
サンプルに、線速度１．２８m/s で表１に示す外部磁界
強度（Ｈex）にてＥＦＭ変調の３Ｔ信号を記録した。記
録パワーは各サンプルの記録膜の厚さに応じた最適記録
パワーとした。例えば、記録膜の厚さが２０nmのサンプ
ルでは４．５mWとし、記録膜の厚さが８０nmのサンプル
では６．５mWとした。次いで、ソニーテクトロニクス製
ＭＤ評価システムＭＪ−６１００を使用してＣ／Ｎを測
定した。結果を表１に示す。
サンプルに、線速度１．２８m/s で表１に示す外部磁界
強度（Ｈex）にてＥＦＭ変調の３Ｔ信号を記録した。記
録パワーは各サンプルの記録膜の厚さに応じた最適記録
パワーとした。例えば、記録膜の厚さが２０nmのサンプ
ルでは４．５mWとし、記録膜の厚さが８０nmのサンプル
では６．５mWとした。次いで、ソニーテクトロニクス製
ＭＤ評価システムＭＪ−６１００を使用してＣ／Ｎを測
定した。結果を表１に示す。
【００４７】次に、各サンプルの保護コートを除去した
後、各サンプルをオージェ電子分光装置の真空容器内に
入れて２４時間排気を行なって容器内の圧力を７．０×
１０-10 Torrまで減じ、さらに排気を続けながらオージ
ェ電子分光法により第二の誘電体膜側から厚さ方向に元
素分布の測定を行なった。オージェ電子分光法の条件
は、 電子銃の加速電圧：５ kV 、 電子銃の照射電流：５００ nA 、 イオン銃の加速電圧：２ kV 、 アルゴンイオンの入射角：５８．９度 とし、間欠エッチング（一回のエッチング時間４５秒
間）により厚さ方向にアルゴンイオンでエッチングしな
がら元素量を測定した。エッチングレートは、第二の誘
電体膜で１３．２ A/min、記録膜で１２．２ A/minであ
った。元素量の測定は、各元素について１５〜４５秒間
行なった。
後、各サンプルをオージェ電子分光装置の真空容器内に
入れて２４時間排気を行なって容器内の圧力を７．０×
１０-10 Torrまで減じ、さらに排気を続けながらオージ
ェ電子分光法により第二の誘電体膜側から厚さ方向に元
素分布の測定を行なった。オージェ電子分光法の条件
は、 電子銃の加速電圧：５ kV 、 電子銃の照射電流：５００ nA 、 イオン銃の加速電圧：２ kV 、 アルゴンイオンの入射角：５８．９度 とし、間欠エッチング（一回のエッチング時間４５秒
間）により厚さ方向にアルゴンイオンでエッチングしな
がら元素量を測定した。エッチングレートは、第二の誘
電体膜で１３．２ A/min、記録膜で１２．２ A/minであ
った。元素量の測定は、各元素について１５〜４５秒間
行なった。
【００４８】オージェ電子分光法の測定結果から前述し
たチャートを作成し、（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −Ｆ
ｅS ）および（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を
算出した。また、第二の誘電体膜のＮ含有率の最大値
（ＮM ）と、第二の誘電体膜と記録膜との境界付近にお
ける酸素含有率の最大値（ＯM ）も求めた。これらの結
果を表１に示す。
たチャートを作成し、（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −Ｆ
ｅS ）および（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）を
算出した。また、第二の誘電体膜のＮ含有率の最大値
（ＮM ）と、第二の誘電体膜と記録膜との境界付近にお
ける酸素含有率の最大値（ＯM ）も求めた。これらの結
果を表１に示す。
【００４９】なお、参考のために、本発明サンプル（表
１のNo. ４）のチャートを図４に、比較サンプル（表１
のNo. １）のチャートを図５に示す。
１のNo. ４）のチャートを図４に、比較サンプル（表１
のNo. １）のチャートを図５に示す。
【００５０】
【表１】
【００５１】表１に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。前述したようにミニディスクでは１００
Oe 以下、好ましくは８０ Oe 以下の低磁界下での記録
で４６dB以上のＣ／Ｎが望まれるが、（ＮE −ＦｅS ）
／（ＦｅE −ＦｅS ）が本発明範囲を外れるサンプルN
o. １および７では、外部磁界強度８０ Oe で４０〜４
４dBしか得られていない。また、前述した特開昭６３−
３２７５０号公報第４図の各試料と同様に、記録膜の厚
さを８０nmとしたサンプルNo. ５−４では、磁界感度が
極めて低くなっている。これに対し、本発明サンプルで
はいずれも４６．０dB以上のＣ／Ｎが得られている。
明らかである。前述したようにミニディスクでは１００
Oe 以下、好ましくは８０ Oe 以下の低磁界下での記録
で４６dB以上のＣ／Ｎが望まれるが、（ＮE −ＦｅS ）
／（ＦｅE −ＦｅS ）が本発明範囲を外れるサンプルN
o. １および７では、外部磁界強度８０ Oe で４０〜４
４dBしか得られていない。また、前述した特開昭６３−
３２７５０号公報第４図の各試料と同様に、記録膜の厚
さを８０nmとしたサンプルNo. ５−４では、磁界感度が
極めて低くなっている。これに対し、本発明サンプルで
はいずれも４６．０dB以上のＣ／Ｎが得られている。
【００５２】なお、表１の各サンプルでは、記録膜中の
酸素含有率の最低値は５原子％以下であり、記録膜と第
一の誘電体膜との間の酸素含有率も５原子％以下であ
り、ピークが実質的に存在しなかった。
酸素含有率の最低値は５原子％以下であり、記録膜と第
一の誘電体膜との間の酸素含有率も５原子％以下であ
り、ピークが実質的に存在しなかった。
【図１】本発明の光磁気ディスクの構成例を示す部分断
面図である。
面図である。
【図２】第二の誘電体膜から記録膜にかけての元素（Ｆ
ｅおよびＮ）分布をオージェ電子分光法により測定した
結果を模式的に表わすチャートである。
ｅおよびＮ）分布をオージェ電子分光法により測定した
結果を模式的に表わすチャートである。
【図３】第二の誘電体膜から記録膜にかけての元素（Ｆ
ｅおよびＭ）分布をオージェ電子分光法により測定した
結果を模式的に表わすチャートである。
ｅおよびＭ）分布をオージェ電子分光法により測定した
結果を模式的に表わすチャートである。
【図４】本発明サンプル（表１のNo. ４）のオージェ電
子分光法の結果を示すチャートである。
子分光法の結果を示すチャートである。
【図５】比較サンプル（表１のNo. １）のオージェ電子
分光法の結果を示すチャートである。
分光法の結果を示すチャートである。
１ 光磁気ディスク ２ 透明基板 ３ ハードコート ４ 第一の誘電体膜 ５ 記録膜 ６ 第二の誘電体膜 ７ 反射膜 ８ 保護コート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 弘康 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 透明基板上に第一の誘電体膜、希土類元
素−遷移元素合金の記録膜、第二の誘電体膜および反射
膜をこの順で有する光磁気記録媒体であって、 第二の誘電体膜が金属元素Ｍと窒素Ｎとを含有し、記録
膜がＦｅを含有し、 第二の誘電体膜から記録膜にかけての元素分布を、オー
ジェ電子分光法により、電子銃の加速電圧５ kV 、電子
銃の照射電流５００ nA 、イオン銃の加速電圧２ kV の
条件下で測定して、横軸を分析時のエッチング時間、縦
軸を原子百分率としたチャートに測定結果をプロット
し、記録膜のＦｅ含有率の最大値をＦｅM、第二の誘電
体膜のＮ含有率の最大値をＮM 、第二の誘電体膜と記録
膜との境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１／５と
なったときのエッチング時間をＦｅS 、第一の誘電体膜
と記録膜との境界付近においてＦｅ含有率がＦｅM の１
／５となったときのエッチング時間をＦｅE 、第二の誘
電体膜と記録膜との境界付近においてＮ含有率がＮM の
１／５となったときのエッチング時間をＮE としたと
き、 −０．４０≦（ＮE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦
０．３５ であり、 記録膜の厚さが６０nm以下であることを特徴とする光磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 前記チャートにおいて、第二の誘電体膜
と記録膜との境界付近における酸素含有率が２５原子％
以下である請求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記チャートの第二の誘電体膜と記録膜
との境界付近において、酸素含有率曲線にピークが実質
的に存在しない請求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記チャートの第一の誘電体膜と記録膜
との境界付近において、酸素含有率曲線にピークが実質
的に存在しない請求項１〜３のいずれかの光磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 第二の誘電体膜に含まれる金属元素Ｍが
Ｓｉおよび／またはＡｌである請求項１〜４のいずれか
の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記チャートにおいて、第二の誘電体膜
中の金属元素Ｍ含有率の最大値をＭM とし、第二の誘電
体膜と記録膜との境界付近において金属元素Ｍ含有率が
ＭM の１／５となったときのエッチング時間をＭE とし
たとき、 ０≦（ＭE −ＦｅS ）／（ＦｅE −ＦｅS ）≦０．２５ である請求項１〜５のいずれかの光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 第二の誘電体膜のＮ含有率の最大値ＮM
が３０原子％以上である請求項１〜６のいずれかの光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34141693A JPH07121918A (ja) | 1993-08-30 | 1993-12-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-237338 | 1993-08-30 | ||
| JP23733893 | 1993-08-30 | ||
| JP34141693A JPH07121918A (ja) | 1993-08-30 | 1993-12-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07121918A true JPH07121918A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=26533165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34141693A Pending JPH07121918A (ja) | 1993-08-30 | 1993-12-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121918A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009151016A1 (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 第一三共株式会社 | １－ビフェニルメチルイミダゾール化合物の製造方法 |
| US7692023B2 (en) | 2004-02-11 | 2010-04-06 | Teva Pharmaceutical Industries Ltd. | Candesartan cilexetil polymorphs |
| KR20120006512A (ko) | 2009-04-28 | 2012-01-18 | 다이이찌 산쿄 가부시키가이샤 | 올메살탄메독소밀의 제조 방법 |
| US8859600B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-10-14 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Acetone solvate crystals of trityl olmesartan medoxomil |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP34141693A patent/JPH07121918A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7692023B2 (en) | 2004-02-11 | 2010-04-06 | Teva Pharmaceutical Industries Ltd. | Candesartan cilexetil polymorphs |
| WO2009151016A1 (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 第一三共株式会社 | １－ビフェニルメチルイミダゾール化合物の製造方法 |
| KR20110015428A (ko) | 2008-06-09 | 2011-02-15 | 다이이찌 산쿄 가부시키가이샤 | 1-비페닐메틸이미다졸 화합물의 제조 방법 |
| KR20120006512A (ko) | 2009-04-28 | 2012-01-18 | 다이이찌 산쿄 가부시키가이샤 | 올메살탄메독소밀의 제조 방법 |
| US8859600B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-10-14 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Acetone solvate crystals of trityl olmesartan medoxomil |
| US8933241B2 (en) | 2009-04-28 | 2015-01-13 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Method for producing olmesartan medoxomil |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990721 |