JP2955174B2 - 光磁気記録媒体用カートリッジ - Google Patents

光磁気記録媒体用カートリッジ

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    • G11B23/02—Containers; Storing means both adapted to cooperate with the recording or reproducing means
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    • G11B23/032—Containers for flat record carriers for rigid discs
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    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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    • G—PHYSICS
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    • G11B23/03—Containers for flat record carriers

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報の記録、再
生、消去の少なくとも一つを行う光磁気記録媒体用のカ
ートリッジに関し、特に、薄型のカートリッジに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録方式とは、基板上に磁性体か
らなる垂直磁化膜を形成させたものを記録媒体とし、以
下の方法で記録、再生するものである。記録する際に
は、記録媒体をまず、強力な外部磁場等によって初期化
し、磁化の方向を１方向（上向き、または下向き）に揃
えておく。その後、記録したいエリアにレーザビームを
照射して、媒体部分の温度をキュリー点近傍以上、もし
くは補償点近傍以上に加熱し、その部分の保磁力
（Ｈc）をゼロ、又はほとんどゼロとした上で、初期化
の磁化の方向と逆向きの外部磁場（バイアス磁場）を印
加して磁化の向きを反転させる。レーザビームの照射を
止めると、記録媒体は常温に戻るので反転した磁化は固
定される。つまり、熱磁気的に情報が記録される。
【０００３】再生の際には、直線偏光したレーザビーム
を記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面の回
転が磁化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、
磁気ファラデー効果）を利用して光学的に情報の読み出
しを行う。
【０００４】光磁気記録方式は、書き換え可能な大容量
記憶素子として注目されているが、その記録媒体を再使
用（書き換え）をするためには、次のいずれかの方法を
採る必要がある。 （ａ）何らかの方法で初期化する。 （ｂ）外部磁場発生装置を工夫してオーバーライト（消
去が不要な書き換え）を可能にする。 （ｃ）記録媒体を工夫してオーバーライトを可能にす
る。
【０００５】しかし（ａ）の方法では、初期化装置、あ
るいは、ヘッドが２個必要になるので、コスト高を招
く。また、１個のヘッドで書き換えを行おうとすると、
消去してから記録するので時間がかかる。このため、
（ｃ）の方法が最も有力である。例えば、Ｊａｐ．Ｊｏ
ｕｒ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．２８（１９８
９）Ｓｕｐｐｌ．２８−３，ｐｐ．３６７−３７０に
は、記録層を交換結合２層膜にすれば、オーバーライト
可能な記録媒体を実現できると記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】交換結合２層膜あるい
は交換結合３層膜を用いた光変調オーバーライトの場
合、垂直方向の初期化磁界が必要であり、従来の光磁気
記録装置で記録、消去を行うためには、カートリッジ内
に初期化磁界を発生する磁石を備える必要があった。
【０００７】カートリッジ内に備える磁石は薄くする必
要があるが、垂直方向に磁化された磁石は、（垂直方向
に）薄くすると発生磁界が小さくなるため、特開平５−
１２０７４６号に開示されているように、２個の磁石を
媒体を挟んで対峙させ、カートリッジ全体あるいはカー
トリッジの一部を磁性体にしてヨークとして利用するこ
とにより、垂直方向の大きな初期化磁界を得ていた。こ
のため、光磁気記録媒体用カートリッジを薄くすること
が不可能であった。
【０００８】さらに、初期化磁界の方向が一方向である
ため、両面ディスクには使えないという問題点があっ
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の光磁気記録媒
体用カートリッジは、初期化磁界と記録磁界とが印加さ
れることで情報が光変調オーバライト記録される光磁気
記録媒体を、搭載する光磁気記録媒体用カートリッジに
おいて、前記光磁気記録媒体に磁界を印加する、磁化の
方向が前記光磁気記録媒体と略平行な磁石を備えてお
り、該磁石は、前記光磁気記録媒体に集光されるレーザ
ービームスポット位置から離れて設置され、前記磁石の
真上において前記初期化磁界を、前記レーザビームスポ
ット位置において前記記録磁界を印加することを特徴と
する。
【００１０】請求項２の光磁気記録媒体用カートリッジ
は、初期化磁界と記録磁界とが印加されることで情報が
光変調オーバライト記録される光磁気記録媒体を、搭載
する光磁気記録媒体用カートリッジにおいて、前記光磁
気記録媒体を挟んで対向する位置に設けられた前記光磁
気記録媒体に磁界を印加する２個の磁石を備えており、
該２個の磁石は、磁化の方向が両方とも前記光磁気記録
媒体と略平行で、且つ、互いに反対を向いており、さら
に、該２個の磁石は、前記光磁気記録媒体に集光される
レーザービームスポット位置から離れて設置され、前記
磁石の真上において前記初期化磁界を、前記レーザビー
ムスポット位置において前記記録磁界を印加することを
特徴とする。
【００１１】請求項３の光磁気記録媒体用カートリッジ
は、光磁気記録媒体を搭載する光磁気記録媒体用カート
リッジにおいて、 前記光磁気記録媒体に磁界を印加す
る、磁化の方向が前記光磁気記録媒体と略平行な磁石
と、前記光磁気記録媒体を挟んで前記磁石と対向する位
置に設けられたヨークと、を備えたことを特徴とする
【００１２】請求項４の光磁気記録媒体用カートリッジ
は、初期化磁界と記録磁界とが印加されることで情報が
光変調オーバライト記録される光磁気記録媒体を、搭載
する光磁気記録媒体用カートリッジにおいて、前記光磁
気記録媒体に対して同一側の位置に第１の方向に並んで
配置された、前記光磁気記録媒体に磁界を印加する２個
の磁石を備えており、該２個の磁石は、磁化の方向が両
方とも前記光磁気記録媒体と略平行で、且つ、第１の方
向に垂直な方向から見て互いに反対を向いており、さら
に、該２個の磁石は、前記光磁気記録媒体に集光される
レーザービームスポット位置から離れて設置され、前記
磁石の真上において前記初期化磁界を、前記レーザビー
ムスポット位置において前記記録磁界を印加することを
特徴とする。
【００１３】
【作用】請求項１の構成によれば、磁石を薄くしても発
生磁界は小さくならず、光磁気記録媒体用カートリッジ
を薄くすることが可能となる。また、磁石の位置を工夫
することにより、光磁気記録装置に記録磁界発生装置が
不要になる。
【００１４】請求項２の構成によれば、磁石をさらに薄
くしても発生磁界は小さくならない上に、光磁気記録媒
体用カートリッジからの漏れ磁界を小さくすることが可
能となる。また、磁石の位置を工夫することにより、光
磁気記録装置に記録磁界発生装置が不要になる。さら
に、両面タイプの光磁気記録媒体に対しても有用であ
る。
【００１５】請求項３の構成によれば、垂直磁界が得ら
れ易い上に、光磁気記録媒体用カートリッジからの漏れ
磁界を小さくすることができる。
【００１６】請求項４の構成によれば、磁石をさらに薄
くしても発生磁界は小さくならず、光磁気記録媒体用カ
ートリッジをさらに薄くすることが可能となる。
【００１７】
【実施例】まず、本発明の前提となる参考例１（第１実
施例）について図１〜図９に基づいて説明すれば、以下
のとおりである。本実施例に用いられる光磁気記録媒体
８は、図１に示すように、透光性基板１上に、透光性を
有する誘電体層２と、磁性層３（第１磁性層）と、磁性
層４（第２磁性層）と、保護層５と、オーバーコート層
６とを順次形成した構成になっている。上記磁性層３、
４は、希土類−遷移金属合金からなっている。
【００１８】上記磁性層３は、図２に示すように、上記
磁性層４と比較して、低いキュリー点（Ｔc1）と、室温
で高い保磁力（Ｈc1）を有しており、室温からＴc1まで
垂直磁気異方性が優位となる特性を示す。上記磁性層４
は、磁性層３のＴc1よりも高いキュリー点（Ｔc2）と、
室温で磁性層３のＨc1よりも低い保磁力（Ｈc2）を有し
ており、室温からＴcまで垂直磁気異方性が優位となる
特性を示し、補償点（Ｔcomp2）を有する。
【００１９】上記の構成において、記録を行う場合、ま
ず、初期化が行われる。すなわち、図３に示すように、
上向きの初期化磁界（Ｈinit）を印加することにより、
磁性層４の磁化だけを一方向に揃える。なお、図３で
は、希土類金属の副格子磁化が遷移金属の副格子磁化よ
りも大きい、いわゆる希土類金属リッチの磁性層４にお
ける、遷移金属の副格子磁化が矢印で示されている。上
記初期化は常時、あるいは、記録時にのみに行われる。
磁性層３のＨc1はＨinitより大きいため、磁性層３の磁
化の反転は生じない。
【００２０】記録は、Ｈinitよりかなり小さくＨinitと
同一方向の記録磁界（Ｈw）を印加しながら、図４に示
すような高レベルIと低レベルIIに強度変調されたレー
ザ光を照射することにより行う。高レベルIのレーザ光
が照射されると、磁性層３・４がともにＴc2付近または
それ以上となる温度（ＴH）まで昇温し、低レベルIIの
レーザ光が照射されると、Ｔc1付近またはそれ以上とな
る温度（ＴL）まで昇温するように、高レベルIと低レベ
ルIIとが設定されている。
【００２１】従って、高レベルIのレーザ光が照射され
ると、磁性層４の磁化は、Ｈwにより上向きに反転し、
冷却の過程では、界面に作用する交換力により磁性層４
の向きが磁性層３に転写されることにより、磁性層３の
磁化の向きと磁性層４の向きが一致する。従って、磁性
層３の向きは上向きになる。一方、低レベルIのレーザ
光が照射されると、磁性層４の磁化は、Ｈw により反転
することはない。冷却の過程では、上記と同様に、界面
に作用する交換力により磁性層４の磁化の向きが、磁性
層３に転写されることにより、磁性層３の磁化の向きと
磁性層４の向きが一致する。従って、磁性層３の磁化の
向きは下向きになる。
【００２２】つまり、高レベルIと低レベルIIのレーザ
光でオーバーライトが可能になる。情報を再生する場
合、記録時よりもかなり低いレベルIIIのレーザ光を照
射し、その反射光における偏光面の回転を検出してい
る。
【００２３】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。サンプル＃１では、透光
性の基板１は、外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤状のガラスからなっている。基板１の片側
の表面には、光ビーム案内用の凹凸状のガイドトラック
が反応性イオンエッチング法により直接形成されてい
る。トラックピッチは、１．６μｍ、グルーブ（凹部）
の幅は０．８μｍ、ランド（凸部）の幅は０．８μｍで
あり、反応性イオンエッチング法により、ガラスに直接
形成された。
【００２４】＃１は、基板１のガイドトラック側の面上
に、反応性スパッタリングにより、膜厚７０ｎｍのＡｌ
Ｎからなる誘電体層２と、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲット
の同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＤｙＦｅＣ
ｏからなる磁性層３と、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲ
ットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧｄＤ
ｙＦｅＣｏからなる磁性層４と、膜厚７０ｎｍのＡｌＮ
からなる保護層５とを積層した。
【００２５】磁性層３、４の成膜時のスパッタリング条
件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであり、誘電体
層２及び保護層５の成膜時のスパッタリング条件は、到
達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ2ガス圧３．０×
１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。更に、保護層５
の上にアクリレート系紫外線硬化樹脂をコーティング
し、紫外線照射により硬化させてオーバーコート層６を
形成した。磁性層３は、Ｄｙ0.19（Ｆｅ0.86Ｃｏ0.14）
0.81、遷移金属リッチ、ＴC1＝１７０℃、室温でのＨC1
＝１２ｋＯｅ、磁性層４は、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.32
（Ｆｅ0.68Ｃｏ0.32）0.68、希土類金属リッチ、ＴC2＝
２５０℃、室温でのＨC2＝１．５ｋＯｅである。
【００２６】図９は、本発明の光磁気ディスク用カート
リッジの概要を説明するための図であるが、光磁気ディ
スク用カートリッジ９は、以上のような少なくとも２層
の磁性層から構成される光磁気ディスク８を収容する。
磁石１０は、光磁気ディスク用カートリッジに内蔵され
ている磁石であり、光磁気記録媒体に対して水平に磁化
されている。
【００２７】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
図９に示す光磁気ディスク用カートリッジを用いて、高
レベルIのレーザパワー（ＰH）＝１０ｍＷ、低レベルII
のレーザパワー（ＰL）＝２ｍＷ、レベルIIIの再生レー
ザパワー（ＰR）＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．６５μ
ｍ、記録磁界Ｈw＝４００Ｏｅにて記録、再生を行ったと
ころ、消し残りのない光変調オーバーライトができ、信
号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢが得られた。
【００２８】磁石１０は、１．２１Ｔ（テスラー）のＮ
ｄ系永久磁石であり、その大きさが、幅（光磁気記録媒
体の半径方向）２４ｍｍ×高さ２ｍｍ×長さ（光磁気記
録媒体の回転方向）１０ｍｍであり、光磁気記録媒体と
の実質距離（以下Ｇａｐ）は１ｍｍである。磁石１０直
上で初期化され、対物レンズにより集光されたレーザビ
ームスポット位置で記録される。磁石１０直上の発生磁
界は、Ｈinit＝２．５ｋＯｅ以上であった。
【００２９】１．２１Ｔの永久磁石を用いて、光磁気記
録媒体と光磁気ディスク用カートリッジの距離を１．８
ｍｍに固定し、［磁石１０の高さ］＝［１．８ｍｍ］−
［Ｇａｐ］にした場合の、発生磁界のＧａｐ依存性を図
８に示す。サンプル＃１の初期化磁界が、Ｈinit＝２．
５ｋＯｅ以上であるので、高さ１．３ｍｍ以上の時、消
し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音
比（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢが得られた。
【００３０】また、１．２１Ｔの永久磁石を用いた場
合、磁石１０が、表１に示すような大きさ（幅×高さ×
長さ）、Ｇａｐである場合、消し残りのない光変調オー
バーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢ
が得られた。
【００３１】
【表１】
【００３２】以下に他の光磁気ディスクのサンプルにつ
いて説明する。サンプル＃２〜＃５は、磁性層３を除い
て、サンプル＃１と同一である。サンプル＃２の磁性層
３は、Ｄｙ0.21（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.79、遷移金属リ
ッチ、ＴC1＝１７０℃、室温でのＨC1＝１５ｋＯｅであ
る。サンプル＃３の磁性層３は、Ｄｙ0.23（Ｆｅ0.84Ｃ
ｏ0.16）0.77、補償組成、ＴC1＝１５０℃、室温でのＨ
C1≧２０ｋＯｅである。サンプル＃４の磁性層３は、Ｄ
ｙ0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77、補償組成、ＴC1＝１
６５℃、室温でのＨC1≧２０ｋＯｅである。サンプル＃
５の磁性層３は、Ｄｙ0.19（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.81、
遷移金属リッチ、ＴC1＝２００℃、室温でのＨC1＝８ｋ
Ｏｅである。サンプル＃６〜＃９は、磁性層４を除い
て、サンプル＃１と同一である。
【００３３】サンプル＃６の磁性層４は、（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）0.33（Ｆｅ0.68Ｃｏ0.32）0.67、希土類金属リ
ッチ、ＴC2＝２４０℃、室温でのＨC2＝１．２ｋＯｅで
ある。サンプル＃７の磁性層４は、（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）0.34（Ｆｅ0.68Ｃｏ0.32）0.66、希土類金属リ
ッチ、ＴC2＝２２０℃、室温でのＨC2＝１．１ｋＯｅで
ある。サンプル＃８の磁性層４は、（Ｇｄ0.60Ｄ
ｙ0.40）0.32（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0. 68、希土類金属リ
ッチ、ＴC2＝２５０℃、室温でのＨC2＝１．４ｋＯｅで
ある。サンプル＃９の磁性層４は、（Ｇｄ0.70Ｄ
ｙ0.30）0.32（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.68、希土類金属リ
ッチ、ＴC2＝２５０℃、室温でのＨC2＝１．２ｋＯｅで
ある。
【００３４】また、本実施例に用いられる光磁気記録媒
体８は、図５に示すように、透光性基板１上に、透光性
を有する誘電体層２と、磁性層３（第１磁性層）と、磁
性層７（第３磁性層）と、磁性層４（第２磁性層）と、
保護層５と、オーバーコート層６とを順次形成した構成
になっている。磁性層３、７、４は、希土類金属−遷移
金属合金からなっている。
【００３５】磁性層７は、図６に示すように、磁性層３
のＴc1よりも高いキュリー点（Ｔc3）と、室温で面内磁
気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等しい特性を示し、ほ
ぼゼロの保磁力（Ｈc3 )を有しており、所定温度以上で
垂直磁気異方性が優位となる特性を示す。上記の構成に
おいて、記録を行う場合、まず、初期化が行われる。す
なわち、図７に示すように、上向きの初期化磁界（Ｈ
init）を印加することにより、磁性層４の磁化だけを一
方向に揃える。
【００３６】上記初期化は常時、あるいは、記録時にの
みに行われる。磁性層３のＨc1はＨinitより大きく、磁
性層７は面内磁気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等しい
特性を示すため、磁性層４の磁化の向きが磁性層７を通
して磁性層３に転写されることはなく、磁性層３の磁化
の反転は生じない。記録は、Ｈinitよりかなり小さくＨ
initと同一方向の記録磁界（Ｈw）を印加しながら、図
４に示すような高レベルIと低レベルIIに強度変調され
たレーザ光を照射することにより行う。
【００３７】高レベルIのレーザ光が照射されると、磁
性層３、７、４がともにＴc2付近またはそれ以上となる
温度（ＴH）まで昇温し、低レベルIIのレーザ光が照射
されると、Ｔc1付近またはそれ以上となる温度（ＴL）
まで昇温するように、高レベルIと低レベルIIとが設定
されている。従って、図７に示すように、高レベルIの
レーザ光が照射されると、磁性層４の磁化は、Ｈwによ
り上向きに反転し、冷却の過程では、磁性層７も垂直磁
気異方性を示すので、界面に作用する交換力により磁性
層４の向きが磁性層７に転写され、さらに磁性層７の磁
化の向きが、磁性層３に転写されることにより、磁性層
３の磁化の向きと磁性層４の向きが一致する。従って、
磁性層３の向きは上向きになる。
【００３８】一方、低レベルIIのレーザ光が照射される
と、磁性層４の磁化は、Ｈw により反転することはな
い。冷却の過程では、磁性層７は垂直磁気異方性を示す
ので、上記と同様に、界面に作用する交換力により磁性
層４の向きが磁性層７に転写され、さらに磁性層７の磁
化の向きが、磁性層３に転写されることにより、磁性層
３の磁化の向きと磁性層４の向きが一致する。従って、
磁性層３の磁化の向きは下向きになる。つまり、高レベ
ルIと低レベルIIのレーザ光でオーバーライトが可能に
なる。情報を再生する場合、記録時よりもかなり低いレ
ベルIIIのレーザ光を照射し、その反射光における偏光
面の回転を検出している。
【００３９】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。サンプル＃１０は、その
作成方法はサンプル＃１と同じであり、磁性層３は、Ｄ
ｙ0.19（Ｆｅ0.86Ｃｏ0.14）0.81、遷移金属リッチ、Ｔ
C1＝１７０℃、室温でのＨC1＝１２ｋＯｅ、磁性層７
は、Ｇｄ0.28（Ｆｅ0.61Ｃｏ0.39）0.72、希土類金属リ
ッチ、ＴC3≧３００℃、ＴCOMP3＝１５０℃、室温での
ＨC3〜０ｋＯｅ、約８０℃で垂直磁気異方性が優位とな
る特性を示し、磁性層４は、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.32
（Ｆｅ0.68Ｃｏ0.32）0.68、希土類金属リッチ、ＴC2＝
２５０℃、室温でのＨC2＝１．５ｋＯｅである。
【００４０】サンプル＃１１〜＃１７は、磁性層７を除
いて、サンプル＃１０と同一である。サンプル＃１１の
磁性層７は、Ｇｄ0.26（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.74、希土
類金属リッチ、ＴC3≧３００℃、ＴCOMP3＝１３０℃、
室温でのＨC3〜０ｋＯｅ、約６０℃で垂直磁気異方性を
示す。サンプル＃１２の磁性層７は、Ｇｄ0.27（Ｆｅ
0.80Ｃｏ0.20）0.73、希土類金属リッチ、ＴC3＝２９０
℃、ＴCOMP3＝１４０℃、室温でのＨC3〜０ｋＯｅ、約
７５℃で垂直磁気異方性を示す。
【００４１】サンプル＃１３の磁性層７は、Ｇｄ
0.27（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）0.73、希土類金属リッチ、Ｔ
C3≧３００℃、ＴCOMP3＝１４０℃、室温でのＨC3〜０
ｋＯｅ、約８０℃で垂直磁気異方性を示す。サンプル＃
１４の磁性層７は、Ｇｄ0.28（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.72、希土類金属リッチ、ＴC3＝２８０℃、Ｔ
COMP3＝１５０℃、室温でのＨC3〜０ｋＯｅ、約８０℃
で垂直磁気異方性を示す。サンプル＃１５の磁性層７
は、Ｇｄ0.28（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10）0.72、希土類金属リ
ッチ、ＴC3＝２６０℃、ＴCOMP3＝１５０℃、室温での
ＨC3〜０ｋＯｅ、約８０℃で垂直磁気異方性を示す。
【００４２】サンプル＃１６の磁性層７は、Ｇｄ
0.28（Ｆｅ0.65Ｃｏ0.35）0.72、希土類金属リッチ、Ｔ
C3≧３００℃、ＴCOMP3＝１５０℃、室温でのＨC3〜０
ｋＯｅ、約８０℃で垂直磁気異方性を示す。サンプル＃
１７の磁性層７は、Ｇｄ0.29（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.71、希土類金属リッチ、ＴC3＝２８０℃、Ｔ
COMP3＝１７０℃、室温でのＨC3〜０ｋＯｅ、約１２０
℃で垂直磁気異方性を示す。サンプル＃１８は、磁性層
７の膜厚が３０ｎｍである点を除いて、サンプル＃１１
と同一である。
【００４３】上記サンプル＃１８に対しても、消し残り
のない光変調オーバーライトができた。また、磁性層７
の膜厚をサンプル＃１１の磁性層７の膜厚５０ｎｍより
薄くしたので、記録パルスのデューティーを４０％にし
ても充分記録できた。サンプル＃１１の記録パルスのデ
ューティーが６０％であったことを考慮すると、サンプ
ル＃１１よりも記録感度が向上した。さらに本実施例に
用いられる光磁気記録媒体８は、誘電体層２と磁性層３
との間に磁性層（第０磁性層）を設けた構造になってい
る。第０磁性層は、磁性層３よりも高いキュリー点（Ｔ
C0）を有し、室温での保磁力（ＨC0）がほぼゼロであ
り、室温で面内磁気異方性を示し、所定温度以上で垂直
磁気異方性を示す。
【００４４】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。光磁気ディスクのサンプ
ル＃１９は、前記サンプル＃１１の誘電体層２と磁性層
３との間に第０磁性層を５０ｎｍ有しており、前記実施
例のサンプル＃１１の製法と同じ製法で作製された。
【００４５】サンプル＃１９の第０磁性層は、Ｇｄ0.25
（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.75、希土類金属リッチ、ＴC0＝
３００℃、補償点無し、室温でのＨC0〜０ｋＯｅ、約１
００℃で垂直磁気異方性を示す。上記サンプル＃１９の
光磁気ディスクに対しても、記録ビット長＝０．６５μ
ｍにて記録、再生を行ったところ、消し残りのない光変
調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４
８ｄＢが得られた。
【００４６】サンプル＃１１の信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）
＝４６ｄＢであったことを考慮すると、サンプル＃１１
よりも信号品質が向上した。これは、ＴC0＞ＴC1に設定
したので、カー回転角が大きくなったためと考えられ
る。また、記録ビット長が短くなると、サンプル＃１１
ではＣ／Ｎが急激に低下したが、サンプル＃１９ではＣ
／Ｎがあまり低下しなかった。これは、第０磁性層が室
温で面内磁気異方性を示し、レベルIIIの再生レーザパ
ワーのレーザ光を照射すると垂直磁気異方性を示すよう
になるので、短い記録ビットであっても、隣接記録ビッ
トからの影響を受けずに再生できるためと考えられる。
【００４７】以上のサンプル＃１〜＃１９の基板１とし
て、ガラスを用いたが、これ以外にも、化学強化された
ガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を
形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラス基板、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリス
チレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール（ＰＶＣ）、エ
ポキシ等の基板１を使用することが可能である。上記透
明誘電体層２のＡｌＮの膜厚は、８０ｎｍに限定される
ものではない。
【００４８】透明誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスク
を再生する際、磁性層３あるいは第０磁性層からの極カ
ー回転角を光の干渉効果を利用して増大させる、いわゆ
るカー効果エンハンスメントを考慮して決定される。再
生時のＣ／Ｎをできるだけ大きくさせるには、極カー回
転角を大きくさせることが必要であり、このため透明誘
電体層２の膜厚は、極カー回転角が最も大きくなるよう
に設定される。
【００４９】この膜厚は、再生光の波長、透明誘電体層
２の屈折率により変化する。 本実施例の場合は、ＡｌＮ
の屈折率は２．０であるので、再生光の波長が６８０ｎ
ｍの場合、透明誘電体層２のＡｌＮの膜厚を３０〜１２
０ｎｍ程度にすると、カー効果エンハンスメントの効果
が大きくなる。尚、好ましくは透明誘電体層２のＡｌＮ
の膜厚は、７０〜１００ｎｍであり、この範囲であれば
極カー回転角がほぼ最大になる。
【００５０】また、再生光の波長が４００ｎｍの場合、
上記透明誘電体層２の膜厚を半分（＝４００／７８０）
にすれば良い。更に、材料の違い、あるいは、製法によ
り透明誘電体層２の屈折率が上記とは異なる場合、屈折
率と膜厚を乗じた値(光路長)が同じになるように、透明
誘電体層２の膜厚を設定すれば良い。上記の説明からわ
かるように、透明誘電体層２の屈折率は大きいほど、そ
の膜厚は少なくて済む。また屈折率が大きいほど、極カ
ー回転角のエンハンス効果も大きくなる。
【００５１】ＡｌＮは、スパッタ時のスパッタガスであ
るＡｒとＮ2の比率、ガス圧力等を変えることにより、
その屈折率が変わるが、おおむね１．８〜２．１程度と
屈折率が比較的大きな材料であり、透明誘電体層２の材
料として好適である。また、透明誘電体層２は上記のカ
ー効果エンハンスメントだけでなく、保護層６ととも
に、希土類金属−遷移金属合金磁性層３、４、７、８の
酸化を防止する役割がある。
【００５２】希土類金属−遷移金属合金からなる磁性膜
は、非常に酸化されやすく、特に希土類金属が酸化され
やすい。このため外部からの酸素、水分侵入を極力防止
しなければ、酸化によりその特性が著しく劣化してしま
う。そのため、サンプル＃１〜＃１９においては、磁性
層の両側をＡｌＮで挟み込む形の構成を取っている。
ＡｌＮは、その成分に酸素を含まない窒化膜であり、非
常に耐湿性に優れた材料である。
【００５３】更に、ＡｌＮは、Ａｌターゲットを用い
て、Ｎ2ガスもしくはＡｒとＮ2の混合ガスを導入して反
応性ＤＣ（直流電源）スパッタリングを行うことが可能
であり、ＲＦ(高周波)スパッタに比べて成膜速度が大き
い点でも有利である。磁性層のＤｙＦｅＣｏの組成、Ｇ
ｄＦｅＣｏの組成、ＧｄＤｙＦｅＣｏの組成は、上記の
組成に限定されるものではない。磁性層の材料として、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄから選ばれた少なくとも
１種の希土類金属とＦｅ、Ｃｏから選ばれた少なくとも
１種の遷移金属からなる合金を使用しても、同様の効果
が得られる。
【００５４】上記材料に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂ
ｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｕのうち少なくとも１
種類の元素を添加すると、磁性層自体の耐環境性が向上
する。すなわち、水分、酸素侵入による磁性層の酸化に
よる特性の劣化を少なくし、長期信頼性に優れた光磁気
ディスクを提供することができる。磁性層の膜厚は、磁
性層の材料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるものであ
る。磁性層３の膜厚は、２０ｎｍ以上、より好ましくは
３０ｎｍ以上であり、あまり厚すぎると磁性層４の情報
が転写されなくなるので、１００ｎｍ以下が好適であ
る。磁性層７の膜厚は、５ｎｍ以上、より好ましくは１
０〜５０ｎｍであり、あまり厚すぎると磁性層４の情報
が転写されなくなるので、１００ｎｍ以下が好適であ
る。磁性層の膜厚は、２０ｎｍ以上、より好ましくは３
０〜１００ｎｍであり、２００ｎｍ以下が好適である。
【００５５】なお、磁性層３のＴC1が１００℃未満の場
合、Ｃ／Ｎがデジタル記録再生で最低限必要とされてい
る４５ｄＢを下まわる。また、ＴC1が２５０℃を越える
場合、記録感度が悪くなる。このため、磁性層３のＴC1
は１００℃〜２５０℃が適当である。さらに、磁性層３
の室温でのＨC1が５ｋＯｅ未満の場合、Ｈinitにより一
部が初期化される恐れがある。このため、磁性層３の室
温でのＨC1は５ｋＯｅ以上が適当である。
【００５６】さらに、磁性層７のＴC3が磁性層３のＴC1
未満の場合、光変調オーバーライト時に磁化の転写がう
まく行われない。このため、磁性層７のＴC3はＴC1以上
が適当である。磁性層４のＴC2が１５０℃未満の場合、
ＰLとＰRとの差が小さくなるので、うまく光変調オーバ
ーライトが行われない。また、ＴC2が４００℃を越える
場合、記録感度が悪くなる。このため、磁性層４のＴC2
は１５０℃〜４００℃が適当である。さらに、磁性層５
の室温でのＨC2が３ｋＯｅを越える場合、Ｈinitの発生
装置が大型になり、好ましくない。このため、磁性層４
の室温でのＨC2は３ｋＯｅ以下が適当である。
【００５７】保護層６のＡｌＮの膜厚は、本実施例では
８０ｎｍとしたが、これに限定するものではない。保護
層６の膜厚の範囲としては、１〜２００ｎｍが好適であ
る。
【００５８】本実施例においては、磁性層の総膜厚は１
００ｎｍ以上であり、この膜厚になると光ピックアップ
から入射した光はほとんど磁性層を透過しない。したが
って、保護層６の膜厚に特に制限はなく、磁性層の酸化
を長期に渡って防止するに必要な膜厚であれば良い。酸
化防止能力が低い材料であれば膜厚を厚く、高ければ薄
くすれば良い。
【００５９】保護層６は、透明誘電体層２とともにその
熱伝導率が、光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光はそのほとんどが、透明誘電体層２
を通過し、吸収膜である磁性層に吸収されて、熱に変わ
る。このとき、磁性層の熱が透明誘電体層２、保護層６
に熱伝導により移動する。従って、透明誘電体層２、保
護層６の熱伝導率および熱容量（比熱）が記録感度に影
響を及ぼす。
【００６０】このことは、光磁気ディスクの記録感度を
保護層６の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる（低いレーザパワーで記
録消去が行える）目的であれば保護層６の膜厚を薄くす
れば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため、記録感度
はある程度高い方が有利であり、保護層６の膜厚は薄い
方が良い。ＡｌＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優れ
るので、保護層６として用いた場合、膜厚を薄くするこ
とができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供するこ
とができる。
【００６１】本実施例では、保護層６を透明誘電体層２
と同じＡｌＮとすることで、耐湿性に優れた光磁気ディ
スクを提供でき、かつ保護層６と透明誘電体層２を同じ
材料で形成することで、生産性も向上させることができ
る。
【００６２】また透明誘電体層２、保護層６の材料とし
ては、ＡｌＮ以外に、前述の目的、効果を考慮すれば、
ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、
ＳｒＴｉＯ3が好適である。このうち特にＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成
分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提
供することができる。またカートリッジ９の材料として
は、ポリカーボネイト樹脂、ＡＢＳ樹脂等のプラスチッ
ク樹脂が使われるが、本発明の光磁気記録媒体用カート
リッジには、その内部に磁石が設置されているため、外
部に対して磁界が漏れないように、磁気シールドとなる
ような材料が添加されたり、磁気シールドとなるような
構造である方がより好ましい。
【００６３】本発明の第２実施例について図１０に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。本実施例に用いられる光磁気記録媒体８は、前記実
施例のサンプル＃１〜＃１９に示すような少なくとも２
層の磁性層から構成されている。
【００６４】図１０は、本発明の光磁気ディスク用カー
トリッジの概要を説明するための図であるが、光磁気デ
ィスク用カートリッジ９は、以上のような光磁気ディス
ク８を収容し、磁石１０は、光磁気ディスク用カートリ
ッジに内蔵されている磁石であり、光磁気記録媒体に対
して水平に磁化されており、磁石１０が、レーザビーム
スポットからある距離（以下Ｄｉｓｔａｎｃｅ）離れて
設置されている。
【００６５】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
図１０に示す光磁気ディスク用カートリッジを用いて、
高レベルIのレーザパワー（ＰH）＝１０ｍＷ、低レベル
IIのレーザパワー（ＰL）＝２ｍＷ、レベルIIIの再生レ
ーザパワー（ＰR）＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．６５
μｍにて記録、再生を行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝
４６ｄＢが得られた。磁石１０は、１．２１Ｔ（テスラ
ー）のＮｄ系永久磁石であり、その大きさが、幅（光磁
気記録媒体の半径方向）２４ｍｍ×高さ２ｍｍ×長さ
（光磁気記録媒体の回転方向）１０ｍｍであり、光磁気
記録媒体との実質距離（以下Ｇａｐ）は１ｍｍである。
磁石１０直上で磁石１０の磁界により初期化され、対物
レンズにより集光されたレーザビームスポット位置で磁
石１０の磁界により記録される。磁石１０直上の発生磁
界は、Ｈinit＝２．５ｋＯｅ以上であり、レーザビーム
スポット位置の発生磁界は、Ｈw＝４００Ｏｅであっ
た。
【００６６】なお、図１０は、磁性層３が室温からキュ
リー点まで遷移金属リッチとなる特性を示し、磁性層４
が補償点をもち、室温から補償点まで希土類金属リッ
チ、補償点からキュリー点まで遷移金属リッチとなる特
性を示す場合を示しており、初期化磁界と記録磁界の方
向が同一であるため、光磁気ディスクの磁石１０通過直
後（Ｄｉｓｔａｎｃｅ離れた位置）で記録することで光
変調オーバーライトができる。
【００６７】磁性層３が室温からキュリー点まで遷移金
属リッチとなる特性を示し、磁性層４が補償点をもた
ず、室温からキュリー点まで希土類金属リッチとなる特
性を示す場合には、初期化磁界と記録磁界の方向が異な
るため、光磁気ディスクの磁石１０通過直前（Ｄｉｓｔ
ａｎｃｅ離れた位置）記録することで光変調オーバーラ
イトができる。また、１．２１Ｔの永久磁石を用いた場
合、磁石１０が、表２に示すような大きさ（幅×高さ×
長さ）、Ｇａｐ、Ｄｉｓｔａｎｃｅである場合、消し残
りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢが得られた。
【００６８】さらに、第２実施例の場合、光磁気記録装
置に記録磁界発生装置が不要になるというメリットが生
じる。
【００６９】
【表２】
【００７０】本発明の前提となる参考例２（第３実施
例）について図１１に基づいて説明すれば、以下の通り
である。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示
した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を
付記し、その説明を省略する。本実施例に用いられる光
磁気記録媒体８は、前記実施例のサンプル＃１〜＃１９
に示すような少なくとも２層の磁性層から構成されてい
る。
【００７１】図１１は、本発明の光磁気ディスク用カー
トリッジの概要を説明するための図であるが、光磁気デ
ィスク用カートリッジ９は、以上のような光磁気ディス
ク８を収容し、磁石１０、１１は、光磁気ディスク用カ
ートリッジに内蔵されている磁石であり、光磁気記録媒
体に対して水平に磁化され、対抗した位置に設置され
る。さらに磁石１０と磁石１１の磁化の向きは断面方向
から見ると逆方向になっている。
【００７２】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
図１１に示す光磁気ディスク用カートリッジを用いて、
高レベルIのレーザパワー（ＰH）＝１０ｍＷ、低レベル
IIのレーザパワー（ＰL）＝２ｍＷ、レベルIIIの再生レ
ーザパワー（ＰR）＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．６５
μｍ、記録磁界Ｈw＝４００Ｏｅにて記録、再生を行っ
たところ、消し残りのない光変調オーバーライトがで
き、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢが得られた。ま
た、サンプル＃１〜＃１９の光磁気ディスクは、一般に
片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層、磁性層、保護層
の薄膜部分を総じて記録媒体層と称することにすると、
片面タイプの光磁気ディスクは、基板１、記録媒体層、
オーバーコート層６の構造となる。
【００７３】これに対して、基板１の上に記録媒体層を
形成したものを２枚、記録媒体層が対向するように接着
層で接着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれて
いる。接着層の材料はポリウレタンアクリレート系接着
剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱及び嫌気性の３
タイプの硬化機能が組み合わされたものであり、紫外線
が透過しない記録媒体の影になる部分の硬化が、熱及び
嫌気性硬化機能により硬化されるという利点を持ってお
り、極めて高い耐湿性を有し長期安定性に極めて優れた
光磁気ディスクを提供することができる。片面タイプ
は、両面タイプと比べて素子の厚みが半分で済むため、
例えば小型化が要求される記録再生装置に有利である。
両面タイプは、両面再生が可能なため、例えば大容量を
要求される記録再生装置に有利である。第３実施例はこ
のような両面タイプの光磁気ディスクに対しても有用で
ある。
【００７４】磁石１０、１１は、１．２１Ｔ（テスラ
ー）のＮｄ系永久磁石であり、その大きさが、幅（光磁
気記録媒体の半径方向）２４ｍｍ×高さ１ｍｍ×長さ
（光磁気記録媒体の回転方向）１０ｍｍであり、光磁気
記録媒体との実質距離（以下Ｇａｐ）は１ｍｍである。
磁石１０、１１直上で磁石１０、１１の磁界により初期
化される。磁石１０、１１直上の発生磁界は、Ｈinit＝
２．５ｋＯｅ以上であった。第１実施例、第２実施例に
比べ、各磁石が薄くなっているのは、２個の磁石を備
え、それらの磁化の向きが断面方向から見ると逆方向で
あるために、図１１に示すように磁力線がループ１２を
描き、発生磁界が大きくなるためである。また、１．２
１Ｔの永久磁石を用いた場合、磁石１０が、表３に示す
ような大きさ（幅×高さ×長さ）、Ｇａｐである場合、
消し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑
音比（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢが得られた。
【００７５】
【表３】
【００７６】本発明の第４実施例について図１２に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。本実施例に用いられる光磁気記録媒体８は、前記実
施例のサンプル＃１〜＃１９に示すような少なくとも２
層の磁性層から構成されている。
【００７７】図１２は、本発明の光磁気ディスク用カー
トリッジの概要を説明するための図であるが、光磁気デ
ィスク用カートリッジ９は、以上のような光磁気ディス
ク８を収容し、磁石１０、１１は、光磁気ディスク用カ
ートリッジに内蔵されている磁石であり、光磁気記録媒
体に対して水平に磁化され、対抗した位置に設置され
る。さらに磁石１０と磁石１１の磁化の向きは断面方向
から見ると逆方向になっており、レーザビームスポット
からある距離（以下Ｄｉｓｔａｎｃｅ）離れて設置され
ている。
【００７８】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
図１２に示す光磁気ディスク用カートリッジを用いて、
高レベルIのレーザパワー（ＰH）＝１０ｍＷ、低レベル
IIのレーザパワー（ＰL）＝２ｍＷ、レベルIIIの再生レ
ーザパワー（ＰR）＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．６５
μｍにて記録、再生を行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝
４６ｄＢが得られた。磁石１０、１１は、１．２１Ｔ
（テスラー）のＮｄ系永久磁石であり、その大きさが、
幅（光磁気記録媒体の半径方向）２４ｍｍ×高さ１ｍｍ
×長さ（光磁気記録媒体の回転方向）１０ｍｍであり、
光磁気記録媒体との実質距離（以下Ｇａｐ）は１ｍｍで
ある。磁石１０直上で磁石１０の磁界により初期化さ
れ、対物レンズにより集光されたレーザビームスポット
位置で磁石１０の磁界により記録される。磁石１０直上
の発生磁界は、Ｈinit＝２．５ｋＯｅ以上であり、レー
ザビームスポット位置の発生磁界は、Ｈw＝４００Ｏｅ
であった。第１実施例、第２実施例に比べ、各磁石が薄
くなっているのは、２個の磁石を備え、それらの磁化の
向きが断面方向から見ると逆方向であるために、図１２
に示すように磁力線がループ１２を描き、発生磁界が大
きくなるためである。
【００７９】なお、図１２は、磁性層３が室温からキュ
リー点まで遷移金属リッチとなる特性を示し、磁性層４
が補償点をもち、室温から補償点まで希土類金属リッ
チ、補償点からキュリー点まで遷移金属リッチとなる特
性を示す場合を示しており、初期化磁界と記録磁界の方
向が同一であるため、光磁気ディスクの磁石１０通過直
後（Ｄｉｓｔａｎｃｅ離れた位置）で記録することで光
変調オーバーライトができる。
【００８０】磁性層３が室温からキュリー点まで遷移金
属リッチとなる特性を示し、磁性層４が補償点をもた
ず、室温からキュリー点まで希土類金属リッチとなる特
性を示す場合には、初期化磁界と記録磁界の方向が異な
るため、光磁気ディスクの磁石１０通過直前（Ｄｉｓｔ
ａｎｃｅ離れた位置）記録することで光変調オーバーラ
イトができる。また、１．２１Ｔの永久磁石を用いた場
合、磁石１０が、表４に示すような大きさ（幅×高さ×
長さ）、Ｇａｐ、Ｄｉｓｔａｎｃｅである場合、消し残
りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢが得られた。さらに、第４実施例
の場合、光磁気記録装置に記録磁界発生装置が不要にな
るというメリットが生じる。
【００８１】
【表４】
【００８２】本発明の第５実施例について図１３に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。本実施例に用いられる光磁気記録媒体８は、前記実
施例のサンプル＃１〜＃１９に示すような少なくとも２
層の磁性層から構成されている。
【００８３】図１３は、本発明の光磁気ディスク用カー
トリッジの概要を説明するための図であるが、光磁気デ
ィスク用カートリッジ９は、以上のような光磁気ディス
ク８を収容し、磁石１０は、光磁気ディスク用カートリ
ッジに内蔵されている磁石であり、光磁気記録媒体に対
して水平に磁化されている。１３は軟磁性材料からなる
ヨークであり、磁石１０と対抗した位置に設置される。
【００８４】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
図１３に示す光磁気ディスク用カートリッジを用いて、
高レベルIのレーザパワー（ＰH）＝１０ｍＷ、低レベル
IIのレーザパワー（ＰL）＝２ｍＷ、レベルIIIの再生レ
ーザパワー（ＰR）＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．６５
μｍ、記録磁界Ｈw＝４００Ｏｅにて記録、再生を行っ
たところ、消し残りのない光変調オーバーライトがで
き、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢが得られた。
【００８５】磁石１０は、１．２１Ｔ（テスラー）のＮ
ｄ系永久磁石であり、その大きさが、幅（光磁気記録媒
体の半径方向）２４ｍｍ×高さ１．６ｍｍ×長さ（光磁
気記録媒体の回転方向）１０ｍｍであり、光磁気記録媒
体との実質距離（以下Ｇａｐ）は１ｍｍである。ヨーク
１３は、センダストからなる軟磁性材料であり、その大
きさが、幅（光磁気記録媒体の半径方向）２４ｍｍ×高
さ１ｍｍ×長さ（光磁気記録媒体の回転方向）１０ｍｍ
である。磁石１０、１１直上で磁石１０、１１の磁界に
より初期化される。磁石１０直上の発生磁界は、Ｈinit
＝２．５ｋＯｅ以上であった。第１実施例、第２実施例
に比べ、図１３に示すように磁力線がループ１２を描く
ため、発生磁界の垂直成分が得られやすく、光変調オー
バーライトがスムーズに行われる。
【００８６】また、１．２１Ｔの永久磁石を用いた場
合、磁石１０が、表５に示すような大きさ（幅×高さ×
長さ）、Ｇａｐである場合、消し残りのない光変調オー
バーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４６ｄＢ
が得られた。さらに、磁石１０、ヨーク１３を、第２実
施例、第４実施例のように配置すれば、光磁気記録装置
に記録磁界発生装置が不要になるというメリットが生じ
る。
【００８７】
【表５】
【００８８】本発明の第６実施例について図１４に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。本実施例に用いられる光磁気記録媒体８は、前記実
施例のサンプル＃１〜＃１９に示すような少なくとも２
層の磁性層から構成されている。
【００８９】図１４は、本発明の光磁気ディスク用カー
トリッジの概要を説明するための図であるが、光磁気デ
ィスク用カートリッジ９は、以上のような光磁気ディス
ク８を収容し、磁石１０、１４は、光磁気ディスク用カ
ートリッジに内蔵されている磁石であり、光磁気記録媒
体に対して水平に磁化され、光磁気ディスクに対して同
一側の位置に第１の方向に並んで設置される。さらに磁
石１０と磁石１４の磁化の向きは断面方向から見ると
（第１の方向に垂直な方向から見ると）逆方向になって
おり、レーザビームスポットからある距離（以下Ｄｉｓ
ｔａｎｃｅ）離れて設置されている。
【００９０】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
図１４に示す光磁気ディスク用カートリッジを用いて、
高レベルIのレーザパワー（ＰH）＝１０ｍＷ、低レベル
IIのレーザパワー（ＰL）＝２ｍＷ、レベルIIIの再生レ
ーザパワー（ＰR）＝１ｍＷ、記録ビット長＝０．６５
μｍにて記録、再生を行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝
４６ｄＢが得られた。
【００９１】磁石１０、１４は、１．２１Ｔ（テスラ
ー）のＮｄ系永久磁石であり、その大きさが、幅（光磁
気記録媒体の半径方向）２４ｍｍ×高さ１ｍｍ×長さ
（光磁気記録媒体の回転方向）１０ｍｍであり、光磁気
記録媒体との実質距離（以下Ｇａｐ）は１ｍｍである。
磁石１０直上で磁石１０の磁界により初期化され、対物
レンズにより集光されたレーザビームスポット位置で磁
石１０の磁界により記録される。磁石１０直上の発生磁
界は、Ｈinit＝２．５ｋＯｅ以上であり、レーザビーム
スポット位置の発生磁界は、Ｈw＝４００Ｏｅであっ
た。第１実施例、第２実施例に比べ、各磁石が薄くなっ
ているのは、２個の磁石を備え、それらの磁化の向きが
断面方向から見ると逆方向であるために、図１２に示す
ように磁力線がループ１２を描き、発生磁界が大きくな
るためである。
【００９２】なお、図１４は、磁性層３が室温からキュ
リー点まで遷移金属リッチとなる特性を示し、磁性層４
が補償点をもち、室温から補償点まで希土類金属リッ
チ、補償点からキュリー点まで遷移金属リッチとなる特
性を示す場合を示しており、初期化磁界と記録磁界の方
向が同一であるため、光変調オーバーライトができる。
また、１．２１Ｔの永久磁石を用いた場合、磁石１０
が、表６に示すような大きさ（幅×高さ×長さ）、Ｇａ
ｐ、Ｄｉｓｔａｎｃｅである場合、消し残りのない光変
調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４
６ｄＢが得られた。さらに、図には示していないが、第
３実施例、第４実施例のように、光磁気ディスクを挟ん
で対抗した位置に２個の磁石（合計４個の磁石）を配置
してもよい。第６実施例は、光磁気記録装置に記録磁界
発生装置が不要になるというメリットが生じる。
【００９３】
【表６】
【００９４】以上の実施例に用いられる光磁気記録媒体
８は、少なくとも２層の磁性層から構成された光変調オ
ーバーライト媒体を説明したが、第２実施例、第４実施
例、６実施例のように、光磁気ディスク用カートリッジ
に内蔵されている磁石が、光磁気記録媒体に対して水平
に磁化され、さらにレーザビームスポットからある距離
（以下Ｄｉｓｔａｎｃｅ）離れて設置されている場合に
は、光磁気記録装置に記録磁界発生装置が不要になり、
室温での保磁力の大きい磁性層をもった単層媒体にも有
用である。
【００９５】
【発明の効果】請求項１の構成によれば、磁石を薄くし
ても発生磁界は小さくならず、光磁気記録媒体用カート
リッジを薄くすることが可能となるという効果を奏す
る。また、磁石の位置を工夫することにより、光磁気記
録装置に記録磁界発生装置が不要になるという効果を奏
する。
【００９６】請求項２の構成によれば、磁石をさらに薄
くしても発生磁界は小さくならない上に、光磁気記録媒
体用カートリッジからの漏れ磁界を小さくすることが可
能となるという効果を奏する。また、磁石の位置を工夫
することにより、光磁気記録装置に記録磁界発生装置が
不要になる。さらに、両面タイプの光磁気記録媒体に対
しても有用であるという効果を奏する。
【００９７】請求項３の構成によれば、垂直磁界が得ら
れ易い上に、光磁気記録媒体用カートリッジからの漏れ
磁界を小さくすることが可能となるという効果を奏す
る。
【００９８】請求項４の構成によれば、磁石をさらに薄
くしても発生磁界は小さくならず、光磁気記録媒体用カ
ートリッジをさらに薄くすることが可能となるという効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に用いられる光磁気ディス
クの概略の構成を示す断面図である。
【図２】図１の光磁気ディスクにおける各磁性層の保磁
力の温度依存性を示す説明図である。
【図３】図１の光磁気ディスクにおける記録プロセスを
示す説明図である。
【図４】本発明の光磁気ディスクに照射されるレーザ光
の強度を示す説明図である。
【図５】本発明の第１実施例に用いられる別の光磁気デ
ィスクの概略の構成を示す断面図である。
【図６】図５の光磁気ディスクにおける各磁性層の保磁
力の温度依存性を示す説明図である。
【図７】図５の光磁気ディスクにおける記録プロセスを
示す説明図である。
【図８】本発明の第１実施例に用いられる磁石の発生磁
界とＧａｐの関係を示す図である。
【図９】本発明の第１実施例の光磁気ディスク用カート
リッジの概略の構成を示す説明図である。
【図１０】本発明の第２実施例の光磁気ディスク用カー
トリッジの概略の構成を示す説明図である。
【図１１】本発明の第３実施例の光磁気ディスク用カー
トリッジの概略の構成を示す説明図である。
【図１２】本発明の第４実施例の光磁気ディスク用カー
トリッジの概略の構成を示す説明図である。
【図１３】本発明の第５実施例の光磁気ディスク用カー
トリッジの概略の構成を示す説明図である。
【図１４】本発明の第６実施例の光磁気ディスク用カー
トリッジの概略の構成を示す説明図である。
【図１５】従来の光磁気ディスク用カートリッジの概略
の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 誘電体層 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 保護層 ６ オーバーコート層 ７ 第３磁性層 ８ 光磁気ディスク ９ 光磁気ディスク用カートリッジ １０、１１、１４ 磁石 １２ 磁力線 １３ ヨーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−46247（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−19102（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−255948（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−98503（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−130027（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】初期化磁界と記録磁界とが印加されること
    で情報が光変調オーバライト記録される光磁気記録媒体
    を、搭載する光磁気記録媒体用カートリッジにおいて、 前記光磁気記録媒体に磁界を印加する、磁化の方向が前
    記光磁気記録媒体と略平行な磁石を備えており、 該磁石は、前記光磁気記録媒体に集光されるレーザービ
    ームスポット位置から離れて設置され、前記磁石の真上
    において前記初期化磁界を、前記レーザビームスポット
    位置において前記記録磁界を印加することを特徴とする
    光磁気記録媒体用カートリッジ 。
  2. 【請求項２】初期化磁界と記録磁界とが印加されること
    で情報が光変調オーバライト記録される光磁気記録媒体
    を、搭載する光磁気記録媒体用カートリッジにおいて、 前記光磁気記録媒体を挟んで対向する位置に設けられた
    前記光磁気記録媒体に磁界を印加する２個の磁石を備え
    ており 、該２個の磁石は、磁化の方向が両方とも前記光磁気記録
    媒体と略平行で、且つ、互いに反対を向いており、さら
    に、該２個の磁石は、前記光磁気記録媒体に集光される
    レーザービームスポット位置から離れて設置され、前記
    磁石の真上において前記初期化磁界を、前記レーザビー
    ムスポット位置において前記記録磁界を印加することを
    特徴とする光磁気記録媒体用カートリッジ 。
  3. 【請求項３】光磁気記録媒体を搭載する光磁気記録媒体
    用カートリッジにおいて、 前記光磁気記録媒体に磁界を印加する、磁化の方向が前
    記光磁気記録媒体と略平行な磁石と、 前記光磁気記録媒体を挟んで前記磁石と対向する位置に
    設けられたヨークと、を備えたことを特徴とする光磁気
    記録媒体用カートリッジ。
  4. 【請求項４】初期化磁界と記録磁界とが印加されること
    で情報が光変調オーバライト記録される光磁気記録媒体
    を、搭載する光磁気記録媒体用カートリッジにおいて、 前記光磁気記録媒体に対して同一側の位置に第１の方向
    に並んで配置された、前記光磁気記録媒体に磁界を印加
    する２個の磁石を備えており 、該２個の磁石は、磁化の方向が両方とも前記光磁気記録
    媒体と略平行で、且つ、第１の方向に垂直な方向から見
    て互いに反対を向いており、さらに、該２個の磁石は、
    前記光磁気記録媒体に集光されるレーザービームスポッ
    ト位置から離れて設置され、前記磁石の真上において前
    記初期化磁界を、前記レーザビームスポット位置におい
    て前記記録磁界を印加することを特徴とする光磁気記録
    媒体用カートリッジ 。
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