JPH09167387A - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および光磁気記録方法Info
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- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
Abstract
場からの出荷前や記録の前に大きな磁界あるいは高レー
ザパワーによって磁性層の磁化を一方向に揃える必要を
なくし、光磁気記録媒体やこの媒体に記録する装置の製
造コストの増大を抑える。 【解決手段】 室温からキュリー点まで垂直磁化を示す
フェリ磁性体の希土類遷移金属合金の第1磁性層3、第
2磁性層4、第3磁性層5および第4磁性層6のキュリ
ー点をそれぞれTc1、Tc2、Tc3、Tc4とする
と、室温<Tc3<Tc4<Tc1<Tc2であり、遷
移金属および希土類金属の各副格子磁化をそれぞれα、
βとすると、第2磁性層4は、Tc1以上Tc2以下で
αがβより優勢であり、第4磁性層6は、室温からTc
4までβがαより優勢である。
Description
録、再生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光
カード等に用いられる光磁気記録媒体および光磁気記録
方法に関するものである。
らなる垂直磁化膜を形成させたものを記録媒体とし、以
下の方法で記録再生するものである。
部磁界等によって初期化し、磁化の方向を一方向(上向
きまたは下向き)に揃えておく。その後、記録したいエ
リアにレーザビームを照射して、媒体部分の温度をキュ
リー点近傍以上、もしくは補償点近傍以上に加熱し、そ
の部分の保磁力(Hc)をゼロ、またはほとんどゼロと
したうえで、初期化の磁化の方向と逆向きの外部磁界
(バイアス磁界)を印加して磁化の向きを反転させる。
レーザビームの照射を止めると、記録媒体は常温に戻る
ので、反転した磁化は固定される。つまり、情報が熱磁
気的に記録される。
を記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面が磁
化の向きに応じて回転する現象(磁気カー効果、磁気フ
ァラデー効果)を利用して光学的に情報の読み出しを行
う。
記憶素子として注目されているが、その記録媒体を再使
用(書き換え)する方法として、交換結合2層膜を利用
し、初期化磁界(Hi)と記録磁界(Hw)とを利用
し、光強度を変調してオーバーライトする、いわゆる光
変調オーバーライト媒体が提案され、さらには交換結合
4層膜を利用し、初期化磁界(Hi)を無くした光変調
オーバーライト媒体が提案されている。
換結合4層膜を利用し、初期化磁界Hiを無くした光変
調オーバーライト媒体を用いた光変調オーバーライトの
手順について簡単に説明する。
すように、第1磁性層13、第2磁性層14、第3磁性
層15、および第4磁性層16が形成されており、各磁
性層の保磁力の温度依存性は、図17に示すようにな
る。
の遷移を説明する。なお、図18中の矢印は遷移金属の
磁化の向きを表している。
向きが上向き(”0”)(S71)か下向き(”1”)
(S77)であるかにより情報が記録されている。ま
た、第4磁性層16の磁化は常に一方向(図中上向き)
に揃えられており、第2磁性層14の磁化は第3磁性層
15を通して第4磁性層16の磁化と同じ方向に揃えら
れている。
イパワーとローパワーとに強度変調されたレーザ光を照
射することにより行う。
レーザ光が照射されると媒体が第2磁性層14のキュリ
ー点Tc2付近となる温度まで昇温し(S74)、ロー
パワーのレーザ光が照射されると、第1磁性層13のキ
ュリー点Tc1付近となる温度まで昇温する(S73)
ように設定されている。
されると、第2磁性層14の磁化は、記録磁界Hwによ
り下向きに反転し(S75)、冷却の過程で界面に作用
する交換力により第1磁性層13に転写され(S7
6)、さらに第2磁性層14は第4磁性層16の磁化と
同じ方向に揃えられる(S77)。したがって、第1磁
性層13の磁化の向きが下向き(”1”)の状態にな
る。
と、第2磁性層14の磁化は、その保磁力が記録磁界H
wより大きいため、記録磁界Hwにより反転することは
なく(S73)、第1磁性層13の磁化は、上記と同様
に、冷却の過程で界面に作用する交換力により第2磁性
層14の磁化の向きと一致する(S72)。したがっ
て、第1磁性層13の磁化の向きが上向き(”0”)の
状態になる(S71)。
ローパワーよりもかなり小さいレベルに設定されてい
る。
換結合4層膜を利用し、光変調オーバーライトが可能
で、初期化磁界Hiを無くし、かつ記録ビットが安定な
光磁気記録媒体を供給するようになっている。
来の技術では、第4磁性層16の磁化を、大きな磁界あ
るいは高レーザパワーを用いて、工場からの出荷前や記
録の前に一方向に揃える必要がある。そのために、光磁
気記録媒体やこの媒体に記録する装置の製造コストが増
大するという問題点を有している。
16の磁化の向きが何らかの原因で乱れた場合には、光
変調オーバーライトが不可能になるという問題点を有し
ている。
め、請求項1記載の光磁気記録媒体は、室温からキュリ
ー点まで垂直磁化を示し、それぞれキュリー点としてT
c1、Tc2、Tc4を有する第1、第2、第4磁性層
がこの順に積層されており、室温以上Tc1以下で、第
2磁性層の磁化の向きが交換力によって第1磁性層へ転
写されるとともに、室温以上Tc4以下の所定の温度範
囲Rで、第4磁性層の磁化が交換力によって第2磁性層
へ転写される一方、第2磁性層の磁化は第1磁性層へ転
写されない光磁気記録媒体において、第2および第4磁
性層がフェリ磁性体の希土類遷移金属合金からなり、室
温<Tc4<Tc1<Tc2であり、遷移金属および希
土類金属の各副格子磁化のうち、一方をα、もう一方を
βとすると、第2磁性層は、Tc1以上Tc2以下でα
がβより優勢であり、第4磁性層は、室温からTc4ま
でβがαより優勢であることを特徴としている。
請求項1ないし5のいずれかに記載の光磁気記録媒体を
用い、Tc1以下のときの第2磁性層の保磁力より小さ
い記録磁界Hwを印加しながら、Tc1近傍に加熱する
低レベルの光ビームを照射するロープロセスおよび、T
c2近傍以上に加熱する高レベルの光ビームを照射する
ハイプロセスを行うことを特徴としている。
の強度を持つ光ビームを照射する以下のロープロセスお
よびハイプロセスに従って記録が行われる。ここで、各
層に垂直な上下方向のうち、昇温前の第2磁性層の磁化
の向きをA、その逆の向きをBとし、方向Bに記録磁界
Hwを印加するものとする。
Tc1近傍にまで昇温して、第1および第4磁性層の磁
化を消失させる。このとき、第2磁性層の保磁力は記録
磁界Hwより大きいため、第2磁性層の磁化は反転しな
い。また、このとき第2磁性層ではαがβより優勢であ
るため、αが方向Aと同じ向きを向いている。
し、第2磁性層の各副格子磁化の向きを交換力によって
第1磁性層へ転写する。よって、第1磁性層でαが方向
Aを向き、βが方向Bを向く。
磁界Hwによって第4磁性層の磁化を方向Bに向かせ
る。このとき、第4磁性層ではβがαより優勢であるた
め、βが方向Bを向く。
Tc2近傍以上に昇温し、全磁性層の磁化を消失させ
る。
る。さきに第2磁性層の磁化も一旦消失していたため、
ロープロセスとは逆に、記録磁界Hwによって第2磁性
層の磁化は方向Bを向く。このとき、第2磁性層ではα
がβより優勢であるため、αが方向Bと同じ向きを向
く。
し、第2磁性層の各副格子磁化を交換力によって第1磁
性層へ転写する。よって、第1磁性層でαが方向Bを向
き、βが方向Aを向く。
界Hwによって第4磁性層の磁化を方向Bに向かせる。
このとき、第4磁性層ではβがαより優勢であるため、
βが方向Bを向く。第4磁性層の各副格子磁化は交換力
によって第2磁性層へ転写される。このため、第2磁性
層では、第4磁性層と同じく、αが方向Aを向き、βが
方向Bを向く。このようにして第2磁性層の磁化の向き
が初期化される。なお、第2磁性層の各副格子磁化は交
換力によって第1磁性層へは転写されない。
磁性層ではαが方向Aを向き、βが方向Bを向く。ハイ
プロセスによって、第1磁性層ではαが方向Bを向き、
βが方向Aを向く。すなわち、光変調オーバーライトが
できる。
2磁性層の磁化の向きを初期化する時点までに、記録磁
界Hwによって、第4磁性層の磁化を所定の一方向に向
かせる、すなわち初期化することが可能になっている。
つまり、第4磁性層の磁化は、昇温とともに一旦消失し
ても、第2磁性層の磁化の向きの初期化までには初めの
向きの磁化が復活するようになっている。
きな磁界ではなく記録に用いる小さな磁界である記録磁
界や、従来よりも弱い光ビームパワーを用いて、第4磁
性層の磁化の向きを調節することが可能となっている。
能としながら、工場からの出荷前や記録の前に、大きな
磁界(初期化磁界)あるいは高レーザパワーによって磁
性層の磁化を一方向に揃える必要をなくし、光磁気記録
媒体やこの媒体に記録する装置の製造コストの増大を抑
えることができる。
化の向きが乱れた場合にも、光変調オーバーライトが可
能になる。
1の構成に加えて、第2磁性層と第4磁性層との間に、
室温からキュリー点Tc3まで垂直磁化を示し、室温<
Tc3<Tc4であり、上記温度範囲Rが室温以上Tc
3以下であり、上記温度範囲Rで、第4磁性層の磁化が
交換力によって転写されるとともに、交換力によって磁
化を第2磁性層へ転写する第3磁性層が積層されている
ことを特徴としている。
同じく、高低2種類の強度を持つ光ビームを照射する以
下のロープロセスおよびハイプロセスに従って記録が行
われる。ここで、上記同様、各層に垂直な上下方向のう
ち、昇温前の第2磁性層の磁化の向きをA、その逆の向
きをBとし、方向Bに記録磁界Hwを印加するものとす
る。
Tc1近傍にまで昇温し、第1、第3、および第4磁性
層の磁化を消失させる。このとき、第2磁性層の保磁力
は記録磁界Hwより大きいため、第2磁性層の磁化は反
転しない。また、このとき第2磁性層ではαがβより優
勢であるため、αが方向Aと同じ向きを向いている。
し、第2磁性層の各副格子磁化の向きを交換力によって
第1磁性層へ転写する。よって、第1磁性層でαが方向
Aを向き、βが方向Bを向く。
し、記録磁界Hwによって第4磁性層の磁化を方向Bに
向かせる。このとき、第4磁性層ではβがαより優勢で
あるため、βが方向Bを向く。
層の各副格子磁化を交換力によって第3磁性層へ転写す
る。
Tc2近傍以上に昇温し、全磁性層の磁化を消失させ
る。
る。さきに第2磁性層の磁化も一旦消失していたため、
ロープロセスとは逆に、記録磁界Hwによって第2磁性
層の磁化は方向Bを向く。このとき、第2磁性層ではα
がβより優勢であるため、αが方向Bと同じ向きを向
く。
し、第2磁性層の各副格子磁化を交換力によって第1磁
性層へ転写する。よって、第1磁性層でαが方向Bを向
き、βが方向Aを向く。
し、記録磁界Hwによって第4磁性層の磁化を方向Bに
向かせる。このとき、第4磁性層ではβがαより優勢で
あるため、βが方向Bを向く。
層の各副格子磁化を交換力によって第3磁性層へ転写す
る。第3磁性層の各副格子磁化は交換力によって第2磁
性層へ転写される。このため、第2磁性層では、第4磁
性層と同じく、αが方向Aを向き、βが方向Bを向く。
このようにして第2磁性層の磁化の向きが初期化され
る。なお、第2磁性層の各副格子磁化は交換力によって
第1磁性層へは転写されない。
ープロセスによって、第1磁性層ではαが方向Aを向
き、βが方向Bを向く。ハイプロセスによって、第1磁
性層ではαが方向Bを向き、βが方向Aを向く。すなわ
ち、光変調オーバーライトができる。
層と第4磁性層との間に設けているので、降温時に、上
記温度範囲Rにおいて第1磁性層の保磁力がまだ十分大
きくなっていないときに、第4磁性層からの交換力によ
って第4磁性層の磁化が第2磁性層を介して第1磁性層
に転写されるのを防ぐことができる。それによって、第
1磁性層の材料の範囲を広くすることができる。
1または2の構成に加えて、第2磁性層では、室温で希
土類金属の副格子磁化が遷移金属の副格子磁化より優勢
であり、Tc2以下で遷移金属の副格子磁化が希土類金
属の副格子磁化より優勢であり、第4磁性層では、室温
からTc4まで希土類金属の副格子磁化が遷移金属の副
格子磁化より優勢であることを特徴としている。
きに、第4磁性層の希土類金属の副格子磁化が記録磁界
Hwによって方向Bを向くため、遷移金属の副格子磁化
は方向Aを向く。そのため、請求項1記載の構成におい
ては第4磁性層、請求項2記載の構成においては第4お
よび第3磁性層は、第2磁性層の遷移金属の副格子磁化
を交換力によって方向Aに向かせようと働くことにな
る。
磁化をB方向に向かせる方向に働いている。そのため、
記録磁界Hwは、第2磁性層の希土類金属の副格子磁化
を方向Bに向かせようと働くことになる。逆に言えば、
第2磁性層の遷移金属の副格子磁化を方向Aに向かせよ
うと働くことになる。
め、記録磁界や各磁性層の条件を緩和することができ
る。すなわち、記録磁界Hwの大きさや、第4および第
3磁性層の第2磁性層への交換力の大きさを小さくする
ことができる。それによって、光磁気記録媒体の材料の
範囲を広げることができ、また、媒体に記録する装置の
製造コストの増大をさらに抑えることができる。
1、2または3の構成に加えて、第1磁性層の、第2磁
性層が形成されている側と反対の側に、第1磁性層のキ
ュリー点Tc1よりも高いキュリー点Tc5を有する第
5磁性層が積層されていることを特徴としている。
点が第1磁性層のキュリー点よりも高いので、再生時
に、カー回転角が大きくなる。それによって、信号品質
を向上することができる。
1ないし4のいずれかの構成に加えて、第1磁性層と第
2磁性層との間に、室温で面内磁化を示し、Tc1近傍
で垂直磁化を示す第6磁性層が積層されていることを特
徴としている。
傍で垂直磁化を示すので、第2磁性層から第1磁性層へ
磁化が効率良く転写される。また、第6磁性層が室温で
面内磁化を示すので、室温において情報を記録した第1
磁性層の磁化が第2磁性層から交換力によって影響を受
けない。したがって、記録感度を向上させることができ
る。それによって、高品位に光変調オーバーライトを行
うことができる。
いし図3に基づいて説明すれば、以下の通りである。本
実施の形態に係る光磁気ディスク(光磁気記録媒体)
は、図1に示すように、透光性を有する基板1の上に、
透明誘電体層2、第1磁性層3、第2磁性層4、第3磁
性層5、第4磁性層6、および保護層7が順次形成され
た構成となっている。さらに、図示しないが実際にはオ
ーバーコート膜が保護層7の外側に形成されている。ま
た、上記第1磁性層3、第2磁性層4、第3磁性層5お
よび第4磁性層6はそれぞれ、希土類金属の磁化と遷移
金属の磁化とが互いに反平行に結合したフェリ磁性体で
ある希土類金属−遷移金属合金からなっている。
磁性層4と比較して低いキュリー点(Tc1とする)
と、室温で高い保磁力(Hc1とする)とを有し、室温
からTc1まで垂直磁化となる特性を示し、その組成
は、室温で遷移金属リッチとなるように設定されてい
る。
点Tc1よりも高いキュリー点(Tc2とする)を有
し、室温からTc2まで垂直磁化となる特性を示し、そ
の組成は、室温で希土類金属リッチで室温からTc2ま
での間に補償点を有し、それにより、補償点からTc2
までは遷移金属リッチとなるように設定されている。
うちで最も低いキュリー点(Tc3とする)を有し、室
温からTc3まで垂直磁化となる特性を示し、その組成
は、室温で遷移金属リッチとなるように設定されてい
る。
よりも低いキュリー点(Tc4とする)を有し、室温か
らTc4まで垂直磁化となる特性を示し、その組成は、
室温で希土類金属リッチで室温からTc4までの間に補
償点がないように設定されている。
いて説明する。図3は、第1磁性層3、第2磁性層4、
第3磁性層5、および第4磁性層6の各磁化状態を示
し、横軸は温度を示す。各層は、希土類遷移金属合金で
あるため、トータル磁化と、遷移金属の副格子磁化(α
とする)、および希土類金属の副格子磁化(βとする)
があるが、矢印は各層の遷移金属の副格子磁化αの向き
を示す。
オーバーライトを行う場合、記録磁界Hwを光ビームの
照射部に印加しながら、情報に応じて光ビームの強度を
変調することにより、光ビームの照射部の温度がTc2
付近の温度まで昇温するハイプロセスと、光ビームの照
射部の温度がTc1付近の温度まで昇温するロープロセ
スとを繰り返し、重ね書きによる情報の書き換えを行
う。
きに応じて、2つの安定な状態”0”(磁化が上向き)
と”1”(磁化が下向き)とが存在する。これらは、図
中、それぞれ状態S1およびS7である。
hとする)のレーザ光を照射し、Tc2付近の温度まで
昇温するので、第1磁性層3、第3磁性層5、および第
4磁性層6の磁化はゼロになる。一方、第2磁性層4の
磁化は、一旦ゼロになった後に記録磁界Hwによって下
向きに揃えられる。第2磁性層4はこの温度付近では遷
移金属リッチであるため、遷移金属の副格子磁化αは下
向きに揃えられる(S3、S4、S5)。
射部が冷却され、第1磁性層3の磁化が現れると、第1
磁性層3の遷移金属の副格子磁化は、第1磁性層3と第
2磁性層4との界面において第2磁性層4から第1磁性
層3へ作用する交換力によって、第2磁性層4の遷移金
属の副格子磁化の向きである下向きに揃えられる。
れるときには、第4磁性層6の磁化は記録磁界Hwによ
り下向きに揃えられる。第4磁性層6は希土類金属リッ
チであるため、遷移金属の副格子磁化αは上向きに揃え
られる(S6)。
性層5の磁化が現れる。そのため、第2磁性層4と第3
磁性層5との間、および、第3磁性層5と第4磁性層6
との間の界面にそれぞれ作用する交換力が生まれる。こ
の交換力によって、第2磁性層4の遷移金属の副格子磁
化αは、第4磁性層6の遷移金属の副格子磁化と同じく
上向きに揃えられる。しかし、第1磁性層3は、室温で
は保磁力が大きいので、第2磁性層4の磁化によって反
転しない。このようにして、第1磁性層3に状態”1”
(磁化が下向き)が記録される(S7)。
lとする)のレーザ光を照射し、Tc1付近の温度まで
昇温するが、このとき第2磁性層4の保磁力は記録磁界
Hwよりも大きいため、第2磁性層4の磁化の向きは記
録磁界Hwによって反転しない。そのため、第2磁性層
4の遷移金属の副格子磁化αは上向きのままである(S
3)。
射部が冷却され、第1磁性層3の磁化が現れると、第1
磁性層3の遷移金属の副格子磁化は、界面に作用する交
換力によって、第2磁性層4の遷移金属の副格子磁化の
向きである上向きに揃えられれる。
れると、第4磁性層6の磁化は記録磁界Hwにより下向
きに揃えられる。第4磁性層6は希土類金属リッチであ
るため、遷移金属の副格子磁化αは上向きに揃えられる
(S2)。
性層5の磁化が現れ、第2磁性層4と第3磁性層5との
間、および、第3磁性層5と第4磁性層6との間の界面
に作用する交換力が生まれる。この交換力によって、第
2磁性層4の遷移金属の副格子磁化αは、第4磁性層6
の遷移金属の副格子磁化の向きと同じく上向きに揃えら
れる。しかし、第1磁性層3は室温では保磁力が大きい
ので、第2磁性層4の磁化によって反転しない。このよ
うにして、第1磁性層3に状態”0”(磁化が上向き)
が記録される(S1)。
磁性層3は状態”1”(磁化が下向き)に移行し、ロー
プロセスの場合、第1磁性層3は状態”0”(磁化が上
向き)に移行するので、光変調オーバーライトを行うこ
とができる。
する)のレーザ光を照射し、その反射光における偏光面
の回転を検出することにより再生するが、ロープロセス
よりもかなり低い温度となるので、Prのレーザ光によ
り情報が消去されることはない。
層4は、室温で希土類金属リッチで室温からTc2まで
の間に補償点を有するように設定されており、Tc1か
らTc2までのある温度範囲において遷移金属リッチと
なる性質を持っている。また、第4磁性層6は、室温で
希土類金属リッチで室温からTc2までの間に補償点が
ないように設定されている。しかしながら、ハイプロセ
スで記録磁界Hwのほうを向く第2磁性層4の副格子磁
化の種類と、Tc3からTc4までの間で記録磁界Hw
のほうを向く第4磁性層6の副格子磁化の種類とが異な
っておればよく、この組み合わせには限定されない。す
なわち例えば、第2磁性層4が、室温からキュリー点T
c2まで垂直磁化で希土類金属リッチの特性を示し、第
4磁性層6が、室温からキュリー点Tc4まで垂直磁化
で遷移金属リッチの特性を示すような組み合わせでもよ
い。
になるため、その記録過程の説明としては、図3で示し
た遷移金属の副格子磁化を表す白抜きの矢印を、すべて
希土類金属の副格子磁化を表すものと置き変えて考えれ
ばよい。第1磁性層3は遷移金属リッチなので、この場
合、図中のS1は磁化が下向きになった状態を示すこと
となり、逆に、S7は磁化が上向きになった状態を示す
こととなる。したがって、同様に光変調オーバーライト
が実現できる。
4磁性層6の交換力に加えることにより、第4磁性層6
から第2磁性層4への磁化の転写を円滑に行う働きを持
つ。また、第2磁性層4から第1磁性層3へ磁化が転写
される間は、第3磁性層5の磁化が消失しており、この
ため、その間は第4磁性層6から第2磁性層4への磁化
の転写を防止する働きを持っている。それによって、第
1、第2、および第4磁性層の保磁力や交換力等の磁気
的特性の条件を緩和することができるので、各磁性層の
材料を幅広く選択することができる。
クのサンプルを示す。サンプル#1、#2では、透光性
の基板1は、外径86mm、内径15mm、厚さ1.2
mmの円盤状のガラスからなっている。基板1の片側の
表面には、光ビーム案内用の凹凸状のガイドトラックが
反応性イオンエッチング法により直接形成されている。
トラックピッチは、1.6μm、グルーブ(凹部)の幅
は0.8μm、ランド(凸部)の幅は0.8μmであ
り、反応性イオンエッチング法によりガラスに直接形成
された。
性スパッタリングにより、膜厚80nmのAlNからな
る透明誘電体層2と、Dy、Fe、Coターゲットの同
時スパッタリングにより膜厚40nmのDyFeCoか
らなる第1磁性層3と、Gd、Fe、Coターゲットの
同時スパッタリングにより膜厚60nmのGdFeCo
からなる第2磁性層4と、Dy、Feターゲットの同時
スパッタリングにより膜厚20nmのDyFeからなる
第3磁性層5と、Dy、Fe、Coターゲットの同時ス
パッタリングにより膜厚40nmのDyFeCoからな
る第4磁性層6と、膜厚20nmのAlNからなる保護
層7とを積層した。
時のスパッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4
Pa以下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力3
00Wであり、透明誘電体層2および保護層7の各成膜
時のスパッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4
Pa以下、N2 ガス圧3.0×10-1Pa、放電電力8
00Wである。
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート膜を形成した。
0.20(Fe0.85Co0.15)0.80であり、遷移金属リッ
チ、キュリー点Tc1=180℃、室温での保磁力Hc
1=1200kA/mとなる特性を示す。第2磁性層4
は、組成が(Gd0.60Dy0.40)0.28(Fe0.70Co
0.30)0.72であって、希土類金属リッチ、キュリー点T
c2=270℃、補償点TCOMP3 =200℃、室温での
保磁力Hc2=160kA/mとなる特性を示す。第3
磁性層5は、組成Dy0.18Fe0.82、遷移金属リッチ、
キュリー点Tc3=70℃、室温での保磁力Hc3=2
00kA/mとなる特性を示す。第4磁性層6は、組成
がDy0.22(Fe0.90Co0.10)0.78であり、希土類金
属リッチ、キュリー点Tc4=150℃、室温での保磁
力Hc4=240kA/mとなる特性を示す。
0.20(Fe0.92Co0.08)0.80であり、遷移金属リッ
チ、キュリー点Tc1=180℃、室温での保磁力Hc
1=1200kA/mとなる特性を示す。第2磁性層4
は、組成がTb0.25(Fe0.80Co0.20)0.75であっ
て、希土類金属リッチ、キュリー点Tc2=270℃、
補償点なし、室温での保磁力Hc2=160kA/mと
なる特性を示す。第3磁性層5は、組成Dy0.18Fe
0.82、遷移金属リッチ、キュリー点Tc3=70℃、室
温での保磁力Hc3=200kA/mとなる特性を示
す。第4磁性層6は、組成がDy0.18(Fe0.90Co
0.10)0.82であり、希土類金属リッチ、キュリー点Tc
4=150℃、室温での保磁力Hc4=240kA/m
となる特性を示す。
して、Hw=40kA/m、Ph=10mW、Pl=6
mW、Pr=1mW、記録ビット長=0.64μmにて
記録を行ったところ、消し残りのない光変調オーバーラ
イトができ、信号対雑音比(C/N)は45dBと良好
であった。
について図4ないし図6に基づいて説明すれば、以下の
通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態の
図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一
の符号を付記してその説明を省略する。
録媒体)は、図4に示すように、透明誘電体層2と第1
磁性層3との間に第5磁性層8を設けた点で前記実施の
形態1と異なっている。
磁性層3のキュリー点Tc1よりも高いキュリー点Tc
5を有し、室温からTc5まで垂直磁気異方性を示す。
いて説明する。図6は、第5磁性層8、第1磁性層3、
第2磁性層4、第3磁性層5、および第4磁性層6の各
磁化状態を示し、横軸は温度を示す。各層は、希土類遷
移金属合金であるため、トータル磁化と、希土類金属・
遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各層の
遷移金属の副格子磁化αの向きを示す。
5、および第4磁性層6の各磁化状態は、図3に示す実
施の形態1に係る光磁気ディスクの記録過程と同様であ
るため、説明は省略する。また、この記録過程は、図3
に示す実施の形態1に係る光磁気ディスクの場合とほぼ
同様であるため、重複する点の説明は省略する。
のキュリー点Tc1以下の温度では第1磁性層3の磁化
状態に従う。
に相当する状態S13において、各磁性層の温度が第1
磁性層3のキュリー点Tc1以上なので、第1磁性層3
の磁化が消失している。しかしながら、第5磁性層8は
前述の通り第1磁性層3のキュリー点Tc1よりも高い
キュリー点Tc5を有しているので、この温度でも磁化
を持っている。さらに、Tc2より昇温した状態S14
においてもなお磁化を持っている。
S16や、ロープロセスの降温時における状態S12
で、第2磁性層4から第1磁性層3に各副格子磁化が転
写されたときに、第1磁性層3から第5磁性層8にも同
じく各副格子磁化が転写される。
以下なので、再生時には、第1磁性層3に記録された情
報と同じ情報が第5磁性層8を介して再生される。
光磁気ディスクのサンプル#3は、前記サンプル#1の
透明誘電体層2と第1磁性層3との間に第5磁性層8を
30nm有しており、サンプル#1の製法と同じ製法で
作製された。
d0.27(Fe0.70Co0.30)0.73であり、希土類金属リ
ッチ、キュリー点Tc5>300℃、補償点〜200℃
となる特性を示す。
も、実施の形態1と同様の条件で記録を行った結果、消
し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音
比(C/N)は46.5dBと良好であった。サンプル
#1のC/Nが45dBであることを考慮すると、サン
プル#1よりも信号品質が向上した。これは、Tc5>
Tc1に設定したので、カー回転角が大きくなったため
と考えられる。
について図7ないし図9に基づいて説明すれば、以下の
通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態の
図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一
の符号を付記してその説明を省略する。
録媒体)は、図7に示すように、透明誘電体層2と第1
磁性層3との間に第5磁性層8を設けた点で前記実施の
形態と異なっている。
磁性層3のキュリー点Tc1より高いキュリー点Tc5
を有し、室温での保磁力Hc5がほぼゼロであり、室温
で面内磁気異方性を示し、所定温度(Tfとする)以上
で垂直磁気異方性を示す。
いて説明する。図9は、第5磁性層8、第1磁性層3、
第2磁性層4、第3磁性層5、および第4磁性層6の各
磁化状態を示し、横軸は温度を示す。各層は、希土類遷
移金属合金であるため、トータル磁化と、希土類金属・
遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各層の
遷移金属の副格子磁化αの向きを示す。
5、および第4磁性層6の各磁化状態は、図3に示す実
施の形態1に係る光磁気ディスクの記録過程と同様であ
るため、説明は省略する。また、この記録過程は、図6
に示す実施の形態2に係る光磁気ディスクの場合とほぼ
同様であるため、重複する点の説明は省略する。
気異方性を示し、上記温度Tf以上で垂直磁気異方性を
示す。すなわち、図6の状態S11およびS17に相当
する各状態S21、S27において、室温であるために
第5磁性層8は面内磁化を示している。それ以外の、図
に示す各状態においては垂直磁化を示している。このた
め、第5磁性層8の磁化状態は、Tf以上で第1磁性層
3のキュリー点Tc1以下の温度では、第1磁性層3の
磁化状態に従う。
f以上Tc1以下なので、再生時には、第1磁性層3に
記録された情報と同じ情報が第5磁性層8を介して再生
される。
光磁気ディスクのサンプル#4は、前記サンプル#1の
透明誘電体層2と第1磁性層3との間に第5磁性層8を
30nm有しており、サンプル#1の製法と同じ製法で
作製された。
d0.29(Fe0.80Co0.20)0.71であり、希土類金属リ
ッチ、キュリー点Tc5=300℃、補償点なし、約1
20℃で垂直磁気異方性を示す。
も、実施の形態1と同様の条件で記録を行った結果、消
し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音
比(C/N)は46dBと良好であった。サンプル#1
のC/Nが45dBであることを考慮すると、サンプル
#1よりも信号品質が向上した。これは、実施の形態2
同様、第5磁性層8のキュリー温度Tc5をTc5>T
c1に設定したので、カー回転角が大きくなったためと
考えられる。
ル#1ではC/Nが急激に低下したが、サンプル#4で
はC/Nがあまり低下しなかった。これは、第5磁性層
8が室温で面内磁気異方性を示し、再生レーザパワーの
レーザ光を照射すると垂直磁気異方性を示すようになる
ので、短い記録ビットであっても、隣接記録ビットから
の影響を受けずに再生できるためと考えられる。
について図10ないし図12に基づいて説明すれば、以
下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形
態の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、
同一の符号を付記してその説明を省略する。
録媒体)は、図10に示すように、第1磁性層3と第2
磁性層4との間に第6磁性層9を設けた点で前記実施の
形態と異なっている。
温での保磁力Hc6がほぼゼロであり、室温で非常に弱
い垂直磁気異方性もしくは面内磁気異方性を示し、所定
温度(Tsとする)以上で垂直磁気異方性を示す。
用いて説明する。図12は、第1磁性層3、第6磁性層
9、第2磁性層4、第3磁性層5、および第4磁性層6
の各磁化状態を示し、横軸は温度を示す。各層は、希土
類遷移金属合金であるため、トータル磁化と、希土類金
属・遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各
層の遷移金属の副格子磁化αの向きを示す。
5、および第4磁性層6の各磁化状態は、図3に示す実
施の形態1に係る光磁気ディスクの記録過程と同様であ
るため、説明は省略する。また、この記録過程は、図3
に示す実施の形態1に係る光磁気ディスクの場合とほぼ
同様であるため、重複する点の説明は省略する。
弱い垂直磁気異方性もしくは面内磁気異方性を示し、上
記温度Ts以上で強い垂直磁気異方性を示すので、室温
において、第2磁性層4から第1磁性層3への磁気転写
が起こりにくく、Ts以上で第2磁性層4から第1磁性
層3への磁気転写が起こる。このため、以下に示すよう
に、各磁化状態がより安定になり、実施の形態1の光磁
気ディスクと比べて光変調オーバーライトがより円滑に
行われる。
降温時における状態S36やロープロセスの降温時にお
ける状態S32で、第2磁性層4から第1磁性層3に磁
化(各副格子磁化)が転写されるときに、この第6磁性
層9が仲介の役割を果たし、第2磁性層4からまず第6
磁性層9に副格子磁化の向きが転写され、そして第6磁
性層9から第1磁性層3に副格子磁化の向きが転写され
る。
7および次回の記録における昇温時のS38では、第1
磁性層3の遷移金属の副格子磁化が下向きであって第2
磁性層4の遷移金属の副格子磁化が上向きであるため、
第6磁性層9の遷移金属の副格子磁化は、より安定な方
向として面内磁化を示す。
0”が記録された状態S31からの昇温時であるS31
およびS32では、第1磁性層3の遷移金属の副格子磁
化も第2磁性層4の遷移金属の副格子磁化も上向きであ
るため、第6磁性層9の遷移金属の副格子磁化は、より
安定な方向として、それらと同方向の垂直磁化を示す。
4において、各磁性層の温度が第2磁性層4のキュリー
点Tc2以上なので第1ないし第4磁性層の磁化が消失
しているが、第6磁性層9はTc2よりも高いキュリー
点Tc5を有しており、この温度でも磁化を持ってい
る。
光磁気ディスクのサンプル#5は、前記サンプル#1の
第1磁性層3と第2磁性層4との間に第6磁性層9を4
0nm有しており、サンプル#1の製法と同じ製法で作
製された。
d0.27(Fe0.70Co0.30)0.73であり、希土類金属リ
ッチ、キュリー点Tc5>300℃、補償点〜200℃
を有する。
Hw=32kA/m、Ph=9mW、Pl=4mW、P
r=1mW、記録ビット長=0.64μmにて記録を行
ったところ、消し残りのない光変調オーバーライトがで
き、信号対雑音比(C/N)は45dBと良好であっ
た。サンプル#1の記録条件が、Hw=40kA/m、
Ph=10mW、Pl=6mWであることを考慮する
と、サンプル#1よりも記録感度が向上した。これは、
第1磁性層3と第2磁性層4との間に第6磁性層9を挿
入したことにより、光変調オーバーライトが円滑に行わ
れたためと考えられる。
について図13ないし図15に基づいて説明すれば、以
下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形
態の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、
同一の符号を付記してその説明を省略する。
録媒体)は、図13に示すように、透明誘電体層2と第
1磁性層3との間に第5磁性層8を設け、第1磁性層3
と第2磁性層4との間に第6磁性層9を設けた点で前記
実施の形態と異なっている。
1磁性層3のキュリー点Tc1よりも高いキュリー点T
c5を有し、室温からTc5まで垂直磁気異方性を示
す。
ほぼゼロであり、室温で非常に弱い垂直磁気異方性もし
くは面内磁気異方性を示し、所定温度Ts以上で垂直磁
気異方性を示す。
第6磁性層9、第2磁性層4、第3磁性層5、および第
4磁性層6の各磁化状態を示し、横軸は温度を示す。各
層は、希土類遷移金属合金であるため、トータル磁化
と、希土類金属・遷移金属それぞれの副格子磁化とがあ
るが、矢印は各層の遷移金属の副格子磁化αの向きを示
す。
5、および第4磁性層6の各磁化状態は、図3に示す実
施の形態1に係る光磁気ディスクの記録過程と同様であ
るため、説明は省略する。また、第5磁性層8の磁化状
態は実施の形態2の場合と同じであり、第6磁性層9の
磁化状態は実施の形態4の場合と同じである。このため
説明は省略する。
光磁気ディスクのサンプル#6は、前記サンプル#1の
透明誘電体層2と第1磁性層3との間に第5磁性層8を
30nm有しており、第1磁性層3と第2磁性層4との
間に第6磁性層9を40nm有しており、サンプル#1
の製法と同じ製法で作製された。
2と同じであり、第6磁性層9は実施の形態4と同じで
ある。
Hw=32kA/m、Ph=9mW、Pl=4mW、P
r=1mW、記録ビット長=0.64μmにて記録を行
ったところ、消し残りのない光変調オーバーライトがで
き、信号対雑音比(C/N)は46.5dBと良好であ
った。サンプル#1の記録条件が、Hw=40kA/
m、Ph=10mW、Pl=6mWであることを考慮す
ると、サンプル#1よりも記録感度が向上した。これ
は、第1磁性層3と第2磁性層4との間に第6磁性層9
を挿入したことにより、光変調オーバーライトが円滑に
行われたためと考えられる。さらに、サンプル#1のC
/Nが45dBであることを考慮すると、サンプル#1
よりも信号品質が向上した。これは、Tc5>Tc1に
設定したので、カー回転角が大きくなったためと考えら
れる。
て、サンプル#1〜#6の基板1としてガラスを用いた
が、これ以外にも、化学強化されたガラス、これらのガ
ラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる
2P層付ガラス基板、ポリカーボネイト(PC)、ポリ
メチルメタクリレート(PMMA)、アモルファスポリ
オレフィン(APO)、ポリスチレン(PS)、ポリ塩
化ビフェニール(PVC)、エポキシ等の基板1を使用
することが可能である。
nmに限定されるものではない。透明誘電体層2の膜厚
は、光磁気ディスクを再生する際、第1磁性層3あるい
は第5磁性層8からの極カー回転角を光の干渉効果を利
用して増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメント
を考慮して決定される。再生時のC/Nをできるだけ大
きくさせるためには、極カー回転角を大きくさせること
が必要であり、このため、透明誘電体層2の膜厚は、極
カー回転角が大きくなるように設定される。
ンハンスメントだけでなく、保護層7とともに、第1磁
性層3〜第4磁性層6あるいは第5磁性層8、第6磁性
層9の希土類金属−遷移金属合金磁性層の酸化を防止す
る役割がある。
てN2 ガスもしくはArとN2 との混合ガスを導入して
反応性DC(直流電源)スパッタリングを行うことが可
能であり、RF(高周波)スパッタに比べて成膜速度が
大きい点でも有利である。
は、SiN、AlSiN、AlTaN、SiAlON、
TiN、TiON、BN、ZnS、TiO2 、BaTi
O3、SrTiO3 等が好適である。このうち、特に、
SiN、AlSiN、AlTaN、TiN、BN、Zn
Sは、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気
ディスクを提供することができる。
磁性層8、第6磁性層9の希土類金属−遷移金属合金磁
性の材料、組成は、上記の材料、組成に限定されるもの
ではない。第1磁性層3〜第4磁性層6あるいは第5磁
性層8、第6磁性層9の材料として、Gd、Tb、D
y、Ho、Ndから選ばれた少なくとも1種の希土類金
属とFe、Coから選ばれた少なくとも1種の遷移金属
からなる合金を使用しても、同様の効果が得られる。
e、Ni、Ti、Pt、Rh、Cuのうち少なくとも1
種類の元素を添加すると、第1磁性層3〜第4磁性層6
あるいは第5磁性層8、第6磁性層9の自体の耐環境性
が向上する。すなわち、水分、酸素侵入による酸化によ
る特性の劣化を少なくし、長期信頼性に優れた光磁気デ
ィスクを提供することができる。
磁性層8、第6磁性層9の希土類金属−遷移金属合金磁
性の膜厚は、その材料、組成との兼ね合いで決まるもの
であり、上記膜厚に限定されるものではない。
では80nmとしたが、これに限定するものではない。
保護層7の膜厚の範囲としては、1〜200nmが好適
である。
熱伝導率が、光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光はそのほとんどが、透明誘電体層2
を通過し、吸収膜である第1磁性層3〜第4磁性層6あ
るいは第5磁性層8、第6磁性層9に吸収されて、熱に
変わる。このとき、第1磁性層3〜第4磁性層6あるい
は第5磁性層8、第6磁性層9の熱が透明誘電体層2、
保護層7に熱伝導により移動する。したがって、透明誘
電体層2、保護層7の熱伝導率および熱容量(比熱)が
記録感度に影響を及ぼす。
保護層7の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる(低いレーザパワーで記
録消去が行える)目的であれば保護層7の膜厚を薄くす
れば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため、記録感度
はある程度高いほうが有利であり、保護層7の膜厚は薄
いほうが良い。
れるので、保護層7として用いた場合、膜厚を薄くする
ことができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供する
ことができる。本実施の形態では、保護層7を透明誘電
体層2と同じくAlNとすることで、耐湿性に優れた光
磁気ディスクを提供でき、かつ保護層7と透明誘電体層
2とを同じ材料で形成することで、生産性も向上させる
ことができる。
外に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘電
体層2の材料として用いられる、SiN、AlSiN、
AlTaN、SiAlON、TiN、TiON、BN、
ZnS、TiO2 、BaTiO3 、SrTiO3 等が好
適である。このうち、特に、SiN、AlSiN、Al
TaN、TiN、BN、ZnSは、その成分に酸素を含
まず、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することが
できる。
一般に片面ディスクと呼ばれる。透明誘電体層2、第1
磁性層3〜第4磁性層6あるいは第5磁性層8、第6磁
性層9、保護層7の薄膜部分を総じて記録媒体層と称す
ることにすると、片面タイプの光磁気ディスクは、基板
1、記録媒体層、オーバーコート層の構造となる。
形成したものを2枚、記録媒体層が対向するように接着
層で接着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれて
いる。接着層の材料はポリウレタンアクリレート系接着
剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱および嫌気性の
3タイプの硬化機能が組み合わされたものであり、紫外
線が透過しない記録媒体の影になる部分の硬化が、熱お
よび嫌気性硬化機能により硬化されるという利点を持っ
ており、極めて高い耐湿性を有し長期安定性に極めて優
れた光磁気ディスクを提供することができる。
厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求される記録
再生装置に有利である。両面タイプは、両面再生が可能
なため、例えば大容量を要求される記録再生装置に有利
である。
して光磁気ディスクを例に説明したが、光磁気テープ、
光磁気カードにも本発明を応用できる。
録媒体は、室温からキュリー点まで垂直磁化を示し、そ
れぞれキュリー点としてTc1、Tc2、Tc4を有す
る第1、第2、第4磁性層がこの順に積層されており、
室温以上Tc1以下で、第2磁性層の磁化の向きが交換
力によって第1磁性層へ転写されるとともに、室温以上
Tc4以下の所定の温度範囲Rで、第4磁性層の磁化が
交換力によって第2磁性層へ転写される一方、第2磁性
層の磁化は第1磁性層へ転写されない光磁気記録媒体に
おいて、第2および第4磁性層がフェリ磁性体の希土類
遷移金属合金からなり、室温<Tc4<Tc1<Tc2
であり、遷移金属および希土類金属の各副格子磁化のう
ち、一方をα、もう一方をβとすると、第2磁性層は、
Tc1以上Tc2以下でαがβより優勢であり、第4磁
性層は、室温からTc4までβがαより優勢である構成
である。
しながら、工場からの出荷前や記録の前に大きな磁界あ
るいは高レーザパワーによって磁性層の磁化を一方向に
揃える必要をなくし、光磁気記録媒体やこの媒体に記録
する装置の製造コストの増大を抑えることができるとい
う効果を奏する。
向きが乱れた場合にも、光変調オーバーライトが可能に
なるという効果を奏する。
1の構成に加えて、第2磁性層と第4磁性層との間に、
室温からキュリー点Tc3まで垂直磁化を示し、室温<
Tc3<Tc4であり、上記温度範囲Rが室温以上Tc
3以下であり、上記温度範囲Rで、第4磁性層の磁化が
交換力によって転写されるとともに、交換力によって磁
化を第2磁性層へ転写する第3磁性層が積層されている
構成である。
に加えて、第1磁性層の材料の範囲を広くすることがで
きるという効果を奏する。
1または2の構成に加えて、第2磁性層では、室温で希
土類金属の副格子磁化が遷移金属の副格子磁化より優勢
であり、Tc2以下で遷移金属の副格子磁化が希土類金
属の副格子磁化より優勢であり、第4磁性層では、室温
からTc4まで希土類金属の副格子磁化が遷移金属の副
格子磁化より優勢である構成である。
効果に加えて、光磁気記録媒体の材料の範囲を広げるこ
とができ、また、媒体に記録する装置の製造コストの増
大をさらに抑えることができるという効果を奏する。
1、2または3の構成に加えて、第1磁性層の、第2磁
性層が形成されている側と反対の側に、第1磁性層のキ
ュリー点Tc1よりも高いキュリー点Tc5を有する第
5磁性層が積層されている構成である。
よる効果に加えて、信号品質を向上することができると
いう効果を奏する。
1ないし4のいずれかの構成に加えて、第1磁性層と第
2磁性層との間に、室温で面内磁化を示し、Tc1近傍
で垂直磁化を示す第6磁性層が積層されている構成であ
る。
効果に加えて、高品位に光変調オーバーライトを行うこ
とができるという効果を奏する。
請求項1ないし5のいずれかに記載の光磁気記録媒体を
用い、Tc1以下のときの第2磁性層の保磁力より小さ
い記録磁界Hwを印加しながら、Tc1近傍に加熱する
低レベルの光ビームを照射するロープロセスおよび、T
c2近傍以上に加熱する高レベルの光ビームを照射する
ハイプロセスを行う方法である。
しながら、工場からの出荷前や記録の前に大きな磁界あ
るいは高レーザパワーによって磁性層の磁化を一方向に
揃える必要をなくし、光磁気記録媒体やこの媒体に記録
する装置の製造コストの増大を抑えることができるとい
う効果を奏する。
向きが乱れた場合にも、光変調オーバーライトが可能に
なるという効果を奏する。
説明図である。
4磁性層の保磁力の温度依存性を示すグラフである。
説明するための、第1磁性層〜第4磁性層の各磁気状態
を表す説明図である。
す説明図である。
磁力の温度依存性を示すグラフである。
説明するための、第1磁性層〜第5磁性層の各磁気状態
を表す説明図である。
例を示す説明図である。
磁力の温度依存性を示すグラフである。
説明するための、第1磁性層〜第5磁性層の各磁気状態
を表す説明図である。
成例を示す説明図である。
の保磁力の温度依存性を示すグラフである。
スを説明するための、第1磁性層〜第4磁性層、第6磁
性層の各磁気状態を表す説明図である。
成例を示す説明図である。
および第6磁性層の保磁力の温度依存性を示すグラフで
ある。
スを説明するための、第1磁性層〜第6磁性層の各磁気
状態を表す説明図である。
である。
第4磁性層の保磁力の温度依存性を示すグラフである。
を説明するための、第1磁性層〜第4磁性層の各磁気状
態を表す説明図である。
Claims (6)
- 【請求項1】室温からキュリー点まで垂直磁化を示し、
それぞれキュリー点としてTc1、Tc2、Tc4を有
する第1、第2、第4磁性層がこの順に積層されてお
り、室温以上Tc1以下で、第2磁性層の磁化の向きが
交換力によって第1磁性層へ転写されるとともに、室温
以上Tc4以下の所定の温度範囲Rで、第4磁性層の磁
化が交換力によって第2磁性層へ転写される一方、第2
磁性層の磁化は第1磁性層へ転写されない光磁気記録媒
体において、 第2および第4磁性層がフェリ磁性体の希土類遷移金属
合金からなり、 室温<Tc4<Tc1<Tc2であり、 遷移金属および希土類金属の各副格子磁化のうち、一方
をα、もう一方をβとすると、第2磁性層は、Tc1以
上Tc2以下でαがβより優勢であり、第4磁性層は、
室温からTc4までβがαより優勢であることを特徴と
する光磁気記録媒体。 - 【請求項2】第2磁性層と第4磁性層との間に、 室温からキュリー点Tc3まで垂直磁化を示し、 室温<Tc3<Tc4であり、 上記温度範囲Rが室温以上Tc3以下であり、 上記温度範囲Rで、第4磁性層の磁化が交換力によって
転写されるとともに、交換力によって磁化を第2磁性層
へ転写する第3磁性層が積層されていることを特徴とす
る請求項1記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項3】第2磁性層では、室温で希土類金属の副格
子磁化が遷移金属の副格子磁化より優勢であり、Tc2
以下で遷移金属の副格子磁化が希土類金属の副格子磁化
より優勢であり、 第4磁性層では、室温からTc4まで希土類金属の副格
子磁化が遷移金属の副格子磁化より優勢であることを特
徴とする請求項1または2記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項4】第1磁性層の、第2磁性層が形成されてい
る側と反対の側に、第1磁性層のキュリー点Tc1より
も高いキュリー点Tc5を有する第5磁性層が積層され
ていることを特徴とする請求項1、2または3記載の光
磁気記録媒体。 - 【請求項5】第1磁性層と第2磁性層との間に、室温で
面内磁化を示し、Tc1近傍で垂直磁化を示す第6磁性
層が積層されていることを特徴とする請求項1ないし4
のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項6】請求項1ないし5のいずれかに記載の光磁
気記録媒体を用い、Tc1以下のときの第2磁性層の保
磁力より小さい記録磁界Hwを印加しながら、Tc1近
傍に加熱する低レベルの光ビームを照射するロープロセ
スおよび、Tc2近傍以上に加熱する高レベルの光ビー
ムを照射するハイプロセスを行うことを特徴とする光磁
気記録方法。
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