DE19652446B4 - Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem - Google Patents

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Abstract

Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem mit:
einer ersten Magnetschicht (3), einer zweiten Magnetschicht (4), einer dritten Magnetschicht (5) und einer vierten Magnetschicht (6), die jeweils Curie-Punkte mit Temperaturen Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 haben und eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis zu ihren Curie-Punkten Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 aufweisen, wobei die erste, zweite, dritte und vierte Magnetschicht (3, 4, 5, 6) in dieser Reihenfolge auf einem Substrat (1) angeordnet sind, wobei:
die Richtung der Magnetisierung der zweiten Magnetschicht (4) auf die erste Magnetschicht (3) durch eine Austauschkraft bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc1 kopiert wird,
die Richtung der Magnetisierung der vierten Magnetschicht (6) auf die dritte Magnetschicht (5) durch eine Austauschkraft kopiert wird, und die Magnetisierung der dritten Magnetschicht (5) auf die zweite Magnetschicht (4) durch eine Austauschkraft in einem vorbestimmten Temperaturbereich R zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc3 kopiert wird, jedoch die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem (im folgenden auch ”Aufzeichnungsmedium” genannt), das für optische Platten, optische Karten und dergl. verwendbar ist, um optisch wenigstens ein Aufzeichnen, Wiedergeben oder Löschen von Information durchzuführen.
  • Ein magnetooptisches Aufzeichnungssystem verwendet ein Aufzeichnungsmedium, das durch Auftragen oder Abscheiden eines senkrecht magnetisierten Filmes aus einem magnetischen Material auf einem Substrat gebildet ist, und führt Aufzeichnungs- und Wiedergabeoperationen in der unten beschriebenen Weise durch.
  • Um ein Aufzeichnen vorzunehmen, wird das Aufzeichnungsmedium durch beispielsweise ein starkes externes Magnetfeld initialisiert, und die Magnetisierungsrichtung ist in eine Richtung (Aufwär oder Abwärtsrichtung) ausgerichtet. Danach wird ein gewünschter Aufzeichnungsbereich mit einem Laserstrahl bestrahlt, um die Temperatur des Mediums in dem Bereich bis wenigstens nahe zu dessen Curie-Punkt oder einem Kompensationspunkt anzuheben, so dass die Koerzitivkraft (Hc) in den Bereich Null kommt oder im wesentlichen Null wird. Danach wird ein externes Magnetfeld (Vorspannmagnetfeld) entgegengesetzt zu der initialisierten Magnetisierungsrichtung angelegt, um die Magnetisierungsrichtung umzukehren. Wenn die Bestrahlung durch den Laserstrahl unterbrochen wird, kehrt das Aufzeichnungsmedium zu einer gewöhnlichen Temperatur zurück, und die umgekehrte Magnetisierung wird festgelegt. Somit ist Information thermomagnetisch aufgezeichnet.
  • Um eine Wiedergabe durchzuführen, wird das Aufzeichnungsmedium mit einem linear polarisierten Laserstrahl bestrahlt, und Information wird optisch mittels der Erscheinung gelesen, dass die Polarisationsebene des von dem Aufzeichnungsmedium reflektierten oder durch dieses durchgelassenen Lichtes gedreht ist (Kerr-Magneteffekt und Faraday-Magneteffekt).
  • Das magnetooptische Aufzeichnungssystem ist insbesondere ein wiedereinschreibbares Speicherelement grosser Kapazität. Als ein System zum Wiederverwenden (Wiedereinschreiben) des Aufzeichnungsmediums wurde ein sog. überschreibbares Medium mit Lichtstärkemodulation vorgeschlagen. Das überschreibbare Medium mit Lichtstärkemodulation ermöglicht ein Überschreiben durch Verwenden eines austauschgekoppelten zweilagigen Filmes, eines Initialisierungsmagnetfeldes (Hi) und eines Aufzeichnungsmagnetfeldes (Hb) und durch Durchführen einer Lichtstärkemodulation. Weiterhin wurde auch ein überschreib bares Medium mit Lichtstärkemodulation gemäß einem anderen Typ angeregt. Dieses überschreibbare Medium mit Lichtstärkemodulation umfaßt einen austauschgekoppelten vierlagigen Film und führt ein Überschreiben ohne Verwenden eines Initialisierungsmagnetfeldes (Hi) durch.
  • Anhand der 16 bis 18 wird im folgenden kurz der Vorgang eines Überschreibens mit Lichtstärkemodulation mittels eines überschreibbaren Mediums mit Lichtstärkemodulation erläutert, das den austauschgekoppelten, vierlagigen Film umfaßt und kein Initialisierungsmagnetfeld Hi benötigt.
  • Wie in 16 veranschaulicht ist, umfaßt das überschreibbare Medium mit Lichtstärkemodulation eine erste Magnetschicht 13, eine zweite Magnetschicht 14, eine dritte Magnetschicht 15 und eine vierte Magnetschicht 16. Die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivkräfte dieser Magnetschichten ist in 17 veranschaulicht.
  • Im folgenden werden die Änderungen im Magnetisierungszustand jeder Magnetschicht anhand der 18 erläutert. Die Pfeile in 18 zeigen die Magnetisierungsrichtung eines Übergangsmetalles.
  • Bei Raumtemperatur wird Information abhängig davon aufgezeichnet, ob die Magnetisierungsrichtung der ersten Magnetschicht 13 aufwärts ”Null” (Zustand S71) oder abwärts ”Eins” (Zustand S77) ist. Die Magnetisierung der vierten Magnetschicht 16 ist immer in einer Richtung orientiert (Aufwärts-Richtung in 18), und die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht 14 ist in der gleichen Richtung wie diejenige der vierten Magnetschicht 16 über die dritte Magnetschicht 15 orientiert.
  • Ein Aufzeichnen wird durchgeführt, indem ein Laserlicht ein gestrahlt wird, dessen Stärke auf eine hohe Leistung oder eine niedrige Leistung moduliert wurde, während das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw anliegt.
  • Die hohe Leistung und die niedrige Leistung sind so eingestellt, daß das Medium auf eine Temperatur nahe bei dem Curie-Punkt Tc2 der zweiten Magnetschicht 14 (Zustand S74) erwärmt wird, wenn Laserlicht von hoher Leistung eingestrahlt wird, und auf eine Temperatur nahe dem Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 13 (Zustand S73) erwärmt wird, wenn Laserlicht von niedriger Leistung eingestrahlt wird.
  • Wenn daher das Laserlicht von hoher Leistung eingestrahlt wird, wird die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht 14 in eine Abwärtsrichtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw geschaltet (Zustand S75) und auf die erste Magnetschicht 13 durch eine Austauschkraft kopiert, die auf die Zwischenfläche während eines Abkühlprozesses einwirkt (Zustand S76). Dann wird die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht 14 in der gleichen Richtung wie diejenige der vierten Magnetschicht 16 ausgerichtet (Zustand S77). Als Ergebnis zeigt die erste Magnetschicht 13 die Abwärts-Magnetisierungsrichtung ”1”.
  • Wenn andererseits das Laserlicht niedriger Leistung einstrahlt, wird die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht 14 nicht durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw geschaltet, da dessen Koerzitivkraft stärker als das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ist (Zustand S73). Ähnlich zu dem obigen Fall ist die Magnetisierungsrichtung der ersten Magnetschicht 13 mit der Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht 14 durch die Austauschkraft ausgerichtet, die auf die Zwischenfläche während des Abkühlprozesses einwirkt (Zustand S72). Daher zeigt die erste Magnetschicht 13 die Aufwärts-Magnetisierungsrichtung ”0” (Zustand S71).
  • Die für die Wiedergabe verwendete Laserleistung wird auf einen Pegel eingestellt, der viel niedriger als die niedrige Leistung zum Aufzeichnen ist.
  • Somit verwendet die oben erwähnte herkömmliche Technik einen austauschgekoppelten, vierlagigen Film und liefert ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, das durch eine Lichtstärkemodulation überschreibbar ist, ohne das Initialisierungsmagnetfeld Hi zu benötigen, und das stabile Aufzeichnungsbits zu erzielen vermag.
  • Bei dieser herkömmlichen Technik ist es jedoch notwendig, die Magnetisierung der vierten Magnetschicht 16 in einer Richtung mittels eines starken Magnetfeldes oder einer hohen Laserleistung vor einem Versand aus Herstellungsstätten oder vor einem Aufzeichnen auszurichten. Folglich unterliegt die herkömmliche Technik dem Nachteil, daß die Kosten zum Herstellen des magnetooptischen Aufzeichnungsmediums und einer Vorrichtung zum Aufzeichnen von Information auf dem Medium ansteigen.
  • Wenn darüber hinaus die Magnetisierungsrichtung der vierten Magnetschicht 16, die in eine Richtung ausgerichtet wurde, aus irgendeinem Grund gestört wird, kann ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation nicht ausgeführt werden.
  • Im einzelnen ist aus der EP 0 658 890 A2 ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit drei oder mehr magnetischen Schichten mit Curie-Punkten Tc1, Tc2, Tc3 usw. bekannt. Für diese Curie-Punkte gilt: Tc1 > Tc2, Tc2 < Tc3. Damit soll es möglich sein, die Aufzeichnungsdichte zu steigern, ohne den Rauschabstand zu vermindern.
  • Schließlich ist aus der EP 382 859 A1 ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium bekannt, bei dem vier Magnetschichten vorhanden sind, welche durch Austauschkräfte miteinander gekoppelt sind. Die Curie-Punkte dieser Schichten stehen in der Beziehung Tc4 < Tc1 < Tc2.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem zu schaffen, das ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation zu erzielen, die Notwendigkeit der Orientierung der Magnetisierung der Magnetschichten in einer Richtung mittels eines großen Magnetfeldes (Initialisierungsmagnetfeldes) oder hoher Laserleistung vor einem Versand aus Herstellungsstätten oder vor einem Aufzeichnen auszuschließen und eine Steigerung in seinen Herstellungskosten zu reduzieren vermag.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die vorliegende Erfindung ein magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 bzw. 5 vor.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Ein erstes erfindungsgemäßes magnetooptisches Aufzeichnungsmedium umfaßt insbesondere eine erste Magnetschicht, eine zweite Magnetschicht und eine vierte Magnetschicht mit jeweils Curie-Punkten Tc1, Tc2 und Tc4 und mit einer senkrechten Magnetisierung von Raumtemperaturen Tc1, Tc2 und Tc4, wobei die ersten, zweiten und vierten Magnetschichten in dieser Reihenfolge angeordnet sind, die Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht auf die erste Magnetschicht durch eine Austauschkraft bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc1 kopiert ist, die Magnetisierungsrichtung der vierten Magnetschicht auf die zweite Magnetschicht durch eine Austauschkraft kopiert ist, jedoch die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht nicht auf die erste Magnetschicht in einem vorbestimmten Temperaturbereich R zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc4 kopiert ist, wobei die Raumtemperatur und die Temperaturen Tc1, Tc2 und Tc4 in folgender Beziehung stehen: Raumtemperatur < Tc4 < Tc1 < Tc2.
  • Ein zweites erfindungsgemäßes magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem beruht auf dem ersten magnetooptischen Aufzeichnungs medium und zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass die zweiten und vierten Magnetschichten aus Legierungen aus Seltenerdmetall und Übergangsmetall als ferrimagnetischen Materialien hergestellt sind, wobei, falls eine Untergittermagnetisierung von einem Material aus dem Übergangsmetall und dem Seltenerdmetall mit alpha und von dem anderen Material mit beta bezeichnet wird, alpha stärker als beta in der zweiten Magnetschicht bei Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2 und beta stärker als alpha in der vierten Magnetschicht bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und Tc4 ist.
  • Ein magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren verwendet das erfindungsgemässe magnetooptische Aufzeichnungsschichtsystem und zeichnet sich dadurch aus, dass ein niedriger Prozess des Bestrahlens mit einem Lichtstrahl eines niedrigen Pegels zum Erwärmen des magnetooptischen Aufzeichnungsschichtsystem auf eine Temperatur nahe Tc1 und ein hoher Prozess des Bestrahlens mit einem Lichtstrahl eines hohen Pegels zum Erwärmen des magnetooptischen Aufzeichnungsschichtsystem auf wenigstens eine Temperatur nahe bei Tc2 durchgeführt werden, während ein Aufzeichnungsmagnetfeld Hw, das kleiner als die Koerzitivkraft der zweiten Magnetschicht bei einer Temperatur unter Tc1 ist, anliegt.
  • Bei dieser Struktur und diesem Verfahren wird ein Aufzeichnen gemäss dem folgenden niederen Prozess und hohen Prozess zum Bestrahlen mit Lichtstrahlen von zwei Stärkepegeln, einem hohen Pegel und einem niedrigen Pegel, durchgeführt. Wenn hier in den Aufwärts- und Abwärtsrichtungen senkrecht zu den jeweiligen Schichten die Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht vor einer Erwärmung mit A und die entgegengesetzte Richtung mit B bezeichnet werden, so liegt das Aufzeichnungsmagnetfeld Hew in der B-Richtung an.
  • Der niedere Prozess wird wie folgt durchgeführt.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen nahe Tc1 erwärmt, um die Magnetisierung von jeder der ersten und vierten Magnetschicht zu löschen. Da zu dieser Zeit die Koerzitivkraft der zweiten Magnetschicht größer als das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ist, wird die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht nicht umgekehrt. Da darüber hinaus α stärker als β in der zweiten Magnetschicht ist, ist α in der A-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen zwischen Tc4 und Tc1 abgekühlt, um die Richtung jeder Untergittermagnetisierung der zweiten Magnetschicht auf die erste Magnetschicht durch die Austauschkraft zu kopieren. Als Ergebnis ist in der ersten Magnetschicht α in der A-Richtung orientiert, und β ist in der B-Richtung orientiert.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen in dem oben erwähnten Temperaturbereich R herabgekühlt, um die Magnetisierung der vierten Magnetschicht in der B-Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw auszurichten. Da zu dieser Zeit β stärker als α in der vierten Magnetschicht ist, wird β in der B-Richtung ausgerichtet.
  • Der hohe Prozeß wird wie folgt durchgeführt.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen nahe Tc2 erwärmt, um die Magnetisierung von allen Magnetschichten zu löschen.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2 herabgekühlt. Da im Gegensatz zu dem niederen Prozeß die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht zeitweise gelöscht wurde, ist die Richtung der zweiten Magnetschicht in die B-Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ausgerichtet. Da zu dieser Zeit α stärker als β in der zweiten Magnetschicht ist, ist α in der B-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen zwischen Tc4 und Tc1 herabgekühlt, um jede Untergittermagnetisierung der zweiten Magnetschicht auf die erste Magnetschicht durch die Austauschkraft zu kopieren. Als ein Ergebnis ist in der ersten Magnetschicht α in der B-Richtung orientiert, und β ist in der A-Richtung orientiert.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen in dem oben erwähnten Temperaturbereich R herabgekühlt, um die Magnetisierung der vierten Magnetschicht in der B-Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw auszurichten. Da zu dieser Zeit β stärker als α in der vierten Magnetschicht ist, ist β in der B-Richtung ausgerichtet. Jede Untergittermagnetisierung der vierten Magnetschicht wird auf die zweite Magnetschicht durch die Austauschkraft kopiert. Als ein Ergebnis ist in der zweiten Magnetschicht α in der A-Richtung ausgerichtet, und β ist wie die vierte Magnetschicht in der B-Richtung ausgerichtet. Somit ist die Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht initialisiert. Zu dieser Zeit wird jede Untergittermagnetisierung der zweiten Magnetschicht nicht auf die erste Magnetschicht durch die Austauschkraft kopiert.
  • Wie oben erläutert wurde, ist durch den niederen Prozeß in der ersten Magnetschicht α in der A-Richtung ausgerichtet, und β ist in der B-Richtung ausgerichtet. Wenn dagegen der hohe Prozeß durchgeführt wird, ist α in der B-Richtung ausgerichtet, und β ist in der A-Richtung in der ersten Magnetschicht ausgerichtet. Insbesondere kann ein Überschreiben mit Lichtstärke durchgeführt werden.
  • Wie aus den obigen Erläuterungen folgt, kann die Magnetisierung der vierten Magnetschicht in einer vorbestimmten einen Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ausgerichtet, d. h. initialisiert werden, bevor die Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht initialisiert wird. Das heisst, selbst wenn die Magnetisierung der vierten Magnetschicht zeitweise mit einem Temperaturanstieg gelöscht wird, wird die Anfangsmagnetisierungsrichtung vor der Initialisierung der Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht wieder hergestellt.
  • Daher kann die Magnetisierungsrichtung der vierten Magnetschicht durch ein Aufzeichnungsmagnetfeld, das ein kleines Magnetfeld zum Aufzeichnen ist, ohne ein grosses Magnetfeld wie ein herkömmliches Initialisierungsmagnetfeld zu verwenden, und durch eine Lichtstrahlleistung, die schwächer als eine herkömmliche Leistung ist, gesteuert werden.
  • Demgemäss ist es möglich, ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation zu erzielen, die Notwendigkeit einer Orientierung der Magnetisierung der Magnetschichten in einer Richtung mittels eines grossen Magnetfeldes (eines Initialisierungsmagnetfeldes) oder einer hohen Laserleistung vor einem Versand aus Herstellungsstätten oder vor einem Aufzeichnen auszuschliessen und eine Steigerung in den Herstellungskosten des magnetooptischen Aufzeichnungsschichtsystems und einer Vorrichtung zum Aufzeichnen von Information auf dem magnetooptischen Medium zu vermindern.
  • Wenn darüber hinaus die Magnetisierungsrichtung der vierten Magnetschicht aus irgendwelchen Gründen gestört ist, ist es möglich, ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation durchzuführen.
  • Zusätzlich zu der oben erwähnten ersten Struktur zeichnet sich das erfindungsgemässe magnetooptische Aufzeichnungsschichtsystem dadurch aus, dass eine dritte Magnetschicht zwischen der zweiten Magnetschicht und der vierten Magnetschicht vorgesehen ist, wobei die dritte Magnetschicht eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis zu ihrem Curie-Punkt Tc3 zeigt, wobei Tc3 in folgender Beziehung zur Raumtemperatur und zur Temperatur Tc4 steht: Raumtemperatur < Tc3 < Tc4, wobei ein Temperaturbereich R ein Bereich zwischen Raumtemperatur und Tc3 ist und die Magnetisierung der vierten Magnetschicht auf die dritte Magnetschicht durch eine Austauschkraft und die Magnetisierung der dritten Magnetschicht auf die zweite Magnetschicht durch eine Austauschkraft im Temperaturbereich R kopiert werden.
  • Bei dieser Struktur wird ähnlich wie bei der ersten Struktur ein Aufzeichnen gemäss dem folgenden niederen Prozess bzw. hohen Prozess durch Einstrahlen von Lichtstrahlen von zwei Stärkepegeln, einem hohen Pegel und einem niederen Pegel, durchgeführt. Wenn hier ähnlich wie bei den obigen Erläuterungen in den Aufwärts- und Abwärtsrichtungen senkrecht zu den jeweiligen Schichten die Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht vor einer Erwärmung mit A und die entgegengesetzt Richtung mit B bezeichnet werden, so liegt das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw in der B-Richtung an.
  • Der niedere Prozess wird wie folgt durchgeführt.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen nahe Tc1 erwärmt, um die Magnetisierung von jeder der ersten, dritten und vierten Magnetschichten zu löschen. Da zu dieser Zeit die Koerzitivkraft der zweiten Magnetschicht grösser als das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ist, wird die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht nicht umgekehrt. Da jedoch α stärker als β in der zweiten Magnetschicht ist, ist α in der A-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen zwischen Tc4 und Tc1 herabgekühlt, um die Richtung jeder Untergittermagnetisierung der zweiten Magnetschicht auf die erste Magnetschicht durch die Austauschkraft zu kopieren. Als ein Ergebnis ist in der ersten Magnetschicht α in der A-Richtung ausgerichtet, und Z ist in der B-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen zwischen Tc3 und Tc4 herabgekühlt, um die Magnetisierung der vierten Magnetschicht in der B-Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw auszurichten. Da zu dieser Zeit β stärker als α in der vierten Magnetschicht ist, ist β in der B-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden herab auf Temperaturen unter Tc3 gekühlt, um jede Untergittermagnetisierung der vierten Magnetschicht auf die dritte Magnetschicht durch die Austauschkraft zu kopieren.
  • Der hohe Prozeß wird wie folgt durchgeführt.
  • Die jeweiligen Schichten werden auf Temperaturen nahe Tc2 erwärmt, um die Magnetisierung von allen Magnetschichten zu löschen.
  • Die jeweiligen Schichten werden herab auf Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2 gekühlt. Da die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht zeitweise im Gegensatz zu dem niederen Prozeß gelöscht wurde, ist die Richtung der zweiten Magnetschicht in der B-Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ausgerichtet. Da zu dieser Zeit α stärker als β in der zweiten Magnetschicht ist, ist α in der B-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden herab auf Temperaturen zwischen Tc4 und Tc1 gekühlt, um jede Untergittermagnetisierung der zweiten Magnetschicht auf die erste Magnetschicht zu kopieren. Als ein Ergebnis ist in der ersten Magnetschicht α in der B-Richtung ausgerichtet, und β ist in der A-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden herab auf Temperaturen zwischen Tc3 und Tc4 gekühlt, um die Magnetisierung der vierten Magnetschicht in der B-Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw auszurichten. Da zu dieser Zeit β stärker als α in der vierten Magnetschicht ist, ist β in der B-Richtung ausgerichtet.
  • Die jeweiligen Schichten werden herab auf Temperaturen unter Tc3 gekühlt, um jede Untergittermagnetisierung der vierten Magnetschicht auf die dritte Magnetschicht durch die Austauschkraft zu kopieren. Jede Untergittermagnetisierung der dritten Magnetschicht wird auf die zweite Magnetschicht durch die Austauschkraft kopiert. Daher ist in der zweiten Magnetschicht α in der A-Richtung ausgerichtet, und β ist in der B-Richtung wie die vierte Magnetschicht ausgerichtet. Somit wird die Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht initialisiert. Zu dieser Zeit ist jede Untergittermagnetisierung der zweiten Magnetschicht nicht auf die erste Magnetschicht durch die Austauschkraft kopiert.
  • Wie oben beschrieben wurde, ist ähnlich zu der erwähnten ersten Struktur in der ersten Magnetschicht α in der A-Richtung ausgerichtet, und β ist durch den niederen Prozeß in der B-Richtung ausgerichtet. Wenn dagegen der hohe Prozeß durchgeführt wird, ist α in der B-Richtung ausgerichtet, und β ist in der A-Richtung in der ersten Magnetschicht ausge richtet. Insbesondere kann ein Lichtstärke-Überschreiben durchgeführt werden.
  • Da darüber hinaus die dritte Magnetschicht zwischen der zweiten Magnetschicht und der vierten Magnetschicht vorgesehen ist, ist es möglich, wenn die Koerzitivkraft der ersten Magnetschicht nicht ausreichend stark in dem Temperaturbereich R während des Absenkens der Temperatur der Magnetschichten ist, e Kopieren der Magnetisierung der vierten Magnetschicht auf die erste Magnetschicht durch die zweite Magnetschicht mittels der Austauschkraft von der vierten Magnetschicht zu verhindern. Folglich kann die erste Magnetschicht aus einem weiteren Bereich von Materialien ausgewählt werden.
  • Zusätzlich zeichnet sich in der oben erwähnten ersten oder zweiten Struktur das magnetooptische Aufzeichnungsschichtsystem gemäss der vorliegenden Erfindung dadurch aus, dass die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles stärker als die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles bei Raumtemperatur ist, und die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetal ist stärker als die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles bei Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2 in der zweiten Magnetschicht, und die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles ist stärker als die Untergittermagnetisier des Übergangsmetalles bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und Tc4 in der vierten Magnetschicht.
  • Wenn bei dieser Struktur die Temperatur auf Raumtemperatur abgesenkt wird, ist, da die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles der vierten Magnetschicht in der B-Richtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ausgerichtet ist, die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles in der A-Richtung ausgerichtet. Daher wirken die vierte Magnetschicht in der Struktur von Patentanspruch 1 und die vierte und dritte Magnetschicht in der Struktur von Patentanspruch 6 zum Orientieren der Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht in der A-Richtung durch die Austauschkraft.
  • Dagegen wird das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw in einer Richtung ausgeübt, so dass die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht der B-Richtung ausgerichtet wird. Daher wirkt das Aufzeichnungsmagnetfeld zum Ausrichten der Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles der zweiten Magnetschicht in der B-Richtung. Mit anderen Worten, das Aufzeichnungsmagnetfeld bewirkt ein Orientieren der Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht in der A-Richtung.
  • Da so die obigen beiden Wirkungen kombiniert werden, werden die Anforderungen für das Aufzeichnungsmagnetfeld und die Magnetschichten abgeschwächt. Insbesondere ist es möglich, die Stärke des Aufzeichnungsmagnetfeldes und die Stärke der Austauschkräfte der vierten und dritten Magnetschichten, ausgeübt auf die zweite Magnetschicht, zu vermindern. Als Ergebnis könn die für die magnetooptische Platte verwendeten Materialien aus einem weiteren Bereich ausgewählt werden, und der Anstieg in den Herstellungskosten einer Vorrichtung zum Aufzeichnen von Information auf dem Medium kann weiter reduziert werden.
  • Zusätzlich zu der oben erwähnten ersten, zweiten oder dritten Struktur zeichnet sich das magnetooptische Aufzeichnungsmedium gemäss der vorliegenden Erfindung dadurch aus, dass eine fünfte Magnetschicht mit einem Curie-Punkt Tc5, der höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht ist, auf einer Seite der ersten Magnetschicht, entgegengesetzt z der Seite, worauf die zweite Magnetschicht vorgesehen ist, gebildet ist.
  • Da bei dieser Struktur der Curie-Punkt der fünften Magnetschicht höher als der Curie-Punkt der ersten Magnetschicht ist, wird der Kerr-Drehungswinkel grösser, wenn eine Wiedergabe durchgeführt wird. Als ein Ergebnis ist die Signalqualität verbessert.
  • Zusätzlich zu irgendeiner der oben erwähnten Strukturen zeichnet sich das magnetooptische Aufzeichnungsschichtsystem nach einer Weiterbildung der Erfindung dadurch aus, dass eine sechste Magnetschicht, die eine Magnetisierung in der Ebene bei Raumtemperatur und eine senkrechte Magnetisierung bei einer Temperatur nahe Tc1 aufweist, zwischen der ersten Magnetschicht und der zweiten Magnetschicht vorgesehen ist.
  • Da bei dieser Struktur die sechste Magnetschicht eine senkrechte Magnetisierung bei einer Temperatur nahe Tc1 zeigt, wird die Magnetisierung wirksam von der zweiten Magnetschicht auf die erste Magnetschicht kopiert. Da zusätzlich die sechste Magnetschicht eine Magnetisierung in der Ebene bei Raumtemperatur aufweist, wird die Magnetisierung der ersten Magnetschicht, die Information aufgezeichnet hat, nicht durch die Austauschkraft von der zweiten Magnetschicht bei Raumtemperatur beeinträchtigt. Es ist daher möglich, die Aufzeichnungsempfindlichkeit zu verbessern. Als ein Ergebnis kann ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation von hoher Qualität durchgeführt werden.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Darstellung eines Beispiels für die Struktur eines magnetooptischen Schichtsystems, im folgenden auch Platte genannt gemäss der vorliegenden Erfindung,
  • 2 einen Graphen, der die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivkräfte der ersten bis vierten Magnetschichten der in 1 gezeigten magnetooptischen Platte veranschaulicht,
  • 3 eine Darstellung, die die magnetischen Zustände der ersten bis vierten Magnetschichten zur Erläuterung des Aufzeichnungsprozesses auf der in 1 gezeigten magnetooptischen Platte veranschaulicht,
  • 4 eine Darstellung eines anderen Beispiels der Struktur einer magnetooptischen Platte gemäß der vorliegenden Erfindung,
  • 5 einen Graphen, der die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivkraft der fünften Magnetschicht der in 4 gezeigten magnetooptischen Platte veranschaulicht,
  • 6 eine Darstellung, die die magnetischen Zustände der ersten bis fünften Magnetschichten zur Erläuterung des Aufzeichnungsprozesses auf der in 4 gezeigten magnetooptischen Platte veranschaulicht,
  • 7 eine Darstellung eines anderen Beispiels für die Struktur der erfindungsgemäßen magnetooptischen Platte,
  • 8 einen Graphen, der die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivkraft der fünften Magnetschicht der in 7 gezeigten magnetooptischen Platte veranschaulicht,
  • 9 eine beispielhafte Darstellung für die magnetischen Zustände der ersten bis fünften Magnetschichten zur Erläuterung des Aufzeichnungsprozesses auf der in 7 gezeigten magnetooptischen Platte,
  • 10 eine beispielhafte Darstellung für ein anderes Beispiel der Struktur einer magnetooptischen Platte gemäß der vorliegenden Erfindung,
  • 11 einen Graphen, der die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivkraft der sechsten Magnetschicht der in 10 gezeigten magnetooptischen Platte veranschaulicht,
  • 12 eine Darstellung für die magnetischen Zustände der ersten bis vierten und sechsten Magnetschichten zur Erläuterung des Aufzeichnungsprozesses auf der in 10 gezeigten magnetooptischen Platte,
  • 13 eine Darstellung eines anderen Beispiels für die Struktur der erfindungsgemäßen magnetooptischen Platte,
  • 14 einen Graphen, der die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivkräfte der fünften und sechsten Magnetschichten der in 13 gezeigten magnetooptischen Platte veranschaulicht,
  • 15 eine Darstellung für die magnetischen Zustände der ersten bis sechsten Magnetschichten zur Erläuterung des Aufzeichnungsprozesses auf der in 13 gezeigten magnetooptischen Platte,
  • 16 eine Darstellung eines Beispiels für die Struktur einer herkömmlichen magnetooptischen Platte,
  • 17 einen Graphen, der die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivkräfte der ersten bis vierten Magnetschichten der herkömmlichen magnetooptischen Platte veranschaulicht, und
  • 18 eine Darstellung, die die magnetischen Zustände der ersten bis vierten Magnetschichten zur Erläuterung des Aufzeichnungsprozesses auf der herkömmlichen magnetooptischen Platte veranschaulicht.
  • Im folgenden wird ein erstes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung anhand der 1 bis 3 näher erläutert.
  • Wie in 1 gezeigt ist, umfaßt eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) dieses Ausführungsbeispiels eine transparente dielektrische Schicht 2, eine erste magnetische bzw. Magnetschicht 3, eine zweite magnetische bzw. Magnetschicht 4, eine dritte magnetische bzw. Magnetschicht 5, eine vierte magnetische bzw. Magnetschicht 6 und eine Schutzschicht 7, die in dieser Reihenfolge auf einem lichtdurchlässigen bzw. -übertragenden Substrat 1 ausgebildet sind. Tatsächlich wird ein (nicht gezeigter) Überzugfilm außerhalb der Schutzschicht 7 gebildet. Die erste Magnetschicht 3, die zweite Magnetschicht 4, die dritte Magnetschicht 5 und die vierte Magnetschicht 6 sind aus Legierungen von Seltenerdmetall und Übergangsmetall als ferrimagnetische Materialien hergestellt, in welchen die Magnetisierung des Seltenerdmetalles und diejenige des Übergangsmetalles antiparallel zueinander sind.
  • Wie in 2 gezeigt ist, hat die erste Magnetschicht 3 einen niedrigeren Curie-Punkt Tc1 und eine höhere Koerzitivkraft Hc1 bei Raumtemperatur im Vergleich mit der zweiten Magnetschicht 4 und zeigt eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis Tc1. Die Zusammensetzung der ersten Magnetschicht 3 ist derart, daß sie reich an Übergangsmetall bei Raumtemperatur ist.
  • Die zweite Magnetschicht 4 hat einen Curie-Punkt Tc2, der höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 3 ist, und zeigt eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis Tc2. Die Zusammensetzung der zweiten Magnetschicht 4 ist derart, daß sie reich an Seltenerdmetall bei Raumtemperatur ist und einen Kompensationspunkt zwischen Raumtemperatur und Tc2 aufweist, und daß sie reich an Übergangsmetall zwischen dem Kompensationspunkt und Tc2 ist.
  • Die dritte Magnetschicht 5 hat den niedrigsten Curie-Punkt Tc3 unter den ersten bis vierten Magnetschichten und zeigt eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis Tc3. Die Zusammensetzung der dritten Magnetschicht 5 ist derart, daß sie reich an Übergangsmetall bei Raumtemperatur ist.
  • Die vierte Magnetschicht 6 hat einen Curie-Punkt Tc4, der höher als Tc3 und niedriger als Tc1 ist, und zeigt eine senkrechte Magnetisierung zwischen Raumtemperatur und Tc4. Die Zusammensetzung der vierten Magnetschicht 6 ist derart, daß sie reich an Seltenerdmetall bei Raumtemperatur ist und keinen Kompensationspunkt zwischen Raumtemperatur und Tc4 aufweist.
  • Im folgenden wird der Aufzeichnungsprozeß bei diesem Ausführungsbeispiel anhand der 3 erläutert. 3 zeigt die Magnetisierungszustände der ersten Magnetschicht 2, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6. Die waagrechte Achse in 3 gibt die Temperatur an. Da jede Schicht durch eine Legierung von Seltenerdmetall und Übergangsmetall gebildet ist, liegen die Gesamtmagnetisierung, eine Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles und eine Untergittermagnetisierung β des Seltenerdmetalles vor. Die in 3 gezeigten Pfeile geben die Richtung der Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles jeder Schicht an.
  • Wenn ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation mittels einer derartigen magnetooptischen Platte durchgeführt wird, wird Information erneut mittels einer Überschreibtechnik eingeschrieben, bei welcher ein hoher Prozeß und ein niederer Prozeß wiederholt durchgeführt werden, indem die Stärke eines Lichtstrahles gemäß Information moduliert wird, während das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw auf einen Teil einwirkt, der mit dem Lichtstrahl bestrahlt ist. Bei dem hohen Prozeß wird der mit dem Lichtstrahl bestrahlte Teil auf eine Temperatur nahe Tc2 erwärmt. Bei dem niederen Prozeß wird der mit dem Lichtstrahl bestrahlte Teil auf eine Temperatur nahe Tc1 erwärmt.
  • Bei Raumtemperatur liegen zwei stabile Zustände, nämlich ”0” (Aufwärts-Magnetisierung) und ”1” (Abwärts-Magnetisierung) abhängig von der Richtung der Untergittermagnetisierung der ersten Magnetschicht 3 vor. Diese Zustände sind S1 und S7, wie dies in 3 gezeigt ist.
  • Im hohen Prozeß wird Laserlicht einer hohen Leistung (Ph) eingestrahlt. Als Ergebnis steigt die Temperatur des bestrahlten Teiles auf eine Temperatur nahe Tc2 an, und die Magnetisierungen in der ersten Magnetschicht 3, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6 werden Null. Zu dieser Zeit wird die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht 4 Null und ist dann in einer Abwärtsrichtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ausgerichtet. Da die zweite Magnetschicht 4 um diese Temperatur an Übergangsmetall reich ist, ist die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles in der Abwärtsrichtung ausgerichtet (S3, S4 und S5).
  • Wenn der mit dem Lichtstrahl bestrahlte Teil durch eine Drehung der magnetooptischen Platte herabgekühlt wird, zeigt die erste Magnetschicht 3 eine Magnetisierung. Zu dieser Zeit ist die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der ersten Magnetschicht 3 in einer Abwärtsrichtung ausgerichtet, d. h. in der Richtung der Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht 4, infolge einer Austauschkraft, die auf die erste Magnetschicht 3 von der zweiten Magnetschicht 4 an der Zwischenfläche zwischen der ersten Magnetschicht 3 und der zweiten Magnetschicht 4 ausgeübt wird.
  • Wenn der bestrahlte Teil weiter herabgekühlt wird, zeigt die vierte Magnetschicht 4 eine Magnetisierung. Zu dieser Zeit ist die Magnetisierung der vierten Magnetschicht 6 in einer Abwärtsrichtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ausgerichtet. Da die vierte Magnetschicht 6 an Seltenerdmetall reich ist, ist die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles in einer Aufwärtsrichtung ausgerichtet (S6).
  • Wenn weiterhin der bestrahlte Teil herab bis zu einer Temperatur um Raumtemperatur gekühlt wird, zeigt die dritte Magnetschicht 5 eine Magnetisierung. Daher werden Austauschkräfte erzeugt, die auf die Zwischenflächen zwischen der zweiten Magnetschicht 4 und der dritten Magnetschicht 5 und zwischen der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6 einwirken. Die Austauschkräfte orientieren die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht 4 in einer Aufwärtsrichtung, d. h. in der gleichen Richtung wie die Richtung der Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der vierten Magnetschicht 6. Jedoch ist die Magnetisierungsrichtung der ersten Magnetschicht 3 nicht durch die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht 4 umgekehrt, da die erste Magnetschicht 3 eine große Koerzitivkraft bei Raumtemperatur hat. Somit wird der Zu stand ”1” (Abwärtsmagnetisierung) auf der ersten Magnetschicht 3 aufgezeichnet (S7).
  • Andererseits wird im niederen Prozeß Laserlicht von niedriger Leistung (P1) eingestrahlt. Als ein Ergebnis wird die Temperatur des bestrahlten Teiles auf eine Temperatur nahe Tc1 erhöht. Da zu dieser Zeit die Koerzitivkraft der zweiten Magnetschicht 4 stärker als das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw ist, wird die Magnetisierungsrichtung der zweiten Magnetschicht 4 nicht durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw umgekehrt. Somit wird die Orientierung der Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht 4 aufwärts gehalten (S3).
  • Wenn der mit dem Lichtstrahl bestrahlte Teil herab durch eine Drehung der magnetooptischen Platte gekühlt wird, zeigt die erste Magnetschicht 3 eine Magnetisierung. Zu dieser Zeit ist die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der ersten Magnetschicht 3 in einer Aufwärtsrichtung, d. h., in der Richtung der Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht 4, durch eine auf die Zwischenfläche einwirkende Austauschkraft orientiert.
  • Wenn der bestrahlte Teil weiter herabgekühlt wird, zeigt die vierte Magnetschicht 6 eine Magnetisierung. Zu dieser Zeit ist die Magnetisierung der vierten Magnetschicht 6 in einer Abwärtsrichtung durch das Aufzeichnungsmagnetfeld Hw orientiert. Da die vierte Magnetschicht 6 an Seltenerdmetall reich ist, ist die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles in einer Aufwärtsrichtung ausgerichtet (S2).
  • Wenn weiterhin der bestrahlte Teil auf nahe Raumtemperatur herabgekühlt wird, zeigt die dritte Magnetschicht 5 eine Magnetisierung. Als Ergebnis werden Austauschkräfte erzeugt, die auf die Zwischenflächen zwischen der zweiten Magnet schicht 4 und der dritten Magnetschicht 5 und zwischen der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6 einwirken. Die Austauschkräfte orientieren die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht 4 in einer Aufwärtsrichtung, d. h. der Richtung der Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der vierten Magnetschicht 6. Jedoch wird die Magnetisierungsrichtung der ersten Magnetschicht 3 nicht durch die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht 4 umgekehrt, da die erste Magnetschicht 3 eine hohe Koerzitivkraft bei Raumtemperatur hat. Somit wird ein Zustand ”0” (Aufwärtsmagnetisierung) auf der ersten Magnetschicht 3 aufgezeichnet (S1).
  • Wie oben beschrieben ist, geht die Magnetschicht 3 in einen Zustand ”1” (eine Abwärtsmagnetisierung) in dem Fall des hohen Prozesses über, und sie geht in einen Zustand ”0” (eine Aufwärtsmagnetisierung) in dem Fall des niederen Prozesses über, um so ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation zu erzielen.
  • Wenn Information wiedergegeben wird, wird Laserlicht einer Wiedergabeleistung (Pr) eingestrahlt, und eine Drehpolarisierung des reflektierten Lichtes wird erfaßt, um eine Wiedergabe durchzuführen. Da jedoch die Temperatur des bestrahlten Teiles viel niedriger als diejenige im niederen Prozeß ist, besteht keine Möglichkeit, daß die Information durch das Laserlicht der Leistung Pr gelöscht wird.
  • In diesem Ausführungsbeispiel hat die zweite Magnetschicht 4 eine derartige Eigenschaft, daß sie an Seltenerdmetall reich bei Raumtemperatur ist und ihren Kompensationspunkt zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc2 aufweist, und daß sie an Übergangsmetall reich bei Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2 ist. Die vierte Magnetschicht 6 ist an Seltenerdmetall reich bei Raumtemperatur und hat ihren Kompensationspunkt nicht zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc2. Jedoch ist die Kombination der zweiten Magnetschicht 4 und der vierten Magnetschicht 6 nicht notwendigerweise auf die oben erwähnte Kombination begrenzt, falls sich die Art der Untergittermagnetisierung der zweiten Magnetschicht 4, die in der Richtung des Aufzeichnungsmagnetfeldes Hw durch den hohen Prozeß ausgerichtet ist, und die Art der Untergittermagnetisierung der vierten Magnetschicht 6, die in der Richtung des Aufzeichnungsmagnetfeldes Hw bei Temperaturen zwischen Tc3 und Tc4 ausgerichtet ist, verändern. Beispielsweise kann eine Kombination der zweiten Magnetschicht 4, die eine senkrechte Magnetisierung zeigt und eine an Seltenerdmetall reiche Kennlinie zwischen Raumtemperatur und dem Curie-Punkt Tc2 hat, und der vierten Magnetschicht 6, die eine senkrechte Magnetisierung zeigt und eine an Übergangsmetall reiche Kennlinie zwischen Raumtemperatur und dem Curie-Punkt Tc4 hat, angewandt werden.
  • Da diese Kombination entgegengesetzt zu der oben erwähnten Kombination ist, müssen die offenen oder leeren Pfeile in 3, die die Richtung der Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles bei der obigen Erläuterung angeben, so betrachtet werden, als ob sie in diesem Fall die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalls zeigen. Da die erste Magnetschicht 3 in 3 an Übergangsmetall reich ist, ist die Magnetisierung in S1 eine Abwärtsmagnetisierung, und die Magnetisierung in S7 ist eine Aufwärtsmagnetisierung. Somit kann ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation auch in diesem Fall erreicht werden.
  • Die dritte Magnetschicht 5 kopiert glatt die Magnetisierung der vierten Magnetschicht 6 zu der zweiten Magnetschicht 4 durch Beifügen der Austauschkraft der dritten Magnetschicht 5 zu der Austauschkraft der vierten Magnetschicht 6. Die Magnetisierung der dritten Magnetschicht 5 wird während des Kopierprozesses der Magnetisierung von der zweiten Magnetschicht 4 zu der ersten Magnetschicht 3 gelöscht. Daher führt die dritte Magnetschicht 5 eine Funktion der Verhinderung des Kopierens der Magnetisierung von der vierten Magnetschicht 6 zu der zweiten Magnetschicht 4 während des Vorganges einer Kopiermagnetisierung von der zweiten Magnetschicht 4 zu der ersten Magnetschicht 3 aus. Da die Anforderungen für die magnetischen Eigenschaften, wie beispielsweise die Koerzitivkräfte und die Austauschkräfte der ersten, zweiten und vierten Magnetschichten gelöscht bzw. erleichtert sind, können die Materialien für diese Magnetschichten aus einem weiteren Bereich ausgewählt werden.
  • Proben der magnetooptischen Platte von diesem Ausführungsbeispiel werden im folgenden beschrieben.
  • Jedes der Beispiele #1 und #2 verwendet ein plattenförmiges Glas mit einem Außendurchmesser von 86 mm, einem Innendurchmesser von 15 mm und einer Dicke von 1,2 mm als das Lichtübertragungssubstrat 1. Leitspuren zum Leiten eines Lichtstrahles sind direkt in der Form von Rillen und Stegen auf einer Oberfläche des Substrates 1 durch reaktives Ionenätzen erzeugt. Die Leitspuren werden direkt auf das Glas durch reaktives Ionenätzen geätzt, um eine Spurteilung von 1,6 μm, eine Rillenbreite von 0,8 μm und eine Stegbreite von 0,8 μm zu erzielen.
  • Auf der Oberfläche des Substrates 1, auf dem die Leitspuren erzeugt wurden, wird ein 80 nm dicker AlN-Film als eine transparente dielektrische Schicht 2 durch reaktives Zerstäuben oder Sputtern gebildet, ein 40 nm dicker DyFeCo-Film wird als die erste Magnetschicht 3 durch gleichzeitiges Sputtern von Dy-, Fe- und Co-Targets gebildet, ein 60 nm dicker GdFeCo-Film wird als die zweite Magnetschicht 4 durch gleichzeitiges Sputtern von Gd-, Fe- und Co-Targets gebil det, ein 20 nm dicker DyFe-Film wird als die dritte Magnetschicht 5 durch gleichzeitiges Sputtern von Dy- und Fe-Targets gebildet, ein 40 nm dicker DyFeCo-Film wird als die vierte Magnetschicht 6 durch gleichzeitiges Sputtern von Dy-, Fe- und Co-Targets gebildet, und ein 20 nm dicker AlN-Film wird als die Schutzschicht 7 aufgeschichtet.
  • Die erste Magnetschicht 3 bis die vierte Magnetschicht 6 werden unter den Sputterbedingungen eines Endvakuums, das nicht höher als 2,0 × 10–4 Pa, einem Ar-Gasdruck von 6,5 × 10–1 Pa und einer elektrischen Entladeleistung von 300 W gebildet. Die transparente dielektrische Schicht 2 und die Schutzschicht 7 werden unter den Sputterbedingungen des Endvakuums, das nicht höher als 2,0 × 10–4 Pa ist, einem N2-Gasdruck von 3,0 × 10–1 Pa und einer elektrischen Entladeleistung von 800 W gebildet.
  • Darüber hinaus wird ein Überzugfilm erzeugt, indem ein bei Ultraviolett aushärtendes Acrylatreihen-Harz über die Schutzschicht 7 gebracht und das Harz mit Ultraviolettbestrahlung ausgehärtet wird.
  • Die erste Magnetschicht 3 von #1 hat eine Zusammensetzung von Dy0,20(Fe0,85Co0,15)0,80, ist an Übergangsmetall reich, weist einen Curie-Punkt Tc1 von 180°C auf und zeigt eine Koerzitivkraft Hc1 von 1200 kA/m bei Raumtemperatur.
  • Die zweite Magnetschicht 4 hat eine Zusammensetzung von (Gd0,60Dy0,40)0,28(Fe0,70Co0,30)0,72, ist an Seltenerdmetall reich, hat einen Curie-Punkt Tc2 von 270°C, einen Kompensationspunkt Tcomp3 von 200°C und eine Koerzitivkraft Hc2 von 160 kA/m bei Raumtemperatur.
  • Die dritte Magnetschicht 5 hat eine Zusammensetzung von Dy0,18Fe0,82, ist an Übergangsmetall reich, weist einen Curie-Punkt Tc3 von 70°C auf und hat eine Koerzitivkraft Hc3 von 200 kA/m bei Raumtemperatur.
  • Die vierte Magnetschicht 6 hat eine Zusammensetzung von Dy0,22(Fe0,90Co0,10)0,78, ist an Seltenerdmetall reich, hat einen Curie-Punkt Tc4 von 150°C und weist eine Koerzitivkraft Hc4 von 240 kA/m bei Raumtemperatur auf.
  • Die erste Magnetschicht 3 von #2 hat eine Zusammensetzung von Tb0,20(Fe0,92Co0,08)0,80, ist an Übergangsmetall reich, hat einen Curie-Punkt Tc1 von 180°C und weist eine Koerzitivkraft Hc1 von 1200 kA/m bei Raumtemperatur auf.
  • Die zweite Magnetschicht 4 hat eine Zusammensetzung von Tb0,25(Fe0,80Co0,20)0,75, ist an Seltenerdmetall reich, hat einen Curie-Punkt Tc2 von 270°C, weist keinen Kompensationspunkt auf und hat eine Koerzitivkraft Hc2 von 160 kA/m bei Raumtemperatur.
  • Die dritte Magnetschicht 5 hat eine Zusammensetzung von Dy0,18Fe0,82, ist an Übergangsmetall reich, weist einen Curie-Punkt Tc3 von 70°C auf und hat eine Koerzitivkraft Hc3 von 200 kA/m bei Raumtemperatur.
  • Die vierte Magnetschicht 6 hat eine Zusammensetzung von Dy0,18(Fe0,90Co0,10)0,82, ist an Seltenerdmetall reich, hat einen Curie-Punkt Tc4 von 150°C und weist eine Koerzitivkraft Hc4 von 240 kA/m bei Raumtemperatur auf.
  • Ein Aufzeichnen wurde auf magnetooptischen Platten von Proben #1 und #2 unter den Bedingungen von Hw mit 40 kA/m, von Ph mit 10 mW, von P1 mit 6 mW, von Pr mit 1 mW und einer Aufzeichnungsbitlänge von 0,64 μm durchgeführt. Als Ergebnis wurde ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation durch vollständiges Löschen vorheriger Information durchgeführt, und es wurde ein guter Rauschabstand (C/N bzw. S/N) von 45 dB erreicht.
  • Im folgenden wird ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert.
  • Die folgende Beschreibung bezieht sich anhand der 4 bis 6 auf ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Bauteile mit der gleichen Funktion wie in dem obigen Ausführungsbeispiel werden mit den gleichen Bezugszeichen versehen und hier nicht näher erläutert.
  • Der Unterschied zwischen der magnetooptischen Platte gemäß dem Ausführungsbeispiel 1 und einer magnetooptischen Platte bzw. einem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium dieses Ausführungsbeispiels liegt darin, daß eine fünfte Magnetschicht 8 zwischen der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der ersten Magnetschicht 3 vorgesehen ist, wie dies in 4 bei diesem Ausführungsbeispiel gezeigt ist.
  • Wie in 5 veranschaulicht ist, hat die fünfte Magnetschicht 8 einen Curie-Punkt Tc5, der höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 3 ist, und zeigt eine senkrechte magnetische Anisotropie von Raumtemperatur bis zur Temperatur Tc5.
  • Anhand der 6 bezieht sich die folgende Beschreibung auf den Aufzeichnungsprozeß bei diesem Ausführungsbeispiel. 6 zeigt die Magnetisierungszustände der fünften Magnetschicht 8, der ersten Magnetschicht 3, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6. Die horizontale Achse oder Abszisse in 6 gibt die Temperatur an. Da jede Schicht durch eine Legierung von Seltenerdmetall und Übergangsmetall gebildet ist, liegen eine Gesamtmagnetisierung und eine Untergitter magnetisierung von Seltenerdmetall/Übergangsmetall vor. Die in 6 gezeigten Pfeile geben die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles von jeder Schicht an.
  • Die Magnetisierungszustände der ersten Magnetschicht 3, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6 sind die gleichen wie diejenigen bei dem Prozeß des Aufzeichnens von Information auf der magnetooptischen Platte des in 1 dargestellten Ausführungsbeispiels 1 und werden daher hier nicht näher erläutert. Da darüber hinaus der Aufzeichnungsprozeß in diesem Ausführungsbeispiel im wesentlichen der gleiche ist wie derjenige auf der magnetooptischen Platte des in 3 gezeigten Ausführungsbeispiels 1, werden die gleichen Erläuterungen nicht wiederholt.
  • Der Magnetisierungszustand der fünften Magnetschicht 8 ist an die Magnetisierung der ersten Magnetschicht 3 bei Temperaturen, die nicht höher sind als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 3, angepaßt.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel wird in einem Zustand S13, der gleichwertig zu dem in 3 gezeigten Zustand S3 ist, die Magnetisierung der ersten Magnetschicht 3 gelöscht, da die Temperaturen der Magnetschichten nicht niedriger als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht sind. Da jedoch die fünfte Magnetschicht 8 den Curie-Punkt T5 hat, der höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 3 ist, wie dies oben erläutert wurde, hat die fünfte Magnetschicht 8 eine Magnetisierung bei dieser Temperatur. Weiterhin hat die fünfte Magnetschicht 8 noch eine Magnetisierung in einem Zustand S14, bei dem die Temperatur höher als Tc2 ist.
  • Wenn jede Untergittermagnetisierung von der zweiten Magnetschicht 4 auf die erste Magnetschicht 3 in einem Zustand S16 im Verlauf des Absenkens der Temperatur in dem hohen Prozeß oder einem Zustand S12 in dem Verlauf des Absenkens der Temperatur in dem niederen Prozeß kopiert wird, so wird auch die Untergittermagnetisierung von der ersten Magnetschicht 3 zu der fünften Magnetschicht 8 kopiert.
  • Da in dem Wiedergabeprozeß die Temperaturen der jeweiligen Magnetschichten nicht höher als Tc1 sind, wird die gleiche Information wie die auf die erste Magnetschicht 3 aufgezeichnete Information durch die fünfte Magnetschicht 8 wiedergegeben.
  • Eine Probe einer derartigen magnetooptischen Platte wird im folgenden näher erläutert.
  • Eine Probe #3 der magnetoopischen Platte umfaßt eine 30 nm dicke fünfte Magnetschicht 8 zwischen der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der ersten Magnetschicht 3 und ist in dem gleichen Verfahren wie das Herstellungsverfahren der Probe #1 hergestellt.
  • Die fünfte Magnetschicht 8 der Probe #3 hat eine Zusammensetzung von Gd0,27(Fe0,70Co0,30)0,73, ist an Seltenerdmetall reich, weist einen Curie-Punkt Tc5 höher als 300°C auf und hat einen Kompensationspunkt bis zu 200°C.
  • Ein Aufzeichnen wurde auf den magnetooptischen Platten von Probe #3 unter den gleichen Bedingungen wie im Ausführungsbeispiel 1 vorgenommen. Als Ergebnis wurde ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation durchgeführt, indem frühere Information vollständig gelöscht wurde, und es wurde ein hervorragender Rauschabstand (C/N) von 46,5 dB erreicht. Unter Berücksichtigung der Tatsache, daß der Rauschabstand von Probe #1 45 dB beträgt, kann gesagt werden, daß die Signalqualität im Vergleich zu Probe #1 verbessert ist. Es wird angenommen, daß die Signalqualität infolge einer Steigerung des Kerr-Drehungswinkels verbessert wurde, die erzielt wurde, indem Tc5 > Tc1 eingestellt wurde.
  • Im folgenden soll ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung näher erläutert werden.
  • Die folgende Beschreibung bezieht sich anhand der 7 bis 9 auf ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Bauteile mit der gleichen Funktion wie in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden mit den gleichen Bezugszeichen versehen und hier nicht näher erläutert.
  • Der Unterschied zwischen den magnetooptischen Platten der obigen Ausführungsbeispiele und einer magnetooptischen Platte bzw. einem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium dieses Ausführungsbeispiels liegt darin, daß in diesem Ausführungsbeispiel die fünfte Magnetschicht 8 zwischen der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der ersten Magnetschicht 3 vorgesehen ist, wie dies in 7 gezeigt ist.
  • Wie in 8 veranschaulicht ist, hat die fünfte Magnetschicht 8 einen Curie-Punkt Tc5, der höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 3 ist, eine Koerzitivkraft Hc5 von im wesentlichen Null bei Raumtemperatur und zeigt eine magnetische Anisotropie in der Ebene bei Raumtemperatur sowie eine senkrechte magnetische Anisotropie bei Temperaturen, die nicht niedriger als eine vorbestimmte Temperatur (Tf) sind.
  • Anhand der 9 bezieht sich nunmehr die folgende Beschreibung auf den Aufzeichnungsprozeß bei diesem Ausführungsbeispiel. 9 zeigt die Magnetisierungszustände der fünften Magnetschicht 8, der ersten Magnetschicht 3, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6. Die horizontale Achse bzw. Abszisse gibt in 9 die Temperatur an. Da jede Schicht aus einer Legierung von Seltenerdmetall und Übergangsmetall gebildet ist, liegen eine Gesamtmagnetisierung und eine Untergittermagnetisierung von Seltenerdmetall/Übergangsmetall vor. Die in 9 gezeigten Pfeile geben die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalls von jeder Schicht an.
  • Die Magnetisierungszustände der ersten Magnetschicht 3, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6 sind die gleichen wie diejenigen bei dem Verfahren zum Aufzeichnen von Information auf der magnetooptischen Platte des in 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiels, so daß von einer näheren Erläuterung hier abgesehen wird. Da der Aufzeichnungsprozeß in diesem Ausführungsbeispiel im wesentlichen der gleiche ist wie derjenige auf der magnetooptischen Platte des in 6 gezeigten zweiten Ausführungsbeispiels, werden die gleichen Erläuterungen nicht wiederholt.
  • Der Magnetisierungszustand der fünften Magnetschicht 8 zeigt eine magnetische Anisotropie in der Ebene bei Raumtemperatur und eine senkrechte magnetische Anisotropie bei Temperaturen, die nicht niedriger als Tf sind. Das heißt, in Zuständen S21 und S27, die gleichwertig zu Zuständen S11 und S17 sind, wie dies in 6 gezeigt ist, weist die fünfte Magnetschicht 8 eine Magnetisierung in der Ebene auf, da die Temperatur Raumtemperatur beträgt. In anderen Zuständen als S21 und S27 in 6 zeigt die fünfte Magnetschicht 8 eine senkrechte Magnetisierung. Der Magnetisierungszustand der fünften Magnetschicht 8 stimmt mit dem Magnetisierungszustand der ersten Magnetschicht 3 bei Temperaturen überein, die nicht niedriger als Tf und nicht höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 3 sind.
  • Da in dem Wiedergabeprozeß die Temperaturen der jeweiligen Magnetschichten zwischen Tf und Tc1 liegen, wird die gleiche Information wie die auf der ersten Magnetschicht 3 aufgezeichnete Information durch die fünfte Magnetschicht 8 wiedergegeben.
  • Eine Probe einer derartigen magnetooptischen Platte wird weiter unten näher erläutert.
  • Eine Probe #4 der magnetooptischen Platte umfaßt eine 30 nm dicke fünfte Magnetschicht 8 zwischen der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der ersten Magnetschicht 3 der Probe #1 und wurde mit dem gleichen Verfahren wie das Herstellungsverfahren der Probe #1 hergestellt.
  • Die fünfte Magnetschicht 8 der Probe #4 hat eine Zusammensetzung von Gd0,29(Fe0,80Co0,20)0,71, ist an Seltenerdmetall reich, weist einen Curie-Punkt Tc5 von 300°C auf, zeigt keinen Kompensationspunkt und hat eine senkrechte magnetische Anisotropie bei etwa 120°C.
  • Ein Aufzeichnen wurde auf der magnetooptischen Platte der Probe #4 unter den gleichen Bedingungen wie im ersten Ausführungsbeispiel durchgeführt. Als Ergebnis wurde ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation durch vollständiges Löschen von früherer Information durchgeführt, und es wurde ein guter Rauschabstand (C/N) von 46 dB erreicht. Unter Berücksichtigung der Tatsache, daß der Rauschabstand der Probe #1 45 dB beträgt, kann gesagt werden, daß die Signalqualität im Vergleich mit der Probe #1 verbessert ist. Wie das zweite Ausführungsbeispiel wird die Signalqualität infolge einer Steigerung im Kerr-Drehungswinkel verbessert, was durch Einstellen von Tc5 > Tc1 erzielt ist.
  • Wenn zusätzlich die Aufzeichnungsbitlänge kürzer wird, wird der Rauschabstand plötzlich in Probe #1 abgesenkt; jedoch wird er in Probe #4 nicht vermindert. Die Ursache hierfür liegt darin, daß eine Wiedergabe ohne Beeinträchtigung durch benachbarte Aufzeichnungsbits durchgeführt werden kann, selbst wenn ein Aufzeichnungsbit kurz ist, da die fünfte Magnetschicht 8 eine magnetische Anisotropie in der Ebene bei Raumtemperatur zeigt und eine senkrechte Magnetisierung bei der Bestrahlung mit Laserlicht einer Wiedergabelaserleistung aufweist.
  • Im folgenden wird ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung näher erläutert.
  • Die folgende Beschreibung bezieht sich anhand der 10 bis 12 auf ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Bauteile mit der gleichen Funktion wie in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden mit den gleichen Bezugszeichen versehen und hier nicht näher erläutert.
  • Der Unterschied zwischen den magnetooptischen Platten der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele und einer magnetooptischen Platte bzw. einem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium von diesem Ausführungsbeispiel liegt darin, daß eine sechste Magnetschicht 9 zwischen der ersten Magnetschicht 3 und der zweiten Magnetschicht 4, wie in 10 gezeigt, bei diesem Ausführungsbeispiel vorgesehen ist.
  • Wie in 11 veranschaulicht ist, hat die sechste Magnetschicht 9 eine Koerzitivkraft Hc6 von im wesentlichen Null bei Raumtemperatur und weist eine sehr schwache senkrechte oder in der Ebene liegende magnetische Anisotropie bei Raumtemperatur und eine senkrechte magnetische Anisotropie bei Temperaturen nicht niedriger als eine vorbestimmte Temperatur (Ts) auf.
  • Anhand der 12 soll nunmehr im folgenden der Aufzeichnungsprozeß bei diesem Ausführungsbeispiel beschrieben werden. 12 zeigt die Magnetisierungszustände der ersten Magnetschicht 3, der sechsten Magnetschicht 9, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6. Die horizontale Achse bzw. Abszisse gibt in 12 die Temperatur an. Da jede Schicht durch eine Legierung aus Seltenerdmetall und Übergangsmetall gebildet ist, liegen eine Gesamtmagnetisierung und eine Untergittermagnetisierung von Seltenerdmetall/Übergangsmetall vor. Die in 12 gezeigten Pfeile geben die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles von jeder Schicht an.
  • Die Magnetisierungszustände der ersten Magnetschicht 3, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6 sind die gleichen wie diejenigen bei dem Prozeß der Aufzeichnung von Information auf der magnetooptischen Platte des in 3 gezeigten ersten Ausführungsbeispiels und werden daher hier nicht näher erläutert. Da darüber hinaus der Aufzeichnungsprozeß in diesem Ausführungsbeispiel im wesentlichen der gleiche wie derjenige auf der magnetooptischen Platte des in 3 dargestellten ersten Ausführungsbeispiels ist, werden hier die gleichen Erläuterungen nicht wiederholt.
  • Der Magnetisierungszustand der sechsten Magnetschicht 9 zeigt eine sehr schwache senkrechte magnetische Anisotropie oder eine magnetische Anisotropie in der Ebene bei Raumtemperatur und eine starke senkrechte magnetische Anisotropie bei Temperaturen, die nicht niedriger als die Temperatur Ts sind. Daher wird ein Kopieren der Magnetisierung von der zweiten Magnetschicht 4 zu der ersten Magnetschicht 3 nicht sofort bei Raumtemperatur durchgeführt, und ein Kopieren der Magnetisierung von der zweiten Magnetschicht 4 zu der ersten Magnetschicht 3 wird bei Temperaturen nicht niedriger als die Temperatur Ts durchgeführt. Daher werden, wie weiter unten beschrieben wird, die jeweiligen Magnetisierungszustände stabiler, und ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation wird glatter im Vergleich mit der magnetooptischen Platte des ersten Ausführungsbeispiels vorgenommen.
  • Wenn bei diesem Ausführungsbeispiel die Magnetisierung (jede Untergittermagnetisierung) von der zweiten Magnetschicht 4 zu der ersten Magnetschicht 3 in einem Zustand S36 im Verlauf eines Absenkens der Temperatur in dem hohen Prozeß oder in einem Zustand S32 im Verlauf des Absenkens der Temperatur in dem niederen Prozeß durchgeführt wird, arbeitet die sechste Magnetschicht 9 als ein Zwischenmedium, und die Richtung der Untergittermagnetisierung wird von der zweiten Magnetschicht 4 zu der sechsten Magnetschicht 9 kopiert. Dann wird die Richtung der Untergittermagnetisierung von der sechsten Magnetschicht 9 zu der ersten Magnetschicht 3 kopiert.
  • Im folgenden Zustand S37 des hohen Prozesses und S38 im Verlauf des Erhöhens der Temperatur für das nächste Aufzeichnen wird die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der ersten Magnetschicht 3 in einer Abwärtsrichtung ausgerichtet, und die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht 4 wird in einer Aufwärtsrichtung ausgerichtet. Demgemäß zeigt die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der sechsten Magnetschicht 9 eine Magnetisierung in der Ebene als einer stabileren Richtung.
  • Da andererseits in dem folgenden Zustand S31 des niederen Prozesses oder S32, in welchem die Temperatur von S31 angehoben wird, wo ”0” aufgezeichnet ist, die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der ersten Magnetschicht 3 und die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der zweiten Magnetschicht 4 in einer Aufwärtsrichtung orientiert sind, zeigt die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles der sechsten Magnetschicht 9 eine senkrechte Magnetisierung in der gleichen Richtung als einer stabileren Richtung.
  • Da in einem Zustand S34, der gleichwertig zu dem in 3 gezeigten Zustand S4 ist, die Temperaturen der jeweiligen Magnetschichten nicht niedriger als der Curie-Punkt Tc2 der zweiten Magnetschicht 4 sind, wird die Magnetisierung von jeder der ersten bis vierten Magnetschicht gelöscht. Da jedoch die sechste Magnetschicht 9 den Curie-Punkt Tc6 hat, der höher als der Curie-Punkt Tc2 ist, weist die sechste Magnetschicht 9 eine Magnetisierung bei dieser Temperatur auf.
  • Eine Probe einer derartigen magnetooptischen Platte wird im folgenden näher erläutert.
  • Eine Probe #5 der magnetooptischen Platte umfaßt eine 40 nm dicke sechste Magnetschicht 9 zwischen der ersten Magnetschicht 3 und der zweiten Magnetschicht 4 der Probe #1 und wurde mit dem gleichen Verfahren wie das Herstellungsverfahren der Probe #1 hergestellt.
  • Die sechste Magnetschicht 9 der Probe #5 hat eine Zusammensetzung von Gd0,27(Fe0,70Co0,30)0,73, ist an Seltenerdmetall reich, weist einen Curie-Punkt Tc6 höher als 300°C auf und hat einen Kompensationspunkt bis zu 200°C.
  • Ein Aufzeichnen wurde auf der magnetooptischen Platte der Probe #5 unter den Bedingungen mit Hw von 32 kA/m, Ph von 9 mW, P1 von 1 mW und einer Aufzeichnungsbitlänge von 0,64 μm durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation durch vollständiges Löschen von früherer Information vorgenommen, und es wurde ein guter Rauschabstand (C/N) von 45 dB erhalten. Unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die Aufzeichnungsbedingungen der Probe #1 durch Hw mit 40 kA/m, Ph mit 10 mW und P1 mit 6 mW gegeben sind, wurde die Aufzeichnungsempfindlichkeit im Vergleich zur Probe #1 verbessert. Es wird angenommen, daß eine derartige Verbesserung erreicht wurde, da ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation glatt ausgeführt wurde, da die sechste Magnetschicht 9 zwischen die erste Magnetschicht 3 und die zweite Magnetschicht 4 eingeführt ist.
  • Im folgenden wird ein fünftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung näher erläutert.
  • Die folgende Beschreibung bezieht sich anhand der 13 bis 15 auf ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Bauteile mit der gleichen Funktion wie in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden mit den gleichen Bezugszeichen versehen und hier nicht näher erläutert.
  • Der Unterschied zwischen den magnetooptischen Platten der obigen Ausführungsbeispiele und einer magnetooptischen Platte bzw. einem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium des vorliegenden Ausführungsbeispiels liegt darin, daß die fünfte Magnetschicht 8 zwischen der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der ersten Magnetschicht 3 und die sechste Magnetschicht 9 zwischen der ersten Magnetschicht 3 und der zweiten Magnetschicht 4 vorgesehen sind, wie dies für das fünfte Ausführungsbeispiel in 13 gezeigt ist.
  • Wie in 14 veranschaulicht ist, hat die fünfte Magnetschicht 8 einen Curie-Punkt Tc5, der höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht 3 ist, und weist eine senkrechte magnetische Anisotropie von Raumtemperatur bis zu der Temperatur Tc5 auf.
  • Die sechste Magnetschicht 9 hat eine Koerzitivkraft Hc6 von im wesentlichen Null bei Raumtemperatur, zeigt eine sehr schwache senkrechte magnetische Anisotropie oder eine magnetische Anisotropie in der Ebene bei Raumtemperatur und weist eine senkrechte magnetische Anisotropie bei Temperaturen nicht niedriger als die vorbestimmte Temperatur Ts auf.
  • 15 zeigt die Magnetisierungszustände der fünften Magnetschicht 8, der ersten Magnetschicht 3, der sechsten Magnetschicht 9, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6. Die horizontale Achse bzw. Abszisse gibt in 15 die Temperatur an. Da jede Schicht durch eine Legierung von Seltenerdmetall und Übergangsmetall gebildet ist, liegen eine Gesamtmagnetisierung und eine Untergittermagnetisierung von Seltenerdmetall/Übergangsmetall vor. Die in 15 gezeigten Pfeile geben die Untergittermagnetisierung α des Übergangsmetalles von jeder Schicht an.
  • Die Magnetisierungszustände der ersten Magnetschicht 3, der zweiten Magnetschicht 4, der dritten Magnetschicht 5 und der vierten Magnetschicht 6 sind die gleichen wie diejenigen in dem Prozeß zum Aufzeichnen von Information auf der in 3 gezeigten magnetooptischen Platte des ersten Ausführungsbeispiels und werden daher hier nicht näher beschrieben. Da in ähnlicher Weise die Magnetisierungszustände der fünften Magnetschicht 8 und der sechsten Magnetschicht 9 die gleichen wie diejenigen im zweiten bzw. vierten Ausführungsbeispiel sind, wird deren Erläuterung hier weggelassen.
  • Eine Probe einer derartigen magnetooptischen Platte wird im folgenden näher erläutert.
  • Eine Probe #6 der magnetooptischen Platte umfaßt eine 30 nm dicke fünfte Magnetschicht 8 zwischen der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der ersten Magnetschicht 3 der Probe #1 und eine 40 nm dicke sechste Magnetschicht 9 zwischen der ersten Magnetschicht 3 und der zweiten Magnetschicht 4. Die Probe #6 wurde mit dem gleichen Verfahren wie das Herstellungsverfahren der Probe #1 hergestellt.
  • Ein Aufzeichnen wurde auf der magnetooptischen Platte der Probe #6 unter den Bedingungen mit Hw von 32 kA/m, Ph von 9 mW, P1 von 4 mW, Pr von 1 mW und einer Aufzeichnungsbitlänge von 0,64 μm durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation durch vollständiges Löschen früherer Information vorgenommen, und es wurde ein guter Rauschabstand (C/N) von 46,5 dB erzielt.
  • Unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die Aufzeichnungsbedingungen der Probe #1 mit Hw von 40 kA/m, Ph von 10 mW und P1 von 6 mW gegeben sind, ist die Aufzeichnungsempfindlichkeit im Vergleich mit der Probe #1 verbessert. Es wird angenommen, daß diese Verbesserung erzielt wird, da das Überschreiben mit Lichtstärkemodulation glatt ausgeführt wird, indem die sechste Magnetschicht 9 zwischen die erste Magnetschicht 3 und die zweite Magnetschicht 4 eingefügt ist. Zusätzlich ist unter Berücksichtigung des Rauschabstandes von Probe #1 mit 45 dB die Signalqualität im Vergleich zur Probe #1 verbessert. Es wird angenommen, daß die Signalqualität infolge einer Steigerung im Kerr-Drehwinkel verbessert ist, die durch Einstellen von Tc5 > Tc1 erreicht ist.
  • In den obigen Beispielen 1 bis 5 wird Glas als das Substrat 1 der Proben #1 bis #6 verwendet. Alternativ ist es möglich, ein chemisch verstärktes Glas, ein sog. 2P-geschichtetes Glas zu verwenden, das hergestellt ist, indem eine bei Ultraviolett aushärtende Harzschicht auf das Substrat 1 aufgebracht ist, wie beispielsweise Polycarbonat (PC), Polymethylmethacrylat (PMMA), amorphes Polyolefin (APO), Polystyrol (PS), Polyvinylchlorid (PVC) und Epoxy als das Sub strat 1.
  • Die Dicke des AlN-Filmes der transparenten dielektrischen Schicht 2 ist nicht auf 80 nm beschränkt. Die Filmdicke der transparenten dielektrischen Schicht 2 wird unter Berücksichtigung der Steigerung des sog. Kerr-Effektes, d. h. der Zunahme im polaren Kerr-Drehwinkel von der ersten Magnetschicht 3 oder der fünften Magnetschicht 8 durch den Interferenzeffekt von Licht, wenn eine Wiedergabe von der magnetooptischen Platte erfolgt, bestimmt. Um den Rauschabstand während einer Wiedergabe möglichst groß zu machen, ist es erforderlich, den polaren Kerr-Drehwinkel zu vergrößeren. Daher wird die Filmdicke der transparenten dielektrischen Schicht 2 so eingestellt, daß der polare Kerr-Drehwinkel zunimmt.
  • Die transparente dielektrische Schicht 2 steigert nicht nur den Kerr-Effekt, sondern verhindert auch eine Oxidation der ersten Magnetschicht 3 zu der vierten Magnetschicht 4, der fünften Magnetschicht 8 oder der sechsten Magnetschicht 9 aus Legierungen von Seltenerdmetall und Übergangsmetall zusammen mit der Schutzschicht 7.
  • Darüber hinaus erlaubt AlN ein reaktives Gleichstrom(Gleichstromquellen-)Sputtern mittels eines Al-Targets durch Einführen von N2-Gas oder Mischgas von Ar und N2 und weist den Vorteil auf, daß im Vergleich mit HF-(Hochfrequenz-)Sputtern ein rascheres Filmerzeugen erfolgt.
  • Bevorzugte Beispiele für das Material der transparenten dielektrischen Schicht 2 umfassen außer AlN noch SiN, AlSiN, AlTaN, SiAlON, TiN, TiON, BN, ZnS, TiO2, BaTiO3 und SrPiO3. Unter diesen Materialien enthalten SiN, AlSiN, AlTaN, TiN, BN und ZnS keinen Sauerstoff, um so eine magnetooptische Platte von hervorragenden feuchtigkeitsfesten Eigenschaften zu erhalten.
  • Das Material und die Zusammensetzung der ersten Magnetschicht 3 bis vierten Magnetschicht 6, der fünften Magnetschicht 8 oder der sechsten Magnetschicht 9 aus Legierungen von Seltenerdmetall und Übergangsmetall sind nicht auf die oben beschriebenen Materialien und Zusammensetzungen begrenzt. Ähnliche Effekte und Vorteile können erhalten werden, indem eine Legierung verwendet wird, die aus wenigstens einer Art eines Seltenerdmetalles, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Gd, Tb, Dy, Ho und Nd gewählt ist, und wenigstens einer Art eines Übergangsmetalles, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Fe und Co besteht, als das Material für die erste Magnetschicht 3 bis vierte Magnetschicht 6, die fünfte Magnetschicht 8 oder die sechste Magnetschicht 9 hergestellt ist.
  • Der Widerstand der ersten Magnetschicht 3 bis vierten Magnetschicht 6, der fünften Magnetschicht 8 oder der sechsten Magnetschicht 9 zur Umgebung kann verbessert werden, indem wenigstens eine Art eines Elementes beigefügt wird, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Cr, V, Nb, Mn, Be, Ni, Ti, Pt, Rh und Cu besteht. Es ist somit möglich, eine Verschlechterung der Eigenschaften aufgrund einer Oxidation infolge eindringender Feuchtigkeit oder eindringenden Sauerstoffes zu vermindern und eine magnetooptische Platte herzustellen, die über eine lange Zeitdauer zuverlässig arbeitet.
  • Die Filmdicke der ersten Magnetschicht 3 bis vierten Magnetschicht 6, der fünften Magnetschicht 8 oder der sechsten Magnetschicht 9 der Legierungen von Seltenerdmetall und Übergangsmetall ist nicht auf die oben erwähnten Werte begrenzt und wird abhängig von Material und Zusammensetzung hiervon bestimmt.
  • Obwohl die Dicke des AlN-Filmes der Schutzschicht 7 auf 80 nm in den Ausführungsbeispielen eingestellt ist, ist die Filmdicke nicht notwendigerweise auf diesen Wert eingegrenzt. Ein bevorzugter Bereich der Filmdicke der Schutzschicht 7 liegt zwischen 1 nm und 200 nm.
  • Die Wärmeleitfähigkeit der Schutzschicht 7 sowie der transparenten dielektrischen Schicht 2 beeinträchtigt die Aufzeichnungsempfindlichkeit der magnetooptischen Platte. Die Aufzeichnungsempfindlichkeit gibt den Grad der Laserleistung an, die zum Aufzeichnen oder Löschen notwendig ist. Das auf die magnetoooptische Platte einfallende Licht durchdringt hauptsächlich die transparente dielektrische Schicht 2, wird durch die erste Magnetschicht 3 bis vierte Magnetschicht 6, die fünfte Magnetschicht 8 oder sechste Magnetschicht 9 absorbiert und in Wärme umgewandelt. Zu dieser Zeit wird die Wärme der ersten Magnetschicht 3 bis vierten Magnetschicht 6, der fünften Magnetschicht 8 oder sechsten Magnetschicht 9 zu der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der Schutzschicht 7 durch Wärmeleitung transportiert. Demgemäß beeinflussen die Wärmeleitfähigkeit und Wärmekapazität (spezifische Wärme) der transparenten dielektrischen Schicht 2 und der Schutzschicht 7 die Aufzeichnungsempfindlichkeit.
  • Dies bedeutet, daß die Aufzeichnungsempfindlichkeit der magnetooptischen Platte in einem gewissen Ausmaß durch die Filmdicke der Schutzschicht 7 gesteuert werden kann. Beispielsweise ist eine Verringerung der Filmdicke der Schutzschicht 7 notwendig, um die Aufzeichnungsempfindlichkeit zu steigern (d. h., ein Aufzeichnen und Löschen mit geringer Laserleistung durchzuführen). Um im allgemeinen die Lebensdauer des Lasers zu steigern, ist eine hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit vorteilhaft, und eine Schutzschicht 7 mit einer kleinen Filmdicke wird bevorzugt.
  • Da AlN in diesem Sinn geeignet ist und einen hohen Widerstand gegen Feuchtigkeit aufweist, ermöglicht die Verwendung von AlN für die Schutzschicht 7 eine Verringerung der Filmdicke und eine magnetooptische Platte mit hoher Aufzeichnungsempfindlichkeit. Wenn in diesem Ausführungsbeispiel die Schutzschicht 7 aus AlN gebildet wird, das für die transparente dielektrische Schicht 2 benutzt wird, ist es möglich, eine magnetooptische Platte mit einem hohen Widerstand gegenüber Feuchtigkeit zu schaffen. Da darüber hinaus die Schutzschicht 7 und die transparente dielektrische Schicht 2 durch das gleiche Material gebildet werden, ist die Produktivität verbessert.
  • Unter Berücksichtigung des obigen Zwecks und der obigen Vorteile sind bevorzugte Materialien für die Schutzschicht 7 die oben erwähnten Materialien, die für die transparente dielektrische Schicht 2 verwendet werden, nämlich SiN, AlSiN, AlTaN, SiAlON, TiN, TiON, BN, ZnS, TiO2, BaTiO3 und SrTiO3. Unter diesen Materialien enthalten SiN, AlSiN, AlTaN, TiN, BN und ZnS keinen Sauerstoff, um so eine magnetooptische Platte mit hervorragenden feuchtigkeitsfesten Eigenschaften zu liefern.
  • Die Proben #1 bis #6 der magnetooptischen Platte werden im allgemeinen als ”einseitige Platten” bezeichnet. Wenn der Dünnfilmabschnitt mit der transparenten dielektrischen Schicht 2, der ersten Magnetschicht 3 bis vierten Magnetschicht 6, der fünften Magnetschicht 8 oder sechsten Magnetschicht 9 und der Schutzschicht 7 als eine Aufzeichnungsmediumschicht bezeichnet wird, so wird eine einseitige magnetooptische Platte durch das Substrat 1, die Aufzeichnungsmediumschicht und die Überzugschicht aufgebaut.
  • Andererseits wird eine magnetooptische Platte, die gebildet ist, indem zwei Stücke der Substrate 1 justiert werden, worauf jeweils Aufzeichnungsmediumschichten erzeugt werden, um einander gegenüberzuliegen, und wobei diese mit einer Haftschicht befestigt werden, als eine ”doppelseitige Platte” bezeichnet. Ein Haftmittel der Polyurethanreihe wird insbesondere als ein Material für die Haftschicht bevorzugt. Das Haftmittel hat eine Kombination von drei Typen von Aushärtfunktionen, d. h. ein Ultraviolett-Aushärten, Hitzehärten und anaerobe Eigenschaften. Eine derartige Kombination liefert einen solchen Vorteil, daß ein durch das Aufzeichnungsmedium abgeschatteter Teil, wo keine Ultraviolettstrahlen durchgehen, durch Hitzehärten und anaerobes Härten ausgehärtet wird. Es ist somit möglich, eine magnetooptische Platte zu schaffen, die einen sehr hohen Widerstand gegenüber Feuchtigkeit hat und ausgezeichnet stabil über eine lange Zeitdauer ist.
  • Die Dicke der Elemente, die die einseitige Platte bilden, beträgt die Hälfte von derjenigen der doppelseitigen Platte, so daß die einseitige Platte vorteilhaft für beispielsweise eine Aufzeichnungs- und Wiedergabevorrichtung ist, die kleine Abmessungen haben soll. Andererseits ermöglicht die doppelseitige Platte eine Wiedergabe von beiden Seiten und ist daher beispielsweise für eine Aufzeichnungs- und Wiedergabevorrichtung vorteilhaft, die eine erhöhte Kapazität aufweisen soll.
  • In den obigen Beispielen sind die magnetooptischen Platten als ein Beispiel des magnetooptischen Aufzeichnungsmediums erläutert. Jedoch ist die vorliegende Erfindung auch auf magnetooptische Bänder und magnetooptische Karten anwendbar.
  • Wenn also die Curie-Punkte der ersten Magnetschicht, der zweiten Magnetschicht, der dritten Magnetschicht und der vierten Magnetschicht von Legierungen von Seltenerdmetall und Übergangsmetall als ferrimagnetische Materialien, die eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis zu ihren Curie-Punkten zeigen, jeweils mit Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 bezeichnet werden, so sind die Curie-Punkte und die Raumtemperatur in folgender Beziehung zueinander: Raumtemperatur < Tc3 < Tc4 < Tc1 < Tc2.
  • Wenn die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles mit α und die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles mit β bezeichnet werden, ist α stärker als β in der zweiten Magnetschicht bei Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2, und β ist stärker als α in der vierten Magnetschicht bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und Tc4. Diese Struktur ermöglicht ein Überschreiben mit Lichtstärkemodulation, schließt die Notwendigkeit eines Ausrichtens der Magnetisierung der Magnetschichten in einer Richtung mittels eines starken Magnetfeldes oder hoher Laserleistung vor einem Versand aus Herstellungsstätten oder vor einem Aufzeichnen aus und verringert eine Steigerung in den Herstellungskosten eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums und einer Vorrichtung zum Aufzeichnen von Information auf dem magnetooptischen Medium.

Claims (14)

  1. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem mit: einer ersten Magnetschicht (3), einer zweiten Magnetschicht (4), einer dritten Magnetschicht (5) und einer vierten Magnetschicht (6), die jeweils Curie-Punkte mit Temperaturen Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 haben und eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis zu ihren Curie-Punkten Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 aufweisen, wobei die erste, zweite, dritte und vierte Magnetschicht (3, 4, 5, 6) in dieser Reihenfolge auf einem Substrat (1) angeordnet sind, wobei: die Richtung der Magnetisierung der zweiten Magnetschicht (4) auf die erste Magnetschicht (3) durch eine Austauschkraft bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc1 kopiert wird, die Richtung der Magnetisierung der vierten Magnetschicht (6) auf die dritte Magnetschicht (5) durch eine Austauschkraft kopiert wird, und die Magnetisierung der dritten Magnetschicht (5) auf die zweite Magnetschicht (4) durch eine Austauschkraft in einem vorbestimmten Temperaturbereich R zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc3 kopiert wird, jedoch die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht (4) nicht auf die erste Magnetschicht (3) in einem vorbestimmten Temperaturbereich R zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc4 kopiert wird, die Raumtemperatur und die Temperaturen Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 in der folgenden Beziehung stehen: Raumtemperatur < Tc3 < Tc4 < Tc1 < Tc2und eine fünfte Magnetschicht (8), deren Curie-Punkt Tc5 höher als der Curie-Punkt Tc1 der ersten Magnetschicht (3) ist, zwischen dem Substrat (1) und der ersten Magnetschicht (3) angeordnet ist.
  2. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Magnetschicht (8) eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis zur Temperatur Tc5 zeigt.
  3. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Magnetschicht (8) eine Magnetisierung in einer Ebene bei Raumtemperatur und eine senkrechte Magnetisierung bei einer vorbestimmten Temperatur Tf, die höher als Raumtemperatur, jedoch niedriger als die Temperatur Tc1 ist, zeigt.
  4. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Magnetschicht (8) durch eine Legierung eines Seltenerdmetalles und eines Übergangsmetalles als einem ferrimagnetischen Material gebildet ist.
  5. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem mit: einer ersten Magnetschicht (3), einer zweiten Magnetschicht (4), einer dritten Magnetischicht (5) und einer vierten Magnetschicht (6), die jeweils Curie-Punkte mit Temperaturen Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 haben und eine senkrechte Magnetisierung von Raumtemperatur bis zu den Curie-Punkten Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 aufweisen, wobei die erste, zweite, dritte und vierte Magnetschicht (3, 4, 5, 6) in dieser Reihenfolge auf einem Substrat (1) angeordnet sind, wobei: die Richtung der Magnetisierung der zweiten Magnetschicht (4) auf die erste Magnetschicht (3) durch eine Austauschkraft bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc1 kopiert wird, die Richtung der Magnetisierung der vierten Magnetschicht (6) auf die dritte Magnetschicht (5) durch eine Austauschkraft kopiert wird, und die Magnetisierung der dritten Magnetschicht (5) auf die zweite Magnetschicht (4) durch eine Austauschkraft in einem vorbestimmten Temperaturbereich R zwischen Raumtemperatur und die Temperatur Tc3 kopiert wird, jedoch die Magnetisierung der zweiten Magnetschicht (4) nicht auf die erste Magnetschicht (3) in einem vorbestimmten Temperaturbereich R' zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc4 kopiert wird, die Raumtemperatur und die Temperaturen Tc1, Tc2, Tc3 und Tc4 in der folgenden Beziehung stehen: Raumtemperatur < Tc4 < Tc3 < Tc1 < Tc2und eine fünfte Magnetschicht (9), die eine Magnetisierung in einer Ebene bei Raumtemperatur und eine senkrechte Magnetisierung bei einer Temperatur nahe der Temperatur Tc1 zeigt, zwischen der ersten Magnetschicht (3) und der zweiten Magnetschicht (4) vorgesehen ist.
  6. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite und die vierte Magnetschicht (4, 6) durch Legierungen eines Seltenerdmetalles und eines Übergangsmetalles als ferrimagnetische Materialien gebildet sind, wobei: wenn eine Untergittermagnetisierung von einem Material aus dem Übergangsmetall und dem Seltenerdmetall mit α und die andere mit β bezeichnet wird, α stärker ist als β in der zweiten Magnetschicht (4) bei Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2 und β stärker ist als α in der vierten Magnetschicht (6) bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc4.
  7. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Magnetschicht (3) aus einer Legierung eines Seltenerdmetalles und eines Übergangsmetalles als einem ferrimagnetischen Material hergestellt ist, und die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles stärker ist als die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalls bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc1.
  8. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß in der zweiten Magnetschicht (4) die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles stärker ist als die Untergittemagnetisierung des Übergangsmetalles bei Raumtemperatur und die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles stärker ist als die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles bei Temperaturen zwischen Tc1 und Tc2, und in der vierten Magnetschicht (6) die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles stärker ist als die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc4.
  9. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Magnetschicht (4) einen Kompensationspunkt zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc2 hat.
  10. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Kompensationspunkt nahe bei der Temperatur Tc1 liegt.
  11. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß in der zweiten Magnetschicht (4) die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles stärker ist als die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc2, und in der vierten Magnetschicht (6) die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles stärker ist als die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc4.
  12. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Magnetschicht (5) aus einer Legierung eines Seltenerdmetalles und eines Übergangsmetalles als einem ferrimagnetischen Material hergestellt ist und die Untergittermagnetisierung des Übergangsmetalles stärker als die Untergittermagnetisierung des Seltenerdmetalles bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und der Temperatur Tc3 ist.
  13. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Magnetschicht (9) einen Curie-Punkt Tc6 höher als die Temperatur Tc2 hat.
  14. Magnetooptisches Aufzeichnungsschichtsystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Magnetschicht (9) aus einer Legierung eines Seltenerdmetalles und eines Übergangsmetalles als ein ferrimagnetisches Material hergestellt ist.
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