JPH02223041A - 磁性層間の交換結合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明を以下の項目に従って説明する。

Ａ　産業上の利用分野・・・・・・・・・・ｐ、２３Ｂ
　従来の技術 Ｂ１まえがき・・・・・・・・・・・・・・２３Ｂ、マ
ーク形成の原理・・・・・・・・・・２５Ｂ、再生の原
理・・・・・・・・・・・・・２８Ｂ、先願発明（２Ｆ
ｍ膜オーバーライト）の説明・　・　・　・　・　・　
・　・　・　・　・　・　・　３１Ｂ、クラス１につい
ての原理の詳細説明・・５６Ｂ、クラス２についての原
理の詳細説明・・６５Ｂ７クラス３についての原理の詳
細説明・・７３Ｂ、クラス４についての原理の詳細説明
・・８１Ｂ、クラス５についての原理の詳細説明・・８
８Ｂａａクラス６についての原理の詳細説明・・９６Ｂ
　クラス７についての原理の詳細説明・　１０３Ｂｌｌ
クラス８についての原理の詳細説明・　１１０Ｂ１３ク
ラス９についての原理の詳細説明・　１１８Ｃ１発明が
解決しようとする課題・・・・Ｐ、　１２５Ｄ１発明の
目的・・・・・・・・・・・・・　１２７Ｅ１課題を解
決する為の手段・・・・・・・　１２７Ｆ９作　用・・
・・・・・・・・・・・φ・１３０Ｇ、実施例 Ｇ１実施例・・・・・・・・・・・・・・　１３２Ｇｔ
比較例・・・・・・・・・・・・・・　１３４Ｈ１効　
果・・・・・・・・・・・・・・・１３６Ａ、　　（産
業上の利用分野〕 本発明は、磁性層間の交換結合力が制御されたオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体に関する。

Ｂ、　　（従来の技術〕 ｌ工圭ヱ皇ｌ 最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を使用した後、消去することができ、新たな
情報を記録することができるというユニークな利点のた
めに、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ５ＧｄＦｅＣｏ１ＴｂＦｅ、
　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層は一
般に同心円状又はらせん状のトラックを成しており、こ
のトラックの上に情報が記録される。ここで、本明細書
では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又は「
下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）Ｊの何れか一方を、ｒＡ向
き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき情報
は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」の磁
化を有するマーク（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の磁化を有
するマーク（Ｂ６）の２つの信号で記録される。これら
のマークＢ、、Ｂ６は、デジタル信号の１．０の何れか
一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録
されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印
加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。この処
理は初期化＜１ｎｉｔｉａｌｉｘｅ）と呼ばれる。その
上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ、
）を形成する。情報は、このマーク（Ｂ１）の有無及び
／又はマーク長によって記録される。

マー　ン　の マークの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録再生層に直径が１μｍ以下のマークを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約ｌＯ１マーク／ｄまでの記録密度を達成すること
ができる。何故ならば、レーザビームはその波長とほと
んど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（
ｃｏｎｃａｎｔｒａｔａ）することが出来るからである
。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたマークが形成
される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｃを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏＩＩ＋ｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ）を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。

逆にこの１度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度
から外れるとＨｃが急激に低下する。この低下したＨｃ
は、比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされ
る。つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ
２゜□　書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｃを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

旦ユ」１生１巳」皿 第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向きＪ磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、ｒ
ｉ！Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ６）から反射され
た光はアナライザーを透過することができない。それに
対してｒＡ向き」に磁化されたマーク（Ｂ、）から反射
された光は、　（ｓｉｎ２θｋ）ｔを乗じた分がアナラ
イザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲
される。その結果、ｒＡ向き」に磁化されたマーク（Ｂ
１）は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂｏ）よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。このディテクターからの電気信号は、記録され
た情報に従って変調されるので、情報が再生されるので
ある。

ところで、従来、キュリー点が低くて記録が容易で、し
かも保磁力が高くて保存安定性が高（、その上θｋが大
きくて再生（読み出し）時のＣ／Ｎ比が高い１つの磁性
材料を見い出すことは困難で、そのため必要な機能を分
離して２つの異なる磁性材料を積層した多層光磁気記録
媒体が提案された（特開昭５７−７８６５２号）。この
記録媒体は、垂直磁化可能な低キユリー点を有する高保
磁力層と垂直磁化可能な高キュリー点を有する低保磁力
層との２層膜からなり、該高保磁力層と低保磁力層とは
互いに交換結合しているものである。そのため低キユリ
ー点を有する高保磁力層で情報の記録と保存を行ない、
記録された情報は低保磁力層に転写されるので、高キュ
リー点を有し、かつθにの大きな低保磁力層で情報の読
み出しを行なうのである。

その後、第１層を記録層、第２層を記録補助層とし、両
層の交換結合力σ１と、キュリー点、保磁力の違いを利
用した光変調だけによるオーバーライト可能な多層光磁
気記録媒体が発明され、特許出願された（特開昭６２−
１７５９４８号）。以下、この出願を「先願」と引用す
る。尚、先願明細書では交換結合力σｗを界面磁壁エネ
ルギーと称している。

−バーー　　　の 先願発明のオーバーライトは、光だけを変調し、記録磁
界は変調しない。磁界を高速度で変調させることは困難
である。つまり、記録に使用するレーザービームは、記
録すべき情報に従いパルス状に変調される。しかし、こ
のこと自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記
録すべき２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調
する手段は既知の手段である。例えば、ＴＨＥ　　ＢＥ
ＬＬＳＹＳＴ［！Ｍ　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　　ＪＯＵ
ＲＮＡＬ、Ｖｏｌ、６２（１９８３）１９２３−１９３
６に詳しく記載されている。

先願発明のオーバーライトで特徴的なことの１つは、ビ
ーム強度の高レベルと低レベルである。

即ち、ビーム強度が高レベルの時に、記録磁界（Ｈｂ）
により記録補助層（第２層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ
向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）させ、この第２層の「
逆Ａ向き」磁化によって記録層（第１層）に「逆Ａ向き
」磁化〔又はｒＡ向き」磁化〕を有するマークを形成す
る。ビーム強度が低レベルの時は、記録補助層の「Ａ向
き」磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁化〔又は［
逆Ａ向き」磁化］を有するマークを形成する。ビームは
「近接した２本のビーム」とし、先行ビームを低レベル
で点灯して原則として変調せず、それにより常に逆Ａ向
き〔又はＡ向き」〕のマークを形成し、□つまり、これ
で前の情報が消去される一□次いで、後行ビームを高レ
ベルと前記低レベルと同等又はそれよりも低い基底レベ
ル（ゼロレベルを含む）との間で情報に従いパルス変調
することにより、高レベルのときにのみＡ向き〔又は逆
Ａ向き」〕のマークを形成し、これにより記録すること
をしてもよい。

ビーム強度 情報信号の例　　　１１１００１１１１０００いずれに
せよ、必要な高レベルと低レベルと場合により基底レベ
ルが与えられれば、前述の文献等に記載された変調手段
を部分的に修正するだけで、ビーム強度を上記の如く変
調することは、当業者にとって容易である。

尚、ここでは、ｒＡ向き」は、磁性層に対して上向き又
は下向きの何れか一方を意味し、他方は「逆Ａ向き」と
称される。

また、ここでは、　　　　　　　　　　という表現は、
先に〔〕の外のＯＯＯを読んだときには、以下の　　　
　　　　　　〕のときにも、〔〕の外のＯＯＯを読むこ
とにする。それに対して先にＯＯＯを読まずに〔〕内の
△△△の方を選択して読んだときには、以下のＱαＣＬ
ＬＸＪ！ΔΔΔ〕のときにもＯＯＯを読まずに〔〕内の
ΔΔ△を読むものとする。

このようにオーバーライト可能な媒体は、垂直磁気異方
性を有する少なくとも２層の磁性層がらなり、第１層が
記録層で第２層が記録補助層がらなる。

媒体は、第１実施態様と第２実施セ様とに大別される。

いずれの実施態様においても、記録媒体は、多層構造を
有し、この構造は次のように分けられる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保
磁力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。いず
れも垂直磁化膜からなる。

なお、ｔＩ４＋層と第２層ともに、それ自体多層膜から
構成されていてもよい。

第１実施態様では、第１層の保磁力をＨＣＩ、第２層の
それをＨＣ２、第１層のキュリー点をＴｃ＋、第２層の
それをＴＣ！、室温をＴＩ、低レベルのレーザービーム
を照射した時の記録媒体の温度をＴＬ、［レベルのレー
ザービームを照射した時のそれをＴ、、第１層が受ける
結合磁界をＨＤＩ、第２層が受ける結合磁界をＨ１ｌ＋
、とした場合、記録媒体は、下記の式１を満足し、そし
て室温で式２〜５を満足する。

ＴＲ＜Ｔｅｌ〜ＴＬ＜Ｔｅｌ〜Ｔ、・・・・−・・−・
・・・・・式ｌＨｃ＋　＞　Ｈｃｔ　＋　ｌ　Ｈｏｒ　
”　Ｈｏｓ’−−−−−−−−一式２Ｈｃｌ＞Ｈｏｌ　
　・−−一・　・−・・−・−・−・・−・−・−・−
・式３Ｈｃ　ｚ　＞　ＨＤ　ｘ　・−−−一−−−−−
−−−−−−−−−−式４Ｈｃｔ＋Ｈｏ＊＜　１Ｈｉｎ
ｉ、　ｌ　＜Ｈｃ＋±ＨＤ　＋−−一式５上記式中、符
号「陶」は、等しいか又はほぼ等しいことを表す。また
上記式中、複合上、；については、上段が後述するＡ　
（ａｎＬｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であ
り、下段は後述するＰ（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒
体の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプに
属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラブで表すと、次の
如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

初期補助磁界（ＨＩｎｊ、　）により第２層のみが、記
録直前まで「Ａ向き」今に磁化されている状態を概念的
に表すと、次のようになる。

Ｔ　Ｌ　　　　　　　　Ｔ　Ｈ 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Ｈｉｎｉ
、）を印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向き
は反転せずに第２層の磁化のみが反転する。そこで、記
録前に媒体に初期補助磁界（Ｈｉｎｉ、）を印加すると
、第２層のみを「Ａ向き」□ここでは「Ａ向き」を便宜
的に本明細書紙面において上向きの矢９で示し、ｒｙｊ
１！Ａ向き」を下向きの矢８で示す　　　　　に磁化さ
せることができる。そして、Ｈｉｎｉ、がゼロになって
も、式４により、第２層の磁化９は再反転せずにそのま
ま保持される。

ここで、第１層における磁化の向き１は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上記の表
を簡単のために、次のように表す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴ、に上昇させる。すると、Ｔ、はキュリー点
Ｔｃ＋より高温度なので第１Ｉ１１の磁化は消失してし
まう。更にＴ１１はキュリー点ＴＣ２付近なので第２層
の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に
応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ）
を印加する。記録磁界（Ｈｂ）は、媒体自身からの浮遊
磁界でもよい。

説明を簡単にするために「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ
）を印加したとする。媒体は移動しているので、照射さ
れた部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、空気
で冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の温度が低下する
と、第２層の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて「逆Ａ向
き」の磁化となる（状態２Ｈ）。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴｃ＋より少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化の向きは
、第２ＮＡの磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒
体に応じて８（Ｐタイプの媒体の場合）又はｉｌ？（Ａ
タイプの媒体の場合）が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点ＴＣＩ付近なので
第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点ＴＣＩよりは低温であるので第２層の磁化は消失し
ない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂを○Ｎ、ＯＦＦすることは不可能であ
る。従って、止むを得ず高温サイクルのときのままにな
っている。

しかし、ＨｃＩはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化が反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第１
層の磁化が現れる。

現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために第２層の磁
化の向きの影響を受ける。その結果、媒体によって９（
Ｐタイプの場合）又は８（Ａタイプの場合）の磁化が出
現する。この磁化は室温でも変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化９又は８を有するマークが形成される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオーバーライトが可能となる。

の　　Ａ 部分（マーク）は、１回転する間に再び）ｌｉｎｉ、の
作用を受け、その結果、第２層の磁化は元の「Ａ向き」
？に揃えられる。しかし、室温では、第２層の磁化の影
響が第１層に及ぶことはなく、そのため記録された情報
は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。

このような第１層及び第２層を構成する垂直磁化膜は、
■補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及
びフェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方
を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群
から選択される。

なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された以上の説明は、
キュリー点を利用した第１実施態様の説明である。それ
に対し、て第２実施態様は室温より高い所定の温度に於
いて低下したＨｃをを利用するものである。第２実施態
様は、第１実施態様に於けるＴ　ｃｔの代わりに第１層
が第２Ｆｍに磁気結合される温度ＴＳ２を使用し、Ｔｃ
ｔの代わりに第２層がＨｂで反転する温度ＴＳＩを使用
すれば、第１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、第１層の保磁力をＨＣ１％第２層の
それをＨｃ！、第１層が第２層に磁気的に結合される温
度をＴｌｌとし、第２ＮＡの磁化がＨｂで反転する温度
をＴ９！ｑ室温をＴ３、低レベルのレーザービームを照
射した時の媒体の温度をＴＬ、高レベルのレーザービー
ムを照射した時のそれをＴＨ１第ｉ層が受ける結合磁界
をＨＤＩ、第２層が受ける結合磁界をＨｌｌｌＩとした
場合、記録媒体は、下記式〇を満足し、かつ室温で式７
〜１０を満足するものである。

Ｔ　＊　＜　Ｔ　ｍｌ〜Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　Ｉ！−Ｔ　Ｈ
−・−−−−−・・・・・−・−・−式６Ｈｃ＋＞　Ｈ
ｃ＊＋　　ｌ　ＨＩ、＋”　Ｈｏｅ’　　−−−−−−
−−−−一式７ＨＣＩ＞ＨＤＩ　　・・・・・・・・・
−・・・・・・・・・・・・・・−・・−・−−−一・
・−・−式８Ｈｃ、　＞　Ｈ、、−−−−−−−−−−
−−−・−一−−−式９Ｈｃｔ　＋　Ｈｐｔ＜　ｌ旧ｎ
１．　ｌ　　＜Ｈｃ＋±ＨＤ　ｌ−−一式１０上記式中
、複合上、；については、上段が後述するＡ　（ａｎｔ
ｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段
は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場
合である。

第１、第２実施態様ともに、第１層、第２層の双方が遷
移金属（例えばＦｅ、　Ｃｏ）−重希土類金属（例えば
Ｇｄ、　Ｔｂ、　ＤＹその他）合金組成から選択された
非晶質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　　ｍｅｔａｌ）−重希土類金
属（ｈｅａｖｙｒａｒｅ　　ｅａｒＬｈ　　ｌ１ｅｔａ
ｌ）合金組成から選択された場合には、各合金としての
外部に現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移
金属原子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の
向き及び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す
）のスピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えば
ＴＭのスピンの向き及び大きさを点線のベクトル↑で表
わし、ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、
合金全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル
９で表す。このとき、ベクトル９はベクトル↑とベクト
ル↑との和として表わされる。ただし、合金の中ではＴ
ＭスピンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル↑
とベクトル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って
、↓と↑との和或いは１と↑との和は、両者の強度が等
しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れ
る磁化の大きさはゼロ）になる。このゼロになるときの
合金組成は補償組成（ｃｏｎｐｅｎｓａｔ　ｉｏｎｃｏ
ｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有し
、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有
するベクトル（宕又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる。例えば↑Ｌは９と
なり、千二はａとなる。

ある合金組成のＴＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとってＯ○リッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、１Ｍリッチな組成とＲ
Ｅリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、媒体全
体としては、種類を次の４象限に分類することができる
。先に述べたＰタイプはＩ象限と■象限に属するもので
あり、Ａタイプは■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリッチ（第１層） ７Ｍリッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、
温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリー点（
保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無限大に
増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成がある
。この無限大のときに相当する温度は補償温度（Ｔ、、
□　）と呼ばれる。

補償温度は、１Ｍリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第■象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太線は
第２層のそれである。

ｌゴニ乙上 保磁力 保磁力 え」！乙ユ 保磁力 ここで、第「層と第２層の両方についてＲＥリッチか７
Ｍリッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないかで
分けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。

第　　１　　表 保磁力 第　　１ 表 （続き） 一つい　の ここで第１表に示したクラスｌの記録媒体（Ｐタイプ・
■象限・タイプ１）に属する特定の媒体石１を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。この
媒体石１は、次式１１：％式％ の関係を育する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２
層のグラフを示す。

Ｔ　ｃｏｍｅ、＋Ｔ　ｅａｍｐ　　２ 室１ｈで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式１２
である。この媒体Ｎα１は式１２を満足する。

式１２ ％式％ 但し、Ｈａｔ　：第１層の保磁力 ＨｃＩ＝第２層の保磁力 Ｍ５．：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａＬｉｏ
ｎ）Ｍ、ド第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σｗ；界面磁壁エネルギー（交換結合力）（ｉｎｔｅｒ
ｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）このとき、）
Ｉｉｎｉ、の条件式は、式１５で示される旧ｎｉ、が無
くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力により第
１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化が再
度反転せずに保持される条件は、式１３〜１４で示され
る。この媒体１１α１は式１３〜１４を満足する。

式１３： 式１４ σ　。

ＨＣｌ　＞ ２Ｍｓ＋ｊ σ　。

Ｈａｔ＞ ２Ｍ５ｔｔ＋ 式１５ ％式％ 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」？（↑上）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２８）
。

しかし、この温度ではＨａｔがまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、Ｔ、になると、第２層の１度はほぼキュ
リー点ＴＣＩとなり、その磁化も消失する（状態４□）
。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ　ｒｏｖｅ、　！より少し高い温
度になったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わら
ない→く、強度の大小関係が逆転する（↑工→社）。そ
のため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化
になる（状態３□）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＳ１、より少し下がると、第２層に磁化
が生じる。この場合、↑Ｈｂによって？（↓７）の磁化
が生じる（状態５□）。しかし、温度はまだＩｔより高
いので第１層には磁化は現れない。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔ３゜□２以下にな
ると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強
度の大小関係が逆転する（↓↑→↓↑）。

その結果、合金全体の磁化は反転し、９がら「逆Ａ向き
」８になる（状態６＋＋）。

この状態６□では媒体の温度はＴＣＩより高いので第１
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨｃ、は大きいので第２層の磁化８は、↑Ｈｂで反転
することはない。

そして、更に温度が低下してＴｃ−り少し下がると、第
１１に磁化が出現する。そのとき第２層がらの交換結合
力がＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）を
揃えるように働く。そして、第１層の温度はＴＳ１、、
□１以上なのでＴＭスピンの方が太き（、そのため第１
層には↓Ｔつまり合の磁化が出現する。この状態が状態
７Ｈである。

媒体の温度がこの状態７Ｈのときの温度から更に低下し
て、Ｔｔ６□１以下になると、第１層のＲＥスピンとＴ
Ｍスピンの強度の大小関係の逆転が起こる（　↓↑→↓
↑　）。その結果、８の磁化が出現する（状態８．ｌ）
。

そして、やがて媒体の温度は状態８．のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣ１は十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることな（、状
態８．が保持される。こうし界ｔＨｂに打ち勝って出現
する（状態３Ｌ）。こて、「逆Ａ向き」のマーク形成が
完了する。

−一−（温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ、に上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔ　ｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（
状態２Ｌ）。

の状態の温度はＴ６゜、、、１以上なので７Ｍスピンの
方が大きい。

媒体温度が更にＴ　ｃａｍｐ、１以下に冷えると高温サ
イクルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大
小関係が逆転する（　↑上−↑↓　）。その結果、第１
層の磁化は今となる（状態４Ｌ）。

この状態２Ｌに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）、ＴＭ
スピン同士（１）を揃える力が働（。

その結果、第盲層には、社即ち８の磁化が記録磁この状
態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持される。そ
の結果、「Ａ向き」會のマーク形成が完了する。

一ス　　つい　　　　の 次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ２）に属する特定の媒体隘２を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体阻２は、次式１６； ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴＬ　　　Ｔ−０ｌｌｌ！　　Ｔｌ＋ 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、
式１７である。この媒体阻２は式１７を満足する。　式
１７： ％式％ ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 ＨＣＩ：第２層の保磁力 Ｍ３．：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｓｔ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σ１　：界面磁壁エネルギー このとき、　）ｌｉｎｉ、の条件式は、式２０で示され
る。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式１８
〜１９で示される。この媒体魔２は式１８〜１９を満足
する。

２Ｍ５１を 式１９： ％式％ 式２０： 高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体１度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
１にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２８）
。

２Ｍ□ｔ＋　　　　　　　　　　　　　　　　　　２Ｍ
ｓ＋を室温で式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の
第２層の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足
するＨ１旧、により例えばｒＡ向き」９（↑工）に揃え
られる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状
態１）。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ、。□、より少し高い１度になっ
たとき、ＲＥＳＴＭの各スピンの方向は変わらないが、
強度の大小関係が逆転する（↑Ｌ→や−）。そのため、
合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」０の磁化になる
（状態３．）。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

しかし、この温度ではＨ（１がまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、ＴＨになると、第２層の温度はほぼキュ
リー点Ｔｃ、となり、その磁化は消失する（状態４１）
。

下になると、ＲＥｌＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（ふ↑−１予）。

その結果、合金全体の磁化は反転して？から「逆Ａ向き
」８になる（状態６＋＋）。

この状態４１１においてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣＩより少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって９（↓↑）の磁化が
生じる。しかし、温度はまだＴｃ１より高いので第１層
には磁化は現れない。この状態が状態５．である。

この状態６．では媒体の温度はＴＳ１、より高いので第
１層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度
でのＨＣＩは大きいので第２層の磁化が↑Ｈｂで反転す
ることはない。

そして、更に温度が低下してＴ　ａｔより少し下がると
、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層がらの交換
結合力がＲＥスピン同士（１）、ＴＭスピン同士（↑）
を揃えるように働く。そのため第１層には↓中っまり８
の磁化が出現する。この状態が状態フイである。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔｃａｆｆｉｏ、１
以そして、やがて媒体の温度は状態７．のときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨｃ＋は十分に大きいの
で第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、
状態７Ｈが保持される。こうして、「逆Ａ向き」のマー
ク形成が完了する。

ト領域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥＴＭ
スピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の各ス
ピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピ
ン同士（、）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち會の磁化が出現する（
状態３Ｌ）。

一低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ、に上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｃ１にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状
態２Ｌ）。

この状１！Ｊ３Ｌは媒体温度が更に低下しても変化かな
い。その結果、第１層には、ｒＡ向き」のマークが形成
される。

この状態２Ｌに於いてレーザービームのスポッース　　
つい　の　　の 次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・丁
象限・タイプ３）に属する特定の媒体Ｎｌ１３を例にと
り、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体胤３は、次式２１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　ｅｌｌｌ１９．　ｌ　Ｔ　Ｌ Ｔ、ｌ 室ｉｉ！　Ｔ　ａで第１層の磁化が初期補助磁界１旧。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２２
である。この媒体Ｎα３は式２２を満足する。

式２２゜ ２　Ｍｓ＋　ｔ　＋　　　　　２　Ｍｓｔ　ｔ　ｌただ
し、Ｈｃ＋　　第１層の保磁力 Ｈｃ＋：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳｔ：第２ｍの飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σｗ；界面磁壁エネルギー このとき、１旧、の条件式は、式２５で示される。

１旧、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合
力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２１
！ｌの磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２３
〜２４で示される。この媒体胤３は式２３〜２４を満足
する。

σ　。

式２３：　　Ｈｃｌ＞ ２Ｍｓ＋ｔ σ　。

式２４：　　Ｈｃｔ＞ ２Ｍｓ＋ｔｔ 式２５： 高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｅ
ｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２．）
。

２　Ｍｓ＋　ｔ　１２　Ｍｓ＋　ｔ　＋室温で式２２〜
２４の条件を満足する記録媒体の第２層の磁化は、記録
の直前までに式２５の条件を満足する１旧、により例え
ば「Ａ向き」？（↑↓）に揃えられる。このとき、第１
層は記録状態のままで残る（状態１）。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴ□となると
、Ｔ１．ｌは第２層のＴｅｌにほぼ等しいので、その磁
化も消失する（状態３．）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ）は１の向きに印加される。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ、より少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、ＬＨｂによって８（卦）の磁化が生
じる。しかし、温度はまだＴｃｌより高いので第１層に
は磁化は現れない。この状態が状態４．である。

してＴ　＋６゜、以下になると、第１層のＴＭスピンと
ＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（）？→１↑）
。そのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の
磁化になる（状態８Ｈ）。

更に、媒体温度が低下してＴＳ１、より少し下がると、
第１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が
交換結合力により第１層に及ぶ。その結果、ＲＥスピン
同士（１）、ＴＭスピン同士（↑）を揃える力が働く。

この場合、媒体温度はまだＴ、。。１以上にあるので、
ＴＭスピンの方がＲＥスピンより大きくなる（↓↑）。

その結果、第２層には電の磁化が出現する（状態５１（
）。

この状態５１１の温度から、媒体温度が更に低下そして
、やがて媒体の温度は状態６８のときの温度から室温ま
で低下する。室温でのＨｃ　１は十分に大きいので第１
層の磁化は、安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のマーク形成が完了する。

−低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると％ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔ’ｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する。

しかし、この温度ではまだ第２層のＨｃｌは大きいので
、その磁化はｉＨｂによって反転されることはない（状
態２Ｌ）。

この状態２．においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＳ１１より少し下がると、第２層のＲＥＴ
Ｍスピン（↑よ）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン同士（↑）　、ＴＭス
ピン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑−即ち８の磁化が出現する。

この場合、温度はＴ２゜、、１以上なので７Ｍスピンの
方が大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴＣ６１１１＋、１以下に冷えると高温
サイクルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの
大小関係が逆転する（　社→↑；　）。その結果、第１
層の磁化はＩＨｂに打ち勝って９となる（状態４Ｌ＞。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」９のマーク形成が完了する。

一ス　　つい　の　　の 次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ４）に属する特定の媒体胤４を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体１ＩＱ４は、次式２６； ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｌ　　　　　　　　Ｔ　Ｈ 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎ式２７であ
る。この媒体Ｎα４は式２７を満足する。

σ　、　　　　　　　　　　　　σ　。

式２７：　ＨＣＩ＞　ＨＣ＋＋　　　　　　　＋２　Ｍ
ｓ＋　ｔ　＋　　　　２　Ｍｓ＋　ｔ　Ｈただし、ＨＣ
Ｉ：第１層の保磁力 ＨＣ２：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｏ；第２層の飽和磁気モーメント ｔｌ　：第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σｗ；界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３０で示される。

１旧、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合
力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層
の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２８〜２
９で示される。この媒体撲４は式２８〜２９を満足する
。

式２８：　　ＨＣＩ〉 により反転せずに第２層のみが反転する条件は、２Ｍｓ
＋ｔ　↓ て媒体温度をＴＬに上昇させると、Ｔ、は第１層式３０ ％式％ のキュリー点ＴＳ１ｌにほぼ等しいので、その磁化は消
失する（状態２゜）。

２　Ｍｓ；　ｔ　ｒ　　　　　　　　　　　　　　　　
　２　Ｍｓ＋　を室温で式２７〜２９の条件を満足する
記録媒体の第２層の磁化は、記録の直前までに式３０の
条件を満足するＨｉｎｉ．により例えばＦＡ向き」０（
↑↓）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のま
まで残る（状態１）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴイにな
ると、第２層の温度ＴＩＩはキュリー点ＴＣＩにほぼ等
しいので、その磁化も消失する。これが状態３１．ｌで
ある。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）はｔの向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射しこの状態３
Ｈにおいてレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＳ１、より少し下がると、第２層の磁化
が出現する。この場合、ｌＨｂのために＆（１↑）の磁
化が出現する。しかし、温度はＴＳ１１より高いので第
１層には磁化が現れない。この状態が状態４□である。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃ＋より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層がらの交
換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑
）を揃えるように働く。そのため第１層には１↑つまり
８の磁化が出現する。この状態が状態５．である。

そして、やがて媒体の温度は状Ｉ！！ｉ５．のときの温
度から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大き
いので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のマーク形成が完了する。

−低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩを越えているので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈｃ＋はまだ十分に大きいので、第２層の
磁化合はｉＨｂで反転することはない。この状態が状態
２Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ＋より少し下がると、第２層のＲＥ。

ＴＭスピン（ＴＬ）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまり交換結合力はＲＥスピン同士（
↑）、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働く。その
結果、第１層には、↑↓即ち合の磁化がｌＨｂに打ち勝
って出現する。この状態が状態３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、ｒＡ向き」８のマーク形成が完了する。

つい　の　　の 次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体ぬ５を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎｌ１５は次式３１ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ、、□　＋　Ｔ　Ｌ Ｒ１ 室ｉ　Ｔ　変で第１層の磁化が初期補助磁界ＨＩ旧。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２
である。この媒体階Ｓは式３２を満足する。

式３２： ただし、Ｈｃｌ・第１層の保磁力 ＨｃＩ：第２層の保磁力 Ｍｓ、：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ５！：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔｔ　：第２層の膜厚 σＷ＝界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３５で示される。

１旧、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合
力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層
の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３３〜３
４で示される。この媒体岡５は式３３〜３４を満足する
。

σ　Ｗ 式３３：　　Ｈａｔ＞ ２Ｎ４ｓ＋ｉ＋ σ　１ 式３４：　　Ｈａｔ＞ ２Ｍ３２ｉｚ 式３５： ％式％ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５の条件を満足する）
ｉｉｎｉ、により例えばｒＡ向き」０（↓↑）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態
ｌ）。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（）Ｉｂ　）は土の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
−こほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２□）
。

の磁化が出現する。しかし、温度はＴＳ１ｌより高いの
で第１層には磁化が現れない。この状態が状態４、であ
る。

さらにビームの照射が続くと、媒体の温度がＴＨとなる
と、Ｔ、はＴ、にほぼ等しいので、第２層の磁化も消失
する（状態３Ｈ）。

この状態３１Ｉにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃｔより少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、１Ｆ（ｂのために８（↑↓）更に
、媒体温度が低下してＴ’ｃ＋より少し下がると、第１
層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交換
結合力により層１に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同士（
↑）、ＴＭスピン同士（Ｌ）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだＴｃｏ□１以上にあるので、ＴＭス
ピンの方がＲＥスピンより大きくなる（〜）。その結果
、第２層には凸の磁化が出現する（状態５．）。

この状態５＋＋の温度から、媒体温度が更に低下してＴ
２゜□１以下になると、第１層のＴＭスピンとＲＥスピ
ンの強度の大小関係が逆転する（＋↓→↑↓）。そのた
め、第１層の磁化が反転し、「Ａ向きｊ１１？の磁化に
なる（状態６Ｈ）。

そして、やがて媒体の温度は状態６．のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１１ｉ１の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」のマーク形成が完了する。

−低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｌｌは大きいので、
第２層の磁化はｌＨｂによって反転されることはない（
状暫２Ｌ）。

この状！！！２Ｌでビームの照射が終了すると、媒体温
度は降下し始める。媒体温度がＴＳ１１より少し下がる
と、第２層のＲＥ、ＴＭスピン（↓τ　）の影響が交換
結合力により第１層の各スピンに及ぶ。

つまりＲＥスピン同士（１）、ＴＭスピン同士（？）を
揃える力が働く。その結果、第１層には、↓↑即ち？の
磁化がＬＨｂに打ち勝って出現する。

この場合、温度はＴゆ。□１以上なのでＴＭスピンの方
が大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴ　ｃｏ□、以下に冷えると高温サイク
ルと同様に第１層のＲＥスピンとＴＭスビンとの大小関
係が逆転する（　↓↑→１↑　）。その結果、第１層の
磁化は８となる（状態４Ｌ）。

この状態４．は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向きＪ８のマーク形成が完了する
。

つい　　　　の 次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体魔６を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体ＮＱ８は、次式３６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ＊　　　　　　　　　Ｔ　ｃ＋　　　　　　　Ｔｃ＋
ＴＬ　　　　　　　　Ｔ□ 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３７
である。この媒体階６は式３７を満足する。

式３７： ただし、Ｈｃ、：第１層の保磁力 Ｈｃ２：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント 量３．：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔｌ　、第２層の膜厚 σＷ：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式４０で示される。

）１ｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交
換結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも
第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３
８〜３９で示される。この媒体ＩＪＱ６は式３８〜３９
を満足する。

σ　。

２Ｍｓ＋ｔ＋ σ　。

式３９：　　Ｈｃｔ＞ ２Ｍｓ＋ｔ＋ 式４０： ％式％ 室温で式３７〜３９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４０の条件を満足するｎ
１．により例えば「Ａ向き」０（↓↑）に揃えられる。

このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は１の向きに印加される。

高Ｉサイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１１１のキュリー点Ｔ
ｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２＋
１）。

化が出現する。この場合、ｉＨｂのために８（、ｉ）の
磁化が出現する。しかし、１度はＴｅｌより高いので第
１層には磁化が現れない。この状態が状態４Ｈである。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、第２層の温度Ｔ、はＴｃ２にほぼ等しいので、そ
の磁化も消失する。これが状態３Ｈである。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃ１より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層がらの交
換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（↓
）を揃えるように働く。そのため第菖層には↑巳つまり
９の磁化がＬｌ−１ｂに打ち勝って出現する。この状態
が状態５イである。

この状態３．ｌにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｏより少し下がると、第２層の磁そして
、やがて媒体の温度は状態５．のときの温度から室温ま
で低下する。室温でのＨｃｌは十分に大きいので第１層
の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向きＪＱのマーク形成が完了する。

−一低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈｃｒはまだ十分に大きいので、第２層の
磁化ｔはｌＨｂで反転することはない。この状態が状態
２Ｌである。

±（１）、ＴＭスピン同士（↑）を揃えるように働く。

その結果、層１には、１↑即ち凸の磁化が出現する。こ
の状態が状態３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」凸のマーク形成が完了する
。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

ＴＭスピン（↓↑）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同つい　の　
　の 次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体磁７を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎ［Ｌ７は、次式４１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ、　　　　　　　　ＴＳ１ 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉにより反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式４２である。

この媒体愁７は式４２を満足する。

２Ｍｓ＋ｔ　１　　　２Ｍｓ＋ｔ　ｒ ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 ＨＣＩコ第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ　５　Ｉ：第２層の飽和磁気モーメントｔｌ　、第１
層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σｗ：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式４５で示される。

旧旧、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合
力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層
の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４３〜４
４で示される。この媒体撲７は式４３〜４４を満足する
。

σ　１ 式４３：　　Ｈｃ＋＞ ２Ｍｉ＋ｔ＋ 式４４：　　Ｈｃｚ＞ ２Ｍ５ｚｔ＋ 式４５ て媒体温度をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュ
リー点Ｔｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（
状態２□）。

２　Ｍｇ３　ｔ　ｔ　　　　　　　　　　　　　　　　
　　２　Ｍｓ＋　を室温で式４２〜４４の条件を満足す
る記録媒体の第２層の磁化は、記録の直前までに式４５
の条件を満足する１口ｉ、により例えば「Ａ向き」９（
↓↑）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のま
まで残る（状態１）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ１．ｌ
になると、第２層の温度ＴＨはキュリー点ＴＣＩにほぼ
等しいので、その磁化も消失する。これが状態３　＋＋
である。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は１の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射しこの状態３
．においてレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｃ＊より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、ＬＨｂのために８（＋ｉ）の磁化
が出現する。しかし、温度はまだＴ　ｃ＋より高いので
第１層には磁化が現れない。この状態が状態４Ｎである
。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃ、より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（↑二）
からの交換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン
同士（↓）を揃えるように働く。そのため第１層には＋
１つまり６の磁化が出現する。この状態が状態５□であ
る。

−低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔ　ｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。

この状態では、Ｈ（１はまだ十分に大きいので、第２層
の磁化？はＬＨｂで反転することはない。この状態が状
態２Ｌである。

そして、やがて媒体の温度は状態５１１のときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨｃ＋は十分に大きいの
で第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」８のマーク形成が完了すこの状
態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥＴＭ
スピン（↓↑）の影響が交換結合力により第１層の各ス
ピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↓）、ＴＭ
スピン同士（↑）を揃えるように働く。その結果、第５
層には、↓Ｔ即ち？の磁化がｌＨｂに打ち勝って出現す
る。この状態が状態３、である。

この状態３Ｌは媒体１度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」分のマーク形成が完了する。

−ス　　つい　の　　の 次に第１表に示したクラス８の記録媒体（へタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体走８を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体隘８は、次式４６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴＬ Ｔ、。□　２Ｔ）１ 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｌにより反転
せずに第２層のみが反転する条件は、式４７である。こ
の媒体Ｎ１８は室温で式４７を満足する。式４７： ただし、Ｈｃｔ：第１層の保磁力 Ｈ９２：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳ、；第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔｌ　：第２層の膜厚 σｗ：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５０で示される。

Ｈｔｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４８
〜４９で示される。この媒体漱８は式４８〜４９を満足
する。

σ　Ｗ 式４８：　　Ｈｃｔ＞ ２Ｍ！＋ｔ σ　。

式４９：　　Ｈｃｔ＞ ２Ｍｓ＋ｔ＋ 式５０； ％式％ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５ｏの条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」１７（↑↓）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態
１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２□）
。

第２層の磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、そのため媒体温度が更に上昇
してＴ□になったとする。すると、Ｔ、はＴｃｌにほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失する（状轢４□）。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴｅ６１１１ｔ
より少したかくなると、ＲＥスピン（↑）及びＴＭスピ
ン（＝）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転す
る（↑↓　→　社）。その結果、第２層の磁化は反転し
て「逆Ａ向きＪ８となる。この状態が状態３．である。

この状明４□においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ！より少し下がると、第２層に磁化が生
じる。この場合、↑Ｈｂにより０（、Ｌ↑）の磁化が出
現する。しかし、１度はまだＴＳ１１より高いので、第
１層には磁化が現れない。この状態が状態５、である。

しかし、この温度ではＨｃｔがまだ大きいので、さらに
媒体温度が低下してＴＳ１。ｍｓ、ｌより少し下がると
、Ｒ，Ｅスピン（１）及びＴＭスピン（↑）の向きは変
わらずに、強度の大小関係が逆転する（↓↑　→↓↑　
）。その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」凸
となる。この状態では、ＨＣ２は既に相当大きくなって
いるので第２Ｉｉｉの磁化８は↑Ｈｂにより反転される
ことはない。そして、温度はまだＴｅｌより高いので第
１層の磁化はまだ現れない。この状態が状態６Ｈである
。

更に、媒体温度が低下してＴｅｌより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化（１
↑）が交換結合力により第１層に及ぶ。

その結果、ＲＥスピン同士（１）、ＴＭスピン同士（↑
）を揃える力が働く。その結果、第１層にはふ↑（９）
の磁化が出現する（状態７□）。

そして、やがて媒体の温度は状態７□のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨｃ　ｔ　Ｉｔ十分に大き
いので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、ｒＡ向き」今のマーク形成が完了する。

−一一砥温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１１のキュリ
ー点Ｔｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｏ、は大きいので、
その磁化は↑Ｈｂによって反転されることはない（状態
２Ｌ）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＳ１ｌより少し下がると、第２層のＲＥＴ
Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピ
ン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑二部ち■の磁化が↑Ｈｂに打
ち鋳って出現する。この状態が状態３Ｌである。

つい　の　　の 次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎ１１９を例にと
り、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体面９は、次式５１ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のマーク室！Ｔ、で第１
層の磁化が初期補助磁界１旧により反転せずに第２層の
みが反転する条件は、形成が完了する。

式５２である。この媒体階９は式５２を満足する。

式５２： 式５３： ％式％ ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 Ｈ（１：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ！Ｉ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 １、＋第２層の膜厚 σｗ；界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式５５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第璽層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式５３
〜５４で示される。この媒体阻９は式５３〜５４を満足
する。

式５４： ％式％ 式５５ ２　Ｍｓ＋　ｔ　ｔ　　　　　　　　　　　　　　　　
２　Ｍｓ＋　を室温で式５２〜５４の条件を満足する記
録媒体の第２層の磁化は、記録の直前までに式５５の条
件を満足するＨｉｎｉ、により例えばｒＡ向き」合（↑
３）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のまま
で残る（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は１の向きに印加される。

高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２．）
。

化が出現する。この場合、ＩＨｂのために８（↓↑）の
磁化が出現する。しかし、この温度はまだＴｃより高い
ので第１層には磁化は現れない。この状態が状態４．で
ある。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２層の温度ＴＳ１はＴＳ１１にほぼ等しいので
、第２層の磁化も消失する。これが状態３＋＋である。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃｌより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（↓↑）
からの交換結合力がＲＥスピン同士（１）　、ＴＭスピ
ン同士（↑）を揃えるように働く。そのため第１層には
↓↑つまり酋の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。こ
の状態が状態５□である。

この状態ａｌｌにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の１度は低下し始める。

媒体の温度がＴｃｌより少し下がると、第２層の磁そし
て、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から室温
まで低下する。室温でのＨ６，は十分に大きいので第１
層の磁化は安定に保持される。

こうして、ｒＡ向き」９のマーク形成が完了する。

−低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点”Ｉ”ｃｔにほぼ等しいので、その磁化は消失する
。この状態では、Ｈａｔはまだ十分に大きいので、第２
層の磁化合はｌＨｂで反転することはない。この状態が
状態２．である。

ＴＭスピン（↑↓　）の影響が交換結合力により第１層
の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↑）
、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働く。その結果
、第１層には、九即ち８の磁化が出現する。この状態が
状態３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のマーク形成が完了する
。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

磁性層の寿命を高めるには、成膜を高真空中で行なう必
要がある。

しかしながら、本発明者の実験によると、第１層と第２
層を順序は問わないが高真空中で連続成膜すると、用い
る材料組成によっては磁性層間の交換結合力σｗが大き
くなり過ぎることがある。

ところで、オーバーライト可能な媒体では、第１層の情
報が初期化された第２層の磁化によって消去されないよ
うにするために σ　Ｗ 式３：Ｈｃ＋＞ ２Ｍｓ＋ｔ を満足することが必要であり、また初期化された第２層
の磁化が第１層の磁化により反転させられないために、 式４：Ｈｃ意〉 ２Ｍｓ＊ｔ＋ が大き過ぎる場合、保磁力Ｈｃと飽和磁気モーメントＭ
ｓは磁性層の材料で決定されてしまうので、膜厚ｔを大
きくしなければならない。

しかし、第１層、第２層の合計膜厚ｔｌ！が厚くなると
、磁性層の熱容量か増加するので、記録時にレーザービ
ームを照射して媒体の温度をＴｌｌ又はＴＬに上昇させ
る時、レーザービームのパワーを大きくしなければなら
ず、照射効率が悪いという問題点を生む。

また、第１１５１の膜厚を余り薄くする（例えば、４０
０Ａ以下）と、そこから情報を再生する場合、カー回転
角θｋが小さ（なってＣ／Ｎ比が低下するという問題が
発生する。

それに対して、第２層にはそのような制限はなく、薄け
れば薄いほど良い。例えば１００人程度でも差し支えな
い。

を満足する必要がある。従って、交換結合力σ１旦−１
−的 従って、本発明の目的は、交換結合力σＷが大きなオー
バーライト可能な光磁気記録媒体において、■第１層、
第２層の合計膜厚ｔｌｌが減少し、それでいて、■Ｃ／
Ｎ比の低下しないオーバーライト可能な光磁気記録媒体
を提供することにある。

の 本発明者は、まず、Ｃ／Ｎ比を低下させないために、第
１層の膜厚は減少させないか又は若干１加しても、それ
を上回る第２層の膜厚減少を得ることを目標として研究
を進めた。

そこで、まず、式３及び式４を次の通り変形した。

σＷ 式３Ａ：　　ｌ＞ ２Ｈｃ＋Ｍｉ＋ｊ σ　Ｗ 式４Ａ：　　１＞ ２　ＨｃｔＭｓｔ　ｔ　！ これらの式から、第２層の膜厚を減少させるには、第２
層のＨＣＭ、積が変化せずに交換結合力σｗだけが低下
すれば良いから、第１層に非磁性元素、例えば、Ｓｉ、
Ｇｅ等を添加することにより交換結合力σ１を低下させ
ればよいことが判った。

しかしながら、未だ時として、目的通り合計膜厚ｔｉｔ
を薄くできないことが判明した。

そこで更に研究した結果、非磁性元素を添加すると交換
結合力σ１が低下すると同時に、第１層のＨｃＭ、積も
低下することが判った。

そのため、第１層のＨ６間、積が第２層のそれに比べて
小さい媒体の場合には、第１層に非磁性元素を添加して
交換結合力σｗを低下させると、Ｈｃ　Ｍ　ｓ積も更に
低下して小さくなるため、式３Ａから理解されるように
、第１層の膜厚ｔ１を相当に大きくしなければならなく
なる。その結果、第２層の膜厚１＋を減じても、結局合
計膜厚ｔは却って厚くなることが判明した。

それに対して、第１層のＨ６間、積Ｈｃ、Ｍ、、が第２
層の積Ｈｃ、ＭＳ、に比べて大きい媒体の場合には、も
ともとＨｃ　Ｍ　ｓ積が大きいので、これが低下しても
、膜厚ｔ、の増加は僅かであり、それ以上に第２層の膜
厚ｔｌを減少させることができるので、結局合計膜厚ｔ
１．が減少することを見いだし、本発明を成すに到った
。

つまり、本発明は、第１層に非磁性元素を添加すること
により交換結合力σ１を低下させ、それにより第２層の
膜厚ｔｌを薄くさせ、最終的に合計膜厚ｔｌｌを薄くす
るために、第１層のＨｃ　Ｍ　ｓ積Ｈｃ　１Ｍ　ｓ　＋
が第２１Ｉの積Ｈｃ２Ｍ　ｓ２に比べて大きい媒体を選
択した点に特徴がある。

Ｍ組−」シー 磁性体の磁気モーメントは、原子が持つ外殻電子の軌道
角運動量及びスピン角運動量によるものであり、その交
換相互作用は、その電子が隣接する電子とパウリの原理
と２電子間の静電的相互作用を通じて行うことによる。

そのため、磁性原子間の距離が長くなったり、最近接の
磁性原子の数が減少したりすると、その原子が持つ電子
の波動関数の重なりが小さくなり、交換相互作用が減少
する。

本発明に従い、磁性層中に非磁性元素を添加することで
、実質的に眉間の磁性原子間の距離が長（なり、かつ最
近接の磁性原子の数が減少し、それにより交換相互作用
が低下して交換結合力σ。

が低下する。

非磁性元素としては、例えばＳｉ、　Ｇｅｓ　Ｔｉ５Ｃ
ｒ。

Ｃｕｓ　Ｉｎなどが使用される。

非磁性元素の添加量は、効果をだすには少なくとも０．
５ａＬｍ％が好ましいが、実際の添加量は、予備実験に
より、必要とする所定の交換結合力σ。

とそのときのＨｃ　Ｍ　ｓ積に応じた添加量を確かめて
おくべきである。但し、多くとも１０ａｔｍ％、通例で
は５ａｔｍ％を越えることは稀である。

以下、実施例及び参考例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。

庄ユ１息１ ３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２ｍｍ、直径２００ｍｍのディスク状ガラス基
板を該装置の真空チャンバー内にセットする。

真空チャンバー内を一旦５Ｘ１０〜’Ｐａまで排気した
後、アルゴンガスを導入し、Ａｒガス圧を２×１０−’
Ｐａに保持しながら、成膜速度約３人／秒で、スパッタ
リングを行なう。

最初にターゲットとしてＴｂＦｅＣｏ合金と非磁性元素
であるＴｉの２個を用いて同時スパッタリングを行い、
基板上に膜厚ｊ　、　＝　５００人のＴｂＦｅＣｏＴｉ
垂直磁化膜からなる第１層を形成する。

続いて、真空状態を保持したままターゲットとしてＴｂ
ＤｙＰｅＣｏ合金を用いてスパッタリングを行ない、第
１層の上に膜厚ｔ、＝７００人のＴｂＤＹＦｅＣ。

系垂直磁化膜からなる第２層を形成する。

こうしてＴｉターゲットに与える電力を変化させること
により第１層に添加するＴｉの添加量を変えた数種の２
層光磁気記録媒体（第１図参照）を製造した。

そして、製造した数種の媒体について第１層の積Ｈｃ　
＋　Ｍ　ｓ　＋積並びに交換結合力σｗ及び第２層の積
Ｈ（、Ｍ　ｓ　を積を測定した。

その結果、元素の添加を行なわない場合には、第１層の
Ｈｃ　Ｍ　ｓ積は、８００．０００で、第２層のそれは
２００．０００であった。本例は、第１層のＨ６間、積
が第２層のそれに比べて大きい例である。

測定された交換結合力σｗ及びＨｃ　Ｍ　ｓ積を基に、
式３Ａ及び式４Ａから第１層、第２層の膜厚ｊ＋、ｔｔ
の最小値を計算した。この結果をグラフ化して第５図に
示す。第５図には、更に膜厚ｔ、ｔ！のグラフを基に、
最小合計膜厚ｔｌの変化を１点鎖線で示す。

このグラフから、非磁性元素Ｔｉの添加両を増すと合計
膜厚ｔｌ＋を薄くできることが判る。

Ωよ」Ｕ４医 実施例と同様にして、第１層が膜厚ｊ＋＝５００人のＧ
ｄＤｙＦｅＣｏＴｉ系垂直磁化膜、第２層が、膜厚ｔｚ
＝７００人のＴｂＤｙＦｅＣｏ系垂直磁化膜からなるオ
ーバーライト可能な２層光磁気ご己録媒体を製造した。

このとき、実施例と同様にＴｉターゲットに与える電力
を変化させることにより第１層に添加するＴ１の添加両
を変えた数種の媒体を製造した。

そして、製造した数種の媒体について第１層、第２層の
各Ｈ６Ｍ、積並びに交換結合力σいを測定した。

その結果、元素の添加を行なわない場合には、第１層の
Ｈｃ　Ｍ　ｓ積は、１５０．０００で、第２層のそれは
２００．０００であった。本例は第１層のＨｃ　Ｍ　−
積が第２層のそれに比べて小さい例である。

測定された交換結合力σｗ及びＨｃＭ、積を基に、式３
Ａ及び式４Ａから第１層、第２層の膜厚ｊｌ、ｊｌの最
小値を計算した。この結果をグラフ化して第６図に示す
。第６図には、更に、膜厚１＋、１１のグラフを基に、
最小合計膜厚ｔ１１の変化を１点鎖線で示す。

このグラフから、非磁性元素Ｔｉの添加量を増しても合
計膜厚ｔ１２を実施例に比べ余り薄くできないことが判
る。

９の 以上のとおり、本発明によれば、第１層のＨｃＭ、積が
第２層のそれに比べて大きい媒体を選択し、その第１層
に非磁性元素を添加して交換結合力σ９を低下させたの
で、第１層の膜厚１．を減らすことなく、即ちそのため
、Ｃ／Ｎ比が低下することな（、全体の膜厚ｔ１１を減
少させることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にががるオーバーライト可能
な光磁気ご己録媒体の縦断面を示す概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 ′Ｍ３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念
図である。 第４図は、先願発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。 第５図は、第１層の８６Ｍ、積が第２層のそれに比べ大
きい媒体において、第１層に非磁性元素を添加した場合
の、非磁性元素の添加量と、オーバーライトが可能な最
小膜厚との関係を示すグラフである。 第６図は、第１層のＨｃ　Ｍ　ｓ積が第２層のそれに比
べ小さい媒体において、第１層に非磁性元素を添加した
場合の、非磁性元素の添加量と、オーバーライトが可能
な最小膜厚との関係を示すグラフである。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ−−−−−・・・・・・・レーザービームＬｐ−・・
−・・−直線偏光 Ｂ１・−・−・・・「Ａ向き」磁化を有するマークＢ、
・・・−・−「逆Ａ向き」磁化を有するマーク−・−記
録層（第１層） ２・・−・−記録補助層（第２層） Ｓ−ｍ−・一基板 ２０−　オーバーライト可能な光磁気記録媒体２Ｉ　−
ｍ−記録媒体を回転させる回転手段２２−、−初期補助
磁界旧ｎｉ　　印加手段２３−・・レーザービーム光源 ２４−・−記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を
、（１）ｒＡ向きｊ磁化を存するマーク又は「逆Ａ向き
」磁化を有するマークの何れか一方を形成するのに適当
な温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のマーク
を形成するのに適当な１度を媒体に与える低レベルとの
間でパルス状に変調する手段 ２Ｓ・・・・記録磁界Ｈｂ印加手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　垂直磁気異方性を有する少なくとも２つの磁性層が
   積層されており、その第１層を記録層とし第２層を記録
   補助層とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体にで
   あって、 第１層の磁気飽和モーメントＭｓと保磁力Ｈｃとの積Ｈ
   ＿ｃＭ＿ｓが第２層のそれに比べて大きい媒体において
   、 第１層に非磁性元素を添加することにより、該磁性層間
   に働く交換結合力σ＿ｗを低下させ、それにより第２層
   の膜厚を薄くすると共に全体の膜厚を薄くすることを特
   徴とする記録媒体。 ２　前記非磁性元素の添加量が少なくとも０．５ａｔｍ
   ％であることを特徴とする請求項第１項記載の記録媒体
   。 ３　前記非磁性元素が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ
   又はＩｎであることを特徴とする請求項第１項記載の記
   録媒体。 ４　媒体に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ
   向き」、他方を「逆Ａ向き」とするとき、記録の直前ま
   でに、第２層の磁化のみが初期補助磁界Ｈｉｎｉ．によ
   り「Ａ向き」に揃えられ、高レベルのレーザービームを
   照射した時は、記録磁界により第２層の「Ａ向き」磁化
   を「逆Ａ向き」に反転させ、この第２層の「逆Ａ向き」
   磁化によって第１層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き
   」磁化〕を有するマークが形成され、低レベルのレーザ
   ービームを照射した時は、第２層の「Ａ向き」磁化によ
   って第１層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕
   を有するマークが形成されることを特徴とする請求項第
   １項記載の記録媒体。 ５　第１層が室温で保磁力が高くキュリー点が低い磁性
   薄膜であり、第２層が相対的に室温で保磁力が低くキュ
   リー点が高い磁性薄膜であることを特徴とする特許請求
   の範囲第４項記載の記録媒体。 ６　第１層が第２層に磁気結合される温度をＴ＿Ｓ＿１
   とし、第２層が記録磁界で反転する温度をＴ＿Ｓ＿２と
   するとき、第１層が室温で保磁力が高く、第２層が相対
   的に室温で保磁力が低く、かつ Ｔ＿Ｓ＿１＜Ｔ＿Ｓ＿２であることを特徴とする請求項
   第４項記載の記録媒体。 ７　前記第１層と第２層とは、いずれも遷移金属−重希
   土類合金組成から選択したものであることを特徴とする
   請求項第１項記載の記録媒体。 ８　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
   に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２層が
   重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度を
   有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の条件
   式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２
   ≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ９　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
   に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２層
   が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度
   を有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の条
   件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿
   ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １０　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２層
   が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度
   を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １１　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １２　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２層
   が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償温度
   を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １３　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １４　第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １５　第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿
   ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ）／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈ
   ｉｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １６　第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２＜Ｈｉ
   ｎｉ．＜Ｈ＿Ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界