DE3619618A1 - Magnetooptisches aufzeichnungsverfahren mit ueberschreibmoeglichkeit, magnetooptische aufzeichnungsvorrichtung und dazugehoeriger aufzeichnungstraeger - Google Patents

Magnetooptisches aufzeichnungsverfahren mit ueberschreibmoeglichkeit, magnetooptische aufzeichnungsvorrichtung und dazugehoeriger aufzeichnungstraeger

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DE3619618A1 DE19863619618 DE3619618A DE3619618A1 DE 3619618 A1 DE3619618 A1 DE 3619618A1 DE 19863619618 DE19863619618 DE 19863619618 DE 3619618 A DE3619618 A DE 3619618A DE 3619618 A1 DE3619618 A1 DE 3619618A1
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Description

  • Beschreibung
  • Magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren mit Uberschreibmöglichkeit, magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung und dazugehöriger Aufzeichnungsträger Die Erfindung betrifft ein magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren mit Überschreibmöglichkeit, eine magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung mit Überschreibmöglichke it und einen dazugehörigen Aufzeichnungsträger, der ein Uberschreiben von Datem ermöglicht.
  • In den vergangenen Jahren wurden beträchtliche Anstrengungen darauf verwandt, ein optisches Aufzeichnungs/Wiedergabe-Verfahren und eine optische Aufzeichnungsvorrichtung sowie einen dazugehörigen Auf zeichnungsträger zu entwickeln, der verschiedenen Anforderungen genügt, z. B. eine hohe Speicherdichte, eine große Speicherkapazität, raschen Zugriff und schnelle Aufzeichnungs/Widergabegeschwindigkeit besitzt.
  • Unter verschiedenen optischen Aufzeichnungs /Wiedergabe- Verfahren ist das magnetooptische Verfahren das attraktivste, und zwar aufgrund seiner besonderen Vorteile, zu denen die Möglichkeit gehört, Information nach Benutzung wieder zu löschen und neue Information auf der gelöschten Stelle aufzuzeichnen.
  • Der bei einem magnetooptischen Aufzeichnungs/Wiedergabe-Verfahren verwendete Auf zeichnungsträger enthält als Aufzeichnungsschicht eine oder mehrere senkrecht magnetische Wagnetisierbare) Schichten. Die magnetische Schicht enthält beispielsweise amorphes GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo und dergleichen. Auf der Aufzeichnungsschicht sind konzentrische oder spiralförmige Spuren gebildet, und auf diesen Spuren werden Daten aufgezeichnet. Es sei für den vorliegenden Zusammenhang vereinbart, daß eine der "Aufwärts"- und Abwärts-Richtungen der Magnetisierung bezüglich einer Schichtoberfläche definiert ist als eine A-Richtung, während die andere, verbleibende Richtung definiert ist als eine "nicht-A-Richtung". Die aufzuzeichnenden Daten werden vorab binär umgesetzt und in Form von Bits aufgezeichnet, wobei ein Bit (B1) eine "A-gerichtete" Magnetisierung und ein Bit (Bg) eine "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung aufweist. Diese Bits B1 und Bo entsprechen den Pegeln 1 bzw. "0" eines digitalen Signals. Im allgemeinen kann jedoch die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsspuren dadurch in die "nicht-A-Richtung" ausgerichtet werden, daß vor der Aufzeichnung ein starkes Vormagnetisierungsfeld angelegt wird. Diesen Vorgang bezeichnet man als "Initialisierung". Danach werden auf den Spuren die Bits (B1) mit der A-gerichteten" Magnetisierung erzeugt. Das Aufzeichnen der Daten erfolgt entsprechend dem Vorhandensein/Nicht-Vorhandensein und/oder einer Bit-Länge des Bits (B1).
  • Prinzip der Bit-Erzeugung: Bei der Bit-Erzeugung wird ein charakteristisches Merkmal eines Laserstrahls ausgenutzt, nämlich dessen ausgezeichnete Kohärenz in Raum und Zeit, um einen Laserstrahl auf einen Fleck zu richten, der so klein ist wie die durch die Wellenlänge des Laserlichts bestimmte Beugungsgrenze. Das fokussierte Licht wird auf die Spuroberfläche gestrahlt, um dadurch Daten zu schreiben, daß Bits auf der Aufzeichnungsschicht erzeugt werden, die einen Durchmesser von weniger als 1 ßm aufweisen. Bei der optischen Aufzeichnung läßt sich theoretisch eine Aufzeichnungsdichte von bis zu 108 Bit/cm2 erreichen, da man einen Laserstrahl auf einen Fleck konzentrieren kann, dessen Größe so klein ist wie die Wellenlänge des Laserstrahls.
  • Wie Fig. 1 zeigt, wird bei der magnetooptischen Aufzeichnung ein Laserstrahl L auf eine Aufzeichnungsschicht 1 fokussiert, um die Schicht zu erwärmen, während von außen ein Vormagnetisierungsfeld (Hb)an den aufgeheizten Abschnitt gelegt wird, und zwar in bezüglich der Initialisierungsrichtung entgegengesetzter Richtung. Die Koerzitivkraft Hc des lokal erwärmten Bereichs verringert sich unter den Wert des Vormagnetisierungsfeld (Hb). Demzufolge wird die Magnetisierungsrichtung dieses Bereichs in Richtung des Vormagnetisierungsfeld (Hb) ausgerichtet. Auf diese Weise werden umgekehrt magnetisierte Bits erzeugt.
  • Ferromagnetische und ferrimagnetische Stoffe unterscheiden sich voneinander in der Temperaturabhängigkeit der Magnetisierung und Hc (Koerzitivkraft). Ferromagnetische Stoffe besitzen einen Wert Hc, der um die Curie-Temperatur herum abnimmt und aufgrund dieses Phänomens eine Datenaufzeichnung ermöglicht. Demzufolge wird das Aufzeichnen von Daten in ferromagnetischen Stoffen als Tc-Aufzeichnung (Curie-Temperatur-Aufzeichnung) bezeichnet.
  • Andererseits besitzen ferrimagnetische Stoffe eine Kompensationstemperatur, unterhalb der Curie-Temperatur, bei der die Magnetisierung (M) Null wird. Der Wert Hc nimmt bei dieser Temperatur abrupt zu und nimmt folglich außerhalb dieser Temperatur abrupt ab. Der verminderte Wert von Hc wird durch ein relativ schwaches Vormagnetisierungsfeld (Hb) beseitigt. Hierdurch wird ein Aufzeichnen ermöglicht.
  • Den Vorgang bezeichnet man als Tcomp.-Aufzeichnung (Kompensationspunkt-Aufzeichnung).
  • In diesem Fall ist man nicht auf den Curie-Punkt oder in dessen Nähe befindliche Temperaturen sowie auf die Kompensationstemperatur festgelegt. In anderen Worten: Eine Aufzeichnung ist möglich, wenn ein zum Auslöschen eines verminderten Werts von Hc geeignetes Vormagnetisierungsfeld (Hb) an ein magnetisches Material gelegt wird, das die verminderte Koerzitivkraft Hc bei einer vorbestimmten Temperatur aufweist, die über der Zimmertemperatur liegt.
  • Prinzip des Lesevorgangs: Fig. 2 veranschaulicht das Grundprinzip des Lesens von Daten auf der Grundlage des magnetooptischen Effekts. Licht ist eine elektromagnetische Welle, bei der normalerweise ein Vektor des elektromagnetischen Felds in einer senkrecht zum Lichtweg befindlichen Ebene in alle Richtungen abgeht. Wird Licht umgesetzt in linear polarisierte Lichtstrahlen (Lp) und auf eine Aufzeichnungsschicht (1) gelenkt, so wird es durch die Aufzeichnungsschicht (1) reflektiert oder durch die Schicht hindurchgelassen. Dabei dreht sich die Polarisierungsebene entsprechend der Richtung der Magnetisierung (M). Dieses Phänomen wird als magnetischer Kerr-Effekt oder magnetischer Faraday-Effekt bezeichnet.
  • Wenn beispielsweise die Polarisationsebene des reflektierten Lichtes für die "A-gerichtete" Magnetisierung um ek dreht, dreht sie sich um den Winkel -ek Grad bei einer "nicht-A-gerichteten" Magnetisierung. Wenn daher die Achse eines optischen Analysators (Polarisators) senkrecht auf die um -8. geneigte Ebene eingestellt wird, kann das von dem nicht A-gerichteten" magnetisierten Bit (Bn) den Analysator nicht passieren. Im Gegensatz dazu passiert ein Produkt 2 (X sin28k) des von einem in "A-Richtung" magnetisierten Bits (B1) den Analysator und fällt auf einen Detektor (bei dem es sich um eine photoelektrische Wandlereinrichtung handelt). Als Folge davon erscheint das in 11A-Richtung11 magnetisierte Bit (B1) heller als das in "nicht-A-Richtung" magnetisierte Bit (Bg), und der Detektor erzeugt für das Bit (B1) ein stärkeres elektrisches Signal. Das von dem Detektor erzeugte elektrische Signal ist nach Maßgabe der aufgezeichneten Daten moduliert. Somit werden die Daten gelesen.
  • Um einen Aufzeichnungsträger erneut zu verwenden, muß (i) der Aufzeichnungsträger von einer Initialisierungs-Vorrichtung neu initialisiert werden, (ii) der Aufzeichnungsvorrichtung sowohl ein Löschkopf als auch ein Aufzeichnungskopf hinzugefügt werden, oder (iii) aufgezeichnete Daten im Zuge einer Vorverarbeitung mit Hilfe einer Aufzeichnungsvorrichtung oder einer Löschvorrichtung gelöscht werden.
  • Deshalb ist bei dem bekannten magnetooptischen Aufzeichnungsverfahren ein Überschreiben, welches das Aufzeichnen neuer Daten unabhängig vom Vorhandensein oder Nicht-Vorhandensein aufgezeichneter Daten gestattet, nicht möglich.
  • Wenn die Richtung eines Vormagnetisierungsfelds (Hb)zwischen der "A-Richtung" und der "nicht-A-Richtung" frei geändert werden kann, ist ein Überschreiben möglich. Allerdings kann man die Richtung des Vormagnetisierungsfelds (Hb) nicht mit hoher Geschwindigkeit ändern. Wenn z. B. eine Einrichtung zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfelds (Hb) ein Permanentmagnet ist, so muß die Richtung des Magneten mechanisch umgekehrt werden. In diesem Fall ist es nicht möglich, die Richtung des Magneten mit hoher Geschwindigkeit zu drehen.
  • Ebenfalls läßt sich dann, wenn die Einrichtung zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfelds (Hb) ein Elektromagnet ist, die Richtung des hohen Stroms nicht sehr schnell ändern.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein magnetooptisches Auf zeichnungsverfahren zu schaffen, welches die Möglichkeit des Überschreibens durch Modulieren von Licht bietet, ohne daß die Richtung des Vormagnetisierungsfelds (Hb) geändert wird. Außerdem sollen eine magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung mit der Möglichkeit des Uberschreibens und ein entsprechender Auf zeichnungsträger geschaffen werden.
  • Diese Aufgabe wird durch die in den Patentansprüchen angegebene Erfindung gelöst.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Laserstrahl auf der Grundlage der aufzuzeichnenden Daten impulsmoduliert.
  • Dieser Vorgang an sich wurde auch bei dem herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungsverfahren durchgeführt. Eine Einrichtung zum Pulsmodulieren der Strahlintensität auf der Grundlage von auszuzeichnenden zweiwertigen oder binären Daten ist bekannt, beispielsweise aus'THE BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL", Vol. 62 (1983), S. 1923 bis 1936.
  • Ein charakteristisches Merkmal der Erfindung liegt in den hohen und niedrigen Pegeln der Strahlintensität. Ist die Strahlintensität auf hohem Pegel, wird die "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht mit Hilfe eines Vormagnetisierungsfelds (Hb) umgekehrt in die "nicht-A-Richtung", und ein Bit mit der "nicht-A-gerichteten" (oder der "A-gerichteten") Magnetisierung wird so mit Hilfe der "nicht-A-gerichteten " Magnetisierung der Bezugsschicht in der Aufzeichnungsschicht erzeugt. Hat die Strahlintensität niedrigen Pegel, wird ein Bit mit der "A-gerichteten" oder der "nicht-A-gerichteten") Magnetisierung mit Hilfe der "A-gerichteten" Magnetisierung der Bezugsschicht in der Aufzeichnungsschicht erzeugt. Wenn die erforderlichen hohen und niedrigen Pegel gegeben sind, ist es für den Fachmann einfach, die Strahlintensität erfindungsgemäß zu modulieren, indem lediglich die Modulationseinrichtung teilweise modifiziert wird.
  • Wenn im vorliegenden Zusammenhang der Ausdruck ooo (oder xxx'erscheint, so entspricht der Ausdruck "ooo" außerhalb der Klammern auch dem Ausdruck "ooo" in den nachfolgenden Ausdrücken "ooo (oder -xxx )" oder umgekehrt.
  • Es ist bekannt, daß auch dann, wenn keine Aufzeichnung erfolgt, ein Laserstrahl häufig auf einem sehr niedrigen Pegel* gehalten wird, um z. B. Zugriff auf eine vorbestimmte Stelle des Aufzeichnungsträgers zu erhalten. Wenn dieser Laserstrahl auch beim Lesen verwendet wird, wird der Laserstrahl häufig auf eine Intensität des sehr niedrigen Pegels* geschaltet. Im Rahmen der Erfindung kann die Intensität des Laser strahls auf diesen sehr niedrigen Pegel eingestellt werden. Allerdings ist der niedrige Pegel zur Erzeugung eines Bits höher als der genannte sehr niedrige Pegel*. Deshalb hat die Ausgangswellenform des Laserstrahls gemäß der Erfindung das in Fig. 5 skizzierte Aussehen.
  • Eine erfindungsgemäße magnetooptische Aufzeichnungseinrichtung ist im Anspruch 3 angegeben. Die Modulierungseinrichtung kann dadurch erhalten werden, daß eine herkömmliche Strahl-Modulierungseinrichtung modifiziert wird, wenn hohe und niedrige Pegel der Strahlintensität gegeben sind. Eine solche Modifizierung liegt im Rahmen des fachmännischen Könnens.
  • Die Erfindung schafft außerdem einen Aufzeichnungsträger mit der Möglichkeit des Überschreibens von aufgezeichneten Daten.
  • Die Erfindung läßt sich grundsätzlich unterteilen in einen ersten und einen zweiten Aspekt. In beiden Aspekten besitzt der Aufzeichnungsträger eine Mehrschichtstruktur, die sich gemäß Fig. 7A in zwei Schichten unterteilt.
  • Die erste Schicht ist die Aufzeichnungsschicht, die bei Zimmertemperatur eine hohe Koerzitivkraft aufweist und eine niedrige Umkehrtemperatur besitzt. Die zweite Schicht ist die Bezugsschicht, die bei Zimmertemperatur eine geringe Koerzitivkraft besitzt und eine höhere Umkehrtemperatur aufweist als die erste Schicht. Beide Schichten weisen quermagnetische Schichten auf. Man beachte, daß sowohl die erste als auch die zweite Schicht Mehrschichtstruktur besitzen können. Falls notwendig, kann zwischen der ersten und der zweiten Schicht eine dritte Schicht angeordnet werden. Außerdem muß zwischen der ersten und der zweiten Schicht keine klare Grenze vorhanden sein, die eine Schicht kann nach und nach in die andere Schicht übergehen.
  • Gemäß dem ersten Aspekt wird die Koerzitivkraft einer Aufzeichnungsschicht 1 dargestellt durch HC1, diejenige einer Bezugsschicht durch HC2, die Curie-Temperatur der Aufzeichnungsschicht 1 durch TC1, diejenige der Bezugsschicht 2 durch TC2, die Zimmertemperatur durch TR, die Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels mit TL, diejenige bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels mit TH, ein an die Aufzeichnungsschicht 1 angelegtes Koppelfeld mit HD1 und ein an die Bezugsschicht 2 angelegtes Koppelfeld mit HD2. In diesem Fall genügt der Aufzeichnungsträger der folgenden Formel 1 und erfüllt bei Zimmertemperatur die Formeln 2 bis 5: TR TC1 r TL ( TC2 # TH ... Formel 1 HC1> HC2 + 1HD1 + HD21 ... Formel 2 Hc1 > HD1 ... Formel 3 HC2> HD2 ... Formel 4 HC2 + HD2 < |Hini.| ( HC1 HD1 ... Formel 5 In den obigen Formeln bedeutet das Symbol "e " entweder "gleich" oder "etwa gleich". Außerdem bedeutet bei den Doppel-Vorzeichen + und + das obere Vorzeichen einen A-(Antiparallel-)Typ-Aufzeichnungsträger, während das untere Vorzeichen einen P- (Parallel-) Typ-Aufzeichnungsträger bedeutet.
  • Diese Aufzeichnungsträger werden unten näher erläutert. Man beachte, daß der P-Typ-Träger ein ferromagnetisches Material und ein magnetostatisches Kopplungsmedium entählt.
  • Die Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur ist in Fig. 6 skizziert. In Fig. 6 stellt die dünne Kurve die Kennlinie der Auf zeichnungsschicht 1 und die dicke Kurve diejenige der Bezugsschicht 2 dar.
  • Wenn daher bei Zimmertemperatur ein Initialisierungs- oder Anfangsfeld (Hini.) an den Aufzeichnungsträger angelegt wird, wird die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird, was Formel 5 entspricht. Wenn das Anfangsfeld Hini. an die Aufzeichnungsschicht vor der Aufzeichnung gelegt wird, läßt sich die Bezugs schicht 2 in Richtung magnetisieren (in der Zeichnung ist die Richtung durch einen nach oben gerichteten Doppelpfeil " " angegeben, während die "nicht-A-Richtung" durch einen nach unten gerichteten Doppelpfeil " " angegeben ist). Wenn das Anfangsfeld Hini. auf Null abnimmt, kann die Magnetisierungsrichtung # der Bezugsschicht 2 unverändert bleiben, ohne umgekehrt zu werden, was Formel 4 entspricht.
  • Fig. 7B zeigt schematisch den Zustand, daß lediglich die Bezugsschicht 2 in "A-Richtung" + unmittelbar vor dem Aufzeichnen magnetisiert ist.
  • Nach Fig. 7B repräsentiert die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 zuvor aufgezeichnete Daten. Da die Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 1 sich durch den grundlegenden Betriebsmechanismus nicht ändert, wird sie bei der folgenden Beschreibung durch "X" angegeben.
  • Die Tabelle in Fig. 7B ist zur Vereinfachung in Fig. 8 im Zustand 1 modifiziert dargestellt.
  • Im Zustand 1 wird der Laserstrahl hohen Pegels auf den Aufzeichnungsträger gerichtet, um die Trägertemperatur auf TH zu erhöhen. Da TH höher ist als die Curie-Temperatur TC1, verschwindet die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1.
  • Da außerdem TH in der Nähe der Curie-Temperatur TH2 liegt, verschwindet auch die Magnetisierung der Bezugsschicht 2 vollständig oder fast vollständig. Je nach Typ wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in die "A-Richtung" oder in die "nicht-A-Richtung" an den Träger gelegt. Das Vormagnetisierungsfeld (Hb) kann ein Streufeld vom Träger selbst sein. Zur Vereinfachung sei angenommen, daß das Vormagnetisierungsfeld (Hb) an den Träger in die "nicht-A-Richtung" gelegt werde. Da sich der Träger bewegt, wird ein gegebener bestrahlter Abschnitt sofort von dem Laserstrahl getrennt und durch Luft gekühlt. Wenn die Temperatur des Trägers bei Vorhandensein des Felds Hb abnimmt, wird die Magnetisierungsrichtung der Bezugs schicht 2 aufgrund des Feldes Hb umgekehrt in die "nicht-A-Richtung" (Bedingung 2H in Fig. 8).
  • Wird der Träger weiter abgekühlt und sinkt die Trägertemperatur unter TC1, so erscheint die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 wieder. In diesem Fall wird die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 durch diejenige der Bezugs schicht 2 beeinflußt aufgrund einer magnetischen Kopplungskraft (Austausch oder magnetostatische Kopplung).
  • Deshalb wird entsprechend dem Träger-Typ eine Magnetisierung + (im P-Träger) oder 19 (im A.Medium) erzeugt, wie in Fig. 8 durch die Bedingung 3H gezeigt ist.
  • Eine Änderung der Bedingungen aufgrund der Bestrahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels wird im folgenden als Hochtemperaturzyklus bezeichnet.
  • Als nächstes wird unter der Bedingung 1 in Fig. 9 der Laserstrahl niedrigen Pegels auf den Träger gelenkt, um die Trägertemperatur auf TL anzuheben. Da TL in der Nähe der Curie-Temperatur TCi liegt, verschwindet die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 vollständig oder fast vollständig. Da jedoch TL unterhalb der Curie-Temperatur TC2 liegt, verschwindet die Magnetisierung der Bezugsschicht 2 nicht (Bedingung 2L in Fig. 9). Bei der Bedingung 2L kann das Vormagnetisierungsfeld (Hb) auch wenn es nicht benötigt wird, nicht mit hoher Geschwindigkeit ein- oder ausgeschaltet werden. Daher wird die Vormagnetisierung unvermeidlich angelegt.
  • Da jedoch die Koerzitivkraft HC2 auf hohem Wert gehalten wird, wird die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wegen des Feldes Hb nicht umgekehrt. Da sich der Aufzeichnungsträger bewegt, wird ein gegebener bestrahlter Bereich unmittelbar von dem Laserstrahl getrennt und durch Luft gekühlt. Mit fortschreitender Kühlung erscheint die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Magnetisierungsrichtung wird durch diejenige der Bezugsschicht 2 wegen der magnetischen Koppelkraft beeinflußt. Als Ergebnis ergibt sich entsprechend dem Aufzeichnungsträger-Typ die Magnetisierung e (beim P-Träger) oder + (beim A-Träger). Diese Magnetisierung ändert sich auch bei Zimmertemperatur nicht (Bedingung 3L in Fig. 9).
  • Eine Änderung der Bedingungen aufgrund einer Bestrahlung mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels wird hier als Niedrigtemperatur zyklus bezeichnet.
  • Fig. 10 stellt die obigen Erläuterungen zusammen. Gemäß Fig. 10 werden Bits, die entweder eine Magnetisierung oder + , die einander entgegengesetzt sind, besitzen, werden unabhängig von der Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 im Hochtemperatur- und Niedrigtemperaturzyklus erzeugt. Insbesondere wird ein Überschreiben ermöglicht durch Impulsmodulierung des Laserstrahls zwischen hohem Pegel (Hochtemperaturzyklus) und niedrigem Pegel (Niedrigtemperaturzyklus), entsprechend den aufzuzeichnenden Daten.
  • Man beachtet, daß es sich bei dem Aufzeichnungsträger normalerweise um eine Scheibe oder Platte handelt, die sich während des Aufzeichnungsvorgangs dreht. Aus diesem Grund wird ein aufgezeichneter Abschnitt (Bit) während einer einzelnen Umdrehung wiederum durch das Anfangsfeld Hini.
  • beeinflußt. Als Ergebnis ist die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 entlang der ursprünglichen "A-Richtung" ausgerichtet. Bei Zimmertemperatur jedoch kann die Magnetisierung der Bezugs schicht nicht länger diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 beeinflussen, und die aufgezeichneten Daten können gehalten werden.
  • Wenn die Aufzeichnungsschicht 1 mit linear polarisiertem Licht bestrahlt wird, lassen sich, weil das reflektierte Licht Dateninformation enthält, Daten reproduzieren, wie es bei einem herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungsträger der Fall ist.
  • Eine die Aufzeichnungsschicht 1 und die Bezugsschicht 2 bildende quermagnetische Schicht wird ausgewählt aus der Gruppe, die besteht aus (1) kristallinen oder amorphen ferromagnetischen oder ferrimagnetischen Stoffen mit einer Curie-Temperatur und keiner Kompensationstemperatur, und (2) kristallinen oder amorphen ferrimagnetischen Stoffen mit sowohl Kompensationstemperatur als auch der Curie-Temperatur.
  • Der erste Aspekt der Erfindung, bei dem die Curie-Temperatur ausgenutzt wird, wurde oben beschrieben. Im Gegensatz dazu wird beim zweiten Aspekt der Erfindung die verminderte Koerzitivkraft HC bei einer vorbestimmten Temperatur, die die Zimmertemperatur übersteigt, ausgenutzt. Bei dem zweiten Aspekt der Erfindung wird eine Temperatur T51 verwendet, bei der die Aufzeichnungsschicht 1 magnetisch mit der Bezugsschicht 2 gekoppelt ist, gegenüber der Temperatur T gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung. Außerdem wird anstelle der Temperatur TC2 eine Temperatur T52 verwendet, bei der die Bezugsschicht 2 unter dem Einfluß des Feldes Hb umgekehrt wird. Dadurch kann der zweite Aspekt den gleichen Effekt erzielen wie der erste Aspekt.
  • Für den zweiten Aspekt werden die gleichen Bezeichnungen wie bei dem ersten-Aspekt verwendet. Zusätzlich bedeutet TS1 eine Temperatur, bei der die Aufzeichnungsschicht 1 magnetisch an die Bezugsschicht 2 gekoppelt ist, und TS2 eine Temperatur, bei der die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 unter dem Einfluß des Feldes Hb umgekehrt wird.
  • In diesem Fall erfüllt der Auf zeichnungsträger die folgende Bedingung 6 sowie die Bedingungen 7 bis 10 bei Zimmertemperatur.
  • TR < T51 T, TL < T52 # TH ... Formel 6 HC1 > HC2 + 1HD1 + HD2 ... Formel 7 Hc1 > HD1 ... Formel 8 Hc2 > HD2 ... Formel 9 HC2 + HD2 < |Hini.|< HC1 - D1 ... Formel 10.
  • In den obigen Formeln (Bedingungen) entsprechen die oberen Vorzeichen der Doppel-Vorzeichen + und + einem A-(Antiparallel-)Träger, während die unteren Vorzeichen einem P-(Parallel-)Träger entsprechen (diese Träger werden unten näher beschrieben).
  • In dem ersten und dem zweiten Aspekt der Erfindung wird der Aufzeichnungsträger gebildet durch die Aufzeichnungsschicht 1 und die Bezugsschicht 2, die jeweils vorzugsweise ein amorphes ferrimagnetisches Material aufweisen, ausgewählt aus Legierungszusammensetzungen aus Übergangsmetall (z. B.: Fe, Co) mit schweren Seltene-Erden-Metallen(z.B.: Gd, Tb, Dy und dergleichen).
  • Wenn sowohl die Aufzeichnungsschicht 1 als auch die Bezugsschicht 2 aus den Ubergangsmetall-Seltene-Erden-Metall-Legierungen ausgewählt wird, bestimmen sich Richtung und Pegel der außerhalb der Legierung in Erscheinung tretenden Magnetisierung durch die Beziehung zwischen Richtung und Pegel des Spins der Übergangsmetall-Atome (das Übergangsmetall wird im folgenden abgekürzt mit TM) sowie der Atome des Seltene-Erden-Metalls innerhalb der Legierung (das Seltene-Erden-Metall wird im folgenden als RE abgekürzt).
  • Beispielsweise werden Richtung und Betrag (Pegel des TM-Spins dargestellt durch einen gestrichelten Vektor f , während Richtung und Betrag des RE-Spins durch einen ausgezogenen Vektor t dargestellt werden. Richtung und Betrag der Magnetisierung der Legierung insgesamt werden durch einen ausgezogenen Doppelvektor oder Doppelpfeil 4 dargestellt. In diesem Fall wird der Vektor # dargestellt durch eine Summe der Vektoren + und +. Allerdings sind die Vektoren t und # aufgrund des gegenseitigen Effekts von TM-Spin und RE-Spin entgegengesetzt gerichtet. Wenn daher diese Vektoren gleich groß sind, ergeben sich die Summen der Vektoren ; und t oder die Summe der Vektoren + und + zu Null (d. h.: der Betrag der Magnetisierung, der außerhalb der Legierung in Erscheinung tritt, ist Null). Man bezeichnet die Legierung, bei der die Vektor-Summe Null ist, als Kompensationszusammensetzung. Besitzt die Legierung eine andere Zusammensetzung, so besitzt sie eine Stärke, die der Differenz zwischen den Stärken der beiden Spins entspricht, und es ergibt sich ein Vektor ( + oder + ), dessen Richtung demjenigen des größeren Vektors entspricht. Die Magnetisierung dieses Vektors tritt außerhalb der Legierung in Erscheinung. Beispielsweise entsprechen die Vektoren » einem Vektor ff , während die Vektoren +; einem Vektor zwar entsprechen.
  • Ist einer der Vektor-Beträge oder -Stärken des RE-Spins und des TM-Spins größer als der andere, so bezeichnet man die Legierungszusammensetzung als "oo-reich", benannt entsprechend dem Material mit dem größeren Spin (z. B. RE-reich).
  • Die Auf zeichnungsschicht 1 und die Bezugs schicht 2 lassen sich in TM-reiche und RE-reiche Zusammensetzungen klassifizieren. Wenn daher die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht 1 entlang der Ordinate und diejenige der Bezugsschicht 2 entlang der Abszisse aufgetragen werden, lassen sich die Typen der Auf zeichnungsträger gemäß der Erfindung gemäß Fig. 11 in vier Quadranten unterteilen. Der oben beschriebene P-Typ-Träger gehört zu dem Quadranten I und III, während der A-Typ-Träger zu dem Quadranten II und IV gehört.
  • Gemäß Fig. 11 repräsentiert der Schnittpunkt (Ursprung) von Abszisse und Ordinate die Kompensationszusammensetzung für beide Schichten.
  • Im Hinblick auf eine durch eine Temperaturänderung bedingte Koerzitivkraft-Anderung hat eine gewisse Legierungszusammensetzung eine Kennlinie, bei der die Koerzitivkraft vorübergehend unendlich stark zunimmt und dann abrupt abnimmt, bevor eine Temperatur die Curie-Temperatur erreicht (bei der die Koerzitivkraft Null ist). Die der unendlich großen Koerzitivkraft entsprechende Temperatur wird Kompensationstemperatur (Tcomp.) genannt. Zwischen Zimmertemperatur und Curie-Temperatur gibt es in der TM-reichen Legierungszusammensetzung keine Kompensationstemperatur. Die Kompensationstemperatur unterhalb der Zimmertemperatur ist bei der magnetooptischen Aufzeichnung sinnlos, und deshalb wird im vorliegenden Zusammenhang davon ausgegangen, daß die Kompensationstemperatur zwischen der Zimmertemperatur und der Curie-Temperatur liegt.
  • Werden die erste und die zweite Schicht im Hinblick auf das Vorhandensein/Nicht-Vorhandensein der Kompensationstemperatur klassifiziert, so läßt sich der Aufzeichnungsträger in vier Typen unterteilen. Der Aufzeichnungsträger im Quadranten I umfaßt sämtliche vier Träger-Typen. Die graphischen Darstellungen nach Fig. 12A bis 12D zeigen die Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur für die vier Typen von Aufzeichnungsträgern. Man beachte, daß die dünnen Kurven die Kennlinien der Aufzeichnungsschicht 1 und die dicken Kurven die Kennlinien der Bezugs schicht 2 darstellen.
  • Wenn die Auf zeichnungsschicht 1 und die Bezugsschicht 2 im Hinblick auf ihre RE-reiche oder TM-reiche Eigenschaft und im Hinblick auf das Vorhandensein/Nicht-Vorhandensein der Kompensationstemperatur klassifiziert werden, so erhält man 9 Klassen.
  • Tabelle 1 Quadrant I 1. Schicht 2. Schicht Klasse RE-reich RE-reich Typ 1 Tcomp. Tcomp. 1 2 kein Tcomp. Tcomp. 2 3 Tcomp. kein Tcomp. 3 4 kein Tcomp. kein Tcomp. 4 Quadrant II 1. Schicht 2. Schicht Klasse RE-reich TM-reich Typ 5 Tcomp. kein Tcomp. 3 6 kein Tcomp. kein Tcomp. 4 Quadrant III 1. 1. Schicht 2. Schicht Klasse TM-reich TM-reich Typ 7 kein Tcomp. kein Tcomp. 4 Quadrant IV 1. Schicht 2. Schicht Klasse TM-reich RE-reich Typ 8 kein Tcomp. Tcomp. 2 9 kein Tcomp. kein Tcomp. 4 Im folgenden wird das Grundprinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens im einzelnen anhand eines speziellen Aufzeichnungsträgers Nr. 1 der Klasse 2 gemäß Tabelle 1 beschrieben (Träger vom P-Typ, Quadrant I, Typ 1).
  • Der Träger Nr. 1 erfüllt folgende Formel 11: TR < Tcomp.1 < TC1 # TL # Tcomp.2 < TC2 # TH Die graphische Darstellung in Fig. 13 veranschaulicht diese Beziehung. Die dünnen Kurven kennzeichnen die erste Schicht, die dicken Kurven die zweite Schicht. Diese Zuordnungen gelten auch für die nachfolgenden graphischen Darstellungen.
  • Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 umkehrt, ohne diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld (Hini.) bei Zimmertemperatur TR umzukehren, ist durch die Formel 12 angegeben. Der Träger Nr. 1 erfüllt die Bedingung 12 bei TR HC1 > C2 + (9W/2Ms1t1) + (dw/2M52t2) wobei HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 Hc2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Ms1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Ms2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1: Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 dw Grenzschichtwandenergie Eine Bedingung für das Feld Hini. ist durch die Formel 15 gegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund eines Koppelkraft-Austauschs beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, durch die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 gehalten werden kann, ist durch die Formeln 13 und 14 angegeben. Der Träger Nr. 1 erfüllt die Bedingungen 13 und 14.
  • Formel 13: HC1 > (dw/2M51t1) Formel 14: HC2 > (#w/2MS2t2) Formel 15: HC2 + (/2M52t2) C IHini.( <HC1 - (dw/2M51t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Bedingungen 12 bis 14 bei TR erfüllt, wird durch Hini. entlang der "A-Richtung" e (t;) wobei Hini. der Bedingung 15 genügt. Zu diesem Zeitpunkt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 14 und 15).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung von t angelegt.
  • Im folgenden wird anhand der Fig. 14 der Hochtemperaturzyklus beschrieben.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur nach Bestrahlung mit dem Laserstrahl hohen Pegels auf TL angestiegen ist, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur TL im wesentlichen so groß ist wie die Curie-Temperatur TCl der Auf zeichnungsschicht 1 (Bedingung 3 Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl weiter anhält, erhöht sich die Temperatur des Trägers dementsprechend. Wenn die Temperatur des Trägers die Temperatur Tcomp.2 der Bezugsschicht 2 geringfügig überschreitet, kehrt sich die Beziehung zwischen den Beträgen der Vektoren um (f; w ), t), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 umgekehrt, so daß sie entlang der "nicht-A-Richtung" auf + ausgerichtet ist (Bedingung 3H).
  • Da jedoch die Koerzitivkraft HC2 bei dieser Temperatur noch hoch ist, wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 durch das Feld Hb (#) nicht umgekehrt. Wenn die Temperatur weiter ansteigt und die Temperatur TH erreicht, entspricht die Temperatur der Schicht 2 im wesentlichen der Curie-Temperatur TC2, und es verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2 (Bedingung 4H).
  • Bei der Bedingung 4H beginnt die Temperatur des Trägers abzunehmen, wenn ein bestrahlter Abschnitt von dem Laserstrahlfleck getrennt wird. Wenn die Temperatur des Trägers etwas unter die Temperatur TC2 absinkt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird die Magnetisierung § (ich) durch Hb erzeugt (Bedingung 5H). Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung.
  • Wenn die Temperatur des Trägers weiter unter die Temperatur Tcomp.2 abnimmt, wird die Beziehung der Beträge der Vektoren umgekehrt (#####), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Als Folge davon wird die Magnetisierungsrichtung der Legierung insgesamt umgekehrt von # in die "nicht-A-Richtung" # (Bedingung 6H).
  • Unter der Bedingung 6H ist, weil die Temperatur des Trägers höher ist als die Temperatur TC1, die Magnetisierung der Schicht 1 noch nicht in Erscheinung getreten. Außerdem kann wegen der hohen Koerzitivkraft HC2 bei dieser Temperatur die Magnetisierungsrichtung <yder Schicht 2 nicht durch das Feld Hb umgekehrt werden.
  • Wenn die Temperatur des Trägers abnimmt und geringfügig unterhalb der Temperatur TC1 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 1. Zu dieser Zeit richtet der Kopplungskraftaustausch von der Schicht 2 alle RE- und TM-Spins (Qund #) der Schichten 1 und 2 aus. Da die Temperatur der Schicht 1 größer ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin, und deshalb erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung von +t, d. h.: 4 . Dieser Zustand entspricht der Bedingung 7H Wenn die Temperatur des Trägers von der Temperatur der Bedingung 7H sinkt und unterhalb der Temperatur Tcomp.1 liegt, kehren sich die Verhältnisse zwischen den Beträgen der RE-und der TM-Spins in der Schicht 1 um (## # ##). Demzufolge erscheint die Magnetisierung t (Bedingung 8H) Dann nimmt die Temperatur des Trägers von der Temperatur der Bedingung 8H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur ausreichend groß ist, bleibt die Bedingung 8H aufrechterhalten, ohne Umkehrung der Magnetisierungsrichtung der Schicht 1 durch das Feld tHb. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in Richtung abgeschlossen.
  • Als nächstes soll anhand der Fig. 15 ein Niedrigtemperaturzyklus erläutert werden.
  • Niedrigtemperaturzyklus Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch das Bestrahlen mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da die Temperatur TL im wesentlichen gleich ist der Curie-Temperatur TCl der Auf zeichnungsschicht 1, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1 (Bedingung 2L) Wenn bei der Bedingung 2L ein bestrahlter Abschnitt von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu fallen. Wenn die Trägertemperatur etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, wird die Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und die TM-Spins (t+) der Aufzeichnungsschicht 2 aufgrund des Kopplungskraft-Austausches bebeeinflußt. Mit anderen Worten: Der Kopplungskraft-Austausch hat die Wirkung, jeden der RE- und TM Spins ( (tund) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Im Ergebnis erscheint ungeachtet des Vormagnetisierungsfelds Hb die Magnetisierung d. h.: +, innerhalb der Schicht 1 (Bedingung 3L). Da die Temperatur bei der Bedingung 3L höher ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin.
  • Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp.1 absinkt, wird die Beziehung zwischen den RE- und den TM-Spins der ersten Schicht umgekehrt (#####), genauso wie bei dem Hochtemperaturzyklus. Als Ergebnis ergibt sich die Magnetisierung der Schicht 1 als # (Bedingung 4L).
  • Die Bedingung 4L wird aufrechterhalten, selbst wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur absinkt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "A-Richtung" # abgeschlossen.
  • Im folgenden wird das Grundprinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand eines speziellen Trägers Nr. 2, der zu der Klasse 2 in Tabelle 1 gehört, beschrieben (Träger vom P-Typ, Quadrant I, Typ 2).
  • Der Träger Nr. 2 erüllt folgende Formel 16: TR < TC1 # TL #Tcomp.2 o TC2 # TH Die graphische Darstellung in Fig. 16 veranschaulicht diese Beziehung.
  • Eine Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 17 gegeben. Der Träger 2 erfüllt die Formel 17 bei HC1 > C2 + (9W/2Ms1t1) + (dW/2MS2t2) wobei H1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 Hc2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Ms1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Ms2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1 Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 #w: Grenzschichtwandenergie.
  • Jetzt wird die Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 20 dargestellt. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugs schicht 2 durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 wegen des Kopplungskraft-Austauschs beeinflußt. Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 aufrechterhalten kann, wird durch die Formeln 18 und 19 angegeben. Der Träger Nr. 2 erfüllt die Formeln 18 und 19.
  • Formel 18: HC1 > (dw/2M51t1) Formel 19: HC2 > (dw/2M52t2) Formel 20: HC2 + (#w/2M<S2t2) < |Hini.| < HC1 t (?w2M51t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Auf zeichnungsträgers, der die Formeln 17 bis 19 bei TR erfüllt, wird entlang der Richtung e (##) durch das Feld Hini., welches der Formel 20 genügt, ausgerichtet; Zu dieser Zeit wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 17 und 18).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung # angelegt.
  • Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 17 der Hochtemperatur zyklus erläutert.
  • Hochtemperaturzyklus Bei der Bedingung 1, wenn die Trägertemperatur aufgrund der Strahlung durch den Laserstrahl hohen Pegels auf TL angestiegen ist, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur TL im wesentlichen der Curie-Temperatur TCl der Auf zeichnungsschicht 1 entspricht (Bedingung 2H)* Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl anhält, steigt dementsprechend die Temperatur des Trägers an. Wenn die Trägertemperatur geringfügig die Temperatur Tcomp.2 der Bezugs schicht 2 übersteigt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der Vektoren umgekehrt (t 0 +), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 in die "nicht-A-Richtung" + umgekehrt (Bedingung 3H ).
  • Da jedoch die Koerzitivkraft HC2 bei dieser Temperatur noch hoch ist, wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 durch das Feld Hb(#) nicht umgekehrt. Wenn die Temperatur weiter ansteigt und die Temperatur TH erreicht, entspricht die Temperatur der Schicht 2 im wesentlichen der Curie-Temperatur TC2, und auch die Magnetisierung der Schicht 2 verschwindet (Bedingung 4H).
  • Wenn bei der Bedingung 4H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Wenn die Trägertemperatur etwas unter die Temperatur TC2 abfällt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird von Hb die Magnetisierung 4 ) erzeugt (Bedingung 5H). Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung.
  • Wenn die Temperatur des Trägers weiter unter die Temperatur Tcomp.2 absinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der Vektoren umgekehrt (} t ), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Als Folge davon wird die Magnetisierungsrichtung der Legierung insgesamt von fl in die "nicht-A-Richtung" # umgekehrt (Bedingung 6H In dem Zustand 6H ist, weil die Temperatur des Trägers höher ist als die Temperatur TC1, die Magnetisierung der Schicht 1 noch nicht in Erscheinung getreten. Da außerdem die Koerzitivkraft HC2 bei dieser Temperatur hoch ist, kann die Magnetisierungsrichtung + der Schicht 2 von dem Feld Hb nicht umgekehrt werden.
  • Wenn die Temperatur des Trägers abnimmt und etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung. Jetzt wirkt der Doppelkraft-Austausch von der Schicht 2 so, daß er sämtliche RE- und TM-Spins ( + und # ) der Schichten 1 und 2 ausrichtet. Somit erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung {t, d. h., + . Dieser Zustand ist die Bedingung 7H Anschließend sinkt die Trägertemperatur von der Temperatur gemäß Bedingung 7H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur ausreichend groß ist, wird die Bedingung 7H aufrechterhalten, ohne daß die Magnetisierungsrichtung der Schicht 1 durch das Feld Hb umgekehrt wird. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
  • Im folgenden wird anhand der Fig. 18 der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben.
  • Niedrigtemperaturzyklus Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch Bestrahlen mit dem Laserstrahl geringen Pegels auf TL erhöht. Da die Temperatur TL im wesentlichen der Curie-Temperatur TCl der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1 (Bedingung 2L) Wenn bei der Bedingung 2L der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Wenn die Trägertemperatur etwas unter der Temperatur TCi liegt, wird die Aufzeichnungsschicht 1 von den RE- und den TM-Spins (ti) der Bezugsschicht 2 aufgrund des Koppelkraft-Austauschs beeinflußt. In anderen Worten: Der Austausch der Koppelkraft bewirkt die Ausrichtung sämtlicher RE- und TM-Spins (t und ;) der Schichten 1 und 2. Demzufolge erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ti d. h., (Bedingung 3L).
  • Die Bedingung 3L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Als Ergebnis wird ein Bit in der Richtung innerhalb der Aufzeichnungsschicht 1 erzeugt.
  • Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren im einzelnen anhand eines speziellen Trägers Nr. 3 der Klasse 3 gemäß Tabelle 1 erläutert (P-Typ, Quadrant I, Typ 3).
  • Der Träger Nr. 3 erfüllt folgende Formel 21: TR < Tcomp .1 <TCl N TL < TC2 # TH Die graphische Darstellung in Fig. 19 veranschaulicht diese Beziehung.
  • Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die nachstehende Formel 22 angegeben. Der Träger Nr. 3 edUllt die Formel 22 bei der Temperatur TR: (#w/2MS1t1) + (#w/2MS2t2) wobei HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Ms1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Ms2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1 Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 #w : Grenzschichtwandenergie.
  • Die Bedingung für das Feld Hini. wird jetzt durch die Formel 25 dargestellt. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 durch den Koppelkraftaustausch beeinflußt durch die Magnetisierung der Auf zeichnungsschicht 1. Die Bedingung, unter der die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 aufrechterhalten wird, ist durch die Formeln 23 und 24 angegeben, welche der Träger Nr. 3 erfüllt.
  • Formel 23: HC1 > (#w/2MS1t1) Formel 24 HC2 > (d'w/2M52t2) Formel 25: HC2 + (dw/2M52t2) |Hini.| HC1 - (#w/2MS1t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 22 bis 24 bei der Temperatur TR erfüllt, ist in "A-Richtung" 4 ) durch das Feld Hini., das der Formel 25 genügt, ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 20 und 21).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld Hb in Richtung + angelegt.
  • Anhand der Fig. 20 wird im folgenden der Hochtemperaturzyklus beschrieben.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur TL im wesentlichen der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht (Bedingung 2H)* Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl weiter anhält, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur TH des Trägers im wesentlichen der Temperatur TC2 entspricht (Bedingung 3H).
  • Wenn in der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Wenn sie etwas unter die Temperatur TC2 gelangt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird durch das Feld +Hb die Magnetisierung + (ist) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dies ist der Zustand der Bedingung 4H.
  • Wenn die Temperatur des Trägers etwas unter die Temperatur TCl absinkt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 1.
  • Jetzt wirkt der Koppelkraftaustausch von der Schicht 2 so, daß sämtliche RE- und TM-Spins ( ; und #) der Schichten 1 und 2 ausgerichtet werden. Da die Trägertemperatur größer ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (+. . Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung * (Bedingung 5H).
  • Wenn die Trägertemperatur von der Temperatur in Bedingung 5H weiter absinkt und unter die Temperatur Tcomp.1 fällt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der TM- und der RE-Spins der Schicht 1 umgekehrt (+ ). Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 1 in die nicht A-Richtung" 4k umgekehrt (Bedingunq 6H) Dann sinkt die Temperatur des Trägers von der Temperatur in Bedingung 6H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur ausreichend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
  • Im folgenden soll unter Bezugnahme auf Fig. 21 der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben werden.
  • Niedrigtemperaturzyklus Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da jedoch bei dieser Temperatur die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 ausreichend hoch ist, wird deren Magnetisierung durch das Vormagnetisierungsfeld +Hb nicht umgekehrt (Bedingung 2L)* Wenn unter der Bedingung 2L der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers abzufallen. Wenn sie etwas unter die Temperatur TCl gelangt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins (++) der Bezugsschicht 2 aufgrund des Koppelkraftaustauschs beeinflußt, In anderen Worten: Die den Austausch oder Wechsel-bewirkende Koppelkraft richtet sämtliche RE- und TM-Spins ( + und + ) der Schichten 1 und 2 aus. Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung t; , d. h., # . Da in diesem Fall die Trägertemperatur oberhalb der Temperatur Tcomp.1 liegt, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (Bedingung 3L).
  • Wenn die Temperatur weiter unter die Temperatur Tcomp.1 sinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der RE- und TM-Spins der Schicht 1 genauso wie bei dem Hochtemperaturzyklus umgekehrt (t $+). Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ungeachtet des Vormagnetisierungsfeld Hb (Bedingung 4L).
  • Die Bedingung 4L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "A-Richtung" 4 abgeschlqssen.
  • Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines speziellen Trägers Nr. 4 der Klasse 4 erläutert (P-Typ, Quadrant I, Typ 4), wie er in Tabelle 1 aufgeführt ist.
  • Der Träger Nr. 4 erfüllt folgende Formel 26: TR TC1 # TL < TC2 # TH Fig. 22 veranschaulicht diese Beziehung.
  • Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist in Formel 27 angegeben. Der Träger Nr. 4 erfüllt die Formel 27 bei TR HC1 >HC2 + (#w/2MS1t1) + (bw/2Ms2t2) wobei Hc1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 Hc2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Ms1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Ms2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1 Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 dw: Grenzschichtwandenergie.
  • Jetzt wird eine Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 30 vorgegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund eines Koppelkraftaustauschs durch die Magnetisierung in der Schicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, unter der die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 gehalten wird, ist in den Formeln 28 und 29 angegeben, welche der Träger Nr. 4 erfüllt.
  • Formel 28: HC1 > (6w/2M51t1) Formel 29 HC2 > (dw/2M52t2) w'/2M 30: HC2 + (#W/2MS2t2) < iHini.( < HC1 - (#w/2MS1t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 27 bis 29 bei der Temperatur TR erfüllt, wird in der "A-Richtung" # (##) durch das Feld Hini. ausgerichtet, welches der Formel 30 genügt. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 23 und 24).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld Hb in Richtung # angelegt.
  • Anhand der Fig. 23 soll nun der Hochtemperaturzyklus beschrieben werden.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn der Auf zeichnungsträger durch die Strahlung des Laserstrahls hohen Pegels auf TL erwärmt wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil die Temperatur TL etwa der Curie-Temperatur TC1 gleicht (Bedingung 2H) Wenn die Laserbestrahlung weiter anhält und die Trägertemperatur der Temperatur TH gleicht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur TH der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur TC2 entspricht.
  • Dieser Zustand ist die Bedingung 3H Wenn bei der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu sinken. Wenn sie etwas unter die Temperatur TC2 gelangt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2.
  • Jetzt wird die Magnetisierung fi (43 durch Hb erzeugt.
  • Da aber die Temperatur noch höher ist als die Temperatur erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 4H Wenn die Trägertemperatur absinkt und etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung. Jetzt richtet die Austausch-Koppelkraft von der Schicht 2 alle Re- und TM-Spins ( fi und t) der Schichten 1 und 2 aus. Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung + . Dieser Zustand entspricht der Bedingung 5 Wenn die Trägertemperatur von der Temperatur der Bedingung 5H auf Zimmertemperatur abfällt, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil, da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur genügend groß ist. Auf diese Weise wird die Biter zeugung in "nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
  • Anhand der Fig. 24 wird nun der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben.
  • Niedrigtemperaturzyklus In der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf die Temperatur TL erhöht, und da diese die Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 übersteigt, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Allerdings wird bei dieser Temperatur wegen der genügend großen Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 die Magnetisierung der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld Hb nicht umgekehrt. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 2L.
  • Wenn in der Bedingung 2L der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu sinken, und wenn sie etwas unterhalb von TC1 liegt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und die TM-Spins (t#) der Bezugsschicht 2 durch die Koppelkraft beeinflußt. In anderen Worten: Die Koppelkraft richtet-alle RE- und TM-Spins (t uns (und) der Schichten 1 und 2 aus, mit dem Ergebnis, daß die Magnetisierung von t;, d. h.: ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes Hb in der Schicht 1 auftritt. Dies ist die Bedingung 3L.
  • Due Bedingung 3L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Temperatur des Trägers auf Zimmertemperatur sinkt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "A-Richtung" + abgeschlossen.
  • Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines speziellen Trägers Nr. 5 der Tabelle 1 erläutert (A-Typ, Quadrant II, Typ 3).
  • Der Träger Nr. 5 erfülllt die Formel 31: TR ( Tcomp.1 < TCl as TL <TC2 ta TH Fig. 25 zeigt diese Beziehung anschaulich.
  • Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 32 angegeben, die durch den Träger Nr. 5 bei TR erfüllt wird: Hci > HC2 + |(#w/2MS1t1) - (#w/2MS2t2) wobei HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 H2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Ms1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1 Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 Grenzschichtwandenergie.
  • Die Bedingung für das Feld Hini. wird durch die Formel 35 angegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund der Koppelkraft durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 erhalten kann, wird durch die Formeln 33 und 34 definiert, die durch den Träger Nr. 5 erfüllt werden: Formel 33 HC1 > (#w/2MS1t1) w So Formel 34 HC2 > (dw/2M52t2) Formel 35: HC2 + (#w/2MS2t2) |Hini.| HCl + (dw/ 2M51t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 32 bis 34 bei TR erfüllt, wird entlang der "A-Richtung" § (+t) durch das Feld Hini., welches die Formel 35 erfüllt, ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Auf zeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 26 und 27).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung gehalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung v angelegt.
  • Im folgenden wird anhand der Fig. 26 der Hochtemperaturzyklus beschrieben.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn die Trägertemperatur durch den energiereichen Laserstrahl auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil die Temperatur TL im wesentlichen so groß ist wie die Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 (Bedingung 2H)* Wenn die Laserbestrahlung weiter anhält und die Trägertemperatur der Temperatur TH entspricht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur TH der Schicht 2 im wesentlichen der Curie-Temperatur TC2 entspricht (Bedingung 3H)-Wenn bei der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, fällt die Temperatur des Trägers, und wenn sie etwas unter die Temperatur TC2 gelangt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird durch Hb die Magnetisierung + ) erzeugt. Da aber die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Bedingung 4H).
  • Wenn die Trägertemperatur weiter etwas unter die Temperatur absinkt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 1.
  • Jetzt richtet die Koppelkraft aus der Schicht 2 alle RE-und TM-Spins ( # und # ) der Schichten 1 und 2 aus. Da in diesem Fall die Trägertemperatur noch höher ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (t$). Als Ergebnis erscheint in der Schicht 2 die Magnetisierung <k (Bedingung 5H).
  • Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp.1 aus der Temperatur in Bedingung 5H absinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der TM- und RE-Spins in der Schicht 1 umgekehrt (##### ). Aus diesem Grund wird die Magnetisierung der Schicht 1 in die Richtung e umgekehrt (Bedingung 6H)-Dann fällt die Trägertemperatur von der Temperatur in Bedingung 6H auf Zimmertemperatur ab, und da die Koerzitivkraft HC1 bei der Zimmertemperatur genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "A-Richtung" abgeschlossen.
  • Anhand der Fig. 27 soll nun der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben werden.
  • Niedrigtemperaturzyklus In der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen steigt die Trägertemperatur nach Bestrahlung mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL an, und da dieser Wert etwa der Curie-Temperatur Tc1 der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da allerdings bei dieser Temperatur die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 genügend groß ist, wird die Magnetisierung der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld Hb nicht umgekehrt (Bedingung 2L) Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl in der Bedingung 2L beendet wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Liegt sie etwas unter der Temperatur TC1, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins (+t) der Bezugsschicht 2 durch die Koppelkraft beeinflußt.
  • In anderen Worten: Die Koppelkraft richtet alle RE- und TM-Spins (; und e) der Schichten 1 und 2 aus, mit dem Ergebnis, daß in der Schicht 1 ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes Hb die Magnetisierung +t, d. h., e , erscheint.
  • Da in diesem Fall die Trägertemperatur höher ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (Bedingung 3L).
  • Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp.1 absinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der RE-und der TM-Spins in der Schicht 1 umgekehrt, wie es im Hochtemperaturzyklus der Fall ist (+t4t. Als Ergebnis erhält man die Magnetisierung # in der Schicht 1 (Bedingung 4L)-Die Bedingung 4L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "nicht-A-Richtung" + abgeschlossen.
  • Im folgenden soll der spezielle Träger Nr. 6 der Klasse 6 in Tabelle 1 beschrieben werden (A-Typ, Quadrant II, Typ 4).
  • Der Träger Nr. 6 erfüllt die Formel 36: TR 4 TC1 # TL <TC2 ES PH Fig. 24 veranschaulicht diese Beziehung.
  • Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 37 angegeben, welche von dem Träger Nr. 6 bei TR erfüllt wird: HC1 > HC2 + W/2MS1t1) - (w/2M52t2 )I wobei Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 Hc2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Ms2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1: Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 #w: Grenzschichtwandenergie.
  • Die Bedingung für Hini. wird jetzt durch die Formel 40 dargestellt. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Schicht 2 aufgrund der Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 hält, ist durch die Formeln 38 und 39 definiert, welche der Träger Nr. 6 erfüllt: Formel 38: HC1 > (6w/2M51t1) Formel 39 HC2 > (dw/2M52t2) Formel 40: HC2 + (dw/2M52t2) |Hini.|< HC1 + (0'w/2M51t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 37 bis 39 bei TR entspricht, wird durch das Feld Hini. entlang der "A-Richtung" g (##) ausgerichtet, wobei Hini. der Formel 40 entspricht. Die Aufzeichnungsschicht wird jetzt im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in Fig. 29 und 30).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen gehalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung # angelegt.
  • Anhand der Fig. 29 wird nun der Hochtemperaturzyklus erläutert.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn in der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch den Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht gleicht (Bedingung 2H) Wenn die Laserbestrahlung anhält und die Trägertemperatur der Temperatur TH gleicht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, weil die Temperatur TH der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur TC2 gleicht. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3H.
  • Wenn unter der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers abzufallen, und wenn sie etwas unter der Temperatur TC2 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von dem Feld Hb die Magnetisierung + (fl) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TCl1 erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 4H.
  • Wenn die Trägertemperatur weiter absinkt und etwas unter der Temperatur TC1 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 1. Jetzt richtet die Koppelkraft aus der Schicht 2 alle RE- und TM-Spins (t und ;) der Schichten 1 und 2 aus.
  • Aus diesem Grund erscheint in der Schicht 1 ungeachtet des Vormagnetisierungsfelds Hb die Magnetisierung ;, d. h.
  • Dies entspricht der Bedingung 5H.
  • Dann sinkt die Temperatur des Trägers von der Temperatur gemäß Bedingung 5H auf Zimmertemperatur ab, und weil dabei die Koerzitivkraft HC1 genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Dadurch wird die Biterzeugung in "A-Richtung" e abgeschlossen.
  • Fig. 30 zeigt den Niedrigtemperaturzyklus.
  • Niedrigtemperaturzyklus Bei der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht, verschwindet dort die Magnetisierung. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 genügend groß ist, wird durch das Vormagnetisierungsfeld Hb die Magnetisierung * der Schicht 2 nicht umgekehrt. Diesem Zustand entspricht die Bedingung 2L.
  • Wenn unter der Bedingung 2L der bestrahlte Abschnitt von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur TC1 liegt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins (+ei) der Bezugsschicht 2 durch die Koppelkraft beeinflußt. Die Koppelkraft richtet die RE- und TM-Spins (; und t) der Schichten 1 und 2 aus. Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung tt, d. h., } .
  • Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3L.
  • Die Bedingung 3L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur absinkt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "nicht-A-Richtung" # abgeschlossen.
  • Im folgenden soll ein Beispiel für das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines speziellen Trägers Nr. 7 der Klasse 7 nach Tabelle 1 beschrieben werden (P-Typ, Quadrant III, Typ 4).
  • Der Träger Nr. 7 erfüllt die Formel 41: TR<TC1 # TL < TC2 # TH Fig. 31 veranschaulicht diese Beziehung.
  • Eine Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 42 angegeben, die von dem Träger Nr. 7 bei TR erfüllt wird: HC1 > HC2 + (dw/2M51t1) + (w/2M52t2) wobei HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Msl: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Ms2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1: Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 6w Grenzschichtwandenergie.
  • Hierbei wird eine Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 45 angegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Schicht 2 aufgrund einer Koppelkraft durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 halten kann, ist durch die Formeln 43 und 44 gegeben, welche der Aufzeichnungsträger Nr. 7 erfüllt: Formel 43 HC1 > (dw/ 2MS1t1) Formel 44 HC2 > (d'w/2M52t2) Formel 45 HC2 + (dW/2MS2t2) C Hini. Ic HC1 - (dw/2M51t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Auf zeichnungsträgers, der die Formeln 42 bis 44 bei TR erfüllt, wird durch das Feld Hini., das der Formel 45 genügt, entlang der "A-Richtung" § (+t) ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Auf zeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 32 und 33).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung gehalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld Hb in Richtung ; angelegt.
  • Anhand von Fig. 32 soll nun der Hochtemperaturzyklus beschrieben werden.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erwärmt wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil die Temperatur TL im wesentlichen so groß ist wie die Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht (Bedingung 2H) Wird die Bestrahlung mit dem Laserstrahl fortgesetzt, und erreicht die Trägertemperatur den Wert TH, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, weil TH der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur TC2 entspricht. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3H.
  • Wenn unter der Bedingung 3H ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu sinken. Wenn sie etwas unter TC2 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. Jetzt wird von Hb die Magnetisierung ç (+) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Bedingung 4H).
  • Wenn die Trägertemperatur weiter etwas unter die Temperatur TC1 sinkt, erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung.
  • Jetzt richtet die Koppelkraft aus der Schicht 2 (t+) die RE- und die TM-Spins (tund ;) der Schichten 1 und 2 aus.
  • Aus diesem Grund erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ++, d. h., + . Dieser Zustand entspricht der Bedingung 5H.
  • Dann nimmt die Temperatur des Trägers von derjenigen in Bedingung 5H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in "nicht-A-Richtung" * abgeschlossen.
  • Anhand der Fig. 33 soll nun der Niedrigtemperaturzyklus erläutert werden.
  • Niedr igtemperaturzyklus Unter der Bedingung 1 wird unmittelbar vor dem Aufzeichnen die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa der Curie-Temperatur TC1 des Aufzeichnungsträgers entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 genügend groß ist, wird die Magnetisierung 4 der Schicht 2 von dem Vormagnetisierungsfeld {Hb nicht umgekehrt. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 2L.
  • Wenn unter der Bedingung 2L ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu fallen. Wenn sie etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, werden die jeweiligen Spins in der Auf zeichnungsschicht 1 durch die Koppelkraft von den RE- und TM-Spins (+ der Bezugsschicht 2 beeinflußt. In anderen Worten: Die Koppelkraft richtet die RE- und die TM-Spins (+O der Schichten 1 und 2 aus. Im Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung Xt, d. h., ist , ungeachtet des Vormagnetisierungsfelds 4,Hb. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3L.
  • Die Bedingung 3L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in die A-Richtung" e abgeschlossen.
  • Das Verfahren wird nun anhand des speziellen Trägers Nr. 8 der Klasse 8 in Tabelle 1 beschrieben (A-Typ, Quadrant IV, Typ 2).
  • Der Träger Nr. 8 erfüllt die Formel 46: TR < TC1 # TL # Tcomp.2 < TC2 # TH Fig. 34 veranschaulicht diese Beziehung.
  • Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Schicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 47 gegeben, die von dem Träger Nr. 8 bei TR erfüllt wird: HC1 > HC2 + |(#w/2MS1t1) - (#w/2MS2t2)| wobei Hc1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 Hc2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Ms1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1: Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 Grenzschichtwandenergie.
  • Die Bedingung für Hini. wird durch die Formel 50 angegeben.
  • Wenn Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Schicht 2 durch die Koppelkraft von der Magnetisierung der Schicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 halten kann, ist durch die Formeln 48 und 49 gegeben, die von dem Träger Nr. 8 erüllt werden.
  • Formel 48: HC1 > (#w/2MS1t1) Formel 49 HC2 > (w/2M52t2) Formel 50 HC2 + (d /2Ms2t2) < |Hini.| < HC1 + (#w/2MS1t1) Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 47 bis 49 bei TR erfüllt, wird durch das Feld Hini. entlang der Richtung § ) ausgerichtet, wobei Hini. die Formel 50 erfüllt. Die Aufzeichnungsschicht 1 wird jetzt im Auf zeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 35 und 36).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Auf zeichnen gehalten. Das Vormagnetisierungsfeld Hb wird in Richtung t angelegt.
  • Anhand von Fig. 35 soll nun der Hochtemperaturzyklus beschrieben werden.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 gleicht (Bedingung 2H) Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl anhält und die Trägertemperatur etwas größer ist als die Temperatur Tcomp.2, wird die Beziehung der Beträge der RE- und der TM-Spins umgekehrt ( ), obschon deren Richtungen (t und ;) die gleichen bleiben. Im Ergebnis wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 in die "nicht-A-Richtung" + umgekehrt.
  • Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3H Da bei dieser Temperatur jedoch die Koerzitivkraft HC2 noch hoch ist, wird die Magnetisierung <k der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld Hb nicht umgekehrt. Wenn die Laserbestrahlung weiter anhält und die Trägertemperatur auf TH ansteigt, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, weil TH etwa so groß ist wie TC2 (Bedingung H Wenn unter der Bedingung 4H ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur abzufallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur TC2 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von dem Feld +Hb die Magnetisierung # (##) erzeugt.
  • Da die Temperatur aber noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 5H.
  • Wenn die Temperatur des Trägers weiter absinkt und etwas unter der Temperatur Tcomp.1 liegt, werden die Verhältnisse zwischen den Beträgen der RE- und TM-Spins umgekehrt (4t-e$t , ohne deren Richtungen (* und t) zu ändern. Im Ergebnis wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 in die "nicht-A-Richtung" 4k umgekehrt.
  • Da in diesem Zustand die Koerzitivkraft HC2 noch ausreichend groß ist, wird von dem Vormagnetisierungsfeld Hb die Magnetisierung zum der Schicht 2 nicht umgekehrt. Da jetzt die Trägertemperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Bedingung 6H).
  • Wenn die Trägertemperatur weiter etwas unter die Temperatur TC1 absinkt, erscheint auch in der Schicht 1 Magnetisierung.
  • Jetzt beeinflußt die Magnetisierung (+t) der Schicht 1 wegen der Koppelkraft die Schicht 1 und richtet die RE- und die TM-Spins (; und #) der Schichten 1 und 2 aus. Deshalb erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung +, , d. h., (Bedingung H Dann nimmt die Trägertemperatur von der Temperatur in Bedingung 7 auf Zimmertemperatur ab. Weil die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Hierdurch wird die Erzeugung eines Bits in Richtung § abgeschlossen.
  • Anhand von Fig. 34 wird der Niedrigtemperaturzyklus erläutert.
  • Niedrigtemperaturzyklus Unter der Bedingung 1 wird unmittelbar vor dem Aufzeichnen die Temperatur des Trägers durch Bestrahlen mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 genügend groß ist, wird von dem Vormagnetisierungsfeld Hb die Magnetisierung der Schicht 2 nicht umgekehrt (Bedingung 2L) Wenn unter der Bedingung 2L ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu fallen. Wenn sie etwas unterhalb der Temperatur TCl liegt, werden die jeweiligeh Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins der Bezugsschicht 2 aufgrund der Koppelkraft beeinflußt. Die Koppelkraft richtet die RE- und die TM-Spins (ti der Schichten 1 und 2 aus. Demzufolge erscheint in der Schicht 1 unabhängig vom Feld Hb die Magnetisierung ti, d. h., ß . Dies entspricht der Bedingung 3L Die Bedingung 3L wird beibehalten, auch wenn die Temperatur des Trägers auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in "nicht-A-Richtung" # abgeschlossen.
  • Das Verfahren soll nun anhand eines speziellen Trägers Nr. 9 der Klasse 9 in Tabelle 1 beschrieben werden (A-Typ, Quadrant IV, Typ 4).
  • Der Träger Nr. 9 erfüllt die Formel 51: TR < TCl A>TL < TC2 # TH Fig. 37 veranschaulicht diese Beziehung.
  • Eine Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Schicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 52 gegeben, die der Träger Nr. 9 bei TR erfüllt: HC1 > HC2 + (#w/2MS1t1) - (Öw/2M52t2)t wobei HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1 HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2 Ms1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1 Ms2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2 t1: Schichtdicke der Schicht 1 t2: Schichtdicke der Schicht 2 #w: Grenzschichtwandenergie.
  • Jetzt wird eine Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 50 angegeben. Wenn Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Schicht 2 aufgrund der Koppelkraft durch die Magnetisierung der Schicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 halten kann, ist durch die Formeln 53 und 54 angegeben, die der Träger Nr. 5 erfüllt: Formel 53 HC1 > (dw/2M51t1) Formel 54 HC2 > (dw/2M52t2) Formel 55: HC2 + (#w/2MS2t2)< (Hini.\C H + (w/2M51t1) Cl Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 52 bis 54 bei TR genügt, wird durch das Feld Hini., das der Formel 55 entspricht, entlang der "A-Richtung" 2 () ausgerichtet. Die Schicht 1 wird jetzt im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 38 und 39).
  • Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen gehalten. Das Vormagnetisierungsfeld (Hb) wird jetzt in Richtung # angelegt.
  • Anhand der Fig. 38 wird der Hochtemperaturzyklus erläutert.
  • Hochtemperaturzyklus Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht (Bedingung 2).
  • Wenn die Laserbestrahlung anhält und die Trägertemperatur etwa der Temperatur TH gleicht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, weil TH etwa der Temperatur TC2 entspricht. Der Zustand entspricht der Bedingung 3 Wenn unter der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu fallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur TC2 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. Jetzt wird von dem Feld +Hb die Magnetisierung # (ffi+) erzeugt.
  • Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Bedingung H Wenn die Trägertemperatur weiter fällt und etwas unter der Temperatur TC1 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 1. Die Koppelkraft von der Schicht 2 (##) richtet die RE-und die TM-Spins (; und t) der Schichten 1 und 2 aus. Deshalb erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung Cf, d. h., e , ungeachtet des Vormagnetisierungsfeld 4rHb (Bedingung 5) Die Temperatur des Trägers fällt dann von der Temperatur der Bedingung 5H auf Zimmertemperatur ab. Da bei Zimmertemperatur die Koerzitivkraft HC1 genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in Richtung # abgeschlossen.
  • Anhand der Fig. 39 soll nun der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben werden.
  • Niedrigtemperaturzyklus Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Weil TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da in diesem Zustand die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 1 jedoch genügend groß ist, wird die Magnetisierung # der Schicht 1 durch das Vormagnetisierungsfeld kHb nicht umgekehrt. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 2L.
  • Wenn unter der Bedingung 2L ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu fallen. Liegt sie etwas unter der Temperatur TC1, wird die Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und die TM-Spins (9) der Bezugs schicht 2 aufgrund der Koppelkraft beeinflußt. Die Koppelkraft richtet die RE- und die TM-Spins (t und #) der Schichten 1 und 2 aus und als Folge erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung von ti, d. h., ç . Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3L.
  • Die Bedingung 3L bleibt aufrechterhalten, selbst wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur sinkt. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in "nicht-A-Richtung" # abgeschlossen.
  • Durch die vorliegende Erfindung wird gemäß obiger Beschreibung zum ersten mal das Überschreiben ermöglicht, ohne daß das Vormagnetisierungsfeld Hb ein- oder abgeschaltet wird, oder das Vormagnetisierungsfeld Hb die Richtung ändert.
  • Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert. In der Zeichnung zeigen: Fig. 1 eine Skizze, die das Prinzip des Aufzeichnens bei einem magnetooptischen Aufzeichnungsverfahren veranschaulicht, Fig. 2 eine Skizze, die das Grundprinzip des Lesens beim magnetooptischen Aufzeichnen veranschaulicht, Fig. 3 ein Diagramm, das prinzipiell den Aufbau eines magnetooptischen Aufzeichnungsverfahrens gemäß Beispiel 10 der Erfindung darstellt, Fig. 4 ein Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Aufzeichnungsvorrichtung nach den Beispielen 11 und 12 der Erfindung darstellt, Fig. 5 ein Impulsdiagramm einer Ausgangs-Wellenform, Fig. 6 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur, Fig. 7A ein Diagramm einer Mehrschichtstruktur eines Aufzeichnungsträgers gemäß der Erfindung, Fig. 7B ein Diagramm, das die Magnetisierungsrichtung einer Aufzeichnungsschicht und einer Bezugsschicht veranschaulicht, Fig. 8 eine Skizze, die die Richtungsänderungen der Magnetisierung bei hohem Pegel darstellt, Fig. 9 eine Skizze, die die Magnetisierungsrichtungs-Änderungen bei niedrigem Pegel veranschaulicht, Fig. 10 die Änderungen der Magnetisierungsrichtung gemäß Fig. 8 und 9 für Träger vom P- und vom A-Typ, Fig. 11 ein Koordinatensystem, bei dem die erfindungsgemäßen Auf zeichnungsträger typenweise in vier Quadranten klassifiziert sind, Fig. 12A bis 12D graphische Darstellungen, welche die Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur der Aufzeichnungsträger der Typen I bis IV darstellen, Fig. 13 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Träger Nr. 1, Fig. 14 und 15 Skizzen, die die Magnetisierungsrichtungs-Änderungen bei Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen eines Trägers Nr. 1 veranschaulichen, Fig. 16 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 2, Fig. 17 und 18 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisierungsrichtung bei Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen eines Trägers Nr. 2 veranschaulichen, Fig. 19 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 3, Fig. 20 und 21 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisierungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen für den Träger Nr. 3 veranschaulichen, Fig. 22 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 4, Fig. 23 und 24 Skizzen, die die Änderung der Magnetisierungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen für den Träger Nr. 4 zeigen, Fig. 25 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Aufzeichnungsträger Nr. 5, Fig. 26 und 27 Diagramme, die die Änderungen der Magnetiesierungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen für den Träger Nr. 5 zeigen, Fig. 28 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Aufzeichnungsträger Nr. 6, Fig. 29 und 30 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisierungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 6 zeigen, Fig. 21 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Träger Nr. 7, Fig. 32 und 33 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisierungsrichtung in Hoch- und in Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 7 zeigen, Fig. 34 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Träger Nr. 8, Fig. 35 und 36 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisierungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 8 zeigen, Fig. 37 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 9 und Fig. 38 und 39 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisierungsrichtung in Hoch- und in Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 9 veranschaulichen.
  • Im folgenden werden Beispiele für die Erfindung näher beschrieben.
  • Beispiel 1 ... Einer der Träger Nr. 1 Bei diesem Beispiel wurde eine Apparatur für die Vakuum-Dampfniederschlagung verwendet. Die Apparatur enthielt als Verdampfungsquellen zwei Tiegel gemäß Tabelle 2 sowie zwei Einheiten zum Aufheizen der Quellen mit einem Elektronenstrahl.
  • In der Kammer der Apparatur wurde ein 1,2 mm dickes Glassubstrat mit 200 mm Durchmesser angeordnet. Die Kammer der Apparatur wurde vorübergehend auf ein Vakuum von 1 x 10 6 Torr oder weniger evakuiert. Dann erfolgte das Niederschlagen mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,3 nm/s,.wobei die Kammer unter einem Vakuum von 1 bis 2 x 10 6 Torr gehalten wurde. Dann wurde auf dem Substrat eine 100 nm dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd14Gy12Fe74 aufgebracht (die Indices bedeuten Atom-%). Anschließend wurden die Verdampfungsquellen ausgetauscht, während der Vakuumzustand aufrechterhalten wurde. Dann wurde wiederum Niedergeschlagen, um eine 200 nm dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Gd24Tb3Fe73 zu bilden.
  • Bei der ersten und der zweiten Schicht handelt es sich um quermagnetische Schichten.
  • Auf diese Weise wurde ein doppelschichtiger Aufzeichnungsträger Nr. 1 der Klasse 1 erhalten (ein Aufzeichnungsträger vom P-Typ, Quadrant I, Typ 1).
  • Die nachstehende Tabelle 2 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 1 zusammen.
  • Tabelle 2 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugsschicht 2 Verdampfungsquelle (2 Elemente) GdDy-Legierung GdTb-Legierung Fe Fe Schichtdicke t (Å) 1000 2000 Ms (emu/cc) 100 170 Hc(Oe) 5600 350 Tc (°C) 150 210 Tcomp. (°C) 110 170 #w Zimmertemperatur 0,8 erg/cm2 Mit TL = 170 °C und TH = 230 °C (siehe Beispiel 13) erhält man für diesen Träger nach Formel 11: TR C Tcomp.1 < Tc1 NTL Tcomp.2 4 TC2 # TH und die Formel 12: HC1 = 5.600 Oe> HC2 + (#w/2MS1t1) + (#w/2S52t2) = 868 Oe Wegen HC1 - (#w/2MS1t1) = 5.100 Oe HC2 + (#w/2MS2t2) 468 Oe kann der Träger Nr. 1 die Formel 15 erfüllen, wenn das Anfangsfeld Hini. 600 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmertemperatur durch das Anfangsfeld Hini. umgekehrt, ohne daß die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
  • Außerdem erfüllt der Träger Nr. 1 die Formel 13: HC1 = 5.600 Oe > (#w/2MS1t1) = 400 Oe sowie die Formel 14: HC2 = 350 Oe > (#w/2MS2t2)= 118 Oe Wenn das Anfangsfeld Hini. verschwindet, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten.
  • Wenn also das Anfangsfeld Hini. = 600 Oe in "A-Richtung" (+) angelegt wird und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 600 Oe in Richtung (t) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich. Da Beträge und Richtungen der Felder Hb und Hini.
  • gleich sind, verwendet die Aufzeichnungsvorrichtung eine einzelne Einrichtung zum Anlegen der beiden Felder Hb und Hini..
  • Beispiel 2 ... Einer der Träger Nr. 2 Wie im Beispiel 1 wurden auf einem Substrat eine 500 R dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb27Fe73 und eine 2000 i dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Gd24Tb3Fe73 gebildet. Dann wurde ein Aufzeichnungsträger Nr. 2 der Klasse 2 (P-Typ, Quadrant I, Typ 2) hergestellt.
  • Tabelle 3 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 2 zusammen.
  • Tabelle 3 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugs schicht 2 Verdampfungsquelle (2 Elemente) Tb GdTb-Legierung Fe Fe Schichtdicke t (a) 500 2000 Ms (emu/cc 120 170 Hc (Oe) 7000 350 Tc (°C) 135 210 Tcomp. (°C) keine 170 aw Zimmertemperatur 1,0 erg/cm2 Mit TL = 170 °C und TH = 230 °C (siehe Beispiel 14) erfüllt der Träger Formel 16: TR < TC1 # TL # Tcomp.2 < TC2 # TH sowie die Formel 17: HC1 = 7.000 Oe > HCs + (dw/2M51t1) + ( #w/2MS2t2) = 1.330 Oe Wegen HC1 - (w/2S1t1) = 6.167 Oe HC2 + (#w/2MS2t2) = 497 Oe kann der Träger Nr. 2 die Formel 20 erfüllen, wenn das Anfangsfeld Hini. 600 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugs schicht 2 läßt sich also wegen des Anfangsfelds Hini. bei Zimmertemperatur umkehren, ohne die Magnetisierungsrichtung der Auf zeichnungsschicht 1 umzukehren.
  • Außerdem erfüllt der Träger Nr. 2 die Formel 18: HC1 = 7.000 Oe (#w/2MS1t1) = 833 Oe sowie die Formel 19: HC2 = 350 Oe > (d'w/2M52t2) = 147 Oe Wenn folglich das Anfangsfeld Hini. beseitigt wird, läßt sich die Magnetsierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten.
  • Wenn also das Anfangsfeld Hini. = 600 Oe in "A-Richtung" (t) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 600 Oe in Richtung (t) angelegt werden, wird ein Überschreiben möglich. Da Beträge und Richtungen der Felder Hb und Hini. gleich sind, benötigt die Aufzeichnungsvorrichtung nur eine einzige Vorrichtung zum Anlegen der beiden Felder Hb und Hini.
  • Beispiel 3 ... Einer der Träger Nr. 3 Wie beim Beispiel 1 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 500 i dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd23Tb3Fe74 und eine 1000 i dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) gebildet. Dann wurde ein Träger der Nr. 3 der Klasse 3 (P-Typ, Quadrant I, Typ 3) hergestellt.
  • Tabelle 4 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 3 zusammen.
  • Tabelle 4 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugs schicht 2 Verdampfungsquelle (2 Elemente) GdTb-Legierung Tb Fe FeCo-Legierung Schichtdicke t (A) 500 1000 Ms (emu/cc) 90 180 Hc (Oe) 8000 3000 Tc (°C) 150 200 Tcomp. (°C) 120 keine dw Zimmertemperatur 1,0 erg/cm2 Mit TL = 170 °C und TH = 220 °C (siehe Beispiel 15) erfüllt der Träger die Formel 21: TR < Tcomp.1 C. TC1 # TL < TC2 # TH sowie die Formel 22: HC1 = 8.000 Oe > HC2 + (#w/2MS1t1) + (#w/2MS2t2) = 4.389 Oe Wegen Hc1 - (#w/2MS1t1) = 6.889 Oe C2 + (#w/2MS2t2) = 3.278 Oe kann der Träger Nr. 3 die Formel 25 erfüllen, wenn das Anfangsfeld Hini. 4000 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 läßt sich also wegen des Anfangsfelds Hini. bei Zimmertemperatur umkehren, ohne die Magnetisierungsrichtung der Schicht 1 umzukehren.
  • Da außerdem der Träger Nr. 3 die Formel 23 HC1 = 8*000 Oe > (#w/2MS1t1) = 1.111 Oe und die Formel 24 HC2 = 3.000 Oe > (dw2M52t2) = 278 Oe erfüllt, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufreclterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. entfernt wird.
  • Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (t) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in "nicht-A-Richtung" (s) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich.
  • Beispiel 4 ... Einer der Träger Nr. 4 Wie im Beispiel 1 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 1000 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb 13Dy13Fe74 und und eine 1000 2 dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Gd14Dy14Fe72 gebildet. Dann wurde ein Aufzeichnungsträger Nr. 4 der Klasse 4 (P-Typ, Quadrant I, Typ 4) hergestellt.
  • Tabelle 5 faßt die Herstellungsbedingungen sowie die Kennwerte des Trägers Nr. 4 zusammen.
  • Tabelle 5 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugsschicht 2 Verdampfungsquelle TbDy-Legierung GdDy-Legierung (2 Elemente) Fe Fe Schichtdicke t (A) 1000 1000 Ms (emu/cc) 80 160 Hc (Oe) 8000 3000 Tc (OC) 100 140 Tcomp. (°C) keine keine dw Zimmertemperatur 0,8 erg/cm2 Mit TL = 120 °C und T'I = 160 °C (siehe Beispiel 16) erfüllt dieser Träger die Formel 26: TR < TC1 ß TL C TC2 ¢STH sowie die Formel 27: HC1 = 8.000 Oe > Hc2 + (#w/2MS1t1) + (#w/2MS2t2) = 3.750 Oe Wegen HC1 - (#w/2MS1t1) = 7.500 Oe HC2 + (dw/2M52t2) = 3.250 Oe kann der Träger Nr. 4 die Formel 30 erfüllen, wenn ein An.
  • fangsfeld Hini. von 4000 Oe angelegt wird. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugs schicht 2 wird bei Zimmertemperatur wegen des Anfangsfelds Hini. umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
  • Da außerdem der Träger Nr. 4 die Formel 28: HC1 = 8.000 Oe > (dWSM/s1t1) = 500 Oe und die Formel 29: HC2 = 3.000 Oe > (d /2MS2t2) = 250 De erfüllt, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. verschwindet.
  • Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (+) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in nicht-A-Richtung" (+) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich.
  • Beispiel 5 ... Einer der Träger Nr. 5 Wie im Beispiel 1 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 500 i dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd13Dy13Fe74 und eine 600 i dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Tb18Fe74Co8 gebildet. Dann wurde ein Träger Nr. 5 der Klasse 5 (A-Typ, Quadrant II, Typ 3) hergestellt.
  • Tabelle 6 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Aufzeichnungsträgers Nr. 5 zusammen.
  • Tabelle 6 Auf zeichnungsschicht 1 Bezugsschicht 2 Verdampfungsquelle GdDy-Legierung Tb (2 Elemente) Fe FeCo-Legierung Schichtdicke t (i) 500 600 Ms (emu/cc) 90 150 Hc (Oe) 6000 3000 Tc (OC) 145 200 Tcomp. (°C) 120 keine #w Zimmertemperatur 0,8 erg/cm2 Mit TL = 165 °C und TH = 210 °C (siehe Beispiel 17) erfüllt dieser Träger die Formel 31: TR <Tcomp.1 < TCl ¢ TL < TC2 N TH sowie die Formel 32: HC. = 6.000 Oe> HC2 + (#w/2MS1t1) - (#w/2MS2t2)| = 3.445 Oe Wegen HC1 + (#w/2MS1t1) = 6.889 Oe HC2 + (#w/2MS2t2) = 3.444 Oe kann der Auf zeichnungsträger Nr. 5 die Formel 35 erfüllen, wenn das Anfangsfeld Hini. 4000 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmertemperatur wegen des Anfangsfelds Hini. umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
  • Da außerdem der Träger Nr. 5 die Formel 33: HC1 = 6.000 Oe > (#w/2MS1t1) = 889 Oe und die Formel 34: KC2 = 3.000 Oe > (dw/2M52t2) = 444 Oe erfüllt, wird die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. entfernt wird.
  • Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (t) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der nicht A-Richtung" (s) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich.
  • Beispiel 6 ... Einer der Träger Nr. 6 Es wurde eine 3-Element-HF-Magnetron-Zerstäubungsapparatur verwendet, die drei Targets Tb, Fe und FeCo-Legierung gemäß Tabelle 7 enthielt. Zunächst wurden die Targets Tb und Fe verwendet, und anschließend wurden Tb und die FeCo-Legierung verwendet. In das Innere einer Kammer der Apparatur wurde ein 1,2 mm dickes Glassubstrat mit 200 mm Durchmesser gebracht.
  • Die Kammer der Apparatur wurde vorübergehend auf ein Vakuum von 7 x 10 7 Torr oder weniger evakuiert, und es wurde Ar-Gas bei einem Druck von 5 x 10 3 Torr eingeleitet. Dann er folgte das Zerstäuben mit einer Niederschlagungsgeschwindigkeit von etwa 2 /s. Dadurch wurde auf dem Substrat eine 500 i dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb27Fe73 erzeugt. Anschließend wurden die Targets bei Aufrechterhaltung des Vakuums ausgetauscht. Danach erfolgte ein erneutes Zerstäuben, um auf der ersten Schicht eine 1000 i dicke zweite Schicht aus Tb18Fe 74Co8 zu bilden. Die erste und die zweite Schicht waren quermagnetische Schichten.
  • In der genannten Weise erhielt man einen doppelschichtigen magnetooptischen Aufzeichnungsträger Nr. 6 der Klasse 6 (A-Typ, Quadrant II, Typ 4).
  • Tabelle 7 faßt die Herstellungsbedingungen und die Kennwerte des Trägers Nr. 6 zusammen.
  • Tabelle 7 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugsschicht 2 Target (2 Elemente) Tb Tb Fe FeCo-Legierung Schichtdicke t (2) 500 1000 Ms (emu/cc) 120 150 Hc (Oe) 7000 3000 Tc (°C) 135 200 Tcomp. (°C) keine keine dw Zimmertemperatur 1,5 erg/cm2 w Wenn TL = 155 °C und TH = 220 °C (siehe Beispiel 18) betragen, gilt für diesen Träger die Formel 36: TR ( TC1 # TL 4 TC2 # TH sowie die Formel 37: HC1 = 7.000 Oe > HC2 + 1(dw/2M51t1) - (#w/2MS2t2)| = 3.750 Oe Wegen HC1 + (#w/2MS1t1) = 8.250 Oe HC2 + (dw/2M52t2) = 3.500 Oe kann der Träger Nr. 6 die Formel 40 erfüllen, wenn ein Anfangsfeld Hini. von 4000 Oe vorhanden ist. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmertemperatur durch das Anfangsfeld Hini. umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
  • Außerdem erfüllt der Träger Nr. 6 die Formel 38: HC1 = 7.000 Oe > (#w/2MS1t1) = 1.250 Oe w S1 1 sowie die Formel 39: HC2 = 3.000 Oe > (dw/2M52t2) = 500 Oe Wenn also das Anfangsfeld Hini. entfernt wird, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten.
  • Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (t) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der nicht A-Richtung" (;) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich.
  • Beispiel 7 ... Einer der Träger Nr. 7 Wie im Beispiel 6 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 1000 i dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb21Fe79 und eine 1000 i dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Tb18Fe74Co8 gebildet. Dann wurde ein Träger Nr. 7 der Klasse 7 hergestellt (P-Typ, Quadrant III, Typ 4).
  • Tabelle 8 faBt die Herstellungsbedingungen und die Kennwerte des Trägers Nr. 7 zusammen.
  • Tabelle 8 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugs schicht 2 Target (2 Elemente) Tb Tb Fe FeCo-Legierung Schichtdicke t (i) 1000 1000 Ms (emu/cc) 70 150 Hc (Oe) 7000 3000 Tc (°C) 135 200 Tcomp. (°C) keine keine dw Zimmertemperatur 1,5 erg/cm2 Mit TL = 155 °C und TH = 220 °C (siehe Beispiel 19) erfüllt dieser Träger die Formeln 41 und 42: TR < TC1 t TL < TC2 # TH HC1 = 7.000 Oe > Hc2 + |(#w2MS1t1) + (#w2MS2t2)| = 4.571 Oe Wegen der Formel 45 HC1 (#w/2MS1t1) = 5.929 Oe HC2 + (dw/2M52t2) = 3.500 Oe erfüllt der Träger Nr. 7 die Formel 45, wenn ein Anfangsfeld Hini. von 4000 Oe vorhanden ist. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also wegen des Anfangsfeldes Hini.
  • bei Zimmertemperatur umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
  • Da außerdem der Träger Nr. 7 die Formeln 43 und 44: HC1 = 7.000 Oe > (#w/2MS1t1) = 1.071 Oe C2 = 3.000 Oe > (dw/2M52t2) 500 Oe erfüllt, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. entfernt wird.
  • Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in der "A-Richtung" (t) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der "nicht-A-Richtung" () angelegt wird, ist ein Überschreib-Vorgang möglich.
  • Beispiel 8 ... Einer der Träger 8 Wie im Beispiel 6 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 500 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb21Fe79 und eine 2000 i dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Gd24Tb3Fe73 gebildet. Dann wurde ein Träger Nr. 8 der Klasse 8 (A-Typ, Quadrant IV, Typ 2) hergestellt.
  • Tabelle 9 faßt die Herstellungsbedingungen und die Kennwerte des Trägers Nr. 8 zusammen.
  • Tabelle 9 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugs schicht 2 Target (2 Elemente) Tb GdTb-Legierung Fe Fe Schichtdicke t (A) 500 2000 Ms (emu/cc) 70 170 Hc (Oe) 7000 350 Tc (OC) 135 210 Tcomp. (°C) keine 170 w Zimmertemperatur 1,5 erg/cm2 Mit TL = 155 °C und TH = 230 °C (siehe Beispiel 20) erfüllt dieser Träger die Formeln 46 und 47: TR < TC1 # TL # Tcomp.2 < TC2 # TH HC = 7.000 Oe > HC2 + |(#w/2MS1t1) - (#w/2MS2t2) = 2.273 Oe Wegen der Formel 50 HC1 + (3w/2Ms1t1) = 9.143 Oe HC2 + (#w/2MS2t2) = 570 Oe kann der Träger Nr. 8 die Formel 50 erfüllen, wenn das Anfangsfeld Hini. 800 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmertemperatur durch das Anfangsfeld Hini. umgekehrt, ohne daß die Magnetisierungsrichtung der Schicht 1 umgekehrt wird.
  • Außerdem erfüllt der Träger Nr. 8 die Formeln 48 und 49: HC1 = 7.000 Oe > (#w/2MS1t1) = 2.143 Oe HC2 = 350 Oe > (#w/2MS2t2) = 220 Oe Wenn daher das Anfangsfeld Hini. entfernt wird, bleibt die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 erhalten.
  • Wenn demnach das Anfangsfeld Hini. = 800 Oe in der "A-Richtung" (t) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 800 Oe in der "A-Richtung" (S) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich. Da Betrag und Richtung der Felder Hb und Hini.
  • gleich sina, benötigt die Aufzeichnungsvorrichtung nur eine einzige Vorrichtung zum Anlegen der beiden Felder Hb und Hini.
  • Beispiel 9 ... Einer der Träger 9 Wie im Beispiel 1 wurden nacheinander auf einem Substrat eine 1000 2 dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd4Tb19Fe77 und eine 500 2 dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Tb29Fe61Co10 gebildet. Dann wurde ein Aufzeichnungsträger Nr. 9 der Klasse 9 (A-Typ, Quadrant IV, Typ 4) hergestellt.
  • Tabelle 10 faßt Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 9 zusammen.
  • Tabelle 10 Aufzeichnungsschicht 1 Bezugsschicht 2 Verdampfungsquelle (2 Elemente) GdTb-Legierung Tb Fe FeCo-Legierung Schichtdicke t (i) 1000 500 Ms (emu/cc) 30 200 Hc (Oe) 7000 3000 Tc (OC) 150 220 Tcomp. (OC) keine keine #w Zimmertemperatur 1,0 erg/cm2 Mit TL = 170 °C und TH = 220 °C (siehe Beispiel 21) erfüllt dieser Träger die Formeln 51 und 52: TR < TC1 # TL < TC2 # TH HC1 = 7.000 Oe > HC2 + 1(6w/2M51t1) - (#w/2MS2t2)| = 4.167 Oe Wegen der Formel 55 HC1 + (#w/2MS1t1) = 8.667 Oe HC2 + (#w/2MS2t2 = 3.500 Oe erfüllt der Träger 9 die Formel 55, wenn ein Anfangsfeld Hini. von 4000 Oe angelegt wird. Die Richtung der Magnetisierung der Bezugsschicht 2 läßt sich also bei Zimmertemperatur durch das Anfangsfeld Hini. umkehren, ohne daß diejenige der Auf zeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
  • Außerdem erfüllt der Träger Nr. 9 die Formeln 53 und 54: HC1 = 7.000 Oe > (dw/2M5iti) = 1.667 Oe HC2 = 3.000 Oe > (#w/2MS2t2) = 500 Oe Wenn also das Anfangsfeld Hini. beseitigt wird, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten.
  • Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in der "A-Richtung" (5) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der "nicht-A-Richtung" (+) angelegt wird, läßt sich ein Überschreiben erreichen.
  • Beispiel 10 ... Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung Diese Vorrichtung dient nur zum Aufzeichnen. Fig. 3 zeigt ihren Gesamtaufbau. Die Vorrichtung enthält grundsätzlich folgende Teile: (a) eine Drehvorrichtung 21 als Mittel zum Bewegen eines Aufzeichnungsträgers 20; (b) eine Einrichtung 22 zum Anlegen eines Anfangs- oder Initialisierungsfeldes (Hini.); (c) eine Laserstrahl-Lichtquelle 23; (d) eine Einrichtung 24, mit der nach Maßgabe der aufzuzeichnenden Binärdaten eine Strahlintensität pulsmoduliert wird, um (1) einen hohen Pegel zu erreichen, der eine Trägertemperatur TH liefert, die sich eignet zur Erzeugung entweder eines Bits mit Aufwärts-Magnetisierung oder eines Bits mit Abwärts-Magnetisierung, und (2) einen niedrigen Pegel zu erreichen, der eine Trägertemperatur TL schafft, die sich zur Erzeugung des jeweils anderen Bits eignet; und (e) eine Einrichtung 25 zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfeldes (Hb).
  • Die Einrichtung 25 für das Vormagnetisierungsfeld Hb enthält normalerweise einen Elektromagneten, vorzugsweise einen Permanentmagneten. Alternativ läßt sich ein Streufeld von einem sich von den Aufzeichnungsspuren des Aufzeichnungsträgers unterscheidenden Bereich als Vormagnetisierungsfeld Hb verwenden. In diesem Fall bedeutet die Einrichtung 25 eine Zone von quermagnetischen Schichten (erste oder zweite Schicht) des Aufzeichnungsträgers 20, die das Streufeld erzeugt.
  • In dem Beispiel wurde ein Permanentmagnet verwendet, der ein Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe mit einer Magnetisierungsrichtung in nicht-A-Richtung (+) erzeugte. Der Permanentmagnet 25 hatte Stabform, und seine Länge entsprach dem Radius des scheibenförmigen Trägers 20. Der Stab war in der Vorrichtung festgelegt. Der Permanentmagnet 25 wurde nicht zusammen mit einem Aufzeichnungskopf (Aufnehmer), der die Lichtquelle 23 enthielt, bewegt. Die Lichtquelle erzeugte das Aufnehmerlicht und gestattete einen Hochgeschwindigkeits-Zugriff.
  • Für das Initialisierungsfeld (Hini.) wurde ein Elektromagnet, vorzugsweise ein Permanentmagnet, als Einrichtung 22 verwendet. Bei diesem Beispiel erzeugte ein Permanentmagnet ein Initialisierungsfeld Hini. = 4000 Oe mit einer Magnetisierungsrichtung entsprechend der A-Richtung" (t). Der Permanentmagnet 22 hatte Stabform mit-einer Länge entsprechend dem Radius des scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers 20. Der Stab war in der Vorrichtung festgelegt.
  • Der Aufzeichnungsvorrichtung nach dem obigen Beispiel kann eine Wiedergabevorrichtung zugefügt werden, so daß man eine Aufzeichnungs/Wiedergabe-Vorrichtung erhält.
  • Beispiel 11 ... Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung Diese Vorrichtung dient nur zum Aufzeichnen. Fig. 4 zeigt den Gesamtaufbau.
  • Die Vorrichtung enthält: (a) eine Drehvorrichtung 21 als Mittel zum Bewegen des Aufzeichnungsträgers 20; (c) eine Laserstrahl-Lichtquelle 23; (d) eine Einrichtung 24, mit der nach Maßgabe der aufzuzeichnenden Binärdaten eine Strahl intensität pulsmoduliert wird, um (1) einen hohen Pegel zu erhalten, der eine Trägertemperatur TH erzeugt, die sich zur Erzeugung eines Bits mit Aufwärts-Magnetisierung oder eines Bits mit Abwärts-Magnetisierung eignet, und (2) einen niedrigen Pegel zu erhalten, der eine Trägertemperatur TL liefert, die sich zur Erzeugung des jeweils anderen Bits eignet; und (b, e) eine Einrichtung (25) zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfelds (Hb), wobei die Einrichtung auch als Einrichtung (22) zum Anlegen eines Anfangsfelds (Hini.) dient.
  • Wenn die Richtungen des Vormagnetisierungsfelds Hb und des Anfangsfelds Hini. übereinstimmen, läßt sich die Einrichtung 25 auch als Einrichtung 22 verwenden. Wenn insbesondere die Einrichtung 25 an einer Aufzeichnungsstelle angeordnet ist (also an einer Stelle, wo sich der bestrahlte Fleck befindet), wo das Magnetfeld konzentriert wird, ist es möglich, das Magnetfeld an einem Punkt zu konzentrieren. In anderen Worten: Um den Aufzeichnungspunkt herum wird unvermeidlich ein Streu-Magnetfeld angelegt. Wenn daher das Streu-Magnetfeld verwendet wird, läßt sich das Anfangsfeld (Hini.) vor dem Aufzeichnen anlegen. Aus diesem Grund dient bei der Vorrichtung nach diesem Beispiel die Einrichtung 25 auch als Einrichtung 22.
  • Die Einrichtungen 25 und 22 enthalten normalerweise Elektromagneten, vorzugsweise Permanentmagneten. Bei diesem Beispiel wurden Permanentmagneten für ein Vormagnetisierungsfeld Hb (Hini.) = 600 Oe mit einer Magnetisierungsrichtung "A'' (t) als Einrichtungen 22, 25 verwendet. Die Permanentmagneten 22 und 25 hatten Stabform. Ihre Länge entsprach dem Radius des scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers 20.
  • Die Magneten 22 und 25 waren in der Vorrichtung fixiert und wurden nicht zusammen mit dem die Lichtquelle 23 enthaltenden Abnehmer bewegt. Das Abnehmer-Licht gestattete somit einen Hochgeschwindigkeits-Zugriff.
  • Beispiel 12 ... Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung Diese Vorrichtung dient nur zum Aufzeichnen. Fig. 4 zeigt den Gesamtaufbau. Dieser enthält im wesentlichen: (a) eine Drehvorrichtung 21 als Mittel zum Bewegen des Aufzeichnungsträgers 20; (c) eine Laserstrahl-Lichtquelle 23; (d) eine Einrichtung 24, mit der nach Maßgabe der aufzuzeichnenden Binärdaten eine Strahlintensität (1) pulsmoduliert wurde, um (1) einen hohen Pegel zu erzeugen, der eine Trägertemperatur TH schaffte, um ein Bit mit Aufwärts-Magnetisierung oder ein Bit mit Abwärts-Magnetisierung zu erzeugen, und (2) einen niedrigen Pegel zu erhalten, der eine Trägertemperatur TL schafft, die sich zur Erzeugung des jeweils anderen Bits eignet; und (b, e) eine Einrichtung 25 zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfelds Hb, die auch als Einrichtung 22 zum Anlegen eines Anfangsfelds Hini. diente.
  • Bei diesem Beispiel wurden als Einrichtungen 22 und 25 Permanentmagneten verwendet, die ein Vormagnetisierungsfeld Hb (Hini.) = 600 Oe erzeugten, wobei die Magnetisierungsrichtung der "A-Richtung" ( entsprach. Die Magneten 22 und 25 hatten Stabform sowie eine Länge, die dem Radius des scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers 20 entsprach. Sie waren in der Vorrichtung fixiert und wurden nicht zusammen mit dem die Lichtquelle 23 enthaltenden Aufnehmer bewegt.
  • Beispiel 13 ... Magnetooptische Aufzeichnung Unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 11 (Fig. 4) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durchgeführt. Zunächst wurde der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 1 mit einer konstanten Geschwindigkeit von 8,5 m/s durch die Drehvorrichtung 21 gedreht. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der durch die Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß (auf der Platte) eine Ausgangsleistung von 9,3 mW mit hohem Pegel erhalten wurde, während für den niedrigen Pegel eine Ausgangsleistung von 6,6 mW (auf der Platte) erhalten wurde. Der Laserstrahl wurde mit Hilfe der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel handelte es sich bei den Daten um ein Signal der Frequenz 1 MHz. Der Laserstrahl wurde daher auf den Träger 20 gelenkt, während er mit einer Frequenz von 1 MHz moduliert wurde. Dadurch wurde das 1-MHz-Signal aufgezeichnet. Als dieses Signal von einer anderen magnetooptischen Wiedergabeeinrichtung reproduziert wurde, ergab sich ein Rauschabstand oder C/N-Verhältnis von 51 dB, was bestätigte, daß das Signal tatsächlich aufgezeichnet worden war.
  • Es wurde dann erneut ein Signal mit der Frequenz von 5 M'Iz auf dem bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 aufgezeichnet.
  • Als das Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, konnte ein C/N-Verhältnis von 48 dB erzielt werden. In diesem Fall betrug die Bit-Fehlerrate 10 5 bis 10-6. Außerdem wurde das 1-MHz-Signal (d. h., die früheren Daten) überhaupt nicht reproduziert.
  • Im Ergebnis wurde also festgestellt, daß ein Überschreiben der älteren Daten möglich ist.
  • Bei den genannten Bedingungen erreichte die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel einen Wert TH = 230 OC und bei niedrigem Pegel einen Wert TL = 170 OC.
  • Beispiel 14 ... Magnetooptische Aufzeichnung Es wurde unter Verwendung der Vorrichtung nach Beispiel 11 (Fig. 4) eine magnetooptische Aufzeichnung vorgenommen. Zunächst wurde der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 2 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s durch die Drehvorrichtung 21 gedreht. Dann wurde auf den Träger 20 ein Laserstrahl gerichtet, der von der Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß (auf der Scheibe) bei hohem Pegel eine Ausgangsleistung von 9,3 mW erzielt wurde, während bei niedrigem Pegel (auf der Scheibe) eine Ausgangsleistung von 5,7 mW erreicht wurde. Der Laserstrahl wurde entsprechend den aufzuzeichnenden Daten durch die Einrichtung 24 pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel handelte es sich bei den Daten um ein Signal mit einer Frequenz von 1 MHz. Der Laserstrahl wurde also auf den Träger 20 gerichtet, während er mit einer Frequenz von 1 M'Iz moduliert wurde. Als Ergebnis erfolgte die Aufzeichnung eines 1-MHz-Signals. Bei der Wiedergabe dieses Signals durch eine andere magnetooptische Wiedergabeeinrichtung erhielt man ein C/N-Verhältnis von 52 dB, was bestätigte, daß das Signal effektiv aufgezeichnet worden war.
  • Dann wurde über den bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 ein Signal mit der Frequenz 5MHz neu aufgezeichnet.
  • Bei der Reproduktion des Signals erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB. Die Bit-Fehlerrate betrug 10 5 bis 10 6. Außerdem wurde das 1-MHz-Signal (die früheren Daten) überhaupt nicht wiedergegeben.
  • Das Überschreiben der älteren Daten war also möglich.
  • Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 230 OC und bei niedrigem Pegel TL = 150 OC.
  • Beispiel 15 ... Magnetooptische Aufzeichnung Unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durchgeführt. Zunächst wurde mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 3 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der durch die Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß bei hohem Pegel (auf der Platte) eine Ausgangsleistung von 8,9 mW und bei niedrigem Pegel eine Ausgangsleistung (auf der Platte) von 6,6 mW erreicht wurde. Der Laserstrahl wurde entsprechend den aufzuzeichnenden Daten von der Einrichtung 24 pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel handelte es sich bei den aufzuzeichnenden Daten um ein Signal der Frequenz 5 MHz. Der Laserstrahl wurde also auf den Träger 20 gelenkt, während er mit der Frequenz 5 MHz moduliert wurde. Dadurch wurde ein 5-MHz-Signal aufgezeichnet. Als dieses Signal durch eine andere magnetooptische Widergabeeinrichtung reproduziert wurde, betrug das C/N-Verhältnis 51 dB, was bestätigte, daß das Signal tatsächlich aufgezeichnet worden war.
  • Dann wurde über den bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 ein Signal mit der Frequenz 2 MHz aufgezeichnet.
  • Als das Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, konnte ein C/N-Verhäitnis von 54 dB erreicht werden. Die Bit-Fehlerrate betrug 10 5 bis 10-6 Außerdem wurde das frühere 5-MHz-Signal überhaupt nicht reproduziert.
  • Als Ergebnis stellte sich also heraus, daß das Überschreiben der älteren Daten möglich ist.
  • Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 220 OC, bei niedrigem Pegel TL = 170 OC.
  • Beispiel 16 ... Magnetoqptische Aufzeichnung Es wurde mit der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 IFig. 3) eine magnetooptische Aufzeichnung durchgeführt, wozu zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 4 durch die Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht wurde. Der auf den Träger 20 gerichtete Laserstrahl wurde von der Einrichtung 24 so eingestellt, daß bei hohem Pegel (auf der Platte) eine Ausgangsleistung von 6,1 mW und bei niedrigem Pegel (auf der Platte) eine Ausgangsleistung von 4,3 mW erhalten wurde. Der Laserstrahl wurde von der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel waren die aufzuzeichnenden Daten ein Signal der Frequenz 5 MHz, so daß der Laserstrahl bei einer Modulation der Frequenz 5 MHz auf den Träger 20 gerichtet wurde und dadurch das 5-MHz-Signal aufgezeichnet wurde. Bei der Reproduktion dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabevorrichtung ergab sich ein C/N-Verhältnis von 47 dB, was bestätigte, daß das Signal effektiv aufgezeichnet worden war.
  • Der bereits beschriebene Bereich des Trägers 20 wurde mit einem Signal der Frequenz von 2 MHz erneut beschrieben.
  • Bei der Reproduktion des Signals erhielt man ein C/N-Ver--5 -6 hältnis von 50 dB. Die Bit-Fehlerrate betrug 10 5 bis 10 Ferner wurde das frühere 5-MHz-Signal überhaupt nicht reproduziert.
  • Es ergab sich also, daß ein Überschreiben möglich war.
  • Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 160 OC und bei niedrigem Pegel TL = 120 °C.
  • Beispiel 17 ... Magnetooptische Aufzeichnung Mit Hilfe der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durchgeführt, wobei zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 5 mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht wurde. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, welcher von der Einrichtung 24 so eingestellt war, daß eine Ausgangsleistung von 8,4 mW (auf der Scheibe) bei hohem Pegel und eine Ausgangsleistung von 6,4 mW (auf der Scheibe) bei niedrigem Pegel erhalten wurde. Der Laserstrahl war von der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Bei den Daten handelte es sich um ein Signal der Frequenz 5 MHz.
  • Der auf den Träger 20 gerichtete Laserstrahl zeichnete also bei Modulation mit der Frequenz 5 MHz ein 5-MHz-Signal auf.
  • Bei der Wiedergabe dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabeeinrichtung ergab sich ein C/N-Verhältnis von 48 dB, was bestätigte, daß das Signal tatsächlich aufgezeichnet worden war.
  • Der bereits beschriebene Bereich des Trägers 20 wurde dann mit einem Signal der Frequenz 4 MHz überschrieben.
  • Bei der Reproduktion des Signals erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB. Die Bit-Fehlerrate betrug 10 5 bis 10-6 Die vorausgehenden Daten, d. h., das 5-MHz-Signal wurde überhaupt nicht reproduziert.
  • Im Ergebnis zeigte sich also, daß ein Überschreiben möglich war.
  • Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 210 OC, bei niedrigem Pegel TL = 165 OC.
  • Beispiel 18 ... Magnetooptische Aufzeichnung Es wurde eine magnetooptische Aufzeichnung unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (siehe Fig. 3) durchgeführt. Zunächst wurde der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 6 durch die Drehvorrichtung 21 mit einer konstanten Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der von der Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß eine Ausgangsleistung von 8,1 mW (auf der Platte) bei hohem Pegel und eine Ausgangsleistung von 5,9 mW (auf der Platte) bei niedrigem Pegel erhalten wurde. Der Laserstrahl wurde von der Einrichtung 24 mit den aufzuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Die Daten waren ein Signal von 5 MHz, so daß der modulierte Laserstrahl auf dem Träger 20 ein 5-MHz-Signal aufzeichnete.
  • Bei der Wiedergabe dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Aufzeichnungsvorrichtung erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB, was die tatsächliche Aufzeichnung des Signals bestätigte.
  • Über den bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 wurde ein Signal mit der Frequenz 3 MHz geschrieben.
  • Bei der Wiedergabe des Signals ergab sich ein C/N-Verhältnis von 51 dB und eine Bit-Fehlerrate von 10 5 bis 10-6, Das 5-MHz-Signal (die früheren Daten) wurden überhaupt nicht reproduziert.
  • Es zeigte sich also die Möglichkeit des Überschreibens der alten Daten.
  • Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 220 OC und bei niedrigem Pegel TL = 155 OC.
  • Beispiel 19 ... Magnetooptische Auf zeichnung Mit Hilfe der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung vorgenommen. Zunächst wurde mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 7 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedrehet. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der durch die Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß eine Ausgangsleistung von 8,9 mW (auf der Platte) bei hohem Pegel und von 5,9 mW (auf der Platte) bei niedrigem Pegel erhalten wurde. Der von der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnenden Daten pulsmodulierte Laserstrahl zeichnete auf dem Träger 20 also ein Signal mit der Frequenz 5 MHz auf. Bei der Wiedergabe dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabeeinrichtung erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB, was die effektive Aufzeichnung des Signals bestätigte.
  • Dann wurde auf den bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 ein Signal mit der Frequenz 2 MHz aufgezeichnet.
  • Als das Signal in ähnlicher Weise dann reproduziert wurde, erhielt man ein C/N-Verhältnis von 52 dB und eine Bit-Fehlerrate von 10 5 bis 10-6 . . Das alte 5-MHz-Signal wurde überhaupt nicht reproduziert.
  • Es zeigte sich also daß ein Überschreiben der alten Daten möglich war.
  • Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 220 OC, bei niedrigem Pegel TL = 155 OC.
  • Beispiel 20 ... Magnetooptische Aufzeichnung Es wurde mit der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 12 (Fig. 4) eine magnetooptische Aufzeichnung vorgenommen, wozu zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 8 mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht wurde. Auf den Träger 20 wurde ein von der Einrichtung 24 pulsmodulierter Laserstrahl gerichtet, wobei der Strahl nach Maßgabe der aufzuzeichnenden Daten von der Einrichtung 24 moduliert war und so eingestellt war, daß sich eine Ausgangsleistung von 9,3 mW (auf der Platte) bei hohem Pegel und eine Ausgangsleistung von 5,9 mW (auf der Platte) bei niedrigem Pegel ergab. Die aufzuzeichnenden Daten waren ein Signal der Frequenz 1 MHz. Das aufgezeichnete 1-MHz-Signal ergab bei der Reproduktion mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabeeinrichtung ein C/N-Verhältnis von 52 dB, was die effektive Aufzeichnung des Signals bestätigte.
  • Dann wurde der bereits beschriebene Bereich des Trägers 20 mit einem Signal der Frequenz 2 MHz überschrieben.
  • Als dieses Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, ergab sich ein C/N-Verhältnis von 51 dB und eine Bit-Fehlerrate von 10 5 bis 10 6. Das 1-MHz-Signal (alte Daten) wurde überhaupt nicht reproduziert, was zeigte, daß ein Überschreiben möglich war.
  • Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 230 OC, bei niedrigem Pegel TL = 155 OC.
  • Beispiel 21 ... Magnetooptische Aufzeichnung Unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durchgeführt, wozu zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 9 von der Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht wurde. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der von der Einrichtung 24 so eingestellt war, daß auf der Scheibe bei hohem Pegel eine Ausgangsleistung von 8,9 mW und bei niedrigem Pegel eine Ausgangsleistung von 6,6 mW erhalten wurde. Der Laserstrahl wurde von der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Die Daten waren ein Signal von 5 MHz, so daß auf dem Träger ein 5-MHz-Signal aufgezeichnet wurde. Bei der Reproduktion dieses Signals durch eine andere magnetooptische Wiedergabeeinrichtung ergab sich ein C/N-Verhältnis von 51 dB, was die effektive Aufzeichnung des Signals bestätigte.
  • Der beschriebene Bereich des Trägers 20 wurde mit einem Signal der Frequenz 6 MHz erneut beschrieben.
  • Als dieses Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB und eine Bit-Fehlerrat von 10-5 bis 10-6. Das alte 5-MHz-Signal (frühere Daten) wurde überhaupt nicht reproduziert.
  • Als Ergebnis wurde also herausgefunden, daß ein Überschreiben möglich war.
  • Unter den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 220 OC, bei niedrigem Pegel TL = 170 OC.
  • - Leeiseite -

Claims (23)

  1. Patentansprüche 1. Verfahren zum magnetooptischen Aufzeichnen von Daten mit der Möglichkeit des Uberschreibens von Daten, bei dem in einer Aufzeichnungsschicht eines magnetooptischen Aufzeichnungsträgers ein Bit mit einer Aufwärtsmagnetisierung und ein Bit mit einer Abwärtsmagnetisierung verwendet werden, mit folgenden Schritten: (a) als Aufzeichnungsträger wird ein mehrschichtiger magnetischer Träger verwendet, der als Aufzeichnungsschicht eine erste Schicht mit senkrechter magnetischer Anisotropie und als Bezugs schicht eine zweite Schicht mit senkrechter magnetischer Anisotropie besitzt, (b) der Aufzeichnungsträger wird bewegt, (c) es wird ein Initialisierungsfeld angelegt, so daß, vor der Aufzeichnung, die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht unverändert bleibt und diejenige der Bezugsschicht entweder nach oben oder nach unten ausgerichtet ist, (d) der Aufzeichnungsträger wird mit einem Laserstrahl bestrahlt, (e) die Intensität des Laserstrahls wird entsprechend der aufzuzeichnenden, binären Daten impulsmoduliert, (f) bei der Bestrahlung mit dem Laserstrahl wird an den bestrahlten Abschnitt ein Vormagnetisierungsfeld gelegt, und (g) wenn die Intensität des impulsmodulierten Laser strahls einen hohen Pegel hat, wird entweder das Bit mit der Aufwärtsmagnetisierung oder das mit der Abwärtsmagnetisierung gebildet, während dann, wenn die Intensität des impulsmodulierten Laserstrahls niedrigen Pegel hat, das andere Bit gebildet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß, wenn die Magnetisierung lediglich der Bezugs schicht durch das Initialisierungsfeld in "A-Richtung" als eine der Aufwärts- und der Abwärtsrichtung ausgerichtet ist, die "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht durch das Vormagnetisierungsfeld umgekehrt wird in eine nicht A-gerichtete" Magnetisierung und,wenn die Intensität des Laserstrahls einen hohen Pegel hat, in der Aufzeichnungsschicht durch die nicht-A-gerichtete Magnetisierung der Bezugs schicht ein Bit mit einer "nicht-A-gerichteten" Magnetisierung (oder einer A-gerichteten" Magnetisierung) gebildet wird, und, wenn die Intensität des Laserstrahls niedrigen Pegel hat, durch die "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht in der Aufzeichnungsschicht ein Bit mit "A-gerichteter" Magnetisierung (oder mit "nicht-A-gerichteter" Magnetisierung) gebildet wird.
  3. 3. Magnetoopische Aufzeichnungsvorrichtung mit der Möglichkeit des Uberschreibens, g e k e n n z e i c h n e t durch: (a) eine Einrichtung zum Bewegen eines magnetooptischen Aufzeichnungsträgers, (b) eine Einrichtung zum Anlegen eines Initialisierungsfeldes, (c) eine Laserstrahlquelle, (d) eine Einrichtung zum Impulsmodulieren der Strahlintensität entsprechend den aufzuzeichnenden Binärdaten, um (1) einen hohen Pegel zu erreichen, der dem Träger eine Temperatur verleiht, die zur Bildung eines Bits mit Aufwärtsmagnetisierung oder eines Bits mit Abwärtsmagnetisierung geeignet ist, und um (2) einen niedrigen Pegel zu erhalten, der dem Träger eine Temperatur verleiht, die sich zur Bildung des anderen Bits eignet, und (e) eine Einrichtung zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfeldes, die auch als die Einrichtung zum Anlegen eines Initialisierungsfeldes dienen kann.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß sowohl die Einrichtung zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfeldes als auch die Einrichtung zum Anlegen eines Initialisierungsfeldes feststehende Anordnungen sind, deren Länge einer radialen Strecke einer Aufzeichnungszone auf einem scheibenförmigen Aufzeichnungsträger entspricht.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die Einrichtung zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfeldes auch als die Einrichtung zum Anlegen eines Initialisierungsfeldes dient.
  6. 6. Mehrschichtiger, magnetooptischer Aufzeichnungsträger mit der Möglichkeit des Uberschreibens, g e k e n n z e i c h n e t durch eine als Aufzeichnungsschicht verwendete erste Schicht mit einer quermagnetischen Anisotropie und eine als Bezugsschicht dienende zweite Schicht mit einer quermagnetischen Anisotropie.
  7. 7. Träger nach Anspruch 6, dadurch g e k.e n n z e i c h n e t , daß, wenn die Strahl intensität einen hohen Pegel hat, eine "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht durch das Vormagnetisierungsfeld umgekehrt wird in eine nicht A-gerichtete" Magnetisierung, und daß in der Aufzeichnungsschicht durch die "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugs schicht ein Bit mit einer nicht-A-gerichteten" Magnetisierung (oder einer "A-gerichteten" Magnetisierung gebildet wird, und daß, wenn die Strahlintensität einen niedrigen Pegel hat, in der Aufzeichnungsschicht durch die "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht ein Bit mit einer "A-gerichteten" Magnetisierung (oder einer "nicht-A-gerichteten" Magnetisierung) gebildet wird.
  8. 8. Träger nach Anspruch 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht eine dünne magnetische mit hoher Koerzitivkraft und einer niedrigen Curie-Temperatur bei Zimmertemperatur aufweist, und daß die zweite Schicht eine dünne magnetische Schicht mit niedrigerer Koerzitivkraft und einer höheren Curie-Temperatur bei Zimmertemperatur als die erste Schicht besitzt.
  9. 9. Träger nach Anspruch 8, der folgende Bedingung erfüllt: TR( TC1 # TL < TC2 « TH und der bei Zimmertemperatur folgende vier Bedingungen erfüllt: wobei Zimmertemperatur Tc1: Curie-Temperatur der ersten Schicht Tc2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht TL: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels HC1: Koerzitivkraft der ersten Schicht Hc2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht Hi: an die erste Schicht angelegtes Koppelfeld HD2 an die zweite Schicht angelegtes Koppelfeld Hini.: Initialisierungsfeld
  10. 10. Träger nach Anspruch 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß, wenn eine Temperatur, bei der die erste und die zweite Schicht magnetisch gekoppelt sind, T51 beträgt, und eine Temperatur, bei der die Magnetisierungsrichtung der zwei ten Schicht durch das Vormagnetisierungsfeld umgekehrt wird, T52 besteht, die erste Schicht bei Zimmertemperatur eine höhere Koerzitivkraft besitzt, die zweite Schicht eine niedrigere Koerzitivkraft bei Zimmertemperatur besitzt und die Beziehung TS1 < T52 gilt.
  11. 11. Träger nach Anspruch 10, der folgende Bedingung erfüllt: TR < T51 t TL < T52 NNTH und der bei Zimmertemperatur die folgenden Bedingungen erfüllt: wobei Zimmertemperatur Tc1: Curie-Temperatur der ersten Schicht TC2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels HC1: Koerzitivkraft der ersten Schicht Hc2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht HD : an die erste Schicht angelegtes Koppelfeld HD2 an die zweite Schicht angelegtes Koppelfeld Hini.: Initialisierungsfeld.
  12. 12. Träger nach Anspruch 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß sowohl die erste als auch die zweite.Schicht aus einem Material besteht, welches ausgewählt ist aus Legierungen aus Übergangs- und schweren Seltenen-Erden-Metallen.
  13. 13. Träger nach Anspruch 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß sowohl die erste als auch die zweite Schicht aus einem Material besteht, welches ausgewählt ist aus Legierungen aus Übergangs- und schweren Seltenen-Erden-Metallen.
  14. 14. Träger nach Anspruch 10, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß sowohl die erste als auch die zweite Schicht aus einem Material besteht, welches ausgewählt ist aus Legierungen aus Übergangs- und schweren Seltenen-Erden-Metallen.
  15. 15. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und eine Kompensationstemperatur besitzt, die zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur liegt, und daß die zweite Schicht aus einer obergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur besitzt sowie folgender Formel genügt: (1) TR <Tcomp.1 < TC1 # TL z Tcomp.2 C TC2 N TH und bei Zimmertemperatur folgende Bedingungen erfüllt: (2) HC1 > HC2 + (#w/2MS1t1) + (#w/2MS2t2) (3) HC1 > {#W/2MS1t1) (4) HC2 > (o'w/2M52t2) (5) HC2 + (W/2MS2t2) 4 (Hini.l < HC1 - (dw/2MS1tl) wobei Zimmertemperatur Tcomp.1: Kompensationstemperatur der ersten Schicht Tcomp.2: Kompensationstemperatur der zweiten Schicht Etc1: Curie-Temperatur der ersten Schicht Etc2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels TH: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels H1: Koerzitivkraft der ersten Schicht Hc2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht Grenz Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  16. 16. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, die folgender Beziehung genügt: (1) TR Cit 1 # TL Z Tcomp.2 < TC2 # TH und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur genügt: (2) HC1 > HC2 (3W/2Ms1t1) + (6w/2Ms2t2) (3) HCl > (w/2Mi t (4) HC2 > (6w/2M52t2) (5) HC2 + ( /2Ms2t2) (6w/2M52t2) Z iHini.J < HCl (#w/ S1 - (w/2M51t1) wobei Zimmertemperatur Tcomp.2: Kompensationstemperatur der zweiten Schicht TC1: Curie-Temperatur der ersten Schicht Tc2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Auf zeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels Koerzitivkraft der ersten Schicht HC2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht #w' Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  17. 17. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung, die Seltene-Erden-Metallreich ist, besteht, und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, sowie folgender Beziehung genügt: (1) TR <Tcomp.1 < TC1 # TL TC2 # TH und außerdem bei Zimmertemperatur folgenden Beziehungen genügt: (2) HC1> HC2 + d W/2MS1t1) + (W/2S2t2) (3) HC1 > (¢W/2Ms1t1) (4) HC2 > (dw/2M52t2) (5) HC2 + (dw/lM,,t2)<IHini. I( HC1 - (w/2Ms1t1) wobei Zimmertemperatur Tcomp.1: Kompensationstemperatur der ersten Schicht Tc1: Curie-Temperatur der ersten Schicht Tc2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Auf zeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Auf zeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels Hc1: Koerzitivkraft der ersten Schicht Koerzitivkraft der zweiten Schicht Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  18. 18. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und die folgender Formel genügt: (1) TR I TCl TL < TC2 t TH und die bei Zimmertemperatur folgende Bedingungen erfüllt: (2) HC1 C12 C2 (#w/2MS1t1) + (#w/2MS2t2) (3) HC1 > (#w/2MS1t1) (4) HC2 > WW/2MS2t2) (5) HC2 + (6w/2M52t2)IHini1<H1 cd (#w/2M51t1) wobei Zimmertemperatur TC1: Curie-Temperatur der ersten Schicht TC2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Auf zeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Auf zeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels Hc1: Koerzitivkraft der ersten Schicht Hc2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht Ms1: Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht 6w Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  19. 19. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwereseltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die übergangsmetallreich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur besitzt, und die folgender Bedingung genügt: (1) TRd Tcomp. < TCl # TL < TC2 # und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur genügt: (2) HC1 > HC2 + 1(w/2MS1t1) - (#w/ S2 2 (3) C1 > (#w/2M51t1) (4) HC2 > (aW/2MS2t2) (5) HC2 + (#w/2MS2t2)<|Hini.| HC1 + (#/2MS1t1) wobei TR: Zimmertemperatur Tcomp.1: Kompensationstemperatur der ersten Schicht TC1: Curie-Temperatur der ersten Schicht TC2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Tt: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels TH: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels Hc1: Koerzitivkraft der ersten Schicht Koerzitivkraft der zweiten Schicht Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  20. 20. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metallreich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die übergangsmetallreich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist sowie folgender Bedingung genügt: (1) TR < TC1 # TL < TC2 # TH und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur genügt: (2) C1 > HC2 + 1(6wi2M51t1) - 2)l(#w/2MS2t2)) (3) HC1 > (w/2MS1t1) (4) HC2 > (#w/2MS2t2) (5) HC2 + (w/2M52t2) < IHini.l < HCl + (#w/2MS1t1) wobei Zimmertemperatur TC1: Curie-Temperatur der ersten Schicht Tc2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels TH: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels HC1: Koerzitivkraft der ersten Schicht HC2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht MS1: Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht Grenz schichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  21. 21. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die übergangsmetallreich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die übergangsmetallreich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist sowie folgender Bedingung genügt: (1) TR < TC1 § TL < TC2 AcTH und die bei Zimmertemperatur folgenden Bedingungen genügt: (2) H 1 > HC2 + (#W/2MS1t1) + (o'w/2M52t2) (3) HC1 > (#w/2MS1t1) (4) 2 (#w/2M > (#w/2MS2t2) (5) Hc2 + (6w/2M52t2) < |Hini.| < HC1 - (#w/2MS1t1) wobei Zimmertemperatur TC1: Curie-Temperatur der ersten Schicht Etc2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels Hc1: Koerzitivkraft der ersten Schicht Hc2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht Msl: Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t 1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht 6w Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  22. 22. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die übergangsmetallreich ist und keine Kompensationstemperaturzwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist sowie folgender Bedingung genügt: (1) TR R TC1 # TL # Tcomp .2 C TC2 # TH und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur genügt: (2) HC1 > HC2 + ((dw/2M51t1) - (#w/2MS2t2)| (3) HC1 ) (#w/2MS1t1) (4) HC2 > (#w/2MS2t2) (5) HC2 + (#w/2MS2t2) C 1 Hinil < HC1 + (#w/2MS1t1) wobei Zimmertemperatur Tcomp.2: Kompensationstemperatur der zweiten Schicht TC1: Curie-Temperatur der ersten Schicht TC2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Tt: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels Hc1: Koerzitivkraft der ersten Schicht H2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t 1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
  23. 23. Träger nach Anspruch 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht eine Übergangsmetall-schwere-Saltene-Erden-Metall-Legierung ist, die übergangsmetallreich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Ubergangsmetall-schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metallreich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einer Curie-Temperatur aufweist sowie folgender Bedingung genügt: (1) TR C TC1 t TL < TC2 t TH und bei Zimmertemperatur folgenden Bedingungen genügt: (2) C1 > HC2+ |(#w/2MS1t1) - (#w/2MS2t2)| (3) HC1 > (#w/2MS1t1) (4) HC2 > (d'w/2M52t2) (5) HC2 + (#w/2MS2t2) < |Hini. |< HC1 + (#w/2S1t1) wobei Zimmertemperatur TC1: Curie-Temperatur der ersten Schicht TC2: Curie-Temperatur der zweiten Schicht Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels Koerzitivkraft der ersten Schicht HC2:oerzitivkraft der zweiten Schicht M51: Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht Ms2: Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht t1: Schichtdicke der ersten Schicht t2: Schichtdicke der zweiten Schicht Grenz Grenzschichtwandenergie Hini.: Initialisierungsfeld.
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