DE3429258A1 - Magneto-optisches speichermedium - Google Patents
Magneto-optisches speichermediumInfo
- Publication number
- DE3429258A1 DE3429258A1 DE19843429258 DE3429258A DE3429258A1 DE 3429258 A1 DE3429258 A1 DE 3429258A1 DE 19843429258 DE19843429258 DE 19843429258 DE 3429258 A DE3429258 A DE 3429258A DE 3429258 A1 DE3429258 A1 DE 3429258A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magneto
- layers
- layer
- storage medium
- optical storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
Description
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein magneto-roptisches Speichermedium.
Bei der Entwicklung von magneto-optischen Speichermedien zur Anwendung bei optischen Einrichtungen hat sich in
letzter Zeit das Interesse auf dünne Schichten aus amorphen übergangsmetallen der seltenen Erden in binärer
Verbindung wie z.B. TbFe oder GdFe und ternären Verbindungen wie z.B. TbGdFe oder TbCoFe oder äquivalenten
Legierungssystemen als geeignete magneto-optische Materialien für Speichermedien konzentriert, weil solche
Metalle eine ungewöhnliche Anisotropie und magneto-optische Eigenschaften aufweisen. Bei der Anwendung zur
Informationsspeicherung aufgrund von wärmemagnetischem Einschreiben wird die Bit-Information in diskreten Bereichen
gespeichert, in dem mit einem fokussierten Hochenergielaser in Kombination mit einem angewandten Magnetfeld
geschrieben wird. Um die gespeicherte Information auszulesen oder aufzufinden, werden die Bit-Bereiche
mit einem fokussierten, polarisierten Laserstrahlenbündel
niederer Energie in Kombination mit einem Fotowandler and Analysator abgetastet, wodurch das ausgelesene
Signal erhalten wird.
Zur praktischen Anwendung sollten die geschriebenen Bit-Bereiche so klein wie möglich gehalten werden, damit die
Speicherkapazität eines gegebenen Abschnittes des Mediums maximal wird. Jedoch verringert eine Verringerung
der Größe des Bit-Bereiches auch den Amplitudenpegel des ausgelesenen Signals und verringert damit das Signal-Rausch-Verhältnis
des Mediums. Kürzlich wurden verschiedene Strukturen, wie das Beschichten des Mediums mit
einer dielektrischen Schicht geeigneter Dicke mit einem hohen Brechungsindex oder das Vorsehen einer reflektierenden
Unterschicht vorgeschlagen, um den Signalpegel des von dem Medium ausgelesenen Signals während des Aufsuchens
der Information zu erhöhen, in dem an dem ausgelesenen Signal eine erhöhte Modus-Umwandlung (Drehung
der Polarisation) hervorgerufen wird. Wie im folgenden erläutert, schaffen die kürzlich vorgeschlagenen Strukturen
(dielektrische Beschichtung oder reflektierende Unterschicht) eine Modusumwandlung des auf einen Bit-Bereich
auftreffenden AusIeseStrahlenbündels, jedoch mit einer Grenze. Somit bleibt das Bedürfnis nach einer
neuen Mediumstruktur, die eine weitere Erhöhung der Modus-Umwandlung des auf einen Bit-Bereich auftreffenden
Lesestrahlenbündels gegenüber den bisher vorgeschlagenen Strukturen schafft, die eine bedeutende Erhöhung des
Signal-Untergrund-Verhältnisses zum Ergebnis hat und daher eine bedeutende Zunahme der Bit-Dichte erlaubt.
Die Erfindung schafft ein magneto-optisches Speichermedium, bei dem zwei Schichten oder Lagen von magnetischem
Material verwendet wird, wobei die magneto-optisehe Hysteresiskurve einer der Schichten einen Richtung
ssinn aufweist, der zu dem Richtungssinn der magneto-optischen
Hysteresiskurve der anderen Schicht entgegengesetzt ist. Bei dem Medium ist die durch eine der
magnetischen Schichten hervorgerufene Polarisationsdrehung durch den Farraday-Effekt in Phase mit der durch
den Kerr-Effekt hervorgerufene Polarisationsdrehung durch die andere der magnetischen Schichten, so daß
eine additive Modus-Umwandlung von unterschiedlichen Bereichen des Mediums geschaffen wird, wodurch das erfaßte
Signal ein erhöhtes Signal-Untergrund-Verhältnis aufweist.
Der Erfindungsgegenstand wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung
näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 und 2 Querschnittsdarstellungen von magnetooptischen Speichermedien nach dem Stand der
Technik,
Fig. 3 und 4 Querschnittsdarstellungen von magnetooptischen
Speichermedien, die ein höheres Lesesignal aufgrund der additiven Interferenz zur erhöhten Modus-Umwandlung liefern,
Fig. 5 durch Kerr-Effekt und Farraday-Effekt hervorgerufene
Drehungen für einen Bit-Bereich der Medien gemäß Fig. 3 und einen benachbarten Bereich
der Medien der Fig. 3,
Fig. 6 die Abhängigkeit des Magnetisierungsmomentes von der Zusammensetzung von TbFe auf den Richtungssinn
der magneto-optisehen Hysteresiskurve und auf den Richtungssinn der Magnetisierungs-
Hysteresiskurve, und
Fig. 7 die Magnetisierungsrichtung als Funktion der Richtung des angelegten Feldes (oder der Netto-Schichtmagnetisierung)
bei dem TbFe-Untergitter
(Fe oder Tb).
Um ein vollständiges Verständnis der vorgeschlagenen Medien zu erreichen, ist eine Erörterung der bisher bekannten
Medien mit dielektrischer Beschichtung und der Medien mit reflektierender Unterschicht unter Bezugnahme
auf die Fig. 1 bzw. 2 angezeigt. Zunächst wird das Medium mit dielektrischer Beschichtung gemäß Fig. 1 abgehandelt,
welches aus einem Träger 10 aus Glas, einer magnetischen Schicht 11 aus TbFe, die auf den Träger 10
aufgebracht ist, und einer dielektrischen Schicht 12 aus Siliziumoxid besteht, die auf der magnetischen Schicht
11 aufgebracht ist. Die Magnetisierungsrichtung M der
magnetischen Schicht ist so wie eingezeichnet. Der Lesestrahl I hat einen elektrischen Vektor oder eine PoIarisationsrxchtung
E., wobei der von der Grenzschicht 1 reflektierte Anteil des Strahls IQ mit R1 und der an
der Grenzschicht 2 (starke Reflexion). reflektierte Anteil
des Strahls I mit R- bezeichnet ist. Die Strahlanteile
R1 und R2 sind etwas nach rechts bzw. links versetzt,
um die Erläuterung zu vereinfachen. Die optische Verstärkung des Ausgangsstrahls der mit einer dielektrischen
Schicht überzogenen Struktur gemäß Fig. 1 erfolgt hauptsächlich durch eine Kontrasterhöhung aufgrund der
Verringerung der reflektierten Lichtintensität unter Verwendung von Interferenz. Der tatsächliche Modus-übergang
von der zu dem elektrischen Vektor E. parallelen Richtung zu der dazu senkrechten Richtung (d.h. der übergang
vom parallelen Modus zum senkrechten Modus) aufgrund einer magneto-optischen Drehung durch den Kerr-Effekt
an der Grenzschicht 1, die den elektrischen Vektor ER1
des reflektierten Strahlanteils R1 durch den Kerr-Effekt
um den magneto-optischen Drehwinkel 0„ dreht, wird durch
eine magneto-optische Drehung des reflektierten Strahlanteils
R2 (eine Drehung von 20J1(R2)) verringert, da im
Falle von Eisen und vielen auf Eisen beruhenden Legierun-
gen, wie z.B. TbFe, das Vorzeichen der Polarisationsdrehung
aufgrund des Kerr-Effektes stets zu dem Vorzeichen der Polarisationsdrehung aufgrund des Farraday-Effektes
entgegengesetzt ist. Somit weicht aufgrund der entgegengesetzten Drehrichtungen des Kerr-Effektes und Farraday-Effektes
ein Zustand/der bei dünnen Strukturen nicht behoben werden kann, der elektrische Vektor des von einem
BitrBereich reflektierten Strahls von dem elektrischen Vektor des Strahls nur um eine begrenzte Drehung ab, der
von einem den Bit-Bereich umgebenden Bereich reflektiert wird.
Es wird nun auf das in Fig. 2 gezeigte Medium mit reflektierender Unterschicht Bezug genommen. Dieses Medium
besteht aus einem Träger 10 aus Glas, einer reflektierenden Spiegelschicht 13 aus Aluminium, einer dielektrischen
Schicht 14 aus Siliziumoxid, einer magnetischen Schicht oder Lage 11 aus TbFe und einer weiteren
dielektrischen Schicht 12 ebenfalls aus Siliziumoxid. Die Magnetisierungsrichtung M der magnetischen Schicht
11 ist derart, wie sie gezeichnet ist. Bei dieser Struktur erfolgt bei dem Strahlanteil R- ebenfalls eine Polarisationsdrehung
durch den Kerr-Effekt im Uhrzeigersinn von E. zu ED1 (eine Drehung θν) und eine Polarisations-
IKl X\
drehung des Strahlanteils R2 aufgrund des Farraday-Effekts
im Gegenuhrzeigersinn von E. nach ER2 (eine Drehung
um 20-,(R2)). Zusätzlich liegt eine weitere Drehung
durch den Farraday-Effekt aufgrund der dualen magnetooptischen Wechselwirkung des voll hindurchgehenden Anteils
t des Lesetrahls I mit der Schicht 11 während
der ursprünglichen Fortpflanzung des durch den Film 11
hindurchgegangenen Strahlanteils t und dann nach Reflexion
an der Schicht 13 während der erneuten Fortpflanzung
des hindurchgehenden Strahlanteils t durch die
Schicht 11 vor. Es wird noch einmal darauf hingewiesen,
daß zur Erleichterung der Erläuterung die Wege der Strahlanteile R , R^ und t etwas seitlich verschoben
dargestellt sind. Gemäß der Darstellung tritt an dem Anteil tr des Strahls I , der durch die Schicht 11 hindurchgeht,
eine erste Farraday-Drehung Q während des ersten Durchganges durch die Schicht 11 und nach der
Reflexion an der Schicht 13 eine zweite Farraday-Drehung ©„ auf, so daß der elektrische Vektor E. des hindurchgegangenen/reflektierten
Strahls tr eine Polarisationsdrehung
von 29„ (t ) aufweist. Da man eine Phasenänderung
des hindurchgegangenen Strahls t_ durch Änderung der Dicke einer oder beider dielektrischer Schichten
11 und 13 hervorrufen kann, kann die Polarisationsdrehung
2©F (t ) des Strahlanteils t aufgrund des
Farraday-Effekts so gemächt werden, daß sie eine Richtung
aufweist, die der durch den Kerr-Effekt bewirkten Polarisatonsdrehung entspricht, wie es durch die Drehung
im Uhrzeigersinn von E. in Fig. 2 dargestellt ist. Da jedoch die Gesamtmodusdrehung des Strahlanteils t
und des Strahlanteils R1 durch die entgegengesetzte
Drehung des Strahlanteils R^ verringert wird, welche,
wie vorhergehend bemerkt wurde, eine Drehung durch den Farraday-Effekt ist, die stets der Drehung aufgrund des
Kerr-Effektes im Falle von Eisen und vielen Eisenlegierungen entgegengesetzt ist, und die niemals bei dünnen
Strukturen ausgeglichen werden kann, liefert das Medium mit reflektierender Unterschicht gemäß Fig. 2 einen begrenzten,
tatsächlichen Modus-Übergang.
Ein realer Modus-Übergang und damit ein größeres Lesesignal
werden mit den in den Fig. 3 und 4 gezeigten, neuen Speichermedien erreicht. Jedes Medium verwendet
zwei Schichten eines Übergangsmetalls der seltenen Erden,
wobei die magneto-optische Hysteresiskurve einer Schicht
einen Richtungssinn aufweist, der gegenüber dem Richtungssinn der magneto-optisehen Hysteresiskurve der anderen
Schicht entgegengesetzt ist. Insbesondere weist eine Schicht einen Anteil an Übergangsmetall auf, der
kleiner als die Ausgleichszusammensetzung des Legierungssystems ist, welches verwendet wird, um eine positiv gerichtete
magneto-optische Hysteresiskurve zu schaffen, und die andere Schicht weist einen Anteil an Übergangsmetall auf, der größer als die Ausgleichszusammensetzung
des Legierungssystems ist, welches verwendet wird,
um eine negative, magneto-optische Hysteresiskurve zu schaffen.
Es wird besonders auf die Fig. 3 Bezug genommen. Das Speichermedium besteht in der Reihenfolge von oben nach
unten aus einer ersten, dielektrischen Schicht 12, einer ersten Schicht 20 aus einem Übergangsmetall der seltenen
Erden, die, wie dargestellt, eine positiv gerichtete, magneto-optische Hysteresiskurve aufweist, einer
zweiten Schicht 22 aus einem Übergangsmetall der seltenen
Erden, die, wie angezeigt, eine negativ gerichtete, magneto-optische Hysteresiskurve aufweist, einer zweiten
dielektrischen Schicht 14 und einer reflektierenden, metallischen Spiegelunterschicht 13 auf einer Trägerscheibe
10.
Die Funktion und die Arbeitsweise jeder der Schichten der Lagen wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 5 untersucht.
Die dielektrische Schicht 12, die Siliziumoxid oder ein anderes geeignetes, dielektrisches Material
sein kann, dient als Oxidationsschutzschicht des Mediums und auch zur Interferenz oder Phasenanpassung, um das
Signal-Untergrund-Verhältnis von jedem geschriebenen
Bit-Bereich zu optimieren. Die dielektrische Schicht 14, welche ebenfalls Siliziumoxid oder ein anderes, geeignetes,
dielektrisches Material sein kann, dient der Interferenz oder Phasenanpassung, um das Signal-Untergrund-Verhältnis,
welches von dem Strahlanteil t (der Anteil des von der Grenzschicht 3 reflektierten Strahls I)
beiträgt, zu optimieren, und dient auch als Wärmeisolator beim magnetischen Schreiben unter Wärmeeinfluß. Die
metallische Unterschicht 13 dient für den Strahlanteil t als voller innerer Reflektor. Die zwei magnetischen
Schichten 20 und 22 mit entgegengesetzt gerichteter magneto-optischen
Hysteresisschleife, die das Eigentliche der neuen Struktur bilden, dienen dazu, eine zusammengesetzte
Polarisationsdrehung aufgrund des Farraday-Effekts für den reflektierten Strahlanteil R2 (der Anteil des von
der Grenzschicht 2 reflektierten Strahls I) und des Strahlanteils t zu erzielen, die das gleiche Vorzeichen
wie die Polarisationsdrehung aufgrund des Kerr-Effektes bei dem reflektierten Strahlanteil R1 (der Anteil des
von der Grenzschicht 1 reflektierten Strahls I) aufweist, wodurch ein zusammengesetzter Ausgangsstrahl mit
beträchtlichem realen Modus-übergang geschaffen wird.
Einzelheiten der Struktur und der Arbeitsweise des in Fig. 3 gezeigten Mediums wird nun bei einer TbFe-Legierung
als das für die Schichten 20 und 22 verwendete Übergangsmetall der seltenen Erden erläutert. Bei amorphen
Schichten von Metallegierungen der seltenen Erden, wie z.B. einer Schicht einer TbFe-Legierung, kann der
Richtungssinn der magneto-optischen Hysteresiskurve entweder positiv oder negativ bei einer gegebenen Richtung
einer Nettomagnetisierung in Abhängigkeit davon sein, ob die Konzentration des Elementes des übergangsmetaHs
der seltenen Erden in der Legierung oberhalb oder unter-
halb der Ausgleichszusammensetzung für die Legierung liegt. Diese Eigenschaft ist bei TbFe-Legierungen ohne
weiteres aus der schematischen Darstellung gemäß Fig. 6 ersichtlich, die die Abhängigkeit des Richtungssinns
(positiv oder negativ) der magneto-optischen Hysteresiskurve von der Zusammensetzung des Übergangselementes
zeigt. Gemäß der Darstellung ist, obgleich selbst die mit einem Schwingungsabtastmagnetometer erhaltenen Magnetisierungskurven
(die VSM-Kurven in Fig. 6) einen positiven Richtungssinn sowohl für Legierungen mit Feüberschuß
(der Tb-Anteil ist kleiner als der Ausgleichsanteil von 23% Tb), als auch für Legierungen mit TB-überschuß
(der Tb-Anteil ist größer als der Ausgleichsanteil von 23% Tb) bei einem positiven Nettomagnetisierungsmoment
M der Schicht zeigen, ist die magneto-optische Hysteresiskurve von Legierungen mit Tb-Überschuß
negativ, während die entsprechende Kurve bei Legierungen mit Fe-Überschuß positiv ist. Diesem Phänomen liegt die
Tatsache zugrunde, daß der magneto-optische Effekt durch nur einen Typ von Untergitteratom (das Fe-Atom im Falle
von TbFe) beherrscht wird und deshalb der Richtungssinn der Nettodrehung als Ergebnis der magneto-optischen
Wechselwirkung von Licht mit dem Medium durch die Magnetisierungsrichtung
des herrschenden Untergitteratoms, welches einen stärkeren magneto-optischen Effekt hat,
bestimmt wird als durch die Nettomagnetisierungsrichtung der Legierungsschicht. Bei einer aus einer Doppelschicht
zusammengesetzten Magnetschichtstruktur (eine Schicht 22 mit Tb-Überschuß und eine Schicht 20 mit Fe-Überschuß,
wie es Fig. 5 zeigt) ist der Zustand der Nettomagnetisierungsrichtung in jeder Schicht bei einer gegebenen
Feldrichtung M identisch, jedoch sind die Magnetisierungsrichtungen der Untergitteratome in einer Schicht zu
den gleichen Arten von Untergitteratomen in der anderen
Schicht aufgrund der Dominanz der Fe-Atome zueinander entgegengesetzt, wie es in Fig. 7 dargestellt ist. Deshalb
ist die durch den Farraday-Effekt hervorgerufene magneto-optische Drehung beim Durchgang des Strahlanteils
t durch die obere Schicht 20 zu der Drehung aufgrund des Farraday-Effektes entgegengesetzt, die beim Durchgang
des Strahlanteils t durch die untere Schicht 22
erhalten wird.
Da die Größe der Drehung aufgrund des Farraday-Effekts
bei jeder der magnetischen Schichten 20 und 22 proportional zu der Schichtdicke und dem magneto-optischen Koeffizienten
für diesen Effekt ist, kann eine Nettodrehung der Polarisation des Strahlanteils t erhalten werden,
wenn unterschiedliche" Dicken für die Schichten und 22 oder unterschiedliche Materialkoeffizienten verwendet
werden. In dem Falle von TbFe hängt der magnetooptische Koeffizient für den Farraday-Effekt nur sehr
gering von der Zusammensetzung innerhalb von wenigen Prozenten (ungefähr 8 Atomprozent) auf beiden Seiten der
ausgeglichenen Zusammensetzung (ungefähr 23 Atomprozent Tb) ab, so daß sich deshalb, um eine Nettopolarisationsdrehung
zu erhalten, nachdem der Strahlanteil t beide Schichten 20 und 22 durchlaufen hat, grundsätzlich die relativen
Dicken der Schichten 20 und 22 verändern. Zum Auswählen der Dicken der jeweiligen magnetischen Schichten
20 und 22 ergibt sich folgende Regel:
1. Die Drehung des Strahlanteils R1 aufgrund des Kerr-Effektes
findet nur auf der oberen Oberfläche der oberen Schicht 20 statt und die erforderliche Dicke
der Schicht 20, um die Polarisationsdrehung durch den Kerr-Effekt zu maximalisieren, ist recht klein,
etwa 50 bis 200 A, wo die Lichtabsorption nahezu
gleich dem Hauptteil ist. Deshalb erfüllt eine sehr geringe Dicke der Schicht 20 das Erfordernis für
eine nahezu maximale Polarisationsdrehung aufgrund des Kerr-Effektes.
2. Da die Schicht 20 eine positive magneto-optische Hysteresiskurve aufweist, hat die Polarisationsdrehung
des Strahlanteils t aufgrund des Farraday-Effektes durch die magnetische Schicht 20 einen entgegengesetzten
Drehsinn bezüglich der Polarisierung des Strahlanteils R- aufgrund des Kerr-Effektes, und
zwar unabhängig von der Anzahl der Durchgänge und der Phasenbeziehung des Lichtes, weil diese Drehung
aufgrund des Farraday-Effektes die gleiche Richtung des üntergittermomentes wie die Drehung des Strahlanteils
R. aufgrund des Kerr-Effektes "sieht". Deshalb sollte die Dicke der Schicht 20, um eine übermäßige
Absorption durch die Schicht 20 und die PoIarisationsdrehung aufgrund des Farraday-Effektes
durch die Schicht 20 zu verringern, nicht größer als der Grenzwert sein, der für eine Maximierung der
Drehung des Strahlanteils R1 durch den Kerr-Effekt
erforderlich ist.
3. Die durch die magnetische Schicht 22 aufgrund des Farraday-Effektes hervorgerufene Drehung des Strahlanteils
t weist den gleichen Drehsinn wie die Drehung des Strahlanteils R1 aufgrund des Kerr-Effektes
auf. Der Grund hierfür besteht darin, daß die Schicht 22 eine negativ gerichtete magneto-optische
Hysteresisschleife aufweist, wodurch der Strahlanteil t die entgegengesetzte Richtung des Untergittermomentes
"sieht". Deshalb sollte die Dicke der Schicht 22 soweit wie möglich erhöht werden, um eine
stärkere Drehung des Strahlanteils t in dieser Schicht zu ermöglichen. Die maximale Dicke der
Schicht 22 ist durch die Intensität des hindurchgehenden Strahls begrenzt, welcher durch das Medium
hindurchgehen und die Oberfläche des Mediums erreichen kann, um zu der Nettopolarisationsdrehung der
Strahlanteile R-, und t für das zusammengesetzte
^ r
Ausgangssignal beizutragen, wobei Mehrfachreflexionen und -absorptionen zu berücksichtigen sind, die
in dem Mehrschichtmedium auftreten.
Aufgrund der drei angegebenen Kriterien ist es offensichtlich, daß die Schicht 20 der magnetischen Doppelschicht
von geringer Dicke und die Schicht 22 eine so groß wie mögliche, relative Dicke aufweisen sollte. Eine
gute Regel für die Dicken der Schichten 20 und 22 besteht darin, daß die Dicke der Schicht 22 größer als das
Doppelte der Dicke der Schicht 20 sein sollte. Ausgehend von berechneten Absorptions- und Durchlässigkeitsdaten
für eine TbFe-Schicht kann die Schicht 20 eine Dicke im
Bereich von 50 bis 200 A aufweisen, während die Schicht
22 eine Dicke im Bereich von 100 bis 400 A haben kann.
Zur allgemeinen Erläuterung ist die Richtung der Polarisationsdrehung
für die verschiedenen Bereiche des Lesestrahls I (mit dem elektrischen Vektor E.) von der dualen
magnetischen Schichtanordnung gemäß Fig. 3 in einem geschriebenen Bit-Bereich und dem umgebenden Bereich in
Fig. 5 dargestellt. In Fig. 5 ist zur Vereinfachung der Darstellung die Reflexion von der Grenzschicht 0 unberücksichtigt.
Unter der Annahme, daß eine Drehung im Uhrzeigersinn positiv und die Magnetisierungsrichtung M
gemäß der Darstellung ist, beträgt die Drehung des Strahlanteils R- aufgrund des Kerr-Effektes in dem Bit-
Bereich θν, die durch den Farraday-Effekt bewirkte Nettodrehung
des Strahlanteils R2 aufgrund seines ursprünglichen Durchganges durch die Schichten 20 und 22 und seine
Rückkehr durch die Schichten 20 und 22 nach der Reflexion von der Grenzschicht 2 gleich 2e_oo(Ro) - 2e_OA(Ro),
die Drehung des Strahlanteils t durch den Farraday-Effekt aufgrund seines ursprünglichen Durchgangs durch
die Schicht 20 gleich - θ_20, die Drehung des Strahlanteils
t durch den Farraday-Effekt aufgrund seines anfänglichen Durchgangs durch die Schicht 22 gleich + Qp22/
die Drehung des Strahlanteils t durch den Farraday-Effekt wegen seiner Rückkehr (nach der Reflexion an der
Grenzschicht 3 durch die Schicht 22 hindurch gleich + Θρ22' und die Drehung des Strahlanteils t durch den
Farraday-Effekt wegen seiner Rückkehr durch die Schicht 20 gleich - θ_20 (wenn eine richtige Phasenanpassung mit
der richtigen Dicke des Dielektrikums 14 verwendet wird), wodurch sich im Bit-Bereich ergibt
enet * 9K + 26F22 " 20F2O + 2θ Γ22(Ε2} " 2eF20<R2>'
wohingegen im ümgebungsbereich, wo die Magnetisierungsrichtung M zu derjenigen im Bit-Bereich entgegengesetzt
ist, die Drehung des Strahlanteils R aufgrund des Kerr-Effektes
gleich - ©K, die Nettodrehung des Strahlanteils
R2 durch den Farraday-Effekt aufgrund seines anfänglichen
Durchganges durch die Schichten 20 und 22 und seine Rückkehr durch die Schichten 20 und 22 nach Reflexion
an der Grenzschicht 2 gleich - 20F22(R2) + 2©F20(R2) ist,
die Drehung des Strahlanteils t durch den Farraday-Effekt wegen seines ursprünglichen Durchgangs durch die
Schicht 20 gleich + eF20 ist, die Drehung des Strahlanteils
t durch den Farraday-Effekt wegen seines ursprünglichen Durchganges durch die Schicht 22 gleich - θρ22
ist, die Drehung des Strahlanteils t durch den Farraday-Effekt aufgrund seiner Rückkehr (nach der Reflexion an
der Grenzschicht 3) durch die Schicht 22 gleich ist, und die Drehung des Strahlanteils t durch den
Farraday-Effekt wegen seiner Rückkehr durch die Schicht 20 gleich θρ2η ist, so daß sich für den Umgebungsbereich
ergibt 6net = - θχ - 2θρ20 + 2θρ22 - 29^2(R2) +2θρ20(R2).
Somit, da θ . in dem Bit-Bereich wesentlich unterschiedlich
θ . in dem Umgebungsbereich während des realen Modus-Überganges ist, liefert das Medium gemäß Fig. 3
die erwünschte starke Zunahme des Signal-Untergund-Verhältnisses.
Im Hinblick auf die dielektrischen Schichten 12 und 14
in Fig. 3 sollte die Dicke dieser Schichten richtig aufgrund der Grundsätze der Interferenztheorie ausgewählt
werden, in der gleichen Weise die die Dicke der Schichten 12 und 14 bei den Strukturen gemäß Fig. 1 und 2
nach dem Stand der Technik ausgewählt werden, damit der Strahlanteil t3 eine Polarisationsdrehung im gleichen
Sinn wie die Polarisationsdrehung des Strahlanteils R1
aufweist.
Zusammenfassend ergibt sich, daß ein verbessertes magneto-optisches
Speichermedium auf der Grundlage einer Doppelschichtstruktur
aus amorphen Schichten der Übergangselemente der seltenen Erden geoffenbart ist, welche magneto-optische
Hysteresiskurven mit entgegengesetzt gerichtetem Sinn aufweisen, um den tatsächlichen Modus-Übergang
zu erhöhen, so daß das Signal-Untergrund-Verhältnis
des Ausgangsstrahls erhöht wird. Obgleich die Erfindung unter Bezugnahme auf TbFe als magnetisches
Material für die Schichten 20 und 22 beschrieben wurde, wobei die Schicht 20 einen Fe-Überschuß und die Schicht
22 einen Tb-Überschuß aufweist, besteht keine Absicht dahingehend, die Zusammensetzung des magnetischen Mate-
rials aus zwei Schichten auf diese Weise zu begrenzen und entsprechend können die Schichten 20 und 22 aus vielen
binären Legierungen der Übergangsmetalle der seltenen Erden ausgewählt werden, wie z.B. TbFe, GdFe, GdCo,
HoFe, DyFe, usw., oder aus ternären Legierungen wie z.B. TbGdFe, TbGdCo oder Äquivalenten. Auch kann die Doppelschicht
für die Schicht 20 aus einem Legierungssystem
und für die Schicht 22 aus einem anderen Legierungssystem ausgewählt werden, solange das Untergittermoment
in jeder der zwei Systeme bei einem gegebenen Magnetisierungszustand des Mediums entgegengesetzt gerichtet
ist, um entgegengesetzt gerichtete Hysteresisschleifen für die Schichten 20 und 22 zu schaffen. Auch kann die
reflektierende Unterschicht 13 aus einer Vielzahl von Metallschichten ausgewählt werden, wie z.B. Aluminium,
Kupfer, Gold, Silber oder Chrom/Gold, solange die Dicke der Schicht ausreichend ist, um eine maximale Reflexion
zu ergeben.
Das Medium gemäß Fig. 3 kann mit herkömmlichen Verfahrensvorrichtungen
hergestellt werden. Im Falle von TbFe-Legierungen wird nach der herkömmlichen Beschichtung
des Trägers 10 mit der reflektierenden Schicht 13 und dem Aufbringen der dielektrischen Schicht 14, der beschichtete
Träger in einem HF-Diodenzerstäubungssystem angeordnet, welches ein erstes Target aufweist, bei dem
Tb auf einer Eisenplatte aufgebracht oder an bestimmten Stellungen innerhalb einer Eisenplatte niedergeschlagen
ist. Die Menge an Tb wird so eingestellt, daß das zusammengesetzte Target eine Schicht mit einer nominalen Zusammensetzung
von Tb, die größer als die ausgeglichene Zusammensetzung einer TbFe-Legierung ist, beispielsweise
25 Atomprozent Tb beträgt, um eine Lage oder Schicht 22 zu ergeben. Nun wird das erste Target durch ein zweites
— I/O —
ähnliches Target ausgetauscht, bei dem die Menge von Tb so eingestellt ist, daß das zusammengesetzte Target eine
Schicht mit einer nominalen Zusammensetzung von Tb, die kleiner als die ausgeglichene Zusammensetzung einer TbFe-Legierung
ist, beispielsweise 21 Atomprozent Tb, aufweist, um eine Lage oder Schicht 20 zu schaffen. Das Aufbringen
der dielektrischen Schicht 12 wird nun an Ort und Stelle vorgenommen, um eine Oxidation der TbFe-Schicht
20 zu verhindern.
Das Medium gemäß Fig. 3 mit der Doppelschicht aus übergangsmetallen
der seltenen Erden weist den Vorteil auf, daß wegen der sehr engen Berührung zwischen den zwei
Schichten 20 und 22 ohne weiteres geschrieben und gelöscht werden kann. Jedoch ist wegen der metallischen
Unterschicht 13 die Herstellung des Mediums ein ziemlich komplizierter Vorgang, da eine Anzahl von Schichten unterschiedlicher
Materialien vorliegen. Um die Kompliziertheit der Herstellung des Mediums zu verringern,
ist auch die Struktur gemäß Fig. 4 vorgeschlagen. Das Medium gemäß Fig. 4 ergibt eine Verringerung der Kompliziertheit
der Herstellung in bezug auf das Medium gemäß Fig. 3, wobei weiterhin eine Verstärkung der Polarisationsdrehung
vorliegt. Bei dem Medium gemäß Fig. 4 werden ebenfalls zwei benachbarte Schichten 20 und 22 aus
Übergangsmetallen der seltenen Erden verwendet, die entgegengesetzt
gerichtete magneto-optische Hysteresiskurven aufweisen und unmittelbar auf einen einen niedrigen
Brechungsindex aufweisenden Träger 10' aus einem Glas
mit niederem Brechungsindex oder einem anderen geeigneten Material mit einem niederen Brechungsindex aufgebracht
sind. Eine dielektrische Schicht 12 ist auch auf der Schicht 20 vorgesehen. Wegen des einen geringen Brechungsindex
aufweisenden Trägers 10' ergibt die Grenz-
schicht 2 eine beträchtliche Reflexion, wobei der reflektierte
Strahl Rj die gleiche Richtung der Netto-Farraday-Drehung
wie die Kerr-Drehung des reflektierten Strahls R aufweist. Das Medium gemäß Fig. 4 hat ohne die besondere
reflektierende Schicht eine verringerte Kompliziertheit bei der Herstellung. Wenn der Träger 10' metallisch
oder ein Material mit einem großen Brechungsindex ist, würde eine dielektrische Schicht mit einem niederen Brechungsindex,
wie z.B. Siliziumdioxid zwischen der Schicht 22 und dem Träger 10' aufgebracht. In dem Bit-Bereich
ergibt das Medium gemäß Fig. 4 für die dargestellte Magnetisierungsrichtung M und unter der Annahme, daß eine
Drehung im Gegenuhrzeigersinn positiv ist, θ *-~^Κ~\
(aufgrund des Strahlanteils R-) - 2Θ „n^^) (wegen des
doppelten Durchganges des Strahlanteils R2 durch die
Schicht 20) + 2©F22^R2^ (wegen des doppelten Durchganges
des Strahlanteils R2 durch die Schicht 22), wohingegen
außerhalb des Bit-Bereiches erhalten wird 0HCt^ " ΘΚ1 + 2eF20(R2* ~ 20F22iR2)/ so daß wiederum
ein bedeutender realer Modus-übergang und ein erhöhtes
Signal-Untergrund-Verhältnis erhalten wird.
Die den Teilen des Mediums gemäß Fig. 3 entsprechenden Teile des Mediums gemäß Fig. 4 wären aus den gleichen
Materialien und hätten die gleichen physikalischen Abmessungen, soweit nicht anders angegeben.
- Leerseite -
Claims (1)
- GRÜNECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & PARTNERPATENTANWÄÄÄ29258A- GRÜNECKER, on. DR H KINKELDEY. DR W. STOCKMAIR. DR K, SCHUMANN. o-P H JAKOB. o»L-»D DR G BEZOLD. oH-o W MEISTER. OPl··« H. HILQERS. Wlhnk DR H. MEYER-PLATH.ο«.··β.»εΐ (Xerox CorporationXerox SquareRochester, New York 14644USAΘΟΟΟ MÜNCHEN 22 MAXtMUANSrnwSSE S8P 18 8928. August 1984Magneto-optisches SpeichermediumPatentansprüche1. Magneto-optisches Speichermedium, dadurch gekennzeichnet , daß das Medium erste und zweite Schichten (20, 22) aus magnetischem Material umfaßt, wobei diese Schichten entgegengesetzt gerichtete magneto-optische Hysteresiskurven aufweisen.2. Magneto-optisches Speichermedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine (22) der Schichten aus magnetischem Material wesentlieh dicker als die andere (20) der Schichten aus magnetischem Material ist.3. Magneto-optisches Speichermedium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die eine(22) der Schichten wenigstens doppelt so dick wie die andere (20) dieser Schichten ist.4. Magneto-optisches Speichermedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Schichten Übergangsmetalle der seltenen Erden sind.5. Magneto-optisches Speichermedium nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß eine der Schichten einen Anteil an Übergangsmetall aufweist, der kleiner als der für die ausgeglichene Zusammensetzung ist, und daß die andere der Schichten einen Anteil an Übergangsmetall aufweist, der größer als der der ausgeglichenen Zusammensetzung ist.6. Magneto-optisches Speichermedium nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß eine (20) der Schichten einen Anteil an Übergangsmetall aufweist, der kleiner als der für eine ausgeglichene Zusammensetzung ist, damit diese Schicht (20) eine positiv gerichtete magneto-optische Hysteresiskurve aufweist, und daß die andere (22) der Schichten einen Anteil an Übergangsmetall aufweist, der größer als der der ausgeglichenen Zusammensetzung ist, damit diese Schicht (22) eine negativ gerichtete magneto-optische Hysteresiskurve aufweist.7. Magneto-optisches Speichermedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Schichten (20, 22) einander benachbart sind.8. Magneto-optisches Speichermedium nach Anspruch 4, dadurch gekenn ze ichnet , daß die Schichten aus magnetischem Material aus der binäre Legierungen und ternäre Legierungen umfassenden Gruppe ausgewählt sind.9. Magneto-optisches Speichermedium,dadurch gekennzeichnet, daß es erste und zweite Schichten aus magnetischem Material aufweist, die entgegengesetzt gerichtete magneto-optische Hysteresiskurven aufweisen, daß eine Hauptoberfläche einer der Schichten einem Material mit einem großen Brechungsindex benachbart ist, wodurch ein durch die Schichten hindurchgehender Lichtstrahl von dem Material mit großem Brechungsindex so reflektiert wird, daß der Lichtstrahl erneut diese Schichten durchquert.10. Speichermedium nach Anspruch 9,dadurch gekennzeichnet , daß das Material mit dem großen Brechungsindex ein Trägersubstrat ist.11. Speichermedium nach Anspruch 9,dadurch gekennzeichnet , daß das Material mit dem großen Brechungsindex eine Schicht aus einem Material mit großem Brechungsindex ist, welche von einem Substrat getragen ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US52092383A | 1983-08-08 | 1983-08-08 | |
US06/520,922 US4556291A (en) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | Magneto-optic storage media |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3429258A1 true DE3429258A1 (de) | 1985-02-28 |
Family
ID=27060311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843429258 Ceased DE3429258A1 (de) | 1983-08-08 | 1984-08-08 | Magneto-optisches speichermedium |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3429258A1 (de) |
FR (1) | FR2550647B1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3619618A1 (de) | 1985-06-11 | 1986-12-11 | Nippon Kogaku K.K., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches aufzeichnungsverfahren mit ueberschreibmoeglichkeit, magnetooptische aufzeichnungsvorrichtung und dazugehoeriger aufzeichnungstraeger |
DE3817708A1 (de) * | 1987-05-25 | 1988-12-08 | Toshiba Kawasaki Kk | Magnetoptisches informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung |
US5002345A (en) * | 1986-03-06 | 1991-03-26 | Alfred Teves Gmbh | Hydraulic brake system for automotive vehicles |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0670858B2 (ja) * | 1983-05-25 | 1994-09-07 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体とその製法 |
JPH07105082B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
US6251492B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-06-26 | Teijin Limited | Optical recording medium |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3203915A1 (de) * | 1981-02-06 | 1982-11-18 | Sharp K.K., Osaka | Schreib/lesekopf fuer ein magnetooptisches aufzeichnungs- und wiedergabesystem |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1547812A (fr) * | 1966-11-14 | 1968-11-29 | Ampex | Système de lecture magnéto-optique à modulation |
FR1524309A (fr) * | 1967-03-29 | 1968-05-10 | Centre Nat Rech Scient | Mémoires d'informations binaires à structures magnétiques en couches minces |
US4202022A (en) * | 1975-10-20 | 1980-05-06 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Magnetic transfer record film and apparatus for magneto-optically reading magnetic record patterns using the same |
-
1984
- 1984-08-08 FR FR8412529A patent/FR2550647B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1984-08-08 DE DE19843429258 patent/DE3429258A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3203915A1 (de) * | 1981-02-06 | 1982-11-18 | Sharp K.K., Osaka | Schreib/lesekopf fuer ein magnetooptisches aufzeichnungs- und wiedergabesystem |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
GERTHSEN, Chr., KNESER, H.O.: Physik, 10. Aufl., Springer Verlag, Berlin-Heidelberg-New York 1969, S. 356 * |
IEEE Transaction on Magnetics, Vol. MAG-17, Nr. 6,Nov. 1981, S. 2840 bis 2842 * |
J. Appl. Phys 53 (3), März 1982, S. 2356 bis 2358 * |
JP-Z.: Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 20, Nr. 11, Nov. 1981, S. 2089-2095 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3619618A1 (de) | 1985-06-11 | 1986-12-11 | Nippon Kogaku K.K., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches aufzeichnungsverfahren mit ueberschreibmoeglichkeit, magnetooptische aufzeichnungsvorrichtung und dazugehoeriger aufzeichnungstraeger |
US5002345A (en) * | 1986-03-06 | 1991-03-26 | Alfred Teves Gmbh | Hydraulic brake system for automotive vehicles |
DE3817708A1 (de) * | 1987-05-25 | 1988-12-08 | Toshiba Kawasaki Kk | Magnetoptisches informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2550647B1 (fr) | 1990-10-12 |
FR2550647A1 (fr) | 1985-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102004025085B4 (de) | Weichmagnetische Beschichtung für eine quermagnetische Aufzeichnungsplatte | |
DE3382791T2 (de) | Magneto-optischer Speicher. | |
DE69502865T2 (de) | Magnetfeldsensor Film | |
DE3783833T2 (de) | Methode zum thermomagnetischen aufzeichnen durch anlegung eines leistungsmodulierten lasers an eine magnetisch gekoppelte doppelschicht-struktur mit quermagnetischem anisotropischem film. | |
DE3534571C2 (de) | ||
DE3623285C2 (de) | ||
DE2911992C2 (de) | Magnetooptisches Speicherelement, Verfahren zu seiner Herstellung und es verwendende Speichervorrichtung | |
DE69836571T2 (de) | Magnetooptisches Speichermedium und dazugehöriges Wiedergabeverfahren | |
DE69526532T2 (de) | Magneto-optischer Aufzeichnungsträger und verwendete Informationswiedergabemethode | |
DE69003951T2 (de) | Herstellung von vielschichtfilmen durch sputtern. | |
DE3608021A1 (de) | Magneto-optisches aufzeichnungsmaterial | |
DE3426646A1 (de) | Magneto-optisches speichermedium | |
DE69119850T2 (de) | Überschreibbares magnetooptisches Aufzeichnungsmedium das einen grösseren Bereich von Strahlungsstärke auf hohem Niveau zulässt | |
DE69934455T2 (de) | Magnetooptisches Speichermedium | |
DE3639397C2 (de) | ||
DE3443049C2 (de) | ||
DE68925371T2 (de) | Magneto-optischer Aufzeichnungsträger mit einer Schicht hoher Koerzitivkraft und einer Schicht niedriger Koerzitivkraft, welche leichte seltene Erden enthält | |
DE3429258A1 (de) | Magneto-optisches speichermedium | |
DE69424217T2 (de) | Mehrkomponentige magnetooptische Speicher und Medien | |
DE1957755A1 (de) | Film zur magnetischen Datenaufzeichnung | |
DE69125919T2 (de) | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium | |
DE69314581T2 (de) | Film für magnetische Senkrechtaufzeichnung, mehrschichtiger Film geeignet für die Konversion zum Film für magnetische Senkrechtaufzeichnung, und Verfahren zur Herstellung vom Film für magnetische Senkrechtaufzeichnung aus diesem mehrsichtigen Film. | |
DE3903484A1 (de) | Magnetooptischer duennschichtfilm | |
DE3782460T2 (de) | Duenner film mit grossem kerr-rotationswinkel und verfahren zu seiner herstellung. | |
DE1524786A1 (de) | Magnetische Speicheranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |