DE3817708A1 - Magnetoptisches informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein magnetoptisches Informations­ speichermedium, z.B. eine magnetoptische Platte, die beim Bestrahlen mit Licht, z.B. einem Laserstrahl, an der be­ lichteten bzw. bestrahlten Stelle der Aufzeichnungsschicht unter Aufzeichnung/Löschung von Information eine magneti­ sche Umkehr erfährt, sowie ein Verfahren zu seiner Her­ stellung.

Magnetoptische Platten gewinnen zunehmend an Bedeutung als löschfähige, eine große Speicherkapazität aufweisende In­ formationsspeichermedien. Zur Bildung einer Aufzeichnungs­ schicht solcher magnetoptischer Platten werden oftmals Seltenerde/Übergangsmetall-Legierungen verwendet. Die Achse leichter Magnetisierbarkeit erstreckt sich in eine Richtung senkrecht zur Oberfläche der Aufzeichnungsschicht. Bei Be­ strahlung der Aufzeichnungsschicht mit Licht, z.B. einem Laserstrahl, wird die Koerzitivkraft der belichteten bzw. bestrahlten Stelle unter die Stärke des äußeren Magnetfelds gesenkt, worauf durch das äußere Magnetfeld eine magneti­ sche Domäne gebildet wird. Auf diese Weise erfolgt eine Informationsaufzeichnung. Wenn die aufgezeichnete Informa­ tion wiedergegeben werden soll, wird die Aufzeichnungs­ schicht mit einem Laserstrahl und dergleichen belichtet bzw. bestrahlt, wobei sie lokal eine magnetische Umkehr erfährt. Der Kerr-Effekt des durch die Oberfläche der Aufzeichnungs­ schicht reflektierten Lichts wird dann gemessen. Wenn eine Information gelöscht werden soll, wird die Domäne erneut magnetisch umgekehrt.

Aus "Digital magneto-optic disk drive" von T. Deguchi und Mitarbeitern in "Appl. Optics", 23, 3972 (1984) ist eine magnetoptische Platte mit einer GdTbFe-Aufzeichnungsschicht desselben Aufzeichnungs- und Wiedergabemechanismus, wie ihn auch die zuvor beschriebene Platte aufweist, bekannt.

Beispiele für Seltenerde/Übergangsmetall-Legierungen zur Verwendung in solchen Aufzeichnungsschichten sind Curie­ punkt-Aufzeichnungssmaterialien und Kompensationspunkt- Aufzeichnungsmaterialien.

Curiepunkt-Aufzeichnungsmaterialien sind Substanzen mit einer Curie-Temperatur von etwa 100-250°C. Wenn die mit dem Laserstrahl bestrahlte Stelle auf eine Temperatur nahe der Curie-Temperatur erwärmt wird, erfolgt eine Informations­ aufzeichnung. Beispiele für solche Curiepunkt-Aufzeichnungs­ materialien sind Tb-Fe-Legierungen, Tb-Fe-Co-Legierungen und ähnliche Fe-haltige Legierungen.

Kompensationspunkt-Aufzeichnungsmaterialien sind Substanzen einer Curie-Temperatur von 500°C oder mehr und einer von Raumtemperatur bis etwa 200°C reichenden Kompensations­ temperatur, bei der die Koerzitivkraft verläuft. Wenn die mit dem Laserstrahl bestrahlte Stelle auf eine Temperatur bei der die Koerzitivkraft mit steigender Temperatur abrupt sinkt, erwärmt wird erfolgt in einem Bereich unmittelbar oberhalb der Kompensationstemperatur eine Informationsaufzeichnung. Beispiele für solche Kompensationspunkt-Aufzeichnungsma­ terialien sind Tb-Co-Legierungen, Gd-Co-Legierungen und dergleichen.

Von den beiden genannten Substanzarten werden die Kompensa­ tionspunkt-Aufzeichnungsmaterialien im Vergleich zu den sonstigen Seltenerde/Übergangsmetall-Legierungen wegen üblicherweise fehlenden Fe-Gehalts nicht ohne weiteres oxi­ diert.

Eine Aufzeichnungsschicht der beschriebenen Art erhält man durch Zerstäubung, Bedampfung und Ionenstrahlzerstäubung. Von diesen Methoden bedient man sich oft der Zerstäubung, da sie eine relativ leichte Steuerung der Zusammensetzung und Filmablagerungsgeschwindigkeit ermöglicht. Als Substrat für die Platte werden Harzmaterialien, z.B. Polycarbonat (PC), Polymethylmethacrylat (PMMA) und ähnliche Materialien ver­ wendet, da sie sich besonders gut zur Massenproduktion eig­ nen. Diese Materialien werden leicht aufge­ schmolzen. Folglich bedient man sich manchmal einer Magnetronzerstäubung, da sie im Vergleich zu anderen Zer­ stäubungsverfahren bei Harzsubstraten nur eine relativ ge­ ringe Substrattemperaturerhöhung herbeiführt. Andererseits kann man auch andere vorhandene Vorrichtungen hinsichtlich der Substratkühlung verbessern.

Bei der Herstellung von Aufzeichnungsschichten durch Zer­ stäubung werden auf eine plattenförmige Unterlage mehrere Plattensubstrate gelegt. Danach wird unter der platten­ förmigen Unterlage befindlichen Targets zur Zerstäubung eine gegebene Energie zugeführt. Hierbei bilden sich auf der Oberfläche der Substrate gegenüber den Targets Auf­ zeichnungsschichten einer gegebenen Zusammensetzung.

Die magnetischen Eigenschaften der eine Aufzeichnungs­ schicht bildenden genannten Materialien hängt hauptsächlich von der Zusammensetzung der betreffenden Materialien ab. Insbesondere da die Kompensationstemperatur je nach der Legierungszusammensetzung stark schwankt, ist auch die Informationsaufzeichnungstemperatur des Kompensationspunkt- Aufzeichnungsmaterials in Abhängigkeit von der Änderung der Zusammensetzung sehr verschieden.

Seit kurzem wird bei der Herstellung einer Aufzeichnungs­ schicht zur Verminderung der Anzahl der Targets auf eines ein Seltenerde/Übergangsmetall-Legierungstarget oder ein durch Belegen einer Übergangsmetallplatte mit Seltenerde­ metallchips erhaltenes komplexes Target verwendet. Gleich­ zeitig wird auf der Substratplatte oder dem Target ein drehbarer Antriebsmechanismus vorgesehen, um eine Änderung in der Zusammensetzung in der Platte oder zwischen Platten zu unterdrücken. Mit dieser Gegenmaßnahme läßt sich selbst bei der Herstellung großer magnetoptischer Platten mit einem Durchmesser von 130 mm eine makroskopische Änderung in der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht innerhalb der Platte oder zwischen Platten auf 0,5 Atom-% oder weniger senken.

Wenn jedoch unter Verwendung eines komplexen Targets eine Magnetronzerstäubung durchgeführt wird, verläuft die Erosion des Targets infolge der Magnetfeldverteilung auf dem Target manchmal ungleichmäßig. Zur Gewährleistung einer gleichmäßigen Filmzusammensetzung guter Reproduzier­ barkeit und hoher Stabilität über lange Zeit hinweg muß die Anordnung der Seltenerdechips in der durch eine komplexe Operation erforderlichen Weise eingestellt werden. Wenn ein Legierungstarget verwendet wird, kommt es trotz Gewährleistung einer stabilen Filmzusammensetzung über lange Zeit hinweg während des Herstellungsverfahrens zu einer Dotierung mit Fremdatomen, wie C, O, N, Al und Ca. Folglich muß die Zusammensetzung vorher eingestellt werden, wobei eine unterschiedliche Zusammensetzung von dem tatsächlich bei der Zerstäubung erhaltenen Film zu berücksichtigen ist.

Aus diesem Grund bedient man sich einer Filmablagerungsvor­ richtung, mit deren Hilfe sich die Gleichmäßigkeit der Plattenzusammensetzung weiter verbessern läßt und bei der die beschriebene Einstellung der Targetzusammensetzung nicht erforderlich ist. Hierbei handelt es sich um eine Vier­ elementzerstäubungsvorrichtung. Bei einer solchen Vier­ elementzerstäubungsvorrichtung ist ein Drehungs/Gegendreh- Handhabungsmechanismus (rotation/revolution-type handling mechanism) vorgesehen. Dieser dreht die plattenförmige Unter­ lage, auf der die Platte liegt. Gleichzeitig wird während des Zerstäubungsvorgangs das plattenförmige Substrat im Gegensinn gedreht. Da bei dieser Vorrichtung jedes plattenförmige Substrat das Target gleichförmig passiert, läßt sich selbst dann, wenn kein komplexes Target oder Legierungstarget verwendet wird, eine makroskopische Änderung in der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht innerhalb einer Platte und zwischen Platten durch gemeinsame Doppelelementzerstäubung auf 0,3 Atom-% oder weniger senken.

Obwohl sich mit Hilfe der beschriebenen Vorrichtung eine Änderung in der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht auf einen Wert innerhalb des angegebenen Bereichs senken läßt, hat es sich gezeigt, daß zwischen Platten, auf denen gleichzeitig Aufzeichnungsschichten erzeugt wurden, eine Änderung der Koerzitivkraft auftritt. Insbesondere bei Ver­ wendung einer Aufzeichnungsschicht aus einem Kompensations­ punkt-Aufzeichnungsmaterial wird die Änderung in den Eigen­ schaften, z.B. der Aufzeichnungslaserstärke, zwischen (verschiedenen) Platten groß, was einer Plattenmassen­ produktion entgegensteht. Dieses Phänomen ist besonders deutlich, wenn die Aufzeichnungsschicht 100 nm (1000 Å) oder weniger dick ist.

Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein magnetoptisches Informationsspeichermedium mit nur geringer Änderung in der Koerzitivkraft bei einer Änderung der Herstellungsbedingungen sowie ein Verfahren zur Herstellung von magnetoptischen Speichermedien, bei dem Änderungen der Koerzitivkraft zwi­ schen mehreren Produkten, auf denen gleichzeitig Auf­ zeichnungsschichten hergestellt wurden, gering sind, anzu­ geben.

Ein magnetoptisches Informationsspeichermedium gemäß der Erfindung enthält eine erste Schicht mit einem Seltenerde­ element und eine zweite Schicht zur magnetoptischen Auf­ zeichnung, die der ersten Schicht benachbart ist und das zur magnetischen Wechselwirkung zwischen erster und zweiter Schicht beitragende Seltenerdeelement aufweist.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines magnetoptischen Informationsspeichermediums werden eine ein Seltenerdeelement enthaltende erste Schicht und konti­ nuierlich auf der ersten Schicht eine zweite Schicht aus einer das Seltenerdeelement enthaltenden metallischen Le­ gierung hergestellt, um auf diese Weise eine auf das Seltenerdeelement zurückzuführende magnetische Wechsel­ wirkung zwischen erster und zweiter Schicht zu gewähr­ leisten.

Da eine erste Schicht mit derselben Art Seltenerdeelement, wie sie auch eine zweite Schicht, z.B. eine Aufzeichnungs­ schicht, enthält, unter der zweiten Schicht vorgesehen ist und die erste Schicht aufgrund des Beitrags des Seltenerde­ elements magnetisch an die zweite Schicht gekoppelt ist, kann die erste Schicht als ein Teil der zweiten Schicht dienen. Eine Änderung in der Koerzitivkraft zwischen Platten beruht auf einer Änderung in der Zusammensetzung desjenigen Teils einer Aufzeichnungsschicht jeder Platte, die einige Angström vom Substrat entfernt sind, und zwar auch dann, wenn die makroskopischen Zusammensetzungen der Aufzeichnungsschichten der Platten dieselben sind. Da die erste Schicht aus einem Seltenerdeelement besteht, um eine gleichmäßige Zusammensetzung zu gewährleisten, läßt sich folglich eine Änderung in der Koerzitivkraft zwischen Platten auf ein Minimum senken.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:

Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen magnetoptischen Platte;

Fig. 2A einen Längsschnitt durch eine schematisch darge­ stellte Zerstäubungsvorrichtung zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Ausführungsform einer magnetoptischen Platte;

Fig. 2B einen Querschnitt durch die in Fig. 2A dargestellte Vorrichtung;

Fig. 3 eine Bodenansicht einer in der Vorrichtung gemäß Fig. 2A und 2B verwendeten Platte;

Fig. 4 eine schematische Anordnung eines optischen Systems zur Aufzeichnung, Wiedergabe und Löschung von In­ formation auf der erfindungsgemäßen Ausführungs­ form einer magnetoptischen Platte;

Fig. 5 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht bei Raumtemperatur und der Plattenlage zu Beginn der Ablagerung der Aufzeichnungsschicht ohne darunter­ liegende Schicht bei Herstellung der Aufzeichnungs­ schicht durch gleichzeitige Doppelelementzerstäu­ bung;

Fig. 6 die Lagebeziehung zwischen den Targets und den ent­ sprechenden Platten zu Beginn der Ablagerung der Aufzeichnungsschicht;

Fig. 7 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht und der Koerzitivkraft bei Raumtemperatur;

Fig. 8 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht bei Raumtemperatur und der Plattenlage zu Beginn der Ablagerung der Aufzeichnungsschicht ohne darunter­ liegende Schicht und bei Herstellung der Auf­ zeichnungsschicht unter Verwendung eines Legierungs­ targets und

Fig. 9 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht bei Raumtemperatur und der Plattenlage zu Beginn der Ablagerung der Aufzeichnungsschicht bei Herstellung der Aufzeichnungsschicht durch Doppelelement-Cozer­ stäubung nach Bildung der unten liegenden Selten­ erdeschicht.

Bei einschlägigen Untersuchungen bezüglich der eine Änderung in der Koerzitivkraft bestimmenden Faktoren hat es sich ge­ zeigt, daß die Änderung in der Koerzitivkraft auf einer mikroskopischen Änderung in der Zusammensetzung der Auf­ zeichnungsschicht beruht und in hohem Maße durch den Anteil an dem Seltenerdemetallelement in dem einige Zehntel nm dicken Teil der Aufzeichnungsschicht, der bei der Filmablagerung als erstes gebildet wird, beeinflußt wird. Dies bedeutet, daß selbst im Falle, daß die durchschnittlichen Zusammen­ setzungen der Aufzeichnungsschichten dieselben sind, die Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht in hohem Maße von der Zusammensetzung der zunächst gebildeten einige Zehntel (einige Angström) dicken Teile abhängt. Wenn der Seltenerdeelementgehalt in diesem Teil gering ist, dürfte die gesamte Schicht die der an Übergangsmetall reichen Zusammensetzung eigenen magneti­ schen Eigenschaften zeigen. Wenn der Seltenerdeelementge­ halt dagegen groß ist, dürfte die Gesamtschicht die der an dem Seltenerdeelement reichen Zusammensetzung eigenen magne­ tischen Eigenschaften aufweisen. Dieses Phänomen tritt auf, wenn die Dicke der Aufzeichnungsschicht weniger als 100 nm (1000 Å) ist. Je geringer die Dicke ist, desto deutlicher ausgeprägt ist diese Erscheinung. Auf dieser Erkenntnis be­ ruht nun die Erfindung.

Wenn der Substratseite der Aufzeichnungsschicht benachbart eine untenliegende Schicht aus derselben Art Seltenerde­ metall wie sie auch die Aufzeichnungsschicht enthält, ge­ bildet und dabei an die Aufzeichnungsschicht magnetisch gekoppelt wird, kann die untenliegende Schicht als zunächst entstandener Teil der Aufzeichnungsschicht, d.h. als substrat­ nächster Teil dienen. Da dieser Teil aus einem Seltenerde­ metall besteht und eine konstante Zusammensetzung aufweist, läßt sich selbst bei nur geringer Dicke der Aufzeichnungs­ schicht eine Änderung in der Koerzitivkraft zwischen (ver­ schiedenen) Platten vermindern.

Ein magnetoptisches Informationsspeichermedium, d.h. eine magnetoptische Platte, gemäß der Erfindung besitzt in be­ sonders vorteilhafter Ausführungsform den in Fig. 1 darge­ stellten Aufbau.

Ein Substrat 1 besteht aus einem durchsichtigen Material geringer Abbauneigung über die Zeit hinweg, beispielsweise aus Glas oder einem Kunstharz, wie Polymethylmethacrylat (PMMA) oder Polycarbonat. Auf das Substrat 1 sind in der angegebenen Reihenfolge eine Schutzschicht 2, eine unten­ liegende Schicht 3, eine Aufzeichnungsschicht 4, eine Schutzschicht 5 und eine Reflexionsschicht 6 aufgetragen. Die Schutzschichten 2 und 5 bestehen jeweils aus einem dielektrischen Material, wie SiN _x und dienen zum Schutz der Aufzeichnungsschicht 4 gegen Oxidation. Die Schicht 4 besteht aus einer Seltenerde/Übergangsmetall-Legierung, z.B. einer Tb-Fe-Legierung oder einer Tb-Co-Legierung. Bei Bestrahlung mit einem Lichtstrahl, z.B. einem Laserstrahl, sinkt die Koerzitivkraft des bestrahlten Teils der Schicht 4, wobei durch ein äußeres Magnetfeld eine magnetische Umkehr er­ folgt. Auf diese Weise läßt sich Information aufzeichnen/ löschen. Die Schicht 4 besitzt eine Stärke von zweckmäßiger­ weise 100 nm (1000 Å) oder weniger, insbesondere von 10-50 nm (100-500 Å). Die Schicht 3 besteht aus einem Seltenerdemetall, beispielsweise Tb, bei dem es sich um dasselbe handelt, wie es auch in der Aufzeichnungsschicht 4 enthalten ist. Die Schicht 3 wird vor Bildung der Schicht 4 auf der Schicht 2 erzeugt. Da die Schichten 3 und 4 auf­ grund der Austauschwechselwirkung und des Beitrags des Seltenerdeelements magnetisch aneinander gekoppelt sein müssen, wird, wie dies noch eingehender beschrieben wird, unmittelbar nach Bildung der Schicht 3 die Schicht 4 ge­ bildet. Um eine später noch beschriebene Wirkung zu erzie­ len, sollte die Schicht 3 vorzugsweise eine Dicke von 0,2-30 nm (2-300 Å) und im Durchschnitt von etwa 1 nm (10 Å) aufweisen. Die Reflexionsschicht 6 besteht aus einem Material hohen Reflexionsvermögens, beispielsweise Ti. Sie dient dazu, den Kerr-Drehwinkel des reflektierten Lichts zu vergrößern.

Obwohl vorzugsweise die Schutzschichten 2 und 5 sowie die Reflexionsschicht 6 vorgesehen werden, können sie auch weggelassen werden. Die Reflexionsschicht kann auch direkt auf der Aufzeichnungsschicht 3 ohne Schutzschichten 2 und 5 gebildet werden.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 2A und 2B sowie 3 wird im folgenden ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungs­ gemäßen Ausführungsform eines magnetoptischen Informations­ speichermediums, d.h. einer magnetoptischen Platte, näher erläutert.

Die Fig. 2A zeigt im Längsschnitt die Ausgestaltung einer zur Herstellung einer erfindungsgemäßen magnetoptischen Platte verwendeten Vierelementzerstäubungsvorrichtung. Die Fig. 2B zeigt die in Fig. 2A dargestellte Vorrichtung im Querschnitt. Gemäß Fig. 2A und 2B besitzt eine Zer­ stäubungskammer 10 zylindrische Form mit domartigem Ober­ teil. Auf der Seitenwand der Kammer 10 sind ein Gaseinlaß 11 und ein Gasauslaß 12 vorgesehen. Der Gasauslaß 12 ist an ein nicht dargestelltes Evakuiersystem angeschlossen. Mit diesem Evakuiersystem wird das Innere der Kammer 10 über den Gasauslaß 12 evakuiert. Der Gaseinlaß 11 ist an ein nicht dargestelltes Zufuhrsystem für gasförmiges Argon an­ geschlossen. Von dem Gaszufuhrsystem wird durch den Gas­ einlaß 11 der Kammer 10 gasförmiges Argon zugeführt. Im Inneren der Kammer 10 ist in deren oberem Abschnitt eine scheibenförmige drehbare Platte 21 horizontal angeordnet. Die Platte 21 ist über eine Welle 20 an ein nicht darge­ stelltes Drehsystem gekoppelt und wird mit Hilfe des Dreh­ systems in Pfeilrichtung A gedreht. Auf der Oberseite der Platte 21 sind, wie aus Fig. 3 hervorgeht, sechs Halter 22 vorgesehen. Sie werden mit Hilfe eines nicht darge­ stellten Drehmechanismus in Pfeilrichtung B gedreht. Auf der Unterseite jeden Halters 22 ist ein scheibenförmiges Substrat 1 vorgesehen.

Nahe dem Boden der Kammer 10 und der Platte 21 gegenüber­ liegend sind Seltenerdemetall-, dielektrische, Übergangs­ metall- und Ti-Targets 23, 24, 25 und 26 vorgesehen. Die Targets 23, 24, 25 und 26 sind an entsprechende Hochfre­ quenzquellen 27, 28, 29 und 30 angeschlossen.

Wird mit Hilfe der Vorrichtung der beschriebenen Anordnung eine magnetoptische Platte hergestellt, wird das Innere der Zerstäubungskammer 10 mit Hilfe des Evakuiersystems auf einen Druck von beispielsweise 133×10^1-6 Pa (10^-6Torr) evakuiert. Danach wird unter Zufuhr von gasförmigem Argon mit gegebener Strömungsgeschwindigkeit zur Kammer 10 über den Gaseinlaß 11 die Evakuiergeschwindigkeit des Evakuier­ systems derart eingestellt, daß das Innere der Kammer 10 unter einem vorher bestimmten Druck an Argongasatmosphäre gehalten wird. In diesem Zustand werden die Platte 21 und die Halter 22 in die durch die Pfeile A und B dargestellten Richtungen gedreht, um die Substrate 1 zu drehen und in gegenläufige Kreisbewegung zu versetzen. Gleichzeitig wird zur Zerstäubung an das Target 24 mittels der Energiequelle 28 hochfrequente Energie angelegt, wobei auf der Unterseite jeden Substrats 1 eine dielektrische Schutzschicht 2 ge­ bildet wird. Nach dem Abschalten der Energiequelle 28 wird zur Zerstäubung mittels der Energiequelle 27 an das Target 23 eine gegebene hochfrequente Energie angelegt, wobei auf der Unterseite der Schutzschicht 2 eine unteniiegende Seitenerdemetall­ schicht 3 gebildet wird. Mittels der Energiequelle 29 wird dann zur Zerstäubung eine gegebene hochfrequente Energie an das Target 25, zusätzlich zu Target 23, angelegt, wobei auf der Unterseite der Schicht 3 kontinuierlich eine Auf­ zeichnungsschicht 4 gebildet wird. Die Platte 21 und die Halter 22 werden während der Bildung beider Schichten 3 und 4 in Drehbewegung gehalten. Wenn auf diese Weise die Aufzeichnungsschicht 4 gebildet ist, sind die Schichten 3 und 4 aneinander aufgrund einer Austauschwechselwirkung magnetisch gekoppelt, wobei die Schicht 3 als Teil der Schicht 4 wirkt. Da bei der Herstellung der Schicht 4 die scheibenförmigen Substrate 1 gedreht und in gegenläufige Kreisbewegung versetzt werden, laufen die entsprechenden Positionen der sechs scheibenförmigen Substrate gleichmäßig über die Targets 23 und 25 hinweg. Folglich ist eine makro­ skopische Änderung der Zusammensetzung der Aufzeichnungs­ schicht innerhalb einer Platte und zwischen verschiedenen Platten sehr gering.

Da in diesem Falle - wie beschrieben - die untenliegende Schicht 3 als Teil der Aufzeichnungsschicht 4 dienen kann, kann ein dem Substrat am nächsten liegender Teil der Schicht 4 als lediglich aus einem Seltenerdeelement gebildet ange­ sehen werden. Die Zusammensetzung dieses Teils ist also konstant, so daß selbst bei geringer Dicke der Aufzeich­ nungsschicht eine Änderung in der Koerzitivkraft zwischen verschiedenen Platten auf ein Minimum begrenzt werden kann.

Nach Bildung der Aufzeichnungsschicht 4 werden die Energie­ quellen 27 und 29 abgeschaltet und die Energiequelle 28 erneut angeschaltet, um eine Zerstäubung durchzuführen. Hierbei entsteht auf der Unterseite der Aufzeichnungs­ schicht 4 eine Schutzschicht 5. Danach wird mittels einer Energiequelle 30 zur Bildung einer Reflexionsschicht 6 auf der Unterseite der Schicht 5 an das Target 26 eine vorgegebene Energie angelegt. Letztlich erhält man also eine magnetoptische Platte.

Wird bei einer derartigen magnetoptischen Platte die Aufzeichnungs­ schicht 4 mit einem Lichtstrahl belichtet und danach der mit dem Lichtstrahl belichtete Bereich auf eine Temperatur nahe der Curie-Temperatur oder der Kompensationstemperatur erwärmt, sinkt die Koerzitivkraft dieses Bereichs unter die Intensität des äußeren Magnetfelds, wobei dieser Be­ reich unter Informationsaufzeichnung durch das äußere Magnetfeld magnetisch invertiert wird. Soll die Information gelöscht werden, wird der die Informationsaufzeichnung tragende Bereich erneut mit einem Lichtstrahl belichtet und danach mit einem Magnetfeld in einer Richtung entgegenge­ setzt zu derjenigen für die Aufzeichnung ausgesetzt, wobei (wiederum) eine magnetische Inversion stattfindet. Soll die Information wiedergegeben werden, wird die Aufzeichnungs­ schicht mit einem Lichtstrahl relativ geringer Energie be­ lichtet, wobei der magnetoptische Effekt, d.h. der Kerr- Effekt des durch die Aufzeichnungsschicht reflektierten Lichts, "gelesen" wird.

Anhand von Fig. 4 wird ein Beispiel eines zur Aufzeichnung, Wiedergabe und zur Löschung von Information auf bzw. von der erfindungsgemäßen magnetoptischen Platte näher erläutert. Ein Halbleiterlaser 41 dient als Lichtquelle und erzeugt einen divergenten Laserstrahl L. Der Laser 41 erzeugt Laserstrahlen L mit entsprechend einer Aufzeichnung, Wie­ dergabe oder Löschung von Information unterschiedlichen Zuständen. Zur Aufzeichnung wird die Lichtintensität des Strahls L entsprechend der aufzuzeichnenden Information moduliert. Zur Wiedergabe und Löschung wird ein Laserstrahl L gegebener Intensität erzeugt. Der durch den Halbleiterlaser 41 erzeugte divergierende Laserstrahl L wird mit Hilfe einer Collimatorlinse 42 in parallele Lichtstrahlen umgewandelt und einem Halbprisma 43 zugeleitet. Danach läuft der Strahl L linear in einer polarisierenden Strahlaufspaltvorrichtung 44 und wird einem Objektiv 45 zugeleitet. Schließlich durch­ läuft er ein Substrat 61 einer magnetoptischen Platte 60 und wird auf einem Teil der Aufzeichnungsschicht 62 ge­ bündelt. Wenn es sich bei dem Laserstrahl L um einen Auf­ zeichnungsstrahl handelt, wird der von dem Laserstrahl be­ lichtete Bereich 63 auf eine Temperatur nahe der Curie- Temperatur oder der Kompensationstemperatur erwärmt. Dabei sinkt seine Koerzitivkraft. Der belichtete Bereich 63 wird unter Informationsaufzeichnung durch ein äußeres Magnet­ feldsystem 46 magnetisch umgekehrt. Wenn es sich bei dem Laserstrahl L um einen Wiedergabestrahl handelt, wird er in entsprechender Weise wie der Aufzeichnungsstrahl auf die Aufzeichnungsschicht 62 gerichtet. Der durch die Auf­ zeichnungsschicht 62 reflektierte Laserstrahl L wird durch das Objektiv 45 der polarisierenden Strahlaufspaltvorrich­ tung 44 zugeführt und durch diese reflektiert. Danach wird der Strahl L einem Halbspiegel 47 zugeleitet. Der zum Spiegel 47 geleitete Laserstrahl L wird durch eine Linse 48 teilweise gebündelt und einer Lichtnachweisvorrichtung 49 zugeführt. Durch die Lichtnachweisvorrichtung 49 tritt le­ diglich eine gegebene polarisierte Lichtkomponente des einfallenden Laserstrahls L hindurch. Danach wird das Licht einem Hauptsignalwiedergabesystem 50 zur Intensitätsbe­ stimmung zugeführt. In diesem Falle unterscheidet sich die Menge des durch die Nachweisvorrichtung 49 hindurchtreten­ den polarisierten Lichts entsprechend dem magnetoptischen Effekt der Aufzeichnungsschicht 62, d.h. des polaren Kerr- Drehwinkels. Die Lichtintensität wird entsprechend der Menge an polarisiertem Licht durch das Wiedergabesystem 50 dargestellt. Andererseits wird der durch den Halbspiegel 47 hindurchgetretene Restlaserstrahl L durch eine Linse 51 gebündelt und zum Nachweis seiner Intensität einem Hilfs­ signal-Nachweissystem 52 zugeleitet. Das Objektiv 45 be­ wegt sich entsprechend dem Intensitätssignal in Pfeilrich­ tungen C bzw. D (vgl. Fig. 4) und wird an geeigneter Stelle justiert.

Zur Informationslöschung erzeugt der Halbleiterlaser 41 einen Löschlaserstrahl. Der Löschlaserstrahl wird in ent­ sprechender Weise wie bei der Aufzeichnung durch die Linse 42, das Prisma 43, die Strahlaufspaltvorrichtung 44 und das Objektiv 45 auf einen Aufzeichnungsbereich 63 der Auf­ zeichnungsschicht 62 gerichtet. Wird durch ein äußeres Magnetfeldsystem 46 auf den bestrahlten Bereich 63 ein zur Aufzeichnung entgegengesetztes Magnetfeld angelegt, wird der Bereich 63 unter Informationslöschung erneut magnetisch umgekehrt.

Im folgenden wird der auf die untenliegende Schicht zurück­ zuführende Effekt anhand einer magnetoptischen Platte mit einer Tb-Co-Aufzeichnungsschicht näher erläutert.

Wird durch gemeinsame Zerstäubung von zwei Elementen mit Hilfe der in Fig. 2A und 2B dargestellten Vorrichtung eine Aufzeichnungsschicht hergestellt, erfolgt eine Änderung der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht in einer Rich­ tung senkrecht zu ihrer Oberfläche. Zusätzlich kommt es zu einer mikroskopischen Änderung in der Zusammensetzung.

Die Fig. 5 zeigt in graphischer Darstellung die Beziehung zwischen einer (bestimmten) Plattenlage und der Koerzitiv­ kraft einer durch gleichzeitige Zerstäubung unter Verwendung von Tb- und Co-Targets ohne Ausbildung einer untenliegenden Schicht hergestellten Tb-Co-Aufzeichnungsschicht einer Stärke von 25 nm (250 A) bei Raumtemperatur. Die Beziehung zwischen der Plattenkennung in Fig. 5 und der Lage der ent­ sprechenden Platte zu Beginn der Filmablagerung ergibt sich aus Fig. 6. Die graphische Darstellung von Fig. 5 zeigt, daß die Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht jeder Platte in hohem Maße von der Lage des Substrats zu Beginn der Filmablagerung abhängt. Die graphische Darstellung gibt einen Zustand wieder, bei dem die durchschnittliche Zu­ sammensetzung der Aufzeichnungsschicht auf Tb-reich ein­ gestellt ist und nicht einer Zusammensetzung bei der die Kompensationstemperatur bei Raumtemperatur liegt. Die Ergebnisse dieses Versuchs einer gemein­ samen Zerstäubung von zwei Elementen belegen, daß die hauptsächlichen Änderungen in der Koerzitivkraft zwischen (verschiedenen) Platten in einem Bereich von 6-12 kOe fallen.

Der Grund dafür, warum die Koerzitivkraft variiert, ergibt sich aus den Fig. 5 und 6. Die Fig. 6 zeigt die Beziehung zwischen einer Plattenlage und einer Targetposition zu Be­ ginn der Filmablagerung gemäß Fig. 5. In Fig. 6 bedeuten Tb ein Tb-Target, Co ein Co-Target und a bis f Platten. Die Pfeile B und A zeigen Drehrichtungen an. Aus Fig. 5 und 6 ergibt sich, daß Platten e und f, die sich vom Co-Target zum Tb-Target hinbewegen, in der Regel eine höhere Koerzitivkraft aufweisen als Platten b und c, die sich zu einem frühen Zeitpunkt der Filmablagerung vom Tb- Target zum Co-Target hinbewegen.

Die durchschnittliche Zusammensetzung und die Koerzitiv­ kraft einer Aufzeichnungsschicht stehen miteinander in gegebener Beziehung. Wenn die Dicke der Aufzeichnungs­ schicht 100 nm (1000 Å) beträgt, ergibt sich die Beziehung zwischen der durchschnittlichen Zusammensetzung und der Koerzitivkraft bei Raumtemperatur aus den durchgezeichneten Kurven in Fig. 7. Diese graphische Darstellung fällt im wesentlichen mit der aus der physikalischen Konstante einer Tb-Co-Legierung gewonnenen Grundkennlinie zusammen.

Soweit es die Tb-Co-Aufzeichungsschicht bei Raumtemperatur angeht, besitzt diese Schicht eine Kompensationstemperatur, bei der die Abweichung der Koerzitivkraft unendlich groß ist, wenn der Tb-Gehalt etwa 22 Atom-% beträgt (vgl. die durchgezogene Kurve der graphischen Darstellung). Bei dem geschilderten Versuch ist die durchschnittliche Zusanmen­ setzung der Aufzeichnungsschicht Tb-reicher eingestellt als bei einer Zusammensetzung, die eine Kompensations­ temperatur bei Raumtemperatur ergibt. Somit ist mit zu­ nehmender Anreicherung der durchschnittlichen Zusammen­ setzung an Co die Koerzitivkraft umso höher. In anderen Worten gesagt, besitzen entsprechend Fig. 5 die Platten e und f eine höhere Koerzitivkraft als die Platten b und c. Gemäß der durchgezogenen Kurve von Fig. 7 besitzen die Platten e und f Koerzitivkräfte entsprechend der relativ Co-reichen Zusammensetzung. Da zu Beginn der Filmablagerung sich die Platten b und c nahe dem Tb-Target befinden, werden die tatsächlichen Zusammensetzungen der anfänglichen Ab­ lagerungsbereiche ihrer Aufzeichnungsschichten relativ Tb- reich. Im Gegensatz dazu werden die anfänglichen Ablage­ rungsbereiche der Aufzeichnungsschichten der Platten e und f relativ Co-reich. Daraus ergibt sich, daß bei Aufzeichnungs­ schichten einer Dicke von nur 25 nm (250 A), wie dies im vorliegenden Falle zutrifft, die Koerzitivkraft der Schicht so­ wohl von der Zusammensetzung in ihrem anfänglichen Ablage­ rungsbereich als auch von der durchschnittlichen Zusammen­ setzung der Aufzeichnungsschicht abhängt.

Die Änderung der Koerzitivkraft wird im Zusammenhang mit Fig. 7 erläutert.

Wenn die Aufzeichnungsschicht dünn ist, wie dies im vor­ liegenden Falle zutrifft, verschiebt sich die die Beziehung zwischen der durchschnittlichen Zusammensetzung der Auf­ zeichnungsschicht und der Koerzitivkraft wiedergebende Kurve nach der rechten Seite der durchgezogenen Kurve, wie sich aus den gestrichelten Kurven X und X′ in Fig. 7 ergibt, und fluktuiert zwischen X und X′. Dies bedeutet, daß sich bei gleicher durchschnittlicher Zusammensetzung die Koerzitivkraft nach der Co-reichen Seite hin verschiebt. Wenn im anfänglichen Ablagerungsbereich der Tb-Gehalt relativ hoch ist, fällt die Koerzitivkraft mit der ge­ strichelten Kurve X zusammen. Wenn im anfänglichen Ablage­ rungsbereich der Co-Gehalt relativ groß ist, fällt die Koerzitivkraft mit der gestrichelten Kurve X′ zusammen. In jedem Falle besitzt aber eine dünne Aufzeichnungs­ schicht eine nach der Co-reichen Seite hin verschobene Koerzitivkraft.

Eine ähnliche Koerzitivkraftänderung tritt auch auf, wenn ein Legierungstarget geringer Zusammensetzungsänderung ver­ wendet wird. Die Fig. 8 zeigt in graphischer Darstellung die Beziehung zwischen der Lage jeden Substrats zu Beginn der Filmablagerung und der Koerzitivkraft der jeweils er­ haltenen Aufzeichnungsschicht bei Raumtemperatur, wenn unter Verwendung eines Tb₃₂Co₆₈-Legierungstargets in der in Fig. 2A und 2B dargestellten Vorrichtung eine Tb-Co- Legierungsaufzeichnungsschicht hergestellt wird. Wie aus Fig. 8 hervorgeht, sind die Dicken der Aufzeichnungs­ schicht auf 100, 50, 20, 15 bzw. 10 nm (1000, 500, 200, 150 bzw. 100 A) eingestellt. Zu Beginn der Filmablagerung befindet sich das Legierungstarget unmittelbar unter der Platte e. Bei dieser Anordnung ergeben sich folgende Fakten. Wenn die Filmdicke 20 nm (200 Å) oder mehr beträgt, kommt es praktisch zu keiner Änderung der Koerzitivkraft. Wenn im Gegensatz dazu die Filmdicke 15 nm (150 Å) beträgt, zeigt lediglich die zu Beginn der Ablagerung unmittelbar über dem Target befindliche Platte e einen abnormalen Wert für die Koerzitivkraft entsprechend derjenigen der Co-reichen Zusammensetzung nahe der Kompensationstemperatur. Wenn die Filmdicke 10 nm (100 Å) beträgt, kommt es - verglichen mit den anderen Platten - bei der Platte e zu einer Umkehr einer Hysteresisschleife. Die Platte e besitzt eine Koerzitivkraft entsprechend derjenigen der Co-reichen Zu­ sammensetzung und nicht derjenigen, deren Kompensations­ temperatur bei Raumtemperatur liegt. Bei Verwendung eines Legierungstargets hat es sich gezeigt, daß eine Anreiche­ rung des Übergangsmetallelements in Richtung auf eine Lage über dem Target hin erfolgt. Daraus ergibt sich, daß in diesem Falle auch die Koerzitivkraft der Aufzeichnungs­ schicht entsprechend der Zusammensetzung des zunächst ge­ bildeten Bereichs variiert.

Wie beschrieben, ist der eine Koerzitivkraftänderung be­ dingende Faktor eine Änderung in der Zusammensetzung des zunächst gebildeten, einige Zehntel nm (einige Angström) dicken Bereichs der Aufzeichnungsschicht. Wenn die Zusanmensetzung dieses Bereichs unabhängig von den Herstellungsbedingungen konstant gehalten werden kann, läßt sich die Koerzitivkraftänderung unterdrücken.

Um nun diesen Erfordernissen zu genügen, wird vor Bildung der Aufzeichnungsschicht eine aus einem Seltenerdeelement, bei dem es sich um das Element der Aufzeichnungsschicht handelt (im vorliegenden Fall Tb), bestehende untenliegende Schicht gebildet. Wenn die untenliegende Schicht aufgrund der Austauschwechselwirkung magnetisch an die Aufzeichnungs­ schicht gekoppelt wird, kann sie als zu Beginn der Auf­ zeichnungsschichtbildung abgelagerter Teil dienen. Da die­ ser Teil konstant eine gegebene Zusammensetzung aufweist, läßt sich eine Änderung der Koerzitivkraft zwischen (ver­ schiedenen) Platten minimieren. Es hat sich auch gezeigt, daß die Beziehung zwischen der durchschnittlichen Zusammen­ setzung und der Koerzitivkraft im wesentlichen mit der­ jenigen bei einer Filmdicke von 100 nm (1000 Å) zusammen­ fällt (vgl. die lange und kurze gestrichelte Kurve in Fig. 7). Darüber hinaus liegt sie sehr nahe an der theore­ tischen Basiskurve.

Die Erfindung läßt sich auf Aufzeichnungsschichten aus Seltenerde/Übergangsmetall-Legierungen anwenden. Sie ent­ faltet ihre Wirkung, wenn die Aufzeichnungsschicht aus einem Kompensationspunkt-Aufzeichnungsmaterial, wie Tb-Co- und Gd-Co-Legierungen, das eine von einer Änderung in der Zusammensetzung begleitete große Änderung in der Aufzeichnungstemperatur aufweist, besteht.

Das folgende Beispiel soll die Erfindung näher erläutern.

Mit Hilfe der in Fig. 2A und 2B dargestellten Vorrichtung werden durch Zerstäubung in einer verminderten Ar-Gas­ atmosphäre eine 140 nm (1400 A) dicke Siliziumnitrid­ schutzschicht, eine 1 nm (10 Å) dicke untenliegende Tb-Schicht, eine 25 nm (250 Å) dicke Tb-Co-Aufzeichnungs­ schicht, eine 100 nm (1000 Å) dicke Siliziumnitridschutz­ schicht und eine 50 nm (500 Å) dicke Ti-Reflexionsschicht in der angegebenen Reihenfolge auf ein PMMA-Substrat auf­ getragen, wobei eine magnetoptische Platte erhalten wird. Durch eine einzige Zerstäubung werden sechs Platten hergestellt. Jeweils dreimal werden deren Koerzitivkräfte bei Raum­ temperatur bestimmt. Die Ergebnisse sind in Fig. 9 graphisch dargestellt. Die Fig. 9 zeigt in graphischer Darstellung die sich im vorliegenden Beispiel ergebende Beziehung zwi­ schen der Plattenlage und der Koerzitivkraft der Auf­ zeichnungsschicht bei Raumtemperatur. Die Plattenlagen bzw. -kennungen in Fig. 9 entsprechen denjenigen der Fig. 6. Die drei Meßergebnisse sind durch A, B und C iden­ tifiziert. Die Koerzitivkraft der Kurve A beträgt 5,1 bis 5,8 kOe, diejenige der Kurve B 3,6 bis 4,1 kOe und die­ jenige der Kurve C 3,05 bis 3,45 kOe. Es hat sich gezeigt, daß bei sämtlichen Kurven A bis C die Änderung der Koerzitivkraft deutlich geringer ist als im üblichen Falle. Die erhaltenen Koerzitivkräfte passen zu den Zusammen­ setzungen von Fig. 7. Ihre Änderung ist als Änderung in der Zusammensetzung anzusehen. Bei der Platte mit einer untenliegenden Schicht, wie dies im vorliegenden Falle zutrifft, beträgt der Änderungsbereich der Zusammensetzung etwa 0,6 Atom-%. Verglichen damit besitzen übliche Platten einen Änderungsbereich von 1,5 bis etwa 2,0 Atom-%. Daraus ergibt sich deutlich die Wirkung der untenliegenden Schicht.

Wenn die untenliegende Schicht nur 0,2 nm (2 A) beträgt, erzielt man damit praktisch dieselbe Wirkung wie bei einer 1 nm (10 A) dicken untenliegenden Schicht. Die Koerzitiv­ kraft beträgt in diesem Falle bei Raumtemperatur 4,8 bis 5,9 kOe. Der Änderungsbereich der Zusammensetzung aus der Koerzitivkraft beträgt 0,9 Atom-%.

Wenn die dynamischen Eigenschaften dieser Platte mit der untenliegenden Schicht bewertet werden, liegt ihr C/N- Verhältnis (Träger/Rausch-Verhältnis) in derselben Größen­ ordnung wie bei einer üblichen Platte ohne untenliegende Schicht. Ihr Zittern ist geringer als dasjenige einer üblichen Platte.

Auf diese Weise lassen sich bei nur sehr dünner (durch­ schnittlich etwa 1 nm (10 Å)) untenliegenden Tb-Schicht eine Änderung in der Koerzitivkraft zwischen (verschiedenen) Platten bei Raumtemperatur in hohe, Maße vermindern.

Claims (22)

1. Magnetoptisches Informationsspeichermedium aus einer ersten Schicht (3) mit einem Seltenerdeelement und einer zweiten Schicht (4) zur magnetoptischen Aufzeichnung von Daten, die an die erste Schicht (3) angrenzt und ein zur magnetischen Wechselwirkung zwischen erster und zweiter Schicht (3, 4) beitragendes Seltenerdeelement enthält.

2. Medium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (4) ein Übergangsmetall enthält.

3. Medium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (4) eine Stärke von nicht mehr als 100 nm (1000 Å) aufweist.

4. Medium nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (4) eine Stärke von 10-50 nm (100-500 Å) aufweist.

5. Medium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (3) eine Stärke von 0,2-30 nm (2-300 Å) aufweist.

6. Medium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich ein die erste Schicht (3) tragendes Substrat (1) enthält.

7. Medium nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich eine zwischen dem Substrat (1) und der ersten Schicht (3) vorgesehene innere Schutzschicht (2) mit einem dielektrischen Material enthält.

8. Medium nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich eine auf der zweiten Schicht (4) vorgesehene äußere Schutzschicht (5) mit einem dielektrischen Material aufweist.

9. Medium nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich eine auf der äußeren Schutzschicht (5) vorge­ sehene Reflexionsschicht (6) aufweist.

10. Medium nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich eine auf der zweiten Schicht (4) vorgesehene Reflexionsschicht (6) aufweist.

11. Verfahren zur Herstellung eines magnetoptischen Infor­ mationsspeichermediums, gekennzeichnet durch folgende Stufen:

• - Ausbilden einer ersten Schicht (3) mit einem Selten­ erdeelement und
• - kontinuierliches Ausbilden auf der ersten Schicht (3) einer zweiten Schicht (4) mit einer das Seltenerde­ element enthaltenden Metallegierung zur Herbeiführung einer auf das Seltenerdeelement zurückzuführenden magnetischen Wechselwirkung zwischen erster und zweiter Schicht (3, 4).

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht ein Übergangsmetall enthält.

13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (4) eine Stärke von nicht mehr als 100 nm (1000 Å) aufweist.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (4) eine Stärke von 10-50 nm (100-500 Å) aufweist.

15. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (3) eine Stärke von 0,2-30 nm (2-300 Å) aufweist.

16. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (3) auf einem Substrat (1) gebildet wird.

17. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite Schicht (3, 4) durch Zerstäubung ge­ bildet werden.

18. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwischen dem Substrat (1) und der ersten Schicht (3) eine innere Schutzschicht (2) mit einem di­ elektrischen Material gebildet wird.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich auf der zweiten Schicht (4) eine äußere Schutzschicht (5) mit einem dielektrischen Material ge­ bildet wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich auf der äußeren Schutzschicht (5) eine Reflexionsschicht (6) gebildet wird.

21. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich auf der zweiten Schicht (4) eine Reflexions­ schicht (6) gebildet wird.

22. Magnetoptisches Informationsspeichermedium, hergestellt durch folgende Stufen:

• - Ausbilden einer ersten Schicht (3) mit einem Selten­ erdeelement und
• - kontinuierliches Ausbilden auf der ersten Schicht (3) einer zweiten Schicht (4) mit einer das Seltenerde­ element enthaltenden Metallegierung zur Herbeiführung einer auf das Seltenerdeelement zurückzuführenden magnetischen Wechselwirkung zwischen erster und zweiter Schicht (3, 4).