JPH0696468A - 光記録再生装置及び半導体レーザアレイ - Google Patents

光記録再生装置及び半導体レーザアレイ

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JPH0696468A
JPH0696468A JP4269094A JP26909492A JPH0696468A JP H0696468 A JPH0696468 A JP H0696468A JP 4269094 A JP4269094 A JP 4269094A JP 26909492 A JP26909492 A JP 26909492A JP H0696468 A JPH0696468 A JP H0696468A
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light
semiconductor laser
track
laser array
light emitting
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Osamu Koyama
理 小山
Takeshi Yamawaki
健 山脇
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ２つの光スポットを同一トラックに合わせ、
ディスクの１回転でオーバーライト及びベリファイを完
了すると共に、さらに複数のトラックにわたって並列処
理をも可能ならしめるモノリシック型半導体レーザアレ
イを提供し、これを用いて光磁気ディスク装置の転送レ
ートを一層向上させる。 【構成】 半導体レーザの発光部１〜４は略々トラック
方向に延在し、そのうちの発光部１，２がそれ以外の発
光部３，４とトラックと垂直方向に異なる座標を有し、
光源から光記録媒体上へ光束を結像する共通の光学系に
より、第１のトラック上に発光部１，２に対応する光ス
ポットを結像させ、それ以外の第２のトラック上に発光
部３，４に対応する光スポットを結像させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置等の光
記録再生装置に係り、特に複数のレーザ光源によりオー
バーライトと記録直後のベリファイのための再生をほぼ
同時にしかも並列的に行うことのできる光記録再生装置
に関する。本発明の光記録再生装置は、光磁気記録再生
装置に有効に適用できる。
【０００２】また、本発明は、同一基板上に複数のレー
ザを備え且つこれらを独立に駆動することが可能な半導
体レーザアレイに関する。
【０００３】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
光磁気ディスク装置の転送レートを向上させるための研
究開発が盛んに行なわれている。現在製品化されている
光磁気ディスク装置はデータ書き込み時に消去／記録／
再生（ベリファイ）とディスクを３回転させなければな
らないので、特に記録時のデータ転送レートがハードデ
ィスク等に比較して劣るという欠点を有している。そこ
で、記録／消去をディスク１回転のうちに行うオーバー
ライト方式の記録再生装置や記録媒体、また複数の光ス
ポットを形成して記録直後のベリファイを行う記録再生
装置、あるいは複数の光スポットを形成して並列に記録
再生を行う装置などが提案されている。
【０００４】オーバーライト可能な光磁気ディスク装置
としては、特開昭５１−１０７１２１号公報に記載の様
に、光磁気記録媒体への印加磁界を記録情報に応じて変
調させる方式が提案されている。また、光磁気ディスク
のデータ処理速度を向上させるために、上記に加え、ト
ラック上に記録用とベリファイ用の複数のビームを配
し、ディスク１回転で、消去−記録−再生が可能な光磁
気ディスク装置が特開昭６４−８２３４８号公報などに
提案されている。これらは光磁気記録媒体への印加磁界
を記録情報に応じて変調することから磁界変調オーバー
ライト方式と称される。また、光磁気記録媒体への書き
込み光ビームを変調することにより、オーバーライト可
能な記録媒体が特開昭６２−１７５９４８号公報、特開
昭６３−２６８１０３号公報などに提案されている。こ
れらの記録媒体は、キュリー温度や保磁力の異なる特性
を有する多層の磁気膜が交換結合された構造を有するこ
とによりオーバーライトが可能となっている。これらは
光変調オーバーライト方式と称される。
【０００５】また、複数の光源により複数の光スポット
を記録媒体上の隣接するトラック上に形成して並列に記
録再生を行う装置が特開昭５４−１４６６１３号公報や
特開昭６４−１９５３５号公報などに提案されている。
これらは光源に半導体レーザアレイを用いることによ
り、従来の単一光源を用いた光磁気ディスク装置とほぼ
同一の光学系を使用して並列記録再生を達成している。
【０００６】この様に、光磁気ディスク装置では、光学
系が複数の光ビームを多重に伝送しうるという特性を活
かし、データ転送レートをハードディスク並からそれ以
上に向上させることが可能である。
【０００７】ところが、光磁気ディスク装置の転送レー
トを一層向上させようとして、複数のレーザ光源により
オーバーライトと記録直後のベリファイとをディスク１
回転のうちにしかも並列に行なおうとすると、従来技術
の組み合わせでは、光学系の構成が複雑となり達成が困
難であった。
【０００８】また、半導体レーザを光源とした電子写真
式プリンタや光情報記録再生装置などでは、処理速度を
改善するためにレーザビームを複数備え、同一光学系を
経由して複数の行や複数のトラックを同時に並列処理す
る方法が検討されている。
【０００９】図３７に従来の光情報記録再生装置の光学
系概略図を示す。図において、１１２は光源、１１３は
コリメータレンズ、１１４はビームスプリッタ、１１５
は対物レンズ、１１６は記録媒体、１１７，１２０は集
光レンズ、１１８は光量検出センサ、１１９は半波長
板、１２１は円柱レンズ、１２２は偏光ビームスプリッ
タ、１２３は第一の信号検出センサ、１２４は第二の信
号検出センサである。光源１２の複数ビームは図の矢印
１２５の方向に並んで配置されている。光源１１２から
出射されたビームは、ビームスプリッタ１１４で２分割
され、反射光は集光レンズ１１７を通って光量検出セン
サ１１８上に焦点を結び、複数ビームに対応した分割受
光部（図示せず）で各ビームの光量を検出する。ビーム
スプリッタ１１４の透過光は対物レンズ１１５で記録媒
体１１６上に集光され、情報の記録あるいは再生を行な
う。記録媒体１１６の反射光はビームスプリッタ１１４
で反射され、半波長板１１９で偏光面を４５度回転され
た後、集光レンズ１２０、円柱レンズ１２１を経由して
非点収差ビームをつくる。さらに偏光ビームスプリッタ
１２２で第一、第二の信号検出センサ１２３，１２４に
導かれる。第一、第二の信号検出センサの受光面（図示
せず）は光源１１２からのビームに対応した複数の反射
光を独立に受光するように分割されており、特に第一の
信号検出センサのうちの１つは４分割センサになってい
て、非点収差ビームによって記録媒体に集光されたビー
ムのトラックはずれ及び焦点外れを検出する。また、第
一、第二の信号検出センサはそれぞれ同一ビームに対応
した分割受光部同士の差動出力を検出することによって
記録媒体に記録された情報を再生するものである。
【００１０】複数ビームと記録媒体のトラックとの位置
関係を図３８に示す。光源１１２からの複数ビームはそ
れぞれが１つずつ記録媒体のトラックに位置合わせされ
ており、それぞれのビームを出射するレーザは独立に動
作するので、ビームの数だけ並列に記録、再生すること
ができる。
【００１１】再生時には記録媒体からの戻り光と結合し
戻り光誘起雑音が発生するために、通常高周波重畳回路
を外付けし、レーザの干渉性を低下させるという方法が
用いられる。
【００１２】このような装置に適用される光源には、そ
れぞれのビームを発するレーザが記録、再生の機能を持
つために、高出力で、かつレーザビームの特性がよく揃
っていることが重要である。従来より、このような目的
に使われる光源には、同一基板上にモノリシックに集積
化された半導体レーザアレイがある。図３９に従来の半
導体レーザアレイの構造を示す。これは液相成長法（Ｌ
ＰＥ）を用いて作製された内部ストライプ型半導体レー
ザアレイの例である。
【００１３】図３９において、１０１は結晶成長を行な
うためのｐ型ＧａＡｓ基板、１０２は内部ストライプ型
構造として電流狭窄を行なうｎ型ＧａＡｓ電流ブロック
層、１０３，１０４，１０５はそれぞれダブルヘテロ接
合を構成するｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、ＡｌＧ
ａＡｓ活性層、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、１０
６はｎ型ＧａＡｓキャップ層、１０７，１０８は電極、
１１０はそれぞれ集積化されたレーザ発光部、１１１は
集積化されたレーザをそれぞれ独立に駆動することを可
能にする分離溝を示す。
【００１４】次に半導体レーザアレイの作製プロセスに
ついて説明する。
【００１５】平坦な基板１０１の上にブロック層１０２
を形成し、１回目の結晶成長を行なう。次に、内部スト
ライプとなる溝を形成するために、ブロック層１０２を
約１００μｍ間隔で同じストライプ幅（Ｗ２）でエッチ
ングし、溝深さは基板１０１まで到達させる。次に、２
回目の結晶成長を行い、１０３から１０６までの層を形
成する。第１クラッド層１０３は液層成長の特性として
エッチングされた溝を優先的に埋めてしまうため、その
表面は溝上において略平坦な面になる。従って、第４層
以降の活性層１０４、第２クラッド層１０５、キャップ
層１０６は再び基板１０１と略平行な層となって結晶が
成長する。第１と第２クラッド層とクラッド層に挟まれ
た活性層１０４とはダブルヘテロ接合となり、レーザ導
波路を形成する。次に、集積されたレーザ導波路を電気
的に分離するために、それぞれの発光部１１０の中間位
置をキャップ層１０６の上からエッチングし、基板１０
１まで到達させて分離溝１１１を形成する。分離溝１１
１で分離されたｎ型キャップ層１０６の上にカソード電
極１０８を形成し、ｐ型基板１０１の底面にアノード電
極１０７を形成する。
【００１６】尚、以上の半導体レーザアレイにおいて、
各層の導電型を逆にすることもできる。
【００１７】上記電極間に電圧をかけると電極間を流れ
る電流はブロック層１０２で狭窄され、溝上の限られた
活性層領域に効率よく注入されてレーザが発振する。発
光部１１０は活性層１０４にあって、ブロック層１０２
がエッチングされた溝の上に位置する。キャップ層１０
６上のカソード電極１０８は分離溝１１１によって分か
れているので、カソード電極をｏｎ、ｏｆｆすることに
より任意のレーザを独立に駆動させることができる。接
合面に平行な方向の遠視野像半値全幅ビーム径（θ‖）
は概ねストライプ幅で決まり、接合面に垂直な方向の遠
視野像半値全幅ビーム径（θ⊥）は活性層の厚さで決ま
る。記録に必要な３０ｍＷ以上の高出力特性を得るため
に、また同時に低出力時の非点隔差を小さくするため
に、θ‖はおよそ９度から１０度に設計される。また、
高出力特性を得るために、θ⊥は約２５度以下に設計さ
れることが多い。以上のように、従来の半導体レーザア
レイは、高出力で等しく特性の揃ったビームをもつので
あり、電子写真式プリンタや光情報記録再生装置の並列
処理に有効な光源として用いられる。
【００１８】しかし、従来の半導体レーザアレイでは、
定格３０ｍＷ程度の同じ特性の高出力レーザが集積され
ているので、再生時の低出力特性は高出力レーザを３ｍ
Ｗ程度で動作させた時の性能で評価される。高出力レー
ザは記録に必要な高出力特性を確保するためにはストラ
イプ幅を大きくする必要があるが、これは低出力動作時
の非点隔差が大きくなるという問題をひきおこす。ま
た、レーザの波長は動作電流に比例して長くなるので、
記録ビームと再生ビームとでは波長差が約３〜５ｎｍも
異なる。同一光学系を経由してトラック上に集光する場
合、非点隔差の違いや波長差は相対的な焦点ずれの原因
となり、記録または再生性能が劣化するという問題があ
る。
【００１９】また、再生時のレーザ特性は戻り光と結合
して雑音特性が著しく劣化するので、外部から高周波変
調を行なう必要があり、特別な回路を必要としていた。
【００２０】本発明は光情報記録再生装置の転送レート
を向上するのに最適な半導体レーザアレイを提供するこ
とを目的としている。即ち、同一トラックに２つのビー
ムをのせ、先行するビームを記録用に、後行するビーム
を再生用に用いると、記録直後にベリファイ動作が可能
になり、回転待時間が要らず転送レートの高速化が期待
できる。
【００２１】図４０に従来の半導体レーザアレイの他の
構造を示す。本図において、上記図３９におけると同一
の部分には同一の符号が付されている。本図の半導体レ
ーザアレイは４つのレーザを備えている点が上記図３９
のものと異なるが、同様にして作製することができる。
【００２２】この半導体レーザアレイを用いた場合の記
録媒体上のトラックと複数ビームスポットとの位置関係
を図４１に示す。光源１１２の複数ビームスポットのビ
ーム間隔をＤ、記録媒体のトラックピッチをＬとする
と、スポットの並びをトラック方向に対してθ＝ｓｉｎ
-1（Ｌ／Ｄ）だけ回転させれば各トラックに１つずつレ
ーザビームを位置合わせすることができる。それぞれの
ビームを出射するレーザは独立に制御できるので、ビー
ムの数だけ並列に記録、再生することができる。
【００２３】上記従来例では、複数の発光点はすべて同
一基板から同じ高さにあるため一直線上に並んでいて、
全ての発光点を並列処理に用いるには都合がよかった。
しかしながら、そのために上記複数の発光点の一部を同
一トラックに位置合わせし、かつ他の一部を隣接するト
ラックに位置合わせすることはできなかった。光情報記
録再生装置の場合、１回の記録動作を行なうのに消去、
記録、再生のプロセスを経るため、記録動作を終えるの
に最大で３回転を必要とする。この解決方法として、同
一トラックに２つのスポットをのせて連続処理を行い、
１回転で消去、記録、再生を済ませる方法がある。
【００２４】本発明は、２つのスポットを同一トラック
に合わせ、１回転で記録動作を完了すると共に、さらに
複数のトラックにわたって並列処理をも可能ならしめる
モノリシック型半導体レーザアレイを提供することを目
的としている。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、（Ａ）
複数の半導体レーザ光源を光記録媒体上の複数の所定ト
ラック上に微小な光スポットとして結像し、情報の記録
再生を行う光記録再生装置において、前記半導体レーザ
の発光部は略々トラック方向に複数個延在し、そのうち
の少なくとも２個以上の発光部がそれ以外の発光部とト
ラックと垂直方向に異なる座標を有し、光源から光記録
媒体上へ光束を結像する共通の光学系により、第１のト
ラック上に光源のうち任意の２個以上の発光部に対応す
る光スポットを結像させ、それ以外の第２のトラックを
含む少なくとも１トラック上に光源のうち他の２個以上
の発光部に対応する光スポットを結像させるようにして
なることを特徴とする光記録再生装置、が提供される。
【００２６】また、本発明によれば、（Ｂ）同一の基板
上に独立に駆動することが可能な複数のレーザを備えた
内部ストライプ型半導体レーザアレイにおいて、上記複
数のレーザはストライプ幅が異なることを特徴とする半
導体レーザアレイ、が提供される。
【００２７】更に、本発明によれば、（Ｃ）同一の基板
上に独立に駆動することが可能な複数のレーザを備えた
半導体レーザアレイにおいて、上記複数のレーザは導波
路に過飽和吸収領域をもつ低出力レーザと過飽和吸収領
域をもたない高出力レーザとからなることを特徴とする
半導体レーザアレイ、が提供される。
【００２８】更にまた、本発明によれば、（Ｄ）同一の
基板上に独立に駆動することが可能な複数のレーザを備
えたダブルヘテロ接合型半導体レーザアレイにおいて、
上記複数のレーザにおける基板底面から活性層までの高
さが異なることを特徴とする半導体レーザアレイ、が提
供される。
【００２９】
【実施例】
（Ａ）本発明の光記録再生装置の第１の実施例につい
て、図１〜図４を用いて説明する。
【００３０】まず、図１に本発明の光磁気ディスク装置
の光源部である半導体レーザアレイの構成を示す。半導
体レーザアレイチップ７は例えば１〜４の４つの発光点
を有する。４つの発光点は同一の例えばｎ型ＧａＡｓ基
板５の上に構成されていて、基板は矢印方向に２つの高
さを有している。その基板上に典型的な内部ストライプ
型の半導体レーザ構造が形成されている。各半導体レー
ザのチップ構成を発光点１を含むもので代表して説明す
ると、１−２は正電極、１−３は例えばｐ型−ＧａＡｓ
のキャップ層、１−４はｐ型−ＧａＡｌＡｓの上クラッ
ド層、１−５はｎ型−ＧａＡｌＡｓの活性層、１−６は
ｎ型−ＧａＡｌＡｓの下クラッド層、１−７はｐ型−Ｇ
ａＡｌＡｓの電流ブロック層、６は負電極である。発光
点２〜４を含むレーザのチップ構成もこれと同様であ
る。なお、発光点間に設けられたＶ型の溝は、隣接する
発光点間の熱的・電気的クロストークを遮断するための
ものである。
【００３１】さらに、図２を用いて半導体レーザアレイ
７の発光点部について詳細に説明する。４つの発光点１
〜４は、図２に示す様に、例えば発光点１と３、発光点
２と４が各々同一の高さの基板上に構成されていて、そ
れらの相対的な段差はｄ、発光点の間隔は発光点１と２
及び３と４の間隔がＤ1 、発光点２と３の間隔がＤ2で
ある。Ｄ1 とＤ2 は等しくても良い。発光点１と２を結
ぶ線分と発光点３と４を結ぶ線分との間隔をｄ’とす
る。ｄがＤ1 ，Ｄ2 に比較して十分小さければｄ’は次
式で表わされる： ｄ’≒（Ｄ1 ＋Ｄ2 ）sin θ＝｛（Ｄ1 ＋Ｄ2 ）／Ｄ1 ｝ｄ ・・・・・ （１）。
【００３２】図３は図１，２の半導体レーザアレイ７を
用いた光磁気ディスク装置の構成図である。半導体レー
ザアレイ７から出射された光束は、コリメータレンズ８
で平行光束とされ、偏光ビームスプリッタ９を透過し、
対物レンズ１０により例えば光変調オーバーライトが可
能な光磁気ディスク１１の磁性膜面１２上に微小な４つ
の光スポットとして結像される。矢印１３は光磁気ディ
スクのトラック方向を示している。
【００３３】光磁気ディスク１１上の光スポットについ
て、図４を用いて説明する。発光点１〜４は図３の光学
系により微小な光スポット２２〜２５として、任意の隣
接するトラック２６及び２７上に結像される。発光点１
は図４におけるトラック２６上のオーバーライト用光ス
ポット２２に、発光点２はダイレクトベリファイ用光ス
ポット２３に、発光点３はトラック２７上のオーバーラ
イト用光スポット２４に、そして発光点４はダイレクト
ベリファイ用光スポット２５に各々相当する。２８〜３
０はトラッキング用の案内溝でトラック間ピッチはＰで
表わされる。例えば、光スポット２２と２３、光スポッ
ト２４と２５を各々隣接するトラック上に位置させるた
めには図３における半導体レーザアレイ７をトラック方
向１３よりわずかな角度θだけひねってやれば良い。半
導体レーザアレイ７から出射された光束の偏光方向は、
図３に示す様に略々紙面内矢印方向となり、偏光ビーム
スプリッタにＳ偏光をほぼ１００％反射する特性のもの
を選べば、光磁気ディスク１１上ではトラック方向１３
にほとんど平行となる。
【００３４】２組の光スポットを隣接するトラック上に
位置決めするためには、光学系の諸量を以下の様にすれ
ば良い。コリメータレンズの焦点距離をｆ1 ，対物レン
ズの焦点距離をｆ2 とすると、光学系の横倍率はｆ2 ／
ｆ1 であるから、半径方向の光スポット間隔はおよそ次
式で与えられる： ｄ’（ｆ2 ／ｆ1 ）＝｛（Ｄ1 ＋Ｄ2 ）／Ｄ1 ｝ｄ（ｆ2 ／ｆ1 ）＝Ｐ ・・・・・ （２） 従って、トラック間ピッチＰがあらかじめ決まっていれ
ば ｄ＝｛Ｄ1 ／（Ｄ1 ＋Ｄ2 ）｝（ｆ1 ／ｆ2 ）Ｐ ・・・・・ （２’） となる。例えば、Ｐ＝１．５μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2
＝３ｍｍ，Ｄ1 ＝Ｄ2 ＝８０μｍとすれば、ｄ＝２μｍ
の段差となる。回転角θは約１．４°である。なお、図
４におけるｄ”は、図２におけるｄ’が図３に示した光
学系により光磁気ディスク１１上に結像されたものに相
当している［ｄ”＝（ｆ2 ／ｆ1 ）ｄ’≒Ｐ］。
【００３５】トラック方向の光スポット間隔Ｌ1 ，Ｌ2
は次式で与えられる： Ｌ1 ＝（ｆ2 ／ｆ1 ）Ｄ1 ・・・・・ （３） Ｌ2 ＝（ｆ2 ／ｆ1 ）Ｄ2 ・・・・・ （４） 例えば、Ｄ1 ＝Ｄ2 ＝８０μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2 ＝
３ｍｍとすれば、Ｌ1 ＝Ｌ2 ＝３０μｍとなる。
【００３６】光磁気媒体１１を、特開昭６３−２６８１
０３号公報に提案された様な光変調オーバーライト可能
なものであるとすると、光スポット２２及び２４は、バ
イアス磁界印加（図示せず）のもと、オーバーライト時
に比較的高パワーの２値Ｐ1及びＰ2 （Ｐ1 ＞Ｐ2 ）の
光パルスで、情報を各々トラック２６，２７上に書き込
むことができる。そして、光パルスの高低に対応し、互
いに反対向きの垂直磁化を有する光磁気ピットが生成さ
れる。また光スポット２３及び２５は、各々光スポット
２２及び２４で書き込まれた情報を、比較的低パワーの
一定値Ｐ3 （Ｐ2 ＞Ｐ3 ）で、記録直後に再生（ダイレ
クトベリファイ）する。なお、Ｐ1 〜Ｐ3 は光磁気ディ
スク１１上での光量である。
【００３７】さらに、本発明の光記録再生装置の第２の
実施例について、図５及び図６を用いて説明する。
【００３８】図５は本発明の光磁気ディスク装置の光源
部である半導体レーザアレイの別の構成を示す。半導体
レーザアレイチップ７は１〜４の発光点を有し、図２と
同じ働きをする発光点に同じ番号を付してある。４つの
発光点は、図１と同様に、例えばｎ型ＧａＡｓ基板５の
上に構成されていて２つの高さを有しており、互いの段
差はｄである。個々の半導体レーザの構成は図１と同様
である。４つの発光点１〜４は、図５に示す様に、例え
ば発光点１と２、発光点３と４が各々同一の高さの基板
上に構成されている。発光点の間隔は発光点１と２及び
３と４の間隔がＤ1 、発光点２と３の間隔がＤ2 であ
る。
【００３９】図５の様な半導体レーザアレイ７を図３の
光磁気ディスク装置に搭載した場合の、光磁気ディスク
１１上の光スポットについて、図６を用いて説明する。
【００４０】発光点１〜４は、図３の光学系により、微
小な光スポット２２〜２５として、任意の隣接するトラ
ック２６及び２７上に結像される。発光点１は図５にお
けるトラック２６上のオーバーライト用光スポット２２
に、発光点２はダイレクトベリファイ用光スポット２３
に、発光点３はトラック２７上のオーバーライト用光ス
ポット２４に、そして発光点４はダイレクトベリファイ
用光スポット２５に各々相当する。２８〜３０はトラッ
キング用の案内溝で、トラック間ピッチはＰで表わされ
る。例えば、光スポット２２と２３、光スポット２４と
２５を各々隣接するトラック上に位置させるためには、
図３における半導体レーザアレイ７をトラック方向１３
と一致させてやれば良い。半導体レーザアレイ７から出
射された光束の偏光方向は、図３に示す様に紙面内矢印
方向となり、光磁気ディスク１１上ではトラック方向１
３に平行となる。
【００４１】２組の光スポットを隣接するトラック上に
位置決めするためには、光学系の諸量を以下の様にすれ
ば良い。コリメータレンズの焦点距離をｆ1 ，対物レン
ズの焦点距離をｆ2 とすると、光学系の横倍率はｆ2 ／
ｆ1 であるから半径方向の光スポット間隔は次式で与え
られる。
【００４２】 ｄ（ｆ2 ／ｆ1 ）＝Ｐ ・・・・・ （５） 従って、トラック間ピッチＰがあらかじめ決まっていれ
ば ｄ＝（ｆ1 ／ｆ2 ）Ｐ ・・・・・ （５’） となる。例えば、Ｐ＝１．５μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2
＝３ｍｍとすれば、ｄ＝４μｍの段差となる。なお、ト
ラック方向のスポット間隔は（３），（４）式により求
めることができる。例えば、Ｄ1 ＝１６０μｍ，Ｄ2 ＝
８０μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2 ＝３ｍｍとすれば、Ｌ1
＝６０μｍ，Ｌ2 ＝３０μｍとなる。
【００４３】光スポット２２〜２５は光磁気ディスク１
１上で第１の実施例と同様に機能する。
【００４４】さらに、本発明の光記録再生装置の第３の
実施例について、図７及び図８を用いて説明する。
【００４５】図７は本発明の光磁気ディスク装置の光源
部である半導体レーザアレイの別の構成を示す。半導体
レーザアレイチップ７は１〜４の発光点を有し、図２と
同じ働きをする発光点に同じ番号を付してある。４つの
発光点は、図１と同様に、例えばｎ型ＧａＡｓ基板５の
上に構成されていて２つの高さを有しており、互いの段
差はｄである。個々の半導体レーザチップの構成は図１
と同様である。４つの発光点１〜４は、図７に示す様
に、例えば発光点１と２、発光点３と４が各々同一の高
さの基板上に構成されている。発光点の間隔は、発光点
１と２及び３と４の間隔がＤ1 、発光点２と３の間隔が
Ｄ2 である。
【００４６】図７の様な半導体レーザアレイ７を図３の
光磁気ディスク装置に搭載した場合の、光磁気ディスク
１１上の光スポットについて、図８を用いて説明する。
【００４７】発光点１〜４は、図３の光学系により、微
小な光スポット２２〜２５として、任意の隣接するトラ
ック２６及び２７上に結像される。発光点１は図７にお
けるトラック２６上のオーバーライト用光スポット２２
に、発光点２はダイレクトベリファイ用光スポット２３
に、発光点３はトラック２７上のオーバーライト用光ス
ポット２４に、そして発光点４はダイレクトベリファイ
用光スポット２５に各々相当する。２８〜３０はトラッ
キング用の案内溝で、トラック間ピッチはＰで表わされ
る。例えば、光スポット２２と２３、光スポット２４と
２５を各々隣接するトラック上に位置させるためには、
図３における半導体レーザアレイ７をトラック方向１３
と一致させてやれば良い。半導体レーザアレイ７から出
射された光束の偏光方向は、図３に示す様に紙面内矢印
方向となり、光磁気ディスク１１上ではトラック方向１
３に平行となる。
【００４８】２組の光スポットを隣接するトラック上に
位置決めするためには、光学系の諸量を以下の様にすれ
ば良い。コリメータレンズの焦点距離をｆ1 ，対物レン
ズの焦点距離をｆ2 とすると、光学系の横倍率はｆ2 ／
ｆ1 であるから半径方向の光スポット間隔は（５）式で
与えられる。（５）’式より、例えばＰ＝１．５μｍ，
ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2 ＝３ｍｍとすればｄ＝４μｍの段差
となる。なお、トラック方向のスポット間隔は（３），
（４）式により求めることができる。例えば、Ｄ1 ＝Ｄ
2 ＝８０μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2 ＝３ｍｍとすれば、
Ｌ1 ＝Ｌ2 ＝３０μｍとなる。
【００４９】光スポット２２〜２５は光磁気ディスク１
１上で第１の実施例と同様に機能する。
【００５０】さらに、本発明の光記録再生装置の第４の
実施例について、図９及び図１０を用いて説明する。
【００５１】図９は本発明の光磁気ディスク装置の光源
部である半導体レーザアレイの別の構成を示す。半導体
レーザアレイチップ７は１〜４の発光点を有し、図２と
同じ働きをする発光点に同じ番号を付してある。４つの
発光点は、図１と同様に、例えばｎ型ＧａＡｓ基板５の
上に構成されていて２つの高さを有しており、互いの段
差はｄである。個々の半導体レーザチップの構成は図１
と同様である。４つの発光点１〜４は、図９に示す様
に、例えば発光点１と３、発光点２と４が各々同一の高
さの基板上に構成されている。発光点の間隔は、発光点
１と２及び３と４の間隔がＤ1 、発光点２と３の間隔が
Ｄ2 である。
【００５２】図９の様な半導体レーザアレイ７を図３の
光磁気ディスク装置に搭載した場合の、光磁気ディスク
１１上の光スポットについて、図１０を用いて説明す
る。発光点１〜４は、図３の光学系により、微小な光ス
ポット２２〜２５として、任意の隣接するトラック２６
及び２７上に結像される。発光点１は図９におけるトラ
ック２６上のオーバーライト用光スポット２２に、発光
点２はダイレクトベリファイ用光スポット２３に、発光
点３はトラック２７上のオーバーライト用光スポット２
４にそして、発光点４はダイレクトベリファイ用光スポ
ット２５に各々相当する。２８〜３０はトラッキング用
の案内溝で、トラック間ピッチはＰで表わされる。例え
ば、光スポット２２と２３、光スポット２４と２５を各
々隣接するトラック上に位置させるためには、図３にお
ける半導体レーザアレイ７をトラック方向１３よりわず
かな角度θだけひねってやれば良い。半導体レーザ７か
ら出射された光束の偏光方向は、図３に示す様に略々紙
面内矢印方向となり、偏光ビームスプリッタにＳ偏光を
ほぼ１００％反射する特性のものを選べば、光磁気ディ
スク１１上ではトラック方向１３にほとんど平行とな
る。
【００５３】２組の光スポットを隣接するトラック上に
位置決めするためには、光学系の諸量を以下の様にすれ
ば良い。コリメータレンズの焦点距離をｆ1 ，対物レン
ズの焦点距離をｆ2 とすると、光学系の横倍率はｆ2 ／
ｆ1 であるから、半径方向の光スポット間隔はおよそ次
式で与えられる： ｄ’（ｆ2 ／ｆ1 ）＝｛（Ｄ1 −Ｄ2 ）／Ｄ1 ｝ｄ（ｆ2 ／ｆ1 ）＝Ｐ ・・・・・ （６） 従って、トラック間ピッチＰがあらかじめ決まっていれ
ば ｄ＝｛Ｄ1 ／（Ｄ1 −Ｄ2 ）｝（ｆ1 ／ｆ2 ）Ｐ ・・・・・ （６’） となる。例えば、Ｐ＝１．５μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2
＝３ｍｍ，Ｄ1 ＝１６０μｍ，Ｄ2 ＝８０μｍとすれ
ば、ｄ＝８μｍの段差となる。回転角θは約２．９°で
ある。なお、図１０におけるｄ”は、図９におけるｄ’
が図３に示した光学系により光磁気ディスク１１上に結
像されたものに相当している［ｄ”＝（ｆ2／ｆ1 ）
ｄ’≒Ｐ］。トラック方向のスポット間隔は（３），
（４）式により求めることができる。例えば、Ｄ1 ＝１
６０μｍ，Ｄ2 ＝８０μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2 ＝３ｍ
ｍとすれば、Ｌ1 ＝６０μｍ，Ｌ2 ＝３０μｍとなる。
【００５４】光スポット２２〜２５は光磁気ディスク１
１上で第１の実施例と同様に機能する。
【００５５】さらに、本発明の光記録再生装置の第５の
実施例について、図１１を用いて説明する。
【００５６】図１１は本発明の光磁気ディスクの光源部
である半導体レーザアレイの別の構成を示す。半導体レ
ーザアレイチップ７は、例えば１〜４の４つの発光点を
有し、それらは図１と同様に同一の例えばｎ型ＧａＡｓ
基板５の上に構成されていて、該基板は３つの高さを有
している。４つの発光点１〜４は例えば２と３が同一の
高さの基板上に構成されていて、発光点１と２、及び発
光点３と４の相対的な段差はｄである。
【００５７】図３に示した光学系により、微小な４つの
光スポット２２〜２５を任意の隣接するトラック２６，
２７上に結像する。発光点１と３にオーバーライト用光
スポット、発光点２と４にダイレクトベリファイ用光ス
ポットを担当させた場合は、図２に示した実施例と同様
な使い方が可能である。また、発光点１と２にオーバー
ライト用光スポット、発光点３と４にダイレクトベリフ
ァイ用光スポットを担当させた場合は、図９に示した実
施例と同様な使い方が可能である。これらの光源の配置
は、使用する光学系の特性（コリメータレンズ、対物レ
ンズの焦点距離）や光磁気ディスクのトラックピッチ、
オーバーライト用光スポットとダイレクトベリファイ用
光スポットの光磁気ディスク上で必要とされる間隔など
に応じて適宜選択しうるものである。
【００５８】また、各発光点間の相対的な段差は不均等
であっても良いし、また発光点を基板上のすべて異なる
高さに配置しても良い。また、各々の光スポットは光磁
気ディスク上の隣接するトラックに配置したが、一本置
いてその隣りに配置しても良いし、その他の配置を考え
ても良い。また、本発明の発光点である半導体レーザア
レイ７は、すべて同一の基板上に生成されていたが、異
なる基板上に生成した発光点を組み合わせ配置しても良
い。また、本発明は４つ以上の発光点をもつ半導体レー
ザアレイについても適用しうる。
【００５９】次に、図３を用いて、本発明の光磁気ディ
スク装置に好適なＲＦ信号及びサーボ信号の検出方法に
ついて説明する。光磁気ディスク１１の磁性膜１２に形
成された４つの光スポット２２〜２５からの反射光は、
対物レンズ１０を経て平行光束とされる。偏光ビームス
プリッタ９で反射された光束は、ＲＦ信号・サーボ信号
検出系に導かれる。このとき、偏光ビームスプリッタ９
の偏光特性をＰ偏光反射率ＲP ＝１０〜３０％、Ｓ偏光
反射率ＲS ＝１００％とすると、カー回転角が増幅さ
れ、Ｓ／Ｎの良い検出ができる。光学軸がＰ偏光成分に
対し２２．５°ひねられた１／２波長板１４を通過した
光束の偏光方向は、４５°回転し、集光レンズ１５、シ
ンドリカルレンズ１６、偏光ビームスプリッタ１７を経
て、２光束に分割され、各々光検出器１８，１９に導か
れる。シンドリカルレンズ１６は非点収差法でオートフ
ォーカス（ＡＦ）をとるために挿入されたもので、母線
がトラック方向１３に対して４５°ひねられている。
【００６０】光源として図２の実施例のものを用いた場
合における、光検出器１８，１９を用いたＲＦ信号、サ
ーボ信号の検出方法について、図１２を用いて説明す
る。
【００６１】光検出器１８は４つの受光領域３１〜３４
からなり、さらに受光領域３１は部分３１−１〜３１−
４に４分割されている。各受光領域には、光磁気ディス
ク１１上の光スポット２２〜２５に各々対応する光スポ
ット３５〜３８が結像されている。集光レンズ１５の焦
点距離ｆ3 を３０ｍｍとすれば、各々の光スポット間隔
は約３００μｍとなる。同様にして、光検出器１９も４
つの受光領域３９〜４２からなり、受光領域３９は４分
割センサである。各受光領域には、光スポット２２〜２
５に各々対応する光スポット４３〜４６が結像されてい
る。光検出器上の光スポットは、シリンドリカルレンズ
１６の最小散乱円付近のものを示しており、正しくＡＦ
制御がなされている状態である。
【００６２】図１２の実施例は、光磁気ディスク上光ス
ポット２２即ち光検出器上光スポット３５及び４３をサ
ーボ信号検出に使用するものである。フォーカスエラー
信号（ＡＦ信号）は４分割センサの対角和の差信号を用
いる。センサ３１におけるＡＦ信号ＡＦ1 はセンサに施
した添え字を用いて次式で表わせる（図示せず）： ＡＦ1 ＝（１＋３）−（２＋４） ・・・・・ （７） また、センサ３９の出力を用いてＡＦ信号ＡＦ2 をとる
場合には、やはりセンサに施した添え字を用いて次式の
様に表わせる（図示せず；（７）式と区別するため添え
字に’を付す）： ＡＦ2 ＝（１’＋３’）−（２’＋４’） ・・・・・ （８） （７），（８）の両方の出力を用いて、ＡＦ信号ＡＦを
次式の様に生成しても良い（図示せず）： ＡＦ＝ＡＦ1 ＋ＡＦ2 ・・・・・ （９） （９）式の様にすると、光磁気ディスク１１の複屈折な
どにより発生するフォーカスオフセットを効果的に防止
しうる。
【００６３】また、オートトラッキング（ＡＴ）信号
は、トラック方向に対応する分割線で分割されるセンサ
の差信号を用いる（プッシュプル法）。センサ３１にお
けるＡＴ信号ＡＴ1 は、センサに施した添え字を用いて
次式で表わせる（図示せず）： ＡＴ1 ＝（２＋３）−（１＋４） ・・・・・ （１０） ＡＴ信号についても、ＡＦ信号の場合と同様に、センサ
３９の出力を用いても良いし、３１と３９の両方のセン
サ出力を用いても良い。単一の光スポットからのＡＴ信
号を用いて複数の光スポットに安定にトラッキングサー
ボをかける方法は、特願平３−３２５１０６号に詳細に
説明されている。
【００６４】また、ＲＦ信号の検出方法は、次の２通り
が考えられる。
【００６５】まず、オーバーライト時には、光磁気ディ
スク上光スポット２２及び２４で情報の書き込みを行い
ながら、光スポット２３及び２５（光検出器上光スポッ
ト３６と４４及び３８と４６に対応）を用いて記録直後
の情報を再生する。この場合は、光スポット２３からの
情報は光検出器３２と４０の出力を差動増幅器４８を用
いて、光スポット２５からの情報は光検出器３４と４２
の出力を差動増幅器５０を用いて、各々差動増幅し、光
磁気信号５２及び５４を得ることができる。通常の再生
時には、光磁気ディスク上光スポット２２でサーボをと
りながら、光スポット２３及び２５で再生を行う。この
際光スポット２４は点灯しなくともよい。この様にした
場合は、光スポット２２，２４をＯＷ専用（２２はサー
ボ信号検出にも用いる）とできるので、レーザのノイズ
低減手段（高周波重畳など）は光スポット２３及び２５
だけに設ければ良い。また、サーボとＲＦを独立とする
ことができるので、センサ３１，３９のように分割した
センサから微弱な光磁気信号を取り出す必要がなく、プ
リアンプの熱雑音の点で有利となる（４分割センサに独
立のプリアンプを設け、それから光磁気信号を検出する
と熱雑音は２倍となる）。また、光磁気ディスク１１に
あらかじめフォーマットされた番地情報などは、光磁気
信号と別に光スポット２２，２４で読み取ってもよい。
【００６６】次に、別の検出方法としては、オーバーラ
イト時は上述の場合と同様にして、通常の再生時には、
光スポット２２でサーボをとりながら同時に光磁気信号
の再生を行っても良い。トラック２７上の光スポットは
２４，２５のどちらを再生に用いても良い。この場合
は、光スポット２２からの情報は、光検出器３１の和信
号出力と光検出器３９の和信号出力を差動増幅器４７を
用いて、光スポット２４（２５）からの情報は光検出器
３３と４１（３４と４２）の出力を差動増幅器４９（５
０）を用いて、各々作動増幅し、光磁気信号５１及び５
３（５４）を得ることができる。この方法は、ノイズ低
減手段が余分に必要なことや熱雑音の点などで不利であ
るが、情報再生光スポットにフォーカスやトラッキング
の誤差が生じにくいという点で有利である。特に、読み
出し情報量が少なく並列再生を行う必要がない場合に有
効である（光スポット２２のみを再生に使用する）。
【００６７】これら２通りの検出方法は、どちらを用い
ても良いし、場合によって使い分けても良い。なお、書
き込み情報量の少ない場合には２組のうちの光スポット
の１組のみ（光スポット２２，２３）を使用することも
できる。
【００６８】さらに、別の実施例を図１３に示す。図１
２と同様な機能の箇所には同じ番号を付してある。図１
３の実施例は、光磁気ディスク上光スポット２３即ち光
検出器上光スポット３６及び４４をサーボ信号検出に使
用するものである。ＡＦ，ＡＴ信号は図１２と同様にし
て検出することができる。ＲＦ信号の検出方法は次の２
通りが考えられる。オーバーライト時には、光磁気ディ
スク上光スポットの機能及び情報の再生方法は図１２の
実施例と同様である。但し、サーボはダイレクトベリフ
ァイ用光スポット２３を用いている。通常の再生時に
は、光スポット２３でサーボをとりながら光スポット２
３及び２５で再生を行う。この際、光スポット２２及び
２４は点灯していなくとも良いし、番地情報などの読み
取りに使用しても良い。この様にした場合は、光スポッ
ト２３及び２５は常に一定の低パワーＰ3 で連続駆動さ
れているので、サーボ系のゲインをオーバーライト時と
通常再生時で切り換える必要がなく、簡単な構成とする
ことができる。また、ノイズ低減手段は光スポット２３
及び２５だけに設ければ良い。但し、サーボとＲＦを共
有するので前述の様にプリアンプ熱雑音の点では不利で
ある。また、別の検出方法としては、オーバーライト時
は上述の場合と同様にして、通常の再生時には光スポッ
ト２３でサーボをとりながら光スポット２２で光磁気信
号の再生を行っても良い。トラック２７上の光スポット
は２４，２５のどちらを再生に用いても良い。この場合
は、前述の通り、プリアンプ熱雑音の点で有利となる。
【００６９】さらに別の実施例を図１４に示す。図１２
と同様な機能の箇所には同じ番号を付してある。図１４
では、ＡＦとＡＴの機能を分離し、しかも２６，２７の
２つのトラック上の光スポット２２，２４からＡＴ信号
を得ている。ＡＦ信号は光磁気ディスク上光スポット２
３から図１３の実施例と同様に得ることができる。光検
出器３２及び４０は４分割センサとなっているが、これ
らよりＡＦ信号のみ取り出すのであれば対角和の信号に
１つのプリアンプを割り当てることができるので、プリ
アンプの熱雑音は分割しない場合の√（２）倍となり、
図１２、１３の実施例より有利となる。
【００７０】ＡＴ信号ＡＴ1 は、光検出器１８の２分割
センサ３１においてセンサに施した添え字を用いて次式
で表わせる（図示せず）： ＡＴ1 ＝１−２ ・・・・・ （１１） また、２分割センサ３３におけるＡＴ信号ＡＴ2 は、同
様に次式であらわせる（図示せず；（１１）式と区別す
るため添え字に’を付す）： ＡＴ2 ＝１’−２’ ・・・・・ （１２） （１１），（１２）の両方の出力を用いて、ＡＴ信号Ａ
Ｔを次式の様に生成しても良い（図示せず）： ＡＴ＝ＡＴ1 ＋ＡＴ2 ・・・・・ （１３） （１３）式の様にすると、光磁気ディスク上光スポット
２２及び２４のトラックずれの平均を誤差信号とできる
ので、精度の高いＡＴサーボが可能となる。また、光検
出器１９上の２分割センサ３９，４１の出力を合わせて
用いれば、光磁気ディスク１１の複屈折などにより発生
するトラッキングオフセットを効果的に防止しうる。図
１４では、オーバーライト用光スポットにＡＴ信号検出
を、ダイレクトベリファイ用光スポットにＡＦ信号を割
り当てたが、これらは入れ替えても良い。
【００７１】次に、図１５を用いて、本発明の光磁気デ
ィスク装置に好適な光学系について説明する。図３と同
様な機能の箇所には同じ番号を付してある。図１５で
は、図３の偏光ビームスプリッタ９の替わりに、ビーム
整形機能付の偏光ビームスプリッタ５５を用いている。
ビーム整形は、半導体レーザアレイ７の放射角の狭い方
向即ち図１５ではトラック方向１３に施す。
【００７２】この場合、トラック方向の光スポット間隔
は、ビーム整形比分の１となる。光源として図２の実施
例の半導体レーザアレイを用いたとし、ビーム整形比を
αとして表わすと、（３），（４）式は以下の様にな
る： Ｌ1 ’＝（ｆ2 ／αｆ1 ）Ｄ1 ・・・・・ （３’） Ｌ2 ’＝（ｆ2 ／αｆ2 ）Ｄ2 ・・・・・ （４’） 例えば、Ｄ1 ＝Ｄ2 ＝８０μｍ，ｆ1 ＝８ｍｍ，ｆ2 ＝
３ｍｍ，α＝２とすればＬ1 ’＝Ｌ2 ’＝１５μｍとな
る。従って、図３の実施例が、対物レンズ１０の画角を
１°近く必要としたのに対し、図１５の実施例では３
０′以下となっており、光スポットの結像性能の観点よ
り、非常に有利である。但し、光検出器１８，１９上の
４つの光スポットの間隔は図３の実施例の１／２の１５
０μｍ程度となるので、光束の分離がやや難しくなる。
【００７３】さらに、図１６，１７を用いて、本発明の
光磁気ディスクに好適な光学系について説明する。図１
５と同様な機能の箇所には同じ番号を付してある。図１
６では、図１５の偏光ビームスプリッタ１７の替わり
に、ウォラストンプリズム５６を用いている。図１６の
右側に示してあるのは光学系の側面図である。ウォラス
トンプリズムは直交する２偏光に光束を分離する。分離
角は約１°程度であるから、光束の分離する方向を図１
６の様にトラック方向１３と垂直方向に選ばないと、光
検出器５７上で光スポット３５〜３８と４３〜４６が重
なってしまう。図１７に光検出器５７の詳細を示す。光
検出器３１〜３４及び３９〜４２は同一基板上に設ける
ことができるので、光スポットとセンサの位置合わせが
容易である。なお、図１７におけるＲＦ信号、サーボ信
号の検出方法は図１２の実施例と同様である。
【００７４】さらに、図１８〜図２１を用いて、本発明
の光磁気ディスク装置に好適な光学系について説明す
る。図１５と同様な機能の箇所には同じ番号を付してあ
る。図１８では、図１５の偏光ビームスプリッタ１７の
替わりに、マイクロ偏光ビームスプリッタ５８を用いて
いる。マイクロ偏光ビームスプリッタ５８は偏光ビーム
スプリッタ１７と同様な偏光特性を有し、直交する偏光
方向の２光束をほぼ平行に光検出器５９上に導く。図１
８ではマイクロ偏光ビームスプリッタ５８は図１９に示
す様に光スポット３５〜３８と４３〜４６をトラック方
向に分離しているが、勿論、トラックと垂直方向に分離
するように配置されても良い。また１／２波長板１４を
廃し、マイクロ偏光ビームスプリッタ５８を光軸のまわ
りに４５°ひねって用いても良い。図１９においては、
図１７と同様に、光検出器５９は同一基板上に光検出器
３１〜３４及び３９〜４２を設けることができる。光検
出器５９は、マイクロ偏光ビームスプリッタ５８を透過
する光束の集光レンズ１５の焦点の前側、且つマイクロ
偏光ビームスプリッタ５８で反射される光束の集光レン
ズ１５の焦点の後側で、各々の焦点から等しい距離に配
置されている。
【００７５】サーボ信号の検出方法を、図２０を用いて
簡単に説明する。図２０（ａ），（ｂ）は光検出器５９
上の光検出器３１〜３４と３９〜４２を各々を示したも
のである。例えば、図２０は光磁気ディスク１１が対物
レンズ１０に近づいた場合の光スポット形状を示してい
る。
【００７６】ＡＦ信号の検出はビームサイズ法を用いて
行なわれ、例えば６分割でセンサの内側と外側のセンサ
の差信号を用いる。センサ３１におけるＡＦ信号ＡＦ1
は、センサに施した添え字を用いて次式で表わせる（図
示せず）： ＡＦ1 ＝（２＋５）−（１＋３＋４＋６） ・・・・・ （１４） また、センサ３９の出力を用いてＡＦ信号ＡＦ2 をとる
場合には、やはりセンサに施した添え字を用いて、次式
の様に表わせる（図示せず；（１４）式との区別するた
め添え字に’を付す）： ＡＦ2 ＝（２’＋５’）−（１’＋３’＋４’＋６’） ・・・・・ （１５） 光スポット３５〜３８と４３〜４６は集光レンズ１５の
焦点位置に関し互いに反対側にあるので、（１４），
（１５）式の両方の差動出力を用いてＡＦ信号ＡＦを生
成しても良い（図示せず）： ＡＦ＝ＡＦ1 −ＡＦ2 ・・・・・ （１６） （１６）式の様にすると、光磁気ディスクのトラッキン
グ用案内溝によるＡＴ信号のもれ込みを効果的に防止し
うる。
【００７７】また、ＡＴ信号は、トラック方向の分割線
で分割されるセンサの差信号を用いることができる（プ
ッシュプル法）。センサ３１におけるＡＴ信号ＡＴ1
は、センサに施した添え字を用いて次式で表わせる（図
示せず）： ＡＴ1 ＝（１＋２＋３）−（４＋５＋６） ・・・・・ （１７） また、センサ３９の出力を用いてＡＴ信号ＡＴ2 をとる
場合には、やはりセンサに施した添え字を用いて、次式
の様に表わせる（図示せず；（１７）式と区別するため
添え字に’を付す）： ＡＴ2 ＝（１’＋２’＋３’）−（４’＋５’＋６’） ・・・・・ （１８） ＡＦ信号と同様に、（１７），（１８）式の両方の差動
出力を用いてＡＴ信号ＡＴを生成しても良い（図示せ
ず）： ＡＴ＝ＡＴ1 −ＡＴ2 ・・・・・ （１９） （１９）式の様にすると、マイクロ偏光プリズム５８に
入射する光束がトラッキング方向にわずかに振れても、
ＡＴオフセットが発生しにくい。
【００７８】尚、ＲＦ信号の検出方法は、図１２の実施
例と同様である。
【００７９】図２１に、図２０と別の実施例を示す。こ
れは、図１４と同様に、ＡＦとＡＴの機能を分離し、し
かも２６，２７の２つのトラック上の光スポット２２，
２４からＡＴ信号を得ている例である。光検出器１個当
りの分割数が減少するので、プリアンプ雑音が低減さ
れ、精度の高いＡＴが可能になるなどの利点が、図２０
の実施例に加えて得られる。
【００８０】次に、図２２を用いて、本発明の光磁気デ
ィスク装置に好適な半導体レーザアレイ７の光量制御方
法（ＡＰＣ）について説明する。図２２は、図３の光学
系におけるＡＰＣ用光検出器２１の詳細と光量制御回路
の説明図である。
【００８１】図３の光学系において、半導体レーザアレ
イ７から出射された光束は、偏光ビームスプリッタ９で
一部を反射され、ＡＰＣ用集光レンズ２０で光検出器２
１上に集光される。図２２において、発光点１〜４の光
束は光検出器２１上の光スポット６４〜６７に対応す
る。
【００８２】光検出器２１は４分割センサ６０〜６３よ
りなり、各々に光スポット６４〜６７が入射している。
これら各光スポットの光量制御ループに干渉が生じない
様に、センサの大きさ、光スポット径、集光レンズ焦点
距離などが選択されている。６８〜６９は各センサ出力
の増幅器、７２〜７５は各発光点１〜４の光量の目標値
を設定する比較器、７６〜７９は各発光点１〜４を駆動
するドライバである。各センサ出力が比較器の設定値と
同じくなる様に、レーザドライバが各レーザを駆動す
る。
【００８３】上記光学系の制約より、必然的に光スポッ
ト６４〜６７は光検出器２１に合焦に近い状態で形成さ
れる。センサ表面からの反射光がレーザに帰還して光量
変動（ノイズ）が発生することのない様に、光検出器２
１を所定量傾けると良い。
【００８４】（Ｂ）図２３に、液層成長法（ＬＰＥ）を
用いて作製された内部ストライプ型半導体レーザアレイ
の例を示す。本実施例は同一の光学系を経由してトラッ
ク上に集光されたレーザの複数ビームが相対的な焦点ず
れを起こさないようにしたものである。図において従来
例と同一番号は同一のものを示す。
【００８５】次に、本発明の半導体レーザアレイの形成
プロセスについて説明する。平坦な基板１０１の上にブ
ロック層１０２を形成し、１回目の結晶成長を行なう。
次に、内部ストライプとなる溝を形成するために、ブロ
ック層１０２を約１００μｍ間隔で異なるストライプ幅
（Ｗ１＜Ｗ２）でエッチングし、溝深さは基板１０１ま
で到達させる。次に、２回目の結晶成長を行い、１０３
から１０６までの層を形成する。第１クラッド層１０３
は、液層成長の特性としてエッチングされた溝を優先的
に埋めてしまうため、その表面は溝上において略平坦な
面になる。従って第４層以降の活性層１０４、第２クラ
ッド層１０５、キャップ層１０６は再び基板１０１と略
平行な層となって結晶が成長する。第１と第２クラッド
層１０３，１０５とこれらクラッド層に挟まれた活性層
１０４は、ダブルヘテロ接合となり、レーザ導波路を形
成する。次に、集積されたレーザ導波路を電気的に分離
するために、それぞれの発光部の中間位置をキャップ層
の上からエッチングし、基板１０１まで到達させて分離
溝１１１を形成する。分離溝１１１で分離されたｎ型キ
ャップ層１０６の上にカソード電極１０８を形成し、ｐ
型基板１０１の底面にアノード電極１０７を形成する。
【００８６】上記電極間に電圧をかけると電極間を流れ
る電流は、ブロック層１０２で狭窄され、溝上の限られ
た活性層領域に効率よく注入されてレーザが発振する。
発光部は活性層１０４上にあって、ブロック層１０２が
エッチングされた溝の上に位置し、１０９はＷ１に対応
する発光部、１１０はＷ２に対応する発光部を示す。キ
ャップ層１０６上のカソード電極１０８は分離溝１１１
によって分かれているので、カソード電極をｏｎ、ｏｆ
ｆすることにより任意のレーザを独立に駆動させること
ができる。
【００８７】レーザ特性は、本発明のようにストライプ
幅を変えることによってコントロールすることができ
る。即ち、ストライプ幅を広げる（Ｗ２）と電流が注入
される活性層領域が広がり、発光面積が大きくなって光
密度が減少するので高出力化が可能になる。ストライプ
幅が広がると、利得導波型に近づくため非点隔差が大き
くなるが、非点隔差は光出力の増大と共に小さくなる傾
向があるので、記録用として高出力領域で使用する場合
には適している。一方、ストライプ幅を狭くする（Ｗ
１）と、活性層領域が狭くなり、光密度が増加するので
高出力動作は難しくなる。しかし、低出力での非点隔差
は小さくなるので再生用光源に適した特性が得られる。
【００８８】本発明の構造を有する半導体レーザアレイ
の発振波長について、図２４を用いて説明する。図２４
はレーザの光出力と電流の関係を示したものである。ス
トライプ幅を広く（Ｗ２）すると、しきい値電流Ｉｔｈ
２が大きく、発光効率も増大する傾向がある。一方、ス
トライプ幅が狭く（Ｗ１）なると、しきい値電流Ｉｔｈ
１は小さく、発光効率も減少する傾向にある。レーザの
発振波長は活性層の温度上昇によって長波長側にシフト
するので、動作電流に略比例していると考えることがで
きる。ストライプ幅の広いレーザを高出力（Ｐ１）で動
作させ、ストライプ幅の狭いレーザを低出力（Ｐ２）で
動作させた場合には、同じストライプ幅をもつレーザに
比べて両者の動作電流の差を小さくすることが可能とな
り、理想的には図２４のように同じ動作電流（Ｉｏｐ）
になるように設計することが可能である。
【００８９】以上のように、内部ストライプ型半導体レ
ーザアレイのストライプ幅を異なるようにすれば、それ
ぞれ記録専用ビーム、再生専用ビームとして動作し、非
点隔差の差及び波長差が小さくなるので同一光学系を経
由しても相対的焦点ずれの少ない光情報記録再生用光源
を提供することが出来る。
【００９０】本発明の図２３の半導体レーザアレイを光
情報記録再生装置に適用した例を説明する。光学系は従
来例で示したものと同じ図３７であるので説明は省略す
る。記録媒体のトラックと複数ビームとの位置関係を図
２６に示す。ストライプ幅の広い記録用ビームとストラ
イプ幅の狭い再生用ビームは同一トラックに合わさって
おり、記録用ビームで情報を記録した直後に再生用ビー
ムで記録の確認を行なうことができる。２つのビーム
は、図３７に示すように同一光学系を経由して記録媒体
に至るが、それぞれの出力において、ビームの波長差が
小さく、かつ非点隔差の差が小さいので、ビーム間の相
対的焦点ずれを小さく抑えることができる。即ち、記
録，再生のいづれの性能も劣化させることがなくなるの
である。
【００９１】次に、ストライプ幅の違いは、半導体レー
ザの接合面に平行な方向の遠視野像半値全幅のビーム径
θ‖として評価することが出来る。ストライプ幅は高々
３から６μｍ程度なので、回折によって、ストライプ幅
が狭いほどビーム径は広がる。
【００９２】図２５に、このθ‖と再生パワーにおける
非点隔差との関係について経験的に得たものを示す。記
録に必要な高出力レーザの光出力を２０から３０ｍＷ以
上とすると、この時の非点隔差は３ｍＷ程度の低出力時
に発生する非点隔差に比べて４〜５μｍ程度減少するこ
とが知られている。非点隔差の許容値を１０μｍ以内と
考えれば、高出力レーザのθ‖は図２５から７から９度
が望ましい。一方、再生時には、できるだけ非点隔差を
小さくしたいから、θ‖は１０度以上が望ましい。
【００９３】以上のように、半導体レーザアレイにおい
て、接合面と平行な方向の遠視野像半値全幅を１０度以
上の再生用低出力レーザと７から９度の記録用高出力レ
ーザとからなるように構成すれば、さらに光情報記録再
生用光源としてその特徴を発揮することが出来る。
【００９４】図２７に、４つのビーム数を有する場合の
半導体レーザアレイの実施例を示す。図において図２３
と同一番号は同等のものを示す。
【００９５】同一基板上にモノリシックに集積された４
つのレーザは、左から順にペアとなるストライプ幅の広
い記録用レーザとストライプ幅の狭い再生用レーザを交
互に並べ、それぞれの組の発光点間隔が等しくＬ１にな
るように２組のペアを構成している。記録用レーザの間
隔はＬ２とする。このとき、さらに発光点の高さが記録
用のもの１１０と再生用のもの１０９とではｈだけ異な
るように配置する。このような半導体レーザアレイを光
情報記録再生装置に適用した場合の記録媒体のトラック
と各ビームの関係を図２８に示す。１組の記録ビームと
再生ビームを同一トラック上にのせるには、レーザの接
合面を光軸のまわりにθ＝ｔａｎ-1（ｈ／Ｌ１）だけ回
転させればよい。もう１組の記録ビームと再生ビーム
も、同時に隣接するトラック上にのせることが出来る。
このとき、光源からトラックまでの光学系の横倍率を
β、トラック間隔をｄとすると、ｄ＝β・Ｌ２・ｔａｎ
θの関係を満たすようにＬ２を決めればよい。このよう
に４ビームを配置すれば、２つのトラックで並列に記録
直後のベリファイが可能になり、高速転送レートをさら
に速くすることが出来る。尚、ビームの数は、上記段差
のついた記録ビーム用レーザと再生ビーム用レーザを１
組として、２組、３組、・・・・・と増やせば、同様に
さらなる転送レートの向上が可能となる。
【００９６】（Ｃ）図２９は本発明の半導体レーザアレ
イの実施例を示す構造図である。図において従来例と同
一番号は同一のものを示す。
【００９７】次に、本発明の半導体レーザアレイの形成
プロセスについて説明する。平坦な基板１０１の上にブ
ロック層１０２を形成し、１回目の結晶成長を行なう。
次に内部ストライプとなる溝を形成するために、ブロッ
ク層１０２を略１００μｍ間隔で同じストライプ幅（Ｗ
２）でエッチングを行なうが、一方のストライプは共振
器内部で途切れた領域をもつようにする。図２９は、左
側のレーザが共振器内部で溝が途切れ、活性層１０４が
ブロック層１０２によって基板１０１から電気的に遮断
されている様子を抜き出して示している。次に、２回目
の結晶成長を行い、１０３から１０６までの層を形成す
る。第１クラッド層１０３は、液相成長の特性としてエ
ッチングされた溝を優先的に埋めてしまうため、その表
面は溝上において略平坦な面になる。従って第４層以降
の活性層１０４、第２クラッド層１０５、キャップ層１
０６は再び基板１０１と略平行な層となって結晶が成長
する。第１，第２クラッド層とクラッド層に挟まれた活
性層１０４はダブルヘテロ接合となり、レーザ導波路を
形成する。次に、集積されたレーザ導波路を電気的に分
離するために、それぞれの発光部の中間位置をキャップ
層の上からエッチングし、基板１０１まで到達させて分
離溝１１１を形成する。分離溝１１１で分離されたｎ型
キャップ層１０６の上にカソード電極１０８を形成し、
ｐ型基板の底面にアノード電極１０７を形成する。
【００９８】上記電極間に電圧をかけると、電極間を流
れる電流はブロック層１０２で狭搾され、溝上の限られ
た活性層領域に効率よく注入されてレーザが発振する。
しかしながら、共振器内部で溝が途切れた活性層領域は
光吸収領域（過飽和吸収領域）となり、レーザ発振に必
要な電流をより多く必要とする。すなわち、しきい値電
流が増大する。発光部は活性層１０４上にあって、ブロ
ック層１０２がエッチングされた溝の上に位置し、１０
９は共振器内部光吸収領域を有する発光部、１１０は光
吸収領域をもたない発光部を示す。キャップ層１０６上
のカソード電極は分離溝１１１によって分かれているの
で、カソード電極をｏｎ、ｏｆｆすることにより任意の
レーザを独立に駆動させることができる。
【００９９】レーザ特性は、以上の様に共振器内部に光
吸収領域を備えることによってコントロールすることが
できる。即ち、図３０に本発明の半導体レーザアレイの
光出力と動作電流の関係を示す。ストライプ溝がレーザ
共振器内部で途切れると、その領域に相当する活性層は
光吸収領域として作用し、しきい値電流の増加（Ｉth2
）を招く。従って、図２９の右側の連続した溝を有す
るレーザに比べて動作電流が上昇し、低出力動作におい
て右側のレーザの高出力動作とほぼおなじ動作電流（Ｉ
op）を消費する結果となる。
【０１００】レーザの発振波長は活性層の温度上昇によ
って長波長側にシフトするので、動作電流がほぼ同じで
あれば発振波長も略同じであると考えることができる。
図３０においてＰ１を記録パワー、Ｐ２を再生パワーと
すれば両者の波長差を小さくすることができる。
【０１０１】以上のように、内部ストライプ型半導体レ
ーザアレイの一方において、ストライプ溝を共振器内部
で途切れるようにしたレーザを再生専用として動作し、
ストライプ溝の途切れていないレーザを記録用として動
作させれば、波長差が小さくなるので、同一光学系を経
由しても相対的焦点ずれの少ない光情報記録再生用光源
を提供することが出来る。
【０１０２】ところで、導波路に光吸収領域を有するレ
ーザはいわゆる自励発振を起こし、スペクトルがマルチ
モード化する。従って、レーザの可干渉性が低下し、戻
り光誘起雑音を発生しにくいという効果もある。これに
よって、高周波重畳回路の様な外部付加回路を備える必
要がなくなるという効果が期待できる。
【０１０３】なお、以上の実施例ではストライプ溝を共
振器内部で途切れさせて光吸収領域を形成したが、導波
路内に過飽和吸収領域があれば同様の効果を奏する。即
ち、カソード電極を共振器方向に分離し、活性層の一部
に電流が流れないようにしても、同様の効果を奏する。
また、導波路の全領域にわたってわずかな光吸収領域を
形成しても同様の効果を奏する。
【０１０４】本発明の図２９の半導体レーザアレイを光
情報記録再生装置に適用した例を説明する。光学系は従
来例で示したものと同じ図３７であるので説明は省略す
る。記録媒体のトラックと２ビームとの位置関係は図２
６と同様である。ストライプ溝の連続した記録用レーザ
からのビームとストライプ溝が途切れた再生用レーザか
らのビームは同一トラックに合わさっており、記録用ビ
ームで情報を記録した直後に再生用ビームで記録の確認
を行なうことができる。２つのビームは図３７に示すよ
うに同一光学系を経由して記録媒体に至るが、それぞれ
の出力において、ビームの波長差が小さいのでビーム間
の相対的焦点ずれを小さく抑えることができる。即ち、
記録、再生のいづれの性能をも劣化させることがなくな
るのである。
【０１０５】図３１に、４つのビーム数を有する場合の
半導体レーザアレイの実施例を示す。図において図２９
と同一番号は同等のものを示す。
【０１０６】同一基板上にモノリシックに集積された４
つのレーザは、左から順にペアとなるストライプ溝の途
切れた再生用レーザとストライプ溝の連続した記録用レ
ーザを交互に並べ、それぞれの組の発光点間隔が等しく
Ｌ１になるように２組のペアを構成している。再生用ま
たは記録用レーザの間隔はＬ２とする。さらに、発光点
の高さが記録用レーザ１１０と再生用レーザ１０９とで
はｈだけ異なるように配置する。
【０１０７】このような半導体レーザアレイを光情報記
録再生装置に適用した場合の、記録媒体のトラックと各
ビームの関係は図２８と同様である。１組の記録ビーム
と再生ビームを同一トラック上にのせるには、レーザの
接合面を光軸のまわりにθ＝ｔａｎ-1（ｈ／Ｌ１）だけ
回転させればよい。もう１組の記録ビームと再生ビーム
も同時に隣接するトラック上にのせることが出来る。こ
のとき、光源からトラックまでの光学系の横倍率をβ、
トラック間隔をｄとすると、ｄ＝β・Ｌ２・ｔａｎθの
関係を満たすようにしている。このように４ビームを配
置すれば、２つのトラックで並列に記録直後のベリファ
イが可能になり、高速転送レートをさらに速くすること
が出来る。尚、ビームの数は、上記段差のついた記録ビ
ーム用レーザと再生ビーム用レーザを１組として、２
組、３組、・・・・・と増やせば、同様にさらなる転送
レートの向上が可能となる。
【０１０８】（Ｄ）図３２は本発明の半導体レーザアレ
イの実施例を示す構造図である。図において従来例と同
一番号は同一のものを示す。
【０１０９】次に、本発明のモノリシック型集積半導体
レーザアレイの作製プロセスを、図３３を用いて説明す
る。まず第１に、基板１０１の表面に、図のように交互
に数μｍから数１０μｍの段差を設ける（ａ）。次に、
この段差を設けた基板１０１の上にブロック層１０２を
一様な厚さで形成し、１回目の結晶成長を行なう。ブロ
ック層１０２の表面は、基板１０１の段差形状をなぞっ
て同様の段差がつけられる（ｂ）。次に、内部ストライ
プとなる溝を形成するために、ブロック層１０２を約１
００μｍ間隔でストライプ状にエッチングし、基板１０
１まで到達させる。ブロック層１０２の厚さは一様なの
で、段差がついていても全てのストライプはストライプ
幅が同じであればほぼ同じ深さにエッチングされ、基板
に達する（ｃ）。次に、２回目の結晶成長を行い、１０
３から１０６までの層を形成する。第１クラッド層１０
３は、液相成長の特性としてエッチングされた溝を優先
的に埋めてしまうため、溝上においてその表面は略平坦
な面になる。第１クラッド層１０３の溝上平坦部は、ブ
ロック層１０２と同様に基板１０１の表面をなぞってや
はり段差がつけられる。第４層以降は基板１０１の段差
をなぞった層となって結晶が成長する。発光部は活性層
１０４にあって、ブロック層１０２がエッチングされた
溝の中心線上に位置する。つまり、それぞれの発光点１
０９，１１０は基板１０１の段差に沿って段違いの高さ
に形成される（ｄ）。次に、集積された発光部を電気的
に分離するために、発光点が横に並ぶ中間位置をキャッ
プ層の上からエッチングし、基板１０１まで到達させ
て、電極分離溝１１１を形成する（ｅ）。分離溝１１１
で分離されたｎ型キャップ層１０６の上にカソード電極
１０８を形成し、ｐ型基板の底面にアノード電極１０７
を形成する（ｆ）。
【０１１０】上記電極間に電圧をかけると、電極間を流
れる電流はブロック層１０２で狭窄され、溝上の限られ
た活性層領域に効率よく注入されてレーザが発振する。
以上のように構成すれば、基板１０１の底面から基板１
０１に表面段差をつけたとおりに段違いの高さに複数の
発光点を備え、かつ独立に駆動することが可能なモノリ
シック型集積半導体レーザを提供することができる。
【０１１１】本発明のモノリシック型半導体レーザアレ
イを図３７に示す光情報記録再生装置に適用した時の、
記録媒体上のトラックと複数スポットとの位置関係を図
３４に示す。スポットは基板底面からの高さの違いをそ
のスポットの大きさで示した。基板底面から同じ高さに
ある発光点に対応する媒体上のスポット間隔をＤ’、記
録媒体のトラックピッチをＬとすると、レーザビームの
並びをトラック方向に対してθ’＝ｓｉｎ-1（Ｌ／
Ｄ’）だけ回転させれば、同一トラックに基板底面から
の高さが異なるスポットを位置合わせできる。同時に、
隣接トラックにも同様な組のスポットを位置合わせする
ことができる。このようにスポットとトラックの位置関
係を合わせれば、同一トラックに合わせた２スポットに
よって記録と同時に再生を行うことができるので、１回
転で記録動作を完了すると共に、複数のトラックにわた
る並列処理をも可能ならしめ、光情報記録再生装置の記
録性能、特に転送レートを飛躍的に向上させることがで
きる。
【０１１２】図３５に、発光点に段差のついた半導体レ
ーザアレイの他の実施例を示す。本実施例は、隣接する
２つの発光点の基板底面からの高さが等しくなるように
段差を設けた例である。図に於て、発光点１１０は同一
高さにあり、発光点１０９は１１０よりも基板段差ぶん
だけ低い位置にある。レーザの形成プロセスは図３３と
同様で、基板段差の配列パターンが異なるだけである。
本実施例のように段差を設けても本発明の目的を達成す
ることができる。
【０１１３】以下に、本発明のモノリシック型半導体レ
ーザアレイを図３７に示す光情報記録再生装置に適用し
た場合の、記録媒体上のトラックと複数スポットとの位
置関係を図３６に示し、詳細を説明する。図３６におい
て、スポットは基板底面からの高さの違いをそのスポッ
トの大きさで示した。基板底面から同じ高さにある発光
点に対応する媒体上のスポット間隔をＤ”、記録媒体の
トラックピッチをＬとすると、レーザビームの並びをト
ラック方向に対してθ’＝ｓｉｎ-1（Ｌ／Ｄ”）だけ回
転させれば、同一トラックに基板底面からの高さが異な
るスポットを位置合 わせすると同時に隣接トラックに
も同様な組のスポットを位置合わせすることができる。
このようにスポットとトラックの位置関係を合わせれ
ば、同一トラックに合わせた２スポットによって記録と
同時に再生を行うことができるので、１回転で記録動作
を完了すると共に、複数のトラックにわたって並列処理
をも可能ならしめ、光情報記録再生装置の記録性能、特
に転送レートを飛躍的に向上させることができる。
【０１１４】上記の実施例では４ビームの例を示した
が、４ビーム以上の偶数ビームを用いれば、並列処理の
トラック数が増え、転送レートが一層向上することは言
うまでもないことである。
【０１１５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の光記録再生
装置によれば、従来の光磁気ディスク装置の書き込み時
のデータ転送レートとの比較で、１つのトラックに２つ
の光スポットを形成してオーバーライト及びダイレクト
ベリファイを行うことにより、転送レートを３倍、さら
にこれを並列に行うことにより転送レートを６倍に向上
させることができる。また、本発明によれば、高転送レ
ートを得るために、従来の単一光源を用いる光磁気ディ
スク装置とほとんど同一の簡単で低コストの光学系を用
いることができる。
【０１１６】また、以上説明したように、同一の基板上
に独立に駆動することが可能な複数のレーザを備えた内
部ストライプ型半導体レーザアレイにおいて、上記複数
のレーザのストライプ幅が異なるようにすると、複数ビ
ーム間の相対的焦点ずれを少なくすることができ、光情
報記録再生装置における記録および再生性能の劣化を抑
えることができる。また、ストライプ幅で記録用と再生
用とを区別することにより、記録用レーザは従来よりも
より簡単に高出力特性を得ることが可能になる。このこ
とは記録媒体の回転数の増加を可能にし、転送レートの
向上につながるので、光情報記録再生装置の性能を飛躍
的に改善することができる。
【０１１７】更に、以上説明したように、同一の基板上
に独立に駆動することが可能な複数のレーザを備えた内
部ストライブ型半導体レーザアレイにおいて、上記複数
のレーザを導波路に過飽和吸収領域をもつ低出力レーザ
と過飽和吸収領域をもたない高出力レーザからなるよう
にすると、複数ビーム間の相対的焦点ずれを少なくする
ことができ、光情報記録再生装置における記録および再
生性能の劣化を抑えることができる。
【０１１８】更にまた、実施例をもって説明したよう
に、同一の基板上に独立に駆動することが可能な複数の
レーザを有するダブルヘテロ接合型半導体レーザにおい
て、上記複数のレーザの基板底面から活性層までの高さ
を異なるようにすれば、光情報記録再生装置において同
一トラックに２スポットを位置合わせすることが可能に
なり、よって記録と同時に再生を行うことができるの
で、１回転で記録動作を完了すると共に、複数のトラッ
クにわたって並列処理をも可能ならしめるため、光情報
記録再生装置の記録性能、特に転送レートを飛躍的に向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気ディスク装置の光源部である半
導体レーザアレイの構成図。
【図２】図１の発光点部の詳細図。
【図３】本発明の光磁気ディスク装置の光学系図。
【図４】光磁気ディスク上の光スポット配置図。
【図５】半導体レーザアレイの実施例の図。
【図６】光磁気ディスク上光スポット配置図。
【図７】半導体レーザアレイの実施例の図。
【図８】光磁気ディスク上光スポット配置図。
【図９】半導体レーザアレイの実施例の図。
【図１０】光磁気ディスク上光スポット配置図。
【図１１】半導体レーザアレイの実施例の図。
【図１２】本発明の光磁気ディスク装置に好適なＲＦ・
サーボ信号検出系の図。
【図１３】本発明の光磁気ディスク装置に好適なＲＦ・
サーボ信号検出系の図。
【図１４】本発明の光磁気ディスク装置に好適なＲＦ・
サーボ信号検出系の図。
【図１５】本発明の光磁気ディスク装置の光学系図。
【図１６】本発明の光磁気ディスク装置の光学系図。
【図１７】図１６における光検出器を示す図。
【図１８】本発明の光磁気ディスク装置の光学系図。
【図１９】図１８における光検出器を示す図。
【図２０】サーボ信号検出方法の説明図。
【図２１】サーボ信号検出方法の説明図。
【図２２】本発明の半導体レーザアレイの光量制御系を
示す図。
【図２３】本発明の半導体レーザアレイの実施例の図。
【図２４】半導体レーザの光出力と動作電流の関係図。
【図２５】非点隔差とθ‖の関係図。
【図２６】レーザビームとトラックの位置関係図。
【図２７】本発明の半導体レーザアレイの実施例の図。
【図２８】レーザビームとトラックの位置関係図。
【図２９】本発明の半導体レーザアレイの実施例の図。
【図３０】半導体レーザの光出力と動作電流の関係図。
【図３１】本発明の半導体レーザアレイの実施例の図。
【図３２】本発明の半導体レーザアレイの実施例の図。
【図３３】図１の半導体レーザアレイの作製プロセスの
説明図。
【図３４】レーザビームとトラックの位置関係図。
【図３５】本発明の半導体レーザアレイの実施例の図。
【図３６】レーザビームとトラックの位置関係図。
【図３７】光情報記録再生装置の光学系概略図。
【図３８】従来例のレーザビームとトラックの位置関係
図。
【図３９】従来の半導体レーザアレイの図。
【図４０】従来の半導体レーザアレイの図。
【図４１】従来の記録媒体上のレーザビームとトラック
の位置関係図。
【符号の説明】
１，２，３，４ 半導体レーザアレイ発光点 ７ 半導体レーザアレイ ８ コリメータレンズ ９ 偏光ビームスプリッタ １０ 対物レンズ １１ 光磁気ディスク １４ １／２波長板 １５ 集光レンズ １６ シリンドリカルレンズ １７ 偏光ビームスプリッタ １８，１９，２１ 光検出器 ２０ ＡＰＣ用レンズ ２２，２４ オーバーライト用光ビームスポット ２３，２５ ダイレクトベリファイ用光ビームスポッ
ト ２６ 第１のトラック ２７ 第２のトラック １０１ レーザの基板 １０２ ブロック層 １０３ 第１クラッド層 １０４ 活性層 １０５ 第２クラッド層 １０６ キャップ層 １０７ 電極 １０８ 電極 １０９，１１０ 発光点 １１１ 分離溝

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の半導体レーザ光源を光記録媒体上
    の複数の所定トラック上に微小な光スポットとして結像
    し、情報の記録再生を行う光記録再生装置において、 前記半導体レーザの発光部は略々トラック方向に複数個
    延在し、そのうちの少なくとも２個以上の発光部がそれ
    以外の発光部とトラックと垂直方向に異なる座標を有
    し、光源から光記録媒体上へ光束を結像する共通の光学
    系により、第１のトラック上に光源のうち任意の２個以
    上の発光部に対応する光スポットを結像させ、それ以外
    の第２のトラックを含む少なくとも１トラック上に光源
    のうち他の２個以上の発光部に対応する光スポットを結
    像させるようにしてなることを特徴とする光記録再生装
    置。
  2. 【請求項２】 半導体レーザの複数の発光部が同一の基
    板上に形成されていることを特徴とする、請求項１に記
    載の光記録再生装置。
  3. 【請求項３】 半導体レーザの複数の発光部が同一の基
    板上の異なる高さに形成されていることを特徴とする、
    請求項１または２に記載の光記録再生装置。
  4. 【請求項４】 第１のトラック及び第２のトラック上に
    結像された２個の光スポットのうち、トラック上流方向
    の第１と第２の光スポットにより並列に情報の記録を行
    い、トラック下流方向の第３と第４の光スポットにより
    各々対応する第１と第２の光スポットにより記録された
    直後の情報を再生するようにしてなることを特徴とす
    る、請求項１に記載の光記録再生装置。
  5. 【請求項５】 第１のトラックと第２のトラックが隣接
    していることを特徴とする、請求項１または４に記載の
    光記録再生装置。
  6. 【請求項６】 同一の基板上に独立に駆動することが可
    能な複数のレーザを備えた内部ストライプ型半導体レー
    ザアレイにおいて、上記複数のレーザはストライプ幅が
    異なることを特徴とする半導体レーザアレイ。
  7. 【請求項７】 接合面と平行な方向の遠視野像半値全幅
    は１０度以上のレーザと７度から９度のレーザとからな
    ることを特徴とする、請求項６に記載の半導体レーザア
    レイ。
  8. 【請求項８】 複数のレーザの発光点は基板底面からの
    高さが異なることを特徴とする、請求項６に記載の半導
    体レーザアレイ。
  9. 【請求項９】 光情報記録再生装置の光源としたことを
    特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の半導体レ
    ーザアレイ。
  10. 【請求項１０】 同一の基板上に独立に駆動することが
    可能な複数のレーザを備えた半導体レーザアレイにおい
    て、上記複数のレーザは導波路に過飽和吸収領域をもつ
    低出力レーザと過飽和吸収領域をもたない高出力レーザ
    とからなることを特徴とする半導体レーザアレイ。
  11. 【請求項１１】 複数のレーザの発光点は基板底面から
    の高さが異なることを特徴とする、請求項１０に記載の
    半導体レーザアレイ。
  12. 【請求項１２】 光情報記録再生装置の光源としたこと
    を特徴とする、請求項１０または１１に記載の半導体レ
    ーザアレイ。
  13. 【請求項１３】 同一の基板上に独立に駆動することが
    可能な複数のレーザを備えたダブルヘテロ接合型半導体
    レーザアレイにおいて、上記複数のレーザにおける基板
    底面から活性層までの高さが異なることを特徴とする半
    導体レーザアレイ。
  14. 【請求項１４】 光情報記録再生装置の光源としたこと
    を特徴とする、請求項１３に記載の半導体レーザアレ
    イ。
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