JPS61222040A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光照射により情報の記録・再生および消去を行
なう光情報記録装置に適した光ピツクアップ装置に関す
る。

（従来技術とその問題点） 光照射により情報の記録を行なう記録媒体として多結晶
とアモルファスの間の相変化を利用するものがある。こ
の媒体材料としては、Ｔｅ−０−Ｇｅ−Ｒｎ合金系やＴ
ｅ−８ｅ−Ｒｎ　合金系などがある。これらの材料の特
徴は、材料に温度変化を与えるとき急速加熱、急速冷却
を行なうと７％ルファス化し、比較的ゆっくりとした加
熱、冷却を行なうと結晶化することである。この相変化
によって、その材料の表面の反射率も変化するので、微
弱な光を照射することで相の状態を知ることができる。

この相変化を用いると、情報の記録・再生および消去を
行なうことができる。

光デイスク形状で結晶からアモルファス、アモルファス
から結晶への両方の相変化を１トラック幅内で実現する
手段として、第３図の平面図に示すよ５な記録媒体３６
がある。すなわち、光ピツクアップから記録媒体３６上
のトラック４０へ照射するスポット形状としては、円形
スポット４０とトラック方向の長円形スボッ）４１との
２種類を形成するものである。この記録媒体と光ピック
アップの相対速度が一定であるとき、円形スポット４０
で高いパワー照射を行なえば媒体の急熱急冷を行うこと
ができ、長円形スポット４０で比較的低いパワー照射を
行なえば除熱徐冷を行なうことができる。この円形スポ
ット４０により情報ピットの形成を、長円形スポット４
１により消去を行なえば、１トラック幅ごとに情報の起
句、消去を実現することができる。

この２種のスポットを異なる光ピックアップで形成する
のは装置全体が複雑になり、また同一光ピックアップで
形成するのは装置全体の構成が複雑になるため、同一光
ビックアップで２種のスポ、トを形成できることが望ま
しい。

従来、２！にの異なるスポットを形成する光ピツクアッ
プの構成としては、例えば第８図に示すような構成があ
る。すなわち、２つの波長の異なる半導体レーザ３０．
３１ｔ−用いて、一方の光学系にシリンドリカルレンズ
３８等を挿入することにより、長円形スポットを形成す
る構造がある。図中、３２はコリメートレンズ、３３は
偏光ビームスプリッタ、３４はに波長板、３５は集光レ
ンズ３７は検出光学系、３９は波長フィルタを示す。

しかし、この構成では、２つのスポットの位置関係が光
学系の機械的安定性に依存するため、温度変化などに対
して不安定であり、また光学系も複雑となる欠点がある
。

他の構成としてコリメート光中にＡＯ変調器を挿入して
このＡＯ変調器に複数の周波数成分を与えて長円形スポ
ットを形成する方法も提案されて砂るがこの方法も光学
系の複雑化は避けられない。

（発明の目的） 本発明の目的は、従来のように光学系を複雑化させずに
、２種の異なるスポットを形成することができる光ピツ
クアップ装置を提供することにある。

（発明の構成） 本発明の構成は、光源からの出射光を記録２媒体に微小
スポットとして照射しかつこの記録媒体からの情報を含
む光を光検出器に導く光ピ、クア、プ装置において、前
記光源が同一基板上に形成され出力端の活性層幅が異っ
た複数のアレイ厘半導体レーザからなり、前記光源から
前記記録媒体への前記微小スポットが円形のスポットと
長円形のスポットとから形成されることを特徴とする。

（実施例） 次に図面により本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例の光学系を含む構成図である
。本実施例の光学系は従来のＤＲＡＷ光ディスクに用い
られているものとほとんど同一であるが、本実施例では
、光源３０のみをアレイ型レーザとすることにより、２
種のスポットを同時に形成するようにしている。すなわ
ち、光学系が同一でありながら異なるスポットを形成す
るために発光点の特性に差を設ける必要があるが、これ
にアレイ型レーザを用いてこのレーザの構成を変えて出
射光の特性を変えることにより、異なるスポットを実現
することができる。この図の光学系の構成では情報を含
む光として反射光を用いているが、媒体からの透過光を
用いる構成でもよい。

本実施例におｉては、レーザ光源３０からの出射光はコ
リメートレンズ３２．偏光と−４スプリツタ３３　、　
’／４板３板金４して集光レンズ３５で記録媒体３６上
に集光される。との記録媒体３６からの反射光は１／４
板３４で偏光回転を受けるので偏光ビームスプリッタ３
３で反射され検出光学系３７へと導かれる。ここでフォ
ーカスエラー・トラックエラーの検出や再生信号の検出
が行われる。このエラー検出は従来の光ビ、クア、プで
用いられているナイフェツジ法やファーフィールド法を
用いることができる。但し、反射光は、光源３０に７レ
イ型レーザを用いて複数のビームにより構成されている
ので、一度レンズで結像してピンホールやスリットで必
要ビームのみを分離するなどの工夫が必要となる。

次に、本実施例に用いる光源３００半導体レーザについ
て説明する。

（光源の実施例１） 第２図は第１図の光源となる半導体レーザの−例の断面
図である。この例は、活性層３の幅が異なる２つの埋込
み型レーザ２１．２２をアレイ化したものである。これ
らレーザ２１．２２は、発光点の幅が異なるため同一の
光学系で集光すると、レーザ２１のスポットに比べてレ
ーザ２２によるスポットが長円形となる。したがって、
第３図のように、記録媒体３６のトラック４０上に円形
、長円形のスポット４０．４１を形成することができる
。

なお、第２図のレーザは、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ
−Ａ４ＧａＡｓクラ、ドア１２　、Ａ−６ＧａＡｓ活性
層３　ｅ　ｐ−Ａ−ｇＧａＡｓクラッド層４．Ｐ−Ｇａ
Ａｓキャ、プ層を順次形成したのち、エツチングで埋込
み用の溝を形成し、ｐ−Ａ−ｅＧａＡｓ　６　、　ｎ−
Ａ４ＧａＡｓクラ埋込み層を形成する。最後にｐ側電極
８とｎ側電極９とを形成し、ｐ側電極をバターニングし
て各レーザの独立駆動を可能としている。

（光源の実施例２） 第４図は第１図の光源の第２の実施例の断面図で、内部
ストライプ型のレーザにおいて溝幅を変え出射光の非点
収差を変えてアレイ化したレーザ２３．２４を示してい
る。同一の光学系で非点収差の異なるレーザを集光する
と、レーザの活性層幅が同一であづても、一方のレーザ
２３のスボ。

トを円形にすると他方のレーザ２４のスポットは収差が
残るため長円形となる。したがって、第３図のように円
形、長円形のスボッ）４０．４１を実現できる。

第４図に示す内部ストライプ型レーザは、溝幅により非
点収差の量をコントロールできるようにしたものである
。このレーザ２３は溝幅を狭くして収差の無いレーザで
、レーザ２４は溝幅を広げて収差を生じさせたレーザで
ある。

これらのレーザの製法としては、ｐ−ＧａＡｓ基板１１
上にｎ−ＧａＡｓ電流ブａｙり＠１２を形成したのち溝
をエツチングで設ける。次に、ｐ町りＧａＡｓクラッド
層１３　、　Ａ−ｇＧａＡｓ活性／１ｆ１４ｔｎ−Ａｌ
１　Ｇ　ａ　Ａ　ｓクラッド１ｍ　１５　、　ｎ−Ｇａ
Ａｓキャ、グ１１ｉ１６を形成し、ｎ側電極１７．ｐ側
電極１８を形成し、そののちエツチングで各レーザ２３
，２４間を分離する。したがって、各レーザ２３，２４
をそれぞれ独立に駆動することが可能となる。

（光源の実施例３） 第５図は第１図の光源の第３の実施例の断面図である。

この実施例は、円形スポットのレーザ２５と共に長円形
のスポットを形成するレーザ２６が用いられるが、この
レーザ２６は、複数（３個）の発光点を持つ位相同期壓
レーザが用いられた例である。このレーザ２６からは、
第６図に示されるように、レーザ２６からの出射光が記
憶媒体４０上に複数（３個）の円形スポット４３を設け
、これらの合成による長円形スポットが形成される。

これは第３図に示すように、等測的に長円形スボ、ト４
１とみなすことができる。

このレーザの製法は、第４図の内部ストライプ凰レーザ
と溝構成を変える点だけが異るが他は同一である。

このようにして構成されるレーザを用いた光ピツクアッ
プは、記録媒体３６上で円形および長円形のスボッ）４
０．４１を独立に駆動できる。この円形スボッ）４０は
情報の記録・再生に、長円形スポット４１は消去に用い
られる。これら光源によるスポットの使用法としては、
消去直後の記録や、再生した直後の消去なども考えられ
る。

さらにアレイ化するレーザの数を増すと、第７図のよう
に、３つ以上のスボッ）４０．４４．４５を形成するこ
ともできる。この図の例では、スポット４０で媒体状態
をチェックし、スポット４４で消去し、スポット４５で
新しい情報を記録すゐという複雑な機能を実現すること
もできる。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明の光ピツクアップ装置によ
れば、１台のレーザ光源から異なる形状の複数のビーム
スポットを記録媒体上に形成することができるので、光
情報記録装置ｒ簡単な構造安定に構成することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光ヘッドの構成図、第２図
、第４図、第５図は第１図に用いる半導体レーザの第１
．第２および第３の実施例の断面図、第３図、第６図、
第７図は第１図の記録媒体上での各種スポット形状を示
す平面図、第８図は従来の光へ、ドの一例の構成図であ
る。図において１−＝　＝−ｎ−ＧａＡｓ基板、２　”
＝　ｎ−Ａ−ｇＧａＡｓクラッド層、３ｔ　１４　・＝
　・・−Ａ−６ＧａＡｓ活性層、４・−・１）　−Ａ−
ｅ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓクラッ＃′層、５−−−−−−ｐ−
ＱａＡｓ　＊ヤｙブ層、６　・＝　・−Ｐ　−Ａ４Ｇａ
Ａｓ埋込み層、７−−−−−−　ｎ　−Ａｌ１　Ｇ　ａ
　Ａ　ｓ埋込み層、８　、１８−−−−−−　Ｐ、側電
極、９゜１７　・・・−ｎ側電極、１１−ｐ−ＧａＡｓ
基板、１２　＝−−−ｎ　−ＧａＡｓ電流プｏ、ｙり瑞
、１３−ｆ）−Ａｌ１　Ｇａ　Ａ　ｓクラッド層、ｌ　
５−−−−−−　ｎ　−Ａｌ１　ＱａＡｓクラッド層、
１６　＝　−ｎ　−ＧａＡｓキャ、プ層、２１〜２６・
−・・・・Ｖ−ザ、３０．３１・・・・−レーザ光源、
３２−−−−−−コリメートレンズ、３３・・・−・・
偏光ビームスプリ、り、３４・・・・＋＋　２／４　板
、３５・・・・・・集光レンズ、３６−＝記録媒体、３
７・・−・・・検出光学系、３８・・・・・・シリンド
クカルレンズ、３９−−−−−−波長フィルタ、　４０
−−−−−・トラック、４１．４２〜４５・−笛５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光源からの出射光を記録媒体に微小スポットにして照射
   しかつ前記記録媒体からの記録情報を含む光を光検出器
   に導く光学系とから成る光ピツクアップ装置において、
   前記光源が同一基板上に形成され出力端の活性層幅が異
   った複数のアレイ型半導体レーザからなり、この光源か
   ら前記記憶媒体への前記微小スポットが円形のスポット
   と長円形のスポットとから形成されることを特徴とする
   光ピックアップ装置。