JPH0276136A - 光学的記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、相変化型記録層を備える光記録媒体の収束面
に光源からの集束光を収束させて光学的に情報の記録、
再生、消去を行う光学的記録再生装置に係わり、特に、
書換え後における記録信号に書換え前の記録成分が混入
しない光学的記録再生装置の改良に関するものである。

［従来の技術］ この種の光学的記録再生装置としては、第１２図に示す
ように半導体レーザ（ａ）と、この半導体　、−ザ（ａ
）からの拡散レーザ光を平行レーザ光に変換するコリメ
ータレンズ（ｂ）と、このレーザ光のスポット形状を楕
円形状から略円形状に変換するビーム整形プリズム（Ｃ
）と、光記録媒体（ｄ）に入射する入射レーザ光と光記
録媒体（Ｃｆ）から反射してくる反射レーザ光とを分離
するビームスプリッタ（ｅ）と、このビームスプリッタ
（ｅ）を通過し直線偏光であるレーザ光を円偏光に変換
させる１７４波長板（ｆ）と、光記録媒体（ｄ）に対し
進退可能に設けられ上記１７４波長板（ｆ）を通過した
レーザ光を上記光記録媒体（ｄ）の収束面に収束させる
対物レンズ（ｌと、上記ビームスプリッタ（ｅ）により
分離された反射し−ザ光をトラッキングエラー信号、フ
ォーカシングエラー信号、並びに再生ＲＦ信号を得るた
めの四分割ＰＩＮフォトダイオード（ｉｌ）へ入射させ
るシリンドリカルレンズ（ｊ）とでその主要部を構成す
る装置が知られている。

そして、光記録媒体（ｄ）として相変化型のものを使用
する光学的記録再生装置においては、第１３図〜第１４
図（ａ）に示すように高出力のレーザスポット（ｍ）を
光記録媒体（ｄ）の記録層へ短時間照射して急速加熱、
急速冷却処理を施し、第２２図（ａ）〜（ｂ）に示すよ
うにその照射部位（Ｗ）を高反射率（Ｒｃρの結晶状態
（ｃｒ）から低反射率（Ｒ，、）のアモルファス状態（
ａ−）へ変化させて情報の記録を行う一方、この書込ま
れた情報の消去を行う場合には、第１３図〜第１４図（
ｂ）に示すように記録層へ低出力のレーザスポット（ｎ
）を長時間照射し、比較的ゆっくりとした加熱、冷却処
理を施して、第２２図（Ｃ）に示すように記録部位を低
反射率（Ｒ，−のアモルファス状１（ａｍ＞から高反射
率（Ｒ，ρの結晶状態（ｃｒ）へ変化させる方法が採ら
れている。

従って、この方式においては高出力の記録用円形レーザ
スポット（ｍ）と低出力の消去用楕円形レーザスポット
（ｎ）を光記録媒体（ｄ）面へ照射する必要があるため
、従来にあっては、例えば第１５図に示すように高出力
の記録用半導体レーザ（ａｌ）に加えてこの半導体レー
ザ（ａｌ）と波長の異なる低出力の消去用半導体レーザ
（ａ２）を併設し、かつ、これ等半導体レーザ（ａｌ）
　　（ａ２）からのレーザ光を混合するダイクロイック
ミラー（１２）を配設すると共に、消去用半導体レーザ
（ａ２）からの拡散レーザ光を平行レーザ光に変換する
コリメータレンズ（ｂ２）を組込む構成が採られている
。

そして、記録時においては記録用半導体し〜ザ（ａｌ）
からビーム整形プリズム（Ｃ）を介して高出力のレーザ
光を照射し、光記録媒体（ｄ）面に円形状のレーザスポ
ット（ｍ）を収束させる一方、消去時においては消去用
半導体レーザ（ａ２）からビーム整形プリズムを介さず
に低出力のレーザ光を照射し、光記録媒体（ｄ）面に楕
円形状のレーザスポット（ｎ）を収束させている。

しかし、複数の光源を使用するこの方式においては構成
部材が多くなって装置の大型化、複雑化といった欠点が
あり、かつ、これ等構成部材の位置合せについての高い
精度が要求されるため組立て操作が繁雑となる欠点があ
るため、特開昭５９−１７５０４４号公報や特開昭６１
−２２２０４０号公報においては、第１６図に示すよう
に光源としてマルチスポット型半導体レーザ（Ａ）を使
用し上記欠点を解消した光学的記録再生装置が開示され
ている。

すなわち、このマルチスポット型半導体レーザ（Ａ）は
同一の基板に複数個の独立駆動可能な発光部を備え、光
記録媒体（ｄ）面に円形状のレーザスポットと楕円形状
のレーザスポットを各々独立して照射し得る機能を有す
るもので、例えば、第１７図〜第２０図に示すように記
録、消去、及び再生用の発光部（ＡＩ）　　（Ａ２）　
　（Ａ３）を備え、上記消去用発光部（Ａ２）が複数の
発光点（ｐ）〜（ｒ）で構成されて楕円形状のレーザス
ポットが得られるようにしたもの（第１１図参照）や、
基板（Ｓ）に設けられた分離溝（１）の大小により（第
１９図参照）あるいは基板（Ｓ）に設けられたりッジ（
Ｕ）により（第２０図参照）活性領域幅を適宜調整して
楕円形状のレーザスポット（ｎ）が得られるようにした
もの等が利用されている。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、複数の発光点（ｐ）〜（ｒ）にて消去用発光
部（Ａ２）を構成したものにおいては、第１８図に示す
ように小円形レーザスポット（ｎｌ）〜（ｎ３）の重ね
合せにより楕円形状のレーザスポット（ｎ）を形成して
いるためレーザスポット（ｎ）形状が楕円になり難く、
かつ、虐なりた部分とそうでない部分とで照度分布にば
らつきが生ずる欠点があった。

一方、活性領域幅の大小によって楕円形状のレーザスポ
ットを求める後者のタイプにおいては、活性領域幅を広
くするとｐ−ｎ接合の面に沿った方向の横モード動作が
不安定になる欠点があり、かつ、出゛カビームの拡散（
広がり）度合が大きく、しかも、それが時間あるいは駆
動電流と共に変動し易いため、レーザスポットの形状並
びにその強度が不安定で制御し難いといった欠点があっ
た。

このため、非晶質状態（ａｍ）にある記録層を結晶質状
態（ｃｒ）に変化させて情報の消去を行う際、レーザス
ポット強度のばらつきにより消去後における結晶状態に
もばらつきが生じ易くなるため、最初から結晶質状態（
ｃｒ）にあった部位（ｙ）と消去によって結晶質状態（
ｃｒ）になった部位（ｙｏ）とで第２２図（Ｃ）に示す
ようにその反射率（Ｒ）ｃｒ に差異が生じ、消去後における記録層に消去前の記録成
分が若干残留してしまう問題点があった。

従って、再度、記録用レーザスポットを照射して情報の
書換えを行った場合、書換え後における記録信号に書換
え前の記録成分が混入しこれが再生時にノイズとなって
出力されてしまう問題点があった。

尚、第２２図においては記録層の結晶質状態（ｃｒ）に
ある部位の反射率（Ｒｏρが非晶質状態（ａａ＋）にあ
る部位の反射率（Ｒ８１Ｉｌ）より高くなっているが、
記録材料の種類によっては非晶質状態（ａｍ）にある部
位の反射率（Ｒａｍ）の方が高い場合もある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたｂので、その
課題とするところは、書換え後（おける記録信号に書換
え前の記録成分が混入しない光学的記録再生装置を提供
することにある。

すなわち本発明は、相変化型記録層を備える光記録媒体
の所定の収束面に光源からの集束光を収束させて光学的
に情報の記録、再生、若しくは消去を行う光学的記録再
生装置を前提とし、上記光源については同一基板に複数
個の独立駆動可能な発光部を有するマルチスポット型半
導体レーザにて構成すると共に、 このマルチスポット型半導体レーザの少なくとも消去用
発光部についてはその活性領域がフェーズロックされた
長円形レーザ光を出射するマルチストライブ構造になっ
ていることを特徴とするものである。

すなわち、この様な技術的手段におけるマルチスポット
型半導体レーザは、複数の発光部が形成される活性層と
この活性層を挟んだクラッド層とを同一基板に備え、少
なくとも消去用発光部における活性領域の構造がマルチ
ストライプ構造になっていると共に、各ストライブ内の
レーザ光が互いにフェーズロックされるように構成され
ているものである。

そして、上記各ストライブは周期的に間隔を有する電流
閉込め手段によって形成されており、このストライブが
接近すると、すなわち、各ストライブにおける発振光が
その隣のストライブにおける発振光に干渉する程度まで
近接配置されると、各レーザビームの位相が固定（フェ
ーズロック）されて基本横モード発振で、かつ、出射ビ
ームの拡がりの小さい安定した長円形レーザスポットが
得られる。

ここで、上記電流閉込め手段としては、活性層に隣接す
るクラッド層と基板間に配置された電流狭窄層にメサエ
ッチング法にて■溝を形成したり、クラッド層の上方側
に配置される超格子層やキャップ層内に亜鉛等を拡散さ
せて非電流領域を形成する等の手段が利用できる。

また、この技術的手段を適用する光記録媒体については
特に制限がなく、例えば、従来から広く利用されている
基板の少なくとも一面に記録層を一様に施した記録媒体
や、反射率の異なる記録トラックと非記録部とを交互に
複数有し上記記録トラックの幅寸法が記録用集束光スポ
ットの半値幅と同程度以下に設定されている記録媒体が
利用できる。尚、後者のタイプを利用した場合には再生
時における媒体ノイズを減少できる利点を有している。

そして、記録トラックと非記録部を有する記録媒体の具
体例としては、低置（ト）性基板と、この基板の少なく
とも一面に間隔を介し帯状記録層にて形成された複数の
記録トラックと、これ等記録トラック間で上記記録層の
存在しない低反射領域である複数の非記録部とを有する
記録媒体や、他の例として、基板に設けられた記録層と
この記録層に間隔を介し設けられた低反射性の表面粗面
部を備え、上記基板と、表面粗面部で形成される複数の
非記録部と、この非記録部間から露出する記録層で形成
される複数の記録トラックとを有する記録媒体等が挙げ
られる。

［作用］ 上述したような技術的手段によれば、上記光源を複数個
の発光部を有するマルチスポット型半導体レーザで構成
し、かつ、消去用発光部についてはその活性領域がフェ
ーズロックされた長円形レーザ光を出射するマルチスト
ライプ構造になっているため、消去用発光部から出射さ
れるレーザ光は基本横モード発振で、かつ、出射ビーム
の拡ろがりの小さい安定したビームになって消去用レー
ザスポットの形状並びにその強度が安定する。

従って、非晶質状態にある記録層を結晶質状態に変化さ
せて記録層に形成された情報を消去する際においてその
記録成分を確実に消去することが可能となる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

◎第一実施例 この実施例に係る光学的記録再生装置は、第１図に示す
ように記録用、再生用、及び消去用の３種のレーザスポ
ットを夫々独立して発光するマルチスポット型半導体レ
ーザ（１）と、この半導体レーザ（１）から照射される
３種の拡散レーデ光を平行レーザ光に変換するコリメー
タレンズ（２）・と、記録用、及び再生用レーザ光のス
ポット形状を楕円形状から略円形状に変換するビーム整
形プリズム（３）と、光記録媒体（４）に入射する入射
レーザ光とこの光記録媒体（４）から反射してくる反射
レーザ光とを分離するビームスプリッタ（５）と、この
ビームスプリッタ（５）を通過し直線偏光であるレーザ
光を円偏光に変換させる１７４波長板（６）と、光記録
媒体（４）に対し進退可能に設けられ上記１７４波長板
（６）を通過した３種のレーザ光を光記録媒体（４）の
所定の収束面に夫々収束させる対物レンズ（７）と、上
記ビームスプリッタ（５）により分離された反射レーザ
光をトラッキングエラー信号、フォーカシングエラー信
号、再生ＲＦ信号を得るための四分割ＰＩＮフォトダイ
オード（８）へ入射させるシリンドリカルレンズ（９）
とでその主要部が構成されているものである。

また、上記マルチスポット型半導体レーザ（１）は、第
２図に示すように０−ＧａＡＳ基板（１０）と、この基
板（１Ｇ）上（形成され電流狭窄層を構成する厚さ０．
７Ｇｍのｎ−ＧａＡＳ層（１１）と、このｎ−ＧａＡｓ
１ｌｌ　（１１）上に形成されクラッド層を構成する厚
さ０．１μｍの ｐ−Ｇａ　　　ＡＩ　　　ＡｓＪＩ（１２）、！：、０
．６　　０．４ このｐ−Ｇａ　　　ＡＩ　　ＡＳ層（１２）上に形成０
．６　　０．４ され活性層を構成する厚さ０．８μｍのｐ−Ｇａ　　　
　ＡＩ　　　　Ａｓ！／ＩＩ　（１３）　ト、０．８６
　　　０．１４ このｐ−Ｇａ　　　　ＡＩ　　　　Ａｓ１ｌ（ｆ３）上
に０．８６　　　０．１４ 形成されクラッド層を構成する厚さ１μｍのｎ　　Ｑａ
　Ｏ，６Ａｊ　（１，４ＡｓＩ＋　（１４）と、このｎ
−Ｇａ　ｏ、６Ａ１　□、４ＡＳ層（１４）上に形成さ
れキャップ層を構成するｎ−ＧａＡＳｌｉ（１５）とで
その主要部が構成され、ｐ−ＧａＡＳ基板（１Ｇ）の背
面側にｐ側電極（１６）が、一方、上記ｎ−ＧａＡＳｍ
　（１５）上にｎ１ｕｔ極（１７）が形成されていると
共に、上記電流狭窄層を構成するｎ−ＧａＡｓ層（１１
）にはメサエッチング法により形成された幅４μｍの■
溝（２０）〜（２５）が設けられ、単一のＶ溝（２０）
で構成されるシングルスドライブ構造の記録用発光部（
３０）と、６μｍの間隔を開けて離間配Ｉｆされた４の
Ｖ溝（２１）〜（２４）で構成されるマルチストライプ
構造の消去用発光部（３１）と、単一のＶ溝（２５）で
構成されるシングルスドライブ構造の再生用発光部（３
２）とが形成されている。

そして、各発光部（３０）〜（３２）の活性領域におい
ては、基板（１０）とは逆の極性を有する電流狭窄層の
ｎ−ＧａＡＳｌｌ　（１１）内に上記Ｖ溝（２０）〜（
ｚ５）を通して矢印＜２＞方向から電流が注入され、活
性層であるＧａ　　　　Ａｎ　　　　Ａｓ層０．８６　
　　０．１４ （１３）中にレーザ発振が生じ、円形状の記録用レーザ
スポット（５０）、長円形の消去用レーザスポット（５
１）、及び円形状の再生用レーザスポット（５２）が各
々得られるようになっている。

また、消去用発光部（３１）のマルチストライプ構造に
おける各Ｖ溝（２１）〜（２４）の幅寸法は上述したよ
うに４μｍで、かつ、その間隔が６μｍと近接配置され
ているため、各ストライプにおける発振光はそのとなり
の発振光と干渉し、それ等の相互の位相は固定（フェー
ズロック）されて基本横モードで出射ビームの活性層方
向の拡がりが小さく、かつ、安定したレーザ光が得られ
る。このレーザ光の横幅寸法は約３０μｍあり、倍率１
／２の光学系で光記録媒体（４）面に収束することによ
り、横幅寸法１５μｍ、縦幅寸法１．５μｍの消去用レ
ーザスポット（５１）が形成される。

尚、上記記録用発光部（３０）のＶ溝（２０）と消去用
発光部（３１）のＶ溝（２１）の間、及び消去用発光部
（３１）のＶ溝（２４）と再生用発光部（３２）のＶ溝
（２５）の間は約２０μｍ１１１１れて配置されており
、両端のシングルスドライブとその隣のストライブとの
光学的干渉が無く、夫々独立にレーザ発振を生ずるよう
になっている。

一方、この光学的記録再生装置に組込まれた光記録媒体
（４）は、第３図〜第４図に示すように円形状のガラス
製基板（４０）と、この基板（４０）上において同心円
状に設けられた帯状のＴｅＯｘ製記録ｆｉ（４１）にて
形成された複数のトラック群（４２）〜（４２）と、上
記記録層（４１）側基板（４０）面上に一様に形成され
た保；１層（４３）とでその主要部が構成されており、
上記記録層（４１）、すなわちトラック（４２）の幅寸
法Ｔについては半導体レーザ（１）から照射される各ビ
ームスポットの半値幅（Ω２）［第４図（ｂン及び（ｃ
）参照７以下の５０００オングストロームに、また、そ
の厚み寸法については３００オングストロームに夫々設
定されている。

そして、このように構成された光学的記録再生装置に′
より情報の記録を行うには、上記マルチスポット型半導
体レーザ（１ンを作動させその高出力記録用発光部（３
０）を独立駆動させて行うものである。

すなわち、上記記録用発光部〈３０）を記録信号に対応
させながらパルス的に照射し、円形状の記録用レーザス
ポット（５０）を、ビーム整形プリズム（３）、ビーム
スプリッタ（５）、１／４波長根（６）、対物レンズ（
７）等で構成される光学系を介し第３図及び第６図に示
すように光記録媒体（４）の記録層（４１）形成面へ収
束させて急速加熱、急速冷却処理し、第５図（ａ）〜（
ｂ）に示すように記録！（４１）の照射部位（Ｗ）を結
晶状態（ｃｒ）からアモルファス状態（ａｍ）へと変化
させて情報の記録を行うものである。

また、このようにして記録された情報を再生するには、
マルチスポット型半導体レーザ（１）の低出力再生用発
光部（３２）を独立駆動させ、第７図に示すように円形
状の再生用レーザスポット（５２）を上記光学系を介し
て光記録媒体（４）の記録層（４１）側へ収束させると
共に、この反射レーザ光を四分割ＰＩＮフォトダイオー
ド（８）へ入射させ再生ＲＦ信号を求めて再生するもの
であり、一方、上記記録情報を消去するには、マルチス
ポット型半導体レーザ（１）の低出力消去用発光部（３
１）を独立駆動させ、長円形状の消去用レーザスポット
（５１）を上記光学系を介し、第３図及び第６図に示す
ように光記録媒体（４）の記録層（４１）形成面へ収束
させて比較的ゆっくりとした加熱、冷却処理を施し、記
録層（４１）の照射部位をアモルファス状態（ａｍ）か
ら再結晶化させて消去を行うものである。尚、光学ヘッ
ドのトラッキング制御は、同心円状に形成されたトラッ
ク群（４２）〜（４２）を利用して行なわれている。

そして、この実施例において上記マルチスポット型半導
体レーザ（１）における消去用発光部（３１）の活性領
域はフェーズロックされた長円形レーザ光を出射するマ
ルチストライプ構造になっているため、この消去用発光
部（３１）から出射されるレーザ光は基本横モードで、
かつ、出射ビームの活性層方向の拡がりの小さな照射分
布の極めて安定したものとなっている。

従って、非晶質状態（ａｎｄ）にある記録層（４２）を
結晶質状態（ｃｒ）に変化させて情報を消去する際、第
５図（Ｃ）に示すようにその記録成分を確実に消去する
ことができるため、情報の書換えを行った場合において
、書換え模における記録信号に自換え前の記録信号が混
入することがなく、再生ノイズを著しく低減できる利点
を有している。

また、この実施例においては光記録媒体（４）における
トラック群（４２）〜（４２）の幅寸法Ｔが、上記マル
チスポット型半導体レーザ（１）から照射される各レー
ザスポット（５０）〜（５２）の半値幅（Ω２）以下の
５０００オンゲスト０−ムに設定されており、かつ、互
いに隣接するトラック（４２）〜（４２）間に記録層（
４１）が存在しないため、記録用レーザスポット（５０
）と消去用レーザスポット（５１）の径寸法、すなわち
幅寸法が同一でも、第６図に示すようにトラッキングず
れ等を原因とする記録情報の消残りが確実に防止できる
長所を有しており、また、このために、第８図に示すよ
うに再生信号におけるＣ／Ｎ比が向上する利点を有して
いる（第８図においてαは従来例、βはこの実施例を示
している）。

更に、光源を１のマルチスポット型半導体レーザ（１〉
で構成しているため、２以上の半導体レーザで構成する
ものと較べて部品点数の低減と構成部材の位置合せ操作
の簡略化が図れ、これにより製造コストの低減と組立て
操作の簡便化、並びに装置のコンパクト化が図れる長所
を有している。

Ｏ第二実施例 この実施例に係る光学的記録再生装置は、マルチスポッ
ト型半導体レーザ（１）の構成を除き第一実施例に係る
光学的記録再生装置と路間−である。

すなわち、この装置におけるマルチスポット型半導体レ
ーザ（１）は、第９図に示すようにｎ　−ＧａＡＳ基板
（１ａ）と、この基板（１ａ）上に形成されクラッド層
を構成する厚さ１．５μｍのｎ−Ａｊ　　　　Ｇａ　　
　　Ａｓ層（１ｂ）と、０．８５　　　０．１５ このｎ−Ａｌ　　　　Ｇａ　　　　Ａｓ１ｌ（ｌｂ）上
に０．８５　　　　　０．１５ 形成され活性層を構成する厚さ５ＧＯｎ−のＡＩ　　　
Ｇａ、ｅＡｓ層（１Ｃ）と、０．１ このＡＩ　　　Ｇａ　ｏ、、Ａｓ１ｍ１　（ｌｃ）上に
形成され０．１ クラッド層を構成する厚さ　１．５μｍのｐ−Ａｊ　　
　Ｇａ　　　　Ａｓ１ｉｉ（ｌｄ）と、０．８５　　　
０．１５ このｐ−ＡＩ　　　Ｇａ　　　　Ａｓ層（１ｄ）上に０
．８５　　　０．１５ 形成され４　ｎｌ厚のＧａＡＳ製量子井戸と６０−厚の
ＡＩ　。ａＧ　ａ　ｏ、　ｅＡ　Ｓ製障壁層を含む超格
子層（１ｅ）と、°この超格子層（１ｅ）上に形成され
キャップ層を構成する０−ＧａＡ５ＪＩ　（Ｒ）とでそ
の主要部が構成され、ｎ−ＧａＡＳ基板（１ａ）の背面
側にｎ側電極（１０）が、 一方、上記ｐ−ＧａＡｓ層（１ｆ）上にｎ側電極（１ｈ
）が形成されていると共に、上記クラッド層のｐ−Ａｊ
　　　　Ｇａ　　　　ＡＳＩＩ　（１ｄ）　、超格０．
８５　　　０．１５ 子ＩＩ　（Ｉｅ）　、キｔ”／ブ層のｐ−ＧａＡＳ層（
１ｆ）、及びｐｍｌ′ＩＩｔ極（１ｈ）にはＩ　、　　
Ｉ　、　Ｄ　（Ｉｇ＋ｐｕｒｉｔｙＩｎｄｕｃｅｄ　Ｄ
ｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇ）法により亜鉛が拡散された非電
流領域（１ｊ）〜（１ｔ）と、プロトンが注入されて外
部への電流の漏れを防止するプロトン注入！１（ＩＵ）
〜（１ｘ）が形成され、シングルスドライブ構造の記録
用発光部（２ａ）と、６μｍの間隔を開けて離間配置さ
れたマルチストライプ構造の消去用発光部（２ｂ）と、
シングルスドライブ構造の再生用発光部（２Ｃ）とが形
成されている。

そして、各発光部（２ａ）〜（２ａ）の活性領域におい
ては、上記非％ｉ流領ｔｉｔ！（ｌｊ）〜（１ｔ）間を
通して矢印（２）方向から電流が注入され、活性層であ
るＡ　Ｉ　　　Ｇ　ａ　ｏ、　９Ａ　ｓ層（ＩＣ）中に
レーザ０．１ 発振が生じ、特に、消去用発光部（２ｂ）においては遠
視野における横放射パターンが単一ローブとなる基本ス
ーパーモードで発振し、第一実施例に係るマルチスポッ
ト型半導体レーザと同様に円形状の記録用レーザスポッ
ト（３ａ）、長円形の消去用レーザスポット（３ｂ）、
及び円形状の再生用レーザスポット（３Ｃ）が各々得ら
れるようになっている。

また、消去用発光部（２ｂ）のマルチストライプ構造に
おける各ストライプの間隔が６μｍと近接配置されてい
るため、各ストライブにおける発成光はそのとなりの発
振光と干渉し、それ等の相互の位相は固定（フェーズロ
ック）されて、第一実施例と同様基本横モードで出射ビ
ームの活性層方向の拡がりが小さく、かつ、安定したレ
ーザ光が得られ、光記録媒体面に横幅寸法１５μｍ、縦
幅寸法１．５μｍの消去用レーザスポット（３ｂ）が形
成されるようになっている。

尚、上記記録用発光部（２ａ）と消去用発光部（２ｂ）
の間、及び消去用発光部（２ｂ）と再生用発光部（２Ｃ
）の間は約２０μｍＭれて配置されており、両端のシン
グルスドライブとその隣のストライブとの光学的干渉が
無く、夫々独立にレーザ発成を生ずるようになっている
。

この様に第二実施例に係るマルチスポット型半導体レー
ザ（１）における消去用発光部（２ｂ）の活性領域もフ
ェーズロックされた長円形レーザ光を出射するマルチス
トライブ構造になっているため、この消去用発光部（２
ｂ）から出射されるレーザ光は基本横モードで、かつ、
出射ビームの活性層方向の拡がりの小さな照射分布の極
めて安定したものとなっている。

従って、非晶質状態（ａｍ）にある記録層を結晶質状態
（ｃｒ）に変化させて情報を消去する際その記録成分を
確実に消去することができるため、情報の泪換えを行っ
た場合において、書換え後における記録信号に書換え前
の記録信号が混入することがなく、再生ノイズを著しく
低減できる利点を有している。

尚、光記録媒体については第一実施例において適用され
たちの以外に、例えば、第１０図に示すように表面に同
心円状の粗面領域（６０）が形成された円形状のガラス
製基板（６１）と、この基ｆｆ１（６１）上に一様に設
けられた記録層（６２）と、この記録層（６２）側基板
（６１）面上に一様に設けられた保′：Ｊ層（６３）と
でその主要部が構成され、かつ、記録層（６２）には上
記粗面領域（６０）に基づいて形成された表面粗面部（
６４）により構成される低反射性の非記録部（６５）と
、上記粗面領１ａｄ（６０）間の平滑領域（６６）に基
づいて形成された高反射製の記録トラック（６７）とを
備える記録媒体であってもよく、あるいは、第１１図に
示すようにプリグループ（７０）を有するガラス製基板
（７１）全面に一様に記録層（７２）の形成された従来
の光記録媒体も当然のことながら使用することができる
。

［発明の効果］ 本発明によれば、光源を複数個の発光部を有するマルチ
スポット型半導体レーザで構成し、かつ、消去用発光部
についてはその活性領域がフェーズロックされた長円形
レーザ光を出射するマルチストライプ構造になっている
ため、消去用発光部から出射されるレーザ光は基本横モ
ード発振で、かつ、出射ビームの拡ろがりの小さい安定
したビームになって消去用レーザスポットの形状並びに
その強度が安定する。

従って、非晶質状態にある記録層を結晶質状態に変化さ
せて記録層に形成された情報を消去する際においてその
記録成分を確実に消去することが可能になるため、再度
、記録用レーザスポットを記録層に照射して情報の書換
えを行った場合、囚換え後における記録信号に書換え前
の記録成分が混入することが無く、再生ノイズを低減で
きる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１１図は本発明の実施例を示しており、第１
図は第一実施例に係る光学的記録再生装置の構成斜視図
、第２図はこの装置におけるマルチスポット型半導体レ
ーザの構成説明図、第３図は光記録媒体の断面斜視図、
第４図（ａ）は光記録媒体の部分断面図、第４図（ｂ）
はその部分平面図、第４図（Ｃ）はマルチスポット型半
導体レーザからのレーザスポットの照度分布、第５図（
ａ＞は光記録媒体の拡大平面図、第５図（ｂ）は光記録
媒体における結晶質部位と非晶質部位の反射率を示すグ
ラフ図、第５図（Ｃ）は消去後における非晶質部位の反
射率を示すグラフ図、第６図〜第７図は光記録媒体の部
分拡大平面図、第８図は再生信号におけるキャリア信号
レベルとノイズ信号レベルとの関係を示す関係図、第９
図は第二実施例に係る゛マルチスポット型半導体レーザ
の構成説明図、第１０図〜第１２図は他の実施例に係る
光記録媒体の断面斜視図を夫々示し、また、第１２図〜
第２２図は従来例に係わり、第１２図、及び第１５図〜
第１６図は従来の光学的記録再生装置の構成斜視図、第
１３図は光記録媒体の拡大平面図、第１４図（ａ）〜（
１））は相変化型光記録媒体の記録方法と消去方法を示
す説明図、第１７図、及び第１９図〜第２０図は従来に
おけるマルチスポット型半導体レーザの構成断面図、第
１８図及び第２１図はこれ等マルチスポット型半導体レ
ーザにより得られるレーザスポットの平面図、第２２図
（ａ）は光記録媒体の拡大平面図、第２２図（ｂ）４４
光記録媒体における結晶質部位と非晶質部位の反射率を
示すグラフ図、第２２図（Ｃ）は消去模における非晶質
部位の反射率を示すグラフ図を夫々示している。 【符号説明Ｊ （１）・・・マルチスポット型半導体レーザ（２）・・
・コリメータレンズ （３）・・・ビーム整形プリズム （４）・・・光記録媒体 （５）・・・ビームスプリッタ （６）・・・１７４波長板 （７）・・・対物レンズ （９）・・・シリンドリカルレンズ 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　（外３名
）“５□゛　　　　　　　　　　　　　　　　第１　図
／ Ｙ。 １：マルチスポット型半導体レープ ９：シリンドリ力ルレンズ 第２図 第３図 第４図 ■ □・２１ 匈 第５図 、ｗ 第６図 第７図 第８図 第９図 ２ス 第１０図 第１１図 第１２図 第１５図 第１６図 第２２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 相変化型記録層を備える光記録媒体の所定の収束面に光
   源からの集束光を収束させて光学的に情報の記録、再生
   、若しくは消去を行う光学的記録再生装置において、 上記光源については同一基板に複数個の独立駆動可能な
   発光部を有するマルチスポット型半導体レーザにて構成
   すると共に、 このマルチスポット型半導体レーザの少なくとも消去用
   発光部についてはその活性領域がフェーズロックされた
   長円形レーザ光を出射するマルチストライプ構造になつ
   ていることを特徴とする光学的記録再生装置。