JPS61184735A - マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置 - Google Patents
マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置Info
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- JPS61184735A JPS61184735A JP60023631A JP2363185A JPS61184735A JP S61184735 A JPS61184735 A JP S61184735A JP 60023631 A JP60023631 A JP 60023631A JP 2363185 A JP2363185 A JP 2363185A JP S61184735 A JPS61184735 A JP S61184735A
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- Japan
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- laser
- astigmatism
- grooves
- pickup device
- layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光照射により情報の記録、再生および消去を
行う光情報記録装置に通したマルチビーム型光ピックア
ンプ装置に関する。
行う光情報記録装置に通したマルチビーム型光ピックア
ンプ装置に関する。
光照射により情報の記録を行う媒体として多結晶とアモ
ルファスの間の相変化を利用するものがある。材料とし
てはＴｅ−Ｑ−Ｇａ−５ｎ金属系やＴ ｅ −Ｓ ｅ
−Ｓ ｎ合金系などが挙げられる。これらの材料の特徴
としては、材料に温度変化を与えるとき急速加熱、急速
冷却を行うとアモルファス化し、比較的ゆっくりとした
加熱、冷却を行うと結晶化することである。相が変化す
ると表面の反射率も変化するので、微弱な光を照射する
ことで相の状態を知ることができる。この相変化を用い
ると、情報の記録、再生および消去を行うことができる
。
ルファスの間の相変化を利用するものがある。材料とし
てはＴｅ−Ｑ−Ｇａ−５ｎ金属系やＴ ｅ −Ｓ ｅ
−Ｓ ｎ合金系などが挙げられる。これらの材料の特徴
としては、材料に温度変化を与えるとき急速加熱、急速
冷却を行うとアモルファス化し、比較的ゆっくりとした
加熱、冷却を行うと結晶化することである。相が変化す
ると表面の反射率も変化するので、微弱な光を照射する
ことで相の状態を知ることができる。この相変化を用い
ると、情報の記録、再生および消去を行うことができる
。
光デイスク形状で結晶からアモルファスへ、アモルファ
スから結晶への両方の相変化を１トラック幅内で実現す
る方法として第７図に示すように光ピツクアップ装置か
ら記録媒体６０上へ照射するスポット形状として円形の
スポット６１とトラック方向に長円形のスポット６２の
２種類をトランク６３に形成する方法がある。記録媒体
と光ピツクアップ装置の相対速度が一定であれば、円形
スポット６１で高いパワー照射を行えば記録媒体の急熱
、急冷を、長円形スポット６２で比較的低いパワー照射
で行えば、除熱、徐冷を行うことができる。円形スポッ
ト６１により情報ピントの形成と、長円形スポット６２
により消去を行えば、１トラック幅ごとに情報の記録、
消去を実現することができる。
スから結晶への両方の相変化を１トラック幅内で実現す
る方法として第７図に示すように光ピツクアップ装置か
ら記録媒体６０上へ照射するスポット形状として円形の
スポット６１とトラック方向に長円形のスポット６２の
２種類をトランク６３に形成する方法がある。記録媒体
と光ピツクアップ装置の相対速度が一定であれば、円形
スポット６１で高いパワー照射を行えば記録媒体の急熱
、急冷を、長円形スポット６２で比較的低いパワー照射
で行えば、除熱、徐冷を行うことができる。円形スポッ
ト６１により情報ピントの形成と、長円形スポット６２
により消去を行えば、１トラック幅ごとに情報の記録、
消去を実現することができる。
このような２種類のスポットを異なる光ピツクアップ装
置で形成するのは装置全体が煩雑になるため、同一光ビ
ックアップ装置で２種のスポットを形成できることが望
ましい。
置で形成するのは装置全体が煩雑になるため、同一光ビ
ックアップ装置で２種のスポットを形成できることが望
ましい。
２種の異なるスポットを形成する光ピツクアップ装置の
構成方法として例えば２つの波長の異なる半導体レーザ
を用いて一方の光学系にシリンドリカルレンズ等を挿入
することで長円形スポットを形成する方法がある。第８
図にこの方法を用いたピックアップ装置を示す。図にお
いて、７１゜７２は波長の異なる半導体レーザ、７３．
７４はコリメートレンズ、７５はシリンドリカルレンズ
、７６は偏光ビームスプリフタ、７７．７８はＡ波長板
、７９は集光レンズ、８０は波長フィルタ、８１は検出
光学系、６０は記録媒体である。このピックアップ装置
は、記録媒体６０上における２つのスポットの位置関係
が光学系の機械的安定性に依存するため、温度変化など
に対して不安定であり、また光学系も複雑であるという
欠点がある。
構成方法として例えば２つの波長の異なる半導体レーザ
を用いて一方の光学系にシリンドリカルレンズ等を挿入
することで長円形スポットを形成する方法がある。第８
図にこの方法を用いたピックアップ装置を示す。図にお
いて、７１゜７２は波長の異なる半導体レーザ、７３．
７４はコリメートレンズ、７５はシリンドリカルレンズ
、７６は偏光ビームスプリフタ、７７．７８はＡ波長板
、７９は集光レンズ、８０は波長フィルタ、８１は検出
光学系、６０は記録媒体である。このピックアップ装置
は、記録媒体６０上における２つのスポットの位置関係
が光学系の機械的安定性に依存するため、温度変化など
に対して不安定であり、また光学系も複雑であるという
欠点がある。
２種の異なるスポットを形成する光ピツクアップ装置の
他の構成方法として、コリメート光中にＡＯ変調器を挿
入し、ＡＯ変調器に複数の周波数成分を与えて長円形ス
ポットを形成する方法も提案されている。しかし、この
方法による光ピツクアップ装置においても光学系の複雑
化は避けられない。
他の構成方法として、コリメート光中にＡＯ変調器を挿
入し、ＡＯ変調器に複数の周波数成分を与えて長円形ス
ポットを形成する方法も提案されている。しかし、この
方法による光ピツクアップ装置においても光学系の複雑
化は避けられない。
本発明の目的は上記のような光学系の複雑化を必要とせ
ずに、２種の異なるスポットを形成することができるマ
ルチビーム型光ピックアンプ装置を提供することにある
。
ずに、２種の異なるスポットを形成することができるマ
ルチビーム型光ピックアンプ装置を提供することにある
。
本発明マルチビーム型光ピックアップ装置は、複数の発
光点を有する光源と、光検出器と、前記光源からの出射
光を記録媒体に微小スポットとして照射し、記録媒体か
らの情報を含む光を前記光検出器に導く光学系とを備え
るマルチビーム型光ピックアップ装置であって、前記光
源が、同一基板上で複数の発光点を有し、少なくとも１
つの発光点の非点収差が他の発光点の非点収差より大で
あり、かつ各発光点が独立に駆動できるように形成され
た半導体レーザであることを特徴としている。
光点を有する光源と、光検出器と、前記光源からの出射
光を記録媒体に微小スポットとして照射し、記録媒体か
らの情報を含む光を前記光検出器に導く光学系とを備え
るマルチビーム型光ピックアップ装置であって、前記光
源が、同一基板上で複数の発光点を有し、少なくとも１
つの発光点の非点収差が他の発光点の非点収差より大で
あり、かつ各発光点が独立に駆動できるように形成され
た半導体レーザであることを特徴としている。
本発明によれば、半導体レーザが、基板平面方向に屈折
率変化を与えるための導波構造を有するレーザを同一基
板上に複数有し、少なくとも１つ。
率変化を与えるための導波構造を有するレーザを同一基
板上に複数有し、少なくとも１つ。
のレーザの導波構造の幅が他のレーザの導波構造の幅と
異なるようにするのが好適である。
異なるようにするのが好適である。
また、本発明によれば、半導体レーザが、少なくとも１
つの屈折率導波型レーザと、少なくとも１つの利得導波
型レーザとを同一基板上に有するようにするのが好適で
あるヶ 〔実施例〕 第１図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の光ピツクアップ
装置の一実施例に光源として用いられる半導体レーザの
一例をそれぞれ示す。これら半導体レーザは基板に導波
用の溝構造を有する内部スイライブ型レーザである。一
般に内部ストライプ型のレーザはストライブを形成する
溝幅と活性層と溝との間隔によって非点収差量をコント
ロールすることができる。非点収差は数μｍ以下から数
１０μｍまで変化させることができる。このときの収差
は活性層に平行方向で発生する。垂直方向は溝幅によら
ずほとんど収差はない。
つの屈折率導波型レーザと、少なくとも１つの利得導波
型レーザとを同一基板上に有するようにするのが好適で
あるヶ 〔実施例〕 第１図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の光ピツクアップ
装置の一実施例に光源として用いられる半導体レーザの
一例をそれぞれ示す。これら半導体レーザは基板に導波
用の溝構造を有する内部スイライブ型レーザである。一
般に内部ストライプ型のレーザはストライブを形成する
溝幅と活性層と溝との間隔によって非点収差量をコント
ロールすることができる。非点収差は数μｍ以下から数
１０μｍまで変化させることができる。このときの収差
は活性層に平行方向で発生する。垂直方向は溝幅によら
ずほとんど収差はない。
第１図（ａ）、 （ｂ）の半導体レーザは、２つの非
点収差の異なる発光点を有するものであり、このような
構造の半導体レーザは、従来のレーザ製作技術を用いて
容易に製作することができる。
点収差の異なる発光点を有するものであり、このような
構造の半導体レーザは、従来のレーザ製作技術を用いて
容易に製作することができる。
ます液相結晶成長法により、ｐ−ＧａＡｓ基板１上にｎ
−Ｑａ、Ａｓ層２を形成する。次に化学エツチングなど
により所望の寸法の内部スイライブ用ｉＪ！１１．１２
．１３．１４を形成する。再び液相結晶成長法によって
ｐ Ａ Ｉｔ （１４Ｇ ａ Ｏ，ｇ Ａ ５層３、
Ａ Ｉｔ ０４ Ｇ ａ Ｏ，９Ａ Ｓ活性層４、ｎ
−Ａ ｌ Ｏ，４Ｇ ａ Ｏ，６ＡＳ層５、ｎ−ＧａＡ
ｓ層６を順次形成する。ｎ側電極７、ｐ側電極８を形成
したのち、化学エツチングや反応性イオンエツチングな
どによって各レーザ素子間に溝９を設けて分離する。こ
れで２つの発光点が電気的に分離され独立に駆動するこ
とが可能になる。内部ストライプ用溝の幅は、内部スト
ライプ用溝１１．１３を有するレーザの発光点に非点収
差をほとんど有さす、内部ストライプ用溝１２，１４を
有するレーザの発光点に非点収差を有するように選定さ
れる。
−Ｑａ、Ａｓ層２を形成する。次に化学エツチングなど
により所望の寸法の内部スイライブ用ｉＪ！１１．１２
．１３．１４を形成する。再び液相結晶成長法によって
ｐ Ａ Ｉｔ （１４Ｇ ａ Ｏ，ｇ Ａ ５層３、
Ａ Ｉｔ ０４ Ｇ ａ Ｏ，９Ａ Ｓ活性層４、ｎ
−Ａ ｌ Ｏ，４Ｇ ａ Ｏ，６ＡＳ層５、ｎ−ＧａＡ
ｓ層６を順次形成する。ｎ側電極７、ｐ側電極８を形成
したのち、化学エツチングや反応性イオンエツチングな
どによって各レーザ素子間に溝９を設けて分離する。こ
れで２つの発光点が電気的に分離され独立に駆動するこ
とが可能になる。内部ストライプ用溝の幅は、内部スト
ライプ用溝１１．１３を有するレーザの発光点に非点収
差をほとんど有さす、内部ストライプ用溝１２，１４を
有するレーザの発光点に非点収差を有するように選定さ
れる。
このような半導体レーザを光源として有する光学系を第
２図に示す。光学系は従来のＤＲＡＷ光ディスク用の光
ピツクアップとほぼ同じ系で構成できる。図において、
２１はレーザ光源、２２はコリメートレンズ、２３は偏
光ビームスプリフタ、２４はＡ波長板、２５は集光レン
ズ、２６は検出光学系、２７は記録媒体である。
２図に示す。光学系は従来のＤＲＡＷ光ディスク用の光
ピツクアップとほぼ同じ系で構成できる。図において、
２１はレーザ光源、２２はコリメートレンズ、２３は偏
光ビームスプリフタ、２４はＡ波長板、２５は集光レン
ズ、２６は検出光学系、２７は記録媒体である。
レーザ光源２１からの出射光はコリメートレンズ２２．
偏光ビームスプリンタ２３．×波長板２４を介して、集
光レンズ２５で記録媒体２７上に集光される。光源に第
１図のレーザを用いているので、記録媒体２７上には第
７図に示したようなスポットが形成される。円形スポッ
ト６１は第１図のレーザの非点収差のない発光点からの
出射光によるものであり、長円形のスポット６２は非点
収差のある発光点からの出射光によるものである。
偏光ビームスプリンタ２３．×波長板２４を介して、集
光レンズ２５で記録媒体２７上に集光される。光源に第
１図のレーザを用いているので、記録媒体２７上には第
７図に示したようなスポットが形成される。円形スポッ
ト６１は第１図のレーザの非点収差のない発光点からの
出射光によるものであり、長円形のスポット６２は非点
収差のある発光点からの出射光によるものである。
このように非点収差のない発光点からの出射光はほぼ円
形のスポットに集光されるが、非点収差のある発光点は
集光されたスポットが収差のある方向に拡大するため、
活性層に平行方向に長い長円形のスポットとなる。さら
に、電流注入される活性層の幅が同程度であっても非点
収差があれば長円形に、非点収差がなければ円形のスポ
ットを形成できる。
形のスポットに集光されるが、非点収差のある発光点は
集光されたスポットが収差のある方向に拡大するため、
活性層に平行方向に長い長円形のスポットとなる。さら
に、電流注入される活性層の幅が同程度であっても非点
収差があれば長円形に、非点収差がなければ円形のスポ
ットを形成できる。
記録媒体２７からの反射光は２波長板２４で偏光回転を
受けるので、偏光ビームスプリフタ２３で反射され検出
光学系２６に導かれる。検出光学系２６において、フォ
ーカスエラー、トラックエラーの検出や再生信号の検出
が行われる。エラー検出は従来の光ピツクアップ装置で
用いられているナイフェツジ法やファーフィールド法を
用いることができる。ただし反射光は複数のビームより
形成されているので一度レンズで結像してピンホールや
スリットで必要ビームのみを分離するなどの工夫が必要
となる。
受けるので、偏光ビームスプリフタ２３で反射され検出
光学系２６に導かれる。検出光学系２６において、フォ
ーカスエラー、トラックエラーの検出や再生信号の検出
が行われる。エラー検出は従来の光ピツクアップ装置で
用いられているナイフェツジ法やファーフィールド法を
用いることができる。ただし反射光は複数のビームより
形成されているので一度レンズで結像してピンホールや
スリットで必要ビームのみを分離するなどの工夫が必要
となる。
できる。円形スポット６１は情報の記録、再生に、長円
形スポット６２は消去に用いる。これらスポットの使用
法としては、消去直後の記録や再生した直後の消去など
が考えられる。
形スポット６２は消去に用いる。これらスポットの使用
法としては、消去直後の記録や再生した直後の消去など
が考えられる。
第３図は光学系の他の例を示す図であり、集光効率を高
めるためビーム整形プリズム３０を用いたような光学系
においても２つの発光点からの収差の差は保存されるた
め円形と長円形のスポットを形成することが可能である
。なお、図において第２図と同一の要素には同一の番号
を付して示している。
めるためビーム整形プリズム３０を用いたような光学系
においても２つの発光点からの収差の差は保存されるた
め円形と長円形のスポットを形成することが可能である
。なお、図において第２図と同一の要素には同一の番号
を付して示している。
第２図および第３図において示した光学系は、情報を含
む光として記録媒体からの反射光を用いているが、記録
媒体の透過光を用いる構造であってもよいことは明らか
である。
む光として記録媒体からの反射光を用いているが、記録
媒体の透過光を用いる構造であってもよいことは明らか
である。
第４図（ａ）、 （ｂ）は、光源として用いられる半
導体レーザであって非点収差を変化させることのできる
他の例を示す。第４図（ａ）の半導体レーザは、埋込み
型の屈折率導波型レーザと狭ストライプ型の利得導波型
のレーザとを同一の基板上に作成したものであり、第４
図（ｂ）の半導体レーザは内部ストライプ型の屈折率導
波型レーザと狭ストライプ型の利得導波型のレーザとを
同一の基板上に作成したものである。利得導波型レーザ
では１０１１ｍ程度の非点収差を容易に得ることができ
る。
導体レーザであって非点収差を変化させることのできる
他の例を示す。第４図（ａ）の半導体レーザは、埋込み
型の屈折率導波型レーザと狭ストライプ型の利得導波型
のレーザとを同一の基板上に作成したものであり、第４
図（ｂ）の半導体レーザは内部ストライプ型の屈折率導
波型レーザと狭ストライプ型の利得導波型のレーザとを
同一の基板上に作成したものである。利得導波型レーザ
では１０１１ｍ程度の非点収差を容易に得ることができ
る。
なお、第４図（ａ）において、１０１はｎ−ＧａＡｓ基
板、１０２はｎ Ａ Ｉｔ （１４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ
３層、１０３はｎ Ａ Ｉｌ Ｏ，３Ｇ ａ １）
、７ Ａ ｓ層、１０４は／１０．１ Ｇ ａ １）、
５１ Ａ Ｓ活性層、１０５はｐＡ １ ｏ、ａ Ｇ
ａ （１４Ａｓ層、１０６はｐ −Ａ ｌ （１４Ｇ
ａ Ｏ，６Ａ ３層、１０７はｐ−ＧａＡｓ層、１０８
は５ｉ０２層、１０９はＩ） Ａ’ａ４ｃａ０．６．
Ａｓ層、１１０はｐ−ＡＪＯ，３Ｇ ａ ｏ、７ Ａ
ｓ層、１１１はｎ Ａ １２ （１４Ｇ ａ □、６
Ａ １１層、１１２はＺｎ拡散領域、１１３はｐ側電
極、１１４はｎ側電極である。
板、１０２はｎ Ａ Ｉｔ （１４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ
３層、１０３はｎ Ａ Ｉｌ Ｏ，３Ｇ ａ １）
、７ Ａ ｓ層、１０４は／１０．１ Ｇ ａ １）、
５１ Ａ Ｓ活性層、１０５はｐＡ １ ｏ、ａ Ｇ
ａ （１４Ａｓ層、１０６はｐ −Ａ ｌ （１４Ｇ
ａ Ｏ，６Ａ ３層、１０７はｐ−ＧａＡｓ層、１０８
は５ｉ０２層、１０９はＩ） Ａ’ａ４ｃａ０．６．
Ａｓ層、１１０はｐ−ＡＪＯ，３Ｇ ａ ｏ、７ Ａ
ｓ層、１１１はｎ Ａ １２ （１４Ｇ ａ □、６
Ａ １１層、１１２はＺｎ拡散領域、１１３はｐ側電
極、１１４はｎ側電極である。
また、第４図（ｂ）の半導体レーザは、液相結晶成長法
により製作できる。この構造の場合は、ｎ−ＧａＡｓ基
板１２１に溝１３０を形成した後、ｎ Ａ ４１ （
Ｌ４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ３層１２２、Ａ Ｉｌ ｏ、＋
Ｇ ａ ｏ、ｓＡＳ活性層１２３、ｐ Ａ Ｉｌ （
１４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ５層１２４、ｐ−ＧａＡｓ層１
２５を液相成長で形成する。次にスパッタで５ｉ０２層
１２６を形成し、エツチングでパターン化した後、Ｚｎ
拡散を行い拡散領域を形成する。ｎ側電極１２８、ｎ側
電極１２９を形成した後、エツチングで溝を形成しレー
ザ間を分離する。これにより各レーザの独立駆動が可能
となる。基板に溝があるときは屈折率導波型に、溝がな
いときは利得導波型になる。
により製作できる。この構造の場合は、ｎ−ＧａＡｓ基
板１２１に溝１３０を形成した後、ｎ Ａ ４１ （
Ｌ４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ３層１２２、Ａ Ｉｌ ｏ、＋
Ｇ ａ ｏ、ｓＡＳ活性層１２３、ｐ Ａ Ｉｌ （
１４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ５層１２４、ｐ−ＧａＡｓ層１
２５を液相成長で形成する。次にスパッタで５ｉ０２層
１２６を形成し、エツチングでパターン化した後、Ｚｎ
拡散を行い拡散領域を形成する。ｎ側電極１２８、ｎ側
電極１２９を形成した後、エツチングで溝を形成しレー
ザ間を分離する。これにより各レーザの独立駆動が可能
となる。基板に溝があるときは屈折率導波型に、溝がな
いときは利得導波型になる。
第５図は、光源として用いられる半導体レーザのさらに
他の例を示す、この半導体レーザは、第１図（ａ）の半
導体レーザが２つの発光点を有するのに対して３つの発
光点を有するようにしたものであり、内部ストライプ用
溝４１，４２．４３が形成されている。内部ストライプ
用溝の幅は、溝４１．４３を有するレーザの発光点に非
点収差をほとんど有さず、溝４２を有するレーザの発光
点に非点収差を有するように選定されている。なお、そ
の他の構造は、第１図（ａ）の半導体レーザと同じであ
るから、第１図（ａ）と同じ要素には同一の番号を付し
て示す。
他の例を示す、この半導体レーザは、第１図（ａ）の半
導体レーザが２つの発光点を有するのに対して３つの発
光点を有するようにしたものであり、内部ストライプ用
溝４１，４２．４３が形成されている。内部ストライプ
用溝の幅は、溝４１．４３を有するレーザの発光点に非
点収差をほとんど有さず、溝４２を有するレーザの発光
点に非点収差を有するように選定されている。なお、そ
の他の構造は、第１図（ａ）の半導体レーザと同じであ
るから、第１図（ａ）と同じ要素には同一の番号を付し
て示す。
このような半導体レーザを用いれば、谷溝４１゜４２．
４３上の活性層からの出射光は第６図（ａ）に示すよう
に円形ビームスポット５１．長円形ビームスポット５２
９円形ビームスポット５３のように記録媒体上に集光す
ることができる。記録媒体に対してスポットが矢印の方
向に移動している場合には、スポット５１で記録媒体の
状態をチェックし、スポット５２で消去し、スポット５
３で新しい情報を記録することができる。半導体レーザ
の構造を変えれば第６図（ｂ）に示すようなスポットを
形成することも可能であり、長円形スポット５４で消去
した後、円形スポット５５で記録し、円形スポット５６
で記録状態をチェックするという機能を実現することも
できる。
４３上の活性層からの出射光は第６図（ａ）に示すよう
に円形ビームスポット５１．長円形ビームスポット５２
９円形ビームスポット５３のように記録媒体上に集光す
ることができる。記録媒体に対してスポットが矢印の方
向に移動している場合には、スポット５１で記録媒体の
状態をチェックし、スポット５２で消去し、スポット５
３で新しい情報を記録することができる。半導体レーザ
の構造を変えれば第６図（ｂ）に示すようなスポットを
形成することも可能であり、長円形スポット５４で消去
した後、円形スポット５５で記録し、円形スポット５６
で記録状態をチェックするという機能を実現することも
できる。
以上本発明の詳細な説明したが、本発明はこれら実施例
に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変
形、変更が可能なことは勿論である。
に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変
形、変更が可能なことは勿論である。
以上説明したように、本発明のマルチビーム型光ピック
アップ装置によれば、複雑で不安定な光学系を用いるこ
となく、異なる形状のビームスポットを記録媒体上に形
成することができる。
アップ装置によれば、複雑で不安定な光学系を用いるこ
となく、異なる形状のビームスポットを記録媒体上に形
成することができる。
第１図は本発明の一実施例に用いる半導体レーザの構成
を示す図、 第２図は本発明の一実施例における光学系の一例を示す
図、 第３図は光学系の他の例を示す図、 第４図および第５図は半導体レーザの他の例を示す図、 第６図および第７図はビームスポット形状を示す図、 第８図は従来技術による光ピツクアップ装置を示す図で
ある。 １・・・・・ｐ−ＧａＡｓ基板 ２・−・・ｎ−ＧａＡｓ層 ３・・・・・ｐ−Ａｌα４Ｇａｏ、６ＡＳ層４・・・・
・Ａｌｏ、ＩＧａｏ、９活性層５・・・・・ｎ−ＡＩＬ
１４Ｇａｏ６ＡＳ層６・・・・・ｎ−ＧａＡｓ層 ７・・・・・ｎ側電極 ８・・・・・ｐ側電極 １１〜１４・内部ストライプ用溝 ２１・・・・光源 ２２・・・・コリメートレンズ ２３・・・・偏光ビームスプリッタ ２４・・・・Ａ波長板 ２５・・・・集光レンズ ２６・・・・検出光学系 ２７・・・・記録媒体 ３０・・・・整形プリズム ５１．５３．５４．５６・・円形スポット５２．５４・
長円形スポット
を示す図、 第２図は本発明の一実施例における光学系の一例を示す
図、 第３図は光学系の他の例を示す図、 第４図および第５図は半導体レーザの他の例を示す図、 第６図および第７図はビームスポット形状を示す図、 第８図は従来技術による光ピツクアップ装置を示す図で
ある。 １・・・・・ｐ−ＧａＡｓ基板 ２・−・・ｎ−ＧａＡｓ層 ３・・・・・ｐ−Ａｌα４Ｇａｏ、６ＡＳ層４・・・・
・Ａｌｏ、ＩＧａｏ、９活性層５・・・・・ｎ−ＡＩＬ
１４Ｇａｏ６ＡＳ層６・・・・・ｎ−ＧａＡｓ層 ７・・・・・ｎ側電極 ８・・・・・ｐ側電極 １１〜１４・内部ストライプ用溝 ２１・・・・光源 ２２・・・・コリメートレンズ ２３・・・・偏光ビームスプリッタ ２４・・・・Ａ波長板 ２５・・・・集光レンズ ２６・・・・検出光学系 ２７・・・・記録媒体 ３０・・・・整形プリズム ５１．５３．５４．５６・・円形スポット５２．５４・
長円形スポット
Claims (3)
- （１）複数の発光点を有する光源と、光検出器と、前記
光源からの出射光を記録媒体に微小スポットとして照射
し、記録媒体からの情報を含む光を前記光検出器に導く
光学系とを備えるマルチビーム型光ピックアップ装置で
あって、前記光源が、同一基板上で複数の発光点を有し
、少なくとも１つの発光点の非点収差が他の発光点の非
点収差より大であり、かつ各発光点が独立に駆動できる
ように形成された半導体レーザであることを特徴とする
マルチビーム型光ピックアップ装置。 - （２）前記半導体レーザが、基板平面方向に屈折率変化
を与えるための導波構造を有するレーザを同一基板上に
複数有し、少なくとも１つのレーザの導波構造の幅が他
のレーザの導波構造の幅と異なることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載のマルチビーム型光ピックアッ
プ装置。 - （３）前記半導体レーザが、少なくとも１つの屈折率導
波型レーザと、少なくとも１つの利得導波型レーザとを
同一基板上に有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のマルチビーム型光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023631A JPS61184735A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023631A JPS61184735A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184735A true JPS61184735A (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=12115932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023631A Pending JPS61184735A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61184735A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63130917U (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 | ||
| JPS6443821A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-16 | Seiko Epson Corp | Optical pick-up |
| JPH02134735A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Canon Inc | 光ヘッド |
| JPH1064103A (ja) * | 1996-05-29 | 1998-03-06 | Samsung Electron Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| JP2003031904A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Sony Corp | 半導体レーザー装置の製造方法 |
| US6912192B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser unit and optical head device |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60023631A patent/JPS61184735A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63130917U (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 | ||
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| JP2003031904A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Sony Corp | 半導体レーザー装置の製造方法 |
| JP4656362B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 半導体レーザー装置の製造方法 |
| US6912192B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser unit and optical head device |
| US7266072B2 (en) | 2002-05-28 | 2007-09-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser unit and optical head device |
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