JP4656362B2

JP4656362B2 - 半導体レーザー装置の製造方法

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Publication number: JP4656362B2
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Inventors: 望星
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Filing date: 2001-07-16
Publication date: 2011-03-23
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ゲインガイド構造の半導体レーザーとインデックスガイド構造の半導体レーザーとを共通の半導体基板上に設けた半導体レーザー装置を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報記録媒体であるＣＤ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｋ）やＤＶＤ（ＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｋ）などの光ディスクに記録された情報は、光ディスク表面に半導体レーザーによりレーザー光を照射し、その反射光をフォトダイオードなどにより受光して電気信号を生成することで再生される。
【０００３】
上記レーザー光の照射に用いる半導体レーザーにはゲインガイド構造を有するものとインデックスガイド構造を有するものとが存在し、それぞれ長所短所を持っている。上述のように半導体レーザーにより光ディスクに照射され、そして光ディスクで反射したレーザー光は、フォトダイオードなどの受光素子に入射するだけでなく半導体レーザー自身にも入射し、その結果、いわゆる戻り光ノイズが発生する。この戻り光ノイズの抑制には、半導体レーザーをゲインガイド構造とすることが有効である。しかし発光効率の点では、電流閉じ込め効率や光閉じ込め効率が高いインデックスガイド構造が優れている。
【０００４】
また、ＣＤとＤＶＤとでは情報再生に使用するレーザー光の波長が異なり、ＣＤには７５０〜８９０ｎｍ程度の波長が用いられ、一方、ＤＶＤには６３０〜６９０ｎｍ程度の波長が用いられる。したがって、利便性を高めるべくＣＤとＤＶＤの両方の媒体から情報を再生できるようにした光ディスク装置では、これら２種類の波長のレーザー光を発生させるために２種類の半導体レーザーを備える必要がある。そして、ＣＤの再生には、戻り光ノイズの抑制を優先してゲインガイド構造の半導体レーザーが用いられ、一方、ＤＶＤの再生には、素子寿命の観点からゲインガイド構造の採用は難しいことからインデックスガイド構造の半導体レーザーが用いられる。ＤＶＤの再生にインデックスガイド構造の半導体レーザーを用いた場合、戻り光ノイズの点で不利となるが、この問題は電流ブロック層の光吸収作用による過飽和吸収域の形成により発振モードをパルセーション化させることで回避することができる。
【０００５】
これら波長の異なる２つの半導体レーザーを用いた場合、半導体レーザーの間隔、したがって発光点の間隔が正確に設定される必要がある。上述のように反射光の受光にはフォトダイオードなどの受光素子が用いられ、そして、受光素子は各半導体レーザーごとに設けて、２つの半導体レーザーの間隔に対応した間隔で配置される。そのため、上記発光点間隔が不正確な場合には、反射光が受光素子に正しく入射せず、受光感度の低下などを招いてしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
２つの半導体レーザーの発光点間隔を正確に設定するためには、各半導体レーザーを異なるチップに個別に形成して各チップを隣接配置する構成とするより、共通の半導体基板上に構造の異なる２つの半導体レーザーを形成する方が有利である。
さらに、構造の異なる半導体レーザーを共通の半導体基板上に形成する場合でも、各半導体レーザーをそれぞれ異なるマスクを用いて個別に形成するより、共通のマスクを用いて形成する方が、マスクのずれの問題がなく、２つの半導体レーザーをより高い位置精度で配置することができる。
【０００７】
そこで本発明の目的は、構造の異なる２つの半導体レーザーを共通のマスクを用いて形成することにより、２つの半導体レーザーの発光点間隔の精度向上を実現する半導体レーザー装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、ゲインガイド構造を有する第１の半導体レーザーとインデックスガイド構造を有する第２の半導体レーザーとを共通の半導体基板上に並設した半導体レーザー装置を製造する方法であって、前記半導体基板上に、前記第１の半導体レーザーを構成する、活性層をクラッド層により挟んだ第１の積層構造体をアイランド状に形成し、前記半導体基板の表面全体に、前記第２の半導体レーザーを構成するための第１のクラッド層、活性層、ならびに第２のクラッド層を順次、積層して第２の積層構造体を形成し、前記第１の積層構造体上で、少なくとも前記第１のクラッド層の下側部分を含む前記第２の積層構造体の部分層を残して、前記第２の積層構造体の上側部分を除去し、前記半導体基板の表面全体に、酸化膜を形成し、単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィーにより、前記第１の積層構造体上の前記第２の積層構造体の前記部分層の上、および前記半導体基板上の前記第２の半導体レーザー形成箇所に形成した前記第２の積層構造体の上においてそれぞれ前記酸化膜をストライプ状にパターン化し、前記第２の半導体レーザー形成箇所の前記第２のクラッド層表面を、前記酸化膜をマスクとしてエッチングし、前記半導体基板の表面全体に、前記第２の半導体レーザーを構成する電流ブロック層の材料をＭＯＣＶＤ法により堆積させ、前記第１の積層構造体上から前記電流ブロック層の材料および前記第２の積層構造体の前記部分層を、前記酸化膜をマスクとして除去し、前記第１の積層構造体の表面部に、前記酸化膜および前記酸化膜下の前記第２の積層構造体の前記部分層をマスクとしてイオン注入を行い絶縁層を形成することを特徴とする。
【０００９】
上記ゲインガイド構造の半導体レーザーでは、製造途中に第１の積層構造体上に形成されたストライプ状酸化膜下の位置で活性層が発光し、上記インデックスガイド構造の半導体レーザーでは、第２のクラッド層上に形成されたストライプ状酸化膜下の位置で活性層が発光する。したがって、２つの半導体レーザーの発光点間隔は、上記ストライプ状酸化膜の間隔で決まる。そして、本発明では、酸化膜は単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィーによってパターン化するので、上記発光点間隔はきわめて高い精度で設定される。
【００１０】
また、本発明では、上述のように第１の積層構造体上に形成された第２の積層構造体は、少なくとも第１のクラッド層の下側部分を含む部分層を、後にイオン注入時のマスクとして使用すべく残す。そして、この第１のクラッド層は、第２の半導体レーザーの電流ブロック層の材料を堆積させるＭＯＣＶＤを行っても、その熱により変質することはない。よって、第２の積層構造体の上記部分層をマスクとしてイオン注入を行い第１の半導体レーザーを構成する上記絶縁層を形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図１の（Ａ）ないし（Ｅ）は本発明による半導体レーザー装置の製造方法の一例における各工程を示す断面側面図、図２の（Ａ）ないし（Ｅ）は図１の（Ｅ）の工程に続く各工程を示す断面側面図である。
本実施の形態例では、一例としてＣＤから情報を再生するための、ゲインガイド構造を有する第１の半導体レーザーと、ＤＶＤから情報を再生するための、インデックスガイド構造を有する第２の半導体レーザーとを同一半導体基板上に隣接して形成するものとする。第１の半導体レーザーが発生するレーザー光の波長は７５０〜８９０ｎｍ程度であり、第２の半導体レーザーが発生するレーザー光の波長は６３０〜６９０ｎｍ程度であある。本実施の形態例では半導体基板上に多数の第１および第２の半導体レーザーを形成するが、図１および図２はその内の１つの半導体レーザー装置を構成する一組の第１および第２の半導体レーザーの箇所を示している。
【００１２】
まず、図１の（Ａ）に示したように、ＧａＡｓから成る半導体基板２の上に、いずれもＡｌＧａＡｓから成るｎ型クラッド層４、活性層６、ならびにｐ型クラッド層８を順番に形成し、さらにその上にＧａＡｓから成るキャップ層１０を形成する。そして周知のフォトリソグラフィーによりアイランド状にパターン化して第１の半導体レーザーを構成する第１の積層構造体１２を得る。
【００１３】
次に、図１の（Ｂ）に示したように、第１の積層構造体１２に隣接する箇所に第２の半導体レーザーを形成すべく、半導体基板２の表面全体に、ＧａＩｎＰから成るｎ型バッファー層１４、ＧａＩｎＰから成るｎ型クラッド層１６、ＧａＩｎＰウェルおよびＡｌＧａＩｎＰバリアから成る活性層１８、ＧａＩｎＰから成るｐ型クラッド層２０、ＧａＩｎＰから成るｐ型中間層２４、ならびにＧａＡｓから成るキャップ層２２をこの順番で積層して第２の積層構造体２６を形成する。
【００１４】
なお、第１および第２の積層構造体１２、２６の各層は、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により形成することができる。ＭＯＣＶＤ法を用いることで、半導体基板２上の広い範囲において均一な厚みで制御性良く成膜できるとともに、結晶組成の均一性を確保でき、さらには急峻なヘテロ界面を形成することができる。
【００１５】
つづいて、図１の（Ｃ）に示したように、第１の積層構造体１２の隣接箇所に形成された第２の積層構造体２６の表面をフォトレジスト層２８により覆い、これをマスクとするエッチングを行って、第１の積層構造体１２上で、少なくともｎ型クラッド層１６の下側部分を含む第２の積層構造体２６の部分層を残して、第２の積層構造体２６の上側部分を除去する。本実施の形態例では、一例として、活性層１８でエッチングを停止させ、活性層１８より上側のキャップ層２２、ｐ型中間層２４、ならびにｐ型クラッド層２０を除去し、ｎ型クラッド層１６および活性層１８を上記部分層として残す。
【００１６】
このエッチングでは、たとえばＨ３ＰＯ４；Ｈ２Ｏ２；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントによりキャップ層２２を除去し、たとえばＨＣｌ；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントによりｐ型中間層２４を除去し、たとえばＨ２ＳＯ４；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントによりｐ型クラッド層２０を除去する。
【００１７】
次に、図１の（Ｄ）に示したように、ＣＶＤ法によって表面全体に酸化膜３０（ＳｉＯ２）を２００ｎｍ〜３００ｎｍの厚さに堆積させ、さらに、その上にレジスト層を形成した後、単一の露光マスクを用いた露光、および、その後の現像によりフォトレジスト層をパターン化して、第１の積層構造体１２上の酸化膜３０の上、および第１の積層構造体１２に隣接する、第２の半導体レーザー形成箇所における第２の積層構造体２６上の酸化膜３０の上にそれぞれストライプ状のフォトレジスト層３２、３４を形成する。ここで、フォトレジスト層３２、３４は紙面に直交する方向にストライプ状に延在している。
その後、これらのフォトレジスト層３２、３４をマスクとし、フッ化アンモニウムを用い酸化膜３０をエッチングして、図１の（Ｅ）に示したように、ストライプ状のフォトレジスト層３２、３４のパターンを酸化膜３０に転写し、ストライプ状の酸化膜３６、３８を形成する。
【００１８】
つづいて、図２の（Ａ）に示したように、第１の積層構造体１２上の活性層１８および酸化膜３６をフォトレジスト層４０により覆った上で、第２の半導体レーザー形成箇所における第２の積層構造体２６の、キャップ層２２、ｐ型中間層２４、ならびにｐ型クラッド層２０の上層部を、酸化膜３８をマスクとするエッチングにより除去する。これにより酸化膜３８の下部に、ｐ型クラッド層８の一部によるストライプリッジ４２が形成される。
【００１９】
このエッチングでは、たとえばＨ３ＰＯ４；Ｈ２Ｏ２；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントによりキャップ層２２を除去し、たとえばＨＣｌ；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントによりｐ型中間層２４を除去し、たとえばＨ２ＳＯ４；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントによりｐ型クラッド層２０を所定の深さにエッチングする。
【００２０】
次に、図２の（Ｂ）に示したように、半導体基板の表面全体に、ＭＯＣＶＤ法によってＧａＡｓを堆積させ、酸化膜３８の両側に電流ブロック層４４を形成する。このときＧａＡｓは第１の積層構造体１２上の活性層１８、および第２の半導体レーザー形成箇所における第２の積層構造体２６のｐ型クラッド層２０の上に選択的に堆積し、酸化膜３６、３８の上には堆積しない。
【００２１】
その後、図２の（Ｃ）に示したように、第２の半導体レーザー形成箇所の第２の積層構造体２６をフォトレジスト層４６により覆い、図２の（Ｂ）に示した第１の積層構造体１２上の上記ＭＯＣＶＤ法による堆積層４８（電流ブロック層）をＨ３ＰＯ４；Ｈ２Ｏ２；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントを用いたエッチングにより除去する。なお、このエッチングでは酸化膜３６および下層の活性層１８は除去されない。
つづいて、酸化膜３６をマスクとしＨＣｌ；Ｈ２Ｏなどの選択性エッチャントを用いたエッチングにより、第１の積層構造体１２上の活性層１８、ｎ型クラッド層１６、ならびにｎ型バッファー層１４を除去する（図２の（Ｂ））。
【００２２】
そして、図２の（Ｄ）に示したように、酸化膜３６、およびその下層のｎ型クラッド層１６を中心とする第２の積層構造体２６の部分層をマスクとして、たとえばＢ＋イオンを注入し、第１の積層構造体１２表面部の酸化膜３６の両側部に、絶縁層５０を形成する。
その後、図２の（Ｅ）に示したように、フォトレジスト層４６を除去した後、フッ化アンモニウムにより酸化膜３６、３８を除去し、さらにＨＣｌにより、酸化膜３６の下層である活性層１８、ｎ型クラッド層１６、ならびにｎ型バッファー層１４を除去する。さらに、ストライプ状のキャップ層１０、２２の上に不図示の電極を形成して、第１および第２の半導体レーザー５２、５４の基本構造が完成する。
【００２３】
このように形成したゲインガイド構造の第１の半導体レーザー５２では、ストライプ状のキャップ層１０下の位置で活性層６が発光し、インデックスガイド構造の第２の半導体レーザー５４では、キャップ層２２下の位置で活性層１８が発光する。したがって、２つの半導体レーザーの発光点間隔Ｌ（図２の（Ｅ））は、酸化膜３６、３８の間隔で決まり、そして、本実施の形態例では、酸化膜３６、３８は上述のように単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィーによって形成するので、上記発光点間隔はきわめて高い精度で設定される。
【００２４】
また、本実施の形態例では、上述のように、第１の積層構造体１２上に形成された第２の積層構造体２６は、全体を除去するのではなく、ｎ型クラッド層１６を後にマスクとして使用すべく残す。そして、このｎ型クラッド層１６は、第２の半導体レーザーを構成する電流ブロック層５０の材料を堆積させるために上述のようにＭＯＣＶＤを行い、６００°Ｃ程度の高温に曝しても変質することはない。よって、酸化膜３６下のｎ型クラッド層１６をマスクとしてイオン注入を行い第１の半導体レーザーを構成する絶縁層５０を形成することができる。
従来、このようなイオン注入のためのマスクにはフォトレジストが用いられている。もし、本実施の形態例でもｎ型クラッド層１６の代わりに従来通りフォトレジスト層を形成してマスクにしたとすると、電流ブロック層５０を形成するためのＭＯＣＶＤを行った際に、その熱によりフォトレジスト層が変質し、マスクとしての機能を果たさなくなってしまう。そのため従来の方法で絶縁層５０を形成することはできない。
【００２５】
さらに、本実施の形態例では、第２の半導体レーザー５４を形成すべくＭＯＣＶＤ法により電流ブロック層４４の材料を堆積させた後に、第１の積層構造体１２の表面部にイオン注入を行って絶縁層５０を形成する。したがって、電流ブロック層４４より先に絶縁層５０を形成した場合のように、絶縁層５０の抵抗率が、ＭＯＣＶＤを行うための熱により低下してしまい絶縁層５０がその役割を果たさなくなるといったことがない。
そして、本実施の形態例では、第１および第２の積層構造体１２、２６上のストライプ状の酸化膜３６、３８は、第１および第２の積層構造体１２、２６ごとに、それぞれ個別に形成するのではなく、上述のように同一の工程により形成するので（図１の（Ｄ）、（Ｅ））、この点で工程が簡素化される。
【００２６】
なお、本実施の形態例では、第１の積層構造体１２上に形成された第２の積層構造体２６を除去する際、活性層１８でエッチングを停止させ、キャップ層２２、ｐ型中間層２４、ならびにｐ型クラッド層２０を除去するとしたが、第１の積層構造体１２の上には、後に電流ブロック層４４を形成する際にマスクとなる層が形成されていればよいため、充分な厚さを確保できるのであれば活性層１８も除去したり、さらにはｎ型クラッド層１６の上層部を除去することも可能である。また、逆に、活性層１８の手前でエッチングを停止させ、ｐ型クラッド層２０の上部のみを除去してもよい。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、ゲインガイド構造を有する第１の半導体レーザーとインデックスガイド構造を有する第２の半導体レーザーとを共通の半導体基板上に並設した半導体レーザー装置を製造する方法であって、前記半導体基板上に、前記第１の半導体レーザーを構成する、活性層をクラッド層により挟んだ第１の積層構造体をアイランド状に形成し、前記半導体基板の表面全体に、前記第２の半導体レーザーを構成するための第１のクラッド層、活性層、ならびに第２のクラッド層を順次、積層して第２の積層構造体を形成し、前記第１の積層構造体上で、少なくとも前記第１のクラッド層の下側部分を含む前記第２の積層構造体の部分層を残して、前記第２の積層構造体の上側部分を除去し、前記半導体基板の表面全体に、酸化膜を形成し、単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィーにより、前記第１の積層構造体上の前記第２の積層構造体の前記部分層の上、および前記半導体基板上の前記第２の半導体レーザー形成箇所に形成した前記第２の積層構造体の上においてそれぞれ前記酸化膜をストライプ状にパターン化し、前記第２の半導体レーザー形成箇所の前記第２のクラッド層表面を、前記酸化膜をマスクとしてエッチングし、前記半導体基板の表面全体に、前記第２の半導体レーザーを構成する電流ブロック層の材料をＭＯＣＶＤ法により堆積させ、前記第１の積層構造体上から前記電流ブロック層の材料および前記第２の積層構造体の前記部分層を、前記酸化膜をマスクとして除去し、前記第１の積層構造体の表面部に、前記酸化膜および前記酸化膜下の前記第２の積層構造体の前記部分層をマスクとしてイオン注入を行い絶縁層を形成することを特徴とする。
【００２８】
上記ゲインガイド構造の半導体レーザーでは、製造途中に第１の積層構造体上に形成されたストライプ状酸化膜下の位置で活性層が発光し、上記インデックスガイド構造の半導体レーザーでは、第２のクラッド層上に形成されたストライプ状酸化膜下の位置で活性層が発光する。したがって、２つの半導体レーザーの発光点間隔は、上記ストライプ状酸化膜の間隔で決まる。そして、本発明では、酸化膜は単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィーによってパターン化するので、上記発光点間隔はきわめて高い精度で設定される。
【００２９】
また、本発明では、上述のように第１の積層構造体上に形成された第２の積層構造体は、少なくとも第１のクラッド層の下側部分を含む部分層を、後にイオン注入時のマスクとして使用すべく残す。そして、この第１のクラッド層は、第２の半導体レーザーの電流ブロック層の材料を堆積させるＭＯＣＶＤを行っても、その熱により変質することはない。よって、第２の積層構造体の上記部分層をマスクとしてイオン注入を行い第１の半導体レーザーを構成する上記絶縁層を形成することができる。
【００３０】
さらに、本発明では、第２の半導体レーザーを形成すべくＭＯＣＶＤ法により電流ブロック層の材料を堆積させた後に、第１の積層構造体の表面部にイオン注入を行って絶縁層を形成するので、この絶縁層の抵抗率が、ＭＯＣＶＤを行うための熱により低下してしまい絶縁層がその役割を果たさなくなるといったことがない。
そして、本発明では、第１の積層構造体上のストライプ状酸化膜および第２の半導体レーザー形成箇所の第２のクラッド層上のストライプ状酸化膜は、それぞれ個別に形成するのではなく、同一の工程により一度に形成するので、この点で工程が簡素化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）ないし（Ｅ）は本発明による半導体レーザー装置の製造方法の一例における各工程を示す断面側面図である。
【図２】（Ａ）ないし（Ｅ）は図１の（Ｅ）の工程に続く各工程を示す断面側面図である。
【符号の説明】
２……半導体基板、４……ｎ型クラッド層、６……活性層、８……ｐ型クラッド層、１０……キャップ層、１２……第１の積層構造体、１４……ｎ型バッファー層、１６……ｎ型クラッド層、１８……活性層、２０……ｐ型クラッド層、２２……キャップ層、２４……ｐ型中間層、２６……第２の積層構造体、３０……酸化膜、３２……フォトレジスト層、３４……フォトレジスト層、３６……酸化膜、３８……酸化膜、４０……フォトレジスト層、４２……ストライプリッジ、４４……電流ブロック層、４６……フォトレジスト層、４８……堆積層、５０……絶縁層、５２……第１の半導体レーザー、５４……第２の半導体レーザー。

Claims

ゲインガイド構造を有する第１の半導体レーザーとインデックスガイド構造を有する第２の半導体レーザーとを共通の半導体基板上に並設した半導体レーザー装置を製造する方法であって、
前記半導体基板上に、前記第１の半導体レーザーを構成する、活性層をクラッド層により挟んだ第１の積層構造体をアイランド状に形成し、
前記半導体基板の表面全体に、前記第２の半導体レーザーを構成するための第１のクラッド層、活性層、ならびに第２のクラッド層を順次、積層して第２の積層構造体を形成し、
前記第１の積層構造体上で、少なくとも前記第１のクラッド層の下側部分を含む前記第２の積層構造体の部分層を残して、前記第２の積層構造体の上側部分を除去し、
前記半導体基板の表面全体に、酸化膜を形成し、
単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィーにより、前記第１の積層構造体上の前記第２の積層構造体の前記部分層の上、および前記半導体基板上の前記第２の半導体レーザー形成箇所に形成した前記第２の積層構造体の上においてそれぞれ前記酸化膜をストライプ状にパターン化し、
前記第２の半導体レーザー形成箇所の前記第２のクラッド層表面を、前記酸化膜をマスクとしてエッチングし、
前記半導体基板の表面全体に、前記第２の半導体レーザーを構成する電流ブロック層の材料をＭＯＣＶＤ法により堆積させ、
前記第１の積層構造体上から前記電流ブロック層の材料および前記第２の積層構造体の前記部分層を、前記酸化膜をマスクとして除去し、
前記第１の積層構造体の表面部に、前記酸化膜および前記酸化膜下の前記第２の積層構造体の前記部分層をマスクとしてイオン注入を行い絶縁層を形成することを特徴とする半導体レーザー装置の製造方法。
前記第１の積層構造体上で、少なくとも前記第１のクラッド層の下側部分を含む前記第２の積層構造体の部分層を残して、前記第２の積層構造体の上側部分を除去する際、前記第２の積層構造体の活性層以下を残すことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第１の積層構造体の表面に第１のキャップ層を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第２の半導体レーザーを構成するための前記第１のクラッド層、前記活性層、ならびに前記第２のクラッド層を積層する際、前記半導体基板の表面全体に、まずバッファー層を形成して、その上に前記第１のクラッド層、前記活性層、ならびに前記第２のクラッド層を積層し、さらに前記第２のクラッド層の上に中間層を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記中間層の上に第２のキャップ層を形成することを特徴とする請求項４記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第２の半導体レーザー形成箇所の前記第２のクラッド層の表面を前記酸化膜をマスクとしてエッチングする際、前記第２のクラッド層の上に形成された前記第２のキャップ層および前記中間層を前記酸化膜をマスクとしてエッチングすることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第１の半導体レーザーが発生する光の波長は前記第２の半導体レーザーが発生する光の波長より長いことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記半導体基板はＧａＡｓにより形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第１の積層構造体を構成するクラッド層および前記活性層はＡｌＧａＡｓにより形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第１のキャップ層はＧａＡｓにより形成することを特徴とする請求項３記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第２の半導体レーザーを構成する前記第１および第２のクラッド層はＡｌＧａＩｎＰにより形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第２の半導体レーザーを構成する前記活性層はＧａＩｎＰおよびＡｌＧａＩｎＰにより形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記電流ブロック層の材料は、ＧａＡｓであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記第２の半導体レーザーを構成する前記第２のキャップ層はＧａＡｓにより形成することを特徴とする請求項５記載の半導体レーザー装置の製造方法。
前記バッファー層および前記中間層はＧａＩｎＰにより形成することを特徴とする請求項４記載の半導体レーザー装置の製造方法。