JP2005347478A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p型GaAsキャップ層6の層厚にp型AlXGa1-XAs(X=0.550)第2クラッド層20の層厚を加えた層厚と、p型GaAsキャップ層12の層厚にp型AlGaInP第2上クラッド層23の層厚を加えた層厚との比が、p型GaAsキャップ層6及びp型AlXGa1-XAs(X=0.550)第2クラッド層20をドライエッチングする場合のエッチングレートと、p型GaAsキャップ層12及びp型AlGaInP第2上クラッド層23をドライエッチングする場合のエッチングレートとの比が同じである。
【選択図】図1
Description
基板と、上記基板上に形成され、第1の波長のレーザ光を出射する第1レーザ出射部と、上記基板上に形成され、上記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を出射する第2レーザ出射部とを備え、
上記第1レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第2レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第1リッジストライプが構成されている共に、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第2リッジストライプが構成され、
上記第1レーザ出射部の第2導電型キャップ層の層厚に上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層の層厚を加えた層厚と、上記第2レーザ出射部の第2導電型キャップ層の層厚に上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層の層厚を加えた層厚との比が、上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートと、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴としている。
基板と、上記基板上に形成され、第1の波長のレーザ光を出射する第1レーザ出射部と、上記基板上に形成され、第2の波長のレーザ光を出射する第2レーザ出射部とを備え、
上記第1レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第2レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第1リッジストライプが構成されている共に、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第2リッジストライプが構成された半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記基板上に、上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層にすべき第1半導体層を形成する工程と、
上記第1半導体層上に、上記第1レーザ出射部の第2導電型キャップ層にすべき第2半導体層を形成する工程と、
上記基板上に、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層にすべき第3半導体層を形成する工程と、
上記第3半導体層上に、上記第2レーザ出射部の第2導電型キャップ層にすべき第4半導体層を形成する工程と、
上記第2半導体層および第4半導体層上に、1回のフォトリソグラフィでエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを用いたエッチングを行って、上記第1半導体層、第2半導体層、第3半導体層及び第4半導体層の一部を除去する工程と
を備え、
上記第2半導体層の層厚に上記第1半導体層の層厚を加えた層厚と、上記第4半導体層の層厚に上記第3半導体層の層厚を加えた層厚との比が、上記第2半導体層から上記基板に向かって上記第1半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートと、上記第4半導体層から上記基板に向かって上記第3半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴としている。
2 n型GaAsバッファ層
3 n型AlGaAsクラッド層
4 AlGaAs多重量子井戸活性層
5 p型AlGaAsクラッド層
6 p型GaAsキャップ層
7 n型GaAsバッファ層
8 n型InGaPバッファ層
9 n型AlGaInP下クラッド層
10 AlGaInP多重量子井戸活性層
11 p型AlGaInPクラッド層
12 p型GaAsキャップ層
13A,13B,13C,13D n型GaAs電流狭窄層
14A,14B AuZn/Au電極
15 AuGe/Ni電極
16 n型AlXGa1-XAs(X=0.485)第1下クラッド層
17 n型AlXGa1-XAsX=0.550)第2下(クラッド層
18 p型AlXGa1-XAs(X=0.550)第1上クラッド層
19 p型GaAsエッチングストップ層
20 p型AlXGa1-XAs(X=0.550)第2上クラッド層
21 p型AlGaInP第1上クラッド層
22 p型InGaPエッチングストップ層
23 p型AlGaInP第2上クラッド層
24 レジスト膜
25,25A,25B SiO2膜
L1,L2 レーザ出射部
Claims (7)
- 基板と、上記基板上に形成され、第1の波長のレーザ光を出射する第1レーザ出射部と、上記基板上に形成され、上記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を出射する第2レーザ出射部とを備え、
上記第1レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第2レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第1リッジストライプが構成されている共に、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第2リッジストライプが構成され、
上記第1レーザ出射部の第2導電型キャップ層の層厚に上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層の層厚を加えた層厚と、上記第2レーザ出射部の第2導電型キャップ層の層厚に上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層の層厚を加えた層厚との比が、上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートと、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項1に記載の半導体レーザ素子において、
上記第1レーザ出射部はAlGaAs系材料を含むと共に、上記第2レーザ出射部はAlGaInP系材料を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項1に記載の半導体レーザ素子において、
上記第1リッジストライプは上記第1の波長のレーザ光の共振器方向に沿って延びていると共に、上記第2リッジストライプは上記第2の波長のレーザ光の共振器方向に沿って延びていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 基板と、上記基板上に形成され、第1の波長のレーザ光を出射する第1レーザ出射部と、上記基板上に形成され、第2の波長のレーザ光を出射する第2レーザ出射部とを備え、
上記第1レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第2レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、
上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第1リッジストライプが構成されている共に、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第2リッジストライプが構成された半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記基板上に、上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層にすべき第1半導体層を形成する工程と、
上記第1半導体層上に、上記第1レーザ出射部の第2導電型キャップ層にすべき第2半導体層を形成する工程と、
上記基板上に、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層にすべき第3半導体層を形成する工程と、
上記第3半導体層上に、上記第2レーザ出射部の第2導電型キャップ層にすべき第4半導体層を形成する工程と、
上記第2半導体層および第4半導体層上に、1回のフォトリソグラフィでエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを用いたエッチングを行って、上記第1半導体層、第2半導体層、第3半導体層及び第4半導体層の一部を除去する工程と
を備え、
上記第2半導体層の層厚に上記第1半導体層の層厚を加えた層厚と、上記第4半導体層の層厚に上記第3半導体層の層厚を加えた層厚との比が、上記第2半導体層から上記基板に向かって上記第1半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートと、上記第4半導体層から上記基板に向かって上記第3半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記エッチングマスクを1つのフォトマスクで形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記エッチングマスクを用いたエッチングは、ドライエッチングと、このドライエッチング後に行われるウエットエッチングとを組み合わせて行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記ウエットエッチングでは、上記第1半導体層を選択的にエッチング可能なエッチャントを用いると共に、上記第3半導体層を選択的にエッチング可能なエッチャントを用いることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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