JPH1153750A - 傾き検出方法及び光ディスク装置 - Google Patents
傾き検出方法及び光ディスク装置Info
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- JPH1153750A JPH1153750A JP9205794A JP20579497A JPH1153750A JP H1153750 A JPH1153750 A JP H1153750A JP 9205794 A JP9205794 A JP 9205794A JP 20579497 A JP20579497 A JP 20579497A JP H1153750 A JPH1153750 A JP H1153750A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/095—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble
- G11B7/0956—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble to compensate for tilt, skew, warp or inclination of the disc, i.e. maintain the optical axis at right angles to the disc
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- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 主電極と複数の副電極を有する半導体レーザ
素子を光源とする光ディスク装置で、従来の装置構成を
変更することなく電気的な処理により容易に光ディスク
とレーザ光光軸の傾き検出及び補正を行う。 【解決手段】 主電極と複数の副電極を有する半導体レ
ーザ素子への注入電流を制御することにより、発生する
レーザ光の波面を変調し、その時の信号出力の変動から
光ディスクと対物レンズ光軸の傾きを検出し、検出した
傾きに応じて半導体レーザ素子への注入電流を設定し傾
き補正を行う。電気的な変調で傾きの検出と補正を行う
ため、傾き検出のための新たな部品を追加することな
く、また機械式アクチュエータのように高周波域での副
共振による制御帯域の制限を受けることなく、高い周波
数まで高速な制御が可能となる。
素子を光源とする光ディスク装置で、従来の装置構成を
変更することなく電気的な処理により容易に光ディスク
とレーザ光光軸の傾き検出及び補正を行う。 【解決手段】 主電極と複数の副電極を有する半導体レ
ーザ素子への注入電流を制御することにより、発生する
レーザ光の波面を変調し、その時の信号出力の変動から
光ディスクと対物レンズ光軸の傾きを検出し、検出した
傾きに応じて半導体レーザ素子への注入電流を設定し傾
き補正を行う。電気的な変調で傾きの検出と補正を行う
ため、傾き検出のための新たな部品を追加することな
く、また機械式アクチュエータのように高周波域での副
共振による制御帯域の制限を受けることなく、高い周波
数まで高速な制御が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク装置に関
わり、特に光ディスクと光ディスクにレーザ光を照射す
る集光光学系がなす傾きを検出する方法およびその検出
傾きに対応して傾き補正を行う光ディスク装置に関す
る。
わり、特に光ディスクと光ディスクにレーザ光を照射す
る集光光学系がなす傾きを検出する方法およびその検出
傾きに対応して傾き補正を行う光ディスク装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスク装置やコンピュータ
用の記憶装置として用いられる光ディスク装置は、記録
の高密度化が求められている。この高密度化の方法とし
ては、光ディスクにレーザ光を照射する対物レンズ開口
数の拡大と半導体レーザの短波長化による光スポットの
微小化、ランドグルーブ記録による半径方向の密度向
上、多層記録、超解像技術、信号処理技術などが提案、
適用されている。
用の記憶装置として用いられる光ディスク装置は、記録
の高密度化が求められている。この高密度化の方法とし
ては、光ディスクにレーザ光を照射する対物レンズ開口
数の拡大と半導体レーザの短波長化による光スポットの
微小化、ランドグルーブ記録による半径方向の密度向
上、多層記録、超解像技術、信号処理技術などが提案、
適用されている。
【０００３】このうち、対物レンズ開口数の拡大と半導
体レーザの短波長化が、高密度化への最も直接的な方法
となる。しかし、対物レンズ開口数が大きくなると、光
ディスクの記録面と対物レンズの光軸との傾き、つま
り、対物レンズの光軸が光ディスクの記録面と交わる点
に立てた光ディスクの記録面の法線と対物レンズの光軸
がある角度θをなすこと、によって生じるコマ収差の影
響が急激に増加し、信号の記録再生特性が劣化するとい
う問題が生じる。
体レーザの短波長化が、高密度化への最も直接的な方法
となる。しかし、対物レンズ開口数が大きくなると、光
ディスクの記録面と対物レンズの光軸との傾き、つま
り、対物レンズの光軸が光ディスクの記録面と交わる点
に立てた光ディスクの記録面の法線と対物レンズの光軸
がある角度θをなすこと、によって生じるコマ収差の影
響が急激に増加し、信号の記録再生特性が劣化するとい
う問題が生じる。
【０００４】光ディスクと対物レンズ光軸の傾きにより
生じるコマ収差Ｗcは、ビームの光軸に垂直な断面上の
極座標（ｒ，α）を用いて数１のように表される。
生じるコマ収差Ｗcは、ビームの光軸に垂直な断面上の
極座標（ｒ，α）を用いて数１のように表される。
【０００５】
【数１】
【０００６】ここで、ｔはディスク基板厚、ｎはディス
ク基板屈折率、θは光ディスクと光軸の傾き角（光ディ
スク記録面の法線と対物レンズ光軸がなす角）、ＮＡは
対物レンズの開口数、Ｒは対物レンズ有効半径である。
すなわち、コマ収差は対物レンズ開口数の３乗とディス
ク傾き角およびディスク基板厚に比例して増加する。コ
マ収差量が大きくなると光ディスク上での集光スポット
径が大きくなり、記録再生時に誤りが発生する。このた
め、高密度化を図るために対物レンズ開口数ＮＡを大き
くする場合には、光ディスクと光軸の傾きを検出して補
正を行うことが必要となってくる。従来このようなディ
スク傾きの検出および補正方法としては、特開平３−１
３７８３１号公報記載の技術が公開されている。これ
は、対物レンズ近傍に設けたチルトエラー検出器により
光ディスクの傾きを検出し、ばねサスペンションで支持
された対物レンズホルダーを傾動させて傾きを補正する
というものである。
ク基板屈折率、θは光ディスクと光軸の傾き角（光ディ
スク記録面の法線と対物レンズ光軸がなす角）、ＮＡは
対物レンズの開口数、Ｒは対物レンズ有効半径である。
すなわち、コマ収差は対物レンズ開口数の３乗とディス
ク傾き角およびディスク基板厚に比例して増加する。コ
マ収差量が大きくなると光ディスク上での集光スポット
径が大きくなり、記録再生時に誤りが発生する。このた
め、高密度化を図るために対物レンズ開口数ＮＡを大き
くする場合には、光ディスクと光軸の傾きを検出して補
正を行うことが必要となってくる。従来このようなディ
スク傾きの検出および補正方法としては、特開平３−１
３７８３１号公報記載の技術が公開されている。これ
は、対物レンズ近傍に設けたチルトエラー検出器により
光ディスクの傾きを検出し、ばねサスペンションで支持
された対物レンズホルダーを傾動させて傾きを補正する
というものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のディス
ク傾き検出方法は、従来の光学系に加えて新たに傾き検
出用の光源と光検出器を設ける必要があり、また傾き補
正方法は機械的にレンズ姿勢を変化させる機構が新たに
必要であるというように、装置の簡素化さらには低コス
ト化という点に関しては必ずしも十分ではなかった。
ク傾き検出方法は、従来の光学系に加えて新たに傾き検
出用の光源と光検出器を設ける必要があり、また傾き補
正方法は機械的にレンズ姿勢を変化させる機構が新たに
必要であるというように、装置の簡素化さらには低コス
ト化という点に関しては必ずしも十分ではなかった。
【０００８】本発明はこのような問題点に鑑み、従来の
装置構成を変更することなく容易に傾き検出を行うこと
ができる光ディスク装置を提供することを目的とする。
装置構成を変更することなく容易に傾き検出を行うこと
ができる光ディスク装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の手段は、光源である半導体レーザ素
子と、該半導体レーザ素子から発せられたレーザ光を集
光光学系により光ディスク上に集光し、情報の記録ある
いは再生を行う光ディスク装置において、前記半導体レ
ーザ素子が、電流注入を行うための電極として主電極と
複数の副電極を有し、前記主電極と複数の副電極への注
入電流を制御することにより、前記半導体レーザ素子か
ら発生するレーザ光の波面もしくは強度分布を変調し、
変調前後の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光の光
軸が光ディスク記録面に交わる点における光ディスク記
録面法線と前記光軸がなす角として表れる、前記光ディ
スクと集光光学系の傾き量を検出することを特徴とす
る。
に、本発明の第１の手段は、光源である半導体レーザ素
子と、該半導体レーザ素子から発せられたレーザ光を集
光光学系により光ディスク上に集光し、情報の記録ある
いは再生を行う光ディスク装置において、前記半導体レ
ーザ素子が、電流注入を行うための電極として主電極と
複数の副電極を有し、前記主電極と複数の副電極への注
入電流を制御することにより、前記半導体レーザ素子か
ら発生するレーザ光の波面もしくは強度分布を変調し、
変調前後の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光の光
軸が光ディスク記録面に交わる点における光ディスク記
録面法線と前記光軸がなす角として表れる、前記光ディ
スクと集光光学系の傾き量を検出することを特徴とす
る。
【００１０】上記目的を達成する本発明の第２の手段
は、光源である半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子から発せられたレーザ光を集光光学系により光ディス
ク上に集光し、情報の記録あるいは再生を行う光ディス
ク装置において、前記半導体レーザ素子が、電流注入を
行うための電極として主電極と複数の副電極を有する半
導体レーザ素子であり、前記光ディスク上に設けられた
一定周波数の信号が記録された領域、あるいは傾き検出
のためのピット、あるいはセクタ領域にあるピット、あ
るいは信号が記録されていない領域へのレーザ光の集光
に同期して、前記主電極と複数の副電極への注入電流を
制御することにより、前記半導体レーザ素子から発生す
るレーザ光の波面もしくは強度分布を変調し、その前後
の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光の光軸が光デ
ィスク記録面に交わる点における光ディスク記録面法線
と前記光軸がなす角として表れる、前記光ディスクと前
記集光光学系の傾き量を検出することを特徴とする。
は、光源である半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子から発せられたレーザ光を集光光学系により光ディス
ク上に集光し、情報の記録あるいは再生を行う光ディス
ク装置において、前記半導体レーザ素子が、電流注入を
行うための電極として主電極と複数の副電極を有する半
導体レーザ素子であり、前記光ディスク上に設けられた
一定周波数の信号が記録された領域、あるいは傾き検出
のためのピット、あるいはセクタ領域にあるピット、あ
るいは信号が記録されていない領域へのレーザ光の集光
に同期して、前記主電極と複数の副電極への注入電流を
制御することにより、前記半導体レーザ素子から発生す
るレーザ光の波面もしくは強度分布を変調し、その前後
の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光の光軸が光デ
ィスク記録面に交わる点における光ディスク記録面法線
と前記光軸がなす角として表れる、前記光ディスクと前
記集光光学系の傾き量を検出することを特徴とする。
【００１１】上記目的を達成する本発明の第３の手段
は、電流注入を行うための電極として主電極と複数の副
電極を有する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
から発せられたレーザ光を光ディスク上に集光する集光
光学系と、光ディスクで反射されたレーザ光から再生信
号を検出する再生信号検出回路と、前記主電極と複数の
副電極への注入電流を制御するレーザ制御回路と、を含
んで構成されて情報の記録あるいは再生を行う光ディス
ク装置において、前記レーザ制御回路を制御して前記複
数の副電極への注入電流を変化させ、注入電流変化前後
の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光の光軸が光デ
ィスク記録面に交わる点における光ディスク記録面法線
と前記光軸がなす角として表れる、前記光ディスクと集
光光学系の傾き量を検出し、前記傾き量に対応して、前
記レーザ制御回路を介して半導体レーザ素子の複数の副
電極への注入電流を制御して信号再生出力に対する前記
光ディスクと前記集光光学系の傾きの影響を補正する傾
き検出補正回路を備えたことを特徴とする。
は、電流注入を行うための電極として主電極と複数の副
電極を有する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
から発せられたレーザ光を光ディスク上に集光する集光
光学系と、光ディスクで反射されたレーザ光から再生信
号を検出する再生信号検出回路と、前記主電極と複数の
副電極への注入電流を制御するレーザ制御回路と、を含
んで構成されて情報の記録あるいは再生を行う光ディス
ク装置において、前記レーザ制御回路を制御して前記複
数の副電極への注入電流を変化させ、注入電流変化前後
の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光の光軸が光デ
ィスク記録面に交わる点における光ディスク記録面法線
と前記光軸がなす角として表れる、前記光ディスクと集
光光学系の傾き量を検出し、前記傾き量に対応して、前
記レーザ制御回路を介して半導体レーザ素子の複数の副
電極への注入電流を制御して信号再生出力に対する前記
光ディスクと前記集光光学系の傾きの影響を補正する傾
き検出補正回路を備えたことを特徴とする。
【００１２】上記目的を達成する本発明の第４の手段
は、前記第３の手段において、前記傾き検出補正回路
は、前記光ディスク上に設けられた一定周波数の信号が
記録された領域、あるいは傾き検出のためのピット、あ
るいはセクタ領域にあるピット、あるいは信号が記録さ
れていない領域へのレーザ光の集光に同期して、前記主
電極と複数の副電極への注入電流を制御することによ
り、前記半導体レーザ素子から発生するレーザ光の波面
もしくは強度分布を変調するものであることを特徴とす
る。
は、前記第３の手段において、前記傾き検出補正回路
は、前記光ディスク上に設けられた一定周波数の信号が
記録された領域、あるいは傾き検出のためのピット、あ
るいはセクタ領域にあるピット、あるいは信号が記録さ
れていない領域へのレーザ光の集光に同期して、前記主
電極と複数の副電極への注入電流を制御することによ
り、前記半導体レーザ素子から発生するレーザ光の波面
もしくは強度分布を変調するものであることを特徴とす
る。
【００１３】上記目的を達成する本発明の第５の手段
は、前記第３の手段において、前記傾き検出補正回路
が、注入電流変化前後の再生信号振幅を検出し、前記再
生信号振幅が最大となるように、前記半導体レーザ素子
の主電極と複数の副電極への注入電流を制御するもので
あることを特徴とする。
は、前記第３の手段において、前記傾き検出補正回路
が、注入電流変化前後の再生信号振幅を検出し、前記再
生信号振幅が最大となるように、前記半導体レーザ素子
の主電極と複数の副電極への注入電流を制御するもので
あることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例の光ディス
ク装置を図面を用いて説明する。光ディスク装置は、情
報が記録される光ディスク９と、光ディスク９を回転駆
動する駆動手段と、回転している光ディスク９に対して
情報の書き込みや読み出しを行う光ヘッド部とを含んで
構成されている。
ク装置を図面を用いて説明する。光ディスク装置は、情
報が記録される光ディスク９と、光ディスク９を回転駆
動する駆動手段と、回転している光ディスク９に対して
情報の書き込みや読み出しを行う光ヘッド部とを含んで
構成されている。
【００１５】図１は本実施例の光ディスク装置の光ヘッ
ド部の構成を示す図である。図示の光ヘッド部は、半導
体レーザ３と、半導体レーザ３から発せられた光の光軸
上に配置されたコリメートレンズ４と、コリメートレン
ズ４を通過した光の光軸上に配置されたビームスプリッ
タ６と、ビームスプリッタ６を透過した光を反射してそ
の方向を直角に変化させる立ち上げミラー７と、立ち上
げミラー７で反射された光の光軸上に配置され光ディス
ク９の記録面上に集光する対物レンズ８と、対物レンズ
８に付設された対物レンズアクチュエータ１１と、ビー
ムスプリッタ６で反射される光の光軸上に配置された検
出光学系１２と、検出光学系１２の出力側に接続された
フォーカスエラー信号検出回路１３，トラックエラー信
号検出回路１４，再生信号検出回路１５と、フォーカス
エラー信号検出回路１３，トラックエラー信号検出回路
１４，再生信号検出回路１５の各出力側に接続されたコ
ントローラ１と、再生信号検出回路１５の出力側に接続
された傾き検出補正回路１６と、傾き検出補正回路１６
の出力側及びコントローラ１の出力側に接続されたレー
ザ制御回路２と、を含んで構成され、コントローラ１の
出力側は前記対物レンズアクチュエータ１１に接続され
ている。
ド部の構成を示す図である。図示の光ヘッド部は、半導
体レーザ３と、半導体レーザ３から発せられた光の光軸
上に配置されたコリメートレンズ４と、コリメートレン
ズ４を通過した光の光軸上に配置されたビームスプリッ
タ６と、ビームスプリッタ６を透過した光を反射してそ
の方向を直角に変化させる立ち上げミラー７と、立ち上
げミラー７で反射された光の光軸上に配置され光ディス
ク９の記録面上に集光する対物レンズ８と、対物レンズ
８に付設された対物レンズアクチュエータ１１と、ビー
ムスプリッタ６で反射される光の光軸上に配置された検
出光学系１２と、検出光学系１２の出力側に接続された
フォーカスエラー信号検出回路１３，トラックエラー信
号検出回路１４，再生信号検出回路１５と、フォーカス
エラー信号検出回路１３，トラックエラー信号検出回路
１４，再生信号検出回路１５の各出力側に接続されたコ
ントローラ１と、再生信号検出回路１５の出力側に接続
された傾き検出補正回路１６と、傾き検出補正回路１６
の出力側及びコントローラ１の出力側に接続されたレー
ザ制御回路２と、を含んで構成され、コントローラ１の
出力側は前記対物レンズアクチュエータ１１に接続され
ている。
【００１６】光ディスクに記録された情報を読み出すと
き、図１に示す光ヘッド部において、コントローラ１及
びレーザ制御回路２からの信号により半導体レーザ３が
駆動され、半導体レーザ３からレーザ光が発せられる。
半導体レーザ３から発せられた光は、コリメートレンズ
４で平行光となり、ビームスプリッタ６を透過し、立ち
上げミラー７で反射され、対物レンズ８により光ディス
ク９の記録面上に集光される。
き、図１に示す光ヘッド部において、コントローラ１及
びレーザ制御回路２からの信号により半導体レーザ３が
駆動され、半導体レーザ３からレーザ光が発せられる。
半導体レーザ３から発せられた光は、コリメートレンズ
４で平行光となり、ビームスプリッタ６を透過し、立ち
上げミラー７で反射され、対物レンズ８により光ディス
ク９の記録面上に集光される。
【００１７】記録面上に集光された光はそこで反射さ
れ、反射した光は、再び対物レンズ８、立ち上げミラー
７を経て、ビームスプリッタ６で往路とほぼ直角をなす
方向に反射される。ビームスプリッタ６で反射された光
は検出光学系１２へ導かれ、フォーカスエラー信号検出
回路１３でフォーカスエラー信号が、トラックエラー信
号検出回路１４でトラックエラー信号が、再生信号検出
回路１５で再生信号が、それぞれ検出される。
れ、反射した光は、再び対物レンズ８、立ち上げミラー
７を経て、ビームスプリッタ６で往路とほぼ直角をなす
方向に反射される。ビームスプリッタ６で反射された光
は検出光学系１２へ導かれ、フォーカスエラー信号検出
回路１３でフォーカスエラー信号が、トラックエラー信
号検出回路１４でトラックエラー信号が、再生信号検出
回路１５で再生信号が、それぞれ検出される。
【００１８】なお、図１ではコリメートレンズ４を用い
た無限光学系として示したが、本発明は、これに限られ
たものではなく、例えばビーム整形プリズムを用いてビ
ーム断面形状を整形したり、コンパクトディスクで用い
られているような有限光学系であってもかまわない。
た無限光学系として示したが、本発明は、これに限られ
たものではなく、例えばビーム整形プリズムを用いてビ
ーム断面形状を整形したり、コンパクトディスクで用い
られているような有限光学系であってもかまわない。
【００１９】フォーカスエラー信号、トラックエラー信
号は周知の技術により、例えば非点収差法とプッシュプ
ル法等により検出される。再生信号は、例えばコンパク
トディスク等では光ディスク上のピットの有無による強
度変化から検出され、相変化ディスクでは結晶構造の違
いによる強度変化から検出され、あるいは光磁気ディス
クでは偏光面の回転量として検出される。本発明は、い
ずれの方式においても有効であり、特定の信号検出方式
に限定されるものではない。
号は周知の技術により、例えば非点収差法とプッシュプ
ル法等により検出される。再生信号は、例えばコンパク
トディスク等では光ディスク上のピットの有無による強
度変化から検出され、相変化ディスクでは結晶構造の違
いによる強度変化から検出され、あるいは光磁気ディス
クでは偏光面の回転量として検出される。本発明は、い
ずれの方式においても有効であり、特定の信号検出方式
に限定されるものではない。
【００２０】検出されたフォーカスエラー信号は、必要
であればコントローラ１からのオフセット量が加えられ
て、対物レンズアクチュエータ１１を光軸方向に駆動す
るための制御信号となり、この信号により対物レンズア
クチュエータ１１が光軸方向に駆動され、光ディスク記
録面上に光スポットの焦点を追従させるフォーカスサー
ボが行われる。
であればコントローラ１からのオフセット量が加えられ
て、対物レンズアクチュエータ１１を光軸方向に駆動す
るための制御信号となり、この信号により対物レンズア
クチュエータ１１が光軸方向に駆動され、光ディスク記
録面上に光スポットの焦点を追従させるフォーカスサー
ボが行われる。
【００２１】同様に、検出されたトラックエラー信号
は、必要であればコントローラ１からのオフセット量が
加えられて、対物レンズアクチュエータ１１を光ディス
ク９の半径方向に駆動するための制御信号となり、この
信号により対物レンズアクチュエータ１１が光ディスク
９の半径方向に駆動され、光スポットを光ディスク９の
トラックに追従させる。
は、必要であればコントローラ１からのオフセット量が
加えられて、対物レンズアクチュエータ１１を光ディス
ク９の半径方向に駆動するための制御信号となり、この
信号により対物レンズアクチュエータ１１が光ディスク
９の半径方向に駆動され、光スポットを光ディスク９の
トラックに追従させる。
【００２２】ここで、光ディスク９に集光される光の波
面収差を変化させる方法について説明する。本実施例で
は、その手段として、発生する光の波面を変化させるこ
とができる半導体レーザ素子を用いる。
面収差を変化させる方法について説明する。本実施例で
は、その手段として、発生する光の波面を変化させるこ
とができる半導体レーザ素子を用いる。
【００２３】図２を参照して本実施例における半導体レ
ーザ素子２０の構造を説明する。まず、ｎ−ＧaＡs基板
２１上にｎ−ＡｌＧaＡsクラッド層２２、ＡｌＧaＡs多
重量子井戸活性層２３、ｐ−ＡｌＧaＡsクラッド層２
４、ｐ−ＧaＡsコンタクト層２５を順次結晶成長させ
る。次に、気相化学成長法およびホトリソグラフ技術を
用いてストライプ状のＳiＯ2膜を形成し、このＳiＯ2膜
をマスクとしてｐ−ＧaＡsコンタクト層２５とｐ−Ａｌ
ＧaＡsクラッド層２４の一部をエッチング除去する。次
に、ＳiＯ2膜をマスクとしてｎ−ＧaＡsブロック層２６
を選択的に成長させる。ＳiＯ2膜を除去した後、ｐ−Ａ
ｌＧaＡs埋め込み層２７およびｐ−ＧaＡsキャップ層２
８を順次形成する。次に、表面電極と裏面電極２９を形
成する。
ーザ素子２０の構造を説明する。まず、ｎ−ＧaＡs基板
２１上にｎ−ＡｌＧaＡsクラッド層２２、ＡｌＧaＡs多
重量子井戸活性層２３、ｐ−ＡｌＧaＡsクラッド層２
４、ｐ−ＧaＡsコンタクト層２５を順次結晶成長させ
る。次に、気相化学成長法およびホトリソグラフ技術を
用いてストライプ状のＳiＯ2膜を形成し、このＳiＯ2膜
をマスクとしてｐ−ＧaＡsコンタクト層２５とｐ−Ａｌ
ＧaＡsクラッド層２４の一部をエッチング除去する。次
に、ＳiＯ2膜をマスクとしてｎ−ＧaＡsブロック層２６
を選択的に成長させる。ＳiＯ2膜を除去した後、ｐ−Ａ
ｌＧaＡs埋め込み層２７およびｐ−ＧaＡsキャップ層２
８を順次形成する。次に、表面電極と裏面電極２９を形
成する。
【００２４】さらに、表面電極とｐ−ＧaＡsキャップ層
２８、およびｐ−ＡｌＧaＡs埋め込み層２７には分離溝
を形成する。分離溝は、ｐ−ＧaＡsコンタクト層２５の
長手方向に直交する方向に形成されて主電極３０と副電
極を分ける第１の溝と、第１の溝に直交する方向に形成
されて副電極を二つに分ける第２の溝からなっている。
このように分離溝を設けることにより表面電極は主電極
３０、副電極３１、３２に分割される。このような構造
のウエハを所定の寸法にへき開し、半導体レーザ素子２
０とする。この半導体レーザ素子２０をパッケージに封
入して半導体レーザ３とする。レーザ光は、図２に示す
半導体レーザ素子２０の手前側の面から、第２の溝に平
行な方向に放射される。
２８、およびｐ−ＡｌＧaＡs埋め込み層２７には分離溝
を形成する。分離溝は、ｐ−ＧaＡsコンタクト層２５の
長手方向に直交する方向に形成されて主電極３０と副電
極を分ける第１の溝と、第１の溝に直交する方向に形成
されて副電極を二つに分ける第２の溝からなっている。
このように分離溝を設けることにより表面電極は主電極
３０、副電極３１、３２に分割される。このような構造
のウエハを所定の寸法にへき開し、半導体レーザ素子２
０とする。この半導体レーザ素子２０をパッケージに封
入して半導体レーザ３とする。レーザ光は、図２に示す
半導体レーザ素子２０の手前側の面から、第２の溝に平
行な方向に放射される。
【００２５】この半導体レーザ素子２０の主電極３０に
レーザ発振を生じさせる所定の電流Ｉｍを注入し、２個
の副電極３１、３２に注入する制御電流Ｉs１、Ｉs２を
変化させることにより、発生する光の波面形状を変化さ
せることができる。また、ここでは副電極の数を２個と
したが、より細かく波面形状を制御するには副電極を２
個以上の複数にしてもよい。
レーザ発振を生じさせる所定の電流Ｉｍを注入し、２個
の副電極３１、３２に注入する制御電流Ｉs１、Ｉs２を
変化させることにより、発生する光の波面形状を変化さ
せることができる。また、ここでは副電極の数を２個と
したが、より細かく波面形状を制御するには副電極を２
個以上の複数にしてもよい。
【００２６】副電極３１、３２へ注入する制御電流Ｉs
１、Ｉs２に対するコマ収差の変化を測定した結果を図
３に示す。図３は、レーザ光の光軸に垂直な断面でのコ
マ収差が最大である方向と最大値とをシンボルの位置で
示し、各シンボルは図の下の表に記載された制御電流の
組合せに対応している。図３の０°の方向は、図２にお
いて図の上方を、９０°の方向はレーザ光の上流から下
流に見て０°の方向を上にしたとき、左になる方向を、
それぞれ示している。図３から制御電流Ｉs１、Ｉs２の
組み合わせによって、コマ収差が最大である方向が約１
８０度変化し、その大きさも変化していることが分か
る。このように注入電流を制御することにより、発生す
る光の波面を変化させることができる半導体レーザ素子
を実現できる。また、この時の光強度分布は図４のよう
に光軸に対して左右にずれた形状に変化させることがで
きる。
１、Ｉs２に対するコマ収差の変化を測定した結果を図
３に示す。図３は、レーザ光の光軸に垂直な断面でのコ
マ収差が最大である方向と最大値とをシンボルの位置で
示し、各シンボルは図の下の表に記載された制御電流の
組合せに対応している。図３の０°の方向は、図２にお
いて図の上方を、９０°の方向はレーザ光の上流から下
流に見て０°の方向を上にしたとき、左になる方向を、
それぞれ示している。図３から制御電流Ｉs１、Ｉs２の
組み合わせによって、コマ収差が最大である方向が約１
８０度変化し、その大きさも変化していることが分か
る。このように注入電流を制御することにより、発生す
る光の波面を変化させることができる半導体レーザ素子
を実現できる。また、この時の光強度分布は図４のよう
に光軸に対して左右にずれた形状に変化させることがで
きる。
【００２７】ところで、光ディスク記録面に立てた法線
と対物レンズ光軸が平行でなくなったときに発生する収
差は、前述したようにコマ収差であるので、半導体レー
ザ素子２０への注入電流を制御し、発生する光のコマ収
差を変化させることにより、傾き検出と傾き補正が可能
となる。コマ収差は、レーザ光の波面を変調することに
より変化する。以下に本発明の傾き検出方法について説
明する。
と対物レンズ光軸が平行でなくなったときに発生する収
差は、前述したようにコマ収差であるので、半導体レー
ザ素子２０への注入電流を制御し、発生する光のコマ収
差を変化させることにより、傾き検出と傾き補正が可能
となる。コマ収差は、レーザ光の波面を変調することに
より変化する。以下に本発明の傾き検出方法について説
明する。
【００２８】図１に示す傾き検出補正回路１６の構成を
図５に、また傾き検出の動作説明を図６に示す。図示の
傾き検出補正回路１６は、再生信号を入力とするタイミ
ング回路４１と、タイミング回路４１の出力及び前記再
生信号を入力とする信号出力検出回路４２と、信号出力
検出回路４２の出力側に接続されたサンプルホールド４
３，４４と、サンプルホールド４３，４４の出力側に接
続された傾き検出手段４５と、傾き検出手段４５の出力
側に接続されたサンプルホールド４６と、を含んで構成
され、前記タイミング回路４１の出力及びサンプルホー
ルド４６の出力側が前記レーザ制御回路２に接続されて
いる。
図５に、また傾き検出の動作説明を図６に示す。図示の
傾き検出補正回路１６は、再生信号を入力とするタイミ
ング回路４１と、タイミング回路４１の出力及び前記再
生信号を入力とする信号出力検出回路４２と、信号出力
検出回路４２の出力側に接続されたサンプルホールド４
３，４４と、サンプルホールド４３，４４の出力側に接
続された傾き検出手段４５と、傾き検出手段４５の出力
側に接続されたサンプルホールド４６と、を含んで構成
され、前記タイミング回路４１の出力及びサンプルホー
ルド４６の出力側が前記レーザ制御回路２に接続されて
いる。
【００２９】タイミング回路４１は、半導体レーザ素子
２０への制御電流Ｉs１、Ｉs２を変調する（一方を増方
向、他方を減方向に同時に変化させる）信号を発生す
る。この時の注入制御電流Ｉs１、Ｉs２の変化を図６の
（ａ）に、これにより発生するコマ収差の変化を図６の
（ｂ）に示す。同図でＩs１＞Ｉs２の時のコマ収差を＋
Ｗ、Ｉs１＜Ｉs２の時のコマ収差を−Ｗとし、それぞれ
光ディスクと対物レンズ光軸の傾きの方向が正、負に対
応するものとする。このようにコマ収差を＋Ｗ、−Ｗに
変化させた時の光ディスクからの反射光変動、すなわち
再生信号出力の変動から、傾きの検出が行われる。
２０への制御電流Ｉs１、Ｉs２を変調する（一方を増方
向、他方を減方向に同時に変化させる）信号を発生す
る。この時の注入制御電流Ｉs１、Ｉs２の変化を図６の
（ａ）に、これにより発生するコマ収差の変化を図６の
（ｂ）に示す。同図でＩs１＞Ｉs２の時のコマ収差を＋
Ｗ、Ｉs１＜Ｉs２の時のコマ収差を−Ｗとし、それぞれ
光ディスクと対物レンズ光軸の傾きの方向が正、負に対
応するものとする。このようにコマ収差を＋Ｗ、−Ｗに
変化させた時の光ディスクからの反射光変動、すなわち
再生信号出力の変動から、傾きの検出が行われる。
【００３０】信号出力検出回路４２により、コマ収差を
＋Ｗ、−Ｗに変調している時の信号出力Ｓ１、Ｓ２を検
出し、サンプルホールド回路４３、４４で記憶する。記
憶されたＳ１とＳ２の差を傾き検出手段４５で演算する
ことにより、光ディスクと対物レンズ光軸の傾き量を示
す傾き信号が得られる。
＋Ｗ、−Ｗに変調している時の信号出力Ｓ１、Ｓ２を検
出し、サンプルホールド回路４３、４４で記憶する。記
憶されたＳ１とＳ２の差を傾き検出手段４５で演算する
ことにより、光ディスクと対物レンズ光軸の傾き量を示
す傾き信号が得られる。
【００３１】図６の（ｃ）に、光ディスクと対物レンズ
光軸に傾きが無い場合の信号出力を示す。この場合はコ
マ収差を変調していない基準状態の時の信号出力が最も
大きく、コマ収差を＋Ｗ、−Ｗに変調している時の信号
出力Ｓ１、Ｓ２は基準状態よりも低下し、かつ等しくな
る。したがって傾き検出手段４５で演算されたＳ１とＳ
２の差がゼロとなるときは、光ディスクと対物レンズ光
軸に傾きが無い。
光軸に傾きが無い場合の信号出力を示す。この場合はコ
マ収差を変調していない基準状態の時の信号出力が最も
大きく、コマ収差を＋Ｗ、−Ｗに変調している時の信号
出力Ｓ１、Ｓ２は基準状態よりも低下し、かつ等しくな
る。したがって傾き検出手段４５で演算されたＳ１とＳ
２の差がゼロとなるときは、光ディスクと対物レンズ光
軸に傾きが無い。
【００３２】次に、図６の（ｄ）に、光ディスクと対物
レンズ光軸に正の傾きがある場合の信号出力を示す。こ
の場合、基準状態（Ｉs１＝Ｉs２の状態）でも、光ディ
スクと対物レンズ光軸の傾きによって光ディスク上の集
光スポットが広がるため、信号出力は図６の（ｃ）の基
準状態に比べて低下する。そして、＋Ｗ方向に変調した
時は、正の傾きによって生じるコマ収差を打ち消す方向
であるので、光ディスク上の集光スポットを改善するこ
とができ、信号出力Ｓ１は基準状態よりも大きくなる。
−Ｗ方向に変調した時は、基準状態よりもさらにコマ収
差を増加させる方向となるので、信号出力Ｓ２は基準状
態よりも小さくなる。したがって、Ｓ１とＳ２に差が生
じ、傾きに対応した信号を検出することができる。
レンズ光軸に正の傾きがある場合の信号出力を示す。こ
の場合、基準状態（Ｉs１＝Ｉs２の状態）でも、光ディ
スクと対物レンズ光軸の傾きによって光ディスク上の集
光スポットが広がるため、信号出力は図６の（ｃ）の基
準状態に比べて低下する。そして、＋Ｗ方向に変調した
時は、正の傾きによって生じるコマ収差を打ち消す方向
であるので、光ディスク上の集光スポットを改善するこ
とができ、信号出力Ｓ１は基準状態よりも大きくなる。
−Ｗ方向に変調した時は、基準状態よりもさらにコマ収
差を増加させる方向となるので、信号出力Ｓ２は基準状
態よりも小さくなる。したがって、Ｓ１とＳ２に差が生
じ、傾きに対応した信号を検出することができる。
【００３３】逆に、負の傾きがある場合は、図６の
（ｄ）と逆に−Ｗ方向に変調した時の信号出力Ｓ２が＋
Ｗ方向に変調した時の信号出力Ｓ１よりも大きくなり、
Ｓ１とＳ２の差を演算すると負の傾き信号として検出さ
れる。
（ｄ）と逆に−Ｗ方向に変調した時の信号出力Ｓ２が＋
Ｗ方向に変調した時の信号出力Ｓ１よりも大きくなり、
Ｓ１とＳ２の差を演算すると負の傾き信号として検出さ
れる。
【００３４】次に傾き補正方法について説明する。上記
方法により検出された傾き信号をサンプルホールド回路
４６で記憶し、その信号に応じてレーザ制御回路２から
半導体レーザ素子２０の主電極３０、副電極３１，３２
への注入電流が制御され、レーザ光の波面が、検出され
た傾きに応じた波面に設定される。放射されるレーザ光
の波面を、上述のように検出された傾きに応じた波面に
補正すること、すなわち、信号出力Ｓ１，Ｓ２が同じに
なるように副電極３１，３２への注入電流を変調するこ
とにより、光ディスクと対物レンズ光軸の傾きに起因す
るコマ収差の補正が行われる。コマ収差の補正により、
実際に光ディスクと対物レンズ光軸の傾きを機械的に補
正することなく、光ディスク記録面上での集光スポット
径が広がるのが防止される。
方法により検出された傾き信号をサンプルホールド回路
４６で記憶し、その信号に応じてレーザ制御回路２から
半導体レーザ素子２０の主電極３０、副電極３１，３２
への注入電流が制御され、レーザ光の波面が、検出され
た傾きに応じた波面に設定される。放射されるレーザ光
の波面を、上述のように検出された傾きに応じた波面に
補正すること、すなわち、信号出力Ｓ１，Ｓ２が同じに
なるように副電極３１，３２への注入電流を変調するこ
とにより、光ディスクと対物レンズ光軸の傾きに起因す
るコマ収差の補正が行われる。コマ収差の補正により、
実際に光ディスクと対物レンズ光軸の傾きを機械的に補
正することなく、光ディスク記録面上での集光スポット
径が広がるのが防止される。
【００３５】なお、上記実施例ではコマ収差の変化を、
基準状態と＋Ｗ、−Ｗの３状態としたが、より詳細に傾
き検出を行うためにコマ収差の設定状態を増やしたり、
あるいはある一定の範囲で連続的に変化させてもよい。
連続的に変化させたときの信号出力の一例を図７に示
す。この場合は信号出力が最大となる状態で、最も傾き
の影響を打ち消すことができる。したがって、信号出力
が最大となる制御電流に設定することにより傾きを補正
することができる。
基準状態と＋Ｗ、−Ｗの３状態としたが、より詳細に傾
き検出を行うためにコマ収差の設定状態を増やしたり、
あるいはある一定の範囲で連続的に変化させてもよい。
連続的に変化させたときの信号出力の一例を図７に示
す。この場合は信号出力が最大となる状態で、最も傾き
の影響を打ち消すことができる。したがって、信号出力
が最大となる制御電流に設定することにより傾きを補正
することができる。
【００３６】また、上記傾き検出方法を以下に述べるよ
うな光ディスク上の特定の領域で行うようにすることも
できる。傾き検出を光ディスク上の特定の領域で行う領
域の一例は、光ディスク上に一定周波数の信号が記録さ
れた領域を設けたものである。本実施例の傾き検出方法
では、この領域にレーザ光を照射し、その状態におい
て、半導体レーザ素子への注入電流により発生する光の
コマ収差を変調する。その時々に記録された一定周波数
の信号に対する再生信号の振幅を検出し、変調したコマ
収差に対する再生信号の振幅変動から光ディスクと対物
レンズ光軸の傾きを検出することができる。検出した傾
きに応じて半導体レーザ素子への注入電流を設定し傾き
補正を行う方法は、上記実施例と同様である。
うな光ディスク上の特定の領域で行うようにすることも
できる。傾き検出を光ディスク上の特定の領域で行う領
域の一例は、光ディスク上に一定周波数の信号が記録さ
れた領域を設けたものである。本実施例の傾き検出方法
では、この領域にレーザ光を照射し、その状態におい
て、半導体レーザ素子への注入電流により発生する光の
コマ収差を変調する。その時々に記録された一定周波数
の信号に対する再生信号の振幅を検出し、変調したコマ
収差に対する再生信号の振幅変動から光ディスクと対物
レンズ光軸の傾きを検出することができる。検出した傾
きに応じて半導体レーザ素子への注入電流を設定し傾き
補正を行う方法は、上記実施例と同様である。
【００３７】傾き検出領域の他の例は、光ディスク上に
傾き検出のためのピットを設けたものである。このピッ
トは傾き検出用に特に設けたものでもよいし、セクタ領
域にある既存のピットを用いてもよい。傾き検出方法
は、このピットに同期して、半導体レーザ素子への注入
電流により発生する光のコマ収差を変調し、光ディスク
からの戻り光の信号出力を検出する。この時変調したコ
マ収差に対する信号出力の変動から傾きを検出する。検
出した傾きに応じて半導体レーザ素子への注入電流を設
定し傾き補正を行う方法は、上記実施例と同様である。
傾き検出のためのピットを設けたものである。このピッ
トは傾き検出用に特に設けたものでもよいし、セクタ領
域にある既存のピットを用いてもよい。傾き検出方法
は、このピットに同期して、半導体レーザ素子への注入
電流により発生する光のコマ収差を変調し、光ディスク
からの戻り光の信号出力を検出する。この時変調したコ
マ収差に対する信号出力の変動から傾きを検出する。検
出した傾きに応じて半導体レーザ素子への注入電流を設
定し傾き補正を行う方法は、上記実施例と同様である。
【００３８】さらには光ディスク上で信号が記録されて
いない領域においても上記傾き検出方法を用いることが
できる。この場合も傾き検出方法および補正方法は上記
実施例と同様である。
いない領域においても上記傾き検出方法を用いることが
できる。この場合も傾き検出方法および補正方法は上記
実施例と同様である。
【００３９】なお、これまでは半導体レーザ素子から発
生する光のコマ収差に注目して、傾きの検出と補正方法
を説明してきたが、図４に示すように半導体レーザ素子
への注入電流を変調したときにはレーザ光の光軸に垂直
な断面における強度分布も変化するので、これまで説明
してきたコマ収差の変化を強度分布の変化と見ることも
できる。この時の傾きの検出方法及び補正方法は、上記
実施例と同様である。
生する光のコマ収差に注目して、傾きの検出と補正方法
を説明してきたが、図４に示すように半導体レーザ素子
への注入電流を変調したときにはレーザ光の光軸に垂直
な断面における強度分布も変化するので、これまで説明
してきたコマ収差の変化を強度分布の変化と見ることも
できる。この時の傾きの検出方法及び補正方法は、上記
実施例と同様である。
【００４０】
【発明の効果】このように本発明によれば、半導体レー
ザ素子への注入電流を変調し、その時の信号出力から傾
きを検出することができ、その検出した傾きに応じて半
導体レーザ素子への注入電流を設定することにより傾き
による影響の補正を行うことができる。したがって、傾
き検出のための新たな部品を追加することなく、傾きの
検出と補正をすることができる。また、電気的な変調で
傾きの検出と補正を行うため、機械式アクチュエータの
ように高周波域での副共振による制御帯域の制限を受け
ることなく、高い周波数まで高速な制御が可能となる。
ザ素子への注入電流を変調し、その時の信号出力から傾
きを検出することができ、その検出した傾きに応じて半
導体レーザ素子への注入電流を設定することにより傾き
による影響の補正を行うことができる。したがって、傾
き検出のための新たな部品を追加することなく、傾きの
検出と補正をすることができる。また、電気的な変調で
傾きの検出と補正を行うため、機械式アクチュエータの
ように高周波域での副共振による制御帯域の制限を受け
ることなく、高い周波数まで高速な制御が可能となる。
【図１】本発明の一実施例における光ディスク装置の光
ヘッドの構成を示す図である。
ヘッドの構成を示す図である。
【図２】図１に示す一実施例における半導体レーザを形
成する半導体レーザ素子の構成を示す斜視図である。
成する半導体レーザ素子の構成を示す斜視図である。
【図３】コマ収差測定結果の例を示す図である。
【図４】副電極への注入電流を変化させたときの光強度
分布の変化を示す図である。
分布の変化を示す図である。
【図５】図１に示す実施例における傾き検出補正回路の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図６】傾き検出動作を説明する図である。
【図７】本発明の他の実施例における傾き検出動作を説
明する図である。
明する図である。
１ コントローラ ２ レーザ制御
回路 ３ 半導体レーザ ４ コリメート
レンズ ６ ビームスプリッタ ７ 立ち上げミ
ラー ８ 対物レンズ ９ 光ディスク １１ 対物レンズアクチュエータ １２ 検出光学
系 １３ フォーカスエラー信号検出回路 １４ トラック
エラー信号検出回路 １５ 再生信号検出回路 １６ 傾き検出
補正回路 ２０ 半導体レーザ素子 ２１ ｎ−Ｇa
Ａs基板 ２２ ｎ−ＡｌＧaＡsクラッド層 ２３ ＡlＧaＡ
s多重量子井戸活性層 ２４ ｐ−ＡｌＧaＡsクラッド層 ２５ ｐ−Ｇa
Ａsコンタクト層 ２６ ｎ−ＧaＡsブロック層 ２７ ｐ−Ａl
ＧaＡs埋め込み層 ２８ ｐ−ＧaＡsキャップ層 ２９ 裏面電極 ３０ 主電極 ３１、３２ 副
電極 ４１ タイミング回路 ４２ 信号出力
検出回路 ４３、４４ サンプルホールド回路 ４５ 傾き検出
手段 ４６ サンプルホールド回路
回路 ３ 半導体レーザ ４ コリメート
レンズ ６ ビームスプリッタ ７ 立ち上げミ
ラー ８ 対物レンズ ９ 光ディスク １１ 対物レンズアクチュエータ １２ 検出光学
系 １３ フォーカスエラー信号検出回路 １４ トラック
エラー信号検出回路 １５ 再生信号検出回路 １６ 傾き検出
補正回路 ２０ 半導体レーザ素子 ２１ ｎ−Ｇa
Ａs基板 ２２ ｎ−ＡｌＧaＡsクラッド層 ２３ ＡlＧaＡ
s多重量子井戸活性層 ２４ ｐ−ＡｌＧaＡsクラッド層 ２５ ｐ−Ｇa
Ａsコンタクト層 ２６ ｎ−ＧaＡsブロック層 ２７ ｐ−Ａl
ＧaＡs埋め込み層 ２８ ｐ−ＧaＡsキャップ層 ２９ 裏面電極 ３０ 主電極 ３１、３２ 副
電極 ４１ タイミング回路 ４２ 信号出力
検出回路 ４３、４４ サンプルホールド回路 ４５ 傾き検出
手段 ４６ サンプルホールド回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 成夫 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 光源である半導体レーザ素子と、該半導
体レーザ素子から発せられたレーザ光を集光光学系によ
り光ディスク上に集光し、情報の記録あるいは再生を行
う光ディスク装置において、前記半導体レーザ素子が、
電流注入を行うための電極として主電極と複数の副電極
を有する半導体レーザ素子であり、前記主電極と複数の
副電極への注入電流を制御することにより、前記半導体
レーザ素子から発生するレーザ光の波面もしくは強度分
布を変調し、変調前後の信号再生出力に基づいて、前記
レーザ光の光軸が光ディスク記録面に交わる点における
光ディスク記録面法線と前記光軸がなす角として表れ
る、前記光ディスクと集光光学系の傾き量を検出するこ
とを特徴とする傾き検出方法。 - 【請求項２】 光源である半導体レーザ素子と、該半導
体レーザ素子から発せられたレーザ光を集光光学系によ
り光ディスク上に集光し、情報の記録あるいは再生を行
う光ディスク装置において、前記半導体レーザ素子が、
電流注入を行うための電極として主電極と複数の副電極
を有する半導体レーザ素子であり、前記光ディスク上に
設けられた一定周波数の信号が記録された領域、あるい
は傾き検出のためのピット、あるいはセクタ領域にある
ピット、あるいは信号が記録されていない領域へのレー
ザ光の集光に同期して、前記主電極と複数の副電極への
注入電流を制御することにより、前記半導体レーザ素子
から発生するレーザ光の波面もしくは強度分布を変調
し、その前後の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光
の光軸が光ディスク記録面に交わる点における光ディス
ク記録面法線と前記光軸がなす角として表れる、前記光
ディスクと前記集光光学系の傾き量を検出することを特
徴とする傾き検出方法。 - 【請求項３】 電流注入を行うための電極として主電極
と複数の副電極を有する半導体レーザ素子と、該半導体
レーザ素子から発せられたレーザ光を光ディスク上に集
光する集光光学系と、光ディスクで反射されたレーザ光
から再生信号を検出する再生信号検出回路と、前記主電
極と複数の副電極への注入電流を制御するレーザ制御回
路と、を含んで構成されて情報の記録あるいは再生を行
う光ディスク装置において、前記レーザ制御回路を制御
して前記複数の副電極への注入電流を変化させ、注入電
流変化前後の信号再生出力に基づいて、前記レーザ光の
光軸が光ディスク記録面に交わる点における光ディスク
記録面法線と前記光軸がなす角として表れる、前記光デ
ィスクと集光光学系の傾き量を検出し、前記傾き量に対
応して、前記レーザ制御回路を介して半導体レーザ素子
の複数の副電極への注入電流を制御して信号再生出力に
対する前記光ディスクと前記集光光学系の傾きの影響を
補正する傾き検出補正回路を備えたことを特徴とする光
ディスク装置。 - 【請求項４】 前記傾き検出補正回路は、前記光ディス
ク上に設けられた一定周波数の信号が記録された領域、
あるいは傾き検出のためのピット、あるいはセクタ領域
にあるピット、あるいは信号が記録されていない領域へ
のレーザ光の集光に同期して、前記主電極と複数の副電
極への注入電流を制御することにより、前記半導体レー
ザ素子から発生するレーザ光の波面もしくは強度分布を
変調するものであることを特徴とする請求項３に記載の
光ディスク装置。 - 【請求項５】 前記傾き検出補正回路が、注入電流変化
前後の再生信号振幅を検出し、前記再生信号振幅が最大
となるように、前記半導体レーザ素子の主電極と複数の
副電極への注入電流を制御するものであることを特徴と
する請求項３に記載の光ディスク装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP9205794A JPH1153750A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 傾き検出方法及び光ディスク装置 |
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|---|---|---|---|
| JP9205794A JPH1153750A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 傾き検出方法及び光ディスク装置 |
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| JPH1153750A true JPH1153750A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16512801
Family Applications (1)
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