JPH0983082A - 半導体レーザ素子及び光ディスク装置、並びに光軸調整方法 - Google Patents

半導体レーザ素子及び光ディスク装置、並びに光軸調整方法

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JPH0983082A
JPH0983082A JP7239411A JP23941195A JPH0983082A JP H0983082 A JPH0983082 A JP H0983082A JP 7239411 A JP7239411 A JP 7239411A JP 23941195 A JP23941195 A JP 23941195A JP H0983082 A JPH0983082 A JP H0983082A
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laser light
light source
electrode
optical
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JP7239411A
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Katsuhiko Kimura
勝彦 木村
Shozo Saegusa
省三 三枝
Masaru Muranishi
勝 村西
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Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ディスクと対物レンズ光軸の傾きに起因す
る収差を補正する。 【構成】 ｎ−ＧａＡｓ基板１の上には、ｎ−ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層２、ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層
３、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層５、ｎ−ＧａＡｓブロック層７、ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ埋め込み層８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９が形成さ
れている。またｐ−ＧａＡｓキャップ層９の上には、主
電極１２と副電極１３，１４が設けられている。ｎ−Ｇ
ａＡｓ基板１の裏面には裏面電極１１が設けられてい
る。そして、副電極１３，１４への注入電流を制御する
ことにより、半導体レーザ素子１５内の電流密度分布が
変わり、発光波面形状を変化させることができる。これ
によって、光ディスクと対物レンズの傾きによって生じ
る収差を補正することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光波面の形状を可変と
した半導体レーザ素子に関する。さらに、本発明は上記
半導体レーザ素子を搭載した光ディスク装置、および上
記半導体レーザ素子を用いての光軸調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスク装置やコンピュータ
用の記憶装置として用いられる光ディスク装置は、高密
度記録化が求められている。この高密度記録化の方法と
して、解像度を高めるために対物レンズの開口数を大き
くする方法が検討されている。しかし、対物レンズ開口
数が大きくなると、光ディスクの記録面と対物レンズの
光軸との傾きによって生じるコマ収差の影響が急激に増
加し、信号の記録再生特性に悪影響を及ぼすという問題
が生じる。光ディスクと対物レンズ光軸の傾きにより生
じるコマ収差Ｗは、対物レンズ主平面上の極座標（ｒ，
φ）を用いて以下の数１のように表される。
【０００３】
【数１】
【０００４】ここで、ｄはディスク基板厚み、ｎはディ
スク基板屈折率、θはディスクの傾き角、ＮＡは対物レ
ンズの開口数、ａは対物レンズ有効半径である。すなわ
ち、コマ収差は対物レンズ開口数の３乗とディスク傾き
角の１乗に比例して増加する。コマ収差量が大きくなる
と光ディスク上での集光スポット径が大きくなり、記録
再生時に誤りが発生する。このため、高密度化を図るた
めに対物レンズ開口数を大きくする場合には、ディスク
の傾きに対して何らかの補正を行うことが必要となって
くる。従来このようなディスク傾きの補正方法として
は、位相差の異なる透明基板を光路上に切換えて配置で
きるようにしたもの（特開平６−２９５４５７号公報）
や、対物レンズを機械的に傾斜させるようにしたもの
（特開平７−６５３９７号公報）等が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、従来の光学系に加えて新たな光学部品を用
いたり、機械的にレンズを動かす機構が新たに必要であ
るために、装置が複雑化し、さらにはコストが高くなる
という欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、光ディスクの高密度化の
ために対物レンズの開口数を大きくした場合でも、装置
構成を複雑化することなく、容易に光ディスクの傾きを
補正できる半導体レーザ素子及び光ディスク装置、並び
に光軸調整方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体結晶により構成され、通電により
光利得を発生し光を導波する活性層と、該活性層に光を
反射させる反射体と、前記活性層への電流注入のための
表面電極及び裏面電極とを備え、前記表面電極から裏面
電極へと電流を流すことによって、前記活性層の導波光
の光軸に沿った方向にレーザ光を発する半導体レーザ素
子において、前記表面電極を主電極と副電極とに分割す
るとともに、前記副電極を前記活性層の導波光の光軸に
沿って複数に分割し、前記主電極及び副電極の分割した
各領域に独立に電流注入される構成としたものである。
【０００８】また、本発明は、半導体結晶により構成さ
れ、通電により光利得を発生し光を導波する活性層と、
該活性層に光を反射させる反射体と、前記活性層への電
流注入のための表面電極及び裏面電極とを備え、前記表
面電極から裏面電極へと電流を流すことによって、半導
体結晶の接合面に対して垂直な方向にレーザ光を発する
半導体レーザ素子において、前記表面電極を複数に分割
し、分割した各領域に独立に電流注入される構成とした
ものである。
【０００９】さらに、本発明の半導体レーザ光源は、上
記構成の半導体レーザ素子を密閉構造のパッケージ内に
収納したものである。本発明の上記半導体レーザ光源は
光ディスク装置に適用できる。すなわち、本発明は、光
ディスクと、レーザ光を発する半導体レーザ光源と、前
記半導体レーザ光源からのレーザ光を前記光ディスク上
に集光する集光光学系と、前記光ディスクからの反射光
を検出する検出光学系と、前記集光光学系および前記光
ディスクで発生する収差を検出する収差検出手段と、を
備えた光ディスク装置において、前記半導体レーザ光源
として上記ものを搭載するとともに、前記収差検出手段
の出力に基づき前記半導体レーザ素子への注入電流を制
御することにより、レーザ光の発光波面形状を変化させ
前記収差を補正する収差補正手段を設けたものである。
【００１０】また、本発明は、光ディスクと、レーザ光
を発する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源か
らのレーザ光を前記光ディスク上に集光する集光光学系
と、前記光ディスクからの反射光を検出する検出光学系
と、前記集光光学系から前記光ディスクへ照射されるレ
ーザ光の光軸と前記光ディスクの記録面との角度ずれを
検出する傾き検出手段と、を備えた光ディスク装置にお
いて、前記半導体レーザ光源として上記のものを搭載す
るとともに、前記傾き検出手段の出力に基づき前記半導
体レーザ素子への注入電流を制御することにより、レー
ザ光の光軸を変化させ前記角度ずれを補正する傾き補正
手段を設けたものである。
【００１１】さらに、本発明は、半導体結晶により構成
され、通電により光利得を発生し光を導波する活性層
と、該活性層に光を反射させる反射体と、前記活性層へ
の電流注入を行うための表面電極及び裏面電極とを備
え、前記表面電極から裏面電極へと電流を流すことによ
って、前記活性層の導波光の光軸に沿った方向にレーザ
光を発する半導体レーザ光源において、前記活性層の導
波光の光軸と同じ方向に磁界を発生する磁界発生手段を
設けものである。
【００１２】また、本発明は、半導体結晶により構成さ
れ、通電により光利得を発生し光を導波する活性層と、
該活性層に光を反射させる反射体と、前記活性層への電
流注入のための表面電極及び裏面電極とを備え、前記表
面電極から裏面電極へと電流を流すことによって、半導
体結晶の接合面に対して垂直な方向にレーザ光を発する
半導体レーザ光源において、前記活性層の面内方向に磁
界を発生する磁界発生手段を設けたものである。
【００１３】上記半導体レーザ光源も光ディスク装置に
適用できる。すなわち、本発明は、光ディスクと、レー
ザ光を発する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光
源からのレーザ光を前記光ディスク上に集光する集光光
学系と、前記光ディスクからの反射光を検出する検出光
学系と、前記集光光学系および前記光ディスクで発生す
る収差を検出する収差検出手段と、を備えた光ディスク
装置において、前記半導体レーザ光源として上記のもの
搭載するとともに、前記収差検出手段の出力に基づき、
前記磁界発生手段で発生する磁界の方向及び大きさを制
御することにより、レーザ光の発光波面形状を変化させ
前記収差を補正する収差補正手段を設けたものである。
【００１４】また、本発明は、光ディスクと、レーザ光
を発する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源か
らのレーザ光を前記光ディスク上に集光する集光光学系
と、前記光ディスクからの反射光を検出する検出光学系
と、前記集光光学系から前記光ディスクへ照射されるレ
ーザ光の光軸と前記光ディスクの記録面との角度ずれを
検出する傾き検出手段と、を備えた光ディスク装置にお
いて、前記半導体レーザ光源として上記のものを搭載す
るとともに、前記傾き検出手段の出力に基づき、前記磁
界発生手段で発生する磁界の方向及び大きさを制御する
ことにより、レーザ光の光軸を変化させ前記角度ずれを
補正する傾き補正手段を設けたものである。
【００１５】さらにまた、本発明は、半導体レーザ光源
と、前記半導体レーザ光源から射出された光を光ディス
クに集光する集光光学系と、光ディスクからの反射光を
検出する検出光学系とを含む光ピックアップの光軸を調
整する際に、前記半導体レーザ光源として前述した半導
体レーザ光源のいずれかを設置するとともに、前記半導
体レーザ光源と前記集光光学系で発生する収差が最小と
なるよう、前記半導体レーザ光源への注入電流もしくは
前記磁界発生手段による磁界の方向及び大きさを制御す
ることである。なお、前記集光光学系から前記光ディス
クへ照射されるレーザ光の光軸と前記光ディスクの記録
面との角度ずれが最小となるよう、前記半導体レーザ光
源への注入電流もしくは前記磁界発生手段による磁界の
方向及び大きさを制御しても良い。
【００１６】また、本発明は、光ファイバの一端側に半
導体レーザ光源を、他端側に光検出器をそれぞれ設置し
て、前記半導体レーザ光源と前記光ファイバとの光軸を
調整する際に、前記半導体レーザ光源として前述した半
導体レーザ光源のいずれかを設置するとともに、前記光
ファイバへの結合光量が最大となるよう、前記半導体レ
ーザ光源への注入電流もしくは前記磁界発生手段による
磁界の方向及び大きさを制御することである。
【００１７】さらに、本発明は、光ディスクと、レーザ
光を発する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源
からのレーザ光を前記光ディスク上に集光する集光光学
系と、前記光ディスクからの反射光を検出する検出光学
系とを備えた光ディスク装置のトラッキングを調整する
際に、前記半導体レーザ光源として前述した半導体レー
ザ光源のいずれかを設置するとともに、前記検出光学系
で検出されたトラックエラー信号に基づき、前記半導体
レーザ光源への注入電流もしくは前記磁界発生手段によ
る磁界の方向及び大きさを制御して、レーザ光の光軸を
変化させることである。
【００１８】
【作用】上記の半導体レーザ素子によれば、分割された
副電極または表面電極に注入される電流を各電極ごとに
制御することにより、もしくは磁界発生手段による磁界
の方向及び大きさを制御することにより、レーザ光の発
光波面形状を容易に変えることができる。このことは、
活性層の導波光の光軸に沿った方向にレーザ光を発する
半導体レーザ素子の場合でも、半導体結晶の接合面に対
して垂直な方向にレーザ光を発する半導体レーザ素子の
場合でも同様である。
【００１９】したがって、上記の半導体レーザ素子を含
んだ半導体レーザ光源を光ディスク装置に搭載すれば、
光ディスクと対物レンズ光軸の傾き量に対応して、半導
体レーザ光源への電流注入量もしくは磁界発生手段によ
る磁界の方向及び大きさを制御することによって、レー
ザ光の発光波面形状を変化させ、光ディスクの傾きによ
って生じる収差を補正することができる。その結果、対
物レンズ開口数を大きくしても容易に光ディスクの傾き
を補正でき、高密度光ディスク装置を実現することが可
能となる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従って説明す
る。 （第１実施例）図１〜図４は本発明の第１実施例であ
り、図１は半導体レーザ素子の全体構成を、図２はその
製造工程をそれぞれ示し、また図３および図４は半導体
レーザ素子の動作原理についての説明図である。以下、
図２を用いて上記半導体レーザ素子の構成を製造工程と
共に説明する。
【００２１】まず、図２(ａ）のように、ｎ−ＧａＡｓ
基板１上にｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ＡｌＧａＡ
ｓ多重量子井戸活性層３、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
４、およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層５を順次結晶成長
させる。そして、気相化学成長法およびホトリソグラフ
技術を用いて、図２(ｂ）のようにｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層５上にストライプ状のＳｉＯ2膜６を形成し、こ
のＳｉＯ2膜６をマスクとして、図２(ｃ）のようにｐ−
ＧａＡｓコンタクト層５とｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
４の一部をエッチング除去する。
【００２２】次に、ＳｉＯ2層６を図２(ｄ）に示すよう
な形状に形成し、これをマスクとして図２(ｅ）のよう
にｎ−ＧａＡｓブロック層７を選択的に成長させる。Ｓ
ｉＯ2膜６を除去した後、ｐ−ＡｌＧａＡｓ埋め込み層
８およびｐ−ＧａＡｓキャップ層９を順次形成するとと
もに、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９の表面に表面電極１０
を、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面に裏面電極１１をそれぞ
れ形成する。
【００２３】そして最後に、図２(ｆ）のように表面電
極１０、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９およびｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ埋め込み層８には分離溝を形成する。このように分
離溝を設けることにより、表面電極１０は主電極１２と
副電極１３，１４に分割される。さらに、このような構
造のウエハを所定の寸法にへき開して、図１に示すよう
な半導体レーザ素子１５が完成する。なお、へき開面は
活性層に光を反射させる反射体となる。
【００２４】ここで、上記半導体レーザ素子での波面形
状の制御について説明する。まず、図３を用いて、通常
状態の波面形状を得る時の挙動について説明する。この
時には、主電極１２（図１参照）にしきい値以上の所定
の電流を注入し、２つの副電極１３，１４には等量の電
流を注入する。これにより、電子密度は図３(ａ）のよ
うにストライプ中央で高くなるので、屈折率分布は図３
(ｂ）のようにストライプ中央で小さくなる。そして、
利得分布は図３(ｃ）のようになり、電流注入により発
生する光は利得分布によって閉じこめられるために、図
３(ｄ）のように、半導体レーザ素子１５から放射され
る光の波面形状１６は光軸１７に対して左右対称な形と
なる。
【００２５】次に、図４を用いて、波面形状を変化させ
る時の挙動について説明する。波面形状を変化させるに
は２つの副電極１３，１４に注入する電流値を変化させ
る。例えば、図４(ａ）は図中右側の副電極１４への注
入電流を大きくし、左側の副電極１３への注入電流を小
さくした例を示している。これにより、図４(ｂ）のよ
うに、図中右側の電子密度の高い側では屈折率が低くな
り、光が進む速度が速くなるので位相が進むことにな
る。すなわち、図４(ｄ）のように、注入電流を大きく
した副電極１４の方で位相が進んだ波面形状１８が得ら
れる。このようにして、２つの副電極１３，１４への注
入電流量に対応して発光波面形状を変化させることがで
きる。
【００２６】なお、副電極１３，１４に注入する電流値
は、主電極１２部分で発生した光に対して波面形状を変
化させるだけの大きさであればよいから、主電極１２に
注入する電流値より小さくなければならない。
【００２７】また、副電極の数はここでは２個として説
明したが、より細かな波面形状の変化を得るために副電
極の数を３個以上とすることも可能である。また、本発
明はこの実施例で示した構造に限られるものではなく、
いわゆる屈折率導波型半導体レーザの構造でも、利得導
波型半導体レーザの構造でも構わない。
【００２８】このような半導体レーザ素子を光源として
実際に使用する時には、耐環境性、取扱性を高めるため
に、気密パッケージに封入される。図５は上記半導体レ
ーザ素子をパッケージした状態の概観図である。図６は
その中の構造を説明するために、パッケージのキャップ
部分を取り除いた図である。図６に示すように、半導体
レーザ素子１５はヒートシンク２０に固着される。主電
極１２と副電極１３，１４はボンディングワイヤーによ
ってそれぞれリード２１，２２，２３に接続され、各々
に電流が供給される。また、本パッケージ内には、半導
体レーザ素子１５から発生する光の光量をモニターする
ために、半導体レーザ素子１５の後方に受光素子２４が
設けられている。この受光素子２４の出力は、ボンディ
ングワイヤーで接続されたリード２５から外部へ取り出
される。また、半導体レーザ素子１５の裏面電極と受光
素子２４のバイアス電極はリード２６に共通して接続さ
れており、所定のバイアス電位が印加されるようになっ
ている。
【００２９】なお、ここでは半導体レーザ素子１５の裏
面電極と受光素子２４のバイアス電極はリード２６に共
通して接続され同電位となっているが、これらを独立に
させることも可能である。この時には、半導体レーザ素
子１５の裏面電極と受光素子２４のバイアス電極にそれ
ぞれ接続するリードが必要となり、リードの数が１本多
くなるが、受光素子２４へのバイアス電位を高くするこ
とにより、受光素子２４の応答速度を向上させることが
できるという利点がある。
【００３０】（第２実施例）次に、本発明の第２実施例
による光ディスク装置について説明する。本実施例の光
ディスク装置は上記の半導体レーザ素子が搭載され、光
ディスクと対物レンズの傾きによって生じる収差を補正
するよう構成されている。
【００３１】図７において、半導体レーザ光源３０とし
て図５および図６に示した半導体レーザ光源を用いる。
この半導体レーザ光源３０からの光はコリメートレンズ
３１によって平行光となり、ビームスプリッタ３２を透
過後、立ち上げミラー３３で反射され、対物レンズ３４
により光ディスク３５上に集光される。そして、光ディ
スク３５で反射された光は、対物レンズ３４を再び透過
し、立ち上げミラー３３、ビームスプリッタ３２で反射
される。さらに、その反射光はビームスプリッタ３６で
２分割され、一方は収差検出部３７へ、他方は信号検出
光学系３８へと進む。信号検出光学系３８では、光ディ
スク３５に記録された情報の再生信号、光ディスク３５
と対物レンズ３４の焦点方向の誤差を表すフォーカスエ
ラー信号、および光ディスク３５上のトラック中心と対
物レンズ３４で集光された光スポット中心のずれを表す
トラックエラー信号が検出される。
【００３２】なお、ここでは光磁気ディスク装置等で用
いられる無限光学系の例を示しているが、コンパクトデ
ィスク装置等で用いられる有限光学系でももちろん構わ
ず、動作はまったく同様である。
【００３３】図７において、通常では光ディスク３５は
光軸３９に対して垂直となるよう位置しており、この時
収差検出部３７において、レンズ４０で集光された光は
２分割光検出器４２上の中央部に集光スポットを形成す
る。その時の様子を図８に示す。図８を見れば、集光ス
ポット４１が２分割光検出器４２の中央部に形成されて
いることが分かる。
【００３４】次に、光ディスク３５が光軸３９に対して
傾いた場合について説明する。なお、対物レンズ３４が
光軸３９に対して傾いた場合も現象は同じであるので、
ここでは光ディスク３５が傾いた場合に限って説明す
る。この時には数１で示されるコマ収差が発生し、これ
を対物レンズ瞳上で表すと図９のようになる。すなわ
ち、図９に示すように、対物レンズ瞳上４３ではコマ収
差により波面形状４４が生じる。このようなコマ収差を
持った光が収差検出部３７においてレンズ４０で集光さ
れると、２分割光検出器４２上には変形した集光スポッ
トが形成される。図１０は、その時の様子を示してお
り、２分割光検出器４２上の集光スポット４５が尾を引
いたような形となっていることが分かる。このため、図
７において、２分割光検出器４２の各領域で検出される
出力に差が生じ、この差信号４６は光ディスク３５の傾
きによって生じるコマ収差の量を表す信号として出力さ
れる。
【００３５】このコマ収差量に応じて収差補正回路４７
で半導体レーザ素子の副電極に注入する電流値が制御さ
れる。この時の動作の様子を図１１に示す。図１１では
説明を行いやすくするため半導体レーザ光源３０を透視
して図示し、また、リードは主電極１２へ接続するリー
ド２１と、副電極１３，１４へ接続するリード２２，２
３だけを図示してある。
【００３６】図１１において、図９に示すコマ収差量に
応じて収差補正回路４７によって副電極１３への注入電
流４８は減少し、副電極１４への注入電流４９は増加す
る。これによって副電極１４側の位相が進んだ波面形状
５０となり、この波面は対物レンズ瞳上４３で図中右側
が位相が進んだ波面形状５１となる。これは、図９に示
す波面形状に対して逆相となるので収差量を補正するこ
とができる。したがって、光ディスク３５上での集光ス
ポットが十分に小さくなり、良好な記録再生が行える。
【００３７】（第３実施例）次に、本発明の第３実施例
による光ディスク装置について説明する。本実施例の光
ディスク装置にも第２実施例と同様の半導体レーザ素子
が搭載されているが、本実施例では、第２実施例のよう
に収差を補正するのではなく、光ディスクと対物レンズ
の傾きを補正するよう構成されている。そのため本実施
例では、図１２に示すように、収差検出部３７（図７参
照）の代わりに傾き検出部６０が設けられている。
【００３８】図１２において、半導体レーザ光源３０と
しては図５および図６に示した半導体レーザ光源が用い
られている。半導体レーザ光源３０からの光はコリメー
トレンズ３１により平行光となり、ビームスプリッタ３
２を透過後に、立ち上げミラー３３で反射され、対物レ
ンズ３４により光ディスク３５上に集光される。光ディ
スク３５で反射された光は、対物レンズ３４を再び透過
し、立ち上げミラー３３、ビームスプリッタ３２で反射
される。そして、ビームスプリッタ３２で反射された光
は信号検出光学系３８へ進み、光ディスク３５に記録さ
れた情報の再生信号、光ディスク３５と対物レンズ３４
の焦点方向の誤差を表すフォーカスエラー信号、および
光ディスク３５上のトラック中心と対物レンズ３４で集
光された光スポット中心のずれを表すトラックエラー信
号が検出される。
【００３９】なお、図１２では光磁気ディスク装置等で
用いられる無限光学系の例を示しているが、コンパクト
ディスク装置等で用いられる有限光学系でももちろんよ
く、動作はまったく同様である。
【００４０】傾き検出部６０は対物レンズ３４近傍に配
置されている。傾き検出部６０は、発光ダイオード等の
発光素子６１と２分割光検出器６２とからで構成されて
おり、光ディスク３５に対して発光素子６１から光を照
射し、そのときの光ディスク３５からの反射光を２分割
光検出器６２で受光するようになっている。光ディスク
３５に傾きが生じていない時には、光ディスク３５から
の反射光６３は図１３に示すように２分割光検出器６２
の中央に位置しているが、光ディスク３５に傾きが生じ
た場合には、光ディスク３５からの反射光６４は図１４
に示すように２分割光検出器６２の片側に寄り、２分割
光検出器６２のそれぞれの領域で検出される光量に差が
生じる。このため、図１２に示すように、その差信号６
５が光ディスク傾き量を表す信号として出力される。
【００４１】この光ディスク傾き量に応じて傾き補正回
路６６で半導体レーザ素子の副電極に注入する電流値６
７，６８が制御される。これにより、半導体レーザ素子
からの発光波面形状を変化させ、光ディスク３５の傾き
によって発生するコマ収差を補正することができる。そ
の動作原理は図７で示した第２実施例の場合と同様であ
る。
【００４２】（第４実施例）図１５〜図１９は本発明の
第４実施例であり、半導体レーザ素子の他の実施例を示
している。第１実施例の半導体レーザ素子は半導体結晶
の接合面に対して平行な方向に光を発生するタイプであ
ったが、本実施例の半導体レーザ素子は、半導体結晶の
接合面に対して垂直な方向に光が発生する、面発光レー
ザの波面形状を可変とするものである。図１５は本実施
例に係る半導体レーザ素子の全体構成を、図１６はその
断面構成をそれぞれ示し、図１７〜図１８は動作原理に
ついての説明図である。以下、図１６を用いて本実施例
に係る半導体レーザ素子の構成を製造工程と共に説明す
る。
【００４３】まず、ｎ−ＧａＡｓ基板７１上にｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層７２、ｐ−ＧａＡｓ活性層７３、ｐ
−ＡｌＧａＡｓクラッド層７４、およびｐ−ＡｌＧａＡ
ｓキャップ層７５を順次結晶成長させる。次に、気相化
学成長法およびホトリソグラフ技術を用いてｐ−ＡｌＧ
ａＡｓキャップ層７５上に円形のＳｉＯ2膜を形成し、
このＳｉＯ2膜をマスクとしてｐ−ＡｌＧａＡｓキャッ
プ層７５とｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層７４をエッチン
グ除去する。その上にｎ−ＧａＡｓブロック層７６及び
ｐ−ＧａＡＳ層７７を選択的に成長させ円形の埋め込み
を行う。ＳｉＯ2膜を除去した後、出射側のｎ−ＧａＡ
ｓ基板７１をエッチング加工し、表面には２つに分割し
た表面電極７９，８０を、裏面には多層膜反射鏡７８と
裏面電極８１をそれぞれ形成する。そして、図１５に示
したような半導体レーザ素子が完成する。
【００４４】次に、本実施例の半導体レーザ素子の波面
形状の制御について説明する。まず、図１７を用いて、
通常状態の波面を得る時の挙動について説明する。この
時には、２つの表面電極７９，８０へ等量の電流Ｉａ、
Ｉｂを注入する。これにより活性層７３内での電流密度
は均等となり、発生した光の波面形状８２は光軸８３に
対して回転対称となる。
【００４５】次に図１８を用いて、波面形状を変化させ
る時の挙動について説明する。この時には、２つの表面
電極７９，８０に注入する電流値を変化させる。例え
ば、図１８では図中右側の表面電極８０への注入電流Ｉ
ａを大きくし、図中左側の表面電極７９への注入電流Ｉ
ｂを小さくした時を示している。これにより、図中右側
の電子密度の高い側では屈折率が低くなり、光が進む速
度が速くなるので位相が進むことになる。すなわち、注
入電流を大きくした表面電極８０の方で位相が進んだ波
面形状８４が得られる。このようにして、２つの表面電
極への注入電流量に対応して発光波面形状を変化させる
ことができる。
【００４６】なお、図１５〜図１８の例では表面電極を
２個としたが、図１９に示すように表面電極を４個にす
ることも可能である。これにより、図中ｘ方向とｙ方向
の２方向で波面形状を変化させることが可能となる。例
えば、ｘ方向に対しては表面電極ａ８５と表面電極ｂ８
６に注入する電流（Ｉａ＋Ｉｂ）と、表面電極ｃ８７と
表面電極ｄ８８に注入する電流（Ｉｃ＋Ｉｄ）とに差を
与えれば、ｘ方向に対して波面形状を変化させることが
できる。ｙ方向に対しては、表面電極ａ８５と表面電極
ｄ８８に注入する電流（Ｉａ＋Ｉｄ）と、表面電極ｂ８
６と表面電極ｃ８７に注入する電流（Ｉｂ＋Ｉｃ）に差
を与えれば、ｙ方向に対して波面形状を変化させること
ができる。さらにその組み合わせによって、ｘｙ平面内
における波面形状を変化させることが可能となる。した
がって、図１９のような構成とすることで、発生する光
の光軸に垂直な面内における波面形状を可変とした半導
体レーザ素子８９を得ることができる。
【００４７】なお、図１５〜図１９に示した半導体レー
ザ素子を光ディスク装置に搭載して、光ディスクと対物
レンズの傾きを補正することも可能である。この場合
は、図７もしくは図１２における光ディスク装置におい
て、半導体レーザ光源３０の代わりに、図１５もしくは
図１９に示した半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ
光源を設ける。そして、その他の構成は前述と同様とす
れば、同じ動作により、光ディスクの傾きによって生じ
る収差を補正することができる。
【００４８】特に、図１９に示した半導体レーザ素子８
９を用いた場合には、２方向の波面形状変化が可能とな
るので、光ディスクの半径方向と接線方向の２方向に対
しても補正が可能となるという利点がある。
【００４９】なお、図１５および図１９に示した半導体
レーザ素子も図５や図６のような密閉構造のパッケージ
内に収納される。この場合、表面電極と裏面電極の各々
にリードが接続される。また、パッケージ内に受光素子
が収納された場合は、その受光素子にもリードが接続さ
れる。受光素子の一方の電極には独立にリードが接続さ
れるが、他方の電極には裏面電極と共通してリードを接
続しても、また独立にリードを接続しても良い。
【００５０】（第５実施例）図２０〜図２４は本発明の
第５実施例であり、半導体レーザ素子の更に他の実施例
に示している。本実施例では、半導体レーザ素子の発光
波面の形状を変化させるために、磁界を利用するもので
ある。
【００５１】図２０において、半導体レーザ素子１００
は、副電極を持たない通常の半導体レーザ素子である。
この半導体レーザ素子１００をヒートシンク１０１に固
着し、その回りに磁界作用手段としてコイル１０２を配
置する。コイル１０２に電流を流すとコイル１０２中に
磁界１０３が発生し、コイル１０２に流す電流の向きを
変えることにより磁界１０３の方向も反転する。
【００５２】図２１および図２２は磁界を印加した時の
発光波面形状の変化を示している。図２１(ａ）のよう
に紙面に手前から垂直方向に磁界１０４を印加した場合
には、電子と正孔は図中右側に偏る。この電子密度の高
い領域では屈折率が低くなり光が進む速度が速くなるの
で、図２１(ｂ）のような右側で位相が進んだ波面形状
１０５が得られる。逆に、図２２(ａ）のように紙面の
反対側から手前方向に磁界１０６を印加した場合には、
図２２(ｂ）のような左側で位相が進んだ波面形状１０
７が得られる。したがって、コイルに流す電流の向きと
大きさによって、半導体レーザ素子の発光波面の形状を
変化させることができる。このような磁界を利用した構
成を用いると、半導体レーザ素子は従来から使用されて
いる通常のものを使用できるという利点がある。
【００５３】また、上記半導体レーザ素子として面発光
レーザを用いることも可能である。この時には、図２３
に示すように、磁界を印加するコイルａ１０９とコイル
ｂ１１０が面発光レーザ素子１０８の側面に設けられて
いる。コイルａ１０９とコイルｂ１１０は、それらが発
生する磁界１１１の方向が同方向となるように配置され
ている。この時の動作原理も上述の場合と同様であり、
コイルａ１０９とコイルｂ１１０にそれぞれ流す電流の
向きと大きさによって、発光波面の形状を変化させるこ
とができる。
【００５４】さらに、図２４に示すように磁界を印加す
るためのコイルを、面発光レーザ素子１０８の側面に２
組配置することにより、発光波面の形状を光軸に垂直な
面内で変化させることも可能である。例えば、コイルａ
１１２とコイルｂ１１３に電流を流し磁界をｙ方向に発
生させることにより、ｘ方向の波面形状を変化させるこ
とができ、コイルｃ１１４とコイルｄ１１５に電流を流
し磁界をｘ方向に発生させることにより、ｙ方向の波面
形状を変化させることができる。さらに、それらの組み
合わせにより、光軸に垂直な面内での波面形状を変化さ
せることができる。
【００５５】なお、図２０〜図２４に示した半導体レー
ザ素子を光ディスク装置に搭載して、光ディスクと対物
レンズの傾きを補正することも可能である。この場合
は、図７もしくは図１２における光ディスク装置におい
て、半導体レーザ光源３０の代わりに、図２０〜図２４
に示した半導体レーザ素子のいずれかを用いた半導体レ
ーザ光源を設ける。そして、その他の構成は前述と同様
とすれば、同じ動作により、光ディスクの傾きによって
生じる収差を補正することができる。
【００５６】特に、図２４に示した構成を用いた場合に
は、２方向の波面形状変化が可能となるので、光ディス
クの半径方向と接線方向の２方向に対しても補正が可能
となる。
【００５７】（第６実施例）次に、本発明の第６実施例
による光ディスク装置について説明する。本実施例は、
上述した半導体レーザ素子により光ディスク装置のトラ
ッキングを行うようにしたものである。
【００５８】図２５において、半導体レーザ光源１２０
としては、これまで述べてきたいずれの半導体レーザ素
子もしくは半導体レーザ光源が用いられる。ここでは、
図５および図６に示した半導体レーザ光源を用いた構成
として説明する。
【００５９】半導体レーザ光源１２０からの光はコリメ
ートレンズ３１により平行光となり、ビームスプリッタ
３２を透過後に、立ち上げミラー３３で反射され、対物
レンズ３４により光ディスク３５上に集光される。光デ
ィスク３５で反射された光は、対物レンズ３４を再び透
過し、立ち上げミラー３３、ビームスプリッタ３２で反
射される。さらに、ビームスプリッタ３２で反射された
光は信号検出光学系３８へ進み、光ディスク３５に記録
された情報の再生信号、光ディスク３５と対物レンズ３
４の焦点方向の誤差を表すフォーカスエラー信号、およ
び光ディスク３５上のトラック中心と対物レンズ３４で
集光された光スポット中心のずれを表すトラックエラー
信号１２１が検出される。
【００６０】なお、ここでは光磁気ディスク装置等で用
いられる無限光学系の例を示しているが、コンパクトデ
ィスク装置等で用いられる有限光学系でももちろん構わ
ず、動作はまったく同様である。
【００６１】本実施例では、検出されたトラックエラー
信号１２１に基づき、補正回路１２２で半導体レーザ素
子の副電極に注入する電流値１２３，１２４が制御され
る。これにより、発生した光の強度分布が変わり、光デ
ィスク３５上での光スポットの位置を微小量変位させる
ことができる。したがって、本実施例によれば、微小な
トラッキングを電気的に行うことが可能となり、位置決
め精度を向上させることができる。
【００６２】（第７実施例）次に、本発明の第７実施例
による光ディスク装置について説明する。本実施例は、
上述した半導体レーザ素子により光ピックアップの光軸
調整を行うようにしたものである。
【００６３】図２６において、半導体レーザ光源１３０
としては、これまで述べてきたいずれの半導体レーザ素
子あるいは半導体レーザ光源が用いられる。ここでは、
図５および図６に示した半導体レーザ光源を用いた構成
として説明する。
【００６４】なお、ここでは光磁気ディスク装置等で用
いられる無限光学系の例を示しているが、コンパクトデ
ィスク装置等で用いられる有限光学系でももちろん構わ
ず、動作はまったく同様である。
【００６５】半導体レーザ光源１３０からの光はコリメ
ートレンズ３１により平行光となり、ビームスプリッタ
３２を透過後に、立ち上げミラー３３で反射され、対物
レンズ３４により集光される。収差測定部１３１は対物
レンズ３４により集光された光の収差を測定する。
【００６６】従来の光ピックアップの光軸調整方法は、
対物レンズ３４の位置を手作業により調節し、収差量が
最小となるように試行錯誤的に行うものであった。これ
に対して本実施例では、対物レンズ３４を機械精度程度
で大略位置決めした後、収差測定部１３１で測定された
収差量に基づき、この収差量が最小となるようにコント
ローラ１３２により半導体レーザ素子の副電極への注入
電流量１３３，１３４が制御される。このようにして、
半導体レーザ素子の副電極への注入電流量を設定するこ
とにより、光ピックアップの光軸調整を簡単に行うこと
ができ、調整作業時間の短縮化が図れ、低コスト化も図
ることができる。
【００６７】（第８実施例）次に、本発明の第８実施例
について説明する。本実施例は、上述した半導体レーザ
素子により光ファイバと半導体レーザ素子の光軸調整を
行うものである。図２７において、半導体レーザ素子１
４０としては、これまで述べてきたいずれの半導体レー
ザ素子を用いられる。ここでは、図１に示した半導体レ
ーザ素子を用いた構成として説明する。
【００６８】光通信の分野では、半導体レーザ素子１４
０からの光を光ファイバ１４２に結合させることが必要
であり、このような結合器として図２７のような構成が
用いられる。これは、半導体レーザ素子１４０からの光
をレンズ１４１を介して集光し、光ファイバ１４２のコ
ア１４３に結合するものである。光ファイバ１４２で伝
送する信号を劣化させないためには、光ファイバ１４２
への結合効率は高いほど望ましく、このためには半導体
レーザ素子１４０と光ファイバ１４２の光軸調整を精度
良く行う必要がある。ところが、光ファイバ１４２のコ
ア１４３の径は数ミクロンから十数ミクロンであるの
で、半導体レーザ素子１４０と光ファイバ１４２の光軸
の位置決め精度は数ミクロンが要求される。
【００６９】従来は、この光軸調整を手作業により、光
ファイバへの結合効率が最も大きくなるよう試行錯誤的
に行うものであった。これに対して本実施例では、半導
体レーザ素子１４０と光ファイバ１４２を機械精度程度
で大略位置決めした後、半導体レーザ素子１４０の副電
極への注入電流を変化させ、発生する光の光軸を変化さ
せる。この時に光ファイバ１４２に結合する光量を光検
出器１４４により検出し、その結合光量が最大となるよ
うコントローラ１４５により半導体レーザ素子１４０の
副電極への注入電流量１４６，１４７を設定する。これ
により、半導体レーザ素子と光ファイバの光軸調整を簡
単に行うことができ、調整作業時間の短縮化が図れ、低
コスト化も図ることができる。
【００７０】（第９実施例）次に、本発明の第９実施例
による半導体レーザ素子について説明する。本実施例
は、半導体レーザ素子への電流注入方法に関するもので
ある。これまで説明してきた電流注入方法は、図６に示
すように主電極と２つの副電極にそれぞれ独立に電流注
入を行うものであった。しかしながら、この方法では電
流供給を行うためのリードの数が増加するという若干の
問題点もあった。
【００７１】これに対して、本実施例の半導体レーザ素
子ではリードの数を減少できる構成となっている。図２
８において、半導体レーザ素子１５は図１で示した半導
体レーザ素子であり、この半導体レーザ素子１５への電
流供給経路として、第１の電流供給経路１５０と第２の
電流供給経路１５１の２本が設けられている。
【００７２】第１の電流供給経路１５０からの注入電流
Ｉａは、抵抗Ｒａ １５２および抵抗Ｒｂ １５３によ
り、副電極１３への注入電流Ｉａｓと主電極１２への注
入電流Ｉａｍに分岐される。また、第２の電流供給経路
１５１からの注入電流Ｉｂは、抵抗Ｒｃ １５４と抵抗
Ｒｄ １５５により、副電極１４への注入電流Ｉｂｓと
主電極１２への注入電流Ｉｂｍに分岐される。そして、
主電極１２への注入電流は合計Ｉａｍ＋Ｉｂｍとなる。
【００７３】通常の波面形状を得る時には、副電極１３
と副電極１４への注入電流ＩａｓとＩｂｓを等しくす
る。これにより、活性層内の電流密度分布は均等とな
り、発光波面形状は光軸に対して対称となる。
【００７４】次に、波面形状を変化させる時には、副電
極１３と副電極１４への注入電流ＩａｓとＩｂｓを変化
させれば良い。例えば、副電極１３への注入電流Ｉａｓ
を増加させるには、第１の電流供給経路１５０への注入
電流Ｉａを増加させる。この時、主電極１２への注入電
流Ｉａｍも増加するので、主電極１２への合計の注入電
流を一定にするため、第２の電流供給経路１５１への注
入電流Ｉｂを減少させ、主電極１２への注入電流Ｉｂｍ
を減少させる。またこの時、副電極１４への注入電流Ｉ
ｂｓも減少することになる。結果として、副電極１３へ
の注入電流Ｉａｓは大きくなり、副電極１４への注入電
流Ｉｂｓは小さくなるので、副電極１３側で位相が進ん
だ波面形状が得られる。逆に、第２の電流供給経路１５
１への注入電流Ｉｂを大きくし、第１の電流供給経路１
５０への注入電流Ｉａを小さくすれば、副電極１４側で
位相が進んだ波面形状が得られる。
【００７５】本実施例によれば、図２８のような構成と
することで、半導体レーザ素子へ電流注入を行うための
リードを２本とすることができ、リードの数を減らすこ
とが可能となる。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザ素子に注入する電流もしくは半導体レーザ
素子に印加する磁界を制御することにより、発光波面の
形状を容易に変えることができる。
【００７７】また、上記半導体レーザ素子を光ディスク
装置に搭載すれば、光ディスクと対物レンズ光軸の傾き
量に対応して、半導体レーザ素子への電流注入量もしく
は磁界印加量を制御することによって発光波面形状を変
化させ、光ディスクの傾きによって生じる収差を補正す
ることができる。これによって、対物レンズ開口数を大
きくしても容易にディスクの傾きを補正できる高密度光
ディスク装置を実現することが可能となる。また、上記
半導体レーザ素子を用いると、光ピックアップの光軸調
整や光ファイバへの光軸調整の簡素化を図ることが可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例による半導体レーザ素子の
構成図である。
【図２】図１の半導体レーザ素子の製造工程を示した図
である。
【図３】図１の半導体レーザ素子の動作原理の説明図で
ある。
【図４】図１の半導体レーザ素子の動作原理の説明図で
ある。
【図５】半導体レーザパッケージの概観図である。
【図６】半導体レーザパッケージの内部構造を示した図
である。
【図７】本発明の第２実施例による光ディスク装置の構
成図である。
【図８】２分割光検出器上の集光スポットを示した図で
ある。
【図９】対物レンズ瞳上での波面形状を表した図であ
る。
【図１０】２分割光検出器上の集光スポットを示した図
である。
【図１１】図７の光ディスク装置における波面形状変化
を表した図である。
【図１２】本発明の第３実施例による光ディスク装置の
構成図である。
【図１３】２分割光検出器上での光ディスクからの反射
光を示した図である。
【図１４】２分割光検出器上での光ディスクからの反射
光を示した図である。
【図１５】本発明の第４実施例による半導体レーザ素子
の構成図である。
【図１６】図１５の半導体レーザ素子の断面構成図であ
る。
【図１７】図１５の半導体レーザ素子の動作原理の説明
図である。
【図１８】図１５の半導体レーザ素子の動作原理の説明
図である。
【図１９】第４実施例の変形例による半導体レーザ素子
の構成図である。
【図２０】本発明の第５実施例による半導体レーザ素子
の構成図である。
【図２１】図２０の半導体レーザ素子の動作原理の説明
図である。
【図２２】図２０の半導体レーザ素子の動作原理の説明
図である。
【図２３】第５実施例の変形例による半導体レーザ素子
の構成図である。
【図２４】第５実施例の他の変形例による半導体レーザ
素子の構成図である。
【図２５】本発明の第６実施例による光ディスク装置の
構成図である。
【図２６】本発明の第７実施例による、光ピックアップ
の光軸調整方法を示した図である。
【図２７】本発明の第８実施例による、半導体レーザ素
子と光ファイバとの光軸調整方法を示した図である。
【図２８】本発明の第９実施例による半導体レーザ素子
の構成図である。
【符号の説明】
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３ ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層 ４ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ５ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ６ ＳｉＯ2膜 ７ ｎ−ＧａＡｓブロック層 ８ ｐ−ＡｌＧａＡｓ埋め込み層 ９ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 １０ 表面電極 １１ 裏面電極 １２ 主電極 １３，１４ 副電極 １５ 半導体レーザ素子 １６ 通常状態の波面形状 １７ 光軸 １８ 波面形状 ２０ ヒートシンク ２１，２２，２３，２５，２６ リード ２４ 受光素子 ３０ 半導体レーザ光源 ３１ コリメートレンズ ３２ ビームスプリッタ ３３ 立ち上げミラー ３４ 対物レンズ ３５ 光ディスク ３６ ビームスプリッタ ３７ 収差検出部 ３８ 信号検出光学系 ３９ 光軸 ４０ レンズ ４１ 集光スポット ４２ ２分割光検出器 ４３ 対物レンズ瞳 ４４ 対物レンズ瞳上での波面形状 ４５ コマ収差を持った集光スポット ４６ 差信号 ４７ 収差補正回路 ４８ 副電極１３への注入電流 ４９ 副電極１４への注入電流 ５０ 波面形状 ５１ 対物レンズ瞳上での波面形状 ６０ 傾き検出部 ６１ 発光素子 ６２ ２分割光検出器 ６３，６４ 光ディスクからの反射光 ６５ 差信号 ６６ 傾き補正回路 ６７，６８ 副電極への注入電流 ７０ 半導体レーザ素子 ７１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ７２ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ７３ ｐ−ＧａＡｓ活性層 ７４ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ７５ ｐ−ＡｌＧａＡｓキャップ層 ７６ ｎ−ＧａＡｓブロック層 ７７ ｐ−ＧａＡｓ層 ７８ 多層膜反射鏡 ７９，８０ 表面電極 ８１ 裏面電極 ８２ 通常状態の波面形状 ８３ 光軸 ８４ 波面形状 ８５ 表面電極ａ ８６ 表面電極ｂ ８７ 表面電極ｃ ８８ 表面電極ｄ ８９ 半導体レーザ素子 １００ 半導体レーザ素子 １０１ ヒートシンク １０２ コイル １０３，１０４，１０６ 磁界 １０５，１０７ 波面形状 １０８ 面発光レーザ素子 １０９，１１０ コイル １１１ 磁界 １１２ コイルａ １１３ コイルｂ １１４ コイルｃ １１５ コイルｄ １２０ 半導体レーザ光源 １２１ トラックエラー信号 １２２ 補正回路 １２３，１２４ 副電極への注入電流 １３０ 半導体レーザ光源 １３１ 収差測定部 １３２ コントローラ １３３，１３４ 副電極への注入電流 １４０ 半導体レーザ素子 １４１ レンズ １４２ 光ファイバ １４３ コア １４４ 光検出器 １４５ コントローラ １４６，１４７ 副電極への注入電流 １５０ 第１の電流供給経路 １５１ 第２の電流供給経路 １５２ 抵抗Ｒａ １５３ 抵抗Ｒｂ １５４ 抵抗Ｒｃ １５５ 抵抗Ｒｄ

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体結晶により構成され、通電により
    光利得を発生し光を導波する活性層と、該活性層に光を
    反射させる反射体と、前記活性層への電流注入のための
    表面電極及び裏面電極とを備え、前記表面電極から裏面
    電極へと電流を流すことによって、前記活性層の導波光
    の光軸に沿った方向にレーザ光を発する半導体レーザ素
    子において、 前記表面電極を主電極と副電極とに分割するとともに、
    前記副電極を前記活性層の導波光の光軸に沿って複数に
    分割し、前記主電極及び副電極の分割した各領域に独立
    に電流注入される構成としたことを特徴とする半導体レ
    ーザ素子。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ素子におい
    て、 前記副電極が２つに分割されている場合は、一方の副電
    極は抵抗を介して第１の電流供給経路に、他方の副電極
    は抵抗を介して第２の電流供給経路にそれぞれ接続さ
    れ、かつ前記主電極は前記第１および第２の電流供給経
    路にそれぞれ抵抗を介して接続されていることを特徴と
    する半導体レーザ素子。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体レーザ素子
    において、 前記副電極へ注入される電流値の合計は、前記主電極へ
    注入される電流値よりも小であることを特徴とする半導
    体レーザ素子。
  4. 【請求項４】 半導体結晶により構成され、通電により
    光利得を発生し光を導波する活性層と、該活性層に光を
    反射させる反射体と、前記活性層への電流注入のための
    表面電極及び裏面電極とを備え、前記表面電極から裏面
    電極へと電流を流すことによって、前記活性層の導波光
    の光軸に沿った方向にレーザ光を発する半導体レーザ素
    子において、 前記活性層の注入電流密度分布を、前記半導体結晶の接
    合面に平行な面内で不均一に形成させる手段を設けたこ
    とを特徴とする半導体レーザ素子。
  5. 【請求項５】 半導体結晶により構成され、通電により
    光利得を発生し光を導波する活性層と、該活性層に光を
    反射させる反射体と、前記活性層への電流注入のための
    表面電極及び裏面電極とを備え、前記表面電極から裏面
    電極へと電流を流すことによって、半導体結晶の接合面
    に対して垂直な方向にレーザ光を発する半導体レーザ素
    子において、 前記表面電極を複数に分割し、分割した各領域に独立に
    電流注入される構成としたことを特徴とする半導体レー
    ザ素子。
  6. 【請求項６】 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子を密閉構造のパッケージ内に収納した半導体
    レーザ光源において、 前記主電極に接続されたリードと、前記各副電極に接続
    された複数のリードと、前記裏面電極に接続されたリー
    ドと、を有することを特徴とする半導体レーザ光源。
  7. 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子と、その半導体レーザ素子の光出力を検出す
    る受光素子と、を密閉構造のパッケージ内に収納した半
    導体レーザ光源において、 前記主電極に接続されたリードと、前記各副電極に接続
    された複数のリードと、前記受光素子の一方の電極に接
    続されたリードと、前記受光素子の他方の電極及び前記
    裏面電極に共通して接続されたリードと、を有すること
    を特徴とする半導体レーザ光源。
  8. 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子と、その半導体レーザ素子の光出力を検出す
    る受光素子と、を密閉構造のパッケージ内に収納した半
    導体レーザ光源において、 前記主電極に接続されたリードと、前記各副電極に接続
    された複数のリードと、前記受光素子の一方の電極に接
    続されたリードと、前記受光素子の他方の電極に接続さ
    れたリードと、前記裏面電極に接続されたリードと、を
    有することを特徴とする半導体レーザ光源。
  9. 【請求項９】 請求項５に記載の半導体レーザ素子を密
    閉構造のパッケージ内に収納した半導体レーザ光源にお
    いて、 前記表面電極に接続された複数のリードと、前記裏面電
    極に接続されたリードと、を有することを特徴とする半
    導体レーザ光源。
  10. 【請求項１０】 請求項５に記載の半導体レーザ素子
    と、その半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子
    と、を密閉構造のパッケージ内に収納した半導体レーザ
    光源において、 前記各表面電極に接続された複数のリードと、前記受光
    素子の一方の電極に接続されたリードと、前記受光素子
    の他方の電極及び前記裏面電極に共通して接続されたリ
    ードと、を有することを特徴とする半導体レーザ光源。
  11. 【請求項１１】 請求項５に記載の半導体レーザ素子
    と、その半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子
    と、を密閉構造のパッケージ内に収納した半導体レーザ
    光源において、 前記各表面電極に接続された複数のリードと、前記受光
    素子の一方の電極に接続されたリードと、前記受光素子
    の他方の電極に接続されたリードと、前記裏面電極に接
    続されたリードと、を有することを特徴とする半導体レ
    ーザ光源。
  12. 【請求項１２】 光ディスクと、レーザ光を発する半導
    体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源からのレーザ光
    を前記光ディスク上に集光する集光光学系と、前記光デ
    ィスクからの反射光を検出する検出光学系と、前記集光
    光学系および前記光ディスクで発生する収差を検出する
    収差検出手段と、を備えた光ディスク装置において、 前記半導体レーザ光源として請求項６〜１１のいずれか
    に記載の半導体レーザ光源を搭載するとともに、前記収
    差検出手段の出力に基づき前記半導体レーザ素子への注
    入電流を制御することにより、レーザ光の発光波面形状
    を変化させ前記収差を補正する収差補正手段を設けたこ
    とを特徴とする光ディスク装置。
  13. 【請求項１３】 光ディスクと、レーザ光を発する半導
    体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源からのレーザ光
    を前記光ディスク上に集光する集光光学系と、前記光デ
    ィスクからの反射光を検出する検出光学系と、前記集光
    光学系から前記光ディスクへ照射されるレーザ光の光軸
    と前記光ディスクの記録面との角度ずれを検出する傾き
    検出手段と、を備えた光ディスク装置において、 前記半導体レーザ光源として請求項６〜１１のいずれか
    に記載の半導体レーザ光源を搭載するとともに、前記傾
    き検出手段の出力に基づき前記半導体レーザ素子への注
    入電流を制御することにより、レーザ光の光軸を変化さ
    せ前記角度ずれを補正する傾き補正手段を設けたことを
    特徴とする光ディスク装置。
  14. 【請求項１４】 半導体結晶により構成され、通電によ
    り光利得を発生し光を導波する活性層と、該活性層に光
    を反射させる反射体と、前記活性層への電流注入を行う
    ための表面電極及び裏面電極とを備え、前記表面電極か
    ら裏面電極へと電流を流すことによって、前記活性層の
    導波光の光軸に沿った方向にレーザ光を発する半導体レ
    ーザ光源において、 前記活性層の導波光の光軸と同じ方向に磁界を発生する
    磁界発生手段を設けことを特徴とする半導体レーザ光
    源。
  15. 【請求項１５】 半導体結晶により構成され、通電によ
    り光利得を発生し光を導波する活性層と、該活性層に光
    を反射させる反射体と、前記活性層への電流注入のため
    の表面電極及び裏面電極とを備え、前記表面電極から裏
    面電極へと電流を流すことによって、半導体結晶の接合
    面に対して垂直な方向にレーザ光を発する半導体レーザ
    光源において、 前記活性層の面内方向に磁界を発生する磁界発生手段を
    設けことを特徴とする半導体レーザ光源。
  16. 【請求項１６】 光ディスクと、レーザ光を発する半導
    体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源からのレーザ光
    を前記光ディスク上に集光する集光光学系と、前記光デ
    ィスクからの反射光を検出する検出光学系と、前記集光
    光学系および前記光ディスクで発生する収差を検出する
    収差検出手段と、を備えた光ディスク装置において、 前記半導体レーザ光源として請求項１４又は１５に記載
    の半導体レーザ光源を搭載するとともに、前記収差検出
    手段の出力に基づき、前記磁界発生手段で発生する磁界
    の方向及び大きさを制御することにより、レーザ光の発
    光波面形状を変化させ前記収差を補正する収差補正手段
    を設けたことを特徴とする光ディスク装置。
  17. 【請求項１７】 光ディスクと、レーザ光を発する半導
    体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源からのレーザ光
    を前記光ディスク上に集光する集光光学系と、前記光デ
    ィスクからの反射光を検出する検出光学系と、前記集光
    光学系から前記光ディスクへ照射されるレーザ光の光軸
    と前記光ディスクの記録面との角度ずれを検出する傾き
    検出手段と、を備えた光ディスク装置において、 前記半導体レーザ光源として請求項１４又は１５に記載
    の半導体レーザ光源を搭載するとともに、前記傾き検出
    手段の出力に基づき、前記磁界発生手段で発生する磁界
    の方向及び大きさを制御することにより、レーザ光の光
    軸を変化させ前記角度ずれを補正する傾き補正手段を設
    けたことを特徴とする光ディスク装置。
  18. 【請求項１８】 半導体レーザ光源と、前記半導体レー
    ザ光源から射出された光を光ディスクに集光する集光光
    学系と、光ディスクからの反射光を検出する検出光学系
    とを含む光ピックアップの光軸を調整する際に、前記半
    導体レーザ光源として請求項６〜１１，１４，１５のい
    ずれかに記載の半導体レーザ光源を設置するとともに、
    前記半導体レーザ光源と前記集光光学系で発生する収差
    が最小となるよう、前記半導体レーザ光源への注入電流
    もしくは前記磁界発生手段による磁界の方向及び大きさ
    を制御する光ピックアップの光軸調整方法。
  19. 【請求項１９】 半導体レーザ光源と、前記半導体レー
    ザ光源から射出された光を光ディスクに集光する集光光
    学系と、光ディスクからの反射光を検出する検出光学系
    とを含む光ピックアップの光軸を調整する際に、前記半
    導体レーザ光源として請求項６〜１１，１４，１５のい
    ずれかに記載の半導体レーザ光源を設置するとともに、
    前記集光光学系から前記光ディスクへ照射されるレーザ
    光の光軸と前記光ディスクの記録面との角度ずれが最小
    となるよう、前記半導体レーザ光源への注入電流もしく
    は前記磁界発生手段による磁界の方向及び大きさを制御
    する光ピックアップの光軸調整方法。
  20. 【請求項２０】 光ファイバの一端側に半導体レーザ光
    源を、他端側に光検出器をそれぞれ設置して、前記半導
    体レーザ光源と前記光ファイバとの光軸を調整する際
    に、前記半導体レーザ光源として請求項６〜１１，１
    ４，１５のいずれかに記載の半導体レーザ光源を設置す
    るとともに、前記光ファイバへの結合光量が最大となる
    よう、前記半導体レーザ光源への注入電流もしくは前記
    磁界発生手段による磁界の方向及び大きさを制御する光
    ファイバの光軸調整方法。
  21. 【請求項２１】 光ディスクと、レーザ光を発する半導
    体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源からのレーザ光
    を前記光ディスク上に集光する集光光学系と、前記光デ
    ィスクからの反射光を検出する検出光学系とを備えた光
    ディスク装置のトラッキングを調整する際に、前記半導
    体レーザ光源として請求項６〜１１，１４，１５のいず
    れかに記載の半導体レーザ光源を設置するとともに、前
    記検出光学系で検出されたトラックエラー信号に基づ
    き、前記半導体レーザ光源への注入電流もしくは前記磁
    界発生手段による磁界の方向及び大きさを制御して、レ
    ーザ光の光軸を変化させる光ディスク装置のトラッキン
    グ調整方法。
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