KR970018886A - 반도체레이저소자 및 광디스크장치 - Google Patents
반도체레이저소자 및 광디스크장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970018886A KR970018886A KR1019960036660A KR19960036660A KR970018886A KR 970018886 A KR970018886 A KR 970018886A KR 1019960036660 A KR1019960036660 A KR 1019960036660A KR 19960036660 A KR19960036660 A KR 19960036660A KR 970018886 A KR970018886 A KR 970018886A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor laser
- light
- active layer
- current
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/095—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble
- G11B7/0956—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble to compensate for tilt, skew, warp or inclination of the disc, i.e. maintain the optical axis at right angles to the disc
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06236—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the polarisation, e.g. TM/TE polarisation switching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/0624—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the near- or far field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06243—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the position or direction of the emitted beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06246—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06821—Stabilising other output parameters than intensity or frequency, e.g. phase, polarisation or far-fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
발광파면의 형상을 가변으로 한 반도체레이저소자, 반도체레이저소자를 탑재한 광디스크장치 및 반도체레이저소자를 사용한 광축조정방법에 관한 것으로서, 장치구성을 복잡화하는 일없이 용이하게 광디스크의 기울기를 보정할 수 있는 반도체레이저소자, 광디스트장치 및 광축보정방법을 제공하기 위해, 반도체레이저광원의 광원을 구성하는 반도체레이저소자가 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 활성층에 광을 반사하는 반사체, 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극을 구비하고, 표면전극을 주전극과 여러개의 부전극으로 분할하여 부전극으로의 주입전류를 제어하는 것에 의해 잡광 광학계와 광디스크에서 발생하는 수차를 보정할 수 있도록 수차검출기와 보정회로를 구비하는 구성으로 하였다. 이러한 구성에 의해, 발광파면형상을 변화시키고 광디스크의 기울기에 의해 발생하는 수차를 보정할 수 있어서 용이하게 디스크의 기울기를 보정할 수 있는 고밀도 광디스크장치를 실현하는 것이 가능하게 된다는 효과가 얻어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예의 반도체레이저소자의 전체구성도.
Claims (20)
- 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극을 구비하고, 상기 표면전극에서 이면전극으로 전류를 흐르게 하는 것에 의해 상기 활성층의 도파광의 광축을 따르는 방향으로 레이저광을 발광하는 반도체레이저소자에 있어서, 상기 표면전극을 주전극과 상기 활성층의 도파광의 광축을 따라서 여러개의 부전극으로 분할하고, 상기 분할된 주전극과 부전극의 각각에 독립해서 전류가 주입되는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
- 제1항에 있어서, 상기 부전극이 2개로 구성되고 한쪽의 부전극은 저항을 거쳐서 제1전류공급경로에, 다른쪽의 부전극은 저항을 거쳐서 제2 전류공급경로에 각각 접속되고, 상기 주전극이 상기 제1 및 제2 전류공급경로에 각각 저항을 거쳐서 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
- 제1항에 있어서, 상기 부전극에 주입되는 전류값의 합계가 상기 주전극에 주입되는 전류값보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
- 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극을 구비하고, 상기 표면전극에서 이면전극으로 전류를 흐르게 하는 것에 의해 상기 활성층의 도파광의 광축을 따르는 방향으로 레이저광을 발광하는 반도체레이저소자에 있어서, 상기 활성층의 주입전류 밀도분포를 상기 반도체결정의 접합면에 대해 평행한 면내에서 불균일하게 형성시키는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
- 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극을 구비하고, 상기 표면전극에서 이면전극으로 전류를 흐르게 하는 것에 의해 상기 반도체결정의 접합면에 대해서 수직인 방향으로 레이저광을 발광하는 반도체레이저소자에 있어서, 상기 표면전극을 여러개로 분할하고, 상기 분할된 여러개의 전극 각각에 독립해서 전류를 주입하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
- 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극을 구비하고, 상기 표면전극에서 이면전극으로 전류를 흐르게 하는 것에 의해 상기 활성층의 도파광의 광축을 따르는 방향으로 레이저광을 발광하는 반도체레이저소자를 밀폐구조의 패키지내에 수납한 반도체레이저광원에 있어서, 상기 반도체레이저소자의 표면전극을 주전극과 여러개의 부전극으로 분할하고, 상기 주전극에 접속된 리이드, 상기 여러개의 부전극의 각각에 접속된 여러개의 리이드 및 상기 이면전극에 접속된 리이드를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저광원.
- 제6항에 있어서, 상기 패키지내에 상기 반도체레이저소자의 출력광을 검출하는 수광소자를 마련하고, 상기 수광소자의 한쪽의 전극에 접속된 리이드와 상기 수광소자의 다른쪽의 전극에 접속된 리이드를 구비한 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체레이저광원.
- 제6항에 있어서, 상기 패키지내에 상기 반도체레이저소자의 출력광을 검출하는 수광소자를 마련하고, 상기 수광소자의 한쪽의 전극에 접속된 리이드와 상기 수광소자의 다른쪽의 전극에 상기 이면전극의 리이드에 공통해서 접속된 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체레이저광원.
- 광디스크, 레이저광을 발광하는 반도체레이저광원, 상기 반도체레이저광원으로 부터의 광을 상기 광디스크상에 집광하는 집광광학계 및 상기 광디스크로 부터의 반사광을 검출하는 검출광학계를 구비한 광디스크장치에 있어서, 상기 반도체레이저광원이 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극을 구비하고, 상기 표면전극을 여러개로 분할하고, 상기 분할된 여러개의 전극 각각에 독립해서 전류를 주입하는 것에 의해 이면전극 전류를 흐르게 하고, 상기 활성층의 도파광의 광축을 따르는 방향으로 레이저광을 발광하는 구성의 반도체레이저소자를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제9항에 있어서, 상기 반도체레이저소자의 여러개의 분할된 전극 중의 1개가 주전극이고, 나머지 전극이 상기 활성층의 도파광의 광축을 따라서 분할된 부전극인 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제9항에 있어서, 상기 반도체레이저소자의 표면전극이 주전극과 상기 활성층의 도파광의 광측을 따라서 분할된 2개의 부전극으로 이루어지고, 한쪽의 부전극이 저항을 거쳐서 제1 전류공급경로에, 다른쪽의 부전극이 저항을 거쳐서 제2 전류공급경로에 각각 접속되고, 상기 주전극이 상기 제1 및 제2 전류공급경로에 각각 저항을 거쳐서 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제10항에 있어서, 상기 부전극으로 주입하는 전류의 합계값이 상기 주전극으로 주입하는 전류값보다 작은 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체레이저광원이 상기 레이저소자를 밀폐구조의 패키지내에 수납하고, 상기 주전극에 접속된 리이드, 상기 각 부전극에 접속된 여러개의 리이드 및 상기 이면전극에 접속된 리이드를 구비한 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체레이저광원이 상기 반도체레이저소자, 상기 반도체레이저소자의 출력광을 검출하는 수광소자를 밀폐구조의 패키지내에 수납하고, 상기 주전극에 접속된 리이드, 상기 각 부전극에 접속된 여러개의 리이드, 상기 수광소자의 한쪽의 전극에 접속된 리이드 및 상기 수광소자의 다른쪽의 전극과 상기 이면전극에 공통해서 접속된 리이드를 갖는 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체레이저광원이 상기 반도체레이저소자, 상기 반도체레이저소자의 출력광을 검출하는 수광소자를 밀폐구조의 패키지내에 수납하고, 상기 주전극에 접속된 리이드, 상기 각 부전극에 접속된 여러개의 리이드, 상기 수광소자의 한쪽의 전극에 접속된 리이드, 상기 수광소자의 다른쪽의 전극에 접속된 리이드 및 상기 이면전극에 접속된 리이드를 갖는 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제9항에 있어서, 상기 집광광학계 및 상기 광디스크에서 발생하는 수차를 검출하는 수차검출수단을 마련하고, 상기 수차검출수단의 출력에 따라서 상기 반도체레이저소자로의 주입전류를 제어하는 것에 의해, 레이저광의 발광파면형상을 변화시켜서 상기 수차를 보정하는 보정수단을 마련한 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 제9항에 있어서, 상기 집광광하계에서 상기 광디스크로 조사되는 레이저광의 광축과 상기 광디스크의 기록면과의 각도의 어긋남을 보정하는 기울기검출수단을 마련하고, 상기 기울검출수단의 출력에 따라서 상기 반도체레이저소자로의 주입전류를 제어하는 것에 의해, 레이저광의 광축을 변화시켜 상기 각도 어긋남을 보정하는 보정수단을 마련한 것을 특징으로 하는 광디스크장치.
- 반도체레이저광원, 상기 반도체레이저광원에서 사출된 광을 광디스크에 집광하는 집광광학계 및 광디스크로 부터의 반사광을 검출하는 검출광학계로 이루어지는 광픽업의 광축조정방법에 있어서, 상기 반도체레이저광원이 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면적극을 구비하고, 상기 표면전극을 주전극과 상기 활성층의 도파광의 광축을 따라서 여러개의 부전극으로 분할하고, 상기 분할된 주전극과 부전극의 각각에 독립해서 전류를 주입하여 이면전극에 전류를 흐르게 하는 구성으로 한 반도체레이저소자를 구비하고, 상기 반도체레이저광원과 상기 집광광학계에서 발생하는 수차가 최소로 되도록 상기 반도체레이저광원으로의 주입전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 광픽업의 광축조정방법.
- 광파이버의 한쪽 끝측에 반도체레이저광원을, 다른쪽 끝측에 광검출기를 각각 마련하고, 상기 반도체레이저 광원과 상기 광파이어버의 광축을 조정하는 광파이버의 광축조정방법에 있어서, 상기 반도체레이저광원이 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극 구비하고, 상기 표면전극을 주전극과 상기 활성층의 도파광의 광측을 따라서 여러개의 부전극으로 분할하고, 상기 분할된 주전극과 부전극의 각각에 독립해서 전류를 주입하여 이면전극으로 전류를 흐르게 하는 구성으로 한 반도체레이저소자를 구비하고, 상기 파이버로의 결합광량이 최대로 되도록 상기 반도체레이저광원으로의 주입전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 광파이버의 광축조정방법.
- 광디스크, 레이저광을 발생하는 반도체레이저광원, 상기 반도체레이저광원으로 부터의 레이저광을 광디스크에 집광하는 집광광학계 및 광디스크로 부터의 반사광을 검출하는 검출광학계로 이루어지는 광디스크의 광축조정방법에 있어서, 상기 반도체레이저광원이 반도체결정에 의해 구성되고 통전에 의해 광이득을 발생해서 광을 도파하는 활성층, 상기 활성층에 광을 반사시키는 반사체, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 표면전극 및 이면전극을 구비하고, 상기 표면전극을 주전극과 상기 활성층의 도파광의 광축을 따라서 여러개의 부전극으로 분할하고, 상기 분할된 주전극과 부전극의 각각에 독립해서 전류를 주입하여 이면전극으로 전류를 흐르게 하는 구성으로 한 반도체레이저소자를 구비하고, 상기 검출광학계에서 검출된 트랙에러신호에 따라 상기 반도체레이저광원으로의 주입전류를 제어해서 레이저광의 광축을 변화시키는 것을 특징으로 하는 광디스크의 광축조정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7239411A JPH0983082A (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 半導体レーザ素子及び光ディスク装置、並びに光軸調整方法 |
JP95-239411 | 1995-09-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970018886A true KR970018886A (ko) | 1997-04-30 |
KR100223353B1 KR100223353B1 (ko) | 1999-10-15 |
Family
ID=17044382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960036660A KR100223353B1 (ko) | 1995-09-19 | 1996-08-30 | 반도체레이저소자 및 광디스크장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5781576A (ko) |
EP (1) | EP0765015B1 (ko) |
JP (1) | JPH0983082A (ko) |
KR (1) | KR100223353B1 (ko) |
DE (1) | DE69619047T2 (ko) |
TW (1) | TW335568B (ko) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1153750A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Hitachi Ltd | 傾き検出方法及び光ディスク装置 |
EP0984440A3 (en) * | 1998-09-04 | 2000-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aberration detection device and optical information recording and reproducing apparatus |
US6410904B1 (en) * | 1999-11-22 | 2002-06-25 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Multi-beam emitting device |
JP2002133694A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録装置、光記録方法、媒体、および情報集合体 |
EP1267459A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-18 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Heatsinks for laser electronic packages |
DE10239003A1 (de) | 2001-09-17 | 2003-04-03 | Heidelberger Druckmasch Ag | Mehrstrahllaserlichtquelle mit variablem Laserlichtquellenabstand zur Bebilderung von Druckformen |
JP2004087802A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | 光通信装置 |
CN100403415C (zh) * | 2003-12-16 | 2008-07-16 | 松下电器产业株式会社 | 光盘装置及光盘 |
JP2005235319A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
JP4431889B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
US9853416B2 (en) | 2016-01-11 | 2017-12-26 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Multimode vertical-cavity surface-emitting laser |
WO2023049297A1 (en) * | 2021-09-23 | 2023-03-30 | Freedom Photonics Llc | Segmented contact for current control in semiconductor lasers and optical amplifiers |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7608561A (nl) * | 1976-08-02 | 1978-02-06 | Philips Nv | Optische uitleeseenheid voor het aftasten van een registratiedrager voorzien van een stra- lingsreflekterende informatiestruktuur. |
JPS6326837A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Pioneer Electronic Corp | 光学系ピツクアツプ装置 |
US4878222A (en) * | 1988-08-05 | 1989-10-31 | Eastman Kodak Company | Diode laser with improved means for electrically modulating the emitted light beam intensity including turn-on and turn-off and electrically controlling the position of the emitted laser beam spot |
US5157459A (en) * | 1989-08-29 | 1992-10-20 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Wave front aberration measuring apparatus |
US4996169A (en) * | 1990-02-21 | 1991-02-26 | Pencom International Corp. | Semiconductor laser assembly |
US5039191A (en) * | 1990-06-25 | 1991-08-13 | Motorola Inc. | Optical coupling arrangement |
JP3035852B2 (ja) * | 1990-07-18 | 2000-04-24 | 富士通株式会社 | 半導体レーザモジュール |
JPH0777031B2 (ja) * | 1991-10-16 | 1995-08-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 収差補償装置 |
US5216729A (en) * | 1991-11-18 | 1993-06-01 | Harmonic Lightwaves, Inc. | Active alignment system for laser to fiber coupling |
DE69315872T2 (de) * | 1992-03-23 | 1998-05-20 | Canon Kk | Optische Vorrichtung und Methode unter Benutzung dieser Vorrichtung, welche die Änderung einer über die beiden Anschlussenden eines verstärkenden Bereichs abfallenden Spannung ausnutzt |
JPH05326837A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JP3208910B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2001-09-17 | ソニー株式会社 | ディスク傾き補正装置 |
JPH0765397A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク装置 |
-
1995
- 1995-09-19 JP JP7239411A patent/JPH0983082A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-06-27 TW TW085107766A patent/TW335568B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-08-16 US US08/697,002 patent/US5781576A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-19 EP EP96113249A patent/EP0765015B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-19 DE DE69619047T patent/DE69619047T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-30 KR KR1019960036660A patent/KR100223353B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW335568B (en) | 1998-07-01 |
US5781576A (en) | 1998-07-14 |
DE69619047D1 (de) | 2002-03-21 |
EP0765015B1 (en) | 2002-02-06 |
EP0765015A1 (en) | 1997-03-26 |
DE69619047T2 (de) | 2002-07-18 |
JPH0983082A (ja) | 1997-03-28 |
KR100223353B1 (ko) | 1999-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4190775A (en) | Optical memory playback apparatus | |
KR970018886A (ko) | 반도체레이저소자 및 광디스크장치 | |
JPH01264638A (ja) | 記録担体の光学読取装置 | |
EP0092420A1 (en) | Information storage systems | |
US6925046B2 (en) | Optical head device and optical disk unit capable of stable signal reproduction | |
US5146449A (en) | Optical disc apparatus | |
JPH09172225A (ja) | 画像記録用光源装置 | |
US5838652A (en) | Data processing optical head apparatus | |
US6744720B2 (en) | Optical element and optical pick-up | |
JPS6258432A (ja) | 集積型光ピツクアツプヘツド | |
US5357102A (en) | Tilted light detection device for preventing undesirable retro-reflection | |
JPH08307006A (ja) | 半導体レーザ | |
EP0537712B1 (en) | Optical pickup apparatus | |
JP4129233B2 (ja) | 光学式の距離測定器 | |
JP2004518107A (ja) | 光学的距離測定器 | |
JPH0468690B2 (ko) | ||
JPH04326585A (ja) | レーザ・光変調器集積化光源 | |
KR0151001B1 (ko) | 면 발광 레이저를 채용한 광픽업 | |
JPH04209335A (ja) | 発光部材 | |
KR0138341B1 (ko) | 표면광 레이저의 광출력 제어장치와 이를 채용한 기록/재생용 광픽업 | |
JPS61242342A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
JPH01251439A (ja) | 光源装置 | |
JPH0777276B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
JPS63127442A (ja) | 光ヘツド出射パワ−制御方法 | |
JPH01173328A (ja) | 光学ヘッド構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080702 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |