JPH10320819A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高密度の光ディスクを再生する光ピックアップ
装置において、光軸の傾き又は位置等の高精度な調整が
困難であった。 【解決手段】光ピックアップ装置において、いずれかの
光学素子にレーザチップから出射したレーザビームの一
部をレーザチップの発光点に反射させる反射面を備え
る。また、レーザチップの発光点に照射する反射光を遮
蔽する遮蔽手段を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの記録
再生を行う光ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、光ディスクは、コンピュータの記
録メディア、画像や音声の記録メディアとして普及して
いる。そのような中、ソフトウェアのデータサイズの増
大、画像、音声の高品質化による情報量の増大に伴い、
記録メディアは、より一層の大容量化、高密度化が望ま
れている。そのため、光ディスクのトラックピッチを狭
め、最短ピットの長さをより短くすることが研究検討さ
れ、半導体レーザの短波長化も手伝って、デジタル・バ
ーサタイル・ディスク（ＤＶＤ：Digital Versatile Di
sk）システムも商品化されるに至っている。

【０００３】コンパクト・ディスク（ＣＤ：Compact Di
sk）の再生に用いる光ピックアップ装置においては、対
物レンズやコリメータレンズ等の光学部品の傾き調整又
は位置調整は、人間の目によりレーザビームを観測する
ことにより、又、光学部品の精度、光学系のホルダーの
機械加工精度等の機械精度により調整していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、対物レ
ンズやコリメータレンズ等の光学部品が、レーザビーム
の光軸に対して傾くことにより、コマ収差や非点収差等
の光学的収差が発生し、光ディスク上に形成されるビー
ムスポットの品質を悪化させてしまう。すなわち、ＤＶ
Ｄのような高記録密度の光ディスクの再生には、回折限
界に近い十分なビームスポットの絞り込みが必要であ
り、従来のＣＤでは問題とならなかった光ピックアップ
装置の光学部品の相互間における高精度な傾き調整及び
位置調整が必要になってきている。

【０００５】高密度の光ディスクを再生する光ピックア
ップ装置における傾き調整及び位置調整は、従来の方法
では光軸の観測方法や機械的精度の誤差等から十分では
なかった。調整精度を上げるには、光軸を調整するため
の部品点数を増やすと共に人間の目による観測数を増や
す必要があった。また、調整に用いる器具の精密な規格
精度が要求されるため、高精度な調整が困難であるとい
う問題があった。

【０００６】そのため本発明では、光ピックアップ装置
の光学部品の調整を、部品点数を増加させず、容易かつ
高精度に行う手段を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明に
おいては、レーザビームを発光点から出射するレーザチ
ップを収納した半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子
から出射されたレーザビームを集光し、光ディスクの情
報記録面上にビームスポットを形成する対物レンズとを
備え、光ディスクからの反射戻り光から光ディスクに記
録されている情報を再生する光ピックアップ装置におい
て、半導体レーザ素子から出射したレーザビームをコリ
メート光に変換するコリメータレンズと、コリメータレ
ンズのレーザビームが入射する入射面の一部に設けら
れ、レーザチップから出射したレーザビームの一部をレ
ーザチップの発光点に反射させる反射面とを備えたこと
を特徴としている。

【０００８】また、請求項２記載の本発明においては、
レーザビームを発光点から出射するレーザチップを収納
した半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出射さ
れたレーザビームを集光し、光ディスクの情報記録面上
にビームスポットを形成する対物レンズとを備え、光デ
ィスクからの反射戻り光から光ディスクに記録されてい
る情報を再生する光ピックアップ装置において、対物レ
ンズの基準となる面に設けられ、レーザチップの発光点
から出射したビームの一部をレーザチップの発光点に反
射させる反射面を備えたことを特徴としている。

【０００９】また、請求項３記載の本発明においては、
レーザビームを発光点から出射するレーザチップを収納
した半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出射さ
れたレーザビームを集光し、光ディスクの情報記録面上
にビームスポットを形成する対物レンズとを備え、光デ
ィスクからの反射戻り光から光ディスクに記録されてい
る情報を再生する光ピックアップ装置において、半導体
レーザ素子から出射したレーザビームの偏光方向により
レーザビームの進行方向を変化させる偏光ビームスプリ
ッタと、偏光ビームスプリッタのレーザビームが入射す
る面に配置したレーザビームの一部をレーザチップの発
光点に反射させる反射面とを備えたことを特徴としてい
る。

【００１０】また、請求項４記載の本発明においては、
請求項１乃至請求項３記載の光ピックアップ装置におい
て、レーザチップの発光点に照射する反射光を遮蔽する
遮蔽手段を備えたことを特徴としている。

【００１１】本発明によれば、半導体レーザ素子のレー
ザチップから出射されたレーザビームのうちの一部（外
周部ビーム）を、コリメータレンズ、ビームスプリッタ
及び対物レンズ等の光学素子のうち、いずれか一つに設
けた反射面によりレーザチップ側に反射させ、その反射
光がレーザチップの発光点に照射するようにする。この
ような構成とすることにより、レーザチップには、レー
ザビームの発光出力が変動する戻り光ノイズが生じ、そ
の発光出力の変動に基づいてレーザビームの光軸に対す
る光学部品の傾き及び位置を調整することができる。ま
た、調整後、前記反射面に至るレーザビームを遮蔽手段
で遮蔽するようにしたため、光ディスクの記録再生時に
は、レーザビームの出力に戻り光ノイズの影響を与えな
い。このことにより、それぞれの光学部品の傾き及び位
置の調整を、部品点数を増加させずに高精度かつ容易に
行うことができ、それぞれの光学部品の傾き及び位置の
ずれより発生する収差を小さくすることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の光ピックアップ
装置の一実施例の概略構成を示す模式図である。半導体
レーザ素子１０１は、底部に３本の電極端子１０２を有
し、各電極端子は、それぞれレーザケース１０３、レー
ザチップ１０４、フォトダイオード１０５に接続されて
いる。半導体レーザ素子１０１内のレーザチップ１０４
の前側のレーザ発光点から射出される拡散ビーム１０６
は、コリメータレンズ１０７の拡散ビーム入射面１０８
に到達する。この拡散ビーム入射面１０８に到達する拡
散ビーム１０６のうち、光ディスクの記録再生に適さな
い外周部ビーム１０９は、拡散ビーム入射面１０８の周
辺部に設けられた反射面１１０によって反射される。

【００１３】この反射面１１０は、コリメータレンズ１
０７が設計された位置に傾きなく取り付けられた際に、
レーザチップ１０４のレーザ発光点から出射された拡散
ビーム１０６を反射して、元のレーザ発光点位置に戻ら
せしめる形状とする。概略的には、この反射面１１０を
コリメータレンズ１０７の前側焦点位置を中心とした球
面とすればよい。

【００１４】一方、反射面１１０に到達しないレーザビ
ーム１１１は、コリメータレンズ１０７によりコリメー
ト光に整形され、偏光ビームスプリッタ１１２、λ／４
板１１３を通過し、反射ミラー１１４によって向きが変
えられる。そして、対物レンズ１１５によって集光され
て、光ディスク１１６の情報記録面上にビームスポット
（図示せず）を形成する。

【００１５】レーザビーム１１１は、光ディスク１１６
の反射膜によって反射され、反射戻り光となり、対物レ
ンズ１１５、反射ミラー１１４、λ／４板１１３を再び
通過する。λ／４板１１３を２度通過したことによっ
て、レーザビーム１１１は、その偏光方向が９０゜回転
し、偏光ビームスプリッタ１１２を再度通過する際に、
その貼り合わせ面によって反射され、戻り光学系に向か
う。

【００１６】反射戻り光のレーザビーム１１１は、戻り
光学系である複合レンズ１１７に入射する。この複合レ
ンズ１１７の入射面１１８は凸曲面であり、入射したレ
ーザビーム１１１を収束光１１９に変換する。そして、
複合レンズ１１７の出射面１２０はシリンドリカル面で
あり、収束光１１９に非点収差を与える。複合レンズ１
１７を通過した収束光１１９は、分割フォトダイオード
１２１に照射される。分割フォトダイオード１２１から
の電気信号に基づいて、アクチュエータ（図示せず）に
より対物レンズ１１５を駆動し、フォーカスサーボ、ト
ラッキングサーボを行い光ディスク１１６の情報を再生
する。

【００１７】コリメータレンズ１０７付近の光学系の構
成について詳細に説明する。図２は、本実施例の光ピッ
クアップ装置におけるコリメータレンズ付近の概略構成
を示す模式図である。図２において、レーザチップ１０
４には、半導体レーザ素子１０１の外部に出射する拡散
ビーム１０６を発生する前方発光点１２２と、レーザチ
ップ１０４の出力をモニタするために、半導体レーザ素
子１０１内部のフォトダイオード１０５方向に出射する
モニタビーム１２３を発生する後方発光点１２４の２つ
がある。

【００１８】前方発光点１２２の前方には、ウインドウ
ガラス１２５が設けられており、ウィンドウガラス１２
５は、半導体レーザ素子１０１の内部に窒素封入されて
いるレーザチップ１０４からの拡散ビーム１０６を射出
する透過窓として使用されている。ウインドウガラス１
２５を拡散ビーム１０６が透過する際に、球面収差と呼
ばれる光学的な収差が発生するが、コリメータレンズ１
０７は、この収差を補正してレーザビーム１１１に球面
収差が残存しないように設計されている。

【００１９】また、本実施例においては、コリメータレ
ンズ１０７に配置した反射面１１０も前記球面収差を補
正し、反射面１１０から反射した外周部ビーム１０９の
ほぼ全てが前方発光点１２２に戻っていくように設計さ
れている。言い換えれば、反射面１１０の各位置での法
線ベクトルがビーム波面の法線ベクトルと一致するよう
に設計されている。

【００２０】前述したコリメータレンズ１０７の大まか
な傾きと位置の調整は、コリメータレンズ１０７の光学
的基準面を有するレンズホルダ１２６を光学系のホルダ
（図示せず）の基準面に基づいて位置合わせをする。コ
リメータレンズ１０７の傾き及び位置を調整する調整手
段（図示せず）は、コリメータレンズ１０７のレンズホ
ルダ１２６を、ネジ等を用いて機械的に、または、圧電
素子や磁気回路等を用いて電気的に位置を調整するもの
である。後述するコリメータレンズ１０７の傾き及び位
置の微調整は、電気的な調整手段が有効である。

【００２１】そして、電極端子１０２のレーザ端子に電
圧を与えると、レーザチップ１０４の前方発光点１２２
から、拡散ビーム１０６が発生する。拡散ビーム１０６
のうち、光ディスクの記録再生に使用しない外周部ビー
ム１０９は、反射面１１０によって反射され、レーザチ
ップ１０４に戻ってくる。このとき、前方発光点１２２
内に入ってくる戻り光量に従って、レーザチップ１０４
の発振状態に変化が起こり、戻り光ノイズと呼ばれる発
光パワーの変化が発生する。この変化は、後方発光点１
２４から発生するモニタビーム１２３にも同様に発生
し、フォトダイオード１０５により検出される。

【００２２】このフォトダイオード１０５により発生し
た電流変化は、電極端子１０２を通じて外部の増幅回路
に接続され観測される。この増幅された信号を観測しつ
つ、コリメータレンズ１０７の傾き及び位置の調整手段
（調整機構）に基づいて微調整を行い、前記戻り光ノイ
ズが最大となったときに、前方発光点１２２への戻り反
射光量が最大であるということになる。つまり、コリメ
ータレンズ１０７が正しい設計位置に設置されたことを
示す。

【００２３】以上のように調整した後、実際の記録再生
を行う際には戻り光ノイズは必要とされないだけでなく
有害であるので、コリメータレンズ１０７と半導体レー
ザ素子１０１の間に、戻り光ノイズのモニタ用に使用さ
れた外周部ビーム１０９を遮蔽する遮蔽物１２７を挿入
する。これによって、再生時には戻り光ノイズは発生し
ない。また、高周波重畳により戻り光ノイズの影響を低
減するようにしてもよい。

【００２４】また、前述した実施例においては、拡散ビ
ーム１０６の外周部ビーム１０９を戻り光ノイズのモニ
タ用として用いたが、拡散ビーム１０６の中心部のレー
ザビーム１１１を戻り光ノイズのモニタ用として用いて
もよい。この場合、コリメータレンズ１０７の中心部に
反射面１１０を備え、また、調整後に挿入する遮蔽物１
２７も拡散ビーム１０６の中心部のレーザビーム１１１
を遮蔽するものを用いる。この構成においては、コリメ
ータレンズ１０７を通過したレーザビーム１１１の中心
部を遮蔽するため、対物レンズ１１５で集光した場合
に、絞られるビームスポット径をより小さくすることが
でき、より高密度の光ディスクを再生することが可能と
なる。

【００２５】次に、本発明における他の実施例について
説明する。つまり、本実施例では、前述した反射面１１
０を対物レンズ１１５に設け、半導体レーザ素子１０１
から対物レンズ１１５の間の位置及び傾きを調整できる
ようにしたものである。図３は、本発明の光ピックアッ
プ装置における他の実施例の概略構成を示す模式図であ
る。図３に示すように、半導体レーザ素子１０１からの
レーザビーム１１１を反射する反射面１１０を、対物レ
ンズ１１５の周縁部（外周部）、すなわち光軸に垂直に
配置するための基準面に備えている。反射面１１０は、
対物レンズ１１５の基準面にコーティング等により反射
膜として形成してもよい。また、反射面１１０は、対物
レンズ１１５のホルダ（図示せず）に設けた基準面に設
けるなど、対物レンズ１１５の光軸に対する基準面に設
けてもよい。図３に示す構成の光ピックアップ装置にお
いて、光ディスクを再生する場合は、前述した構成の光
ピックアップと同様のため、説明は省略する。

【００２６】図３に示す実施例の光ピックアップ装置に
おける対物レンズ１１５の傾きの調整について説明す
る。図４は、本実施例の光ピックアップ装置における傾
き調整を説明するための模式図である。本実施例におい
ては、対物レンズ１１５の傾きを調整する場合に光ディ
スク１１６を用いずに、図３に示すλ／４板１１３を外
した状態で半導体レーザ素子１０１を発光させて行う。
光源である半導体レーザ素子１０１内部にあるレーザチ
ップ１０４には、前述したように、前方発光点１２２と
後方発光点１２４の２つの発光点がある。

【００２７】対物レンズ１１５の傾き調整は、λ／４板
１１３を外したことにより、対物レンズ１１５の基準面
に設けられた反射面１１０で反射した外周部ビーム１０
９が、コリメータレンズ１０７を経て半導体レーザ素子
１０１に向かう。対物レンズ１１５の光軸が、レーザビ
ーム１１１の進行方向と一致している場合は、対物レン
ズ１１５の基準面に設けられた反射面１１０が、レーザ
ビーム１１１に対して垂直となるため、反射面１１０か
ら反射したレーザビーム１１１は、レーザチップ１０４
の前方発光点１２２に戻ってくる。また、対物レンズ１
１５が傾いている場合は、半導体レーザ素子１０１から
出射したレーザビーム１１１は、対物レンズ１１５の基
準面に設けられた反射面１１０により反射するが、光軸
がずれているためレーザチップ１０４のレーザビーム１
１１の戻り光量が変化する。

【００２８】レーザチップ１０４の前方発光点１２２
に、反射面１１０から反射したレーザビーム１１１が入
射すると、前方発光点１２２に入射するレーザビーム１
１１の光量にしたがって、レーザチップ１０４の発振状
態が変化して発光パワーの変化が発生する戻り光ノイズ
が生じる。この戻り光ノイズは、レーザチップ１０４の
後方発光点１２４から発生するモニタビーム１２３にも
同様に発生し、フォトダイオード１０５により検出され
る。フォトダイオード１０５で検出された戻り光ノイズ
の電流変化は、電極端子１０２を通じて外部の増幅回路
に接続し観測することができる。

【００２９】この戻り光ノイズの電流変化を観測して、
調整手段（図示せず）により対物レンズ１１５の傾きの
微調整を行った際に、戻り光ノイズが大きくなったとき
にレーザチップ１０４の前方発光点１２２へのレーザビ
ーム１１１の戻り光が多いことであり、対物レンズ１１
５が正しい傾きで配置されていることを認識することが
できる。ここで、傾き及び位置を調整する調整手段（図
示せず）は、それぞれの光学素子をネジ等を用いて機械
的に、または、圧電素子や磁気回路等を用いて電気的に
位置を調整するものである。

【００３０】また、調整後は、図３に示すように、λ／
４板を光路中に挿入することにより、反射面１１０から
の反射光も偏光ビームスプリッタ１１２で複合レンズ１
１７の方向に反射する。反射面１１０からのレーザビー
ム１１１が、分割フォトダイオード１２１に入射しない
ように、偏光ビームスプリッタ１１２と複合レンズ１１
７との間に遮蔽物を挿入する。このことにより、光ディ
スクからの戻り光に反射光が影響を与えることがなくな
る。

【００３１】以上のように、対物レンズ１１５の光軸と
半導体レーザ素子１０１から出射したレーザビーム１１
１の光軸とを調整することにより、対物レンズ１１５の
光軸の傾きによって発生するコマ収差、批点収差を小さ
く押さえ、光ディスク１１６の記録再生を行うビームス
ポットを回折限界付近まで絞ることができると共に、対
物レンズ１１５の傾き調整を部品点数を増加させず、容
易且つ高精度に行うことができる。

【００３２】また、他の実施例として、光ピックアップ
装置にコリメータレンズ１０７を用いずに、有限系の光
学系を利用する場合について説明する。図５は、本発明
の光ピックアップ装置における他の実施例の概略構成を
示す模式図である。図５において、レーザチップ１０４
の前方発光点１２２から出射され、偏光ビームスプリッ
タ１１２の入射するレーザビーム１１１のうち、光ディ
スク１１６の記録再生に用いられないレーザビーム１１
１は、偏光ビームスプリッタ１１２入射面の外周部に設
けられた反射面１１０により反射される。この反射面１
１０は曲面であり、偏光ビームスプリッタ１１２が設計
された位置に傾きなく取り付けられた際に、半導体レー
ザ素子１０１の前方発光点１２２から出射したレーザビ
ーム１１１を反射して、元の前方発光点１２２の位置に
戻すような形状となっている。具体的には、前方発光点
１２２と反射面１１０との距離を、反射面１１０の曲面
の曲率半径とし、レーザチップ１０４の前方発光点１２
２を中心とした曲面とする形状である。

【００３３】光源である半導体レーザ素子１０１と偏光
ビームスプリッタ１１２付近の光学系について、具体的
に説明する。図６は、本実施例の光ピックアップ装置に
おける半導体レーザ素子及び偏光ビームスプリッタ付近
の概略構成を示す模式図である。図６において、レーザ
チップ１０４の前方発光点１２２の前方には、ウィンド
ガラス１２５が設けられており、窒素封入されているレ
ーザチップ１０４からのレーザビーム１１１を出射する
透過窓として使用されている。このウィンドガラス１２
５をレーザビーム１１１が透過する際には、光学的な収
差である球面収差が発生する。

【００３４】本実施例における反射面１１０は、前記球
面収差を補正し、反射光のほぼ全てが前方発光点１２２
に戻っていくような曲率半径に設計され、そして、反射
面１１０の曲面では、曲率半径が異なるように設計され
ている。つまり、反射面１１０の曲面の各位置での曲率
放線ベクトルレーザビーム波面の放線ベクトルと一致す
るように設計されている。

【００３５】先ず、大まかな傾きと位置を偏光ビームス
プリッタ１１２の光学基準面を光学系のホルダーの基準
面に基づいて合わせる。そして、半導体レーザ素子１０
１の電極端子１０２のレーザ端子に電圧を与えると、レ
ーザチップ１０４の前方発光点１２２からレーザビーム
１１１が発生し、その一部のレーザビーム１１１は、反
射面１１０の曲面によりそれぞれ反射され、レーザチッ
プ１０４の付近に戻ってくる。

【００３６】このとき、前方発光点１２２内に入射する
戻り光量にしたがって、レーザチップ１０４の発振状態
に変化が生じ、レーザビーム１１１の発光パワーが変化
するレーザビーム１１１の戻り光ノイズとなる。この変
化は、後方発光点１２４から発生するレーザビーム１１
１にも同様に生じ、フォトダイオード１０５によって検
出される。フォトダイオード１０５により発生した電流
変化は、電極端子を通じて外部の増幅回路により観測す
ることができる。

【００３７】そして、増幅回路からの信号を観測しつ
つ、偏光ビームスプリッタ１１２の傾き及び位置を調整
手段を用いて微調整する。前記の信号の戻り光ノイズが
大きくなった時に、レーザチップ１０４の前方発光点１
２２への戻り光が最大となり、偏光ビームスプリッタ１
１２が正しい設計位置に設置されたことを示す。ひとつ
の反射面１１０では、距離の調整しかできないため、曲
率半径の異なる２つの曲面を設けることにより、距離及
び傾きの双方が設計位置に合ったときに、それぞれの曲
面から戻り光が、レーザチップ１０４の前方発光点１２
２にもどる戻り光量が最大となるため、位置及び傾きの
調整が可能となる。

【００３８】前述した調整が終了し、光ディスクの記録
再生を行う際には、戻り光ノイズは有害となるため、偏
光ビームスプリッタ１１２と半導体レーザ素子１０１と
の間に戻り光ノイズのモニタ用に用いられた外周部のレ
ーザビーム１１１を遮蔽する遮蔽物１２７を挿入するこ
とにより、戻り光ノイズが発生しなくなる。また、高周
波重畳により戻り光ノイズの影響を低減してもよい。

【００３９】また、本実施例の光ピックアップ装置に超
解像現象を利用してもよい。図７は、本実施例光ピック
アップ装置において超解像現象を利用した場合の概略構
成を示す模式図である。図７に示すように、本実施例に
おいては、偏光ビームスプリッタ１１２の入射面の中央
部と出射面の中央部に、前述した異なる曲率半径を有す
る曲面を備えた反射面１１０を設け、それぞれの反射面
１１０からの戻り光を戻り光ノイズを検出する。その戻
り光ノイズに基づいて、傾き及び位置を調整する。そし
て、調整後は、偏光ビームスプリッタ１１２のレーザチ
ップ１０４側に配置された反射面１１０のレーザビーム
１１１入射側に遮光物１２７を挿入し、光ディスク記録
再生時のレーザチップ１０４への反射光の影響を除去す
る。

【００４０】以上のように、ビームスプリッタの傾きに
より発生するコマ収差、非点収差を抑えることができ、
高密度記録の光ディスクを再生する際のビームスポット
を回折限界付近まで絞ることができ、位置及び傾きの調
整を部品点数を増加させずに高精度且つ容易に行うこと
ができる。

【００４１】以上の実施例において、偏光ビームスプリ
ッタを用いているが、λ／４板を使用せず、光ディスク
再生時に高周波重畳を行って半導体レーザ素子を発光さ
せることにより、無偏光のビームスプリッタを用いた構
成にも利用できる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、光ピックアップ装置の
光学部品の調整を、部品点数を増加させず、容易かつ高
精度に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ピックアップ装置の一実施例の概略
構成を示す模式図である。

【図２】本実施例の光ピックアップ装置におけるコリメ
ータレンズ付近の概略構成を示す模式図である。

【図３】本発明の光ピックアップ装置における他の実施
例の概略構成を示す模式図である。

【図４】本実施例の光ピックアップ装置における傾き調
整を説明するための模式図である。

【図５】本発明の光ピックアップ装置における他の実施
例の概略構成を示す模式図である。

【図６】本実施例の光ピックアップ装置における半導体
レーザ素子及び偏光ビームスプリッタ付近の概略構成を
示す模式図である。

【図７】本実施例の光ピックアップ装置において超解像
現象を利用した場合の概略構成を示す模式図である。

【符号の説明】

１０１…半導体レーザ素子、１０２…電極端子、１０３
…レーザケース、１０４…レーザチップ、１０５…フォ
トダイオード、１０６…拡散ビーム、１０７…コリメー
タレンズ、１０８…拡散ビーム入射面、１０９…外周部
ビーム、１１０…反射面、１１１…レーザビーム、１１
２…偏光ビームスプリッタ、１１３…λ／４板、１１４
…反射ミラー、１１５…対物レンズ、１１６…光ディス
ク、１１７…複合レンズ、１１８…入射面、１１９…収
束光、１２０…出射面、１２１…分割フォトダイオー
ド、１２２…前方発光点、１２３…モニタビーム、１２
４…後方発光点、１２５…ウィンドウガラス、１２６…
レンズホルダ、１２７…遮蔽物

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レーザビームを発光点から出射するレーザ
   チップを収納した半導体レーザ素子と、該半導体レーザ
   素子から出射された前記レーザビームを集光し光ディス
   クの情報記録面上にビームスポットを形成する対物レン
   ズとを備え、前記光ディスクからの反射戻り光から前記
   光ディスクに記録されている情報を再生する光ピックア
   ップ装置において、前記半導体レーザ素子から出射した
   前記レーザビームをコリメート光に変換するコリメータ
   レンズと、該コリメータレンズの前記レーザビームが入
   射する入射面の一部に設けられ前記レーザチップから出
   射した前記レーザビームの一部を前記レーザチップの前
   記発光点に反射させる反射面とを備えたことを特徴とす
   る光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】レーザビームを発光点から出射するレーザ
   チップを収納した半導体レーザ素子と、該半導体レーザ
   素子から出射された前記レーザビームを集光し光ディス
   クの情報記録面上にビームスポットを形成する対物レン
   ズとを備え、前記光ディスクからの反射戻り光から前記
   光ディスクに記録されている情報を再生する光ピックア
   ップ装置において、前記対物レンズの基準となる面に設
   けられ前記レーザチップの前記発光点から出射したビー
   ムの一部を前記レーザチップの前記発光点に反射させる
   反射面を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
3. 【請求項３】レーザビームを発光点から出射するレーザ
   チップを収納した半導体レーザ素子と、該半導体レーザ
   素子から出射された前記レーザビームを集光し光ディス
   クの情報記録面上にビームスポットを形成する対物レン
   ズとを備え、前記光ディスクからの反射戻り光から前記
   光ディスクに記録されている情報を再生する光ピックア
   ップ装置において、前記半導体レーザ素子から出射した
   前記レーザビームの偏光方向により前記レーザビームの
   進行方向を変化させる偏光ビームスプリッタと、該偏光
   ビームスプリッタの前記レーザビームが入射する面に配
   置した前記レーザビームの一部を前記レーザチップの前
   記発光点に反射させる反射面とを備えたことを特徴とす
   る光ピックアップ装置。
4. 【請求項４】請求項１乃至請求項３記載の光ピックアッ
   プ装置において、前記レーザチップの前記発光点に照射
   する前記反射光を遮蔽する遮蔽手段を備えたことを特徴
   とする光ピックアップ装置。