JPH03207038A - σｗの小さなオーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、σＷ（交換結合力）の小さなオーバーライト
可能な光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が威されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することができ、消去し
た後、再び新たな情報を記録することが繰り返し可能で
あるというユニークな利点のために、最も大きな魅力に
満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｌａｙｅｒ　ｏｒ　ｌ
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ，　ＧｄＦｅＣｏ，　ＴｂＦ
ｅ，　ＴｂＣｏ，　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層
は一般に同心円状又はらせん状のトラックを威しており
、このトラックの上に情報か記録される。ここで、本明
細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又
は「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ　）Ｊの何れか一方を、
「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべ
き情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き
」の磁化を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の磁
化を有するビット（ＢＯ）の２つの信号で記録される。

これらのビットＢｌ．Ｂｏは、デジタル信号の１，０の
何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般に
は記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁
場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。

この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれる
。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビッｈ
　（Ｂｌ）を形或する。情報は、このヒット（Ｂ１）の
有無及ひ／又はビソト長によって記録される。尚、ビッ
トは、最近では「マーク」と称される。

ヒット形或の原理： ビットの形或に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーサー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同し位に小さいスポットにヒームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラソク表面に照射され、
記録再生層に直径がｌμｍ以下のビットを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０８　ビット／　ｃｒｌまての記録密度を達戊
することかできる。何故ならば、レーサビームはその波
長とほとんど同し位に小さい直径を有するスポットにま
で凝縮（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することか出来るか
らである。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーサー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ふ。こうして逆に磁化されたビットが形威
される。

フエ口磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フエ口磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｅを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。逆に
この温度付近でＨｃか非常に大きくなり、その濃度から
外れるとＨｃか急激に低下する。この低下したＨｅは、
比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされる。

つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ　ｃ
　ｏ　ｍ　ｐ　　書込み（補償点書込み）と９ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｅを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｃを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

再生の原理： 第３図は、光磁気効果に基つく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ，）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θｋ度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
−θｋ度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一〇ｋ度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ　ｏ）から反射され
た光はアナライザーを透過することができない。それに
対して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ，）から反射
された光は、（ｓｉｎ２θｋ）２を乗じた分がアナライ
ザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲さ
れる。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｌ
）は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ０）よりも明
るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生さ
せる。このディテクターからの電気信号は、記録された
情報に従って変調されるので、情報か再生されるのであ
る。

ところで、従来、キュリー点が低くて記録が容易で、し
かも保磁力が高くて保存安定性が高く、その上θｋが大
きくて再生（読み出し）時のＣ／Ｎ比が高い１つの磁性
材料を見い出すことは困難で、そのため必要な機能を分
離して２つの異なる磁性材料を積層した多層光磁気記録
媒体が提案された（特開昭５７−７８６５２号）。この
記録媒体は、垂直磁化可能な低キュリー点を有する高保
磁力層と垂直磁化可能な高キュリー点を有する低保磁力
層との２層膜からなり、該高保磁力層と低保磁力層とは
互いに交換結合しているものである。そのため低キュリ
ー点を有する高保磁力層で情報の記録と保存を行ない、
記録された情報は低保磁力層に転写されるので、高キュ
リー点を有し、かつθｋの犬きな低保磁力層で情報の読
み出しを行なうのである。

そして、その特開昭５７−７８６５２号には、唯一の実
施例として、高保磁力層としてＴｂ−Ｆｅ非晶質合金、
低保磁力層としてＧｄ−Ｆｅ非晶質合金を使用した２層
膜記録媒体が開示されている。

また、第１層を記録層、第２層を記録補助層とし、両層
の交換結合と、キュリー点、保磁力の違いを利用した光
変調だけによるオーバーライト可能な多層光磁気記録媒
体が発明され、特許出願された（特開昭６２−１７５９
４８号）。以下、この発明を「基本発明」と引用する。

いずれにせよ、多層光磁気記録媒体においては、磁性層
間の交換結合力σ．（基本発明では界面磁壁エネルギー
と称している）が必要である。

（基本発明の説明〕 基本発明の特徴の１つは、記録層（第１層）と記録補助
層（第２層）との少なくとも２層構造の多層垂直磁化膜
からなる光磁気記録媒体を使用することである。そして
、情報を「Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向き」
磁化を有するビットで第１層（場合により第２層にも）
に記録するのである。

基本発明によるオーバーライト方法は、（ａ）記録媒体
を移動させること： （ｂ）初期補助磁界旧ｎｉ．を印加することによって、
記録する前までに、第１層の磁化はそのままにしておき
、第２層の磁化のみを、「Ａ向き」に揃えておくこと； （Ｃ）レーザービームを媒体に照射すること；（ｄ）前
記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従イハルス状に
変調すること； （ｅ）前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界を
印加すること （ｆ）前記パルス状ビームの強度か高レベルの時に「Ａ
向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」磁化を有す
るビットの何れか一方を形或させ、ビーム強度か低レベ
ルの時に、他方のビットを形威させること： からなる。

基本発明では、記録するときには、例えば（ａ）光磁気
記録媒体を移動させる手段（ｂ）初期補助磁界Ｍｉｎｉ
．印加手段；（ｃ）レーザービーム光源； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）ｒＡ向きｊ磁化を有するビットと「逆Ａ向き」磁化
を有するビットの何れか一方のビットを形威させるのに
適当な温度を媒体に与える高レベルと、 （２）他方のビットを形威させるのに適当な温度を媒体
に与える低レヘル とにパルス状に変調する変調手段 （ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることがあ
り得る記録磁界印加手段 からなる才一バーライト可能な光磁気記録装置を使用す
る。

基本発明では、レーサービームは、記録すべき情報に従
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である。例えば、ＴＨＥ　　ＢＥＩ、Ｌ　　ＳＹＳ
ＴＥＭ　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＩ、ＪＯＵＲＮＡＬ，〜’
ｏｆ．　６２（　＋９８３），　１９２３　−１９３６
に詳しく説明されている。従って、ビーム強度の必要な
高レベルと低レベルか与えられれば、従来の変調手段を
一部修正するたけて容易に入手できる。当業者にとって
、そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レヘル
が与えられれば、容易であろう。

基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ヒーム強度か高レベ
ルの時に、記録磁界Ｈｂにより記録補助層（第２層）の
「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ
）させ、この第２層の「逆Ａ向き」磁化によって記録層
（第１層）に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕
を有するビットを形或する。ビーム強度が低レベルの時
は、第２層の「Ａ向き」磁化によって第１層に「Ａ向き
」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化］を有するビットを形成
する。

なお、本明細書では、 ○○○〔又は△△△〕という表現は、先に〔　〕の外の
○○○を読んだときには、以下のＱＱＱ〔又は△△△〕
のときにも、〔　〕の外の○○○を読むことにする。そ
れに対して先に○○○を読まずに〔　〕内の△△△の方
を選択して読んだときには、以下のＯＱＱユヱ撓△△Ｌ
〕のときにも○○○を読まずに〔　〕内の△△△を読む
ものとする。

すでに知られているように、記録をしない時にも、例え
ば媒体における所定の記録場所をアクセスするためにレ
ーサービームを非常な低レヘル“て点灯することがある
。また、レーザービームを再生に兼用するときには、非
常な低レベル９の強度でレーサービームを点灯させるこ
とがある。本発明においても、レーサービームの強度を
この非常な低レベル１にすることもある。しかし、ビッ
トを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル゜
よりも高い。従って、例えば、基本発明におけるレーサ
ービームの出力波形は、次の通りになる。

ビーム強度 値化情報の例　　　１１１００１１１１０００なお、基
本発明の明細書には明記されていないが、基本発明では
、記録用のビームは、１本ではなく近接した２本のビー
ムを用いて、先行ビームを原則として変調しない低レベ
ルのレーザービーム（消去用）とし、後行ビームを情報
に従い変調する高レベルのレーザービーム（書込用）と
してもよい。この場合、後行ビームは、高レベルと基底
レベル（低レベルと同一又はそれより低いレベルであり
、出力が七ロでもよい）との間でパルス変調される。こ
の場合の出力波形は次の通りである。

先行ビーム 後行ビーム ヒーム強度 値化情報の例 ｌ Ｉ １　０　０　１ １ ｌ ｉｏｏｏ 基本発明で使用される媒体は、第ｌ実施態様と第２実施
態様とに大別される。いずれの実施態様においても、記
録媒体は、記録層（第１層）と記録補助層（第２層） を含む多層構造を有する。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保磁力
が低く磁化反転温度か高い記録補助層である。なお、第
１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成されてい
てもよい。場合により第１層と第２層との間に第３の層
が存在していてもよい。更に第１層と第２層との間に明
確な境界がなく、一方から徐々に他方に変わってもよい
。

第１実施態様では、記録層（第１層）の保磁力をＨ。ｌ
、記録補助層（第２層）のそれをＨＣ２、第１層のキュ
リー点をＴｃｌ、第２層のそれをＴ，２、室濃をＴＲ％
低レベルのレーサービームを照射した時の記録媒体の温
度をＴＬ、高レベルのレーザービームを照射した時のそ
れをＴＨ、第１層が受ける結合磁界をＨＤ）、第２層が
受ける結合磁界をＨ　ｏ　，とした場合、記録媒体は、
下記の式Ｉを満足し、かつ式２〜５を満足するものであ
る。

ＴＲ　＜Ｔｃ１＜Ｔｃ１≒ＴＬ　＜ＴＣ２役ＴＨ−−式
ｌＨＣＩ＞ＨＣ２＋　　ＨＤｌ＋ＨＤ２１　”’−””
”’−　　式２ＨＣ１〉ＨＤ１−−゛式３ Ｈ　Ｃ　２　＞　Ｉ｛　ｏ　２−−−−−−−−−−−
−−−一−式４ＨＣ２＋ＨＤ２＜　　旧ｎｌ．　　　＜
Ｈｃ＋±Ｈ　Ｄ　ｌ・−式５上記式中、符号「熔」は、
等しいか又はほほ等しい（土２０℃位）ことを表す。ま
た上記式中、複合士，竿については、上段が後述する Ａ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ＞タイプの媒体の場合
であり、下段は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイ
プの媒体の場合である。なお、フエ口磁性体媒体はＰタ
イプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は第Ｆ層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

保磁力 Ｔ ？．　　　　　　　Ｔ． 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Ｈｉｎｉ
．　）を印加すると、式５によれば、記録層（第１層）
の磁化の向きは反転せずに記録補助層（第２層）の磁化
のみが反転する。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界
（Ｈｉｎｉ．　）を印加すると、第２層のみを「Ａ向き
」■ここでは「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面におい
て上向きの矢脊で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢６て
示すに磁化させることができる。そして、旧ｎｉ．がゼ
ロになっても、式４により、第２層の磁化官は再反転せ
ずにそのまま保持される。

初期補助磁界（Ｈｉｎｉ．　）により第２層のみか、記
録直前まで「Ａ向き」宣に磁化されている状態を概念的
に表すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き′は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係かないので、以下Ｘで示す。

ここにおいて、高レヘルのレーサーヒームを照射して媒
体温度をＴ。に上昇させる。すると、ＴＨはキュリー点
ＴＣＩより高温度なので記録層（第１層）の磁化は消失
してしまう。更にＴＩＩはキュリー点ＴＣ２付近なので
記録補助層（第２層）の磁化も全く又はほぼ消失する。

ここで、媒体の種類に応じて「Ａ向きＪ又は「逆Ａ向き
」の記録磁界（Ｈｂ）を印加する。記録磁界（Ｈｂ）は
、媒体自身からの浮遊磁界でもよい。説明を簡単にする
ために「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加したとす
る。媒体は移動しているので、照射された部分は、レー
サービームから直ぐに遠ざかり、冷却される。Ｈｂの存
在下で、媒体の濃度か低下すると、第２層の磁化は、Ｈ
ｂに従い、反転されて「逆Ａ向き」の磁化となる（状態
２８）。

そして、さらに放伶が進み、媒体温度がＴ。１より少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化の向きは
、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
に応じて８（Ｐタイプの媒体の場合） 又は宣 （Ａタイプの媒体の場合） が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ，に上昇させる。ＴＬはキュリー点Ｔｃ＋付近なので
第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点Ｔｃ＝よりは低温であるので第２層の磁化は消失し
ない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高 速度（短時間）でＨｂをＯＮ．．ＯＦＦすることは不可
能である。従って、止むを得ず高温サイクルのときのま
まになっている。

しかし、ＨＣ２はまだ大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化が反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再び第１層の磁
化か現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のため
に第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
によって０　（Ｐタイプの場合）又は８　（Ａタイプの
場合）の磁化が出現する。この磁化は室温でも変わらな
い。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化宣又はａを有するビットが形或される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオーバーライトが可能となる。

Ｐタイプ媒体の場合 （室渥での状態） （室温での状態） （室温での状態） （室温での状態） これまでの説明は、第１層、第２層ともに室温とキュリ
ー点との間に補償温度Ｔ　ｃａｍｐ　　がない磁性体組
成について説明した。しかし、補償渥度Ｔ　ｃ　ｏ　ｍ
　ｐ　　が存在する場合には、それを越えると■磁化の
向きが反転することと■Ａ，Ｐタイプが逆になるので、
説明はそれだけ複雑になる。この場合、記録磁界Ｈｂの
向きも、室温で考えた場合、前頁の説明の向き↓と逆に
なる。

記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒体は回
転される。そのため、記録された部分（ビット）は、１
回転する間に再びｉ｛ｉｎｉ．の作用を受け、その結果
、記録補助層（第２層）の磁化は元の「Ａ向き」宣に揃
えられる。しかし、室温では、第２層の磁化の影響が記
録層（第１層）に及ぶことはなく、そのため記録された
情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。なお、第１層と第２層の組成設
計によっては、再生前に再生磁界ＨＲを印加することに
より、元の「Ａ向き」宣に揃えられた第２層に第１層の
情報を転写させる方法や、再生磁界ＨＲを印加せずとも
Ｈｉｎｉ．の影響がなくなるや否や第２層に第１層の情
報が自然転写されるものがあるので、この場合には、第
２層から情報を再生してもよい。

このような記録層（第１層）及び記録補助層（第２層）
を構或する垂直磁化膜は、■補償温度を有せずキュリー
点を有するフエ口磁性体及びフエリ磁性体、並びに■補
償温度、キュリ一点の双方を有するフエリ磁性体の非晶
質或いは結晶質からなる群から選択される。

以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様は室温より高い所定の温度に於いて低下したＨｅを利
用するものである。第２実？態様は、第１実施態様に於
けるＴＣＩの代わりに記録層（第■層）が記録補助層（
第２層）に磁気結合される温度ＴＳＩを使用し、ＴＣ２
の代わりに第２層かＨｂで反転する温度ＴＳＩを使用す
れば、第１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、第１層の保磁力をＨＣＩ、第２層の
それをＨＣＩ、第１層が第２層に磁気的に結合される温
度をＴ　Ｉ　＋とし、第２層の磁化がＨｂで反転する温
度をＴＳＩ、室温をＴＲ、低レベルのレーザーヒームを
照射した時の媒体の温度をＴ，、高レベルのレーサービ
ームを照射した時のそれをＴＨ、第１層が受ける結合磁
界をＨ　Ｄ　１　％第２層が受ける結合磁界をＨＤ２と
した場合、記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で
式７〜ＩＯを満足するものである。

ＴＲ　＜Ｔｌｌ役”ｒｔ．　＜Ｔ．■郊Ｔ８　　　”−
　式６Ｈ０＞Ｈｃ２＋　　Ｈｏｔ￥Ｈｏ２ Ｈ　Ｃ　．　＞　Ｈ　Ｄ，−一−−−・−−−−式８Ｈ
　Ｃ　２　＞　Ｈ　Ｄ　ｌ　””””””””””””
””””’　　　一　　式９Ｈｃ２＋Ｈｏ２＜　ｌＨｉ
ｎｉ，　ｌ　＜Ｈｃ＋：！：ＨＤ＋””’一式】０上記
式中、複合士，手については、上段か後述するＡ　（ａ
ｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、
下段は後述するＰ　（ｐａｒａｌ　ｌｅｌ）タイプの媒
体の場合である。

第２実施態様では、高温Ｔ　Ｈのとき、第２層の磁化は
消失していないが、十分に弱い。第１層の磁化は消失し
ているか、又は十分に弱い。第１層、第２層ともに十分
に弱い磁化を残留していても、記録磁界Ｈｂ↓が十分に
大きく、Ｈｂ↓が第２層及び場合により第１層の磁化の
向きをＨｂ↓に従わせる。

この後、■直ちに又は■レーサービームの照射が無くな
って放冷が進み、媒体温度がＴＨより下かった時又は■
Ｈｂから遠さかった時、第２層かσッを介して第１層に
影響を及ぼして第１層の向きを安定な向きに従わせる。

その結果、状態３Ｈとなる。もともと第１層の磁化が安
定な向きにあるときは、変化しない。

（Ｐタイプ）　　　　（Ａタイプ） 他方、低ａＴＬのとき、第１層、第２層共に磁化を消失
していないが、第１層のそれは十分に弱い。

従って、第１層の磁化の向きは、Ｈｂの影響より大きな
第２層の磁化の影響をσ１を介して受ける。但し、第２
層は、十分な磁化を有するので、磁化がＨｂによって反
転することはない。

その結果、Ｈｂ↓に無関係に状態３，となる。

（Ｐタイプ）　　　　（Ａタイプ） 以上の説明は、第１層、第２層ともに室温とキュリー点
との間に補償温度Ｔ　ｃ　ｏ。２　がない磁性体組成に
ついて説明した。しかし、補償温度Ｔ，。４ｐが存在す
る場合には、それを越えると■磁化の向きが反転するこ
とと■Ａ，Ｐタイプが逆になるので、説明はそれだけ複
雑になる。また、記録磁界Ｈｂの向きも、室温で考えた
場合の向きと逆になる。

第Ｉ、第２実施態様ともに、記録層（第１層）、記録補
助層（第２層）が遷移金属（例えばＦｅ，Ｃｏ）一重希
土類金属（例えばＧｄ．　Ｔｂ，　ＤＹその他）合金組
戊から選択された非晶質フェリ磁性体である記録媒体が
好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ）一重希土類金属
（ｈｅａｖｙ　ｒａｒｅｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合
金組成から選択された場合には、各合金としての外部に
現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原
子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及
び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のス
ピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭの
スピンの向き及び大きさを点線のベクトル゛１゛で表わ
し、ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、合
金全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル官
で表す。このとき、ベクトル宣はベクトル′；とベクト
ル↑との和として表わされる。ただし、合金の中ではＴ
〜１スピンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル
′：とヘクトル↑とは、向きが必ず逆になっている。従
って、二と↑との和或いは↓と′：゛との和は、両者の
強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外
部に現れる磁化の大きさはセロ）になる。このセロにな
るときの合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔ　ｉ
ｏｎｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外
の組成のときには、合金は両スピンの強度差に等しい強
度を有し、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい
向きを有するベクトル（宜又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる。例えば↑，は宣と
なり、↑：は８となる。

ある合金組威のＴＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組或は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、ＴＭリッチな組成とＲ
Ｅリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、基本発
明の媒体全体としては、種類を次の４象限に分類するこ
とができる。先に述べたＰタイプはＩ象限と■象限に属
するものであり、Ａタイプは■象限と■象限に属するも
のである。

ＲＥリッチ（第１層） ↓ ＴＭリッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。

〕 一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、？ュリ
ー点（保磁力七ロの温度）に達する前に保磁力が一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔｃ．■，）と呼ばれる。

補償温度は、ＴＭリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室渥からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太線は
第２層のそれである。

タイプｌ 保磁力 タイプ２ 保磁力 タイプ３ 保磁力 タイブ４ 保磁力 ここで、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）の両
方についてＲＥリッチかＴＭリッチかで分け、かつ補償
温度を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次の９
クラスに分類される。

第１表 第 ｌ 表 （続き） 〔発明か解決しようとする課題〕 基本発明の明細書に具体的に開示された記録媒体は、第
１層一第２層の層間に働く交換結合力σＷか大きすぎて
、そのため、膜厚を厚くしなければならず、その結果、
記録感度が低下し、記録速度が低下するという問題点の
あることが判明した。

本発明の目的は、σＷの小さなオーバーライト可能な光
磁気記録媒体を見い出し、前記問題点を解決することに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者は鋭意研究の結果、第１層又は第２層の少なく
とも一方を重希土類一軽希土類一遷移金属合金非品質膜
で構成することにより、σＷを小さくすることができる
ことを見い出し、本発明を成すに至った。

よって、本発明は、「ビーム変調だけでオーバーライト
可能な光磁気記録媒体において、第ｌ層又は第２層の一
方を重希土類一軽希土類一遷移金属合金非品質膜で構成
し、他方を重希土類一軽希土類一遷移金属合金非晶質膜
又は重希土類一遷移金属合金非晶質膜で構成したσＷの
小さな記録媒体」を提供する。

〔作用〕

軽希土類としては、例えば、Ｎｄ，　Ｓｍ，　Ｐｒ，　
Ｅｕ、Ｐｍ，　Ｃｅ又はＬａが使用される。

以下に本発明の記録媒体のオーバーライト原理について
、クラスｌ〜９ごとにより詳細に説明する。但し、軽希
土類原子は、遷移金属原子と同じスピンの向きを持って
いるので、以下のクラスｌ〜９の説明においては、「遷
移金属」が、遷移金属と軽希土類を代表するものと理解
されたい。特許請求の範囲における「遷移金属リッチ」
も、軽希土類を含めた遷移金属と重希土類との関係を意
味している。

また、基本発明では、第２層゛（記録補助層）を初期化
する手段として、初期補助磁界Ｈｉｎｉ．の説明しかな
されていないが、本発明では、第３、第４の層を付加し
、これらの層が交換結合力σ１を通じて作用することに
より第２層を初期化するものも含む。この場合には、媒
体自身が初期化手段を保有しており、記録装置側に初期
化手段例えばＨｉｎｉ．磁石を設ける必要がない。

ここで第ｌ表に示したクラスｌの記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプｌ）に属する特定の媒体ＮＯ．１を例に
とり、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体阻１は、次式ｌ１： Ｔ　Ｒ　＜　Ｔ　ｃｏｍｐ．　＋　＜　Ｔｃ　Ｉ＜Ｔｃ
１≒ＴＬ灯Ｔ　ｃｏｍｐ．　２　＜　Ｔ　，２埒Ｔ，の
関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如くな
る。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２層
のグラフを示す。

？，。■， Ｔ　（　ａ　ｍ　ｐ 室温ＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ．によ
り反転せすに第２層のみが反転する条件は、式１２てあ
る。この媒体Ｎｏ．　ｌは式１２を満足する。式ｌ２． ？Ｍｓ＋　ｔ　１２Ｍｓ＋　ｔ　ｒ ただし、Ｈｃ一第１層の保磁力 ＨＣ２：第２層の保磁力 ＭＳＩ　：第１層の飽和磁気モーメント（ｓａｔｕｒａ
ｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ）Ｍ５■：第
２層の飽和磁気モーメント ｔ１　・第１層の膜厚 ｔ２　第２層の膜厚 σ．：界面磁壁エネルギー （ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）
このとき、Ｈｉｎｉ．の条件式は、式ｌ５で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式ｌ３
〜Ｉ４で示される。この媒体Ｎα１は式１３〜１４を満
足する。

σ． 式１３：　　ＨＣＩ＞ ２Ｍｓ，ｔ ２Ｍｓ２ｔ２ 式ｌ５： ２　ＭＳ２　ｔ　２　　　　　　　　　　　　　　２　
Ｍｓ１ｔ室温で式ｌ２〜ｌ４の条件を満足する記録媒体
の第２層の磁化は、記録の直前までに式ｌ５の条件を満
足するＨｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」宣（↑３，）
に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態ｌ）。

この状態１　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まで
保持される。ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに
印加される。

？低暦サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ほ等しいので、第１層の磁化は消失する（状態２Ｌ）。

この状態２，に於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ，Ｔ
Ｍスピン（↑：）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）、ＴＭス
ピン同士（．’．．　）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑：即ち８の磁化が記録磁界↑
Ｈｂに打ち勝って出現する（状態３Ｌ）。この状態の温
度はＴｅｏｍｐ．ｔ以上なのでＴＭスピンの方か大きい
。

？体温度が更にＴ　ｅ　ａ　Ｉｎ　Ｐ■以下に冷えると
第１層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関係が逆転す
る（　↑１→↑，）。その結果、第１層の磁化は宣とな
る（状態４Ｌ）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層
の磁化は「Ａ向き」會となり、その向きのビットが形成
される。

？温サイクル■ 高レベルのビームが照射されて媒体温度がＴＬに上昇す
ると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣＩにほぼ等しいの
で、第１層の磁化は消失する（状態２８）。

？らに照射を続けると、媒体のｄ度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ　ｅ　ａ■．２より少し高い温度
になったとき、ＲＥ，ＴＭの各スピンの方向は変わらな
いが、強度の大小関係が逆転する（↑．→↑ｉ）。その
ため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」集の磁化に
なる（状態３Ｈ）。

しかし、 この温度ではＨＣ２がまだ大きいので、↑Ｈｂによって
第２層の磁化が反転されることはない。さらに温度が上
昇し、Ｔ８になると、第２層の温度はほぼキュリー点Ｔ
。２となり、第２層の磁化も哨失する（状態４．）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣ２より少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって宣（φ゛；゛）の磁
化が生しる（状態５Ｈ）。しかし、温度はまだＴ　ｅ　
ｌより高いので第１層には磁化は現れない。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔｃｏｍｐ．２以下
になると、ＲＥ，ＴＭの各スピンの方向は変わらないが
、強度の大小関係が逆転する （．，゛：゛一↓・）。

その結果、合金全体の磁化は反転し、 背から「逆 Ａ向き」■になる（状態６Ｈ）。

？の状態６Ｈでは媒体の温度はＴ。１より高いので第１
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨＣ２は大きいので第２層の磁化８は、↑Ｈｂで反転
することはない。

そして、更に温度が低下してＴＣＩより少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（′．’
　＞を揃えるように働く。そして、第１層の温度はＴ　
ｃ　ｏ■１以上なのでＴＭスピンの方が大きく、そのた
め第１層には↓゛：つまり會の磁化が出現する。この状
態が状態７８である。

？体の温度がこの状態７。のときの温度から更に低下し
て、Ｔ　ｅ　ａ■，１以下になると、第１層のＲＥスピ
ンとＴＭスピンの強度の大小関係の逆転が起こる（　　
ｉ”→↓．■　）。その結果、８の磁化が出現する（状
態８Ｈ）。

そして、やがて媒体の温度は状態８Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ。１は十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
態８Ｈが保持される。こうして、「逆Ａ向き」のビット
形成が完了する。

？に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体Ｎｏ．　２を例に
とり、オーハーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα２は、次式１６ ＴＲ＜ＴｃｌｚＴｔ　ｚＬｏｍｐ■＜Ｌ）ｚＬの関係を
有する。この関係をクラフで示すと、次の如くなる。

Ｔ　Ｌ　　　Ｔ＋ｏ＋ｎｐ．２　　ＴＨ室温Ｔ，ｌで第
１層の磁化が初期補助磁界｝１ｉｎｉ．により反転せず
に第２層の磁化のみが反転する条件は、式ｌ７てある。

この媒体Ｎａ２は式１７を満足す る。

式ｌ７： σ１　　　　　　　　　　　σ， Ｈｃ＋＞ＨＣ２＋＋ ２　Ｍｓ１ｔ　１２　ＭＳ２　ｔ　２ このとき、旧ｎｉ．の条件式は、式２０で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式１８
〜１９で示される。この媒体Ｎα２は式ｌ８〜１９を満
足する。

式１９， σＷ ２Ｍ５Ｉｔ σ１ ＨＣ２＞ ２Ｍｓ２ｔ２ 式２０ ２Ｍｓ２ｊｚ ２Ｍ５ ｔ 室温で式１７〜ｌ９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足する旧
ｎｉ．により例えば「Ａ向き」甘（千〇）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１）
。

この状態１　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まて
保持される。ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに
印加される。

低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴ　Ｌに上昇さ
せる。そうすると、Ｔ，は第１層のキュリー点ＴＣＩに
ほほ等しいので、第１層の磁化は消失する（状態２，）
。

この状態２，に於いてレーサービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ，Ｔ
Ｍスピン（↑；）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）　、ＴＭ
スピン同士（：，）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑ミ即ち脊の磁化が出現する（
状態３Ｌ）。

この状態３，は媒体温度が更に低下しても変化がない。

この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層の磁
化は「Ａ向き」宣となり、「Ａ向き」宣のビットが形成
される。

高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ，１にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は哨失する。この状態が状
態２Ｈてある。

？らに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ．。■２■より少し高い温度にな
ったとき、ＲＥ，ＴＭの各スピンの方向は変わらないが
、強度の大小関係が逆転する（↑．→↑ｉ）。そのため
、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化にな
る（状態３Ｍ）。

しかし、 この温度ではＨＣ２がまだ大きいので、？Ｈｂによって
第２層の磁化が反転されることはない。さらに温度が上
昇し、Ｔ■になると、第２層の温度はほぼキュリー点Ｔ
Ｃ２となり、第２層の磁化は消失する（状態４Ｈ）。

？の状態４。においてレーザービームのスポット領域か
ら外′れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴ。２より少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって宣（↓゛：゛）の磁
化が生じる。しかし、温度はまだＴ　ｅ　ｌより高いの
で第１層には磁化は現れない。この状態が状態５■であ
る。

そして、媒体の温度が更に下がり、 ？　ｅ　ａ■， ２以 下になると、ＲＥ，ＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（。：一↓・）。

その結果、合金全体の磁化は反転して宣から「逆Ａ向き
」６になる（状態６。）。

この状態６Ｈでは媒体の温度はＴＣＩより高いので第１
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨ０は大きいので第２層の磁化が↑Ｈｂで反転するこ
とはない。

そして、更に温度が低下してＴ。ｌより少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からき交換結
合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（′：）
を揃えるように働く。そのため第１層には↓でつまり８
の磁化が出現する。この状態が状態７Ｈである。

そして、やがて媒体の温度は状態７Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
態７Ｈが保持される。こうして、「逆Ａ向き」集のビッ
ト形成が完了する。

次に第Ｉ表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイブ３）に属する特定の媒体ＮＱ．３を例にと
り、オーバーライトの原理について詐細に説明する。

この媒体Ｎｏ．　３は、次式２１： Ｔｅｌ　＜Ｔｃｏｍｐ．＋＜Ｔ（ｌ４ＴＨ　＜Ｔ．＋ｚ
Ｔ。

の関係を有する。この関係をクラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　ｅ　６　Ｉｎ　Ｐ Ｔｔ． ＴＨ 室温ＴＲで第１層の磁化か初期補助磁界旧ｎｉ．により
反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２２てある
。この媒体ｋ３は式２２を満足する。

式２２： ２Ｍｓ＋ｔｔ　　　　２Ｍｓ２ｔ２ このとき、旧ｎｉ，の条件式は、式２５で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それても第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２３
〜２４で示される。この媒体Ｎα３は式２３〜２４を満
足する。

σ１ ２Ｍｓ１ｊ σ１ 式２４：　　ＨＣ２＞ ２Ｍｓ２ｊｚ 一〜ζＪ． ２Ｍｓ２ｔ＋ ２Ｍ． ｔ 室温で式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足する旧
ｎｉ．により例えば「Ａ向き」０（↑．）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態Ｉ）
。

この状態ｌ　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まで
保持される。ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに
印加される。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴ，に上昇させ
る。そうすると、Ｔ，は第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。しかし、この
温度ではまた第２層のＨ９。

は大きいので、第２層の磁化は↓Ｈｂによって反転され
ることはない（状態２Ｌ）。

この状態２，においてレーサービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ，Ｔ
Ｍスピン（↑．）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピ
ン同士（．’．．　）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑ｉ即ち８の磁化が出現する。

この場合、温度はＴ　ｃ　ｏイ，，以上なのでＴＭスピ
ンの方が大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴｅｏｍｐ．１以下に冷えると第１層の
ＲＥスピンとＴ〜１スピンとの大小関係が逆転する（　
↑；，→↑．　）。その結果、第１層の磁化は↓Ｈｂに
打ち勝って宣となる（状態４Ｌ）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下かっても保持され
る。この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層
の磁化は「Ａ向き」宣となり、「Ａ向き」宣のビットが
形成される。

高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
，に上昇すると、Ｔ，は第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。これが状態２
Ｈである。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴＨとなると
、Ｔ８は第２層のＴｃ２にほぼ等しいので、第２層の磁
化も消失する（状態３Ｈ）。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣ２より少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↓Ｈｂによって８（↓１）の磁化が
生じる。しかし、温度はまだＴｅｌより高いので第１層
には磁化は現れない。これが状態４Ｈである。

？に、媒体温度が低下してＴＣＩより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同
士（↓）　、ＴＭスピン同士（”．’　）を揃える力が
働く。この場合、媒体温度はまだＴ　ｅ　ａ■．１以上
にあるので、ＴＭスピンの方がＲＥスピンより大きくな
る（φ１′）。その結果、第２層には宣の磁化が出現す
る（状態５Ｈ）。

？の状態５Ｈの温度から、媒体温度が更に低下してＴ　
Ｃ　６■．１以下になると、第１層のＴＭスピンとＲＥ
スピンの強度の大小関係が逆転する（Φ′：一↓！）。

そのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」 ８の磁化になる （状態６Ｈ）。

そして、やがて媒体の温度は状態６Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は、安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了する。

以上のクラス１〜３の説明では、低温サイクルは、第１
層の保磁力がほぼ消失する工程が含む。

しかし、低温サイクルの目的は、状態ｌのうち、磁壁が
ない状態のビットを形成することである。

従って、磁壁がない状態のビットは、そのまま放置して
おいて、磁壁がある状態のビットだけを、磁壁がない状
態のビットに変えればよい。磁壁がある状態のビットは
、準安定状態であり、ない状態のビットに比へ不安定で
ある。それは、第２層の磁化が、σ１を通じて、第ｌ層
の磁化の向きを安定な状態（全体で見ると磁壁がない状
態）に向けたいと作用するからである。そのため、第１
層の保磁力をほぼ消失させなくとも、弱めれば、よい。

弱めるだけでよければ、媒体温度をＴｃｔ付近に上げな
くともよい。

このことは、以下のクラス４〜９の説明でも同様である
。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎα４を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体ＮＯ．４は、次式２６： ＴＲ　＜ＴＣｌ４ＴＬ　＜ＴＣ２埒ＴＨの関係を有する
。この関係をグラフで示すと、次の如くなる。

Ｔ．　　　　　　　Ｔ． 室温Ｔ，で第１層の磁化が初期補助磁界｝１ｉｎｉ．に
より反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７で
ある。この媒体Ｎｏ．　４は式２７を満足する。

式２７ ２　Ｍｓ１ｔ　１２　ＭＳ２　ｔ　２ このとき、Ｈｉｎｉ．の条件式は、式３０で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２８
〜２９で示される。この媒体Ｎα４は式２８〜２９を満
足する。

σ１ ２Ｍｓ１ｊ σ． 式２９：　　ＨＣ２＞ ２Ｍ．。ｔ２ 式３０ ２Ｍｓ．ｔ２　　　　　　　　　　　　　　　２Ｍｓ１
ｔ室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２
層の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足する
Ｈｉｎｉ． により例えば「Ａ向き」會（１・）に 揃えられる。

このとき、第１層は記録状態のまま で残る（状態ｌ）。

この状態１　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まで
保持される。ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに
印加される。

？温サイクル■ 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、Ｔ，は第１層のキュリー点Ｔ。Ｉを越
えているので、第１層の磁化は消失する。この状態では
、Ｈ　Ｃ　２はまだ十分に大きいので、第２層の磁化宣
は↓Ｈｂで反転することはない。この状態が状態２Ｌで
ある。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ．Ｔ
Ｍスピン（↑１）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまり交換結合力はＲＥスピン同士（↑
）、ＴＭスピン同士（；，）を揃えるように働く。その
結果、第１層には、↑．即ち宣の磁化が↓Ｈｂに打ち勝
って出現する。この状態が状態３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層
の磁化は「Ａ向き」會となり、「Ａ向き」今のビットが
形威される。

高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。これが状態２
Ｈである。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、第２層の温度ＴＨはキュリー点ＴＣ２にほぼ等し
いので、第２層の磁化も消失する。

これが状態３Ｈである。

この状態３Ｈ においてレーザービームのスポット 領域から外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴ　Ｃ２より少し下がると、第２層の磁化
が出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓ｉ）の磁
化が出現する。しかし、温度はＴＣＩより高いので第１
層には磁化が現れない。この状態が状態４ｏである。

そして、媒体渥度が更に下がり、Ｔｃ１より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（′
：）を揃えるように働く。そのため第１層には１１つま
り史の磁化が出現する。この状態が状態５Ｍである。

そして、やがて媒体の温度は状態５。のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ。１は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体Ｎα５を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα５は次式３ｌ： ＴＲ　＜Ｔ，．．，．ｌ＜Ｔｃ＋４Ｔｔ　＜　Ｔ，ｚ丁
。

の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　ｃａｍｐ ＴＬ ＴＨ 室温ＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎ１．により
反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２である
。この媒体Ｎｏ．　５は式３２を満足する。

式３２ このとき、旧ｎｉ．の条件式は、式３５で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３３
〜３４で示される。この媒体ＮＯ．５は式３３〜３４を
満足する。

σ， ２Ｍｓ，ｔ σ， 式３４・　Ｈ　（　２＞ ２Ｍｓ２ｊ２ 式３５・ ２Ｍｓ＋ｔｚ ２Ｍｓ ｔ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５の条件を満足する旧
ｎｉ．により例えば「Ａ向きＪ宣（↓′！゛）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態
ｌ）。

この状態１　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まで
保持される。ここでは、記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向き
に印加される。

？低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ　ｃ　＋
にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。しかし、
この温度ではまだ第２層のＨＣ２は大きいので、第２層
の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない （状態２Ｌ）。

この状態２Ｌでビームの照射が終了すると、媒体温度は
降下し始める。媒体温度がＴ。１より少し下がると、第
２層のＲＥ，ＴＭスピン（　．ｉ”’　）影響が交換結
合力により第１層の各スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン
同士（↓）　、ＴＭスピン同士＜　′；’　）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、↓′：゛即ち今の磁
化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この場合、温度はＴ
ｃｏ．，ｐ．１以上なのでＴＭスピンの方が大きくなる
（状態３Ｌ）。

？体温度が更にＴ　ｅ　Ｏ■，１以下に冷えると第１層
のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関係が逆転する（ φ１′一１１ ）。

その結果、第１層の磁化は井 となる （状態４，）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、前に記録されたビットに関係なく第１層
の磁化は「逆Ａ向き」８となり、「逆Ａ向き」６のビッ
トが形威される。

？温サイクル■ 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態が状
態２■である。

さらにビームの照射が続くと、媒体の温度がＴＨとなる
と、Ｔ．はＴｅｚにほぼ等しいので、第２層の磁化も消
失する（状態３Ｈ）。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣ２より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑ｊ）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴＣＩより高いので第１層
には磁化が現れない。この状態が状態４Ｈである。

更に、媒体温度が低下してＴｃ より少し下がる と、第１層にも磁化が出現する。

この場合、第２ 層の磁化が交換結合力により第１層に及ぶ。その結果、
ＲＥスピン同士（↑）　、ＴＭスピン同士（．Ｈ．　＞
を揃える力が働く。この場合、媒体温度はまだＴｃｏｍ
ｐ．ｌ以上にあるので、ＴＭスピンの方がＲＥスピンよ
り大きくなる（↑：）。その結果、第２層には８の磁化
が出現する（状態５Ｈ）。

？の状態５Ｍの温度から、媒体温度が更に低下してＴ　
Ｃｌｆｆｉｌｌ■以下になると、第１層のＴＭスピンと
ＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（↑ｉ→↑：）
。そのため、第１層の磁化が反転し、「Ａ向き」今の磁
化になる（状態６Ｈ）。

そして、 やがて媒体の温度は状態６Ｈのときの 温度から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大
きいので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」今のビット形成が完了する。

次に第ｌ表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎｏ．　６を例に
とり、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎｏ．　５は、次式３６ Ｔ　ｐ　＜　Ｔ　ｃ　１，ＴＬ　＜　Ｔ　ｃ　２埒Ｔ　
Ｈの関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如
くなる。

ＴＲ　　　　　　　　ＴＣＩ　　　　　　Ｔｏ２Ｔ　Ｌ
　　　　　　　Ｔ　Ｈ 室ｍＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ．によ
り反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３７であ
る。

この媒体Ｎｏ６は式３７を満足する。

式３７： このとき、旧ｎｉ．の条件式は、式４０で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３８
〜３９で示される。この媒体Ｎｏ．６は式３８〜３９を
満足する。

σ， ２Ｍｓ＋ｔ σ１ 式３９：　　ＨＣ２＞ ２Ｍｓ＋ｊｚ 式４０： ２　ＭＳ２　ｔ　２　　　　　　　　　　　　　　　２
　Ｍｓ１ｔ室温で式３７〜３９の条件を満足する記録媒
体の第２層の磁化は、記録の直前までに式４０の条件を
満足する旧ｎｉ，により例えば「Ａ向き」宜（↓づ）に
揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残る
（状態１）。

この状態１　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まで
保持される。ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに
印加される。

？低温サイクル■ 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは記録再生第１層のキュリー点Ｔ
ＣＩにほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この
状態では、ＨＣ２はまだ十分に大きいので、第２層の磁
化今は↓Ｈｂで反転することはない。この状態が状態２
，である。

この状態２，においてレーサービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ，Ｔ
Ｍスピン（φ′゜゛）の影響が交換結合力により第１層
の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↓）
、ＴＭスピン同士（′：゛）を揃えるように働く。その
結果、第１層には、↓；即ち８の磁化が出現する。この
状態が状態３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層
の磁化は「逆Ａ向き」集となり、「逆Ａ向き」８のビッ
トが形成される。

高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
Ｌに上昇すると、Ｔｔは第１層のキュリー点Ｔ。１にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態が状
態２。である。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、第２層の渥度Ｔ。はＴＣ２にほほ等しいので、第
２層の磁化も消失する。これが状態３Ｈである。

この状態３Ｈにおいてレーサービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴＣ２より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑ｉ）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴ。１より高いので第１層
には磁化が現れない。この状態が状態４Ｈである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士＜　
．：．　）を揃えるように働く。そのため第１層には↑
！，つまり宣の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。こ
の状態が状態５Ｈである。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨｃ１は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、 「Ａ向き」 宣のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎ（Ｌ７を例にと
り、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎ（Ｌ７は、次式４ｌ： Ｔ　Ｒ　＜　Ｔ　ｃ　＋　郊Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃ　２　
郊Ｔ　Ｈの関係を有する。この関係をグラフで示すと、
次の如くなる。

ＴＬ ＴＨ 室温ＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ．によ
り反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４２であ
る。この媒体Ｎα７は式４２を満足する。

式４２・ σ．　　　　　　　　　　　　σ． Ｈ，１〉■−■Ｃ２＋　　　　　　　　　＋２Ｍｓ１ｔ
１　　　　２Ｍｓｚｔ２ このとき、旧ｎ１．の条件式は、式４５で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それても第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４３
〜４４で示される。この媒体Ｎｏ．　７は式４３〜４４
を満足する。

？． ２Ｍｓ．ｔ σ１ 式４４：　　ＨＣ２＞ ２Ｍ．■ｔ２ 式４５ ２　Ｍｓ２ｔ　２　　　　　　　　　　　　　　　２　
Ｍｓ＋　ｔ室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒
体の第２層の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を
満足する旧ｎｉ． により例えば「Ａ向き」宣（↓′：）に揃えられる。

このとき、第１層は記録状態のまま で残る（状態ｌ）。

この状態ｌ　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まで
保持される。ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに
印加される。

？低温サイクル■ 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点丁。１にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態では
、ＨＣ２はまだ十分に大きいので、第２層の磁化官は↓
Ｈｂで反転することはない。これが状態２，である。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥＴＭ
スピン（Φ′！）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↓）、Ｔ
Ｍスピン同士（”．’　）を揃えるように働く。その結
果、第１層には、。′゛即ち宣の磁化が↓Ｈｂに打ち勝
って出現する。この状態が状態３Ｌである。

この状態３，は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

この結果、前に記録されたビットに 関係なく第１層の磁化は「Ａ向き」會となり、「Ａ向き
」宣のビットが形威される。

高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する（状態２Ｈ）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ．にな
ると、第２層の温度Ｔ．はキュリー点ＴＣ２にほぼ等し
いので、第２層の磁化も消失する。

これが状態３Ｍである。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴＣ２より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑：）の磁化
が出現する。しかし、温度はまだＴＣＩより高いので第
１層には磁化が現れない。この状態が状態４イである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（　ｔ．
＋’．　）からの交換結合力がＲＥスピン同士（↑）、
ＴＭスピン同士（．’．．　）を揃えるように働く。そ
のため第１層には↑］つまり■の磁化が出現する。この
状態か状態５Ｈである。

？して、やがて媒体の温度は状態５■のときの温度から
室渥まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体Ｎα８を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎ（Ｌ８は、次式４６： Ｔ　Ｒ　＜　Ｔ　ｃ　＋灯．Ｔ　（，　埒Ｔ　ｃ　ａｍ
ｐ．　２　＜　Ｔ　ｅ　ｔ埒Ｔ　Ｈの関係を有する。こ
の関係をグラフで示すと、次の如くなる。

ＴＬ Ｔ　ｃｏｔ＋ｐ ２丁．４ 室温Ｔ，で第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ．によ
り反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４７であ
る。この媒体Ｎα８は室温で式４７を満足する。式４７
： このとき、ｌ｛ｉｎｉ．の条件式は、式５０で示される
。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４８
〜４９で示される。この媒体Ｎα８は式４８〜４９を満
足する。

２Ｍｓ＋ｊ ２Ｍｓ！ｔｔ 式５０： ２Ｍｓ２ｊ２ ２ＭＳ ｔ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の記録補
助第２層の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満
足する旧ｎｌ．により例えばＦＡ向き」宣（↑．）に揃
えられる。このとき、第１層は前の記録状態のままで残
る（状態１）。

この状態１　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まで
保持される。ここでは、記録磁界（Ｈｂ　）は↑の向き
に印加される。

？低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴ，に上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。しかし、この
温度ではまだ第２層のＨｃ＋は大きいので、第２層の磁
化は↑Ｈｂによって反転されることはない （状態２，）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ，Ｔ
Ｍスピン（↑１）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピ
ン同士（、ｉ、）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑ｉ即ち８の磁化が↑Ｈｂに打
ち勝って出現する。この状態が状態３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

この結果、前に記録されたビットに 関係なく第１層の磁化は「逆Ａ向き」８となり、「逆Ａ
向き」８のビットが第１層に形成される。

高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する（状態２ｌ＋）
。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴ　ｃ　ｏイ，
２より少し高くなると、ＲＥスピン（↑）及びＴＭスピ
ン＜　．１．　）の向きは変わらずに、強度の大小関係
が逆転する（↑；　一　↑；）。その結果、第２層の磁
化は反転して「逆Ａ向き」８となる。この状態が状態３
Ｈである。

しかし、この温度ではＨＣ２がまだ大きいので、第２層
の磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、そのため媒体温度が更に上昇
してＴＨになったとする。すると、Ｔ．はＴｅ２にほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失する（状態４８）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣ２より少し下がると、第２層に磁化が生
じる。この場合、↑Ｈｂにより０（↓コ゛）の磁化が出
現する。しかし、温度はまだＴ。，より高いので、第１
層には磁化が現れない。この状態が状態５Ｈである。

さらに媒体温度が低下してＴ，。。ｐ２より少し下がる
と、ＲＥスピン（↓）及びＴＭスピン（’：’　）の向
きは変わらずに、強度の大小関係が逆転する（↓て　→
　↓・　）。その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ
向き」８となる。この状態では、Ｈｃ２は既に相当大き
くなっているので第２層の磁化８は↑Ｈｂにより反転さ
れることはない。そして、温度はまだＴ　Ｃ　ｌより高
いので第１層の磁化はまだ現れない。この状態が状態６
Ｈである。

更に、媒体温度が低下してＴｃ より少し下がる と、第１層にも磁化が出現する。

この場合、第２ 層の磁化（↓；）が交換結合力により第１層に及ぶ。

その結果、ＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（′
；゛）を揃える力が働く。その結果、第１層には。′Ｉ
′（甘）の磁化が出現する（状態７８）。

そして、やがて媒体の温度は状態７Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ。１は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」今のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎα９を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎｌｌ９は、次式５ｌ： Ｔ　ｅ　＜　Ｔｃ＋ｚＴ　Ｌ　＜　Ｔ　ｅ２４ＴＨの関
係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如くなる
。

Ｔ　Ｒ　　　　　　　　　　Ｔ　ｃ　１Ｔ　Ｃ　２Ｔ　
Ｌ　　　　　　Ｔ　Ｈ 室温Ｔ，で第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ．によ
り反転せずに第２層のみが反転する条件は、式５２であ
る。

この媒体Ｎα９は式５２を満足する。

式５２， このとき、旧ｎｉ．の条件式は、式５５で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式５３
〜５４で示される。この媒体Ｎｏ．９は式５３〜５４を
満足する。

２Ｍｓ＋ｊ＋ ２Ｍｓｚｊｚ 式５５： 室温で式５２〜５４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５５の条件を満足する旧
ｎｉ．により例えば「Ａ向きＪ’ｌ（↑：）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ
）。

この状態ｌ　（太線は磁壁を意味する）は記録直前まて
保持される。ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに
印加される。

？低温サイクル 低レヘルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、Ｔ，は第１層のキュリー点ＴＣＩにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態では
、Ｈ，２はまだ十分に大きいので、第２層の磁化官は↓
Ｈｂで反転することはない。この状態が状態２，である
。

この状態２，においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ，Ｔ
Ｍスピン（↑１）の影響が交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↑）　、
ＴＭスピン同士＜　．’．．　）を揃えるように働く。

その結果、第１層には、↑１即ち８の磁化が出現する。

この状態が状態３，である。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層
の磁化は「逆Ａ向き」８となり、「逆Ａ向き」８のビッ
トが第１層に形成される。

高温サイクル 高レヘルのビームを照射する。この結果、媒体温度がＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第菖層のキュリー点Ｔｃｌにほ
ほ等しいので、第Ｉ層の磁化は消失する（状態２Ｈ）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ８にな
ると、媒体特に第２層の温度Ｔ｝ｌはＴＣ２にほぼ等し
いので、第２層の磁化も消失する。これが状態３Ｈであ
る。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴ。２より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓．）の磁化
が出現する。しかし、この温度はまだＴ。

より高いので第１層には磁化は現れない。この状態が状
態４Ｈである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（↓Ｉ〉
からの交換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン
同士（　’；’　）を揃えるように働く。そのため第１
層にはφ′Ｉ゛っまり今の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出
現する。この状態が状態５Ｈである。

そして、 やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの 温度から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大
きいので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」宣のビット形成が完了する。

ここで第１表に示したクラスｌの記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプｌ）に属する媒体Ｎ（Ｌ　ｌ　−２を例
にとり、オーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎ（Ｌ　ｌ　−　２は、次式ｌｌ：ＴＲ　＜Ｔ
Ｃ６＋ｎｐ．ｌ＜ＴＬ　＜ＴＨ≦Ｔ　Ｃ　ｌ≦Ｔａｇ及
び式１１の２　：　Ｔｃｏｍｐ．　２　　＜　Ｔｃ＋の
関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説明
は、ＴＨ　＜Ｔｃ＋＜Ｔｅ２の関係を有するものについ
て説明する。Ｔｃａｆｆｉｐ２は、ＴＬよりも高くとも
、等しくとも、低くともよいが、説明を簡単にする目的
から、以下の説明では、 ＴＬ　＜Ｔゎ。．．ｐ２とする。以上の関係をグラフで
示すと、次の如くなる。なお、細線は第１層のグラフを
示し、太線は第２層のグラフを示す。

保磁力 ＴＲ　　Ｔ，　　　ＴＬ　ＴＴＨ　ＴｃＩＴｃａＴ　ｃ
ａｆｆｉｐ．　ｌ　　　Ｔｃｏｍｐ．　２室温Ｔ，で第
１層（記録層）の磁界が初期補助磁界旧ｎｉ．により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式ｌ２である。

この媒体Ｎ［Ｌｌ−２は式１２を満足する。

式１２： ２Ｍｓ＋　ｔ　Ｉ２ＭＳ２　ｔ　２ 但し、ＨＣＩ　：第１層の保磁力 Ｈ，２：第２層の保磁力 Ｍ５１：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏ
ｎ）Ｍ５２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ，：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σ，：界面磁壁エネルギー （ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）
このとき、Ｈｉｎｉ．の条件式は、式ｌ５で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第
１層、第２層の磁化が反転せずに保持される条件は、式
ｌ３〜１４で示される。この媒体Ｎｏ．１−２は式ｌ３
〜ｌ４を満足する。

２Ｍｓ＋ｔ＋ 式ｌ４ ト｛Ｃ２＞ ２Ｍｓ２ｔｚ 室温で式ｌ２〜ｌ４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに次式１５：を満足するｔｌ
ｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」宣（↑ｌ）に揃えられ
る。このとき、第１層は前の記録状態のままで残る（状
態１ａ又はｌｂ）。

？「逆Ａ向き」ビット〕　　　〔「Ａ向き」ビット〕＊
　■　は磁壁を示す（以下、同様）。

この状態１ａ，ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする
。

なお、記録磁界Ｈｂは、一般の磁界かそうであるように
、レーザービームの照射領域（スポット領域）と同一の
範囲に絞ることは難しい。媒体かディスク状の場合、一
旦記録された情報（ビット）は、１回転した場合、途中
でＩ｛ｉｎｉ．の影響を受け、再び状態１ａ、１ｂとな
る。そして、次に、そのビットは、レーザービームの照
射領域（スポット領域）に近いところを通過する。この
とき、状態ｌａ，ｌｂのビットは、記録磁界Ｈｂ印加手
段に近つくのでその影響を受ける。この場合、Ｈｂと反
対向きの磁化を有する状態１ａのビットの第１層の磁化
の向きがＨｂによって反転させられたとすると、１回転
前に記録されたばかりの情報が消失することになる。そ
うなってはならない条件は、σ１ で示され、ディスク状媒体は、室温でこの条件式を満足
させる必要がある。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの
条件は、式Ｉ５の２で示される。

さて、状態１ａ、１ｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーサービームの強度
は、基本発明と同様に、低レベルと高レベルの２種かあ
る。

低温サイクル 低レベルのレーサービームが照射されて、媒体温度がＴ
，。。２．以上に上昇する。そうすると、Ｐタイプから
Ａタイプに移行する。そして、第１層のＲＥ，ＴＭ各ス
ピンの方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転する
。その結果、第１層の磁化が反転する（状態１ａ→状態
２Ｌ＋、状態１ｂ→状態２　ｔｂ）。

レーサービームの照射が続いて、媒体温度は、やかてＴ
Ｌになる。すると、 σＷ Ｈｃ＋　＋　Ｈｂ　＜ ２Ｍ，１ｔ の関係となり、Ｈｂ↑が存在しても、状態２Ｌ＋は状態
３Ｌに遷移する。他方、状態２Ｌｂは、Ｈｂ↑が存在し
ても、そのままの状態を保つため、同じ状態３，になる
。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴｃｏ＋ｎｐ．１
以下に冷えると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そ
して、第１層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関係が
逆転する（　↑；→↑：　）。

その結果、第１層の磁化は、「Ａ向き」甘となる（状態
４Ｌ）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

その結果、第１層に「Ａ向き」宣のビットが形成される
。

高温サイクル 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、Ｔ　ｅ　ａ。２ｌを経て低温ＴＬに上昇する。

その結果、状態３Ｌと同じ状態２Ｈになる。

高レベルのレーサービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度が第２層のＴｅｏｆｆｉｐ．２を
越えると、ＡタイプがＰタイプに移行する。そして、第
２層のＲＥ，ＴＭ各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転する（↑三一↑ｉ）。そのため、第２
層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」ａの磁化になる（状態
３。）。

しかし、この温度ではＨ（２がまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、ＴＨになると、第１層、第２層は、その
温度がキュリー点に近いので保磁力が小さくなる。その
結果、媒体は、下記（１）〜（３）のいずれか１つの関
係式： ２　Ｍｓ＋　ｔ　＋　　　　　２　ＭＳ２　ｔ　２Ｍｓ ｔ ？Ｍｓ■ｔ２ （２） かつ Ｈｂ ＞ＨＣ２− σＷ ２Ｍｓ．ｔ σＷ ２Ｍｓ２Ｌ ２Ｍｓ １＋ ２Ｍｓ２ｔ２ を満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに従う。この状態が状態４Ｈである。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴｃａｍｐ．２
以下になると、ＰタイプからＡタイプに移行する。そし
て、ＲＥ１ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転する（φ′：′→↓．：．）。その結
果、第２層の磁化は反転し、宣から「逆Ａ向き」ａにな
る（状態５。）。

？体の温度がこの状態７Ｈのときの温度から更に低下し
て、Ｔ　ｃ　ｏ■ｐ１以下になると、Ａタイプから元の
Ｐタイプに戻る。そして、第１層のＲＥスピンとＴＭス
ピンの強度の大小関係の逆転が起こる（　φ１゛→↓．
！．）。その結果、第１層の磁化は反転し、「逆Ａ向き
」８となる（状態６Ｈ）。

そして、 やがて媒体の温度は状態６Ｈのときの 温度から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大
きい（式ｌ５の３参照）ので第１層の磁化８は、↑Ｈｂ
によって反転されることなく、状態６Ｈが保持される。

σ１ 式１５の３　・Ｈｂ　＜　Ｈｃ＋　＋ ２ＭＳ．ｔ こうして、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ４）に属する媒体ＮＯ．４−２を例にとり
、オーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎｏ．４−２は、次式２６； ＴＲ　＜Ｔｔ　＜ＴＨ≦Ｔｏ１≦Ｔ　ｅ　２の関係を有
する。説明を簡単にする目的から、以下の説明では、Ｔ
＋＋＜Ｔ。ｌ　＜　Ｔ　ｃ２とする。この関係をグラフ
で示すと、次の如くなる。

保磁力 丁 ＴＲ ＴＬ ＴＨ Ｔｏ ＴＣ２ 室温ＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ．により
反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７である
。この媒体ＮＩｌ４　　２は式２７を満足する。

式２７： σ１　　　　　　　　　　　σ１ Ｈ　ｃ　１　＞　Ｈ　（　２　＋　　　　　　　　　＋
２Ｍｓ＋　ｔ　＋　　　　２ＭＳ２　ｔ　１このとき、
Ｈｉｎｉ．の条件式は、式３０で示される。

ｆ｛ｉｎｉ．が無くなると、第ｌ層、第２層の磁化は界
面磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも
第１層、第２層の磁化が反転せずに保持される条件は、
式２８〜２９て示される。この媒体Ｎα４２は式２８〜
２９を満足する。

σ． ２Ｍｓ，ｔ σＷ 式２９：　　ＨＣ２＞ ２Ｍｓ２ｔ２ 室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３０：σ１　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　σ１２Ｍｓ
２ｔ２　　　　　　　　　　　　　　２Ｍｓ＋ｔの条件
を満足するＨｉｎｊ．により例えば「Ａ向き」廿（↑．
）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで
残る（状態１ａ又はｌｂ）。

この状態１ａ，ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「逆Ａ向き」↓に印加するとす
る。

なお、媒体がディスク状の場合、記録されたビット（特
に第１層がＨｂと反対向きの状態１ｂのビット）がＨｂ
印加手段に近づいたときＨｂによって反転してはならな
い条件は、次式３０の２＝Ｈｂ　＜　Ｈｃ＋　十 ２ＭｓＩｔ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層がＨｂ印加
手段に近づいたときＨｂによって反転してしまわない条
件は、次式３０の３．２Ｍｓｚｊ２ で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１つが
式３０の２及び式３０の３である。

さて、状態１ａ，ｌｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、基本発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

？低温サイクル 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
Ｌに上昇する。そうすると、 Ｈｃ＋＋Ｈｂ＜ ２Ｍｓ＋ｔ の関係が或立する状態となり、状態１ａが状態２Ｌに遷
移する。他方、状態１ｂはそのままの状態を保つため同
し状態２Ｌになる。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

この状態２Ｌは、媒体温度が室温まで下がっても、室温
でのＨＣＩが十分に大きい（式３０の４参照）ので維持
される。

σＶ 式３０の４　：　　Ｈｂ　＜｝ＩＣＩ　＋２Ｍｓ＋ｔ その結果、第１層に「Ａ向き」今のビットが形成される
。

高温サイクル 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、低温Ｔ，に上昇する。その結果、状態低温サイクルの
状態２Ｌと同じ状態２Ｈとなる。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ．にな
ると、ＴＨは第１層、第２層のキュリー点に近くなるの
で保磁力が小さくなる。その結果、媒体は、下記（１）
〜（３）のいずれか１つの関係式：２　ＭｓＩＬ　＋　
　　　２　ＭＳ２　ｔ　２Ｍ， １１ ＋ＭＳ４　ｔ　２ ２Ｍｓ ｔ ２Ｍｓ２ｊ２ ２ＭＳ ｔ ２Ｍｓ２ｔ２ を満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに従う。この状態が状態３．である。

この状態３。においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

やがて媒体温度は室温まで低下する。しかし、状態３。

はそのままである。

こうして、第１層に「逆Ａ向き」ａのビットが形威され
る。

次に第ｌ表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する媒体Ｎｏ５−２を例にとり、
オーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎｏ．５−２は次式３ｌ・ ＴＲ　＜Ｔ（６ｍ。，＜ＴＬ＜Ｔ｝ｌ≦Ｔｃ１≦Ｔｅ２
の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明ては、Ｔ　Ｈ　＜　Ｔ　ｃ　＋　＜　Ｔ　ｅ　ｌとす
る。この関係をグラフで示すと、次の如くなる。

保磁力 ＴＲ ？　ｆｌ　６■， Ｔ， ＴＨ ＴＣＩ ＴＣｌ 室温Ｔ８で第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ．によ
り反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２であ
る。この媒体Ｎα５−２は式３２を満足する。

式３２： このとき、Ｈｉｎｉ．の条件式は、式３５で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第
１層、第２層の磁化が反転せずに保持される条件は、式
３３〜３４で示される。この媒体Ｎｏ．　５２は式３３
〜３４を満足する。

σ１ 式３３：　　Ｈｃ＋＞ ２Ｍｓｔｔ σ， 式３４：　　ＨＣ２＞ ２Ｍｓ２ｔ２ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５：σ．　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　σ．２
Ｍｓ２ｔ２　　　　　　　　　　　　　　２Ｍｓ．ｔの
条件を満足するＨｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」宣（
Φ′：）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態の
ままで残る（状態１ａ又はＩｂ）。

この状態１ａ、１ｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは、「逆Ａ向き」↓に印加すると
する。

なお、媒体がディスク状の場合、前に記録されたビット
（特に第１層がＨｂと反対向きの状態ｌａのビット）が
Ｈｂ印加手段に近づいたときＨｂによって反転してはな
らない条件は、次式３５の２＝ σＷ Ｈｂ　＜Ｈｃ ２Ｍｓ．ｔ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要かある。また、初期化された第２層が、Ｈｂ印
加手段に近づいたときＨｂによって反転されてしまわな
い条件は、次式３５の３：σＷ Ｈｂ　＜ＨＣ２− ２Ｍｓ＋ｔ２ で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１つが
式３５の２及び式３５の３である。

さて、状態１ａＳ　ｌｂのビットは、いよいよレーザー
ビームのスポット領域に到達する。レーザービームの強
度は、基本発明と同様に、低レベルと高レベルの２種が
ある。

低温サイクル 低レベルのレーザービームか照射されて、媒体温度はＴ
６。．，１以上に上昇する。すると、ＡタイプからＰタ
イプに変化する。そして、第１層のＲＥ，ＴＭ各スピン
の方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転する。そ
のため、第１層の磁化が反転する（状態１ａ→状態２Ｌ
ｉ、　状態１ｂ→状態２Ｌｂ）。

この状態から、更に媒体温度が上がりＴＬになると、下
記条件式が満足される。

σＷ Ｈｃ＋　＋　Ｈｂ　＜ ２ＭｓＩｔ そうすると、状態２Ｌａが状態３，に遷移する。他方、
状態２Ｌｂはそのままの状態を保つため同し状態３Ｌに
なる。

？の状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度が更にＴ　ｃ　ｏ
■１以下に冷えるとＰタイプから元のＡタイプにもどる
。そして、第１層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関
係が逆転する（↓づ゛→↓・）。

その結果、第１層の磁化は、逆転し、「逆Ａ向き」８と
なる。これか状態４Ｌである。

やかて、媒体温度は室温まで低下するが、状態４Ｌが維
持される。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」６のビットが形成され
る。

？高温サイクル 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、Ｔ　ｃ　ｏ■，，を経て低温ＴＩに上昇する。

その結果、状態３Ｌと同じ状態２Ｈとなる。

ビームの照射が続き、やがて媒体温度はＴＨに上昇する
。Ｔ８は、第１層、第２層のキュリ一点に近いので、両
層の保磁力は小さくなる。その結果、媒体は、下記（１
）〜（３）のいずれか１つの関係式二２　Ｍｓ＋　ｔ　
＋　　　　　２　ＭＳ２　ｔ　２Ｍｓ＋ｔ＋ ＋Ｍｓ２ｔ２ ２ＭＳ ｔ σＷ ２Ｍｓ２ｔ２ ２Ｍｓ１ｔ σＷ かつ　　Ｈｂ＞Ｈｃ２＋ ２Ｍｓｚｔｚ を満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに従う。これが状態３Ｈである。

？の状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度が低下してＴ　ｃ　ｏ■，以下になると、Ｐタ
イプから元のＡタイプに戻る。そして、第１層のＴＭス
ピンとＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（↑；→
↑：）。そのため、第１層の磁化が反転し、 「Ａ向き」 宣の磁化になる （状態４１，）。

そして、やかで媒体の温度は状態４ｌｌのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きく、
次式３５の４． σ． Ｈｂ＜Ｈ。１＋ ２Ｍｓ１ｊ が満足されるので、第１層の磁化は状態４８のまま安定
に維持される。

こうして、第１層に「Ａ向き」のビットが形成される。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する媒体Ｎｏ．７−２を例にとり
、オーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα７−２は、次式４ｌ Ｔ　Ｒ　＜　Ｔ　ｔ　＜　Ｔ　Ｈ≦ＴｃＩ≦Ｔｃ２の関
係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説明で
は＜　Ｔ　Ｈ　＜　Ｔ　ｃ　ｔ　＜　Ｔ　Ｃ　２とする
。この関係をグラフで示すと、次の如くなる。

保磁力 Ｔ ＴＲ ＴＬ ＴＨ Ｔｃ ＴＣ２ 室温ＴＲで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ．により
反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４２てある
。この媒体Ｎα７−２は式４２を満足する。

式４２ σ．　　　　　　　　　　　σい Ｈｃ＋　＞　Ｈｃｒ　＋　　　　　　　　　＋２　Ｍｓ
１ｔ　１２　ＭＳ２　ｔ　２ このとき、旧ｎｊ．の条件式は、式４５で示される。

Ｈｉｎｉ．か無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルキーにより互いに影響を受ける。それでも第
ｌ層、第２層の各磁化が反転せずに保持される条件は、
式４３〜４４で示される。この媒体Ｎα７−２は式４３
〜４４を満足する。

２Ｍｓ＋ｔ σ１ 式４４：　　ＨＣＩ＞ ２Ｍｓｚｔ２ 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５：σ８　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　σＷ２Ｍｓ２ｔ
＋　　　　　　　　　　　　　　２Ｍｓｔｔの条件を満
足するＨｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」９　（．ｆｆ
ｉ’）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のま
まで残る（状態１ａ又はｌｂ）。

この状態１ａ，ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは、「逆Ａ向き」↓に印加すると
する。

なお、媒体がディスク状の場合、記録されたビット（特
に第１層がＨｂと反対向きの磁化を有する状態１ｂのビ
ット）が、Ｈｂ印加手段に近づいたとき、Ｈｂによって
反転してはならない条件は、次式４５の２： ＨｂくＨｃｌ＋ ２Ｍｓ＋ｊ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層が、Ｈｂ印
加手段に近づいたときＨｂによって反転されてしまわな
い条件は、次式４５の３：σＷ Ｈｂ＜Ｈｃ２ ２Ｍｓ２ｔ２ で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの条件は
、式４５の２及び式４５の３で示される。

さて、状態１ａ，ｌｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、基本発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

低温サイクル 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度がＴ
，に上昇する。そうすると、下記条件：σＷ Ｈｃ＋＋Ｈｂ　　＜ ２Ｍ．ｌｔ が満足され、状態１ａが状態２Ｌに遷移する。他方、状
態１ｂはそのままの状態を保つため、同じこの状態２Ｌ
においてレーザービームのスポット領域から外れると、
媒体温度は低下を始める。

室温では、ＨＣＩは十分に大きい（式４５の２参照）の
で、状態２，は室温でも維持される。

その結果、第１層に「Ａ向き」宣のビットが形成される
。

高温サイクル 高レベルのレーザービームが照射されて媒体温度は、低
温ＴＬに上昇する。その結果、状態２Ｌと同じ状態２Ｈ
になる。

ビームの照射が続いて、媒体温度は更に上昇しＴＨにな
る。すると、ＴＨは第１層、第２層のキュリー点に近く
なるので、その結果、媒体は、下記（１） 〜（３）のいずれか１つの関係式： ２Ｍ． ｔ ２Ｍｓ２ｔ２ ＭＳ ｔ Ｈｃ ＋ＭＳ２ｔ２ ＨＣ２ かつ Ｈｂ 〉 Ｍｓ ｔ ＋ＭＳ２ｔ２ （２） σＷ Ｈｂ ＞　Ｈ　ｃ ＋ ２Ｍ５ ｔ σＷ かつ Ｈｂ ＞　Ｈ　Ｃ　２ ２Ｍｓ２ｔ２ （３） σＷ Ｈｂ ＞　Ｈ　ｃ ２Ｍｓ＋ｔ σＷ かつ Ｈｂ ＞　Ｈ　Ｃ　２　＋ ２Ｍｓ２ｔｚ を満足する。

そのため、両層の磁化は、 ほぼ同時 に反転し、 ↓Ｈｂの向きに従う。

これが状態３Ｈで ある。

状態３ｌ．においてレーサービームのスポット領域から
外れると、媒体温度は低下し始める。

やがて媒体温度は室温に戻る。しかし、状態４Ｈは変ら
ない。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形威され
る。

？に第ｌ表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する媒体Ｎｏ．８−２を例にとり
、オーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎｏ．９　　２は、次式４６：ＴＲ　＜ＴＬ　
＜ＴＨ≦Ｔ　ｅ　ｌ≦Ｔｃ２の関係を有する。説明を簡
単にする目的から、以下の説明ては、Ｔ　Ｈ　＜　Ｔ　
ｃ　＋　＜　Ｔ　ｃ　２とする。また、Ｔ　Ｃ　０１１
１．．　２は、Ｔ＋　、Ｔｃ＋より低くても等しくても
高くても良いが、説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、ＴＬ　＜Ｔｃ＋＜Ｔ＋ｏ■，２とする。この関
係をグラフで示すと、次の如くなる。

保磁力 室ａ　Ｔ　Ｒで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ．
により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４７
である。この媒体Ｎ（１８−２は室温で式４７を満足す
る。式４７・ このとき、旧ｎｌ．の条件式は、式５０で示される。

Ｈｉｎｉ．が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第
１層、第２層の各磁化が反転せずに保持される条件は、
式４８〜４９て示される。

この媒体 Ｎα８−２は式４８〜４９を満足する。

２Ｍｓ．ｔ σＷ 式４９・　ＨｃＩ＞ ２Ｍｓ２ｔ２ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５０；２　ＭＳ２　ｔ　
２２　Ｍｓ＋　ｔ の条件を満足するＨｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」０
（↑：）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態の
ままで残る（状態１ａ又はｌｂ）。

この状態１ａ， １ｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする
。

なお、媒体がディスク状の場合、１回転前に記録された
ばかりのビット（特に第１層がＨｂと反対向きの磁化を
有する状態１ｂのビット）がＨｂによって反転してはな
らない条件は、次式５０の２：σ． Ｈ　ｂ　＜　Ｈ　ｃ　＋　＋ ２Ｍｓ１ｔ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。逆に言えば、Ｈｂの大きさを決定する
１つの条件は、式５０の２で示される。

さて、状態１ａ，ｌｂのビットは、いよいよレーサービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、基本発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

低温サイクル 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体渥度はＴ
Ｌに上昇する。そうすると、下記条件式：σＷ Ｈｃ１＋Ｈｂ〈 ２Ｍ．＋ｔ が満足され、状態１ａが状態２，に遷移する。他方、状
態１ｂはそのままの状態を保つため、同じ状態２Ｌにな
る。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

状態２Ｌは、媒体温度が室温まで下がってもＨｃが十分
に大きい（式５０の２参照）ので、維持される。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」檗のビットが形或され
る。

高温サイクル 高レベルのレーザービームが照射されて媒体温度は、先
ず低渥ＴＬに上昇する。その結果、低温サイクルの状態
２Ｌと同じ状態２イとなる。

？レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度がＴｅ．■，２を超えると、Ａタ
イプからＰタイプに移行する。そして第２層のＲＥスピ
ン（↑）及びＴＭスピン（　．．．　）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係が逆転する（↑三　→　↑ｉ．）
。その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」８と
なる。この状態が状態３Ｈである。

しかし、この温度ではＨ。２がまだ大きいので、第２層
の磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、やがて媒体温度は更に上昇し
てＴ。になる。すると、媒体温度は第１層、第２層のキ
ュリ一点近くになるので、両層の保磁力は小さくなる。

その結果、媒体は、下記（１）〜（３）のいずれか１つ
の関係式： ２　Ｍｓ＋　ｊ　＋　　　　２　ＭＳ２　ｊ　２Ｍｓ＋
ｔ ＋Ｍｓｘｔ２ （２）　　　　　　　　　　　　　　　　　σ８２ＭＳ
．ｔ σＷ かつ　　Ｈｂ　＞ＨＣＩ ２Ｍｓｚｔ２ ２Ｍｓ．ｔ σＵ かつ　　Ｈｂ＞ＨＣ２＋ ２Ｍｓ２ｔ２ を満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時に反転
し、↑Ｈｂの向きに従う。これか状態４Ｈである。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ．。．２２より下がると、Ｐタイプから元
のＡタイプに戻る。そして、第２層のＲＥスピ？（↓）
及びＴＭスピン（｛゛）の向きは変わらずに、強度の大
小関係が逆転する（↓′：　一↓！　）。

その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」集とな
る。この状態では、ＨＣ２は既に相当大きくなっている
ので第２層の磁化８は↑Ｈｂにより反転されることはな
い。この状態が状態５■である。

やがて媒体の温度は状態５．のときの温度から室温まで
低下する。しかし、状態５８は変わらない。

こうして、第１層に 「Ａ向き」 宜のビットが形 威される。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するか、本発
明はこれに限定されるものではない。

〔実施例　　　　−クラス８〕 ４元のＲＦ７ダネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２ｍｍ，直径１３０ｍｍのディスク状ガラス基
板を該装置の真空チャンバー内にセットする。

真空チャンバー内を一旦５　Ｘ　ＩＯ”Ｐａまで排気し
た後、Ａｒガス及びＮ２ガスを導入し、ＳｉａＮｔター
ゲットを用い、膜厚８００人のアンダーコート層を形成
する。

次にＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに変えて、Ａｒガス圧
を０，　２Ｐａに保持しながら、成膜速度３人／秒で、
スパッタリングを行ない、膜厚ｊ　＋　＝　４００人の
第１層を形成する。

その後、ターゲットをＮｄＤＹ合金とＦｅＣｏ合金に変
え、２元スパッタリングを同様のＡｒガス圧及び或膜速
度の下で行ない、膜厚ｔ，＝７５０人の第２層を形或す
る。

最後に、アンダーコート層と同様に膜厚８００Ａのオー
ハーコート層（Ｓｌ３Ｎｌ）を形戒する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特
性（２５°Ｃ）を下記第２表に示す。

第２表 第２層が初期化された後、第１層と第２層は、σ．によ
り、互いに影響を受け合う。しかし、オーバーライトを
可能にするには、両層の磁化の向きは、そのまま維持さ
れなければならない。つまり、第ｌ層は、情報を維持し
ており、第２層は、磁化の向きが一方の向きに揃えられ
ている。この条件式は、式４８、式４９で表される。こ
れらの式から、第１層、第２層の膜厚の最小値が求めら
れる。

そこで、各層の最小膜厚を求めると、次のようになる。

２　Ｍ　ｓ　１Ｈ　ｃ 〔評価１〕 参考例のオーバーライト可能な光磁気記録装置を用いて
、実施例の媒体を評価した。このとき、ディスク（媒体
）の回転数を３６０Ｏｒｐｍ　、記録位置を半径６０ｍ
ｍの位置、記録磁界Ｈｂを３００　０ｅ　、初期補助磁
界Ｈｉｎｉ．を３５０００ｅ　、レーザービームの低レ
ベルＰ，を５ｍＷ（ｏｎ　ｄｉｓｋ）　、高レベルＰ．
を９．５　ｍＷ（ｏｎ　ｄｉｓｋ）とした。

そして、記録情報を３．７ＭＨｚの基準信号と７，４Ｍ
｝ｌｚの基準信号の２つを用い、交互にオーバーライト
を繰り返した後、市販の光磁気記録の再生装置を用いて
再生した。その結果、前の情報の消し残りはなく、完全
にオーバーライトが可能であることが判明した。

？比較例・・一〜−−−−−−−−゛クラス８〕実施例
と同様にして最初に膜厚ｔ＋＝８００人のＴｂｚｔＰｅ
７■Ｃｏ＋垂直磁化膜からなる第１層を形成し、続いて
膜厚ｔ２＝１４００人のＤｙ２７Ｆｅｉ＋ＣＯ２２垂直
磁化膜からなる第２層を形成する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特
性（２５°Ｃ）を下記第３表に示す。

第３表 実施例と同様に、各層の最小膜厚を求めると、次のよう
になる。

σ１ ２Ｍｓ．Ｈｃ， σ． 従って、両層の最小膜厚の合計は、６６６＋１１１１＝
１７７７人となる。それに対して、実施例では、合計は
、３３３＋５８０　＝９１３人である。つまり、実施例
の最小膜厚の合計は、比較例に比べて、約半分である。

実際の媒体比較でも、実施例の合計膜厚は、４００＋７
５０　＝１１５０人で、比較例の８００＋　１４００２
２００人に比べて、約半分である。

〔評価２〕 実施例の媒体を評価した〔評価１〕と同様に比較例の媒
体を評価した。

その結果、再生時に前の情報が再生されたので、消し残
りがあることが判明した。そこで、レーザービームのレ
ヘルを少しずつ上げて、オーバーライト／再生を繰り返
した。その結果、低レヘルＰＬをｌｏｍＷ（ｏｎ　ｄｉ
ｓｋ）　、高レベルＰ｝ｌを１８　ｍＷ（ｏｎｄｉｓｋ
＞とした時に、初めて、消し残りがなくなった。

このことは、比較例の媒体は、実施例に比べて記録感度
か低いと言える。

〔参考例　　　トバーライト可能な光磁気記録装置〕こ
の装置は記録専用であり、その全体構成を第４図（概念
図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｂ）初期補助磁界Ｈｉｎｉ．印加手段２２：（ｃ）レ
ーサービーム光源２３； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れか一方のビットを形威させるのに適当な媒体
温度ＴＨを与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度ＴＬを与える低レベルとに
パルス状に変調する手段２４， （ｅ）記録磁界Ｈｂ印加手段２５： からなる。

Ｈｉｎｉ、印加手段２２として、ここでは、強度が３５
０００ｅで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用
した。

また、Ｈｂ印加手段２５として、ここでは、強度が３０
００ｅで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用す
る。

永久磁石２２と２５は、ディスク状記録媒体２０の半径
方向の長さに相当する長さを有する棒状のものである。

この磁石２２と２５は、本記録装置に固定して設置し、
光＃．２３を含むピックアップと共に移動させることは
しないことにする。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明に従い、第１層又は第２層の少な
くとも一方に重希土類一軽希土類一遷移金属合金組成か
らなる非品質膜を用いることにより、σＷが小さくなり
、そのため、第１層、第２層の合計膜厚が薄くて済むこ
とから、記録感度が高まり、記録速度が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にかかるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、基本発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。 Ｌ・ Ｌｐ Ｂ　　−一−・ Ｂ０ １ ２ Ｓ ２０・・ ２１ ２２ ２３ ２４ 〔主要部分の符号の説明〕 レーサービーム 直線偏光 「Ａ向き」磁化を有するビット 「逆Ａ向き」磁化を有するビット 記録層（第１層） 記録補助層（第２層） 基板 オーバーライト可能な光磁気記録媒体 記録媒体を回転させる回転手段 初期補助磁界旧ｎｉ．印加手段 レーザービーム光源 記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（１）ｒ
Ａ向き」磁化を有するビッ２５ ト又は「逆Ａ向き」磁化を有するビットの何れか一方を
形成するのに適当な温度を媒体に与える高レベルと、（
２）他方のビットを形戊するのに適当な塩度を媒体に与
える低レベルとの間でパルス状に変調する手段 記録磁界Ｈｂ印加手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　少なくとも第１層（記録層）と第２層（補助層）が
   積層されてなり、第１層の磁化の向きを反転させること
   なく第２層の磁化の向きが、記録の直前までに、外部磁
   界又は外部交換結合力により、上向き又は下向きの何れ
   か一方に揃えられ、記録磁界は変調させずに光ビームを
   情報に応じて変調することにより、オーバーライトが可
   能な光磁気記録媒体において、 前記第１層又は第２層の一方を重希土類−軽希土類−遷
   移金属合金非晶質膜で構成し、他方を重希土類−軽希土
   類−遷移金属合金非晶質膜又は重希土類−遷移金属合金
   非晶質膜で構成したことを特徴とするσ＿ｗの小さな記
   録媒体。 ２　前記軽希土類元素が、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｐ
   ｍ、Ｃｅ又はＬａであることを特徴とする請求項第１項
   記載の記録媒体。 ３　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有し、第２層が重希土類リッチで室温
   とキュリー点との間に補償温度を有しており、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿．＿２Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿
   ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿
   ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ
   ＿ｃ＿２を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１）＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２） （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度Ｔ＿ｃ
   ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度Ｔ＿ｃ＿１：
   第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿Ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿Ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー（交換結合力）Ｈｉｎｉ．
   ：初期補助磁界 ４　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有せず、第２層が重希土類リッチで室
   温とキュリー点との間に補償温度を有し、かつ次の条件
   式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿＿ｃ＿ｏ＿ｍ
   ＿ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ
   ＜Ｔ＿＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿２を満足し、そして
   室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１）＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２） （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。 ５　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有し、第２層が重希土類リッチで室温
   とキュリー点との間に補償温度を有せず、かつ次の条件
   式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿
   ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ■Ｔ
   ＿ｃ＿２を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１）＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２） （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）σ＿ｗを満足することを特徴とする請求項第２項
   記載の光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。 ６　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有せず、第２層が重希土類リッチで室
   温とキュリー点との間に補償温度を有せず、かつ次の条
   件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ■Ｔ＿ｃ＿
   ２を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１）＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２） （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。 ７　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有し、第２層が遷移金属リッチで室温
   とキュリー点との間に補償温度を有せず、かつ次の条件
   式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿
   ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ
   ＿ｃ＿２を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ
   ＿１ｔ＿１）−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。 ８　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有せず、第２層が遷移金属リッチで室
   温とキュリー点との間に補償温度を有せず、かつ次の条
   件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ
   ＿１ｔ＿１）−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。 ９　前記第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有せず、第２層が遷移金属リッチで室
   温とキュリー点との間に補償温度を有せず、かつ次の条
   件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿
   １ｔ＿１）＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２） （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。 １０　前記第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点
   との間に補償温度を有せず、第２層が重希土類リッチで
   室温とキュリー点との間に補償温度を有し、かつ次の条
   件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿
   ｐ＿０＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿
   Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿２を満足し、そして
   室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ
   ＿１ｔ＿１）−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。 １１　前記第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点
   との間に補償温度を有せず、第２層が重希土類リッチで
   室温とキュリー点との間に補償温度を有せず、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ
   ＿１ｔ＿１）−（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）｜ （３）Ｈ＿Ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿Ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿Ｃ＿２＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿２ｔ＿２）＜
   ｜Ｈｉｎｉ｜＜Ｈ＿Ｃ＿１＋（σ＿ｗ／２Ｍ＿Ｓ＿１ｔ
   ＿１）を満足することを特徴とする請求項第１項記載の
   光磁気記録媒体。 ただし、記号は前項の通り。