JP3414414B2 - 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその記録再生方法Info
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- JP3414414B2 JP3414414B2 JP10239792A JP10239792A JP3414414B2 JP 3414414 B2 JP3414414 B2 JP 3414414B2 JP 10239792 A JP10239792 A JP 10239792A JP 10239792 A JP10239792 A JP 10239792A JP 3414414 B2 JP3414414 B2 JP 3414414B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は書き換えが可能な光磁気
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に関し、光変調オ−
バ−ライトを可能とするものである。
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に関し、光変調オ−
バ−ライトを可能とするものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換え可能な光記録
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
【０００３】光磁気記録媒体は、レ−ザ−光照射による
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
【０００４】このような再生時の制約から決まる記録密
度を越えて、読み出すための改善の試みが、例えば、特
開平１−１４３０４１号公報や特開平１−１４３０４２
号公報に開示され、記録ビットを再生時に拡大、縮小さ
せながら再生することにより再生分解能を向上する技術
が記述されている。
度を越えて、読み出すための改善の試みが、例えば、特
開平１−１４３０４１号公報や特開平１−１４３０４２
号公報に開示され、記録ビットを再生時に拡大、縮小さ
せながら再生することにより再生分解能を向上する技術
が記述されている。
【０００５】この方式は、再生光照射による温度上昇を
利用し、再生時に記録磁区を拡大あるいは縮小、消滅さ
せ、ビ−ムスポット内を部分的にいわばマスクするもの
で、再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下
の周期の信号を再生可能とするものである。
利用し、再生時に記録磁区を拡大あるいは縮小、消滅さ
せ、ビ−ムスポット内を部分的にいわばマスクするもの
で、再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下
の周期の信号を再生可能とするものである。
【０００６】一方、近年書き込み時にさらに高速アクセ
スをするためにオ−バ−ライト技術が注目されている
が、この方式として、書き込みの磁界を変調する方式の
磁界変調オ−バ−ライト方式と、レ−ザ−パワ−を変調
する方式の光変調オ−バ−ライト方式の２方式が提案さ
れている。１枚あたりの記録容量を大きくするために２
枚のディスクを張り合わせた両面タイプの光磁気ディス
クでは、磁気ヘッドと記録層との距離をディスクの厚み
以下にすることができないので、磁界変調方式では記録
時に十分な磁界を記録層に与えることが難しく、光変調
オ−バ−ライト方式が有効である。
スをするためにオ−バ−ライト技術が注目されている
が、この方式として、書き込みの磁界を変調する方式の
磁界変調オ−バ−ライト方式と、レ−ザ−パワ−を変調
する方式の光変調オ−バ−ライト方式の２方式が提案さ
れている。１枚あたりの記録容量を大きくするために２
枚のディスクを張り合わせた両面タイプの光磁気ディス
クでは、磁気ヘッドと記録層との距離をディスクの厚み
以下にすることができないので、磁界変調方式では記録
時に十分な磁界を記録層に与えることが難しく、光変調
オ−バ−ライト方式が有効である。
【０００７】ところで、特開平１−１４３０４１号公報
や特開平１−１４３０４２号公報に開示された光磁気媒
体に光変調でオ−バ−ライトしようとすると、再生レ−
ザ−パワ−と消去のレ−ザ−パワ−がほとんど近くなる
ので、そのままの構造では、オ−バ−ライトマ−ジンが
非常に小さいか、あるいは不可能である。
や特開平１−１４３０４２号公報に開示された光磁気媒
体に光変調でオ−バ−ライトしようとすると、再生レ−
ザ−パワ−と消去のレ−ザ−パワ−がほとんど近くなる
ので、そのままの構造では、オ−バ−ライトマ−ジンが
非常に小さいか、あるいは不可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は光磁気記録媒
体の記録密度の向上をはかりながら、十分なマ−ジンで
光変調オ−バ−ライトを可能とすることを目的とする。
体の記録密度の向上をはかりながら、十分なマ−ジンで
光変調オ−バ−ライトを可能とすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、透
明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結合した第
１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び第４磁性膜をこ
の順に積層し、第１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及
び第４磁性膜のキュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ
２、Ｔｃ３及びＴｃ４とするとき、室温＜Ｔｃ２＜Ｔｃ
１、室温＜Ｔｃ２＜Ｔｃ３、Ｔｃ３＜Ｔｃ４であり、第
１磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、Ｔｃ２近傍で十分小さく、
第３磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、室温〜Ｔｒｍ（但し、Ｔ
ｃ２＜Ｔｒｍ＜Ｔｃ３）の温度範囲で所要の磁場Ｈｒよ
りも十分大きく、第４磁性膜の保磁力Ｈｃ４は、室温〜
Ｔｅｍ（但し、Ｔｃ３＜Ｔｅｍ＜Ｔｃ４）の温度範囲で
所要の磁場Ｈｗよりも十分大きく、室温下、Ｈｃ４＜Ｈ
ｃ３で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのもとで、第３磁性膜は
記録状態を保ちつつ、第４磁性膜の磁化が一定の方向へ
そろい、又、外部磁場Ｈｉｎｉが除去された後も、室温
では同じ状態が保たれるように第４磁性膜に対する第３
磁性膜との交換結合による有効磁界が制御されており、
室温下、Ｈｃ１＜Ｈｃ３で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのも
とで、第３磁性膜の記録状態によらず第１磁性膜の磁化
が一定の方向へそろい、又、外部磁場Ｈｉｎｉが除去さ
れた後に室温で第３磁性膜の記録状態が、第１磁性膜に
転写されるように第１磁性膜に対する第２磁性膜を介し
ての第３磁性膜との交換結合による有効磁界が十分強い
ことを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結合した第
１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び第４磁性膜をこ
の順に積層し、第１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及
び第４磁性膜のキュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ
２、Ｔｃ３及びＴｃ４とするとき、室温＜Ｔｃ２＜Ｔｃ
１、室温＜Ｔｃ２＜Ｔｃ３、Ｔｃ３＜Ｔｃ４であり、第
１磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、Ｔｃ２近傍で十分小さく、
第３磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、室温〜Ｔｒｍ（但し、Ｔ
ｃ２＜Ｔｒｍ＜Ｔｃ３）の温度範囲で所要の磁場Ｈｒよ
りも十分大きく、第４磁性膜の保磁力Ｈｃ４は、室温〜
Ｔｅｍ（但し、Ｔｃ３＜Ｔｅｍ＜Ｔｃ４）の温度範囲で
所要の磁場Ｈｗよりも十分大きく、室温下、Ｈｃ４＜Ｈ
ｃ３で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのもとで、第３磁性膜は
記録状態を保ちつつ、第４磁性膜の磁化が一定の方向へ
そろい、又、外部磁場Ｈｉｎｉが除去された後も、室温
では同じ状態が保たれるように第４磁性膜に対する第３
磁性膜との交換結合による有効磁界が制御されており、
室温下、Ｈｃ１＜Ｈｃ３で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのも
とで、第３磁性膜の記録状態によらず第１磁性膜の磁化
が一定の方向へそろい、又、外部磁場Ｈｉｎｉが除去さ
れた後に室温で第３磁性膜の記録状態が、第１磁性膜に
転写されるように第１磁性膜に対する第２磁性膜を介し
ての第３磁性膜との交換結合による有効磁界が十分強い
ことを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
【００１０】本発明の光磁気記録媒体の記録方法を図２
を用いて説明する。まず第一に、媒体を回転させながら
記録するヘッドから離れた位置であらかじめ適当な外部
磁場Ｈｉｎｉをかけて第４磁性膜の磁化を一定の方向へ
そろえる。その後、外部磁場ＨｗをＨｉｎｉと反対の方
向にかけながら、磁性膜の温度がＴｃ３〜Ｔｅｍ（但
し、Ｔｅｍ＜Ｔｃ４）の温度範囲になるようなパワー
（ＰＬ）と、磁性膜の温度がＴｃ４以上の温度Ｔｗにな
るようなパワー（ＰＨ）でレーザービームを変調しなが
ら照射することにより、重ね書きをすることを特徴とす
る。
を用いて説明する。まず第一に、媒体を回転させながら
記録するヘッドから離れた位置であらかじめ適当な外部
磁場Ｈｉｎｉをかけて第４磁性膜の磁化を一定の方向へ
そろえる。その後、外部磁場ＨｗをＨｉｎｉと反対の方
向にかけながら、磁性膜の温度がＴｃ３〜Ｔｅｍ（但
し、Ｔｅｍ＜Ｔｃ４）の温度範囲になるようなパワー
（ＰＬ）と、磁性膜の温度がＴｃ４以上の温度Ｔｗにな
るようなパワー（ＰＨ）でレーザービームを変調しなが
ら照射することにより、重ね書きをすることを特徴とす
る。
【００１１】書き込みの時、ＰＬのパワ−が照射された
領域では冷却過程で第４磁性膜からの交換結合力によ
り、第４磁性膜から第３磁性膜へ消去状態が転写される
ので、記録層である第３磁性膜の磁化は消去方向へ向
く。ＰＨのパワ−が照射された領域では冷却過程で第４
磁性膜が書き込み方向へ向き、さらに冷却しながら第４
の磁性膜からの交換結合による有効磁界により、第４磁
性膜から第３磁性膜へ書き込み状態が転写されるので、
記録層である第３の磁性膜の磁化は書き込み方向へ向
く。ＰＬとＰＨでレ−ザ−ビ−ムを変調しながら照射す
ることにより、重ね書きが可能となる。
領域では冷却過程で第４磁性膜からの交換結合力によ
り、第４磁性膜から第３磁性膜へ消去状態が転写される
ので、記録層である第３磁性膜の磁化は消去方向へ向
く。ＰＨのパワ−が照射された領域では冷却過程で第４
磁性膜が書き込み方向へ向き、さらに冷却しながら第４
の磁性膜からの交換結合による有効磁界により、第４磁
性膜から第３磁性膜へ書き込み状態が転写されるので、
記録層である第３の磁性膜の磁化は書き込み方向へ向
く。ＰＬとＰＨでレ−ザ−ビ−ムを変調しながら照射す
ることにより、重ね書きが可能となる。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体の再生方法を図３
を用いて説明する。まず最初に、媒体を回転させながら
記録するヘッドから離れた位置であらかじめ請求項１の
適当な外部磁場Ｈｉｎｉで第１磁性膜の磁化を一定の方
向へそろえ、その後外部磁場が十分小さくなるような領
域を通過することにより、第３磁性膜の記録状態が第１
磁性膜に転写される。次に外部磁場Ｈｒを印加しなが
ら、Ｔｃ２〜Ｔｒｍ（但し、Ｔｃ２＜Ｔｒｍ＜Ｔｃ３）
で磁性層が最大温度となるようなパワ−（Ｐｒ）でレ−
ザ−ビ−ムを照射しながら再生することを特徴とする。
を用いて説明する。まず最初に、媒体を回転させながら
記録するヘッドから離れた位置であらかじめ請求項１の
適当な外部磁場Ｈｉｎｉで第１磁性膜の磁化を一定の方
向へそろえ、その後外部磁場が十分小さくなるような領
域を通過することにより、第３磁性膜の記録状態が第１
磁性膜に転写される。次に外部磁場Ｈｒを印加しなが
ら、Ｔｃ２〜Ｔｒｍ（但し、Ｔｃ２＜Ｔｒｍ＜Ｔｃ３）
で磁性層が最大温度となるようなパワ−（Ｐｒ）でレ−
ザ−ビ−ムを照射しながら再生することを特徴とする。
【００１３】これにより、第１磁性層のＴｃ２以上の温
度領域（マスク領域）の磁化の向きをＨｒの方向へそろ
える。ここで、ビームスポット内にあり、マスク領域の
隣に存在する記録磁区とＨｒの方向が一致していれば磁
区は拡大し、反対であれば縮小するがマスク領域は、時
間的に変動しないパタ−ンなので、再生信号において直
流成分となり、直流成分をカットした信号成分はマスク
領域を除去した信号となる。
度領域（マスク領域）の磁化の向きをＨｒの方向へそろ
える。ここで、ビームスポット内にあり、マスク領域の
隣に存在する記録磁区とＨｒの方向が一致していれば磁
区は拡大し、反対であれば縮小するがマスク領域は、時
間的に変動しないパタ−ンなので、再生信号において直
流成分となり、直流成分をカットした信号成分はマスク
領域を除去した信号となる。
【００１４】再生前に媒体に外部磁場Ｈｉｎｉをかける
必然性はないが、書き込みの後必ず、Ｈｉｎｉがかかる
ので、Ｈｉｎｉで第１磁性膜の磁化が一定の方向へそっ
た後外部磁場が十分小さくなるような領域を通過するこ
とにより、第３磁性膜の記録状態が第１磁性膜に転写さ
れる必要がある。
必然性はないが、書き込みの後必ず、Ｈｉｎｉがかかる
ので、Ｈｉｎｉで第１磁性膜の磁化が一定の方向へそっ
た後外部磁場が十分小さくなるような領域を通過するこ
とにより、第３磁性膜の記録状態が第１磁性膜に転写さ
れる必要がある。
【００１５】本発明の光磁気記録媒体では、上記第１磁
性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び第４磁性膜のキュリ
−温度、保磁力などを独立に制御できるので、読みだし
パワ−とオ−バ−ライトのパワ−のマ−ジンを十分にと
ることができる。
性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び第４磁性膜のキュリ
−温度、保磁力などを独立に制御できるので、読みだし
パワ−とオ−バ−ライトのパワ−のマ−ジンを十分にと
ることができる。
【００１６】本発明の光磁気記録媒体の構造は、上述の
透明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結合した
第１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び第４磁性膜で
構成されれば特に限定されず、さらにその上に保護膜や
反射膜を積層していても良い。透明基板は、使用するレ
−ザ−の波長領域において十分透明であり、機械特性な
どの媒体基板としての特性が満たされれば、ガラス、ポ
リカ−ボネ−ト、アモルファスポリオレフィンなど特に
限定されない。
透明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結合した
第１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び第４磁性膜で
構成されれば特に限定されず、さらにその上に保護膜や
反射膜を積層していても良い。透明基板は、使用するレ
−ザ−の波長領域において十分透明であり、機械特性な
どの媒体基板としての特性が満たされれば、ガラス、ポ
リカ−ボネ−ト、アモルファスポリオレフィンなど特に
限定されない。
【００１７】本発明の光磁気記録媒体において、第３磁
性膜と第４磁性膜との間に、中間層として、ごく薄い
（１０〜２００オングストローム）非磁性層や面内磁化
膜、軟磁性垂直磁化膜などを挿入することにより、第４
磁性膜に対する第３磁性膜との交換結合による有効磁界
を制御することが容易になり、外部磁場Ｈｉｎｉが大き
すぎない適当な値となり、外部磁場Ｈｉｎｉが除去され
た後も室温では第４磁性膜の磁化がＨｉｎｉの方向へ保
つことが容易になる。
性膜と第４磁性膜との間に、中間層として、ごく薄い
（１０〜２００オングストローム）非磁性層や面内磁化
膜、軟磁性垂直磁化膜などを挿入することにより、第４
磁性膜に対する第３磁性膜との交換結合による有効磁界
を制御することが容易になり、外部磁場Ｈｉｎｉが大き
すぎない適当な値となり、外部磁場Ｈｉｎｉが除去され
た後も室温では第４磁性膜の磁化がＨｉｎｉの方向へ保
つことが容易になる。
【００１８】本発明の光磁気記録媒体の磁性膜の膜厚
は、第１磁性膜としてはレ−ザ−光の大部分が第１磁性
膜で吸収される膜厚で、２５０オングストローム以上５
００オングストローム以下が好ましい。第２磁性膜とし
ては、Ｔｃ２以上で第１磁性膜と第３磁性膜との交換結
合力を断ち切れる膜厚で、５０オングストローム以上２
００オングストローム以下が好ましい。第３磁性膜とし
ては、記録が保持されるのに十分な膜厚で、２００オン
グストローム以上８００オングストローム以下が好まし
い。第４磁性膜としては、２００オングストローム以上
１０００オングストローム以下が好ましい。
は、第１磁性膜としてはレ−ザ−光の大部分が第１磁性
膜で吸収される膜厚で、２５０オングストローム以上５
００オングストローム以下が好ましい。第２磁性膜とし
ては、Ｔｃ２以上で第１磁性膜と第３磁性膜との交換結
合力を断ち切れる膜厚で、５０オングストローム以上２
００オングストローム以下が好ましい。第３磁性膜とし
ては、記録が保持されるのに十分な膜厚で、２００オン
グストローム以上８００オングストローム以下が好まし
い。第４磁性膜としては、２００オングストローム以上
１０００オングストローム以下が好ましい。
【００１９】
【実施例】図１に本発明に用いられる光磁気媒体の一例
を示す。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、ＳｉＮｘからな
る誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）、Ｇｄ
ＦｅＣｏからなる第１磁性膜３（膜厚：３００オングス
トローム、Ｈｃ１：〜０．１ｋＯｅ、Ｔｃ１：〜３００
℃）、ＤｙＦｅＣｏからなる第２磁性膜４（膜厚：１０
０オングストローム、Ｈｃ２：〜４ｋＯｅ、Ｔｃ２：〜
９０℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性膜５（膜厚：
６００オングストローム、Ｈｃ３：〜１５ｋＯｅ、Ｔｃ
３：〜１９０℃）、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる第４磁性
膜６（膜厚：７００オングストローム、Ｈｃ４：〜１．
５ｋＯｅ、補償温度：〜２２０℃、Ｔｃ４：〜２７０
℃）、さらに保護層としてＳｉＮｘ層７（膜厚：８００
オングストローム）を形成した。
を示す。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、ＳｉＮｘからな
る誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）、Ｇｄ
ＦｅＣｏからなる第１磁性膜３（膜厚：３００オングス
トローム、Ｈｃ１：〜０．１ｋＯｅ、Ｔｃ１：〜３００
℃）、ＤｙＦｅＣｏからなる第２磁性膜４（膜厚：１０
０オングストローム、Ｈｃ２：〜４ｋＯｅ、Ｔｃ２：〜
９０℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性膜５（膜厚：
６００オングストローム、Ｈｃ３：〜１５ｋＯｅ、Ｔｃ
３：〜１９０℃）、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる第４磁性
膜６（膜厚：７００オングストローム、Ｈｃ４：〜１．
５ｋＯｅ、補償温度：〜２２０℃、Ｔｃ４：〜２７０
℃）、さらに保護層としてＳｉＮｘ層７（膜厚：８００
オングストローム）を形成した。
【００２０】次に、この光磁気媒体を記録再生装置にセ
ットして、５ｋＯｅの初期化磁界発生部を、線速度５．
５ｍ／ｓｅｃで通過させながら７８０ｎｍの波長のレ−
ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で３．７ＭＨｚで変
調させながら５ｍＷと９ｍＷの２値のレ−ザ−パワ−で
記録を行なった。記録時のバイアス磁界は１５０ Ｏｅ
で初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と反対方向にかけた。その
後、１ｍｗのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なった
ところ、２値の信号の再生ができ、そのときのＣ／Ｎの
値は４９ｄＢであった。再生時にはバイアス磁界はかけ
なかった。
ットして、５ｋＯｅの初期化磁界発生部を、線速度５．
５ｍ／ｓｅｃで通過させながら７８０ｎｍの波長のレ−
ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で３．７ＭＨｚで変
調させながら５ｍＷと９ｍＷの２値のレ−ザ−パワ−で
記録を行なった。記録時のバイアス磁界は１５０ Ｏｅ
で初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と反対方向にかけた。その
後、１ｍｗのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なった
ところ、２値の信号の再生ができ、そのときのＣ／Ｎの
値は４９ｄＢであった。再生時にはバイアス磁界はかけ
なかった。
【００２１】この３．７ＭＨｚの信号が記録されたトラ
ック上に、同じ線速度でレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ
−ティ−で２ＭＨｚで変調させながら５ｍＷと９ｍＷの
２値のレ−ザ−パワ−で記録を行なった。その後、１ｍ
ｗのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なったところ、
３．７ＭＨｚの信号のＣ／Ｎは５ｄＢ以下となり、２Ｍ
Ｈｚの信号で５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、良好な重
ね書きが行なわれた。
ック上に、同じ線速度でレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ
−ティ−で２ＭＨｚで変調させながら５ｍＷと９ｍＷの
２値のレ−ザ−パワ−で記録を行なった。その後、１ｍ
ｗのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なったところ、
３．７ＭＨｚの信号のＣ／Ｎは５ｄＢ以下となり、２Ｍ
Ｈｚの信号で５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、良好な重
ね書きが行なわれた。
【００２２】さらに、同じトラック上に同じ線速度でレ
−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で５．５ＭＨｚで
変調させながら５ｍＷと９ｍＷの２値のレ−ザ−パワ−
で記録を行なった。１ｍｗのレ−ザ−ビ−ムを照射して
再生を行なったところ３５ｄＢのＣ／Ｎしか得られなか
った。つぎに初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と同じ方向に３０
０ Ｏｅのバイアス磁界をかけながら、２．０ｍｗまで
レ−ザ−パワ−を上昇させたところＣ／Ｎとしては４５
ｄＢがえられた。２ＭＨｚの信号はいずれの再生方法で
もＣ／Ｎは５ｄＢ以下で良好な重ね書きが行なわれた。
−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で５．５ＭＨｚで
変調させながら５ｍＷと９ｍＷの２値のレ−ザ−パワ−
で記録を行なった。１ｍｗのレ−ザ−ビ−ムを照射して
再生を行なったところ３５ｄＢのＣ／Ｎしか得られなか
った。つぎに初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と同じ方向に３０
０ Ｏｅのバイアス磁界をかけながら、２．０ｍｗまで
レ−ザ−パワ−を上昇させたところＣ／Ｎとしては４５
ｄＢがえられた。２ＭＨｚの信号はいずれの再生方法で
もＣ／Ｎは５ｄＢ以下で良好な重ね書きが行なわれた。
【００２３】以上で本発明の光磁気媒体で従来再生が不
可能だった高記録密度領域での再生と光変調オ−バ−ラ
イトが同時に可能となることが確認された。
可能だった高記録密度領域での再生と光変調オ−バ−ラ
イトが同時に可能となることが確認された。
【００２４】上記実施例の光磁気記録媒体において、第
３磁性膜と第４磁性膜との間に、中間層としてＧｄＦｅ
Ｃｏ層を１００オングストローム挿入したところ、初期
化磁界（Ｈｉｎｉ）の値は２ｋＯｅまで減少し、光変調
オ−バ−ライト特性と記録保持の安定性がいずれも改善
された。
３磁性膜と第４磁性膜との間に、中間層としてＧｄＦｅ
Ｃｏ層を１００オングストローム挿入したところ、初期
化磁界（Ｈｉｎｉ）の値は２ｋＯｅまで減少し、光変調
オ−バ−ライト特性と記録保持の安定性がいずれも改善
された。
【００２５】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体では、記録密度
の向上をはかりながら、光変調オ−バ−ライトを可能と
することができる。また、上記第１磁性膜、第２磁性
膜、第３磁性膜及び第４磁性膜のキュリ−温度、保磁力
などを独立に制御できるので、再生時のレ−ザ−パワ−
とバイアス磁界、オ−バ−ライトのレ−ザ−パワ−、バ
イアス磁界のマ−ジンを十分にとることができる。
の向上をはかりながら、光変調オ−バ−ライトを可能と
することができる。また、上記第１磁性膜、第２磁性
膜、第３磁性膜及び第４磁性膜のキュリ−温度、保磁力
などを独立に制御できるので、再生時のレ−ザ−パワ−
とバイアス磁界、オ−バ−ライトのレ−ザ−パワ−、バ
イアス磁界のマ−ジンを十分にとることができる。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の光磁気記録媒体の記録方法を示す図
である。
である。
【図３】 本発明の光磁気記録媒体の再生方法を示す図
である。
である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５３ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５３Ｈ
(56)参考文献 特開 平３−93056（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−73976（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−313833（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−97140（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透明基板上に誘電体層を介して互いに磁気
的に結合した第１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び
第４磁性膜をこの順に積層し、 第１磁性膜、第２磁性膜、第３磁性膜及び第４磁性膜の
キュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３及びＴ
ｃ４とするとき、室温＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１、室温＜Ｔｃ２
＜Ｔｃ３、Ｔｃ３＜Ｔｃ４であり、 第１磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、Ｔｃ２近傍で再生磁場Ｈ
ｒを印加したとき、第１磁性膜の磁化の向きがＨｒと同
じ向きとなるよう、Ｈｒより小さく、 第３磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、室温〜Ｔｒｍ（但し、Ｔ
ｃ２＜Ｔｒｍ＜Ｔｃ３）の温度範囲で再生磁場Ｈｒを印
加したとき、第３磁性膜の磁化の向きが変化しないよ
う、Ｈｒよりも大きく、 第４磁性膜の保磁力Ｈｃ４は、室温〜Ｔｅｍ（但し、Ｔ
ｃ３＜Ｔｅｍ＜Ｔｃ４）の温度範囲で記録磁場Ｈｗを印
加したとき、第４磁性膜の磁化の向きが変化しないよ
う、Ｈｗよりも大きく、 室温下では、Ｈｃ４＜Ｈｃ３であり、初期化磁場Ｈｉｎ
ｉのもとで、第３磁性膜は記録状態を保ちつつ、第４磁
性膜の磁化が一定の方向へそろい、又、初期化磁場Ｈｉ
ｎｉが除去された後も、室温では同じ状態が保たれるよ
うに、第４磁性膜に対する第３磁性膜との交換結合によ
る有効磁界が設定されており、 室温下では、Ｈｃ１＜Ｈｃ３であり、初期化磁場Ｈｉｎ
ｉのもとで、第３磁性膜の記録状態によらず第１磁性膜
の磁化が一定の方向へそろい、又、初期化磁場Ｈｉｎｉ
が除去された後に室温で第３磁性膜の記録状態が、第１
磁性膜に転写されるように第１磁性膜に対する第２磁性
膜を介しての第３磁性膜との交換結合による有効磁界が
十分強い光磁気記録媒体を用い、 媒体を回転させながら、初期化磁場Ｈｉｎｉで第４磁性
膜の磁化を一定の方向へそろえた後、記録磁場ＨｗをＨ
ｉｎｉと反対の方向にかけながら、磁性膜の温度がＴｃ
３〜Ｔｅｍ（但し、Ｔｃ３＜Ｔｅｍ＜Ｔｃ４）の温度範
囲になるようなパワ−（ＰＬ）と、磁性膜の温度がＴｃ
４以上の温度Ｔｗになるようなパワ−（ＰＨ）でレ−ザ
−ビ−ムを変調しながら照射することにより重ね書きを
行い、 媒体を回転させながら、初期化磁場Ｈｉｎｉで第１磁性
膜の磁化を一定の方向へそろえた後、外部磁場を十分小
さくすることにより、第３磁性膜の記録状態を第１磁性
膜に転写させ、その後、再生磁場Ｈｒを印加しながら、
Ｔｃ２〜Ｔｒｍ（但し、Ｔｃ２＜Ｔｒｍ＜Ｔｃ３）まで
の温度範囲に磁性膜の最大温度がなるようなパワ−（Ｐ
ｒ）でレ−ザ−ビ−ムを照射することにより再生を行う
ことを特徴とする光磁気記録媒体の記録再生方法。 - 【請求項２】第３磁性膜と第４磁性膜との間に、中間層
として、厚さが１０〜２００オングストロームの非磁性
膜、面内磁化膜又は軟磁性垂直磁化膜のいずれかが挿入
された光磁気記録媒体を用いることを特徴とする請求項
１記載の光磁気記録媒体の記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10239792A JP3414414B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10239792A JP3414414B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05274732A JPH05274732A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3414414B2 true JP3414414B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=14326322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10239792A Expired - Fee Related JP3414414B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3414414B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP10239792A patent/JP3414414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05274732A (ja) | 1993-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |