JP3343617B2 - 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録方法及び光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行う光磁気記録方法及び光磁気記録
媒体に関する。
記録、再生、消去を行う光磁気記録方法及び光磁気記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在行
われている光磁気記録方法では、情報を記録する時に、
消去、記録、照合の３工程が必要であるため時間がかか
るという問題がある。この問題を解決するために、下記
のようなオーバーライトの方式が提案されている。
われている光磁気記録方法では、情報を記録する時に、
消去、記録、照合の３工程が必要であるため時間がかか
るという問題がある。この問題を解決するために、下記
のようなオーバーライトの方式が提案されている。
【０００３】（ｉ）磁界変調方式 照射レーザビームの強度を一定に保ち記録情報に応じて
印加磁界の極性を高速に反転させて記録を行う方式であ
る（特開昭６３−２０４５３２号、同６３−７６１３５
号公報等）。この方式では、印加磁界の極性を高速に反
転させなければならないため、媒体面からある程度離れ
た位置から記録に必要な磁界を発生させるためのパワー
が大きくなり、高周波化は困難である。また、磁気ヘッ
ドを媒体面に近接させる方法も提案されているが、この
方法では光ディスク本来の非接触というメリットがなく
なる。
印加磁界の極性を高速に反転させて記録を行う方式であ
る（特開昭６３−２０４５３２号、同６３−７６１３５
号公報等）。この方式では、印加磁界の極性を高速に反
転させなければならないため、媒体面からある程度離れ
た位置から記録に必要な磁界を発生させるためのパワー
が大きくなり、高周波化は困難である。また、磁気ヘッ
ドを媒体面に近接させる方法も提案されているが、この
方法では光ディスク本来の非接触というメリットがなく
なる。
【０００４】（ii）交換結合２層膜方式 希土類金属−遷移金属アモルファス合金の２層膜を記録
膜とする光磁気記録媒体を使用し、２層間の交換結合を
利用してオーバーライトを行う方式である（特開昭６２
−１７５９４８号公報等）。具体的には、例えばＴｂＦ
ｅからなる記録層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射とによりオ
ーバーライトを実現しようとするものである。この方法
では、情報を記録した時に２層間に磁壁が存在する場合
があり、記録情報の安定性に問題があった。初期化に大
きな磁界が必要である、等の問題がある。
膜とする光磁気記録媒体を使用し、２層間の交換結合を
利用してオーバーライトを行う方式である（特開昭６２
−１７５９４８号公報等）。具体的には、例えばＴｂＦ
ｅからなる記録層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射とによりオ
ーバーライトを実現しようとするものである。この方法
では、情報を記録した時に２層間に磁壁が存在する場合
があり、記録情報の安定性に問題があった。初期化に大
きな磁界が必要である、等の問題がある。
【０００５】本発明はこのような従来技術の実情に鑑み
てなされたもので、交換結合２層膜を利用してオーバー
ライトを行う方式において、記録情報の安定性が改善さ
れ、信頼性が向上し、同時に再生特性を向上させた光磁
気記録方法及び光磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
てなされたもので、交換結合２層膜を利用してオーバー
ライトを行う方式において、記録情報の安定性が改善さ
れ、信頼性が向上し、同時に再生特性を向上させた光磁
気記録方法及び光磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、基板上に２層以上の磁性層を積層
してなり、そのうちの少なくとも２層間には交換結合力
が働いている光磁気記録媒体を使用し、前記２層をレー
ザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及び第２磁性層と
したとき、光記録を行う前に磁界により第１磁性層の磁
気モーメントの方向を一方向に揃えておき、光記録を行
う時には、前記の磁界と同一方向に磁界をかけながら、
記録信号に対応させて少なくとも２値にパワーを変調さ
せたレーザ光を照射して第２磁性層の磁気モーメントの
方向を反転させ、更にその後、前記磁界とは逆方向の磁
界を印加して、第１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が存
在する部分のみ第１磁性層の磁気モーメントを反転させ
ることによりオーバーライト可能な記録を行うことを特
徴とする光磁気記録方法が提供される。
め、本発明によれば、基板上に２層以上の磁性層を積層
してなり、そのうちの少なくとも２層間には交換結合力
が働いている光磁気記録媒体を使用し、前記２層をレー
ザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及び第２磁性層と
したとき、光記録を行う前に磁界により第１磁性層の磁
気モーメントの方向を一方向に揃えておき、光記録を行
う時には、前記の磁界と同一方向に磁界をかけながら、
記録信号に対応させて少なくとも２値にパワーを変調さ
せたレーザ光を照射して第２磁性層の磁気モーメントの
方向を反転させ、更にその後、前記磁界とは逆方向の磁
界を印加して、第１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が存
在する部分のみ第１磁性層の磁気モーメントを反転させ
ることによりオーバーライト可能な記録を行うことを特
徴とする光磁気記録方法が提供される。
【０００７】また、本発明によれば、基板上に２層以上
の磁性層を積層してなり、そのうちの少なくとも２層間
には交換結合力が働いている光磁気記録媒体を使用し、
前記２層をレーザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及
び第２磁性層としたとき、光記録を行う前に、磁界によ
り第１磁性層の磁気モーメントの方向を一方向に揃えて
おき、光記録を行う時には、前記の磁界と同一方向に磁
界をかけながら、記録信号に対応させて少なくとも２値
にパワーを変調させたレーザ光を照射し、低パワーのレ
ーザ光の照射により、第２磁性層の磁気モーメントの方
向を第１磁性層からの交換結合力により反転させて２層
間に界面が存在しない状態とし、高パワーのレーザ光の
照射により、まず第１磁性層の磁気モーメントの方向を
反転させ、その後第２磁性層の磁気モーメントを第１磁
性層からの交換結合力により２層間に磁壁が存在しない
状態に向かせ、更にその後に、前記磁界とは逆方向の磁
界をかけ、記録に関与しなかった部分の第１磁性層の磁
気モーメントの方向を２層間に磁壁が存在しない元の状
態に戻すことによりオーバーライト可能な記録を行うよ
うにしたことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
の磁性層を積層してなり、そのうちの少なくとも２層間
には交換結合力が働いている光磁気記録媒体を使用し、
前記２層をレーザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及
び第２磁性層としたとき、光記録を行う前に、磁界によ
り第１磁性層の磁気モーメントの方向を一方向に揃えて
おき、光記録を行う時には、前記の磁界と同一方向に磁
界をかけながら、記録信号に対応させて少なくとも２値
にパワーを変調させたレーザ光を照射し、低パワーのレ
ーザ光の照射により、第２磁性層の磁気モーメントの方
向を第１磁性層からの交換結合力により反転させて２層
間に界面が存在しない状態とし、高パワーのレーザ光の
照射により、まず第１磁性層の磁気モーメントの方向を
反転させ、その後第２磁性層の磁気モーメントを第１磁
性層からの交換結合力により２層間に磁壁が存在しない
状態に向かせ、更にその後に、前記磁界とは逆方向の磁
界をかけ、記録に関与しなかった部分の第１磁性層の磁
気モーメントの方向を２層間に磁壁が存在しない元の状
態に戻すことによりオーバーライト可能な記録を行うよ
うにしたことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
【０００８】また、本発明によれば、基板上に２層以上
の磁性層を積層してなり、そのうちの少なくとも２層間
には交換結合力が働いている光磁気記録媒体を使用し、
前記２層をレーザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及
び第２磁性層としたとき、光記録を行う前に、磁界によ
り第１磁性層の磁気モーメントの方向を一方向に揃えて
おき、記録を行う時には、前記磁界とは逆方向の磁界を
かけながら、記録信号に対応させて少なくとも２値にパ
ワーを変調させたレーザ光を照射し、低パワーのレーザ
光の照射により、第２磁性層の磁気モーメントの方向を
第１磁性層からの交換結合力により反転させて２層間に
磁壁が存在しない状態にし、高パワーのレーザ光の照射
により、まず第１磁性層の磁気モーメントの方向を反転
させ、その後第２磁性層の磁気モーメントを第１磁性層
からの交換結合力により２層間に磁壁が存在しない状態
に向かせ、更にその後に記録時と同一方向の磁界をか
け、記録に関与しなかった部分の第１磁性層の磁気モー
メントの方向を２層間に磁壁が存在しない元の状態に戻
すことによりオーバーライト可能な記録を行うようにし
たことを特徴とする光磁気記録方法が提供される。
の磁性層を積層してなり、そのうちの少なくとも２層間
には交換結合力が働いている光磁気記録媒体を使用し、
前記２層をレーザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及
び第２磁性層としたとき、光記録を行う前に、磁界によ
り第１磁性層の磁気モーメントの方向を一方向に揃えて
おき、記録を行う時には、前記磁界とは逆方向の磁界を
かけながら、記録信号に対応させて少なくとも２値にパ
ワーを変調させたレーザ光を照射し、低パワーのレーザ
光の照射により、第２磁性層の磁気モーメントの方向を
第１磁性層からの交換結合力により反転させて２層間に
磁壁が存在しない状態にし、高パワーのレーザ光の照射
により、まず第１磁性層の磁気モーメントの方向を反転
させ、その後第２磁性層の磁気モーメントを第１磁性層
からの交換結合力により２層間に磁壁が存在しない状態
に向かせ、更にその後に記録時と同一方向の磁界をか
け、記録に関与しなかった部分の第１磁性層の磁気モー
メントの方向を２層間に磁壁が存在しない元の状態に戻
すことによりオーバーライト可能な記録を行うようにし
たことを特徴とする光磁気記録方法が提供される。
【０００９】また、本発明によれば、基板上に２層以上
の磁性膜を積層してなり、そのうちの少なくとも２層は
希土類金属と鉄族遷移金属を主成分とするアモルファス
合金からなる垂直磁化膜であり、この２層をレーザ光の
入射方向よりそれぞれ第１磁性層及び第２磁性層とした
とき、第１磁性層と第２磁性層は交換結合しており、室
温付近での保磁力は第１磁性層より第２磁性層の方が大
きく、キュリー温度は第２磁性層より第１磁性層の方が
高く、かつ第１磁性層の補償温度は第１磁性層のキュリ
ー温度と第２磁性層のキュリー温度との間に存在するこ
とを特徴とする、上記方法に使用される光磁気記録媒体
が提供される。
の磁性膜を積層してなり、そのうちの少なくとも２層は
希土類金属と鉄族遷移金属を主成分とするアモルファス
合金からなる垂直磁化膜であり、この２層をレーザ光の
入射方向よりそれぞれ第１磁性層及び第２磁性層とした
とき、第１磁性層と第２磁性層は交換結合しており、室
温付近での保磁力は第１磁性層より第２磁性層の方が大
きく、キュリー温度は第２磁性層より第１磁性層の方が
高く、かつ第１磁性層の補償温度は第１磁性層のキュリ
ー温度と第２磁性層のキュリー温度との間に存在するこ
とを特徴とする、上記方法に使用される光磁気記録媒体
が提供される。
【００１０】さらに、本発明によれば、基板上に２層以
上の磁性膜を積層してなり、そのうちの少なくとも２層
は希土類金属と鉄族遷移金属を主成分とするアモルファ
ス合金からなる垂直磁化膜であり、この２層をレーザ光
の入射方向よりそれぞれ第１磁性層及び第２磁性層とし
たとき、第１磁性層と第２磁性層は交換結合しており、
室温付近での保磁力は第１磁性層より第２磁性層の方が
大きく、キュリー温度は第２磁性層より第１磁性層の方
が高く、第１磁性層は希土類金属の磁気モーメントが優
位であり、かつ第１磁性層の補償温度は室温とそのキュ
リー温度との間に存在しないことを特徴とする、上記方
法に使用される光磁気記録媒体が提供される。
上の磁性膜を積層してなり、そのうちの少なくとも２層
は希土類金属と鉄族遷移金属を主成分とするアモルファ
ス合金からなる垂直磁化膜であり、この２層をレーザ光
の入射方向よりそれぞれ第１磁性層及び第２磁性層とし
たとき、第１磁性層と第２磁性層は交換結合しており、
室温付近での保磁力は第１磁性層より第２磁性層の方が
大きく、キュリー温度は第２磁性層より第１磁性層の方
が高く、第１磁性層は希土類金属の磁気モーメントが優
位であり、かつ第１磁性層の補償温度は室温とそのキュ
リー温度との間に存在しないことを特徴とする、上記方
法に使用される光磁気記録媒体が提供される。
【００１１】
【実施例】以下本発明による光磁気記録方法について詳
述するが、まず、本発明において使用される光磁気記録
媒体について説明する。
述するが、まず、本発明において使用される光磁気記録
媒体について説明する。
【００１２】図１は本発明で使用される光磁気記録媒体
の最も基本的な層構成を模式的に示す断面図であり、基
板１上に第１磁性層２及び第２磁性層３を積層してな
り、記録再生用レーザ光４は基板１側から入射されるよ
うになっている。第１磁性層２及び第２磁性層３はそれ
ぞれ希土類金属（Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｎｄ等）と鉄族遷
移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）とのアモルファス合金から
なる垂直磁化膜で構成され、両層２，３間には交換結合
力が働いている。第１磁性層２と第２磁性層３の組合せ
としては以下に示す２つのタイプに大別される。
の最も基本的な層構成を模式的に示す断面図であり、基
板１上に第１磁性層２及び第２磁性層３を積層してな
り、記録再生用レーザ光４は基板１側から入射されるよ
うになっている。第１磁性層２及び第２磁性層３はそれ
ぞれ希土類金属（Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｎｄ等）と鉄族遷
移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）とのアモルファス合金から
なる垂直磁化膜で構成され、両層２，３間には交換結合
力が働いている。第１磁性層２と第２磁性層３の組合せ
としては以下に示す２つのタイプに大別される。
【００１３】第１のタイプの組合せにおいては各磁性層
の磁気特性は図２に示すようになっている。すなわち、
Ｈc1＜Ｈc2（Ｈc1、Ｈc2はそれぞれ第１磁性層２、第２
磁性層３の室温付近での保磁力である）であり、Ｔc2＜
Ｔc1（Ｔc1、Ｔc2はそれぞれ第１磁性層２、第２磁性層
３のキュリー温度である）であり、Ｔc2＜Ｔcomp1＜Ｔc
1（Ｔcomp1は第１磁性層２の補償温度である）である。
上記のような条件を満足する第１磁性層２と第２磁性層
３の材料の組合せとしては、例えば、ＴｂＦｅＣｏとＴ
ｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏとＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏとＴｂＤｙＦｅＣｏ等が挙げられる。
の磁気特性は図２に示すようになっている。すなわち、
Ｈc1＜Ｈc2（Ｈc1、Ｈc2はそれぞれ第１磁性層２、第２
磁性層３の室温付近での保磁力である）であり、Ｔc2＜
Ｔc1（Ｔc1、Ｔc2はそれぞれ第１磁性層２、第２磁性層
３のキュリー温度である）であり、Ｔc2＜Ｔcomp1＜Ｔc
1（Ｔcomp1は第１磁性層２の補償温度である）である。
上記のような条件を満足する第１磁性層２と第２磁性層
３の材料の組合せとしては、例えば、ＴｂＦｅＣｏとＴ
ｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏとＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏとＴｂＤｙＦｅＣｏ等が挙げられる。
【００１４】第２のタイプの組合せにおいては各磁性層
の磁気特性は図３に示すようになっている。すなわち、
Ｈc1＜Ｈc2であり、Ｔc2＜Ｔc1であり、第１磁性層２は
希土類金属の磁気モーメントが優位であり、かつ第１磁
性層２の補償温度Ｔcomp1は室温Ｔrとキュリー温度Ｔc1
の間に存在しないものとなっている。補償組成をＸ0と
したとき第１磁性層２における希土類金属の濃度Ｘは、
Ｘ0＋１≦Ｘ≦Ｘ0＋５〔atom%〕であるのが好ましい。
上記のような条件を満足する第１磁性層２と第２磁性層
３の材料の組合せとしては、第１のタイプと同様の構成
が挙げられ、第１のタイプより第１磁性層の希土類金属
の濃度Ｘが大きいものが好ましい。
の磁気特性は図３に示すようになっている。すなわち、
Ｈc1＜Ｈc2であり、Ｔc2＜Ｔc1であり、第１磁性層２は
希土類金属の磁気モーメントが優位であり、かつ第１磁
性層２の補償温度Ｔcomp1は室温Ｔrとキュリー温度Ｔc1
の間に存在しないものとなっている。補償組成をＸ0と
したとき第１磁性層２における希土類金属の濃度Ｘは、
Ｘ0＋１≦Ｘ≦Ｘ0＋５〔atom%〕であるのが好ましい。
上記のような条件を満足する第１磁性層２と第２磁性層
３の材料の組合せとしては、第１のタイプと同様の構成
が挙げられ、第１のタイプより第１磁性層の希土類金属
の濃度Ｘが大きいものが好ましい。
【００１５】基板１としては、ガラス、紫外線硬化樹脂
によるガイドトラックを設けたガラス、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂等を用
いることができる。
によるガイドトラックを設けたガラス、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂等を用
いることができる。
【００１６】また、層構成としては図１に示すもののほ
か、中間層、保護層、反射層、誘電体層、ガスドトラッ
ク層、保護基板等を適宜の組合せで設けてもよいし、第
３磁性層、第４磁性層…等を設けてもよい。更に、これ
らの構造のものを２枚貼り合わせ、両面記録可能な媒体
としてもよい。
か、中間層、保護層、反射層、誘電体層、ガスドトラッ
ク層、保護基板等を適宜の組合せで設けてもよいし、第
３磁性層、第４磁性層…等を設けてもよい。更に、これ
らの構造のものを２枚貼り合わせ、両面記録可能な媒体
としてもよい。
【００１７】次に上記構成の光磁気記録媒体を用いた記
録方法について説明する。先ず請求項１の記録方法につ
いて述べる。この方法においては、図２及び図３の両タ
イプの光磁気記録媒体を使用することができる。先ず、
光磁気記録を行う前に２００〜５０００Ｏｅ程度の磁界
Ｈiを媒体に印加して、第１磁性層２の磁気モーメント
を一方向に揃える（初期化）。そして前記の磁界と同一
方向に５０〜１０００Ｏｅ程度の記録磁界Ｈwを印加し
ながら、記録信号に対応させて記録レーザパワーを図４
に示すように少なくとも２値レベルで変化させて記録す
る。この場合の記録プロセスを図６に示す。例えば、第
１磁性層２の磁気モーメントの方向が記録磁界Ｈw（な
お、図中＋符号は上向き、−符号は下向きを示す）と逆
の方向の場合を“０”、同じ方向の場合を“１”とする
と、当初は“１”であったビット（図６のイ）に初期化
後、低レベルＰbのレーザ光を照射する（Ｌプロセス）
ことにより、磁性層の温度をＴb （Ｔc2付近）まで上昇
させる。この状態で第２磁性層３の磁気モーメントは、
第１磁性層２の交換結合力により、両磁性層３、４間に
磁壁がなくなるように第２磁性層３の磁気モーメントが
反転される（図６の（ａ）のロ→ハ)。すなわち、
“１”→“０”となる。磁性層の温度ＴbがわずかにＴc
2より大きくなっても第２磁性層３と２層間の界面との
温度差があり、第１磁性層２よりの交換結合力が比較的
大きい為、冷却時に同じ状態となる。なお、図中第１磁
性層２と第２磁性層３の間の破線は界面磁壁なし、実線
は界面磁壁ありを示す。
録方法について説明する。先ず請求項１の記録方法につ
いて述べる。この方法においては、図２及び図３の両タ
イプの光磁気記録媒体を使用することができる。先ず、
光磁気記録を行う前に２００〜５０００Ｏｅ程度の磁界
Ｈiを媒体に印加して、第１磁性層２の磁気モーメント
を一方向に揃える（初期化）。そして前記の磁界と同一
方向に５０〜１０００Ｏｅ程度の記録磁界Ｈwを印加し
ながら、記録信号に対応させて記録レーザパワーを図４
に示すように少なくとも２値レベルで変化させて記録す
る。この場合の記録プロセスを図６に示す。例えば、第
１磁性層２の磁気モーメントの方向が記録磁界Ｈw（な
お、図中＋符号は上向き、−符号は下向きを示す）と逆
の方向の場合を“０”、同じ方向の場合を“１”とする
と、当初は“１”であったビット（図６のイ）に初期化
後、低レベルＰbのレーザ光を照射する（Ｌプロセス）
ことにより、磁性層の温度をＴb （Ｔc2付近）まで上昇
させる。この状態で第２磁性層３の磁気モーメントは、
第１磁性層２の交換結合力により、両磁性層３、４間に
磁壁がなくなるように第２磁性層３の磁気モーメントが
反転される（図６の（ａ）のロ→ハ)。すなわち、
“１”→“０”となる。磁性層の温度ＴbがわずかにＴc
2より大きくなっても第２磁性層３と２層間の界面との
温度差があり、第１磁性層２よりの交換結合力が比較的
大きい為、冷却時に同じ状態となる。なお、図中第１磁
性層２と第２磁性層３の間の破線は界面磁壁なし、実線
は界面磁壁ありを示す。
【００１８】一方、図６の（ｂ）に示すように当初は
“０”であったビット（ニ）に高レベルＰaのレーザ光
を照射する（Ｈプロセス）ことにより、磁性層の温度は
Ｔa （Ｔc2以上）まで上昇し、第２磁性層３の磁気モー
メントは一且消失する。この状態から冷却する過程で、
第２磁性層３と２層間の界面との温度差が小さく、第１
磁性層２よりの交換結合力が小さい為に、記録磁界Ｈw
(＋符号は図中上向きの方向、−符号は下向きの方向を
示す）の作用により、第２磁性層３の磁気モーメントは
磁界Ｈwの方向、すなわち上向きとなる。ここで第１磁
性層２と第２磁性層３との間には磁壁が形成される(図
６の（ｂ）のホ）。
“０”であったビット（ニ）に高レベルＰaのレーザ光
を照射する（Ｈプロセス）ことにより、磁性層の温度は
Ｔa （Ｔc2以上）まで上昇し、第２磁性層３の磁気モー
メントは一且消失する。この状態から冷却する過程で、
第２磁性層３と２層間の界面との温度差が小さく、第１
磁性層２よりの交換結合力が小さい為に、記録磁界Ｈw
(＋符号は図中上向きの方向、−符号は下向きの方向を
示す）の作用により、第２磁性層３の磁気モーメントは
磁界Ｈwの方向、すなわち上向きとなる。ここで第１磁
性層２と第２磁性層３との間には磁壁が形成される(図
６の（ｂ）のホ）。
【００１９】そこで、本発明では、上記の過程が終了し
た後、記録磁界Ｈwとは逆方向の磁界Ｈxを印加し、第１
磁性層２と第２磁性層３の間に磁壁が存在する部分のみ
第１磁性層２の磁気モーメントを反転させる。これによ
り、図６の（ｂ）のホの状態がヘの状態に変わる。この
ようにして“０”→“１”となり、オーバーライトが実
現される。
た後、記録磁界Ｈwとは逆方向の磁界Ｈxを印加し、第１
磁性層２と第２磁性層３の間に磁壁が存在する部分のみ
第１磁性層２の磁気モーメントを反転させる。これによ
り、図６の（ｂ）のホの状態がヘの状態に変わる。この
ようにして“０”→“１”となり、オーバーライトが実
現される。
【００２０】なお、上記方法において図２の磁気特性を
持つ媒体を使用した場合にはＴc1付近で第１磁性層２の
磁気モーメントの方向とＨwの方向が逆方向であるため
高パワーレベルＨaのレーザ光照射(Ｈプロセス)で媒体
が昇温する温度ＴaをＴc1以下とする必要があるが、図
３の媒体を使用する場合にはＴc1付近で第１磁性層２の
磁気モーメントの方向とＨwの方向が同一方向であるた
めその制限はない。
持つ媒体を使用した場合にはＴc1付近で第１磁性層２の
磁気モーメントの方向とＨwの方向が逆方向であるため
高パワーレベルＨaのレーザ光照射(Ｈプロセス)で媒体
が昇温する温度ＴaをＴc1以下とする必要があるが、図
３の媒体を使用する場合にはＴc1付近で第１磁性層２の
磁気モーメントの方向とＨwの方向が同一方向であるた
めその制限はない。
【００２１】次に請求項２の記録方法について述べる。
この方法においては、図２に示すタイプの光磁気記録媒
体を使用することができる。そして請求項１の方法と同
様に、先ず、光磁気記録を行う前に２００〜５０００Ｏ
ｅ程度の磁界Ｈiを媒体に印加して、第１磁性層２の磁
気モーメントを一方向に揃える（初期化）。そして前記
の磁界と同一方向に５０〜１０００Ｏｅ程度の記録磁界
Ｈwを印加しながら、記録信号に対応させて記録レーザ
パワーを図４に示すように少なくとも２値レベルで変化
させて記録する。この方法ではＬプロセスは請求項１の
方法と同様であるが、Ｈプロセスは異なったものとな
る。このＨプロセスについて説明すると、図７に示すよ
うにビット（イ）又は（イ’）に高レベルＨaのレーザ
光を照射し、磁性層の温度をＴa（Ｔc1以上)まで昇温さ
せる。ここでビット（イ）はＨプロセスにより書き込ま
れた信号（“１”）を初期化した状態、ビット（イ’）
はＬプロセスにより書き込まれた信号（“０”）を初期
化した状態である。この時、第１磁性層２と第２磁性層
３の磁気モーメントの関係は、まずＴc2以上になった時
点で第２磁性層３の磁気モーメントが消失し、Ｔcomp1
になった時点で第1磁性層２の磁気モーメントが反対方
向を向く（記録が反転するのではなく鉄族遷移金属の磁
気モーメントが優位となる）。その後、Ｔc1付近又はそ
れ以上で、第１磁性層２の磁気モーメントは記録磁界Ｈ
wの方向に向く（イ、イ’→ロ→ハ）。そして、冷却過
程でＴcomp1以下になった時点で第１磁性層２の磁気モ
ーメントが反対方向を向いた（希土類金属の磁気モーメ
ントが優位になった）後、第２磁性層３の磁気モーメン
トの方向を第１磁性層２からの交換結合力及び記録磁界
Ｈwにより２つの磁性層間に磁壁が存在しない状態に向
かせる（ハ→ニ→ホ）。
この方法においては、図２に示すタイプの光磁気記録媒
体を使用することができる。そして請求項１の方法と同
様に、先ず、光磁気記録を行う前に２００〜５０００Ｏ
ｅ程度の磁界Ｈiを媒体に印加して、第１磁性層２の磁
気モーメントを一方向に揃える（初期化）。そして前記
の磁界と同一方向に５０〜１０００Ｏｅ程度の記録磁界
Ｈwを印加しながら、記録信号に対応させて記録レーザ
パワーを図４に示すように少なくとも２値レベルで変化
させて記録する。この方法ではＬプロセスは請求項１の
方法と同様であるが、Ｈプロセスは異なったものとな
る。このＨプロセスについて説明すると、図７に示すよ
うにビット（イ）又は（イ’）に高レベルＨaのレーザ
光を照射し、磁性層の温度をＴa（Ｔc1以上)まで昇温さ
せる。ここでビット（イ）はＨプロセスにより書き込ま
れた信号（“１”）を初期化した状態、ビット（イ’）
はＬプロセスにより書き込まれた信号（“０”）を初期
化した状態である。この時、第１磁性層２と第２磁性層
３の磁気モーメントの関係は、まずＴc2以上になった時
点で第２磁性層３の磁気モーメントが消失し、Ｔcomp1
になった時点で第1磁性層２の磁気モーメントが反対方
向を向く（記録が反転するのではなく鉄族遷移金属の磁
気モーメントが優位となる）。その後、Ｔc1付近又はそ
れ以上で、第１磁性層２の磁気モーメントは記録磁界Ｈ
wの方向に向く（イ、イ’→ロ→ハ）。そして、冷却過
程でＴcomp1以下になった時点で第１磁性層２の磁気モ
ーメントが反対方向を向いた（希土類金属の磁気モーメ
ントが優位になった）後、第２磁性層３の磁気モーメン
トの方向を第１磁性層２からの交換結合力及び記録磁界
Ｈwにより２つの磁性層間に磁壁が存在しない状態に向
かせる（ハ→ニ→ホ）。
【００２２】本方法においては、上記過程終了後、記録
磁界Ｈwと反対方向(下向き)に２０〜２０００Ｏｅ程度
の磁界を加えて転写を行う（図示せず）が、ここでの転
写は、初期化を行ったが直接、記録に関係しなかった部
分（トラック、セクタ等)の第１磁性層２の磁気モーメ
ントの方向を元に戻す事を意味する。
磁界Ｈwと反対方向(下向き)に２０〜２０００Ｏｅ程度
の磁界を加えて転写を行う（図示せず）が、ここでの転
写は、初期化を行ったが直接、記録に関係しなかった部
分（トラック、セクタ等)の第１磁性層２の磁気モーメ
ントの方向を元に戻す事を意味する。
【００２３】次に請求項３の記録方法について述べる。
この方法においては、図３のタイプの光磁気記録媒体を
使用することができる。先ず、光磁気記録を行う前に２
００〜５０００Ｏｅ程度の磁界Ｈiを請求項１及び２の
方法の場合とは反対の向きに印加して、第１磁性層２の
磁気モーメントを一方向に揃える（初期化）。そして前
記磁界とは反対方向に５０〜１０００Ｏｅ程度の記録磁
界Ｈwを印加しながら、記録信号に対応させて記録レー
ザパワーを図４に示すように少なくとも２値レベルで変
化させて記録する。この場合の記録プロセスを図８に示
す。例えば、図８の(ａ）のイのビットに初期化後、低
レベルＰbのレーザ光を照射する（Ｌプロセス）ことに
より、磁性層の温度をＴb(Ｔc2付近以上Ｔc1以下)まで
昇温させる。この時、第１磁性層２の交換結合力及び記
録磁界Ｈwにより、両磁性層３、４間に磁壁がなくなる
ように第２磁性層３の磁気モーメントを向かせる(図８
の（ａ）のハ）。Ｔb＞Ｔc2となった場合は一且第２磁
性層３の磁気モーメントは消失し、冷却する過程で、上
記と同じ状態になる。
この方法においては、図３のタイプの光磁気記録媒体を
使用することができる。先ず、光磁気記録を行う前に２
００〜５０００Ｏｅ程度の磁界Ｈiを請求項１及び２の
方法の場合とは反対の向きに印加して、第１磁性層２の
磁気モーメントを一方向に揃える（初期化）。そして前
記磁界とは反対方向に５０〜１０００Ｏｅ程度の記録磁
界Ｈwを印加しながら、記録信号に対応させて記録レー
ザパワーを図４に示すように少なくとも２値レベルで変
化させて記録する。この場合の記録プロセスを図８に示
す。例えば、図８の(ａ）のイのビットに初期化後、低
レベルＰbのレーザ光を照射する（Ｌプロセス）ことに
より、磁性層の温度をＴb(Ｔc2付近以上Ｔc1以下)まで
昇温させる。この時、第１磁性層２の交換結合力及び記
録磁界Ｈwにより、両磁性層３、４間に磁壁がなくなる
ように第２磁性層３の磁気モーメントを向かせる(図８
の（ａ）のハ）。Ｔb＞Ｔc2となった場合は一且第２磁
性層３の磁気モーメントは消失し、冷却する過程で、上
記と同じ状態になる。
【００２４】一方、図８の(ｂ)ビット（ニ）に高レベル
Ｐaのレーザ光を照射する（Ｈプロセス）ことにより、
磁性層の温度をＴa（Ｔc1以上）まで上昇させる。この
時、第１磁性層２と第２磁性層３の磁気モーメントは共
に消失する。この状態から冷却する過程で、まず第１磁
性層２の磁気モーメントの方向がＨwの方向を向き、そ
の後第１磁性層２の交換結合力により第２磁性層３の磁
気モーメントを両磁性層２、３間に磁壁がなくなるよう
に向かせる（図８の（ｂ）のホ）。このＨプロセスにお
いて第２磁性層３の磁気モーメントが２層間に磁壁を形
成しない方向に向くか否かは２層間の交換結合力の強
さ、記録磁界の大きさ等によって決まる。つまり、同一
記録媒体を使用した場合でも、Ｈwが大きい場合に請求
項１のプロセスでオーバーライトができ、Ｈwが小さい
場合に請求項３のプロセスでオーバーライトができ、
又、Ｈwが同じ場合でも、２層間の交換結合力が弱い記
録媒体を使用した場合には請求項１のプロセスでオーバ
ーライトができ、２層間の交換結合力が強い記録媒体を
使用した場合には請求項３のプロセスでオーバーライト
ができるようになる。
Ｐaのレーザ光を照射する（Ｈプロセス）ことにより、
磁性層の温度をＴa（Ｔc1以上）まで上昇させる。この
時、第１磁性層２と第２磁性層３の磁気モーメントは共
に消失する。この状態から冷却する過程で、まず第１磁
性層２の磁気モーメントの方向がＨwの方向を向き、そ
の後第１磁性層２の交換結合力により第２磁性層３の磁
気モーメントを両磁性層２、３間に磁壁がなくなるよう
に向かせる（図８の（ｂ）のホ）。このＨプロセスにお
いて第２磁性層３の磁気モーメントが２層間に磁壁を形
成しない方向に向くか否かは２層間の交換結合力の強
さ、記録磁界の大きさ等によって決まる。つまり、同一
記録媒体を使用した場合でも、Ｈwが大きい場合に請求
項１のプロセスでオーバーライトができ、Ｈwが小さい
場合に請求項３のプロセスでオーバーライトができ、
又、Ｈwが同じ場合でも、２層間の交換結合力が弱い記
録媒体を使用した場合には請求項１のプロセスでオーバ
ーライトができ、２層間の交換結合力が強い記録媒体を
使用した場合には請求項３のプロセスでオーバーライト
ができるようになる。
【００２５】本方法においては、上記過程終了後、記録
磁界Ｈwと同一方向に磁界Ｈxを加えて転写を行う（図８
の（ｂ）のヘ→ト）が、ここでの転写は、初期化を行っ
たが直接、記録に関係しなかった部分（トラック、セク
タ等）の第１磁性層２の磁気モーメントの方向を元に戻
す事を意味する。
磁界Ｈwと同一方向に磁界Ｈxを加えて転写を行う（図８
の（ｂ）のヘ→ト）が、ここでの転写は、初期化を行っ
たが直接、記録に関係しなかった部分（トラック、セク
タ等）の第１磁性層２の磁気モーメントの方向を元に戻
す事を意味する。
【００２６】上記請求項１〜３の方法において転写は直
流磁界を印加して行ったが、交流磁界を用いて行っても
よい。また、記録レーザ光の照射方法において図４に示
すものを例示したが、Ｐa，Ｐbをそれぞれ複数パルスの
デューティー比の変化として与えてもよい。
流磁界を印加して行ったが、交流磁界を用いて行っても
よい。また、記録レーザ光の照射方法において図４に示
すものを例示したが、Ｐa，Ｐbをそれぞれ複数パルスの
デューティー比の変化として与えてもよい。
【００２７】
【発明の効果】請求項１の方法によれば、交換結合２層
膜を有する光磁気記録媒体を用いたオーバーライトにお
いて、保存時に２層間に磁壁が存在しないので、記録情
報の安定性が改善され、信頼性が向上する。請求項２及
び３の方法によれば、上記効果に加え、記録の直後に転
写に関係なく記録トラックの第１磁性層の磁化方向が記
録情報に対応している為、記録直後の照合が可能となる
利点がある。したがって、２ビーム光ヘッド等を利用
し、１パスでオーバーライト、照合が可能となる。請求
項４の記録媒体は、請求項１及び２の方法を好適に実施
可能とする。請求項５の記録媒体は、請求項１及び３の
方法を好適に実施可能とする。又、実際に読み出しを行
う第１磁性層のキュリー温度を比較的高く設定する事が
でき、再生信号強度が大きくなり、再生特性が向上す
る。
膜を有する光磁気記録媒体を用いたオーバーライトにお
いて、保存時に２層間に磁壁が存在しないので、記録情
報の安定性が改善され、信頼性が向上する。請求項２及
び３の方法によれば、上記効果に加え、記録の直後に転
写に関係なく記録トラックの第１磁性層の磁化方向が記
録情報に対応している為、記録直後の照合が可能となる
利点がある。したがって、２ビーム光ヘッド等を利用
し、１パスでオーバーライト、照合が可能となる。請求
項４の記録媒体は、請求項１及び２の方法を好適に実施
可能とする。請求項５の記録媒体は、請求項１及び３の
方法を好適に実施可能とする。又、実際に読み出しを行
う第１磁性層のキュリー温度を比較的高く設定する事が
でき、再生信号強度が大きくなり、再生特性が向上す
る。
【図１】本発明で使用される光磁気記録媒体の最も基本
的な層構成を模式的に示す断面図である。
的な層構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明で使用しうる第１のタイプの光磁気記録
媒体の磁性層の磁気特性を示す図である。
媒体の磁性層の磁気特性を示す図である。
【図３】本発明で使用しうる第２のタイプの光磁気記録
媒体の磁性層の磁気特性を示す図である。
媒体の磁性層の磁気特性を示す図である。
【図４】記録レーザパワーの説明図である。
【図５】従来方法による記録プロセスを示す図である。
【図６】請求項１の方法による記録プロセスを示す図で
ある。
ある。
【図７】請求項２の方法による記録プロセスを示す図で
ある。
ある。
【図８】請求項３の方法による記録プロセスを示す図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ 第１磁性層 ３ 第２磁性層 ４ レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−48450（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に２層以上の磁性層を積層してな
り、そのうちの少なくとも２層間には交換結合力が働い
ている光磁気記録媒体を使用し、 前記２層をレーザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及
び第２磁性層としたとき、光記録を行う前に磁界により
第１磁性層の磁気モーメントの方向を一方向に揃えてお
き、 光記録を行う時には、前記の磁界と同一方向に磁界をか
けながら、記録信号に対応させて少なくとも２値にパワ
ーを変調させたレーザ光を照射して第２磁性層の磁気モ
ーメントの方向を反転させ、 更にその後、前記磁界とは逆方向の磁界を印加して、第
１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が存在する部分のみ第
１磁性層の磁気モーメントを反転させることによりオー
バーライト可能な記録を行うことを特徴とする光磁気記
録方法。 - 【請求項２】 基板上に２層以上の磁性層を積層してな
り、そのうちの少なくとも２層間には交換結合力が働い
ている光磁気記録媒体を使用し、 前記２層をレーザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及
び第２磁性層としたとき、光記録を行う前に、磁界によ
り第１磁性層の磁気モーメントの方向を一方向に揃えて
おき、 光記録を行う時には、前記の磁界と同一方向に磁界をか
けながら、記録信号に対応させて少なくとも２値にパワ
ーを変調させたレーザ光を照射し、低パワーのレーザ光
の照射により、第２磁性層の磁気モーメントの方向を第
１磁性層からの交換結合力により反転させて２層間に界
面が存在しない状態とし、高パワーのレーザ光の照射に
より、まず第１磁性層の磁気モーメントの方向を反転さ
せ、その後第２磁性層の磁気モーメントを第１磁性層か
らの交換結合力により２層間に磁壁が存在しない状態に
向かせ、 更にその後に、前記磁界とは逆方向の磁界をかけ、記録
に関与しなかった部分の第１磁性層の磁気モーメントの
方向を２層間に磁壁が存在しない元の状態に戻すことに
よりオーバーライト可能な記録を行うようにしたことを
特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項３】 基板上に２層以上の磁性層を積層してな
り、そのうちの少なくとも２層間には交換結合力が働い
ている光磁気記録媒体を使用し、 前記２層をレーザ光の入射側からそれぞれ第１磁性層及
び第２磁性層としたとき、光記録を行う前に、磁界によ
り第１磁性層の磁気モーメントの方向を一方向に揃えて
おき、 記録を行う時には、前記磁界とは逆方向の磁界をかけな
がら、記録信号に対応させて少なくとも２値にパワーを
変調させたレーザ光を照射し、低パワーのレーザ光の照
射により、第２磁性層の磁気モーメントの方向を第１磁
性層からの交換結合力により反転させて２層間に磁壁が
存在しない状態にし、高パワーのレーザ光の照射によ
り、まず第１磁性層の磁気モーメントの方向を反転さ
せ、その後第２磁性層の磁気モーメントを第１磁性層か
らの交換結合力により２層間に磁壁が存在しない状態に
向かせ、 更にその後に記録時と同一方向の磁界をかけ、記録に関
与しなかった部分の第１磁性層の磁気モーメントの方向
を２層間に磁壁が存在しない元の状態に戻すことにより
オーバーライト可能な記録を行うようにしたことを特徴
とする光磁気記録方法。 - 【請求項４】 基板上に２層以上の磁性膜を積層してな
り、 そのうちの少なくとも２層は希土類金属と鉄族遷移金属
を主成分とするアモルファス合金からなる垂直磁化膜で
あり、 この２層をレーザ光の入射方向よりそれぞれ第１磁性層
及び第２磁性層としたとき、第１磁性層と第２磁性層は
交換結合しており、 室温付近での保磁力は第１磁性層より第２磁性層の方が
大きく、 キュリー温度は第２磁性層より第１磁性層の方が高く、
かつ第１磁性層の補償温度は第１磁性層のキュリー温度
と第２磁性層のキュリー温度との間に存在することを特
徴とする、請求項１又は２に記載の方法に使用される光
磁気記録媒体。 - 【請求項５】 基板上に２層以上の磁性膜を積層してな
り、 そのうちの少なくとも２層は希土類金属と鉄族遷移金属
を主成分とするアモルファス合金からなる垂直磁化膜で
あり、 この２層をレーザ光の入射方向よりそれぞれ第１磁性層
及び第２磁性層としたとき、第１磁性層と第２磁性層は
交換結合しており、 室温付近での保磁力は第１磁性層より第２磁性層の方が
大きく、 キュリー温度は第２磁性層より第１磁性層の方が高く、 第１磁性層は希土類金属の磁気モーメントが優位であ
り、かつ第１磁性層の補償温度は室温とそのキュリー温
度との間に存在しないことを特徴とする、請求項１又は
３に記載の方法に使用される光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19095591A JP3343617B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19095591A JP3343617B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512748A JPH0512748A (ja) | 1993-01-22 |
| JP3343617B2 true JP3343617B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=16266459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19095591A Expired - Fee Related JP3343617B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3343617B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP19095591A patent/JP3343617B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0512748A (ja) | 1993-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |