JPH0448450A - 記録感度の高い光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録感度の高い光磁気記録方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することができ、消去し
た後、再び新たな情報を記録することが繰り返し可能で
あるというユニークな利点のために、最も大きな魅力に
満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として垂直磁気異方性を有する磁性薄膜を用いるもの
である。磁性薄膜は、代表的には、非晶質の重希土類−
遷移金属合金からなる。具体的な合金例としては、Ｇｄ
ＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦｅ、ＴｂＣ
ｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどが挙げられる。

記録層は、一般に同心円状又はらせん状の溝又は突条か
らなるトラックを有しており、このトラック上に情報が
記録される。

記録すべき情報は、予め２値化されており、情報は、磁
化の向きが上向きの小さな磁区（ビット、ビット又はマ
ークと呼ばれる）と磁化の向きが下向きの小さな磁区の
２つで表現される。ここでは、最近の例にならって前者
をマークＢ１と呼び、後者をマークＢ。と呼ぶことにす
る。これらのマークＢ、、ＢＯは、デジタル信号の０．
　１の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。

一般に、記録層の磁化の向きは、媒体製造後つまり記録
前に、強力な外部磁場を印加することによって上向き又
は下向きに揃えられる。この処理を初期化（ｉｎｉｔｉ
ａｌｉｚｅ）と呼ぶ。

初期化する理由は、■磁性薄膜は、成膜状態では、磁化
の向きが不揃いであることと、■実際の記録では、ビッ
トを形成するときに必要な記録磁界Ｈｂの向きを高速で
変える（変調する）ことは実際困難であるから、専ら、
一方のマーク（マークＢ、）だけを情報に従い作成した
いからである。

記録前に、記録層の磁化の向きを全体に上向き又は下向
きの一方（マークＢ。の向きに相当）に揃えておき、そ
の上で反対の向きの磁化を有するマークＢ、を２値化情
報に従い間欠的に形成するのである。

情報は、このマークＢ、の有無及び／又はマーク長によ
って表現される。これか実際の記録方法である。

マークの形成は、直径１ミクロン程度に小さく絞ったレ
ーサービームと記録磁界Ｈｂを用いて行われる。つまり
、レーザービームを照射することにより、磁性薄膜のそ
の部分をキュリー点以上に加熱して保磁力をセロにする
。その上でレーザービームの照射を止めるか又はビーム
から遠ざけると、照射された部分の温度は自然に冷えて
行く。

キュリー点以下に冷えると、その部分に保磁力が再び現
れる。そのとき記録磁界Ｈｂが存在すると、磁化の向き
は、Ｈｂの向きに倣う。こうして、Ｈｂの向きと同じ向
きの磁化を持ったマークＢ１が形成される。

形成されたマークＢ１は、磁気光学効果（カー効果又は
ファラデー効果）を利用して検出され、それにより記録
された情報が再生される。

〔発明か解決しようとする課題〕

ところで、Ｃ／Ｎ比は、■θにと■再生時に照射するレ
ーザービームの強度に対し、正の相関関係かある。そこ
で、Ｃ／Ｎ比を高くするためには、■θにの大きい磁性
材料を選ぶ必要があり、そうすると、θにの大きい磁性
材料は、例外なくキュリー点が高い。また、Ｃ／Ｎ比を
高くするためには、■再生時にレーザービームの強度を
高くすると、記録層の温度がキュリー点を越えてしまい
、その結果、情報が消失してしまうので、なるべくキュ
リー点の高い磁性材料を選ぶ必要がある。

しかし、従来の記録方法は、上述の如く、キュリー点以
上に加熱して保磁力をゼロにする必要がある。従って、
キュリー点の高い磁性材料を選ぶと、記録感度が低くな
るという問題点が発生する。

つまり、高強度のレーザービーム光源が必要になり、或
いは記録線速度を低くしなければならない。

換言すれば、従来の記録方法は、記録感度を向上させよ
うとすると、キュリー点の低い磁性材料を選ぶ必要があ
り、そのため、Ｃ／Ｎ比が低下するという問題点があっ
た。

従って、本発明の目的は、Ｃ／Ｎ比を低下させることな
く、記録感度を高くすることにある。

〔課題を解決するための手段〕

そこで、本発明者は、鋭意研究した結果、特殊な２層膜
光磁気記録媒体に着目した。この媒体は、［垂直磁気異
方性を有する磁性薄膜からなる第１層と、垂直磁気異方
性を有し第１層よりキュリー点が高いか又はほぼ等しい
磁性薄膜からなる第２層との少なくとも２層が、互いに
交換結合した状態で積層されており、かつ、室温で第１
外部磁界により第１層の磁化の向きは変えないで第２層
の磁化の向きだけを所定の向きに向けることが可能な光
磁気記録媒体」である。

この媒体は、特開昭６２−１７５９４８号や特開平１２
７７３４９号公報に記載されたオーバーライド可能な多
層光磁気記録媒体の一例として公知である。

この媒体は、交換結合した種々の多層膜媒体のうち、第
１外部磁界Ｈｅ　ｌ又はその他の手段で第１層の磁化の
向きは変えないで第２層の磁化の向きだけを所定の向き
に向けることが室温で可能なものである。

「所定向き」とは、本明細書では、磁性薄膜の膜面に対
して垂直方向であって、かつ上向き又は下向きの一方を
意味する。反対向きとは、他方を意味する。尚、２層膜
媒体の場合には、第１層の磁化の向きと第２層の磁化の
向きが同じ方向のとき安定である（第１層と第２層との
間に磁壁ができない）パラレルタイプ（Ｐタイプ）と、
逆向きのとき安定なアンチパラレルタイプ（Ａタイプ）
の２つのタイプがある。

本発明は、このような媒体を用いる発明であり、次の第
１〜第２の２つの発明からなる。

第１発明（請求項第１項）は、 ステップｌ：　垂直磁気異方性を有する磁性薄膜からな
る第１層と、垂直磁気異方性を有し第１層よりキュリー
点が高いか又はほぼ等しい磁性薄膜からなる第２層との
少なくとも２層が、互いに交換結合した状態で積層され
ており、かつ、室温で第１外部磁界により第１層の磁化
の向きは変えないで第２層の磁化の向きだけを所定の向
きに向けることが可能な光磁気記録媒体であって、現に
、少なくともこれから記録する部分において、第２層の
磁化の向きが所定の向きにあり、かつ第１層と第２層と
の間に磁壁がある状態にある媒体を用意すること；及び ステップ２：　　「第１層のキュリー点ＴＣＩより低く
、かつ、第１層と第２層との間の磁壁を消失させる最も
低い温度ＴＬＳより高いか又は等しい温度」を前記媒体
に与える第１強度レベルと、温度Ｔｔｓより低い温度を
前記媒体に与える第２強度レベルとの間で、記録すべき
情報に従いパルス変調されたレーザービームを、前述の
［これから記録する部分」に照射すること□第１強度レ
ベルのビームが照射された場合には、結果として、第１
層と第２層との間に磁壁のないマークＢ１が形成され、
第２強度レベルのビームが照射された場合には、マーク
Ｂ１か形成されない　　　　・からなる光磁気記録方法
である。

第２発明（請求項第２項）は、 第１発明におけるステップｌ及び２の後に、ステップ３
．　少なくとも記録した部分に、第１外部磁界とは向き
が反対の第２外部磁界を印加することにより、１つのマ
ークＢ１と隣のマークＢ１との間の領域（マークＢ０に
相当）における第１層と第２層との間に存在する磁壁を
消失させること： を付加したものである。

〔作用〕

既述のように、本発明で使用される媒体には、Ｐタイプ
とＡタイプがあるが、Ｐタイプを例にとり、本発明の詳
細な説明する。

Ｐタイプ媒体は、第１層、第２層の磁化の向きが同じと
き安定であり、両層間に磁壁ができない。

この状態を下に示す。これは、磁化の向きが下向きの例
である。

この状態で上向きの第１外部磁界Ｈｓｌを印加すること
により、第１層の磁化の向きは変えないで、第２層の磁
化の向きを上向きにする。つまり、両層の磁化の向きを
両層間に磁壁が生じるように揃えたとする。この状態を
下に示す。

ＨＣ４＝第２層の保磁力 Ｍｓ＋＝第１層の飽和磁気モーメント Ｍｓ□＝第２層の飽和磁気モーメント １＋＝第１層の膜厚 ｔｚ＝第２層の膜厚 σ、＝交換結合力（界面磁壁エネルギー）第１層と第２
層は、保磁力及び交換結合によって、相手方に影響を与
える。保磁力が小さい層の磁化の向きは、大きい層の磁
化の向きに倣う。また、それぞれの層は、交換結合力を
通じて、自分の磁化の向きに対して安定な向きに向けよ
うとする影響力を及ぼす。この影響力は、 （−は磁壁を表す） この状態２は媒体全体に存在しなくともよく、これから
記録しようとする部分にだけ存在していてもよい。

今、ここで、上向きを正、下向きを負とし、下記の略語
を使用する。

）（ｏ、＝第１層の保磁力 で示される。

室温ＴＲで状態２が（準）安定に存在するための条件式
は、２層膜媒体の場合、下記式２〜４で表される。

Ｐタイプ： 両者をまとめると、下記式５になる。

式５： ＨＣ２＞　　　　　　−−一式４ ２Ｍ５＋ｊ２ 他方、第１外部磁界Ｈ２１により第１層の磁化が反転し
ない条件式は、式５−１である。

Ｐタイプ。

σ。

Ｈｃｌ−＞）（、、−式５−１ ２Ｍ５．ｔ Ａタイプ σ。

Ｈｃ＋＋　　　　　　＞Ｈｅ１−　　式５−１２Ｍ５＋
ｔ＋ また、第１外部磁界Ｈｅ　＋により第２層の磁化が反転
する条件式は、式５−２である。

状態２は、式２〜４が満足されれば、室温で比較的安定
（準安定）に存在する。比較的安定と言うのは、磁壁が
ない場合（状態ｌ）に比べると、不安定であるからであ
る。

そして、下記に示すように、第ルベルのレーザービーム
を照射して局部的に加熱すると、第１層のキュリー点Ｔ
。１に至る相当前に、次の条件式が同時に満足される。

満足される最も低い温度で温度をＴＬＳと呼ぶ。

Ｍｓ２ｔｚ 式６・式７から理解されるように、第１層の磁化の向き
は、反転し、第２層に対して安定な向き（ここではＰタ
イプ故にパラレルな向き）に倣い、磁壁が消滅する。こ
の状態が状態３である。

状態３から理解されるように、ビームの照射された部分
は、第１層の磁化の向きは、上向き官となり、「上向き
？マークＢｉが形成される。そのマークには、磁壁（−
）がない。

それに対して、ビームの照射されなかった部分は、第１
層の磁化の向きは、下向き８（マークＢ０に相当する）
のままである。その部分には、磁壁（−）が残っている
。

従って、レーサービームを２値化情報に従い間歇的にト
ラックに照射すれば、情報に従ったマークＢ１がトラッ
クの第１層上に形成され、記録が完了する。

尚、温度ＴＬＳ付近で第４外部磁界Ｈ６４が、を同時に
満足するように作用させると、温度ＴＬＳより低い温度
で、第１層の磁化の向きは、反転し、第２層に対して安
定な向きに倣い、磁壁が消滅するので好ましい。

以上の説明は、Ｐタイプを引用したが、Ａタイプも同様
に説明される。

以上が、第１発明の記録の原理である。この方法によれ
ば、記録（マークＢ１の形成）は第１層のキュリー点Ｔ
。Ｉより相当低い温度ＴＬＳで実行される。それ故、高
いキュリー点の磁性材料を用いても、記録感度は高くな
る。

そこで、第１層からの反射光を用い、カー効果を利用す
れば、情報が再生される。

っており、やや不安定（準安定）である。従って、保存
安定性に不安が残る。また、再生時にＣ／Ｎ比を上げよ
うとして、レーサービームを強くすると、温度がＴＬＳ
に近づく危険かある。仮にＴＬＳになると、上述の如く
、磁壁のあるマーク８は、磁壁のないマーク？に変わり
、そのため記録が消失することになる。

そこで、第１外部磁界とは向きが反対の弱い第２外部磁
界Ｈｅ　ｒを印加することにより、下に示すように、磁
壁のあるマーク８だけを、その第２層の磁化を反転させ
る。

その結果、記録された部分の状態は、状態４に示される
。

ただ、状態３から理解されるように、ビームの照射され
なかった部分には、磁壁（−）が残第２外部磁界ＨＣ２
は、磁壁のないマーク今の第２層の磁化を反転させては
ならないので、式８を満足する弱い磁界である。

式８： 題はない。ただし、第２層のキュリー点Ｔ　Ｃ２以上に
上げてはならない。仮にキュリー点Ｔ　ｃ　２以上に加
熱すると、情報が消えてしまう。第２層のキュリー点Ｔ
。２は、第１層のそれより高いので、第２層にレーザー
ビームを照射して、その反射光から再生する方法を採用
すれば、ビーム強度を高くできるので、Ｃ／Ｎ比を高く
できる。

第１発明に、このＨ，□を印加するステップ３を付加し
たものが第２発明である。ステップ３は、再生する直前
に実行してもよい。

もともとＨｃ＋＞Ｈ（１であるので、式８が満足されれ
ば、ＨｃＩ＞　　Ｈｅ□　か満足されるから、Ｈｃｌか
第１層の磁化を反転させる危険はない。

状態４から理解されるように、情報は第１層、第２層の
両方に残り、しかも、両層の間に磁壁もなく、そのため
、マークはＢ、　、Ｂ、とも安定である。

そのため、再生時にレーザービームを照射することによ
り、磁性薄膜の温度がＴＬＳを越えても問ところで、第
１発明のステップ１では、上述の如き性質又は能力を持
った媒体であって、現に、少なくともこれから記録する
部分において、第１層と第２層との間に磁壁がある状態
にある媒体を用意する。

そこで、次に磁壁の存在する状態にある媒体の調製方法
について具体例をいくつか説明する。

調製方法Ａ Ｐタイプの媒体の場合、先ず、Ｈｃ　ｊ（＞　ＨＣ２）
より大きな外部磁界を室温にて印加して両層の磁化の向
きを所定向きに揃え　　　　この状態では、両層の間に
磁壁はない　　　　　、その後に第１外部磁界Ｈｅ　ｌ
を印加して第２層の磁化の向きだけを反対向きに揃える
ことにより、第１層と第２層との間に磁壁がある状態に
する。　この処理は、媒体全体でもよいし、これから記
録しようとする部分だけでもよい。

調製方法Ｂ： Ａタイプの媒体の場合、ＨＣ，（＞８．２）より大きな
外部磁界を室温にて印加して両層の磁化の向きを所定向
きに揃える。

これだけで両層の間に磁壁が存在する状態が得られる。

この処理は、媒体全体でもよいし、これから記録しよう
とする部分たけてもよい。

調製方法Ｃ・ 前項Ａ、Ｈの方法では、大きな外部磁界を必要とするの
で、媒体全体を加熱して保磁力を低下させた状態で、前
項の方法を実行する。

週製互広旦： 先ず、媒体に対し、反対向きの第３外部磁界Ｈ１３（下
記式を満足するもの） Ｐタイプ： Ａタイプ を室温で印加することにより、第２層の磁化の向きを反
対向きにする。この状態では、両層の間に磁壁のある場
合とない場合があるかもしれないが、いずれか不明であ
るし、磁壁のある（又はない）場所も不明である。

次に「第２層のキュリー点より低く、かつ、第１層と第
２層との間の磁壁を消失させる最も低い温度Ｔ　ＬＳ以
上の温度」を前記媒体に与える第３強度レベルのレーザ
ービームを、変調することなく、前記媒体に照射し、そ
れにより、両層の間に存在したかもしれない磁壁を消失
させる。

そこで、今度は、媒体に対し所定向きの第１外部磁界Ｈ
ａ　ｌを印加することにより、第２層の磁化の向きを所
定向きにする。

そうすると、両層の間に磁壁が生じる。

この処理は、媒体全体に実行してもよいし、これから記
録しようとする部分だけに実行してもよい。

調製方法Ｅ： 変調されないレーザービームを照射するか又は全体を加
熱することにより、媒体の温度を第１層のキュリー点Ｔ
　ｅ　１以上に上げる。そうすると、第１層の磁化は消
失し、第２層の保磁力Ｈｃ　２は相当に小さくなる。こ
こで、第４外部磁界Ｈ６４（特開昭６２−１７５９４８
号や特開平１−２７７３４９号の発明でいう記録磁界Ｈ
ｂに相当）を印加しておくと、Ｈｅ　ｔ＞　Ｈ＝　２に
なるので、第２層の磁化の向きは、Ｈ６４に倣う。この
状態が状態５である。

ここでビームの照射を止めるか又は遠ざけるか、或いは
加熱を止めると、下記に説明する状態８へと変化する。

しかし、ビームの照射又は加熱を続けると、媒体の温度
はやがて第２層のキュリー点Ｔｅ２を越える。そうする
と、第２層の磁化も消失し、状態６になる。

そこで、ビームの照射を止めるか又は遠ざけるか、或い
は加熱を止めると、加熱された部分は自然に冷えて、そ
の部分の温度は室温へと降下する。

媒体温度がキュリー点ＴＣ２より少し下がると、第２層
に磁化が現れる。その向きは、第３外部磁界Ｈ０により
、それと同じ向きとなる。これが状態７である。

更に冷却が進んで、第１層のキュリー点ＴＣＩ以下にな
ると、第１層に磁化が現れる。第１層の磁化の向きは、
第２層からの交換結合力を受けるので、第２層に対して
安定な向きであり、その時の温度でＰタイプであれば、
同じ向きであり、Ａタイプであれば、反対向きとなる。

Ｐタイプの場合、状態８となる。

後述する補償温度Ｔ　＋　ｏ　ｗｈｐ　　が、室温とキ
ュＩＪ−点との間にある磁性薄膜では、これを越えると
ＰタイプはＡタイプになり、ＡタイプはＰタイプに変化
する。

従って、キュリー点から冷える過程で第１層、第２層に
現れた磁化の向きは、更に室温まで冷却される過程で、
反転することがある。

しかしながら、いずれにせよ、室温では両層の間に磁壁
はない。

そこで、最後に所定の向きの第１外部磁界Ｈ８□を媒体
に印加する。そうすると、第２層だけが所定の向きを向
き、両層の間に磁壁が生じる。

これが状態９である。

（□は磁壁） これでステップ１が完了する。尚、以上の説明から理解
されるように、第２層が室温とキュリー点との間に補償
温度Ｔ　Ｈａａ＋ｐ　　を有する場合には、第１外部磁
界Ｈ６１と第４外部磁界Ｈａ　ｌとは同じ向きである。

〔補償組成の説明〕

第１層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ）−重希土類金属
（ｈｅａｖｙ　ｒａｒｅｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合
金組成から選択された場合には、各合金としての外部に
現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原
子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及
び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のス
ピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭの
スピンの向き及び大きさを点線のベクトル′ｉ′で表わ
し、ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、合
金全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル官
で表す。このとき、ベクトル？はベクトル゛ｉ゛とベク
トル↑との和として表わされる。ただし、合金の中では
ＴＭスピンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル
′１゛とベクトル↑とは、向きが必ず逆になっている。

従って１、：、と↑との和或いは↓と′１゛との和は、
両者の強度が等しいとき、合金のベクトルはセロ（つま
り、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。このゼ
ロになるときの合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａ
ｔ　ｉｏｎｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。そ
れ以外の組成のときには、合金は両スピンの強度差に等
しい強度を有し、いずれか大きい方のベクトルの向きに
等しい向きを有するベクトル（？又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる。例えば↑は会とな
り、↑：は８となる。

ある合金組成のＴＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○Ｏリッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、７Ｍリッチな組成とＲ
Ｅリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、媒体全
体としては、種類を次の４象限に分類することができる
。先に述べたＰタイプは■象限と■象限に属するもので
あり、Ａタイプは■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリッチ（第１層） ＴＭリッチ←−−−一士一一一−→ＲＥリッチＴＭリッ
チ（第１層） （縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〉する。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。

そこで、第１層と第２層の両方についてＲＥリッチかＴ
Ｍ’Ｊッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないか
で分けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。

〔補償温度の説明〕

一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリ
ー点（保磁力上口の温度）に達する前に保磁力が一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔｃ、、、、　）と呼ばれる。

補償温度は、７Ｍリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことに第１表 第　１　表　（続き） 〔クラスｌの説明〕 第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・■象限
・タイプ１）に属する媒体Ｎα１を例にとり、本発明の
原理を詳細に説明する。

この媒体Ｎα１は、 ＴＲ＜Ｔｃ−９ｌ＜ＴＬＳ＜ＴＣＩ≦Ｔ　ｃ　２及び　
Ｔ　ｃｏｍｐ、２　　＜Ｔｃ の関係を有する。Ｔ、。４，２は、ＴＬＳよりも高くと
も、等しくとも、低くともよいが、説明を簡単にする目
的から、以下の説明では、 ＴＬＳ＜Ｔゎ。ヵ２２とする。同じく、説明を簡単にす
る目的から、Ｔｃ１くＴｅ２とする。

以上の関係をグラフで示すと、第１図の如くなる。

なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２層のグ
ラフを示す。

この媒体Ｎα１は、式２〜式４を満足し、式５を満足す
る第１外部磁界Ｈ１１により、第１層の磁化はそのまま
にして第２層の磁化だけを所定向き？（↑、）に向ける
ことができる。

ステップｌ　（調製方法Ｄ）： 次式 ％式％ を満足する第３外部磁界Ｈｅ＋により第２層の磁化を反
対向き８（↓−）に向かせる。このとき、°第１層の磁
化の向きは不明であるが、下記状態１０ａ又は１０ｂの
何れかである。

ここで、「第２層のキュリー点ＴＣＩより低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる温度ＴＬＳ以上の温度」を媒
体に与える第３強度レベルのレーザービームを変調する
ことなく（つまり、ＤＣ点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、最初にＴ　ｅ　ｏ□
１を越えたとする。そうすると、媒体はＰタイプからＡ
タイプに変わる。そして、第１層のＲＥ、ＴＭ各ススピ
ン方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転する。そ
の結果、第１層の磁化が反転する（状態１０ａ→状態１
１ａ　、状態１０ｂ→状態１１ｂ）。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがてＴ
Ｌ５に達する。そうすると、 この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ　ｅ　ｏ□２、
以下に冷えると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そ
して、第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関係が
逆転する（Ｔ−！ｔ）。

その結果、第１層の磁化は、反対向き８となる。

これが状態１３である。

の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態１１ａが
状態１２に遷移する。他方、状態１１ｂはもともと安定
な向きであるので、そのままの状態を保ち、状態１２と
同じになる。

この状態１３は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

尚、媒体の温度がＴＬ、に達した後、更に温度が上昇し
て媒体温度が第１層のキュリー点ＴＣＩを越えて温度Ｔ
、（Ｔ、＜ＴＣ□）に達したとする。そうすると、第１
層の磁化は消失し、状態１２−２となこれか状態１２−
４である。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。媒体温度が第１層のキュリー
点ＴＣＩより少し下がると、第１層に磁化か現れる。こ
の磁化の向きは、交換結合力を介して第２層の影響を受
けて、第２層に対して安定な向き（アンチパラレルな向
き）となる。この状態が状態１２−３である。

媒体温度が更に冷えて、Ｔｃｏｔ＋ｂ、ｌ以下になった
とする。そうすると、媒体はＡタイプから元のＰタイプ
に戻る。そして、第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの
大小関係が逆転する（　Ｔニー　！’　）。

その結果、第１層の磁化は、反対向きａとなる。

この状態１２−４は、状態１３と同しである。つまり、
媒体温度か■ＴＬＳをピークとし、そこから降下を始め
て室温に戻っても、或いは■第１層のキュリー点Ｔ。１
以上で第２層のキュリー点ＴＣ２より低い温度Ｔ、をピ
ークとし、そこから降下を始めて室温に戻っても、結局
、同じ状態１３（−状態１２４）に至る。前者■を経る
か後者■を経るかは、媒体の回転数（移動速度）が同じ
であれば、第３レベルの高さに依存する。このことは、
これ以降のクラスの媒体でも同一であり、従って、そこ
の説明では、キュリー点ＴＣＩを越した場合の説明は省
くことにする。

とまれ、こうして、両層の間に磁壁のないことが確実な
状態の媒体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界Ｈｔｌを印
加する。そうすると、例外なく状態１４になる。

転する。その結果、第１層の磁化が反転する。これが状
態１５である。

ステップ２： 「第１層のキュリー点Ｔｃ＋より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度ＴＬＳ以上の温度」を媒体
に与える第１強度レベルと温度ＴＬＳより低い温度を媒
体に与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化
情報に従い変調されたレーザービームを、相対移動して
いる媒体に照射する。

まず、第ルベルのビームが照射された場合を説明する。

照射により媒体温度は上昇しＴ　Ｃ６１１ｐを越える。

そうすると、媒体はＰタイプからＡタイプに変わる。そ
して、第１層のＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆レーザービームの照射が続いて
、媒体温度は、やがてＴＬＳに達する。そうすると、 σＷ の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。これに伴い磁壁が消
失する。これで状態１５が状態１６に遷移する。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴｃ６．．９．
’以下になると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そ
して、第１層のＲＥスピンとＴＭスピンの強度の大小関
係の逆転が起こる（↑：→↑：）。

その結果、第１層の磁化は反転し、所定向き官となる。

これが状態１７である。

状態１７のマークＢ１が形成され、第２レベル（ゼロを
含む）が照射されたときには、状態１４　（マークＢ、
）が残り、情報が記録されたことになる。

第ルベル（マークＢ、）　　第２レベル（マークＢｅ）
この状態１７は、媒体温度が室温まで低下しても保持さ
れる。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明する。

この場合には、媒体温度はＴＬＳに達しないので、磁壁
は消滅しない。従って、ビーム照射により、仮に媒体温
度がＴ、。、２１を越えても、ビーム照射がなくなって
室温に戻れば、状態１４が再現される。

従って、第ルベルが照射されたときには、〔クラス４〕 第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ象限
・タイプ４）に属する媒体Ｎα４を例にとり、本発明の
原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα４は、 Ｔｌｌ　＜ＴＬＳ＜ＴＣＩ≦Ｔｃ！ の関係を満足する。説明を簡単にする目的から、以下の
説明では、ＴＣＩ＜Ｔｅ２とする。この関係をグラフで
示すと、第２図の如くなる。

この媒体Ｎ（Ｌ４は、式２〜式４を満足し、式５を満足
する第１外部磁界Ｈ１１により、第１層の磁化はそのま
まにして第２層の磁化だけを所定向き？（↑二）にする
ことができる。

ステップ１　（調製方法Ａ）。

今、媒体の磁化の向きは不明であるが、の外部磁場を印
加すると、両層の磁化の向きは反対向き↓となる。これ
が状態４０である。

次いで、式５を満足する第１外部磁界Ｈ２１を所定向き
↑に印加すると、第１層の磁化の向きはそのままで、第
２層の磁化のみが所定向き？（↑）となる。これが状態
４１である。

ステップ２： 「第１層のキュリー点ＴＣＩより低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度ＴＬＳ以上の温度」を媒体
に与える第１強度レベルと温度ＴＬＳより低い温度を媒
体に与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化
情報に従い変調されたレーザービームを、相対移動して
いる媒体に照射する。

まず、第ルベルのビームが照射された場合を説明する。

照射により媒体温度は上昇し温度ＴＬＳに達する。そう
すると、 により、媒体温度が多少上昇しても、ビーム照射がなく
なって室温に戻れば、状態４１が再現される。

の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。これに伴い磁壁も消
失する。この状態が状態４２である。

従って、第ルベルが照射されたときには、状態４２のマ
ークＢ１が形成され、第２レベル（セロを含む）が照射
されたときには、状態４１（マークＢｏ）が残り、情報
が記録されたことになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。この状態４２は、媒体温度
が室温まで下がっても、維持されるその結果、第１層に
所定向き嘗のビットが形成される。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明する。

この場合には、媒体温度はＴＬＳに達しないので、磁壁
は消滅しない。従って、ビーム照射第ルベル（マークＢ
、） 第２レベル（マークＢ。） 〔クラス５の説明〕 次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する媒体Ｎα５を例にとり、本発
明の原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα５は、 ＴＲ＜Ｔｅａ＋１ｊｐ、　ｌ＜ＴＬＳ＜ＴＣＩ≦ＴＣ２
の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、Ｔｃ＋くＴｃｚとする。この関係をグラフで示
すと、第３図の如くなる。

この媒体Ｎα５は、式２〜４を満足し、式５を満するＨ
　ｅ　ｌにより、第１層の磁化はそのままにして第２層
の磁化だけを所定向き０（−）に向けることができる。

ステップｌ　（調製方法Ｄ）： 次式： を満足する第３外部磁界Ｈ３，により第２層の磁化を反
対向き８（↓・）に向かせる。このとき、第１層の磁化
の向きは、Ｈ１３の向きに従うことはないので、状態５
０ａ又は５０ｂの何れかである。

ここで、「第２層のキュリー点Ｔｃｚより低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる温度ＴＬＳ以上の温度」を媒
体に与える第３強度レベルのレーザービームを変調する
ことなく　（つまり、ＤＣ点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、最初にＴ２゜ｍｐ、
　ｌを越えたとする。そうすると、媒体はＡタイプから
Ｐタイプに変わる。そして、第１層のＲＥ、ＴＭ各スス
ピン方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転する。

その結果、第１層の磁化が反転する（状態５０ａ→状態
５１ａ　、状態５０ｂ→状態５１ｂ　）。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがてＴ
ＬＳに達する。そうすると、 が状態５３である。

の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向き（パラレル）となる。つまり
状態５１ａが状態５２に遷移する。他方、状態５１ｂは
もともと安定な向きであるので、そのままの状態を保ち
、状態５２と同じになる。

この状態５３は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

その結果、両層の間に磁壁のないことが確実な状態な媒
体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界８　、１を
印加する。そうすると、例外なく状態５４になる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ　Ｃ６゜ｐ１以
下に冷えると、Ｐタイプから元のＡタイプに戻る。そし
て、第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関係が逆
転する（＋へ→↑：）。その結果、第１層の磁化は、所
定向き？となる。これ別！しに元ユ１シ、（調製方法Ｅ
）： 自由な状態の媒体は、室温で下記の４つの状態の何れか
にある。

第ルベルより高い第４レベルのレーザービームを変調す
ることなく（つまり、ＤＣ点灯で）媒体に照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、最初にＴｃ＋＋＋ｎ
ｐ、ｌを越えたとする。そうすると、媒体はＡタイプか
らＰタイプに変わる。そして、第１層のＲＥ、ＴＭ各ス
スピン方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転する
。その結果、第１層の磁化が反転する（状態５５ａ→状
態５６ａ、状態５５ｂ→状態５６ｂ、状態５５ｃ　４状
態５６ｃ、状態５５ｄ　→状態５６ｄ）。

ビームの照射が続き、やがて媒体温度はＴ□に上昇する
。ＴＨは、第２層のキュリー点に近いので、両層の保磁
力は小さくなる。（場合により第１層の保磁力Ｈ６ｌは
ゼロになる。）その結果、媒体は、下記（１）〜（３）
のいずれか１つの関係式％式％ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、Ｈｂ　↑の向きに従う。これが状態５７である。

状態５７の媒体がレーザービームのスポット領域から外
れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度が低下して
Ｔｃ、、□１以下になると、Ｐタイプから元のＡタイプ
に戻る。そして、第１層の７ＭスピンとＲＥスピンの強
度の大小関係が逆転する（、°→↓・）。そのため、第
１層の磁化が反転し、反対向き８の磁化になる（状態５
８）。

そして、やがて媒体の温度は状態５８のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きく、次
式： が満足されるので、第１層の磁化は状態５８のまま安定
に維持される。

その結果、両層の間に磁壁のないことか確実な状態な媒
体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界Ｈｔ　ｌを
印加する。そうすると、例外なく状態５９になる。

ステップ２ 「第１層のキュリー点Ｔｃ１より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度ＴＬＳ以上の温度」を媒体
に与える第１強度レベルと温度ＴＬＳより低い温度を媒
体に与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化
情報に従い変調されたレーザービームを、相対移動して
いる媒体に照射する。

まず、第ルベルのビームが照射された場合を説明する。

照射により媒体温度は上昇しＴ１゜、。

を越える。そうすると、媒体はＰタイプからＡタイプに
変わる。そして、第１層のＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は
変わらないが、強度の大小関係が逆転する。その結果、
第１層の磁化が反転する。これが状態６０である。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがてＴ
ＬＳに達する。そうすると、 この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴｅｅｗ＋ｐ、
１以下になると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そ
して、第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンの強度の大小関
係の逆転が起こる（↑：→↑、）。

その結果、第１層の磁化は反転し、所定向き？となる。

これが状態６２である。

の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態６０が状
態６１に遷移する。

この状態６２は、媒体温度が室温まで低下しても保持さ
れる。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明する。

この場合には、媒体温度はＴＬＳに達しないので、磁壁
は消滅しない。従って、ビーム照射により、仮に媒体温
度がＴｃｏｍｐ、ｌを越えても、ビーム照射がなくなっ
て室温に戻れば、状態５９が再現される。

従って、第ルベルが照射されたときには、状態６２のマ
ークＢ１が形成され、第２レベル（ゼロを含む）が照射
されたときには、状態５９（マークＢ、）が残り、情報
が記録されたことになる。

第ルベル（マークＢ＋）　　第２レベル（マークＢＯ）
〔クラス７の説明〕 次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する媒体Ｎα７を例にとり、本発
明の原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα７は、 ＴＲくＴＬｓくＴ、１≦ＴＣＩ の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明ではＴ。＋　（Ｔ　、　２とする。この関係をグラフ
で示すと、第４図の如くなる。

この媒体Ｎα７は、室温で式２〜式４を満足し、室温で
式５を満足するＨ６１により、第１層の磁化の向きはそ
のままに第２層の磁化の向きを、所定向き？（↑：）に
向けることができる。

ステップ１　（調製方法Ｄ）： 次式。

を満足する第３外部磁界Ｈ１，により第２層の磁化を反
対向き８（畦）に向かせる。このとき、第１層の磁化の
向きは、Ｈｏ、の向きに従うことはないので、状態７０
ａ又は７０ｂの何れかである。

ここで、「第２層のキュリー点ＴＣ１より低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる最も低い温度ＴＬＳ以上の温
度」を媒体に与える第３強度レベルのレーザービームを
変調することなく（つまり、ＤＣ点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、ＴＬＳに達する。そ
うすると、 この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。状態７１は媒体温度が室温ま
で下がっても保持される。

その結果、両層の間に磁壁のないことが確実な状態な媒
体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界Ｈｓｌを印
加する。そうすると、例外なく状態７２になる。

の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向き（パラレル）となる。つまり
状態７０ａが状態７１に遷移する。他方、状態７０ｂは
もともと安定な向きであるので、そのままの状態を保ち
、状態７１と同じになる。

ステップ２： 「第１層のキュリー点Ｔ。１より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度ＴＬＳ以上の温度」を媒体
に与える第１強度レベルとＴＬＳより低い温度を媒体に
与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化情報
に従い変調されたレーザービームを、相対移動している
媒体に照射する。

まず、第ルベルのビームが照射された場合を説明する。

照射により媒体温度は上昇しＴＬＳに達する。そうする
と、 明する。この場合には、媒体温度はＴ’ｔｓに達しない
ので、磁壁は消滅しない。従って、ビーム照射により、
仮に媒体温度が多少上昇しても、ビーム照射がなくなっ
て室温に戻れば、状態７２が再現される。

の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態７２が状
態７３に遷移する。

従って、第ルベルが照射されたときには、状態７３のマ
ークＢ１か形成され、第２レベル（セロを含む）が照射
されたときには、状態７２（マークＢｏ）が残り、情報
が記録されたことになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度が室温まで低下し
ても状態７３は保持される。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説第ルベル
（マークＢ＋）　　第２レベル（マークＢＯ）〔クラス
８の説明〕 次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する媒体ＮαＢを例にとり、本発
明の原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα８は、 Ｔ　Ｂ　＜　Ｔ　Ｌ　Ｓ　＜　Ｔ　ｃ　＋≦ＴＣ２の関
係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説明で
は、Ｔ　（＋　＜　Ｔ　ｅ２とする。　　　また、Ｔ。

。□２は、ＴＬＳ、Ｔｅｌより低くても等しくても高く
ても良いが、説明を簡単にする目的から、以下の説明で
は、Ｔ　Ｌ　Ｓ　＜　Ｔ　ｃ　＋　＜　Ｔ　ｃ　ａ□２
とする。この関係をグラフで示すと、第５図の如くなる
。

この媒体Ｎα８は、室温で式２〜式４を満足し、室温で
式５を満足するＨａｌにより、第１層の磁化の向きはそ
のままに第２層の磁化の向きを、所定向き０（↑ト）に
向けることができる。

ステップ１　（調製方法Ｄ）： 次式８６： ％式％ を満足する第３外部磁界Ｈｓｓにより第２層の磁化を反
対向き８（↓・）に向かせる。このとき、第１層の磁化
の向きは、Ｈ６，の向きに従うことはないので、状態８
０ａ又は８０ｂの何れかである。

ここで、「第２層のキュリー点Ｔｃｔより低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる最も低い温度ＴＬＳ以上の温
度」を媒体に与える第３強度レベルのレーザービームを
変調することなく　（つまり、ＤＣ点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、ＴＬＳに達する。そ
うすると、 σＷ Ｈａｌ＜　　　　　　　　・・・・−・−・−式６％式
％ の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向き（パラレル）となる。つまり
状態８０ａが状態８１に遷移する。他方、状態８０ｂは
もともと安定な向きであるので、そのままの状態を保ち
、状態８１と同じになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。状態８１は媒体温度が室温ま
で下がっても保持される。

その結果、両層の間に磁壁のないことが確実な状態な媒
体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界Ｈ２Ｉを印
加する。そうすると、例外なく状態８２になる。

この状態は、Ｈｌの影響がなくなっても維持され、ステ
ップ１が完了する。

ステップ２： 「第１層のキュリー点ＴＣＩより低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度ＴＬＳ以上の温度」を媒体
に与える第１強度レベルとＴＬＳより低い温度を媒体に
与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化情報
に従い変調されたレーザービームを、相対移動している
媒体に照射する。

まず、第ルベルのビームが照射された場合を説明する。

照射により媒体温度は上昇しＴＬＳに達する。そうする
と、 σＷ の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態８２が状
態８３に遷移する。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度が室温まで低下し
ても状態８３は保持される。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明する。

この場合には、媒体温度はＴＬＳに達しないので、磁壁
は消滅しない。従って、ビーム照射により、仮に媒体温
度が多少上昇しても、ビーム照射がなくなって室温に戻
れば、状態８２が再現される。

従って、第ルベルが照射されたときには、状態８３のマ
ークＢ１が形成され、第２レベル（ゼロを含む）が照射
されたときには、状態８２（マークＢ、）が残り、情報
が記録されたことになる。

第ルベル（マークＢ＋）　　第２レベル（マークＢ。）
以下、参考例及び実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔参考例１　°°゛−”−クラス９の記録媒体の製造３
３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
下記第２表に示すターゲット（ＴｂＦｅＣｏ合金とＴｂ
Ｃｏ合金の２個）をセットする。

厚さ　１．２ｍｍ、直径２００ｍｍのガラス基板を該装
置のチャンバー内にセットする。

該装置のチャンバー内を一旦７　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ
、以下の真空度に排気した後、Ａｒガスを５　Ｘ　１Ｏ
−３Ｔｏｒｒ。

導入する。そして、堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）速度
約２Ａ／秒で、スパッタリングを行なう。

これにより基板上に厚さＬ　＋　＝　４００人、組成が
Ｔｂ２１ＦｅｔｏＣＯｓ　　（添字の数字は原子％・以
下同様）の第１層及びその上に厚さｔ２＝５００人、組
成がのＴｂ２□Ｃ０７３の第２層を形成する。こうして
、クラス９　（Ａタイプ・第■象限・タイプ４）に属す
る媒体に９が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。

第２表 及び式４： この媒体は、式２： ＝　９３３３　０ｅ を満足している。また、この媒体は、 式３： ％式％ を満足する。そのため、第１層の磁化の向きはそのまま
にしておいて、第２層の磁化のみを外部磁界により所定
の向きに室温で向けることができ、向けられた状態は、
外部磁界が取り去られても、維持される。

他方、この媒体は、 σ曹 ＨＣ２＋＝５，００００ｅ Ｍｓ２ｔ２ σ豐 Ｈｃ１４６６６７　０ｅ ２Ｍｓ＋ｔ であるので、第１外部磁界Ｈｅ　ｌを例えば６００００
ｅとすれば、式５が満足される。そうすれば、第１層の
磁化は室温でＨｅ　ｌによって反転されずに、第２層の
磁化のみが反転される。

〔参考例２・・−・・・−・−−−−−一光磁気記録再
生装置〕第６図は、光磁気記録再生装置の斜視概念図で
あり、１は第１外部磁界Ｈｔ＋と第３外部磁界Ｈ０兼用
の磁界（６００００ｅ）印加手段、２は記録用光ヘッド
、３は再生用光ヘッド、５は記録媒体（Ｓ）を回転させ
るためのスピンドルモータ、６は記録媒体（Ｓ）をチャ
ッキングするためのスピンドルヘッドである。

〔実施例１−−一−−・−−一−−−−−−−光磁気記
録〕まず、磁界印加手段１の向きを反対向き↓に配置す
ることにより、記録媒体（Ｓ）の膜面に反対向き↓に６
００００ｅの磁界が印加されるようにセットした。

ステップ１（調製方法Ｄ）・ ディスク型記録媒体（Ｓ）をスピンドルヘッド６にチャ
ッキングし、モータ５で４８００ｒｐｍの速度で回転さ
せた。

記録用光ヘッド２及び再生用光ヘッド３は、何れも半径
ｒ＝３０闘の位置をトラッキングするようにヘッド駆動
系をセットした。

媒体（Ｓ）は、まず、磁界印加手段１の下を通ることに
よりＨａｈ　＝　６００００　ｅ↓の磁界を受け、第２
層の磁化のみが、反対向きとなる。この状態はＨａ　Ｉ
の影響がなくなっても保持される。第１層の磁化の向き
は変わらないので、今、不明である。

しかし、磁化の向きは所定向き？又は反対向き８のいず
れかであるから、今の状態を示すと下記の通りである。

媒体はＡタイプであるから、第１層と第２層の磁化の向
きがパラレルな部分には、磁壁（−）が生じている。

次に記録用光ヘッド２を第１強度レベル＝ｌＯｍＷ（磁
性薄膜面上で）の強度で変調することなく媒体（Ｓ）に
照射した。これにより媒体温度は、１４０℃に上昇し、
式６及び式７が満足される。数値の単位は、Ｏｅである
。

Ｍｓｚｊｚ その結果、磁壁のある部分の第１層の磁化の向きは、第
２層の磁化の向きに対して安定な向き（ここではアンチ
パラレルな向き）へと反転し、同時に磁壁が消える。磁
壁のない部分の第１層の磁化の向きは、もともと第２層
の磁化の向きに対して安定な向き（アンチパラレルな向
き）であるのでそのままである。従って、状態は下記の
通りになる。

ここで、装置の駆動を停止し、磁界印加手段１の向きを
反転させた。そして、装置の駆動を開始した。媒体（Ｓ
）は、まず、磁界印加手段１の下を通ることにより、所
定向きのＨｅ、＝６００００ｅ　↑の磁界を受け、第２
層の磁化のみが、所定向きとなる。この状態はＨａ　ｌ
の影響がなくなっても保持される。従って、媒体（Ｓ）
の磁化の向きは、状態１０２のようになる。

これでステップ１が完了した。

ステップ２ニ ステップｌで使用した装置をそのまま使用した。

媒体（Ｓ）を同じ回転数で回転させながら、記録用光ヘ
ッド２からレーザービームを標準情報（ＩＯＭＨ２）に
従いパルス変調しながら照射した。

ビーム強度は、高レベル時：第１強度レベル＝１０ｍＷ
（磁性薄膜面上で）で、低レベル時：第１強度レベル＝
１ｍＷ（磁性薄膜面上で）とした。低レベル時は、強度
ゼロでもよいが、トラッキング又はフォカシング用に１
ｍＷ点灯した。

この結果、第１強度レベルのビームが照射された部分で
は、磁壁が消滅し、同時に第１層の磁化は反転して反対
向き↑となる。これにより、反対向き↑の磁化を持った
マークＢ、（長さ０，７５μｍ）が０．７５μｍ間隔で
形成された。この状態は状態１０３である。

「−■−７−″Ｂ ステップ３ニ ステップ２が完了した（つまり記録した）媒体の磁化の
状態は、状態１０３で表される。

厘−］−？　−’７　Ｂ 〔参考例３−−−−−−−−−−−−再生〕ステップ２
で使用した装置をそのまま使用した。

媒体（Ｓ）を同じ回転数で回転させながら、再生用光ヘ
ッド３からレーザービームを第１層に照射し、その反射
光から磁気光学的に再生した。ビーム強度は、１ｍＷ（
磁性薄膜面上で）とした。

その結果、ｌＯＭＨｚの標準情報が再生され、そのとき
のＣ／Ｎ比は５４ｄＢであった。

〔実施例２−−−・・・−・・−・・−・・・−・−・
光磁気記録〕ステップｌ： 実施例１と同じ ステップ２： 実施例１と同じ 第７図に示した装置の磁界印加手段１を、磁界の向きが
反対向き↓の第２外部磁界８．２　（２００００ｅ）印
加手段に取り替えた。このＨ６□の大きさは、室温で式
８を満足する。

その上で、ステップ２で記録した媒体（Ｓ）をこの装置
にセットし、同し回転数で回転させた。

その結果、媒体（Ｓ）は、まず、取り替えられた磁界印
加手段の下を通ることによりＨ６□↓を受け、磁壁のあ
る部分の第２層の磁化のみが、反転し同時に磁壁が消失
する。この状態が状態１０４である。

７−“−８ 〔参考例４・−−−−一−・−−−−−−・−・−再生
〕実施例２のステップ２で使用した装置をそのまま使用
した。媒体（Ｓ）を同じ回転数で回転させながら、再生
用光ヘッド３からレーザービームを第２層に照射し、そ
の反射光から磁気光学的に再生した。ビーム強度は、４
ｍＷ（磁性薄膜面上で）とした。

その結果、ＩＯＭＨｚの標準情報が再生され、そのとき
のＣ／Ｎ比は、６０ｄＢであった。参考例３に比ベロｄ
Ｂ高い。

〔参考例５・・−−〜−−−−−−−光磁気記録再生装
置〕第７図は、別の光磁気記録再生装置の斜視概念図で
あり、７は第２外部磁界Ｈ，２印加手段と兼用の第３外
部磁界Ｈａ　ｌ印加手段（電磁石）であり、４は、光ヘ
ッドである。手段７は強度を高めることで第３外部磁界
Ｈ２，印加手段となり、これと光ヘッド４により、　ス
テップｌ（調製方法Ｄ）が実行される。また、強度を弱
めることで手段７は第２外部磁界Ｈｅ２印加手段となり
、それにより第３ステツプが可能となる。この場合、光
ヘッド４を再生用に使用し再生用光ヘッド３を省いても
よい。

１は第１外部磁界Ｈｅ　ｌ印加手段（電磁石）であり、
手段７とは磁界の向きが反対である。残りの２〜６は、
参考例２の符号と同一の部材を指す。

つまり、この装置は、部材を機械的に移動させることな
く、電気的に制御するだけで、ステップ１〜３が実行可
能である。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、記録はキュリー点（実施
例ではＴ　、　、　＝　２３０℃）より低い温度（実施
例では１４０°Ｃ）で可能であり、従って、記録感度が
高くなる。

そのため、高いキュリー点の磁性材料を選択することに
より、再生時のＣ／Ｎ比を向上させることが可能となる
。

特にステップ３を含む本発明の記録方法では、■磁壁の
ない記録状態（例えば、状態１０４）が得られるので、
保存安定性が高まり、また、■記録時の高レベル（第１
強度レベル）に近い強度のレーザービームを用いて再生
することができるので、Ｃ／Ｎ比を向上させることが可
能となる。また、記録再生兼用の装置では、第２強度レ
ベルをゼロとすると、レーサーダイオード（−船釣光源
）に要求されるダイナミックレンジは、最も高い第１強
度レベルと最も低い再生時のレベルとの差になるが、市
販のレーサーダイオードは、ダイナミックレンジが小さ
いところ、ステップ３を含む本発明の記録方法では、ダ
イナミックレンジを小さくすることができるところから
、レーザーダイオードの入手が容易になるという利点も
ある。

【図面の簡単な説明】

第１〜５図は、第１層（細線で示すグラフ）、第２層（
太線で示すグラフ）の各保磁力の温度依存性を示すグラ
フである。 第６図は、参考例２の光磁気記録再生装置の斜視概念図
である。 第７図は、参考例５の光磁気記録再生装置の斜視概念図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 第１外部磁界Ｈ、ｌと第３外部磁界Ｈ２３兼用の磁界印
加手段（参考例２）又は 第１外部磁界Ｈｅ　ｌ印加手段（電磁石：参考例５） 記録用光ヘッド 再生用光ヘッド 光ヘッド モータ（媒体の回転手段） スピンドルヘッド 第２外部磁界Ｈ０２と第３外部磁界Ｈｅｓ兼用の磁界印
加手段（電磁石） 保磁力 イ呆戊力 ■ Ｌ５Ｔ ＣＩＴＣ２ Ｔよ。。 Ｔ９゜、ｎ、２ 第１図 第？図 第５図 保磁力 Ｒ Ｌ Ｔ　ｅｌｌｆｆｉｌｌ Ｔ。 ｃ Ｃ２ 第５図 保磁力 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　￥ステップ１￥：垂直磁気異方性を有る磁性薄膜か
   らなる第１層と、垂直磁気異方性を有し第１層よりキュ
   リー点が高いか又はほぼ等しい磁性薄膜からなる第２層
   との少なくとも２層が、互いに交換結合した状態で積層
   されており、かつ、室温で第１外部磁界により第１層の
   磁化の向きは変えないで第２層の磁化の向きだけを所定
   の向きに向けることが可能な光磁気記録媒体であって、 現に、少なくともこれから記録する部分において、第２
   層の磁化の向きが所定の向きにあり、かつ第１層と第２
   層との間に磁壁がある状態にある媒体を用意すること；
   及び ￥ステップ２￥：「第１層のキュリー点Ｔ＿ｃ＿１より
   低く、かつ、第１層と第２層との間の磁壁を消失させる
   最も低い温度Ｔ＿Ｌ＿Ｓより高いか又は等しい温度」を
   前記媒体に与える第１強度レベルと、温度Ｔ＿Ｌ＿Ｓよ
   り低い温度を前記媒体に与える第２強度レベルとの間で
   、記録すべき情報に従いパルス変調されたレーザービー
   ムを、前述の「これから記録する部分」に照射すること −第１強度レベルのビームが照射された場 合には、結果として、第１層と第２層との間に磁壁のな
   いマークＢ＿１が形成され、第２強度レベルのビームが
   照射された場合には、マークＢ＿１が形成されない−； からなる光磁気記録方法。 ２　請求項第１項記載の方法の後に、 ￥ステップ３￥：少なくとも記録した部分に、第１外部
   磁界の所定の向きとは反対向きの第２外部磁界を印加す
   ることにより、１つのマークＢ＿１と隣のマークＢ＿１
   との間の領域における第１層と第２層との間に存在する
   磁壁を消失させること；を付加したことを特徴とする光
   磁気記録方法。