JP2900535B2 - 記録感度の高い光磁気記録方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録感度の高い光磁気記録方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高
い記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学
的記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置
及び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生
方法は、情報を記録した後、消去することができ、消去
した後、再び新たな情報を記録することが繰り返し可能
であるというユニークな利点のために、最も大きな魅力
に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記
録層として垂直磁気異方性を有する磁性薄膜を用いるも
のである。磁性薄膜は、代表的には、非晶質の重希土類
−遷移金属合金からなる。具体的な合金例としては、Gd
FeやGdCo、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどが挙げられ
る。

記録層は、一般に同心円状又はらせん状の溝又は突条
からなるトラックを有しており、このトラック上に情報
が記録される。

記録すべき情報は、予め２値化されており、情報は、
磁化の向きが上向きの小さな磁区（ビット、ビット又は
マークと呼ばれる）と磁化の向きが下向きの小さな磁区
の２つで表現される。ここでは、最近の例にならって前
者をマークB₁と呼び、後者をマークB₀と呼ぶことにす
る。これらのマークB₁，B₀は、デジタル信号の0,1の何
れか一方と他方にそれぞれ相当する。

一般に、記録層の磁化の向きは、媒体製造後つまり記
録前に、強力な外部磁場を印加することによって上向き
又は下向きに揃えられる。この処理を初期化（initiali
ze）と呼ぶ。

初期化する理由は、磁性薄膜は、成膜状態では、磁
化の向きが不揃いであることと、実際の記録では、ビ
ットを形成するときに必要な記録磁界Hbの向きを高速で
変える（変調する）ことは実際困難であるから、専ら、
一方のマーク（マークB₁）だけを情報に従い作成したい
からである。

記録前に、記録層の磁化の向きを全体に上向き又は下
向きの一方（マークB₀の向きに相当）に揃えておき、そ
の上で反対の向きの磁化を有するマークB₁を２値化情報
に従い間欠的に形成するのである。

情報は、このマークB₁の有無及び／又はマーク長によ
って表現される。これが実際の記録方法である。

マークの形成は、直径１ミクロン程度に小さく絞った
レーザービームと記録磁界Hbを用いて行われる。つま
り、レーザービームを照射することにより、磁性薄膜の
その部分をキュリー点以上に加熱して保磁力をゼロにす
る。その上でレーザービームの照射を止めるか又はビー
ムから遠ざけると、照射された部分の温度は自然に冷え
て行く。キュリー点以下に冷えると、その部分に保磁力
が再び現れる。そのとき記録磁界Hbが存在すると、磁化
の向きは、Hbの向きに倣う。こうして、Hbの向きと同じ
向きの磁化を持ったマークB₁が形成される。

形成されたマークB₁は、磁気光学効果（カー効果又は
ファラデー効果）を利用して検出され、それにより記録
された情報が再生される。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、C/N比は、θｋと再生時に照射するレ
ーザービームの強度に対し、正の相関関係がある。そこ
で、C/N比を高くするためには、θｋの大きい磁性材
料を選ぶ必要があり、そうすると、θｋの大きい磁性材
料は、例外なくキュリー点が高い。また、C/N比を高く
するためには、再生時にレーザービームの強度を高く
すると、記録層の温度がキュリー点を越えてしまい、そ
の結果、情報が消失してしまうので、なるべくキュリー
点の高い磁性材料を選ぶ必要がある。

しかし、従来の記録方法は、上述の如く、キュリー点
以上に加熱して保磁力をゼロにする必要がある。従っ
て、キュリー点の高い磁性材料を選ぶと、記録感度が低
くなるという問題点が発生する。つまり、高強度のレー
ザービーム光源が必要になり、或いは記録線速度を低く
しなければならない。

換言すれば、従来の記録方法は、記録感度を向上させ
ようとすると、キュリー点の低い磁性材料を選ぶ必要が
あり、そのため、C/N比が低下するという問題点があっ
た。

従って、本発明の目的は、C/N比を低下させることな
く、記録感度を高くすることにある。

〔課題を解決するための手段〕

そこで、本発明者は、鋭意研究した結果、特殊な２層
膜光磁気記録媒体に着目した。この媒体は、「垂直磁気
異方性を有する磁性薄膜からなる第１層と、垂直磁気異
方性を有し第１層よりキュリー点が高いか又はほぼ等し
い磁性薄膜からなる第２層との少なくとも２層が、互い
に交換結合した状態で積層されており、かつ、室温で第
１外部磁界により第１層の磁化の向きは変えないで第２
層の磁化の向きだけを所定の向きに向けることが可能な
光磁気記録媒体」である。

この媒体は、特開昭62−175948号や特開平１−277349
号公報に記載されたオーバーライト可能な多層光磁気記
録媒体の一例として公知である。

この媒体は、交換結合した種々の多層膜媒体のうち、
第１外部磁界H_e1又はその他の手段で第１層の磁化の向
きは変えないで第２層の磁化の向きだけを所定の向きに
向けることが室温でも可能なものである。

「所定向き」とは、本明細書では、磁性薄膜の膜面に
対して垂直方向であって、かつ上向き又は下向きの一方
を意味する。反対向きとは、他方を意味する。尚、２層
膜媒体の場合には、第１層の磁化の向きと第２層の磁化
の向きが同じ方向のとき安定である（第１層と第２層と
の間に磁壁ができない）パラレルタイプ（Ｐタイプ）
と、逆向きのとき安定なアンチパラレルタイプ（Ａタイ
プ）の２つのタイプがある。

本発明は、このような媒体を用いる発明であり、次の
第１〜第２の２つの発明からなる。

第１発明（請求項第１項）は、 ステップ1:垂直磁気異方性を有する磁性薄膜からなる第
１層と、垂直磁気異方性を有し第１層よりキュリー点が
高いか又はほぼ等しい磁性薄膜からなる第２層との少な
くとも２層が、互いに交換結合した状態で積層されてお
り、かつ、室温で第１外部磁界により第１層の磁化の向
きは変えないで第２層の磁化の向きだけを所定の向きに
向けることが可能な光磁気記録媒体であって、 現に、少なくともこれから記録される部分において、
第２層の磁化の向きが所定の向きにあり、かつ第１層と
第２層との間に磁壁がある状態にある媒体を用意するこ
と；及び ステップ2:「第１層のキュリー点T_c1より低く、かつ、
第１層と第２層との間の磁壁を消失させる最も低い温度
T_LSより高いか又は等しい温度」を前記媒体に与える第
１強度レベルと、温度T_LSより低い温度を前記媒体に与
える第２強度レベルとの間で、記録すべき情報に従いパ
ルス変調されたレーザービームを、前述の「これから記
録する部分」に照射すること−第１強度レベルのビーム
が照射された場合には、結果として、第１層と第２層と
の間に磁壁のないマークB₁が形成され、第２強度レベル
のビームが照射された場合には、マークB₁が形成されな
い−；からなる光磁気記録方法である。

第２発明（請求項第２項）は、 第１発明におけるステップ１及び２の後に、 ステップ3:少なくとも記録した部分に、第１外部磁界と
は向きが反対の第２外部磁界を印加することにより、１
つのマークB₁と隣のマークB₁との間の領域（マークB₀に
相当）における第１層と第２層との間に存在する磁壁を
消失させること； を付加したものである。

〔作用〕

既述のように、本発明で使用される媒体には、Ｐタイ
プとＡタイプがあるが、Ｐタイプを例にとり、本発明の
原理を説明する。

Ｐタイプ媒体は、第１層、第２層の磁化の向きが同じ
とき安定であり、両層間に磁壁ができない。この状態を
下に示す。これは、磁化の向きが下向きの例である。

この状態で上向きの第１外部磁界H_e1を印加すること
により、第１層の磁化の向きは変えないで、第２層の磁
化の向きを上向きにする。つまり、両層の磁化の向きを
両層間に磁壁が生じるように揃えたとする。この状態を
下に示す。

この状態２は媒体全体に存在しなくともよく、これか
ら記録しようとする部分にだけ存在していてもよい。

今、ここで、上向きを正、下向きを負とし、下記の略
語を使用する。

H_C1＝第１層の保磁力 H_C2＝第２層の保磁力 M_S1＝第１層の飽和磁気モーメント M_S2＝第２層の飽和磁気モーメント t₁＝第１層の膜厚 t₂＝第２層の膜厚 σ_W＝交換結合力（界面磁壁エネルギー） 第１層と第２層は、保磁力及び交換結合によって、相
手方に影響を与える。保磁力が小さい層の磁化の向き
は、大きい層の磁化の向きに倣う。また、それぞれの層
は、交換結合力を通じて、自分の磁化の向きに対して安
定な向きに向けようとする影響力を及ぼす。この影響力
は、 で示される。

室温T_Rで状態２が（準）安定に存在するための条件式
は、２層膜媒体の場合、下記式２〜４で表される。

他方、第１外部磁界H_e1により第１層の磁化が反転し
ない条件式は、式５−１である。

また、第１外部磁界H_e1により第２層の磁化が反転す
る条件式は、式５−２である。

両者をまとめると、下記式５になる。

式5: 状態２は、式２〜４が満足されれば、室温で比較的安
定（準安定）に存在する。比較的安定と言うのは、磁壁
がない場合（状態１）に比べると、不安定であるからで
ある。

そして、下記に示すように、第１レベルの レーザービームを照射して局部的に加熱すると、第１層
のキュリー点T_C1に至る相当前に、次の条件式が同時に
満足される。満足される最も低い温度で温度をT_LSと呼
ぶ。

式６・式７から理解されるように、第１層の磁化の向
きは、反転し、第２層に対して安定な向き（ここではＰ
タイプ故にパラレルな向き）に倣い、磁壁が消滅する。
この状態が状態３である。

状態３から理解されるように、ビームの照射された部
分は、第１層の磁化の向きは、上向きとなり、「上向
きマークB₁」が形成される。そのマークには、磁壁 がない。

それに対して、ビームの照射されなかった部分は、第
１層の磁化の向きは、下向き（マークB₀に相当する）
のままである。その部分には、磁壁 が残っている。

従って、レーザービームを２値化情報に従い間歇的に
トラックに照射すれば、情報に従ったマークB₁がトラッ
クの第１層上に形成され、記録が完了する。

尚、温度T_LS付近で第４外部磁界H_e4が、 を同時に満足するように作用させると、温度T_LSより低
い温度で、第１層の磁化の向きは、反転し、第２層に対
して安定な向きに倣い、磁壁が消滅するので好ましい。

以上の説明は、Ｐタイプを引用したが、Ａタイプも同
様に説明される。

以上が、第１発明の記録の原理である。この方法によ
れば、記録（マークB₁の形成）は第１層のキュリー点T
_C1より相当低い温度T_LSで実行される。それ故、高いキ
ュリー点の磁性材料を用いても、記録感度は高くなる。

そこで、第１層からの反射光を用い、カー効果を利用
すれば、情報が再生される。

ただ、状態３から理解されるように、ビームの照射さ
れなかった部分には、磁壁 が残っており、やや不安定（準安定）である。従って、
保存安定性に不安が残る。また、再生時にC/N比を上げ
ようとして、レーザービームを強くすると、温度がT_LS
に近づく危険がある。仮にT_LSになると、上述の如く、
磁壁のあるマークは、磁壁のないマークに変わり、
そのため記録が消失することになる。

そこで、第１外部磁界とは向きが反対の弱い第２外部
磁界H_e2を印加することにより、下に示すように、磁壁
のあるマークだけを、その第２層の磁化を反転させ
る。

その結果、記録された部分の状態は、状態４に示され
る。

第２外部磁界H_e2は、磁壁のないマークの第２層の
磁化を反転させてはならないので、式８を満足する弱い
磁界である。

式8: もともとH_C1＞H_C2であるので、式８が満足されれば、
H_C1＞｜H_e2｜が満足されるから、H_e2が第１層の磁化を
反転させる危険はない。

状態４から理解されるように、情報は第１層、第２層
の両方に残り、しかも、両層の間に磁壁もなく、そのた
め、マークはB₀、B₁とも安定である。

そのため、再生時にレーザービームを照射することに
より、磁性薄膜の温度がT_LSを越えても問題はない。た
だし、第２層のキュリー点T_C2以上に上げてはならな
い。仮にキュリー点T_C2以上に加熱すると、情報が消え
てしまう。第２層のキュリー点T_C2は、第１層のそれよ
り高いので、第２層にレーザービームを照射して、その
反射光から再生する方法を採用すれば、ビーム強度を高
くできるので、C/N比を高くできる。

第１発明に、このH_e2を印加するステップ３を付加し
たものが第２発明である。ステップ３は、再生する直前
に実行してもよい。

ところで、第１発明のステップ１では、上述の如き性
質又は能力を持った媒体であって、現に、少なくともこ
れらから記録する部分において、第１層と第２層との間
に磁壁がある状態にある媒体を用意する。

そこで、次に磁壁の存在する状態にある媒体の調製方
法について具体例をいくつか説明する。

調製方法A: Ｐタイプの媒体の場合、先ず、H_C1（＞H_C2）より大き
な外部磁界を室温にて印加して両層の磁化の向きを所定
向きに揃え−この状態では、両層の間に磁壁はない−、
その後に第１外部磁界H_e1を印加して第２層の磁化の向
きだけを反対向きに揃えることにより、第１層と第２層
との間に磁壁がある状態にする。この処理は、媒体全体
でもよいし、これから記録しようとする部分だけでもよ
い。

調製方法B: Ｐタイプの媒体の場合、H_C1（＞H_C2）より大きな外部
磁界を室温にて印加して両層の磁化の向きを所定向きに
揃える。

これだけで両層の間に磁壁が存在する状態が得られ
る。

この処理は、媒体全体でもよいし、これから記録しよ
うとする部分だけでもよい。

調製方法C: 前項Ａ、Ｂの方法では、大きな外部磁界を必要とする
ので、媒体全体を加熱して保磁力を低下させた状態で、
前項の方法を実行する。

調製方法D: 先ず、媒体に対し、反対向きの第３外部磁界H_e3（下
記式を満足するもの） を室温で印加することにより、第２層の磁化の向きを反
対向きにする。この状態では、両層の間に磁壁のある場
合とない場合があるかもしれないが、いずれか不明であ
るし、磁壁のある（又はない）場所も不明である。

次に「第２層のキュリー点より低く、かつ、第１層と
第２層との間の磁壁を消失させる最も低い温度T_LS以上
の温度」を前記媒体に与える第３強度レベルのレーザー
ビームを、変調することなく、前記媒体に照射し、それ
により、両層の間に存在したかもしれない磁壁を消失さ
せる。

そこで、今度は、媒体に対し所定向きの第１外部磁界
H_e1を印加することにより、第２層の磁化の向きを所定
向きにする。

そうすると、両層の間に磁壁が生じる。

この処理は、媒体全体に実行してもよいし、これから
記録しようとする部分だけに実行してもよい。

調製方法E: 変調されないレーザービームを照射するか又は全体を
加熱するこにより、媒体の温度を第１層のキュリー点T
_C1以上に上げる。そうすると、第１層の磁化は消失し、
第２層の保磁力H_e2は相当に小さくなる。ここで、第４
外部磁界H_e4（特開昭62−175948号や特開平１−277349
号の発明でいう記録磁界Hbに相当）を印加しておくと、
H_e4＞H_c2になるので、第２層の磁化の向きは、H_e4に倣
う。この状態が状態５である。

ここでビームの照射を止めるか又は遠ざけるか、或い
は加熱を止めると、下記に説明する状態８へと変化す
る。しかし、ビームの照射又は加熱を続けると、媒体の
温度はやがて第２層のキュリー点T_C2を越える。そうす
ると、第２層の磁化も消失し、状態６になる。

そこで、ビームの照射を止めるか又は遠ざけるか、或
いは加熱を止めると、加熱された部分は自然に冷えて、
その部分の温度は室温へと降下する。

媒体温度がキュリー点T_C2より少し下がると、第２層
に磁化が現れる。その向きは、第３外部磁界H_e4によ
り、それと同じ向きとなる。これが状態７である。

更に冷却が進んで、第１層のキュリー点T_C1以下にな
ると、第１層に磁化が現れる。第１層の磁化の向きは、
第２層からの交換結合力を受けるので、第２層に対して
安定な向きであり、その時の温度でＰタイプであれば、
同じ向きであり、Ａタイプであれば、反対向きとなる。
Ｐタイプの場合、状態８となる。

後述する補償温度T_comp.が、室温とキュリー点との間
にある磁性薄膜では、これを越えるとＰタイプはＡタイ
プになり、ＡタイプはＰタイプに変化する。

従って、キュリー点から冷える過程で第１層、第２層
に現れた磁化の向きは、更に室温まで冷却される過程
で、反転することがある。

しかしながら、いずれにせよ、室温では両層の間に磁
壁はない。

そこで、最後に所定の向きの第１外部磁界H_e1を媒体
に印加する。そうすると、第２層だけが所定の向きを向
き、両層の間に磁壁が生じる。これが状態９である。

これでステップ１が完了する。尚、以上の説明から理
解されるように、第２層が室温とキュリー点との間に補
償温度T_comp.を有する場合には、第１外部磁界H_e1と第
４外部磁界H_e4とは同じ向きである。

〔補償組成の説明〕

第１層と第２層の双方とも、遷移金属（transition m
etal）−重希土類金属（heavy rareearth metal）合金
組成から選択された場合には、各合金としての外部に現
れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原子
（以下、TMと略す）のスピン（spin）の向き及び大きさ
と重希土類金属原子（以下、REと略す）のスピンの向き
及び大きさとの関係で決まる。例えばTMのスピンの向き
及び大きさを点線のベクトルで表わし、REのスピンの
それを実線のベクトル↑で表し、合金全体の磁化の向き
及び大きさを二重実線のベクトルで表す。このとき、
ベクトルはベクトルとベクトル↑との和として表わ
される。ただし、合金の中ではTMスピンとREスピンとの
相互作用のためにベクトルとベクトル↑とは、向きが
必ず逆になっている。従って、と↑との和或いは↓と
との和は、両者の強度が等しいとき、合金のベクトル
はゼロ（つまり、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）に
なる。このゼロになるときの合金組成は補償組成（comp
ensation composition）と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有
し、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを
有するベクトル（又は）を有する。このベクトルの
磁化が外部に現れる。例えば はとなり、 はとなる。

ある合金組成のTMスピンとREスピンの各ベクトルの強
度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、強
度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばREリ
ッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、TMリッチな組成とRE
リッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第１
層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、媒体全体
としては、種類を次の４象限に分類することができる。
先に述べたＰタイプはＩ象限とIII象限に属するもので
あり、ＡタイプはII象限とIV象限に属するものである。

〔補償温度の説明〕 一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュ
リー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦
無限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組
成がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度
（T_comp.）と呼ばれる。補償温度は、TMリッチの合金組
成においては、室温からキュリー点の間には存在しな
い。室温より下にある補償温度は、光磁気記録において
は無意味であるので、この明細書で補償温度とは室温か
らキュリー点の間に存在するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類する
と、媒体は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体
は、４つ全部のタイプが含まれる。

そこで、第１層と第２層の両方についてREリッチかTM
リッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないかで分
けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。

〔クラスＩの説明〕 第１表に示したクラスＩの記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ象
限・タイプ１）に属する媒体No.1を例にとり、本発明の
原理を詳細に説明する。

この媒体No.1は、 及びT_comp.2＜T_C1 の関係を有する。T_comp.2は、T_LSよりも高くとも、等し
くとも、低くともよいが、説明を簡単にする目的から、
以下の説明では、 T_LS＜T_comp.2とする。同じく、説明を簡単にする目的か
ら、T_C1＜T_C2とする。

以上の関係をグラフで示すと、第１図の如くなる。な
お、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２層のグラ
フを示す。

この媒体No.1は、式２〜式４を満足し、式５を満足す
る第１外部磁界H_e1により、第１層の磁化はそのままに
して第２層の磁化だけを所定向き に向けることができる。

ステップＩ（調製方法Ｄ）： 次式： を満足する第３外部磁界H_e3により第２層の磁化を反対
向き に向かせる。このとき、第１層の磁化の向きは不明であ
るが、下記状態10a又は10bの何れかである。

ここで、「第２層のキュリー点T_C2より低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる温度T_LS以上の温度」を媒体
に与える第３強度レベルのレーザービームを変調するこ
となく（つまり、DC点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、最初にT_comp.1を
越えたとする。そうすると、媒体はＰタイプからＡタイ
プに変わる。そして、第１層のRE、TM各スピンの方向は
変わらないが、強度の大小関係が逆転する。その結果、
第１層の磁化が反転する（状態10a→状態11a、状態10b
→状態11b）。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがて
T_LSに達する。そうすると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態11aが状
態12に遷移する。他方、状態11bはもともと安定な向き
であるので、そのままの状態を保ち、状態12と同じにな
る。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_comp.1以下に
冷えると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そして、
第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆転する その結果、第１層の磁化は、反対向きとなる。これが
状態13である。

この状態13は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

尚、媒体の温度がT_LSに達した後、更に温度が上昇し
て媒体温度が第１層のキュリー点T_C1を越えて温度T_P（T
_P＜T_C2）に達したとする。そうすると、第１層の磁化は
消失し、状態12−２となる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。媒体温度が第１層のキュリ
ー点T_C1より少し下がると、第１層に磁化が現れる。こ
の磁化の向きは、交換結合力を介して第２層の影響を受
けて、第２層に対して安定な向き（アンチパラレルな向
き）となる。この状態が状態12−３である。

媒体温度が更に冷えて、T_comp.1以下になったとす
る。そうすると、媒体はＡタイプから元のＰタイプに戻
る。そして、第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係
が逆転する その結果、第１層の磁化は、反対向きとなる。

これが状態12−４である。

この状態12−４は、状態13と同じである。つまり、媒
体温度がT_LSをピークとし、そこから降下を始めて室
温に戻っても、或いは第１層のキュリー点T_C1以上で
第２層のキュリー点T_C2より低い温度T_Pをピークとし、
そこから降下を始めて室温に戻っても、結局、同じ状態
13（＝状態12−４）に至る。前者を経るか後者を経
るかは、媒体の回転数（移動速度）が同じであれば、第
３レベルの高さに依存する。このことは、これ以降のク
ラスの媒体でも同一であり、従って、そこの説明では、
キュリー点T_C1を越した場合の説明は省くことにする。

とまれ、こうして、両層の間に磁壁のないことが確実
な状態の媒体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界H_e1を印
加する。そうすると、例外なく状態14になる。

これでステップ１が完了する。

ステップ2: 「第１層のキュリー点T_C1より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度T_LS以上の温度」を媒体に
与える第１強度レベルと温度T_LSより低い温度を媒体に
与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化情報
に従い変調されたレーザービームを、相対移動している
媒体に照射する。

まず、第１レベルのビームが照射された場合を説明す
る。照射により媒体温度は上昇しT_comp.1を越える。そ
うすると、媒体はＰタイプからＡタイプに変わる。そし
て、第１層のRE、TM各スピンの方向は変わらないが、強
度の大小関係が逆転する。その結果、第１層の磁化が反
転する。これが状態15である。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがて
T_LSに達する。そうすると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。これに伴い磁壁が消
失する。これで状態15が状態16に遷移する。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_comp.1以下
になると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そして、
第１層のREスピンとTMスピンの強度の大小関係の逆転が
起こる その結果、第１層の磁化は反転し、所定向きとなる。
これが状態17である。

この状態17は、媒体温度が室温まで低下しても保持さ
れる。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明す
る。この場合には、媒体温度はT_LSに達しないので、磁
壁は消滅しない。従って、ビーム照射により、仮に媒体
温度がT_comp.1を越えても、ビーム照射がなくなって室
温に戻れば、状態14が再現される。

従って、第１レベルが照射されたときには、状態17の
マークB₁が形成され、第２レベル（ゼロを含む）が照射
されたときには、状態14（マークB₀）が残り、情報が記
録されたことになる。

〔クラス４〕 第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ象
限・タイプ４）に属する媒体No.4を例にとり、本発明の
原理について詳細に説明する。

−この媒体NO.4は、 の関係を満足する。説明を簡単にする目的から、以下の
説明では、T_C1＜T_c2とする。この関係をグラフで示す
と、第２図の如くなる。

この媒体No.4は、式２〜式４を満足し、式５を満足す
る第１外部磁界H_e1により、第１層の磁化はそのままに
して第２層の磁化だけを所定向き にすることができる。

ステップ１（調製方法Ａ）： 今、媒体の磁化の向きは不明であるが、 より大きな反対向き↓の外部磁場を印加すると、両層の
磁化の向きは反対向き↓となる。これが状態40である。

次いで、式５を満足する第１外部磁界H_e1を所定向き
↑に印加すると、第１層の磁化の向きはそのままで、第
２層の磁化のみが所定向き となる。これが状態41である。

これでステップ１は完了である。

ステップ2: 「第１層のキュリー点T_C1より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度T_LS以上の温度」を媒体に
与える第１強度レベルと温度T_LSより低い温度を媒体に
与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化情報
に従い変調されたレーザービームを、相対移動している
媒体に照射する。

まず、第１レベルのビームが照射された場合を説明す
る。照射により媒体温度は上昇し温度T_LSに達する。そ
うすると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。これに伴い磁壁も消
失する。この状態が状態42である。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。この状態42は、媒体温度
が室温まで下がっても、維持される その結果、第１層に所定向きのビットが形成され
る。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明す
る。この場合には、媒体温度はT_LSに達しないので、磁
壁は消滅しない。従って、ビーム照射により媒体温度が
多少上昇しても、ビーム照射がなくなって室温に戻れ
ば、状態41が再現される。

従って、第１レベルが照射されたときには、状態42の
マークB₁が形成され、第２レベル（ゼロを含む）が照射
されたときには、状態41（マークB₀）が残り、情報が記
録されたことになる。

〔クラス５の説明〕 次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・
II象限・タイプ３）に属する媒体No.5を例にとり、本発
明の原理について詳細に説明する。

−この媒体No.5は、 の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、T_C1＜T_c2とする。この関係をグラフで示すと、
第３図の如くなる。

この媒体No.5は、式２〜４を満足し、式５を満するH
_e1により、第１層の磁化はそのままにして第２層の磁化
だけを所定向き に向けることができる。

ステップ１（調製方法Ｄ）： 次式： を満足する第３外部磁界H_e3により第２層の磁化を反対
向き に向かせる。このとき、第１層の磁化の向きは、H_e3の
向きに従うことはないので、状態50a又は50bの何れかで
ある。

ここで、「第２層のキュリー点T_C2より低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる温度T_LS以上の温度」を媒体
に与える第３強度レベルのレーザービームを変調するこ
となく（つまり、DC点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、最初にT_comp.1を
越えたとする。そうすると、媒体はＡタイプからＰタイ
プに変わる。そして、第１層のRE、TM各スピンの方向は
変わらないが、強度の大小関係が逆転する。その結果、
第１層の磁化が反転する（状態50a→状態51a、状態50b
→状態51b）。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがて
T_LSに達する。そうすると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向き（パラレル）となる。つまり
状態51aが状態52に遷移する。他方、状態51bはもともと
安定な向きであるので、そのままの状態を保ち、状態52
と同じになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_comp.1以下に
冷えると、Ｐタイプから元のＡタイプに戻る。そして、
第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆転する その結果、第１層の磁化は、所定向きとなる。これが
状態53である。

この状態53は媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

その結果、両層の間に磁壁のないことが確実な状態な
媒体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界H_e1を印
加する。そうすると、例外なく状態54になる。

これでステップ１が完了する。

別のステップ１（調製方法Ｅ）： 自由な状態の媒体は、室温で下記の４つの状態の何れ
かにある。

第１レベルより高い第４レベルのレーザービームを変
調することなく（つまり、DC点灯で）媒体に照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、最初にT_comp.1を
越えたとする。そうすると、媒体はＡタイプからＰタイ
プに変わる。そして、第１層のRE、TM各スピンの方向は
変わらないが、強度の大小関係が逆転する。その結果、
第１層の磁化が反転する（状態55a→状態56a、状態55b
→状態56b、状態55c→状態56c、状態55d→状態56d）。

ビームの照射が続き、やがて媒体温度はT_Hに上昇す
る。T_Hは、第２層のキュリー点に近いので、両層の保磁
力は小さくなる。（場合により第１層の保磁力H_C1はゼ
ロになる。）その結果、媒体は、下記（１）〜（３）の
いずれか１つの関係式： を満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時に反転
し、Hb↑の向きに従う。これが状態57である。

状態57の媒体がレーザービームのスポット領域から外
れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度が低下して
T_comp.1以下になると、Ｐタイプから元のＡタイプに戻
る。そして、第１層のTMスピンとREスピンの強度の大小
関係が逆転する そのため、第１層の磁化が反転し、反対向きの磁化に
なる（状態58）。

そして、やがて媒体の温度は状態58のときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きく、次
式： が満足されるので、第１層の磁化は状態58のまま安定に
維持される。

その結果、両層の間に磁壁のないことが確実な状態な
媒体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界H_e1を印
加する。そうすると、例外なく状態59になる。

これでステップ１が完了する。

ステップ2: 「第１層のキュリー点T_C1より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度T_LS以上の温度」を媒体に
与える第１強度レベルと温度T_LSより低い温度を媒体に
与える第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化情報
に従い変調されたレーザービームを、相対移動している
媒体に照射する。

まず、第１レベルのビームが照射された場合を説明す
る。照射により媒体温度は上昇しT_comp.1を越える。そ
うすると、媒体はＰタイプからＡタイプに変わる。そし
て、第１層のRE、TM各スピンの方向は変わらないが、強
度の大小関係が逆転する。その結果、第１層の磁化が反
転する。これが状態60である。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがて
T_LSに達する。そうすると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態60が状態
61に遷移する。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_comp.1以下
になると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そして、
第１層のREスピンとTMスピンの強度の大小関係の逆転が
起こる その結果、第１層の磁化は反転し、所定向きとなる。
これが状態62である。

この状態62は、媒体温度が室温まで低下しても保持さ
れる。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明す
る。この場合には、媒体温度はT_LSに達しないので、磁
壁は消滅しない。従って、ビーム照射により、仮に媒体
温度がT_comp.1を越えても、ビーム照射がなくなって室
温に戻れば、状態59が再現される。

従って、第１レベルが照射されたときには、状態62の
マークB₁が形成され、第12レベル（ゼロを含む）が照射
されたときには、状態59（マークB₀）が残り、情報が記
録されたことになる。

〔クラス７の説明〕 次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・
III象限・タイプ４）に属する媒体No.7を例にとり、本
発明の原理について詳細に説明する。

この媒体No.7は、 の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明ではT_C1＜T_C2とする。この関係をグラフで示すと、第
４図の如くなる。

この媒体No.7は、室温で式２〜式４を満足し、室温で
式５を満足するH_e1により、第１層の磁化の向きはその
ままに第２層の磁化の向きを、所定向き に向けることができる。

ステップ１（調製方法Ｄ）： 次式： を満足する第３外部磁界H_e3により第２層の磁化を反対
向き に向かせる。このとき、第１層の磁化の向きは、H_e3の
向きに従うことはないので、状態70a又は70bの何れかで
ある。

ここで、「第２層のキュリー点T_C2より低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる最も低い温度T_LS以上の温
度」を媒体に与える第３強度レベルのレーザービームを
変調することなく（つまり、DC点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、T_LSに達する。そ
うすると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向き（パラレル）となる。つまり
状態70aが状態71に遷移する。他方、状態70bはもともと
安定な向きであるので、そのままの状態を保ち、状態71
と同じになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。状態71は媒体温度が室温ま
で下がっても保持される。

その結果、両層の間に磁壁のないことが確実な状態な
媒体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界H_e1を印
加する。そうすると、例外なく状態72になる。

これでステップ１が完了する。

ステップ2: 「第１層のキュリー点T_C1より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度T_LS以上の温度」を媒体に
与える第１強度レベルとT_LSより低い温度を媒体に与え
る第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化情報に従
い変調されたレーザービームを、相対移動している媒体
に照射する。

まず、第１レベルのビームが照射された場合を説明す
る。照射により媒体温度は上昇しT_LSに達する。そうす
ると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態72が状態
73に遷移する。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。媒体温度が室温まで低下
しても状態73は保持される。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明す
る。この場合には、媒体温度はT_LSに達しないので、磁
壁は消滅しない。従って、ビーム照射により、仮に媒体
温度が多少上昇しても、ビーム照射がなくなって室温に
戻れば、状態72が再現される。

従って、第１レベルが照射されたときには、状態73の
マークB₁が形成され、第２レベル（ゼロを含む）が照射
されたときには、状態72（マークB₀）が残り、情報が記
録されたことになる。

〔クラス８の説明〕 次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ２）に属する媒体No.8を例にとり、本発
明の原理について詳細に説明する。

この媒体No.8は、 の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、T_C1＜T_C2とする。また、T_comp.2は、T_LS、T_C1
より低くても等しくても高くても良いが、説明を簡単に
する目的から、以下の説明では、T_LS＜T_C1＜T_comp.2と
する。この関係をグラフで示すと、第５図の如くなる。

この媒体No.8は、室温で式２〜式４を満足し、室温で
式５を満足するH_e1により、第１層の磁化の向きはその
ままに第２層の磁化の向きを、所定向き に向けることができる。

ステップ１（調製方法Ｄ）： 次式86: を満足する第３外部磁界H_e3により第２層の磁化を反対
向き に向かせる。このとき、第１層の磁化の向きは、H_e3の
向きに従うことはないので、状態80a又は80bの何れかで
ある。

ここで、「第２層のキュリー点T_C2より低く、かつ両
層の間の磁壁を消失させる最も低い温度T_LS以上の温
度」を媒体に与える第３強度レベルのレーザービームを
変調することなく（つまり、DC点灯で）照射する。

そうすると、媒体の温度は上昇し、T_LSに達する。そ
うすると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向き（パラレル）となる。つまり
状態80aが状態81に遷移する。他方、状態80bはもともと
安定な向きであるので、そのままの状態を保ち、状態81
と同じになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。状態81は媒体温度が室温ま
で下がっても保持される。

その結果、両層の間に磁壁のないことが確実な状態な
媒体を得ることができる。

次に、この媒体に所定向き↑の第１外部磁界H_e1を印
加する。そうすると、例外なく状態82になる。

この状態は、H_e1の影響がなくなっても維持され、ス
テップ１が完了する。

ステップ2: 「第１層のキュリー点T_C1より低く、かつ両層間の磁
壁を消失させる最も低い温度T_LS以上の温度」を媒体に
与える第１強度レベルとT_LSより低い温度を媒体に与え
る第２強度レベルとの間で、記録すべき２値化情報に従
い変調されたレーザービームを、相対移動している媒体
に照射する。

まず、第１レベルのビームが照射された場合を説明す
る。照射により媒体温度は上昇しT_LSに達する。そうす
ると、 の関係が成立し、第１層の磁化の向きは、第２層の磁化
の向きに対して安定な向きとなる。つまり状態82が状態
83に遷移する。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。媒体温度が室温まで低下
しても状態83は保持される。

次に第２レベルのビームが照射された場合を説明す
る。この場合には、媒体温度はT_LSに達しないので、磁
壁は消滅しない。従って、ビーム照射により、仮に媒体
温度が多少上昇しても、ビーム照射がなくなって室温に
戻れば、状態82が再現される。

従って、第１レベルが照射されたときには、状態83の
マークB₁が形成され、第２レベル（ゼロを含む）が照射
されたときには、状態82（マークB₀）が残り、情報が記
録されたことになる。

以下、参考例及び実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔参考例１………クラス９の記録媒体の製造〕 ３元のRFマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
下記第２表に示すターゲット（TbFeCo合金とTbCo合金の
２個）をセットする。

厚さ1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャン
バー内にセットする。

該装置のチャンバー内を一旦７×10^-7Torr.以下の真
空度に排気した後、Arガスを５×10^-3Torr.導入する。
そして、堆積（deposition）速度約２Å／秒で、スパッ
タリングを行なう。

これにより基板上に厚さt₁＝400Å、組成がTb₂₁Fe₇₀C
o₉（添字の数字は原子％・以下同様）の第１層及びその
上に厚さt₂＝500Å、組成がのTb₂₇Co₇₃の第２層を形成
する。こうして、クラス９（Ａタイプ・第IV象限・タイ
プ４）に属する媒体No.9が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。

この媒体は、式2: を満足している。また、この媒体は、 式3: 及び式4: を満足する。そのため、第１層の磁化の向きはそのまま
にしておいて、第２層の磁化のみを外部磁界により所定
の向きに室温で向けることができ、向けられた状態は、
外部磁界が取り去られても、維持される。

他方、この媒体は、 であるので、第１外部磁界H_e1を例えば6000Oeとすれ
ば、式５が満足される。そうすれば、第１層の磁化は室
温でH_e1によって反転されずに、第２層の磁化のみが反
転される。

〔参考例２…………光磁気記録再生装置〕 第６図は、光磁気記録再生装置の斜視概念図であり、
１は第１外部磁界H_e1と第３外部磁界H_e3兼用の磁界（60
00Oe）印加手段、２は記録用光ヘッド、３は再生用光ヘ
ッド、５は記録媒体（Ｓ）を回転させるためのスピンド
ルモータ、６は記録媒体（Ｓ）をチャッキングするため
のスピンドルヘッドである。

〔実施例１………………光磁気記録〕 まず、磁界印加手段１の向きを反対向き↓に配置する
ことにより、記録媒体（Ｓ）の膜面に反対向き↓に6000
Oeの磁界が印加されるようにセットした。

ステップ１（調製方法Ｄ）： ディスク型記録媒体（Ｓ）をスピンドルヘッド６にチ
ャッキングし、モータ５で4800rpmの速度で回転させ
た。

記録用光ヘッド２及び再生用光ヘッド３は、何れも半
径ｒ＝30mmの位置をトラッキングするようにヘッド駆動
系をセットした。

媒体（Ｓ）は、まず、磁界印加手段１の下を通ること
によりH_e3＝6000Oe↓の磁界を受け、第２層の磁化のみ
が、反対向きとなる。この状態はH_e3の影響がなくなっ
ても保持される。第１層の磁化の向きは変わらないの
で、今、不明である。しかし、磁化の向きは所定向き
又は反対向きのいずれかであるから、今の状態を示す
と下記の通りである。媒体はＡタイプであるから、第１
層と第２層の磁化の向きがパラレルな部分には、磁壁 が生じている。

次に記録用光ヘッド２を第３強度レベル＝10mW（磁性
薄膜面上で）の強度で変調することなく媒体（Ｓ）に照
射した。これにより媒体温度は、140℃に上昇し、式６
及び式７が満足される。数値の単位は、Oeである。

その結果、磁壁のある部分の第１層の磁化の向きは、
第２層の磁化の向きに対して安定な向き（ここではアン
チパラレルな向き）へと反転し、同時に磁壁が消える。
磁壁のない部分の第１層の磁化の向きは、もともと第２
層の磁化の向きに対して安定な向き（アンチパラレルな
向き）であるのでそのままである。従って、状態は下記
の通りになる。

ここで、装置の駆動を停止し、磁界印加手段１の向き
を反転させた。そして、装置の駆動を開始した。媒体
（Ｓ）は、まず、磁界印加手段１の下を通ることによ
り、所定向きのH_e1＝6000Oe↑の磁界を受け、第２層の
磁化のみが、所定向きとなる。この状態はH_e1の影響が
なくなっても保持される。従って、媒体（Ｓ）の磁化の
向きは、状態102のようになる。

これで捨てステップ１が完了した。

ステップ2: ステップ１で使用した装置をそのまま使用した。媒体
（Ｓ）を同じ回転数で回転させながら、記録用光ヘッド
２からレーザービームを標準情報（10MHz）に従いパル
ス変調しながら照射した。ビーム強度は、高レベル時：
第１強度レベル＝10mW（磁性薄膜面上で）、低レベル
時：第２強度レベル＝1mW（磁性薄膜面上で）とした。
低レベル時は、強度ゼロでもよいが、トラッキング又は
フォカシング用に1mW点灯した。

この結果、第１強度レベルのビームが照射された部分
では、磁壁が消滅し、同時に第１層の磁化は反転して反
対向き↑となる。これにより、反対向き↑の磁化を持っ
たマークB₁（長さ0.75μｍ）が0.75μｍ間隔で形成され
た。この状態は状態103である。

〔参考例３………………再生〕 ステップ２で使用した装置をそのまま使用した。媒体
（Ｓ）を同じ回転数で回転させながら、再生用光ヘッド
３からレーザービームを第１層に照射し、その反射光か
ら磁気光学的に再生した。ビーム強度は、1mW（磁性薄
膜面上で）とした。

その結果、10MHzの標準情報が再生され、そのときのC
/N比は54dBであった。

〔実施例２………………光磁気記録〕 ステップ1: 実施例１と同じ ステップ2: 実施例１と同じ ステップ3: ステップ２が完了した（つまり記録した）媒体の磁化
の状態は、状態103で表される。

第７図に示した装置の磁界印加手段１を、磁界の向き
が反対向き↓の第２外部磁界H_e2（2000 Oe）印加手段に
取り替えた。このH_e2の大きさは、室温で式８を満足す
る。

その上で、ステップ２で記録した媒体（Ｓ）をこの装
置にセットし、同じ回転数で回転させた。

その結果、媒体（Ｓ）は、まず、取り替えられた磁界
印加手段の下を通ることによりH_e2↓を受け、磁壁のあ
る部分の第２層の磁化のみが、反転し同時に磁壁が消失
する。この状態が状態104である。

〔参考例４………………再生〕 実施例２のステップ２で使用した装置をそのまま使用
した。媒体（Ｓ）を同じ回転数で回転させながら、再生
用光ヘッド３からレーザービームを第２層に照射し、そ
の反射光から磁気光学的に再生した。ビーム強度は、4m
W（磁性薄膜面上で）とした。

その結果、10MHzの標準情報が再生され、そのときのC
/N比は、60dBであった。参考例３に比べ6dB高い。

〔参考例５………光磁気記録再生装置〕 第７図は、別の光磁気記録再生装置の斜視概念図であ
り、７は第２外部磁界H_e2印加手段と兼用の第３外部磁
界H_e3印加手段（電磁石）であり、４は、光ヘッドであ
る。手段７は強度を高めることで第３外部磁界H_e3印加
手段となり、これと光ヘッド４により、ステップ１（調
製方法Ｄ）が実行される。また、強度を弱めることで手
段７は第２外部磁界H_e2印加手段となり、それにより第
３ステップが可能となる。この場合、光ヘッド４の再生
用に使用し再生用光ヘッド３を省いてもよい。

１は第１外部磁界H_e1印加手段（電磁石）であり、手
段７とは磁界の向きが反対である。残りの２〜６は、参
考例２の符号と同一の部材を指す。

つまり、この装置は、部材を機械的に移動させること
なく、電気的に制御するだけで、ステップ１〜３が実行
可能である。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、記録はキュリー点（実
施例ではT_C1＝230℃）より低い温度（実施例では140
℃）で可能であり、従って、記録感度が高くなる。

そのため、高いキュリー点の磁性材料を選択すること
により、再生時のC/N比を向上させることが可能とな
る。

特にステップ３を含む本発明の記録方法では、磁壁
のない記録状態（例えば、状態104）が得られるので、
保存安定性が高まり、また、記録時の高レベル（第１
強度レベル）に近い強度のレーザービームを用いて再生
することができるので、C/N比を向上させることが可能
となる。また、記録再生兼用の装置では、第２高度レベ
ルをゼロとすると、レーザーダイオード（一般的光源）
に要求されるダイナミックレンジは、最も高い第１強度
レベルと最も低い再生時のレベルとの差になるが、市販
のレーザーダイオードは、ダイナミックレンジが小さい
ところ、ステップ３を含む本発明の記録方法では、ダイ
ナミックレンジを小さくすることができるところから、
レーザーダイオードの入手が容易になるという利点もあ
る。

【図面の簡単な説明】

第１〜５図は、第１層（細線で示すグラフ）、第２層
（太線で示すグラフ）の各保磁力の温度依存性を示すグ
ラフである。 第６図は、参考例２の光磁気記録再生装置の斜視概念図
である。 第７図は、参考例５の光磁気記録再生装置の斜視概念図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 １……第１外部磁界H_e1と第３外部磁界H_e3兼用の磁界印
加手段（参考例２）又は第１外部磁界H_e1印加手段（電
磁石：参考例５） ２……記録用光ヘッド ３……再生用光ヘッド ４……光ヘッド ５……モータ（媒体の回転手段） ６……スピンドルヘッド ７……第２外部磁界H_e2と第３外部磁界H_e3兼用の磁界印
加手段（電磁石）

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】垂直磁気異方性を有する磁性薄膜からなる
   第１層と、垂直磁気異方性を有し前記第１層よりキュリ
   ー点が高いか、または、ほぼ等しい磁性薄膜からなる第
   ２層との少なくとも２層が、互いに交換結合した状態で
   積層されており、かつ、室温で外部磁界によって前記第
   １層の磁化の向きは変えないで前記第２層の磁化の向き
   だけを所定の向きに向けることが可能であって、 少なくとも記録される部分においては、前記第２層の磁
   化の向きは所定の向きであり、かつ、前記第１層と前記
   第２層との間に磁壁が存在する状態にある光磁気記録媒
   体に対して、 レーザービームを、前記第１層のキュリー点T_c1より低
   く、かつ、前記第１層と前記第２層との間の磁壁を消失
   させる最も低い温度T_LSより高いか、または、等しい温
   度を前記媒体に与える第１強度レベルと、前記温度T_LS
   より低い温度を前記媒体に与えるゼロレベルを含む第２
   強度レベルとの間で、記録すべき情報に従ってパルス変
   調して照射することで、 前記第１強度レベルのビームが照射された場合には、結
   果として、前記第１層と前記第２層との間に磁壁のない
   マークB₁が形成され、前記第２強度レベルのビームが照
   射された場合には、結果として、前記マークB₁が形成さ
   れないことを特徴とする光磁気記録方法。