JP2001014744A - 光磁気記録媒体及びその再生方法 - Google Patents

光磁気記録媒体及びその再生方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生磁性層に隣接して面内磁化層を配置した
光磁気記録媒体において、再生層における面内磁化マス
クを強化し、再生分解能を向上する。 【解決手段】 再生磁性層１と記録磁性層５の間に、第
１の面内磁化層２，第２の面内磁化層３が配置されてい
る。第１の面内磁化層１は、再生磁性層１に隣接してい
る。第２の面内磁化層３は第１の面内磁化層２に隣接し
ている。第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層３は互
いに磁気的極性が異なっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクが実用化
されている。このような光磁気ディスクでは、半導体レ
ーザから出射される光ビームを光記録媒体上に集光照射
することにより、光磁気記録媒体の局部温度を上昇させ
ることにより記録，消去が行われる。そして、記録，消
去が起こらない強度の光ビームを光磁気記録媒体に集光
照射し、その反射光の偏光状態を判別することにより、
記録情報の再生が行われる。
【０００３】しかし、従来より、このような光磁気記録
媒体では、光ビームのビームスポット径に対して、記録
された磁区の記録ビット径及び記録ビット間隔が小さく
なってくると、再生特性が劣化してくるという問題があ
る。これは、目的とする記録ビット上に集光された光ビ
ームのビームスポット内に、隣接する記録ビットが入る
ために、個々の記録ビットを分離して再生することがで
きなくなるためである。
【０００４】上記問題を解決する光磁気記録媒体とし
て、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態となる再生磁性層と、前記臨界温度近
傍にキュリー温度を有する面内磁化層と、非磁性中間層
と、垂直磁化膜からなり情報を記録する記録磁性層とか
らなる光磁気記録媒体が提案されている（特開平９−３
２０１３４号公報）。また、垂直磁化膜からなる再生磁
性層と、面内磁化層と、垂直磁化膜からなり情報を記録
する記録磁性層とからなる光磁気記録媒体が提案されて
いる（特開平１０−０４９９２６号公報）。
【０００５】これらの光磁気記録媒体では、臨界温度以
下の温度範囲、または、面内磁化層のキュリー温度以下
の温度範囲において、再生磁性層が面内磁化状態となる
ため、記録磁性層へ記録された記録磁区情報が再生層へ
と転写されず、記録磁区情報は再生されない。これに対
して、臨界温度以上の温度範囲、または、面内磁化層の
キュリー温度以下の温度範囲において、再生磁性層が垂
直磁化状態となり、記録磁性層へ記録された記録磁区情
報が再生磁性層へと転写され、記録磁区情報が再生され
る。このため、再生磁性層上に集光された光ビームのビ
ームスポット内に、隣接する記録ビットが入る場合にお
いても、光ビームの再生パワーと再生磁性層が垂直磁化
状態となる臨界温度を適切に設定しておけば、個々の記
録ビットを分離して再生することができ、高密度に記録
された情報を再生することが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
光ディスクに対して、さらに大きな記録容量が求められ
るようになり、上述の特開平９−３２０１３４号公報お
よび特開平１０−０４９９２６号公報に記載の光磁気記
録媒体においては、面内磁化によるマスク効果が不十分
であり、再生分解能が不足するという問題があった。
【０００７】本発明は、面内磁化によるマスク効果を高
めることのできる光磁気記録媒体及びその再生方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の光磁気記録媒体は以下のようなものである。
【０００９】（１）室温で面内磁化状態であり、臨界温
度以上で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、前記臨
界温度近傍にキュリー温度を有する複数層の面内磁化層
と、垂直磁化膜からなる記録磁性層と、をこの順に、少
なくとも有してなり、前記複数層の面内磁化層は、磁気
的極性の異なる面内磁化層を交互に積層することで形成
されており、前記再生磁性層と前記複数層の面内磁化層
は、少なくとも室温において交換結合しているものであ
る。
【００１０】（２）前記光磁気記録媒体において、前記
複数層の面内磁化層における最も再生磁性層側の面内磁
化層と、前記再生磁性層と、の磁気的極性が異なるもの
である。
【００１１】（３）単層において、室温以上キュリー温
度以下の温度範囲で、垂直磁化状態である再生磁性層
と、前記再生磁性層のキュリー温度より低いキュリー温
度を有する複数層の面内磁化層と、垂直磁化膜からなる
記録磁性層と、をこの順に、少なくとも有してなり、前
記複数層の面内磁化層は、磁気的極性の異なる面内磁化
層を交互に積層することで形成されており、前記再生磁
性層と前記複数層の面内磁化層は、少なくとも室温にお
いて交換結合して、面内磁化を示すものである。
【００１２】（４）上記（１）〜（３）において、前記
複数層の面内磁化層と前記記録磁性層との間に、非磁性
中間層が設けられているものである。
【００１３】（５）上記（４）において、前記非磁性中
間層と前記記録磁性層との間に、反射層が設けられてい
るものである。
【００１４】（６）上記（１）〜（５）において、前記
複数層の面内磁化層を構成する各面内磁化層は３ｎｍ以
上の膜厚を有しており、前記再生磁性層と前記記録磁性
層との間の距離が６０ｎｍ以下であるものである。
【００１５】また、本発明の再生方法は、以下のような
ものである。
【００１６】（イ）上記（１）の光磁気記録媒体から情
報を再生する再生方法において、前記再生磁性層及び前
記複数層の面内磁化層を、前記臨界温度近傍以上に昇温
するものである。
【００１７】（ロ）上記（３）の光磁気記録媒体から情
報を再生する再生方法において、前記再生磁性層及び前
記複数層の面内磁化層を、前記複数層の面内磁化層のキ
ュリー温度以上に昇温するものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１を図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】まず、本実施の形態における光磁気記録媒
体の再生動作原理を説明する。図１は本発明の光磁気記
録媒体の超解像再生動作原理を説明する断面図であり、
図１２は従来の超解像再生動作原理を説明する断面図で
ある。
【００２０】まず、従来の超解像再生動作について説明
する。従来の超解像光磁気記録媒体は、図１２に示すよ
うに、室温で面内磁化状態であり、臨界温度以上の温度
で垂直磁化状態となる希土類金属と遷移金属との合金か
らなる再生磁性層１０１と、室温からキュリー温度まで
面内磁化状態であり、上記臨界温度近傍にキュリー温度
を有する面内磁化層１０２と、非磁性中間層４と、室温
に補償温度を有する希土類金属と遷移金属との合金から
なる記録磁性層５とが順次積層された構成である。
【００２１】再生は、光ビーム６を再生磁性層１０１側
から集光照射することにより行われる。光ビーム６が照
射されると、媒体には光ビーム６の強度分布に対応した
ガウシアン分布状の温度分布が形成される。再生磁性層
１０１は、その温度が分布に伴って徐々に面内磁化状態
から垂直磁化状態へと遷移し、ある臨界温度以上の温度
で垂直磁化状態となる。ここで、面内磁化層１０２は、
該臨界温度近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜であ
るため、該臨界温度以下の温度で再生磁性層１０１と面
内磁化層１０２とが交換結合することにより、該臨界温
度以下の温度状態にある再生磁性層１０１の磁化に対し
て面内磁化状態にしようとする交換結合力が作用するこ
とになる。
【００２２】以上の作用により、温度上昇に伴う再生磁
性層１０１における面内磁化状態から垂直磁化状態への
遷移を急峻なものとすることが可能となり、光ビーム照
射にともない温度上昇した領域のみの記録磁性層５の磁
化情報を、静磁結合により、再生磁性層１０１へと転写
し、光ビーム６により再生することができる。
【００２３】ここで、記録磁性層５としては、最適な静
磁結合状態を実現するため、温度上昇とともにトータル
磁化が大きくなり、温度上昇した領域において大きな漏
洩磁束が発生するように組成調整されており、室温近傍
に補償温度を有する垂直磁化膜が用いられる。
【００２４】また、非磁性中間層４が、記録磁性層５と
再生磁性層１０１及び面内磁化層１０２との安定した静
磁結合を実現する目的で設けられている。
【００２５】以上説明した従来の光磁気記録媒体の再生
においては、再生磁性層１０１が垂直磁化状態となる臨
界温度以上の範囲のみの情報が転写再生されることが望
ましい。しかしながら、図１２に示すように、記録層５
から発生する漏洩磁束が温度上昇とともに徐々に強くな
るため、十分に温度上昇していない領域５ａにおいて
も、ある程度の強度の漏洩磁束が記録層５から発生する
ことになる。そのため、比較的キュリー温度が高くトー
タル磁化の大きい再生磁性層１０１が、この漏洩磁束の
影響を受け、再生磁性層１０１の磁化方向を漏洩磁束の
向きに揃えるべく静磁結合力を受けることになる。ここ
で、面内磁化層１０２のキュリー温度近傍においては、
面内磁化層１０２が面内磁化状態であろうとする力が弱
くなっているため、再生磁性層１０１と交換結合した面
内磁化層１０２の磁化方向が再生磁性層１０１と反平行
な方向に揃ってしまうことになる。
【００２６】図１２では、再生磁性層１０１としては、
室温面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化状態
となる磁性層であり、再生温度範囲において、希土類金
属（ＲＥ）モーメントと遷移金属（ＴＭ）モーメントが
釣り合う補償組成に対して希土類金属モーメントを多く
含有するＲＥ−ｒｉｃｈ組成のものを仮定しており、ま
た、面内磁化層１０２としてはＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面
内磁化膜を仮定している。この場合、交換結合が働く
と、再生磁性層１０１と面内磁化層１０２のトータル磁
化の向きは反平行となる。このため、再生磁性層１０１
において、臨界温度以下の温度範囲で、再生に寄与する
垂直磁化成分を有する傾いた状態の磁化が存在すること
になり、再生分解能が劣化することになる。
【００２７】以上のことから、再生分解能を向上させる
ためには、面内磁化層１０２が面内磁化状態であろうと
する力を強くすることにより、温度上昇過程にある再生
磁性層１０１の磁化の向きを完全な面内磁化状態とする
必要がある。しかし、図１２に示す従来の構成では、面
内磁化層１０２のキュリー温度近傍において、面内磁化
層１０２が面内磁化状態であろうとする力を強くするこ
とは困難である。
【００２８】我々は、上記再生分解能向上の限界を克服
し、さらに高い再生分解能を得ることが可能な媒体構成
を新たに開発した。
【００２９】図１は、本実施の形態の超解像光磁気記録
媒体の再生動作原理を説明する断面図である。本発明の
光磁気記録媒体は、再生磁性層１、第１の面内磁化層
２、第２の面内磁化層３、非磁性中間層４、記録磁性層
５が順次積層されている。
【００３０】再生磁性層１は、図１２に示す従来の再生
磁性層１０１と同様、室温で面内磁化状態であり、臨界
温度以上の温度で垂直磁化状態となる希土類金属と遷移
金属との合金からなる磁性膜である。
【００３１】第１の面内磁化層２は、図１２に示す従来
の面内磁化層１０２と同様、室温からキュリー温度まで
面内磁化状態であり、上記臨界温度近傍にキュリー温度
を有する希土類金属と遷移金属との合金からなる面内磁
化膜である。
【００３２】第２の面内磁化層３は、室温からキュリー
温度まで面内磁化状態であり、上記臨界温度近傍にキュ
リー温度を有する希土類金属と遷移金属との合金からな
り、第１の面内磁化層２とは磁気的極性の異なる面内磁
化膜である。
【００３３】また、非磁性中間層４、及び、記録磁性層
５は、図１２に示す従来の超解像光磁気媒体と同一であ
る。
【００３４】上記本発明の光磁気記録媒体によれば、第
１の面内磁化層２と第２の面内磁化層３とが交換結合す
ることにより、第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化
層３が面内磁化状態であろうとする力を著しく強くする
ことができ、高い再生分解能を得ることが可能となる。
【００３５】以下、この２つの面内磁化層２，３の作用
を説明する。図２（ａ）及び（ｂ）は、単層の面内磁化
層１０２の磁化状態を、図２（ｃ）及び（ｄ）は、第１
の面内磁化層２と第２の面内磁化層３とが交換結合した
場合の磁化状態を示す比較図である。なお、ここでは第
１の面内磁化層２がＴＭ−ｒｉｃｈ組成であり、第２の
面内磁化層３がＲＥ−ｒｉｃｈ組成である場合について
説明するが、勿論、この逆であっても構わない。
【００３６】単層の面内磁化層１０２の場合、漏洩磁束
が存在しない状態（ａ）においては、磁化は完全に面内
磁化状態である。ここで、面内磁化層１０２はＴＭ−ｒ
ｉｃｈ組成の面内磁化膜であり、トータル磁化の向きと
ＴＭモーメントの向きは平行となっている。次に、漏洩
磁束が存在する状態（ｂ）においては、トータル磁化が
漏洩磁束と静磁結合することにより、トータル磁化の向
きは、漏洩磁束の向きと平行になろうとする力を受け、
膜面に対してトータル磁化及びＴＭモーメントの向きが
傾いた状態となる。
【００３７】これに対して、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成の第１
の面内磁化層２とＲＥ−ｒｉｃｈ組成の第２の面内磁化
層３とが交換結合している場合、漏洩磁束が存在しない
状態（ｃ）においては、第１の面内磁化層２と第２の面
内磁化層３の磁化は共に完全に面内磁化状態である。こ
こで、第１の面内磁化層２はＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内
磁化膜であり、トータル磁化の向きとＴＭモーメントの
向きは平行となっており、第２の面内磁化層３はＲＥ−
ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であり、トータル磁化の向き
とＴＭモーメントの向きは反平行となっている。
【００３８】次に、漏洩磁束が存在する状態（ｄ）にお
いては、第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層３のト
ータル磁化が漏洩磁束と静磁結合することにより、それ
ぞれのトータル磁化の向きが、漏洩磁束の向きと平行に
なろうとする力を受けることになる。ここで、第１の面
内磁化層２と第２の面内磁化層３の磁気的極性が異なる
ため、第１の面内磁化層２のＴＭモーメントは上向き
に、第２の面内磁化層３のＴＭモーメントは下向きにな
ろうとする。このとき、第１の面内磁化層２と第２の面
内磁化層３との間に界面磁壁が形成されることになり、
界面磁壁形成による磁壁エネルギーが蓄積される。この
場合、静磁結合によるエネルギーと磁壁エネルギーとを
合せたトータルエネルギーが極小になるように磁化状態
が決定されるため、磁壁エネルギーが蓄積されることに
より、トータル磁化及びＴＭモーメントの傾きは、単層
の面内磁化層１０２の場合に比べて小さくなる。
【００３９】以上のように、極性の異なる面内磁化層を
交換結合させ、界面磁壁を形成することにより、漏洩磁
束に対して、面内磁化状態であろうとする力を著しく強
くすることができる。
【００４０】また、本実施の形態において、さらに、再
生磁性層１と第１の面内磁化層２における磁気的極性が
逆となるように設定すれば、再生磁性層１と第１の面内
磁化層２との関係において、上述の第１の面内磁化層２
と第２の面内磁化層３の関係と同様に、低温領域での面
内磁化状態であろうとする力を強くすることができる。
【００４１】（実施例１）本発明の実施例１について、
図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例
では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合
について説明する。
【００４２】図３はこの光磁気ディスクの構成を示す断
面図である。この光磁気ディスクは、基板７，透明誘電
体層８，再生磁性層１，第１の面内磁化層２，第２の面
内磁化層３，非磁性中間層４，記録磁性層５，保護層
９，オーバーコート層１０が、この順にて積層されたデ
ィスク本体を有している。
【００４３】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム６が対物レンズによ
り再生磁性層１に絞り込まれ、極カー効果として知られ
ている光磁気効果によって情報が記録再生されるように
なっている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁
化の向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向
になる現象である。
【００４４】基板７は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００４５】透明誘電体層８は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定
される必要があり、再生光の波長をλ，透明誘電体層８
の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層８の膜厚は（λ
／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を
６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層８の膜厚を４０ｎ
ｍ以上１００ｎｍ以下程度に設定すれば良い。
【００４６】再生磁性層１は、希土類遷移金属合金から
なる磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内
磁化状態であり、温度上昇にともない、ある臨界温度以
上の温度で垂直磁化状態となるように組成調整されてい
る。
【００４７】再生磁性層１の臨界温度は、１００℃以上
２００℃以下であることが望ましい。該臨界温度が１０
０℃より低くなると、僅かな温度上昇により再生磁性層
１が垂直磁化状態となり、環境温度の変化に対して、安
定した再生特性を得ることができなくなる。また、臨界
温度が２００℃より高くなると、臨界温度と記録磁性層
５のキュリー温度が近接することにより、再生レーザパ
ワーマージンを確保することが困難となる。
【００４８】再生磁性層１の膜厚は、１０ｎｍ以上５０
ｎｍ以下であることが望ましい。再生磁性層１の膜厚を
薄くすることにより、より高い再生分解能を得ることが
可能となるが、１０ｎｍより薄くなると、再生磁性層１
からの反射光が減少し、再生信号強度が著しく低下して
しまう。また、その膜厚を５０ｎｍより厚くすると、該
第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化層３の膜厚に対
して、再生磁性層１の膜厚が相対的に厚くなりすぎるこ
とにより、再生分解能が低下してしまうことになる。
【００４９】第１の面内磁化層２は、希土類遷移金属合
金からなる磁性膜、または、遷移金属と非磁性元素との
合金からなる磁性膜であり、膜面に水平な方向に磁化を
有する面内磁化膜である。上記したように、第１の面内
磁化層２は、上記臨界温度以下の温度で再生磁性層１と
交換結合することにより、再生磁性層１の面内磁化状態
を保持し、面内磁化マスクを強化するために設けられた
ものである。
【００５０】第１の面内磁化層２のキュリー温度は、再
生磁性層１の臨界温度の近傍に設定されていることが望
ましく、（臨界温度±３０℃）の範囲に設定されている
ことが望ましい。
【００５１】第１の面内磁化層２の膜厚は、３ｎｍ以上
であることが望ましい。第１の面内磁化層２の膜厚が３
ｎｍより薄くなると、再生磁性層１の膜厚に比べて薄く
なりすぎることにより、再生磁性層１の面内磁化マスク
を強化する力が弱くなり、再生分解能が劣化してしま
う。
【００５２】第２の面内磁化層３は、第１の面内磁化層
２と磁気的極性の異なる希土類遷移金属合金からなる磁
性膜であり、膜面に水平な方向に磁化を有する面内磁化
膜である。上記したように、第２の面内磁化層３は、上
記臨界温度以下の温度で第１の面内磁化層２と交換結合
することにより、再生磁性層１の面内磁化状態を保持
し、面内磁化マスクを強化するために設けられたもので
ある。
【００５３】第２の面内磁化層３のキュリー温度は、第
１の面内磁化層２と同様に再生磁性層１の臨界温度の近
傍に設定されていることが望ましく、（臨界温度±３０
℃）の範囲に設定されていることが望ましい。
【００５４】第２の面内磁化層３の膜厚は、第１の面内
磁化層の膜厚とほぼ等しくすることが望ましい。第１の
面内磁化層２と第２の面内磁化層３の膜厚をほぼ等しく
設定することにより、記録磁性層５から、第１の面内磁
化層２に働く静磁結合力と第２の面内磁化層３に働く静
磁結合力がほぼ等しくなり、効率よく界面磁壁を形成す
ることができ、第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化
層３の面内磁化を安定して強化することが可能となる。
【００５５】非磁性中間層４は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、再生磁性層１及び第１の面内磁化
層２及び第２の面内磁化層３と記録磁性層５とが静磁結
合すべく、その膜厚が０．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設
定されている。非磁性中間層４の膜厚が０．５ｎｍより
薄くなると、非磁性中間層４が連続的に形成されず、安
定した静磁結合状態を維持することができなくなる。ま
た、非磁性中間層４の膜厚が４０ｎｍより厚くなると、
記録磁性層５と第２の再生磁性層３との距離が離れるこ
とにより、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。
【００５６】また、第１の面内磁化層２と第２の面内磁
化層３と非磁性中間層４とのトータル膜厚を６０ｎｍ以
下とすることが望ましい。トータル膜厚が６０ｎｍより
厚くなると、再生磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎ
ることにより、両者の間の静磁結合力が弱くなり、安定
した再生を行なうことができなくなる。
【００５７】記録磁性層５は、室温近傍に補償温度を有
する希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜からなり、
その膜厚が２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定され
ている。記録磁性層５の膜厚が２０ｎｍより薄くなる
と、記録磁性層５から発生する漏洩磁束が小さくなるこ
とにより、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。
また、記録磁性層５の膜厚が８０ｎｍより厚くなると、
膜厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【００５８】保護層９は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ
等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金
属合金からなり、再生磁性層１及び第１の面内磁化層２
及び第２の面内磁化層３及び記録磁性層５に用いる希土
類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるもの
であり、その膜厚が５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設
定されている。
【００５９】オーバーコート層１０は、紫外線硬化樹脂
または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外
線を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
【００６０】次に、この構成の光磁気ディスクの形成方
法及び記録再生特性の具体例を説明する。
【００６１】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【００６２】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットと、第１のＧｄＦｅ合金ターゲットと、第
２のＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内の基板ホルダ
ーに、０．６μｍ幅のランド記録領域とグルーブ記録領
域とがスパイラル状に形成されたランド・グルーブ記録
可能なディスク状に形成されたポリカーボネート製の基
板７を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガ
スを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板７上にＡｌＮからな
る透明誘電体層８を膜厚６０ｎｍで形成する。
【００６３】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層８上に、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20） 0.69からなる再生磁性層１
を膜厚２５ｎｍで形成した。その再生磁性層１は、室温
において面内磁化状態であり、１５０℃の温度で垂直磁
化状態となる特性を有し、その補償温度が３００℃（従
って、少なくとも室温から再生温度においてはＲＥ−ｒ
ｉｃｈ組成）、そのキュリー温度が３２０℃であった。
【００６４】続いて、第１のＧｄＦｅ合金ターゲットに
電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記
再生磁性層１上に、Ｇｄ0.12Ｆｅ0.88からなるＴＭ−ｒ
ｉｃｈ組成の第１の面内磁化層２を膜厚１５ｎｍで形成
した。その第１の面内磁化層２は、キュリー温度が１５
０℃であり、室温からキュリー温度（１５０℃）まで、
膜面に平行な方向に磁化を有する面内磁化膜であった。
【００６５】続いて、第２のＧｄＦｅ合金ターゲットに
電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記
第１の面内磁化層２上に、Ｇｄ0.46Ｆｅ0.54からなるＲ
Ｅ−ｒｉｃｈ組成の第２の面内磁化層３を膜厚１５ｎｍ
で形成した。その第２の面内磁化層３は、キュリー温度
が１５０℃であり、室温から該キュリー温度（１５０
℃）まで、膜面に平行な方向に磁化を有する面内磁化膜
であった。
【００６６】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第２の面内磁化層３上にＡｌ
Ｎからなる非磁性中間層４を膜厚２ｎｍで形成した。
【００６７】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層４上に、Ｔ
ｂ0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20） 0.77からなる記録磁性層５
を膜厚５０ｎｍで形成した。その記録磁性層５は、２５
℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であっ
た。
【００６８】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録磁性層５上にＡｌＮから
なる保護層９を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【００６９】最後に、上記保護層９上に、紫外線硬化樹
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層１０を形成した。
【００７０】（２）記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光ピックアップを有する評価装置で、磁界変調
記録方式により情報を記録しれ、ランド記録領域におけ
るＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性（ＣＮＲ
１）及び、両隣接グルーブ記録領域に、対応するマーク
長で記録を行なった際にランド記録領域にもれ込むクロ
ストーク信号量（ＣＴ１）を測定した。図４は、その結
果を示す図である。
【００７１】なお、図４では、比較のため、比較例１と
して、第２の面内磁化層３を設けず、第１の面内磁化層
２の膜厚を３０ｎｍとした構成の光磁気ディスクにおけ
るＣＮＲのマーク長依存性（ＣＮＲ１１）及びクロスト
ーク信号量（ＣＴ１１）を同図に示す。
【００７２】また、ここで示すＣＮＲのマーク長依存性
は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２
倍の長さの記録磁区ピッチで連続形成した時の信号対雑
音比を表すものである。
【００７３】マーク長０．３μｍでのＣＮＲ１及びＣＮ
Ｒ１１は、それぞれ、３６ｄＢ及び３３ｄＢとなってお
り、比較例１に比べて、実施例１のＣＮＲが大きくなっ
ていることがわかる。また、マーク長０．７μｍでのＣ
Ｔ１及びＣＴ１１は、それぞれ、１８ｄＢ及び２８ｄＢ
となっており、比較例１に比べて実施例１のＣＴが小さ
くなっていることがわかる。
【００７４】比較例１（ＣＮＲ１１）においては、面内
磁化層が単層で構成されており、該面内磁化層が面内磁
化状態であろうとする力が弱いため、再生磁性層におけ
る面内磁化マスクが弱くなり、再生分解能が低下するこ
とにより、短いマーク長でのＣＮＲが低下が著しいのに
対して、実施例１においては、極性の異なる第１の面内
磁化層と第２の面内磁化層３とが積層され界面磁壁を形
成することにより、該第１の面内磁化層と該第２の面内
磁化層３が面内磁化状態であろうとする力が強くなるこ
とにより、再生磁性層における面内磁化マスクが強化さ
れ、再生分解能が向上し、短いマーク長において、より
高いＣＮＲを得ることができたものと考えられる。ま
た、同様に再生分解能が向上したことにより、長いマー
ク長でのＣＴを低減することができたものと考えられ
る。
【００７５】以上のように、実施例１の光磁気記録媒体
では、極性の異なる第１の面内磁化層２と第２の面内磁
化層３を積層することにより、再生分解能を向上させ、
短いマーク長でのＣＮＲを大きくすることが可能になる
とともに、クロストークを低減することができる。
【００７６】尚、ここでは、再生磁性層１としてＧｄＦ
ｅＣｏを用い、第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化
層３として、ＧｄＦｅを用いた結果について記述してい
るが、これに限定されるものでなく、それぞれ、必要と
される磁気特性を満足する磁性材料を用いることが可能
であり、再生磁性層１としては、ＧｄＦｅＣｏ以外の磁
性材料として、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金を用いること
が可能であり、第１の面内磁化層２としては、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ等の希土類遷移
金属合金からなる面内磁化膜、及び、これらの希土類遷
移金属合金のキュリー温度を低下させることを目的とし
て、非磁性金属を添加した合金を用いることが可能であ
り、第２の面内磁化層としては、第１の面内磁化層と磁
気的極性の異なるＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ等の
希土類遷移金属合金からなる面内磁化膜、及び、これら
の希土類遷移金属合金のキュリー温度を低下させること
を目的として、非磁性金属を添加した合金を用いること
が可能である。
【００７７】〔実施の形態２〕図５は、本実施の形態２
の光磁気記録媒体の再生動作原理を説明する断面図であ
る。ここで、実施の形態１と同一部分については同一符
号を付し、説明を省略する。
【００７８】実施の形態２の光磁気記録媒体は、再生磁
性層１、第１の面内磁化層２、第２の面内磁化層３、記
録磁性層５が順次積層されており、実施の形態１の非磁
性中間層４が存在しない構成である。再生磁性層１及び
第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化層３は、それぞ
れ、実施の形態１と同様な磁性層であり、基本的に実施
の形態１と同様な原理により、磁気的な超解像再生を実
現することが可能である。但し、実施の形態２において
は、非磁性中間層４が存在しないため、記録磁性層５と
第２の面内磁化層３との間に、第２の面内磁化層を垂直
磁化状態にしようとする交換結合力が働くため、実施の
形態１に比べて、第２の面内磁化層３を厚くすることが
望ましい。
【００７９】（実施例２）本実施の形態の実施例（実施
例２）について図面に基づいて説明すれば以下の通りで
ある。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディスク
に適用した場合について説明する。
【００８０】図６は、実施例２の超解像光磁気記録媒体
の構成を示す断面図である。実施例２の光磁気ディスク
は、基板７，透明誘電体層８，再生磁性層１，第１の面
内磁化層２，第２の面内磁化層３，記録磁性層５，保護
層９，オーバーコート層１０がこの順にて順次積層され
た構成を有している。
【００８１】次に、この光磁気ディスクの形成方法、記
録再生特性について説明する。
【００８２】（１）光磁気ディスクの形成方法 実施例２の光磁気ディスクとして、実施例１に記載の光
磁気ディスクの形成方法と同様にして、基板７上にＡｌ
Ｎからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層８、膜厚２５ｎ
ｍのＧｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなり、再生
温度近傍においてＲＥ−ｒｉｃｈの再生磁性層１、膜厚
１５ｎｍのＧｄ0.12Ｆｅ0.88からなるＴＭ−ｒｉｃｈ組
成の第１の面内磁化層２、膜厚３５ｎｍのＧｄ0.46Ｆｅ
0.54からなるＲＥ−ｒｉｃｈ組成の第２の面内磁化層
３、膜厚５０ｎｍのＴｂ0.23（Ｆｅ 0.80Ｃｏ0.20）0.77
からなる記録磁性層５、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる
保護層９、オーバーコート層１０を順次形成した。
【００８３】また、比較例２として、実施例２の光磁気
ディスクの第２の面内磁化層３を設けず、第１の面内磁
化層の膜厚を５０ｎｍとした光磁気ディスクを別途作製
した。
【００８４】（２）記録再生特性 実施例１と同様にして、マーク長０．３μｍにおけるＣ
ＮＲを測定した結果、実施例１におけるＣＮＲが３６ｄ
Ｂであったのに対して、実施例２においても、３５．５
ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例１と同程度の再生特性が
得られた。これに対して、第２の面内磁化層が存在しな
い比較例２においては、３２ｄＢのＣＮＲしか得られ
ず、第２の面内磁化層を設けた実施例２において、再生
分解能の向上が実現していることを確認した。
【００８５】次に、第２の面内磁化層３の膜厚を変えて
同様な測定を行なった。第２の面内磁化層３の膜厚が２
０ｎｍの場合、マーク長０．３μｍにおけるＣＮＲが３
５ｄＢとなり、実施例２とほぼ同程度のＣＮＲが得られ
たが、第２の面内磁化層３の膜厚を１５ｎｍとした場
合、マーク長０．３μｍにおけるＣＮＲが２９ｄＢと著
しく低下した。これは、第２の面内磁化層３に働く記録
磁性層５からの交換結合力により、第２の面内磁化層に
垂直方向の磁化が転写され、再生層１における面内磁化
マスクが弱くなったためである。従って、実施例２にお
いて、第２の面内磁化層３の膜厚は、２０ｎｍ以上であ
ることが望ましい。
【００８６】また、第１の面内磁化層２と第２の面内磁
化層３のトータル膜厚を６０ｎｍ以下とすることが望ま
しい。該トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、再生
磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎることにより、両
者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再生を行なう
ことができなくなる。
【００８７】なお、以上示した実施の形態２において
も、第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層３はその磁
気的極性が互いに逆であればよく、実施例２のように第
１の面内磁化層２がＴＭ−ｒｉｃｈ組成で第２の面内磁
化層３がＲＥ−ｒｉｃｈ組成である必要はない。但し、
再生磁性層１が再生温度近傍においてＲＥ−ｒｉｃｈ組
成である場合には、上述のように、第１の面内磁化層２
がＴＭ−ｒｉｃｈ組成で第２の面内磁化層３がＲＥ−ｒ
ｉｃｈ組成であることが、望ましい。
【００８８】〔実施の形態３〕図７は、本発明の実施の
形態３の超解像光磁気記録媒体の再生動作原理を説明す
る断面図である。実施の形態３の光磁気記録媒体は、再
生磁性層１、第１の面内磁化層２、第２の面内磁化層
３、第３の面内磁化層１１、非磁性中間層４、記録磁性
層５が順次積層されている。
【００８９】本実施の形態は、実施の形態１にさらに、
第３の面内磁化層１１が付加された構成である。再生磁
性層１及び第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化層３
及び非磁性中間層４、記録磁性層５は、それぞれ、実施
例１と同様な磁性層であり、基本的に実施例１と同様な
原理により、磁気的な超解像再生を実現することが可能
である。
【００９０】図７に示すように、第２の面内磁化層３
に、第２の面内磁化層３と極性の異なる第３の面内磁化
層１１を積層することにより、面内磁化層間に形成され
る界面磁壁の数が増え、それぞれの面内磁化層は、さら
に垂直磁化状態となり難くなる。従って、再生磁性層１
における面内磁化マスクがより強化され、より再生分解
能の高い光磁気記録媒体を実現することが可能となる。
【００９１】（実施例３）本実施の形態の実施例（実施
例３）について図面に基づいて説明すれば、以下の通り
である。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディス
クに適用した場合について説明する。
【００９２】実施例３の光磁気ディスクは、図８に示す
ように、基板７、透明誘電体層８、再生磁性層１、第１
の面内磁化層２、第２の面内磁化層３、第３の面内磁化
層１１、非磁性中間層４、記録磁性層５、保護層９、オ
ーバーコート層１０がこの順にて順次積層された構成を
有している。
【００９３】次に、この光磁気ディスクの形成方法、記
録再生特性について説明する。
【００９４】（１）光磁気ディスクの形成方法 実施例３の光磁気ディスクとして、実施例１に記載の光
磁気ディスクの形成方法と同様にして、基板７上にＡｌ
Ｎからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層８、膜厚２５ｎ
ｍのＧｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなる再生温
度近傍でＲＥ−ｒｉｃｈ組成の再生磁性層１、膜厚１０
ｎｍのＧｄ0.12Ｆｅ0.88からなるＴＭ−ｒｉｃｈ組成の
第１の面内磁化層２、膜厚１０ｎｍのＧｄ0.46Ｆｅ0.54
からなるＲＥ−ｒｉｃｈ組成の第２の面内磁化層３、膜
厚１０ｎｍのＧｄ0.12Ｆｅ0.88からなるＴＭ−ｒｉｃｈ
組成の第３の面内磁化層１１、膜厚２ｎｍのＡｌＮから
なる非磁性中間層４、膜厚５０ｎｍのＴｂ0.23（Ｆｅ
0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録磁性層５、膜厚２０ｎ
ｍのＡｌＮからなる保護層９、オーバーコート層１０を
順次形成した。
【００９５】（２）記録再生特性 実施例１と同様にして、マーク長０．３μｍにおけるＣ
ＮＲを測定した結果、実施例１におけるＣＮＲが３６ｄ
Ｂであったのに対して、実施例３において、３７．５ｄ
ＢのＣＮＲが得られ、実施例１よりも良好な再生特性が
得られた。
【００９６】この実施例３においても実施例１同様に、
第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層３と第３の面内
磁化層１１と非磁性中間層４とのトータル膜厚を６０ｎ
ｍ以下とすることが望ましい。トータル膜厚が６０ｎｍ
より厚くなると、再生磁性層１と記録磁性層５とが離れ
すぎることにより、両者の間の静磁結合力が弱くなり、
安定した再生を行なうことができなくなる。
【００９７】なお、以上示した実施の形態３において
も、第１〜第３の面内磁化層２，３，１１は隣接磁性層
間で磁気的極性が互いに逆であるものであればよく、必
ずしも実施例３の構成でなくても良い。但し、再生磁性
層１が再生温度近傍においてＲＥ−ｒｉｃｈ組成である
場合には、上述のように、第１〜第３の面内磁化層２，
３，４がそれぞれＴＭ−ｒｉｃｈ，ＲＥ−ｒｉｃｈ，Ｔ
Ｍ−ｒｉｃｈ組成であることが、望ましい。
【００９８】また、本実施の形態では面内磁化層を３層
構造としたが、さらに多層で構成しても構わない。
【００９９】また、以上示した実施の形態１〜３では再
生磁性層１として、単層においても、室温で面内磁化状
態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる磁性層を用
いた。この場合、再生磁性層１としては、再生温度近傍
においてＲＥ−ｒｉｃｈ組成であるもの、ＴＭ−ｒｉｃ
ｈ組成であるものの両方が使用できるが、本発明のよう
に記録磁性層５の磁化を静磁結合により再生磁性層１に
転写する構成においては、補償温度の高い（または補償
温度がキュリー温度までに存在しない）ＲＥ−ｒｉｃｈ
組成のものが望ましい。
【０１００】〔実施の形態４〕図９は、実施の形態４の
超解像光磁気記録媒体の再生動作原理を説明する断面図
である。実施の形態４の光磁気記録媒体は、再生磁性層
１２、第１の面内磁化層２、第２の面内磁化層３、非磁
性中間層４、記録磁性層５が順次積層されている。
【０１０１】実施の形態１〜３においては、再生磁性層
１として、室温において面内磁化状態であり、臨界温度
以上の温度で垂直磁化状態に移行する希土類遷移金属合
金薄膜からなる磁性膜を用いて磁気的超解像再生を実現
するものであり、再生磁性層１として、再生が行われる
温度範囲において、ＲＥ−ｒｉｃｈ組成の希土類遷移金
属合金薄膜であることが望ましかった。また、記録磁性
層５としては、温度上昇とともにトータル磁化が大きく
なり、再生が行われる温度範囲においてトータル磁化が
極大を示すこと、すなわち、室温に補償温度を有するＴ
Ｍ−ｒｉｃｈ組成の希土類遷移金属合金薄膜からなる磁
性膜であることが望ましかった。
【０１０２】この場合、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成の記録磁性
層５とＲＥ−ｒｉｃｈ組成の再生磁性層１とが静磁結合
するため、再生磁性層１に転写された磁区のＴＭモーメ
ントの向きと記録磁性層５に存在する磁区のＴＭモーメ
ントの向きとが反平行となり、従来の光磁気ディスクに
対して再生極性が反転するという問題がある。
【０１０３】実施の形態４においては、再生磁性層１２
として、室温以上の温度範囲において、本質的に（単層
において）垂直磁化状態である希土類遷移金属合金薄膜
からなる磁性膜を用いて、磁気的超解像再生を実現する
ものである。すなわち、垂直磁化膜である再生磁性層１
２に対して、再生磁性層１２及び記録磁性層５と比較し
てキュリー温度の低い面内磁化膜である第１の面内磁化
層２及び第２の面内磁化層３を交換結合させることによ
り、第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化層３のキュ
リー温度以下の温度範囲における再生磁性層１２の磁化
の向きを面内方向に向け、面内磁化状態とすることによ
り、実施例１と同様な面内磁化マスクを再生磁性層１２
に形成することにより磁気的超解像再生を実現するもの
である。
【０１０４】この場合、再生磁性層１としてＴＭ−ｒｉ
ｃｈ組成のものを使用することができ、ＴＭ−ｒｉｃｈ
組成の記録磁性層５とＴＭ−ｒｉｃｈ組成の再生磁性層
１２とを静磁結合させることができるため、再生磁性層
１に転写された磁区のＴＭモーメントの向きと記録磁性
層５に存在する磁区のＴＭモーメントの向きとが平行と
なり、従来の光磁気ディスクに対して同極性で再生を行
なうことができる。
【０１０５】（実施例４）本発明の実施例４について図
面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例で
は、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合に
ついて説明する。
【０１０６】実施例４の光磁気ディスクは、図１０に示
すように、基板７、透明誘電体層８、再生磁性層１２、
第１の面内磁化層２、第２の面内磁化層３、非磁性中間
層４、記録磁性層５、保護層９、オーバーコート層１０
がこの順にて順次積層された構成を有している。
【０１０７】次に、この光磁気ディスクの形成方法、記
録再生特性について説明する。
【０１０８】（１）光磁気ディスクの形成方法 実施例４の光磁気ディスクとして、実施例１に記載の光
磁気ディスクの形成方法と同様にして、基板７上にＡｌ
Ｎからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層８、室温以上の
温度範囲においてＴＭ−ｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜であ
るところの膜厚２５ｎｍのＧｄ0.18（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.82からなる再生磁性層１２、膜厚２０ｎｍの
Ｇｄ0.12Ｆｅ0.88からなるＴＭ−ｒｉｃｈ組成の第１の
面内磁化層２、膜厚２０ｎｍのＧｄ0.46Ｆｅ0.54からな
るＲＥ−ｒｉｃｈ組成の第２の面内磁化層３、膜厚２ｎ
ｍのＡｌＮからなる非磁性中間層４、膜厚５０ｎｍのＴ
ｂ0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録磁性層
５、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層９、オーバー
コート層１０を順次形成した。
【０１０９】（２）記録再生特性 実施例１と同様にして、マーク長０．３μｍにおけるＣ
ＮＲを測定した結果、実施例１におけるＣＮＲが３６ｄ
Ｂであったのに対して、実施例３において、３６．５ｄ
ＢのＣＮＲが得られ、実施例１と同様な再生特性が得ら
れた。さらに、その再生時の極性を調査した結果、実施
例１の再生極性が、記録磁性層５の再生極性に対して反
転していたのに対して、実施例４の再生極性は、記録磁
性層５の再生極性と同一であることが確認された。
【０１１０】また、実施例４においても実施例１同様
に、第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層３と非磁性
中間層４のトータル膜厚を６０ｎｍ以下とすることが望
ましい。トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、再生
磁性層１２と記録磁性層５とが離れすぎることにより、
両者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再生を行な
うことができなくなる。
【０１１１】また、実施例４に記載した光磁気記録媒体
は、実施例２と同様にして、非磁性中間層４を形成して
いない場合においても、同様な再生特性を得ることが可
能である。さらに、実施例３と同様にして、面内磁化層
を第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層３と第３の面
内磁化層１１とで構成し、界面磁壁を増加させることに
より、さらに高い再生分解能を得ることが可能である。
【０１１２】〔実施の形態５〕図１１は、実施の形態５
の光磁気記録媒体の一構成例を示す断面図である。この
光磁気記録媒体は、再生磁性層１、第１の面内磁化層
２、第２の面内磁化層３、光に対して透明な誘電体から
なる非磁性中間層１３、反射層１４、記録磁性層５が順
次積層されており、実施の形態１の非磁性中間層４を、
光に対して透明な誘電体からなる非磁性中間層１３で構
成し、さらに、反射層１４が形成された構成である。再
生磁性層１及び第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化
層３及び記録磁性層５は、それぞれ、実施の形態１と同
様な磁性層であり、基本的に実施の形態１と同様な原理
により、磁気的な超解像再生を実現することが可能であ
る。
【０１１３】実施の形態５は、実施の形態１において、
非磁性中間層４を透明誘電体からなる非磁性中間層１３
とし、更に反射層１４を設けることにより、多層膜構造
において発生する干渉効果を利用したカー回転角の増大
を図ることが可能となる。さらに、反射層１４において
光ビーム６が反射されることにより、記録磁性層５から
の信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写さ
れた情報のみを再生することが可能となり、超解像再生
特性を改善することが可能となる。
【０１１４】なお、本実施の形態のように非磁性中間層
４を透明誘電体からなる非磁性中間層１３とし更に反射
層１４を設ける構成は、上述の実施の形態１のみなら
ず、実施の形態３，４にも適用できる。
【０１１５】（実施例５）本実施例では、光磁気記録媒
体を光磁気ディスクに適用した場合について説明する。
実施例５の光磁気ディスクは、基板７、透明誘電体層
８、再生磁性層１、第１の面内磁化層２、第２の面内磁
化層３、透明誘電体からなる非磁性中間層１３、反射層
１４、記録磁性層５、保護層９、オーバーコート層１０
がこの順にて順次積層された構成を有している。
【０１１６】次に、この光磁気ディスクの形成方法、記
録再生特性について説明する。
【０１１７】（１）光磁気ディスクの形成方法 実施例５の光磁気ディスクとして、実施例１に記載の光
磁気ディスクの形成方法と同様にして、基板７上にＡｌ
Ｎからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層８、膜厚２５ｎ
ｍのＧｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなる再生磁
性層１、膜厚１０ｎｍのＧｄ0.12Ｆｅ0.88からなるＴＭ
−ｒｉｃｈ組成の第１の面内磁化層２、膜厚１０ｎｍの
Ｇｄ0.46Ｆｅ0.54からなるＲＥ−ｒｉｃｈ組成の第２の
面内磁化層３、膜厚１０ｎｍのＡｌＮからなる光ビーム
６に対して透明な非磁性中間層１３、膜厚１０ｎｍのＡ
ｌ0.8Ｔｉ0.2からなる反射層１４、膜厚５０ｎｍのＴｂ
0. 23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録磁性層５、
膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層９、オーバーコー
ト層１０を順次形成した。
【０１１８】（２）記録再生特性 実施例１と同様にして、マーク長０．３μｍにおけるＣ
ＮＲを測定した結果、実施例１におけるＣＮＲが３６ｄ
Ｂであったのに対して、実施例５において、３８ｄＢの
ＣＮＲが得られ、実施例１よりも良好な超解像再生特性
が得られることが確認された。
【０１１９】実施例５において、透明誘電体からなる非
磁性中間層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ
2Ｏ3等の非磁性誘電体を用いることが可能である。
【０１２０】反射層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，
Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属、または、それらの非磁性金
属からなる合金を用いることが可能である。
【０１２１】また、良好な干渉効果を得るためには、透
明誘電体層８の膜厚を実施例１と同じく、４０ｎｍ以上
１００ｎｍ以下に設定し、再生磁性層１と第１の面内磁
化層２と第２の面内磁化層３とのトータル膜厚を５０ｎ
ｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が５０ｎ
ｍより厚くなると、再生磁性層１及び第１の面内磁化層
２及び第２の面内磁化層３を透過する光量が少なくな
り、干渉効果によりカー回転角を増大させることが困難
となる。
【０１２２】また、カー回転角を効果的に増大させるた
めには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１２３】また、反射層１４により、記録磁性層５か
らの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写
された情報のみを再生するためには、反射層１４の膜厚
を少なくとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１２４】また、第１の面内磁化層２と第２の面内磁
化層３と透明誘電体からなる非磁性中間層１３と反射層
１４とのトータル膜厚を６０ｎｍ以下とすることが望ま
しい。該トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、再生
磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎることにより、両
者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再生を行なう
ことができなくなる。
【０１２５】また、実施例５に記載した光磁気記録媒体
は、実施例３と同様にして、面内磁化層を第１の面内磁
化層２と第２の面内磁化層３と第３の面内磁化層１１と
で構成し、界面磁壁を増加させることにより、さらに高
い再生分解能を得ることが可能である。
【０１２６】以上、実施の形態１〜５で示したように、
本発明の光磁気記録媒体は、再生磁性層に隣接して少な
くとも２層の面内磁化層を有し、その面内磁化層が隣接
する面内磁化層との間で互いに磁気的極性が異なってい
るものであり、この構成により、面内磁化マスクを強化
することができ、再生分解能を高めることができるとい
う効果を得るものである。したがって、その主旨の範囲
内であれば様々な変形が可能である。
【０１２７】また、本発明において、再生磁性層と記録
磁性層との間の距離は６０ｎｍ以下であることが望まし
い。この範囲であれば、再生磁性層と記録磁性層とが良
好に静磁結合力して、安定した再生を行なうことができ
る。また、各面内磁化層は良好な面内磁化マスクを実現
するため、３ｎｍ以上の膜厚を有することが望ましい。
再生磁性層と記録磁性層との間には少なくとも２層の面
内磁化層が存在することを考慮すると、再生磁性層と記
録磁性層との間の距離は６ｎｍより大きく６０ｎｍ以下
であることが望ましい。
【０１２８】
【発明の効果】本発明によれば、面内磁化層によるマス
ク効果の向上を実現でき、小さい記録ビット径および小
さい記録ビット間隔であっても十分な再生信号を得るこ
と、すなわち磁気的超解像再生において再生分解能を高
めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図２】本発明の面内磁化層の効果を説明する断面図で
ある。
【図３】実施例１の光磁気ディスクの構成を示す断面図
である。
【図４】実施例１の光磁気ディスクの再生特性を示す図
である。
【図５】実施の形態２の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図６】実施例２の光磁気ディスクの構成を示す断面図
である。
【図７】実施の形態３の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図８】実施例３の光磁気ディスクの構成を示す断面図
である。
【図９】実施の形態４の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図１０】実施例４の光磁気ディスクの構成を示す断面
図である。
【図１１】実施の形態５の光磁気記録媒体の一構成例を
示す断面図である。
【図１２】従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面図である。
【符号の説明】
１ 再生磁性層 ２ 第１の面内磁化層 ３ 第２の面内磁化層 ４ 非磁性中間層 ５ 記録磁性層 ６ 光ビーム ７ 基板 ８ 透明誘電体層 ９ 保護層 １０ オーバーコート層 １１ 第３の面内磁化層 １２ 再生磁性層 １３ 透明誘電体からなる非磁性中間層 １４ 反射層

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 室温で面内磁化状態であり、臨界温度以
    上で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、 前記臨界温度近傍にキュリー温度を有する複数層の面内
    磁化層と、 垂直磁化膜からなる記録磁性層と、をこの順に、少なく
    とも有してなり、 前記複数層の面内磁化層は、磁気的極性の異なる面内磁
    化層を交互に積層することで形成されており、 前記再生磁性層と前記複数層の面内磁化層は、少なくと
    も室温において交換結合していることを特徴とする光磁
    気記録媒体。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
    て、 前記複数層の面内磁化層における最も再生磁性層側の面
    内磁化層と、前記再生磁性層と、の磁気的極性が異なる
    ことを特徴とする光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 単層において、室温以上キュリー温度以
    下の温度範囲で、垂直磁化状態である再生磁性層と、 前記再生磁性層のキュリー温度より低いキュリー温度を
    有する複数層の面内磁化層と、 垂直磁化膜からなる記録磁性層と、をこの順に、少なく
    とも有してなり、 前記複数層の面内磁化層は、磁気的極性の異なる面内磁
    化層を交互に積層することで形成されており、 前記再生磁性層と前記複数層の面内磁化層は、少なくと
    も室温において交換結合して、面内磁化を示すことを特
    徴とする光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記複数層の面内磁化層と前記記録磁性層との間に、非
    磁性中間層が設けられていることを特徴とする光磁気記
    録媒体。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の光磁気記録媒体におい
    て、 前記非磁性中間層と前記記録磁性層との間に、反射層が
    設けられていることを特徴とする光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５に記載の光磁気記
    録媒体において、 前記複数層の面内磁化層を構成する各面内磁化層は３ｎ
    ｍ以上の膜厚を有しており、 前記再生磁性層と前記記録磁性層との間の距離が６０ｎ
    ｍ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の光磁気記録媒体から情
    報を再生する再生方法において、 前記再生磁性層及び前記複数層の面内磁化層を、前記臨
    界温度近傍以上に昇温することを特徴とする再生方法。
  8. 【請求項８】 請求項３に記載の光磁気記録媒体から情
    報を再生する再生方法において、 前記再生磁性層及び前記複数層の面内磁化層を、前記複
    数層の面内磁化層のキュリー温度以上に昇温することを
    特徴とする再生方法。
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