JPH07130027A - 光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録装置Info
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Abstract
させる対物レンズ9と、光磁気ディスク11の両側に配
置され、光磁気ディスク11のレーザービームに照射さ
れた部分に記録磁界を印加すると共に、レーザービーム
に照射された部分から離れた部分に記録磁界よりも大き
い初期化磁界を印加する一対の磁石10・10’とが備
えられており、上記の磁石10・10’は、それぞれ両
磁極を結ぶ直線が光磁気ディスク11とほぼ平行にな
り、かつ、両磁極を結ぶ直線が互いに反平行になるよう
に、配置されている光磁気ディスク装置。 【効果】 光磁気ディスク装置を小型化、薄型化でき
る。
Description
な光磁気記録媒体に情報を記録する光磁気記録装置に関
するものである。
ー素子は、情報の書き換え可能な高密度かつ大容量のメ
モリー素子として注目されており、すでに計算機用途で
は5インチ型、3.5インチ型の大容量光磁気ディスク
が商品化されている。
データを書き換える場合、前のデータを消去してから、
新しいデータを記録している。このため、外部から印加
する補助磁界の向きを消去時と記録時とで反転させてい
る。
光磁気メモリー素子の必要性が高まっている。この光磁
気メモリー素子の場合、両面記録が可能であり、マルチ
ビーム化も容易に実現できる。
pl. pp.155-159 には、垂直磁化膜からなる記録層及び
補助層を備えた、光変調オーバーライトが可能な光磁気
メモリー素子が記載されている。データを書き換える場
合、初期化用の磁石により補助層の磁化を一方向に揃え
た後、記録用の磁石により補助磁界を印加しながら、デ
ータに応じて強度変調されたレーザービームを照射して
いる。
来の構成では、初期化には400〜500kA/mとい
う大きな磁界強度が必要であるため、初期化用の磁石が
大型になり、その結果、光磁気ディスク装置を小型化、
薄型化できないという問題点を有している。
磁気記録装置は、上記の課題を解決するために、光磁気
記録媒体にレーザービームを収斂させる対物レンズと、
光磁気記録媒体の両側に配置され、光磁気記録媒体のレ
ーザービームに照射された部分に記録磁界を印加すると
共に、レーザービームに照射された部分から離れた部分
に記録磁界よりも大きい初期化磁界を印加する一対の外
部磁界印加手段とが備えられており、上記の外部磁界印
加手段は、それぞれ両磁極を結ぶ直線が光磁気記録媒体
とほぼ平行になり、かつ、両磁極を結ぶ直線が互いに反
平行になるように、配置されていることを特徴としてい
る。
上記の課題を解決するために、請求項1の光磁気記録装
置であって、上記の一対の外部磁界印加手段が二組設け
られており、二組の外部磁界印加手段が、レーザービー
ムに照射された部分を通り光磁気記録媒体に垂直な軸に
対称になるように、配置されていることを特徴としてい
る。
上記の課題を解決するために、光磁気記録媒体にレーザ
ービームを収斂させる対物レンズと、光磁気記録媒体の
両側に配置され、光磁気記録媒体のレーザービームに照
射された部分に記録磁界および消去磁界を印加する一対
の外部磁界印加手段と、記録磁界と消去磁界とを切り替
えるために外部磁界印加手段を光磁気記録媒体に対し平
行移動させる移動手段とが備えられており、上記の外部
磁界印加手段は、それぞれ両磁極を結ぶ直線が光磁気記
録媒体とほぼ平行になり、かつ、両磁極を結ぶ直線が互
いに反平行になるように、配置されていることを特徴と
している。
上記の課題を解決するために、光磁気記録媒体にレーザ
ービームを収斂させる対物レンズと、光磁気記録媒体の
片側に配置され、光磁気記録媒体のレーザービームに照
射された部分に記録磁界を印加すると共に、レーザービ
ームに照射された部分から離れた部分に記録磁界よりも
大きい初期化磁界を印加する一対の外部磁界印加手段と
が備えられており、上記の外部磁界印加手段は、それぞ
れ両磁極を結ぶ直線が光磁気記録媒体とほぼ平行にな
り、かつ、両磁極を結ぶ直線が互いに反平行になり、か
つ、レーザービームに照射された部分を通り光磁気記録
媒体に垂直な軸に対称になるように、配置されているこ
とを特徴としている。
手段がほぼ閉磁気回路を形成するので、外部磁界印加手
段からの磁束を有効に利用できる。これにより、外部磁
界印加手段を小型化できる。したがって、光変調オーバ
ーライトが可能な光磁気記録装置を小型化、薄型化でき
る。
に加え、二組の外部磁界印加手段からの合成磁界が記録
磁界として光磁気記録媒体に印加されるので、外部磁界
印加手段を小型化でき、レーザービームに照射された部
分から外部磁界印加手段を離すことができる。したがっ
て、光変調オーバーライトが可能な光磁気記録装置を小
型化、薄型化できる。しかも、外部磁界印加手段からの
漏洩磁界の、対物レンズ付近における分布が均一になる
ので、トラッキングおよびフォーカシングのために対物
レンズを磁気駆動するアクチュエーターを設けても、漏
洩磁界がアクチュエーターに悪影響を及ぼしにくくな
る。
印加手段がほぼ閉磁気回路を形成するので、外部磁界印
加手段からの磁束を有効に利用できる。これにより、外
部磁界印加手段を小型化できる。したがって、補助層を
有しない汎用の光磁気記録媒体を使用する、光変調記録
が可能な光磁気記録装置を小型化、薄型化できる。
印加手段からの合成磁界が記録磁界として光磁気記録媒
体に印加されるので、外部磁界印加手段を小型化でき、
レーザービームに照射された部分から外部磁界印加手段
を離すことができる。したがって、光変調オーバーライ
トが可能な光磁気記録装置を小型化、薄型化できる。し
かも、外部磁界印加手段からの漏洩磁界の、対物レンズ
付近における分布が均一になるので、トラッキングおよ
びフォーカシングのために対物レンズを磁気駆動するア
クチュエーターを設けても、漏洩磁界がアクチュエータ
ーに悪影響を及ぼしにくくなる。
0に基づいて説明すれば、以下の通りである。
録装置)は、図1に示すように、光磁気ディスク(光磁
気記録媒体)の光磁気記録媒体層21にレーザービーム
を収斂させる対物レンズ9と、光磁気ディスク11の両
側に配置され、初期化磁界(Hinit)と記録磁界
(Hw )とを発生させる磁石10・10’(外部磁界印
加手段)を備えている。
射部の手前に、すなわち、光磁気ディスク11が回転す
る方向(図では右方向)とは反対側に配置されており、
磁石10・10’の磁化が互いに逆向きになるように、
かつ、光磁気ディスク11の面とほぼ平行になるように
配置されている。これにより、レーザービームの照射部
の手前に、光磁気ディスク11に垂直なHinitが印加さ
れ、かつ、レーザービームの照射部に、Hinitとほぼ平
行でHinitよりも弱いHw が印加されるようになってい
る。
ら光磁気ディスク11に垂直上向きのHinitおよびHw
が印加される。磁石10・10’の磁化が互いに逆向き
になるように、磁石10・10’を光磁気ディスク11
の両側に配置したので、磁石10・10’によりほぼ閉
磁気回路が形成される。このため、小さい磁石10・1
0’を使用しても、強いHinitが得られる。したがっ
て、光磁気ディスク装置を小型化できる。しかも、磁石
10・10’の磁化が光磁気ディスク11の面とほぼ平
行になるように、磁石10・10’を配置したので、光
磁気ディスク装置を薄型化できる。さらに、磁石10・
10’によって、Hinitだけでなく、Hwも印加するこ
とができる。
例えば、残留磁束密度が1.21TのNd系の永久磁石
が用いられる。磁石10・10’のサイズは、光磁気デ
ィスク11の半径に沿った幅が10mm、光磁気ディス
ク11のトラックに沿った長さが20mm、厚さが2m
m程度である。
mmの光磁気ディスク11の基板1・1から0.5mm
離れた位置、すなわち、記録媒体層21から1.7mm
離れた位置で、レーザービームスポットから4mm離れ
た位置にセットしたところ、2.5kOeのHinitおよ
び500OeのHw を光磁気ディスク11に印加でき
た。
ができる光磁気ディスク11の一例を図2に示す。
仕様になっており、透光性基板1(基体)上に光磁気記
録媒体層21を形成した光磁気記録媒体を2枚、光磁気
記録媒体層21を向かい合わせて接着材層7で貼り合わ
せた構成になっている。
に、透光性を有する誘電体層2、磁性層3(第1磁性
層)、磁性層4(第2磁性層)、保護層6を積層した構
成になっている。
金からなっている。
と比較して、低いキュリー点(TC1)と、室温で高い保
磁力(HC1)を有しており、室温からTC1まで垂直磁気
異方性が優位となる特性を示す。
ュリー点(TC2)と、室温で磁性層3のHC1よりも低い
保磁力(HC2)を有しており、室温からTC2まで垂直磁
気異方性が優位となる特性を示し、補償点(Tcomp2 )
を有する。
ず、初期化が行われる。すなわち、図4に示すように、
上向きの初期化磁界(Hinit)を印加することにより、
磁性層4の磁化だけを一方向に揃える。なお、図4で
は、希土類金属の副格子磁化が遷移金属の副格子磁化よ
りも大きい、いわゆる希土類金属リッチの磁性層4にお
ける、遷移金属の副格子磁化が矢印で示されている。
み行われる。磁性層3のHC1はHin itより大きいため、
磁性層3の磁化の反転は生じない。
同一方向の記録磁界(Hw )を印加しながら、図5に示
すように、高レベルIと低レベルIIに強度変調されたレ
ーザー光を照射することにより行う。
磁性層3・4が共にTC1、TC2付近またはそれ以上とな
る温度(TH )まで昇温し、低レベルIIのレーザー光が
照射されると、磁性層3だけがTC1付近またはそれ以上
となる温度(TL )まで昇温するように、高レベルIと
低レベルIIとが設定されている。
射されると、磁性層4の磁化は、Hw により上向きに反
転し、冷却の過程では、界面に作用する交換力により磁
性層4の磁化の向きが磁性層3に転写されることによ
り、磁性層3の磁化の向きと磁性層4の磁化の向きとが
一致する。したがって、磁性層3の向きは上向きにな
る。
ると、磁性層4の磁化は、Hw により反転することはな
い。冷却の過程では、上記と同様に、界面に作用する交
換力により磁性層4の向きが磁性層3に転写されること
により、磁性層3の磁化の向きと磁性層4の磁化の向き
とが一致する。したがって、磁性層3の向きは下向きに
なる。
ー光でオーバーライトが可能になる。
低いレベルIII のレーザー光を照射し、その反射光にお
ける偏光面の回転を検出している。
に示す。
径86mm、内径15mm、厚さ1.2mmの円盤状のガラス
からなっている。基板1の片側の表面には、光ビーム案
内用の凹凸状のガイドトラックが反応性イオンエッチン
グ法により直接形成されている。トラックピッチは1.
6μm、グルーブ(凹部)の幅は0.8μm、ランド
(凸部)の幅は0.8μmである。
性スパッタリングにより膜厚70nmのAlNからなる
誘電体層2と、Dy、Fe、Coターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚50nmのDyFeCoからなる
磁性層3と、Gd、Dy、Fe、Coターゲットの同時
スパッタリングにより膜厚50nmのGdDyFeCo
からなる磁性層4と、膜厚70nmのAlNからなる保
護層6とを積層した。
件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力300Wであり、誘電体
層2および保護層6の成膜時のスパッタリング条件は、
到達真空度2.0×10-4Pa以下、N2 ガス圧3.0
×10-1Pa、放電電力800Wである。
o0.14)0.81、遷移金属リッチ、TC1=170℃、室温
でのHC1=12kOeであり、磁性層4は、(Gd0.50
Dy0.50)0.30(Fe0.72Co0.28)0.70、希土類金属
リッチ、TC2=250℃、Tcomp2=210℃、室温で
のHC2=1.5kOeである。
を、接着剤層7で貼り合わせることにより、両面仕様の
光磁気ディスク11のサンプル#1を得た。
3タイプの硬化機能を組み合わせたポリウレタンアクリ
レート系の材料を用いた。この接着剤層7によれば、紫
外線が透過しない光磁気記録媒体層21の影になる部分
を、熱及び嫌気性の硬化機能により硬化させることがで
きる。このため、極めて高い耐湿性を有し、長期安定性
に極めて優れた光磁気ディスク11を得ることができ
る。
て、上記の磁石10・10’を用い、高レベルIのレー
ザーパワー(PH )が10mW、低レベルIIのレーザー
パワー(PL )が2mWの条件の下で、長さ0.65μm
の記録ビットを記録したところ、消し残りのない光変調
オーバーライトができた。これらの記録ビットを、レベ
ルIII の再生レーザーパワー(PR )=1mWの条件の
下で、再生したところ、46dBの信号対雑音比(C/
N)が得られた。
磁石10’だけを用いた場合について、上記と同様に記
録再生テストを行ったところ、46dBのC/Nを得る
ためには、ギャップ、すなわち、記録媒体層21からの
距離を0.7mm以下にセットする必要があった。この
ため、両面仕様の光磁気ディスク11を使用することは
困難である。つまり、片側の磁石10または10’だけ
を用いた場合、充分大きなギャップを確保した上で、必
要な強度のHinitおよびHw を磁性層3・4に印加する
ためには、かなり大きな磁石10または10’が必要に
なる。
ができる光磁気ディスク11の他の例を図7に示す。
3と4との間に、磁性層5(第3磁性層)を設けた構成
になっている。
1側から順に、透光性を有する誘電体層2、磁性層3
(第1磁性層)、磁性層5(第3磁性層)、磁性層4
(第2磁性層)、保護層6を積層した構成になってい
る。
金からなっている。
・5と比較して、低いキュリー点(TC1)と、室温で高
い保磁力(HC1)を有しており、室温からTC1まで垂直
磁気異方性が優位となる特性を示す。
ュリー点(TC3)と、室温でほぼゼロの保磁力(HC3)
を有しており、室温で面内磁気異方性と垂直磁気異方性
がほぼ等しく、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位と
なる特性を示し、補償点(Tcomp3 )を有する。
ュリー点(TC2)と、室温で磁性層3のHC1よりも低い
保磁力(HC2)を有しており、室温からTC2まで垂直磁
気異方性が優位となる特性を示し、補償点(Tcomp2 )
を有する。
ず、初期化が行われる。すなわち、図9に示すように、
上向きのHinitを印加することにより、磁性層4の磁化
だけを一方向に揃える。なお、図9では、希土類金属の
副格子磁化が遷移金属の副格子磁化よりも大きい、いわ
ゆる希土類金属リッチの磁性層4における、遷移金属の
副格子磁化が矢印で示されている。
み行われる。磁性層3のHC1はHin itより大きく、磁性
層5の面内磁気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等しい特
性を示すため、磁性層4の磁化の向きが磁性層5を通し
て磁性層3に転写されることはない。したがって、磁性
層3の磁化の反転は生じない。
同一方向のHw を印加しながら、高レベルIと低レベル
IIに強度変調されたレーザー光を照射することにより行
う。
磁性層3・4が共にTC1、TC2付近またはそれ以上とな
る温度(TH )まで昇温し、低レベルIIのレーザー光が
照射されると、磁性層3だけがTC1付近またはそれ以上
となる温度(TL )まで昇温するように、高レベルIと
低レベルIIとが設定されている。
射されると、磁性層4の磁化は、Hw により上向きに反
転し、冷却の過程では、磁性層5も垂直磁気異方性を示
すので、界面に作用する交換力により磁性層4の磁化の
向きが磁性層5に転写され、さらに磁性層5の磁化の向
きが磁性層3に転写されることにより、磁性層3の磁化
の向きと磁性層4の磁化の向きとが一致する。したがっ
て、磁性層3の向きは上向きになる。
ると、磁性層4の磁化は、Hw により反転することはな
い。冷却の過程では、磁性層5も垂直磁気異方性を示す
ので、上記と同様に、界面に作用する交換力により磁性
層4の磁化の向きが磁性層5に転写され、さらに磁性層
5の磁化の向きが磁性層3に転写されることにより、磁
性層3の磁化の向きと磁性層4の磁化の向きとが一致す
る。したがって、磁性層3の向きは下向きになる。
ー光でオーバーライトが可能になる。
低いレベルIII のレーザー光を照射し、その反射光にお
ける偏光面の回転を検出している。
に示す。
サンプル#1と同一である。
0.28(Fe0.61Co0.39)0.72であり、希土類金属リッ
チ、TC3≧300℃、Tcomp3 =150℃、室温でのH
C3〜0kOeである。
て、上記の磁石10・10’を用い、サンプル#1と同
一の記録再生テストを行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、46dBの信号対雑音比
(C/N)が得られた。
ができる光磁気ディスク11のその他の例を図10に示
す。
層2と磁性層3との間に、磁性層8(第0磁性層)を設
けた構成になっている。
1側から順に、透光性を有する誘電体層2、磁性層8
(第0磁性層)、磁性層3(第1磁性層)、磁性層5
(第3磁性層)、磁性層4(第2磁性層)、保護層6を
積層した構成になっている。
ュリー点(TC0)を有し、室温での保磁力(HC0)がほ
ぼゼロであり、室温で面内磁気異方性を示し、所定温度
以上で垂直磁気異方性を示す。
記録は、上記と同様にして行われる。
低いレベルIII のレーザー光を照射し、その反射光にお
ける偏光面の回転を検出している。磁性層8は室温で面
内磁気異方性を示すが、レベルIII のレーザー光を照射
すると、レーザースポットの中央に位置する部分だけが
垂直磁気異方性を示す。このため、この垂直磁気異方性
を示す部分からの反射光より情報を再生できる。この垂
直磁気異方性を示す部分の大きさはレーザースポットよ
りも小さいので、磁性層8を設けない場合と比較して、
隣接記録ビットからの影響を受けにくくなる。したがっ
て、より短い記録ビットを再生できる。
に示す。
サンプル#2と同一である。
0.25(Fe0.80Co0.20)0.75であり、希土類金属リッ
チ、TC0=300℃、補償点なし、室温でのHC3〜0k
Oe、約100℃で垂直磁気異方性を示す。
て、上記の磁石10・10’を用い、サンプル#1と同
一の記録再生テストを行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、48dBの信号対雑音比
(C/N)が得られた。サンプル#2のC/Nが46d
Bであることを考慮すると、サンプル#2よりも信号品
質が向上した。これは、TC0>TC1に設定したので、カ
ー回転角が大きくなったためと考えられる。
#2ではC/Nが急激に低下したが、サンプル#3では
C/Nがあまり低下しなかった。これは、上記のよう
に、磁性層8を設けためと考えられる。
0’によれば、両面仕様の光磁気ディスク11に光変調
オーバーライトが可能な、小型・薄型の光磁気ディスク
装置を実現できる。
0’を、レーザービームの照射部の手前に、すなわち、
光磁気ディスク11が回転する方向(図1では右方向)
とは反対側に配置したが、もう一対の磁石10・10’
をレーザービームの照射部の奥に、すなわち、光磁気デ
ィスク11が回転する方向と同じ側に配置することもで
きる。この場合、追加した磁石10・10’の磁化は、
もとの磁石10・10’の磁化とは逆向きになるように
セットする。すなわち、追加した磁石10・10’およ
び、もとの磁石10・10’の相向かい合う磁極の極性
が同一になるように配置する。
二つの閉磁気回路がレーザービームに対して対称に配置
されるので、磁石10・10’から光ピックアップのア
クチュエーター部(図示されていない)に印加される漏
洩磁界の分布が対称になり、均一になる。これにより、
アクチュエーター部に対する漏洩磁界の悪影響が軽減す
る。
・10’からの合成磁界が、レーザービームの照射部に
Hw として印加されるため、磁石10・10’とレーザ
ービームスポットとの距離をさらに広げることができ、
さらに、アクチュエーター部に対する漏洩磁界の悪影響
を軽減させることができる。
図14に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、そ
の説明を省略する。
に示すように、磁石10・10’が、レーザービームの
照射部の奥に、すなわち、光磁気ディスク11が回転す
る方向(図では右方向)と同じ側に配置されている点
で、前記実施例とは異なっている。これにより、レーザ
ービームの照射部の奥に、光磁気ディスク11に垂直な
Hinitが印加され、かつ、レーザービームの照射部に、
Hinitとほぼ逆平行でHinitよりも弱いHw が印加され
るようになっている。
ができる光磁気ディスク11の一例を図12に示す。
仕様になっており、透光性基板1(基体)上に光磁気記
録媒体層21を形成した光磁気記録媒体を2枚、光磁気
記録媒体層21を向かい合わせて接着材層7で貼り合わ
せた構成になっている。
に、透光性を有する誘電体層2、磁性層3(第1磁性
層)、磁性層4(第2磁性層)、保護層6を積層した構
成になっている。
金からなっている。
4と比較して、低いキュリー点(TC1)と、室温で高い
保磁力(HC1)を有しており、室温からTC1まで垂直磁
気異方性が優位となる特性を示す。
ュリー点(TC2)と、室温で磁性層3のHC1よりも低い
保磁力(HC2)を有しており、室温からTC2まで垂直磁
気異方性が優位となる特性を示し、補償点(Tcomp2 )
を有しない。
ず、初期化が行われる。すなわち、図14に示すよう
に、上向きの初期化磁界(Hinit)を印加することによ
り、磁性層4の磁化だけを一方向に揃える。なお、図1
4では、希土類金属の副格子磁化が遷移金属の副格子磁
化よりも大きい、いわゆる希土類金属リッチの磁性層4
における、遷移金属の副格子磁化が矢印で示されてい
る。
み行われる。磁性層3のHC1はHin itより大きいため、
磁性層3の磁化の反転は生じない。
反対方向の記録磁界(Hw )を印加しながら、高レベル
Iと低レベルIIに強度変調されたレーザー光を照射する
ことにより行う。
磁性層3・4が共にTC1、TC2付近またはそれ以上とな
る温度(TH )まで昇温し、低レベルIIのレーザー光が
照射されると、磁性層3だけがTC1付近またはそれ以上
となる温度(TL )まで昇温するように、高レベルIと
低レベルIIとが設定されている。
射されると、磁性層4の磁化は、Hw により上向きに反
転し、冷却の過程では、界面に作用する交換力により磁
性層4の磁化の向きが磁性層3に転写されることによ
り、磁性層3の磁化の向きと磁性層4の磁化の向きとが
一致する。したがって、磁性層3の向きは上向きにな
る。
ると、磁性層4の磁化は、Hw により反転することはな
い。冷却の過程では、上記と同様に、界面に作用する交
換力により磁性層4の向きが磁性層3に転写されること
により、磁性層3の磁化の向きと磁性層4の磁化の向き
とが一致する。したがって、磁性層3の向きは下向きに
なる。
ー光でオーバーライトが可能になる。
低いレベルIII のレーザー光を照射し、その反射光にお
ける偏光面の回転を検出している。
に示す。
サンプル#1と同一である。
0.32(Fe0.68Co0.32)0.68、希土類金属リッチ、T
C2=250℃、室温でのHC2=1.5kOeであり、補
償温度を有しない。
て、上記の磁石10・10’を用い、サンプル#1と同
一の記録再生テストを行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、46dBの信号対雑音比
(C/N)が得られた。
用いることにより、前記実施例と同様に、光磁気ディス
ク装置を小型化・薄型化できる。
図18に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、そ
の説明を省略する。
に示すように、磁石10・10’が、光磁気ディスク1
1の面に対し平行移動できるようになっている点で、前
記実施例とは異なっている。磁石10・10’を平行移
動させることにより、レーザービームの照射部に印加す
るHw の向きを、上向きまたは下向きに切り替えること
ができる。
ができる光磁気ディスク11の一例を図16に示す。
仕様になっており、透光性基板1(基体)上に光磁気記
録媒体層21を形成した光磁気記録媒体を2枚、光磁気
記録媒体層21を向かい合わせて接着材層7で貼り合わ
せた構成になっている。
に、透光性を有する誘電体層2、層面に垂直な磁化容易
軸を有する磁性層3、透光性を有する誘電体層12、反
射膜13を積層した、いわゆる四層反射膜構成になって
いる。
ず、Hw を印加しながら、レーザー光を照射することに
より、消去が行われる。それから、磁石10・10’を
平行移動させることにより、Hw の向きを反転させる。
この状態で、光変調記録が行われる。
弱いレーザー光を照射し、その反射光における偏光面の
回転を検出している。
に示す。
る誘電体層12、反射膜13を除いて、前記サンプル#
1と同一である。
0.23(Fe0.78Co0.22)0.77からなり、室温でのHC1
=16kOe以上である。誘電体層12は、膜厚が25
nmのAlNからなり、反射膜13は、膜厚が50nm
のAlからなる。
て、記録再生テストを行った。磁石10・10’には、
第1実施例と同一のNd系の永久磁石を用いた。磁石1
0・10’を光磁気ディスク11の基板1・1から0.
5mm離れた位置で、レーザービームスポットから7m
m離れた位置にセットしたところ、250OeのHwを
光磁気ディスク11に印加できた。記録・消去のレーザ
ーパワーが5.5mWの下で、長さ0.76μmの記録ビ
ットを記録し、これらの記録ビットを再生したところ、
50dBのC/Nが得られた。前記実施例と比較して、
C/Nが向上したが、これは、カー効果のエンハンスメ
ントによるものと考えられる。
用いることにより、前記実施例と同様に、光磁気ディス
ク装置を小型化・薄型化できる。
の磁石10’だけを用いて、上記と同様に記録再生テス
トを行ったところ、上記と同等のC/Nが得られた。し
かしながら、Hw の極性を反転させるために磁石10’
の回動機構が必要になるので、光磁気ディスク装置の薄
型化が困難である。
ができる光磁気ディスク11の他の例を図18に示す。
仕様になっており、透光性基板1(基体)上に光磁気記
録媒体層21を形成した光磁気記録媒体を2枚、光磁気
記録媒体層21を向かい合わせて接着材層7で貼り合わ
せた構成になっている。
に、透光性を有する誘電体層2、磁性層8(第0磁性
層)、層面に垂直な磁化容易軸を有する磁性層3、保護
層6を積層した構成になっている。
ュリー点(TC0)を有し、室温での保磁力(HC0)がほ
ぼゼロであり、室温で面内磁気異方性を示し、所定温度
以上で垂直磁気異方性を示す。
に示す。
mのGd0.26(Fe0.82Co0.18)0.74からなり、希土
類金属リッチ、TC0=300℃、室温でのHC3〜0kO
e、約100℃で垂直磁気異方性を示す。
0.23(Fe0.78Co0.22)0.77であり、室温でのHC1=
16kOe以上である。
も、サンプル#5と同様の条件の下で、記録再生テスト
を行ったところ、50dBのC/Nが得られた。サンプ
ル#5とほぼ同じC/Nが得られたが、これは、高いT
C0を有する磁性層8を用いたためと考えられる。また、
前記実施例のサンプル#3と同様に、記録ビットが短く
なっても、前記実施例のサンプル#3と同様に、C/N
があまり低下しなかった。これは、前述のように、磁性
層8を設けためと考えられる。
図23に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、そ
の説明を省略する。
に示すように、光磁気ディスクの光磁気記録媒体層21
にレーザービームを収斂させる対物レンズ9と、光磁気
ディスク11の片側に配置され、初期化磁界(Hinit)
と記録磁界(Hw )とを発生させる磁石20・20’
(外部磁界印加手段)を備えている。
して対称に配置されており、磁化が互いに逆向きになる
ように、かつ、光磁気ディスク11の面とほぼ平行にな
るように配置されている。これにより、レーザービーム
の照射部の手前および奥に、光磁気ディスク11に垂直
なHinitが印加され、かつ、レーザービームの照射部
に、Hinitとほぼ平行でHinitよりも弱いHw が印加さ
れるようになっている。
ら光磁気ディスク11に垂直上向きのHinitおよびHw
が印加される。磁石20・20’の磁化が互いに逆向き
になるように、換言すれば、同一磁極が対向するように
磁石20・20’を配置したので、小さい磁石20・2
0’を使用しても、強いHinitが得られる。したがっ
て、光磁気ディスク装置を小型化できる。しかも、磁石
20・20’の磁化が光磁気ディスク11の面とほぼ平
行になるように、磁石20・20’を配置したので、光
磁気ディスク装置を薄型化できる。
initだけでなく、Hw も印加することができる。このた
め、レーザービームを光磁気ディスク11のトラックに
追従させるための対物レンズ9のアクチュエーター(図
示されていない)およびレーザービームをトラック上に
フォーカスさせるための対物レンズ9のアクチュエータ
ー(図示されていない)から磁石20・20’を離すこ
とが可能になる。これにより、磁石20・20’からの
漏洩磁界がアクチュエーターに及ぼす影響を大幅に緩和
できる。
例えば、残留磁束密度が1.21TのNd系の永久磁石
が用いられる。磁石20・20’のサイズは、光磁気デ
ィスク11の半径に沿った幅が20mm、光磁気ディス
ク11のトラックに沿った長さが30mm、厚さが2m
m程度である。
体層21から0.5mm離れた位置で、レーザービーム
スポットからそれぞれ5mm離れた位置にセットしたと
ころ、3kOeのHinitおよび400OeのHw を光磁
気ディスク11に印加できた。
つまり、アクチュエーター付近での漏洩磁界は630O
eであり、その変動は極めて少なかった。しかも、漏洩
磁界の分布はレーザービームに対して対称であり、均一
であった。
ができる光磁気ディスク11の一例を図20に示す。
仕様になっており、透光性基板1(基体)上に光磁気記
録媒体層21と、オーバーコート層27を順次形成した
構成になっている。
に、透光性を有する誘電体層2、磁性層3(第1磁性
層)、磁性層4(第2磁性層)、保護層6を積層した構
成になっている。
は、前記第1の実施例で述べた通りである。
に示す。
ル#1の光磁気記録媒体層21上に、オーバーコート層
27を形成した構成になっている。オーバーコート層2
7は、アクリレート系紫外線硬化樹脂をコーティング
し、紫外線照射により硬化させることにより形成され
た。
て、上記の磁石20・20’を用い、サンプル#1と同
様の記録再生テストを行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、46dBの信号対雑音比
(C/N)が得られた。また、アクチュエーターに対す
る悪影響も見られなかった。
20だけを用いた場合について、上記と同様に記録再生
テストを行ったところ、46dBのC/Nを得るために
は、レーザービームスポットから3mm離れた位置にセ
ットする必要があった。つまり、本実施例よりも2mm
近づける必要があった。このため、アクチュエーター付
近での漏洩磁界が変動し、その分布も300〜500O
eに及んだ。これにより、アクチュエーターが誤動作し
た。
ができる光磁気ディスク11の他の例を図22に示す。
層3と4との間に、磁性層5(第3磁性層)を設けた構
成になっている。
は、前記第1の実施例で述べた通りである。
に示す。
ル#2の光磁気記録媒体層21上に、オーバーコート層
27を形成した構成になっている。オーバーコート層2
7は、アクリレート系紫外線硬化樹脂をコーティング
し、紫外線照射により硬化させることにより形成され
た。
て、上記の磁石20・20’を用い、サンプル#7と同
様の記録再生テストを行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、46dBの信号対雑音比
(C/N)が得られた。また、アクチュエーターに対す
る悪影響も見られなかった。
ができる光磁気ディスク11のその他の例を図23に示
す。
体層2と磁性層3との間に、磁性層8(第0磁性層)を
設けた構成になっている。
は、前記第1の実施例で述べた通りである。
に示す。
ル#3の光磁気記録媒体層21上に、オーバーコート層
27を形成した構成になっている。オーバーコート層2
7は、アクリレート系紫外線硬化樹脂をコーティング
し、紫外線照射により硬化させることにより形成され
た。
て、上記の磁石20・20’を用い、サンプル#7と同
様の記録再生テストを行ったところ、消し残りのない光
変調オーバーライトができ、46dBの信号対雑音比
(C/N)が得られた。また、アクチュエーターに対す
る悪影響も見られなかった。
磁気ディスク11のサンプル#1〜#9の基板1とし
て、ガラスを用いたが、これ以外にも、化学強化された
ガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を
形成した、いわゆる2P層付きガラス基板、ポリカーボ
ネート(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMM
A)、アモルファスポリオレフィン(APO)、ポリス
チレン(PS)、ポリ塩化ビフェニール(PVC)、エ
ポキシ等の基板1を使用することが可能である。
0nmに限定されるものではない。
を再生する際、磁性層3あるいは磁性層8からの極カー
回転角を光の干渉効果を利用して増大させる、いわゆる
カー効果エンハンスメントを考慮して決定される。再生
時のC/Nをできるだけ大きくさせるには、極カー回転
角を大きくさせることが必要であり、このため、透明誘
電体層2の膜厚は、極カー回転角が最も大きくなるよう
に設定される。
2の屈折率により変化する。本実施例の場合は、AlN
の屈折率2.0であるので、再生光の波長が 780nmの場
合、透明誘電体層2のAlNの膜厚を30〜120nm
程度にすると、カー効果エンハンスメントの効果が大き
くなる。尚、好ましくは、透明誘電体層2のAlNの膜
厚は、70〜100nmであり、この範囲であれば極カ
ー回転角がほぼ最大になる。
上記透明誘電体層2の膜厚を半分(=400/780)
にすればよい。さらに、材料の違い、あるいは、製法に
より透明誘電体層2の屈折率が上記とは異なる場合、屈
折率と膜厚を乗じた値(光路長)が同じになるように、
透明誘電体層2の膜厚を設定すればよい。
層2の屈折率は大きいほど、その膜厚は少なくて済む。
また、屈折率が大きいほど、極カー回転角のエンハンス
効果も大きくなる。
であるArとN2 の比率、ガス圧力等を変えることによ
り、その屈折率が変わるが、おおむね1.8〜2.1程
度と屈折率が比較的大きな材料であり、透明誘電体層2
の材料として好適である。
エンハンスメントだけでなく、保護層6と共に、磁性層
3〜5、あるいは、磁性層8、3〜5の希土類遷移金属
合金磁性層の酸化を防止する役割がある。
酸化されやすく、特に希土類が酸化されやすい。このた
め外部からの酸素、水分侵入を極力防止しなければ、酸
化によりその特性が著しく劣化してしまう。
は、磁性層3〜5、あるいは、磁性層8、3〜5の両側
をAlNで挟み込む形の構成を取っている。AlNは、
その成分に酸素を含まない窒化膜であり、非常に耐湿性
に優れた材料である。
て、N2 ガスもしくはArとN2 の混合ガスを導入して
反応性DC(直流電流)スパッタリングを行うことが可
能であり、RF(高周波)スパッターに比べて成膜速度
が大きいこと点でも有利である。
は、SiN、AlSiN、AlTaN、SiAlON、
TiN、TiON、BN、ZnS、TiO2 、BaTi
O3、SrTiO3 等が好適である。
TaN、TiN、BN、ZnSは、その成分に酸素を含
まず、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することが
できる。
のGdFeCoの組成、磁性層5のGdDyFeCoの
組成、は、上記の組成に限定されるものではない。磁性
層3〜5の材料として、Gd、Tb、Dy、Ho、Nd
から選ばれた少なくとも1種の希土類金属と、Fe、C
oから選ばれた少なくとも1種の遷移金属からなる合金
を使用しても、同様の効果が得られる。
e,Ni,Ti,Pt,Rh,Cuのうち少なくとも1
種類の元素を添加すると、磁性層3〜5自体の耐環境性
が向上する。すなわち、酸素侵入による磁性層3・5の
酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性に優れた
光磁気ディスクを提供することができる。
料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるものである。磁性
層3の膜厚は、20nm以上、より好ましくは30nm
以上であり、あまり厚すぎると磁性層5の情報が転写さ
れなくなるので、100nm以下が好適である。磁性層
4の膜厚は、5nm以上、より好ましくは10〜50n
mであり、あまり厚すぎると磁性層5の情報が転写され
なくなるので、100nm以下が好適である。磁性層5
の膜厚は、20nm以上、より好ましくは10〜50n
mであり、あまり厚すぎると記録感度が低下するので、
200nm以下が好適である。
合、C/Nがディジタル記録再生で最低限必要とされて
いる45dBを下まわる。また、TC1が250℃を越え
る場合、記録感度が悪くなる。このため、磁性層3のT
C1は100〜250℃が適当である。さらに、磁性層3
の室温でのHC1が5kOe未満の場合、Hinitにより一
部が初期化される恐れがある。このため、磁性層3の室
温でのHC1は5kOe以上が適当である。
0℃未満の場合、室温と、PR のレーザー光が照射され
たときの温度との間の温度で、磁性層5から磁性層4へ
の磁化の転写、磁性層4から磁性層3への磁化の転写が
起こる。したがって、Hinitにより磁性層5だけでなく
磁性層3も初期化され、記録を行うことができない。こ
のため、磁性層4の垂直磁気異方性を示す温度は80℃
以上が適当である。
未満の場合、光変調オーバーライト時に磁化の転写がう
まく行われない。このため、磁性層4のTC2はTC1以上
が適当である。
L とPR との差が小さくなるので、うまく光変調オーバ
ーライトが行われない。また、TC3が400℃を越える
場合、記録感度が悪くなる。このため、磁性層5のTC3
は150〜400℃が適当である。さらに、磁性層5の
室温でのHC3が3kOeを越える場合、Hinitの発生装
置が大型になり、好ましくない。このため、磁性層5の
室温でのHC3は3kOe以下が適当である。
Tcomp2 より低い場合、高レベルIのレーザー光の強度
のマージン、低レベルIIのレーザー光の強度のマージン
が大きくなり、さらに冷却の過程で磁性層4の情報が磁
性層5に転写され、さらに、磁性層3に転写されるとき
に磁性層4の静磁力を利用できるので好ましい。
80nmとしたが、これに限定するものではない。保護
層6の膜厚の範囲としては、1〜200nmが好適であ
る。
は、磁性層3〜5・8を合わせた膜厚は100nm以上
であり、この膜厚になると光ピックアップから入射した
光はほとんど磁性層を透過しない。したがって、保護層
6の膜厚に特に制限はなく、磁性層の酸化を長期に渡っ
て防止するに必要な膜厚であれば良い。酸化防止能力が
低い材料であれば膜厚を厚く、高ければ薄くすれば良
い。
伝導率が、光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼ
す。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要なレ
ーザーパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光はそのほとんどが、透明誘導体層2
を通過し、吸収膜である磁性層3〜5あるいは、磁性層
3〜5・8に吸収されて、熱に変わる。このとき、磁性
層3〜5あるいは、磁性層3〜5・8の熱が透明誘導体
層2、保護層6に熱伝導により移動する。したがって、
透明誘導体層2、保護層6の熱伝導率および熱容量(比
熱) が記録感度に影響を及ぼす。
保護層6の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる( 低いレーザーパワーで
記録消去を行える) 目的であれば保護層6の膜厚を薄く
すれば良い。通常は、レーザー寿命を延ばすため、記録
感度はある程度高い方が有利であり、保護層6の膜厚は
薄い方が良い。
れるので、保護層6として用いた場合、膜厚を薄くする
ことができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供する
ことができる。
と同じAlNとすることで、耐湿性に優れた光磁気ディ
スクを提供でき、かつ保護層6と透明誘導体層2を同じ
材料で形成することで、生産性も向上させることができ
る。
外に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘導
体層2の材料として用いられる、SiN、AlSiN、
AlTaN、SiAlON、TiN、TiON、BN、
ZnS、TiO2 、BaTiO3 、SrTiO3 が好適
である。このうち特に、SiN、AlSiN、AlTa
N、TiN、BN、ZnSは、その成分に酸素を含ま
ず、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することがで
きる。
ト系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱及び嫌
気性の3タイプの硬化機能が組み合わされたものであ
り、紫外線が透過しない記録媒体層の影になる部分の硬
化が熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるという利点
を持っており、極めて高い耐湿性を有し、長期安定性に
極めて優れた両面タイプの光磁気ディスクを提供するこ
とができる。
ディスクの厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求
される記録再生装置に有利である。
えば大容量を要求される記録再生装置に有利である。
光磁気ディスクを例に説明したが、光磁気テープ、光磁
気カードにも本発明を応用できる。
として光磁気ディスク装置を例に説明したが、光磁気テ
ープ装置、光磁気カード装置にも本発明を応用でき、光
磁気記録再生装置にも応用できる。
石を使用したが、電磁石を使用してもよい。
装置は、光磁気ディスク11にレーザービームを収斂さ
せる対物レンズ9と、光磁気ディスク11の両側に配置
され、光磁気ディスク11のレーザービームに照射され
た部分に記録磁界を印加すると共に、レーザービームに
照射された部分から離れた部分に記録磁界よりも大きい
初期化磁界を印加する一対の磁石10・10’とが備え
られており、上記の磁石10・10’は、それぞれ両磁
極を結ぶ直線が光磁気ディスク11とほぼ平行になり、
かつ、両磁極を結ぶ直線が互いに反平行になるように、
配置されている構成である。
ほぼ閉磁気回路を形成するので、磁石10・10’から
の磁束を有効に利用できる。これにより、磁石10・1
0’を小型化できる。したがって、光変調オーバーライ
トが可能な光磁気ディスク装置を小型化、薄型化でき
る。
装置は、請求項1の光磁気ディスク装置であって、上記
の一対の磁石10・10’が二組設けられており、二組
の磁石10・10’および10・10’が、レーザービ
ームに照射された部分を通り光磁気ディスク11に垂直
な軸に対称になるように、配置されている構成である。
え、二組の磁石10・10’および10・10’からの
合成磁界が記録磁界として光磁気ディスク11に印加さ
れるので、磁石10・10’を小型化でき、レーザービ
ームに照射された部分から磁石10・10’を離すこと
ができる。したがって、光変調オーバーライトが可能な
光磁気ディスク装置を小型化、薄型化できる。しかも、
磁石10・10’からの漏洩磁界の、対物レンズ9付近
における分布が均一になるので、トラッキングおよびフ
ォーカシングのために対物レンズ9を磁気駆動するアク
チュエーターを設けても、漏洩磁界がアクチュエーター
に悪影響を及ぼしにくくなる。
装置は、光磁気ディスク11にレーザービームを収斂さ
せる対物レンズ9と、光磁気ディスク11の両側に配置
され、光磁気ディスク11のレーザービームに照射され
た部分に記録磁界および消去磁界を印加する一対の磁石
10・10’と、記録磁界と消去磁界とを切り替えるた
めに磁石10・10’を光磁気ディスク11に対し平行
移動させる移動手段とが備えられており、上記の磁石1
0・10’は、それぞれ両磁極を結ぶ直線が光磁気ディ
スク11とほぼ平行になり、かつ、両磁極を結ぶ直線が
互いに反平行になるように、配置されている構成であ
る。
ほぼ閉磁気回路を形成するので、磁石10・10’から
の磁束を有効に利用できる。これにより、磁石10・1
0’を小型化できる。したがって、補助層を有しない汎
用の光磁気ディスク11を使用する、光変調記録が可能
な光磁気ディスク装置を小型化、薄型化できる。
装置は、光磁気ディスク11にレーザービームを収斂さ
せる対物レンズ9と、光磁気ディスク11の片側に配置
され、光磁気ディスク11のレーザービームに照射され
た部分に記録磁界を印加すると共に、レーザービームに
照射された部分から離れた部分に記録磁界よりも大きい
初期化磁界を印加する一対の磁石20・20’とが備え
られており、上記の磁石20・20’は、それぞれ両磁
極を結ぶ直線が光磁気ディスク11とほぼ平行になり、
かつ、両磁極を結ぶ直線が互いに反平行になり、かつ、
レーザービームに照射された部分を通り光磁気ディスク
11に垂直な軸に対称になるように、配置されている構
成である。
・20’からの合成磁界が記録磁界として光磁気ディス
ク11に印加されるので、磁石20・20’を小型化で
き、レーザービームに照射された部分から磁石20・2
0’を離すことができる。したがって、光変調オーバー
ライトが可能な光磁気ディスク装置を小型化、薄型化で
きる。しかも、磁石20・20’からの漏洩磁界の、対
物レンズ9付近における分布が均一になるので、トラッ
キングおよびフォーカシングのために対物レンズ9を磁
気駆動するアクチュエーターを設けても、漏洩磁界がア
クチュエーターに悪影響を及ぼしにくくなる。
は、以上のように、光磁気記録媒体にレーザービームを
収斂させる対物レンズと、光磁気記録媒体の両側に配置
され、光磁気記録媒体のレーザービームに照射された部
分に記録磁界を印加すると共に、レーザービームに照射
された部分から離れた部分に記録磁界よりも大きい初期
化磁界を印加する一対の外部磁界印加手段とが備えられ
ており、上記の外部磁界印加手段は、それぞれ両磁極を
結ぶ直線が光磁気記録媒体とほぼ平行になり、かつ、両
磁極を結ぶ直線が互いに反平行になるように、配置され
ているので、一対の外部磁界印加手段がほぼ閉磁気回路
を形成する。このため、外部磁界印加手段からの磁束を
有効に利用できる。これにより、外部磁界印加手段を小
型化できる。したがって、光変調オーバーライトが可能
な光磁気記録装置を小型化、薄型化できるという効果を
奏する。
以上のように、請求項1の光磁気記録装置であって、上
記の一対の外部磁界印加手段が二組設けられており、二
組の外部磁界印加手段が、レーザービームに照射された
部分を通り光磁気記録媒体に垂直な軸に対称になるよう
に、配置されているので、請求項1の効果に加え、二組
の外部磁界印加手段からの合成磁界が記録磁界として光
磁気記録媒体に印加される。このため、外部磁界印加手
段を小型化でき、レーザービームに照射された部分から
外部磁界印加手段を離すことができる。したがって、光
変調オーバーライトが可能な光磁気記録装置を小型化、
薄型化できるという効果を奏する。しかも、外部磁界印
加手段からの漏洩磁界の、対物レンズ付近における分布
が均一になるので、トラッキングおよびフォーカシング
のために対物レンズを磁気駆動するアクチュエーターを
設けても、漏洩磁界がアクチュエーターに悪影響を及ぼ
しにくくなるという効果を併せて奏する。
以上のように、光磁気記録媒体にレーザービームを収斂
させる対物レンズと、光磁気記録媒体の両側に配置さ
れ、光磁気記録媒体のレーザービームに照射された部分
に記録磁界および消去磁界を印加する一対の外部磁界印
加手段と、記録磁界と消去磁界とを切り替えるために外
部磁界印加手段を光磁気記録媒体に対し平行移動させる
移動手段とが備えられており、上記の外部磁界印加手段
は、それぞれ両磁極を結ぶ直線が光磁気記録媒体とほぼ
平行になり、かつ、両磁極を結ぶ直線が互いに反平行に
なるように、配置されているので、一対の外部磁界印加
手段がほぼ閉磁気回路を形成する。このため、外部磁界
印加手段からの磁束を有効に利用できる。これにより、
外部磁界印加手段を小型化できる。したがって、補助層
を有しない汎用の光磁気記録媒体を使用する、光変調記
録が可能な光磁気記録装置を小型化、薄型化できるとい
う効果を奏する。
以上のように、光磁気記録媒体にレーザービームを収斂
させる対物レンズと、光磁気記録媒体の片側に配置さ
れ、光磁気記録媒体のレーザービームに照射された部分
に記録磁界を印加すると共に、レーザービームに照射さ
れた部分から離れた部分に記録磁界よりも大きい初期化
磁界を印加する一対の外部磁界印加手段とが備えられて
おり、上記の外部磁界印加手段は、それぞれ両磁極を結
ぶ直線が光磁気記録媒体とほぼ平行になり、かつ、両磁
極を結ぶ直線が互いに反平行になり、かつ、レーザービ
ームに照射された部分を通り光磁気記録媒体に垂直な軸
に対称になるように、配置されているので、一対の外部
磁界印加手段からの合成磁界が記録磁界として光磁気記
録媒体に印加される。このため、外部磁界印加手段を小
型化でき、レーザービームに照射された部分から外部磁
界印加手段を離すことができる。したがって、光変調オ
ーバーライトが可能な光磁気記録装置を小型化、薄型化
できるという効果を奏する。しかも、外部磁界印加手段
からの漏洩磁界の、対物レンズ付近における分布が均一
になるので、トラッキングおよびフォーカシングのため
に対物レンズを磁気駆動するアクチュエーターを設けて
も、漏洩磁界がアクチュエーターに悪影響を及ぼしにく
くなるという効果を併せて奏する。
ディスク装置を示す概略の構成図である。
ィスクの一例を示す縦断面図である。
保磁力の温度依存性を示すグラフである。
セスを示す説明図である。
の強度を示す説明図である。
を示す概略の構成図である。
ィスクの他の例を示す縦断面図である。
保磁力の温度依存性を示すグラフである。
セスを示す説明図である。
ディスクのその他の例を示す縦断面図である。
気ディスク装置を示す概略の構成図である。
気ディスクの一例を示す縦断面図である。
層の保磁力の温度依存性を示すグラフである。
プロセスを示す説明図である。
気ディスク装置を示す概略の構成図である。
気ディスクの一例を示す縦断面図である。
置を示す概略の構成図である。
気ディスクの他の例を示す縦断面図である。
気ディスク装置を示す概略の構成図である。
気ディスクの一例を示す縦断面図である。
置を示す概略の構成図である。
気ディスクの他の例を示す縦断面図である。
気ディスクのその他の例を示す縦断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】光磁気記録媒体にレーザービームを収斂さ
せる対物レンズと、光磁気記録媒体の両側に配置され、
光磁気記録媒体のレーザービームに照射された部分に記
録磁界を印加すると共に、レーザービームに照射された
部分から離れた部分に記録磁界よりも大きい初期化磁界
を印加する一対の外部磁界印加手段とが備えられてお
り、上記の外部磁界印加手段は、それぞれ両磁極を結ぶ
直線が光磁気記録媒体とほぼ平行になり、かつ、両磁極
を結ぶ直線が互いに反平行になるように、配置されてい
ることを特徴とする光磁気記録装置。 - 【請求項2】上記の一対の外部磁界印加手段が二組設け
られており、二組の外部磁界印加手段が、レーザービー
ムに照射された部分を通り光磁気記録媒体に垂直な軸に
対称になるように、配置されていることを特徴とする請
求項1記載の光磁気記録装置。 - 【請求項3】光磁気記録媒体にレーザービームを収斂さ
せる対物レンズと、光磁気記録媒体の両側に配置され、
光磁気記録媒体のレーザービームに照射された部分に記
録磁界および消去磁界を印加する一対の外部磁界印加手
段と、記録磁界と消去磁界とを切り替えるために外部磁
界印加手段を光磁気記録媒体に対し平行移動させる移動
手段とが備えられており、上記の外部磁界印加手段は、
それぞれ両磁極を結ぶ直線が光磁気記録媒体とほぼ平行
になり、かつ、両磁極を結ぶ直線が互いに反平行になる
ように、配置されていることを特徴とする光磁気記録装
置。 - 【請求項4】光磁気記録媒体にレーザービームを収斂さ
せる対物レンズと、光磁気記録媒体の片側に配置され、
光磁気記録媒体のレーザービームに照射された部分に記
録磁界を印加すると共に、レーザービームに照射された
部分から離れた部分に記録磁界よりも大きい初期化磁界
を印加する一対の外部磁界印加手段とが備えられてお
り、上記の外部磁界印加手段は、それぞれ両磁極を結ぶ
直線が光磁気記録媒体とほぼ平行になり、かつ、両磁極
を結ぶ直線が互いに反平行になり、かつ、レーザービー
ムに照射された部分を通り光磁気記録媒体に垂直な軸に
対称になるように、配置されていることを特徴とする光
磁気記録装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JP2916071B2 JP2916071B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=17578739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JPH1079149A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Pioneer Electron Corp | 光学式ピックアップ装置 |
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JPH01184645A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-24 | Sony Corp | 光磁気記録装置 |
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- 1993-11-05 JP JP5277097A patent/JP2916071B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-10-28 US US08/330,744 patent/US5530685A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-03 DE DE4439322A patent/DE4439322C2/de not_active Expired - Fee Related
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