JP2989575B2

JP2989575B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2989575B2
Application number: JP10040533A
Authority: JP
Inventors: 山口　　淳; 健一郎三谷
Original assignee: Sanyo Denki Co Ltd
Current assignee: Sanyo Denki Co Ltd
Priority date: 1997-12-12
Filing date: 1998-02-23
Publication date: 1999-12-13
Anticipated expiration: 2018-02-23
Also published as: EP0923073A3; US6370089B1; JPH11232714A; EP0923073A2

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁区拡大により信
号を再生する光磁気記録媒体に印加する再生磁界の調整
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。また、最近では、記録容量が直径１２ｃｍ
で６．１Ｇｂｙｔｅｓの光磁気記録媒体の規格化も進め
られている。

【０００３】また、光磁気記録媒体からの信号再生にお
いて交番磁界を印加し、再生層から記録層に転写された
磁区を交番磁界により拡大して信号を再生する磁区拡大
再生技術も開発されており、この技術を用いることによ
り同じ１２ｃｍのディスクで１４Ｇｂｙｔｅｓの信号を
記録および／または再生することができる光磁気記録媒
体も提案されている。

【０００４】かかる磁区拡大再生技術を用いた信号再生
においては、信号が記録された記録層の磁区が再生層に
転写され、その転写された磁区が外部から印加される交
番磁界により拡大して再生されるものである。この場
合、記録層から再生層へ磁区が転写される機構として
は、交換結合によるものと静磁結合によるものとがあ
る。静磁結合による転写の場合は、記録層と再生層との
間には非磁性層があり、記録層の磁区からの漏洩磁界が
再生層へ及び、この漏洩磁界が再生層の温度上昇と共に
低下する保磁力より強くなった時点で再生層への磁区の
転写が起こる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、静磁結合によ
り記録層から再生層に磁区を転写する場合、記録層の磁
区から再生層に及ぶ漏洩磁界を強くするために、非磁性
層の膜厚をある程度薄くする必要がある。しかし、非磁
性層の膜厚を薄くすると、図１５に示すように記録層１
７から非磁性層１６を介して再生層１５に及ぶ漏洩磁界
の強度分布が磁区の周辺では強い漏洩磁界１５０とな
り、中央部では弱い漏洩磁界１５１となる分布となると
ともに、ドメインのすぐ外側では、再生しようとする磁
区の磁化方向と反対方向の漏洩磁界１５２が形成され、
この漏洩磁界１５２はドメインの周辺部に形成される漏
洩磁界１５０と同程度に強い磁界である。その結果、図
１５に示すような分布を持つ漏洩磁界では、漏洩磁界１
５２が磁区の拡大を妨げる方向に働くので再生層に転写
された磁区が外部から印加される交番磁界により十分拡
大されないという問題がある。一方、図１４に示すよう
に、ドメインの中央部において漏洩磁界の強度が最大と
なる分布にするため、非磁性層１６の膜厚をある程度厚
くすると、ドメインの外側に形成される再生磁区の磁化
方向と反対方向の漏洩磁界１４１の強度は小さくなる
が、ドメイン中心における漏洩磁界１４０の強度は弱く
なる。従って、非磁性層１６の膜厚が厚い場合には、記
録層１７から再生層１５への漏洩磁界が弱くなり、転写
が起こりにくくなるという問題がある。

【０００６】そこで、本発明は、かかる問題を解決し、
記録層から再生層に転写され易く、その転写された磁区
が容易に拡大され得る光磁気記録媒体を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】請求項
１に係る発明は、基板と、基板上に形成された再生層
と、再生層上に形成された記録層と、再生層と記録層と
の間に形成され、記録層から再生層への漏洩磁界が記録
層の磁区の中央部で最大となる膜厚を有する中間層と、
再生層と反対側に記録層に接して形成され、記録層の飽
和磁化より大きい飽和磁化を有する高磁化層とを含む光
磁気記録媒体であって、高磁化層は、垂直磁化膜である
光磁気記録媒体である。請求項１に記載された発明によ
れば、記録層から再生層への漏洩磁界は、記録層の磁区
の中央部で最大となり、その漏洩磁界は高磁化層により
更に強くされるため記録層から再生層への磁化の転写が
起こり易くなる。

【０００８】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載された光磁気記録媒体の構成において中間層が非磁
性層である光磁気記録媒体である。請求項２に記載され
た発明によれば、記録層と再生層との間に設けられた中
間層が非磁性層であるため、記録層から再生層への磁区
の転写が静磁結合で起こり、再生層に転写された磁区
は、再生層の膜厚方向において均一に拡大され易い。

【０００９】また、請求項３に係る発明は、請求項１ま
たは請求項３に記載された光磁気記録媒体の構成におい
て、高磁化層は、貴金属と遷移金属との合金である光磁
気記録媒体である。請求項３に記載された発明によれ
ば、高磁化層は貴金属と遷移金属との合金より成るの
で、高磁化層は、室温から３００℃程度の温度領域にお
いてＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ等の通常の磁性材料よ
り強い飽和磁化を有する。その結果、信号の再生温度に
おいても記録層の磁区からの漏洩磁界を強くすることが
できる。

【００１０】また、請求項４に係る発明は、請求項３に
記載された光磁気記録媒体の構成において、貴金属の含
有量が６０〜８０ａｔ．％の範囲である光磁気記録媒体
である。請求項４に記載された発明によれば、高磁化層
を構成する貴金属の含有量が６０〜８０ａｔ．％の範囲
であるので、高磁化層の飽和磁化を４００ｅｍｕ／ｃｃ
以上にできる。その結果、高磁化層がない場合に比べ記
録層の磁区からの漏洩磁界を数倍強くできる。

【００１１】また、請求項５に係る発明は、請求項１ま
たは請求項２に記載された光磁気記録媒体の構成におい
て、高磁化層は、貴金属から成る第１の薄膜と遷移金属
から成る第２の薄膜とを交互に積層して成る光磁気記録
媒体である。請求項５に記載された発明によれば、高磁
化層は、貴金属の薄膜と遷移金属の薄膜とを交互に積層
した多層膜であるので、光磁気記録媒体の平面方向にお
いて均一性よく記録層から再生層への漏洩磁界を強くで
きる。

【００１２】また、請求項６に係る発明は、請求項５に
記載された光磁気記録媒体の構成において、第２の薄膜
の膜厚に対する第１の薄膜の膜厚の比が、１．５から４
の範囲である光磁気記録媒体である。請求項６に記載さ
れた発明によれば、貴金属から成る第１の薄膜は、遷移
金属から成る第２の薄膜の膜厚に対して１．５倍から４
倍の膜厚で形成されるため、高磁化層の飽和磁化を４０
０ｅｍｕ／ｃｃ以上にできる。その結果、高磁化層がな
い場合に比べ記録層の磁区からの漏洩磁界を数倍強くで
きる。

【００１３】また、請求項７に係る発明は、請求項３か
ら請求項６のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体にお
いて、貴金属は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇのいず
れか１つであり、遷移金属は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいず
れか１つである光磁気記録媒体である。請求項７に記載
された発明によれば、高磁化層はＰｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇのいずれか１つの貴金属と、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ
のいずれか１つの遷移金属とから成るので、記録層、再
生層用の磁性材料であるＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ等
の形成法と同じマグネトロンスパッタリング法により高
磁化層を形成でき、光磁気記録媒体の作製が容易であ
る。

【００１４】また、請求項８に係る発明は、請求項１ま
たは請求項２に記載の光磁気記録媒体において、高磁化
層は、遷移金属と磁気モーメントがフェロ磁性的に交換
結合する金属を含む光磁気記録媒体である。請求項８に
記載された発明によれば、高磁化層は、遷移金属と磁気
モーメントがフェロ磁性的に交換結合する金属を含むの
で、高磁化層は、室温から３００℃程度の温度領域にお
いてＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ等の通常の磁性材料よ
り強い飽和磁化を有する。その結果、信号の再生温度に
おいても記録層の磁区からの漏洩磁界を強くすることが
でき、記録層から再生層への転写が起こり易い。

【００１５】また、請求項９に係る発明は、請求項８に
記載された光磁気記録媒体の構成において、金属は、軽
希土類金属である光磁気記録媒体である。請求項９に記
載された発明によれば、軽希土類金属を含む磁性材料を
高磁化層として用いるので、高磁化層の作製が容易にな
る。

【００１６】また、請求項１０に係る発明は、請求項９
に記載の光磁気記録媒体の構成において、軽希土類金属
は、ＮｄもしくはＰｒである光磁気記録媒体である。請
求項１０に記載された発明によれば、ＮｄもしくはＰｒ
を含む磁性材料を高磁化層として用いるので、本発明に
係る光磁気記録媒体をマグネトロンスパッタリング法に
より容易に作製できる。

【００１７】また、請求項１１に係る発明は、請求項２
から請求項１０のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体
において、非磁性層の膜厚は、２００Å〜５００Åの範
囲である光磁気記録媒体である。請求項１１に記載され
た発明によれば、非磁性層の膜厚が２００Å〜５００Å
の範囲であるので、ドメインの中心における漏洩磁界を
３００Ｏｅ以上にすることができ、静磁結合による再生
層への磁区の転写と、再生層に転写された磁区の拡大が
起こり易い。

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を参照し
つつ説明する。図１は、本発明に係る光磁気記録媒体の
断面構造図である。光磁気記録媒体１は、ポリカーボネ
ート等から成る透光性基板２と、ＧｄＦｅＣｏから成る
再生層３と、ＳｉＮから成る中間層４と、ＴｂＦｅＣｏ
から成る記録層５と、ＰｄとＣｏとの合金から成る高磁
化層６とを備える。再生層３、中間層４、記録層５、お
よび高磁化層６はマクネトロンスパッタリング法により
形成されるため、各層を構成する材料のターゲットを装
置内に設置しておけば光磁気記録媒体１を、１つの装置
で作製でき、便利である。また、各層の膜厚は、再生層
３が１００〜３００Å、中間層４が２００〜５００Å、
記録層５が３００〜１０００Å、および高磁化層６が３
００〜１０００Åである。

【００２４】また、本発明に係る光磁気記録媒体は、図
１に示す光磁気記録媒体１に限らず、図２に示す光磁気
記録媒体１０であってもよい。光磁気記録媒体１０は、
光磁気記録媒体１のＰｄとＣｏとの合金から成る高磁化
層６を、Ｐｄの薄膜とＣｏの薄膜とを交互に積層した多
層膜から成る高磁化層６６に変えた点が異なるだけであ
る。図３を参照して高磁化層６６の構造を詳しく説明す
る。高磁化層６６は、Ｐｄから成る第１の薄膜６６１と
Ｃｏから成る第２の薄膜６６２とを交互に積層した構造
であり、第１の薄膜６６１の膜厚は８Å、第２の薄膜の
膜厚は２Åである。従って、高磁化層６６の１周期当た
りの膜厚は１０Åであり、高磁化層６６の全膜厚が５０
０Åの場合、５０周期分の第１の薄膜６６１と第２の薄
膜６６２とが形成される。Ｐｄの薄膜とＣｏの薄膜とは
マグネトロンスパッタリング法により形成されるので、
透光性基板２をＰｄのターゲットとＣｏのターゲット上
を交互に移動させることにより多層膜６６を容易に形成
できる。

【００２５】上記では、高磁化層６、６６を構成する貴
金属としてＰｄ、遷移金属としてＣｏを用いたが、これ
に限らず、貴金属としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇで
あってもよく、遷移金属としてはＮｉ、Ｆｅであっても
よい。図４、５を参照して、光磁気記録媒体１における
高磁化層６の機能について説明する。図４は、記録層５
の上に高磁化層６が形成されていない場合の記録層の磁
区４０からの、再生層３における漏洩磁界４１を模式的
に示したものである。中間層４の膜厚は、再生層３にお
ける記録層からの漏洩磁界が図１５に示したような漏洩
磁界にならないようにするため、５０〜３００Åの範囲
に設定されている。従って、高磁化層６が形成されてい
ない光磁気記録媒体においては、再生層３における漏洩
磁界４１は、記録層５の磁区４０の磁化４２と同じ方向
の磁界４３であり、その分布はドメインの中心付近で最
大となり、ドメインの外側では磁界４３と反対方向の磁
界４４が存在する分布である。この場合、磁界４４は弱
いため、もし漏洩磁界４１により再生層３に記録層５の
磁区４２が転写されたならば外部磁界による磁区拡大を
妨げるものではない。しかし、漏洩磁界４１の磁界４３
は記録層５から再生層３に磁区４２を転写できるほど強
くないため、漏洩磁界４１により記録層５の磁区４２を
再生層３に転写することはできない。中間層４の膜厚を
薄くすることにより漏洩磁界４１を強くすることは可能
であるが、この場合、強度分布形状は図１５に示すもの
に変化してしまい、磁区拡大再生にとって不都合であ
る。

【００２６】そこで、図５に示す高磁化層６を記録層５
上に形成し、中間層４の膜厚を薄くすることなく記録層
５から再生層３への漏洩磁界を強くする必要がある。図
５においては、記録層５の膜厚と高磁化層６の膜厚との
和が、図４における記録層５の膜厚と同じになるように
記録層５と高磁化層６との膜厚を設定している。図５に
示すように高磁化層６を記録層５上に形成することによ
り再生層３における記録層５からの漏洩磁界５１は、ド
メインの中心付近において強い磁界５２を有する。この
場合、ドメインの外側には、記録層の磁区５０の磁化５
３と反対方向の磁界５４が存在するが、その大きさは小
さいため、記録層５から中間層４を介して再生層３に転
写された磁区が外部磁界により拡大されるのを妨げな
い。従って、記録層５上に形成された高磁化層６は、記
録層５から再生層３への漏洩磁界を大きくする働きをす
る。高磁化層６が記録層５から再生層３への漏洩磁界を
強くする根拠は図６に示す記録層５の磁性材料であるＴ
ｂＦｅＣｏと、高磁化層６の材料であるＰｄとＣｏとの
合金との飽和磁化の違いにある。図６は記録層と高磁化
層の飽和磁化の温度依存性を示したものであり、符号６
０は記録層５に用いられるＴｂＦｅＣｏの飽和磁化の温
度依存性を、符号６１は高磁化層６に用いられるＰｄと
Ｃｏとの合金の飽和磁化の温度依存性を示す。ＴｂＦｅ
Ｃｏの飽和磁化は、温度上昇とともに減少し、室温付近
で零になり、その後、温度上昇とともに大きくなり、１
７０℃付近で最大になる。そして、その後、温度上昇と
共にまた、減少し２８０℃付近で零となる。また、１７
０℃付近での最大値は約１００ｅｍｕ／ｃｃである。一
方、ＰｄとＣｏの合金は、温度上昇とともにその飽和磁
化が減少し、４２０℃付近で零になるが、その飽和磁化
はＴｂＦｅＣｏに比べ数倍程度大きい。従って、信号の
再生時における光磁気記録媒体の温度である１００〜１
６０℃の範囲においても３００〜４００ｅｍｕ／ｃｃ程
度の飽和磁化を有する。その結果、記録層５から再生層
３への漏洩磁界を大きくすることができる。また、この
ことは、Ｐｄの薄膜とＣｏの薄膜とを交互に積層した高
磁化層６６についても言え、ＰｄとＣｏ以外の貴金属と
遷移金属とから成る合金または多層膜についても言える
ことである。

【００２７】図７、８、９、１０を参照して、高磁化層
６を含む光磁気記録媒体１の再生動作について説明す
る。まず、図７を参照して、光磁気記録媒体１に再生層
３側からレーザビーム７０が照射されると、記録層５の
磁区７１の領域の温度上昇と、記録層５の磁区７１と同
じ方向に磁化された磁区７３からの磁界とにより記録層
５から再生層３に及ぶ漏洩磁界７２が強くなる。この場
合、再生層３に及ぶ漏洩磁界７２のトラック方向の分布
は図８に示すように、ドメインの端を示す符号８１、８
２で囲まれた領域では、ドメインの端から中心に向かう
に従って漏洩磁界の強度が強くなる分布であり、ドメイ
ンの中心付近では最大の漏洩磁界８３を有する。漏洩磁
界８３の方向は、記録層５の磁区７１の磁化と同じ方向
である。ドメイン内において、漏洩磁界の強度がドメイ
ンの端から中心に向かうに従って大きくなるのは、本発
明に係る光磁気記録媒体１においては、図１５に示すよ
うな漏洩磁界にならないようにするため、中間層４の膜
厚をある程度厚くしている空である。また、ドメインの
外側では、磁区７１の磁化と反対方向の磁界８４が存在
するが、その大きさは小さい。従って、この状態で光磁
気記録媒体１に外部磁界を印加すると、図９に示すよう
に、記録層５から中間層４を介して静磁結合により再生
層３に磁区が転写され、転写された磁区は外部磁界であ
る交番磁界９０のうち、磁区７１の磁化と同じ方向の磁
界が印加されたタイミングで拡大され、記録層５の磁区
７１と同じ方向の磁化９１を有する大きな磁区９２が現
れる。磁区９２は殆どレーザビーム７０のビーム径程度
まで拡大されるので、レーザビーム７０は拡大された磁
区９２に基づいて再生信号を検出する。その結果、大き
な再生信号の検出が可能となる。再生信号が検出された
後は、レーザビーム７０が記録層５の磁区７１の位置か
らトラック方向に移動し、記録層５の磁区７１の温度が
低下すると磁区７１からの漏洩磁界１００は弱くなり、
光磁気記録媒体１に磁区７１の磁化と反対方向の外部磁
界が印加されると再生層３に転写・拡大された磁区９２
は消滅する。上記説明した工程を繰り返すことにより記
録層５に記録された信号が再生される。

【００２８】図７から１０を参照して説明したように、
高磁化層６は、記録層５の磁区を中間層４を介して静磁
結合により再生層３に転写する際に、ドメイン内での漏
洩磁界がドメインの端から中心に向かうに従って強くな
る分布を維持しながら、その強度を強くする働きをす
る。その結果、高磁化層６を有する光磁気記録媒体１に
おいては、記録層５から中間層４を介して静磁結合によ
る再生層３への転写が容易になる。また、光磁気記録媒
体１０の高磁化層６６も光磁気記録媒体１の高磁化層６
と同様な機能を有する。

【００２９】図１１に高磁化層６中のＰｄの含有量に対
するＰｄとＣｏの合金の異方性を示す。ここで、異方性
がプラスとは磁化方向が垂直であることを示し、異方性
がマイナスとは磁化方向が面内であることを示す。記録
層５上に形成される高磁化層６は、記録層５の磁化方向
と同じであることが望ましいから異方性がプラスでなけ
ればならない。Ｐｄの含有量が６０〜８０ａｔ．％の範
囲においてＰｄとＣｏとの合金は異方性がプラスとな
る。従って、高磁化層６中に含まれるＰｄの含有量は６
０〜８０ａｔ．％の範囲が適している。

【００３０】図１２にＰｄの薄膜とＣｏの薄膜とを交互
に積層した高磁化層６６の異方性をＰｄの膜厚／Ｃｏの
膜厚で定義される膜厚比に対して示す。図１２よりＰｄ
の膜厚／Ｃｏの膜厚が１．５〜４の範囲においてＰｄ／
Ｃｏ多層膜の異方性がプラスになる。高磁化層６６は、
記録層５上に形成することから、その磁化方向は記録層
５の磁化方向と同じであることが望ましい。従って、Ｐ
ｄの膜厚／Ｃｏの膜厚の膜厚比は、Ｐｄ／Ｃｏ多層膜の
異方性がプラスとなる１．５〜４の範囲に設定する必要
がある。上記説明においては、Ｐｄの膜厚を８Å、Ｃｏ
の膜厚を２Åとしたが、これに限らず、Ｐｄの膜厚／Ｃ
ｏの膜厚が１．５〜４の範囲にあり、Ｐｄ／Ｃｏ多層膜
の全体膜厚が３００〜８００Åの範囲にあれば良い。

【００３１】図１３は、記録層５から再生層３への漏洩
磁界のうち、ドメインの中心における漏洩磁界の非磁性
層の膜厚依存性を示す。ここで、非磁性層は中間層４に
用いられるものであるため、この膜厚によって記録層５
から再生層３への漏洩磁界のうち、ドメインの中心にお
ける強度が大きく変わる。図１３より、ドメインの中心
における漏洩磁界は、非磁性層の膜厚とともに大きくな
り、２００〜５００Åの範囲で漏洩磁界は３００Ｏｅを
越える。非磁性層の膜厚が５００Åより厚くなると漏洩
磁界が小さくなる。従って、非磁性層の膜厚としては２
００〜５００Åの範囲が適しており、この範囲において
記録層５から再生層３への漏洩磁界の強度分布は、ドメ
インの端から中心に向かって強度が強くなり、ドメイン
の外側では記録層５から再生層３へ転写しようとしてい
る磁区の磁化方向と反対方向の漏洩磁界の強度は弱くな
る。

【００３２】また、本発明に係る光磁気記録媒体は、貴
金属と遷移金属との合金または多層膜から成る磁性材料
を高磁化層６に用いた光磁気記録媒体のみならず、遷移
金属と磁気モーメントがフェロ磁性的に交換結合する金
属を含む磁性材料を高磁化層６として用いた光磁気記録
媒体であってもよい。具体的には、記録層５の磁性材料
であるＴｂＦｅＣｏにＮｄを添加したＴｂＮｄＦｅＣｏ
を高磁化層６として用いる。ＴｂＮｄＦｅＣｏを高磁化
層６として用いた光磁気記録媒体の断面構造は、上記図
１に示す光磁気記録媒体１と同じ構造であり、また、各
層の膜厚も同じである。図１６を参照して、ＴｂＮｄＦ
ｅＣｏの磁性特性について説明する。図１６は、図６に
ＴｂＮｄＦｅＣｏの飽和磁化の温度依存性を追加したも
のである。符号１６０で示す曲線がＴｂＮｄＦｅＣｏの
飽和磁化の温度依存性を示す。ＴｂＮｄＦｅＣｏの飽和
磁化は、室温から３００℃の範囲において、ＴｂＦｅＣ
ｏの飽和磁化（曲線６０で示す。）より大きい。特に、
光磁気記録媒体からの信号再生時の温度である１００℃
前後では２倍以上の飽和磁化を有しており、ＴｂＮｄＦ
ｅＣｏは高磁化層６として十分に使用できる。

【００３３】図１７を参照して、マグネトロンスパッタ
リング法によるＴｂＮｄＦｅＣｏの形成条件について説
明する。ＴｂＮｄＦｅＣｏをマグネトロンスパッタリン
グ法により形成するときは、ＴｂＮｄのターゲットとＦ
ｅＣｏのターゲットを用い、基板をこれらのターゲット
上を交互に通過させる。スパッタリングに用いるＡｒガ
ス流量は３０〜７０ｓｃｃｍの範囲であり、Ａｒガス圧
は５〜３０ｍＴｏｒｒの範囲である。また、ターゲット
に印加されるＲＦパワーは１００〜４００Ｗの範囲であ
る。この場合、ＴｂＮｄの成長速度は０．５〜３．０Å
／ｓｅｃの範囲であり、ＦｅＣｏの成長速度は１．０〜
３．０Å／ｓｅｃの範囲である。ＴｂＮｄＦｅＣｏ中の
各構成元素の組成比はＴｂＮｄ、およびＦｅＣｏの成長
速度を制御することにより行う。高磁化層６として最適
なＴｂＮｄＦｅＣｏの組成はＴｂ ₁₀Ｎｄ₁₃Ｆｅ₆₆Ｃｏ₁₁
であり、この組成比はＴｂＮｄ、およびＦｅＣｏの成長
速度が、それぞれ、１．０Å／ｓｅｃ、１．５Å／ｓｅ
ｃの時に達成される。

【００３４】ＴｂＮｄＦｅＣｏを用いた高磁化層は、貴
金属と遷移金属との合金を用いた高磁化層と同様に、上
記図７、８、９、１０で説明した機能を有する。従っ
て、記録層５から再生層３への漏洩磁界は、高磁化層６
を用いない場合より強くなり、非磁性層４を介して記録
層５の磁区は再生層３へ静磁結合により容易に転写が起
こる。また、磁区拡大による再生においても記録層５か
ら再生層３へ容易に拡大転写を起こすことが可能であ
る。

【００３５】上記説明においては、遷移金属と磁気モー
メントがフェロ磁性的に交換結合する金属としてＮｄを
用いたが、これに限らず、Ｐｒであってもよく、一般的
には軽希土類金属であればよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気記録媒体の断面構造図であ
る。

【図２】本発明に係る光磁気記録媒体の他の断面図であ
る。

【図３】図２に示す光磁気記録媒体の高磁界層の断面構
造図である。

【図４】高磁化層がない場合の、記録層から再生層への
漏洩磁界を説明する図である。

【図５】高磁化層を形成した場合の、記録層から再生層
への漏洩磁界を説明する図である。

【図６】ＴｂＦｅＣｏとＰｄＣｏの飽和磁化の温度依存
性を示す図である。

【図７】本発明に係る光磁気記録媒体における記録層か
ら再生層への漏洩磁界を説明する図である。

【図８】本発明に係る光磁気記録媒体における記録層か
ら再生層への漏洩磁界の強度分布を説明する図である。

【図９】本発明に係る光磁気記録媒体における記録層か
ら再生層への磁区の転写・拡大を説明する図である。

【図１０】本発明に係る光磁気記録媒体における再生層
に転写・拡大された磁区の消滅を説明する図である。

【図１１】ＰｄＣｏ合金の異方性をＰｄ含有量に対して
示した図である。

【図１２】Ｐｄ／Ｃｏ多層膜の異方性をＰｄの膜厚／Ｃ
ｏの膜厚に対して示した図である。

【図１３】記録層から再生層への漏洩磁界のうち、ドメ
インの中心における漏洩磁界の非磁性層の膜厚依存性を
示す図である。

【図１４】非磁性層の膜厚が厚いときの再生層における
漏洩磁界の強度分布を示す図である。

【図１５】非磁性層の膜厚が薄いときの再生層における
漏洩磁界の強度分布を示す図である。

【図１６】ＴｂＦｅＣｏ、ＰｄＣｏ、およびＴｂＮｄＦ
ｅＣｏの飽和磁化の温度依存性を示す図である。

【図１７】ＴｂＮｄＦｅＣｏの形成条件を示す図表であ
る。

【符号の説明】

１、１０・・・光磁気記録媒体２・・・基板３・・・再生層４・・・中間層５・・・記録層６、６６・・・高磁化層６６１・・・Ｐｄ薄膜６６２・・・Ｃｏ薄膜４０、５０、７１、７３、９２・・・磁区４１、５１、７２、１００・・・漏洩磁界４２、５３・・・磁化４３、４４、５２、５４、８３、８４・・・磁界７０・・・レーザビーム９０・・・交番磁界

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に形成された再生層と、前記再生層上に形成された記録層と、前記再生層と前記記録層との間に形成され、前記記録層
から前記再生層への漏洩磁界が前記記録層の磁区の中央
部で最大となる膜厚を有する中間層と、前記再生層と反対側に前記記録層に接して形成され、前
記記録層の飽和磁化より大きい飽和磁化を有する高磁化
層とを含む光磁気記録媒体であって、前記高磁化層は、垂直磁化膜である光磁気記録媒体。
【請求項２】前記中間層は、非磁性層である請求項１
記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】前記高磁化層は、貴金属と遷移金属との
合金である請求項１または請求項２に記載の光磁気記録
媒体。
【請求項４】前記貴金属の含有量は、６０〜８０ａ
ｔ．％の範囲である請求項３記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】前記高磁化層は、貴金属から成る第１の
薄膜と遷移金属から成る第２の薄膜とを交互に積層して
成る請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】前記第２の薄膜の膜厚に対する前記第１
の薄膜の膜厚の比が、１．５から４の範囲である請求項
５記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】前記貴金属は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇのいずれか１つであり、前記遷移金属は、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいずれか１つである請求項３から請求
項６のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】前記高磁化層は、遷移金属と磁気モーメ
ントがフェロ磁性的に交換結合する金属を含む請求項１
または請求項２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項９】前記金属は、軽希土類金属である請求項
８記載の光磁気記録媒体。
【請求項１０】前記軽希土類金属は、ＮｄもしくはＰ
ｒである請求項９記載の光磁気記録媒体。
【請求項１１】前記非磁性層の膜厚は、２００Å〜５
００Åの範囲である請求項２から請求項１０のいずれか
１項に記載の光磁気記録媒体。