JP2771462B2 - 光磁気記録媒体及び該媒体の使用方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び該媒体の使用方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に光磁気記録媒
体に関し、特に、ユーザが使用する記録再生装置で記
録、再生及び消去が可能なＲＡＭ部分と、再生は可能で
あるが書換えは不可能なＲＯＭ部分とを有する光磁気記
録媒体に関する。
体に関し、特に、ユーザが使用する記録再生装置で記
録、再生及び消去が可能なＲＡＭ部分と、再生は可能で
あるが書換えは不可能なＲＯＭ部分とを有する光磁気記
録媒体に関する。
【０００２】近年コンピュータソフトウェアの著作権の
保護は大きな問題となっている。ソフトウェアを提供す
る立場からは、不正に複写を行って使用されることを防
ぐため、様々なコピープロテクトを媒体に施してきた
が、最近ではＲＯＭによるソフトウェアの提供が一般的
になりつつある。
保護は大きな問題となっている。ソフトウェアを提供す
る立場からは、不正に複写を行って使用されることを防
ぐため、様々なコピープロテクトを媒体に施してきた
が、最近ではＲＯＭによるソフトウェアの提供が一般的
になりつつある。
【０００３】
【従来の技術】情報を大量に記録できることで最近盛ん
に使用されている光記録媒体であるＣＤ−ＲＯＭは、そ
の全面が読み出し専用領域となっており、書き込みがで
きるかできないかを判断するだけで、正規に頒布された
媒体か不正利用されている媒体かを容易に判別すること
ができる。
に使用されている光記録媒体であるＣＤ−ＲＯＭは、そ
の全面が読み出し専用領域となっており、書き込みがで
きるかできないかを判断するだけで、正規に頒布された
媒体か不正利用されている媒体かを容易に判別すること
ができる。
【０００４】しかしユーザの立場で見た場合、ＣＤ−Ｒ
ＯＭは再生が遅い上、記録・消去が可能なユーザ領域が
ないため、運用における自由度がないという欠点があ
り、これに代わる記録媒体として再生専用領域と記録再
生領域とを併せ持つ光磁気記録媒体、いわゆるパーシャ
ルＲＯＭ媒体が提案されている。
ＯＭは再生が遅い上、記録・消去が可能なユーザ領域が
ないため、運用における自由度がないという欠点があ
り、これに代わる記録媒体として再生専用領域と記録再
生領域とを併せ持つ光磁気記録媒体、いわゆるパーシャ
ルＲＯＭ媒体が提案されている。
【０００５】従来のパーシャルＲＯＭ媒体においては、
基板の一部に凹凸ピット（ＲＯＭピット）を予め刻んで
おき、反射率の変化を再生信号とする領域を設けること
で、パーシャルＲＯＭを達成していた。この方法だとＣ
Ｄ−ＲＯＭとほぼ同等の技術で読出し専用のソフトウエ
アの提供が可能となる。
基板の一部に凹凸ピット（ＲＯＭピット）を予め刻んで
おき、反射率の変化を再生信号とする領域を設けること
で、パーシャルＲＯＭを達成していた。この方法だとＣ
Ｄ−ＲＯＭとほぼ同等の技術で読出し専用のソフトウエ
アの提供が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクの基板は樹
脂を射出成形して作成するという方法をとるため、従来
のパーシャルＲＯＭ媒体ではまず第一にマスターとなる
金型（スタンパ）が必要となる。従って新しいソフトウ
エアを提供する場合には、新たな情報が記録されたスタ
ンパを新たに作成する必要がある。
脂を射出成形して作成するという方法をとるため、従来
のパーシャルＲＯＭ媒体ではまず第一にマスターとなる
金型（スタンパ）が必要となる。従って新しいソフトウ
エアを提供する場合には、新たな情報が記録されたスタ
ンパを新たに作成する必要がある。
【０００７】スタンパを作成するには、高度な装置や技
術が要求されるため、このような設備を持たないソフト
ウエア提供者は、従来のパーシャルＲＯＭ媒体を提供す
る場合には、スタンパの作成更には基板成形が可能な第
３者に依頼しなければならないという欠点があった。ま
た、量産が始まった段階でソフトウエアの不具合が発見
された場合も、従来のパーシャルＲＯＭ媒体では修正
（デバッグ）することが不可能であった。
術が要求されるため、このような設備を持たないソフト
ウエア提供者は、従来のパーシャルＲＯＭ媒体を提供す
る場合には、スタンパの作成更には基板成形が可能な第
３者に依頼しなければならないという欠点があった。ま
た、量産が始まった段階でソフトウエアの不具合が発見
された場合も、従来のパーシャルＲＯＭ媒体では修正
（デバッグ）することが不可能であった。
【０００８】更に、ソフトウエアの複製防止等を行いた
い場合には、媒体製造者又はソフトウエア提供者はユー
ザの使用する記録再生装置で読むことの可能な媒体固有
の情報（製造番号、シリアルナンバ等）を載せて媒体を
販売したい場合があるが、このようなことは従来のパー
シャルＲＯＭ媒体では不可能であった。
い場合には、媒体製造者又はソフトウエア提供者はユー
ザの使用する記録再生装置で読むことの可能な媒体固有
の情報（製造番号、シリアルナンバ等）を載せて媒体を
販売したい場合があるが、このようなことは従来のパー
シャルＲＯＭ媒体では不可能であった。
【０００９】通常の光磁気ディスク媒体では、媒体上に
複数のグルーブと複数のランドが交互に形成されてお
り、グルーブに挟まれたランド部を記録トラックとして
データに応じて磁化の向きの異なる記録マークを形成す
る。
複数のグルーブと複数のランドが交互に形成されてお
り、グルーブに挟まれたランド部を記録トラックとして
データに応じて磁化の向きの異なる記録マークを形成す
る。
【００１０】記録領域は複数のセクタに分割されてお
り、データを記録する各セクタの先頭にはＩＤ信号がピ
ット（穴）で予めプリフォーマットされている。ＩＤ信
号は反射光量変化から検出し、データは磁気カー効果に
よる反射光の偏光角変化から検出する。
り、データを記録する各セクタの先頭にはＩＤ信号がピ
ット（穴）で予めプリフォーマットされている。ＩＤ信
号は反射光量変化から検出し、データは磁気カー効果に
よる反射光の偏光角変化から検出する。
【００１１】しかし、このようなランド記録方式では、
グルーブはデータの記録領域として使用されないためト
ラック密度が大きくできないという問題があった。そこ
で、グルーブも記録トラックとして使用するランドグル
ーブ記録方式が提案されている。
グルーブはデータの記録領域として使用されないためト
ラック密度が大きくできないという問題があった。そこ
で、グルーブも記録トラックとして使用するランドグル
ーブ記録方式が提案されている。
【００１２】このランドグルーブ記録方式によれば、ト
ラック密度を大きくすることができるが記録トラックは
近接するために、隣の記録トラックのデータ信号が再生
信号に混入するクロストークが生じる。
ラック密度を大きくすることができるが記録トラックは
近接するために、隣の記録トラックのデータ信号が再生
信号に混入するクロストークが生じる。
【００１３】しかし、光磁気記録されたデータに対して
は、例えば、特開平３−８８１５６号、特開平５−８１
７１７号及び特開平５−３４２６７０号等に記載されて
いる再生レーザビームのビームスポット径よりも小さな
記録マークを再生可能な磁気誘導超解像によるマスク効
果により、記録されたデータのクロストークを除去する
ことが可能である。
は、例えば、特開平３−８８１５６号、特開平５−８１
７１７号及び特開平５−３４２６７０号等に記載されて
いる再生レーザビームのビームスポット径よりも小さな
記録マークを再生可能な磁気誘導超解像によるマスク効
果により、記録されたデータのクロストークを除去する
ことが可能である。
【００１４】ランドグルーブ記録媒体では、ランド部の
みでなくグルーブにもピットをプリフォーマットにより
形成する必要がある。しかし、ピットからの反射光量変
化の信号については磁気誘導超解像が効かないのでクロ
ストークを防止することができず、ＩＤ信号を正しく再
生できないという問題があった。
みでなくグルーブにもピットをプリフォーマットにより
形成する必要がある。しかし、ピットからの反射光量変
化の信号については磁気誘導超解像が効かないのでクロ
ストークを防止することができず、ＩＤ信号を正しく再
生できないという問題があった。
【００１５】よって本発明の目的は、ソフトウェアを提
供するに際して極めて容易にパーシャルＲＯＭを達成で
きる光磁気記録媒体を提供することである。本発明の他
の目的は、クロストークを発生することなくＩＤ信号を
正しく再生できる、ランドグルーブ記録光磁気記録媒体
を提供することである。
供するに際して極めて容易にパーシャルＲＯＭを達成で
きる光磁気記録媒体を提供することである。本発明の他
の目的は、クロストークを発生することなくＩＤ信号を
正しく再生できる、ランドグルーブ記録光磁気記録媒体
を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると、透明基板と、該透明基板上に積層された、ユーザ
の使用する記録再生装置で昇温可能な温度と概略同等が
それ以下のキュリー温度を有する揮発性磁性記録層と、
該揮発性磁性記録層上に積層された、ユーザの使用する
記録再生装置で昇温可能な温度より高いキュリー温度を
有する不揮発性磁性記録層とを具備し、前記不揮発性磁
性記録層は初期化せずに媒体製造直後のままの状態であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
ると、透明基板と、該透明基板上に積層された、ユーザ
の使用する記録再生装置で昇温可能な温度と概略同等が
それ以下のキュリー温度を有する揮発性磁性記録層と、
該揮発性磁性記録層上に積層された、ユーザの使用する
記録再生装置で昇温可能な温度より高いキュリー温度を
有する不揮発性磁性記録層とを具備し、前記不揮発性磁
性記録層は初期化せずに媒体製造直後のままの状態であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【００１７】この光磁気記録媒体は、記録面内の一部を
媒体製造者及び／又はソフトウェア提供者は情報の記
録、再生及び消去が可能であるが、ユーザの使用する記
録再生装置では記録された情報の再生のみが可能なＲＯ
Ｍ部として使用することができる。
媒体製造者及び／又はソフトウェア提供者は情報の記
録、再生及び消去が可能であるが、ユーザの使用する記
録再生装置では記録された情報の再生のみが可能なＲＯ
Ｍ部として使用することができる。
【００１８】本発明の第２の側面によると、再生レーザ
ビームのビームスポット径よりも小さな記録マークを再
生可能な磁気誘導超解像光磁気記録媒体であって、交互
に形成された複数のランド及びグルーブを有する透明基
板と、該透明基板上に積層された磁性再生層と、該磁性
再生層上に積層された揮発性磁性記録層と、該揮発性磁
性記録層上に積層された不揮発性磁性記録層とを具備
し、前記揮発性磁性記録層はユーザの使用する記録再生
装置で昇温可能な温度と概略同等かそれ以下のキュリー
温度を有し、前記不揮発性磁性記録層はユーザの使用す
る記録再生装置で昇温可能な温度より高いキュリー温度
を有しており、前記不揮発性磁性記録層は前記各ランド
及び各グルーブの双方に形成されたデータを記録する各
セクタの先頭に光磁気記録されたＩＤ信号を有している
ことを特徴とする磁気誘導超解像光磁気記録媒体が提供
される。
ビームのビームスポット径よりも小さな記録マークを再
生可能な磁気誘導超解像光磁気記録媒体であって、交互
に形成された複数のランド及びグルーブを有する透明基
板と、該透明基板上に積層された磁性再生層と、該磁性
再生層上に積層された揮発性磁性記録層と、該揮発性磁
性記録層上に積層された不揮発性磁性記録層とを具備
し、前記揮発性磁性記録層はユーザの使用する記録再生
装置で昇温可能な温度と概略同等かそれ以下のキュリー
温度を有し、前記不揮発性磁性記録層はユーザの使用す
る記録再生装置で昇温可能な温度より高いキュリー温度
を有しており、前記不揮発性磁性記録層は前記各ランド
及び各グルーブの双方に形成されたデータを記録する各
セクタの先頭に光磁気記録されたＩＤ信号を有している
ことを特徴とする磁気誘導超解像光磁気記録媒体が提供
される。
【００１９】
【作用】本発明の第１の側面によると、ＲＯＭ部におけ
る不揮発性磁性記録層に媒体製造者またはソフトウェア
提供者専用の記録再生装置を用いてソフトウェアを記録
する。
る不揮発性磁性記録層に媒体製造者またはソフトウェア
提供者専用の記録再生装置を用いてソフトウェアを記録
する。
【００２０】残りの領域においては、不揮発性磁性記録
層は媒体製造直後のままの状態（As-deposition ）にし
ておき、揮発性磁性記録層のみ初期化することで、ユー
ザ領域（ＲＡＭ部）として利用する。
層は媒体製造直後のままの状態（As-deposition ）にし
ておき、揮発性磁性記録層のみ初期化することで、ユー
ザ領域（ＲＡＭ部）として利用する。
【００２１】従って、ユーザが市販の光磁気ディスク装
置で消去あるいは記録を行った場合、ＲＯＭ部ではその
いずれの操作にも関わらず不揮発性磁性記録層に支持さ
れている記録情報が揮発性磁性記録層に転写されるた
め、ユーザに提供したソフトウェアが誤って消去されて
しまうことはない。
置で消去あるいは記録を行った場合、ＲＯＭ部ではその
いずれの操作にも関わらず不揮発性磁性記録層に支持さ
れている記録情報が揮発性磁性記録層に転写されるた
め、ユーザに提供したソフトウェアが誤って消去されて
しまうことはない。
【００２２】他方、ＲＡＭ部においては、不揮発性磁性
記録層の部分磁化がランダムになっているため揮発性磁
性記録層に影響を及ぼすことはなく、揮発性磁性記録層
は外部磁場で与えられた通りに磁化することができ、ユ
ーザはこの領域を自由に使うことができる。
記録層の部分磁化がランダムになっているため揮発性磁
性記録層に影響を及ぼすことはなく、揮発性磁性記録層
は外部磁場で与えられた通りに磁化することができ、ユ
ーザはこの領域を自由に使うことができる。
【００２３】本発明の第２の側面によると、各ランド及
び各グルーブの双方にＩＤ信号が光磁気記録されてい
る。このＩＤ信号は磁気誘導超解像のマスク効果によ
り、クロストークを発生することなく正しく再生するこ
とができる。また、ＩＤ信号は不揮発性磁性記録層に記
録されているので、信頼性も確保できる。
び各グルーブの双方にＩＤ信号が光磁気記録されてい
る。このＩＤ信号は磁気誘導超解像のマスク効果によ
り、クロストークを発生することなく正しく再生するこ
とができる。また、ＩＤ信号は不揮発性磁性記録層に記
録されているので、信頼性も確保できる。
【００２４】
【実施例】図１は本発明第１実施例の光ディスク２を示
しており、図１（Ｂ）に媒体構成例を示す。ポリカーボ
ネイト基板８上に膜厚８０ｎｍのＳｉＮ誘電体層１０を
積層し、その上に膜厚５０ｎｍのＤｙＦｅＣｏから成る
揮発性磁性層（第１磁性層）３２を積層した。
しており、図１（Ｂ）に媒体構成例を示す。ポリカーボ
ネイト基板８上に膜厚８０ｎｍのＳｉＮ誘電体層１０を
積層し、その上に膜厚５０ｎｍのＤｙＦｅＣｏから成る
揮発性磁性層（第１磁性層）３２を積層した。
【００２５】揮発性磁性層３２上には膜厚５０ｎｍのＴ
ｂＣｏから成る不揮発性磁性層（第２磁性層）３４を積
層した。不揮発性磁性層３４上には、膜厚８０ｎｍのＳ
ｉＮ誘電体層１４を積層した。各層１０，３２，３４，
１４はスパッタリングにより製膜した。
ｂＣｏから成る不揮発性磁性層（第２磁性層）３４を積
層した。不揮発性磁性層３４上には、膜厚８０ｎｍのＳ
ｉＮ誘電体層１４を積層した。各層１０，３２，３４，
１４はスパッタリングにより製膜した。
【００２６】揮発性磁性層３２は室温において６ｋＯｅ
程度の保磁力を有し、キュリー温度が２５０°Ｃ、補償
温度が７０°Ｃ近辺にある希土類リッチ組成であり、不
揮発性磁性層３４は室温において２〜３ｋＯｅ程度の保
磁力を有し、キュリー温度が３００°Ｃ、補償温度が２
００°Ｃ付近にある希土類リッチ組成である。誘電体層
１４上には更にアルミニウム反射膜１６が積層されてい
る。
程度の保磁力を有し、キュリー温度が２５０°Ｃ、補償
温度が７０°Ｃ近辺にある希土類リッチ組成であり、不
揮発性磁性層３４は室温において２〜３ｋＯｅ程度の保
磁力を有し、キュリー温度が３００°Ｃ、補償温度が２
００°Ｃ付近にある希土類リッチ組成である。誘電体層
１４上には更にアルミニウム反射膜１６が積層されてい
る。
【００２７】図２は第１実施例の媒体使用例を示してい
る。即ち、本実施例の光磁気ディスク２は、揮発性磁性
層３２及び不揮発性磁性層３４とから成る記録層３６を
有しているため、ユーザが記録、再生及び消去可能なＲ
ＡＭ部４と、ユーザが再生のみ可能なＲＯＭ部６とに分
けて使用可能である。もちろん、媒体のすべてをＲＡＭ
部として使用する通常の光磁気ディスクとしても使用可
能である。
る。即ち、本実施例の光磁気ディスク２は、揮発性磁性
層３２及び不揮発性磁性層３４とから成る記録層３６を
有しているため、ユーザが記録、再生及び消去可能なＲ
ＡＭ部４と、ユーザが再生のみ可能なＲＯＭ部６とに分
けて使用可能である。もちろん、媒体のすべてをＲＡＭ
部として使用する通常の光磁気ディスクとしても使用可
能である。
【００２８】次に、図３及び図４を参照して、本実施例
の光磁気ディスク２に情報をＲＯＭ化して記録する方法
について説明する。まず、図３に示すように、パワーＰ
ｗ１のレーザを照射して揮発性磁性層３２のキュリー温
度付近まで加熱して、磁石３８により外部磁界を加えな
がら揮発性磁性層３２の初期化を行う。
の光磁気ディスク２に情報をＲＯＭ化して記録する方法
について説明する。まず、図３に示すように、パワーＰ
ｗ１のレーザを照射して揮発性磁性層３２のキュリー温
度付近まで加熱して、磁石３８により外部磁界を加えな
がら揮発性磁性層３２の初期化を行う。
【００２９】この時の媒体の最高温度は不揮発性磁性層
３４のキュリー温度には達することはないので、不揮発
性磁性層３４が初期化されることはない。矢印Ａはディ
スクの回転方向である。
３４のキュリー温度には達することはないので、不揮発
性磁性層３４が初期化されることはない。矢印Ａはディ
スクの回転方向である。
【００３０】次に、図４を参照してＲＯＭ部への記録方
法について説明する。まず、ディスク回転の一周目にパ
ワーＰｗ１よりハイパワーであるパワーＰｗ２のレーザ
を照射して不揮発性磁性層３４のキュリー温度付近まで
媒体を加熱しながら、磁石３８で外部磁界を加えて不揮
発性磁性層３４の初期化を行う。
法について説明する。まず、ディスク回転の一周目にパ
ワーＰｗ１よりハイパワーであるパワーＰｗ２のレーザ
を照射して不揮発性磁性層３４のキュリー温度付近まで
媒体を加熱しながら、磁石３８で外部磁界を加えて不揮
発性磁性層３４の初期化を行う。
【００３１】次いで、ディスク回転の二周目にパワーＰ
ｗ２のレーザを照射しながら磁石４０で初期化時と反対
方向の外部磁界を印加しながら情報の記録を行う。本実
施例では、ディスクの回転速度を９ｍ／ｓとしたのでＰ
ｗ１は７ｍＷ程度、Ｐｗ２は１２ｍＷ程度として上記の
条件を満足させたが、要はかねがね上記の物理条件を守
るべく設計された媒体を用いて、それに適した温度条件
となるようにしてＲＯＭ部への記録を行えばよい。
ｗ２のレーザを照射しながら磁石４０で初期化時と反対
方向の外部磁界を印加しながら情報の記録を行う。本実
施例では、ディスクの回転速度を９ｍ／ｓとしたのでＰ
ｗ１は７ｍＷ程度、Ｐｗ２は１２ｍＷ程度として上記の
条件を満足させたが、要はかねがね上記の物理条件を守
るべく設計された媒体を用いて、それに適した温度条件
となるようにしてＲＯＭ部への記録を行えばよい。
【００３２】図４の操作を施して、不揮発性磁性層３４
に記録された情報は、通常ユーザが使用できる光磁気デ
ィスク装置では書き換えることも消去することもできな
い。即ち、通常ユーザが使用できる光磁気ディスク装置
では揮発性磁性層３２のキュリー温度程度にしか昇温で
きないため、揮発性磁性層３２に新たな情報を記録しよ
うとしても、不揮発性磁性層３４に元の情報が残ってい
るため、媒体が冷却される過程で交換結合力によって揮
発性磁性層３２は元の記録状態に戻ってしまう。
に記録された情報は、通常ユーザが使用できる光磁気デ
ィスク装置では書き換えることも消去することもできな
い。即ち、通常ユーザが使用できる光磁気ディスク装置
では揮発性磁性層３２のキュリー温度程度にしか昇温で
きないため、揮発性磁性層３２に新たな情報を記録しよ
うとしても、不揮発性磁性層３４に元の情報が残ってい
るため、媒体が冷却される過程で交換結合力によって揮
発性磁性層３２は元の記録状態に戻ってしまう。
【００３３】従って、ユーザにとっては事実上ＲＯＭと
して動作し、記録された情報を誤って消去してしまって
入手した情報を失ってしまう危険がなくなる。しかし、
図４に示した操作は情報を記録するのに必要な領域にだ
け行うので、それ以外の領域は、図５に示すように不揮
発性磁性層３４が初期化されずに媒体製造直後のまま
（As-deposition ）の状態になっているので、いつでも
揮発性磁性層３２の情報を消去したり、揮発性磁性層３
２に新たな情報を記録することが可能であり、ユーザは
ＲＡＭ領域として使用することが可能となる。
して動作し、記録された情報を誤って消去してしまって
入手した情報を失ってしまう危険がなくなる。しかし、
図４に示した操作は情報を記録するのに必要な領域にだ
け行うので、それ以外の領域は、図５に示すように不揮
発性磁性層３４が初期化されずに媒体製造直後のまま
（As-deposition ）の状態になっているので、いつでも
揮発性磁性層３２の情報を消去したり、揮発性磁性層３
２に新たな情報を記録することが可能であり、ユーザは
ＲＡＭ領域として使用することが可能となる。
【００３４】また、ソフトウエア提供者がＲＯＭ部の一
部に特定のＩＤを記録しておき、それを消去する動作を
あらかじめソフトウエアにプログラムしておけば、たと
え不正にコピーされた場合にもコピーされたソフトウエ
アではＩＤを読むことができないため、そのソフトウエ
アをユーザが立ち上げることができず、ソフトウエアの
著作権を有効に保護することができる。
部に特定のＩＤを記録しておき、それを消去する動作を
あらかじめソフトウエアにプログラムしておけば、たと
え不正にコピーされた場合にもコピーされたソフトウエ
アではＩＤを読むことができないため、そのソフトウエ
アをユーザが立ち上げることができず、ソフトウエアの
著作権を有効に保護することができる。
【００３５】図６は本発明第２実施例の光磁気ディスク
２Ａの媒体構成例を示している。この実施例では、揮発
性磁性層３２と不揮発性磁性層３４との間に例えばＳｉ
Ｎから成る非磁性中間層４２を挿入している。
２Ａの媒体構成例を示している。この実施例では、揮発
性磁性層３２と不揮発性磁性層３４との間に例えばＳｉ
Ｎから成る非磁性中間層４２を挿入している。
【００３６】この実施例の場合には、揮発性磁性層３２
と不揮発性磁性層３４とは静磁結合される。本実施例
も、上述した第１実施例とほぼ同様に機能する。図７は
本発明第３実施例の記録方法に使用される光磁気ディス
ク媒体２Ｂの構成を示している。光磁気ディスク２Ｂ
は、ＩＤ信号用のピット、トラッキング用の溝等が形成
されたポリカーボネイト基板８上にＳｉＮ保護層１０、
ＤｙＦｅＣｏ記録層１８、ＳｉＮ保護層１４、Ａｌ反射
層１６、樹脂コーティング層２０を順次積層して構成さ
れる。この光磁気ディスク２Ｂは、現在一般的に使用さ
れている光磁気ディスクである。
と不揮発性磁性層３４とは静磁結合される。本実施例
も、上述した第１実施例とほぼ同様に機能する。図７は
本発明第３実施例の記録方法に使用される光磁気ディス
ク媒体２Ｂの構成を示している。光磁気ディスク２Ｂ
は、ＩＤ信号用のピット、トラッキング用の溝等が形成
されたポリカーボネイト基板８上にＳｉＮ保護層１０、
ＤｙＦｅＣｏ記録層１８、ＳｉＮ保護層１４、Ａｌ反射
層１６、樹脂コーティング層２０を順次積層して構成さ
れる。この光磁気ディスク２Ｂは、現在一般的に使用さ
れている光磁気ディスクである。
【００３７】この光磁気ディスク２Ｂには、通常の書換
え可能なデータの光磁気記録時には、ディスクは周速度
９．０ｍ／ｓｅｃで回転されながら、１０．５ｍＷの記
録レーザパワーが照射され、３００Ｏｅの記録用磁界が
印加される。
え可能なデータの光磁気記録時には、ディスクは周速度
９．０ｍ／ｓｅｃで回転されながら、１０．５ｍＷの記
録レーザパワーが照射され、３００Ｏｅの記録用磁界が
印加される。
【００３８】この光磁気ディスク２Ｂに、周速度１．０
ｍ／ｓｅｃ、記録レーザパワー１５．９ｍＷ、記録時磁
界３００Ｏｅの条件で、（２，７）ＲＬＬで符号変調さ
れた８Ｔ（Ｔはクロック周期）信号を密度０．７８μｍ
／マークでピットポジション記録した。
ｍ／ｓｅｃ、記録レーザパワー１５．９ｍＷ、記録時磁
界３００Ｏｅの条件で、（２，７）ＲＬＬで符号変調さ
れた８Ｔ（Ｔはクロック周期）信号を密度０．７８μｍ
／マークでピットポジション記録した。
【００３９】この記録したデータを、周速９．０ｍ／ｓ
ｅｃ、再生レーザパワー１．０ｍＷにて再生した時の再
生波形を、その時の記録トラックパターンと共に図８
（ａ）に示す。
ｅｃ、再生レーザパワー１．０ｍＷにて再生した時の再
生波形を、その時の記録トラックパターンと共に図８
（ａ）に示す。
【００４０】消去されていた記録トラック上に磁化が反
転した領域（ハッチングを付した領域：Ｓ側磁化部）が
形成され、そのほぼ中央部の高温領域に磁化特性の変化
（垂直磁気異方性が失われてカー効果がなくなってい
る）が起こった領域（黒く塗った領域：記録マーク）が
できるので、再生波形は“Ｍ”を繰り返したパターンと
なる。
転した領域（ハッチングを付した領域：Ｓ側磁化部）が
形成され、そのほぼ中央部の高温領域に磁化特性の変化
（垂直磁気異方性が失われてカー効果がなくなってい
る）が起こった領域（黒く塗った領域：記録マーク）が
できるので、再生波形は“Ｍ”を繰り返したパターンと
なる。
【００４１】このようにデータ記録された光磁気ディス
クに、周速９．０ｍ／ｓｅｃ、消去レーザパワー１０．
５ｍＷ、消去時磁界３００Ｏｅにて、消去動作を施した
後の再生波形を、その時の記録トラックパターンと共に
図８（ｂ）に示す。消去動作を行っても、形成された記
録マークは消去されていない。よって、不揮発性の記録
を行えたことがわかる。
クに、周速９．０ｍ／ｓｅｃ、消去レーザパワー１０．
５ｍＷ、消去時磁界３００Ｏｅにて、消去動作を施した
後の再生波形を、その時の記録トラックパターンと共に
図８（ｂ）に示す。消去動作を行っても、形成された記
録マークは消去されていない。よって、不揮発性の記録
を行えたことがわかる。
【００４２】印加する磁界の向きを逆向きにして上述の
条件と同一の消去条件にて消去動作を施した後の再生波
形を、その時の記録トラックパターンと共に図８（ｃ）
に示す。磁界の向きを逆にしても、一端記録されたデー
タは消去されないことがわかる。
条件と同一の消去条件にて消去動作を施した後の再生波
形を、その時の記録トラックパターンと共に図８（ｃ）
に示す。磁界の向きを逆にしても、一端記録されたデー
タは消去されないことがわかる。
【００４３】消去されない記録マークが形成されるか否
かは、照射エネルギーの大きさに関係するので、ディス
クの周速と記録レーザパワーとは互いに関係がある。周
速を１．０ｍ／ｓｅｃに固定し、記録レーザパワーを変
化させてデータを記録し、上述の消去条件にて消去動作
を行った後の再生波形のＣ／Ｎ特性を図９に示す。
かは、照射エネルギーの大きさに関係するので、ディス
クの周速と記録レーザパワーとは互いに関係がある。周
速を１．０ｍ／ｓｅｃに固定し、記録レーザパワーを変
化させてデータを記録し、上述の消去条件にて消去動作
を行った後の再生波形のＣ／Ｎ特性を図９に示す。
【００４４】例えば、ディスクの周速を９．０ｍ／ｓｅ
ｃとした場合、記録レーザパワー１５．９ｍＷ以下で
は、不揮発性記録を行えない。しかし、ディスクの周速
が１．０ｍ／ｓｅｃでは１２ｍＷ以上の記録レーザパワ
ーにて、不揮発性記録を行うことができる。ディスクが
低周速であればある程、低い記録レーザパワーにて不揮
発性記録を行える。
ｃとした場合、記録レーザパワー１５．９ｍＷ以下で
は、不揮発性記録を行えない。しかし、ディスクの周速
が１．０ｍ／ｓｅｃでは１２ｍＷ以上の記録レーザパワ
ーにて、不揮発性記録を行うことができる。ディスクが
低周速であればある程、低い記録レーザパワーにて不揮
発性記録を行える。
【００４５】また、（２，７）ＲＬＬで符号変調された
３Ｔ信号を、通常の光磁気記録方法及び本実施例の記録
方法により、記録密度０．７８μｍ／マークにてピット
ポジション記録した場合の再生波形を図１０に示す。
３Ｔ信号を、通常の光磁気記録方法及び本実施例の記録
方法により、記録密度０．７８μｍ／マークにてピット
ポジション記録した場合の再生波形を図１０に示す。
【００４６】信号品質を示すＣ／Ｎが、通常の光磁気記
録では４６ｄＢであるのに対して、本実施例の記録方法
では４１ｄＢであるが十分に再生可能であり、通常の光
磁気記録の再生時と同様に、再生信号を得ることができ
た。
録では４６ｄＢであるのに対して、本実施例の記録方法
では４１ｄＢであるが十分に再生可能であり、通常の光
磁気記録の再生時と同様に、再生信号を得ることができ
た。
【００４７】通常の光磁気記録の再生信号と本実施例の
記録方法での再生信号とにおいて、上述したようなＣ／
Ｎ差が存在する理由は、図１１に示すように、本実施例
の記録方法での再生信号の振幅は通常の光磁気記録によ
る再生波形の振幅の約１／２になっているからである。
記録方法での再生信号とにおいて、上述したようなＣ／
Ｎ差が存在する理由は、図１１に示すように、本実施例
の記録方法での再生信号の振幅は通常の光磁気記録によ
る再生波形の振幅の約１／２になっているからである。
【００４８】通常記録では、磁化の向きに応じて偏光角
は＋θk ，−θk となる。本実施例方法により記録され
た記録マークは、記録マーク部分において磁気カー効果
が失われ偏光角変化がほぼ０となっているために、再生
波形の振幅は約１／２になる。
は＋θk ，−θk となる。本実施例方法により記録され
た記録マークは、記録マーク部分において磁気カー効果
が失われ偏光角変化がほぼ０となっているために、再生
波形の振幅は約１／２になる。
【００４９】ところで、本実施例の方法により記録した
部分を光量変化信号により再生すると、再生信号が殆ど
得られない。よって、本実施例方法での不揮発性記録が
行える記録パワーでは、記録層が結晶化されていないと
考えられる。
部分を光量変化信号により再生すると、再生信号が殆ど
得られない。よって、本実施例方法での不揮発性記録が
行える記録パワーでは、記録層が結晶化されていないと
考えられる。
【００５０】以上のことから、本実施例の記録方法で
は、記録層の構造の変化（結晶化またはアモルファス
化）によって不揮発性のデータ記録を行っているのでは
なく、記録層の磁気特性の変化によって不揮発性のデー
タ記録を行っていることがわかる。
は、記録層の構造の変化（結晶化またはアモルファス
化）によって不揮発性のデータ記録を行っているのでは
なく、記録層の磁気特性の変化によって不揮発性のデー
タ記録を行っていることがわかる。
【００５１】そして、垂直磁気異方性が小さくなって、
垂直磁化による磁気カー効果に基づく偏光角の変化がほ
ぼ０になったと考えられる。なお、本実施例においては
記録層にＤｙＦｅＣｏを用いたが、ＧｄＦｅＣｏを用い
てもよい。
垂直磁化による磁気カー効果に基づく偏光角の変化がほ
ぼ０になったと考えられる。なお、本実施例においては
記録層にＤｙＦｅＣｏを用いたが、ＧｄＦｅＣｏを用い
てもよい。
【００５２】本実施例の記録方法では、通常の光磁気記
録時よりも低い周速度及び／又は強い記録レーザ強度に
て不揮発性記録を行うので、通常の光磁気記録の機能に
加えて、追記型の不揮発性記録を行うことができる。
録時よりも低い周速度及び／又は強い記録レーザ強度に
て不揮発性記録を行うので、通常の光磁気記録の機能に
加えて、追記型の不揮発性記録を行うことができる。
【００５３】また、ライトワンス記録を行える記録層を
別に設けておく必要がないので、市販されている通常の
光磁気ディスク媒体に対しても、そのままの状態で不揮
発性データの記録を行うことができる。
別に設けておく必要がないので、市販されている通常の
光磁気ディスク媒体に対しても、そのままの状態で不揮
発性データの記録を行うことができる。
【００５４】記録時の周速度及び／又はレーザパワーを
変化させるだけで不揮発性データを記録するので、記録
・再生システムは、書換え可能なデータの場合と同じで
ある。よって、極めて簡便に不揮発性データの記録・再
生動作を行うことができ、不揮発性データの記録領域の
大きさを任意に設定することができる。
変化させるだけで不揮発性データを記録するので、記録
・再生システムは、書換え可能なデータの場合と同じで
ある。よって、極めて簡便に不揮発性データの記録・再
生動作を行うことができ、不揮発性データの記録領域の
大きさを任意に設定することができる。
【００５５】次に図１２を参照して、ランド及びグルー
ブの双方にデータを記録するランドグルーブ記録媒体
に、第１実施例で説明した不揮発性磁性記録層を積層し
た第４実施例について説明する。
ブの双方にデータを記録するランドグルーブ記録媒体
に、第１実施例で説明した不揮発性磁性記録層を積層し
た第４実施例について説明する。
【００５６】図１２（Ａ）に示すように、光磁気記録媒
体４６は交互に形成された複数のランド４８及びグルー
ブ５０を有しており、ランド４８及びグルーブ５０の両
方に記録マーク６４が形成されている。
体４６は交互に形成された複数のランド４８及びグルー
ブ５０を有しており、ランド４８及びグルーブ５０の両
方に記録マーク６４が形成されている。
【００５７】図１２（Ｂ）に示すように、透明基板５２
には予め複数のランド４８及びグルーブ５０が交互に形
成されている。透明基板５２上には誘電体層５４が積層
され、誘電体層５４上にはＧｄＦｅＣｏ等から形成され
た磁性再生層５６が積層されている。再生層５６は垂直
磁化膜である。
には予め複数のランド４８及びグルーブ５０が交互に形
成されている。透明基板５２上には誘電体層５４が積層
され、誘電体層５４上にはＧｄＦｅＣｏ等から形成され
た磁性再生層５６が積層されている。再生層５６は垂直
磁化膜である。
【００５８】再生層５６上にはＴｂＦｅＣｏ等から形成
された揮発性磁性記録層５８が積層されている。揮発性
磁性記録層５８は垂直磁化膜である。揮発性磁性記録層
５８にはＴｂＣｏ等から形成された不揮発性磁性記録層
６０が積層されている。不揮発性磁性記録層６０は垂直
磁化膜である。揮発性磁性記録層５８のキュリー温度は
約２５０°Ｃであり、不揮発性磁性記録層５８のキュリ
ー温度は約３５０°Ｃである。不揮発性磁性記録層６０
上に誘電体保護層６２が積層されて光磁気記録媒体４６
は完成する。
された揮発性磁性記録層５８が積層されている。揮発性
磁性記録層５８は垂直磁化膜である。揮発性磁性記録層
５８にはＴｂＣｏ等から形成された不揮発性磁性記録層
６０が積層されている。不揮発性磁性記録層６０は垂直
磁化膜である。揮発性磁性記録層５８のキュリー温度は
約２５０°Ｃであり、不揮発性磁性記録層５８のキュリ
ー温度は約３５０°Ｃである。不揮発性磁性記録層６０
上に誘電体保護層６２が積層されて光磁気記録媒体４６
は完成する。
【００５９】次に図１３を参照して、第４実施例のＩＤ
信号再生方法について説明する。不揮発性磁性記録層６
０はデータを記録する各セクタの先頭にＩＤ部６０ａを
有している。ＩＤ部６０ａにはＩＤ信号が光磁気記録さ
れている。
信号再生方法について説明する。不揮発性磁性記録層６
０はデータを記録する各セクタの先頭にＩＤ部６０ａを
有している。ＩＤ部６０ａにはＩＤ信号が光磁気記録さ
れている。
【００６０】ＩＤ部６０ａに記録されるＩＤ信号は、不
揮発性磁性記録層６０のキュリー温度を超えるような高
パワーのレーザビームで記録される。代案として、記録
媒体の周速を低くして通常の記録パワーでＩＤ信号を記
録するようにしてもよい。
揮発性磁性記録層６０のキュリー温度を超えるような高
パワーのレーザビームで記録される。代案として、記録
媒体の周速を低くして通常の記録パワーでＩＤ信号を記
録するようにしてもよい。
【００６１】各セクタはＩＤ部６０ａに続いてデータ部
６０ｂを有している。不揮発性磁性記録層６０のデータ
部６０ｂは初期化も何もされていないAs-deposition 状
態である。本実施例はランドグルーブ記録であるため、
ＩＤ部６０ａはランド４８及びグルーブ５０の両方に設
けられている。
６０ｂを有している。不揮発性磁性記録層６０のデータ
部６０ｂは初期化も何もされていないAs-deposition 状
態である。本実施例はランドグルーブ記録であるため、
ＩＤ部６０ａはランド４８及びグルーブ５０の両方に設
けられている。
【００６２】記録媒体は矢印Ａ方向に移動しており、ま
ず初期化磁界Ｈｂにより再生層５６のみが初期化され
る。次いで、再生磁界Ｈｒを初期化磁界Ｈｂと反対方向
に印加しながら、再生レーザビーム６８を記録媒体に照
射すると、ビームスポット内に再生層５６が初期化磁界
の方向を維持する低温領域６６ａと、再生層５６の磁化
方向が再生磁界Ｈｒにより反転する高温領域６６ｂが形
成される。
ず初期化磁界Ｈｂにより再生層５６のみが初期化され
る。次いで、再生磁界Ｈｒを初期化磁界Ｈｂと反対方向
に印加しながら、再生レーザビーム６８を記録媒体に照
射すると、ビームスポット内に再生層５６が初期化磁界
の方向を維持する低温領域６６ａと、再生層５６の磁化
方向が再生磁界Ｈｒにより反転する高温領域６６ｂが形
成される。
【００６３】低温領域６６ａでは再生層５６の磁化方向
が初期化磁界Ｈｂ方向に揃っているのでマスクとして作
用する。高温領域６６ｂでは、不揮発性磁性記録層６０
に記録されたＩＤ信号の磁化方向が、揮発性磁性記録層
５８を介して再生層５６に転写され、ＩＤ信号をビーム
スポット内の高温領域６６ｂを通して読みだすことがで
きる。
が初期化磁界Ｈｂ方向に揃っているのでマスクとして作
用する。高温領域６６ｂでは、不揮発性磁性記録層６０
に記録されたＩＤ信号の磁化方向が、揮発性磁性記録層
５８を介して再生層５６に転写され、ＩＤ信号をビーム
スポット内の高温領域６６ｂを通して読みだすことがで
きる。
【００６４】通常の光磁気ディスク装置の記録用及び消
去用のレーザパワーが仮にＩＤ部６０ａに照射されたと
しても、不揮発性磁性記録層６０のＩＤ信号は破壊され
ず、温度が下がる過程で揮発性磁性記録層５８に交換結
合でＩＤ信号が転写されるので、ＩＤ信号は破壊される
ことはない。
去用のレーザパワーが仮にＩＤ部６０ａに照射されたと
しても、不揮発性磁性記録層６０のＩＤ信号は破壊され
ず、温度が下がる過程で揮発性磁性記録層５８に交換結
合でＩＤ信号が転写されるので、ＩＤ信号は破壊される
ことはない。
【００６５】また、不揮発性磁性記録層６０に記録され
ているＩＤ信号は、磁気誘導超解像の原理に従ってビー
ムスポット内の高温領域６６ｂでのみ読み出すことがで
きるので、隣接するトラック間でクロストークの問題が
発生することはない。
ているＩＤ信号は、磁気誘導超解像の原理に従ってビー
ムスポット内の高温領域６６ｂでのみ読み出すことがで
きるので、隣接するトラック間でクロストークの問題が
発生することはない。
【００６６】次に図１４を参照して、本発明第５実施例
の再生方法について説明する。本実施例の光磁気記録媒
体は、再生層５６′は室温では面内磁化を示し、再生レ
ーザビームで昇温される所定温度以上では面内磁化から
垂直磁化に転移する点で、図１３に示した第４実施例の
再生層５６と相違する。本実施例の他の構成は、図１３
に示した第４実施例と実質上同一である。
の再生方法について説明する。本実施例の光磁気記録媒
体は、再生層５６′は室温では面内磁化を示し、再生レ
ーザビームで昇温される所定温度以上では面内磁化から
垂直磁化に転移する点で、図１３に示した第４実施例の
再生層５６と相違する。本実施例の他の構成は、図１３
に示した第４実施例と実質上同一である。
【００６７】再生レーザビーム６８が記録媒体に照射さ
れると、ビームスポット内に再生層５６′が面内磁化を
示す低温領域６６ａと、再生層５６′が垂直磁化となる
高温領域６６ｂが形成される。
れると、ビームスポット内に再生層５６′が面内磁化を
示す低温領域６６ａと、再生層５６′が垂直磁化となる
高温領域６６ｂが形成される。
【００６８】不揮発性磁性記録層６０のＩＤ部６０ａに
記録されたＩＤ信号は、ビームスポット内の低温領域６
６ａでは再生層５６′が面内マスクとなるため読み出す
ことができない。
記録されたＩＤ信号は、ビームスポット内の低温領域６
６ａでは再生層５６′が面内マスクとなるため読み出す
ことができない。
【００６９】一方、ビームスポット内の高温領域６６ｂ
では、再生層５６′の磁化容易方向が面内から垂直に転
移するため、不揮発性磁性記録層６０に記録されたＩＤ
信号が揮発性磁性記録層５８を介して再生層５６′に転
写され、ビームスポット内の高温領域６６ｂを通してＩ
Ｄ信号を読み出すことができる。
では、再生層５６′の磁化容易方向が面内から垂直に転
移するため、不揮発性磁性記録層６０に記録されたＩＤ
信号が揮発性磁性記録層５８を介して再生層５６′に転
写され、ビームスポット内の高温領域６６ｂを通してＩ
Ｄ信号を読み出すことができる。
【００７０】本実施例も上述したように、記録及び消去
用のレーザパワーが照射されてもＩＤ信号が破壊される
ことはなく、ＩＤ信号をビームスポット内に低温マスク
を形成して磁気誘導超解像再生できるため、隣接するト
ラック間でＩＤ信号のクロストークが発生することはな
い。
用のレーザパワーが照射されてもＩＤ信号が破壊される
ことはなく、ＩＤ信号をビームスポット内に低温マスク
を形成して磁気誘導超解像再生できるため、隣接するト
ラック間でＩＤ信号のクロストークが発生することはな
い。
【００７１】次に図１５を参照して、本発明第５実施例
の光磁気記録媒体７０の構成について説明する。透明基
板７２上にはＳｉＮ誘電体層７４が積層されている。誘
電体層７４上にはＧｄ30Ｆｅ55Ｃｏ15からなる再生層７
６が積層されている。再生層７６は第１所定温度以上で
面内から垂直磁化へ転移する。
の光磁気記録媒体７０の構成について説明する。透明基
板７２上にはＳｉＮ誘電体層７４が積層されている。誘
電体層７４上にはＧｄ30Ｆｅ55Ｃｏ15からなる再生層７
６が積層されている。再生層７６は第１所定温度以上で
面内から垂直磁化へ転移する。
【００７２】再生層７６上にはＧｄ24Ｆｅ53Ｃｏ23から
なる再生補助層７８が積層されている。再生補助層７８
は第２所定温度以上で垂直から面内磁化へ転移する。再
生補助層７８上にはＴｂ20Ｆｅ78Ｃｏ2 からなるスイッ
チ層８０が積層されている。
なる再生補助層７８が積層されている。再生補助層７８
は第２所定温度以上で垂直から面内磁化へ転移する。再
生補助層７８上にはＴｂ20Ｆｅ78Ｃｏ2 からなるスイッ
チ層８０が積層されている。
【００７３】スイッチ層８０上にはＴｂ19Ｆｅ67Ｃｏ14
からなる揮発性磁性記録層８２が積層されている。揮発
性磁性記録層８２上にはＴｂ23Ｃｏ77からなる不揮発性
磁性記録層８４が積層されている。
からなる揮発性磁性記録層８２が積層されている。揮発
性磁性記録層８２上にはＴｂ23Ｃｏ77からなる不揮発性
磁性記録層８４が積層されている。
【００７４】再生層７６、再生補助層７８、スイッチ層
８０、揮発性磁性記録層８２及び不揮発性磁性記録層８
４のキュリー温度はそれぞれ３３０°Ｃ，２８０°Ｃ，
１４５°Ｃ，２６０°Ｃ，３５０°Ｃである。
８０、揮発性磁性記録層８２及び不揮発性磁性記録層８
４のキュリー温度はそれぞれ３３０°Ｃ，２８０°Ｃ，
１４５°Ｃ，２６０°Ｃ，３５０°Ｃである。
【００７５】またそれぞれの膜厚は、４０ｎｍ，２５ｎ
ｍ，１０ｎｍ，４０ｎｍ，５０ｎｍである。不揮発性磁
性記録層８４上にＳｉＮ保護層８６が積層されて、光磁
気記録媒体７０が完成する。
ｍ，１０ｎｍ，４０ｎｍ，５０ｎｍである。不揮発性磁
性記録層８４上にＳｉＮ保護層８６が積層されて、光磁
気記録媒体７０が完成する。
【００７６】本実施例の再生原理を図１６〜図１８を参
照して説明する。図１６は、ＧｄＦｅＣｏ膜が垂直磁化
となる温度領域をＧｄ量に対して示したものである。実
線３９はＧｄＦｅＣｏのキュリー温度を示している。
照して説明する。図１６は、ＧｄＦｅＣｏ膜が垂直磁化
となる温度領域をＧｄ量に対して示したものである。実
線３９はＧｄＦｅＣｏのキュリー温度を示している。
【００７７】実線４１，４３はＧｄＦｅＣｏ単層膜の場
合を、破線４５，４７はＧｄＦｅＣｏ膜に垂直磁化の記
録膜をつけた２層膜の場合をそれぞれ示している。即
ち、実線４１はＧｄＦｅＣｏ単層膜の垂直から面内磁化
転移温度を示しており、実線４３はＧｄＦｅＣｏ単層膜
の面内から垂直磁化転移温度を示している。
合を、破線４５，４７はＧｄＦｅＣｏ膜に垂直磁化の記
録膜をつけた２層膜の場合をそれぞれ示している。即
ち、実線４１はＧｄＦｅＣｏ単層膜の垂直から面内磁化
転移温度を示しており、実線４３はＧｄＦｅＣｏ単層膜
の面内から垂直磁化転移温度を示している。
【００７８】また、破線４５はＧｄＦｅＣｏ膜及び垂直
磁化膜からなる２層膜の垂直から面内磁化転移温度を示
しており、破線４７は該２層膜の面内から垂直磁化転移
温度を示している。
磁化膜からなる２層膜の垂直から面内磁化転移温度を示
しており、破線４７は該２層膜の面内から垂直磁化転移
温度を示している。
【００７９】図１６から明らかなように、ＧｄＦｅＣｏ
膜に垂直磁化膜をつけると面内から垂直磁化に転移する
温度が下がることがわかる。ここで、あるＧｄ量Ｘ1 に
着目する。
膜に垂直磁化膜をつけると面内から垂直磁化に転移する
温度が下がることがわかる。ここで、あるＧｄ量Ｘ1 に
着目する。
【００８０】図１６でＡの温度領域は面内磁化領域であ
る。Ｂの温度領域は垂直磁化膜との２層膜であれば垂直
磁化であるが、単層膜であれば面内磁化領域である。Ｃ
の温度領域は垂直磁化領域である。
る。Ｂの温度領域は垂直磁化膜との２層膜であれば垂直
磁化であるが、単層膜であれば面内磁化領域である。Ｃ
の温度領域は垂直磁化領域である。
【００８１】次に図１７を参照して、本実施例の光磁気
記録媒体に記録されたＩＤ信号の再生方法について説明
する。不揮発性磁性記録層８４のＩＤ部８４ａには、高
パワーのレーザビームを照射することにより不揮発性磁
性記録層８４ａをそのキュリー温度以上に昇温して、Ｉ
Ｄ信号が記録されている。
記録媒体に記録されたＩＤ信号の再生方法について説明
する。不揮発性磁性記録層８４のＩＤ部８４ａには、高
パワーのレーザビームを照射することにより不揮発性磁
性記録層８４ａをそのキュリー温度以上に昇温して、Ｉ
Ｄ信号が記録されている。
【００８２】ＩＤ部８４ａに続く不揮発性磁性記録層８
４のデータ部８４ｂは、初期化も何もしないAs-deposit
ion 状態にしておく。通常の光磁気ディスク装置の記録
及び消去用のレーザパワーが仮にＩＤ部８４ａに照射さ
れたとしても、不揮発性磁性記録層８４のＩＤ信号が破
壊されることはない。
４のデータ部８４ｂは、初期化も何もしないAs-deposit
ion 状態にしておく。通常の光磁気ディスク装置の記録
及び消去用のレーザパワーが仮にＩＤ部８４ａに照射さ
れたとしても、不揮発性磁性記録層８４のＩＤ信号が破
壊されることはない。
【００８３】記録媒体を矢印Ａ方向に移動させながら、
記録媒体に再生レーザビーム６８を照射すると、ビーム
スポット内に低温領域６６ａ、中間温度領域６６ｂ及び
高温領域６６ｃからなる温度分布が形成される。高温領
域６６ｃでは、スイッチ層８０のキュリー温度以上に昇
温される。
記録媒体に再生レーザビーム６８を照射すると、ビーム
スポット内に低温領域６６ａ、中間温度領域６６ｂ及び
高温領域６６ｃからなる温度分布が形成される。高温領
域６６ｃでは、スイッチ層８０のキュリー温度以上に昇
温される。
【００８４】再生補助層７８は、低温領域６６ａ及び中
間温度領域６６ｂでは垂直磁化であるが、高温領域６６
ｃになると面内磁化となる。再生層７６の磁化は、低温
領域６６ａでは図１６のＡの温度領域に対応し、面内磁
化を示す。
間温度領域６６ｂでは垂直磁化であるが、高温領域６６
ｃになると面内磁化となる。再生層７６の磁化は、低温
領域６６ａでは図１６のＡの温度領域に対応し、面内磁
化を示す。
【００８５】中間温度領域６６ｂでは、再生補助層７８
の磁化が垂直磁化であるため、再生層７６も垂直磁化と
なる。これは、図１６のＢの温度領域で垂直磁化膜との
２層膜の場合に対応する。高温領域６６ｃでは、再生補
助層７８が面内磁化であるので面内磁化を示す。これ
は、図１６のＢの温度領域で単層膜の場合に相当する。
の磁化が垂直磁化であるため、再生層７６も垂直磁化と
なる。これは、図１６のＢの温度領域で垂直磁化膜との
２層膜の場合に対応する。高温領域６６ｃでは、再生補
助層７８が面内磁化であるので面内磁化を示す。これ
は、図１６のＢの温度領域で単層膜の場合に相当する。
【００８６】高温領域６６ｃでスイッチ層８０がキュリ
ー温度以上になるように設定しておけば、再生補助層７
８の磁化は揮発性磁性記録層８２の垂直磁化から遮断さ
れるため、安定した面内磁化となる。低温領域６６ａと
高温領域６６ｃで再生層７６の磁化が再生レーザビーム
のカー回転に寄与しない面内磁化となるため、マスクを
形成することができる。
ー温度以上になるように設定しておけば、再生補助層７
８の磁化は揮発性磁性記録層８２の垂直磁化から遮断さ
れるため、安定した面内磁化となる。低温領域６６ａと
高温領域６６ｃで再生層７６の磁化が再生レーザビーム
のカー回転に寄与しない面内磁化となるため、マスクを
形成することができる。
【００８７】不揮発性磁性記録層８４のＩＤ部８４ａに
記録されたＩＤ信号の磁化方向は、中間温度領域６６ｂ
で再生層７６の磁化からの反射光を見ることで読み取れ
る。即ち、中間温度領域６６ｂでは、スイッチ層８０が
キュリー温度以下であるため、不揮発性磁性記録層８４
の磁化が交換結合により揮発性磁性記録層８２、スイッ
チ層８０、再生補助層７８及び再生層７６へと転写さ
れ、光磁気信号を得ることができる。
記録されたＩＤ信号の磁化方向は、中間温度領域６６ｂ
で再生層７６の磁化からの反射光を見ることで読み取れ
る。即ち、中間温度領域６６ｂでは、スイッチ層８０が
キュリー温度以下であるため、不揮発性磁性記録層８４
の磁化が交換結合により揮発性磁性記録層８２、スイッ
チ層８０、再生補助層７８及び再生層７６へと転写さ
れ、光磁気信号を得ることができる。
【００８８】本実施例によると、再生レーザビームスポ
ット内に２つの面内磁化マスクを形成することができる
ため、不揮発性磁性記録層８４に記録されたＩＤ信号を
再生磁場を必要とせずに高分解能に再生することができ
る。よって、隣接するトラック間でのクロストークの問
題が生じることはない。
ット内に２つの面内磁化マスクを形成することができる
ため、不揮発性磁性記録層８４に記録されたＩＤ信号を
再生磁場を必要とせずに高分解能に再生することができ
る。よって、隣接するトラック間でのクロストークの問
題が生じることはない。
【００８９】図１８は第５実施例のデータ部の再生を説
明する図である。上述したように、不揮発性磁性記録層
８４のデータ部８４ｂは媒体製造直後のAs-deposition
状態である。
明する図である。上述したように、不揮発性磁性記録層
８４のデータ部８４ｂは媒体製造直後のAs-deposition
状態である。
【００９０】図１７を参照して説明したように、ビーム
スポット内には低温マスク領域６６ａと高温マスク領域
６６ｃが形成され、中間温度領域６６ｂで揮発性磁性記
録層８２に記録されたデータを交換結合により再生層７
６に転写して、読み取ることができる。
スポット内には低温マスク領域６６ａと高温マスク領域
６６ｃが形成され、中間温度領域６６ｂで揮発性磁性記
録層８２に記録されたデータを交換結合により再生層７
６に転写して、読み取ることができる。
【００９１】上述した各実施例ではＩＤ信号を不揮発性
磁性記録層に記録するようにしていたが、図７乃至図１
１を参照して説明した本発明第３実施例の記録方法を採
用することにより、ＩＤ信号を揮発性磁性記録層に記録
するようにすることもできる。
磁性記録層に記録するようにしていたが、図７乃至図１
１を参照して説明した本発明第３実施例の記録方法を採
用することにより、ＩＤ信号を揮発性磁性記録層に記録
するようにすることもできる。
【００９２】
【発明の効果】本発明は、基板に特殊な処理を施すこと
なく、極めて容易にパーシャルＲＯＭを達成できる光磁
気記録媒体を提供できる。
なく、極めて容易にパーシャルＲＯＭを達成できる光磁
気記録媒体を提供できる。
【００９３】ユーザにソフトウエアを販売したい業者
は、大量生産された本発明の光磁気記録媒体を入手し、
市販装置に少し手を加えただけの安価な専用装置を用い
て所望のソフトウエアをＲＯＭ領域に記録することがで
き、ユーザサイドではたとえ誤った操作をしても購入し
たソフトウエアを消失することはない。
は、大量生産された本発明の光磁気記録媒体を入手し、
市販装置に少し手を加えただけの安価な専用装置を用い
て所望のソフトウエアをＲＯＭ領域に記録することがで
き、ユーザサイドではたとえ誤った操作をしても購入し
たソフトウエアを消失することはない。
【００９４】さらに、ランドグルーブ記録に適した本発
明の実施態様によると、隣接するトラック間でクロスト
ークを生じることなくＩＤ信号を磁気誘導超解像再生す
ることができる。
明の実施態様によると、隣接するトラック間でクロスト
ークを生じることなくＩＤ信号を磁気誘導超解像再生す
ることができる。
【図１】本発明第１実施例の光磁気記録媒体を示す図で
あり、（Ａ）はその斜視図を、（Ｂ）はその構成断面図
をそれぞれ示している。
あり、（Ａ）はその斜視図を、（Ｂ）はその構成断面図
をそれぞれ示している。
【図２】第１実施例の媒体使用方法を説明する図であ
る。
る。
【図３】第１実施例の初期化方法を説明する図である。
【図４】第１実施例のＲＯＭ部への記録方法を説明する
図である。
図である。
【図５】第１実施例のＲＡＭ部の磁化状態を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明第２実施例の光磁気記録媒体の断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明第３実施例の光磁気記録媒体の断面図で
ある。
ある。
【図８】第３実施例の記録再生方法における再生波形図
である。
である。
【図９】周速を一定にした場合の記録レーザパワーと再
生波形のＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。
生波形のＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。
【図１０】通常の光磁気記録方法と第３実施例の記録方
法とにおける再生波形図である。
法とにおける再生波形図である。
【図１１】通常の光磁気記録方法と第３実施例の記録方
法とにおける再生波形と記録マークとを示す図である。
法とにおける再生波形と記録マークとを示す図である。
【図１２】本発明第４実施例の光磁気記録媒体を示す図
であり、（Ａ）は一部破断平面図を、（Ｂ）は一部破断
断面図をそれぞれ示している。
であり、（Ａ）は一部破断平面図を、（Ｂ）は一部破断
断面図をそれぞれ示している。
【図１３】第４実施例の再生方法を説明する図である。
【図１４】第５実施例の再生方法を説明する図である。
【図１５】本発明第５実施例の光磁気記録媒体の断面図
である。
である。
【図１６】ＧｄＦｅＣｏ膜の磁化状態を示す図である。
【図１７】第５実施例のＩＤ部の再生説明図である。
【図１８】第５実施例のデータ部の再生説明図である。
３２ 揮発性磁性記録層 ３４ 不揮発性磁性記録層 ４８ ランド ５０ グルーブ ５６，５６′，７６ 再生層 ５８，８２ 揮発性磁性記録層 ６０，８４ 不揮発性磁性記録層 ６０ａ，８４ａ ＩＤ部 ６０ｂ，８４ｂ データ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田口 雅一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 田中 努 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 杉本 利夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−73519（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506 G11B 11/10 586
Claims (10)
- 【請求項１】 透明基板と、 該透明基板上に積層された、ユーザの使用する記録再生
装置で昇温可能な温度と概略同等かそれ以下のキュリー
温度を有する揮発性磁性記録層と、 該揮発性磁性記録層上に積層された、ユーザの使用する
記録再生装置で昇温可能な温度より高いキュリー温度を
有する不揮発性磁性記録層とを具備し、 前記不揮発性磁性記録層は初期化していないことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板と、 該透明基板上に積層された、ユーザの使用する記録再生
装置で昇温可能な温度と概略同等かそれ以下のキュリー
温度を有する揮発性磁性記録層と、該揮発性磁性記録層
上に積層された、ユーザの使用する記録再生装置で昇温
可能な温度より高いキュリー温度を有する不揮発性磁性
記録層とを具備し、前記不揮発性磁性記録層は初期化し
ていない光磁気記録媒体の使用方法であって、 前記記録媒体の記録面内の一部に媒体製造者及び／又は
ソフトウェア提供者専用の記録再生装置でソフトウェア
を記録し、 記録面内の残りの部分では前記揮発性磁性記録層のみを
初期化し、前記残りの部分をユーザの使用する記録再生
装置で情報の記録、再生及び消去が可能なＲＡＭ部とし
て使用することを特徴とする光磁気記録媒体の使用方
法。 - 【請求項３】 光磁気記録媒体への情報の記録方法であ
って、 外部磁界を印加しながら、書換え可能な記録マークを形
成する場合よりも強度の強いレーザビームを照射して、
磁化方向が記録データに応じて不可逆的に変化した記録
マークを形成することを特徴とする光磁気記録媒体への
情報の記録方法。 - 【請求項４】 光磁気記録媒体への情報の記録方法であ
って、 レーザビーム照射と外部磁界印加を行いながら、書換え
可能な記録マークを形成する場合よりも低い周速度で媒
体を回転させることにより、磁化方向が記録データに応
じて不可逆的に変化した記録マークを形成することを特
徴とする光磁気記録媒体への情報の記録方法。 - 【請求項５】 レーザビームの照射強度を書換え可能な
記録マークを形成する場合よりも強くする請求項４記載
の光磁気記録媒体への情報の記録方法。 - 【請求項６】 再生レーザビームのビームスポット径よ
りも小さな記録マークを再生可能な磁気誘導超解像光磁
気記録媒体であって、 交互に形成された複数のランド及びグルーブを有する透
明基板と、 該透明基板上に積層された磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された揮発性磁性記録層と、 該揮発性磁性記録層上に積層された不揮発性磁性記録層
とを具備し、 前記揮発性磁性記録層はユーザの使用する記録再生装置
で昇温可能な温度と概略同等かそれ以下のキュリー温度
を有し、前記不揮発性磁性記録層はユーザの使用する記
録再生装置で昇温可能な温度より高いキュリー温度を有
しており、 前記不揮発性磁性記録層は前記各ランド及び各グルーブ
の双方に形成されたデータを記録する各セクタの先頭に
光磁気記録されたＩＤ信号を有していることを特徴とす
る磁気誘導超解像光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記不揮発性磁性記録層の各セクタのデ
ータ部は初期化していない請求項６記載の磁気誘導超解
像光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記磁性再生層は垂直磁化膜である請求
項６記載の磁気誘導超解像光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記磁性再生層は室温では面内磁化膜で
あり、再生レーザビームで昇温される所定温度以上で垂
直磁化膜となる請求項６記載の磁気誘導超解像光磁気記
録媒体。 - 【請求項１０】 再生レーザビームのビームスポット径
よりも小さな記録マークを再生可能な磁気誘導超解像光
磁気記録媒体であって、 交互に形成された複数のランド及びグルーブを有する透
明基板と、 該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容易方
向を有し、第１所定温度以上では膜面に対して垂直の磁
化容易方向を有する磁性再生層と、 該再生層上に積層された、室温では膜面に対して垂直の
磁化容易方向を有し、第２所定温度以上では面内に磁化
容易方向を有する磁性再生補助層と、 該再生補助層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容
易方向を有する磁性スイッチ層と、 該スイッチ層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容
易方向を有する揮発性磁性記録層と、 該揮発性磁性記録層上に積層された膜面に対して垂直の
磁化容易方向を有する不揮発性磁性記録層とから構成さ
れ、 前記再生層、再生補助層、スイッチ層及び揮発性磁性記
録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ
３，Ｔｃ４とするとき、Ｔｃ１＞Ｔｃ２＞Ｔｃ４＞Ｔｃ
３の関係を満たし、 前記不揮発性磁性記録層はユーザの使用する記録再生装
置で昇温可能な温度より高いキュリー温度Ｔｃ５を有し
ており、 前記不揮発性磁性記録層は前記各ランド及び各グルーブ
の相互に形成されたデータを記録する各セクタの先頭に
光磁気記録されたＩＤ信号を有していることを特徴とす
る磁気誘導超解像光磁気記録媒体。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6223278A JP2771462B2 (ja) | 1994-03-15 | 1994-09-19 | 光磁気記録媒体及び該媒体の使用方法 |
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