JP3172708B2 - 記録再生装置 - Google Patents
記録再生装置Info
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- JP3172708B2 JP3172708B2 JP13472698A JP13472698A JP3172708B2 JP 3172708 B2 JP3172708 B2 JP 3172708B2 JP 13472698 A JP13472698 A JP 13472698A JP 13472698 A JP13472698 A JP 13472698A JP 3172708 B2 JP3172708 B2 JP 3172708B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスク、
光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体の記録
再生装置に関するものである。
光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体の記録
再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクを含め、光メモリ素子の
記録密度は、記録・再生に使用される光ビームの記録媒
体上における大きさに依存する。最近、光ビームの大き
さより小さい記録ビットを再生する方法（後述する）が
提案されている。
記録密度は、記録・再生に使用される光ビームの記録媒
体上における大きさに依存する。最近、光ビームの大き
さより小さい記録ビットを再生する方法（後述する）が
提案されている。
【０００３】通常、光記録では、光ビームは集光レンズ
により回折限界まで絞り込まれているため、その光強度
分布がガウス分布となり、記録媒体上の温度分布もほぼ
ガウス分布になる。このため、ある温度以上の温度を有
する範囲は、光ビームより小さくなっている。そこであ
る温度以上の領域のみを再生に関与させることができれ
ば、記録密度は著しく向上することになる。
により回折限界まで絞り込まれているため、その光強度
分布がガウス分布となり、記録媒体上の温度分布もほぼ
ガウス分布になる。このため、ある温度以上の温度を有
する範囲は、光ビームより小さくなっている。そこであ
る温度以上の領域のみを再生に関与させることができれ
ば、記録密度は著しく向上することになる。
【０００４】ここで、図１６を参照しながら、上述の光
ビームの大きさより小さい記録ビットを再生できる光磁
気ディスクを以下に説明する。
ビームの大きさより小さい記録ビットを再生できる光磁
気ディスクを以下に説明する。
【０００５】この光磁気ディスクは、基板２１の一方の
面上に、主として読み出し層２３と記録層２４とを備え
た構成を有している。記録層２４は、室温で高い保磁力
を有している。また読み出し層２３は室温での保磁力は
小さく、再生ビームにより温度が上昇すると記録層２４
の影響を受けて、磁化の向きが記録層２４の向きと一致
する。即ち、読み出し層２３及び記録層２４の２層間の
交換結合力によって、記録層２４の磁化が読み出し層２
３に転写されるようになっている。
面上に、主として読み出し層２３と記録層２４とを備え
た構成を有している。記録層２４は、室温で高い保磁力
を有している。また読み出し層２３は室温での保磁力は
小さく、再生ビームにより温度が上昇すると記録層２４
の影響を受けて、磁化の向きが記録層２４の向きと一致
する。即ち、読み出し層２３及び記録層２４の２層間の
交換結合力によって、記録層２４の磁化が読み出し層２
３に転写されるようになっている。
【０００６】上記光磁気ディスクへの記録は、通常の光
熱磁気記録方法で行なわれる。そして、記録されたビッ
トを再生するには、あらかじめ補助磁界発生装置２６に
よって印加される補助磁界により、読み出し層２３の磁
化の向きを所定の方向（図中、上向き）に揃えておく
（初期化）。次に、再生光ビーム２７を照射し、局部的
に温度上昇させ、記録層２４の磁化情報を読み出し層２
３に転写する。こうすると、再生ビーム２７のスポット
において、温度が上昇した部位のみの情報が得られるた
め、光ビーム２７のスポット径より小さな記録ビットで
も読み出せるのである。
熱磁気記録方法で行なわれる。そして、記録されたビッ
トを再生するには、あらかじめ補助磁界発生装置２６に
よって印加される補助磁界により、読み出し層２３の磁
化の向きを所定の方向（図中、上向き）に揃えておく
（初期化）。次に、再生光ビーム２７を照射し、局部的
に温度上昇させ、記録層２４の磁化情報を読み出し層２
３に転写する。こうすると、再生ビーム２７のスポット
において、温度が上昇した部位のみの情報が得られるた
め、光ビーム２７のスポット径より小さな記録ビットで
も読み出せるのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記光
磁気ディスクでは、再生時に記録層２４から読み出し層
２３に磁化情報が転写されたビットは、再生が終了しそ
の部位の温度が下がっても磁化情報が転写されたまま残
ってしまう。このため、次のビットを再生するために光
ビーム２７の照射位置が移動しても、前のビットはまだ
光ビーム２７のスポットの中に存在し、これが雑音の原
因となり、記録密度を向上させる際の制限事項となると
いう問題点を有している。
磁気ディスクでは、再生時に記録層２４から読み出し層
２３に磁化情報が転写されたビットは、再生が終了しそ
の部位の温度が下がっても磁化情報が転写されたまま残
ってしまう。このため、次のビットを再生するために光
ビーム２７の照射位置が移動しても、前のビットはまだ
光ビーム２７のスポットの中に存在し、これが雑音の原
因となり、記録密度を向上させる際の制限事項となると
いう問題点を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録再生装置
は、上記の課題を解決するために、情報を光磁気記録す
る記録層と、室温で面内磁化を示す一方、所定温度以上
で面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層と、記録
時において前記記録層に磁化の向きを転写する補助磁性
層と、を有してなる光磁気記録媒体に対して、情報を記
録再生する記録再生装置であって、再生時に、前記読み
出し層を垂直磁化へと移行させる強度の光ビームを照射
し、記録時に、前記補助磁性層の磁化を利用して前記記
録層の磁化方向を所望の方向に向ける強度の光ビームを
照射する光照射手段を有してなることを特徴とする。
は、上記の課題を解決するために、情報を光磁気記録す
る記録層と、室温で面内磁化を示す一方、所定温度以上
で面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層と、記録
時において前記記録層に磁化の向きを転写する補助磁性
層と、を有してなる光磁気記録媒体に対して、情報を記
録再生する記録再生装置であって、再生時に、前記読み
出し層を垂直磁化へと移行させる強度の光ビームを照射
し、記録時に、前記補助磁性層の磁化を利用して前記記
録層の磁化方向を所望の方向に向ける強度の光ビームを
照射する光照射手段を有してなることを特徴とする。
【０００９】
【００１０】以下、本発明の作用を説明する。
【００１１】本発明では、常温では読み出し層は面内磁
化を示しており、垂直入射光に対して有効な光磁気効果
を示さない光磁気記録媒体に対して、光ビームを照射し
て、光ビームの中心部分に位置する読み出し層に記録層
の磁化方向（垂直方向）を示させる。これにより、高密
度光記録媒体からの再生が可能となる。
化を示しており、垂直入射光に対して有効な光磁気効果
を示さない光磁気記録媒体に対して、光ビームを照射し
て、光ビームの中心部分に位置する読み出し層に記録層
の磁化方向（垂直方向）を示させる。これにより、高密
度光記録媒体からの再生が可能となる。
【００１２】また、記録時には、補助磁性層を利用して
情報を記録できる。
情報を記録できる。
【００１３】
〔実施の形態１〕本発明の一実施の形態について図１な
いし図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
いし図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１４】光磁気記録媒体としての光磁気ディスク
は、図１に示すように、基板１、透明誘電体膜２ａ、読
み出し層３、記録層４、補助磁性層６、透明誘電体膜２
ｂ、オーバーコート膜１１がこの順に積層された構成か
らなっている。
は、図１に示すように、基板１、透明誘電体膜２ａ、読
み出し層３、記録層４、補助磁性層６、透明誘電体膜２
ｂ、オーバーコート膜１１がこの順に積層された構成か
らなっている。
【００１５】図４に、読み出し層３に用いる希土類遷移
金属合金の磁気状態図を示す。この合金は垂直磁化にな
る範囲が狭く、希土類金属と遷移金属の磁気モーメント
が釣り合う補償組成（Ｔcomp）の近辺（Ａで示される範
囲）でしか垂直磁化を示さない。また希土類金属と遷移
金属の磁気モーメントは温度特性が異なり、高温では遷
移金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて強くな
る。このため室温の補償組成より希土類金属の量を多く
した組成（例えば、図中点線で示す組成）の合金を用い
る。この組成の合金は、室温では垂直磁化を示さず、面
内磁化を示す。そして温度が上昇すると遷移金属のモー
メントが相対的に強くなって、希土類金属の磁気モーメ
ントと釣り合うようになり垂直磁化を示すようになる。
更に温度が上昇すると磁気モーメントのバランスが崩れ
再び面内磁化を示すようになる。
金属合金の磁気状態図を示す。この合金は垂直磁化にな
る範囲が狭く、希土類金属と遷移金属の磁気モーメント
が釣り合う補償組成（Ｔcomp）の近辺（Ａで示される範
囲）でしか垂直磁化を示さない。また希土類金属と遷移
金属の磁気モーメントは温度特性が異なり、高温では遷
移金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて強くな
る。このため室温の補償組成より希土類金属の量を多く
した組成（例えば、図中点線で示す組成）の合金を用い
る。この組成の合金は、室温では垂直磁化を示さず、面
内磁化を示す。そして温度が上昇すると遷移金属のモー
メントが相対的に強くなって、希土類金属の磁気モーメ
ントと釣り合うようになり垂直磁化を示すようになる。
更に温度が上昇すると磁気モーメントのバランスが崩れ
再び面内磁化を示すようになる。
【００１６】図３に、読み出し層３、補助磁性層６及び
記録層４それぞれの保磁力Ｈcの温度依存性を示す。記
録層４は、補助磁性層６のキュリー点ＴＳより低いキュ
リー点ＴＲと補助磁性層６より高い保磁力をもち、高温
では補助磁性層６の磁化方向に向く性質をもっている。
一方、補助磁性層６は室温で低い保磁力を有し、外部の
初期化磁界により一方向に磁化が揃えられる。
記録層４それぞれの保磁力Ｈcの温度依存性を示す。記
録層４は、補助磁性層６のキュリー点ＴＳより低いキュ
リー点ＴＲと補助磁性層６より高い保磁力をもち、高温
では補助磁性層６の磁化方向に向く性質をもっている。
一方、補助磁性層６は室温で低い保磁力を有し、外部の
初期化磁界により一方向に磁化が揃えられる。
【００１７】具体的には、本実施の形態では、読み出し
層３として、Ｇｄ0.28（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.72を用いて
おり、そのキュリー温度は３００℃から４００℃程度に
設定されている。上述のように、希土類金属の含有量を
多くしているので、室温で面内磁化を示し１００℃前後
で補償組成となる。記録層４としては、Ｄｙ0.23（Ｆｅ
0.82Ｃｏ0.18）0.77を用い、そのキュリー温度ＴＲは１
５０℃から２５０℃である。補助磁性層６にはＴｂ0.25
（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.75を用い、そのキュリー温度ＴＳ
は３００℃である。また、誘電体膜２ａの膜厚は再生光
の波長の１／４を屈折率で割った値程度に設定される。
例えば、再生光の波長を８００ｎｍとすると、誘電体膜
２ａの膜厚は１００から８０ｎｍ程度になる。また誘電
体膜２ｂは窒化物からなる保護膜であり、その膜厚は５
０ｎｍである。
層３として、Ｇｄ0.28（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.72を用いて
おり、そのキュリー温度は３００℃から４００℃程度に
設定されている。上述のように、希土類金属の含有量を
多くしているので、室温で面内磁化を示し１００℃前後
で補償組成となる。記録層４としては、Ｄｙ0.23（Ｆｅ
0.82Ｃｏ0.18）0.77を用い、そのキュリー温度ＴＲは１
５０℃から２５０℃である。補助磁性層６にはＴｂ0.25
（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2）0.75を用い、そのキュリー温度ＴＳ
は３００℃である。また、誘電体膜２ａの膜厚は再生光
の波長の１／４を屈折率で割った値程度に設定される。
例えば、再生光の波長を８００ｎｍとすると、誘電体膜
２ａの膜厚は１００から８０ｎｍ程度になる。また誘電
体膜２ｂは窒化物からなる保護膜であり、その膜厚は５
０ｎｍである。
【００１８】図５ないし図８は、読み出し層３に印加さ
れる外部印加磁界Ｈexと磁気カー回転角θkとの関係を
示し、それぞれ、室温から温度Ｔ1の磁気特性、温度Ｔ1
から温度Ｔcの磁気特性、温度Ｔcから温度Ｔ2の磁気特
性および温度Ｔ2からキュリー温度Ｔcurieの磁気特性を
示している。
れる外部印加磁界Ｈexと磁気カー回転角θkとの関係を
示し、それぞれ、室温から温度Ｔ1の磁気特性、温度Ｔ1
から温度Ｔcの磁気特性、温度Ｔcから温度Ｔ2の磁気特
性および温度Ｔ2からキュリー温度Ｔcurieの磁気特性を
示している。
【００１９】温度Ｔ1から温度Ｔ2までの範囲では立ち上
がりの急峻なヒステリシス特性を示すが、室温から温度
Ｔ1及び温度Ｔ2からキュリー温度Ｔcurieの範囲ではヒ
ステリシス特性を示さないことがわかる。
がりの急峻なヒステリシス特性を示すが、室温から温度
Ｔ1及び温度Ｔ2からキュリー温度Ｔcurieの範囲ではヒ
ステリシス特性を示さないことがわかる。
【００２０】上記の構成において、光変調方式を用いた
オーバーライトによる記録動作を図１及び図２を用いて
説明する。
オーバーライトによる記録動作を図１及び図２を用いて
説明する。
【００２１】先ず、磁界発生装置１２により初期化磁界
を光磁気ディスクに印加する。すると補助磁性層６は室
温では低い保磁力を示すので、印加された磁界の方向
（図中、上向き）に揃えられ初期化される。
を光磁気ディスクに印加する。すると補助磁性層６は室
温では低い保磁力を示すので、印加された磁界の方向
（図中、上向き）に揃えられ初期化される。
【００２２】次に、記録する部位に基板１の側から集光
レンズ８を介して光ビーム７を照射する。一方、光ビー
ム７が照射される部位には初期化磁界と反対の向きの記
録磁界５が印加されている。この時、例えば、図１に示
すように、該記録部位の記録層４の磁化の向きが初期化
磁界の向き（図中、上向き）の場合、光ビーム７の光強
度の調整により、照射部位を補助磁性層６のキュリー温
度ＴS以上の温度にまで昇温させる。すると、記録層４
のキュリー温度ＴRはＴSよりも低いので、記録層４及び
補助磁性層６の磁化の向きは記録磁界５の向きになり、
記録が行なわれる。
レンズ８を介して光ビーム７を照射する。一方、光ビー
ム７が照射される部位には初期化磁界と反対の向きの記
録磁界５が印加されている。この時、例えば、図１に示
すように、該記録部位の記録層４の磁化の向きが初期化
磁界の向き（図中、上向き）の場合、光ビーム７の光強
度の調整により、照射部位を補助磁性層６のキュリー温
度ＴS以上の温度にまで昇温させる。すると、記録層４
のキュリー温度ＴRはＴSよりも低いので、記録層４及び
補助磁性層６の磁化の向きは記録磁界５の向きになり、
記録が行なわれる。
【００２３】一方、図２に示すように、該記録部位の記
録層４の磁化の向きが初期化磁界の向きと反対（図中、
下向き）であり、初期化磁界の向きにする場合は、光ビ
ーム７の光強度を調整することにより、照射部位を記録
層４のキュリー点ＴR以上、かつ補助磁性層６のキュリ
ー点ＴS以下の温度にまで昇温させる。すると記録層４
及び補助磁性層６の２層間の交換結合力により、補助磁
性層６の磁化の向きが記録層４に転写され記録層４の磁
化の向きは初期化磁界の向きになる。
録層４の磁化の向きが初期化磁界の向きと反対（図中、
下向き）であり、初期化磁界の向きにする場合は、光ビ
ーム７の光強度を調整することにより、照射部位を記録
層４のキュリー点ＴR以上、かつ補助磁性層６のキュリ
ー点ＴS以下の温度にまで昇温させる。すると記録層４
及び補助磁性層６の２層間の交換結合力により、補助磁
性層６の磁化の向きが記録層４に転写され記録層４の磁
化の向きは初期化磁界の向きになる。
【００２４】尚、上記どちらの場合においても、読み出
し層３は光ビーム７の照射により温度Ｔ2を超えるため
面内磁化を示し、記録動作には影響を及ぼさない。
し層３は光ビーム７の照射により温度Ｔ2を超えるため
面内磁化を示し、記録動作には影響を及ぼさない。
【００２５】上記の光磁気ディスクを再生するには、図
９に示すように、基板１の側から集光レンズ８を介して
再生光ビーム９を読み出し層３に照射する。この時、例
えば図９に示す磁化の向きに記録層４が記録されている
とすると、再生光ビーム７の中心部近辺に対応する、読
み出し層３の部位の温度のみが上昇し、１００℃前後即
ちＴ1以上Ｔ2以下の温度に達する。その結果、温度が上
昇した領域の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行す
る。つまり、読み出し層３及び記録層４の２層間の交換
結合力により、記録層４の磁化の向きが読み出し層３に
転写される。
９に示すように、基板１の側から集光レンズ８を介して
再生光ビーム９を読み出し層３に照射する。この時、例
えば図９に示す磁化の向きに記録層４が記録されている
とすると、再生光ビーム７の中心部近辺に対応する、読
み出し層３の部位の温度のみが上昇し、１００℃前後即
ちＴ1以上Ｔ2以下の温度に達する。その結果、温度が上
昇した領域の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行す
る。つまり、読み出し層３及び記録層４の２層間の交換
結合力により、記録層４の磁化の向きが読み出し層３に
転写される。
【００２６】このようにして、読み出し層３における温
度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、再生
光ビーム９の中心付近のみが磁気光学カー効果を示すよ
うになり、該部位からの反射光に基づいて記録層４に記
録された情報が再生される。
度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、再生
光ビーム９の中心付近のみが磁気光学カー効果を示すよ
うになり、該部位からの反射光に基づいて記録層４に記
録された情報が再生される。
【００２７】なお、再生光ビーム９の中心部近辺に対応
する部位以外の読み出し層３の部位では、Ｔ1以上に温
度が上昇せず、従って面内磁化の状態が保持される。こ
の結果、垂直入射光に対して磁気光学カー効果を示さな
い。
する部位以外の読み出し層３の部位では、Ｔ1以上に温
度が上昇せず、従って面内磁化の状態が保持される。こ
の結果、垂直入射光に対して磁気光学カー効果を示さな
い。
【００２８】そして、再生光ビーム９が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層３は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなり、雑音の原因である隣接ビットから
の信号が混入することがなくなる。
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層３は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなり、雑音の原因である隣接ビットから
の信号が混入することがなくなる。
【００２９】この光磁気ディスクを用いて、情報の記録
再生を行なえば、再生光ビームの中心部付近のみが磁気
光学効果を示すので、再生信号量が確保できれば、光ビ
ームの径より小さい記録ビットの再生が行なえ、記録密
度を著しく高めることができる。
再生を行なえば、再生光ビームの中心部付近のみが磁気
光学効果を示すので、再生信号量が確保できれば、光ビ
ームの径より小さい記録ビットの再生が行なえ、記録密
度を著しく高めることができる。
【００３０】尚、読み出し層３は、上記Ｇｄ0.28（Ｆｅ
0.8Ｃｏ0.2）0.72に限定されるものではなく、例えばＧ
ｄ0.25Ｃｏ0.75を使用してもよい。この場合、上記効果
に加えて、Ｇｄ0.25Ｃｏ0.75がＧｄ0.28（Ｆｅ0.8Ｃｏ
0.2）0.72に比べ保磁力が小さいため、記録時に外部磁
界に対する外乱要因を小さくでき、記録ビットの形状が
スムースになる。
0.8Ｃｏ0.2）0.72に限定されるものではなく、例えばＧ
ｄ0.25Ｃｏ0.75を使用してもよい。この場合、上記効果
に加えて、Ｇｄ0.25Ｃｏ0.75がＧｄ0.28（Ｆｅ0.8Ｃｏ
0.2）0.72に比べ保磁力が小さいため、記録時に外部磁
界に対する外乱要因を小さくでき、記録ビットの形状が
スムースになる。
【００３１】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
を図１０ないし図１３を用いて説明すれば以下の通りで
ある。尚、実施の形態１と同様の機能を有する部材には
同じ部材番号を付与し、その説明を省略する。
を図１０ないし図１３を用いて説明すれば以下の通りで
ある。尚、実施の形態１と同様の機能を有する部材には
同じ部材番号を付与し、その説明を省略する。
【００３２】光磁気記録媒体は、実施の形態１で示した
読み出し層３及び記録層４の代わりに、（Ｇｄ0.8Ｔｂ
0.2）0.35Ｆｅ0.65を使い、読み出し層と記録層とを１
層の記録層１３で動作させるものである。すなわち、図
１０に示すように、光磁気ディスクは、基板１、透明誘
電体膜２ａ、記録層１３、補助磁性層６、透明誘電体膜
２ｂ、オーバーコート１１がこの順に積層された構成を
有している。図１１にＧｄＴｂＦｅの磁気特性を示す。
同図に点線で示すように、本実施の形態で用いられてい
る（Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2）0.35Ｆｅ0.65は室温で完全に面内
磁化を示さず、垂直磁化方向の成分をもち、情報を記憶
している。また、図１２及び図１３にこの（Ｇｄ0.8Ｔ
ｂ0.2）0.35Ｆｅ0.65に印加される外部印加磁界Ｈexと
磁気カー回転角θKとの関係を示した。
読み出し層３及び記録層４の代わりに、（Ｇｄ0.8Ｔｂ
0.2）0.35Ｆｅ0.65を使い、読み出し層と記録層とを１
層の記録層１３で動作させるものである。すなわち、図
１０に示すように、光磁気ディスクは、基板１、透明誘
電体膜２ａ、記録層１３、補助磁性層６、透明誘電体膜
２ｂ、オーバーコート１１がこの順に積層された構成を
有している。図１１にＧｄＴｂＦｅの磁気特性を示す。
同図に点線で示すように、本実施の形態で用いられてい
る（Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2）0.35Ｆｅ0.65は室温で完全に面内
磁化を示さず、垂直磁化方向の成分をもち、情報を記憶
している。また、図１２及び図１３にこの（Ｇｄ0.8Ｔ
ｂ0.2）0.35Ｆｅ0.65に印加される外部印加磁界Ｈexと
磁気カー回転角θKとの関係を示した。
【００３３】この光磁気ディスクに光変調オーバーライ
トにより記録を行なう時は、実施の形態１と同様に、光
ビーム７の光強度を変化させ、照射部位の温度を、補助
磁性層６のキュリー温度以上に上昇させるか、または記
録層１３のキュリー温度以上、かつ補助磁性層６のキュ
リー温度以下の温度に上昇させる。これにより、記録層
１３は垂直磁化を示し、所定の向き（上向き又は下向
き）に移行させられる。光ビーム７が移動し、先の記録
ビットの温度が下がると記録層１３は垂直磁化方向の成
分をもちながら面内磁化を示すようになる。
トにより記録を行なう時は、実施の形態１と同様に、光
ビーム７の光強度を変化させ、照射部位の温度を、補助
磁性層６のキュリー温度以上に上昇させるか、または記
録層１３のキュリー温度以上、かつ補助磁性層６のキュ
リー温度以下の温度に上昇させる。これにより、記録層
１３は垂直磁化を示し、所定の向き（上向き又は下向
き）に移行させられる。光ビーム７が移動し、先の記録
ビットの温度が下がると記録層１３は垂直磁化方向の成
分をもちながら面内磁化を示すようになる。
【００３４】再生時には、光ビームが照射され温度Ｔ1
以上に昇温された記録層１３の記録ビットのみが垂直磁
化を示す。従って、昇温された部位からの反射光が光磁
気カー効果を示すことにより、情報が再生される。
以上に昇温された記録層１３の記録ビットのみが垂直磁
化を示す。従って、昇温された部位からの反射光が光磁
気カー効果を示すことにより、情報が再生される。
【００３５】この構成の光磁気ディスクでは、磁性層が
記録層１３と補助磁性層６の２層で済むため、実施の形
態１などの３層からなる記録媒体に比べて記録媒体の作
製が容易になる。
記録層１３と補助磁性層６の２層で済むため、実施の形
態１などの３層からなる記録媒体に比べて記録媒体の作
製が容易になる。
【００３６】〔実施の形態３〕本発明のさらに他の実施
の形態を図１４を用いて説明すれば以下の通りである。
尚、実施の形態１と同様の機能を有する部材には同じ部
材番号を付与し、その説明を省略する。
の形態を図１４を用いて説明すれば以下の通りである。
尚、実施の形態１と同様の機能を有する部材には同じ部
材番号を付与し、その説明を省略する。
【００３７】光磁気ディスクは、基板１、透明誘電体膜
２ａ、読み出し層３、記録層４、補助磁性層６、スイッ
チング層１４、初期化磁界層１５、透明誘電体膜２ｂ、
オーバーコート１１がこの順に積層された構成を有して
いる。この光磁気ディスクは、実施の形態１で示した構
成の補助磁性層６の下に、さらにスイッチング層１４と
初期化磁界層１５を加えたものである。
２ａ、読み出し層３、記録層４、補助磁性層６、スイッ
チング層１４、初期化磁界層１５、透明誘電体膜２ｂ、
オーバーコート１１がこの順に積層された構成を有して
いる。この光磁気ディスクは、実施の形態１で示した構
成の補助磁性層６の下に、さらにスイッチング層１４と
初期化磁界層１５を加えたものである。
【００３８】即ち、初期化磁界層１５は全ての温度範囲
で保磁力が大きく、その磁化方向は常に一方向に固定さ
れている。また、スイッチング層１４として例えばＴｂ
Ｆｅが用いられ、そのキュリー温度は１２０℃である。
従って、室温では、初期化磁界層１５の磁化方向がスイ
ッチング層１４に転写され、更にスイッチング層１４の
磁化方向が補助磁性層６に転写される。その結果、補助
磁性層６の磁化方向が初期化磁界層１５の向きに揃えら
れることになる。一方、記録時に光ビーム７の照射によ
りスイッチング層１４が昇温されキュリー点以上の温度
になると、初期化磁界層１４の磁界方向が転写されない
ために、補助磁性層６は初期化磁界層１４の磁界方向の
影響を受けることがなくなる。その結果、実施の形態１
と同様に光ビーム７の光強度により記録層４に記録が行
なわれる。
で保磁力が大きく、その磁化方向は常に一方向に固定さ
れている。また、スイッチング層１４として例えばＴｂ
Ｆｅが用いられ、そのキュリー温度は１２０℃である。
従って、室温では、初期化磁界層１５の磁化方向がスイ
ッチング層１４に転写され、更にスイッチング層１４の
磁化方向が補助磁性層６に転写される。その結果、補助
磁性層６の磁化方向が初期化磁界層１５の向きに揃えら
れることになる。一方、記録時に光ビーム７の照射によ
りスイッチング層１４が昇温されキュリー点以上の温度
になると、初期化磁界層１４の磁界方向が転写されない
ために、補助磁性層６は初期化磁界層１４の磁界方向の
影響を受けることがなくなる。その結果、実施の形態１
と同様に光ビーム７の光強度により記録層４に記録が行
なわれる。
【００３９】本実施の形態で示す光磁気ディスクでは、
スイッチング層１４により補助磁性層６を初期化磁界の
向きに揃えることができるので、図１に示した初期化磁
界を印加するための磁界発生装置１２が不要になる。
スイッチング層１４により補助磁性層６を初期化磁界の
向きに揃えることができるので、図１に示した初期化磁
界を印加するための磁界発生装置１２が不要になる。
【００４０】〔実施の形態４〕本発明の更に他の実施の
形態を図１５を用いて説明すれば以下の通りである。
形態を図１５を用いて説明すれば以下の通りである。
【００４１】光磁気ディスクは、実施の形態２で示した
補助磁性層６の下に実施の形態３で示したスイッチング
層１４と初期化磁界層１５を加えたものである。即ち、
該光磁気ディスクは、基板１、透明誘電体膜２ａ、記録
層１３、補助磁性層６、スイッチング層１４、初期化磁
界層１５、透明誘電体膜２ｂ、オーバーコート１１がこ
の順に積層された構成を有している。
補助磁性層６の下に実施の形態３で示したスイッチング
層１４と初期化磁界層１５を加えたものである。即ち、
該光磁気ディスクは、基板１、透明誘電体膜２ａ、記録
層１３、補助磁性層６、スイッチング層１４、初期化磁
界層１５、透明誘電体膜２ｂ、オーバーコート１１がこ
の順に積層された構成を有している。
【００４２】本実施の形態で示す光磁気ディスクでは、
記録層と読み出し層が１層で構成されているため２層か
らなるディスクより作製が容易になると共に、スイッチ
ング層１４により補助磁性層６を初期化磁界の向きに揃
えることができるので、図１０に示した初期化磁界を印
加するための磁界発生装置１２が不要になる。
記録層と読み出し層が１層で構成されているため２層か
らなるディスクより作製が容易になると共に、スイッチ
ング層１４により補助磁性層６を初期化磁界の向きに揃
えることができるので、図１０に示した初期化磁界を印
加するための磁界発生装置１２が不要になる。
【００４３】
【発明の効果】本発明では、常温では読み出し層は面内
磁化を示しており、垂直入射光に対して有効な光磁気効
果を示さない光磁気記録媒体に対して、光ビームを照射
して、光ビームの中心部分に位置する読み出し層に記録
層の磁化方向（垂直方向）を示させる。これにより、高
密度光記録媒体からの再生が可能となる。
磁化を示しており、垂直入射光に対して有効な光磁気効
果を示さない光磁気記録媒体に対して、光ビームを照射
して、光ビームの中心部分に位置する読み出し層に記録
層の磁化方向（垂直方向）を示させる。これにより、高
密度光記録媒体からの再生が可能となる。
【００４４】また、記録時には、補助磁性層を利用して
情報を記録できる。
情報を記録できる。
【図１】本発明の、光磁気記録媒体に対する記録動作を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】本発明の、光磁気記録媒体に対する記録動作を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】記録層、読み出し層、補助磁性層それぞれの保
磁力の温度依存性を示すグラフである。
磁力の温度依存性を示すグラフである。
【図４】読み出し層に使用される希土類遷移金属の磁気
状態図である。
状態図である。
【図５】室温から温度Ｔ1における、読み出し層に印加
される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図
である。
される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図
である。
【図６】温度Ｔ1から温度ＴCにおける、読み出し層に印
加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明
図である。
加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明
図である。
【図７】温度ＴCから温度Ｔ2における、読み出し層に印
加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明
図である。
加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明
図である。
【図８】温度Ｔ2から温度Ｔcurieにおける、読み出し層
に印加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す
説明図である。
に印加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示す
説明図である。
【図９】本発明の、光磁気記録媒体に対する再生動作を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図１０】本発明の、他の構成の光磁気記録媒体に対す
る記録動作を示す説明図である。
る記録動作を示す説明図である。
【図１１】図１０の読み出し層に使用される希土類遷移
金属の磁気状態図である。
金属の磁気状態図である。
【図１２】室温から温度Ｔ1における、図１０の読み出
し層に印加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を
示す説明図である。
し層に印加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を
示す説明図である。
【図１３】温度Ｔ1から温度Ｔcurieにおける、読み出し
層に印加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示
す説明図である。
層に印加される外部磁界と磁気カー回転角との関係を示
す説明図である。
【図１４】本発明の、他の構成の光磁気記録媒体に対す
る記録動作を示す説明図である。
る記録動作を示す説明図である。
【図１５】本発明の、他の構成の光磁気記録媒体に対す
る記録動作を示す説明図である。
る記録動作を示す説明図である。
【図１６】従来の光磁気ディスクに対する再生動作を示
す説明図である。
す説明図である。
【符号の説明】 １ 基板 ３ 読み出し層 ４ 記録層 ５ 記録磁界 ６ 補助磁性層 ７ 記録光ビーム ９ 再生光ビーム １２ 磁界発生装置 １３ 記録層 １４ スイッチング層 １５ 初期化磁界層
フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−95745（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−158940（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−81717（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (1)
- 【請求項１】 情報を光磁気記録する記録層と、室温で
面内磁化を示す一方、所定温度以上で面内磁化から垂直
磁化に移行する読み出し層と、記録時において前記記録
層に磁化の向きを転写する補助磁性層と、を有してなる
光磁気記録媒体に対して、情報を記録再生する記録再生
装置であって、 再生時に、前記読み出し層を垂直磁化へと移行させる強
度の光ビームを照射し、記録時に、前記補助磁性層の磁
化を利用して前記記録層の磁化方向を所望の方向に向け
る強度の光ビームを照射する光照射手段と、記録時に、前記光磁気記録媒体における光ビームの照射
位置に記録磁界を印加する磁界印加手段と、を備えたこ
とを特徴とする記録再生装置 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13472698A JP3172708B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13472698A JP3172708B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 記録再生装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3167206A Division JP2812817B2 (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10293950A JPH10293950A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3172708B2 true JP3172708B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=15135174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13472698A Expired - Lifetime JP3172708B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172708B2 (ja) |
-
1998
- 1998-05-18 JP JP13472698A patent/JP3172708B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10293950A (ja) | 1998-11-04 |
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