JPH05217227A - 交換結合２層光磁気記録媒体 - Google Patents
交換結合２層光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05217227A JPH05217227A JP1808592A JP1808592A JPH05217227A JP H05217227 A JPH05217227 A JP H05217227A JP 1808592 A JP1808592 A JP 1808592A JP 1808592 A JP1808592 A JP 1808592A JP H05217227 A JPH05217227 A JP H05217227A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術のように遷移金属を再生層に用いた
場合、短波長のレーザで記録した場合にカー回転角が小
さいので記録再生したときに得られるＣ／Ｎには限界が
あった。また、ＭｎＢｉ単体を記録再生層に用いた場合
高レベルのレーザパワーが必要であり、また安定なビッ
トを書かせることが困難であった。本発明はＭｎＢｉと
ＴｂＦｅを組み合わせることにより、短波長のレーザで
記録した場合にも高Ｃ／Ｎな光磁気記録媒体を提供する
ことにある。 【構成】 レーザ光を用いて情報の記録，再生，消去を
行う光磁気記録媒体において、基板５上に形成された第
１の磁性膜３にＭｎＢｉを、第１の磁性膜上に形成され
た第２の磁性膜２にＴｂＦｅを用いる。 【効果】 本発明によれば低レベルのレーザパワーで記
録でき、しかも短波長のレーザで再生した場合にも高レ
ベルのＣ／Ｎが得られる。
場合、短波長のレーザで記録した場合にカー回転角が小
さいので記録再生したときに得られるＣ／Ｎには限界が
あった。また、ＭｎＢｉ単体を記録再生層に用いた場合
高レベルのレーザパワーが必要であり、また安定なビッ
トを書かせることが困難であった。本発明はＭｎＢｉと
ＴｂＦｅを組み合わせることにより、短波長のレーザで
記録した場合にも高Ｃ／Ｎな光磁気記録媒体を提供する
ことにある。 【構成】 レーザ光を用いて情報の記録，再生，消去を
行う光磁気記録媒体において、基板５上に形成された第
１の磁性膜３にＭｎＢｉを、第１の磁性膜上に形成され
た第２の磁性膜２にＴｂＦｅを用いる。 【効果】 本発明によれば低レベルのレーザパワーで記
録でき、しかも短波長のレーザで再生した場合にも高レ
ベルのＣ／Ｎが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】現在実用化されている光磁気記録媒体
は、遷移金属からなる記録再生層の上下を透明な保護層
でサンドイッチして基板上に形成した構成、または、基
板と記録再生層の間の保護層をエンハンス層とした構
成、または最下層に反射膜を付加した構成を持つ。ま
た、ＭｎＢｉ系材料を記録層に用いて同様な構成を形成
した媒体も提案されている。
は、遷移金属からなる記録再生層の上下を透明な保護層
でサンドイッチして基板上に形成した構成、または、基
板と記録再生層の間の保護層をエンハンス層とした構
成、または最下層に反射膜を付加した構成を持つ。ま
た、ＭｎＢｉ系材料を記録層に用いて同様な構成を形成
した媒体も提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のように遷移
金属を再生層に用いた場合、短波長のレーザで記録した
場合にカー回転角が小さいので記録再生したときに得ら
れるＣ／Ｎには限界があった。また、ＭｎＢｉ単体を記
録再生層に用いた場合、高レベルのレーザパワーが必要
であり、また安定なビットを書かせることが困難であっ
た。
金属を再生層に用いた場合、短波長のレーザで記録した
場合にカー回転角が小さいので記録再生したときに得ら
れるＣ／Ｎには限界があった。また、ＭｎＢｉ単体を記
録再生層に用いた場合、高レベルのレーザパワーが必要
であり、また安定なビットを書かせることが困難であっ
た。
【０００４】本発明の目的は、ＭｎＢｉとＴｂＦｅを組
み合わせることにより、短波長のレーザで記録した場合
にも高Ｃ／Ｎな光磁気記録媒体を提供することにある。
み合わせることにより、短波長のレーザで記録した場合
にも高Ｃ／Ｎな光磁気記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の交換結合２層光
磁気記録媒体は、レーザ光を用いて情報の記録，再生，
消去を行う光磁気記録媒体において、基板上に形成され
た第１の磁性膜上にＭｎＢｉを、第１の磁性膜に形成さ
れた第２の磁性膜にＴｂＦｅを用いたことを特徴とす
る。
磁気記録媒体は、レーザ光を用いて情報の記録，再生，
消去を行う光磁気記録媒体において、基板上に形成され
た第１の磁性膜上にＭｎＢｉを、第１の磁性膜に形成さ
れた第２の磁性膜にＴｂＦｅを用いたことを特徴とす
る。
【０００６】また本発明によれば、ＭｎＢｉ層の膜厚が
ＴｂＦｅ層の膜厚の１／２以下であることを特徴とす
る。
ＴｂＦｅ層の膜厚の１／２以下であることを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】ＭｎＢｉは短波長のレーザに対してもカー回転
角が大きいという特徴を持っている。また、ＴｂＦｅは
室温で保磁力が大きいため安定な記録ビットを書かせる
ことが容易で、またキューリ温度が低いため比較的低レ
ベルのレーザパワーで記録が可能である。そこで、Ｍｎ
ＢｉとＴｂＦｅからなる交換結合２層膜を形成し、記録
はＴｂＦｅで再生はＭｎＢｉで行うようにすると、低レ
ベルのレーザパワーで記録ができ、しかも短波長のレー
ザで再生したときも高いＣ／Ｎが得られる媒体になる。
角が大きいという特徴を持っている。また、ＴｂＦｅは
室温で保磁力が大きいため安定な記録ビットを書かせる
ことが容易で、またキューリ温度が低いため比較的低レ
ベルのレーザパワーで記録が可能である。そこで、Ｍｎ
ＢｉとＴｂＦｅからなる交換結合２層膜を形成し、記録
はＴｂＦｅで再生はＭｎＢｉで行うようにすると、低レ
ベルのレーザパワーで記録ができ、しかも短波長のレー
ザで再生したときも高いＣ／Ｎが得られる媒体になる。
【０００８】ただし、ＭｎＢｉ／ＴｂＦｅ２層媒体で
は、ＭｎＢｉの膜厚がＴｂＦｅの膜厚の１／２以下でな
ければならない。その理由は、この様な媒体では、Ｔｂ
Ｆｅ層のキューリ温度より高温の領域におけるＭｎＢｉ
層への磁区の種の形成、およびそれに続く冷却過程にお
いて起こるＴｂＦｅ層のキューリ温度付近におけるＴｂ
Ｆｅ層によるビットの整形によりＭｎＢｉ層に記録ビッ
トが形成されるが、ＭｎＢｉの膜厚が厚いとＭｎＢｉ層
からＴｂＦｅ層への磁区の種の逆転写が生じるため、Ｔ
ｂＦｅ層によるビット整形が不完全になるからである。
は、ＭｎＢｉの膜厚がＴｂＦｅの膜厚の１／２以下でな
ければならない。その理由は、この様な媒体では、Ｔｂ
Ｆｅ層のキューリ温度より高温の領域におけるＭｎＢｉ
層への磁区の種の形成、およびそれに続く冷却過程にお
いて起こるＴｂＦｅ層のキューリ温度付近におけるＴｂ
Ｆｅ層によるビットの整形によりＭｎＢｉ層に記録ビッ
トが形成されるが、ＭｎＢｉの膜厚が厚いとＭｎＢｉ層
からＴｂＦｅ層への磁区の種の逆転写が生じるため、Ｔ
ｂＦｅ層によるビット整形が不完全になるからである。
【０００９】
【実施例】図１に本発明の一例を現す光磁気記録２層膜
媒体の概略図を示す。媒体構成は、基板５／スペーサ層
４／ＭｎＢｉ層３／ＴｂＦｅ層２／保護層１である。こ
こで、基板５としては、ポリカーボネート樹脂，エポキ
シ樹脂またはガラスを用いた基板等を使用する。基板は
グルーブ付きでもグルーブなしでも構わない。ガラスの
上に紫外線硬化樹脂等でグルーブを形成させたものでも
よい。スペーサ層４及び保護層１としては、珪素の窒化
物，珪素の酸化物，タンタルの酸化物，アルミの窒化
物，アルミの酸化物等が使用できる。
媒体の概略図を示す。媒体構成は、基板５／スペーサ層
４／ＭｎＢｉ層３／ＴｂＦｅ層２／保護層１である。こ
こで、基板５としては、ポリカーボネート樹脂，エポキ
シ樹脂またはガラスを用いた基板等を使用する。基板は
グルーブ付きでもグルーブなしでも構わない。ガラスの
上に紫外線硬化樹脂等でグルーブを形成させたものでも
よい。スペーサ層４及び保護層１としては、珪素の窒化
物，珪素の酸化物，タンタルの酸化物，アルミの窒化
物，アルミの酸化物等が使用できる。
【００１０】（実施例１） ポリカーボネート（グルー
ブ付き）基板／ＳＣＮ（８０ｎｍ）／ＭｎＢｉ（３０ｎ
ｍ）ＴｂＦｅ合金（１００ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）
という膜構成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグ
ネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ
層及びＴｂＦｅ層の室温での諸特性を表１に、２層媒体
の室温での諸特性を表２に示す。
ブ付き）基板／ＳＣＮ（８０ｎｍ）／ＭｎＢｉ（３０ｎ
ｍ）ＴｂＦｅ合金（１００ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）
という膜構成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグ
ネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ
層及びＴｂＦｅ層の室温での諸特性を表１に、２層媒体
の室温での諸特性を表２に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【００１３】２層媒体に対し、記録波長６８０ｎｍ，線
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界３５０Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー７．０ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ５６
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界３５０Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー７．０ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ５６
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
【００１４】（実施例２） ポリカーボネート（グルー
ブ付き）基板／ＳＣＮ（８０ｎｍ）／ＭｎＢｉ（２０ｎ
ｍ）ＴｂＦｅ合金（８０ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）と
いう膜構成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグネ
トロンスパッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ層
及びＴｂＦｅ層の室温での諸特性を表３に、２層媒体の
室温での諸特性を表４に示す。
ブ付き）基板／ＳＣＮ（８０ｎｍ）／ＭｎＢｉ（２０ｎ
ｍ）ＴｂＦｅ合金（８０ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）と
いう膜構成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグネ
トロンスパッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ層
及びＴｂＦｅ層の室温での諸特性を表３に、２層媒体の
室温での諸特性を表４に示す。
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】２層媒体に対し、記録波長６８０ｎｍ，線
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界４００Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー６．０ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ５５
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界４００Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー６．０ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ５５
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
【００１８】（実施例３） ガラス（グルーブ付き）基
板／ＺｎＳ（６８ｎｍ）／ＭｎＢｉ（３０ｎｍ）ＴｂＦ
ｅ合金（１００ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）という膜構
成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグネトロンス
パッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ層及びＴｂ
Ｆｅ層の室温での諸特性を表５に、２層媒体の室温での
諸特性を表６に示す。
板／ＺｎＳ（６８ｎｍ）／ＭｎＢｉ（３０ｎｍ）ＴｂＦ
ｅ合金（１００ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）という膜構
成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグネトロンス
パッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ層及びＴｂ
Ｆｅ層の室温での諸特性を表５に、２層媒体の室温での
諸特性を表６に示す。
【００１９】
【表５】
【００２０】
【表６】
【００２１】２層媒体に対し、記録波長６８０ｎｍ，線
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界３５０Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー７．５ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ５６
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界３５０Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー７．５ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ５６
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
【００２２】（実施例４） ガラス（グルーブ付き）基
板／ＺｎＳ（７４ｎｍ）／ＭｎＢｉ（４０ｎｍ）ＴｂＦ
ｅ合金（１２０ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）という膜構
成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグネトロンス
パッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ層及びＴｂ
Ｆｅ層の室温での諸特性を表７に、２層媒体の室温での
諸特性を表８に示す。
板／ＺｎＳ（７４ｎｍ）／ＭｎＢｉ（４０ｎｍ）ＴｂＦ
ｅ合金（１２０ｎｍ）／ＳＣＮ（８０ｎｍ）という膜構
成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦマグネトロンス
パッタ装置の連続スパッタによる。ＭｎＢｉ層及びＴｂ
Ｆｅ層の室温での諸特性を表７に、２層媒体の室温での
諸特性を表８に示す。
【００２３】
【表７】
【００２４】
【表８】
【００２５】２層媒体に対し、記録波長６８０ｎｍ，線
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界３５０Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー９．０ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ６０
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
速度１１．３ｍ／ｓ，記録周波数３．７ＭＨｚ，ＤｕＴ
ｙ比５０％，記録磁界３５０Ｏｅ，レーザビームのパワ
ー９．０ｍＷの条件で記録再生したところ、Ｃ／Ｎ６０
ｄＢが得られた。エラー発生率は１０-6以下であった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば低
レベルのレーザパワーで記録でき、しかも短波長のレー
ザで再生した場合にも高レベルのＣ／Ｎが得られる。
レベルのレーザパワーで記録でき、しかも短波長のレー
ザで再生した場合にも高レベルのＣ／Ｎが得られる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一例を示す概念図で
ある。
ある。
１ 保護層 ２ ＴｂＦｅ層 ３ ＭｎＢｉ層 ４ スペーサ層 ５ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】レーザ光を用いて情報の記録，再生，消去
を行う光磁気記録媒体において、基板上に形成された第
１の磁性膜にＭｎＢｉを、第１の磁性膜上に形成された
第２の磁性膜にＴｂＦｅを用いたことを特徴とする交換
結合２層光磁気記録媒体。 - 【請求項２】ＭｎＢｉ層の膜厚がＴｂＦｅ層の膜厚の１
／２以下であることを特徴とする請求項１記載の交換結
合２層光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1808592A JPH05217227A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 交換結合２層光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1808592A JPH05217227A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 交換結合２層光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217227A true JPH05217227A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11961813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1808592A Pending JPH05217227A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 交換結合２層光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217227A (ja) |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP1808592A patent/JPH05217227A/ja active Pending
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