JPH11149665A - 相変化型光記録媒体およびその使用方法 - Google Patents
相変化型光記録媒体およびその使用方法Info
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- JPH11149665A JPH11149665A JP9317369A JP31736997A JPH11149665A JP H11149665 A JPH11149665 A JP H11149665A JP 9317369 A JP9317369 A JP 9317369A JP 31736997 A JP31736997 A JP 31736997A JP H11149665 A JPH11149665 A JP H11149665A
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- dielectric layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反射率の関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型光デ
ィスクにおいて、初期化工程を行わないで記録を行った
場合でも、初回記録時から高い記録特性が得られるよう
にする。 【解決手段】基板１の上に、光吸収層２、第１の誘電体
層３、記録層４、第２の誘電体層５、反射層６、ＵＶ硬
化樹脂層７を設ける。第１の誘電体層３および／または
第２の誘電体層５は、水素を１．２原子％以上含む組成
とする。これにより、初期化工程を行わないでオーバー
ライトを行っても、初回記録時のＣ／Ｎ比をオーバーラ
イト時のＣ／Ｎとほぼ同じにすることができる。
ィスクにおいて、初期化工程を行わないで記録を行った
場合でも、初回記録時から高い記録特性が得られるよう
にする。 【解決手段】基板１の上に、光吸収層２、第１の誘電体
層３、記録層４、第２の誘電体層５、反射層６、ＵＶ硬
化樹脂層７を設ける。第１の誘電体層３および／または
第２の誘電体層５は、水素を１．２原子％以上含む組成
とする。これにより、初期化工程を行わないでオーバー
ライトを行っても、初回記録時のＣ／Ｎ比をオーバーラ
イト時のＣ／Ｎとほぼ同じにすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照射光の強度に応
じて結晶−非晶質間の相変化が可逆的になされる記録層
を備えた相変化型光記録媒体に関し、特に、初期化工程
を不要とすることができるものに関する。
じて結晶−非晶質間の相変化が可逆的になされる記録層
を備えた相変化型光記録媒体に関し、特に、初期化工程
を不要とすることができるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光情報記録媒体は、膨大な量の情
報を記録・再生・消去する手段として盛んに研究開発が
行われている。特に、記録層が結晶質と非晶質との二状
態間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・
消去を行ういわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光
のパワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら同
時に新たな情報を記録すること（以下「オーバーライ
ト」と称する）が出来るという利点を有していることか
ら、有望視されている。
報を記録・再生・消去する手段として盛んに研究開発が
行われている。特に、記録層が結晶質と非晶質との二状
態間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・
消去を行ういわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光
のパワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら同
時に新たな情報を記録すること（以下「オーバーライ
ト」と称する）が出来るという利点を有していることか
ら、有望視されている。
【０００３】このオーバーライト可能な相変化型光ディ
スクの記録材料としては、低融点でかつレーザー光の吸
収効率の高いＩｎ−Ｓｅ系合金（「Appl.Phys.Lett. 第
５０巻、６６７ページ、１９８７年」参照）やＩｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ（「Appl.Phys.Lett. 第５０巻、１６ページ、
１９８７年」参照）、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金（特開昭６
２−５３８８６公報参照）等のカルコゲン合金が主とし
て用いられている。
スクの記録材料としては、低融点でかつレーザー光の吸
収効率の高いＩｎ−Ｓｅ系合金（「Appl.Phys.Lett. 第
５０巻、６６７ページ、１９８７年」参照）やＩｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ（「Appl.Phys.Lett. 第５０巻、１６ページ、
１９８７年」参照）、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金（特開昭６
２−５３８８６公報参照）等のカルコゲン合金が主とし
て用いられている。
【０００４】一方、これらカルコゲン合金を用いて実際
に記録・消去を行う場合は、記録・消去時の熱による基
板の変形を防止したり、記録層の酸化や案内溝に沿って
の物質移動あるいは変形を防止するために、通常、記録
層の直下と直上のいずれか一方または双方に、金属ある
いは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、およ
び窒化物から選ばれた少なくとも一種類からなる誘電体
層を設けている。
に記録・消去を行う場合は、記録・消去時の熱による基
板の変形を防止したり、記録層の酸化や案内溝に沿って
の物質移動あるいは変形を防止するために、通常、記録
層の直下と直上のいずれか一方または双方に、金属ある
いは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、およ
び窒化物から選ばれた少なくとも一種類からなる誘電体
層を設けている。
【０００５】そして、カルコゲン合金からなる記録層
と、記録層の直下および／または直上に設けた誘電体層
と、記録層の基板側とは反対側に設けた冷却層を兼ねた
反射層（例えばＡｌ合金）を透明基板上に備えた三層ま
たは四層構造のものが、記録・消去特性の点で好適であ
るために相変化型光ディスクの主流となっている。
と、記録層の直下および／または直上に設けた誘電体層
と、記録層の基板側とは反対側に設けた冷却層を兼ねた
反射層（例えばＡｌ合金）を透明基板上に備えた三層ま
たは四層構造のものが、記録・消去特性の点で好適であ
るために相変化型光ディスクの主流となっている。
【０００６】通常の相変化型光ディスクは、記録層に記
録パワーのレーザビームを照射して融点以上の温度に加
熱した後急冷することにより、記録層材料が非晶質化さ
れて記録マークが形成され、消去パワーのレーザビーム
を照射して結晶化温度以上に加熱した後徐冷することに
より、記録層材料が結晶化されて記録マークが消去され
る。
録パワーのレーザビームを照射して融点以上の温度に加
熱した後急冷することにより、記録層材料が非晶質化さ
れて記録マークが形成され、消去パワーのレーザビーム
を照射して結晶化温度以上に加熱した後徐冷することに
より、記録層材料が結晶化されて記録マークが消去され
る。
【０００７】このような相変化型光ディスクは、スパッ
タリング法や蒸着法等により各層をなす薄膜を基板に対
して順次形成することによって作製されるが、成膜直後
の記録層は非晶質状態にあるため、通常は、レーザビー
ムを照射して全面を結晶化した後に出荷される。この工
程は一般に初期化工程と称される。
タリング法や蒸着法等により各層をなす薄膜を基板に対
して順次形成することによって作製されるが、成膜直後
の記録層は非晶質状態にあるため、通常は、レーザビー
ムを照射して全面を結晶化した後に出荷される。この工
程は一般に初期化工程と称される。
【０００８】ここで、上述の三層または四層構造の相変
化型光ディスクでは、記録層が結晶状態の場合の反射率
をＲｃ、非晶質状態の場合の反射率をＲａとするとＲｃ
＞Ｒａとなっている。そして、記録層が非晶質状態の場
合の反射率は、通常の駆動装置でフォーカシングおよび
トラッキングを安定的に行うのに十分な値ではない。そ
こで、初期化工程を行うことにより記録層を結晶状態と
すれば、十分な反射率を得ることができる。
化型光ディスクでは、記録層が結晶状態の場合の反射率
をＲｃ、非晶質状態の場合の反射率をＲａとするとＲｃ
＞Ｒａとなっている。そして、記録層が非晶質状態の場
合の反射率は、通常の駆動装置でフォーカシングおよび
トラッキングを安定的に行うのに十分な値ではない。そ
こで、初期化工程を行うことにより記録層を結晶状態と
すれば、十分な反射率を得ることができる。
【０００９】しかしながら、この初期化工程は、最も効
率の良いレーザビーム照射法によっても、直径１２０ｍ
ｍの光ディスク全体を初期化するために数１０分を要
し、光ディスクを製造する上でコスト上昇の原因となっ
ている。
率の良いレーザビーム照射法によっても、直径１２０ｍ
ｍの光ディスク全体を初期化するために数１０分を要
し、光ディスクを製造する上でコスト上昇の原因となっ
ている。
【００１０】一方、特開平７−７８３５４号公報、特開
平７−１０５５７４号公報、および特開平８−６３７８
１号公報には、記録層が結晶状態の場合の反射率Ｒｃと
非晶質状態の場合の反射率Ｒａとの関係がＲｃ＜Ｒａで
ある相変化型光ディスクが開示されている。
平７−１０５５７４号公報、および特開平８−６３７８
１号公報には、記録層が結晶状態の場合の反射率Ｒｃと
非晶質状態の場合の反射率Ｒａとの関係がＲｃ＜Ｒａで
ある相変化型光ディスクが開示されている。
【００１１】このうち、特開平７−７８３５４号公報お
よび特開平７−１０５５７４号公報には、記録層と基板
との間に金属層または光吸収層を設けることにより、Ｒ
ｃ＜Ｒａにできることが記載されている。また、特開平
８−６３７８１号公報には、記録層と基板との間に形成
する保護層の膜厚を適切に選ぶことにより、Ｒｃ＜Ｒａ
にできることが記載されている。
よび特開平７−１０５５７４号公報には、記録層と基板
との間に金属層または光吸収層を設けることにより、Ｒ
ｃ＜Ｒａにできることが記載されている。また、特開平
８−６３７８１号公報には、記録層と基板との間に形成
する保護層の膜厚を適切に選ぶことにより、Ｒｃ＜Ｒａ
にできることが記載されている。
【００１２】また、反射率の関係をＲｃ＜Ｒａにするこ
とによって、記録層が結晶状態の場合の光吸収率Ａｃと
非晶質状態の場合の反射率Ａａとの関係をＡｃ＞Ａａと
することが可能になり、吸収率の関係がＡｃ＞Ａａとな
ると、オーバーライト時の非晶質マークの形状歪みを抑
えることができる。これにより、高密度記録が可能なマ
ークエッジ記録において、再生光に含まれるジッターが
少なくなって、高い記録・再生特性が得られる。
とによって、記録層が結晶状態の場合の光吸収率Ａｃと
非晶質状態の場合の反射率Ａａとの関係をＡｃ＞Ａａと
することが可能になり、吸収率の関係がＡｃ＞Ａａとな
ると、オーバーライト時の非晶質マークの形状歪みを抑
えることができる。これにより、高密度記録が可能なマ
ークエッジ記録において、再生光に含まれるジッターが
少なくなって、高い記録・再生特性が得られる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、反射率
の関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型光ディスクは、初期
化工程を行わなくても十分な反射率が得られるととも
に、マークエッジ記録で高い記録・再生特性が得られる
ものであるが、初期化工程を行わないでオーバーライト
を行うと、初回記録時のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）がオ
ーバーライト時のＣ／Ｎよりも低いという現象が生じて
いる。
の関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型光ディスクは、初期
化工程を行わなくても十分な反射率が得られるととも
に、マークエッジ記録で高い記録・再生特性が得られる
ものであるが、初期化工程を行わないでオーバーライト
を行うと、初回記録時のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）がオ
ーバーライト時のＣ／Ｎよりも低いという現象が生じて
いる。
【００１４】本発明は、反射率の関係がＲｃ＜Ｒａであ
る相変化型光ディスクにおいて、初期化工程を行わない
で記録を行った場合でも、初回記録時から高い記録特性
を得ることができるようにすることを課題とする。
る相変化型光ディスクにおいて、初期化工程を行わない
で記録を行った場合でも、初回記録時から高い記録特性
を得ることができるようにすることを課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、基板と、その一方の面に形
成された、照射光の強度に応じて結晶−非晶質間の相変
化が可逆的になされる記録層とを少なくとも備え、この
記録層が結晶状態の場合の反射率（Ｒｃ）が非晶質状態
の場合の反射率（Ｒａ）より小さくなる（Ｒｃ＜Ｒａで
ある）ように構成された相変化型光記録媒体において、
前記記録層の直上および直下の少なくともいずれかに、
水素を１．２原子％以上含む組成の誘電体層を設けたこ
とを特徴とする相変化型光記録媒体を提供する。
に、請求項１に係る発明は、基板と、その一方の面に形
成された、照射光の強度に応じて結晶−非晶質間の相変
化が可逆的になされる記録層とを少なくとも備え、この
記録層が結晶状態の場合の反射率（Ｒｃ）が非晶質状態
の場合の反射率（Ｒａ）より小さくなる（Ｒｃ＜Ｒａで
ある）ように構成された相変化型光記録媒体において、
前記記録層の直上および直下の少なくともいずれかに、
水素を１．２原子％以上含む組成の誘電体層を設けたこ
とを特徴とする相変化型光記録媒体を提供する。
【００１６】請求項２に係る発明は、予め記録層を結晶
化する初期化工程を行わないで記録を行うことを特徴と
する請求項１記載の相変化型光記録媒体の使用方法を提
供する。
化する初期化工程を行わないで記録を行うことを特徴と
する請求項１記載の相変化型光記録媒体の使用方法を提
供する。
【００１７】反射率の関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型
光記録媒体の層構成としては、例えば図１に示すよう
に、基板１の上に、光吸収層２、第１の誘電体層３、記
録層４、第２の誘電体層５、反射層６をこの順に有する
もの（図１において、符号７は薄膜面保護用のＵＶ硬化
樹脂層である。）が挙げられる。
光記録媒体の層構成としては、例えば図１に示すよう
に、基板１の上に、光吸収層２、第１の誘電体層３、記
録層４、第２の誘電体層５、反射層６をこの順に有する
もの（図１において、符号７は薄膜面保護用のＵＶ硬化
樹脂層である。）が挙げられる。
【００１８】光吸収層２は、金属、半金属、あるいは半
導体で構成される。具体的には、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉからなる元
素、あるいはこの群より選ばれた元素を含む合金で構成
されていることが好ましい。
導体で構成される。具体的には、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉからなる元
素、あるいはこの群より選ばれた元素を含む合金で構成
されていることが好ましい。
【００１９】また、光吸収層２の代わりに、高屈折率の
誘電体と低屈折の誘電体とを交互に積層した誘電体多層
膜を設けることによっても、反射率の関係をＲｃ＜Ｒａ
とすることができる。このような誘電体多層膜を有する
構成とすると、Ｒｃ＜Ｒａであるとともに光学的コント
ラストも高いため好ましい。この場合の高屈折率の誘電
体としては、ＴｉＯ2 、ＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 等の酸化
物、Ｓｂ2 Ｓ3 、ＣｄＳ、ＺｎＳ等の硫化物、Ｓｉ3 Ｎ
4 、ＴｉＮ等の窒化物が好ましく、低屈折率の誘電体と
しては、ＭｇＦ2 、ＣｅＦ3 等のフッ化物、ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物が好ましい。
誘電体と低屈折の誘電体とを交互に積層した誘電体多層
膜を設けることによっても、反射率の関係をＲｃ＜Ｒａ
とすることができる。このような誘電体多層膜を有する
構成とすると、Ｒｃ＜Ｒａであるとともに光学的コント
ラストも高いため好ましい。この場合の高屈折率の誘電
体としては、ＴｉＯ2 、ＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 等の酸化
物、Ｓｂ2 Ｓ3 、ＣｄＳ、ＺｎＳ等の硫化物、Ｓｉ3 Ｎ
4 、ＴｉＮ等の窒化物が好ましく、低屈折率の誘電体と
しては、ＭｇＦ2 、ＣｅＦ3 等のフッ化物、ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物が好ましい。
【００２０】本発明の相変化型光記録媒体は、このよう
な反射率の関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型光記録媒体
であって、記録層の直上および直下の少なくともいずれ
かに、水素を１．２原子％以上含む組成の誘電体層を設
けたものであり、上述の層構成の場合には、第１の誘電
体層３および第２の誘電体層５の少なくともいずれかを
水素を１．２原子％以上含む組成とする。
な反射率の関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型光記録媒体
であって、記録層の直上および直下の少なくともいずれ
かに、水素を１．２原子％以上含む組成の誘電体層を設
けたものであり、上述の層構成の場合には、第１の誘電
体層３および第２の誘電体層５の少なくともいずれかを
水素を１．２原子％以上含む組成とする。
【００２１】水素を１．２原子％以上含む組成の誘電体
層が記録層の直上および直下の少なくともいずれかに存
在することによって、記録層が非晶質状態で記録を行っ
た場合に、初回記録のノイズを低減することができる。
なお、この誘電体層の水素の含有量の上限値は１０原子
％である。これ以上水素が存在していると、膜質の悪化
が生じたり記録層への水素の拡散が顕著になることに起
因して、記録・消去特性が劣化するため好ましくない。
層が記録層の直上および直下の少なくともいずれかに存
在することによって、記録層が非晶質状態で記録を行っ
た場合に、初回記録のノイズを低減することができる。
なお、この誘電体層の水素の含有量の上限値は１０原子
％である。これ以上水素が存在していると、膜質の悪化
が生じたり記録層への水素の拡散が顕著になることに起
因して、記録・消去特性が劣化するため好ましくない。
【００２２】誘電体層中に水素を含有させる方法として
は、例えば、誘電体層の成膜時の雰囲気ガス中に水素ガ
スを混入させる方法が挙げられる。そして、誘電体層を
スパッタリング法により成膜する場合には、スパッタリ
ングガス中に水素ガスを所定濃度で含ませてスパッタリ
ングを行う。
は、例えば、誘電体層の成膜時の雰囲気ガス中に水素ガ
スを混入させる方法が挙げられる。そして、誘電体層を
スパッタリング法により成膜する場合には、スパッタリ
ングガス中に水素ガスを所定濃度で含ませてスパッタリ
ングを行う。
【００２３】第１および第２の誘電体層としては、耐熱
性が高く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ＳｉＯ
2 、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物、Ａｌ2 Ｏ3 、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ3 Ｎ4 等が用いられる。特にＺｎＳとＳｉＯ2
との混合物が好ましい。第１の誘電体層の膜厚について
は特に規定しないが、第２の誘電体層の膜厚は５０Å以
上５００Å以下が好ましい。５０Å未満では十分な記録
感度が得られなくなり、５００Åを超えると十分な繰り
返し特性が得られなくなる。
性が高く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ＳｉＯ
2 、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物、Ａｌ2 Ｏ3 、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ3 Ｎ4 等が用いられる。特にＺｎＳとＳｉＯ2
との混合物が好ましい。第１の誘電体層の膜厚について
は特に規定しないが、第２の誘電体層の膜厚は５０Å以
上５００Å以下が好ましい。５０Å未満では十分な記録
感度が得られなくなり、５００Åを超えると十分な繰り
返し特性が得られなくなる。
【００２４】本発明の相変化型光記録媒体において、記
録層としては、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金およびＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉ系合金を用いることが好ましい。また、
上記合金に、例えば、水素、窒素、酸素、炭素、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈ
ｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、
Ｔｌ、Ｐｂ等を含有したものであってもよい。これらの
元素は、記録層の成膜時にターゲットから、またはガス
状で雰囲気ガス中に添加することによって含有させるこ
とができる。
録層としては、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金およびＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉ系合金を用いることが好ましい。また、
上記合金に、例えば、水素、窒素、酸素、炭素、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈ
ｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、
Ｔｌ、Ｐｂ等を含有したものであってもよい。これらの
元素は、記録層の成膜時にターゲットから、またはガス
状で雰囲気ガス中に添加することによって含有させるこ
とができる。
【００２５】本発明の相変化型光記録媒体において、記
録層の膜厚は、５０Å以上１０００Å以下であることが
望ましい。５０Å未満であると充分な記録感度を得るこ
とができず、１０００Åを超えると記録感度及び分解能
の点で問題が生じるため好ましくない。
録層の膜厚は、５０Å以上１０００Å以下であることが
望ましい。５０Å未満であると充分な記録感度を得るこ
とができず、１０００Åを超えると記録感度及び分解能
の点で問題が生じるため好ましくない。
【００２６】上記の構成の相変化記録媒体で用いられる
反射層としては、金属、半金属あるいは半導体が一般的
に用いられる。反射層の膜厚は３００Å以上が好まし
い。各層の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法が挙げられる。
反射層としては、金属、半金属あるいは半導体が一般的
に用いられる。反射層の膜厚は３００Å以上が好まし
い。各層の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法が挙げられる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、具体的な実施例および比較例を挙げて説明する。 ［実施例１］以下のようにして、図１に示す層構造の相
変化型光ディスクを作製した。
て、具体的な実施例および比較例を挙げて説明する。 ［実施例１］以下のようにして、図１に示す層構造の相
変化型光ディスクを作製した。
【００２８】先ず、レーザビームの案内溝を設けた直径
１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１
上に、Ａｕからなる光吸収層２を膜厚１０ｎｍで、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2 とＨを含む組成の第一の誘電体層３を膜厚
１０５ｎｍで、Ｇｅ、Ｔｅ、およびＳｂからなる記録層
４を膜厚１２ｎｍで、ＺｎＳとＳｉＯ2 とＨを含む組成
の第２の誘電体層５を膜厚４０ｎｍで、Ａｌ−Ｔｉ（Ｔ
ｉの存在比２原子％）からなる反射層６を膜厚５０ｎｍ
で、順次スパッタリング法により形成した。
１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１
上に、Ａｕからなる光吸収層２を膜厚１０ｎｍで、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2 とＨを含む組成の第一の誘電体層３を膜厚
１０５ｎｍで、Ｇｅ、Ｔｅ、およびＳｂからなる記録層
４を膜厚１２ｎｍで、ＺｎＳとＳｉＯ2 とＨを含む組成
の第２の誘電体層５を膜厚４０ｎｍで、Ａｌ−Ｔｉ（Ｔ
ｉの存在比２原子％）からなる反射層６を膜厚５０ｎｍ
で、順次スパッタリング法により形成した。
【００２９】第１の誘電体層３については、ＺｎＳとＳ
ｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比１８ｍｏｌ％）のタ
ーゲットを用い、アルゴンガスに水素ガスを３体積％と
なるように添加したものをスパッタリングガスとして使
用した。第２の誘電体層５については、ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比１８ｍｏｌ％）のターゲ
ットを用い、アルゴンガスのみをスパッタリングガスと
して使用した。これ以外の層は、各層の構成材料からな
るターゲットを用い、アルゴンガスのみをスパッタリン
グガスとして使用した。
ｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比１８ｍｏｌ％）のタ
ーゲットを用い、アルゴンガスに水素ガスを３体積％と
なるように添加したものをスパッタリングガスとして使
用した。第２の誘電体層５については、ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比１８ｍｏｌ％）のターゲ
ットを用い、アルゴンガスのみをスパッタリングガスと
して使用した。これ以外の層は、各層の構成材料からな
るターゲットを用い、アルゴンガスのみをスパッタリン
グガスとして使用した。
【００３０】次に、反射層６の上に、ＵＶ硬化樹脂をス
ピンコート法により塗布して硬化させることにより、Ｕ
Ｖ硬化樹脂層７を積層した。第１の誘電体層３および第
２の誘電体層５に含まれる水素の定量は、分析用試験片
への成膜を同時に行い、この試験片上の第１の誘電体層
３および第２の誘電体層５を二次イオン質量分析装置
（日立製作所製のイオンマイクロアナライザーＩＭＡ−
３）にかけて分析することにより行った。
ピンコート法により塗布して硬化させることにより、Ｕ
Ｖ硬化樹脂層７を積層した。第１の誘電体層３および第
２の誘電体層５に含まれる水素の定量は、分析用試験片
への成膜を同時に行い、この試験片上の第１の誘電体層
３および第２の誘電体層５を二次イオン質量分析装置
（日立製作所製のイオンマイクロアナライザーＩＭＡ−
３）にかけて分析することにより行った。
【００３１】但し、二次イオン質量分析装置では水素の
含有量の絶対量を直接測定できないため、標準サンプル
を用い水素前方散乱法（ＨＦＳ：Hydrogen Forward Sca
ttering ）により直接測定した水素含有量の絶対値を指
標として、二次イオン質量分析装置で得られた測定値を
絶対値に補正した。
含有量の絶対量を直接測定できないため、標準サンプル
を用い水素前方散乱法（ＨＦＳ：Hydrogen Forward Sca
ttering ）により直接測定した水素含有量の絶対値を指
標として、二次イオン質量分析装置で得られた測定値を
絶対値に補正した。
【００３２】この方法で測定した第１の誘電体層３中の
水素の含有率は１．７原子％、第２の誘電体層５中の水
素の含有率は１．０原子％であった。得られた光ディス
クの記録層は非晶質状態にあり、波長６８０ｎｍでの反
射率は１５．６％であった。また、この光ディスクの記
録層が結晶状態の場合の反射率は５．３％であった。 ［実施例２］第２の誘電体層５を成膜する際のスパッタ
リングガスを第１の誘電体層３の場合と同じ（水素ガス
を３体積％含有するアルゴンガス）にした以外は全て実
施例１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光デ
ィスクを作製した。
水素の含有率は１．７原子％、第２の誘電体層５中の水
素の含有率は１．０原子％であった。得られた光ディス
クの記録層は非晶質状態にあり、波長６８０ｎｍでの反
射率は１５．６％であった。また、この光ディスクの記
録層が結晶状態の場合の反射率は５．３％であった。 ［実施例２］第２の誘電体層５を成膜する際のスパッタ
リングガスを第１の誘電体層３の場合と同じ（水素ガス
を３体積％含有するアルゴンガス）にした以外は全て実
施例１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光デ
ィスクを作製した。
【００３３】また、実施例１と同じ方法で測定した第１
の誘電体層３中の水素の含有率は１．７原子％、第２の
誘電体層５中の水素の含有率は１．８原子％であった。
得られた光ディスクの記録層は非晶質状態にあり、波長
６８０ｎｍでの反射率は１５．５％であった。また、こ
の光ディスクの記録層が結晶状態の場合の反射率は５．
３％であった。 ［実施例３］第１の誘電体層３を成膜する際のスパッタ
リングガスを、水素ガスを１体積％含有するアルゴンガ
スにした以外は全て実施例１と同様にして、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
の誘電体層３中の水素の含有率は１．７原子％、第２の
誘電体層５中の水素の含有率は１．８原子％であった。
得られた光ディスクの記録層は非晶質状態にあり、波長
６８０ｎｍでの反射率は１５．５％であった。また、こ
の光ディスクの記録層が結晶状態の場合の反射率は５．
３％であった。 ［実施例３］第１の誘電体層３を成膜する際のスパッタ
リングガスを、水素ガスを１体積％含有するアルゴンガ
スにした以外は全て実施例１と同様にして、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
【００３４】また、実施例１と同じ方法で測定した第１
の誘電体層３中の水素の含有率は１．２原子％、第２の
誘電体層５中の水素の含有率は０．９原子％であった。
得られた光ディスクの記録層は非晶質状態にあり、波長
６８０ｎｍでの反射率は１５．４％であった。また、こ
の光ディスクの記録層が結晶状態の場合の反射率は５．
１％であった。 ［比較例１］第１の誘電体層３および第２の誘電体層５
を成膜する際のスパッタリングガスをアルゴンガスのみ
にした以外は全て実施例１と同様にして、図１に示す層
構造の相変化型光ディスクを作製した。
の誘電体層３中の水素の含有率は１．２原子％、第２の
誘電体層５中の水素の含有率は０．９原子％であった。
得られた光ディスクの記録層は非晶質状態にあり、波長
６８０ｎｍでの反射率は１５．４％であった。また、こ
の光ディスクの記録層が結晶状態の場合の反射率は５．
１％であった。 ［比較例１］第１の誘電体層３および第２の誘電体層５
を成膜する際のスパッタリングガスをアルゴンガスのみ
にした以外は全て実施例１と同様にして、図１に示す層
構造の相変化型光ディスクを作製した。
【００３５】また、実施例１と同じ方法で測定した第１
の誘電体層３中の水素の含有率は１．１原子％、第２の
誘電体層５中の水素の含有率は１．０原子％であった。
得られた光ディスクの記録層は非晶質状態にあり、波長
６８０ｎｍでの反射率は１５．６％であった。また、こ
の光ディスクの記録層が結晶状態の場合の反射率は５．
４％であった。
の誘電体層３中の水素の含有率は１．１原子％、第２の
誘電体層５中の水素の含有率は１．０原子％であった。
得られた光ディスクの記録層は非晶質状態にあり、波長
６８０ｎｍでの反射率は１５．６％であった。また、こ
の光ディスクの記録層が結晶状態の場合の反射率は５．
４％であった。
【００３６】このようにして作製した実施例１，２およ
び比較例１の各光ディスクを初期化することなく、その
まま駆動装置にかけて１８００ｒｐｍで回転させ、中心
から２６ｍｍとなる位置に、波長６８０ｎｍのレーザ光
を記録パワー１２ｍＷ、消去パワー５ｍＷに変調させて
照射することにより、周波数５ＭＨｚの信号を記録し
た。また、同じ位置に同じ信号をオーバーライトし、初
回記録、２回記録、３回記録、５回記録、１０回記録時
のＣ／Ｎとノイズレベルを測定した。Ｃ／Ｎの測定結果
（ｄＢ）を表１に、ノイズレベルの測定結果（ｄＢ）を
表２に示す。
び比較例１の各光ディスクを初期化することなく、その
まま駆動装置にかけて１８００ｒｐｍで回転させ、中心
から２６ｍｍとなる位置に、波長６８０ｎｍのレーザ光
を記録パワー１２ｍＷ、消去パワー５ｍＷに変調させて
照射することにより、周波数５ＭＨｚの信号を記録し
た。また、同じ位置に同じ信号をオーバーライトし、初
回記録、２回記録、３回記録、５回記録、１０回記録時
のＣ／Ｎとノイズレベルを測定した。Ｃ／Ｎの測定結果
（ｄＢ）を表１に、ノイズレベルの測定結果（ｄＢ）を
表２に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】これらの結果から分かるように、比較例１
では初回記録のノイズレベルが２回目記録以降より大き
く、これに伴って初回記録のＣ／Ｎが２回目記録以降よ
り小さくなっているが、実施例１〜３では、第１の誘電
体層３および第２の誘電体層５の少なくともいずれかの
水素含有率が１．２原子以上となっているため、ノイズ
レベルおよびＣ／Ｎともに、初回記録の値は２回目記録
以降とほぼ同じとなった。実施例１〜３の比較では、両
方の誘電体層の水素含有率が１．２原子以上となってい
る実施例２が、初回記録と２回目記録以降との差が最も
小さい。
では初回記録のノイズレベルが２回目記録以降より大き
く、これに伴って初回記録のＣ／Ｎが２回目記録以降よ
り小さくなっているが、実施例１〜３では、第１の誘電
体層３および第２の誘電体層５の少なくともいずれかの
水素含有率が１．２原子以上となっているため、ノイズ
レベルおよびＣ／Ｎともに、初回記録の値は２回目記録
以降とほぼ同じとなった。実施例１〜３の比較では、両
方の誘電体層の水素含有率が１．２原子以上となってい
る実施例２が、初回記録と２回目記録以降との差が最も
小さい。
【００４０】したがって、反射率の関係がＲｃ＜Ｒａで
ある相変化型光ディスクに対して初期化工程を行わない
で記録を行った場合でも、光ディスクを実施例１〜３の
構成とすれば、初回記録時から高い記録特性を得ること
ができる。
ある相変化型光ディスクに対して初期化工程を行わない
で記録を行った場合でも、光ディスクを実施例１〜３の
構成とすれば、初回記録時から高い記録特性を得ること
ができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録層が非晶質状態でも十分な反射率が得られ、マーク
エッジ記録で高い記録・再生特性が得られる、反射率の
関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型光記録媒体において、
初期化工程を行わないで記録を行った場合でも、初回記
録時から高い記録特性を得ることができる。
記録層が非晶質状態でも十分な反射率が得られ、マーク
エッジ記録で高い記録・再生特性が得られる、反射率の
関係がＲｃ＜Ｒａである相変化型光記録媒体において、
初期化工程を行わないで記録を行った場合でも、初回記
録時から高い記録特性を得ることができる。
【００４２】したがって、本発明の相変化型光記録媒体
によれば、初期化工程を不要にしても記録の信頼性が損
なわれない。
によれば、初期化工程を不要にしても記録の信頼性が損
なわれない。
【図１】本発明の一実施形態に相当する相変化型光記録
媒体の層構造を示す断面図である。
媒体の層構造を示す断面図である。
１ 基板 ２ 光吸収層 ３ 第１の誘電体層 ４ 記録層 ５ 第２の誘電体層 ６ 反射層 ７ ＵＶ硬化樹脂層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、その一方の面に形成された、照
射光の強度に応じて結晶−非晶質間の相変化が可逆的に
なされる記録層とを少なくとも備え、この記録層が結晶
状態の場合の反射率が非晶質状態の場合の反射率より小
さくなるように構成された相変化型光記録媒体におい
て、 前記記録層の直上および直下の少なくともいずれかに、
水素を１．２原子％以上含む組成の誘電体層を設けたこ
とを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項２】 予め記録層を結晶化する初期化工程を行
わないで記録を行うことを特徴とする請求項１記載の相
変化型光記録媒体の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9317369A JPH11149665A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | 相変化型光記録媒体およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9317369A JPH11149665A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | 相変化型光記録媒体およびその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149665A true JPH11149665A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18087488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9317369A Withdrawn JPH11149665A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | 相変化型光記録媒体およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11149665A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335069B1 (en) | 1997-02-28 | 2002-01-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Phase-changeable optical recording medium, method of manufacturing the same, and method of recording information on the same |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP9317369A patent/JPH11149665A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335069B1 (en) | 1997-02-28 | 2002-01-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Phase-changeable optical recording medium, method of manufacturing the same, and method of recording information on the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |