JPH0667670B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH0667670B2 JPH0667670B2 JP61158247A JP15824786A JPH0667670B2 JP H0667670 B2 JPH0667670 B2 JP H0667670B2 JP 61158247 A JP61158247 A JP 61158247A JP 15824786 A JP15824786 A JP 15824786A JP H0667670 B2 JPH0667670 B2 JP H0667670B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］ レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
ディスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Te）等のカルコゲン元素又はこれ
らの化合物が使用されている（特公昭47−26897号公
報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用されてい
る（特公昭54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、
特公昭57−56058号公報）。
ディスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Te）等のカルコゲン元素又はこれ
らの化合物が使用されている（特公昭47−26897号公
報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用されてい
る（特公昭54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、
特公昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000Å前後であるが、テルル−セレン系合金は
この波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適度
な吸収率が得られる｛フィジカ・ステイタス・ソリダ
イ，７,189,1964（phys.stat.sol.７,189,1964）｝。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000Å前後であるが、テルル−セレン系合金は
この波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適度
な吸収率が得られる｛フィジカ・ステイタス・ソリダ
イ，７,189,1964（phys.stat.sol.７,189,1964）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通し
て記録層21に集光照射され、ピット22が形成される。基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円状ある
いはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録されるよう
に通常案内溝が設けられている。
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通し
て記録層21に集光照射され、ピット22が形成される。基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円状ある
いはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録されるよう
に通常案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の溝に光が入射すると光は回折さ
れ、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空
間分布が変化するので、これを検出してレーザビームを
溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用
するレーザ波長の１／12から１／４の範囲に設定され
る。集光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレー
ザ光をピット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行な
う。
れ、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空
間分布が変化するので、これを検出してレーザビームを
溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用
するレーザ波長の１／12から１／４の範囲に設定され
る。集光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレー
ザ光をピット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行な
う。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、テルル−セレン系合金層のみを記録層と
して用いた光記録媒体では信号品質が充分に良好ではな
かった。
して用いた光記録媒体では信号品質が充分に良好ではな
かった。
一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主
成分とすることにより、信号品質が良好となることを見
出し、すでに提案している。本発明はこれをさらに改善
したものであり、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。
成分とすることにより、信号品質が良好となることを見
出し、すでに提案している。本発明はこれをさらに改善
したものであり、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が金属と金属
酸化物との混合物よりなる前記基板側に形成された層
と、この層に隣接して前記基板の外方に形成されたテル
ル、セレンおよび窒素を主成分とする層とを少なくとも
有していることを特徴とする光記録媒体である。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が金属と金属
酸化物との混合物よりなる前記基板側に形成された層
と、この層に隣接して前記基板の外方に形成されたテル
ル、セレンおよび窒素を主成分とする層とを少なくとも
有していることを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては例えば第１図に示すように基板１上に
金属と金属酸化物よりなる混合層２、テルル、セレンお
よび窒素を主成分とする層（以下テルル−セレン−窒素
層と略す）３が順次積層されて記録層を形成する。基板
１とテルル−セレン−窒素層３との間に混合層２を設け
ることにより、記録により形成さるるピットが大きく拡
がらないようになる。したがって、ピットをつめて記録
できるので高密度記録が可能となる。又、記録パワー変
動に対する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体
となる。さらに又、大きなピットが形成されないためト
ラッキングやフォーカスサーボが不安定にならないので
実用的な光記録媒体となる。
金属と金属酸化物よりなる混合層２、テルル、セレンお
よび窒素を主成分とする層（以下テルル−セレン−窒素
層と略す）３が順次積層されて記録層を形成する。基板
１とテルル−セレン−窒素層３との間に混合層２を設け
ることにより、記録により形成さるるピットが大きく拡
がらないようになる。したがって、ピットをつめて記録
できるので高密度記録が可能となる。又、記録パワー変
動に対する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体
となる。さらに又、大きなピットが形成されないためト
ラッキングやフォーカスサーボが不安定にならないので
実用的な光記録媒体となる。
混合層の金属および金属酸化物としては種々の材料を使
用することができ、金属と酸化物の金属とは同じもので
も異なっていてもよい。金属および金属酸化物の組合せ
として好ましいものとしては、たとえばGe＋GeO2、Ni＋
NiO、Co＋CoO、Co＋Co3O4、Te＋NiO、Te＋Co3O4、TeSe
＋NiO、TeSe＋Co3O4等があげられる。混合層の内部応力
は小さくするか又はやや圧力応力となるように作製する
ことが、膜のクラックを防止する点で望ましい。混合層
の膜厚は５Åから2500Åの範囲が望ましい。
用することができ、金属と酸化物の金属とは同じもので
も異なっていてもよい。金属および金属酸化物の組合せ
として好ましいものとしては、たとえばGe＋GeO2、Ni＋
NiO、Co＋CoO、Co＋Co3O4、Te＋NiO、Te＋Co3O4、TeSe
＋NiO、TeSe＋Co3O4等があげられる。混合層の内部応力
は小さくするか又はやや圧力応力となるように作製する
ことが、膜のクラックを防止する点で望ましい。混合層
の膜厚は５Åから2500Åの範囲が望ましい。
テルル−セレン−窒素層の厚さは50Åから1000Åの範囲
が記録再生特性の観点から望ましい。またテルル−セレ
ン−窒素層における窒素の含有量は原子数パーセントで
２パーセント以上20パーセント未満が記録再生特性、耐
候性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パー
セントで２パーセントから50パーセントの範囲が耐候性
の観点から望ましい。
が記録再生特性の観点から望ましい。またテルル−セレ
ン−窒素層における窒素の含有量は原子数パーセントで
２パーセント以上20パーセント未満が記録再生特性、耐
候性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パー
セントで２パーセントから50パーセントの範囲が耐候性
の観点から望ましい。
テル−セレン−窒素層には鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニウ
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リ
ン、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウ
ム、コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素が
添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良好
に整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセント
で20パーセント未満が望ましい。
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リ
ン、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウ
ム、コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素が
添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良好
に整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセント
で20パーセント未満が望ましい。
成膜方法は、スパッタリング法の他に、蒸着法、反応性
蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームデポジ
ション法等でもよい。
蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームデポジ
ション法等でもよい。
基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
［作 用］ 基板とテルル−セレン−窒素層の間に金属と金属酸化物
との混合物よりなる混合層を介在させることによってピ
ットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を得る
ことができる。これはテルル−セレン−窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属と金属酸化物との混合層
の形成により変化するためであると考えられる。
との混合物よりなる混合層を介在させることによってピ
ットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を得る
ことができる。これはテルル−セレン−窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属と金属酸化物との混合層
の形成により変化するためであると考えられる。
なお、記録ピットは、テルル−セレン−窒素層の孔と混
合層の変形（孔、凹部等）とにより形成されている。
合層の変形（孔、凹部等）とにより形成されている。
［実施例］ 以下本発明の実施令について説明する。
実施例 100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外径130mm、
厚さ1.2mmポリカーボネート樹脂ディスク基板にNiOx
（ｘはおよそ0.9）を200Å厚形成し、ひきつづきこの上
に、テルル−セレン合金ターゲットをアルゴンと窒素と
の混合ガスでマグネトロンスパッタして、テルルとセレ
ンと窒素の比が原子数パーセントで90対４対６のテルル
−セレン−窒素層を240Å厚形成した。この光ディスク
を95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長
8300Åにおける基板入射反射率を測定したところ31％で
あった。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入
射して記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度5.6
m／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記
録パワー7.0mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。バン
ド幅30KHzのキャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50d
Bと良好であった。この光ディスクを70℃、80％の高温
高湿度の環境に60時間保持した後、上記特性を調べたが
変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。
厚さ1.2mmポリカーボネート樹脂ディスク基板にNiOx
（ｘはおよそ0.9）を200Å厚形成し、ひきつづきこの上
に、テルル−セレン合金ターゲットをアルゴンと窒素と
の混合ガスでマグネトロンスパッタして、テルルとセレ
ンと窒素の比が原子数パーセントで90対４対６のテルル
−セレン−窒素層を240Å厚形成した。この光ディスク
を95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長
8300Åにおける基板入射反射率を測定したところ31％で
あった。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入
射して記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度5.6
m／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記
録パワー7.0mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。バン
ド幅30KHzのキャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50d
Bと良好であった。この光ディスクを70℃、80％の高温
高湿度の環境に60時間保持した後、上記特性を調べたが
変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。
比較のためのNiOx層を設けない光ディスクに比べて、45
dB以上のＣ／Ｎが得られる記録パワー範囲はおよそ２倍
大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の大きいこ
とが確認された。又、トラッキングやフォーカスのサー
ボも不安定になることはなかった。
dB以上のＣ／Ｎが得られる記録パワー範囲はおよそ２倍
大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の大きいこ
とが確認された。又、トラッキングやフォーカスのサー
ボも不安定になることはなかった。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候性がよく
かつ高感度で信号品質の良好なものである。
かつ高感度で信号品質の良好なものである。
第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す部分断面
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図であ
る。 １……基板、２……金属−金属酸化物混合層 ３……テルル−セレン−窒素層 21……記録層、22……ピット
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図であ
る。 １……基板、２……金属−金属酸化物混合層 ３……テルル−セレン−窒素層 21……記録層、22……ピット
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、レーザ光によって一部が選択的に
除去されて情報を記録する前記基板上に形成された記録
層とからなる光記録媒体において、前記記録層がゲルマ
ニウム又はニッケル又はコバルトの低級酸化物よりなる
前記基板側に形成された層と、この層に隣接して前記基
板の外方に形成されたテルル、セレンおよび窒素を主成
分とする層とを少なくとも有していることを特徴とする
光記録媒体。 - 【請求項２】基板と、レーザ光によって一部が選択的に
除去されて情報を記録する前記基板上に形成された記録
層とからなる光記録媒体において、前記記録層がテルル
とニッケル酸化物又はコバルト酸化物との混合物よりな
る前記基板側に形成された層と、この層に隣接して前記
基板の外方に形成されたテルル、セレンおよび窒素を主
成分とする層とを少なくとも有していることを特徴とす
る光記録媒体。 - 【請求項３】基板と、レーザ光によって一部が選択的に
除去されて情報を記録する前記基板上に形成された記録
層とからなる光記録媒体において、前記記録層がテルル
セレン合金とニッケル酸化物又はコバルト酸化物との混
合物よりなる前記基板側に形成された層と、この層に隣
接して前記基板の外方に形成されたテルル、セレンおよ
び窒素を主成分とする層とを少なくとも有していること
を特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158247A JPH0667670B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 光記録媒体 |
| US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
| EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
| DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158247A JPH0667670B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313786A JPS6313786A (ja) | 1988-01-21 |
| JPH0667670B2 true JPH0667670B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=15667465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61158247A Expired - Fee Related JPH0667670B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-07-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0667670B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2809856B1 (fr) * | 2000-05-30 | 2002-07-12 | Commissariat Energie Atomique | Supports d'enregistrement optique irreversible |
| DE102011100382A1 (de) * | 2011-05-04 | 2012-11-08 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Optisches Speichermaterial und Verfahren zur Speicherung |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61158247A patent/JPH0667670B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6313786A (ja) | 1988-01-21 |
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