JPH051757B2 - - Google Patents
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- JPH051757B2 JPH051757B2 JP61130827A JP13082786A JPH051757B2 JP H051757 B2 JPH051757 B2 JP H051757B2 JP 61130827 A JP61130827 A JP 61130827A JP 13082786 A JP13082786 A JP 13082786A JP H051757 B2 JPH051757 B2 JP H051757B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
[従来の技術]
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴と有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル(Te)
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている(特公昭47−26897号公報)。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報)。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴と有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル(Te)
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている(特公昭47−26897号公報)。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
{フイジカ・ステイタス・ソリダイ、7、189、
1964(phys.stat.sol.7−189、1964)}。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
{フイジカ・ステイタス・ソリダイ、7、189、
1964(phys.stat.sol.7−189、1964)}。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第2図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板1に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層21が設けられている。
記録用レーザ光は基板1を通して記録層21に集
光照射され、ピツト22が形成される。基板1と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテル、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
いた光記録媒体は第2図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板1に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層21が設けられている。
記録用レーザ光は基板1を通して記録層21に集
光照射され、ピツト22が形成される。基板1と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテル、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら前記したような従来の光記録媒体
において、記録層として用いられているテルル−
セレン系合金はその組成を制御することが容易で
はなく、そのため量産性に問題があつた。又、ピ
ツトをトラツク1周にわたつて均一に形成するこ
とは困難であるため、充分に良好な記録再生特性
は得られなかつた。
において、記録層として用いられているテルル−
セレン系合金はその組成を制御することが容易で
はなく、そのため量産性に問題があつた。又、ピ
ツトをトラツク1周にわたつて均一に形成するこ
とは困難であるため、充分に良好な記録再生特性
は得られなかつた。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テ
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐候性に優れ、かつ、ト
ラツク1周にわたつてピツトを均一に形成でき、
良好な記録再生特性を有する光記録媒体となるこ
とを見出し、すでに提案している。
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐候性に優れ、かつ、ト
ラツク1周にわたつてピツトを均一に形成でき、
良好な記録再生特性を有する光記録媒体となるこ
とを見出し、すでに提案している。
本発明はこれをさらに改善したもので、量産性
および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良
好な光記録媒体を提供することを目的とする。
および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良
好な光記録媒体を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、マグネシウム層、テルル
層、セレン層を順次基板上に積層したものである
ことを特徴とする光記録媒体である。
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、マグネシウム層、テルル
層、セレン層を順次基板上に積層したものである
ことを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては第1図に示すように基板1上
にセレン層2、マグネシウム層3、テルル層4、
セレン層5が順次積層されて記録層を形成する。
マグネシウム層3を形成することにより、記録に
より形成されるピツトが大きく拡がらないように
なる。
にセレン層2、マグネシウム層3、テルル層4、
セレン層5が順次積層されて記録層を形成する。
マグネシウム層3を形成することにより、記録に
より形成されるピツトが大きく拡がらないように
なる。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ5〜
100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500Åの範
囲、マグネシウム層の膜厚は1〜50Åの範囲が記
録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500Åの範
囲、マグネシウム層の膜厚は1〜50Åの範囲が記
録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
基板としてはポリカーポネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、マグ
ネシウム、テルルおよびセレンを順に真空蒸着さ
せることによつて製造することができる。
ネシウム、テルルおよびセレンを順に真空蒸着さ
せることによつて製造することができる。
[作 用]
テルル層とセレン層の間にマグネシウム層を介
在させることによつてピツトが大きく拡がらなく
なり、優れた光記録媒体を得ることができる。こ
れはピツト形成による反射率変化の主要因である
テルル層の有無による表面エネルギーの差がマグ
ネシウム層の形成により変化することによつてピ
ツトが拡がりにくくなるためであると思われる。
在させることによつてピツトが大きく拡がらなく
なり、優れた光記録媒体を得ることができる。こ
れはピツト形成による反射率変化の主要因である
テルル層の有無による表面エネルギーの差がマグ
ネシウム層の形成により変化することによつてピ
ツトが拡がりにくくなるためであると思われる。
ピツトが大きく拡がらないのでピツトをつめて
記録でき、高密度記録が可能となるとともに記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用
的な光記録媒体となる。
記録でき、高密度記録が可能となるとともに記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用
的な光記録媒体となる。
[実施例]
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボ
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、6×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第1の抵抗加熱用ボートにテルル(Te)
を入れ、第2の抵抗加熱用ボートにセレン(Se)
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにマグネシウム
(Mg)を入れた。まずSeを80Å厚蒸着し、次に
Mgを水晶振動子の周波数変化からの換算で5Å
厚蒸着し、次にTeを225Å厚蒸着し、最後にSeを
80Å厚蒸着した。この光デイスクを95℃で1時間
アニールしたのち、波長8300Åにおける基板入射
反射率を測定したところ36%であつた。波長8300
Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m/sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsecの条件で記
録し、0.7mWで再生した。記録パワー5.0mWに
おいて、バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズと
の比(C/N)は49dBと良好であつた。又、
C/Nが45dB以上得られる記録パワー領域は
4.5mWから7.5mWと広範囲であつた。比較のた
めの80Å厚のSe、225Å厚のTe、80Å厚のSeの
光デイスクでは、記録パワー5.0mWにおいて
C/Nは48dBであり、C/Nが45dB以上得られ
る記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭い範
囲であつた。
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、6×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第1の抵抗加熱用ボートにテルル(Te)
を入れ、第2の抵抗加熱用ボートにセレン(Se)
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにマグネシウム
(Mg)を入れた。まずSeを80Å厚蒸着し、次に
Mgを水晶振動子の周波数変化からの換算で5Å
厚蒸着し、次にTeを225Å厚蒸着し、最後にSeを
80Å厚蒸着した。この光デイスクを95℃で1時間
アニールしたのち、波長8300Åにおける基板入射
反射率を測定したところ36%であつた。波長8300
Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m/sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsecの条件で記
録し、0.7mWで再生した。記録パワー5.0mWに
おいて、バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズと
の比(C/N)は49dBと良好であつた。又、
C/Nが45dB以上得られる記録パワー領域は
4.5mWから7.5mWと広範囲であつた。比較のた
めの80Å厚のSe、225Å厚のTe、80Å厚のSeの
光デイスクでは、記録パワー5.0mWにおいて
C/Nは48dBであり、C/Nが45dB以上得られ
る記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭い範
囲であつた。
次に、本実施例のデイスクを60℃、80%の高温
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産
性および耐候性に優れているばかりでなく、高感
度で信号品質の良好なものである。
性および耐候性に優れているばかりでなく、高感
度で信号品質の良好なものである。
第1図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す
部分断面図、第2図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 1…基板、2,5…セレン層、3…マグネシウ
ム層、4…テルル層、21…記録層、22…ピツ
ト。
部分断面図、第2図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 1…基板、2,5…セレン層、3…マグネシウ
ム層、4…テルル層、21…記録層、22…ピツ
ト。
Claims (1)
- 1 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
去されて情報を記録する前記基板上に形成された
記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
層がセレン層、マグネシウム層、テルル層、セレ
ン層を順次基板上に積層したものであることを特
徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61130827A JPS62286795A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61130827A JPS62286795A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62286795A JPS62286795A (ja) | 1987-12-12 |
JPH051757B2 true JPH051757B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15043631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61130827A Granted JPS62286795A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62286795A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010062723A2 (en) * | 2008-11-03 | 2010-06-03 | Brigham Young University | Data storage media containing magnesium metal layer |
CN102418405A (zh) * | 2011-08-17 | 2012-04-18 | 张标 | 氯氧镁外墙保温隔热防火复合装饰板 |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61130827A patent/JPS62286795A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62286795A (ja) | 1987-12-12 |
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