JPH051757B2 - - Google Patents

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JPH051757B2
JPH051757B2 JP61130827A JP13082786A JPH051757B2 JP H051757 B2 JPH051757 B2 JP H051757B2 JP 61130827 A JP61130827 A JP 61130827A JP 13082786 A JP13082786 A JP 13082786A JP H051757 B2 JPH051757 B2 JP H051757B2
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JP
Japan
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selenium
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tellurium
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Masaki Ito
Akio Morimoto
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
[従来の技術] レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴と有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル(Te)
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている(特公昭47−26897号公報)。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
{フイジカ・ステイタス・ソリダイ、、189、
1964(phys.stat.sol.−189、1964)}。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第2図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板1に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層21が設けられている。
記録用レーザ光は基板1を通して記録層21に集
光照射され、ピツト22が形成される。基板1と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテル、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら前記したような従来の光記録媒体
において、記録層として用いられているテルル−
セレン系合金はその組成を制御することが容易で
はなく、そのため量産性に問題があつた。又、ピ
ツトをトラツク1周にわたつて均一に形成するこ
とは困難であるため、充分に良好な記録再生特性
は得られなかつた。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テ
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐候性に優れ、かつ、ト
ラツク1周にわたつてピツトを均一に形成でき、
良好な記録再生特性を有する光記録媒体となるこ
とを見出し、すでに提案している。
本発明はこれをさらに改善したもので、量産性
および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良
好な光記録媒体を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、マグネシウム層、テルル
層、セレン層を順次基板上に積層したものである
ことを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては第1図に示すように基板1上
にセレン層2、マグネシウム層3、テルル層4、
セレン層5が順次積層されて記録層を形成する。
マグネシウム層3を形成することにより、記録に
より形成されるピツトが大きく拡がらないように
なる。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ5〜
100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500Åの範
囲、マグネシウム層の膜厚は1〜50Åの範囲が記
録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
基板としてはポリカーポネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、マグ
ネシウム、テルルおよびセレンを順に真空蒸着さ
せることによつて製造することができる。
[作 用] テルル層とセレン層の間にマグネシウム層を介
在させることによつてピツトが大きく拡がらなく
なり、優れた光記録媒体を得ることができる。こ
れはピツト形成による反射率変化の主要因である
テルル層の有無による表面エネルギーの差がマグ
ネシウム層の形成により変化することによつてピ
ツトが拡がりにくくなるためであると思われる。
ピツトが大きく拡がらないのでピツトをつめて
記録でき、高密度記録が可能となるとともに記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用
的な光記録媒体となる。
[実施例] 以下本発明の実施例について説明する。
実施例 内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボ
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、6×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第1の抵抗加熱用ボートにテルル(Te)
を入れ、第2の抵抗加熱用ボートにセレン(Se)
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにマグネシウム
(Mg)を入れた。まずSeを80Å厚蒸着し、次に
Mgを水晶振動子の周波数変化からの換算で5Å
厚蒸着し、次にTeを225Å厚蒸着し、最後にSeを
80Å厚蒸着した。この光デイスクを95℃で1時間
アニールしたのち、波長8300Åにおける基板入射
反射率を測定したところ36%であつた。波長8300
Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m/sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsecの条件で記
録し、0.7mWで再生した。記録パワー5.0mWに
おいて、バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズと
の比(C/N)は49dBと良好であつた。又、
C/Nが45dB以上得られる記録パワー領域は
4.5mWから7.5mWと広範囲であつた。比較のた
めの80Å厚のSe、225Å厚のTe、80Å厚のSeの
光デイスクでは、記録パワー5.0mWにおいて
C/Nは48dBであり、C/Nが45dB以上得られ
る記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭い範
囲であつた。
次に、本実施例のデイスクを60℃、80%の高温
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
[発明の効果] 以上説明したように本発明の光記録媒体は量産
性および耐候性に優れているばかりでなく、高感
度で信号品質の良好なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す
部分断面図、第2図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 1…基板、2,5…セレン層、3…マグネシウ
ム層、4…テルル層、21…記録層、22…ピツ
ト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
    去されて情報を記録する前記基板上に形成された
    記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
    層がセレン層、マグネシウム層、テルル層、セレ
    ン層を順次基板上に積層したものであることを特
    徴とする光記録媒体。
JP61130827A 1986-06-04 1986-06-04 光記録媒体 Granted JPS62286795A (ja)

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JP61130827A JPS62286795A (ja) 1986-06-04 1986-06-04 光記録媒体

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JPS62286795A JPS62286795A (ja) 1987-12-12
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CN102418405A (zh) * 2011-08-17 2012-04-18 张标 氯氧镁外墙保温隔热防火复合装饰板

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