JPH051758B2 - - Google Patents
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- JPH051758B2 JPH051758B2 JP61130828A JP13082886A JPH051758B2 JP H051758 B2 JPH051758 B2 JP H051758B2 JP 61130828 A JP61130828 A JP 61130828A JP 13082886 A JP13082886 A JP 13082886A JP H051758 B2 JPH051758 B2 JP H051758B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴と有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴と有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテル、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテル、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら前記したような従来の光記録媒体
において、記録層として用いられているテルル−
セレン系合金はその組成を制御することが容易で
はなく、そのため量産性に問題があつた。又、ピ
ツトをトラツク１周にわたつて均一に形成するこ
とは困難であるため、充分に良好な記録再生特性
は得られなかつた。
において、記録層として用いられているテルル−
セレン系合金はその組成を制御することが容易で
はなく、そのため量産性に問題があつた。又、ピ
ツトをトラツク１周にわたつて均一に形成するこ
とは困難であるため、充分に良好な記録再生特性
は得られなかつた。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テ
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐候性に優れ、かつ、ト
ラツク１周にわたつてピツトを均一に形成でき、
良好な記録再生特性を有する光記録媒体となるこ
とを見出し、すでに提案している。
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐候性に優れ、かつ、ト
ラツク１周にわたつてピツトを均一に形成でき、
良好な記録再生特性を有する光記録媒体となるこ
とを見出し、すでに提案している。
本発明はこれをさらに改善したもので、量産性
および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良
好な光記録媒体を提供することを目的とする。
および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良
好な光記録媒体を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、テルル層、パラジウム層、
セレン層を順次基板上に積層したものであること
を特徴とする光記録媒体である。
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、テルル層、パラジウム層、
セレン層を順次基板上に積層したものであること
を特徴とする光記録媒体である。
本発明においては第１図に示すように基板１上
にセレン層２、テルル層３、パラジウム層４、セ
レン層５が順次積層されて記録層を形成する。パ
ラジウム層４を形成することにより、記録により
形成されるピツトが大きく拡がらないようにな
る。
にセレン層２、テルル層３、パラジウム層４、セ
レン層５が順次積層されて記録層を形成する。パ
ラジウム層４を形成することにより、記録により
形成されるピツトが大きく拡がらないようにな
る。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ５〜
100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500Åの範
囲、パラジウム層の膜厚は0.5〜50Åの範囲が記
録再生特性、耐候性の観点から望ましい。なお、
ここでいう0.5〜50Åのパラジウム層というのは
重量平均に相当する膜厚であり、実際には不連続
膜となつている。
100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500Åの範
囲、パラジウム層の膜厚は0.5〜50Åの範囲が記
録再生特性、耐候性の観点から望ましい。なお、
ここでいう0.5〜50Åのパラジウム層というのは
重量平均に相当する膜厚であり、実際には不連続
膜となつている。
基板としてはポリカーポネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、テル
ル、パラジウムおよびセレンを順に真空蒸着させ
ることによつて製造することができる。
ル、パラジウムおよびセレンを順に真空蒸着させ
ることによつて製造することができる。
［作 用］
テルル層とセレン層の間にパラジウム層を介在
させることによつてピツトが大きく拡がらなくな
り、優れた光記録媒体を得ることができる。これ
はピツト形成による反射率変化の主要因であるテ
ルル層の表面張力がパラジウム層の形成により変
化することによつてピツトが拡がりにくくなるた
めであると思われる。
させることによつてピツトが大きく拡がらなくな
り、優れた光記録媒体を得ることができる。これ
はピツト形成による反射率変化の主要因であるテ
ルル層の表面張力がパラジウム層の形成により変
化することによつてピツトが拡がりにくくなるた
めであると思われる。
ピツトが大きく拡がらないのでピツトをつめて
記録でき、高密度記録が可能となるとともに記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用
的な光記録媒体となる。
記録でき、高密度記録が可能となるとともに記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用
的な光記録媒体となる。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボ
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、６×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Te）
を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Se）
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにパラジウム
（Pd）を入れた。まずSeを80Å厚蒸着し、次に
Teを225Å厚蒸着し、次にPdを水晶振動子の周
波数変化からの換算で１Å厚蒸着し、最後にSe
を80Å厚蒸着した。この光デイスクを95℃で１時
間アニールしたのち、波長8300Åにおける基板入
射反射率を測定したところ32％であつた。波長
8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsecの条件で記
録し、0.7mWで再生した。記録パワー5.5mWに
おいて、バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズと
の比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であつた。又、
Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワー領域は
5.0mWから8.0mWと広範囲であつた。比較のた
めの80Å厚のSe、225Å厚のTe、80Å厚のSeの
光デイスクでは、記録パワー5.0mWにおいて
Ｃ／Ｎは48dBであり、Ｃ／Ｎが45dB以上得られ
る記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭い範
囲であつた。
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、６×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Te）
を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Se）
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにパラジウム
（Pd）を入れた。まずSeを80Å厚蒸着し、次に
Teを225Å厚蒸着し、次にPdを水晶振動子の周
波数変化からの換算で１Å厚蒸着し、最後にSe
を80Å厚蒸着した。この光デイスクを95℃で１時
間アニールしたのち、波長8300Åにおける基板入
射反射率を測定したところ32％であつた。波長
8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsecの条件で記
録し、0.7mWで再生した。記録パワー5.5mWに
おいて、バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズと
の比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であつた。又、
Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワー領域は
5.0mWから8.0mWと広範囲であつた。比較のた
めの80Å厚のSe、225Å厚のTe、80Å厚のSeの
光デイスクでは、記録パワー5.0mWにおいて
Ｃ／Ｎは48dBであり、Ｃ／Ｎが45dB以上得られ
る記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭い範
囲であつた。
次に、本実施例のデイスクを60℃、80％の高温
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産
性および耐候性に優れているばかりでなく、高感
度で信号品質の良好なものである。
性および耐候性に優れているばかりでなく、高感
度で信号品質の良好なものである。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １…基板、２，５…セレン層、３…テルル層、
４…パラジウム層、２１…記録層、２２…ピツ
ト。
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １…基板、２，５…セレン層、３…テルル層、
４…パラジウム層、２１…記録層、２２…ピツ
ト。
Claims (1)
- １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
去されて情報を記録する前記基板上に形成された
記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
層がセレン層、テルル層、パラジウム層、セレン
層を順次基板上に積層したものであることを特徴
とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130828A JPS62286796A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130828A JPS62286796A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286796A JPS62286796A (ja) | 1987-12-12 |
| JPH051758B2 true JPH051758B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15043653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61130828A Granted JPS62286796A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286796A (ja) |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61130828A patent/JPS62286796A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62286796A (ja) | 1987-12-12 |
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