JPH051753B2 - - Google Patents
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- JPH051753B2 JPH051753B2 JP61128462A JP12846286A JPH051753B2 JP H051753 B2 JPH051753 B2 JP H051753B2 JP 61128462 A JP61128462 A JP 61128462A JP 12846286 A JP12846286 A JP 12846286A JP H051753 B2 JPH051753 B2 JP H051753B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。 ［従来の技術］ レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報，特公
昭57−56058号公報）。 近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７，189，
1964（phys.stat.sol，７，189，1964）｝。 このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板１には、ピツ
トが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で
精度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分布が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ波
長の１／12から１／４の範囲に設定される。集光
に関しても同様にサーボ系が構成されている。情
報の読み出しは、季録のときよりも弱いパワーの
レーザ光をピツト上を通過するように照射するこ
とにより、ピツトの有無に起因する反射率の変化
を検出して行なう。この再生用レーザ光パワーは
大きいほうが、再生信号やサーボ用信号を大きく
でき外界ノイズの影響をうけにくいので望まし
い。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、前記したような従来の光記録媒
体において、記録層として用いられているテルル
−セレン系合金はその組成を制御することは容易
ではなく、そのため量産性に問題があつた。又、
ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成する
ことは困難であるため、充分に良好な記録再生特
性は得られなかつた。 一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テ
ルル層、セレン層を順次積層することにより、量
産性および耐候性に優れ、かつ、トラツク１周に
わたつてピツトを均一に形成でき、高感度で良好
な記録再生特性を有する光記録媒体となることを
見出し、すでに提案している。しかしながらこの
場合も、大きなレーザパワーで長時間再生した時
の再生特性の点でまだ改良の余地があつた。 本発明の目的は、量産性がよく、かつ耐候性が
よく、高感度で信号品質の良好であり、かつ充分
に大きなレザーパワーで長時間再生しうる光記録
媒体を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層が少なくともセレン層、テルル層および
セレン層を順に有し、かつ前記セレン層の膜厚が
それぞれ５〜20Åの範囲であり、前記テルル層の
膜厚が275〜400Åの範囲であることを特徴とする
光記録媒体である。 本発明においては例えば第１図に示すように基
板１上に膜厚が５〜20Åのセレン層２、膜厚が
275〜400Åのテルル層３および膜厚が５〜20Åの
セレン層４を順次積層することによつて記録層が
形成される。また各層間には別の物質で形成され
た層、たとえば鉛層、パラジウム層、マグネシウ
ム層などが介挿されていてもよい。 基板としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されるてい
るものが用いられる。 本発明の光記録媒体は、基板上にたとえばセレ
ン、テルルおよびセレンを順に真空蒸着させるこ
とによつて製造することができる。 ［実施例］ 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10- 6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにテルル（Te）を入れ、
第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Se）を入れ
た。まずSeを13Å厚蒸着し、次にTeを350Å厚蒸
着し、最後にSeを13Å厚蒸着した。この光デイ
スクを95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールした
のち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測定
したところ41％であつた。波長8300Åの半導体レ
ーザ光を基板を通して入射して記録層上で
1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記録パワ
ー6.5mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。
バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比
（Ｃ／Ｎ）は51dBと良好であり、1.0mWで106回
再生しても同様に良好であつた。 次に、本実施例のデイスクを70℃、80％の高温
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。 実施例 ２〜21 Se層およびTe層の膜厚をそれぞれ第１表に示
すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録
媒体を作製した。 実施例１と同様にして再生パワーによる劣化試
験および耐候性試験を行なつた結果を同表に示
す。 比較例 １〜４ Se層およびTe層の膜厚をそれぞれ第１表に示
すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録
媒体を作製した。 実施例１と同様にして再生パワーによる劣化試
験および耐候性試験を行なつた結果を同表に示
す。
ことのできる光記録媒体に関するものである。 ［従来の技術］ レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報，特公
昭57−56058号公報）。 近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７，189，
1964（phys.stat.sol，７，189，1964）｝。 このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板１には、ピツ
トが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で
精度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分布が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ波
長の１／12から１／４の範囲に設定される。集光
に関しても同様にサーボ系が構成されている。情
報の読み出しは、季録のときよりも弱いパワーの
レーザ光をピツト上を通過するように照射するこ
とにより、ピツトの有無に起因する反射率の変化
を検出して行なう。この再生用レーザ光パワーは
大きいほうが、再生信号やサーボ用信号を大きく
でき外界ノイズの影響をうけにくいので望まし
い。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、前記したような従来の光記録媒
体において、記録層として用いられているテルル
−セレン系合金はその組成を制御することは容易
ではなく、そのため量産性に問題があつた。又、
ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成する
ことは困難であるため、充分に良好な記録再生特
性は得られなかつた。 一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テ
ルル層、セレン層を順次積層することにより、量
産性および耐候性に優れ、かつ、トラツク１周に
わたつてピツトを均一に形成でき、高感度で良好
な記録再生特性を有する光記録媒体となることを
見出し、すでに提案している。しかしながらこの
場合も、大きなレーザパワーで長時間再生した時
の再生特性の点でまだ改良の余地があつた。 本発明の目的は、量産性がよく、かつ耐候性が
よく、高感度で信号品質の良好であり、かつ充分
に大きなレザーパワーで長時間再生しうる光記録
媒体を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層が少なくともセレン層、テルル層および
セレン層を順に有し、かつ前記セレン層の膜厚が
それぞれ５〜20Åの範囲であり、前記テルル層の
膜厚が275〜400Åの範囲であることを特徴とする
光記録媒体である。 本発明においては例えば第１図に示すように基
板１上に膜厚が５〜20Åのセレン層２、膜厚が
275〜400Åのテルル層３および膜厚が５〜20Åの
セレン層４を順次積層することによつて記録層が
形成される。また各層間には別の物質で形成され
た層、たとえば鉛層、パラジウム層、マグネシウ
ム層などが介挿されていてもよい。 基板としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されるてい
るものが用いられる。 本発明の光記録媒体は、基板上にたとえばセレ
ン、テルルおよびセレンを順に真空蒸着させるこ
とによつて製造することができる。 ［実施例］ 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10- 6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにテルル（Te）を入れ、
第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Se）を入れ
た。まずSeを13Å厚蒸着し、次にTeを350Å厚蒸
着し、最後にSeを13Å厚蒸着した。この光デイ
スクを95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールした
のち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測定
したところ41％であつた。波長8300Åの半導体レ
ーザ光を基板を通して入射して記録層上で
1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記録パワ
ー6.5mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。
バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比
（Ｃ／Ｎ）は51dBと良好であり、1.0mWで106回
再生しても同様に良好であつた。 次に、本実施例のデイスクを70℃、80％の高温
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。 実施例 ２〜21 Se層およびTe層の膜厚をそれぞれ第１表に示
すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録
媒体を作製した。 実施例１と同様にして再生パワーによる劣化試
験および耐候性試験を行なつた結果を同表に示
す。 比較例 １〜４ Se層およびTe層の膜厚をそれぞれ第１表に示
すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録
媒体を作製した。 実施例１と同様にして再生パワーによる劣化試
験および耐候性試験を行なつた結果を同表に示
す。
【表】
第１表からわかるように、テルル層の厚さは
275Åから400Åの範囲で、セレン層の厚さは５Å
から20Åの範囲で優れた効果を示す。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば量産性およ
び耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好で
あると共に充分に大きなレーザパワーで長時間に
わたつて再生しうる光記録媒体が得られる。
275Åから400Åの範囲で、セレン層の厚さは５Å
から20Åの範囲で優れた効果を示す。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば量産性およ
び耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好で
あると共に充分に大きなレーザパワーで長時間に
わたつて再生しうる光記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す
部分断面図であり、第２図は従来の光記録媒体を
示す部分断面図である。 １……基板、２，４……セレン層、３……テル
ル層、２１……記録層、２２……ピツト。
部分断面図であり、第２図は従来の光記録媒体を
示す部分断面図である。 １……基板、２，４……セレン層、３……テル
ル層、２１……記録層、２２……ピツト。
Claims (1)
- １ 基板とレーザ光によつて一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記
録層とからなる光記録媒体において、前記記録層
が少なくともセレン層、テルル層およびセレン層
を順に有し、かつ前記セレン層の膜厚がそれぞれ
５〜20Åの範囲であり、前記テルル層の膜厚が
275〜400Åの範囲であることを特徴とする光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128462A JPS62282979A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128462A JPS62282979A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282979A JPS62282979A (ja) | 1987-12-08 |
| JPH051753B2 true JPH051753B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14985311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61128462A Granted JPS62282979A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62282979A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4385305A (en) * | 1980-08-20 | 1983-05-24 | Hitachi, Ltd. | Recording member |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP61128462A patent/JPS62282979A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4385305A (en) * | 1980-08-20 | 1983-05-24 | Hitachi, Ltd. | Recording member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62282979A (ja) | 1987-12-08 |
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