JPS62284787A - 光メモリ−媒体 - Google Patents
光メモリ−媒体Info
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- JPS62284787A JPS62284787A JP61127199A JP12719986A JPS62284787A JP S62284787 A JPS62284787 A JP S62284787A JP 61127199 A JP61127199 A JP 61127199A JP 12719986 A JP12719986 A JP 12719986A JP S62284787 A JPS62284787 A JP S62284787A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はメモリー素子、光ディスク、文書、画像ファイ
ルなどに利用できる光メモリー媒体に関する。
ルなどに利用できる光メモリー媒体に関する。
従来、ヒートモード（溶融、蒸発タイプ）の光メモリー
媒体としてはＡノ、Ｃｒなどの金属蒸着薄膜あるいはＴ
ｅζＴｅ化合物などのカルコゲン化物蒸着膜などが知ら
れている。
媒体としてはＡノ、Ｃｒなどの金属蒸着薄膜あるいはＴ
ｅζＴｅ化合物などのカルコゲン化物蒸着膜などが知ら
れている。
しかしながら、金属蒸着膜は溶融、蒸発温度が高いため
記録時に強いレーザ光と時間（１００ｍＷＸ１μＳ８Ｃ
以上）を必要とし、高速回転での記録に感度が足りない
またビット形成時に生じるビット周辺等の盛り上りのた
め再生時の雑音が増加しやすいという欠点を有する。ま
た、カルコゲン化物蒸着膜は熱、湿度などによって劣化
するという欠点を有する。
記録時に強いレーザ光と時間（１００ｍＷＸ１μＳ８Ｃ
以上）を必要とし、高速回転での記録に感度が足りない
またビット形成時に生じるビット周辺等の盛り上りのた
め再生時の雑音が増加しやすいという欠点を有する。ま
た、カルコゲン化物蒸着膜は熱、湿度などによって劣化
するという欠点を有する。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みてなされたものであ
って、その目的はコントラストおよびＣ／Ｎが大きく、
記録ビットの寿命が長く安定性良好な、高速記録可能な
光メモリー媒体を提供する（とである。
って、その目的はコントラストおよびＣ／Ｎが大きく、
記録ビットの寿命が長く安定性良好な、高速記録可能な
光メモリー媒体を提供する（とである。
本発明者は上記目的を達成する新規なメモリー材料を見
出し本発明をなすに至った。
出し本発明をなすに至った。
すなわち、本発明のメモリー材料は式
％式％
で表わされる組成を有しかつ構造中に炭化水素基（Ｃｍ
Ｈｎ：ｍおよびｎは１以上の整数を示す）を含み、膜を
形成した状態（記録前）の結晶構造は非晶質（アモルフ
ァス）であることを特徴とする。
Ｈｎ：ｍおよびｎは１以上の整数を示す）を含み、膜を
形成した状態（記録前）の結晶構造は非晶質（アモルフ
ァス）であることを特徴とする。
本発明の光メモリー媒体は基板上に上記のメモリー材料
からなる薄膜を形成したものである。
からなる薄膜を形成したものである。
膜の形成は反応性スパッタ、反応性蒸着、プラズマＣＶ
Ｄ 、光Ｃ’ＶＤなどにより行うことができる。
Ｄ 、光Ｃ’ＶＤなどにより行うことができる。
膜厚は特に限定されないが１００Ｘないし１００００又
好ましくは２００Ｘないし５ｏｏｏ ｉの範囲にあるこ
とが望ましい。
好ましくは２００Ｘないし５ｏｏｏ ｉの範囲にあるこ
とが望ましい。
形成後（記録前）の膜の透過率は４００〜８００ｎｍの
範囲で高々７０％以下であるが、この膜に膜中の炭化水
素基を脱離させるのに充分なエネルギー（１５０℃以上
の熱エネルギー）を与えることにより炭化水素基は脱離
し同時に膜中のＩｎと０が再配列・結晶化しその結果透
過率が大きく向上する。なお、この炭化水素基の脱離は
大気中（酸素共存下）で行なうとより効果的である。こ
の原理を応用することによりレーザ光によるビット形成
と再生が可能となる。
範囲で高々７０％以下であるが、この膜に膜中の炭化水
素基を脱離させるのに充分なエネルギー（１５０℃以上
の熱エネルギー）を与えることにより炭化水素基は脱離
し同時に膜中のＩｎと０が再配列・結晶化しその結果透
過率が大きく向上する。なお、この炭化水素基の脱離は
大気中（酸素共存下）で行なうとより効果的である。こ
の原理を応用することによりレーザ光によるビット形成
と再生が可能となる。
本発明の上記メモリー材料を形成させる基板の材質には
特に制約はなく、各種プラスチック（例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネートなど）、ガラス、
セラミック、金属などであってもよい。また、基板の表
面にはアドレス信号などのプレフォーマット、案内溝の
プレグルーブが形成されていてもよい。基板の形状は使
用用途に応じてテープ、ディスク、ドラム、ベルトなど
の任意のものであってもよい。
特に制約はなく、各種プラスチック（例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネートなど）、ガラス、
セラミック、金属などであってもよい。また、基板の表
面にはアドレス信号などのプレフォーマット、案内溝の
プレグルーブが形成されていてもよい。基板の形状は使
用用途に応じてテープ、ディスク、ドラム、ベルトなど
の任意のものであってもよい。
本発明の光メモリー媒体は基本的には基板と上記メモリ
ー材料を含む非晶質薄膜からなるが、目的に応じてさら
に他の層（例えば保護層）を存在させてもよい。また、
基板の一面上に非晶質薄膜を設けたものを一対として用
いいわゆるエア・サンドインチ構造にしホコリやキズが
つかないようにすることもできる。
ー材料を含む非晶質薄膜からなるが、目的に応じてさら
に他の層（例えば保護層）を存在させてもよい。また、
基板の一面上に非晶質薄膜を設けたものを一対として用
いいわゆるエア・サンドインチ構造にしホコリやキズが
つかないようにすることもできる。
次に、本発明の光メモリー媒体の作製法を具体的に説明
する。
する。
本発明による最適な方法は出発材料の１つとして少なく
ともＩｎのアルキル化合物を用い真空反応層内に予めセ
ットされた基板上にプラズマＣＶＤ法により製膜する方
法である。そのうちでもグロー放電を利用したプラズマ
Ｃ■法がさらに好ましい。その代表的な作製条件を示す
と、出発材料として例えばＩｎＣＣＨｓ）ｓ −、Ｉｎ
（Ｃ２Ｈｓ）３、Ｉｎ（Ｃ３Ｈ７）５、Ｉｎ（０４Ｈ９
）３などが用いられ、キャリアガスとして例えばＨｅ、
Ｎｅ、 Ａｒ、 Ｎ２ ｆｘどが用いられまた反応ガ
スとして例えば０２、Ｃｏ１ＣＯ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４
などが用いられる。グロー放電装置は直流グロー放電装
置わるいは容量結合型または誘導結合型の交流グロー放
電装置であってもよい。反応ガス圧力は０．０１〜数ｔ
ｏｒｒ好ましくは０．０５〜２ ｔｏｒｒである。電力
は１〜３００Ｗ好ましくは５〜１００Ｗであり、放電時
間は１〜１２０分好ましくｉ；ｍ２〜６０分である。基
板温度はＯ〜３５０Ｃ好ましくは２０〜２００Ｃである
。
ともＩｎのアルキル化合物を用い真空反応層内に予めセ
ットされた基板上にプラズマＣＶＤ法により製膜する方
法である。そのうちでもグロー放電を利用したプラズマ
Ｃ■法がさらに好ましい。その代表的な作製条件を示す
と、出発材料として例えばＩｎＣＣＨｓ）ｓ −、Ｉｎ
（Ｃ２Ｈｓ）３、Ｉｎ（Ｃ３Ｈ７）５、Ｉｎ（０４Ｈ９
）３などが用いられ、キャリアガスとして例えばＨｅ、
Ｎｅ、 Ａｒ、 Ｎ２ ｆｘどが用いられまた反応ガ
スとして例えば０２、Ｃｏ１ＣＯ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４
などが用いられる。グロー放電装置は直流グロー放電装
置わるいは容量結合型または誘導結合型の交流グロー放
電装置であってもよい。反応ガス圧力は０．０１〜数ｔ
ｏｒｒ好ましくは０．０５〜２ ｔｏｒｒである。電力
は１〜３００Ｗ好ましくは５〜１００Ｗであり、放電時
間は１〜１２０分好ましくｉ；ｍ２〜６０分である。基
板温度はＯ〜３５０Ｃ好ましくは２０〜２００Ｃである
。
さらに、本発明の光メモリー媒体を作製する実施例を以
下にあげる。
下にあげる。
実施例 １
この実施例ではＩｎ（Ｃ２Ｈ５）５を出発原料としプラ
ズマＣＶＤ法により以下の作製条件にしたがって膜を形
成した。
ズマＣＶＤ法により以下の作製条件にしたがって膜を形
成した。
作製装置・・・第１図に示すプラズマＣＶＤ装置出発材
料−Ｉｎ（Ｃ２Ｈｓ）３ 基 板 ・・・スライドガラス キャリアガス・・・Ａｒ １５ ＳｃｃＭる） 基板温度・・・１４０℃ 高周波電力＝・１３．５６ＭＨｚ 、 ２０Ｗ反応時
間・・・２０分 得られた膜は茶褐色不透明で膜厚２８００Ｘでめった。
料−Ｉｎ（Ｃ２Ｈｓ）３ 基 板 ・・・スライドガラス キャリアガス・・・Ａｒ １５ ＳｃｃＭる） 基板温度・・・１４０℃ 高周波電力＝・１３．５６ＭＨｚ 、 ２０Ｗ反応時
間・・・２０分 得られた膜は茶褐色不透明で膜厚２８００Ｘでめった。
オージェ電子分光およびクーロメトリ−法によシ求めた
組成は（Ｉｎｏ、１８００．２５ＣＧ、５７）０．５１
（０，５であった。
組成は（Ｉｎｏ、１８００．２５ＣＧ、５７）０．５１
（０，５であった。
また、ＦＴ−ＩＲによシ腹中に炭化水素基（ＣＨ。
ＣＨ２、ＣＨ３）の存在が認められた（第２図（ａ））
。
。
さらに、Ｘ線回折により膜はアモルファスでるることも
確認された（第３図）。なお３００〜８００ ｎｍにお
ける分光透過率は３％以下でめった（第４図）。
確認された（第３図）。なお３００〜８００ ｎｍにお
ける分光透過率は３％以下でめった（第４図）。
この膜を大気中２５０Ｃで熱処理したところ無色透明な
膜に変化した。熱処理後の膜を分析したところ、組成は
（Ｉｎｏ、２９０ｏ、５ｓＣｏ。ｓ ６） ０．９Ｈ０
，１に変化していることが確認された。また、ＦＴ−Ｉ
Ｒにより炭化水素基の脱離とＩｎ２Ｏ５の生成（第２図
（ｂ））が確認されさらにＸ線回折によりＩｎ２Ｏ５結
晶核の存在が確認された（第３図）。さらに、３００〜
８００ ｎｍにおける分光透過率は第４図に示すように
可視領域で９０％程度となった・次に、上述のようにし
て作製した膜の光書き込み性能を以下の条件で評価した
。
膜に変化した。熱処理後の膜を分析したところ、組成は
（Ｉｎｏ、２９０ｏ、５ｓＣｏ。ｓ ６） ０．９Ｈ０
，１に変化していることが確認された。また、ＦＴ−Ｉ
Ｒにより炭化水素基の脱離とＩｎ２Ｏ５の生成（第２図
（ｂ））が確認されさらにＸ線回折によりＩｎ２Ｏ５結
晶核の存在が確認された（第３図）。さらに、３００〜
８００ ｎｍにおける分光透過率は第４図に示すように
可視領域で９０％程度となった・次に、上述のようにし
て作製した膜の光書き込み性能を以下の条件で評価した
。
サンプルを５０ｍφの回転ディスクに固定し２１６ ｒ
ｐｍで回転させながら、書き込み用レーザとしてＮＥＣ
Ｍ Ａｒレーザ（ＧＬＧ３０００、ＧＬＳ ３０００）
を用い集光レンズによりサンプル上に２μｍφに集光さ
せ出力１０ｍＷで書き込みを行なったところ数ｎ５ｅＣ
の照射時間で線幅的１μｍの記録ピットを形成すること
ができた。また、ピット周辺部の形状を観察したところ
、顕著な盛り上りもなく極めてなめらかであった。さら
に、にレーザの代りに７８０〜８００ ｎｍの発振波長
を有する半導体レーザを用いて同様に書き込むことがで
きた。
ｐｍで回転させながら、書き込み用レーザとしてＮＥＣ
Ｍ Ａｒレーザ（ＧＬＧ３０００、ＧＬＳ ３０００）
を用い集光レンズによりサンプル上に２μｍφに集光さ
せ出力１０ｍＷで書き込みを行なったところ数ｎ５ｅＣ
の照射時間で線幅的１μｍの記録ピットを形成すること
ができた。また、ピット周辺部の形状を観察したところ
、顕著な盛り上りもなく極めてなめらかであった。さら
に、にレーザの代りに７８０〜８００ ｎｍの発振波長
を有する半導体レーザを用いて同様に書き込むことがで
きた。
本発明による（ ｒ’ｎｘｏｙｃ ｚ ） １−ＩＦ５
膜をメモリー材料として用いると、以下の効果を得るこ
とができる。
膜をメモリー材料として用いると、以下の効果を得るこ
とができる。
実施例 ２
下記条件以外は実施例１と同じ条件を用いて膜を形成し
た。
た。
キャリアガス・・・Ｎ２ １０ ＳＣＣＭ反応圧・Ｎ２
０．３０ ｔｏｒｒ Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）５ ０．１０ ｔｏｒｒ基板温度・・
・１２０℃ 得られた膜は茶褐色不透明で膜厚２０００ＸであったＯ
組成（記録前）は（ｒｎｏ、２０ｏＯ，２０ｃ０．６０
）０．４８Ｈ０，５２であった。なお、記録性能は実
施例１のものと同等であった。
０．３０ ｔｏｒｒ Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）５ ０．１０ ｔｏｒｒ基板温度・・
・１２０℃ 得られた膜は茶褐色不透明で膜厚２０００ＸであったＯ
組成（記録前）は（ｒｎｏ、２０ｏＯ，２０ｃ０．６０
）０．４８Ｈ０，５２であった。なお、記録性能は実
施例１のものと同等であった。
実施例 ３
下記条件以外は実施例１と同じ条件を用いて膜を形成し
た。
た。
Ｉｎ（Ｃ２Ｈｓ）ｇ Ｏ，１５ｔｏｒｒ（但し、反応ガ
スにＣＯ２を１０８ｃｃＭ添加した）得られた膜は茶褐
色半透明（λ＝５００ ｎｍで透過率３０％）で膜厚３
２００Ｘでめった。組成（記録前）は（ｒｎｏ、２ｓ０
ｏ−ｓｓｃｏ、４ｏ）ｏ、６６Ｈｏ、３４であった◎な
お、記録性能は実施例１のものと同等であった。
スにＣＯ２を１０８ｃｃＭ添加した）得られた膜は茶褐
色半透明（λ＝５００ ｎｍで透過率３０％）で膜厚３
２００Ｘでめった。組成（記録前）は（ｒｎｏ、２ｓ０
ｏ−ｓｓｃｏ、４ｏ）ｏ、６６Ｈｏ、３４であった◎な
お、記録性能は実施例１のものと同等であった。
本発明による（ Ｉ ｎｘｏｙｃ ｚ ） １− Ｉｎ
２膜をメモリー材料として用いると、以下の効果を得る
ことができる。
２膜をメモリー材料として用いると、以下の効果を得る
ことができる。
膜中の炭化水素の分解、脱離温度が低いため高速記録が
可能である。
可能である。
金属、カルコゲン、有機化合物のように単純な熱による
溶融・昇華型メモリー材料とは異なり、本発明の膜は炭
化水素の脱離と共に工ｎ２０５の結晶核が形成されるた
め記録ビットの寿命が長くなる。一方、非記録部は炭化
水素基の存在により酸化が防止され安定である。
溶融・昇華型メモリー材料とは異なり、本発明の膜は炭
化水素の脱離と共に工ｎ２０５の結晶核が形成されるた
め記録ビットの寿命が長くなる。一方、非記録部は炭化
水素基の存在により酸化が防止され安定である。
溶融タイプの光メモリー媒体と異なり、ビット周辺部の
盛り土シによる再生時Ｃβの低下がない。
盛り土シによる再生時Ｃβの低下がない。
記録前後の透過率変化が大きいためコントラストが大き
い。
い。
３００〜８００ ｎｍの波長領域にわたって吸収が大き
いため、書き込みに種々のレーザを使用することができ
る。
いため、書き込みに種々のレーザを使用することができ
る。
記録時に１５０℃以上の熱エネルギーまたはそれに相当
するエネルギー印加により透過率が向上し結晶化が進行
する。
するエネルギー印加により透過率が向上し結晶化が進行
する。
第１図はプラズマＣＶＤ装置を示す模式図、第２図は本
発明による代表的・な膜のＦＴ−ＩＲスペクトル、第３
図は前記膜のＸ線回折図および第４図は前記膜の分光透
過率を示す図である。 特許出願人 株式会社 リ コ −外２名 第２図 ｆｉ 数 （ＣＭ−’） 波 数 （（７１”） ２θ（ｄｅσ、） ５１Ｍ長 （ｎｍ、）
発明による代表的・な膜のＦＴ−ＩＲスペクトル、第３
図は前記膜のＸ線回折図および第４図は前記膜の分光透
過率を示す図である。 特許出願人 株式会社 リ コ −外２名 第２図 ｆｉ 数 （ＣＭ−’） 波 数 （（７１”） ２θ（ｄｅσ、） ５１Ｍ長 （ｎｍ、）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、式 （Ｉｎ＿ｘＯ＿ｙＣ＿ｚ）＿１＿−＿ｌＨ＿ｌ（但し、
０．１０≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．６０、０
．０３≦ｚ≦０．６０、０．０１≦ｌ≦０．８０、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１．０）で表わされる組成を有しかつ構造中に
炭化水素基を含む非晶質薄膜を有することを特徴とする
、光メモリー媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61127199A JPS62284787A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 光メモリ−媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61127199A JPS62284787A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 光メモリ−媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284787A true JPS62284787A (ja) | 1987-12-10 |
Family
ID=14954153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61127199A Pending JPS62284787A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 光メモリ−媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196743A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-08 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| US4913949A (en) * | 1987-07-29 | 1990-04-03 | Basf Aktiengesellschaft | Planar, multilayered, laser-optical recording material |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP61127199A patent/JPS62284787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4913949A (en) * | 1987-07-29 | 1990-04-03 | Basf Aktiengesellschaft | Planar, multilayered, laser-optical recording material |
| JPH01196743A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-08 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
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