JPS63225935A

JPS63225935A - 光学的情報記録媒体

Info

Publication number: JPS63225935A
Application number: JP62237838A
Authority: JP
Inventors: Noboru Yamada; 昇山田; Masatoshi Takao; 高尾　正敏; Kunio Kimura; 邦夫木村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-09-22
Filing date: 1987-09-22
Publication date: 1988-09-20
Anticipated expiration: 2012-01-22
Also published as: JP2692654B2; JPH0832482B2; JPH0845074A; JPS63225934A; JP2574325B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はレーザー光線等の手段をもちいて情報信号を高
速かつ高密度に記録再生し、かつ書き換え可能な光学的
情報記録媒体に関するものである。

従来の技術レーザー光線を金属２色素等の薄膜上に照射して局部的
な変化を生じさせ高密度に情報を記録再生ずる技術は公
知であり、追加記録可能なタイプのものが、いわゆるラ
イドリンス（ＷＲＩＴＥ−ＯＮＣＥ）型光ディスク装置
として商品化されている。いっぽう書き換え可能なタイ
プのものは。

まだ研究段階であるが、これまで記録層にＴｅ。

Ｓｅ等のカルコゲン、またはその化合物（カルコゲン化
物）を主成分とする材料薄膜をもちいるものが提案され
てきている。これらの物質、とりわけＴｅを主成分とす
る系においては比較的容易にアモルファス相と結晶相と
の間の可逆的な相変化を生じさせることが可能であり、
その間で光学定数が大きく変化することから様々な組成
が検討されてきた。

Ｔｅは光の赤外領域にも吸収が有ること、融点が４００
°Ｃ程度と低いこと、さらにはその構造の基本が二配位
の鎖状の原子結合から成っていることから粘性が大きく
、液相から冷却した場合にアモルファス相が形成されや
すいこと等、相変化型の書き換え可能な記録材料として
望ましい特性を備えている。ただしＴｅ単独では結晶化
温度（Ｔｘ）が低く室温では安定なアモルファス相をう
ろことができない。そこでＴｅに様々な添加物元素を加
えて、安定なアモルファス相を得る試み、あるいは結晶
化の速度をコントロールする試みがなされてきた。

例えばＧ　ｅ＋ｓＴ　ｅｓ＋ｓ　ｔ）２Ｓ２　（特公昭
４７−２６８９７号公報）、　　Ｔ　　ｅ９２Ｇｅ２Ａ
ｓ　５　（７丁ライド）イシ−ｑりｌ　　１，９−ス−
（ＡＰＰＬＩＥＤ　　ＰＩＩＹＳＩＣ５ＬＥＴＴＥＲ５
）、　　１８（１９７１）Ｐ２Ｓ５）、　　Ｔ　　ｅａ
ｖＧ　　ｅｓｓ　　ｎｓ　　（７）０ライド　フイシー
ヴクス　トタース−（ＡＰＰＬＩＥＤ　　ＰＨＹＳＩＣ
５ＬＥＴＴＥＲ５）、　　４６（１９８５）Ｐ２Ｓ５）
等がある。これらはいずれもＧｅ添加によってＴｅのア
モルファス相を安定化している。また結晶化速度を高め
る試みはＴ　ｅ　Ｃｅ　Ａ　ｕ系合金（特開昭６１−２
１９６９２号公報）ｔ　　ＴｅＧｅＳｎ　Ａ　ｕ系合金
（特開昭６１−２７０１９０号公ｆＦＪ）等があり、Ａ
ｕを添加することでＴｅの鎖状構造を分断し原子の拡散
速度を高めることに成功している。

発明が解決しようとする問題点本発明の目的は、従来の系に比べて、はるかに高速に記
録、消去をおこなおうとするものである。

従来、アモルファス−結晶間の相変化を利用する記録−
消去方法においては、一般的に結晶相からアモルファス
相への変化を記録方向とし逆にアモルファス相から結晶
相への変化を消去方向としている。その理由は、結晶化
がアモルファス相のアニール、あるいは液相からの徐冷
という比較的時１ゴを要するプロセスであるのにたいし
て、アモルファス化が液相からの急冷という高速のプロ
セスであるためである。つまり、レーザー光線の照射時
間を短くすることができるため記録速度を大きくするこ
とができるということであった。

ところが既に記録ずみの情報信号を消しながら新しい信
号を記録してゆく、いわゆる同時消録を行うときには、
この結晶化速度もまた十分に大きくする必要がある。つ
まり結晶化（消去）に要する時間をアモルファス化（記
録）に要する時間と同じ程度に短くしなければならない
。これまでは、このいわゆる同時消録を実現する手段と
して記録、再生用と消去用の二つの光スポットを用い、
消去用の光スポットの長さを記録、再生用の光スポット
の長さよりも相対的に長くすることで消去光スポットの
照射Ｆｆ′！ｆ闇を長くする方法がとられてきた。しか
しながらこの方法は同一トラック上に二つの光スポット
を精度よく並べる技術が必要であり、装置の設計上、光
学系を複雑にするという問題があった。しかも得き換え
速度をこれまでのように高々数百キロバイト／ｓｅｅ程
度のスピードからさらに高速化し、例えば磁気ディスク
のように数メガバイト／　ｓ　ｅ　ｃで記録しようとす
ると、光スポットと記録媒体との相対速度が数十メート
ル／　ｓ　ｅ　ｃにもなり実際の照射時間は数十ｎ５ｅ
Ｃと極端に短かくなってしまう。こうなると上述のよう
な光学系で補うといった方法では対応し切れず、真に結
晶化速度が大きい材料が必要となる。

問題点を解決するための手段記録層にＴｅ、Ｇｅ、Ｂｉの３元系薄膜を採用し、とり
わけその組成範囲を全体の組成が化学量論的な化合物組
成または、それに準する単−相組成となるように選ぶ。

作用Ｇｅ−Ｂ１−Ｔｅの三元系においては、ＣｅＴｅとＢｉ
２Ｔｅ３のあいだにＧｅ３Ｂ　１２Ｔｅｓ。

ＧｅＢ１２Ｔｅａ、ＧｅＢ１４Ｔｅ７といった三元の量
論化合物組成が存在する。安定な化学量論的化合物組成
においては液体状態（同様にアモルファス状Ｂ）と結晶
状態との間の自由エネルギーの差が大きく、結晶化のた
めの駆動力を大きくとることができる。また、結晶相が
安定な単−相であることから記録、消去の繰り返しによ
っても相が別れることなく特性が変化するといった問題
がない。さらに、この三元系は融点が比較的低くアモル
ファス相が形成しやすい、結晶化温度が高いことから十
分安定なアモルファス相が得られる等、光学記録媒体と
して優れた特徴を発揮することができる。

実施例本発明の光学情報記録媒体は、第２図ａ　−ｃに示すよ
うに、ＰＭＭＡ、　　ポリカーボネイト等の樹脂、アル
ミニウム、鋼等の金属、ガラス等の表面の平滑な基板ｌ
の上にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ等の誘電体３でサ
ンドイッチした記録層２を形成して構成される。誘電体
層は本発明にとっては必ずしも必要ではなく、レーザー
光線を繰り返して照射することによる樹脂基材の熱的な
損傷、あるいは記録層そのものの変形、蒸発を低減化す
るために有効である。また、レーザー光の吸収効率を高
める目的でレーザー光線の入射する反対側の誘電体層の
上に光反射Ｍ４をつけること、この玉に更に保護板５を
張り合わせることも可能である。

本発明は、記録層の組成によって特徴づけられる。記録
層はＴｅ、Ｂｉ、Ｇｅの３元で構成され、その組成の基
本は、第１図（ｂ）に示すように二元の化学量論化合物
組成ＧｅＴｅおよびＢｉ２Ｔｅ３をあられす二つの組成
点とを結ぶ線上に位置しており、以下のような組成式で
表わすことができる。

ｘＧｅＴｅ・　（１−ｘ）８１２　Ｔｅ５（０＜ｘ＜１
）以下、本発明の記録媒体において記録層を構成する基本
的な考え方、具体的構成元素、ならびに、その濃度を決
定する理由について述べる。

上述のようにＴｅ系の記録媒体においてはＴｅが他の添
加物と化合物を形成しうる以上に過剰に含まれる場合、
そのことが消去速度を制限する原因となる。そこで添加
物の濃度を増やしＴｅを化学面論却成の化合物として固
定する方法が考えられる。しかし、単に一種類の元素を
加えただけのＴｅ合金、例えばＣｄ　Ｔ　ｅ、　　Ｓ　
ｎ　Ｔ　ｅ、　　Ｐ　ｂ　Ｔ　ｅ。

Ｓｂ２Ｔｅ３．Ｂｉ２Ｔｅ３．ＧｅＴｅ、ＡｕＴｅ２等
は次に述べる理由、ｌ）融点が高すぎ、レーザー光線の照射時間が短い場合
には（記録パルス）容易に溶融することができない。す
なわち記録感度が低い。

２）結晶化温度が低すぎて安定なアモルファス相が形成
できない。すなわち信頼性に欠ける。

といった、いずれかの、あるいは、両方の理由から記録
層としては不適である。

中ではＧｅＴｅか゛安定なアモルファス相と、７２５°
Ｃと比較的低い融点を有しているが、これとても現在の
実用的なレーザーダイオードの出力が高々３０３０−４
Ｏ程度であることを考えるとアモルファス化が容易では
ないうえ、耐湿性が低いという欠点がある。

そこで本発明者等はＴｅを含む三元系の化合物を検討し
Ｇｅ−Ｂ１−Ｔｅの三元化合物が記録薄膜として以下の
点で優れていることを見出した。

この系は以下に述べるようにこの系に特異的でかつ重要
ないくつかの特性１−４を備えている。

まず第一は、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３のあいだには複数
の化学量論組成の化合物、すなわちＧ　ｅ　３Ｂｉ２Ｔ
ｅ６、ＧｅＢｉ２Ｔｅａ、ＧｅＢ１４Ｔｅ７のように両
端の二元化合物相の間の三元化合物相が存在することで
゛ある。第３図にＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３擬二元相図を
示す。前述のようにｆｆｉ論化合物相においては結晶状
態における自由エネルギーが低くアモルファス相とのエ
ネルギー準位の差が大きいことから速い結晶化速度が得
られる。

第二は上記各化合物相が互いによく似た結晶構造を何し
結晶化温度、融点等においても、それぞれ非常に近い値
を示すということである。このことは次の効果、即ち、
たとえ記録膜組成が厳密に上記化学ａ論組成相の一つに
一致していなくとも、全体としては三つの相間の混合物
と見なすことができ、広い組成範囲にわたって特性が変
化しないという利点をあたえる。特に、ＧｅＴｅ−Ｂｉ
２Ｔｅ３の線上では上記、三つの量論化合物組成と全く
変わらない特性が得られた。

第三のポイントは上記結晶化温度が十分高く、従って安
定なアモルファス相が得られるということである。実施
例１中の第４図（ａ）、　　（ｂ）。

（ｃ）にＧｅＴｅ−Ｙ３１２Ｔｅ３のライン上の組成を
含むＧｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元系薄膜の結晶化温度の測定例
と、その組成依存性を調べた結果を等高線図として示す
。これによって、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３擬二元系にお
いては、広い領域にわたって室温よりも十分に高い結晶
化温度が確保できることがわかる。

第四のポイントは、結晶化課程のなかで見出された。す
なわちＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３５二元系においては、そ
の室温における安定な結晶相は六方晶であるが、結晶化
の籾摺として、まずＧｅ、Ｂｉ、Ｔｅの三元から成る単
一な面心立方型の準安定相が現れることが分かった。液
体状態あるいはアモルファス状態における原子構造は結
晶状態における原子構造よりも逼かに等友釣であり、従
って生じる結晶形ができるだけ等友釣であることが結晶
化時における原子の拡散距離を短くし結晶化時間を短縮
するうえで有利であると考えられる。

面心立方格子は結晶系のなかでも最も等友釣なものの一
つであることが知られている。準安定相はレーザー照射
のように比較的急速に加熱冷却を行う場合に生じやすい
。以上の理由によってＧｅ−Ｂ１−Ｔｅ系薄膜が光学的
情報記録媒体として適することがわかる。

次に本発明の製造方法について説明する。本発明の記録
媒体は真空蒸着、スパッタリング等の方法で形成するこ
とが可能である。スパッタリングについては、望ましい
組成から割り出した合金ターゲットを用いることも、各
組成に応じた面積の複合モザイクターゲットを用いるこ
とも出来る。

真空蒸着法の場合は複数のソースを用意し、共蒸着法を
採るのが組成のコントロールに便利である。

この場合はたとえば三組の電子銃およびその電源、膜厚
センサー（例えば水晶振動子）を用意し、各ソースから
の蒸着レートを完全に独立して制御できることが望まし
い。蒸着時における真空度は、１０−’Ｔｏｒｒから１
Ｏ−７Ｔｏｒｒで十分である。

以下、更に詳しい具体例をもって本発明を詳述する。

実施例１上記真空蒸着の方法で様々な組成のＧｅ−Ｂ１−Ｔｅ三
元系記録媒体のテストピースを準備し、その特性を調べ
た。特性の評価は１、相変態温度Ｔｘ２、アモルファス化に必要な最低レーザー照射パワーＰ３、結晶化１始に必要なレーザー照射時間ｄの三点から
行った。サンプルはＴｘ渕定には基板としでは厚さ０．
　３ｍｍ、　　直径８ｒｒｔｍのパイレックスガラスを
用い、記録層はおよそ１１００ｎの厚さとした。Ｔｘは
ａｓ−ｄｅｐｏ状態のサンプル片を徐々に加熱していっ
た場合に、その光学的透過率が変化を開始する温度で定
義した。昇温は１’Ｃ／ｓのスピードで行い、その間の
光学的透過率の変化なＨｅ−Ｎｅレーザーを用いてモニ
ターし変曲点を検出した。これによってアモルファス相
の熱的安定性が評価できる。

またアモルファス化感度Ｐ、結晶化速度ｄの測定には、
基板として縦１２ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの
ＰＭＭＡ板を用いこの上に１１００ｎのＺｎＳ、１１０
０ｎのＧｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元系記録膜、２００ｎｍのＺ
ｎＳを順次蒸着し、その上に基板と同じＰＭＭＡ板を紫
外線硬化樹脂を用いて張り合わせたものを用いた。Ｐは
、ある一定のパルス幅のレーザー光線を結晶状態の記録
膜面に絞りこんで照射し、アモルファス化が開始するの
に必要な照射パワーを測定した値をいう。

この場合、各サンプルはあらかじめ４ｍＷのパワーで１
０ｕｓの長さのレーザー照射を行って十分に予備黒化（
結晶化）をしておき、その後、照射パルス幅を５０ｎｓ
に固定してレーザー出力のみを変化させて照射しアモル
ファス化が光学的反射率の変化として確認できる照射パ
ワーを測定した。

これによって記録感度を評価する。またｄはレーザーダ
イオードからの光をレンズ系でａｓ−ｄｅｐｏ状態の記
録膜上に直径１ｕｍ程度のスポットとして照射した場合
に結晶化が開始するのに必要な照射時間のことである。

この場合、照射パワーを２−２５ｍＷ、また照射時間を
１０−１０００口Ｓの範囲で変化させて最も速い結晶化
の条件を求めた。これによって消去速度の評価をするこ
とができる。

第４図（ａ）はＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３系のＴｘの測定
例である。透過率が、ある温度で急激に減少し、結晶化
が起こったことがわかる。

（ｂ）は、Ｇｅ−Ｂ１−Ｔｅの三元組成図上に各組成点
に対応するＴｘをプロットし同一温度の点を結んだ５温
線図である。広い組成範囲にわたって室温をはるかに越
える転移温度が得られることがわかった。

（ｃ）はＣ；ｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３の組成点を結ぶライ
ン上組成に対しＧｅＴｅの組成比ＸとＴｘの関係につい
て調べた結果である。ｘＧｅＴｅ・（１−ｘ＞　Ｂｉ２
Ｔｅ５（０＜ｘ＜１）系の相変態温度は、ｘ＞Ｏのいず
れの場合もｉｏｏ’ｃ以上と室温に対して十分に高くア
モルファス相が安定に存在することがわかる。更にｘ＞
Ｏ，ｌの領域ではＴｘは１４０°Ｃ以上であり極めて安
定なアモルファス状態が得られることがわかった。

第５図は同じ系について結晶化開始に必要なレーザー照
射時間を測定した結果である。図中、各カーブは、レー
ザーパワーを８ｍＷとしたときのＣｘｅ−Ｂｉ−Ｔｅの
三元組成の結晶化開始パルス幅ｄを各組成点に対応して
プロットし同じ温度の点を結んだ等速度線図である。こ
れより、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３のライン上の組成では
およそ３０ｎｓから１００ｎｓと極めて短い照射時間で
結晶化が開始すること、またラインからはずれるほど結
晶化に必要な照射時間が増大することがわかる。

ただしライン組成からのずれがそれほど大きくない場合
には２００ｎｓ程度のレーザー照射によって結晶化を開
始させることができる。レーザーパワーをさらに高くし
て同様のことをおこない１４ｍＷ程度までは結晶化開始
のレーザー照射時間の短縮が確認された。

次にアモルファス化感度を調べた。結晶化速度が大きい
ことは逆にアモルファスが形成されにくい可能性をもっ
ているともいえる。ＤＳＣによる融点の測定から上記ラ
イン付近のＧｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元膜の融点は上記ライン
上の組成とその周囲とでは比較的近いことがわかったの
でＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３系を中心にそのアモルファス
化感度を調べた。第六図はその結果を示す。これよりＧ
ｅＴｅの組成比Ｘが０．８５よりも小さい領域において
は５０ｎｓという極めて短い時間のレーザー照射によっ
ても２０ｍＷ程度のレーザーパワーでアモルファス化が
実現していることがわかる。更にＧｅＴｅの組成比が３
３．５０．７５％という化合物組成ではそれそ−れ１３
，１５．１７ｍＷというレーザーパワーでアモルファス
化が実現している。これらの値はＧｅＴｅ単体の場合が
３０ｍＷ以上であるのに比較して十分に低くＣｅＴｅ−
Ｂｉ２Ｔｅ３系のアモルファス化感度がＧｅＴｅに比べ
て十分に高いことを表わしている。アモルファス化感度
は融点と密接に関係しておりＢｉ２Ｔｅ３に近づくほど
高くなるがＢｉ２Ｔｅ３単体では先に述べたようにＴｘ
がやや低く実用に耐えない。

ＧｅＴｅとＢ１２Ｔｅ３との間の共晶組成、ＧｅａＢｉ
３ｖＴｅｓ９においては５９３＠Ｃとこの系の最も低い
融点を有することから高い記録感度と比較的安定なアモ
ルファス相を同時に得ることができる。

実施例２次にＧｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元系薄膜の結晶化課程をＸ線回
折およびＤＳＣを用いて調べた結果を示す。厚さ０．　
３　ｍｍ、　　２０　ｍｍ角の石英ガラス上に、ライン
上の組成を含む幾つかの組成を約１１００ｎ蒸着したテ
ストピースを、それぞれ複数個準備した。各組成におい
て無処理のものおよび、アルゴンガス巾で約１０分間ア
ニールしたもののＸ線回折パターンを調べた。アニール
温度は、あらかじめＤＳＣを用いて結晶化温度等の変態
点を調べ、その直上の温度とした。この結果、第−表に
示すような結晶化課程が判明した。

第−表　組成と結晶形すなわち、この表から、１）蒸着したままの未処理の状
態がアモルファス状態であること、２）上記、ライン上
の組成では、まずＮａＣ１型の準安定相が籾摺とてして
現れていること、３）ラインからはずれた組成では、初
めから六方晶の安定相が出現することが読み取れ、ライ
ン上の組成における高速の結晶化が上述の準安定相の出
現とよく対応していることがわかる。

ＤＳＣからは、ライン上組成に関し、結晶化に伴う発熱
ピークも溶融に伴う急熱ピークも共にナローで急峻であ
ることが示され、これらの系が単−相であることが確認
された。

実施例３実施例１．２に対応する各組成点について、光ディスク
を試作し、その動特性を調べた。ディスクは、光の案内
溝を備えた直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ
樹脂基板上にＺｎＳ、Ｇｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元膜、ＺｎＳ
と順次積層しその上に紫外線硬化樹脂を用いて基板と同
じＰＭＭＡ板を保護層として張り合わせて構成した。各
層の厚さは、下からおよそ８００Ａ、１００ＯＡ、１６
００Ａであり、記録層での光吸収効果を高めるべく設計
した。ダイナミックテスター（デツキ）は、記録再生用
と消去用とを兼ねた０、９ｕｍ（１／２強度）径の円形
に絞りこんだ一木のレーザースポットを有しており、記
録時はレーザー出力を高く、消去時は低くすることで古
い信号を新しい信号で古きつぶしていく、いわゆるオー
バーライド記録をテストするものである。ディスクの回
転速度は２０ｍ／ｓｅｅを基準とし、５　Ｍ　Ｈｚと７
ＭＨｚの二つの周波数で交互に記録（オーバーライド）
をおこなってその繰り返し寿命を調べた。寿命限界とし
ては初期のＣ／Ｎから３ｄＢ減となる回数と定義し、以
下の１）〜３）の結論を得た。

ｌ）　ライン上の組成では記録時１５−２４ｍＷ、消去
時６−１２ｍＷのパワー範囲においてオーバーライドが
可能であり、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる。また１
００万回以上の繰り返しが可能である。また、最大３０
ｍ／　ｓ　ｅ　ｃでのオーバーライドが確認された（ラ
ンクｌ）。

２）　ライン上の組成からずれるに従って消去速度の低
下から古い信号が消しきれなくなり新しい信号の品質が
低下する。この場合は記録周波数を丁げ回転速度を１０
ｍ／　ｓ　ｅ　ｅ、　　５ｒｒ＋／　ｓ　ｅ　ｃという
ように遅くずろことでラインーにの組成の場合と同様に
オーバーライドを行える。ただし、あまり人きくはずれ
てしまうと回転速度では対応できなくなる。また繰り返
しによって生じた分相に起因すると思われるノイズが発
生しやすくなる。

３）　　ｆ４Ｉ成ずれの許容幅は第６図から分かるよう
に上記ラインから見てＢｉの方向へ＋１０ａｔ％、Ｔｅ
の方向へ＋！Ｏａｔ％程度であって、この範囲では５ｍ
１ｓｅｃ以下の回転速度で１万回の繰り返しが可能であ
る（ランク４）、同様にＢｌの方向に＋７ａｔ％、Ｔｅ
の方向に＋５ａｔ％程度の範囲では１５ｍｌ　ｓ　ｅ　
ｃ以下の回転速度で１０万回の繰り返しが可能である（
ランク３）。

さらに＋５ａｔ％、＋３ａｔ％程度の範囲では２５ｒｎ
／ｓｅｃ以下の回転速度で１００万回の繰り返しが可能
である（ランク２）＊上記各ランクに対応する組成領域
を第二表にしめす。

第二表　組成領域と特性これらのディスクは、当然のことながら従来のように複
数個のレーザースポットを用いても記録／消去をくり返
すことが可能であり、むしろそのほうが条件としては選
択の自由度が大きく容易であった。

実施例４実施例１．２におけるディスクの環境試験を行った。各
ディスクを８０″Ｃ，８０ＲＨ％の環境化に放置し１ケ
月の閏、反射率をモニターしたが前記Ｔ　ｘ　ｈ’；　
ｌ　４０°Ｃ以−Ｌの組成のディスクについては全く変
化が認められなかった。また、錆等の発生も無かった。

発明の効果本発明によれば、１）情報の転送レートが毎秒数Ｍバイトと極めて大きい２）単一のレーザービームでオーバーライドが可能な３）繰り返し寿命の長い光学的情報記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光学情報記録媒体に適用するＧｅ−
Ｂ１−Ｔｅ三元系記録膜の組成領域を示す組成図、第２
図は、本発明の一実施例における記録媒体の実施形態例
を示す断面図、第３図は、Ｇｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元系組成
の中心であるＧｅＴｅ−Ｂ１２Ｔｅｔ擬二元系相図、第
４図は、結晶化転移温度Ｔｘの測定例及び、その組成依
存性示す図、第５図は本発明のＧｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元系
記録膜のアモルファス化感度の組成依存性示す図、第６
図は本発明のＧｅ−１３ｉ−Ｔｅ三元系記録膜がアモル
ファス化を閏始するのに必要なレーザー照射時開を示す
図である。代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ばか１名７ｅ　　　
　　　　　　　Ｂばｒ３　　　　　　　　　　　βｉ／
−−−基板？−記録層３°−１秀電俸第３１！Ｉ　　ＧｅＴｅ−ＯＨ’ｒｅ３　Ｎ二元系相図
葎牛ロＣα）６ｅ、　Ｒｒｚ’Ｔｅ４ｒ　１７）　ｎ　ｆｆａ　イｌ
、’ｌｚ、Ｒ＠　１：’ｊ−ら第４図（ｂ）　　Ｇｅ−Ｂ１−Ｔｅ三元系記録膜の結１
ｇ＋化転移温度と組成第４図（ｃ）ＧｅＴｅ−Ｂｉ２　
Ｔｅ３系の結晶化転移温度（昇ｍ１ｌＷｔ　　１”Ｃ／
　ｓ　ｅ　ｃ　）Ｇｅ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光、熱等の手段に依ってその光学的性質を可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その変化を利用
して情報の記録、再生、消去を行う光学的情報記録媒体
であって、前記記録材料層が、安定な化学量論的化合物
である、ＧｅＴｅとＢｉ＿２Ｔｅ＿３の間の固溶体、ｘ
ＧｅＴｅ（１−ｘ）Ｂｉ＿２Ｔｅ＿３（０＜ｘ＜１）で
あることを特徴とする光学的情報記録媒体。
（２）記録材料層が、安定な化学量論的化合物ＧｅＴｅ
とＢｉ＿２Ｔｅ＿３の間の固溶体組成ｘＧｅＴｅ（１−
ｘ）Ｂｉ＿２Ｔｅ＿３（０．１＜ｘ＜０．８５）である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情
報記録媒体。
（３）記録材料層の組成が、安定な化学量論的三元化合
物組成Ｇｅ＿３Ｂｉ＿２Ｔｅ＿６、ＧｅＢｉ＿２Ｔ＿４
またはＣｅＢｉ＿４Ｔｅ＿７もしくは、これらの間の固
溶体組成であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学的情報記録媒体。
（４）記録材料層の組成が、ＧｅＴｅとＢｉ＿２Ｔｅ＿
３の間の共晶組成であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光学的情報記録媒体。
（５）記録材料層の組成が、組成の範囲をしめす第１図
（ａ）において、Ａ＿１（Ｔｅ；３８、Ｇｅ：５９、Ｂ
ｉ；３）、Ｂ＿１（Ｔｅ：５０、Ｇｅ；２、Ｂｉ；４８
）、Ｃ＿１（Ｔｅ；７０、Ｇｅ；２、Ｂｉ；２８）、Ｄ
＿１（Ｔｅ；６３、Ｇｅ；３４、Ｂｉ；３）の各組成点
で囲まれる領域に存在することを特徴とする光学的情報
記録媒体。
（６）記録材料層の組成が、組成の範囲をしめす第１図
（ａ）において、Ａ＿２（Ｔｅ；４２、Ｇｅ；５５、Ｂ
ｉ；３）、Ｂ＿２（Ｔｅ；５３、Ｇｅ；２、Ｓｂ；４５
）、Ｃ＿２（Ｔｅ；６４．５、Ｇｅ；２、Ｓｂ；３３．
５）、Ｄ＿２（Ｔｅ；５７、Ｇｅ；４０、Ｓｂ；３）の
各組成点で囲まれる領域に存在することを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の光学的情報記録媒体。
（７）記録材料層の組成が、組成の範囲をしめす第１図
（ａ）において、Ａ＿３（Ｔｅ；４４．５、Ｇｅ；５２
．５、Ｂｉ；３）、Ｂ＿３（Ｔｅ；５５、Ｇｅ；２、Ｂｉ
；４３）、Ｃ＿３（Ｔｅ；６３、Ｇｅ；２、Ｂｉ；３５
）、Ｄ＿３（Ｔｅ；５４、Ｇｅ；４３、Ｂｉ；３）の各
組成点で囲まれる領域に存在することを特徴とする特許
請求の範囲第５項記載の光学的情報記録媒体。
（８）記録材料層の組成が組成の範囲をしめす第１図（
ａ）において、Ａ＿４（Ｔｅ；４６．５、Ｇｅ；４１．
５、Ｂｉ；１２）、Ｂ＿４（Ｔｅ；５４、Ｇｅ；６．５
、Ｂｉ；３１．５）、Ｃ＿４（Ｔｅ；６２、Ｇｅ；４、
Ｂｉ；３４）、Ｄ＿４（Ｔｅ；５５、Ｇｅ；３９、Ｂｉ
；６）の各組成点で囲まれる領域に存在することを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載の光学的情報記録媒体
。