JPS63225934A

JPS63225934A - 光学的情報記録媒体

Info

Publication number: JPS63225934A
Application number: JP62236558A
Authority: JP
Inventors: Noboru Yamada; 昇山田; Masatoshi Takao; 高尾　正敏; Kunio Kimura; 邦夫木村; Susumu Sanai; 佐内　進
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-09-22
Filing date: 1987-09-21
Publication date: 1988-09-20
Anticipated expiration: 2011-03-29
Also published as: JPH0845074A; JP2574325B2; JPH0832482B2; JP2692654B2; JPS63225935A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はレーザー光線等の手段をもちいて情報信号を高
速かつ高密度に記録再生し、かつ書き換え可能な光学的
情報記録媒体に関するものである。

従来の技術レーザー光線を金属９色素等の薄膜上に照射して局部的
な変化を生じさせ高密度に情報を記録再生する技術は公
知であり、追加記録可能なタイプのものが、いわゆるラ
イトワンス（ＷＲＩＴＥ−〇ＮＣＥ）型光ディスク装置
として商品化されている。いっぽう書き換え可能なタイ
プのものは、まだ研究段階であるが、これまで記録層に
Ｔｓ、Ｓｅ等のカルコゲン、またはその化合物（カルコ
ゲン化物）を主成分とする材料薄膜をもちいるものが提
案されてきている。これらの物質、とりわけＴｅ　を主
成分とする系においては比較的容易にアモルファス相と
結晶相との間の可逆的な相変化を生じさせることが可能
であり、その間で光学定数が大きく変化することから様
々な組成が検討されてきた。

Ｔｏ　は光の赤外領域にも吸収が有ること、融点が４０
０″Ｃ程度と低いこと、さらにはその構造の基本が二配
位の鎖状の原子結合から成っていることから粘性が大き
く、液相から冷却した場合にアモルファス相が形成され
やすいこと等、相変化型の書き換え可能な記録材料とし
て望ましい特性を備えている。ただしＴｏ単独では結晶
化温度（Ｔ！　）が低く室温では安定なアモルファス相
をうろことができない。そこでＴｏ　に様々な添加物元
素を加えて、安定なアモルファス相を得る試み、あるい
は結晶化の速度をコントロールする試みがなされてきた
。

例えばＧｅ１５Ｔｅ８１Ｓｂ２Ｓ２（特公昭４７−２６
８９７号公報）、Ｔｅｅ２Ｇｅ２ＡＩｓ（アプライド　
フィジックス、レターズ（ＡＰＰＬＩＥＤ　　ＰＨＹＳ
ＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８）。

１ｓ（１９７１）Ｐ２Ｓ５）、Ｔｅ８□Ｃｅ８Ｓｎ５（
同４６（１９８５）Ｐ２Ｓ５）等がある。

これらはいずれもＧｏ　添加によってＴｏ　のアモルフ
ァス相を安定化している。また結晶化速度を高める試み
はＴｅＧｅＡｕ系合金（特願昭６０．８１１３７号）　
、　ＴｅＧｅ５ｎＡｕ系合金（特願昭６０．１１２４２
０号）等があり、Ａｕを添加することでＴｏ　の鎖状構
造を分断し原子の拡散速度を高めることに成功している
。

発明が解決しようとする問題点本発明の目的は従来の系に比べて、はるかに高速に記録
、消去をおこなおうとするものである。

従来、アモルファス−結晶間の相変化を利用する記録−
消去方法においては、一般的に結晶相からアモルファス
相への変化を記録方向とし逆にアモルファス相から結晶
相への変化を消去方向としている。その理由は、結晶化
がアモルファス相のアニール、あるいは液相からの徐冷
という比較的時間を要するプロセスであるのにたいして
、アモルファス化が液相からの急冷という高速のプロセ
スであるためである。つまり、レーザー光線の照射時間
を短くすることができるため記録速度を大きくすること
ができるということであった。

ところが既に記録ずみの情報信号を消しながら新しい信
号を記録してゆく、いわゆる同時消録を行うときには、
この結晶化速度もまた十分に大きくする必要がちる。つ
まり結晶化（消去）に要する時間をアモルファス化（記
録）に要する時間と同じ程度に短くしなければならない
。これまでは、このいわゆる同時消録を実現する手段と
して記録、再生用と消去用の二つの光スポットを用い、
消去用の光スポットの長さを記録、再生用の光スポット
の長さよりも相対的に長くすることで消去光スポットの
照射時間を長くする方法がとられてきた。

しかしながらこの方法は同一トラック上に二つの光スポ
ットを精度よく並べる技術が必要であり、装置Ｏ設計上
、光学系を複雑にするという問題があった。しかも書き
換え速度をこれまでのように高々数百キロバイト／ｓｅ
ｃ程度のスピードからさらに高速化し、例えば磁気ディ
スクのように数メガパイ）／ｓｅｅで記録しようとする
と、光スポツト記録媒体との相対速度が数十メートル／
ｓｅｃにもなり実際の照射時間は数十ｎ５ｅｃと極端に
短かく々つてしまう。こうなると上述のような光学系で
補うといった方法では対応し切れず、真に結晶化速度が
大きい材料が必要となる。

問題点を解決するだめの手段記録層にＴｅ　、Ｇｏ　、Ｓｂの３元系薄膜を採用し、
とりわけその組成範囲を全体の組成が化学量論的な化合
物組成または、それに準する単−相組成となるように選
ぶ。

作　　　用Ｇｅ　−３ｂ−Ｔｅの三元系においては、ＧｅＴｅとＳ
ｂ２Ｔｅ３のあいだにＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ６．Ｇｅ５ｂ２
Ｔｅ４゜ＧｅＳｂ４Ｔｅ、といった三元の量論化合物組
成が存在する。安定な化学量論的化合物組成においては
液体状態（同様にアモルファス状態）と結晶状態との間
の自由エネルギーの差が大きく、結晶化のための駆動力
を大きくとることができる。また、結晶相が安定な単−
相であることから記録、消去の繰シ返しによっても相が
別れることなく特性が変化するといった問題がない。さ
らに、この三元系は融点が比較的低くアモルファス相が
形成しやすい、結晶化温度が高いことから十分安定なア
モルファス相が得られる等、光学記録媒体として優れた
特徴を発揮することができる。

実施例本発明の光学情報記録媒体は、第２図ａ　”−ａに示す
ようにＰＭＭＡ、ポリカーボネイト等の樹脂、アルミニ
ウム、銅等の金属、ガラス等の表面の平滑な基板１の上
に５ｌｏ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ等の誘電体３でサンド
イッチした記録層２を形成して構成される。誘電体層は
本発明にとっては必ずしも必要ではなく、レーザー光線
を繰り返して照射することによる樹脂基材の熱的な損傷
、あるいは記録層そのものの変形、蒸発を低減化するた
めに有効である。また、レーザー光の吸収効率を高める
目的でレーザー光線の入射する反対側の誘電体層の上に
光反射層４をつけること、この上に更に保護板５を張り
合わせることも可能である。

本発明は、記録層の組成によって特徴づけられる。記録
層はＴｏ、Ｓｂ、Ｇｅの３元で構成され、その組成の基
本は、第１図すに示すように二元の化学量論化合物組成
ＧｅＴｅおよびＳｂ２Ｔｅ３をあられす二つの組成点と
を結ぶ線上に位置しており、以下のような組成式で表わ
すことができる。

ｘＧｅＴｅｓ　（１−ｘ　）　５ｂ２Ｔｏ３（０＜！＜
１）以下、本発明の記録媒体において記録層を構成する基本
的な考え方、具体的構成元素、ならびに、その濃度を決
定する理由について述べる。

上述のようにＴｏ　系の記録媒体においてはＴ。

が他の添加物と化合物を形成しうる以上に過剰に含まれ
る場合、そのことが消去速度を制限する原因となる。そ
こで添加物の濃度を増やしＴｏ　を化学量論組成の化合
物として固定する方法が考えられる。しかし、単に一種
類の元素を加えただけのＴｅ　合金、例えばＣｄＴｅ　
、　５ｎＴｅ　、　ＰｂＴｅ　、　！３ｂ２Ｔｏ３゜Ｇ
＠Ｔｏ　、ＡｕＴｅ２等は次に述べる理由。

（１）融点が高すぎ、レーザー光線の照射時間が短い場
合には（記録パルス）容易に溶融することができない。

すなわち記録感度が低い。

（功　結晶化温度が低すぎて安定なアモルファス相が形
成できない。すなわち信頼性に欠ける。

といった、いずれかの、あるいは、両方の理由から記録
層としては不適である。中ではＧｅＴｅが安定なアモル
ファス相と、７２６°Ｃと比較的低い融点を有している
が、これとても現在の実用的なレーザーダイオードの出
力が高々３ｏ−４ｏｍＷ程度であることを考えるとアモ
ルファス化が容易ではないうえ、耐湿性が低いという欠
点がある。そこで本発明者等はＴｏを含む三元系の化合
物を検討しＧｅ５ｂＴｅの三元化合物が記録薄膜として
以下の点で優れていることを見出した。この系は以下に
述べるようにこの系に特異的でかつ重要ないくつかの特
性１−６を備えている。

まず第一は、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３　　のあいだには
複数の化学量論組成の化合物、すなわちＧｅ２Ｓｂ２Ｔ
ｅ５゜Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４．ＧｅＳｂ４Ｔｅ、ノようニ両
端ノ二元化合物相の間の三元化合物相が存在することで
ある。第三図にＮ、Ｋｈ、アブリコソフ等によるＧｅＴ
ｅ−８ｂ２Ｔｅ３擬二元相図を示す。前述のように量論
化合物相においては結晶状態における自由エネルギーが
低くアモルファス相とのエネルギー準位の差が大きいこ
とから速い結晶化速度が得られる。

第二は上記各化合物相が互いによく似た結晶構造を有し
結晶化温度、融点等においても、それぞれ非常に近い値
を示すということである。このことは次の効果、即ち、
たとえ記録膜組成が厳密に上記化学量論組成相の一つに
一致していなくとも、全体としては三つの相間の混合物
と見なすことができ、広い組成範囲にわたって特性が変
化しないという利点をあたえる。特にＧｅＴｅ−３ｂ２
Ｔｅ３の線上では上記、三つの量論化合物組成と全く変
わらない特性が得られた。

第四のポイントは上記結晶化温度が十分高く、従って安
定なアモルファス相が得られるということである。実施
例１中の第４図ａ、ｂ、ｃにＧｅＴｅ−８ｂ２Ｔｅ３の
ライン上の組成を含むＧｅ−３ｂ−Ｔ三元系薄膜の結晶
化温度の測定例と、その組成依存性を調べた結果を等高
線図として示す。これによってＧｏＴｏ−３ｂ２Ｔｏ３
擬二元系においては広い領域にわたって室温よりも十分
に高い結晶化温度が確保できることがわかる。

第五のポイントは、結晶化課程のなかで見出された。す
なわちＧｅＴｅ−３ｂ２Ｔｏ３擬二元系においては、そ
の室温における安定な結晶相は六方晶であるが、結晶化
の初相として、まずＧｏ　、Ｓｂ　、Ｔｅの三元から成
る単一な面心立方型の準安定相が現れることが分かった
。液体状態あるいはアモルファス状態における原子構造
は結晶状態における原子構造よりも遥かに等方的であり
、従って生じる結晶形ができるだけ等方的であることが
結晶化時における原子の拡散距離を短くし結晶化時間を
短縮するうえで有利であると考えられる。面心立方格子
は結晶系のなかでも最も等方的なものの一つであること
が知られている。準安定相はレーザー照射のように比較
的急速に加熱冷却を行う場合に生じやすい。

以上の理由によってＧｅ５ｂＴｅ系薄膜が光学的情報記
録媒体として適することがわかる。

次に本発明の製造方法について説明する。本発明の記録
媒体は真空蒸着、スパッタリング等の方法で形成するこ
とが可能である。スパッタリングについては、望ましい
組成から割り出した合金ターゲットを用いることも、各
組成に応じた面積の複合モザイクターゲットを用いるこ
とも出来る。

真空蒸着法の場合は複数のソースを用意し、共蒸着法を
採るのが組成のコントロールに便利である。

この場合はたとえば三組の電子銃およびその電源、嘆厚
センサー（例えば水晶振動子）を用意し、各ソースから
の蒸着レートを完全に独立して制御できることが望まし
い。蒸着時における真空度は１０．４　Ｔｏｒｒから１
０．７Ｔｏｒｒで十分である。

以下、更に詳しい具体例をもって本発明を詳述する。

実施例１上記真空蒸着の方法で様々な組成のＧｏ　−３ｂ　−Ｔ
。

三元系記録媒体のテストピースを準備し、その特性を調
べた。特性の評価は１、相変態温度Ｔｘ２、アモルファス化に必要な最低レーザー照射パワーｐ３、結晶化開始に必要なレーザー照射時間ｄの三点から
行った。サンプルはＴｘ測測定は基板としては厚さＯｓ
　３ｍ、直径８ｍａのパイレックスガラスを用い、記録
層はおよそ１１００ｎの厚さとした。Ｔｘはａｓ−ｄｅ
ｐｏ　状態のサンプル片を徐々に加熱していった場合に
、その光学的透過率が変化を開始する温度で定義した。

昇温は１°Ｃ／ｓのスピードで行い、その間の光学的透
過率の変化をＨｅ−Ｎｅレーザーを用いてモニターし変
曲点を検出した。これによってアモルファス相の熱的安
定性が評価できる。またアルルファス化感度ｐ、結晶化
速度ｄの測定には、基板として縦１２ｍ１．横１０■、
厚さ１．２ｗｗのＰＭＭＡ板を用いこの上に１１００ｎ
のＺｎＳ、　１００ｎｍのＧｅ５ｂＴｅ三元系記鎌膜、
２００ｎｍのＺｎＳを順次蒸着し、その上に基板と同じ
ＰＭＭＡ板を紫外線硬化樹脂を用いて張り合わせたもの
を用いた。ｐは、ある一定のパルス幅のレーザー光線を
結晶状態の記録模面に絞りこんで照射し、アモルファス
化が開始するのに必要な照射パワーを測定した値をいう
。この場合、各サンプルはあらかじめ４ｍＷのパワーで
１０ｕ８の長さのレーザー照射を行って十分に予備黒化
（結晶化）をしておき、その後、照射パルス幅を５０　
ｎｓに固定してレーザー出力のみを変化させて照射しア
モルファス化が光学的反射率の変化として確認できる照
射パワーを測定した。これによって記録感度を評価する
。またｄはレーザーダイオードからの光をレンズ系でａ
ｓ　−ｄｅｐｏ　　状態の記録膜上に直径１μｍ桿変０
スポットとして照射した場合に結晶化が開始するのに必
要な照射時間のことである。この場合、照射パワ、−を
２−２５　ｍＷ　、また照射時間を１０．１０００ｎ　
ｓ　の範囲で変化させて最も速い結晶化の粂件を求めた
。これによって消去速度の評価をすることができる。

第４図ａはＧｏＴｏ−３ｂ２Ｔｅ３系のＴｚの測定例で
ある。透過率が、ある温度で急激に減少し、結晶化が起
こったことがわかる。

ｂは、Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅの三元組成図上に各組成点に対
応するＴＩをプロットし同一温度の点を結んだ当温線図
である。広い組成範囲にわたって室温をはるかに越える
転移温度が得られることがわかった。

ＣはＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３　　の組成点を結ぶライン
上組成に対しＧｅＴｅの組成比ＸとＴＩの関係について
調べた結果である。ｘＧｅＴｅ−％　（１−ｘ　）　Ｓ
ｂ２’ｒｅ３（ｏ＜ｘ＜１）系の相変態温度は、　ｘ＞
Ｏのいずれの場合も１００°Ｃ以上と室温に対して十分
に高くアモルファス相が安定に存在することがわかる。

更に！＞０．１の領域ではＴｘは１４０°Ｃ犀上であシ
極めて安定なアモルファス状態が得られることがわかっ
た。

第５図は同じ系について結晶化開始に必要なレーザー照
射時間を測定した結果である。図中、各カーブは、レー
ザーパワーを８ｍＷとしたときのＧｏ−３ｂ−Ｔｏの三
元組成の結晶化開始パルス幅ｄを各組成点に対応してプ
ロットし同じ温度の点を結んだ等速度線図である。これ
より、ＧｅＴｅ　−８ｂ２Ｔｅ３のライン上の組成では
およそ３０ｎ８から１００ｎｓと極めて短い照射時間で
結晶化が開始すること、またラインからはずれるほど結
晶化に必要な照射時間が増大することがわかる。ただし
ライン組成からのずれがそれほど大きくない場合には２
００　ｎ　ｓ程度のレーザー照射によって結晶化を開始
させることができる。レーザーパワーをさらに高くして
同様のことをおこない１４ｍＷ程度までは結晶化開始の
レーザー照射時間の短縮が確認された。

次にアモルファス化感度を調べた。結晶化速度が大きい
ことは逆にアモルファスが形成されにくい可能性をもっ
ているともいえる。ＤＳＣによる融点の測定から上記ラ
イン付近のＧｏ−６ｂ−Ｔｅ三元膜の融点は上記ライン
上の組成とその周囲とでは比較的近いことがわかったの
でＧ５Ｔｅ−３ｂ２Ｔｏ３系を中心にそのアモルファス
化感度を調べた。゛第５図はその結果を示す。これより
ＧｅＴｅの組成比Ｉがへ８よシも小さい領域においては
６０ｎ８という極めて短い時間のレーザー照射によって
も２゜ｍＷ程度のレーザーパワーでアモルファス化が実
現していることがわかる。更にＧｏＴｏの組成比が３３
．５０．６６％という化合物組成ではそれぞれ１３，１
５．１７ｍＷというレーザーパワーテアモルファス化が
実現している。これらの値はＧｅＴｅ単体の場合がｓ　
ｏ　ｍＷ以上であるのに比較して十分に低（ＧｏＴｏ−
８ｂ２Ｔｅ３系のアモルファス化感度がＧｅＴｅに比べ
て十分に高いことを表わしている。アモルファス化感度
は融点と密接に関係しており５ｂ２Ｔ　ｅ　３に近づく
ほど高くなるがＳｂ２Ｔｅ３単体では先に述べたように
Ｔｘがやや低く実用に耐えない。ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ
３　　との間の共晶組成Ｇｅ４Ｓｂ３□Ｔ　ｅ　ｓ９に
おいては６９３°Ｃとこの系の最も低い融点を有するこ
とから高い記録感度と比較的安定なアモルファス相を同
時に得ることができる。

実施例２次にＧｏ−３ｂ−Ｔｏ三元系薄膜の結晶化課程をＸ線回
折およびＤＳＣを用いて調べた結果を示す。厚さ０．３
ｎｎａ　、　２０■角の石英ガラス上に、ライン上の組
成を含む幾つかの組成を約１１００ｎ蒸着したテストピ
ースを、それぞれ複数個準備した。各組成において無処
理のものおよび、アルゴンガス中で約１０分間アニール
したもののＸ線回折パターンを調べた。アニール温度は
、あらがじめＤＳＣを用いて結晶化温度等の変態点を調
べ、その直上の温度とした。この結果、第−表に示すよ
うな結晶化課程が判明した。

第−表　　組成と結晶形すなわち、この表から１）蒸着したままの未処理の状態
がアモルファス状態であること２）上記、ライン上の組
成では％まずＮａＣ１型の準安定相が初相として現われ
ていること３）ラインからはずれた組成では、初めから
大方晶の安定相が出現することが読み取れ、ライン上の
組成における高速な結晶化が上述の準安定相の出現とよ
く対応していることがわかる。

ＤＳＣからは、ライン上組成に関し、結晶化に伴う発熱
ピークも溶融に伴う急熱ピークも共にナローで急峻であ
ることが示され、これらの系が単−相であることが確認
された。

実施例３実施例１，２に対応する各組成点について、光ディスク
を試作し、その動特性を調べた。ディスクは、光の案内
溝を備えた直径１３ｏＩＩＩＩ＋、厚さ１．２ｍｓ＋の
ＰＭＭＡ樹脂恭板上にＺｎＳ、Ｇｏ−３ｂ−Ｔｅ三元膜
、ＺｎＳと順次積層しその上に紫外線硬化樹脂を用いて
基板と同じＰＭＭＡ板を保護層として張り合わせて構成
した。各層の厚さは、下からおよそ５ｏｏＡ　、１００
０Ａ、１６００Ａであり、記録層での光吸収効果を高め
るべく設計した。ダイナミックテスター（デツキ）は、
記録再生用と消去用とを兼ね九〇−９ｕｍ（１／２強度
）径の円形に絞りこんだ一本のレーザースポットを有し
ており、記録時はレーザー出力を高く、消去時は圓くす
ることで古い信号を新しい信号で書きつぶしていく、い
わゆるオーバーライド記録をテストするものである。

ディスクの回転速度は２０ｍ／ｓｅｅを基準とし、６１
と７−の二つの周波数で交互に記録（オーバーライド）
をおこなってその繰り返し寿命を調べた。

寿命限界としては初期のＣ／Ｎから３ｄＢ減となる一回
数と定義し、以下１）−３）の結論を得た。

（１）　　ライン上の組成では記録時１５−２４ｍＷ。

消去時６−１２ｍＷのパワー範囲においてオーバーライ
ドが可能であり％ｓ　ｏ　ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる
。また１００万回以上の繰り返しが可能である。また、
最大３０ｍ／ｓｅｅでのオーバーライドが確認された（
ランク１）。

（噂　ライン上の組成からずれるに従って消去速度の低
下から古い信号が消しきれなくなり新しい信号の品質が
低下する。この場合は記録周波数を下げ回転速度を１０
ｍ／ｓｅｃ　、　５ｍ／ｓｅｅというように遅くするこ
とでライン上の組成の場合と同様にオーバーライドを行
える。ただし、あまり大きくはずれてしまうと回転速度
では対応できなくなる。また繰り返しによって生じた分
相に起因すると思われるノイズが発生しやすくなる。

（碕　組成ずれの許容幅は第５図から分かるように上記
ラインから見てｓｂの方向へ＋１０　ａ　ｔ％、Ｔｅの
方向へ＋１０ａｔ％程度であって、この範囲では５　ｍ
　／　ｓｅｅ以下の回転速度で１万回の繰り返しが可能
である（ランク４）。同様にｓｂの方向に＋７ａｔ％、
Ｔｅの方向に＋５ａｔ％程度の範囲では１５ｍ／ｓｅｅ
以下の回転速度で１０万回繰り返しが可能である（ラン
ク３）。さらに＋５ａｔチ、＋Ｓａｔチ程度の範囲では
２５　ｍ　／　ｓｅｃ以下の回転速度で１００万回の繰
り返しが可能である（ランク２）。上記各ランクに対応
する組成領域を第二表にしめす。

（ノー／；下　４９ト、　白）これらのディスクは、当然のことながら従来のように複
数個のレーザースポットを用いて記録／消去をくり返す
ことが可能であり、むしろそのほうが条件としては選択
の自由度が大きく容易であった。

実施例４実施例１，２におけるディスクの環境試験を行った。各
ディスクを８０°Ｃ，５ｏＲＨ％　の環境化に放置し１
ケ月の間、反射率をモニターしたが前記Ｔｘが１４０°
Ｃ以上の組成のディスクについては全く変化が認められ
なかった。

発明の効果以上、述べたように本発明によれば。

（１）情報の転送レートが毎秒数Ｍバイトと極めて大き
い。

（噂単−のレーザービームでオーバーライドが可能な。

（に）繰り返し寿命の長い光学的情報記録媒体が提供さ
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光学情報記録媒体に適用するＧｏ−
８ｂ−Ｔｅ三元系記録膜の組成領域を示す組成図、第２
図は、本発明の一実施例における記録媒体の実施形態例
を示す断面図、第３図は、　Ｇｅ　−８ｂ−Ｔｅ三元系
組成の中心であるＧｅ　Ｔｅ　−９ｂ２Ｔ　ｅｓ擬二元
系相図、第４図は、結晶化転移温度Ｔｘの測定例及び、
その組成依存性を示す図、第５図は本発明（Ｄ　Ｇｏ−
８ｂ−Ｔｅ三元系記録膜のアモルファス化感度の組成依
存性を示す図、第５図は本発明のＧｏ　−３ｂ−Ｔｅ三
元系記録膜が結晶化を開始するのに必要なレーザー照射
時間を示す図である。代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ｒｅ
　　　　　　　　　’　Ｓｂｚ′ｒｅ３　　　　　　　
　　　Ｓｂ／−−一基板？−記針贋３−　誘電３参第３図 ρ　　　　　２θ　　　　翌　　　　６０　　　　８０
　　　　　／θ０ＳｂｚＴｅ３ｑｔＴｅ。籏１％第４図（す期肘透急卑　　　　　＾）　　　　　　　　　　　　−因業５図ｅ第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光、熱等の手段に依ってその光学的性質を可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その変化を利用
して情報の記録、再生、消去を行う光学的情報記録媒体
であって、前記記録材料層が安定な化学量論的化合物Ｇ
ｅＴｅとＳｂ＿２Ｔｅ＿３の間の固溶体ｘＧｅＴｅ（１
−ｘ）Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３（０＜ｘ＜１）であることを特
徴とする光学的情報記録媒体。
（２）記録材料層が安定な化学量論的化合物ＧｅＴｅと
Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３の間の固溶体組成ｘＧｅＴｅ（１−ｘ
）Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３（０．１＜ｘ＜０．８）であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記
録媒体。
（３）記録材料層の組成が安定な化学量論的三元化合物
組成Ｇｅ＿２Ｓｂ＿２Ｔｅ＿５、ＧｅＳｂ＿２Ｔｅ＿４
またはＧｅＳｂ＿４Ｔｅ、もしくは、これらの間の固溶
体組成であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学的情報記録媒体。
（４）記録材料層の組成がＧｅＴｅとＳｂ＿２Ｔｅ＿３
の間の共晶組成であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光学的情報記録媒体。
（５）記録材料層の組成が、組成の範囲をしめす第１図
ａにおいて、Ａ＿１（Ｔｅ；３８、Ｃｅ；５９、Ｓｂ；
３）、Ｂ＿１（Ｔｅ；５０、Ｃｅ；２、Ｓｂ；４８）、
Ｃ＿１（Ｔｅ；７０、Ｃｅ；２、Ｓｂ；２８）、Ｄ＿１
（Ｔｅ；６３、Ｃｅ；３４、Ｓｂ；３）の各組成点で囲
まれる領域に存在することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光学的情報記録媒体。
（６）記録材料層の組成が組成の範囲をしめす第１図ａ
においてＡ＿２（Ｔｅ；４２、Ｃｅ；５５、Ｓｂ；３）
、Ｂ＿２（Ｔｅ；５３、Ｃｅ；２、Ｓｂ；４５）、Ｃ＿
２（Ｔｅ；６４．５、Ｃｅ；２、Ｓｂ；３３．５）、Ｄ
＿２（Ｔｅ；５７、Ｃｅ；４０、Ｓｂ；３）の各組成点
で囲まれる領域に存在することを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の光学的情報記録媒体。
（７）記録材料層の組成が組成の範囲をしめす第１図ａ
においてＡ＿３（Ｔｅ；４４．５、Ｃｅ；５２．５、Ｓ
ｂ；３）、Ｂ＿３（Ｔｅ；５５、Ｃｅ；２、Ｓｂ；４３
）、Ｃ＿３（Ｔｅ；６３、Ｃｅ；２、Ｓｂ；３５）、Ｄ
＿３（Ｔｅ；５４、Ｃｅ；４３、Ｓｂ；３）の各組成点
で囲まれる領域に存在することを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の光学的情報記録媒体。
（８）記録材料層の組成が組成の範囲をしめす第１図ａ
においてＡ＿４（Ｔｅ；４６．５、Ｃｅ；４１．５、Ｓ
ｂ；１２）、Ｂ＿４（Ｔｅ；５４、Ｃｅ；６．５、Ｓｂ
；３１．５）Ｃ＿４（Ｔｅ；６２、Ｃｅ；４、Ｓｂ；３
４）、Ｄ＿４（Ｔｅ；５５、Ｃｅ；３９、Ｓｂ；６）の
各組成点で囲まれる領域に存在することを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の光学的情報記録媒体。