JPH04212735A

JPH04212735A - 光学情報の記録方法

Info

Publication number: JPH04212735A
Application number: JP3049522A
Authority: JP
Inventors: Eiji Ono; 鋭二大野; Noboru Yamada; 昇山田; Kenichi Nishiuchi; 健一西内; Nobuo Akahira; 信夫赤平
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1990-03-14
Filing date: 1991-03-14
Publication date: 1992-08-04
Anticipated expiration: 2013-11-25
Also published as: JP2827545B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線等を用い
て高密度に光学的な情報を記録再生する光ディスクおよ
び光ディスク上への光学情報の記録方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光線を利用して高密度な情報の
再生あるいは記録を行う技術は公知であり、主に光ディ
スクとして実用化されている。光ディスクの一つの応用
例として音楽情報を記録したコンパクト・ディスク（以
下ＣＤと記す）がある。これは光ディスク上にあらかじ
め信号が記録された再生専用型であり、ユーザーは音楽
情報を再生することはできるが、信号を記録・消去する
ことはできない。そこで近年、書換え型光ディスクによ
り記録・消去が可能なＣＤを実現する研究開発が盛んに
なされている。

【０００３】書換え型光ディスクは光磁気ディスクと相
変化ディスクに大別できる。このうち相変化ディスクは
レーザー光の照射条件を変化させることにより記録膜を
アモルファスと結晶間で可逆的に状態変化させて信号を
記録し、アモルファスと結晶の反射率の違いを光学的に
検出して再生するものである。したがって光磁気ディス
クに比べ、ＣＤと同様にレーザー光の反射率変化により
信号が再生できる、レーザーパワーの変調で１ビームオ
ーバーライトが容易に実現できる、といった大きなメリ
ットがある。

【０００４】相変化ディスクによる書換え型ＣＤの具体
的提案としては、記録膜材料として図１６の斜線の組成
範囲のＧｅＳｂＴｅ合金を用い、構造として図１７のよ
うに記録膜を誘電体膜でサンドイッチした光ディスクが
ある（光メモリシンポジウム１９８８、論文集、Ｐ４１
−Ｐ４２）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来例で提案され
た記録膜組成および光ディスク構造で実際にＣＤ信号の
記録を従来の１ビームオーバーライトで行ったところ、
再生波形の歪が非常に大きく実用的でないことが分かっ
た。これは記録マーク形状が前後対称でなく先端部で細
く終端部で太くなって涙滴状に歪むためである。原因は
図１８の（ａ）のようなレーザー光の変調波形で記録し
た場合、記録膜の到達温度が蓄熱現象で（ｂ）のように
先端で低く終端に近づくにつれて高くなることにあり、
結果として、（ｃ）のような涙滴状の記録マークとなる
。蓄熱現象はレーザースポットと光ディスクの相対速度
、すなわち線速度が遅いほど大きくなるため、ＣＤのよ
うに１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃと非常に遅い場合には記
録マークの形状歪も大きくなる。この記録マークの歪み
は再生波形歪みにつながり、ジッター増大の原因となる
。特にＣＤ規格のＥＦＭ信号はパルス幅変調された信号
（ＰＷＭ信号）であって、記録マークの長さと記録マー
クの間隔が情報を示すものであり、記録マークの歪はエ
ラー発生の大きな原因となる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に詳細な検討、研究を重ねた結果、発明者らは光ディス
クの記録膜組成、構造を特定し、さらに記録方法を特定
することによって、書換え型光ディスクにおいても形状
歪が小さい記録マークを形成でき、ＣＤ並の再生信号が
得られることを見いだした。

【０００７】すなわち光ディスクを、基板上に誘電体膜
、記録膜、誘電体膜、反射膜の順に積層した構造とし、
前記記録膜は、組成がＧｅｘＳｂｙＴｅｚ（　７≦ｘ≦
１７，　３４≦ｙ≦４４，　４４≦ｚ≦５４，　ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１００　ａｔ％）　で表され、かつ膜厚は１０ｎ
ｍ以上３５ｎｍ　以下であり、反射膜側の前記誘電体膜
の膜厚は５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、かつ前記反射
膜は少なくともＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒの単体あ
るいは合金からなり、かつ膜厚は３５ｎｍ以上とする。

【０００８】さらにこの光ディスク上への信号の記録方
法として、パルス幅変調されたデジタル信号を一つのレ
ーザースポットを用いてオーバーライトする場合に、光
ディスクをレーザースポットとの相対速度が１．２〜１
．４ｍ／ｓｅｃの間の一定速度となるように回転させる
ステップと、前記デジタル信号に含まれるそれぞれのパ
ルスを複数のパルスからなるパルス列に変換するステッ
プと、レーザーパワーを前記パルス列により消去レベル
と記録レベルの間で変調して、それぞれの前記パルス列
でそれぞれ一つの記録マークを光ディスク上に形成して
前記デジタル信号を記録するステップからなり、前記パ
ルス列は先頭パルスと後続パルス列からなり、前記先頭
パルスの幅は常に一定でかつ後続パルス列中の各パルス
の幅より大きく、前記後続パルス列中の各パルスの幅と
間隔はそれぞれ等しく、かつ長さがｎ番目の記録マーク
を形成する場合の前記後続パルス中のパルス数はｎ−１
個である光学情報の記録方法を採用する。

【０００９】上記のようにレーザーパワーを変調して信
号を記録する前に、予めレーザーパワーを前記記録膜が
溶融するパワーレベル以上で一定に保って連続的に照射
して古い信号を消去するステップを設ける。

【００１０】

【作用】本発明の光ディスクおよび光学情報の記録方法
は共に前記蓄熱現象を低減するのに大きな効果がある。

【００１１】本発明による光ディスクは、膜厚の薄い記
録膜が金属の反射膜に非常に近接して設けられているた
め放熱効果が大きく、記録膜は昇温した後速やかに冷却
される。したがって蓄熱現象が低減され記録マークの終
端部が必要以上に昇温するのが抑えられる。

【００１２】さらに本発明で限定した記録膜組成は、上
記構造のときに良好な消去速度、記録感度、熱的安定性
を実現することができる。

【００１３】また本発明による光学情報の記録方法も、
パルス幅の広い先頭パルスで照射して記録膜を十分に昇
温した後、パルス幅の狭い後続パルスで断続的に照射す
るため、記録マークの終端部での蓄熱現象を低減するこ
とができる。なお、記録信号は消去パワーと記録パワー
の間で変調されるため、古い信号の記録マークは新しい
信号を記録する時に同時に消去されるが、さらに記録ビ
ームが通過する前に予めレーザーパワーを記録膜が溶融
するパワーレベル以上で一定に保って連続的に照射すれ
ば古い信号はほぼ完全に消去される。

【００１４】上記光ディスクと光学情報の記録方法はそ
れぞれ単独でも記録マークの形状歪を低減する効果は十
分に認められるが、双方を同時に採用することで相乗効
果により、１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃという低線速度に
おいてもＣＤと同じ程度の再生信号品質を実現すること
ができる。

【００１５】

【実施例】以下本発明を図面を参照しながら詳細に説明
する。

【００１６】上述のように低線速度においてＰＷＭ記録
を実現するには記録時における蓄熱現象を抑えて記録マ
ークの形状歪を低減する必要がある。発明者らは記録マ
ークの形状歪を低減するために光ディスク構造および記
録膜組成の検討と、記録方法の検討を行った。その結果
、線速度が１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃにおいて記録マー
クの形状歪を小さくできる最適な光ディスクと記録方法
をそれぞれ見いだした。そしてこの光ディスクと記録方
法を同時に採用することにより形状歪は飛躍的に小さく
なり、ＣＤ規格のＥＦＭ（８−１４変調）信号を記録・
再生する場合に非常に有効な手段であることが分かった
。

【００１７】最初に光ディスクについて説明する。図１
にその構造を示す。基板１上に誘電体膜２、記録膜３、
誘電体膜４、反射膜５の順に積層してある。基板１とし
ては金属、ガラス、樹脂等が使用可能であるが、一般的
にレーザー光線は基板側から入射されるため、透明なガ
ラス、石英、ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリ
レート等を用いる。本発明による光ディスクの特徴は、
記録膜組成を図２のＡＢＣＤＥＦの各点で囲まれた領域
に特定し、記録膜厚は１０ｎｍ以上３５ｎｍ　以下であ
り、かつ、誘電体膜４の膜厚は５ｎｍ以上４０ｎｍ以下
とし、反射膜５は少なくともＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，
Ｃｒの単体あるいは合金で構成し、かつ膜厚を３５ｎｍ
以上と特定したことにある。なおＡＢＣＤＥＦの各点の
座標を以下に示す。

【００１８】（　Ｇｅ，　　Ｓｂ，　　Ｔｅ　）Ａ　　
（　１７，　　３４，　　４９　）　ａｔ％Ｂ　　（　
１７，　　３９，　　４４　）Ｃ　　（　１２，　　４
４，　　４４　）Ｄ　　（　　７，　　４４，　　４９
　）Ｅ　　（　　７，　　３９，　　５４　）Ｆ　　（
　１２，　　３４，　　５４　）このような光ディスク
では薄い記録膜が金属の反射膜に非常に近接して設けら
れているため放熱効果が大きく、記録膜は昇温した後速
やかに冷却され、したがって蓄熱現象が低減されて、１
．２〜１．４ｍ／ｓｅｃの低線速度においても記録マー
クの形状歪が抑えられると同時に、記録膜の組成を限定
することにより、良好な記録感度、消去率、熱的安定性
を得ることができる。

【００１９】ここで光ディスクの各構成要素を上述のよ
うに限定した理由について説明する。

【００２０】記録膜組成は図２のＡＢＣＤＥＦの各点で
囲まれた領域に限定したが、これは以下の理由による。上記光ディスク構造を保ちながら組成を変化させたとき
、直線ＡＦよりＳｂの少ない領域では結晶化速度が速す
ぎるため記録膜が溶融した後も結晶化しやすくなり、ア
モルファスの記録マークの形状が歪み、逆に直線ＣＤよ
りＳｂの多い領域では結晶化速度が遅すぎてアモルファ
ス部分が十分に結晶化されず大きな消し残りが生じた。また、直線ＤＥよりＧｅの少ない領域では結晶化温度が
低いために記録信号の熱的安定性が悪く、直線ＡＢより
Ｇｅの多い領域では融点が高いために記録感度が悪くな
った。さらに直線ＥＦよりＴｅの多い領域では結晶化速度が速
くかつ結晶化温度が低いため記録マークの形状が歪みか
つ記録信号の熱的安定性が悪くなり、逆に直線ＢＣより
Ｔｅの少ない領域では結晶化速度が遅すぎてアモルファ
ス部分が十分に結晶化されず大きな消し残りが生じた。したがって、蓄熱現象を小さく抑えた光ディスク構造に
おいては、記録膜組成は図２のＡＢＣＤＥＦの各点で囲
まれた領域がよい。

【００２１】また上記構造を保ったまま記録膜厚のみを
変化させたところ、記録膜厚が１０ｎｍ未満では記録膜
によるレーザー光の吸収が悪くかつ放熱効果が大きいた
めに記録感度が悪くなり、３５ｎｍを越えると記録膜の
熱容量が大きくなり蓄熱現象による記録マークの形状歪
が大きくなった。したがって、記録膜厚は１０ｎｍ以上
３５ｎｍ以下がよい。

【００２２】同様に反射膜側の誘電体膜４の膜厚を検討
したところ、５ｎｍ未満では記録膜が反射膜に近接しす
ぎて放熱効果が大きくなりすぎ記録感度が悪くなり、４
０ｎｍを越えると反射膜への放熱が小さくなり蓄熱現象
による記録マークの形状歪が大きくなった。したがって
、誘電体膜４の膜厚は５ｎｍ以上４０ｎｍ以下がよい。なお、誘電体２および４の材質としては、たとえばＳｉ
Ｏ２，ＳｉＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ２，ＴｅＯ２，Ｍｏ
Ｏ３，ＷＯ３，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＢＮ，ＴｉＮ，Ｚ
ｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＳｉＣの単体あるいはこれ
らの混合物が使用できるが、熱的安定性に優れ、成膜が
容易なものがよく特にＺｎＳ，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，
ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物，ＺｎＳｅ
とＳｉＯ２の混合物がよい。

【００２３】さらに、反射膜５の膜厚を検討したところ
、３５ｎｍ未満では反射膜の放熱効果が小さくなり蓄熱
現象による記録マークの形状歪が大きくなった。したが
って、反射膜５の膜厚は３５ｎｍ以上がよい。なお反射
膜の組成は反射率が大きいこと、熱伝導が大きいこと、
成膜が容易であることを考慮すれば、少なくともＡｕ，
Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒの単体あるいは合金で構成する
のが良い。

【００２４】次に、記録方法について説明する。ＣＤ規
格のＥＦＭ信号は、３Ｔ〜１１Ｔ（Ｔはクロック周期）
の９種類のパルス幅の異なるパルスで構成されており、
従来の１ビームオーバーライトによる記録方法は、レー
ザーパワーを消去レベルと記録レベルの間で、ＥＦＭ信
号により直接変調して光ディスク上に信号を記録してい
た。しかしながら、この記録方法では記録マークは涙滴
状に大きく歪むため、発明者らはこれを低減する方法を
考案した（特願平１−３２３３６９）。これは、１ビー
ムオーバーライトする際に一つの記録マークを形成する
記録パルスを特定形状の複数の短パルスからなるパルス
列に変換して信号を記録するものである（この記録方法
は以後マルチパルス記録方法あるいはＭＰ記録方法と記
す）。本発明の記録方法はＭＰ記録方法のうち本発明の
光ディスクに特に有効な要素を抽出し限定したものであ
る。

【００２５】すなわち、デジタル信号に含まれるそれぞ
れのパルスを複数のパルスからなるパルス列に変換した
後、レーザーパワーをパルス列により消去レベルと記録
レベルの間で変調して、それぞれのパルス列でそれぞれ
一つの記録マークを光ディスク上に形成して前記デジタ
ル信号を記録するときに、パルス列は先頭パルスと後続
パルス列で構成し、先頭パルスの幅は常に一定でかつ後
続パルス列中の各パルスの幅より大きく、後続パルス列
中の各パルスの幅と間隔はそれぞれ等しく、そして長さ
がｎ番目の記録マークを形成する場合の後続パルス中の
パルス数はｎ−１個とするものである。

【００２６】図３のように、ＥＦＭ信号に含まれる３Ｔ
〜１１Ｔの幅の異なる９種類のパルスのうち、３Ｔのパ
ルスは幅の広い先頭パルスに変換され、４Ｔのパルスに
は幅の狭い後続パルスが先頭パルスに一つ追加され、そ
の後パルス幅が広くなるにつれて幅の等しいパルスが一
つずつ追加されたパルス列に変換される。そしてこのパ
ルス列によりレーザーパワーを記録レベルと消去レベル
の間で変調して信号を記録するため、例えば、図４ａの
様な入力波形はｂのようなレーザー出力により光ディス
ク上に照射されて、予め記録されている信号を消去しな
がら新しい信号が記録される。なお、レーザーパワーの
変調方法としてはさらにｃのようにパルス列の期間だけ
記録レベルＰｐと再生レベルＰｒまたはオフレベルの間
で変調してもよい。

【００２７】また１ビームオーバーライトで信号を記録
する場合には古い信号の消し残りが生じる場合があり、
消し残りが大きいとジッター増大の原因となる。消し残
りの原因は信号トラック上における結晶状態の差による
ものと考えられるため、上記方法によりレーザーパワー
を変調して信号を記録する前に、予めレーザーパワーを
記録膜が溶融するパワーレベル以上で一定に保って連続
的に照射する。信号トラック上の結晶は全て溶融される
ため、結晶状態の差はなくなり古い信号は十分に消去さ
れる。このとき記録膜は溶融後アモルファス状態になっ
てもあるいは結晶状態になってもよい。その後に照射さ
れる記録レーザー光によりアモルファスと結晶の両方の
状態が実現できるからである。

【００２８】なおこの溶融消去は記録レーザースポット
により連続照射して行い、その後改めて記録レーザース
ポットで新しい信号を記録してもよいし、あるいは記録
レーザースポットに先行する他のレーザースポットを設
けて行ってもよい。

【００２９】次に本発明のさらに具体的実施例を示す。実施例１最初に本発明による光ディスクおよび光学情報の記録方
法の有効性を従来例と比較した例を示す。ここでは本発
明による光ディスクと従来例による光ディスクの２種類
を用意し、それぞれの光ディスクに対して本発明による
記録方法と従来例による記録方法でＥＦＭ信号を記録し
たのち、再生して信号のジッターの大きさを比較した。

【００３０】本発明による光ディスクＡは図１の構造と
同じであり、基板１は信号トラックを予め設けた１２０
ｍｍφのポリカーボネート基板、記録膜３の組成はＧｅ
１２Ｓｂ３９Ｔｅ４９で膜厚は２０ｎｍ、誘電体膜の組
成は２０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含むＺｎＳとＳｉＯ２の
混合物で膜厚は誘電体膜２が１５０ｎｍ、誘電体膜４が
１２ｎｍ、反射膜５の組成はＡｕで膜厚は５０ｎｍとし
た。なおこれらの薄膜層を保護するためにさらにポリカ
ーボネート製の保護カバーを接着した。なお信号トラッ
クは、光ディスク上のどの場所においても１．２５ｍ／
ｓｅｃの一定の線速度で回転するため、１．２５ｍ／ｓ
ｅｃで回転したときに２２．０５ｋＨｚが得られるよう
に変調したいわゆるウォブリング溝とした。

【００３１】従来例の光ディスクＢは図１７の構造と同
じであり、基板、記録膜、誘電体の組成は光ディスクＡ
と同じとした。膜厚は基板側の誘電体膜が１００ｎｍ、
反対側が２００ｎｍ、記録膜厚が１００ｎｍである。光
ディスクＢも薄膜層を保護するためにさらにポリカーボ
ネート製の保護カバーを接着した。

【００３２】記録方法は、ＥＦＭ信号で直接レーザー光
を記録レベルと消去レベルの間でパワー変調する従来の
方法と、ＥＦＭ信号を本発明によるパルス列に変換して
からレーザー光を変調するＭＰ記録方法を採用した。Ｍ
Ｐ記録方法における３Ｔから１１Ｔの入力パルスは一定
の規則にしたがってパルス列化されるため、先頭パルス
の幅ｔ１、後続パルスの幅ｔ２を指定すれば全てのパル
ス列を知ることができる。すなわち、図５ａの１１Ｔの
波形をｂの様にパルス列化したとき、先頭パルスの幅ｔ
１、後続パルスの幅ｔ２を指定すれば３Ｔ〜１１Ｔに対
する全てのパルス列が分かる（ｔ３＝Ｔ−ｔ２である）
。

【００３３】図６に図４ｂの波形を得るために本実施例
で用いた記録装置を示す。まず光ディスク６をスピンド
ルモータ７により光学ヘッド８からのレーザースポット
と光ディスク６の相対速度、すなわち線速度が１．２５
ｍ／ｓｅｃで一定になるように回転する。線速度を光デ
ィスク上の全ての点で一定に保つためには、ウォブリン
グ溝の変調信号を光学的に再生して、この信号が常に２
２．０５ｋＨｚとなるように回転速度を制御すればよい
。

【００３４】信号を記録するときには、信号発生器９か
らのＥＦＭ信号ｓ１をＭＰ回路１０でパルス列信号ｓ４
に変換する。ＭＰ回路１０はパルス幅が最も長い１１Ｔ
のパルスに対応するパルス列のパターンを予め設定して
おくパターン設定器１１と、ｓ１中のパルス幅を検知し
、その長さに応じてパターン設定器１１の設定パターン
の先頭から必要な長さを切り出してパルス列を発生して
出力する変調器１２で構成した。なお信号発生器からの
入力信号のエッジ位置がパルス列に変調されることによ
って変動しないように、入力信号の発生器、変調器、パ
ターン設定器を同一のクロックＣ１で同期させて記録信
号のジッタを抑えた。また、光学ヘッド８中の半導体レ
ーザーは信号再生時には再生レベルＰｒを得るために電
流Ｉｒが流れているが、信号の記録期間中、すなわち記
録ゲート信号Ｗｇが入力されるときには消去レベルＰｂ
を得るためのバイアス電流Ｉｂが流れ、かつｓ４のパル
ス列信号でスイッチ１３が作動したときにはさらに記録
レベルＰｐを得るための電流Ｉａが重畳される。したが
って信号記録時にはレーザーパワーは図４ｂの様に消去
レベルＰｂと記録レベルＰｐの間で、パルス列波形に基
づいて変調される。なお基準電圧設定回路１４は電流Ｉ
ｒ，Ｉａ，Ｉｂを得るのに必要な電圧を発生させるもの
でる。また、光学ヘッド８中の半導体レーザーの波長は
８３０ｎｍ，対物レンズの開口数（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ
　ａｐｅｒｔｕｒｅ；ＮＡ）は０．５である。

【００３５】本実施例におけるパルス列の構成は図５に
おいてｔ１＝３４８ｎｓｅｃ，ｔ２＝１１６ｎｓｅｃ，
Ｔ＝２３２ｎｓｅｃである。

【００３６】また従来の記録方法による場合はＥＦＭ信
号ｓ１でスイッチ１３を直接動作して、レーザーパワー
を変調した。

【００３７】以上の様な光ディスクと記録方法の組合せ
によって、同じトラック上に１０回オーバーライトした
信号を再生して、そのジッターの大きさを測定した。ジ
ッター測定には目黒電機（株）製のＣＤジッターメータ
ー　ＭＪＭ−６３１　を用いた。

【００３８】（表１）に測定結果を示す。ここで示した
ジッターの値は、それぞれの組合せにおいてレーザーパ
ワーＰｂとＰｐを変化させ、最小のジッターを求めたも
のであり、そのときＰｂとＰｐも同時に記した。なおレ
ーザーパワーは光ディスクの盤面上での値である。（表
１）から分かるように従来の光ディスクＢと従来の記録
方法の組合せではジッターが非常に大きいが、従来の光
ディスクＢとＭＰ記録方法の組合せ、または本発明によ
る光ディスクＡと従来の記録方法の組合せでジッターは
大きく改善される。さらに、本発明による光ディスクＡ
とＭＰ記録方法の組合せによるジッター低減効果は非常
に大きくなっている。したがってジッターの低減には本
発明による光ディスクＡに対して本発明により限定され
たＭＰ記録方法を同時に採用することに大きな意義があ
る。

【００３９】

【表１】

【００４０】以下に光ディスクの構成要因を限定した詳
細な実施例について述べるが、実施例１から分かるよう
に記録方法はＭＰ記録方法の方がジッターが小さくなる
ため、以下の実施例２〜８では全て実施例１と同じ波形
のＭＰ記録方法を用いた。

【００４１】最初に記録膜組成を図２のＡＢＣＤＥＦで
囲まれた領域に限定した実施例を示す。実施例２発明者らは　ＪＪＡＰ，Ｖｏｌ．２６（１９８７）　Ｓ
ｕｐｐｌ．２６−４，Ｐ６１−Ｐ６６　においてＧｅＳ
ｂＴｅ合金のうちＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶライン
上に、アモルファスから高速で結晶化する３種類の化合
物ＧｅＳｂ４Ｔｅ７，ＧｅＳｂ２Ｔｅ４，Ｇｅ２Ｓｂ２
Ｔｅ５が存在し、これらの化合物は記録消去特性、繰り
返し特性が優れていることを示し、かつＧｅＴｅ−Ｓｂ
２Ｔｅ３ラインから離れるにつれて結晶化速度が遅くな
ることを示した。ＣＤの線速度ではＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔ
ｅ３ライン上での結晶化速度は速すぎてアモルファス化
が困難なため、化合物のうちＧｅＳｂ４Ｔｅ７より結晶
化温度が高くて熱的に安定であり、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５
よりは融点が低く記録感度が高いＧｅＳｂ２Ｔｅ４にＳ
ｂを添加して結晶化速度を遅くすることを試みた。光デ
ィスク構造を実施例１における光ディスクＡと同様にし
て記録膜組成のみＧｅＳｂ２Ｔｅ４とＳｂを結ぶライン
上で変化させた。作成した光ディスクは実施例１と同様
の方法でジッターを測定した。また光ディスクに要求さ
れる特性としては熱的安定性と記録感度がある。熱的安
定性は信号記録後８０℃中に１０日間放置して再びジッ
タ−を測定してその変化を調べた。記録感度はジッター
が最小になる記録レベルＰｐで表した。測定結果を図７
に示す。記録直後のジッターＪ０はＳｂ量が３９ａｔ％
（図２におけるＧ点）付近において極小値を示した。Ｇ点よりＳｂ量が減少すると結晶化速度が速くなりすぎ
て記録マーク形状が歪み、増加すると結晶化速度が遅く
なって消去率が悪くなり以前に記録されていた信号の影
響を受けるものと考えられる。ジッターの大きさはＣＤ
の規格を考慮すれば３０ｎｓｅｃ以下がよい。また８０
℃１０日間後のジッターＪ１０はこの組成範囲では記録
直後とほとんど変わらなかった。記録感度は現在入手で
きる安価な半導体レーザーは出力が２０ｍｗ程度以下で
あることを考えたとき、光ディスクの盤面上で１０ｍＷ
以下であるのがよいと考えられるが、この組成範囲では
これを満たしている。

【００４２】以上より本発明による放熱構造と記録方法
に適したＧｅＳｂ２Ｔｅ４−Ｓｂライン上の組成は、Ｓ
ｂ量が３４ａｔ％〜４４ａｔ％の範囲である。

【００４３】実施例３次に実施例２におけるＧ点を中心にＧｅの添加効果を示
す。光ディスク構造は実施例２と同じとし、記録膜組成
をＧｅとＧｅ１２Ｓｂ３９Ｔｅ４９（Ｇ点）を結ぶ直線
上で変化させて、実施例２と同様の記録方法で信号を記
録し、そのジッターを測定した。また熱的安定性、記録
感度も測定した。結果を図８に示す。記録時のジッター
Ｊ０はＧｅが３ａｔ％以上において３０ｎｓｅｃ以下と
なり結晶化速度としては本発明による光ディスクおよび
記録方法に適している。しかし８０℃１０日間後のジッ
ターＪ１０はＧｅ量が７ａｔ％より少なくなると記録時
のジッターＪ０より大きくなる。これは結晶化温度が下
がり、熱的に不安定になるためと考えられる。逆にＧｅ
が増加すると記録感度が悪くなって大きな記録パワーが
必要になり、１７ａｔ％をこえると記録パワーＰｐは１
０ｍＷを越えてしまう。これは記録膜の融点が高くなる
ことに起因するものと考えられる。

【００４４】以上より本発明による放熱構造と記録方法
に適したＧｅ−Ｇｅ１２Ｓｂ３９Ｔｅ４９ライン上の組
成は、Ｇｅ量が７ａｔ％〜１７ａｔ％の範囲である。

【００４５】実施例４次に実施例２におけるＧ点を中心にＴｅの添加効果を示
す。光ディスク構造は実施例２と同じとし、記録膜組成
をＴｅとＧｅ１２Ｓｂ３９Ｔｅ４９（Ｇ点）を結ぶ直線
上で変化させて、実施例２と同様の記録方法で信号を記
録し、そのジッターを測定した。また熱的安定性、記録
感度も測定した。結果を図９に示す。記録時のジッター
Ｊ０はＴｅが５０ａｔ％付近において極小値を示した。５０ａｔ％よりＴｅ量が増加すると結晶化速度が速くな
りすぎて記録マーク形状が歪み、減少すると結晶化速度
が遅くなって消去率が悪くなり以前に記録されていた信
号の影響を受けるものと考えられる。また８０℃１０日
間後のジッターＪ１０はＴｅ量が５５ａｔ％より多くな
ると記録時のジッターＪ０より大きくなる。これは結晶
化温度が下がり、熱的に不安定になるためと考えられる
。記録感度はこの組成範囲ではＴｅ量にあまり依存しな
かった。

【００４６】以上より本発明による放熱構造と記録方法
に適したＴｅ−Ｇｅ１２Ｓｂ３９Ｔｅ４９ライン上の組
成は、Ｔｅ量が４４ａｔ％〜５４ａｔ％の範囲である。

【００４７】実施例２〜４より本発明による放熱構造と
記録方法に適したＧｅＳｂＴｅ合金の組成範囲は、Ｇｅ
１２Ｓｂ３９Ｔｅ４９（Ｇ点）を中心にして、７≦Ｇｅ
≦１７ａｔ％，３４≦Ｓｂ≦４４ａｔ％，４４≦Ｔｅ≦
５４ａｔ％で囲まれた範囲、すなわち図２のＡＢＣＤＥ
Ｆで囲まれた範囲である。

【００４８】実施例５次に記録膜の膜厚範囲を決定するための実施例を示す。光ディスク構造と記録膜組成は実施例１における光ディ
スクＡと同様にして記録膜の膜厚のみ変化させて作成し
、実施例２と同様の記録方法で信号を記録し、そのジッ
ターと記録感度を測定した。結果を図１０に示す。ジッ
ターＪ０は膜厚が２５ｎｍ以下では２０ｎｓｅｃ程度と
非常に小さく一定であるが、２５ｎｍを越えると大きく
なり３５ｎｍ以上では３０ｎｓｅｃを越えてしまう。こ
れは記録膜の熱容量が大きくなり蓄熱現象が現れ、記録
マークの形状歪が大きくなったためと考えられる。また
記録感度は逆に記録膜が１５ｎｍより薄くなると悪くな
り、１０ｎｍ未満では記録パワーは１０ｍＷを越えてし
まう。これは記録膜厚が１０ｎｍ未満では記録膜による
レーザー光の吸収が悪くかつ放熱効果が大きくなるため
と考えられる。

【００４９】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適したＧｅＳｂＴｅ記録膜の膜厚はジッター、記録感
度の両方の観点から１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下がよく、
特に１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下が優れている。

【００５０】実施例６さらに反射膜側の誘電体膜４の膜厚範囲を決定するため
の実施例を示す。光ディスク構造と記録膜組成は実施例
１における光ディスクＡと同様にして誘電体膜４の膜厚
のみ変化させて作成し、実施例２と同様の記録方法で信
号を記録し、そのジッターと記録感度を測定した。結果
を図１１に示す。ジッターＪ０は誘電体４の膜厚が２５
ｎｍ以下では２０ｎｓｅｃ程度と非常に小さく一定であ
るが、２５ｎｍを越えると大きくなり４０ｎｍより厚く
なると３０ｎｓｅｃを越えてしまう。これは記録膜から
反射膜への放熱が小さくなり蓄熱現象が現れ、記録マー
クの形状歪が大きくなったためと考えられる。また記録
感度は逆に誘電体膜４が１０ｎｍより薄くなると悪くな
り、５ｎｍ未満では記録パワーは１０ｍＷを越えてしま
う。これは記録膜が反射膜に接近しすぎて放熱効果が大
きくなりすぎたためと考えられる。

【００５１】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適した誘電体膜４の膜厚はジッター、記録感度の両方
の観点から５ｎｍ以上４０ｎｍ以下がよく、特に１０ｎ
ｍ以上２５ｎｍ以下が優れている。

【００５２】実施例７さらに反射膜５の膜厚範囲を決定するための実施例を示
す。光ディスク構造と記録膜組成は実施例１における光
ディスクＡと同様にして反射膜５の膜厚のみ変化させて
作成し、実施例２と同様の記録方法で信号を記録し、そ
のジッターと記録感度を測定した。結果を図１２に示す
。ジッターＪ０は反射膜５の膜厚が４５ｎｍ以上では２
０ｎｓｅｃ程度と非常に小さく一定であるが、４５ｎｍ
より薄くなると大きくなり３５ｎｍ未満では３０ｎｓｅ
ｃを越えてしまう。これは反射膜の放熱効果が小さくな
り蓄熱現象が現れ、記録マークの形状歪が大きくなった
ためと考えられる。また記録感度は反射膜厚が大きくな
るにつれて悪くなるものの、記録パワーは４５ｎｍ以上
ではほぼ飽和する。

【００５３】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適した反射膜５の膜厚はジッター、記録感度の両方の
観点から３５ｎｍ以上がよく、特に４５ｎｍ以上が優れ
ている。

【００５４】実施例８次に基板膜側の誘電体膜２の膜厚範囲を決定するための
実施例を示す。誘電体膜２の膜厚は光ディスクの放熱特
性そのものに大きな影響を与えるものではないが、光デ
ィスクの光学的特性、例えば反射率やＣＮＲに影響を及
ぼすものである。光ディスク構造と記録膜組成は実施例
１における光ディスクＡと同様にして誘電体膜２の膜厚
のみ変化させて作成し、実施例２と同様の記録方法で信
号を記録し、そのジッターと記録感度を測定した。結果
を図１３（ａ）に示す。ジッターＪ０は誘電体２の膜厚
にあまり依存せず、かなり広い範囲で良好な値を示した
。また記録パワーは１００ｎｍ未満あるいは１８０ｎｍ
を越える膜厚で１０ｍＷを越えてしまい、記録感度が悪
い。これは光ディスクの反射率が１００ｎｍ未満あるい
は１８０ｎｍを越える膜厚において大きくなってしまい
、照射されたレーザーパワーの記録膜における吸収率が
悪くなったためと考えられる。

【００５５】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適した誘電体膜２の膜厚は、反射膜がＡｕの場合、ジ
ッター、記録感度の両方の観点から１００ｎｍ以上１８
０ｎｍ以下がよい。

【００５６】しかしながら、反射膜の材質を替えると誘
電体膜２の最適膜厚はＡｕの場合とは異なった。以下に
反射膜がＡｌの場合の実施例を示す。

【００５７】Ａｌ反射膜の場合における誘電体膜２の膜
厚範囲を決定する実験を上記実施例と同様の方法で行っ
た。反射膜はＡｕ：５０ｎｍからＡｌ：２５０ｎｍに置
換した。その他の光ディスク構造と記録膜組成は上記実
施例と同様である。誘電体膜２の膜厚のみ変化させて作
成し、実施例８と同様の記録方法で信号を記録し、その
ジッターと記録感度を測定した。結果を図１３（ｂ）に
示す。ジッターＪ０は誘電体２の膜厚にあまり依存せず
、かなり広い範囲で良好な値を示した。また記録パワー
は１３０ｎｍを超えて１８０ｎｍ未満の膜厚で１０ｍＷ
を越えてしまい、記録感度が悪い。これは反射膜をＡｌにした場合、光ディスクの反射率が
誘電体膜２の膜厚が１３０ｎｍを超えて１８０ｎｍ未満
の膜厚において大きくなってしまい、照射されたレーザ
ーパワーの記録膜における吸収率が悪くなったためと考
えられる。すなわち本発明による放熱構造と記録方法に
適した誘電体膜２の膜厚は、反射膜がＡｌの場合、ジッ
ター、記録感度の両方の観点から、実験を行った５０ｎ
ｍから３００ｎｍの範囲においては１３０ｎｍ以下ある
いは１８０ｎｍ以上がよい。

【００５８】以上の実施例２〜８において光ディスクの
構成要素を決定してきたが、次に本発明による光学情報
の記録方法が最も特徴とする図５におけるパルス列の構
成を決定するｔ１，ｔ２の範囲を実施例にて示す。

【００５９】実施例９図５のパルス構成においてｔ２＝１１６ｎｓｅｃ，Ｔ＝
２３２ｎｓｅｃに保ったまま先頭パルスの幅であるｔ１
を変化させて信号を光ディスク上に記録し、再生信号の
ジッターと記録感度を測定した。光ディスクは実施例１
の光ディスクＡをもちいた。結果を図１４（ａ）に示す
。ジッターＪ０は先頭パルスの幅ｔ１が約３５０ｎｓｅ
ｃすなわち後続パルスの幅ｔ２の３倍のときに最小とな
り、それよりもｔ１が小さくても大きくてもジッターは
大きくなる。ｔ１がｔ２の３倍より小さくなると記録マ
ークの先頭において十分な昇温が得られず、先端部分が
小さくなってマーク形状が歪み、逆に３倍より大きくな
ると先端部分が大きくなってマーク形状が歪むためと考
えられる。図１４（ａ）からジッターが３０ｎｓｅｃよ
り小さくなるのはｔ１の値がｔ２の２倍以上３．５倍以
下のときであり、特に３倍のとき最小になる。また記録
感度はｔ１の値が小さくなるにつれて悪くなるものの特
に問題とはならない。

【００６０】しかしながら先頭パルスの幅の最適値は光
学ヘッド８中の半導体レーザーの波長および対物レンズ
のＮＡによって変わることが分かった。これは半導体レ
ーザーの波長および対物レンズのＮＡによって光ディス
ク上でのレーザースポットの直径が変わることに起因す
るものと思われるが詳細は不明である。以下に光学ヘッ
ド８中の半導体レーザーの波長を７８０ｎｍ、対物レン
ズのＮＡを０．５５とした場合の結果について示す。

【００６１】この場合も上記実施例と同様に、図５のパ
ルス構成においてｔ２＝１１６ｎｓｅｃ，Ｔ＝２３２ｎ
ｓｅｃに保ったまま先頭パルスの幅であるｔ１を変化さ
せて信号を光ディスク上に記録し、再生信号のジッター
と記録感度を測定した。光ディスクは実施例１の光ディスクＡをもちいた。結果
を図１４（ｂ）に示す。ジッターＪ０は先頭パルスの幅
ｔ１が約４６０ｎｓｅｃすなわち後続パルスの幅ｔ２の
４倍のときに最小となり、それよりもｔ１が小さくても
大きくてもジッターは大きくなる。すなわち図１４（ａ
）に比べて先頭パルス幅ｔ１の最適値は長い方へシフト
しているのが分かる。図１４（ｂ）からジッターが３０ｎｓｅｃより小さくな
るのはｔ１の値がｔ２の３倍以上４．５倍以下のときで
あり特に４倍のとき最小になる。また記録感度はｔ１の
値が小さくなるにつれて悪くなるものの特に問題とはな
らない。

【００６２】本実施例から、先頭のパルス幅ｔ１は後続
パルスの幅ｔ２の２倍以上４．５倍以下がよいことがわ
かる。

【００６３】なお本実施例では先頭パルスは常に一つと
した場合について記したが、これは先頭パルスを２つ以
上に分割するとジッターが大きく増大したためであり、
本発明による放熱構造の光ディスクには先頭パルスは一
つであるＭＰ記録方法が適している。

【００６４】実施例１０図５のパルス構成においてＴ＝２３２ｎｓｅｃとし、ま
た実施例９の結果に基づきｔ１＝３×ｔ２の関係を保っ
て後続パルスの幅であるｔ２を変化させて信号を光ディ
スク上に記録し、再生信号のジッターと記録感度を測定
した。光学ヘッド８中の半導体レーザーの波長は８３０
ｎｍ，対物レンズのＮＡは０．５である。光ディスクは
実施例１の光ディスクＡをもちいた。結果を図１５に示
す。ジッターＪ０は後続パルスの幅ｔ２が広くなるにつ
れて大きくなるが、これは後続パルスの間隔が狭くなり
蓄熱現象が現れるためと考えられる。ｔ２が約１７５ｎ
ｓｅｃ以下のとき、すなわち後続パルスの繰り返し周期
Ｔ＝２３２ｎｓｅｃの３／４以下のときにはジッターは
３０ｎｓｅｃ以下となった。なお記録感度はｔ２の値が
小さくなるにつれて急激に悪くなったが、これはパルス
幅が短くなるにつれて記録膜を融点以上に昇温させるた
めのエネルギーを瞬時に与える必要があるからである。ｔ２が約８５ｎｓｅｃ以上のとき、すなわち後続パルス
の繰り返し周期Ｔ＝２３２ｎｓｅｃの３／８以上のとき
には記録パワーは１０ｍＷ以下である。

【００６５】すなわち本発明による放熱構造の光ディス
クの場合には後続パルスの幅ｔ２は後続パルスの繰り返
し周期Ｔの３／８以上３／４以下がよく、特にジッター
が小さく記録パワーも小さいのはｔ２がＴの１／２のと
きである。

【００６６】以上の実施例１〜１０では１ビームオーバ
ーライトにより信号を記録している。１ビームオーバー
ライトで信号を記録する場合には古い信号の消し残りが
生じる場合があり、消し残りが大きいとジッター増大の
原因となる。次の実施例では１ビームオーバーライトで
信号を記録する前に、予めレーザーパワーを記録膜が溶
融するパワーレベル以上で一定に保って連続的に照射し
た場合についてのべる。

【００６７】実施例１１実施例１における光ディスクＡ，ＢとＭＰ記録方式をそ
のまま採用して１ビームオーバーライトを９回行った後
に、レーザーパワーを記録パワーＰｐと同じレベルにし
て信号トラック上を照射したのち、再び１ビームオーバ
ーライトにより信号を記録して、再生信号のジッターを
測定した。測定結果は光ディスクＡが１５ｎｓｅｃ，　
光ディスクＢが３７ｎｓｅｃとなり、ともに（表１）の
結果より改善されている。したがって信号を記録する前
に予めレーザーパワーを記録膜が溶融するパワーレベル
以上で一定に保って連続的に照射することがジッター低
減に効果的であることが分かる。

【００６８】

【発明の効果】本発明の光ディスクは蓄熱現象を低減す
るのに大きな効果があると共に、良好な消去速度、記録
感度、熱的安定性を実現することができる。

【００６９】また本発明による光学情報の記録方法も、
記録マークの終端部での蓄熱現象を低減することができ
る。

【００７０】さらに、記録ビームが通過する前に予めレ
ーザーパワーを記録膜が溶融するパワーレベル以上で一
定に保って連続的に照射すれば古い信号はほぼ完全に消
去され、ジッターを低減できる。

【００７１】上記光ディスクと光学情報の記録方法はそ
れぞれ単独でも記録マークの形状歪を低減する効果は十
分に認められるが、双方を同時に採用することで相乗効
果により、１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃという低線速度に
おいてもＣＤと同じ程度の再生信号品質を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスクの断面図である。

【図２】本発明による光ディスクの記録膜の組成範囲図
である。

【図３】本発明による光学情報の記録方法における信号
波形の変換例を示す図である。

【図４】本発明による光学情報の記録方法における出力
レーザー波形を示す図である。

【図５】本発明による光学情報の記録方法における変換
波形を説明する図である。

【図６】本発明による光学情報の記録方法を実現する記
録装置の一例を示す図である。

【図７】記録膜組成（Ｓｂ量をパラメータ）と記録特性
の関係を示す図である。

【図８】記録膜組成（Ｇｅ量をパラメータ）と記録特性
の関係を示す図である。

【図９】記録膜組成（Ｔｅ量をパラメータ）と記録特性
の関係を示す図である。

【図１０】記録膜厚と記録特性の関係を示す図である。

【図１１】反射膜側の誘電体４の膜厚と記録特性の関係
を示す図である。

【図１２】反射膜厚と記録特性の関係を示す図である。

【図１３】基板側の誘電体２と記録特性の関係を示す図
である。

【図１４】マルチパルスの先頭パルスの幅と記録特性の
関係を示す図である。

【図１５】マルチパルスの後続パルスの幅と記録特性の
関係を示す図である。

【図１６】従来例の光ディスクの記録膜の組成を示す図
である。

【図１７】従来例の光ディスクの構造を示す図である。

【図１８】記録マークの形状歪の原因を説明する図であ
る。１　　基板２　　誘電体膜３　　記録膜４　　誘電体膜５　　反射膜６　　光ディスク７　　スピンドルモータ８　　光学ヘッド１０　　マルチパルス回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　基板上に誘電体膜、記録膜、誘電体膜
、反射膜の順に積層した光ディスクにおいて、前記記録
膜は、組成がＧｅｘＳｂｙＴｅｚ（７≦ｘ≦１７，　３
４≦ｙ≦４４，　４４≦ｚ≦５４，　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０　ａｔ％）　で表され、かつ膜厚は１０ｎｍ以上３５
ｎｍ　以下であり、反射膜側の前記誘電体膜の膜厚は５
ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、かつ前記反射膜は少なく
ともＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒの単体あるいは合金
からなり、かつ膜厚は３５ｎｍ以上であることを特徴と
する光ディスク。
【請求項２】　　記録膜の組成が化合物ＧｅＳｂ２Ｔｅ
４とＳｂを結ぶライン上の組成であることを特徴とする
請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】　　記録膜の組成がＧｅ１２Ｓｂ３９Ｔｅ
４９で表されることを特徴とする請求項２記載の光ディ
スク。
【請求項４】　　記録膜の膜厚が１５ｎｍ以上２５ｎｍ
　以下であることを特徴とする請求項１記載の光ディス
ク。
【請求項５】　　誘電体膜がＺｎＳ，ＳｉＯ２，Ｓｉ３
Ｎ４，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物，Ｚ
ｎＳｅとＳｉＯ２の混合物の少なくとも一種類からなる
ことを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
【請求項６】　　反射膜側の誘電体膜の膜厚が１０ｎｍ
以上２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
の光ディスク。
【請求項７】　　反射膜の膜厚が４５ｎｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
【請求項８】　　基板上に誘電体膜、記録膜、誘電体膜
、反射膜の順に積層し、前記記録膜は、組成がＧｅｘＳ
ｂｙＴｅｚ（　７≦ｘ≦１７，　３４≦ｙ≦４４，　４
４≦ｚ≦５４，　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００　ａｔ％）　で表
され、かつ膜厚は１０ｎｍ以上３５ｎｍ　以下であり、
反射膜側の前記誘電体膜の膜厚は５ｎｍ以上４０ｎｍ以
下であり、かつ前記反射膜は少なくともＡｕ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，Ｃｒの単体あるいは合金からなり、かつ膜厚
は３５ｎｍ以上であることを特徴とする光ディスク上に
、パルス幅変調されたデジタル信号を一つのレーザース
ポットを用いてオーバーライトする光学情報の記録方法
において、光ディスクをレーザースポットとの相対速度
が１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃの間の一定速度となるよう
に回転させるステップと、前記デジタル信号に含まれる
それぞれのパルスを複数のパルスからなるパルス列に変
換するステップと、レーザーパワーを前記パルス列によ
り消去レベルと記録レベルの間で変調して、それぞれの
前記パルス列でそれぞれ一つの記録マークを光ディスク
上に形成して前記デジタル信号を記録するステップから
なり、前記パルス列は先頭パルスと後続パルス列からな
り、前記先頭パルスの幅は常に一定でかつ後続パルス列
中の各パルスの幅より大きく、前記後続パルス列中の各
パルスの幅と間隔はそれぞれ等しく、かつ長さがｎ番目
の記録マークを形成する場合の前記後続パルス中のパル
ス数はｎ−１個であることを特徴とする光学情報の記録
方法。
【請求項９】　　基板上に誘電体膜、記録膜、誘電体膜
、反射膜の順に積層し、前記記録膜は、組成がＧｅｘＳ
ｂｙＴｅｚ（　７≦ｘ≦１７，　３４≦ｙ≦４４，　４
４≦ｚ≦５４，　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００　ａｔ％）　で表
され、かつ膜厚は１０ｎｍ以上３５ｎｍ　以下であり、
反射膜側の前記誘電体膜の膜厚は５ｎｍ以上４０ｎｍ以
下であり、かつ前記反射膜は少なくともＡｕ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，Ｃｒの単体あるいは合金からなり、かつ膜厚
は３５ｎｍ以上であることを特徴とする光ディスク上に
、パルス幅変調されたデジタル信号を記録する光学情報
の記録方法において、光ディスクをレーザースポットと
の相対速度が１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃの間の一定速度
となるように回転させるステップと、古い記録マークの
消去はレーザーパワーを前記記録膜が溶融するパワーレ
ベル以上で一定に保って連続的に照射して行うステップ
と、前記デジタル信号に含まれるそれぞれのパルスを複
数のパルスからなるパルス列に変換するステップと、レ
ーザーパワーを前記パルス列により消去レベルと記録レ
ベルの間で変調して、それぞれの前記パルス列でそれぞ
れ一つの記録マークを光ディスク上に形成して前記デジ
タル信号を記録するステップからなり、前記パルス列は
先頭パルスと後続パルス列からなり、前記先頭パルスの
幅は常に一定でかつ後続パルス列中の各パルスの幅より
大きく、前記後続パルス列中の各パルスの幅と間隔はそ
れぞれ等しく、かつ長さがｎ番目の記録マークを形成す
る場合の前記後続パルス中のパルス数はｎ−１個である
ことを特徴とする光学情報の記録方法。
【請求項１０】　　レーザーパワーの変調はパルス列の
対応する変換前のパルス幅の期間だけ記録レベルと再生
レベルまたはオフレベルとの間で行われることを特徴と
する請求項８または９記載の光学情報の記録方法。
【請求項１１】　　先頭パルスの幅は後続パルス列の各
パルスの幅の２倍以上４．５倍以下であることを特徴と
する請求項８または９記載の光学情報の記録方法。
【請求項１２】　　後続パルス列中の各パルスの幅は後
続パルスの繰り返し周期の３／８以上３／４以下である
ことを特徴とする請求項８または９記載の光学情報の記
録方法。
【請求項１３】　　後続パルス列中の各パルスの幅は後
続パルスの繰り返し周期の１／２であることを特徴とす
る請求項１２記載の光学情報の記録方法。
【請求項１４】　　デジタル信号がＣＤ規格のＥＦＭ信
号であることを特徴とする請求項８または９記載の光学
情報の記録方法。
【請求項１５】　　記録膜の組成が化合物ＧｅＳｂ２Ｔ
ｅ４とＳｂを結ぶライン上の組成であることを特徴とす
る請求項８または９記載の光学情報の記録方法。
【請求項１６】　　記録膜の組成がＧｅ１２Ｓｂ３９Ｔ
ｅ４９で表されることを特徴とする請求項１５記載の光
学情報の記録方法。
【請求項１７】　　記録膜の膜厚が１５ｎｍ以上２５ｎ
ｍ　以下であることを特徴とする請求項８または９記載
の光学情報の記録方法。
【請求項１８】　　誘電体膜がＺｎＳ，ＳｉＯ２，Ｓｉ
３Ｎ４，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物，
ＺｎＳｅとＳｉＯ２の混合物の少なくとも一種類からな
ることを特徴とする請求項８または９記載の光学情報の
記録方法。
【請求項１９】　　反射膜側の前記誘電体膜の膜厚が１
０ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
８または９記載の光学情報の記録方法。
【請求項２０】　　反射膜の膜厚が４５ｎｍ以上である
ことを特徴とする請求項８または９記載の光学情報の記
録方法。