JP2003281722A

JP2003281722A - 光情報記録方法および媒体

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Publication number: JP2003281722A
Application number: JP2002080005A
Authority: JP
Inventors: Masanori Kato; 将紀加藤
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2002-03-22
Filing date: 2002-03-22
Publication date: 2003-10-03
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Also published as: JP3866598B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣＡＶ（ＣｏｎｓｔａｎｔＡｎｇｕｌａｒ
Ｖｅｌｏｃｉｔｙ：各速度一定記録）またはＺ−ＣＬ
Ｖ（Ｚｏｎｅ−ＣｏｎｓｔａｎｔＬｉｎｅａｒＶｅｌ
ｏｃｉｔｙ：半径位置ごとに線速度を変更し、擬似的に
ＣＡＶを実現する方法）を用い外周部で高い走査速度に
なる場合でも、低い記録パワーで十分な変調度をとる事
ができる光情報記録媒体の記録方法の提供。【解決手段】基板上に少なくとも１層以上の記録層と
少なくとも１層以上の反射層を有する媒体に光を照射・
走査することで記録層に相変化または状態変化を生じさ
せることで情報の記録、再生、書換えまたは消去を行う
ディスク状の光情報記録媒体の記録方法において、長さ
Ｌの記録マークを形成するときに照射する光が複数のパ
ルスに分割されており、かつＮ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌ（Ｎ１
はｒ＜ｒ０のときのパルス数、Ｎ２はｒ≧ｒ０のときの
パルス数、ｒはディスク状の光情報記録媒体の半径位
置、ｒ０は任意の半径である）であることを特徴とする
光情報記録媒体の記録方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＰＤ等の相
変化型光ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】情報記録再生方法として、パルス分割し
て記録する方法があるが（特開平９−２１９０２１）、
走査速度によりパルス数を変化させることに関する記述
はない。また、光記録方法及び光記録媒体に関して、パ
ルス分割して記録する方法があるが（特開２００１−３
３１９３６）、半径位置によって、パルス数を変更する
記述はない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、光情報記録媒体
の高速記録が進んでいる。特にコンパクトディスクをベ
ースとした記録媒体であるＣＤ−Ｒは記録モードの簡易
さと幅広い記録速度マージンから高速化が進み、基準速
度からその３２倍相当の記録まで可能になっている。同
様にコンパクトディスクをベースとした書き換え型ディ
スクＣＤ−ＲＷがあるが、記録モードが急冷、徐冷を制
御することによって行う相変化材料を記録層材料に用い
ているため、熱記録モードが複雑で高速化には困難が多
いことが知られている。また、記録方法も複雑であり、
記録するマークの大きさに応じてパルス分割し、強度変
調された光を照射することによるため、ＣＤ−Ｒ系の記
録方法に対して、発光素子に求められる応答性が高くな
ければならず、記録装置としても困難が多くなってい
る。さらに、ディスク状の媒体に高速記録する場合は、
回転数を上げることが必要である。

【０００４】そこで、従来のＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ
ＬｉｎｅａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ：線速度一定）で走
査して記録する場合は、内周部の回転数を非常に上げる
必要があるため高速化には適さない。それに対して、Ｃ
ＡＶ（ＣｏｎｓｔａｎｔＡｎｇｕｌａｒＶｅｌｏｃ
ｉｔｙ：各速度一定）で走査して記録する場合は、回転
数を一定にしてなおかつ、ディスク外周部では高い線速
度で記録できるのでメリットが大きい。ＣＡＶで記録す
る場合は、実際の線速度は５インチ径のディスク状媒体
の場合は内周部と外周部で２．４倍分の速度差が発生す
る。つまり、異なる走査速度で同一の特性を実現する記
録媒体および記録方法が必要となっている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くとも１層以上の記録層と少なくとも１層以上の反射層
を有する媒体に光を照射・走査することで記録層に相変
化または状態変化を生じさせることで情報の記録、再
生、書換えまたは消去を行うディスク状の光情報記録媒
体の記録方法において、長さＬの記録マークを形成する
ときに照射する光が複数のパルスに分割されており、か
つＮ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌ（Ｎ１はｒ＜ｒ０のときのパルス
数、Ｎ２はｒ≧ｒ０のときのパルス数、ｒはディスク状
の光情報記録媒体の半径位置、ｒ０は任意（基準）の半
径である）であることを特徴とする光情報記録媒体の記
録方法を提供することができた。

【０００６】以下、本発明について詳述する。本発明の
光情報記録媒体への記録方法は、媒体中の記録層に光ビ
ームを集光し、媒体を走査することで行う。記録は光ビ
ームの強度変調によって行う。記録される情報は任意の
ものであるが、記録する際にはマーク長変調、マークエ
ッジ変調またはパルス幅変調（ＰＷＭ）と呼ばれる方法
で変調された情報を記録する。ＰＷＭ変調の方法として
は、記録するデータの長さ等に従って任意の変調方式を
採用して良いが、例としてコンパクトディスクのＥＦＭ
変調、ＤＶＤのＥＦＭ＋変調などがある。このようなＰ
ＷＭ変調された情報は基本周期Ｔに対してｎＴの長さの
マークとマーク間のスペース（ランド）として媒体上に
記録される。このとき、ｎは自然数であり変調方式によ
ってその範囲が決定される。ＥＦＭ変調の場合はｎ＝３
〜１１であり、ＥＦＭ＋変調ではｎ＝３〜１１、１４と
なっている。

【０００７】前記のようなｎＴのマークを形成するに
は、記録層に集光された光を照射することで形成する。
このような光記録装置の構成例として、ディスク状の光
情報記録媒体の場合について図１に示す。（１）ディスク状光情報記録媒体１はその中心を固定さ
れ、（２）回転モータ２に接続される。これによりディ
スク１の回転速度が制御され、（３）光ピックアップ４
との相対速度つまりビームの走査速度Ｖが制御される。
（３）光ピックアップ４からはコリメータレンズ、対物
レンズ等の単数または複数のレンズ３で集光されたビー
ムが射出され（１）の媒体内の記録層近傍に焦点があう
ように制御される。情報の記録はＰＷＭ変調された情報
を（４）記録信号変調装置にて強度変調され、光ピック
アップから記録光として射出され媒体に照射される。

【０００８】記録光の強度変調の方式には多数の法式が
あるが、制御のしやすさからパルス発光を用いる。パル
ス発光の手法としては、ひとつの記録マークに対してひ
とつのパルス発光で記録するシングルパルス法と、ひと
つの記録マークに対して複数のパルス発光を用いるマル
チパルス法とに分けられる。マルチパルス法の発光波形
の例を図２に示す。例は図２（ａ）に示すように６Ｔの
長さのマークを記録する場合についてである。ここで記
録極性の例はＬｏｗｔｏＨｉｇｈであり、図２
（ａ）のＨｉｇｈレベル（１と記述）がマークに相当
し、Ｌｏｗレベル（０と記述）がスペース（マーク）に
相当する。

【０００９】図２（ｂ）〜（ｄ）にマルチパルス法の例
を示す。ここで図に示す通りパルスの数は任意に設定で
きる。図２（ｂ）の例では６Ｔの長さのマークを記録す
る場合に５個のパルス発光を用いる場合である。つまり
ｎＴの長さのマークを記録するために、Ｎ＝（ｎ−１）
個のパルスを用いる。パルスの強度はＰｗ、Ｐｅ、Ｐｂ
に分けられ強度変調されている。それぞれの強度はＰｗ
＞Ｐｅ＞Ｐｂの関係にあり、Ｐｗは記録パワーと呼ば
れ、この強度で発光している時間と強さでマークの特性
が決定される。それに対してＰｂはバイアスレベルと呼
ばれ、媒体に影響しない程度、好ましくは再生パワー以
下に押さえられ、通常は０．５〜２ｍＷ程度である。Ｐ
ｗとＰｂで変調されたパルスを照射することで、媒体の
記録層を溶融からの急冷状態にするため相変化を発生
し、反射率の低い状態、アモルファス状態のマークを形
成できる。Ｐｅは消去パワーまたはイレースパワーであ
り、スペースを記録すなわちマークを記録するときに照
射する強度である。ＰｅはＰｗの０．１倍から０．７倍
程度であり、さらに好ましくは０．２〜０．６の範囲で
ある。Ｐｅを照射することで記録層を溶融状態から徐冷
または結晶化温度以上からの徐冷を行うことになり、反
射率の高い結晶化状態となる。つまりスペースが記録
（マークが消去）される。

【００１０】各パルスの幅は任意に設定できるが、１パ
ルス目を広めに設定し、２パルス以降のパルス幅Ｔｍｐ
は同一とするのが制御上単純であると同時に多種の長さ
のマークを形成する場合にマーク長のばらつきを押さえ
ることができるため有利である。Ｔｍｐはマルチパルス
法を用いる場合、１パルス目の発光幅Ｔｔｏｐ、最後の
冷却パルス幅Ｔｏｆｆを固有の幅に設定することができ
る。Ｔｔｏｐは０．２Ｔ〜１．５Ｔの範囲であることが
好ましく、Ｔｍｐは０．２Ｔ〜０．７Ｔの範囲であるこ
とが好ましく、Ｔｏｆｆは０．２Ｔ〜１．５Ｔの範囲に
あることが好ましい。

【００１１】図２のマルチパルス法を用いる場合、パル
スの数も重要な要因となる。パルスの数としては、図２
の（ｂ）に示すＮ＝（ｎ−１）個のパルスで記録するの
が最も単純でありマーク長さをそろえる上で有利であ
る。Ｎ＝（ｎ−１）個のマルチパルス法はＣＤ−ＲＷ、
ＤＶＤ−ＲＷ等の相変化記録媒体の記録方法として採用
されている。マルチパルス法は記録する走査速度に対し
てＴｍｐを変化させることで、異なる記録速度でも同等
の記録パワーで記録することが可能となる。その例とし
てＨＳＣＤ−ＲＷの標準規格であるオレンジブックパ
ート３ｖｏｌｕｍｅ２で採用されている手法があり、
記録線速４．８ｍ／ｓ（４倍速）ではＴｍｐ＝０．２Ｔ
であり、９．６ｍ／ｓ（８倍速）ではＴｍｐ＝０．４
Ｔ、１２．０ｍ／ｓ（１０倍速）では０．５Ｔとなって
いる。このように記録パワーをそろえることが可能であ
るため、本来ＣＬＶ記録が主流であるＣＤ−ＲＷにＣＡ
Ｖ記録または半径位置ごとに走査速度をＣＡＶ的に変化
させ、ＣＬＶで擬似的なＣＡＶを行うゾーンＣＬＶ法等
が採用できる。他の例としてＮ＝（ｎ−２）個のパルス
で記録する例を図２（ｃ）に示した。

【００１２】このようなマルチパルス法は短いマークも
長いマークを記録する場合も媒体の熱伝導の影響を受け
にくく、均一にエネルギーを加えることが可能なため、
ひずみの少ないマークを形成することができ、ジッタを
改善できる。また媒体にかかるエネルギー量も小さくな
るため、多数回の繰り返し記録でも劣化が遅い傾向にあ
る。しかし、基本クロック周期に近い細い発光パルスを
射出する必要があるため、高周波数に対応でき、応答の
速い回路（レーザーダイオード、アナログ回路）が必要
となる。つまり、ＣＡＶ記録を行った場合には、ディス
ク半径をｒとするとき、ｒがある半径ｒ０よりも外周で
あるｒ≧ｒ０の領域では発光パルスがＬＤの周波数特性
などの影響でひずんでしまう。ひずみの例を図３に示
す。図３の点線が理想的な発光波形の場合、高速になる
と図３（ａ）の実線のように、ＬＤの回路の周波数特性
により、ひずんでしまう。さらに高速になると図３
（ｂ）の実線のようになり、波形がひずむと同時にＰｗ
がΔＰｗ分だけ低下してしまい、パワーがかからないと
いうデメリットが発生する。さらに、ＰｂがΔＰｂ分だ
け高くなってしまい、十分な冷却効果が得られないとい
う問題が発生する。つまり、マークの形成の効率が著し
く低下するために、十分な変調度が確保できなくなって
しまう。

【００１３】そこで、特開２００１−０５６９５８で開
示されているパルスの発光周期を２倍にする方法があ
る。この方法では、Ｎ＝（ｎ−１）個のパルスで記録す
る場合に比べてＰｗの発光の実時間が長いため、媒体に
高い効率でエネルギーが照射され、速い走査線速でも低
いパワーで高い特性が確保できる。また、高速記録に対
応するために、発光波形がひずんでしまう場合でも、パ
ルス幅が広いために、図３（ｃ）に示す通り、ひずみの
影響を受けにくく、Ｐｗ低下、Ｐｂ上昇を防止すること
ができる。しかし、このような２Ｔ周期の記録方法を用
いた場合には、長さＬ＝ｎＴのマークのためにｎ＝２ｍ
＋１とｎ＝２ｍの場合（ｍ＝１、２、３・・・・）にパ
ルスの数Ｎが同一になる。つまり、ｍ＝１の時（Ｌ＝２
Ｔ、３Ｔのマーク）はＮ＝１個のパルスで記録し、ｍ＝
２の時（Ｌ＝４Ｔ、５Ｔ）はＮ＝２個のパルスで記録す
る。そのため、パルスの発光タイミング、パルスの発光
の長さ等を、それぞれのＬに対して個別に決定する必要
がある。

【００１４】図４に光記録媒体の特性である変調度のＰ
ｗ依存性と記録方法依存性を示す。通常記録速度によら
ず、変調度は図４（ａ）の曲線に示すような曲線をと
る。つまり、Ｐｗが高いほど高い変調度がでる。一般に
変調度が高いほど再生信頼性があるとみなされ、一般に
は０．５以上、さらに好ましくは０．６以上であること
が好ましい。つまり高いＰｗほど良い特性が得られる。
しかし、高い走査速度で記録する場合は、同一のＰｗで
あっても、媒体に照射されるエネルギー量は減少するた
め、一般に変調度は低くなる。さらに、図３（ｂ）に示
したように、発光波形にひずみが発生した場合は、さら
にエネルギー量が減少してしまう。結果として、図４
（ｂ）に示すように低い変調度となってしまう。一方図
２（ｄ）に示す記録方法を用いた場合は、高い走査速度
で記録しても、高い変調度を確保することができ図４
（ｃ）に示す通りになり、従って良好な記録特性をえる
ことが可能となる。

【００１５】ここで、ＣＡＶ記録または擬似的なＣＡＶ
記録である、ＺｏｎｅＣＬＶを考える。これらの記録
方法においては、図５に示す通り走査速度ｖはディスク
半径位置ｒに対して線形に変動し、外周部に行くほど高
い。つまりｒ１＜ｒ２ならばＶ１＜Ｖ２の関係が成り立
つ。本発明の記録方法は、ある基準半径ｒ＝ｒ０よりも
内周であるｒ＜ｒ０の領域では、長さＬのマークを記録
するパルス数Ｎ１とし、あるｒ≧ｒ０では長さＬのマー
クを記録するためにＮ２のパルスで記録し、かつＮ１／
Ｌ＞Ｎ２／Ｌ（請求項１）であることを特徴とする。

【００１６】例えばｒ＜ｒ０で図２（ｂ）の記録方法を
用い、ｒ≧ｒ０で図２（ｃ）の記録方法を用いた場合、
Ｌ＝６ＴでＮ１＝５、Ｎ２＝３となるため、ｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝５／（６Ｔ）ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝３／（６Ｔ）であり、Ｎ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌとなる。さらに５Ｔではｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝４／（６Ｔ）ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝２／（６Ｔ）であり、Ｎ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌとなる。このような記録方
法を用いることにより、ｒ≧ｒ０の高い走査速度の領域
でも、適したストラテジに変更できるため、良好な記録
信号特性を得ることができる。

【００１７】さらに、本発明の記録方法においては、ｒ
＜ｒ０とｒ≧ｒ０の領域のＰｗをそれぞれＰｗ１、Ｐｗ
２とするとき、Ｐｗ１＞Ｐｗ２であることを特徴とする
（請求項３）。図４について説明したとおり、Ｎ１／Ｌ
が小さいほど変調度が高くなる傾向にある。ｒに対する
変調度の変動を図６に示す。Ｐｗ１＝Ｐｗ２の場合をｄ
−Ｉに、Ｐｗ１＞Ｐｗ２の場合をｄ−IIに示す。ｄ−I
の場合は、ｒ＝ｒ０で変調度が不連続に変わってしま
う。そこで、ｄ−IIとすることで、変調度の不連続を解
消することができる。従って図７に示すようにＰｗをｒ
＝ｒ０で変更することが好ましい。また、Ｐｗ２は０．
７Ｐｗ１〜０．９Ｐｗ１の範囲にあることがさらに好ま
しい。

【００１８】本発明の記録方法においては、ｒ＜ｒ０で
のＰｅをＰｅ１、ｒ≧ｒ０でのＰｅをＰｅ２としたと
き、（Ｐｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐｗ２）＜１であ
ることが好ましく（請求項４）、さらに好ましくは（Ｐ
ｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐｗ２）≧０．７である。
この範囲とすることで、ｒ≧ｒ０での繰り返し記録後の
ジッタを低減することができる（請求項５）。つまり、
図９に示す通り、ｒ＝ｒ０でＰｅ／Ｐｗをｄ−IIに示す
通りに変更することによって繰り返し記録（ＤＯＷ：Ｄ
ｉｒｅｃｔＯｖｅｒＷｒｉｔｅ）後のジッタを低減
することが可能となる。ジッタは図１０に示す通り、一
回目の書換え後ではＰｗの増加に対してＪＴ１に示す通
り減少するが、１０００回後のジッタはＪＴ１Ｋのよう
にＰｗの増加に伴い増加する傾向にある。しかし、Ｐｅ
／Ｐｗを下げることにより、ＪＴ１Ｋ’のように低下さ
せることが可能となる。このＪＴ１０００はＮ／Ｌが低
いと高くなる傾向にあるため、ｒ≧ｒ０の領域では、Ｐ
ｅ／Ｐｗを下げることが好ましい。図９に示す通りにＰ
ｅ／Ｐｗを変化させると、ＤＯＷ後のジッタを図８に示
す通りｄ−Ｉからｄ−IIに下げることが可能となる。

【００１９】

【実施例】以下に本発明の実施例を示す。実施例１連続グルーブを転写したＣＤ−ＲＷ用のポリカーボネー
ト製基板上に下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、反
射放熱層を準じ積層した。下部保護層、上部保護層には
ＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合物を用いた。成膜には真空成膜
法の１種であるＲＦマグネトロンスパッタリング法を用
い、各層の膜厚を８０ｎｍ、２０ｎｍとした。記録層の
材料としては、相変化合金であるＧａＳｂＴｅ合金に添
加物としてＧｅを添加したものを用いた。その組成比を
ＧａαＳｂβＴｅγＧｅδとしたとき０．０４≦α≦０．０８０．７３≦β≦０．７９０．１９≦γ≦０．２１０．０１≦η≦０．０５の範囲であった。但しα＋β＋γ＋η＝１．０である。

【００２０】記録層の成膜にはＡｒガス雰囲気を用いた
ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用い、その膜厚は
２０ｎｍとした。反射放熱層の材料として、Ａｇを用い
た。Ａｇの純度は９９．９％ｗｔとした。反射層の成膜
には記録層と同様のＤＣマグネトロンスパッタリング法
を用いた。反射放熱層の膜厚は１５０ｎｍとした。スパ
ッタ膜を積層した基板上に樹脂製の保護膜を作成し光デ
ィスクとした。保護層の樹脂としては紫外線硬化樹脂を
スピンコート法で均一に塗布し紫外線を照射し硬化させ
ることで成膜した。保護層の膜厚は４〜１０μｍの膜厚
であった。得られた光ディスクは記録層全面が非晶質状
態のため、結晶化する必要がある。市販の相変化光ディ
スク用初期化装置を使用して全面を初期化した。初期化
装置は高出力半導体レーザーをディスクに照射・走査す
ることで行う。走査速度は５．０ｍ／ｓとし、照射する
ビーム径は幅８０μｍであった。得られたディスクはグ
ルーブ反射率２０％のＣＤ−ＲＷディスクとなった。

【００２１】このＣＤ−ＲＷディスクをＣＡＶで回転さ
せ記録を行い、記録特性を評価した。評価装置にはパル
ステック工業製ＣＤ−ＲＷ評価装置ＤＤＵ１０００を使
用した。ディスクを４８００ｒｐｍでＣＡＶ回転させ、
半径位置ｒと基本クロックｆを変動させ記録を行った。
半径位置ｒとクロックｆの関係を表１に示す。記録に用
いた光ピックアップの仕様は以下のとおりであった。ＮＡ＝０．５０：λ＝７８０ｎｍ：再生パワー＝０．７
ｍＷ：Ｐｗの範囲：２０〜３５ｍＷ

【００２２】

【表１】

【００２３】ｒ０＝４０ｍｍとし、ｒ＜ｒ０では図２
（ｂ）の方法、ｒ≧ｒ０では図２（ｄ）の方法を採用し
た。ここで、Ｐｗ１＝３０ｍＷ、Ｐｗ２＝２７ｍＷとし
た。また、Ｐｅ１／Ｐｗ１＝０．３、Ｐｅ２／Ｐｗ２＝
０．４とした。また、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｏｆｆを表
２に示した。記録は各半径位置でオーバーライト１回、
１０００回行い変調度、ジッタを測定した。但し、ｒ＝
４０ｍｍでは図１１に示す通り記録方法を変更する個所
を設けたため、ｒ＝３９．８ｍｍでも測定を行った。測
定結果を図１２〜１４に示す。ＣＤ−ＲＷの標準規格に
よると、変調度は０．５５以上、ジッタは３５ｎｓ以下
とある。この基準から判断すると、変調度の変動も小さ
く、オーバーライト後のジッタも良好であると判断でき
る。

【００２４】

【表２】

【００２５】以下に比較例を示す。比較例１実施例１で作製したディスクに同様の記録の実験を行っ
た。ただし、記録方法は図２（ｂ）のみ使用し、Ｐｗ＝
３０ｍＷ、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．３とした。Ｔｔｏｐ、Ｔｍ
ｐ、Ｔｏｆｆは実施例と同一とした。実施例と同様の評
価を行った結果を図１２〜図１４に実施例と併記した。
半径が大きくなると変調度が著しく低下し、ジッタも悪
化している。

【００２６】

【発明の効果】１．請求項１および２光情報記録媒体の記録方法においては、ディスク半径ｒ
が大きい媒体の外周部でエネルギー効率の高いパルス分
割方法を用いているので、ＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ
ＡｎｇｕｌａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ：各速度一定記録）
またはＺ−ＣＬＶ（Ｚｏｎｅ−ＣｏｎｓｔａｎｔＬｉ
ｎｅａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ：半径位置ごとに線速度を
変更し、擬似的にＣＡＶを実現する方法）を用い外周部
で高い走査速度になる場合でも、低い記録パワーで十分
な変調度をとる事ができる。２．請求項３〜請求項５光情報記録媒体の記録方法においては、記録パルス数の
変化と同時に記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅのそれぞ
れを最適化しているため、外周部の高速記録の領域でも
高い変調度を確保しつつ、良好なジッタを確保すること
ができる。３．請求項６媒体の構成材料が最適化しているため、請求項１から請
求項５に記載の記録方法を適用した場合に高変調度かつ
低ジッタの情報を記録することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ディスク状の光情報記録媒体の構成を説明した
図である。

【図２】マルチパルス法の発光波形の例を説明した図で
ある。

【図３】ＣＡＶ記録を行った場合に生じるひずみを説明
した図である。

【図４】光記録媒体の特性である変調度のＰｗ依存性と
記録方法依存性を説明した図である。

【図５】ＣＡＶ記録または擬似的なＣＡＶ記録法におい
て、ディスク半径位置ｒに対して走査速度ｖが線形に変
動を説明した図である。

【図６】ディスク半径位置ｒに対する変調度の変動を説
明した図である。

【図７】Ｐｗをｒ＝ｒ０で変更することが好ましいこと
を説明した図である。

【図８】図９に示す通りにＰｅ／Ｐｗを変化させると、
ＤＯＷ後のジッタをｄ−Ｉからｄ−IIに下げることが可
能となることを説明した図である。

【図９】ｒ＝ｒ０でＰｅ／Ｐｗをｄ−IIに示す通りに変
更することによって繰り返し記録（ＤＯＷ）後のジッタ
を低減することが可能となることを説明した図である。

【図１０】Ｐｗの増加に対してジッタの変化を説明した
図である。

【図１１】実施例１の記録方法を説明した図である。

【図１２】実施例１の測定結果を説明した図である。

【図１３】実施例１の測定結果を説明した図である。

【図１４】実施例１の測定結果を説明した図である。

【符号の説明】

１ディスク状光情報記録媒体２回転モータ３レンズ４光ピックアップＰｗパルスの強度Ｐｅパルスの強度Ｐｂパルスの強度Ｔｍｐ２パルス以降のパルス幅Ｔｔｏｐ１パルス目の発光幅Ｔｏｆｆ最後の冷却パルス幅ｎ変調方式によってその範囲が決定される自然数

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも１層以上の記録層と
少なくとも１層以上の反射層を有する媒体に光を照射・
走査することで記録層に相変化または状態変化を生じさ
せることで情報の記録、再生、書換えまたは消去を行う
ディスク状の光情報記録媒体の記録方法において、長さ
Ｌの記録マークを形成するときに照射する光が複数のパ
ルスに分割されており、かつＮ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌ（Ｎ１
はｒ＜ｒ０のときのパルス数、Ｎ２はｒ≧ｒ０のときの
パルス数、ｒはディスク状の光情報記録媒体の半径位
置、ｒ０は任意の半径である）であることを特徴とする
光情報記録媒体の記録方法。
【請求項２】請求項１に記載の光情報記録媒体の記録
方法において、ｒ＜ｒ０の走査速度をＶ１、ｒ≧ｒ０の
ときのＶ２とするときＶ１／Ｖ２≦１であることを特徴
とする光情報記録媒体の記録方法。
【請求項３】請求項１または２に記載の光情報記録媒
体の記録方法において、記録時に照射する光がＰｗ、Ｐ
ｅ、Ｐｂの３レベル（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）で強度変調さ
れ、Ｐｗ１＞Ｐｗ２（ｒ＜ｒ０の時にＰｗ＝Ｐｗ１、ｒ
≧ｒ０のときＰｗ＝Ｐｗ２）であることを特徴とする光
情報記録媒体の記録方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の光情報
記録媒体において、（Ｐｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐ
ｗ２）＜１（ｒ＜ｒ０のときＰｅ＝Ｐｅ１、ｒ≧ｒ０の
ときＰｅ＝Ｐｅ２）であることを特徴とする光情報記録
媒体の記録方法。
【請求項５】請求項４に記載の光情報記録媒体の記録
方法において、（Ｐｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐｗ
２）≧０．７であることを特徴とする光情報記録媒体の
記録方法。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の光情報
記録媒体の記録方法において、該記録層材料がＳｂ、Ｔ
ｅを主成分とする材料、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅを含む
合金またはＧｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする材料
であることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。