JP2003272147A - 記録装置及び記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化型光記録媒体に対するＣＡＶ方式によ
る情報の記録又は書換えに際して、記録品質の向上を図
ることができるようにする。 【解決手段】 相変化型光記録媒体２に対する光学的な
情報の記録又は書換えを、パルス幅変調（ＰＷＭ：Ｐul
se Ｗidth Ｍodulation）させた記録波によってマルチ
スピード方式で行う記録装置１で、変調後の信号幅がｎ
Ｔである１信号の記録又は書換えをパルス部ｆｐ、マル
チパルス部ｍｐ、パルス部ｅｐを有する記録波パルス列
記録波によって行い、パルス部ｆｐの時間幅をｘ、パル
ス部ｅｐの時間幅をｚとした場合に、時間幅ｘと時間幅
ｚとの関係が３ｚ≦ｘ≦４．５ｚを満たすようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体に対して情報の記録又は書換えを行うための記録装置
及び記録方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の情報量の増大化に伴って、例え
ば、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃompact Ｄisc Ｒead Ｏnly Ｍemo
ry）やＣＤ−Ｒ（Ｃompact Ｄisc Ｒecordable）等の大
容量の情報記録メディアが広く普及している。これらの
ＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−Ｒとの互換が取りやすいことか
ら、ＣＤ−ＲＷ（Ｃompact Ｄisc Ｒewritable）等の相
変化型光記録媒体が開発され、汎用されてきている。相
変化型光記録媒体は、１９９６年１０月に発行されたオ
レンジブックパートIII(ver１.０)に準じて線速度２倍
での記録（２.４〜２.８ｍ／ｓ）に対する規格が決めら
れている。

【０００３】このような相変化型光記録媒体に対して、
情報の記録、再生或いは書換えを高密度で行うことがで
きる光ディスク装置も、普及してきている。

【０００４】例えば、特開平９−１３８９４６号公報や
特開平９−１３８９４７号公報や特開平９−２１９０２
１号公報には、相変化型光記録媒体に対して光学的に情
報の記録又は書換えを行う際に、発光素子の出力パワー
をパルス幅変調（ＰＷＭ：Ｐulse Ｗidth Ｍodulatio
n）させて、変調後の信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時
間）である０信号の記録又は書換えをパワーレベルｅの
連続光である記録波によって行い、変調後の信号幅がｎ
Ｔである１信号の記録又は書換えを相変化型光記録媒体
の記録層を融点以上に昇温させて記録マークの先頭部を
形成させるパルス部ｆｐ、記録層を昇温させて記録マー
クの中間部を形成させるマルチパルス部ｍｐ、記録層を
冷却させて記録マークの後端を形成させるパルス部ｅｐ
を有するパルス列である記録波によって行い、ｘ，ｙ，
ｚを０.５Ｔ≦ｘ≦２.０Ｔ、０.４≦ｙ≦０.６、０.５
Ｔ≦ｚ≦１.０Ｔとし、ｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし
(ａ及びｃ）≧ｅ≧（ｂ及びｄ）とするようにした記録
装置及び記録方法についての技術が開示されている。こ
こで、パルス部ｆｐの時間幅がｘ、パルス部ｆｐのパワ
ーレベルがａ、マルチパルス部ｍｐの低レベルパルスの
パワーレベルがｂ、マルチパルス部ｍｐの高レベルパル
スのパワーレベルがｃ、マルチパルス部ｍｐにおけるパ
ワーレベルｂとパワーレベルｃとのデューティー比が
ｙ、マルチパルス部ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワ
ーレベルｃとの合計である繰返し単位の時間幅がＴ、マ
ルチパルス部ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワーレベ
ルｃとの繰返し回数がｎ−ｎ’、パルス部ｅｐの時間幅
がｚ、パルス部ｅｐのパワーレベルがｄとされている。

【０００５】同公報に開示された技術によれば、オーバ
ーライトをすることによる繰返し記録に際して記録信号
の品質の安定化を図ることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような低
線速度の記録では記録時間が長くかかってしまうため、
より高速記録の書換え可能なコンパクトディスク及び記
録方法が望まれている。また、これまでの技術では、例
えばＣＤ線速度４ｘ（＝４倍速）で記録できるｆｐ、ｍ
ｐ、ｏｐをもつ記録ストラテジで、８ｘ速度記録及び１
０ｘ速度記録した場合に十分な信号品質が得られず、Ｃ
Ｄ線速度４ｘ記録した部分への１０ｘ速度記録のオーバ
ーライト或いはＣＤ線速度１０ｘ記録した部分への４ｘ
速度記録のオーバーライトといった異なる記録線速度に
よるオーバーライト、ＣＬＶ記録した部分へのＣＡＶ記
録でのオーバーライト或いはＣＡＶ記録した部分へのＣ
ＬＶ記録でのオーバーライトといった異なる記録方式に
よるオーバーライトでは、信号品質の劣化が問題となっ
た。つまり、上述した特開平９−１３８９４６号公報、
特開平９−１３８９４７号公報、特開平９−２１９０２
１号公報に記載の技術では対応できず、書換え型情報記
録媒体、特に相変化型光記録媒体においては、高速記録
に有利なＣＡＶ方式による記録が要求されるようになっ
てきている。

【０００７】そこで、これらの技術的要求に対し、相変
化型光記録媒体を形成する各層の膜厚及び記録層の組成
を特定化し、かつ、光記録媒体への記録或いは書換えを
行う時の記録波パルス列のｆｐ部とｏｐ部の時間幅を各
々０．５Ｔ≦ｘ≦２．０Ｔ、０．１２５Ｔ≦ｚ≦１．０
Ｔ、ｍｐ部のデューディ比を０．１２５≦ｙ≦０．８７
５と特定化することで、より高速記録の書換え可能な光
記録媒体を獲得することが見出された。また、光記録媒
体への情報記録をＰＷＭ記録にて行う際に、信号の記録
或いは書換えを行う時の記録波パルス列のｍｐ部のデュ
ーティー比を記録線速度によって増減させることによっ
て、ＣＡＶ方式による記録に対応できることが報告され
ている。

【０００８】ところが、このように改良・特定化された
特徴を持つ光記録媒体の記録方法でも、特に１０ｘを超
える記録速度で記録を行った場合に依然として十分な信
号品質を得られず、対応できない現状にある。

【０００９】本発明は、相変化型光記録媒体に対するＣ
ＡＶ方式による記録において、記録及び書換え時の信号
品質の向上を図ることができる記録装置及び記録方法を
得ることを目的とする。

【００１０】特に、相変化型光記録媒体に対して線速度
換算で１０倍速を超える速度でＣＡＶ方式による記録又
は書換えを行う際の信号品質の向上を図ることができる
記録装置及び記録方法を得ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の記
録装置は、相変化型光記録媒体に照射する光を発する発
光素子と、前記相変化型光記録媒体を回転駆動させる回
転駆動手段と、前記発光素子と前記回転駆動手段とによ
る前記相変化型光記録媒体に対する光学的な情報の記録
又は書換えをＣＡＶ（Ｃonstant Ａngular Ｖelocity）
方式で行うＣＡＶ記録制御手段と、前記マルチ記録制御
手段による情報の記録又は書換えに際して前記発光素子
から発する光をパルス幅変調（ＰＷＭ：Ｐulse Ｗidth
Ｍodulation）する変調手段と、を備え、前記変調手段
による変調後の信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録又は書換えをパワーレベルｅの連続光で
ある記録波によって行い、前記変調手段による変調後の
信号幅がｎＴである１信号の記録又は書換えを前記相変
化型光記録媒体の記録層を融点以上に昇温させて記録マ
ークの先頭部を形成させるパルス部ｆｐ、記録層を昇温
させて記録マークの中間部を形成させるマルチパルス部
ｍｐ、記録層を冷却させて記録マークの後端を形成させ
るパルス部ｅｐを有するパルス列である記録波によって
行い、前記パルス部ｆｐの時間幅をｘ、前記パルス部ｆ
ｐのパワーレベルをａ、前記マルチパルス部ｍｐの低レ
ベルパルスのパワーレベルをｂ、前記マルチパルス部ｍ
ｐの高レベルパルスのパワーレベルをｃ、前記マルチパ
ルス部ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワーレベルｃと
のデューティー比をｙ、前記マルチパルス部ｍｐにおけ
るパワーレベルｂとパワーレベルｃとの合計である繰返
し単位の時間幅をＴ、前記マルチパルス部ｍｐにおける
パワーレベルｂとパワーレベルｃとの繰返し回数をｎ−
ｎ’、前記パルス部ｅｐの時間幅をｚ、前記パルス部ｅ
ｐのパワーレベルをｄとした場合に、前記時間幅ｘ，
ｙ，ｚ、前記パワーレベルａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ、及び
ｎ、ｎ’の関係が、０.５Ｔ≦ｘ≦２.０Ｔ、０.１２５
≦ｙ≦０.８７５、０≦ｎ’、ｎ’≦ｎ（ｎ’，ｎ：整
数）、０.１２５Ｔ≦ｚ≦１.０Ｔ、ａ，ｃ≧ｅ≧ｂ，
ｄ、ｘ≧３ｚを満たすようにした。

【００１２】従って、相変化型光記録媒体への情報記録
を、信号の記録或いは書換えを行う時の記録波パルス列
のｆｐとｅｐの時間幅とｍｐのデューティー比が特定化
されたＰＷＭ記録で行う時、パルス部ｆｐの時間幅ｘが
パルス部ｅｐの時間幅ｚの３倍以上に設定されるため、
情報の書換えに際して既に記録されている情報を消去す
る場合には、融点以上に昇温された相変化型光記録媒体
の記録層を徐冷することができる。ここで、パルス部ｆ
ｐの時間幅ｘは、パルス部ｅｐの時間幅ｚに応じて設定
されるため、例えば、線速度換算で１０倍速を超える速
度でＣＡＶ方式による高速記録等に際しても、オーバー
ライト特性の向上を図ることができる。

【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の記
録装置において、前記時間幅ｘと前記時間幅ｚとの関係
が、３ｚ≦ｘ≦４．５ｚを満たすようにした。

【００１４】従って、パルス部ｆｐの時間幅ｘがパルス
部ｅｐの時間幅ｚの３倍以上４．５倍以下に設定される
ため、相変化型光記録媒体の記録層が、過剰に長い時
間、融点以上に昇温されることを防止することができ
る。これにより、初期記録に際してランドジッタが増加
することを抑制することができる。これによって、オー
バーライトを繰返し行った場合にも、信号品質が劣化す
ることを抑制してオーバーライト特性の向上をより効果
的に図ることができる。

【００１５】請求項３記載の発明の記録方法は、相変化
型光記録媒体に対する光学的な情報の記録又は書換えを
ＣＡＶ（Ｃonstant Ａngular Ｖelocity）方式で行う記
録装置の発光素子の出力パワーをパルス幅変調（ＰＷ
Ｍ：Ｐulse Ｗidth Ｍodulation）させて、変調後の信
号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録又
は書換えをパワーレベルｅの連続光である記録波によっ
て行い、変調後の信号幅がｎＴである１信号の記録又は
書換えを前記相変化型光記録媒体の記録層を融点以上に
昇温させて記録マークの先頭部を形成させるパルス部ｆ
ｐ、記録層を昇温させて記録マークの中間部を形成させ
るマルチパルス部ｍｐ、記録層を冷却させて記録マーク
の後端を形成させるパルス部ｅｐを有するパルス列であ
る記録波によって行い、前記パルス部ｆｐの時間幅を
ｘ、前記パルス部ｆｐのパワーレベルをａ、前記マルチ
パルス部ｍｐの低レベルパルスのパワーレベルをｂ、前
記マルチパルス部ｍｐの高レベルパルスのパワーレベル
をｃ、前記マルチパルス部ｍｐにおけるパワーレベルｂ
とパワーレベルｃとのデューティー比をｙ、前記マルチ
パルス部ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワーレベルｃ
との合計である繰返し単位の時間幅をＴ、前記マルチパ
ルス部ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワーレベルｃと
の繰返し回数をｎ−ｎ’、前記パルス部ｅｐの時間幅を
ｚ、前記パルス部ｅｐのパワーレベルをｄとした場合
に、前記時間幅ｘ，ｙ，ｚ、前記パワーレベルａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ、及びｎ、ｎ’の関係が、０.５Ｔ≦ｘ≦２.
０Ｔ、０.１２５≦ｙ≦０.８７５、０≦ｎ’、ｎ’≦ｎ
（ｎ’，ｎ：整数）、０.１２５Ｔ≦ｚ≦１.０Ｔ、ａ，
ｃ≧ｅ≧ｂ，ｄ、ｘ≧３ｚを満たすようにした。

【００１６】従って、相変化型光記録媒体への情報記録
を、信号の記録或いは書換えを行う時の記録波パルス列
のｆｐとｅｐの時間幅とｍｐのデューティー比が特定化
されたＰＷＭ記録で行う時、パルス部ｆｐの時間幅ｘが
パルス部ｅｐの時間幅ｚの３倍以上に設定されるため、
情報の書換えに際して既に記録されている情報を消去す
る場合には、融点以上に昇温された相変化型光記録媒体
の記録層を徐冷することができる。ここで、パルス部ｆ
ｐの時間幅ｘは、パルス部ｅｐの時間幅ｚに応じて設定
されるため、例えば、線速度換算で１０倍速を超える速
度でＣＡＶ方式による高速記録等に際しても、オーバー
ライト特性の向上を図ることができる。

【００１７】請求項４記載の発明は、請求項３記載の記
録方法において、前記時間幅ｘと前記時間幅ｚとの関係
が、３ｚ≦ｘ≦４．５ｚを満たすようにした。

【００１８】従って、パルス部ｆｐの時間幅ｘがパルス
部ｅｐの時間幅ｚの３倍以上４．５倍以下に設定される
ため、相変化型光記録媒体の記録層が、過剰に長い時
間、融点以上に昇温されることを防止することができ
る。これにより、初期記録に際してランドジッタが増加
することを抑制することができる。これによって、オー
バーライトを繰返し行った場合にも、信号品質が劣化す
ることを抑制してオーバーライト特性の向上をより効果
的に図ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
面を参照して説明する。本実施の形態は、相変化型光記
録媒体への情報の記録又は書換えをＣＡＶ（Ｃonstant
Ａngular Ｖelocity）方式で行う記録装置として光ディ
スク装置への適用例を示す。

【００２０】図１は、本実施の形態の一実施の形態の光
ディスク装置の構成を概略的に示すブロック図である。
光ディスク装置１は、スピンドルモータを駆動すること
によりＣＤ−ＲＷ（Ｃompact Ｄisc Ｒewritable）等の
相変化型光記録媒体２（図２参照）を回転駆動させる回
転駆動手段としての駆動部３と、駆動部３によって回転
駆動される相変化型光記録媒体２に対して照射するレー
ザー光を発する発光素子としての半導体レーザー（図示
せず）を備える記録再生用ピックアップ４とを備えてい
る。

【００２１】公知の技術であるため説明を省略するが、
ＣＡＶ方式での情報の記録又は書換えに際して、駆動部
３、記録再生用ピックアップ４を駆動制御するＣＡＶ記
録制御手段を備えている。

【００２２】ここで、図２は、光ディスク装置１で使用
する相変化型光記録媒体２の積層構造を原理的に示す断
面図である。相変化型光記録媒体２は、幅が０.３０〜
０.５５μｍ、深さが３００〜５５０Åに設定された図
示しない案内溝（グルーブ）が、一面側に形成された基
板５を備えている。本実施の形態の基板５は、厚さは
１.２ｍｍとされたポリカーボネート樹脂により形成さ
れている。ポリカーボネート樹脂により基板５を形成す
ることで、成型性、光学特性、コストの点で、優れた特
性を付与することができる。

【００２３】なお、本実施の形態では、案内溝（グルー
ブ）の幅を０.３０〜０.５５μｍ、深さを３００〜５５
０Åに設定したが、これに限るものではない。また、基
板５を形成する材料として、成型性、光学特性、コスト
の点で優れているポリカーボネート樹脂を用いたが、基
板５を形成する材料はポリカーボネート樹脂に限るもの
ではない。

【００２４】基板５の案内溝（グルーブ）が形成されて
いる面側には、第１保護層６、記録層７、第２保護層
８、反射放熱層９が、順次積層されている。

【００２５】第１保護層６及び第２保護層８を形成する
材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ_２，ＺｎＯ，ＳｎＯ_２，
Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３，ＭｇＯ，ＺｒＯ_２
等の金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，
ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ，Ｉｎ_２Ｓ_３，ＴａＳ_４等
の硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ_４Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，Ｚ
ｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン、或いは、
それらの混合物があげられる。第１保護層６及び第２保
護層８は、公知の技術であるスパッタリング法を用いて
形成されている。これによって、量産性、膜質等に優れ
た相変化型光記録媒体２を得ることができる。

【００２６】第１保護層６の膜厚は、６５〜１３０ｎｍ
の範囲内に設定されている。これにより、反射率への影
響力を抑制して、７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長で
ＣＤ−ＲＷディスクの規格である反射率０.１５〜０.２
５を満足することができる。

【００２７】第２保護層８の膜厚は、２０〜４０ｎｍの
範囲内に設定されている。これにより、情報の記録、再
生及び書換え（以降、オーバーライトという）に際して
の耐熱性や感度、及び、オーバーライト等による繰返し
て上書き記録する（以降、オーバーライトという）場合
の信号品質の向上を図ることができる。

【００２８】記録層７の膜厚は、１４〜２５ｎｍの範囲
内に設定されている。これにより、ジッタ等の初期特
性、オーバーライト特性、量産効率の向上を図ることが
できる。また、本実施の形態の記録層７は、スパッタリ
ング法を用いて形成されている。これによって、量産性
に適した記録層を得ることができる。また、均一な厚さ
の記録層を得ることができるので、膜質の向上を図るこ
とができる。

【００２９】記録層７としては、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔ
ｅを含む４元系の相変化形記録材料を主成分として含有
する材料が適している。記録層７としてＡｇ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅを含む４元系の相変化形記録材料を主成分とし
て含有する材料を用いることにより、記録（アモルファ
ス化）感度・速度、消去(結晶化)感度・速度、及び、消
去比を極めて良好に保つことができる。また、Ａｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系元素の組成比を調整するこ
とによって、最適な記録線速度を取得するとともに、信
号の再生安定性や信号の寿命を総合的に満足させること
ができる。

【００３０】ここで、Ａｇの組成比（原子％）をα、Ｉ
ｎの組成比（原子％）をβ、Ｓｂの組成比（原子％）を
γ、Ｔｅの組成比（原子％）をδとした場合、Ａｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系元素の組成比は、下記数式
で示される条件を満たすように設定されている。

【００３１】０.１≦α≦７.０ ………(１) １≦β≦９ ………(２) ６１≦γ≦７５ ………(３) ２２≦δ≦３０ ………(４)

【００３２】これによって、信号の再生に際しての安定
性や信号の寿命の向上を図ることができる。

【００３３】また、記録層７には、Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｎ，
Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｂｉ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ａ
ｌ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｃ，Ｎ，Ｏから選ばれた少なく
とも一種類以上の元素が添加されている。これにより、
非晶質マークの結晶化を抑制することができる。非晶質
マークの結晶化を抑制することにより、信号の再生安定
性や信号の寿命を向上させることができる。

【００３４】非晶質マークの結晶化の抑制のメカニズム
としては、これらの元素がＡｇＩｎＳｂＴｅの空間的隙
間に入ったり化学結合を形成したりすることで、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅと化合物又は合金を形成するために、非晶質
マークの結晶化が抑制されると考えられている。

【００３５】記録層７に添加されるＧａ，Ｚｎ，Ｓｎ，
Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｂｉ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ａ
ｌ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｃ，Ｎ，Ｏは、添加剤と考える
ことが可能である。添加剤としては、上述した理由か
ら、Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｇｅのように原子半径が
小さい元素、或いは、ＡｇＩｎＳｂＴｅとの化学結合力
が大きい又は化学結合手が多い元素が効果的である。

【００３６】さらに、初期化時に必要な反射率を取得す
るために、ＳｂとＴｅの組成の関係は、下記の式を満た
す範囲内に設定されている。

【００３７】γ＋δ≧８８ ………(５)

【００３８】実験により、上式の条件を満たす場合に
は、初期化時に必要な反射率に到達することが見出され
ている。これにより、線速度が高速になった場合に重要
となる反射率、特に初期化時の反射率を確保することが
できる。

【００３９】本実施の形態では、第１保護層６、記録層
７、第２保護層８をスパッタリング法により形成した
が、これに限るものではなく、例えば、各種気相成長法
によって第１保護層６、記録層７、第２保護層８を形成
するようにしてもよい。

【００４０】第２保護層８の記録層７と反対側に形成さ
れた反射放熱層９は、膜厚が１００〜１６０ｎｍの範囲
内に設定されている。反射放熱層９としては、Ａｌ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗなどの金属材料、又は
それらの合金などを用いることができる。また、反射放
熱層９に添加する添加元素としては、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓ
ｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｔａなどが使用される。反射放
熱層９は、各種気相成長法によって形成することができ
る。

【００４１】反射放熱層９の第２保護層８と反対側に
は、オーバーコート層１０が積層されている。オーバー
コート層１０を設けることにより、反射放熱層９の酸化
を防止することができる。本実施の形態のオーバーコー
ト層１０は、スピンコート法により塗布した紫外線硬化
樹脂に紫外線を照射することで、厚さが３〜１５μｍの
範囲内となるように形成されている。これにより、情報
の記録再生に際して、エラーの増大防止や機械特性の向
上を図ることができる。

【００４２】なお、本実施の形態の形態では、オーバー
コート層１０として紫外線硬化樹脂を用いたが、これに
限るものではない。

【００４３】オーバーコート層１０の反射放熱層９と反
対側には、印刷層１１が積層されている。印刷層１１
は、例えば、スクリーン印刷等によって形成されてい
る。

【００４４】加えて、基板５の第１保護層６と反対側に
は、ハードコート層１２が積層されている。ハードコー
ト層１２を設けることにより、耐擦傷性の向上を図るこ
とができる。本実施の形態のハードコート層１２は、ス
ピンコート法により塗布した紫外線硬化樹脂に紫外線を
照射することで、厚さが２〜６μｍの範囲内となるよう
に形成されている。これにより、耐擦傷性が向上し、機
械特性の向上を図ることができる。ハードコート層１２
には、必要に応じて導電性の材料を混入させることで、
帯電防止を図り、埃等の付着を防止することができる。

【００４５】上述の相変化型光記録媒体２に照射するレ
ーザー光を発する記録再生用ピックアップ４の半導体レ
ーザーは、記録パワー設定回路１３により設定される最
適記録パワーのレーザー光を出力するように、レーザー
駆動回路１４によって駆動制御される。

【００４６】加えて、光ディスク装置１は、変調信号波
の振幅に応じてＰＷＭ（Ｐulse Ｗidth Ｍodulation）
方式で記録信号を変調する変調手段としての図示しない
変調部を備えている。本実施の形態の変調部は、上述し
た相変化型光記録媒体２への情報の記録に適したＥＦＭ
（Ｅight-to-Ｆourteen Ｍodulation）変調方式、或い
は、その改良変調方式（ＥＦＭ＋）を用いて、記録すべ
き信号をクロックＴを用いて変調する。

【００４７】変調部によって変調された記録信号に基づ
いて、変調後の信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録又はオーバーライトを行う場合、記録再
生用ピックアップ４は、パワーレベルｅの連続光である
記録波を照射する。

【００４８】変調部によって変調された記録信号に基づ
いて、変調後の信号幅がｎＴである１信号の記録又はオ
ーバーライトを行う場合、記録再生用ピックアップ４
は、パルス部ｆｐ、マルチパルス部ｍｐ、パルス部ｅｐ
を有するパルス列の記録波を照射する。

【００４９】パルス部ｆｐにおける記録波は、相変化型
光記録媒体２の記録層７を融点以上に昇温させて記録マ
ークの先頭部を形成させる。マルチパルス部ｍｐにおけ
る記録波は、記録層７を昇温させて記録マークの中間部
を形成させる。パルス部ｅｐにおける記録波は、記録層
７を冷却させて記録マークの後端を形成させる。

【００５０】情報の記録又はオーバーライトに際して
は、相変化型光記録媒体２に対してパルス部ｆｐの記録
パワーが照射されると、相変化型光記録媒体２の記録層
７が融点以上に昇温される。融点以上に昇温された記録
層７にマルチパルス部ｍｐの記録パワーが照射される
と、マルチパルス部ｍｐにおける時間幅ｚに応じた長さ
を有する記録マークの中間部が形成される。パルス部ｅ
ｐの記録パワーが照射されると、融点以上に昇温された
記録層７が冷却されて、記録マークの後端が形成され
る。

【００５１】公知の技術であるが、融点以上に昇温され
てアモルファス状態にある記録層７は、急冷されること
によりアモルファス状態のまま固体化してアモルファス
部を形成する。このアモルファス部が、記録マークとさ
れる。

【００５２】本実施の形態の光ディスク装置１は、情報
の記録又はオーバーライトをマルチスピード方式で行う
ことから、線速度の変動に応じて、マルチパルス部ｍｐ
のデューティー比ｙを調整する。

【００５３】ここで、図３は、記録再生用ピックアップ
４が光源から出射するレーザー光の記録波パルス列を示
す波形図である。図３(ａ)は変調後の信号幅が３Ｔ（ｎ
＝３）である記録信号を示している。図３(ｂ)は、ｎ＝
３，ｎ’＝１の場合の記録波パルス列を示している。図
３(ｃ)は、ｎ＝３，ｎ’＝２の場合の記録波パルス列を
示している。図３(ｄ)は、ｎ＝３，ｎ’＝３の場合の記
録波パルス列を示している。パルス部ｆｐの時間幅を
ｘ、パルス部ｆｐのパワーレベルをａ、マルチパルス部
ｍｐの低レベルパルスのパワーレベルをｂ、マルチパル
ス部ｍｐの高レベルパルスのパワーレベルをｃ、マルチ
パルス部ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワーレベルｃ
とのデューティー比をｙ、マルチパルス部ｍｐにおける
パワーレベルｂとパワーレベルｃとの合計である繰返し
単位の時間幅をＴ、マルチパルス部ｍｐにおけるパワー
レベルｂとパワーレベルｃとの繰返し回数をｎ−ｎ’、
パルス部ｅｐの時間幅をｚ、パルス部ｅｐのパワーレベ
ルをｄとした場合、本実施の形態の記録再生用ピックア
ップ４は、時間幅ｘ，ｙ，ｚ、パワーレベルａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ、及びｎ、ｎ’の関係が、以下の式によって
表わされる条件を満たすような範囲内に設定されてい
る。

【００５４】 ０.５Ｔ≦ｘ≦２.０Ｔ ………(６) ０.１２５≦ｙ≦０.８７５ ………(７) ０≦ｎ’ ………(８) ｎ’≦ｎ（ｎ’，ｎ：整数） ………(９) ０.１２５Ｔ≦ｚ≦１.０Ｔ ………(１０) ａ，ｃ≧ｅ≧ｂ，ｄ ………(１１) ３ｚ≦ｘ≦４．５ｚ ………(１２)

【００５５】(１２)式からも判るように、パルス部ｆｐ
の時間幅ｘがパルス部ｅｐの時間幅ｚの３倍以上、か
つ、４．５以下に設定されている。

【００５６】従来、例えば、回転数が調整されることに
よって線速度が変動して高速化されている場合、融点以
上に昇温された相変化型光記録媒体２の記録層７を徐冷
することができず、アモルファス状態のまま固体化して
しまうことがあった。このため、既に記録されている情
報が消去しきれずに残存してしまう不都合があった。

【００５７】本実施の形態では、(１２)式からも判るよ
うに、パルス部ｆｐの時間幅ｘがパルス部ｅｐの時間幅
ｚの３倍以上に設定されているため、融点以上に昇温さ
れた相変化型光記録媒体２の記録層７を徐冷することが
できる。これによって、情報のオーバーライトに際し
て、既に記録されている情報が消去しきれずに残存する
ことを防止することができ、オーバーライト特性の向上
を図ることができる。ここで、オーバーライト特性と
は、相変化型光記録媒体２で既に情報が記録されている
部分を別の情報に書換えた（オーバーライトした）場合
に、オーバーライトされた信号の品質の良／不良を意味
する。

【００５８】同様に、公知の技術であるが、融点以上に
昇温されてアモルファス状態にある記録層７は、徐冷さ
れることにより結晶化する。この状態は、記録層７の初
期化状態と同じであるため、何の情報も記録されていな
いこととなる。

【００５９】ところで、ＰＷＭ記録方式では、相変化型
光記録媒体２の記録層７への情報の記録又はオーバーラ
イトに際して、記録マークのエッジ部に情報を持たせ
る。

【００６０】このときに、記録層７上の記録部（アモル
ファス部）と未記録部（結晶部）との境界が不明確であ
ったり、本来記録部となるべき箇所が結晶化されてしま
うことによって情報が消去されたりすると、信号品質が
低下する。

【００６１】また、パルス部ｆｐの時間幅ｘが過剰に大
きい場合には、初期のアシンメトリが深くなるため、パ
ルス部ｆｐの時間幅ｘが、パルス部ｅｐの時間幅ｚの２
倍以上という条件を満たしていても、オーバーライトを
多数繰返す毎に信号品質が低下する。

【００６２】本実施の形態では、パルス部ｆｐの時間幅
ｘが、パルス部ｅｐの時間幅ｚの３倍以上４．５倍以下
に設定することで、相変化型光記録媒体の記録層が、過
剰に長い時間、融点以上に昇温されることを防止するこ
とができる。これによって、初期記録に際して、ランド
ジッタが増加することによる記録部と未記録部とのバラ
ンスが崩れることを抑制することができ、オーバーライ
トを繰返し行った場合にも、信号品質の低下を抑制して
オーバーライト特性の向上をより効果的に図ることがで
きる。

【００６３】また、パルス部ｆｐの時間幅ｘは、パルス
部ｅｐの時間幅ｚに応じて設定されるため、例えば、高
速記録等に際して、回転数が調整されることによる線速
度の変動に左右されることがない。これによって、マル
チスピード記録を行うことが可能な記録装置に適用し
て、情報の記録又はオーバーライトの高速化を図ること
ができる。

【００６４】回転数が調整されることによって線速度が
変動した場合には、情報の記録又はオーバーライトに際
して、マルチパルス部ｍｐにおけるデューティー比ｙを
記録線速度に応じて増減させて記録線速度と記録パワー
とのバランスを調整するので、線速度に左右されること
なく、記録部と未記録部との境界を明確化することがで
きる。

【００６５】これによって、ジッタの発生を抑制して、
記録品質の向上を図ることができるマルチスピード記録
方式の光ディスク装置を提供することができる。

【００６６】従来のマルチスピード記録を行う光ディス
ク装置１では、パルス部ｆｐとパルス部ｅｐとのバラン
スが一定とされていることから、線速度が低い場合には
記録層７に対して過剰な記録パワーが加わって記録層７
における記録すべき部分以外の部分に対して熱が伝導さ
れて信号品質に影響を与えたり、逆に、線速度が高い場
合には記録すべき部分に対して記録パワーが十分に加え
られずに記録パワーが不足してしまったりするという不
都合があった。

【００６７】本実施の形態では、線速度に応じてマルチ
パルス部ｍｐのデューティー比ｙを調整することで、記
録線速度と記録パワーとのバランスを取ることができ
る。また、上述したように、記録層７の主成分をＡｇ，
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅとする相変化型光記録媒体２を用いる
ことで、記録層７の熱物性を記録波にマッチングさせる
ことができ、記録線速度と記録パワーとのバランスをよ
り最適値に設定することができる。

【００６８】このように、記録線速度に応じて、マルチ
パルス部ｍｐのデューティー比ｙを調整することで、情
報の記録或いはオーバーライトをマルチスピード方式で
行う場合にも、記録信号の品質の向上を図ることができ
る。

【００６９】加えて、情報の記録に際して記録層７の溶
融、急冷を伴う相変化型光記録媒体２では、記録層７の
溶融、急冷のバランスの点から、記録パルスのｍｐのデ
ューティー比が０.５近傍であることが、種々の信号品
質、オーバーライトに有利であることが判っている。

【００７０】このことから、情報の記録或いはオーバー
ライトをマルチスピード方式で行う光ディスク装置１で
は、マルチパルス部ｍｐのデューティー比が０.５とな
る記録パルス波形を、マルチスピード記録可能な光ディ
スク装置の高速記録側、望ましくは最高記録線速度に設
定に設定することで、実用上より信頼性の高い記録を行
うことができる。

【００７１】本実施の形態で相変化型光記録媒体２に対
する記録方法では、単に高速で記録消去できるだけでは
なく、ジッタ等の初期特性、オーバーライト特性も同時
に要求されるものであり、ＣＡＶ方式の記録、特に線速
度換算で１０倍速である１２．０ｍ／ｓを超える高線速
度において、ｆｐ部の時間幅をｘ、ｏｐ部の時間幅をｚ
とした時、上述したように、ｘ≧３ｚとした場合にオー
バーライト特性に効果的であることを見出したものであ
る。ちなみに、ｘ＜３ｚの時、前に記録した信号に対し
て十分な消去を実施することができない。このため消し
残りの部分が発生し、記録（アモルファス化）及び消去
（結晶化）の感度に影響を与えてしまうことにより、オ
ーバーライトにとって不利になる。故に、ｘ≧３ｚの場
合、ＣＡＶ方式の記録時のオーバーライト特性に効果的
であった。

【００７２】また、本実施の形態では、ＣＡＶ方式の記
録、特に線速度換算で１０倍速である１２．０ｍ／ｓを
超える高線速度において、同様にｆｐ部の時間幅をｘ、
ｏｐ部の時間幅をｚとした時、上述したようにｘ≦４．
５ｚとした場合にジッタ等の初期特性に効果的であるこ
とも見出したものである。ちなみに、ｘ＞４．５ｚの
時、初期のアシンメトリが深くなってしまう。また、初
期の記録時にマークジッタが良好となる反面ランドジッ
タが増加することで、両者のバランスが取れなくなる。
このため、オーバーライトを多数回繰返す毎に信号品質
が劣化することになる。故に、ｘ≦４．５ｚの場合、Ｃ
ＡＶ方式の記録時の初期特性に効果的であることが判明
したものである。

【００７３】ここで、具体例として、光ディスク装置１
で、相変化型光記録媒体２としてＣＤ−ＲＷを用いて、
ＣＡＶ方式で記録を行った場合の記録パルス波形の変化
について説明する。図４は、内周部４．８ｍ／ｓ、中周
部９．６ｍ／ｓ及び外周部１２．０ｍ／ｓでＣＡＶ記録
を行った場合のＣＤ−ＲＷの記録波形を示す（この例は
線速度換算で４ｘ〜１０ｘのマルチスピード記録にも対
応している）。ここでは、図４(ｂ)に示すように、中周
部９．６ｍ／ｓでＣＤ−ＲＷに対して情報の記録を行う
場合のマルチパルス部ｍｐのデューティー比を０.５に
設定している。

【００７４】図４(ａ)は、内周部４．８ｍ／ｓで、ＣＤ
−ＲＷに対する情報の記録を行った場合のパルス波形図
を示している。４.８ｍ／ｓという比較的低い線速度で
記録を行う場合には、マルチパルス部ｍｐのデューティ
ー比を０.６２５として、ｍｐの記録パルスを細くする
とともに、マルチパルス部ｍｐの冷却時間を長くするよ
うにしている。これによって、余分な熱ダメージを軽減
するとともに、エッジの位置ずれの少ないマークを記録
することができる。

【００７５】図４(ｃ)は、外周部１２．０ｍ／ｓで、Ｃ
Ｄ−ＲＷに対する情報の記録を行った場合のパルス波形
図を示している。１２.０ｍ／ｓという比較的速い線速
度で記録を行う場合、マルチパルス部ｍｐのデューティ
ー比ｙを０.３７５として、ｍｐ部の記録パルスを太く
するとともに、冷却時間を短くするようにしている。こ
れによって、１２.０ｍ／ｓの高速で記録を行う場合に
も、記録膜に相変化できるだけのエネルギーを与えるこ
とができるようになり、また、高速のためマルチパルス
部ｍｐの冷却時間が短くても記録層を急冷することがで
きる。これによって、記録線速度が高速であっても、エ
ッジの位置ずれの少ないマークを記録することができ
る。

【００７６】

【実施例】ここでは、上述の光ディスク装置１を用い
て、以下に示す相変化型光記録媒体２に情報の記録を行
った場合（実施例１〜３）と、従来の光ディスク装置を
用いて相変化型光記録媒体に情報の記録を行った場合
（比較例１〜３）とにおけるオーバーライト特性の違い
を比較する。

【００７７】光ディスク装置１は、波長７８０ｎｍの半
導体レーザーと、開口数ＮＡが０.５に設定された対物
レンズとを備える記録再生用ピックアップ４を用いた。
記録信号は、ＥＦＭ変調された入力信号とする。

【００７８】相変化型光記録媒体２は、基板５として幅
０.５μｍ、深さ３５ｎｍの案内溝（ウォブル）を有す
る厚さ１.２ｍｍのポリカーボネート樹脂製の基板５を
用いた。

【００７９】第１保護層６及び第２保護層８には、Ｚｎ
ＳＳｉＯ₂を用いている。第１保護層６の厚さ（膜厚）
は９０ｎｍ、第２保護層８の厚さ（膜厚）は３０ｎｍと
されている。

【００８０】記録層７の組成はＡｇ_１.０Ｉｎ_７.５Ｓｂ
_６６.５Ｔｅ_２５.０とされ、厚さ(膜厚)は１８ｎｍとさ
れている。記録層７は、大口径のＬＤを有する図示しな
い初期化装置によって、全面が結晶化処理されている。

【００８１】反射放熱層９に、厚さ１４０ｎｍのアルミ
ニウム合金によって形成されている。

【００８２】この基板５上に積層される第１保護層６、
記録層７、第２保護層８及び反射放熱層９は、各々スパ
ッタリング法により形成されている。

【００８３】オーバーコート層１０、ハードコート層１
２は、ともに、紫外線硬化樹脂によって、スピンコート
法を用いて形成されている。オーバーコート層１０上に
は、印刷層１１が印刷によって形成されている。

【００８４】以上の方法で得た相変化型光記録媒体２へ
の記録には、記録領域を半径方向に複数領域（ゾーン）
に分割し、領域が変わる毎に内周側から記録速度を増加
させるゾーンＣＡＶ記録を使用した。本実施例では記録
領域を半径方向に５等分し、最内周側の領域の記録線速
度を４．８ｍ／ｓとし、以後７．２ｍ／ｓ、９．６ｍ／
ｓ、１２．０ｍ／ｓと記録線速を増加させ、最外周側の
記録線速を１４．４ｍ／ｓとした。また、記録線速１
２.０ｍ／ｓの最外周領域に対して、マルチパルス部ｍ
ｐのデューティー比ｙを０.５に設定した状態で、パル
ス部ｆｐ、パルス部ｅｐを表１に記載の時間幅に各々調
整した各記録パルス波によって記録を行った（実施例１
〜３、比較例１〜３の仕様）。

【００８５】

【表１】

【００８６】表２には、表１中に示した実施例１〜３及
び比較例１の仕様によるｆｐ部及びｏｐ部の時間幅ｘ，
ｚを使用し、線速度１４．４ｍ／ｓの最内周側の領域に
てオーバーライト１回及び１０００回行った後に信号を
１．２ｍ／ｓで再生し、得られた３Ｔジッタの結果を示
している。

【００８７】

【表２】

【００８８】比較例１に記載のｆｐ部の時間幅ｘ＝１．
００Ｔを実施例１に記載の１．１２５Ｔへ延伸したとこ
ろ、オーバーライト１回後の３Ｔジッタが良好になっ
た。また、実施例２に記載の通り、比較例１に記載のｏ
ｐ部の時間幅ｚ＝０．３７５Ｔを実施例２に記載の０．
２５Ｔへ短縮したところ、オーバーライト１回後の３Ｔ
ジッタは同様に改善され、さらに、実施例２よりｘを
１．１２５Ｔまで延伸した実施例３でも同等の３Ｔジッ
タが得られた。実施例１〜３ではオーバーライト１００
０回後の３Ｔランドジッタも各々３５．９ｎｓ、３３．
８ｎｓ、３２．１ｎｓと良好であった。よって、ｘ≧３
ｚの時、オーバーライト特性に効果的であることが判明
したものである。

【００８９】表３には、同様に表１中に示した実施例
２，３及び比較例２，３の仕様によるｆｐ部及びｏｐ部
の時間幅ｘ，ｚを使用し、１回記録した相変化型光記録
媒体２の線速度１４．４ｍ／ｓの最内周側の領域を１．
２ｍ／ｓで再生し、得られた初期記録のアシンメトリ及
び３Ｔジッタの結果を示している。

【００９０】

【表３】

【００９１】実施例２に記載のｏｐ部の時間幅ｚ＝０．
２５Ｔを比較例２に記載の０．１２５Ｔまで短縮したと
ころ、初期アシンメトリの値が−１０以下と深くなっ
た。また、実施例３に記載のｆｐ部の時間幅ｘ＝１．１
２５Ｔを比較例３に記載の１．２５Ｔに延伸したときも
同様であった。さらに、比較例２，３では３Ｔランドジ
ッタと３Ｔマークジッタとの差が大きく広がり、特に、
比較例３では１０ｎｓ以上の差がついた。よって、ｘ≦
４．５ｚの時、初期記録特性に効果的であることが判明
したものである。

【００９２】

【発明の効果】請求項１，３記載の発明によれば、相変
化型光記録媒体への情報記録を、信号の記録或いは書換
えを行う時の記録波パルス列のｆｐとｅｐの時間幅とｍ
ｐのデューティー比が特定化されたＰＷＭ記録で行う
時、パルス部ｆｐの時間幅ｘをパルス部ｅｐの時間幅ｚ
の３倍以上に設定したので、ＣＡＶ方式による記録に関
してオーバーライト特性の向上を図ることができる。

【００９３】請求項２，４記載の発明によれば、請求項
１，４記載の発明において、パルス部ｆｐの時間幅ｘを
パルス部ｅｐの時間幅ｚの３倍以上４．５倍以下に設定
したので、相変化型光記録媒体の記録層が、過剰に長い
時間、融点以上に昇温されることを防止することがで
き、これにより、初期記録に際してランドジッタが増加
することを抑制することができ、よって、オーバーライ
トを繰返し行った場合にも、信号品質が劣化することを
抑制してオーバーライト特性の向上をより効果的に図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態の一実施の形態の光ディスク装置
の構成を概略的に示すブロック図である。

【図２】光ディスク装置で使用する相変化型光記録媒体
の積層構造を原理的に示す断面図である。

【図３】記録再生用ピックアップの半導体レーザーが出
射するレーザー光の記録波パルス列を示す波形図であ
る。

【図４】記録パルス波形を例示する波形図である。

【符号の説明】

１ 記録装置 ２ 相変化型光記録媒体 ３ 回転駆動手段

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相変化型光記録媒体に照射する光を発す
   る発光素子と、 前記相変化型光記録媒体を回転駆動させる回転駆動手段
   と、 前記発光素子と前記回転駆動手段とによる前記相変化型
   光記録媒体に対する光学的な情報の記録又は書換えをＣ
   ＡＶ（Ｃonstant Ａngular Ｖelocity）方式で行うＣＡ
   Ｖ記録制御手段と、 前記マルチ記録制御手段による情報の記録又は書換えに
   際して前記発光素子から発する光をパルス幅変調（ＰＷ
   Ｍ：Ｐulse Ｗidth Ｍodulation）する変調手段と、を
   備え、 前記変調手段による変調後の信号幅がｎＴ（Ｔはクロッ
   ク時間）である０信号の記録又は書換えをパワーレベル
   ｅの連続光である記録波によって行い、前記変調手段に
   よる変調後の信号幅がｎＴである１信号の記録又は書換
   えを前記相変化型光記録媒体の記録層を融点以上に昇温
   させて記録マークの先頭部を形成させるパルス部ｆｐ、
   記録層を昇温させて記録マークの中間部を形成させるマ
   ルチパルス部ｍｐ、記録層を冷却させて記録マークの後
   端を形成させるパルス部ｅｐを有するパルス列である記
   録波によって行い、 前記パルス部ｆｐの時間幅をｘ、前記パルス部ｆｐのパ
   ワーレベルをａ、前記マルチパルス部ｍｐの低レベルパ
   ルスのパワーレベルをｂ、前記マルチパルス部ｍｐの高
   レベルパルスのパワーレベルをｃ、前記マルチパルス部
   ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワーレベルｃとのデュ
   ーティー比をｙ、前記マルチパルス部ｍｐにおけるパワ
   ーレベルｂとパワーレベルｃとの合計である繰返し単位
   の時間幅をＴ、前記マルチパルス部ｍｐにおけるパワー
   レベルｂとパワーレベルｃとの繰返し回数をｎ−ｎ’、
   前記パルス部ｅｐの時間幅をｚ、前記パルス部ｅｐのパ
   ワーレベルをｄとした場合に、前記時間幅ｘ，ｙ，ｚ、
   前記パワーレベルａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ、及びｎ、ｎ’の
   関係が、 ０.５Ｔ≦ｘ≦２.０Ｔ、 ０.１２５≦ｙ≦０.８７５、 ０≦ｎ’、 ｎ’≦ｎ（ｎ’，ｎ：整数）、 ０.１２５Ｔ≦ｚ≦１.０Ｔ、 ａ，ｃ≧ｅ≧ｂ，ｄ、 ｘ≧３ｚ を満たすようにした記録装置。
2. 【請求項２】 前記時間幅ｘと前記時間幅ｚとの関係
   が、 ３ｚ≦ｘ≦４．５ｚ を満たすようにした請求項１記載の記録装置。
3. 【請求項３】 相変化型光記録媒体に対する光学的な情
   報の記録又は書換えをＣＡＶ（Ｃonstant Ａngular Ｖe
   locity）方式で行う記録装置の発光素子の出力パワーを
   パルス幅変調（ＰＷＭ：Ｐulse Ｗidth Ｍodulation）
   させて、 変調後の信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信
   号の記録又は書換えをパワーレベルｅの連続光である記
   録波によって行い、 変調後の信号幅がｎＴである１信号の記録又は書換えを
   前記相変化型光記録媒体の記録層を融点以上に昇温させ
   て記録マークの先頭部を形成させるパルス部ｆｐ、記録
   層を昇温させて記録マークの中間部を形成させるマルチ
   パルス部ｍｐ、記録層を冷却させて記録マークの後端を
   形成させるパルス部ｅｐを有するパルス列である記録波
   によって行い、 前記パルス部ｆｐの時間幅をｘ、前記パルス部ｆｐのパ
   ワーレベルをａ、前記マルチパルス部ｍｐの低レベルパ
   ルスのパワーレベルをｂ、前記マルチパルス部ｍｐの高
   レベルパルスのパワーレベルをｃ、前記マルチパルス部
   ｍｐにおけるパワーレベルｂとパワーレベルｃとのデュ
   ーティー比をｙ、前記マルチパルス部ｍｐにおけるパワ
   ーレベルｂとパワーレベルｃとの合計である繰返し単位
   の時間幅をＴ、前記マルチパルス部ｍｐにおけるパワー
   レベルｂとパワーレベルｃとの繰返し回数をｎ−ｎ’、
   前記パルス部ｅｐの時間幅をｚ、前記パルス部ｅｐのパ
   ワーレベルをｄとした場合に、前記時間幅ｘ，ｙ，ｚ、
   前記パワーレベルａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ、及びｎ、ｎ’の
   関係が、 ０.５Ｔ≦ｘ≦２.０Ｔ、 ０.１２５≦ｙ≦０.８７５、 ０≦ｎ’、 ｎ’≦ｎ（ｎ’，ｎ：整数）、 ０.１２５Ｔ≦ｚ≦１.０Ｔ、 ａ，ｃ≧ｅ≧ｂ，ｄ、 ｘ≧３ｚ を満たすようにした記録方法。
4. 【請求項４】 前記時間幅ｘと前記時間幅ｚとの関係
   が、 ３ｚ≦ｘ≦４．５ｚ を満たすようにした請求項３記載の記録方法。