JP3866598B2

JP3866598B2 - 光情報記録方法および媒体

Info

Publication number: JP3866598B2
Application number: JP2002080005A
Authority: JP
Inventors: 将紀加藤
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2002-03-22
Filing date: 2002-03-22
Publication date: 2007-01-10
Anticipated expiration: 2022-03-22
Also published as: JP2003281722A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＰＤ等の相変化型光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報記録再生方法として、パルス分割して記録する方法があるが（特開平９−２１９０２１）、走査速度によりパルス数を変化させることに関する記述はない。また、光記録方法及び光記録媒体に関して、パルス分割して記録する方法があるが（特開２００１−３３１９３６）、半径位置によって、パルス数を変更する記述はない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年、光情報記録媒体の高速記録が進んでいる。特にコンパクトディスクをベースとした記録媒体であるＣＤ−Ｒは記録モードの簡易さと幅広い記録速度マージンから高速化が進み、基準速度からその３２倍相当の記録まで可能になっている。同様にコンパクトディスクをベースとした書き換え型ディスクＣＤ−ＲＷがあるが、記録モードが急冷、徐冷を制御することによって行う相変化材料を記録層材料に用いているため、熱記録モードが複雑で高速化には困難が多いことが知られている。また、記録方法も複雑であり、記録するマークの大きさに応じてパルス分割し、強度変調された光を照射することによるため、ＣＤ−Ｒ系の記録方法に対して、発光素子に求められる応答性が高くなければならず、記録装置としても困難が多くなっている。さらに、ディスク状の媒体に高速記録する場合は、回転数を上げることが必要である。
【０００４】
そこで、従来のＣＬＶ（ＣｏｎｓｔａｎｔＬｉｎｅａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ：線速度一定）で走査して記録する場合は、内周部の回転数を非常に上げる必要があるため高速化には適さない。それに対して、ＣＡＶ（ＣｏｎｓｔａｎｔＡｎｇｕｌａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ：各速度一定）で走査して記録する場合は、回転数を一定にしてなおかつ、ディスク外周部では高い線速度で記録できるのでメリットが大きい。
ＣＡＶで記録する場合は、実際の線速度は５インチ径のディスク状媒体の場合は内周部と外周部で２．４倍分の速度差が発生する。つまり、異なる走査速度で同一の特性を実現する記録媒体および記録方法が必要となっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に少なくとも１層以上の記録層と少なくとも１層以上の反射層を有する媒体に光を照射しＣＡＶまたはＺ−ＣＬＶで走査することで記録層に相変化を生じさせることで情報の記録、再生、書換えまたは消去を行うディスク状の光情報記録媒体の記録方法において、長さＬの記録マークを形成するためのマルチパルスがＮ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌ（Ｎ１はｒ＜ｒ０のときのパルス数、Ｎ２はｒ≧ｒ０のときのパルス数、ｒはディスク状の光情報記録媒体の半径位置、ｒ０は任意の半径である）であり、少なくともＬ＝６Ｔ記録ではｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝５／（６Ｔ）、ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝３／（６Ｔ）、Ｌ＝５Ｔ記録ではｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝４／（５Ｔ）、ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝２／（５Ｔ）であるパターンを含むことを特徴とする光情報記録媒体の記録方法を提供することができた。
【０００６】
以下、本発明について詳述する。
本発明の光情報記録媒体への記録方法は、媒体中の記録層に光ビームを集光し、媒体を走査することで行う。記録は光ビームの強度変調によって行う。記録される情報は任意のものであるが、記録する際にはマーク長変調、マークエッジ変調またはパルス幅変調（ＰＷＭ）と呼ばれる方法で変調された情報を記録する。ＰＷＭ変調の方法としては、記録するデータの長さ等に従って任意の変調方式を採用して良いが、例としてコンパクトディスクのＥＦＭ変調、ＤＶＤのＥＦＭ＋変調などがある。このようなＰＷＭ変調された情報は基本周期Ｔに対してｎＴの長さのマークとマーク間のスペース（ランド）として媒体上に記録される。このとき、ｎは自然数であり変調方式によってその範囲が決定される。ＥＦＭ変調の場合はｎ＝３〜１１であり、ＥＦＭ＋変調ではｎ＝３〜１１、１４となっている。
【０００７】
前記のようなｎＴのマークを形成するには、記録層に集光された光を照射することで形成する。このような光記録装置の構成例として、ディスク状の光情報記録媒体の場合について図１に示す。
（１）ディスク状光情報記録媒体１はその中心を固定され、（２）回転モータ２に接続される。これによりディスク１の回転速度が制御され、（３）光ピックアップ４との相対速度つまりビームの走査速度Ｖが制御される。（３）光ピックアップ４からはコリメータレンズ、対物レンズ等の単数または複数のレンズ３で集光されたビームが射出され（１）の媒体内の記録層近傍に焦点があうように制御される。情報の記録はＰＷＭ変調された情報を（４）記録信号変調装置にて強度変調され、光ピックアップから記録光として射出され媒体に照射される。
【０００８】
記録光の強度変調の方式には多数の法式があるが、制御のしやすさからパルス発光を用いる。パルス発光の手法としては、ひとつの記録マークに対してひとつのパルス発光で記録するシングルパルス法と、ひとつの記録マークに対して複数のパルス発光を用いるマルチパルス法とに分けられる。マルチパルス法の発光波形の例を図２に示す。例は図２（ａ）に示すように６Ｔの長さのマークを記録する場合についてである。ここで記録極性の例はＬｏｗｔｏＨｉｇｈであり、図２（ａ）のＨｉｇｈレベル（１と記述）がマークに相当し、Ｌｏｗレベル（０と記述）がスペース（マーク）に相当する。
【０００９】
図２（ｂ）〜（ｄ）にマルチパルス法の例を示す。ここで図に示す通りパルスの数は任意に設定できる。図２（ｂ）の例では６Ｔの長さのマークを記録する場合に５個のパルス発光を用いる場合である。つまりｎＴの長さのマークを記録するために、Ｎ＝（ｎ−１）個のパルスを用いる。パルスの強度はＰｗ、Ｐｅ、Ｐｂに分けられ強度変調されている。それぞれの強度はＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂの関係にあり、Ｐｗは記録パワーと呼ばれ、この強度で発光している時間と強さでマークの特性が決定される。それに対してＰｂはバイアスレベルと呼ばれ、媒体に影響しない程度、好ましくは再生パワー以下に押さえられ、通常は０．５〜２ｍＷ程度である。ＰｗとＰｂで変調されたパルスを照射することで、媒体の記録層を溶融からの急冷状態にするため相変化を発生し、反射率の低い状態、アモルファス状態のマークを形成できる。Ｐｅは消去パワーまたはイレースパワーであり、スペースを記録すなわちマークを記録するときに照射する強度である。ＰｅはＰｗの０．１倍から０．７倍程度であり、さらに好ましくは０．２〜０．６の範囲である。Ｐｅを照射することで記録層を溶融状態から徐冷または結晶化温度以上からの徐冷を行うことになり、反射率の高い結晶化状態となる。つまりスペースが記録（マークが消去）される。
【００１０】
各パルスの幅は任意に設定できるが、１パルス目を広めに設定し、２パルス以降のパルス幅Ｔｍｐは同一とするのが制御上単純であると同時に多種の長さのマークを形成する場合にマーク長のばらつきを押さえることができるため有利である。Ｔｍｐはマルチパルス法を用いる場合、１パルス目の発光幅Ｔｔｏｐ、最後の冷却パルス幅Ｔｏｆｆを固有の幅に設定することができる。Ｔｔｏｐは０．２Ｔ〜１．５Ｔの範囲であることが好ましく、Ｔｍｐは０．２Ｔ〜０．７Ｔの範囲であることが好ましく、Ｔｏｆｆは０．２Ｔ〜１．５Ｔの範囲にあることが好ましい。
【００１１】
図２のマルチパルス法を用いる場合、パルスの数も重要な要因となる。パルスの数としては、図２の（ｂ）に示すＮ＝（ｎ−１）個のパルスで記録するのが最も単純でありマーク長さをそろえる上で有利である。Ｎ＝（ｎ−１）個のマルチパルス法はＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ等の相変化記録媒体の記録方法として採用されている。マルチパルス法は記録する走査速度に対してＴｍｐを変化させることで、異なる記録速度でも同等の記録パワーで記録することが可能となる。その例としてＨＳＣＤ−ＲＷの標準規格であるオレンジブックパート３ｖｏｌｕｍｅ２で採用されている手法があり、記録線速４．８ｍ／ｓ（４倍速）ではＴｍｐ＝０．２Ｔであり、９．６ｍ／ｓ（８倍速）ではＴｍｐ＝０．４Ｔ、１２．０ｍ／ｓ（１０倍速）では０．５Ｔとなっている。このように記録パワーをそろえることが可能であるため、本来ＣＬＶ記録が主流であるＣＤ−ＲＷにＣＡＶ記録または半径位置ごとに走査速度をＣＡＶ的に変化させ、ＣＬＶで擬似的なＣＡＶを行うゾーンＣＬＶ法等が採用できる。他の例としてＮ＝（ｎ−２）個のパルスで記録する例を図２（ｃ）に示した。
【００１２】
このようなマルチパルス法は短いマークも長いマークを記録する場合も媒体の熱伝導の影響を受けにくく、均一にエネルギーを加えることが可能なため、ひずみの少ないマークを形成することができ、ジッタを改善できる。また媒体にかかるエネルギー量も小さくなるため、多数回の繰り返し記録でも劣化が遅い傾向にある。しかし、基本クロック周期に近い細い発光パルスを射出する必要があるため、高周波数に対応でき、応答の速い回路（レーザーダイオード、アナログ回路）が必要となる。つまり、ＣＡＶ記録を行った場合には、ディスク半径をｒとするとき、ｒがある半径ｒ０よりも外周であるｒ≧ｒ０の領域では発光パルスがＬＤの周波数特性などの影響でひずんでしまう。ひずみの例を図３に示す。図３の点線が理想的な発光波形の場合、高速になると図３（ａ）の実線のように、ＬＤの回路の周波数特性により、ひずんでしまう。さらに高速になると図３（ｂ）の実線のようになり、波形がひずむと同時にＰｗがΔＰｗ分だけ低下してしまい、パワーがかからないというデメリットが発生する。さらに、ＰｂがΔＰｂ分だけ高くなってしまい、十分な冷却効果が得られないという問題が発生する。つまり、マークの形成の効率が著しく低下するために、十分な変調度が確保できなくなってしまう。
【００１３】
そこで、特開２００１−０５６９５８で開示されているパルスの発光周期を２倍にする方法がある。この方法では、Ｎ＝（ｎ−１）個のパルスで記録する場合に比べてＰｗの発光の実時間が長いため、媒体に高い効率でエネルギーが照射され、速い走査線速でも低いパワーで高い特性が確保できる。また、高速記録に対応するために、発光波形がひずんでしまう場合でも、パルス幅が広いために、図３（ｃ）に示す通り、ひずみの影響を受けにくく、Ｐｗ低下、Ｐｂ上昇を防止することができる。しかし、このような２Ｔ周期の記録方法を用いた場合には、長さＬ＝ｎＴのマークのためにｎ＝２ｍ＋１とｎ＝２ｍの場合（ｍ＝１、２、３・・・・）にパルスの数Ｎが同一になる。つまり、ｍ＝１の時（Ｌ＝２Ｔ、３Ｔのマーク）はＮ＝１個のパルスで記録し、ｍ＝２の時（Ｌ＝４Ｔ、５Ｔ）はＮ＝２個のパルスで記録する。そのため、パルスの発光タイミング、パルスの発光の長さ等を、それぞれのＬに対して個別に決定する必要がある。
【００１４】
図４に光記録媒体の特性である変調度のＰｗ依存性と記録方法依存性を示す。通常記録速度によらず、変調度は図４（ａ）の曲線に示すような曲線をとる。つまり、Ｐｗが高いほど高い変調度がでる。一般に変調度が高いほど再生信頼性があるとみなされ、一般には０．５以上、さらに好ましくは０．６以上であることが好ましい。つまり高いＰｗほど良い特性が得られる。しかし、高い走査速度で記録する場合は、同一のＰｗであっても、媒体に照射されるエネルギー量は減少するため、一般に変調度は低くなる。さらに、図３（ｂ）に示したように、発光波形にひずみが発生した場合は、さらにエネルギー量が減少してしまう。結果として、図４（ｂ）に示すように低い変調度となってしまう。一方図２（ｄ）に示す記録方法を用いた場合は、高い走査速度で記録しても、高い変調度を確保することができ図４（ｃ）に示す通りになり、従って良好な記録特性をえることが可能となる。
【００１５】
ここで、ＣＡＶ記録または擬似的なＣＡＶ記録である、ＺｏｎｅＣＬＶを考える。これらの記録方法においては、図５に示す通り走査速度ｖはディスク半径位置ｒに対して線形に変動し、外周部に行くほど高い。つまりｒ１＜ｒ２ならばＶ１＜Ｖ２の関係が成り立つ。本発明の記録方法は、ある基準半径ｒ＝ｒ０よりも内周であるｒ＜ｒ０の領域では、長さＬのマークを記録するパルス数Ｎ１とし、あるｒ≧ｒ０では長さＬのマークを記録するためにＮ２のパルスで記録し、かつＮ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌ（請求項１）であることを特徴とする。
【００１６】
例えばｒ＜ｒ０で図２（ｂ）の記録方法を用い、ｒ≧ｒ０で図２（ｄ）の記録方法を用いた場合、Ｌ＝６ＴでＮ１＝５、Ｎ２＝３となるため、ｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝５／（６Ｔ）
ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝３／（６Ｔ）
であり、Ｎ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌとなる。
さらにＬ＝５Ｔではｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝４／（５Ｔ）
ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝２／（５Ｔ）
であり、Ｎ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌとなる。このような記録方法を用いることにより、ｒ≧ｒ０の高い走査速度の領域でも、適したストラテジに変更できるため、良好な記録信号特性を得ることができる。
【００１７】
さらに、本発明の記録方法においては、ｒ＜ｒ０とｒ≧ｒ０の領域のＰｗをそれぞれＰｗ１、Ｐｗ２とするとき、Ｐｗ１＞Ｐｗ２であることを特徴とする（請求項３）。
図４について説明したとおり、Ｎ１／Ｌが小さいほど変調度が高くなる傾向にある。ｒに対する変調度の変動を図６に示す。Ｐｗ１＝Ｐｗ２の場合をｄ−Ｉに、Ｐｗ１＞Ｐｗ２の場合をｄ−IIに示す。ｄ−Iの場合は、ｒ＝ｒ０で変調度が不連続に変わってしまう。そこで、ｄ−IIとすることで、変調度の不連続を解消することができる。従って図７に示すようにＰｗをｒ＝ｒ０で変更することが好ましい。また、Ｐｗ２は０．７Ｐｗ１〜０．９Ｐｗ１の範囲にあることがさらに好ましい。
【００１８】
本発明の記録方法においては、ｒ＜ｒ０でのＰｅをＰｅ１、ｒ≧ｒ０でのＰｅをＰｅ２としたとき、（Ｐｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐｗ２）＜１であることが好ましく（請求項４）、さらに好ましくは（Ｐｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐｗ２）≧０．７である。この範囲とすることで、ｒ≧ｒ０での繰り返し記録後のジッタを低減することができる（請求項５）。つまり、図９に示す通り、ｒ＝ｒ０でＰｅ／Ｐｗをｄ−IIに示す通りに変更することによって繰り返し記録（ＤＯＷ：ＤｉｒｅｃｔＯｖｅｒＷｒｉｔｅ）後のジッタを低減することが可能となる。ジッタは図１０に示す通り、一回目の書換え後ではＰｗの増加に対してＪＴ１に示す通り減少するが、１０００回後のジッタはＪＴ１ＫのようにＰｗの増加に伴い増加する傾向にある。しかし、Ｐｅ／Ｐｗを下げることにより、ＪＴ１Ｋ’のように低下させることが可能となる。このＪＴ１０００はＮ／Ｌが低いと高くなる傾向にあるため、ｒ≧ｒ０の領域では、Ｐｅ／Ｐｗを下げることが好ましい。図９に示す通りにＰｅ／Ｐｗを変化させると、ＤＯＷ後のジッタを図８に示す通りｄ−Ｉからｄ−IIに下げることが可能となる。
【００１９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１
連続グルーブを転写したＣＤ−ＲＷ用のポリカーボネート製基板上に下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、反射放熱層を準じ積層した。下部保護層、上部保護層にはＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合物を用いた。成膜には真空成膜法の１種であるＲＦマグネトロンスパッタリング法を用い、各層の膜厚を８０ｎｍ、２０ｎｍとした。
記録層の材料としては、相変化合金であるＧａＳｂＴｅ合金に添加物としてＧｅを添加したものを用いた。その組成比をＧａαＳｂβＴｅγＧｅδとしたとき０．０４≦α≦０．０８
０．７３≦β≦０．７９
０．１９≦γ≦０．２１
０．０１≦η≦０．０５
の範囲であった。但しα＋β＋γ＋η＝１．０である。
【００２０】
記録層の成膜にはＡｒガス雰囲気を用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法を用い、その膜厚は２０ｎｍとした。反射放熱層の材料として、Ａｇを用いた。Ａｇの純度は９９．９％ｗｔとした。反射層の成膜には記録層と同様のＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いた。反射放熱層の膜厚は１５０ｎｍとした。スパッタ膜を積層した基板上に樹脂製の保護膜を作成し光ディスクとした。保護層の樹脂としては紫外線硬化樹脂をスピンコート法で均一に塗布し紫外線を照射し硬化させることで成膜した。保護層の膜厚は４〜１０μｍの膜厚であった。得られた光ディスクは記録層全面が非晶質状態のため、結晶化する必要がある。市販の相変化光ディスク用初期化装置を使用して全面を初期化した。初期化装置は高出力半導体レーザーをディスクに照射・走査することで行う。走査速度は５．０ｍ／ｓとし、照射するビーム径は幅８０μｍであった。
得られたディスクはグルーブ反射率２０％のＣＤ−ＲＷディスクとなった。
【００２１】
このＣＤ−ＲＷディスクをＣＡＶで回転させ記録を行い、記録特性を評価した。評価装置にはパルステック工業製ＣＤ−ＲＷ評価装置ＤＤＵ１０００を使用した。ディスクを４８００ｒｐｍでＣＡＶ回転させ、半径位置ｒと基本クロックｆを変動させ記録を行った。半径位置ｒとクロックｆの関係を表１に示す。記録に用いた光ピックアップの仕様は以下のとおりであった。
ＮＡ＝０．５０：λ＝７８０ｎｍ：再生パワー＝０．７ｍＷ：Ｐｗの範囲：２０〜３５ｍＷ
【００２２】
【表１】

【００２３】
ｒ０＝４０ｍｍとし、ｒ＜ｒ０では図２（ｂ）の方法、ｒ≧ｒ０では図２（ｄ）の方法を採用した。ここで、Ｐｗ１＝３０ｍＷ、Ｐｗ２＝２７ｍＷとした。また、Ｐｅ１／Ｐｗ１＝０．３、Ｐｅ２／Ｐｗ２＝０．４とした。また、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｏｆｆを表２に示した。
記録は各半径位置でオーバーライト１回、１０００回行い変調度、ジッタを測定した。但し、ｒ＝４０ｍｍでは図１１に示す通り記録方法を変更する個所を設けたため、ｒ＝３９．８ｍｍでも測定を行った。測定結果を図１２〜１４に示す。ＣＤ−ＲＷの標準規格によると、変調度は０．５５以上、ジッタは３５ｎｓ以下とある。この基準から判断すると、変調度の変動も小さく、オーバーライト後のジッタも良好であると判断できる。
【００２４】
【表２】

【００２５】
以下に比較例を示す。
比較例１
実施例１で作製したディスクに同様の記録の実験を行った。ただし、記録方法は図２（ｂ）のみ使用し、Ｐｗ＝３０ｍＷ、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．３とした。Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｏｆｆは実施例と同一とした。実施例と同様の評価を行った結果を図１２〜図１４に実施例と併記した。
半径が大きくなると変調度が著しく低下し、ジッタも悪化している。
【００２６】
【発明の効果】
１．請求項１
光情報記録媒体の記録方法においては、ディスク半径ｒが大きい媒体の外周部でエネルギー効率の高いパルス分割方法を用いているので、ＣＡＶ（ＣｏｎｓｔａｎｔＡｎｇｕｌａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ：各速度一定記録）またはＺ−ＣＬＶ（Ｚｏｎｅ−ＣｏｎｓｔａｎｔＬｉｎｅａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ：半径位置ごとに線速度を変更し、擬似的にＣＡＶを実現する方法）を用い外周部で高い走査速度になる場合でも、低い記録パワーで十分な変調度をとる事ができる。
２．請求項２〜請求項４
光情報記録媒体の記録方法においては、記録パルス数の変化と同時に記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅのそれぞれを最適化しているため、外周部の高速記録の領域でも高い変調度を確保しつつ、良好なジッタを確保することができる。
３．請求項５
媒体の構成材料が最適化しているため、請求項１から請求項４に記載の記録方法を適用した場合に高変調度かつ低ジッタの情報を記録することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ディスク状の光情報記録媒体の構成を説明した図である。
【図２】マルチパルス法の発光波形の例を説明した図である。
【図３】ＣＡＶ記録を行った場合に生じるひずみを説明した図である。
【図４】光記録媒体の特性である変調度のＰｗ依存性と記録方法依存性を説明した図である。
【図５】ＣＡＶ記録または擬似的なＣＡＶ記録法において、ディスク半径位置ｒに対して走査速度ｖが線形に変動を説明した図である。
【図６】ディスク半径位置ｒに対する変調度の変動を説明した図である。
【図７】Ｐｗをｒ＝ｒ０で変更することが好ましいことを説明した図である。
【図８】図９に示す通りにＰｅ／Ｐｗを変化させると、ＤＯＷ後のジッタをｄ−Ｉからｄ−IIに下げることが可能となることを説明した図である。
【図９】ｒ＝ｒ０でＰｅ／Ｐｗをｄ−IIに示す通りに変更することによって繰り返し記録（ＤＯＷ）後のジッタを低減することが可能となることを説明した図である。
【図１０】Ｐｗの増加に対してジッタの変化を説明した図である。
【図１１】実施例１の記録方法を説明した図である。
【図１２】実施例１の測定結果を説明した図である。
【図１３】実施例１の測定結果を説明した図である。
【図１４】実施例１の測定結果を説明した図である。
【符号の説明】
１ディスク状光情報記録媒体
２回転モータ
３レンズ
４光ピックアップ
Ｐｗパルスの強度
Ｐｅパルスの強度
Ｐｂパルスの強度
Ｔｍｐ２パルス以降のパルス幅
Ｔｔｏｐ１パルス目の発光幅
Ｔｏｆｆ最後の冷却パルス幅
ｎ変調方式によってその範囲が決定される自然数

Claims

基板上に少なくとも１層以上の記録層と少なくとも１層以上の反射層を有する媒体に光を照射しＣＡＶまたはＺ−ＣＬＶで走査することで記録層に相変化を生じさせることで情報の記録、再生、書換えまたは消去を行うディスク状の光情報記録媒体の記録方法において、長さＬの記録マークを形成するためのマルチパルスがＮ１／Ｌ＞Ｎ２／Ｌ（Ｎ１はｒ＜ｒ０のときのパルス数、Ｎ２はｒ≧ｒ０のときのパルス数、ｒはディスク状の光情報記録媒体の半径位置、ｒ０は任意の半径である）であり、少なくともＬ＝６Ｔ記録ではｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝５／（６Ｔ）、ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝３／（６Ｔ）、Ｌ＝５Ｔ記録ではｒ＜ｒ０でＮ１／Ｌ＝４／（５Ｔ）、ｒ≧ｒ０でＮ２／Ｌ＝２／（５Ｔ）であるパターンを含むことを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
請求項１に記載の光情報記録媒体の記録方法において、記録時に照射する光がＰｗ、Ｐｅ、Ｐｂの３レベル（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）で強度変調され、Ｐｗ１＞Ｐｗ２（ｒ＜ｒ０の時にＰｗ＝Ｐｗ１、ｒ≧ｒ０のときＰｗ＝Ｐｗ２）であることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
請求項１〜２のいずれかに記載の光情報記録媒体において、（Ｐｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐｗ２）＜１（ｒ＜ｒ０のときＰｅ＝Ｐｅ１、ｒ≧ｒ０のときＰｅ＝Ｐｅ２）であることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
請求項３に記載の光情報記録媒体の記録方法において、（Ｐｅ１／Ｐｗ１）／（Ｐｅ２／Ｐｗ２）≧０．７であることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒体の記録方法において、該光情報記録媒体の記録層材料がＳｂ、Ｔｅを主成分とする材料、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅを含む合金またはＧｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする材料であることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。