JP2003091884A

JP2003091884A - 光情報記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003091884A
Application number: JP2001286149A
Authority: JP
Inventors: Masanori Kato; 将紀加藤; Yuki Nakamura; 有希中村
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-09-20
Filing date: 2001-09-20
Publication date: 2003-03-28

Abstract

(57)【要約】【課題】記録層材料の初期状態を最適化することで、
高速記録でのオーバーライト特性を向上させること。【解決手段】透明基板上にＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分
とする記録層を有し、光学的に情報を記録、再生および
または消去する光情報記録媒体において、媒体の初期化
における照射エネルギー密度Ｅに対して媒体の反射率Ｒ
が変動し、Ｅ_１＜Ｅ＜Ｅ_２の範囲で反射率が離散的な値
をとり、Ｅ＜Ｅ_１で初期化されたことを特徴とする光情
報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、詳しくは、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ
−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＰＤ等の相変化型光ディスクに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術としては、特開平８−７７６
１４号公報には、相変化型光情報記録媒体の初期化装置
として、テンデム光学系を用いて均一に高速に初期化を
行なう初期化装置に関し、光学系と媒体に照射するレー
ザービームの形状を規定していることが記載されている
が、照射エネルギーに関する記述はなく、この内容だけ
では信号品質の良好な媒体を得ることはできない。ま
た、マルチスピードでの記録、線速４．８ｍ／ｓ以上で
の記録特性改善に関する記述もない。特開平９−７３６
６６号公報には、光情報記録媒体とその製造方法および
製造装置として、情報記録領域外に光学的に読み取り可
能なマークを記録し、メディアの識別情報を書き込むこ
とが記載されている。特開平９−２１２９２１８号公報
には、情報の記録媒体とおよびその初期化方法および初
期化装置として、初期化に際し、記録膜の少なくとも一
部が融解することを特徴とした光情報記録媒体と、その
初期化方法および初期化装置に関し、同時に初期化に使
用するビームの媒体上での形状を規定、長方形また楕円
形で長手方向を記録トラックに垂直に配置して初期化を
行なうことで、記録信号の改善を行なっていることが記
載され、媒体の層構成も規定していることが記載されて
いる。しかし、媒体に照射するエネルギー密度に関する
記述はなく、記録層が融解するだけで特性が改善できる
としているが、実際には照射するエネルギーに大きく依
存するので、改善はできない。また、マルチスピード記
録、記録線速度４．８ｍ／ｓ以上の記録特性に関する記
述もない。特開平１０−２４１２１１号公報には、光記
録媒体の製造方法として、初期化の前に改質工程を行な
うことで、初期化品質の向上を実現していることが記載
されているが、実質、２回初期化を行なうことになり、
生産性の低下に繋がる。また、マルチスピード記録での
記録品質、記録線速４．８ｍ／ｓ以上の高速記録に関す
る記述はない。特開平１０−２８９４４７号公報には、
情報記録媒体とその初期化方法及び初期化装置として、
初期化に使用するビームスポットの角度をトラックに対
して平行以外にし、ビームをデフォーカスすることで、
初期化による反射率のむらを低減した初期化方法および
媒体が記載され、初期化の重なりによるむらを低減し、
トラックはずれを防止するとしているが、媒体にかかる
エネルギー密度に関する記述はなく、また、マルチスピ
ード記録、記録線速４．８ｍ／ｓ以上で記録特性に関す
る記述もない。

【０００３】我々は先に、光情報記録媒体とその初期化
方法および初期化装置に関して、高速ＣＤ−ＲＷ規格に
準じたものを中心に検討したものがあるが、本発明の記
録密度に適した範囲とは、最適な初期化時のエネルギー
密度が異なる。

【０００４】ＣＤ−ＲＷ、ＰＤ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶ
Ｄ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷに代表される書き換え型光ディ
スクは、コンピュータ機器、家電機器の情報記録媒体と
して採用されてきている。上記のような書き換え型光情
報記録媒体の最大の特長は、消去プロセスを踏まないダ
イレクトオーバーライトが可能であることにある。しか
し、消去プロセスを含まないため、オーバーライト後の
信号特性は記録前の状態に大きく依存するため、１回目
のダイレクトオーバーライト後の特性向上が課題となっ
ている。また、記録方式が熱的なプロセスによるものの
ため、多数回の記録での膜の劣化進行し、信号が劣化す
るという課題がある。

【０００５】また、情報量の増加に伴い記録媒体の記
録、再生速度も高速化する傾向にある。前記のオーバー
ライト後の特性は、高速記録の環境になるほど、厳しく
なる傾向がある。特に、高速記録での１回目のオーバー
ライトがもっとも厳しくなっている。これは、ディスク
の記録材料の初期状態とドライブによってオーバーライ
トまたは消去された状態とが異なるため、このような現
象が発生する。オーバーライト特性を改善するには、光
学的、熱的特性から、記録材料の組成を最適化すること
が必要であると同時に、ディスクの初期状態に大きく影
響する結晶化または初期化と呼ばれるプロセスの条件を
最適化する必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
層材料の初期状態を最適化することで、高速記録でのオ
ーバーライト特性を向上させることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「透明基板上にＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする
記録層を有し、光学的に情報を記録、再生およびまたは
消去する光情報記録媒体において、媒体の初期化におけ
る照射エネルギー密度Ｅに対して媒体の反射率Ｒが変動
し、Ｅ_１＜Ｅ＜Ｅ_２の範囲で反射率が離散的な値をと
り、Ｅ＜Ｅ_１で初期化されたことを特徴とする光情報記
録媒体」、（２）「前記光情報記録媒体の反射率ＲのＥ
＜Ｅ_１での傾きｄＲ／ｄＥが１．７×１０^−４［Ｊ／ｍ
^２］以下であることを特徴とする前記第（１）項に記載
の光情報記録媒体」、（３）「前記Ｅ _１＜Ｅ＜Ｅ_２での
離散的な反射率Ｒ_１、Ｒ_２の比が、１．２＜Ｒ_２／Ｒ_１
＜１．６であることを特徴とする前記第（１）項又は第
（２）項に記載の光情報記録媒体」、（４）「前記光情
報記録媒体の初期化の照射エネルギー密度ＥをＥ＜０．
８５×Ｅ_１としたことを特徴とする前記第（１）項乃至
第（３）項のいずれかに記載の光情報記録媒体」、
（５）「前記記録層のＧａ、Ｓｂ、Ｔｅの含有率が、原
子パーセントを用いてそれぞれα、β、γで表わされる
とき、

【０００８】

【数２】２≦α≦９７０≦β≦８５１５≦γ≦２５ α＋β＋γ≧９０％であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項
のいずれかに記載の光情報記録媒体」によって達成され
る。

【０００９】また、上記課題は、本発明の（６）「透明
基板上にＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする記録層を有
し、光学的に情報を記録、再生およびまたは消去する光
情報記録媒体の初期化方法において、媒体の初期化にお
ける照射エネルギー密度Ｅに対して媒体の反射率Ｒが変
動し、Ｅ_１＜Ｅ＜Ｅ_２の範囲で反射率が離散的な値をと
り、Ｅ＜Ｅ_１で初期化することを特徴とする光情報記録
媒体の初期化方法」、（７）「前記光情報記録媒体の初
期化の照射エネルギー密度ＥをＥ＜０．８５×Ｅ _１とし
たことを特徴とする前記第（６）項に記載の光情報記録
媒体の初期化方法」によって達成される。

【００１０】以下に、本発明の光情報記録媒体について
詳述する。図１は、本発明の光情報記録媒体の層構成の
１例を示したものである。図１に示す構成のうち、少な
くとも基板と１層以上の記録層が必要である。ただし、
繰り返し記録可能な光情報媒体とするには、図１のよう
な構成をとるのが好ましい。

【００１１】透明基板上に第１誘電体層（下部誘電体
層）、記録層、第２誘電体層（上部誘電体層）、反射層
があり、反射層の上には媒体を物理的な損傷から保護す
るオーバーコート層を積層することが一般的である。基
板の記録層とは反対側に、基板を保護するハードコート
層や、オーバーコート層上に物理的な損傷に対する強度
を上げるために、さらに樹脂層を積層しても良い。

【００１２】透明基板は媒体を記録、再生する光の波長
領域で透明であることが必要である。透明基板材料とし
てはガラス、セラミックス、樹脂等が例示でき、透明性
および基板形成の容易さから、樹脂を用いるのが好まし
く、樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢ
Ｓ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、射出成形で
容易に基板を作成でき、光学特性、コストの点で優れる
ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。透
明基板上には案内溝（グルーブ）が形成されていてもよ
く、案内溝の基板上での配置は同心円状、らせん状、直
線状等が考えられるが、回転させて記録、再生が可能な
同心円状、らせん状が、高記録密度と高い再生安定性、
高速アクセス性から望ましい。

【００１３】第１誘電体層、第２誘電体層は記録層の熱
的損傷を保護すると同時に、干渉層として作用し光学特
性を調整するために積層される。材料としては熱特性、
光学特性から最適な材料を選定するが、熱的、光学的特
性から誘電体を用いる。誘電体としては、ＳｉＯ_２、Ｓ
ｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｍｇ
Ｏ、ＺｒＯ_２等の酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４
硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚｒ
Ｃ等の炭化物、またはダイヤモンド状炭素があり、これ
らの誘電体単体、もしくは２種以上の混合物が用いられ
る。

【００１４】各誘電体層は真空成膜を用いて成膜され、
成膜方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、ＣＶＤ法等が例として挙げられ、
生産性・低コスト性から、スパッタリング法を用いるの
が好ましい。また、スパッタリングに用いるガスとして
は、Ｎｅ、Ａｒなどの不活性ガスやＯ、Ｎ、Ｓなどの反
応性のガスやその混合物を用いても良い。

【００１５】第１誘電体層、第２誘電体層の材料・膜厚
は独立に任意に設定でき、媒体の反射率、吸収率などの
光学特性や媒体の記録感度や繰り返し記録（オーバーラ
イト）性能などの熱的特性から最適膜厚を独立に設定す
ることができる。膜厚としては、それぞれ１０ｎｍ〜５
０００ｎｍ程度である。

【００１６】反射放熱層は情報を記録、再生する光を効
率良く反射させる機能と記録層にかかる熱を効率よく放
出する機能を有する。反射放熱層の材料としては、任意
のものを使用できるが、記録再生に用いられる光の波長
領域で高い反射率を有することが好ましい。一般的には
金属材料または合金材料を用い、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌまた
はこれらの金属にＴｉ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ｃ等を１種以上混合した合金があり、熱的特性、光
学的特性、および生産性を考慮すると、ＡｌまたはＡｇ
を主成分とする合金もしくはＡｇを用いるのが好まし
い。合金の組成および反射層の膜厚は任意に設定でき、
熱的特性および光学的特性から最適化するのが望まし
い。

【００１７】記録層は、実際に情報が記録される薄膜層
である。情報は記録、再生に用いられる光の波長領域で
の光学特性の異なる領域の空間的配列によって記録され
る。本発明の記録媒体は、記録層が再生波長領域で光学
的に識別可能な少なくとも２つ以上の状態（相）を有
し、それぞれの状態が可逆的である相変化材料からな
る。相変化材料としては、非晶質（アモルファス）と結
晶を材料の熱履歴で制御できるものが、強度変調のみで
情報を記録可能なため好ましい。そのため、本発明の記
録媒体の記録層には相変化材料を用いる。

【００１８】情報の記録は、結晶状態の記録層にアモル
ファス層が主成分となる記録領域をマークとして記録す
る方法と、アモルファス状態の記録層に結晶層を主成分
となる記録領域をマークとして記録する方法があるが、
前者の方が未記録状態で高い反射率を得ることができる
ため、好ましい。

【００１９】光情報記録媒体に適している相変化材料と
しては、合金系の材料を用いるのが一般的であり、Ｇｅ
Ｔｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ−
（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳ
ｂ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＡｇＧｅＳｂＴｅ等の
合金系が例示できる。

【００２０】本発明の光情報記録媒体に用いる記録層材
料としてはＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とすることが必要
である。Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅの他に１種類以上の任意の元
素を添加することができ、添加元素としては、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｓ、Ｎ、Ｏ等が例示で
き、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｇを添加することが好ましい。Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅの濃度は任意に設定可能であるが、それ
ぞれの組成が原子パーセントでα、β、γと表わされる
とき、

【００２１】

【数３】２≦α≦９７０≦β≦８５１５≦γ≦２５ α＋β＋γ≧９０とすることで、共晶となりやすいため、好ましい。

【００２２】記録層の形成方法としては、誘電体層と同
様に真空成膜法を用いるのが一般的であり、真空成膜法
としては成膜方法としては真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が例として挙
げられ、生産性・低コスト性から、スパッタリング法を
用いるのが好ましい。また、スパッタリングに用いるガ
スとしては、Ｎｅ、Ａｒなどの不活性ガスやＯ、Ｎ、Ｓ
などの反応性のガスやその混合物を用いても良い。

【００２３】記録層は真空成膜で形成後は通常アモルフ
ァス状態の領域が主成分となる。前述の通り、未記録状
態で高い反射率を得るためには、全面を結晶化する必要
がある。この結晶化のプロセスが初期化といわれる。初
期化の方法は記録層を結晶化するために、記録層に熱を
かけることが必要であり、通常高出力レーザーを媒体に
照射して行なう。高出力レーザーとしては、ガスレーザ
ー、半導体レーザー等があるが、制御の簡便さ、光学系
の制御の容易さ、コスト的優位性から、高出力の半導体
レーザーを用いるのが好ましい。半導体レーザーの出力
としては５０ｍＷ〜３００ｍＷ程度であることが好まし
い。レーザーの波長としては、任意の波長を使用できる
が、６００ｎｍ〜９００ｎｍである。

【００２４】初期化の方法としては、図２に示すよう
に、媒体上をレザー光源と集光レンズからなる初期化ヘ
ッドを走査することで行なう。走査の方法としては、初
期化ヘッドを固定し媒体移動または回転させて行なって
も、媒体を固定させ初期化ヘッドを移動して走査しても
よく、例としては図２に示す通り、ディスク状の媒体を
回転させると同時に初期化ヘッドをディスクの径方向に
移動させらせん状に走査する方法が考えられる。

【００２５】集光レンズによって媒体の記録層近傍に収
束されたビームの形状は任意のものを使用できるが、図
３に示すように走査方向に短く、走査方向と垂直な方向
に長い形状を、つまりＷ_Ｒ＜Ｗ_Ｔとすることが、全面を
走査する効率を向上することができるので、好ましい。
高出力の半導体レーザーを用いた場合、強度がピーク値
の１／ｅになる幅でＷ_Ｒが０．５〜１０μｍ、Ｗ_Ｔが５
０〜４００μｍである。

【００２６】また、図２に示す初期化方法では、ディス
ク１回転あたりの初期化ヘッドの移動量Ｐはビーム形状
によって決定され、隙間なく初期化するためにはＰ＜Ｗ
_Ｒとする必要があり、ビームの強度分布を考慮すると、
Ｐ＜０．８Ｗ_Ｒとすることが望ましい。

【００２７】初期化の条件は、記録層近傍に照射される
エネルギーＩ、初期化ヘッドの走査速度Ｖ、照査するビ
ームの大きさＷ_Ｒ、Ｗ_Ｔがある。高いエネルギーを遅い
走査速度で照射すると媒体上にかかるエネルギーがもっ
とも高くなり、記録層材料が一時的に溶融状態となり、
冷却されるため、高い反射率の媒体となる。一方、低い
エネルギーで速い走査速度で照射すると媒体上にかかる
エネルギーが低くなり、共融点以下で結晶化が進行する
ため、低い反射率の媒体となる。

【００２８】本発明の媒体における反射率Ｒの記録層近
傍にかかるエネルギー密度Ｅの関係は図４のようにな
る。ここで、エネルギー照射密度Ｅは次式で定義され
る。

【００２９】

【数４】Ｅ＝Ｉ／（Ｗ_Ｒ・Ｖ）Ｅはビームを１回走査したときの単位面積あたりのエネ
ルギー照射量に相当する。Ｅが増加すると反射率Ｒは増
加していく。本発明の光情報記録媒体は、Ｅに対してＲ
が図４に示すＥ_１＜Ｅ＜Ｅ_２の領域で離散的な値をとる
ことを特徴とする。

【００３０】ここでいう離散的な反射率とは、巨視的に
平均化された反射率ではなく、微視的領域の反射率であ
り、記録、再生に用いる光学系のビーム径程度の領域で
の反射率を意味する。例として、同心円状またはらせん
状に案内溝を形成した光情報記録媒体について解説す
る。図５に示すようにディスク状の光情報記録媒体の位
置を極座標系で示すときの角度成分をθとする。このと
き、任意の半径でのθに対する反射率の空間的な分布を
図６〜８に示す。図６はＥ＜Ｅ_１の領域、図７はＥ_１＜
Ｅ＜Ｅ_２の領域、図８はＥ＞Ｅ_２の領域に相当する。Ｅ
＜Ｅ_１、Ｅ＞Ｅ_２の領域でＲはＥの増加に伴い上昇して
行くが、θに対する依存性はばらつき程度の範囲で収ま
る。ばらつきの範囲としてはΔＲ／Ｒ＜０．２程度であ
る。ここでΔＲは０＜θ＜２πの範囲での反射率Ｒの変
動幅である。

【００３１】図６では、記録層は共融点以下で加熱され
るため反射率の低くなっており、図８では記録層が共融
点より高い温度に加熱されるため、高い反射率領域とな
っている。図７の領域は反射率が離散的な値をとる領域
である。θに対して反射率Ｒは微視的に変動し、Ｒ_１、
Ｒ_２の２種類の値をとる。つまり、反射率Ｒ_１をとる領
域とＲ_２をとる領域に分かれる。Ｒ_２の領域は記録層材
料が共融点以上に加熱されてから、冷却されているため
高反射率となり、Ｒ_１の領域は記録層材料が共融点以下
に加熱されているため、低い反射率をとる。つまり、図
６と図８の状態の混合状態となっている。Ｅの増加に従
ってＲ_１、Ｒ_２ともに、増加と同時にその占有領域が変
動する。Ｅが増加するとＲ_１の領域は減少し、Ｒ_２の領
域が増加する。これにより媒体の平均的反射率は連続的
に増加するが、微視的な反射率としては離散的な値をと
ることになる。このような現象は特にＧａ、Ｓｂ、Ｔｅ
を含有する記録層材料を用いたときに顕著に発生する。

【００３２】本発明の光情報記録媒体では、Ｇａ、Ｓ
ｂ、Ｔｅを主成分とする記録層を有し、その初期化の照
射エネルギー密度Ｅに対して反射率Ｒが離散的な値をと
る領域Ｅ_１＜Ｅ＜Ｅ_２が存在すると同時に媒体の初期化
状態がＥ＜Ｅ_１の領域でなされたことを特徴とする。

【００３３】初期化の状態をＥ＜Ｅ_１の領域とすること
で初期状態が実際の記録装置での消去されるプロセスに
近いことから、初期状態の結晶領域と初期記録で形成さ
れる結晶領域との熱履歴の変動を小さくすることがで
き、１回目のオーバーライト特性、特にジッタを改善す
ることができる。つまり、初期状態の結晶状態の反射率
と、初期記録、１回目のオーバーライトでの結晶化状態
の反射率との差が少なく、初期状態にマークを形成する
場合と、初期記録、オーバーライトでマークを形成する
場合でのマークサイズの熱履歴による変動を小さくでき
ることによる。Ｅ＜Ｅ_１の領域でもＥの増加と共にＲは
上昇するが、この照射エネルギーに、このときのＲのＥ
依存性を微分係数ｄＲ／ｄＥで表わすとき、ｄＲ／ｄＥ
が小さいほど、初期化条件による初期状態の依存性が小
さく安定した媒体を得ることができ、１．７×１０^−４
［Ｊ／ｍ^２］以下であることが好ましい。

【００３４】また、離散的な反射率をとる領域のエネル
ギー密度の下限値Ｅ_１に対してＥ＜０．８５×Ｅ_１とす
ることで、記録装置での最適パワーコントロール（ＯＰ
Ｃ）の際のパワーのふり幅が最適パワー±１５％である
ことが一般的であるため、ＯＰＣ動作の際に反射率変動
が大きい領域を含まないので、ＯＰＣの精度を上げるこ
とができる。ここで、ＯＰＣの方法はＣＤ−ＲＷの標準
規格であるオレンジブックパート３ volume２に記載の
γ法が例として挙げられる。

【００３５】Ｅ_１＜Ｅ＜Ｅ_２の領域での離散的な反射率
の比Ｒ_２／Ｒ_１の比は、多数回のオーバーライト時の反
射率変動に影響する。多数回のオーバーライトを実施す
ると、記録層への熱履歴による拡散現象で記録層の共融
点が低下してくる傾向にある。この場合、低いエネルギ
ー密度でも反射率がＲ_２となる場合がある。この場合、
多数回のオーバーライトによる反射率の変動として影響
する。オーバーライトでの反射率変動は２０％程度に抑
えることが好ましい。反射率自体は、グルーブ上の実際
の記録・消去される領域とランド部の熱履歴のほとんど
ない領域の両方の影響をうけるため、Ｒ_２／Ｒ_１＜１．
６が好ましい。ただし、初期状態を共融点以下での結晶
化状態とするには、Ｒ_２／Ｒ_１＞１．２であることが望
ましいので、Ｒ_１、Ｒ_２の比の範囲としては１．２＜Ｒ
_２／Ｒ_１＜１．６であることが望ましい。

【００３６】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。らせん状の連続グルーブを転写したＣＤ−ＲＷ用の
ポリカーボネート製の基板に、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層、反射放熱層を順次スパッタリング法で成
膜し、その上に紫外線硬化樹脂からなるオーバーコート
層を形成し、ＣＤ−ＲＷディスクを作成した。誘電体層
にはＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を用い、記録層にはＧａ
ＳｂＴｅＧｅ合金を用いた媒体（Ａ）とＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ合金を用いた媒体（Ｂ）の２種を、反射放熱層にはＡ
ｌＴｉ合金を用いた。各層の膜厚は第１誘電体層７０ｎ
ｍ、記録層１０ｎｍ、第２誘電体層２０ｎｍ、反射放熱
層２００ｎｍとした。オーバーコート層は紫外線硬化樹
脂をスピンコート法で塗布し紫外線を照射し硬化させ
た。その厚さは１０μｍであった。このときの媒体
（Ａ）の記録層組成はＧａ、Ｓｂ、Ｔｅの濃度が組成が
原子パーセントでα、β、γと表わされるとき、２≦α≦９７０≦β≦８５１５≦γ≦２５ α＋β＋γ≧９０の範囲内であった。また、作成したディスクの記録層は
全面アモルファス状態であった。このディスクを高出力
半導体レーザーの初期化装置で初期化を行なった。照射
するビームは以下のとおりであった。 λ＝８３０ｎｍビームサイズ：Ｗ_Ｒ＝１００μｍ、Ｗ_Ｔ＝１μｍ照射パワー：Ｉ＝３００〜６００ｍＷ（媒体上）操作線速を２ｍ／ｓ〜６ｍ／ｓ、照射パワーを３００〜
６００ｍＷの範囲で調整し、照射エネルギー密度Ｅが、
５００［Ｊ／ｍ^２］〜１０００［Ｊ／ｍ^２］の範囲にな
るように調整した。このときの、Ｅと媒体（Ａ）、
（Ｂ）の反射率Ｒの関係を図９、図１０に示す。

【００３７】媒体（Ａ）では、７００［Ｊ／ｍ^２］＜Ｅ
＜８２０［Ｊ／ｍ^２］の領域で反射率が離散的な値をと
っている。一方媒体（Ｂ）では、上記のような離散的な
反射率をとる領域はない。これらの媒体にオレンジブッ
クパート３ volume２記載の方法に準じた記録を行なっ
た。但し、記録線速は基準線速の１６倍に相当する１
９．２ｍ／ｓとし、基準クロックを６９．１４ＭＨｚ
（１６倍相当）に設定した。記録ストラテジはＴｍｐ＝
７．２３ｎｓとし、ＳｔｒａｔｅｇｙＯｐｔｉｍｉｚ
ａｔｉｏｎＰａｒａｍｅｔｅｒをｍ＝３、ｎ＝２とし
て記録した。また、Ｐｗ＝２６ｍＷ、ε＝０．４６とし
た。記録装置はパルステック工業製ＤＤＵ１０００を用
いた。記録装置の光ピックアップはλ＝７８９、ＮＡ＝
０．５０であった。このとき、一回目のオーバーライト
後のジッタを（Ａ）、（Ｂ）のそれぞれについて測定し
た。その結果を図１１、図１２に示す。

【００３８】オレンジブックの規格値がジッタ＜３５ｎ
ｓであることを考慮すると（Ａ）、（Ｂ）ともに７００
［Ｊ／ｍ^２］の領域で特性が良好となっている。特に
（Ａ）の方がジッタが低く良好なオーバーライト特性を
有するといえる。また、（Ａ）については、離散的な反
射率をとる領域でジッタが悪化しているが、その領域よ
りも低いＥの領域では充分に低いジッタとなっている。
一方、離散的な反射率にならない（Ｂ）では照射エネル
ギーの上昇と共にジッタが悪化していく。５８０［Ｊ／
ｍ^２］近傍でジッタは最小値をとるが、（Ａ）よりは高
い値となっている。

【００３９】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明より明らか
なように、請求項１に記載の本発明の光情報記録媒体に
おいては、記録層にＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする材
料を使用すると共に、初期化の照射エネルギーを離散的
な反射率をとる領域外の反射率の低い領域内に設定して
いるので、結晶化が低い温度領域で進行するため記録感
度が高く、１回目のダイレクトオーバーライトでのジッ
タを良好にすることができる。また、請求項２および請
求項３に記載の本発明の光情報記録媒体においていは、
Ｅ＜Ｅ_１でのｄＲ／ｄＥを１．７×１０^−４［Ｊ／
ｍ^２］以下としており、または離散的な反射率の比を最
適化しているので、照射エネルギーによる反射率の依存
性が最適化されているため、多数回のダイレクトオーバ
ーライトによる反射率変動の影響を低減することがで
き、繰り返し記録特性を良好にすることができる。ま
た、請求項４に記載の本発明の光情報記録媒体において
は、初期化状態が離散的な反射率をとる領域から充分に
離れた領域となっているため、初期化条件のマージンを
取ることができると同時に、ＯＰＣの精度を確保するこ
とができる。また、照射エネルギーが最適化されている
ため、ダイレクトオーバーライト後のジッタを良好にす
ることができる。また、請求項５に記載の本発明の光情
報記録媒体においては、記録層の原子組成を最適化して
いるため、請求項１に記載の光情報記録媒体を容易に作
ることができるという優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の層構成の１例を示し
た図である。

【図２】初期化の方法を示す図である。

【図３】記録層近傍に収束されたビームの形状を示す図
である。

【図４】本発明の媒体における反射率Ｒの記録層近傍に
かかるエネルギー密度Ｅの関係を示す図である。

【図５】ディスク状の光情報記録媒体の位置を極座標系
で示すときの角度成分をθを示す図である。

【図６】任意の半径でのθに対する反射率の空間的な分
布を示す１例である。

【図７】任意の半径でのθに対する反射率の空間的な分
布を示す他の例である。

【図８】任意の半径でのθに対する反射率の空間的な分
布を示す他の例である。

【図９】照射エネルギー密度Ｅと、実施例で作成した媒
体（Ａ）の反射率Ｒの関係を示す図である。

【図１０】照射エネルギー密度Ｅと、実施例で作成した
媒体（Ｂ）の反射率Ｒの関係を示す図である。

【図１１】照射エネルギー密度Ｅと、実施例で作成した
媒体（Ａ）のオーバーライト後のジッタの関係を示す図
である。

【図１２】照射エネルギー密度Ｅと、実施例で作成した
媒体（Ｂ）のオーバーライト後のジッタの関係を示す図
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA23 EA32 FA01 FA14 FA21 FA37 FB05 FB09 FB12 FB20 GA03 5D029 JA01 JB18 JC02 5D121 AA01 GG26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上にＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分
とする記録層を有し、光学的に情報を記録、再生および
または消去する光情報記録媒体において、媒体の初期化
における照射エネルギー密度Ｅに対して媒体の反射率Ｒ
が変動し、Ｅ _１＜Ｅ＜Ｅ_２の範囲で反射率が離散的な値
をとり、Ｅ＜Ｅ_１で初期化されたことを特徴とする光情
報記録媒体。
【請求項２】前記光情報記録媒体の反射率ＲのＥ＜Ｅ
_１での傾きｄＲ／ｄＥが１．７×１０^−４［Ｊ／ｍ^２］
以下であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記
録媒体。
【請求項３】前記Ｅ_１＜Ｅ＜Ｅ_２での離散的な反射率
Ｒ_１、Ｒ_２の比が、１．２＜Ｒ_２／Ｒ_１＜１．６である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光情報記録媒
体。
【請求項４】前記光情報記録媒体の初期化の照射エネ
ルギー密度ＥをＥ＜０．８５×Ｅ_１としたことを特徴と
する請求項１乃至３のいずれかに記載の光情報記録媒
体。
【請求項５】前記記録層のＧａ、Ｓｂ、Ｔｅの含有率
が、原子パーセントを用いてそれぞれα、β、γで表わ
されるとき、【数１】２≦α≦９７０≦β≦８５１５≦γ≦２５ α＋β＋γ≧９０％であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の光情報記録媒体。