JPH09259470A - 貼合せ情報記録媒体 - Google Patents
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- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】片面側から２層分の情報の読取が可能な貼合せ
光ディスクにおいて、落下ショックあるいは経時変化に
よる剥がれを起きにくくする。 【解決手段】読取レーザ光（波長６５０ｎｍ）ＲＬによ
り読み取られる情報ピットが形成され、このレーザ光Ｒ
Ｌに対して透明な第１基板（ポリカーボネート）３０
と；第１基板３０の情報ピット形成面に設けられ、第１
基板３０（屈折率１. ６）よりも大きな屈折率（屈折率
＝４）を持つ無機誘電体（Ｓｉ）で構成される第１情報
記録層１０と；第１情報記録層１０を挟んで第１基板３
０と貼り合わされる第２基板４０とで、貼合せ光ディス
クを構成する。
光ディスクにおいて、落下ショックあるいは経時変化に
よる剥がれを起きにくくする。 【解決手段】読取レーザ光（波長６５０ｎｍ）ＲＬによ
り読み取られる情報ピットが形成され、このレーザ光Ｒ
Ｌに対して透明な第１基板（ポリカーボネート）３０
と；第１基板３０の情報ピット形成面に設けられ、第１
基板３０（屈折率１. ６）よりも大きな屈折率（屈折率
＝４）を持つ無機誘電体（Ｓｉ）で構成される第１情報
記録層１０と；第１情報記録層１０を挟んで第１基板３
０と貼り合わされる第２基板４０とで、貼合せ光ディス
クを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、アドレス情報、
ヘッダ情報、動画情報、音声情報その他が記録される情
報記録媒体の構造の改良に関する。
ヘッダ情報、動画情報、音声情報その他が記録される情
報記録媒体の構造の改良に関する。
【０００２】とくに、この発明は、予め各種情報がエン
ボス状のプリピットとして刻まれた透明基板を２枚張り
合わせて得られる高密度光ディスクにおいて、プリピッ
トを含む情報記録層の少なくとも一部を、貼合せ基板よ
りも大きな屈折率を持つ材料で構成したものの改良に関
する。
ボス状のプリピットとして刻まれた透明基板を２枚張り
合わせて得られる高密度光ディスクにおいて、プリピッ
トを含む情報記録層の少なくとも一部を、貼合せ基板よ
りも大きな屈折率を持つ材料で構成したものの改良に関
する。
【０００３】
【従来の技術】多量の画像情報を扱うマルチメディア用
途などにおいては、ニーズの複雑化と必要な情報量の肥
大化に伴い、より大きなサイズの情報を保持でき、かつ
情報アクセスを素早く行える手段が必要となっている。
そのような情報保持手段として代表的なものに、光ディ
スクがある。
途などにおいては、ニーズの複雑化と必要な情報量の肥
大化に伴い、より大きなサイズの情報を保持でき、かつ
情報アクセスを素早く行える手段が必要となっている。
そのような情報保持手段として代表的なものに、光ディ
スクがある。
【０００４】このような光ディスクに類するものとして
は、音楽などの記録媒体として発展してきたコンパクト
ディスク（ＣＤ）が、コンピュータデータなどの記録媒
体として発展してきたＣＤＲＯＭが、また映画（動画）
などの記録媒体として発展してきたレーザディスク（Ｌ
Ｄ）が、現在普及している。しかし、これらの光ディス
クでは、これからのマルチメディア用途に十分対応する
ことは困難になってきた。
は、音楽などの記録媒体として発展してきたコンパクト
ディスク（ＣＤ）が、コンピュータデータなどの記録媒
体として発展してきたＣＤＲＯＭが、また映画（動画）
などの記録媒体として発展してきたレーザディスク（Ｌ
Ｄ）が、現在普及している。しかし、これらの光ディス
クでは、これからのマルチメディア用途に十分対応する
ことは困難になってきた。
【０００５】大容量ニーズおよび高速・柔軟な情報アク
セス性に対応する光ディスクのニューカマーとして、普
及を目前に控えている次世代の主力記録媒体、スーパー
デンシティディスク（以下ＳＤディスクと呼ぶ）があ
る。
セス性に対応する光ディスクのニューカマーとして、普
及を目前に控えている次世代の主力記録媒体、スーパー
デンシティディスク（以下ＳＤディスクと呼ぶ）があ
る。
【０００６】容量についていえば、ＳＤディスクの規格
の一例では、０. ６ｍｍ厚の透明基板（ポリカーボネー
ト製）を２枚貼り合わせたディスク容量は、両面合わせ
ておよそ１０Ｇバイトある。片面あたりおよそ５Ｇバイ
トの容量になるが、ＭＰＥＧ（Moving Picture Expert
Group ）規格により動画圧縮すると、片面で約１３５分
の映画を収録できるようになる。
の一例では、０. ６ｍｍ厚の透明基板（ポリカーボネー
ト製）を２枚貼り合わせたディスク容量は、両面合わせ
ておよそ１０Ｇバイトある。片面あたりおよそ５Ｇバイ
トの容量になるが、ＭＰＥＧ（Moving Picture Expert
Group ）規格により動画圧縮すると、片面で約１３５分
の映画を収録できるようになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＳＤディスクは２枚貼
合せ構造を採るため、従来の光ディスク（たとえばＬ
Ｄ）の考え方からいうと、ディスク両面の情報を全て再
生するには、再生中にディスクをひっくり返すか、また
はレーザピックアップ（読取光ヘッド）をディスクの表
・裏にまたがって行き来させなければならないことにな
る。そうすると、ユーザがディスクを再生途中で裏返し
しなければならないという不便が生じ、あるいは両面再
生対応光ヘッドを装備することにより再生装置の構成が
複雑化する（つまり、再生装置の小型化が難しくなり、
製品コストも高くなる）という問題が生じる。
合せ構造を採るため、従来の光ディスク（たとえばＬ
Ｄ）の考え方からいうと、ディスク両面の情報を全て再
生するには、再生中にディスクをひっくり返すか、また
はレーザピックアップ（読取光ヘッド）をディスクの表
・裏にまたがって行き来させなければならないことにな
る。そうすると、ユーザがディスクを再生途中で裏返し
しなければならないという不便が生じ、あるいは両面再
生対応光ヘッドを装備することにより再生装置の構成が
複雑化する（つまり、再生装置の小型化が難しくなり、
製品コストも高くなる）という問題が生じる。
【０００８】上記問題点（ディスクを裏返さなければな
らないこと、あるいは複雑な両面再生機構が必要なこ
と）を解消するために、ＳＤディスクでは、次のような
構成が認められている。すなわち、光ヘッド対抗面側
（表面）の記録層（第１記録層）に半透明膜を用い、こ
の半透明膜を通して、光ヘッド反対面側（裏面）の記録
層（第２記録層）の情報も読み取れるようにしている。
このような構成を採れば、光ヘッドは常にディスクの片
面（表面）側にあればよく、再生面の切換は、光ヘッド
の焦点を第１記録層と第２記録層との間で切り換えるだ
けで行えるようになる。
らないこと、あるいは複雑な両面再生機構が必要なこ
と）を解消するために、ＳＤディスクでは、次のような
構成が認められている。すなわち、光ヘッド対抗面側
（表面）の記録層（第１記録層）に半透明膜を用い、こ
の半透明膜を通して、光ヘッド反対面側（裏面）の記録
層（第２記録層）の情報も読み取れるようにしている。
このような構成を採れば、光ヘッドは常にディスクの片
面（表面）側にあればよく、再生面の切換は、光ヘッド
の焦点を第１記録層と第２記録層との間で切り換えるだ
けで行えるようになる。
【０００９】この場合、裏面の第２記録層情報を良好に
読み取るために表面側の第１記録層は透光率（読取レー
ザ光の透過率）が高くなければならない。その一方、表
面側の第１記録層を良好に読み取るためには、第１記録
層の反射率（透過光と同じ読取レーザ光に対する反射
率）は高くなければならない。
読み取るために表面側の第１記録層は透光率（読取レー
ザ光の透過率）が高くなければならない。その一方、表
面側の第１記録層を良好に読み取るためには、第１記録
層の反射率（透過光と同じ読取レーザ光に対する反射
率）は高くなければならない。
【００１０】通常、同じ光に対しては高い透光率と高い
反射率は互いに相反する事項であり、両者のバランスが
実用レベルで取れる透過／反射層材料は限られる。その
ような材料の一例として、極薄の金薄膜がある。ところ
が、光ディスク表面側の第１記録層を極薄の金薄膜で形
成した場合、その部分を挟んで２枚のディスク基板を貼
合せることになるので、この金薄膜部分での機械強度を
十分に取ることが難しい。すなわち、極薄金薄膜が貼合
せ面に介在する両面ディスクを落下させた場合、そのシ
ョックで、貼合せディスクが金薄膜の部分で剥がれてし
まう恐れが生じる。また、落下ショックが無くても、長
期の保存後、あるいは高温多湿の加速劣化試験におい
て、貼合せディスクが金薄膜の部分で剥がれてしまう恐
れもある。
反射率は互いに相反する事項であり、両者のバランスが
実用レベルで取れる透過／反射層材料は限られる。その
ような材料の一例として、極薄の金薄膜がある。ところ
が、光ディスク表面側の第１記録層を極薄の金薄膜で形
成した場合、その部分を挟んで２枚のディスク基板を貼
合せることになるので、この金薄膜部分での機械強度を
十分に取ることが難しい。すなわち、極薄金薄膜が貼合
せ面に介在する両面ディスクを落下させた場合、そのシ
ョックで、貼合せディスクが金薄膜の部分で剥がれてし
まう恐れが生じる。また、落下ショックが無くても、長
期の保存後、あるいは高温多湿の加速劣化試験におい
て、貼合せディスクが金薄膜の部分で剥がれてしまう恐
れもある。
【００１１】この発明の目的は、２枚のディスク基板上
の記録層の一方または双方を貼合せディスクの片面側か
ら読み取れるようにしたものにおいて、落下ショックあ
るいは経時変化による剥がれを起きにくくした、貼合せ
情報記録媒体を提供することである。
の記録層の一方または双方を貼合せディスクの片面側か
ら読み取れるようにしたものにおいて、落下ショックあ
るいは経時変化による剥がれを起きにくくした、貼合せ
情報記録媒体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の情報記録媒体（請求項１対応）は、所定
の光ビーム（ＲＬ）により読み取られる情報ピットが形
成され、この光ビーム（ＲＬ）に対して透明な第１基板
（３０）と；前記第１基板（３０）の情報ピット形成面
に設けられ、前記第１基板（３０）よりも大きな屈折率
（Ｓｉでｎ＝４；ＴｉＯ２でｎ＝２. ２）を持つ無機誘
電体（ＳｉまたはＴｉＯ２）で構成される第１情報記録
層（１０）と；前記第１情報記録層（１０）を挟んで前
記第１基板（３０）と貼り合わされる第２基板（４０）
とを具備している。
に、この発明の情報記録媒体（請求項１対応）は、所定
の光ビーム（ＲＬ）により読み取られる情報ピットが形
成され、この光ビーム（ＲＬ）に対して透明な第１基板
（３０）と；前記第１基板（３０）の情報ピット形成面
に設けられ、前記第１基板（３０）よりも大きな屈折率
（Ｓｉでｎ＝４；ＴｉＯ２でｎ＝２. ２）を持つ無機誘
電体（ＳｉまたはＴｉＯ２）で構成される第１情報記録
層（１０）と；前記第１情報記録層（１０）を挟んで前
記第１基板（３０）と貼り合わされる第２基板（４０）
とを具備している。
【００１３】このような構成の記録媒体では、無機誘電
体（ＳｉまたはＴｉＯ２）層をあまり薄くしなくても、
読取光に対して高い透光率および高い反射率を得ること
ができる（たとえば図６において、膜厚２０ｎｍあるい
は８０ｎｍのシリコン薄膜の透過率Ｔと反射率Ｒを参
照）。この無機誘電体層の膜厚がある程度確保できるこ
とから、落下ショックあるいは経時変化による剥がれを
生じにくくすることができる。
体（ＳｉまたはＴｉＯ２）層をあまり薄くしなくても、
読取光に対して高い透光率および高い反射率を得ること
ができる（たとえば図６において、膜厚２０ｎｍあるい
は８０ｎｍのシリコン薄膜の透過率Ｔと反射率Ｒを参
照）。この無機誘電体層の膜厚がある程度確保できるこ
とから、落下ショックあるいは経時変化による剥がれを
生じにくくすることができる。
【００１４】また、この発明の情報記録媒体（請求項２
対応）は、所定の光ビーム（ＲＬ）により読み取られる
情報ピットが形成され、この光ビーム（ＲＬ）に対して
透明な第１基板（３０）と；前記第１基板（３０）の情
報ピット形成面に設けられ、前記第１基板（３０）より
も大きな屈折率（Ｓｉでｎ＝４；ＴｉＯ２でｎ＝２.
２）を持つ無機誘電体（ＳｉまたはＴｉＯ２）で構成さ
れる第１情報記録層（１０）と；前記光ビーム（ＲＬ）
により読み取られる他の情報ピットが形成された第２基
板（４０）と；前記第２基板（４０）の情報ピット形成
面に設けられ、前記光ビーム（ＲＬ）を反射する光反射
物質（Ａｌ、Ａｌ・Ｍｏ）で構成される第２情報記録層
（２０）と；前記第１情報記録層（１０）および前記第
２情報記録層（２０）が向き合うようにして、前記第１
基板（３０）と前記第２基板（４０）とを貼り合わす接
着層（５０）とを具備している。
対応）は、所定の光ビーム（ＲＬ）により読み取られる
情報ピットが形成され、この光ビーム（ＲＬ）に対して
透明な第１基板（３０）と；前記第１基板（３０）の情
報ピット形成面に設けられ、前記第１基板（３０）より
も大きな屈折率（Ｓｉでｎ＝４；ＴｉＯ２でｎ＝２.
２）を持つ無機誘電体（ＳｉまたはＴｉＯ２）で構成さ
れる第１情報記録層（１０）と；前記光ビーム（ＲＬ）
により読み取られる他の情報ピットが形成された第２基
板（４０）と；前記第２基板（４０）の情報ピット形成
面に設けられ、前記光ビーム（ＲＬ）を反射する光反射
物質（Ａｌ、Ａｌ・Ｍｏ）で構成される第２情報記録層
（２０）と；前記第１情報記録層（１０）および前記第
２情報記録層（２０）が向き合うようにして、前記第１
基板（３０）と前記第２基板（４０）とを貼り合わす接
着層（５０）とを具備している。
【００１５】このような構成の記録媒体では、無機誘電
体層の膜厚がある程度確保できることから、落下ショッ
クあるいは経時変化による剥がれを生じにくくすること
ができる。また、第１情報記録層（１０）を構成する無
機誘電体層は読取光に対して高い透光率および高い反射
率を持つことができるから、読取光の光路中に無機誘電
体層が介在していても、第２情報記録層（２０）の情報
を実用レベルで読み取ることができる。
体層の膜厚がある程度確保できることから、落下ショッ
クあるいは経時変化による剥がれを生じにくくすること
ができる。また、第１情報記録層（１０）を構成する無
機誘電体層は読取光に対して高い透光率および高い反射
率を持つことができるから、読取光の光路中に無機誘電
体層が介在していても、第２情報記録層（２０）の情報
を実用レベルで読み取ることができる。
【００１６】また、この発明の情報記録媒体（請求項１
１対応）は、情報がエンボス状ピットとなって刻まれて
いる透明な円盤状第１基板（３０）と；前記第１基板
（３０）の屈折率（ポリカーボネートで約１. ６）より
も大きな屈折率（Ｓｉで約４、ＴｉＯ２で約２. ２）を
有するものであって、前記第１基板（３０）のエンボス
状ピット側に設けられる無機誘電体膜（１０）と；前記
第１基板（３０）と同形状の第２基板（４０）と；前記
無機誘電体膜（１０）が前記第２基板（４０）と向き合
うようにして、前記第１基板（３０）と前記第２基板
（４０）とを貼合せる接着部（５０）とを具備してい
る。
１対応）は、情報がエンボス状ピットとなって刻まれて
いる透明な円盤状第１基板（３０）と；前記第１基板
（３０）の屈折率（ポリカーボネートで約１. ６）より
も大きな屈折率（Ｓｉで約４、ＴｉＯ２で約２. ２）を
有するものであって、前記第１基板（３０）のエンボス
状ピット側に設けられる無機誘電体膜（１０）と；前記
第１基板（３０）と同形状の第２基板（４０）と；前記
無機誘電体膜（１０）が前記第２基板（４０）と向き合
うようにして、前記第１基板（３０）と前記第２基板
（４０）とを貼合せる接着部（５０）とを具備してい
る。
【００１７】また、この発明の情報記録媒体（請求項１
２対応）は、情報がエンボス状ピットとなって刻まれて
いる透明な円盤状第１基板（３０）と；前記第１基板
（３０）の屈折率（ポリカーボネートで約１. ６）より
も大きな屈折率（Ｓｉで約４、ＴｉＯ２で約２. ２）を
有するものであって、前記第１基板（３０）のエンボス
状ピット側に設けられる無機誘電体膜（１０）と；他の
情報がエンボス状ピットとなって刻まれている円盤状の
第２基板（４０）と；前記第２基板（４０）のエンボス
状ピット側に設けられる反射膜（２０）と；前記無機誘
電体膜（１０）が前記反射膜（２０）と向き合うように
して、前記第１基板（３０）と前記第２基板（４０）と
を貼合せるものであって、透明な有機材料で構成される
接着部（５０）とを具備している。
２対応）は、情報がエンボス状ピットとなって刻まれて
いる透明な円盤状第１基板（３０）と；前記第１基板
（３０）の屈折率（ポリカーボネートで約１. ６）より
も大きな屈折率（Ｓｉで約４、ＴｉＯ２で約２. ２）を
有するものであって、前記第１基板（３０）のエンボス
状ピット側に設けられる無機誘電体膜（１０）と；他の
情報がエンボス状ピットとなって刻まれている円盤状の
第２基板（４０）と；前記第２基板（４０）のエンボス
状ピット側に設けられる反射膜（２０）と；前記無機誘
電体膜（１０）が前記反射膜（２０）と向き合うように
して、前記第１基板（３０）と前記第２基板（４０）と
を貼合せるものであって、透明な有機材料で構成される
接着部（５０）とを具備している。
【００１８】また、この発明の情報記録媒体（請求項１
５対応）は、情報がエンボス状ピットとなって刻まれて
いる透明な円盤状第１基板（３０）と；前記第１基板
（３０）の屈折率（ポリカーボネートで約１. ６）より
も大きな屈折率を有するもの（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）であ
って、前記第１基板（３０）のエンボス状ピット側に設
けられる無機誘電体膜（１０）と；他の情報がエンボス
状ピットとなって刻まれている円盤状の第２基板（４
０）と；前記第２基板（４０）のエンボス状ピット側に
設けられるものであって、記録・再生、記録・再生・消
去、またはオーバーライトが可能な記録膜（９０）と；
前記無機誘電体膜（１０）が前記記録膜（９０）と向き
合うようにして、前記第１基板（３０）と前記第２基板
（４０）とを貼合せるものであって、透明な有機材料で
構成される接着部（５０）とを具備している。
５対応）は、情報がエンボス状ピットとなって刻まれて
いる透明な円盤状第１基板（３０）と；前記第１基板
（３０）の屈折率（ポリカーボネートで約１. ６）より
も大きな屈折率を有するもの（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）であ
って、前記第１基板（３０）のエンボス状ピット側に設
けられる無機誘電体膜（１０）と；他の情報がエンボス
状ピットとなって刻まれている円盤状の第２基板（４
０）と；前記第２基板（４０）のエンボス状ピット側に
設けられるものであって、記録・再生、記録・再生・消
去、またはオーバーライトが可能な記録膜（９０）と；
前記無機誘電体膜（１０）が前記記録膜（９０）と向き
合うようにして、前記第１基板（３０）と前記第２基板
（４０）とを貼合せるものであって、透明な有機材料で
構成される接着部（５０）とを具備している。
【００１９】このような構成の記録媒体は、読み書き可
能な記録膜（９０）を備えているから、大容量の光ディ
スクＲＡＭを構成することができる。
能な記録膜（９０）を備えているから、大容量の光ディ
スクＲＡＭを構成することができる。
【００２０】また、この発明の情報記録媒体製造法方
（請求項１７対応）は、情報がエンボス状ピットとなっ
て刻まれている透明な円盤状第１基板（３０）のピット
面上に、この第１基板（３０）の屈折率（ポリカーボネ
ートで約１. ６）よりも大きな屈折率（Ｓｉで約４）を
持つ第１所定厚（たとえば２０ｎｍ）の無機誘電体膜
（１０；たとえばＳｉ）を形成する第１の工程（図１３
のＳＴ１０〜ＳＴ２２）と；情報がエンボス状ピットと
なって刻まれている円盤状第２基板（４０）のピット面
上に、第２所定厚（〜１００ｎｍ）の光反射膜（２０）
を形成する第２の工程（図１４のＳＴ３０〜ＳＴ４２）
と；前記第１の工程で得られた前記第１基板（３０）の
無機誘電体膜（１０）形成面と前記第２の工程で得られ
た前記第２基板（４０）の光反射膜（２０）形成面とを
向き合わせ、透明な接着層（５０）を介して前記第１基
板（３０）と前記第２基板（４０）とを貼合せる第３の
工程（図９〜図１２の工程、または図２０の工程）とを
具備している。
（請求項１７対応）は、情報がエンボス状ピットとなっ
て刻まれている透明な円盤状第１基板（３０）のピット
面上に、この第１基板（３０）の屈折率（ポリカーボネ
ートで約１. ６）よりも大きな屈折率（Ｓｉで約４）を
持つ第１所定厚（たとえば２０ｎｍ）の無機誘電体膜
（１０；たとえばＳｉ）を形成する第１の工程（図１３
のＳＴ１０〜ＳＴ２２）と；情報がエンボス状ピットと
なって刻まれている円盤状第２基板（４０）のピット面
上に、第２所定厚（〜１００ｎｍ）の光反射膜（２０）
を形成する第２の工程（図１４のＳＴ３０〜ＳＴ４２）
と；前記第１の工程で得られた前記第１基板（３０）の
無機誘電体膜（１０）形成面と前記第２の工程で得られ
た前記第２基板（４０）の光反射膜（２０）形成面とを
向き合わせ、透明な接着層（５０）を介して前記第１基
板（３０）と前記第２基板（４０）とを貼合せる第３の
工程（図９〜図１２の工程、または図２０の工程）とを
具備している。
【００２１】さらに、この発明の情報記録媒体製造法方
（請求項２５対応）は、情報がエンボス状ピットとなっ
て刻まれている透明な円盤状第１基板（３０）のピット
面上に、この第１基板（３０）の屈折率（ポリカーボネ
ートで約１. ６）よりも大きな屈折率（Ｓｉで約４）を
持つ第１所定厚（たとえば２０ｎｍ）の無機誘電体膜
（１０；たとえばＺｎＳ・ＳｉＯ２）を形成する第１の
工程（図１３のＳＴ１０〜ＳＴ２２）と；情報がエンボ
ス状ピットとなって刻まれている円盤状第２基板（４
０）のピット面上に、第２所定厚（たとえば２０ｎｍ）
を持ち、非晶質と結晶質との間で可逆的に相変化する相
変化記録膜（９０）を形成する第２の工程（図１５のＳ
Ｔ５０〜ＳＴ６４）と；前記第１の工程で得られた前記
第１基板（３０）の無機誘電体膜（１０）形成面と前記
第２の工程で得られた前記第２基板（４０）の相変化記
録膜（９０）形成面とを向き合わせ、透明な接着層（５
０）を介して前記第１基板（３０）と前記第２基板（４
０）とを貼合せる第３の工程（図９〜図１２の工程、ま
たは図２０の工程）とを具備している。
（請求項２５対応）は、情報がエンボス状ピットとなっ
て刻まれている透明な円盤状第１基板（３０）のピット
面上に、この第１基板（３０）の屈折率（ポリカーボネ
ートで約１. ６）よりも大きな屈折率（Ｓｉで約４）を
持つ第１所定厚（たとえば２０ｎｍ）の無機誘電体膜
（１０；たとえばＺｎＳ・ＳｉＯ２）を形成する第１の
工程（図１３のＳＴ１０〜ＳＴ２２）と；情報がエンボ
ス状ピットとなって刻まれている円盤状第２基板（４
０）のピット面上に、第２所定厚（たとえば２０ｎｍ）
を持ち、非晶質と結晶質との間で可逆的に相変化する相
変化記録膜（９０）を形成する第２の工程（図１５のＳ
Ｔ５０〜ＳＴ６４）と；前記第１の工程で得られた前記
第１基板（３０）の無機誘電体膜（１０）形成面と前記
第２の工程で得られた前記第２基板（４０）の相変化記
録膜（９０）形成面とを向き合わせ、透明な接着層（５
０）を介して前記第１基板（３０）と前記第２基板（４
０）とを貼合せる第３の工程（図９〜図１２の工程、ま
たは図２０の工程）とを具備している。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の一実施の形態に係る貼合せ情報記録媒体を説明する。
なお、重複説明を避けるために、複数の図面に渡り機能
上共通する部分には共通の参照符号が用いられている。
の一実施の形態に係る貼合せ情報記録媒体を説明する。
なお、重複説明を避けるために、複数の図面に渡り機能
上共通する部分には共通の参照符号が用いられている。
【００２３】図１は、この発明の２枚貼情報記録媒体の
一例として用いられる２層光ディスクＯＤを、読取レー
ザ光受光面側から見た平面図である。この光ディスクＯ
Ｄは、外径が１２０ｍｍあり、内径１５ｍｍの中心孔７
０を持ち、０. ６ｍｍの基板を２枚貼合せた１. ２ｍｍ
の厚さ寸法を持つ。この貼合せ基板それぞれにはドーナ
ッツ状の情報記録層が形成されている（図１に図示され
ているのは一方の基板の第１情報記録層１０のみ）。こ
れらドーナッツ状情報記録層の内径はおよそ４５ｍｍで
あり、その外径は最大で約１１７ｍｍとなっている。
一例として用いられる２層光ディスクＯＤを、読取レー
ザ光受光面側から見た平面図である。この光ディスクＯ
Ｄは、外径が１２０ｍｍあり、内径１５ｍｍの中心孔７
０を持ち、０. ６ｍｍの基板を２枚貼合せた１. ２ｍｍ
の厚さ寸法を持つ。この貼合せ基板それぞれにはドーナ
ッツ状の情報記録層が形成されている（図１に図示され
ているのは一方の基板の第１情報記録層１０のみ）。こ
れらドーナッツ状情報記録層の内径はおよそ４５ｍｍで
あり、その外径は最大で約１１７ｍｍとなっている。
【００２４】図２は、図１の２層光ディスクＯＤの（I
I）−（II）線に沿った断面の一部を拡大・デフォルメ
して示している。図示するように、このディスクＯＤ
は、読取レーザ光ＲＬ（たとえば波長６５０ｎｍの半導
体レーザ光）が入射する面から見て、第１情報記録層保
持用ポリカーボネート基板３０（厚さおよそ０. ６ｍ
ｍ）と、エンボス状ピットで形成される第１の情報（デ
ィスクＯＤの表面情報）が記録された第１情報記録層１
０（基板３０よりも屈折率が大きな半透明膜；厚さは２
０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度）と、レーザ光ＲＬに対して
透明な接着剤層５０（紫外線硬化性樹脂など）と、エン
ボス状ピットで形成される第２の情報（ディスクＯＤの
裏面情報）が記録された第２情報記録層（光反射膜；厚
さは４０ｎｍ以上、たとえば１００ｎｍ程度）２０と、
第２情報記録層保持用ポリカーボネート基板４０とで、
構成されている。
I）−（II）線に沿った断面の一部を拡大・デフォルメ
して示している。図示するように、このディスクＯＤ
は、読取レーザ光ＲＬ（たとえば波長６５０ｎｍの半導
体レーザ光）が入射する面から見て、第１情報記録層保
持用ポリカーボネート基板３０（厚さおよそ０. ６ｍ
ｍ）と、エンボス状ピットで形成される第１の情報（デ
ィスクＯＤの表面情報）が記録された第１情報記録層１
０（基板３０よりも屈折率が大きな半透明膜；厚さは２
０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度）と、レーザ光ＲＬに対して
透明な接着剤層５０（紫外線硬化性樹脂など）と、エン
ボス状ピットで形成される第２の情報（ディスクＯＤの
裏面情報）が記録された第２情報記録層（光反射膜；厚
さは４０ｎｍ以上、たとえば１００ｎｍ程度）２０と、
第２情報記録層保持用ポリカーボネート基板４０とで、
構成されている。
【００２５】なお、読取レーザ光ＲＬの受光面３０に対
して反対側の基板面４０上には、必要に応じて、記録情
報（上記第１、第２情報）に関係した情報（文字、絵、
模様などの視覚パターン情報）が印刷されたラベルＬＢ
が張り付けられるようになっている。
して反対側の基板面４０上には、必要に応じて、記録情
報（上記第１、第２情報）に関係した情報（文字、絵、
模様などの視覚パターン情報）が印刷されたラベルＬＢ
が張り付けられるようになっている。
【００２６】図３は、図１の２層光ディスク（読取専
用）のデータ記録部（エンボス状ピット）をデフォルメ
して示す部分断面図である。ここでは、第１情報記録層
を構成する無機誘電体１０として、屈折率ｎがおよそ４
のシリコン（Ｓｉ）を用いている。この無機誘電体１０
は、屈折率ｎがおよそ１. ６のポリカーボネート基板３
０よりも大きな屈折率を持つ他の半透明膜でもよい。た
とえば、屈折率ｎがおよそ２. ２のチタン酸化物（Ｔｉ
Ｏ２）で無機誘電体第１情報記録層１０を構成すること
もできる。
用）のデータ記録部（エンボス状ピット）をデフォルメ
して示す部分断面図である。ここでは、第１情報記録層
を構成する無機誘電体１０として、屈折率ｎがおよそ４
のシリコン（Ｓｉ）を用いている。この無機誘電体１０
は、屈折率ｎがおよそ１. ６のポリカーボネート基板３
０よりも大きな屈折率を持つ他の半透明膜でもよい。た
とえば、屈折率ｎがおよそ２. ２のチタン酸化物（Ｔｉ
Ｏ２）で無機誘電体第１情報記録層１０を構成すること
もできる。
【００２７】ここで、層１０と基板３０の屈折率を基板
３０の屈折率よりも大きくしている理由は、層１０にフ
ォーカスされて入射したレーザ光ＲＬを、層１０と基板
３０との界面（屈折率が急変する面）で反射させたいか
らである。（層１０および基板３０の屈折率が同じだ
と、レーザ光ＲＬから見れば層１０および基板３０は光
学的に均一な物質となり、それらの界面でレーザ光の反
射は起きなくなる。すると層１０からの反射光ＲＬ１０
は殆ど無くなり、層１０に記録された第１情報を読み取
ることができなくなる。）無機誘電体層１０の厚さは、
２０ｎｍないし１０００ｎｍの範囲から選定することが
できるが、より好ましくは２０ｎｍないし２８０ｎｍの
範囲から選定される（無機誘電体層１０の厚さを決める
根拠は、図６を参照して後述する）。
３０の屈折率よりも大きくしている理由は、層１０にフ
ォーカスされて入射したレーザ光ＲＬを、層１０と基板
３０との界面（屈折率が急変する面）で反射させたいか
らである。（層１０および基板３０の屈折率が同じだ
と、レーザ光ＲＬから見れば層１０および基板３０は光
学的に均一な物質となり、それらの界面でレーザ光の反
射は起きなくなる。すると層１０からの反射光ＲＬ１０
は殆ど無くなり、層１０に記録された第１情報を読み取
ることができなくなる。）無機誘電体層１０の厚さは、
２０ｎｍないし１０００ｎｍの範囲から選定することが
できるが、より好ましくは２０ｎｍないし２８０ｎｍの
範囲から選定される（無機誘電体層１０の厚さを決める
根拠は、図６を参照して後述する）。
【００２８】第２情報記録層用の薄膜２０は、アルミニ
ウム（Ａｌ）またはアルミニウム・モリブデン合金（Ａ
ｌ・Ｍｏ）などの光反射物質で構成される。
ウム（Ａｌ）またはアルミニウム・モリブデン合金（Ａ
ｌ・Ｍｏ）などの光反射物質で構成される。
【００２９】第２情報記録層を形成するアルミニウム・
モリブデン合金薄膜２０の膜厚を４０ｎｍ以上に選ぶこ
とにより、膜２０のレーザ光反射率を実用上十分（反射
率８０％以上）なものにできる。この実施の形態では、
第２情報記録層２０の膜厚設定値を１００ｎｍ程度に選
んでいる。
モリブデン合金薄膜２０の膜厚を４０ｎｍ以上に選ぶこ
とにより、膜２０のレーザ光反射率を実用上十分（反射
率８０％以上）なものにできる。この実施の形態では、
第２情報記録層２０の膜厚設定値を１００ｎｍ程度に選
んでいる。
【００３０】第２情報記録層２０はアルミニウムだけで
も形成可能であるが、モリブデン、タンタル、コバル
ト、クロム、チタン、白金などの高融点金属とアルミニ
ウムとを合金化することにより、第２情報記録層用の薄
膜２０の反射率の経時劣化（環境信頼性）を大幅に改善
できる。
も形成可能であるが、モリブデン、タンタル、コバル
ト、クロム、チタン、白金などの高融点金属とアルミニ
ウムとを合金化することにより、第２情報記録層用の薄
膜２０の反射率の経時劣化（環境信頼性）を大幅に改善
できる。
【００３１】モリブデンは第２情報記録層２０の耐酸化
性を改善する機能を持つが、その配合割合には適正な範
囲があり、１ａｔ％〜２０ａｔ％が実用範囲といえる。
アルミニウム・モリブデン合金薄膜２０におけるモリブ
デンの割合は、好ましくは１ａｔ％〜２０ａｔ％であ
る。この実施の形態では、モリブデンの割合を２０ａｔ
％としている。これが２０ａｔ％を超えると、薄膜２０
の膜厚が４０ｎｍ以上確保されていても、第２情報記録
層２０としてのレーザ光反射率は低下する。
性を改善する機能を持つが、その配合割合には適正な範
囲があり、１ａｔ％〜２０ａｔ％が実用範囲といえる。
アルミニウム・モリブデン合金薄膜２０におけるモリブ
デンの割合は、好ましくは１ａｔ％〜２０ａｔ％であ
る。この実施の形態では、モリブデンの割合を２０ａｔ
％としている。これが２０ａｔ％を超えると、薄膜２０
の膜厚が４０ｎｍ以上確保されていても、第２情報記録
層２０としてのレーザ光反射率は低下する。
【００３２】光ピックアップ（後述する図５の光学ヘッ
ド６００相当）をディスクの裏面・表面に渡り行き来さ
せず、またディスクＯＤを裏返ししないで両面再生する
には、以下のような操作を行えばよい。
ド６００相当）をディスクの裏面・表面に渡り行き来さ
せず、またディスクＯＤを裏返ししないで両面再生する
には、以下のような操作を行えばよい。
【００３３】すなわち、図３において、第１情報記録層
１０（表面情報）を読み取る際は、光ピックアップのフ
ォーカスを第１情報記録層１０のエンボス状ピットに合
わせる。この状態で、光ピックアップは、層１０からの
反射光ＲＬ１０を検知することにより、光ディスクの表
面情報を読み取ることができる。一方、第２情報記録層
２０（裏面情報）を読み取る際は、光ピックアップのフ
ォーカスを第２情報記録層２０のエンボス状ピットに合
わせる。この状態で、光ピックアップは、層２０からの
反射光ＲＬ２０を検知することにより、光ディスクの裏
面情報を読み取ることができる。
１０（表面情報）を読み取る際は、光ピックアップのフ
ォーカスを第１情報記録層１０のエンボス状ピットに合
わせる。この状態で、光ピックアップは、層１０からの
反射光ＲＬ１０を検知することにより、光ディスクの表
面情報を読み取ることができる。一方、第２情報記録層
２０（裏面情報）を読み取る際は、光ピックアップのフ
ォーカスを第２情報記録層２０のエンボス状ピットに合
わせる。この状態で、光ピックアップは、層２０からの
反射光ＲＬ２０を検知することにより、光ディスクの裏
面情報を読み取ることができる。
【００３４】このようにディスク片面から両面記録情報
を読み取る場合、透明な接着層５０（紫外線硬化性樹脂
などの有機材料）の厚さは、図示しない光ピックアップ
の対物レンズアクチュエータの稼働範囲（ワーキングデ
ィスタンス）あるいはレーザフォーカス面以外のところ
からの反射光が、フォーカス面からの反射光（図３では
ＲＬ１０またはＲＬ２０）に対して外乱とならないよう
な値に、設定される。
を読み取る場合、透明な接着層５０（紫外線硬化性樹脂
などの有機材料）の厚さは、図示しない光ピックアップ
の対物レンズアクチュエータの稼働範囲（ワーキングデ
ィスタンス）あるいはレーザフォーカス面以外のところ
からの反射光が、フォーカス面からの反射光（図３では
ＲＬ１０またはＲＬ２０）に対して外乱とならないよう
な値に、設定される。
【００３５】すなわち、光ピックアップが層１０からの
反射光ＲＬ１０を見ているときは反射光ＲＬ２０が弱く
なり、光ピックアップが層２０からの反射光ＲＬ２０を
見ているときは反射光ＲＬ１０が弱くなるように、透明
接着層５０の厚さが決定される。
反射光ＲＬ１０を見ているときは反射光ＲＬ２０が弱く
なり、光ピックアップが層２０からの反射光ＲＬ２０を
見ているときは反射光ＲＬ１０が弱くなるように、透明
接着層５０の厚さが決定される。
【００３６】たとえば、波長６５０ｎｍ程度のレーザ光
を光ピックアップで用い、接着層５０を紫外線硬化性樹
脂で構成する場合、接着層５０の厚さは３０μｍ〜５０
μｍ程度が適当である。前記ＳＤディスクの規格では、
紫外線硬化性樹脂接着層５０の厚さを４０μｍ（中心
値）としている。
を光ピックアップで用い、接着層５０を紫外線硬化性樹
脂で構成する場合、接着層５０の厚さは３０μｍ〜５０
μｍ程度が適当である。前記ＳＤディスクの規格では、
紫外線硬化性樹脂接着層５０の厚さを４０μｍ（中心
値）としている。
【００３７】なお、第１情報記録層（半透明膜）１０の
反射率（％）は、あまり大きいと層１０を透過する光が
少なくなって、第２情報記録層（完全反射膜）２０から
の反射光ＲＬ２０の強さが弱くなりすぎてしまう。逆
に、第１情報記録層（半透明膜）１０の反射率（％）が
あまり小さいと、反射光ＲＬ２０の強さは十分取れて
も、層１０からの反射光ＲＬ１０の強さが弱くなりすぎ
てしまう。
反射率（％）は、あまり大きいと層１０を透過する光が
少なくなって、第２情報記録層（完全反射膜）２０から
の反射光ＲＬ２０の強さが弱くなりすぎてしまう。逆
に、第１情報記録層（半透明膜）１０の反射率（％）が
あまり小さいと、反射光ＲＬ２０の強さは十分取れて
も、層１０からの反射光ＲＬ１０の強さが弱くなりすぎ
てしまう。
【００３８】第２情報記録層（完全反射膜）２０からの
反射光ＲＬ２０の強さを十分確保できる限りにおいて、
第１情報記録層（半透明膜）１０の反射率（％）は大き
い方がよいのだが、通常は層（半透明膜）１０の反射率
（％）は２０％〜４０％程度に設定される。（ただし、
図６を参照して説明する方法に従えば、反射光ＲＬ２０
の強さを十分確保した上で、層１０の反射率を４０％以
上に取ることも可能になる。）透明接着層５０の材質と
しては、紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂、ホットメルト型樹
脂、あるいは基材を伴わない両面粘着テープなどが使用
可能である。接着増５０の厚さをディスクＯＤ全面に渡
り４０μｍに均一に保つためには、ＵＶ樹脂あるいは両
面粘着テープが適当である。とくに、図２０を参照して
説明される貼合せディスク製造方法のように、規定厚４
０μｍのスペーサを接着層５０の厚み管理に利用する場
合は、ＵＶ樹脂をスピンコートして貼合せディスクを作
る方法がとくに好ましい。
反射光ＲＬ２０の強さを十分確保できる限りにおいて、
第１情報記録層（半透明膜）１０の反射率（％）は大き
い方がよいのだが、通常は層（半透明膜）１０の反射率
（％）は２０％〜４０％程度に設定される。（ただし、
図６を参照して説明する方法に従えば、反射光ＲＬ２０
の強さを十分確保した上で、層１０の反射率を４０％以
上に取ることも可能になる。）透明接着層５０の材質と
しては、紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂、ホットメルト型樹
脂、あるいは基材を伴わない両面粘着テープなどが使用
可能である。接着増５０の厚さをディスクＯＤ全面に渡
り４０μｍに均一に保つためには、ＵＶ樹脂あるいは両
面粘着テープが適当である。とくに、図２０を参照して
説明される貼合せディスク製造方法のように、規定厚４
０μｍのスペーサを接着層５０の厚み管理に利用する場
合は、ＵＶ樹脂をスピンコートして貼合せディスクを作
る方法がとくに好ましい。
【００３９】ポリカーボネート基板の接着に使用される
紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂としては、アクリレート樹脂
がよい。また、反射膜への影響・貼合せ後の信頼性を考
慮すると、ＵＶ樹脂としては、特に、エポキシまたはウ
レタン系のアクリレート樹脂であることが望ましい。
紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂としては、アクリレート樹脂
がよい。また、反射膜への影響・貼合せ後の信頼性を考
慮すると、ＵＶ樹脂としては、特に、エポキシまたはウ
レタン系のアクリレート樹脂であることが望ましい。
【００４０】さらにポリカーボネート基板の接着に使用
されるＵＶ樹脂の屈折率ｎは、ポリカーボネート基板の
屈折率（約１. ６）の近傍に選ばれる。具体的には、こ
のＵＶ樹脂の屈折率ｎは１. ５ないし１. ７の範囲に管
理されることが望ましい。
されるＵＶ樹脂の屈折率ｎは、ポリカーボネート基板の
屈折率（約１. ６）の近傍に選ばれる。具体的には、こ
のＵＶ樹脂の屈折率ｎは１. ５ないし１. ７の範囲に管
理されることが望ましい。
【００４１】第１情報記録層（半透明膜）１０の材質と
して金（Ａｕ）あるいは銅（Ｃｕ）が採用される場合
は、層１０の反射率は２５％〜５０％程度が適当であ
る。その場合、層１０の厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍという
極薄にしなければならない。しかし、このように極端に
薄い金属膜を用いると、層１０と接着層５０との界面の
接着強度が十分にとれず、落下ショックなどで基板３０
と基板４０とが剥がれてしまう可能性が高くなる。また
一旦は正常に接着されても、長期保存あるいは加速劣化
試験において、基板３０と基板４０とが剥がれてしまう
恐れもある。
して金（Ａｕ）あるいは銅（Ｃｕ）が採用される場合
は、層１０の反射率は２５％〜５０％程度が適当であ
る。その場合、層１０の厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍという
極薄にしなければならない。しかし、このように極端に
薄い金属膜を用いると、層１０と接着層５０との界面の
接着強度が十分にとれず、落下ショックなどで基板３０
と基板４０とが剥がれてしまう可能性が高くなる。また
一旦は正常に接着されても、長期保存あるいは加速劣化
試験において、基板３０と基板４０とが剥がれてしまう
恐れもある。
【００４２】このような「剥がれ」事故を防ぐために、
この発明では、ある程度の厚みを確保でき、接着層５０
との界面接着強度を十分にとれるように、シリコンなど
の無機誘電体材料を、第１情報記録層（半透明膜）１０
の形成に用いている。
この発明では、ある程度の厚みを確保でき、接着層５０
との界面接着強度を十分にとれるように、シリコンなど
の無機誘電体材料を、第１情報記録層（半透明膜）１０
の形成に用いている。
【００４３】シリコンなどの無機誘電体は、ある程度の
厚さ（たとえば２０ｎｍ、８０ｎｍあるいは１６０ｎ
ｍ）があってもレーザ光（波長６５０ｎｍ）ＲＬに対し
て透明度が高い。また、シリコンなどの無機誘電体層１
０はポリカーボネート基板３０に比べて屈折率ｎが大き
い（ポリカーボネートのｎ＝１. ６に対してシリコンの
ｎ＝４）。そのため、層１０にフォーカスを合わせた場
合、レーザ光ＲＬは基板３０と層１０との間で比較的大
きく反射する。
厚さ（たとえば２０ｎｍ、８０ｎｍあるいは１６０ｎ
ｍ）があってもレーザ光（波長６５０ｎｍ）ＲＬに対し
て透明度が高い。また、シリコンなどの無機誘電体層１
０はポリカーボネート基板３０に比べて屈折率ｎが大き
い（ポリカーボネートのｎ＝１. ６に対してシリコンの
ｎ＝４）。そのため、層１０にフォーカスを合わせた場
合、レーザ光ＲＬは基板３０と層１０との間で比較的大
きく反射する。
【００４４】したがって、無機誘電体層１０の厚みをあ
る程度取ることで貼合せ光ディスクＯＤの接着強度を確
保しつつ、層１０における高い透過率と大きな反射率を
同時に満足できるようになる。
る程度取ることで貼合せ光ディスクＯＤの接着強度を確
保しつつ、層１０における高い透過率と大きな反射率を
同時に満足できるようになる。
【００４５】図４は、図１の２層貼合せ光ディスクＯＤ
を読書両用とする場合の、データ記録部をデフォルメし
て示す部分断面図である。ここでは、図３のシリコンに
代わって、硫化亜鉛（ＺｎＳ）と酸化シリコン（ＳｉＯ
２）との混合物（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）で、厚さがたとえ
ば２０ｎｍの無機誘電体層１０を形成している。
を読書両用とする場合の、データ記録部をデフォルメし
て示す部分断面図である。ここでは、図３のシリコンに
代わって、硫化亜鉛（ＺｎＳ）と酸化シリコン（ＳｉＯ
２）との混合物（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）で、厚さがたとえ
ば２０ｎｍの無機誘電体層１０を形成している。
【００４６】また、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミ
ニウム・モリブデン合金（Ａｌ・Ｍｏ）を用いた光反射
膜２０と紫外線硬化性樹脂接着層５０との間に、２つの
硫化亜鉛・酸化シリコン混合物ＺｎＳ・ＳｉＯ２（９
２、９４）で相変化記録材料層９０（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ
５）を挟み込んだ３重層（９０〜９４）が、設けられて
いる。アルミニウム反射膜２０の厚さはたとえば１００
ｎｍ程度に選ばれ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２混合物層９４の厚
さはたとえば２０ｎｍ程度に選ばれ、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ
５相変化記録材料層９０の厚さはたとえば２０ｎｍ程度
に選ばれ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２混合物層９２の厚さはたと
えば１８０ｎｍ程度に選ばれる。
ニウム・モリブデン合金（Ａｌ・Ｍｏ）を用いた光反射
膜２０と紫外線硬化性樹脂接着層５０との間に、２つの
硫化亜鉛・酸化シリコン混合物ＺｎＳ・ＳｉＯ２（９
２、９４）で相変化記録材料層９０（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ
５）を挟み込んだ３重層（９０〜９４）が、設けられて
いる。アルミニウム反射膜２０の厚さはたとえば１００
ｎｍ程度に選ばれ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２混合物層９４の厚
さはたとえば２０ｎｍ程度に選ばれ、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ
５相変化記録材料層９０の厚さはたとえば２０ｎｍ程度
に選ばれ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２混合物層９２の厚さはたと
えば１８０ｎｍ程度に選ばれる。
【００４７】なお、読出専用の情報がエンボス信号とし
て記録されている基板３０に対して、読書用の基板４０
にはこのようなエンボス信号は刻まれておらず、その代
わりに連続のグルーブ溝が刻まれている。このグルーブ
溝に、相変化記録材料層９０が設けられるようになって
いる。
て記録されている基板３０に対して、読書用の基板４０
にはこのようなエンボス信号は刻まれておらず、その代
わりに連続のグルーブ溝が刻まれている。このグルーブ
溝に、相変化記録材料層９０が設けられるようになって
いる。
【００４８】図５は、図１の２層貼合せ光ディスクＯＤ
の性能評価を行なう光ディスクドライブ装置の構成を示
すブロック図である。
の性能評価を行なう光ディスクドライブ装置の構成を示
すブロック図である。
【００４９】評価対象の光ディスクＯＤ（後述する複数
のサンプルディスク）は、ドライブ装置にセットされる
と、それぞれの半径位置で３. ６ｍ／ｓのー定線速度に
なるように、スピンドルモータ２１０により回転制御さ
れる（線速度一定制御）。
のサンプルディスク）は、ドライブ装置にセットされる
と、それぞれの半径位置で３. ６ｍ／ｓのー定線速度に
なるように、スピンドルモータ２１０により回転制御さ
れる（線速度一定制御）。
【００５０】次に、光学ヘッド６００は、ＣＰＵ７００
により制御されるレーザドライバ６１０でドライブされ
ることにより、パワー１ｍＷの連続レーザ光（再生光）
をディスクＯＤに照射する。ディスクＯＤの半径方向に
対するヘッド６００の位置決めは、ＣＰＵ７００に接続
されたリニアモータ制御部６０４により制御されるリニ
アモータ６０２によって行われる。ディスクＯＤのトラ
ック位置に対するヘッド６００の位置決めは、ＣＰＵ７
００に接続されたトラック駆動制御部６０６によって行
われる。また、ディスクＯＤの表面情報記録層１０また
は裏面情報記録層２０にフォーカスを合わせる操作は、
ＣＰＵ７００に接続されたフォーカス駆動制御部６０８
によって行われる。
により制御されるレーザドライバ６１０でドライブされ
ることにより、パワー１ｍＷの連続レーザ光（再生光）
をディスクＯＤに照射する。ディスクＯＤの半径方向に
対するヘッド６００の位置決めは、ＣＰＵ７００に接続
されたリニアモータ制御部６０４により制御されるリニ
アモータ６０２によって行われる。ディスクＯＤのトラ
ック位置に対するヘッド６００の位置決めは、ＣＰＵ７
００に接続されたトラック駆動制御部６０６によって行
われる。また、ディスクＯＤの表面情報記録層１０また
は裏面情報記録層２０にフォーカスを合わせる操作は、
ＣＰＵ７００に接続されたフォーカス駆動制御部６０８
によって行われる。
【００５１】サンプルディスクＯＤがリード・ライトタ
イプの場合（図４参照）、相変化情報記録層９０に記録
する信号は、情報入力信号原６１４から出力される。こ
の記録信号出力は変調回路６１２を介してレーザドライ
バ６１０に与えられる。レーザドライバ６１０は、デー
タ記録のためのパワー１０ｍＷとデータ消去のためのパ
ワー４ｍＷの２段階で強弱変調をかけて、光学ヘッド６
００内のレーザダイオードをドライブする。すると、光
学ヘッド６００は、たとえば４ＭＨｚで５０％デューテ
ィ比の信号情報を含むレーザ光（図４の記録・書込レー
ザ光ＷＬ）をディスクＯＤに照射し、ディスクＯＤの相
変化情報記録層９０にその情報を記録する。
イプの場合（図４参照）、相変化情報記録層９０に記録
する信号は、情報入力信号原６１４から出力される。こ
の記録信号出力は変調回路６１２を介してレーザドライ
バ６１０に与えられる。レーザドライバ６１０は、デー
タ記録のためのパワー１０ｍＷとデータ消去のためのパ
ワー４ｍＷの２段階で強弱変調をかけて、光学ヘッド６
００内のレーザダイオードをドライブする。すると、光
学ヘッド６００は、たとえば４ＭＨｚで５０％デューテ
ィ比の信号情報を含むレーザ光（図４の記録・書込レー
ザ光ＷＬ）をディスクＯＤに照射し、ディスクＯＤの相
変化情報記録層９０にその情報を記録する。
【００５２】光学ヘッド６００から発射されたレーザ光
は、合焦状態にあるディスクＯＤの第１情報記録層１０
（または第２情報記録層２０）で反射され、その反射光
は再びヘッド６００により検知される。ヘッド６００で
検知された反射光情報（読取再生信号）はプリアンプ６
１６で増幅され、２値化回路で２値化されて、スペクト
ラムアナライザ６２０に入力される。このスペクトラム
アナライザ６２０により、第１情報記録層１０（または
第２情報記録層２０）の再生Ｃ／Ｎ比などを測定し、そ
の良否を評価することができる。
は、合焦状態にあるディスクＯＤの第１情報記録層１０
（または第２情報記録層２０）で反射され、その反射光
は再びヘッド６００により検知される。ヘッド６００で
検知された反射光情報（読取再生信号）はプリアンプ６
１６で増幅され、２値化回路で２値化されて、スペクト
ラムアナライザ６２０に入力される。このスペクトラム
アナライザ６２０により、第１情報記録層１０（または
第２情報記録層２０）の再生Ｃ／Ｎ比などを測定し、そ
の良否を評価することができる。
【００５３】図６は、図３の第１情報記録層（屈折率ｎ
＝４のシリコン層）１０におけるレーザビーム（波長６
５０ｎｍのコヒーレント光）の反射率Ｒ（％）および透
過率Ｔ（％）が、第１情報記録層１０の厚みを変えた場
合にどのように変化するかを定性的に説明するグラフで
ある。このグラフは、現実の製品では生じ得る膜厚のば
らつき、無機誘電体膜内の結晶欠陥・歪、レーザ光の入
射角のばらつきその他を無視して理論計算（シミュレー
ション）から求めたもので、このグラフ中の数値は、実
際の製品からは大なり小なりずれが生じ得ることを断っ
ておく。
＝４のシリコン層）１０におけるレーザビーム（波長６
５０ｎｍのコヒーレント光）の反射率Ｒ（％）および透
過率Ｔ（％）が、第１情報記録層１０の厚みを変えた場
合にどのように変化するかを定性的に説明するグラフで
ある。このグラフは、現実の製品では生じ得る膜厚のば
らつき、無機誘電体膜内の結晶欠陥・歪、レーザ光の入
射角のばらつきその他を無視して理論計算（シミュレー
ション）から求めたもので、このグラフ中の数値は、実
際の製品からは大なり小なりずれが生じ得ることを断っ
ておく。
【００５４】レーザ光のようにコヒーレントな光は、半
波長（位相差π）ずれたもの、つまり互いに逆相成分を
持つもの同士を合成すると、減算効果（打ち消し）が生
じて光強度が低下する。一方、互いに同相成分を持つも
の（互いに逆相成分を持たないもの；位相差がπ／２以
下のもの）同士を合成すると、加算効果が生じて光強度
が上昇する。
波長（位相差π）ずれたもの、つまり互いに逆相成分を
持つもの同士を合成すると、減算効果（打ち消し）が生
じて光強度が低下する。一方、互いに同相成分を持つも
の（互いに逆相成分を持たないもの；位相差がπ／２以
下のもの）同士を合成すると、加算効果が生じて光強度
が上昇する。
【００５５】一定周波数の光の波長はその伝播速度に比
例し、その伝播速度は屈折率に反比例する。たとえば屈
折率１の空気中で波長６５０ｎｍのレーザ光は、屈折率
４の物質中では、波長がおよそ１６０ｎｍになる。その
半波長分は８０ｎｍであるから、伝播光路に８０ｎｍの
ずれ（層１０の往復経路では片道４０ｎｍ）を作って２
つのレーザ光（互いに逆相）を合成すると、両者は打ち
消しあうことになる。この打ち消しは、図３の構造で言
えば、基板３０およびＳｉ層１０の接合面での反射光
と、Ｓｉ層１０およびＵＶ樹脂接着剤層５０の接合面で
の反射光との間で生じる。この打ち消しが、図６におい
て、層１０の膜厚が４０ｎｍのところで反射率Ｒが極小
（ディップ）となる理由である。
例し、その伝播速度は屈折率に反比例する。たとえば屈
折率１の空気中で波長６５０ｎｍのレーザ光は、屈折率
４の物質中では、波長がおよそ１６０ｎｍになる。その
半波長分は８０ｎｍであるから、伝播光路に８０ｎｍの
ずれ（層１０の往復経路では片道４０ｎｍ）を作って２
つのレーザ光（互いに逆相）を合成すると、両者は打ち
消しあうことになる。この打ち消しは、図３の構造で言
えば、基板３０およびＳｉ層１０の接合面での反射光
と、Ｓｉ層１０およびＵＶ樹脂接着剤層５０の接合面で
の反射光との間で生じる。この打ち消しが、図６におい
て、層１０の膜厚が４０ｎｍのところで反射率Ｒが極小
（ディップ）となる理由である。
【００５６】なお、層１０と基板３０との界面で反射す
る光イと、層１０と接着剤層５０との界面で反射し層１
０の内部を往復する光ロとでは、基板３０側からみた光
路長は、層１０の厚みの２倍分異なっている。従って、
光イと光ロとが光路差ゼロで加算合成されることはな
い。この光路差がゼロということは、層１０が存在しな
いことを意味し、それは、層１０での反射光がない（層
１０の反射率Ｒが０％）ことに繋がる。これが、図６に
おいて、膜厚ゼロにおける反射率Ｒがゼロになる理由で
ある。
る光イと、層１０と接着剤層５０との界面で反射し層１
０の内部を往復する光ロとでは、基板３０側からみた光
路長は、層１０の厚みの２倍分異なっている。従って、
光イと光ロとが光路差ゼロで加算合成されることはな
い。この光路差がゼロということは、層１０が存在しな
いことを意味し、それは、層１０での反射光がない（層
１０の反射率Ｒが０％）ことに繋がる。これが、図６に
おいて、膜厚ゼロにおける反射率Ｒがゼロになる理由で
ある。
【００５７】層１０の厚さが４０ｎｍからゼロの間で
は、２つの反射光の逆相成分が減り、その代わりに同相
成分が増えてくる。結局、２つのレーザ光が同相成分を
持つ層１０の厚さ範囲０〜４０ｎｍの中間地点（ほぼ２
０ｎｍ；位相差換算でπ／２）において、図６に示すよ
うに、層１０に対する反射率Ｒのピークが生じる。
は、２つの反射光の逆相成分が減り、その代わりに同相
成分が増えてくる。結局、２つのレーザ光が同相成分を
持つ層１０の厚さ範囲０〜４０ｎｍの中間地点（ほぼ２
０ｎｍ；位相差換算でπ／２）において、図６に示すよ
うに、層１０に対する反射率Ｒのピークが生じる。
【００５８】一方、上記反射率極小点（層１０の厚さ４
０ｎｍの点）から伝播光路に１／２波長分（位相差π）
に相当する８０ｎｍのずれ（層１０の往復経路では片道
４０ｎｍ相当）を作って２つのレーザ光（波長６５０ｎ
ｍ）を合成すると、両者は加算合成される。これが、図
６において、層１０の膜厚が８０ｎｍのところで反射率
Ｒが極大（ピーク）となる理由である。
０ｎｍの点）から伝播光路に１／２波長分（位相差π）
に相当する８０ｎｍのずれ（層１０の往復経路では片道
４０ｎｍ相当）を作って２つのレーザ光（波長６５０ｎ
ｍ）を合成すると、両者は加算合成される。これが、図
６において、層１０の膜厚が８０ｎｍのところで反射率
Ｒが極大（ピーク）となる理由である。
【００５９】レーザ光は単一波長の単振動をしているか
ら、上記反射率Ｒのピーク・ディップは、図６に例示す
るように、所定の周期で反復するようになる。
ら、上記反射率Ｒのピーク・ディップは、図６に例示す
るように、所定の周期で反復するようになる。
【００６０】第１情報記録層１０における高い透過率Ｔ
および高い反射率Ｒを両立させるには、図６の例でいえ
ば、層１０の厚さを、２０ｎｍ、８０ｎｍ、あるいは１
６０ｎｍ（層１０内を往復するレーザ光の実際の光路長
でいえば４０ｎｍ、１６０ｎｍ、あるいは３２０ｎｍ）
を中心に選定すればよい。また、第１情報記録層１０と
基板３０との間の接着強度を確保する（つまり層１０の
部分で基板３０と４０が剥がれるのを防止する）目的で
いえば、層１０の厚さは厚い方がよい。
および高い反射率Ｒを両立させるには、図６の例でいえ
ば、層１０の厚さを、２０ｎｍ、８０ｎｍ、あるいは１
６０ｎｍ（層１０内を往復するレーザ光の実際の光路長
でいえば４０ｎｍ、１６０ｎｍ、あるいは３２０ｎｍ）
を中心に選定すればよい。また、第１情報記録層１０と
基板３０との間の接着強度を確保する（つまり層１０の
部分で基板３０と４０が剥がれるのを防止する）目的で
いえば、層１０の厚さは厚い方がよい。
【００６１】結局、第１情報記録層１０における高い透
過率Ｔおよび高い反射率Ｒを両立させるとともに、層１
０部分での剥がれを起きにくくするには、第１情報記録
層１０における反射率Ｒのピークポイントを目安にし
て、その透過率Ｔが低くなりすぎない範囲で、層１０の
厚さが決定される。
過率Ｔおよび高い反射率Ｒを両立させるとともに、層１
０部分での剥がれを起きにくくするには、第１情報記録
層１０における反射率Ｒのピークポイントを目安にし
て、その透過率Ｔが低くなりすぎない範囲で、層１０の
厚さが決定される。
【００６２】具体的には、層１０の厚さは、２０ｎｍ〜
１０００ｎｍくらいの間から選択される。落下ショック
などによる剥がれにくさを優先すれば層１０の厚さは１
０００ｎｍ（＝１μｍ）に近いほうがよいが、層１０に
おける高い透過率Ｔを確保する（つまり第２情報記録層
２０の読取信号に対して十分なＣ／Ｎ比を確保する）た
めには、層１０の厚さは薄めの方がよい。そういった
「剥がれにくさ」と「高Ｃ／Ｎ比」との実用バランスの
観点からいえば、層１０の厚さは、２０ｎｍ〜２８０ｎ
ｍくらいの間から選択するのがよい。そして、この選択
範囲の中で、図６の反射率Ｒのディップ（極小点）近辺
を避けた寸法、あるいはピーク（極大点）近辺の寸法
が、そのときの透過率Ｔとの兼ね合いで、決定される。
１０００ｎｍくらいの間から選択される。落下ショック
などによる剥がれにくさを優先すれば層１０の厚さは１
０００ｎｍ（＝１μｍ）に近いほうがよいが、層１０に
おける高い透過率Ｔを確保する（つまり第２情報記録層
２０の読取信号に対して十分なＣ／Ｎ比を確保する）た
めには、層１０の厚さは薄めの方がよい。そういった
「剥がれにくさ」と「高Ｃ／Ｎ比」との実用バランスの
観点からいえば、層１０の厚さは、２０ｎｍ〜２８０ｎ
ｍくらいの間から選択するのがよい。そして、この選択
範囲の中で、図６の反射率Ｒのディップ（極小点）近辺
を避けた寸法、あるいはピーク（極大点）近辺の寸法
が、そのときの透過率Ｔとの兼ね合いで、決定される。
【００６３】図７は、図３または図４に示すような構成
を持つ貼合せ型多層光ディスクに、第１情報記録層１０
または第２情報記録層２０を形成するスパッタリング装
置の構成の概要を示す側面図である。また、図８は、図
７の装置を上面から見た図である。
を持つ貼合せ型多層光ディスクに、第１情報記録層１０
または第２情報記録層２０を形成するスパッタリング装
置の構成の概要を示す側面図である。また、図８は、図
７の装置を上面から見た図である。
【００６４】真空容器１００内の天井近傍には、ポリカ
ーボネート基板３０（または基板４０）支持用の円盤状
回転基台（カソード板）１０２が、回転面が水平になる
ように配設されている。回転基台１０２の下面に基板３
０（または４０）が支持され、その上面側のシャフトは
ギヤ機構１０１を介してモータ１１０により回転駆動さ
れるようになっている。図示はされていないが、カソー
ド板１０２は電気的に接地されている。
ーボネート基板３０（または基板４０）支持用の円盤状
回転基台（カソード板）１０２が、回転面が水平になる
ように配設されている。回転基台１０２の下面に基板３
０（または４０）が支持され、その上面側のシャフトは
ギヤ機構１０１を介してモータ１１０により回転駆動さ
れるようになっている。図示はされていないが、カソー
ド板１０２は電気的に接地されている。
【００６５】真空容器１００内の底部近傍には、上方の
回転基台１０２と対向するように、スパッタリング源
（４種類のターゲット材）が配置されたアノード板１０
５１〜１０５４が配設される。これらのスパッタリング
源のうち、光ディスクＯＤの無機誘電体層（第１情報記
録層）１０を構成するターゲット材料（ＳｉまたはＴｉ
Ｏ２）はアノード板１０５１に配置され、相変化記録層
９０を構成するターゲット材料（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）
はアノード板１０５３に配置され、無機誘電体層１０ま
たは相変化記録層をサンドイッチする透明層９２および
９４を構成するターゲット材料（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）は
アノード板１０５２に配置され、光反射層（第２情報記
録層）２０を構成するターゲット材料（ＡｌまたはＡｌ
・Ｍｏ）はアノード板１０５４に配置される。
回転基台１０２と対向するように、スパッタリング源
（４種類のターゲット材）が配置されたアノード板１０
５１〜１０５４が配設される。これらのスパッタリング
源のうち、光ディスクＯＤの無機誘電体層（第１情報記
録層）１０を構成するターゲット材料（ＳｉまたはＴｉ
Ｏ２）はアノード板１０５１に配置され、相変化記録層
９０を構成するターゲット材料（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）
はアノード板１０５３に配置され、無機誘電体層１０ま
たは相変化記録層をサンドイッチする透明層９２および
９４を構成するターゲット材料（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）は
アノード板１０５２に配置され、光反射層（第２情報記
録層）２０を構成するターゲット材料（ＡｌまたはＡｌ
・Ｍｏ）はアノード板１０５４に配置される。
【００６６】各アノード板１０５１〜１０５４は、それ
ぞれ、スパッタリング実行時に、図示しないモータによ
って回転されるようになっている。各アノード板１０５
１〜１０５４とカソード板１０２との間には、スイング
アーム１０７１〜１０７４の回動により適宜開閉可能な
シャッタ１０３１〜１０３４が配備されている。
ぞれ、スパッタリング実行時に、図示しないモータによ
って回転されるようになっている。各アノード板１０５
１〜１０５４とカソード板１０２との間には、スイング
アーム１０７１〜１０７４の回動により適宜開閉可能な
シャッタ１０３１〜１０３４が配備されている。
【００６７】基板３０にＳｉまたはＴｉＯ２をスパッタ
リングするときは、アーム１０７１が回動してシャッタ
１０３１だけが開く。すると、回転するアノード板１０
５１上のＳｉまたはＴｉＯ２が回転するカソード板１０
２に対向する。この状態でアノード板１０５１だけに高
周波電圧が印加されると、ＳｉまたはＴｉＯ２が基板３
０上に均一に成膜される。
リングするときは、アーム１０７１が回動してシャッタ
１０３１だけが開く。すると、回転するアノード板１０
５１上のＳｉまたはＴｉＯ２が回転するカソード板１０
２に対向する。この状態でアノード板１０５１だけに高
周波電圧が印加されると、ＳｉまたはＴｉＯ２が基板３
０上に均一に成膜される。
【００６８】基板３０または４０にＺｎＳ・ＳｉＯ２を
スパッタリングするときは、アーム１０７２が回動して
シャッタ１０３２だけが開く。すると、回転するアノー
ド板１０５２上のＺｎＳ・ＳｉＯ２が回転するカソード
板１０２に対向する。この状態でアノード板１０５２だ
けに高周波電圧が印加されると、ＺｎＳ・ＳｉＯ２が基
板３０または４０上に均一に成膜される。
スパッタリングするときは、アーム１０７２が回動して
シャッタ１０３２だけが開く。すると、回転するアノー
ド板１０５２上のＺｎＳ・ＳｉＯ２が回転するカソード
板１０２に対向する。この状態でアノード板１０５２だ
けに高周波電圧が印加されると、ＺｎＳ・ＳｉＯ２が基
板３０または４０上に均一に成膜される。
【００６９】基板４０にＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５をスパッタ
リングするときは、アーム１０７３が回動してシャッタ
１０３３だけが開く。すると、回転するアノード板１０
５３上のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が回転するカソード板１０
２に対向する。この状態でアノード板１０５３だけに高
周波電圧が印加されると、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が基板４
０上に均一に成膜される。
リングするときは、アーム１０７３が回動してシャッタ
１０３３だけが開く。すると、回転するアノード板１０
５３上のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が回転するカソード板１０
２に対向する。この状態でアノード板１０５３だけに高
周波電圧が印加されると、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が基板４
０上に均一に成膜される。
【００７０】基板４０にアルミニウムＡｌまたはアルミ
ニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏをスパッタリングすると
きは、アーム１０７４が回動してシャッタ１０３４だけ
が開く。すると、回転するアノード板１０５４上のアル
ミニウムＡｌまたはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍ
ｏが、回転するカソード板１０２に対向する。この状態
でアノード板１０５４だけに高周波電圧が印加される
と、アルミニウムＡｌまたはアルミニウム・モリブデン
Ａｌ・Ｍｏが基板４０上に均一に成膜される。
ニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏをスパッタリングすると
きは、アーム１０７４が回動してシャッタ１０３４だけ
が開く。すると、回転するアノード板１０５４上のアル
ミニウムＡｌまたはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍ
ｏが、回転するカソード板１０２に対向する。この状態
でアノード板１０５４だけに高周波電圧が印加される
と、アルミニウムＡｌまたはアルミニウム・モリブデン
Ａｌ・Ｍｏが基板４０上に均一に成膜される。
【００７１】アノード板１０５１〜１０５４のうちのど
れにスパッタリング用高周波電圧を印加するかは、切換
スイッチ１１１の切換状態で決まる。すなわち、Ｓｉま
たはＴｉＯ２をスパッタリングするときは高周波電源装
置（ＲＦ電源装置）１１２の高周波電圧出力が切換スイ
ッチ１１１の接点ｂを介してアノード板１０５１に印加
され、ＺｎＳ・ＳｉＯ２をスパッタリングするときはＲ
Ｆ電源装置１１２の高周波電圧出力が切換スイッチ１１
１の接点ｃを介してアノード板１０５２に印加され、Ｇ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５をスパッタリングするときはＲＦ電源
装置１１２の高周波電圧出力が切換スイッチ１１１の接
点ｄを介してアノード板１０５３に印加され、アルミニ
ウムＡｌまたはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏを
スパッタリングするときはＲＦ電源装置１１２の高周波
電圧出力が切換スイッチ１１１の接点ａを介してアノー
ド板１０５４に印加される。
れにスパッタリング用高周波電圧を印加するかは、切換
スイッチ１１１の切換状態で決まる。すなわち、Ｓｉま
たはＴｉＯ２をスパッタリングするときは高周波電源装
置（ＲＦ電源装置）１１２の高周波電圧出力が切換スイ
ッチ１１１の接点ｂを介してアノード板１０５１に印加
され、ＺｎＳ・ＳｉＯ２をスパッタリングするときはＲ
Ｆ電源装置１１２の高周波電圧出力が切換スイッチ１１
１の接点ｃを介してアノード板１０５２に印加され、Ｇ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５をスパッタリングするときはＲＦ電源
装置１１２の高周波電圧出力が切換スイッチ１１１の接
点ｄを介してアノード板１０５３に印加され、アルミニ
ウムＡｌまたはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏを
スパッタリングするときはＲＦ電源装置１１２の高周波
電圧出力が切換スイッチ１１１の接点ａを介してアノー
ド板１０５４に印加される。
【００７２】切換スイッチ１１１の接点選択制御および
ＲＦ電源装置１１２の高周波電圧出力制御は、スパッタ
リング制御装置１２０内部のＣＰＵにより行われる。
ＲＦ電源装置１１２の高周波電圧出力制御は、スパッタ
リング制御装置１２０内部のＣＰＵにより行われる。
【００７３】真空容器１００は、ガス排気ポート１１３
１〜１１３３を介して、制御装置１２０により制御され
る排気装置（１１４１〜１１４３）に接続される。この
排気装置は、ロータリーポンプ１１４１、クライオポン
プ１１４２およびバルブ１１４３により構成されてい
る。スパッタリング開始前、バルブ１１４３が開くと、
まずロータリーポンプ１１４１により真空容器１００が
排気され、その後クライオポンプ１１４２によりさらに
排気されて、マイクロトールレベルの高真空状態が作り
出される。
１〜１１３３を介して、制御装置１２０により制御され
る排気装置（１１４１〜１１４３）に接続される。この
排気装置は、ロータリーポンプ１１４１、クライオポン
プ１１４２およびバルブ１１４３により構成されてい
る。スパッタリング開始前、バルブ１１４３が開くと、
まずロータリーポンプ１１４１により真空容器１００が
排気され、その後クライオポンプ１１４２によりさらに
排気されて、マイクロトールレベルの高真空状態が作り
出される。
【００７４】一旦、以上のような高真空状態を作り出し
たあと、スパッタリング実行時に、ガス導入ポート１１
５、入口バルブ１１９、制御バルブ（ガス流コントロー
ラ）１１８およびバルブ１１７を介して、アルゴンガス
ボンベ１１６から、スパッタリングガスとしてのアルゴ
ンガス（不活性ガス）が微量注入（ミリトールレベル）
される。アルゴンガスの注入量は、真空容器１００に取
り付けられた内圧センサ（真空計）１０８によりチェッ
クされる。バルブ１１７〜１１９の開閉状態は、内圧セ
ンサ１０８による真空度チェック結果に応じて、制御装
置１２０により制御される。
たあと、スパッタリング実行時に、ガス導入ポート１１
５、入口バルブ１１９、制御バルブ（ガス流コントロー
ラ）１１８およびバルブ１１７を介して、アルゴンガス
ボンベ１１６から、スパッタリングガスとしてのアルゴ
ンガス（不活性ガス）が微量注入（ミリトールレベル）
される。アルゴンガスの注入量は、真空容器１００に取
り付けられた内圧センサ（真空計）１０８によりチェッ
クされる。バルブ１１７〜１１９の開閉状態は、内圧セ
ンサ１０８による真空度チェック結果に応じて、制御装
置１２０により制御される。
【００７５】カソード板１０２の近傍には、基板３０ま
たは４０上にスパッタリング形成された薄膜（１０、２
０、９０、９２、または９４）の厚さをモニタする膜厚
計１０６が設けられている。制御装置１２０は、膜厚計
１０６によって、スパッタリング源から基板３０（４
０）へのスパッタ量をモニタする。すなわち、制御装置
１２０は、基板３０（４０）にスパッタされた薄膜をモ
ニタしながら、薄膜層（１０、２０、９０、９２、また
は９４）が所定の組成となるように（あるいは所定の膜
厚になるように）、ＲＦ電源装置１１２からアノード板
１０５１〜１０５４への高周波電力を調節するようにプ
ログラムされる。
たは４０上にスパッタリング形成された薄膜（１０、２
０、９０、９２、または９４）の厚さをモニタする膜厚
計１０６が設けられている。制御装置１２０は、膜厚計
１０６によって、スパッタリング源から基板３０（４
０）へのスパッタ量をモニタする。すなわち、制御装置
１２０は、基板３０（４０）にスパッタされた薄膜をモ
ニタしながら、薄膜層（１０、２０、９０、９２、また
は９４）が所定の組成となるように（あるいは所定の膜
厚になるように）、ＲＦ電源装置１１２からアノード板
１０５１〜１０５４への高周波電力を調節するようにプ
ログラムされる。
【００７６】図９〜図１２は、図７の装置により形成さ
れた光ディスクの基板同士（図３の例で言えば記録層１
０を持つ第１ディスク基板３０と記録層２０を持つ第２
ディスク基板４０）を張り合わせる装置の動作手順を説
明する装置側面図である。
れた光ディスクの基板同士（図３の例で言えば記録層１
０を持つ第１ディスク基板３０と記録層２０を持つ第２
ディスク基板４０）を張り合わせる装置の動作手順を説
明する装置側面図である。
【００７７】この貼合せ装置は、図９〜図１１に示すよ
うに、スピナー８００内部に、位置合わせピン２０２を
回転中心に備えたスピンテーブル２００と、このスピン
テーブル２００を回転させるスピンドルモータ２１０
と、ＵＶ樹脂液２２０をスピンテーブル２００側に適宜
供給する接着剤ディスペンサ２５０とを備えた構成を持
つ。
うに、スピナー８００内部に、位置合わせピン２０２を
回転中心に備えたスピンテーブル２００と、このスピン
テーブル２００を回転させるスピンドルモータ２１０
と、ＵＶ樹脂液２２０をスピンテーブル２００側に適宜
供給する接着剤ディスペンサ２５０とを備えた構成を持
つ。
【００７８】まず、図９に示すように、第１情報記録層
１０が形成されたポリカーボネート基板３０が、位置合
わせピン２０２に挿通され、スピンテーブル２００上に
載置される。その後、基板３０の中心部に、ディスペン
サ２５０から、透明なＵＶ樹脂液２２０が所定量だけ供
給される。
１０が形成されたポリカーボネート基板３０が、位置合
わせピン２０２に挿通され、スピンテーブル２００上に
載置される。その後、基板３０の中心部に、ディスペン
サ２５０から、透明なＵＶ樹脂液２２０が所定量だけ供
給される。
【００７９】次に、図１０に示すように、第２情報記録
層２０が形成されたポリカーボネート基板４０が、層２
０の形成面が基板３０側と向き合うように、位置合わせ
ピン２０２に挿通され、スピンテーブル２００上に載置
される。
層２０が形成されたポリカーボネート基板４０が、層２
０の形成面が基板３０側と向き合うように、位置合わせ
ピン２０２に挿通され、スピンテーブル２００上に載置
される。
【００８０】続いて、図１１に示すように、中心部にＵ
Ｖ樹脂液２２０が挟まれた基板３０および基板４０が、
スピンドルモータ２１０により、所定時間所定の回転速
度で回転される。この回転により、基板３０および基板
４０の中心部からその周辺部に向かってＵＶ樹脂液２２
０が均一に広がり、基板３０および基板４０の間に、お
おそ４０μｍの接着剤層５０が形成される（これをＵＶ
樹脂液のスピンコートという）。基板３０および基板４
０の周辺部まで達した余分なＵＶ樹脂液２２０は、上記
スピンコート中の高速回転による遠心力で外部に吹き飛
ばされる。その後基板３０および基板４０の周辺部には
み出したＵＶ樹脂液２２０は図示しない適当な手段によ
り取り除かれる。
Ｖ樹脂液２２０が挟まれた基板３０および基板４０が、
スピンドルモータ２１０により、所定時間所定の回転速
度で回転される。この回転により、基板３０および基板
４０の中心部からその周辺部に向かってＵＶ樹脂液２２
０が均一に広がり、基板３０および基板４０の間に、お
おそ４０μｍの接着剤層５０が形成される（これをＵＶ
樹脂液のスピンコートという）。基板３０および基板４
０の周辺部まで達した余分なＵＶ樹脂液２２０は、上記
スピンコート中の高速回転による遠心力で外部に吹き飛
ばされる。その後基板３０および基板４０の周辺部には
み出したＵＶ樹脂液２２０は図示しない適当な手段によ
り取り除かれる。
【００８１】こうして均一なＵＶ樹脂液２２０（接着剤
層５０）を挟んだ基板３０および基板４０の貼合せディ
スクは、図１２に示すように、基板３０が上を向くよう
に搬送ベルトコンベア９００に載置され、ランプフード
２４０内のＵＶランプアレイ２３０の直下に搬送され
る。基板３０および基板４０の間のＵＶ樹脂液２２０
は、ＵＶランプアレイ２３０からの紫外線照射により硬
化し、堅固な接着剤層５０となる。こうして、貼合せ光
ディスクＯＤが完成する。
層５０）を挟んだ基板３０および基板４０の貼合せディ
スクは、図１２に示すように、基板３０が上を向くよう
に搬送ベルトコンベア９００に載置され、ランプフード
２４０内のＵＶランプアレイ２３０の直下に搬送され
る。基板３０および基板４０の間のＵＶ樹脂液２２０
は、ＵＶランプアレイ２３０からの紫外線照射により硬
化し、堅固な接着剤層５０となる。こうして、貼合せ光
ディスクＯＤが完成する。
【００８２】貼合せ光ディスクＯＤを大量生産する場合
は、ＵＶランプアレイ２３０の規模を大きくし、その下
を多数のディスクＯＤがベルトコンベア９００により所
定の速度で連続して搬送（必要なら一時停止を挟んで）
されるようにすればよい。
は、ＵＶランプアレイ２３０の規模を大きくし、その下
を多数のディスクＯＤがベルトコンベア９００により所
定の速度で連続して搬送（必要なら一時停止を挟んで）
されるようにすればよい。
【００８３】図１３は、図７〜図８の装置を用いて貼合
せ２層光ディスクＯＤ用の第１情報記録層１０を形成す
る手順を説明するフローチャートである。この手順に対
応するプログラムも、図７のスパッタリング制御装置１
２０の内部ＣＰＵにより実行される。
せ２層光ディスクＯＤ用の第１情報記録層１０を形成す
る手順を説明するフローチャートである。この手順に対
応するプログラムも、図７のスパッタリング制御装置１
２０の内部ＣＰＵにより実行される。
【００８４】すなわち、制御装置１２０は、内圧センサ
１０８を用いて真空容器１００の内圧を監視しながら排
気装置（１１４１〜１１４３）を運転して、真空容器１
００をたとえば５マイクロトール以下まで排気する（ス
テップＳＴ１０〜ステップＳＴ１２ノー）。その後、制
御装置１２０は、内圧センサ１０８を用いて真空容器１
００の内圧を監視しなが制御バルブ１１８を開閉制御し
て、真空容器１００内に５ミリトール以下のアルゴンガ
スを導入する（ステップＳＴ１４〜ステップＳＴ１６ノ
ー）。
１０８を用いて真空容器１００の内圧を監視しながら排
気装置（１１４１〜１１４３）を運転して、真空容器１
００をたとえば５マイクロトール以下まで排気する（ス
テップＳＴ１０〜ステップＳＴ１２ノー）。その後、制
御装置１２０は、内圧センサ１０８を用いて真空容器１
００の内圧を監視しなが制御バルブ１１８を開閉制御し
て、真空容器１００内に５ミリトール以下のアルゴンガ
スを導入する（ステップＳＴ１４〜ステップＳＴ１６ノ
ー）。
【００８５】こうして導入された低圧アルゴンガスをス
パッタリングガスとして用いて、無機誘電体（Ｓｉ、Ｔ
ｉＯ２など）のスパッタリングが開始される。
パッタリングガスとして用いて、無機誘電体（Ｓｉ、Ｔ
ｉＯ２など）のスパッタリングが開始される。
【００８６】すなわち、制御装置１２０は、シャッタ１
０３１を開け、基板３０が取り付けられたカソード板１
０２を回転させ（ステップＳＴ１８）、同時にターゲッ
ト材Ｓｉ（またはＴｉＯ２）が配置されたアノード板１
０５１を回転させながら、スパッタリング源（たとえば
Ｓｉ）に対して、所定時間、所定の高周波電力を印加し
て（ステップＳＴ２０）、所定の膜厚（たとえば２０ｎ
ｍ±３０％程度、あるいは８０ｎｍ±３０％程度）の第
１情報記録層１０を形成する（ステップＳＴ２２イエ
ス）。
０３１を開け、基板３０が取り付けられたカソード板１
０２を回転させ（ステップＳＴ１８）、同時にターゲッ
ト材Ｓｉ（またはＴｉＯ２）が配置されたアノード板１
０５１を回転させながら、スパッタリング源（たとえば
Ｓｉ）に対して、所定時間、所定の高周波電力を印加し
て（ステップＳＴ２０）、所定の膜厚（たとえば２０ｎ
ｍ±３０％程度、あるいは８０ｎｍ±３０％程度）の第
１情報記録層１０を形成する（ステップＳＴ２２イエ
ス）。
【００８７】なお、上記実施の形態では、ターゲット材
の上方に基板３０を配設するアップスパッタの場合で説
明を行ったが、ターゲット材の側方に基板３０を配設す
るサイドスパッタ法を採用しても良い。
の上方に基板３０を配設するアップスパッタの場合で説
明を行ったが、ターゲット材の側方に基板３０を配設す
るサイドスパッタ法を採用しても良い。
【００８８】図１４は、図７〜図８の装置を用いて貼合
せ２層光ディスクＯＤ用の第２情報記録層２０を形成す
る手順を説明するフローチャートである。この手順に対
応するプログラムも、図７のスパッタリング制御装置１
２０のＣＰＵにより実行できる。
せ２層光ディスクＯＤ用の第２情報記録層２０を形成す
る手順を説明するフローチャートである。この手順に対
応するプログラムも、図７のスパッタリング制御装置１
２０のＣＰＵにより実行できる。
【００８９】すなわち、制御装置１２０は、内圧センサ
１０８を用いて真空容器１００の内圧を監視しながら排
気装置（１１４１〜１１４３）を運転して、真空容器１
００をたとえば５マイクロトール以下まで排気する（ス
テップＳＴ３０〜ステップＳＴ３２ノー）。その後、制
御装置１２０は、内圧センサ１０８を用いて真空容器１
００の内圧を監視しなが制御バルブ１１８を開閉制御し
て、真空容器１００内に５ミリトール以下のアルゴンガ
スを導入する（ステップＳＴ３４〜ステップＳＴ３６ノ
ー）。
１０８を用いて真空容器１００の内圧を監視しながら排
気装置（１１４１〜１１４３）を運転して、真空容器１
００をたとえば５マイクロトール以下まで排気する（ス
テップＳＴ３０〜ステップＳＴ３２ノー）。その後、制
御装置１２０は、内圧センサ１０８を用いて真空容器１
００の内圧を監視しなが制御バルブ１１８を開閉制御し
て、真空容器１００内に５ミリトール以下のアルゴンガ
スを導入する（ステップＳＴ３４〜ステップＳＴ３６ノ
ー）。
【００９０】こうして導入された低圧アルゴンガスをス
パッタリングガスとして用いて、アルミニウムＡｌある
いはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏなどのスパッ
タリングが開始される。
パッタリングガスとして用いて、アルミニウムＡｌある
いはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏなどのスパッ
タリングが開始される。
【００９１】すなわち、制御装置１２０は、シャッタ１
０３４を開け、基板４０が取り付けられたカソード板１
０２をり回転させ（ステップＳＴ３８）、同時にターゲ
ット材アルミニウムＡｌ（またはアルミニウム・モリブ
デンＡｌ・Ｍｏ）が配置されたアノード板１０５４を回
転させながら、スパッタリング源（たとえばアルミニウ
ム・モリブデンＡｌ・Ｍｏ）に対して、層構成の順番
（アルミニウムＡｌ、次にモリブデンＭｏ）に、所定時
間、所定の高周波電力を印加して（ステップＳＴ４
０）、所定の膜厚（たとえば１００ｎｍ±３０％程度）
のレーザ光反射層２０を形成する（ステップＳＴ４２イ
エス）。
０３４を開け、基板４０が取り付けられたカソード板１
０２をり回転させ（ステップＳＴ３８）、同時にターゲ
ット材アルミニウムＡｌ（またはアルミニウム・モリブ
デンＡｌ・Ｍｏ）が配置されたアノード板１０５４を回
転させながら、スパッタリング源（たとえばアルミニウ
ム・モリブデンＡｌ・Ｍｏ）に対して、層構成の順番
（アルミニウムＡｌ、次にモリブデンＭｏ）に、所定時
間、所定の高周波電力を印加して（ステップＳＴ４
０）、所定の膜厚（たとえば１００ｎｍ±３０％程度）
のレーザ光反射層２０を形成する（ステップＳＴ４２イ
エス）。
【００９２】なお、上記実施の形態では、ターゲット材
の上方に基板４０を配設するアップスパッタの場合で説
明を行ったが、ターゲット材の側方に基板４０を配設す
るサイドスパッタ法を採用しても良い。
の上方に基板４０を配設するアップスパッタの場合で説
明を行ったが、ターゲット材の側方に基板４０を配設す
るサイドスパッタ法を採用しても良い。
【００９３】また、図７の装置を利用したスパッタリン
グ法による場合を例にとって説明したが、層２０は真空
蒸着法でも形成できる。
グ法による場合を例にとって説明したが、層２０は真空
蒸着法でも形成できる。
【００９４】図１５は、図７〜図８の装置を用いて、読
書型２層光ディスクＯＤ用の基板４０に記録層（９０〜
９４）および反射層（２０）を形成する手順を説明する
フローチャートである。この手順に対応するプログラム
も、図７のスパッタリング制御装置１２０のＣＰＵによ
り実行できる。
書型２層光ディスクＯＤ用の基板４０に記録層（９０〜
９４）および反射層（２０）を形成する手順を説明する
フローチャートである。この手順に対応するプログラム
も、図７のスパッタリング制御装置１２０のＣＰＵによ
り実行できる。
【００９５】すなわち、制御装置１２０は、内圧センサ
１０８を用いて真空容器１００の内圧を監視しながら排
気装置（１１４１〜１１４３）を運転して、真空容器１
００をたとえば５マイクロトール以下まで排気する（ス
テップＳＴ５０〜ステップＳＴ５２ノー）。その後、制
御装置１２０は、内圧センサ１０８を用いて真空容器１
００の内圧を監視しなが制御バルブ１１８を開閉制御し
て、真空容器１００内に５ミリトール以下のアルゴンガ
スを導入する（ステップＳＴ５４〜ステップＳＴ５６ノ
ー）。
１０８を用いて真空容器１００の内圧を監視しながら排
気装置（１１４１〜１１４３）を運転して、真空容器１
００をたとえば５マイクロトール以下まで排気する（ス
テップＳＴ５０〜ステップＳＴ５２ノー）。その後、制
御装置１２０は、内圧センサ１０８を用いて真空容器１
００の内圧を監視しなが制御バルブ１１８を開閉制御し
て、真空容器１００内に５ミリトール以下のアルゴンガ
スを導入する（ステップＳＴ５４〜ステップＳＴ５６ノ
ー）。
【００９６】（１）こうして導入された低圧アルゴンガ
スをスパッタリングガスとして用いて、たとえばアルミ
ニウムＡｌをターゲット材とするスパッタリングが開始
される。
スをスパッタリングガスとして用いて、たとえばアルミ
ニウムＡｌをターゲット材とするスパッタリングが開始
される。
【００９７】すなわち、制御装置１２０は、ターゲット
材アルミニウムＡｌが配置されたアノード板１０５４上
のシャッタ１０３４だけを開き、その他のシャッタ１０
３１、１０３２および１０３３は閉じたままにしておく
（ステップＳＴ５７）。
材アルミニウムＡｌが配置されたアノード板１０５４上
のシャッタ１０３４だけを開き、その他のシャッタ１０
３１、１０３２および１０３３は閉じたままにしておく
（ステップＳＴ５７）。
【００９８】次に、制御装置１２０は、基板４０が取り
付けられたカソード板１０２およびターゲット材アルミ
ニウムＡｌが配置されたアノード板１０５４を回転させ
つつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（アルミ
ニウムＡｌ）に対して、所定時間、所定の高周波電力を
印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たとえば
中心値１００ｎｍ）のレーザ光反射層２０を形成する
（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４０に形
成する薄膜のうち、最初の薄膜２０の形成が終了する
（ステップＳＴ６２イエス；ステップＳＴ６４ノー）。
付けられたカソード板１０２およびターゲット材アルミ
ニウムＡｌが配置されたアノード板１０５４を回転させ
つつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（アルミ
ニウムＡｌ）に対して、所定時間、所定の高周波電力を
印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たとえば
中心値１００ｎｍ）のレーザ光反射層２０を形成する
（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４０に形
成する薄膜のうち、最初の薄膜２０の形成が終了する
（ステップＳＴ６２イエス；ステップＳＴ６４ノー）。
【００９９】（２）続いて、５ミリトール以下に管理さ
れた低圧アルゴンガスをスパッタリングガスとして、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ２の混合物をターゲット材とするスパッタ
リングが開始される。
れた低圧アルゴンガスをスパッタリングガスとして、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ２の混合物をターゲット材とするスパッタ
リングが開始される。
【０１００】すなわち、制御装置１２０は、ターゲット
材ＺｎＳ・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２上
のシャッタ１０３２だけを開き、その他のシャッタ１０
３１、１０３３および１０３４は閉じたままにしておく
（ステップＳＴ５７）。
材ＺｎＳ・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２上
のシャッタ１０３２だけを開き、その他のシャッタ１０
３１、１０３３および１０３４は閉じたままにしておく
（ステップＳＴ５７）。
【０１０１】次に、制御装置１２０は、基板４０が取り
付けられたカソード板１０２およびターゲット材ＺｎＳ
・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２を回転させ
つつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（ＺｎＳ
・ＳｉＯ２）に対して、所定時間、所定の高周波電力を
印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たとえば
中心値２０ｎｍ）のＺｎＳ・ＳｉＯ２層９４を形成する
（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４０に形
成する薄膜のうち、２番目の薄膜９４の形成が終了する
（ステップＳＴ６２イエス；ステップＳＴ６４ノー）。
付けられたカソード板１０２およびターゲット材ＺｎＳ
・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２を回転させ
つつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（ＺｎＳ
・ＳｉＯ２）に対して、所定時間、所定の高周波電力を
印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たとえば
中心値２０ｎｍ）のＺｎＳ・ＳｉＯ２層９４を形成する
（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４０に形
成する薄膜のうち、２番目の薄膜９４の形成が終了する
（ステップＳＴ６２イエス；ステップＳＴ６４ノー）。
【０１０２】（３）続いて、５ミリトール以下に管理さ
れた低圧アルゴンガスをスパッタリングガスとして、Ｇ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５をターゲット材とするスパッタリング
が開始される。
れた低圧アルゴンガスをスパッタリングガスとして、Ｇ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５をターゲット材とするスパッタリング
が開始される。
【０１０３】すなわち、制御装置１２０は、ターゲット
材Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が配置されたアノード板１０５３
上のシャッタ１０３３だけを開き、その他のシャッタ１
０３１、１０３２および１０３４は閉じたままにしてお
く（ステップＳＴ５７）。
材Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が配置されたアノード板１０５３
上のシャッタ１０３３だけを開き、その他のシャッタ１
０３１、１０３２および１０３４は閉じたままにしてお
く（ステップＳＴ５７）。
【０１０４】次に、制御装置１２０は、基板４０が取り
付けられたカソード板１０２およびターゲット材Ｇｅ２
Ｓｂ２Ｔｅ５が配置されたアノード板１０５３を回転さ
せつつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（Ｇｅ
２Ｓｂ２Ｔｅ５）に対して、所定時間、所定の高周波電
力を印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たと
えば中心値２０ｎｍ）のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５層９０を形
成する（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４
０に形成する薄膜のうち、３番目の薄膜（相変化記録
層）９０の形成が終了する（ステップＳＴ６２イエス；
ステップＳＴ６４ノー）。
付けられたカソード板１０２およびターゲット材Ｇｅ２
Ｓｂ２Ｔｅ５が配置されたアノード板１０５３を回転さ
せつつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（Ｇｅ
２Ｓｂ２Ｔｅ５）に対して、所定時間、所定の高周波電
力を印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たと
えば中心値２０ｎｍ）のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５層９０を形
成する（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４
０に形成する薄膜のうち、３番目の薄膜（相変化記録
層）９０の形成が終了する（ステップＳＴ６２イエス；
ステップＳＴ６４ノー）。
【０１０５】（４）最後に、５ミリトール以下に管理さ
れた低圧アルゴンガスをスパッタリングガスとして、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ２の混合物をターゲット材とするスパッタ
リングが開始される。
れた低圧アルゴンガスをスパッタリングガスとして、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ２の混合物をターゲット材とするスパッタ
リングが開始される。
【０１０６】すなわち、制御装置１２０は、ターゲット
材ＺｎＳ・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２上
のシャッタ１０３２だけを開き、その他のシャッタ１０
３１、１０３３および１０３４は閉じたままにしておく
（ステップＳＴ５７）。
材ＺｎＳ・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２上
のシャッタ１０３２だけを開き、その他のシャッタ１０
３１、１０３３および１０３４は閉じたままにしておく
（ステップＳＴ５７）。
【０１０７】次に、制御装置１２０は、基板４０が取り
付けられたカソード板１０２およびターゲット材ＺｎＳ
・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２を回転させ
つつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（ＺｎＳ
・ＳｉＯ２）に対して、所定時間、所定の高周波電力を
印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たとえば
中心値１８０ｎｍ）のＺｎＳ・ＳｉＯ２層９４を形成す
る（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４０に
形成する薄膜のうち、４番目の薄膜９２までのスパッタ
リング形成が全て終了する（ステップＳＴ６２イエス；
ステップＳＴ６４イエス）。
付けられたカソード板１０２およびターゲット材ＺｎＳ
・ＳｉＯ２が配置されたアノード板１０５２を回転させ
つつ（ステップＳＴ５８）、スパッタリング源（ＺｎＳ
・ＳｉＯ２）に対して、所定時間、所定の高周波電力を
印加して（ステップＳＴ６０）、所定の膜厚（たとえば
中心値１８０ｎｍ）のＺｎＳ・ＳｉＯ２層９４を形成す
る（ステップＳＴ６２イエス）。こうして、基板４０に
形成する薄膜のうち、４番目の薄膜９２までのスパッタ
リング形成が全て終了する（ステップＳＴ６２イエス；
ステップＳＴ６４イエス）。
【０１０８】次に図７〜図１２の装置を用い、図１３〜
図１５の方法にしたがって作成された貼合せ光ディスク
の具体例（サンプル）を、以下の実施例で例示すること
にする。
図１５の方法にしたがって作成された貼合せ光ディスク
の具体例（サンプル）を、以下の実施例で例示すること
にする。
【０１０９】＜実施例１＞この実施例は、たとえば図３
の構成において、第１情報記録層１０を金属薄膜（金Ａ
ｕなど）および無機誘電体（Ｓｉなど）で形成する場合
のもので、これらをサンプルＡおよびサンプルＢとす
る。
の構成において、第１情報記録層１０を金属薄膜（金Ａ
ｕなど）および無機誘電体（Ｓｉなど）で形成する場合
のもので、これらをサンプルＡおよびサンプルＢとす
る。
【０１１０】まず、直径１２０ｍｍで厚さ０. ６ｍｍの
ポリカーボネート製基板（屈折率１. ６）を用意する。
「従来の技術」の項目で紹介したＳＤディスクの規格に
よれば、２層ディスクの場合、片面に５ＧΒ弱の容量の
情報が刻まれるが、今回はディスクの性能評価を行う都
合上、この容量を達成するための最密パターンに相当す
る単一周波数（４ΜΗｚ）で、あらかじめエンボス信号
を記録しておく。
ポリカーボネート製基板（屈折率１. ６）を用意する。
「従来の技術」の項目で紹介したＳＤディスクの規格に
よれば、２層ディスクの場合、片面に５ＧΒ弱の容量の
情報が刻まれるが、今回はディスクの性能評価を行う都
合上、この容量を達成するための最密パターンに相当す
る単一周波数（４ΜΗｚ）で、あらかじめエンボス信号
を記録しておく。
【０１１１】このような２枚の基板のうち、基板４０を
図７のスパタッリング装置内の回転基台１０２にセット
する。
図７のスパタッリング装置内の回転基台１０２にセット
する。
【０１１２】次に、排気バルブ１１４３を全開にし、ロ
ータリーポンプ１１４１およびクライオポンプ１１４２
を用いて、真空容器１００を１マイクロトールの真空ま
で減圧する。ついで、Αｒガスボンベ１１６のバルブ１
１７を開いて、真空容器１００の入口バルブ１１９を開
き、真空容器１００内にアルゴン ガスを導入する。そ
の際、ガス流量コントロラー１１８によってアルゴンＡ
ｒガスの流量を２０ＳＣＣＭ（ｌ分あたり２０ＣＣ流れ
る）に調節し、その後排気バルブ１１４３を半開に調節
して、真空容器１００内のアルゴンＡｒガス圧を０. ６
トールに設定した（ここでは、図１４のステップＳＴ３
６で例示したガス圧より高い）。
ータリーポンプ１１４１およびクライオポンプ１１４２
を用いて、真空容器１００を１マイクロトールの真空ま
で減圧する。ついで、Αｒガスボンベ１１６のバルブ１
１７を開いて、真空容器１００の入口バルブ１１９を開
き、真空容器１００内にアルゴン ガスを導入する。そ
の際、ガス流量コントロラー１１８によってアルゴンＡ
ｒガスの流量を２０ＳＣＣＭ（ｌ分あたり２０ＣＣ流れ
る）に調節し、その後排気バルブ１１４３を半開に調節
して、真空容器１００内のアルゴンＡｒガス圧を０. ６
トールに設定した（ここでは、図１４のステップＳＴ３
６で例示したガス圧より高い）。
【０１１３】次に、モータ１１０をオンにし、回転基台
１０２を回転させる。切換スイッチ１１１をアノード板
１０５４側に倒し、１３. ５６ＭΗｚのＲＦ電源１１２
をオンにし、アノード板１０５４に対して４００ＷのＲ
Ｆパワーを投入して、アルミニウムＡｌのターゲットに
対してアルゴンＡｒガスによるスパッタリングを開始す
る。
１０２を回転させる。切換スイッチ１１１をアノード板
１０５４側に倒し、１３. ５６ＭΗｚのＲＦ電源１１２
をオンにし、アノード板１０５４に対して４００ＷのＲ
Ｆパワーを投入して、アルミニウムＡｌのターゲットに
対してアルゴンＡｒガスによるスパッタリングを開始す
る。
【０１１４】アルゴンＡｒガスのプラズマが効率よくア
ルミニウムＡｌターゲット表面をスパッタリングするよ
うに、回路のマッチング状態を調節し、約２分のプリス
パッタリングを行って、アルミニウムＡｌ夕一ゲット表
面に付着していた酸素や不純物を飛ばす。その後、シャ
ッタ−１０３４を矢印の方向へ移動させ（開にする）、
ディスク基板４０上へアルミニウムＡｌの成膜を開始す
る。約２分後、ＲＦ電源１１２をオフにしてスパッタを
終了し、シャッタ−１１３４を閉める。その結果、基板
４０上にアルミニウムＡｌの反射膜が１００ｎｍ成膜さ
れる。
ルミニウムＡｌターゲット表面をスパッタリングするよ
うに、回路のマッチング状態を調節し、約２分のプリス
パッタリングを行って、アルミニウムＡｌ夕一ゲット表
面に付着していた酸素や不純物を飛ばす。その後、シャ
ッタ−１０３４を矢印の方向へ移動させ（開にする）、
ディスク基板４０上へアルミニウムＡｌの成膜を開始す
る。約２分後、ＲＦ電源１１２をオフにしてスパッタを
終了し、シャッタ−１１３４を閉める。その結果、基板
４０上にアルミニウムＡｌの反射膜が１００ｎｍ成膜さ
れる。
【０１１５】次いで、もう１枚の基板３０も図７のスパ
タッリング装置内の回転基台１０２に同様にセットし、
事前にターゲットを金Ａｕに代えておいて、アルミニウ
ムＡｌの場合と全く同様のプロセスで、金Ａｕの半透明
膜１０を成膜する。但し、アルミニウムＡｌの場合と違
うのは、ＲＦの投入パワーは１００Ｗとし、成膜時間を
２０秒として金Ａｕの膜厚１２ｎｍとしたことである。
タッリング装置内の回転基台１０２に同様にセットし、
事前にターゲットを金Ａｕに代えておいて、アルミニウ
ムＡｌの場合と全く同様のプロセスで、金Ａｕの半透明
膜１０を成膜する。但し、アルミニウムＡｌの場合と違
うのは、ＲＦの投入パワーは１００Ｗとし、成膜時間を
２０秒として金Ａｕの膜厚１２ｎｍとしたことである。
【０１１６】このように金Ａｕを半透明膜１０を成膜し
た基板３０を図９に示すスピナー８００内にセットし、
スピンテーブル２００を２０ＲＰＭで低速回転させなが
ら、ディスペンサー２５０からＵＶ樹脂液２２０を金Ａ
ｕ半透明膜１０上に落とす。次に、図１１に示すよう
に、基板４０のアルミニウムＡｌ反射面をＵＶ樹脂液２
２０と接する側にして基板３０と重ね合わせ、スピンテ
ーブル２００の回転数を５００ＲＰＭに上げて、約２分
間高速回転させ、ＵＶ樹脂液２２０を基板３０と基板４
０の間に均一に４０μｍスピンコートする。
た基板３０を図９に示すスピナー８００内にセットし、
スピンテーブル２００を２０ＲＰＭで低速回転させなが
ら、ディスペンサー２５０からＵＶ樹脂液２２０を金Ａ
ｕ半透明膜１０上に落とす。次に、図１１に示すよう
に、基板４０のアルミニウムＡｌ反射面をＵＶ樹脂液２
２０と接する側にして基板３０と重ね合わせ、スピンテ
ーブル２００の回転数を５００ＲＰＭに上げて、約２分
間高速回転させ、ＵＶ樹脂液２２０を基板３０と基板４
０の間に均一に４０μｍスピンコートする。
【０１１７】このスピンコートの後、基板３０と基板４
０を密着させたものを図１２に示すＵＶ照射装置のべル
トコンベア９００上にセットし、Αｕの半透明膜１０が
ついている基板３０側からＵＶランプ２３０にて２ＫＷ
の紫外光を約１分間照射し、基板間のＵＶ樹脂液２２０
を硬化させる。このような手順で貼り合わせた構成のデ
ィスクサンプル（１０が金Ａｕ薄膜）が、この発明の相
対評価に用いられる「サンプルＡの１」である。
０を密着させたものを図１２に示すＵＶ照射装置のべル
トコンベア９００上にセットし、Αｕの半透明膜１０が
ついている基板３０側からＵＶランプ２３０にて２ＫＷ
の紫外光を約１分間照射し、基板間のＵＶ樹脂液２２０
を硬化させる。このような手順で貼り合わせた構成のデ
ィスクサンプル（１０が金Ａｕ薄膜）が、この発明の相
対評価に用いられる「サンプルＡの１」である。
【０１１８】次に、同じ１２０ｍｍ径、０. ６ｍｍ厚、
屈折率１. ６のポリカーボネート基板（単一周波数４Ｍ
Ｈｚであらかじめエンボス信号が記録してあるのは「サ
ンプルＡの１」と同じ）２枚のうち、基板４０に対して
同様なスパッタリングによってアルミニウムＡｌ反射膜
２０が１００ｎｍ成膜される。
屈折率１. ６のポリカーボネート基板（単一周波数４Ｍ
Ｈｚであらかじめエンボス信号が記録してあるのは「サ
ンプルＡの１」と同じ）２枚のうち、基板４０に対して
同様なスパッタリングによってアルミニウムＡｌ反射膜
２０が１００ｎｍ成膜される。
【０１１９】もう１枚の基板３０の方は、まずスパッタ
リング装置内に設置される。このスパッタリング装置が
一旦真空に引かれた後、アルゴンＡｒガスが導入され、
高屈折率を有する無機誘電体材料（屈折率４のＳｉ）を
ターゲットにしたスパッタリングが行なわれる。このス
パッタリングにより、約８０ｎｍのＳｉ膜１０が成膜さ
れる。Ｓｉ成膜時のＲＦパワーは４００Ｗとし、３分３
０秒間のスパッタリングが行われる。これら２枚の基板
３０および基板４０は、「サンプルＡの１」と全く同じ
ようにして、厚さ４０μｍＵＶ樹脂で接着される。
リング装置内に設置される。このスパッタリング装置が
一旦真空に引かれた後、アルゴンＡｒガスが導入され、
高屈折率を有する無機誘電体材料（屈折率４のＳｉ）を
ターゲットにしたスパッタリングが行なわれる。このス
パッタリングにより、約８０ｎｍのＳｉ膜１０が成膜さ
れる。Ｓｉ成膜時のＲＦパワーは４００Ｗとし、３分３
０秒間のスパッタリングが行われる。これら２枚の基板
３０および基板４０は、「サンプルＡの１」と全く同じ
ようにして、厚さ４０μｍＵＶ樹脂で接着される。
【０１２０】このような手順で貼り合わせた図３の構成
のディスクサンプル（１０がＳｉ薄膜）が、この発明の
一実施例に係る「サンプルＢの１」である。
のディスクサンプル（１０がＳｉ薄膜）が、この発明の
一実施例に係る「サンプルＢの１」である。
【０１２１】このようにして作製された「サンプルＡの
１」および「サンプルΒの１」に対して、コンクリート
床面への落下試験を行った。試験は、３０ｃｍ、５０ｃ
ｍ、７０ｃｍ、１００ｃｍの高さからの自然落下によっ
て行った。その結果、「サンプルＡの１」は３０ｃｍの
高さからの落下試験で剥離したが、この発明の一実施例
に係る「サンプルＢの１」は１００ｃｍ高さからの落下
によっても剥離しなかった。
１」および「サンプルΒの１」に対して、コンクリート
床面への落下試験を行った。試験は、３０ｃｍ、５０ｃ
ｍ、７０ｃｍ、１００ｃｍの高さからの自然落下によっ
て行った。その結果、「サンプルＡの１」は３０ｃｍの
高さからの落下試験で剥離したが、この発明の一実施例
に係る「サンプルＢの１」は１００ｃｍ高さからの落下
によっても剥離しなかった。
【０１２２】次に、これら２枚のサンプルディスクＡの
１およびＢの１をそれぞれ図５に示すディスク評価ドラ
イブ装置にかけて、性能評価を行なう。これらの２枚の
ディスクの両基板（３０、４０）には、単一のキャリア
周波数４ＭＨｚでエンボスピットが刻まれているため、
この信号を再生し、スペクトラムアナライザ６２０を用
いて４ＭＨｚのＣ／Ｎ（キャリア対雑音比）を測定す
る。
１およびＢの１をそれぞれ図５に示すディスク評価ドラ
イブ装置にかけて、性能評価を行なう。これらの２枚の
ディスクの両基板（３０、４０）には、単一のキャリア
周波数４ＭＨｚでエンボスピットが刻まれているため、
この信号を再生し、スペクトラムアナライザ６２０を用
いて４ＭＨｚのＣ／Ｎ（キャリア対雑音比）を測定す
る。
【０１２３】まず、「サンプルＡの１」のディスクＯＤ
を図５の評価ドライブにセットし、それぞれの半径位置
で３. ６ｍ／ｓの一定線速度になるようにスピンドルモ
ー夕２１０を制御する。次にレーザドライバ６１０によ
って、光学ヘッド６００からパワー１ｍＷの連続再生光
（読取レーザ光ＲＬ）を照射し、その反射光をプリアン
プ６１６で増幅する。増幅された反射光信号は２値化回
路６１８で２値化され、その後スペクトラムアナライザ
６２０においてＣ／Νが測定される。この測定を「サン
プルＡの１」のアルミニウムＡｌ反射面２０にレーザ光
の焦点を合わせた場合について行ったところ、Ｃ／Νは
５８ｄΒであった。
を図５の評価ドライブにセットし、それぞれの半径位置
で３. ６ｍ／ｓの一定線速度になるようにスピンドルモ
ー夕２１０を制御する。次にレーザドライバ６１０によ
って、光学ヘッド６００からパワー１ｍＷの連続再生光
（読取レーザ光ＲＬ）を照射し、その反射光をプリアン
プ６１６で増幅する。増幅された反射光信号は２値化回
路６１８で２値化され、その後スペクトラムアナライザ
６２０においてＣ／Νが測定される。この測定を「サン
プルＡの１」のアルミニウムＡｌ反射面２０にレーザ光
の焦点を合わせた場合について行ったところ、Ｃ／Νは
５８ｄΒであった。
【０１２４】次に、「サンプルＡの１」の金Ａｕの半透
明膜１０にレーザ光の焦点を合わせた場合について同様
な測定を行ったところ、Ｃ／Νは５１ｄΒとなり、ノイ
ズの増大が認められた。この原因は、おそらく金Ａｕ半
透明膜１０があまりに薄い（１２ｎｍ）ため、金Ａｕの
クラスターが基板３０に対して島状に付着しているの
で、これがノイズとして観測されたものと思われる。
明膜１０にレーザ光の焦点を合わせた場合について同様
な測定を行ったところ、Ｃ／Νは５１ｄΒとなり、ノイ
ズの増大が認められた。この原因は、おそらく金Ａｕ半
透明膜１０があまりに薄い（１２ｎｍ）ため、金Ａｕの
クラスターが基板３０に対して島状に付着しているの
で、これがノイズとして観測されたものと思われる。
【０１２５】ついで、「サンプルΒの１」に関しても同
様にアルミニウムＡｌ反射面２０に焦点を合わせた場合
と、Ｓｉ誘電体膜１０に焦点を合わせた場合について、
Ｃ／Νを測定したところ、それぞれ、６０ｄΒおよび５
９ｄΒであった。すなわち、「サンプルΒの１」では層
１０の記録情報の再生に関して、「サンプルＡの１」の
場合のようなノイズの増大はなかった。それでいて、層
２０の再生Ｃ／Ｎも「サンプルＡの１」よりよかった。
様にアルミニウムＡｌ反射面２０に焦点を合わせた場合
と、Ｓｉ誘電体膜１０に焦点を合わせた場合について、
Ｃ／Νを測定したところ、それぞれ、６０ｄΒおよび５
９ｄΒであった。すなわち、「サンプルΒの１」では層
１０の記録情報の再生に関して、「サンプルＡの１」の
場合のようなノイズの増大はなかった。それでいて、層
２０の再生Ｃ／Ｎも「サンプルＡの１」よりよかった。
【０１２６】また、別の測定で、「サンプルＡの１」の
金Ａｕの半透明膜１０に焦点を合わせた時に反射してく
る光量から反射率Ｒを換算したところ、Ｒは約２８％で
あった。同じ測定を「サンプルΒの１」のＳｉ誘電体膜
１０に対して行ったところ、Ｒは２３％であった。Ｓｉ
層１０は高屈折率を有しているために、レーザ光に対し
て透明であるにも関わらず、適度な反射光量が得られて
いることが確認された。
金Ａｕの半透明膜１０に焦点を合わせた時に反射してく
る光量から反射率Ｒを換算したところ、Ｒは約２８％で
あった。同じ測定を「サンプルΒの１」のＳｉ誘電体膜
１０に対して行ったところ、Ｒは２３％であった。Ｓｉ
層１０は高屈折率を有しているために、レーザ光に対し
て透明であるにも関わらず、適度な反射光量が得られて
いることが確認された。
【０１２７】なお、図６のグラフの膜厚８０ｎｍからは
反射率Ｒは４０％以上あるが、実施例１の測定結果でＲ
が２３％となった理由は、膜厚のばらつき等のためであ
る。図６は反射率の変化傾向を理論的に算出したもの
で、現実の製品における損失、誤差などは図６では考慮
されていない。たとえば、Ｓｉ膜１０が６０〜１００ｎ
ｍにばらつけば、図６から、反射率Ｒは２０〜３０％に
低下することが読み取れる。
反射率Ｒは４０％以上あるが、実施例１の測定結果でＲ
が２３％となった理由は、膜厚のばらつき等のためであ
る。図６は反射率の変化傾向を理論的に算出したもの
で、現実の製品における損失、誤差などは図６では考慮
されていない。たとえば、Ｓｉ膜１０が６０〜１００ｎ
ｍにばらつけば、図６から、反射率Ｒは２０〜３０％に
低下することが読み取れる。
【０１２８】＜実施例２＞実施例１と全く同じ構成で、
接着層５０を、厚さ４０μｍのＵＶ樹脂から、厚さ４０
μｍの透明な両面粘着テープに変えたものである。ここ
で、層１０を厚さ１２ｎｍの金Ａｕ薄膜としたものと厚
さ８０ｎｍのＳｉ薄膜としたものを、それぞれ、「サン
プルＡの２」、「サンプルΒの２」とする。
接着層５０を、厚さ４０μｍのＵＶ樹脂から、厚さ４０
μｍの透明な両面粘着テープに変えたものである。ここ
で、層１０を厚さ１２ｎｍの金Ａｕ薄膜としたものと厚
さ８０ｎｍのＳｉ薄膜としたものを、それぞれ、「サン
プルＡの２」、「サンプルΒの２」とする。
【０１２９】なお、両面粘着テープは、貼り合わせ時に
気泡が混入するのを防止するため、減圧下にて圧着し
た。こうして作成された２種類のサンプルディスクに対
して、実施例１と全く同じ自然落下試験を実施したとこ
ろ、「サンプルＡの２」はやはり３０ｃｍ高さからの落
下で剥離したが、「サンプルΒの２」は１００ｃｍ高さ
からの落下でも剥離しなかった。
気泡が混入するのを防止するため、減圧下にて圧着し
た。こうして作成された２種類のサンプルディスクに対
して、実施例１と全く同じ自然落下試験を実施したとこ
ろ、「サンプルＡの２」はやはり３０ｃｍ高さからの落
下で剥離したが、「サンプルΒの２」は１００ｃｍ高さ
からの落下でも剥離しなかった。
【０１３０】＜実施例３＞実施例１と全く同じ図３の構
成で、高屈折率を有する無機誘電体膜１０としてＳｉの
代わりに屈折率２. ２のＴｉＯ２に変えたサンプルを作
製した。これを「サンプルＣ」とする。
成で、高屈折率を有する無機誘電体膜１０としてＳｉの
代わりに屈折率２. ２のＴｉＯ２に変えたサンプルを作
製した。これを「サンプルＣ」とする。
【０１３１】この「サンプルＣ」に対して、実施例１と
全く同様の自然落下試験を実施したところ、１００ｃｍ
高さからの落下に対して剥離は生じなかった。
全く同様の自然落下試験を実施したところ、１００ｃｍ
高さからの落下に対して剥離は生じなかった。
【０１３２】またこの「サンプルＣ」に対して、実施例
１と同じように図５のディスク評価ドライブを用いてＣ
／Ν測定を行った。その結果、アルミニウムＡｌの反射
面２０にレーザ光の焦点を合わせた場合と、ΤｉＯ２の
誘電体面１０に焦点を合わせた場合で、Ｃ／Νは、それ
ぞれ、６０ｄＢと５７ｄΒであった。ＴｉＯ２面１０か
らの再生光のＣ／ΝがＳｉ膜１０の場合と比べて若干下
がった原因は、ＴｉＯ２の屈折率がＳｉよりも若干小さ
いために、ＴｉＯ２に焦点を合わせた時の反射率が約２
０％とＳｉの時より小さくなったため思われる。
１と同じように図５のディスク評価ドライブを用いてＣ
／Ν測定を行った。その結果、アルミニウムＡｌの反射
面２０にレーザ光の焦点を合わせた場合と、ΤｉＯ２の
誘電体面１０に焦点を合わせた場合で、Ｃ／Νは、それ
ぞれ、６０ｄＢと５７ｄΒであった。ＴｉＯ２面１０か
らの再生光のＣ／ΝがＳｉ膜１０の場合と比べて若干下
がった原因は、ＴｉＯ２の屈折率がＳｉよりも若干小さ
いために、ＴｉＯ２に焦点を合わせた時の反射率が約２
０％とＳｉの時より小さくなったため思われる。
【０１３３】これまでは、２枚の貼合せディスクＯＤは
両面ともに再生専用のＲＯＭディスクの場合で説明した
が、たとえば図４に示すように、反射膜２０のところに
記録、または記録・消去、オーバライトが可能な記録膜
９０を設けてもよい。この場合、無機誘電体膜１０にレ
ーザ光の焦点を合わせて、ＲＯＭ情報を再生し、記録膜
９０に光ビームの焦点を合わせて、記録、または記録・
消去、オーバライトを行うタイプの２層貼り合わせディ
スクとすることができる。このような構成であっても、
この発明による、高屈折率を通する無機誘電体膜１０を
用いれば、全く同様の効果（剥がれにくく高Ｃ／Ｎ）が
期待できる。その実施例を以下に示す。
両面ともに再生専用のＲＯＭディスクの場合で説明した
が、たとえば図４に示すように、反射膜２０のところに
記録、または記録・消去、オーバライトが可能な記録膜
９０を設けてもよい。この場合、無機誘電体膜１０にレ
ーザ光の焦点を合わせて、ＲＯＭ情報を再生し、記録膜
９０に光ビームの焦点を合わせて、記録、または記録・
消去、オーバライトを行うタイプの２層貼り合わせディ
スクとすることができる。このような構成であっても、
この発明による、高屈折率を通する無機誘電体膜１０を
用いれば、全く同様の効果（剥がれにくく高Ｃ／Ｎ）が
期待できる。その実施例を以下に示す。
【０１３４】＜実施例４＞図４に示す構成の２層貼り合
わせディスクを作製した。すなわち、予め最密パターン
の単一周波数４ＭＨｚのエンボス信号が刻まれている基
板３０に対しては、実施例１の場合と同様に無機誘電体
膜１０としてＳｉを８０ｎｍ成膜する。もう一方の基板
４０には、エンボス信号は刻まれておらず、代わりに連
続のグルーブ溝が刻まれている。この基板４０を図７の
スパッタ装置内の回転基台１０２上にセットする。真空
容器１００内のアノード板１０５１〜１０５４には、タ
ーゲット材として、Ｓｉ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、Ｇｅ２Ｓ
ｂ２Ｔｅ５合金、アルミニウムＡｌが予めセットされて
いる。
わせディスクを作製した。すなわち、予め最密パターン
の単一周波数４ＭＨｚのエンボス信号が刻まれている基
板３０に対しては、実施例１の場合と同様に無機誘電体
膜１０としてＳｉを８０ｎｍ成膜する。もう一方の基板
４０には、エンボス信号は刻まれておらず、代わりに連
続のグルーブ溝が刻まれている。この基板４０を図７の
スパッタ装置内の回転基台１０２上にセットする。真空
容器１００内のアノード板１０５１〜１０５４には、タ
ーゲット材として、Ｓｉ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、Ｇｅ２Ｓ
ｂ２Ｔｅ５合金、アルミニウムＡｌが予めセットされて
いる。
【０１３５】まず、排気バルブ１１４３を全開にし、ロ
ータリーポンプ１１４１とクライオポンプ１１４２を用
いて、真空容器１００を１マイクロトールの真空まで減
圧する。ついで、アルゴンＡｒガスボンベ１１６のバル
ブ１１７を開いて、真空容器１００の入口バルブ１１９
を開き、真空容器１００内にアルゴンＡｒガスを導入す
る。ガス流量コントロラ−１１８によってアルゴンＡｒ
ガスの流量を２０ＳＣＣＭ（ｌ分あたり２０ＣＣ流れ
る）に調節した後、排気バルブ１１４３を半開に調節
し、真空容器１００内のアルゴンＡｒガス圧を０. ６ト
ールに設定する。
ータリーポンプ１１４１とクライオポンプ１１４２を用
いて、真空容器１００を１マイクロトールの真空まで減
圧する。ついで、アルゴンＡｒガスボンベ１１６のバル
ブ１１７を開いて、真空容器１００の入口バルブ１１９
を開き、真空容器１００内にアルゴンＡｒガスを導入す
る。ガス流量コントロラ−１１８によってアルゴンＡｒ
ガスの流量を２０ＳＣＣＭ（ｌ分あたり２０ＣＣ流れ
る）に調節した後、排気バルブ１１４３を半開に調節
し、真空容器１００内のアルゴンＡｒガス圧を０. ６ト
ールに設定する。
【０１３６】その後モータ１１０をオンにし、回転基台
１０２を回転させる。切換スイッチ１１１をアノード板
１０５４側に倒し、１３. ５６ＭＨｚのＲＦパワー４０
０ＷをアルミニウムＡｌのターゲットに投入し、約２分
間のプリスパッタの後、シャッタ１０３４を開いて、都
合２分間、膜厚にして１００ｎｍのアルミニウムＡｌ反
射膜２０を基板４０に成膜する。
１０２を回転させる。切換スイッチ１１１をアノード板
１０５４側に倒し、１３. ５６ＭＨｚのＲＦパワー４０
０ＷをアルミニウムＡｌのターゲットに投入し、約２分
間のプリスパッタの後、シャッタ１０３４を開いて、都
合２分間、膜厚にして１００ｎｍのアルミニウムＡｌ反
射膜２０を基板４０に成膜する。
【０１３７】次に、アルミニウムＡｌのラジカルをｌ度
真空容器１００内から取り除くため、バルブ１１９を閉
めて、バルブ１１４３を全開にし、真空容器１００内を
１０マイクロトールまで再度減圧する。次に再度バルブ
１１９を開にして、アルゴンＡｒガスを真空容器１００
内に導入し、排気バルブ１１４３を半開にして真空容器
内の圧力が０. ６トールになるよう調整する。その後、
切換スイッチ１１１をアノード板１０５２側に倒してＲ
Ｆ電源１１２をオンにし、２００ＷのパワーをＺｎＳ・
ＳｉＯ２のターゲットに投入し、約２分間のプリスパッ
タの後、シャッタ１０３２を開にする。その３０秒後、
ＲＦ電源１１２をオフにして、膜厚にして２０ｎｍのＺ
ｎＳ・ＳｉＯ２膜９４をアルミニウムＡｌ膜２０の上に
成膜する。
真空容器１００内から取り除くため、バルブ１１９を閉
めて、バルブ１１４３を全開にし、真空容器１００内を
１０マイクロトールまで再度減圧する。次に再度バルブ
１１９を開にして、アルゴンＡｒガスを真空容器１００
内に導入し、排気バルブ１１４３を半開にして真空容器
内の圧力が０. ６トールになるよう調整する。その後、
切換スイッチ１１１をアノード板１０５２側に倒してＲ
Ｆ電源１１２をオンにし、２００ＷのパワーをＺｎＳ・
ＳｉＯ２のターゲットに投入し、約２分間のプリスパッ
タの後、シャッタ１０３２を開にする。その３０秒後、
ＲＦ電源１１２をオフにして、膜厚にして２０ｎｍのＺ
ｎＳ・ＳｉＯ２膜９４をアルミニウムＡｌ膜２０の上に
成膜する。
【０１３８】再度バルブ１１９を閉め、排気バルブ１１
４３を全開にしてＺｎＳ・ＳｉＯ２のラジカルを真空容
器１００内から追い出す。その後、再度バルブ１１９を
開にしてアルゴンＡｒガスを真空容器１００内に導入
し、圧力を０. ６トールに設定する。その後、切換スイ
ッチ１１１を今度はアノード板１０５３側に倒して、Ｒ
Ｆパワ−ＩＯＯＷをＧｅ２Ｓｂ２Τｅ５の夕ーゲットへ
投入する。約２分間のプリスパッタの後、シャッタ１０
３３を開にして、都合１分間、膜厚にして２０ｎｍのＧ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の相変化記録膜９０をＺｎＳ・ＳｉＯ
２膜９４の上に成膜する。
４３を全開にしてＺｎＳ・ＳｉＯ２のラジカルを真空容
器１００内から追い出す。その後、再度バルブ１１９を
開にしてアルゴンＡｒガスを真空容器１００内に導入
し、圧力を０. ６トールに設定する。その後、切換スイ
ッチ１１１を今度はアノード板１０５３側に倒して、Ｒ
Ｆパワ−ＩＯＯＷをＧｅ２Ｓｂ２Τｅ５の夕ーゲットへ
投入する。約２分間のプリスパッタの後、シャッタ１０
３３を開にして、都合１分間、膜厚にして２０ｎｍのＧ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の相変化記録膜９０をＺｎＳ・ＳｉＯ
２膜９４の上に成膜する。
【０１３９】更に再度、バルブ１１９を閉じて、排気バ
ルブ１１４３を全開にし、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５のラジカ
ルを真空容器１００内から追い出す。次に、先のプロセ
スと同様に、再度ＺｎＳ・ＳｉＯ２のスパッタリングを
行い、４分３０秒のスパッタリング後、ＲＦ電源１１２
をオフして、厚さ１８０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２膜９２
をＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５記録膜９０の上に成膜する。
ルブ１１４３を全開にし、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５のラジカ
ルを真空容器１００内から追い出す。次に、先のプロセ
スと同様に、再度ＺｎＳ・ＳｉＯ２のスパッタリングを
行い、４分３０秒のスパッタリング後、ＲＦ電源１１２
をオフして、厚さ１８０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２膜９２
をＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５記録膜９０の上に成膜する。
【０１４０】こうして出来上がった基板３０および基板
４０を、実施例１と同様に、無機誘電体膜１０と相変化
記録膜９０が互いに向かい合うようにして４０μｍ厚の
ＵＶ接着層５０を介して貼り合わせる。こうして得られ
たディスクサンプルを「サンプルＤ」とする。
４０を、実施例１と同様に、無機誘電体膜１０と相変化
記録膜９０が互いに向かい合うようにして４０μｍ厚の
ＵＶ接着層５０を介して貼り合わせる。こうして得られ
たディスクサンプルを「サンプルＤ」とする。
【０１４１】この「サンプルＤ」のディスクを図５のデ
ィスク評価ドライブにかけて、以下の評価を行う。
ィスク評価ドライブにかけて、以下の評価を行う。
【０１４２】まず、各半径位置における線速度が３. ６
ｍ／ｓのー定速になるようにスピンドルモータ２１０を
回転させる。光学へッド６００からレーザ光を照射し、
相変化記録膜９０に焦点が合うようにフォーカスサーボ
をかける。次に、レーザ光を記録のためのパワ−１０ｍ
Ｗと消去のためのパワ−４ｍＷの２段階で強弱変調をか
けて、単一周波数４ＭＨｚでデューティ比５０％の記録
を行なう。
ｍ／ｓのー定速になるようにスピンドルモータ２１０を
回転させる。光学へッド６００からレーザ光を照射し、
相変化記録膜９０に焦点が合うようにフォーカスサーボ
をかける。次に、レーザ光を記録のためのパワ−１０ｍ
Ｗと消去のためのパワ−４ｍＷの２段階で強弱変調をか
けて、単一周波数４ＭＨｚでデューティ比５０％の記録
を行なう。
【０１４３】この後、０. ８ｍＷの弱い連続の再生光を
照射し、相変化記録膜９０に記録された信号を再生し、
スペクトラムアナライザ６２０にてＣ／Νを測定する。
その結果、Ｃ／Νは５８ｄΒ得られた。実施例ｌ〜実施
例３の層２０の再生時と比べて若干Ｃ／Νが小さいの
は、実施例ｌ〜実施例３におけるエンボスからの再生に
比べて、相変化記録膜９０では、記録マークの非晶質と
その周りの結晶質（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）の反射率の変化
で信号を検出しているため、再生信号の振幅そのものが
若干小さくなっているためであり、この発明にとって本
質的な問題ではない。
照射し、相変化記録膜９０に記録された信号を再生し、
スペクトラムアナライザ６２０にてＣ／Νを測定する。
その結果、Ｃ／Νは５８ｄΒ得られた。実施例ｌ〜実施
例３の層２０の再生時と比べて若干Ｃ／Νが小さいの
は、実施例ｌ〜実施例３におけるエンボスからの再生に
比べて、相変化記録膜９０では、記録マークの非晶質と
その周りの結晶質（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）の反射率の変化
で信号を検出しているため、再生信号の振幅そのものが
若干小さくなっているためであり、この発明にとって本
質的な問題ではない。
【０１４４】次に、フォーカスサーボをＺｎＳ・ＳｉＯ
２誘電体膜１０にかけて、予め記録されている４ΜΗｚ
のエンボス信号を再生し、Ｃ／Νを測定したところ５９
ｄΒとなり、実施例１と同じＣ／Ｎが得られた。また、
落下試験の結果も実施例１と全く同じであった（１ｍ落
下試験で剥がれない）。
２誘電体膜１０にかけて、予め記録されている４ΜΗｚ
のエンボス信号を再生し、Ｃ／Νを測定したところ５９
ｄΒとなり、実施例１と同じＣ／Ｎが得られた。また、
落下試験の結果も実施例１と全く同じであった（１ｍ落
下試験で剥がれない）。
【０１４５】以上、説明したように、この発明の貼合せ
光ディスクは、反射膜２０が付着している基板４０と高
屈折率を有する無機誘電体膜１０が付着している基板３
０とを所定の厚さの透明な有機系接着層５０を介して貼
り合わせ、無機誘電体膜１０が付着している側の基板３
０からレーザ等の光ビームを照射して、無機誘電体膜１
０または反射膜２０に焦点を合わせて、焦点があった面
の情報を読みとるタイプに適用できる。このような２層
ディスクでは、２層ディスクの半透明膜近傍で剥離する
という不具合がなく、また、半透明膜が薄すぎるために
反射率ムラが生じてこの面からの再生信号のＣ／Ｎが劣
化することも無く、安定した良質の再生信号を得ること
ができる。
光ディスクは、反射膜２０が付着している基板４０と高
屈折率を有する無機誘電体膜１０が付着している基板３
０とを所定の厚さの透明な有機系接着層５０を介して貼
り合わせ、無機誘電体膜１０が付着している側の基板３
０からレーザ等の光ビームを照射して、無機誘電体膜１
０または反射膜２０に焦点を合わせて、焦点があった面
の情報を読みとるタイプに適用できる。このような２層
ディスクでは、２層ディスクの半透明膜近傍で剥離する
という不具合がなく、また、半透明膜が薄すぎるために
反射率ムラが生じてこの面からの再生信号のＣ／Ｎが劣
化することも無く、安定した良質の再生信号を得ること
ができる。
【０１４６】図１６は、図２または図３の片面読取型貼
合せ２層ディスクの変形例であって、貼合せ光ディスク
ＯＤの情報記録層を１層構成とした場合の部分断面をデ
フォルメして示している。
合せ２層ディスクの変形例であって、貼合せ光ディスク
ＯＤの情報記録層を１層構成とした場合の部分断面をデ
フォルメして示している。
【０１４７】図１６の実施形態では、図２または図３の
情報記録層２０が情報記録されないダミー層２０ｄで置
換されている。ディスクＯＤに格納しようとする総デー
タ量が情報記録層１０に完全に収まるときは、図１６の
実施形態を利用できる（情報記録層１０だけでも約５Ｇ
バイトの記憶容量を確保できる。）ダミー層２０ｄは、
実質的な内容を持たない一定の情報パターン（エンボス
信号）で塗りつぶされたアルミニウム系金属薄膜で構成
できる。（ここで、「実質的な内容を持たない一定の情
報パターンで塗りつぶされた」とは、本当に何も記録さ
れていない場合だけでなく、データ「０」あるいはデー
タ「１」などの単調なデータで記録面が書き潰されてい
る場合も含む。）図１７は、図１６の構成を変形して得
られるもので、貼合せ光ディスクＯＤの情報記録層を１
層構成とした場合の部分断面をデフォルメして示してい
る。
情報記録層２０が情報記録されないダミー層２０ｄで置
換されている。ディスクＯＤに格納しようとする総デー
タ量が情報記録層１０に完全に収まるときは、図１６の
実施形態を利用できる（情報記録層１０だけでも約５Ｇ
バイトの記憶容量を確保できる。）ダミー層２０ｄは、
実質的な内容を持たない一定の情報パターン（エンボス
信号）で塗りつぶされたアルミニウム系金属薄膜で構成
できる。（ここで、「実質的な内容を持たない一定の情
報パターンで塗りつぶされた」とは、本当に何も記録さ
れていない場合だけでなく、データ「０」あるいはデー
タ「１」などの単調なデータで記録面が書き潰されてい
る場合も含む。）図１７は、図１６の構成を変形して得
られるもので、貼合せ光ディスクＯＤの情報記録層を１
層構成とした場合の部分断面をデフォルメして示してい
る。
【０１４８】図１７の実施形態では、図２または図３の
情報記録層２０が、ラベルパターンを持つダミー兼ラベ
ル層２０ｄｂで置換されている。最初に情報記録層１０
の一部を読み取ることでこの光ディスクＯＤが貼合せ１
層ディスクであることが特定されるようになっておれ
ば、このディスクＯＤの再生装置は、ダミー兼ラベル層
２０ｄｂへ情報アクセスに行かないように初期設定可能
である。この場合、ダミー兼ラベル層２０ｄｂは読取レ
ーザ光ＲＬを反射しなくてもよいから、ダミー兼ラベル
層２０ｄｂの材料選択の幅が広がる。具体例をあげれ
ば、ラベルパターンが印刷されたポリカーボネートフィ
ルムをダミー兼ラベル層２０ｄｂとして利用することが
できる。
情報記録層２０が、ラベルパターンを持つダミー兼ラベ
ル層２０ｄｂで置換されている。最初に情報記録層１０
の一部を読み取ることでこの光ディスクＯＤが貼合せ１
層ディスクであることが特定されるようになっておれ
ば、このディスクＯＤの再生装置は、ダミー兼ラベル層
２０ｄｂへ情報アクセスに行かないように初期設定可能
である。この場合、ダミー兼ラベル層２０ｄｂは読取レ
ーザ光ＲＬを反射しなくてもよいから、ダミー兼ラベル
層２０ｄｂの材料選択の幅が広がる。具体例をあげれ
ば、ラベルパターンが印刷されたポリカーボネートフィ
ルムをダミー兼ラベル層２０ｄｂとして利用することが
できる。
【０１４９】なお、図１６および図１７の実施形態にお
いて、ダミー層２０ｄあるいは２０ｄｂの厚みは特に管
理する必要はないが、このダミー層２０ｄあるいは２０
ｄｂの厚さを含めた基板４０の厚さは、所定値（０. ６
ｍｍ）に管理される。
いて、ダミー層２０ｄあるいは２０ｄｂの厚みは特に管
理する必要はないが、このダミー層２０ｄあるいは２０
ｄｂの厚さを含めた基板４０の厚さは、所定値（０. ６
ｍｍ）に管理される。
【０１５０】図１８は、図２または図３の片面読取型貼
合せ２層ディスクの他の変形例であって、貼合せ光ディ
スクＯＤの情報記録層を４層構成とした場合の部分断面
をデフォルメして示している。
合せ２層ディスクの他の変形例であって、貼合せ光ディ
スクＯＤの情報記録層を４層構成とした場合の部分断面
をデフォルメして示している。
【０１５１】ここでは、情報記録層（Ｓｉなど）１０ｂ
が形成された基板３０上に紫外線硬化性の樹脂層５１
（図９の接着剤２２０と同じものでよい）を介して情報
記録層（アルミニウムＡｌなど）１０ａが形成され（２
層構造）、情報記録層（Ｓｉなど）２０ｂが形成された
基板４０上に紫外線硬化性の樹脂層５２（接着剤２２
０）を介して情報記録層（アルミニウムＡｌなど）２０
ａが形成されている（２層構造）。そして、基板３０の
層１０ａ側面と基板４０の層２０ａ側面とが接着剤層５
０（接着剤２２０）を介して接着される。
が形成された基板３０上に紫外線硬化性の樹脂層５１
（図９の接着剤２２０と同じものでよい）を介して情報
記録層（アルミニウムＡｌなど）１０ａが形成され（２
層構造）、情報記録層（Ｓｉなど）２０ｂが形成された
基板４０上に紫外線硬化性の樹脂層５２（接着剤２２
０）を介して情報記録層（アルミニウムＡｌなど）２０
ａが形成されている（２層構造）。そして、基板３０の
層１０ａ側面と基板４０の層２０ａ側面とが接着剤層５
０（接着剤２２０）を介して接着される。
【０１５２】図１８の実施形態では、情報記録層１０ａ
および１０ｂの読取が下側からの読取レーザ光ＲＬ１に
より行われ、情報記録層２０ａおよび２０ｂの読取が上
側からの読取レーザ光ＲＬ２により行われる。
および１０ｂの読取が下側からの読取レーザ光ＲＬ１に
より行われ、情報記録層２０ａおよび２０ｂの読取が上
側からの読取レーザ光ＲＬ２により行われる。
【０１５３】図１９は、図２または図３の片面読取型貼
合せ２層ディスクのさらに他の変形例であって、貼合せ
光ディスクＯＤの情報記録層を３層構成とした場合の部
分断面をデフォルメして示している。
合せ２層ディスクのさらに他の変形例であって、貼合せ
光ディスクＯＤの情報記録層を３層構成とした場合の部
分断面をデフォルメして示している。
【０１５４】こでは、情報記録層（Ｓｉなど）１０ｂが
形成された基板３０上に紫外線硬化性の樹脂層５１（接
着剤２２０）を介して情報記録層（アルミニウムＡｌな
ど）１０ａが形成され（２層構造）、基板４０上に情報
記録層（Ｓｉなど）２０ａが形成されている（単層構
造）。そして、基板３０の層１０ａ側面と基板４０の層
２０ａ側面とが接着剤層５０（接着剤２２０）を介して
接着される。
形成された基板３０上に紫外線硬化性の樹脂層５１（接
着剤２２０）を介して情報記録層（アルミニウムＡｌな
ど）１０ａが形成され（２層構造）、基板４０上に情報
記録層（Ｓｉなど）２０ａが形成されている（単層構
造）。そして、基板３０の層１０ａ側面と基板４０の層
２０ａ側面とが接着剤層５０（接着剤２２０）を介して
接着される。
【０１５５】図１９の実施形態では、情報記録層１０ａ
および１０ｂの読取は下側からの読取レーザ光ＲＬ１に
より行なうことができ、情報記録層２０ａおよび１０ａ
の読取は上側からの読取レーザ光ＲＬ２により行なうこ
とができる。
および１０ｂの読取は下側からの読取レーザ光ＲＬ１に
より行なうことができ、情報記録層２０ａおよび１０ａ
の読取は上側からの読取レーザ光ＲＬ２により行なうこ
とができる。
【０１５６】図２０は、図１３〜図１５の手順を経て得
られた半ディスク状態の基板３０および基板４０が張り
合わされて貼合せ２層光ディスクＯＤが完成するまでの
過程（ａ）〜（ｄ）を説明する図である。ここでは、図
３の構造のディスクを想定して説明を行う。
られた半ディスク状態の基板３０および基板４０が張り
合わされて貼合せ２層光ディスクＯＤが完成するまでの
過程（ａ）〜（ｄ）を説明する図である。ここでは、図
３の構造のディスクを想定して説明を行う。
【０１５７】図２０（ａ）＞まず、第１情報記録層（Ｓ
ｉ膜）１０が上になるように、ポリカーボネート基板
（貼合せ光ディスクＯＤの片割れ）３０がスピンテーブ
ル２００の位置合わせピン２０２に挿通される。その
後、厚さ４０μｍのフィルムスペーサ６０が位置合わせ
ピン２０２に挿通される。
ｉ膜）１０が上になるように、ポリカーボネート基板
（貼合せ光ディスクＯＤの片割れ）３０がスピンテーブ
ル２００の位置合わせピン２０２に挿通される。その
後、厚さ４０μｍのフィルムスペーサ６０が位置合わせ
ピン２０２に挿通される。
【０１５８】基板３０がスピンテーブル２００に密着
し、スペーサ６０が基板３０に密着したあと、低粘度の
紫外線硬化性接着剤２２０が適量塗布（または点滴）さ
れる。
し、スペーサ６０が基板３０に密着したあと、低粘度の
紫外線硬化性接着剤２２０が適量塗布（または点滴）さ
れる。
【０１５９】この接着剤２２０としては、粘度３００〜
８００ｍＰａ・ｓ（ミリパスカル秒）程度の、紫外線
（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気性硬化型
接着剤などが適当である。
８００ｍＰａ・ｓ（ミリパスカル秒）程度の、紫外線
（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気性硬化型
接着剤などが適当である。
【０１６０】図２０（ｂ）＞接着剤２２０を所定量塗布
または点滴後、直ちに、第２情報記録層（アルミニウム
Ａｌ薄膜またはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏ合
金薄膜）２０が下になるように、ポリカーボネート基板
（貼合せ光ディスクＯＤのもう一方の片割れ）４０がス
ピンテーブル２００の位置合わせピン２０２に挿通され
る。基板４０は、基板３０上に塗布された接着剤２２０
を押し広げるように基板３０に密着される。（この密着
後は、格別な力を加えて基板４０を基板３０側に押しつ
けることはしない。）基板３０と基板４０との間で押し
広げられた接着剤２２０の薄い皮膜（後の接着剤層５
０）中に気泡（または微細なごみ・ちり・ほこり）が混
入する可能性が一番高いのは、このときである。このと
きの基板３０と基板４０との間隔は、スペーサ６０の厚
み（４０μｍ）より大きくなっており、基板間には余分
な接着剤２２０とともに若干の気泡・ごみ等が挟まって
いる可能性がある。
または点滴後、直ちに、第２情報記録層（アルミニウム
Ａｌ薄膜またはアルミニウム・モリブデンＡｌ・Ｍｏ合
金薄膜）２０が下になるように、ポリカーボネート基板
（貼合せ光ディスクＯＤのもう一方の片割れ）４０がス
ピンテーブル２００の位置合わせピン２０２に挿通され
る。基板４０は、基板３０上に塗布された接着剤２２０
を押し広げるように基板３０に密着される。（この密着
後は、格別な力を加えて基板４０を基板３０側に押しつ
けることはしない。）基板３０と基板４０との間で押し
広げられた接着剤２２０の薄い皮膜（後の接着剤層５
０）中に気泡（または微細なごみ・ちり・ほこり）が混
入する可能性が一番高いのは、このときである。このと
きの基板３０と基板４０との間隔は、スペーサ６０の厚
み（４０μｍ）より大きくなっており、基板間には余分
な接着剤２２０とともに若干の気泡・ごみ等が挟まって
いる可能性がある。
【０１６１】図２０（ｃ）＞基板４０を基板３０に密着
させたあと、スピンテーブル２００を所定速度（１００
〜２０００ｒｐｍ程度；必ずしも定速回転である必要は
なく、可変速でもよい）で高速回転させる。すると基板
３０と基板４０の間の余分な接着剤２２０が気泡・ごみ
等とともに高速回転の遠心力により外部へはじき出され
る。
させたあと、スピンテーブル２００を所定速度（１００
〜２０００ｒｐｍ程度；必ずしも定速回転である必要は
なく、可変速でもよい）で高速回転させる。すると基板
３０と基板４０の間の余分な接着剤２２０が気泡・ごみ
等とともに高速回転の遠心力により外部へはじき出され
る。
【０１６２】この高速回転が所定時間（１０秒程度；こ
の数値はケースバイケースで変わり得る）継続されたあ
と、スピンテーブル２００の回転速度が低速回転（たと
えば６ｒｍｐ程度）に変更される。この時点で、基板３
０および４０の間に、スペーサ６０の厚みで規制され
る、４０μｍ程度の均一で気泡のない接着剤層５０が残
留している。このとき、基板３０と基板４０の合計厚は
ほぼ１. ２ｍｍになっている。
の数値はケースバイケースで変わり得る）継続されたあ
と、スピンテーブル２００の回転速度が低速回転（たと
えば６ｒｍｐ程度）に変更される。この時点で、基板３
０および４０の間に、スペーサ６０の厚みで規制され
る、４０μｍ程度の均一で気泡のない接着剤層５０が残
留している。このとき、基板３０と基板４０の合計厚は
ほぼ１. ２ｍｍになっている。
【０１６３】図２０（ｄ）＞均一で気泡のない接着剤層
５０が残留した貼合せ光ディスクＯＤは、紫外線ランプ
２３０により紫外線照射を受ける。所定時間の紫外線照
射が済むと、層５０を構成する接着剤２２０は実用強度
まで硬化する。これにより基板３０と基板４０は完全に
一体化し、２層構造の貼合せ光ディスクＯＤが完成す
る。
５０が残留した貼合せ光ディスクＯＤは、紫外線ランプ
２３０により紫外線照射を受ける。所定時間の紫外線照
射が済むと、層５０を構成する接着剤２２０は実用強度
まで硬化する。これにより基板３０と基板４０は完全に
一体化し、２層構造の貼合せ光ディスクＯＤが完成す
る。
【０１６４】なお、上記工程において、高速回転するモ
ータ２１０の回転速度およびその高速回転持続期間は、
複数サンプルを用いた実験によって、接着剤層５０内に
気泡が残留せずかつその厚さが４０±５μｍに収まるよ
うな値に選ぶことができる。
ータ２１０の回転速度およびその高速回転持続期間は、
複数サンプルを用いた実験によって、接着剤層５０内に
気泡が残留せずかつその厚さが４０±５μｍに収まるよ
うな値に選ぶことができる。
【０１６５】また、スピンテーブル２００の直径は、製
造される光ディスクＯＤの外径（通常１２０mmまたは８
０ｍｍ）よりも多少小さくしておく。スピンテーブル２
００の直径を光ディスクＯＤの外径より小さくしておけ
ば、貼合せディスクＯＤの外周から漏れ出た接着剤２２
０がディスクＯＤとスピンテーブル２００のテーブル面
との間に流れ込むことを、防止できる。
造される光ディスクＯＤの外径（通常１２０mmまたは８
０ｍｍ）よりも多少小さくしておく。スピンテーブル２
００の直径を光ディスクＯＤの外径より小さくしておけ
ば、貼合せディスクＯＤの外周から漏れ出た接着剤２２
０がディスクＯＤとスピンテーブル２００のテーブル面
との間に流れ込むことを、防止できる。
【０１６６】具体的に例示すると、直径１２０ｍｍ規格
の貼合せ光ディスクＯＤに対してはスピンテーブル２０
０の直径を例えば１１５〜１１７ｍｍ程度とし、直径８
０ｍｍ規格の貼合せ光ディスクＯＤに対してはスピンテ
ーブル２００の直径を例えば７５〜７７ｍｍ程度とすれ
ばよい。
の貼合せ光ディスクＯＤに対してはスピンテーブル２０
０の直径を例えば１１５〜１１７ｍｍ程度とし、直径８
０ｍｍ規格の貼合せ光ディスクＯＤに対してはスピンテ
ーブル２００の直径を例えば７５〜７７ｍｍ程度とすれ
ばよい。
【０１６７】なお、スペーサ６０は、具体的には、たと
えば内径１５〜１６ｍｍ、外径２０〜２１ｍｍで厚さが
およそ４０μｍの高分子フィルムで作ることができる。
えば内径１５〜１６ｍｍ、外径２０〜２１ｍｍで厚さが
およそ４０μｍの高分子フィルムで作ることができる。
【０１６８】このスペーサ６０に用いる高分子フィルム
としては、そこに何も記載しないときは、ポリカーボネ
ートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリイミドフィルムなどが使用可能である。また、そこ
にラベル情報を印刷するときはポリカーボネートフィル
ムなどが適当である。ただし、印刷を施すときは、印刷
後の実質的な厚みを所望の厚み（たとえば４０μｍ）に
管理することになる。
としては、そこに何も記載しないときは、ポリカーボネ
ートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリイミドフィルムなどが使用可能である。また、そこ
にラベル情報を印刷するときはポリカーボネートフィル
ムなどが適当である。ただし、印刷を施すときは、印刷
後の実質的な厚みを所望の厚み（たとえば４０μｍ）に
管理することになる。
【０１６９】スペーサ６０を用い図２０の方法で両基板
を接着すると、接着剤層５０の厚さ（つまりはそこを貫
通するレーザ光の光路長）を、スペーサ６０のフィルム
厚に管理できるようになる。たとえば、基板３０と基板
４０に同心状に挟まれたフィルムスペーサ６０を４０μ
ｍの厚さとすると、基板３０および基板４０の間に挟ま
れた接着剤層５０は、スペーサ６０のフィルム厚４０μ
ｍと殆ど同じ一定厚（４０±５μｍ程度）に自動的に収
まるようになる。接着剤層５０の厚さを増やしたけれ
ば、スペーサ６０のフィルム厚を対応して増やせばよ
い。
を接着すると、接着剤層５０の厚さ（つまりはそこを貫
通するレーザ光の光路長）を、スペーサ６０のフィルム
厚に管理できるようになる。たとえば、基板３０と基板
４０に同心状に挟まれたフィルムスペーサ６０を４０μ
ｍの厚さとすると、基板３０および基板４０の間に挟ま
れた接着剤層５０は、スペーサ６０のフィルム厚４０μ
ｍと殆ど同じ一定厚（４０±５μｍ程度）に自動的に収
まるようになる。接着剤層５０の厚さを増やしたけれ
ば、スペーサ６０のフィルム厚を対応して増やせばよ
い。
【０１７０】ところで、図１６または図１７の片面読取
型貼合せ２層ディスクＯＤでは第２基板４０側から読取
を行わないので、基板４０の面上にラベルＬＢを配置す
ることができる。一方、図１８または図１９の構成で
は、基板３０および基板４０の両方から読取を行なうた
め、図１６または図１７に示すような広面積なラベルＬ
ＢをディスクＯＤに設けることができない。
型貼合せ２層ディスクＯＤでは第２基板４０側から読取
を行わないので、基板４０の面上にラベルＬＢを配置す
ることができる。一方、図１８または図１９の構成で
は、基板３０および基板４０の両方から読取を行なうた
め、図１６または図１７に示すような広面積なラベルＬ
ＢをディスクＯＤに設けることができない。
【０１７１】このような場合は、ポリカーボネート基板
３０および４０が透明であることを利用して、基板３０
および４０に挟まれたスペーサ６０に、ディスクの記録
情報に関係した文字・パターン等を印刷しておく。そう
すれば、視覚的な記載情報量に限度はあるが、ディスク
中央のスペーサ６０部分をディスクラベルとして利用す
ることができる。
３０および４０が透明であることを利用して、基板３０
および４０に挟まれたスペーサ６０に、ディスクの記録
情報に関係した文字・パターン等を印刷しておく。そう
すれば、視覚的な記載情報量に限度はあるが、ディスク
中央のスペーサ６０部分をディスクラベルとして利用す
ることができる。
【０１７２】前記いずれの実施形態においても、貼合せ
多層光ディスクＯＤの全厚は１. ２ｍｍに管理されてい
る。そのため、ＵＶ樹脂接着剤層５１が存在する図１８
または図１９の基板３０自体の厚み（０. ６ｍｍ弱）
は、接着剤層５１が存在しない場合の基板３０自体の厚
み（およそ０. ６ｍｍ）よりも、接着剤層５１の厚さ
（およそ４０μｍ）分少なくなる。同様に、ＵＶ樹脂接
着剤層５２が存在する図１８の基板４０自体の厚み
（０. ６ｍｍ弱）は、接着剤層５２が存在しない場合の
基板４０自体の厚み（およそ０. ６ｍｍ）よりも、接着
剤層５２の厚さ（およそ４０μｍ）分少なくなる。いず
れにせよ、基板３０および４０の厚さは（標準値は０.
６ｍｍ）実施形態の内容に応じて適宜修正されてよい。
多層光ディスクＯＤの全厚は１. ２ｍｍに管理されてい
る。そのため、ＵＶ樹脂接着剤層５１が存在する図１８
または図１９の基板３０自体の厚み（０. ６ｍｍ弱）
は、接着剤層５１が存在しない場合の基板３０自体の厚
み（およそ０. ６ｍｍ）よりも、接着剤層５１の厚さ
（およそ４０μｍ）分少なくなる。同様に、ＵＶ樹脂接
着剤層５２が存在する図１８の基板４０自体の厚み
（０. ６ｍｍ弱）は、接着剤層５２が存在しない場合の
基板４０自体の厚み（およそ０. ６ｍｍ）よりも、接着
剤層５２の厚さ（およそ４０μｍ）分少なくなる。いず
れにせよ、基板３０および４０の厚さは（標準値は０.
６ｍｍ）実施形態の内容に応じて適宜修正されてよい。
【０１７３】また、一実施の形態では第２情報記録層２
０としてアルミニウム・モリブデン合金薄膜を使用した
が、この発明はこれに限定されない。この発明の実施の
形態によっては、第２情報記録層２０として、純アルミ
ニウム層、金層、モリブデン以外の高融点・高強度であ
って耐酸化性にも優れた高融点金属（タングステン、タ
ンタル、ニッケル、コバルト、白金、クロム、チタンな
ど）とアルミニウムの合金層などが実用的に利用できる
場合があり得る。ただし、第１情報記録層１０の材料と
しては、基板３０よりも屈折率の大きな透明材料（Ｓｉ
など）に限定される。
０としてアルミニウム・モリブデン合金薄膜を使用した
が、この発明はこれに限定されない。この発明の実施の
形態によっては、第２情報記録層２０として、純アルミ
ニウム層、金層、モリブデン以外の高融点・高強度であ
って耐酸化性にも優れた高融点金属（タングステン、タ
ンタル、ニッケル、コバルト、白金、クロム、チタンな
ど）とアルミニウムの合金層などが実用的に利用できる
場合があり得る。ただし、第１情報記録層１０の材料と
しては、基板３０よりも屈折率の大きな透明材料（Ｓｉ
など）に限定される。
【０１７４】
【発明の効果】この発明では、ある程度の厚みを確保で
き、かつ接着層５０との界面接着強度を十分にとれるよ
うに、シリコンなどの無機誘電体材料で第１情報記録層
（半透明膜）１０を形成している。シリコンなどの無機
誘電体は、ある程度の厚さ（たとえば２０ｎｍ、８０ｎ
ｍ、あるいは１６０ｎｍ）があってもレーザ光（波長６
５０ｎｍ）ＲＬに対して透明度が高い（図６参照）。ま
た、シリコンなどの無機誘電体層１０はポリカーボネー
ト基板３０に比べて屈折率ｎが大きい（ポリカーボネー
トのｎ＝１. ６に対してシリコンのｎ＝４）。そのた
め、層１０にフォーカスを合わせた場合、レーザ光ＲＬ
は基板３０と層１０との間で比較的大きく反射する。す
ると、無機誘電体層１０の厚みをある程度取ることで貼
合せ光ディスクＯＤの接着強度を確保しつつ、層１０に
おける高い透過率と大きな反射率を同時に満足できるよ
うになる。
き、かつ接着層５０との界面接着強度を十分にとれるよ
うに、シリコンなどの無機誘電体材料で第１情報記録層
（半透明膜）１０を形成している。シリコンなどの無機
誘電体は、ある程度の厚さ（たとえば２０ｎｍ、８０ｎ
ｍ、あるいは１６０ｎｍ）があってもレーザ光（波長６
５０ｎｍ）ＲＬに対して透明度が高い（図６参照）。ま
た、シリコンなどの無機誘電体層１０はポリカーボネー
ト基板３０に比べて屈折率ｎが大きい（ポリカーボネー
トのｎ＝１. ６に対してシリコンのｎ＝４）。そのた
め、層１０にフォーカスを合わせた場合、レーザ光ＲＬ
は基板３０と層１０との間で比較的大きく反射する。す
ると、無機誘電体層１０の厚みをある程度取ることで貼
合せ光ディスクＯＤの接着強度を確保しつつ、層１０に
おける高い透過率と大きな反射率を同時に満足できるよ
うになる。
【０１７５】したがって、この発明によれば、層１０の
厚みを十分取れることから、片面側から２層分の情報の
読取が可能な貼合せ光ディスクにおいて、落下ショック
あるいは経時変化による剥がれを起きにくくできる。
厚みを十分取れることから、片面側から２層分の情報の
読取が可能な貼合せ光ディスクにおいて、落下ショック
あるいは経時変化による剥がれを起きにくくできる。
【０１７６】さらに、この発明によれば、層１０のレー
ザ光透過率およびレーザ光反射率をともに大きくとれる
ことから、記録情報２層分それぞれからの反射光信号の
質を高めることもできる。つまり、記録情報２層分それ
ぞれからの反射光信号のＣ／Ｎ比（キャリア／ノイズ
比）をともに十分高めることが可能になる。
ザ光透過率およびレーザ光反射率をともに大きくとれる
ことから、記録情報２層分それぞれからの反射光信号の
質を高めることもできる。つまり、記録情報２層分それ
ぞれからの反射光信号のＣ／Ｎ比（キャリア／ノイズ
比）をともに十分高めることが可能になる。
【図１】この発明の一実施の形態に係る貼合せ型２層光
ディスクを読取レーザ光受光面側から見た平面図。
ディスクを読取レーザ光受光面側から見た平面図。
【図２】図１の（II）−（II）線に沿った断面の一部を
デフォルメして示す図。
デフォルメして示す図。
【図３】図１の２層光ディスク（読取専用）のデータ記
録部（エンボス状ピット）をデフォルメして示す部分断
面図。
録部（エンボス状ピット）をデフォルメして示す部分断
面図。
【図４】図１の２層光ディスク（読書両用）のデータ記
録部をデフォルメして示す部分断面図。
録部をデフォルメして示す部分断面図。
【図５】図１の２層光ディスクの性能評価を行なう光デ
ィスクドライブ装置の構成を説明するブロック図。
ィスクドライブ装置の構成を説明するブロック図。
【図６】図３の第１情報記録層（屈折率ｎ＝４のシリコ
ン層）１０におけるレーザビーム（波長６５０ｎｍのコ
ヒーレント光）の反射率および透過率が、第１情報記録
層１０の厚みを変えた場合にどのように変化するかを説
明するグラフ図。
ン層）１０におけるレーザビーム（波長６５０ｎｍのコ
ヒーレント光）の反射率および透過率が、第１情報記録
層１０の厚みを変えた場合にどのように変化するかを説
明するグラフ図。
【図７】図３または図４に示すような構成を持つ貼合せ
型多層光ディスクに、第１情報記録層１０または第２情
報記録層２０を形成するスパッタリング装置を説明する
側面図。
型多層光ディスクに、第１情報記録層１０または第２情
報記録層２０を形成するスパッタリング装置を説明する
側面図。
【図８】図７の装置の構成をさらに説明するための上面
図。
図。
【図９】図７の装置により形成された光ディスクの基板
同士（図３の例で言えば記録層１０を持つ第１ディスク
基板３０と記録層２０を持つ第２ディスク基板４０）を
張り合わせる装置の動作手順を説明する装置側面図。
同士（図３の例で言えば記録層１０を持つ第１ディスク
基板３０と記録層２０を持つ第２ディスク基板４０）を
張り合わせる装置の動作手順を説明する装置側面図。
【図１０】図９の装置において、接着剤（２２０）が流
し込まれたあとの第１ディスク基板（３０）上に、第２
ディスク基板（４０）が重ねられた様子を示す上面図。
し込まれたあとの第１ディスク基板（３０）上に、第２
ディスク基板（４０）が重ねられた様子を示す上面図。
【図１１】図９の装置において、接着剤（２２０）を挟
んで重ね合わされた１対の基板（基板３０と基板４０）
を高速回転させることにより、基板間に接着剤（２２
０）の薄い層（５０）を均一に形成する動作（スピンコ
ート）を説明する装置側面図。
んで重ね合わされた１対の基板（基板３０と基板４０）
を高速回転させることにより、基板間に接着剤（２２
０）の薄い層（５０）を均一に形成する動作（スピンコ
ート）を説明する装置側面図。
【図１２】図９〜図１１の装置により形成された貼合せ
光ディスク（ＯＤ）の接着材層（紫外線硬化性樹脂５
０）を硬化させる紫外線照射工程を説明する図。
光ディスク（ＯＤ）の接着材層（紫外線硬化性樹脂５
０）を硬化させる紫外線照射工程を説明する図。
【図１３】図７の装置を用いて２層光ディスク用の第１
情報記録層１０（無機誘電体薄膜；図３なら基板３０の
Ｓｉ層１０；図４なら基板３０のＺｎＳ・ＳｉＯ２層１
０）を形成する手順を説明するフローチャート図。
情報記録層１０（無機誘電体薄膜；図３なら基板３０の
Ｓｉ層１０；図４なら基板３０のＺｎＳ・ＳｉＯ２層１
０）を形成する手順を説明するフローチャート図。
【図１４】図７の装置を用いて２層光ディスク用の第２
情報記録層２０（アルミニウム・モリブデン薄膜）を形
成する手順を説明するフローチャート図。
情報記録層２０（アルミニウム・モリブデン薄膜）を形
成する手順を説明するフローチャート図。
【図１５】図７の装置を用いて２層光ディスク用の一方
基板４０に記録層（９０〜９４）および反射層（２０）
を形成する手順を説明するフローチャート図。
基板４０に記録層（９０〜９４）および反射層（２０）
を形成する手順を説明するフローチャート図。
【図１６】図２の変形例であって、貼合せ光ディスクＯ
Ｄの情報記録層を１層構成とした場合の一例の部分断面
をデフォルメして示す図。
Ｄの情報記録層を１層構成とした場合の一例の部分断面
をデフォルメして示す図。
【図１７】図２の他の変形例であって、貼合せ光ディス
クＯＤの情報記録層を１層構成とした場合の他例の部分
断面をデフォルメして示す図。
クＯＤの情報記録層を１層構成とした場合の他例の部分
断面をデフォルメして示す図。
【図１８】図２の他の変形例であって、貼合せ光ディス
クＯＤの情報記録層を４層構成とした場合の部分断面を
デフォルメして示す図。
クＯＤの情報記録層を４層構成とした場合の部分断面を
デフォルメして示す図。
【図１９】図２の他の変形例であって、貼合せ光ディス
クＯＤの情報記録層を３層構成とした場合の部分断面を
デフォルメして示す図。
クＯＤの情報記録層を３層構成とした場合の部分断面を
デフォルメして示す図。
【図２０】図１３〜図１５の手順を経て得られた半ディ
スク状態の基板３０および４０が貼り合わされて２層光
ディスクＯＤが完成するまでの製造過程の他例を説明す
る図。
スク状態の基板３０および４０が貼り合わされて２層光
ディスクＯＤが完成するまでの製造過程の他例を説明す
る図。
１０、１０ｂ、２０ｂ…第１情報記録層（無機誘電体
膜）；２０、１０ａ、２０ａ…第２情報記録層（光反射
層／反射膜）；２０ｄ…ダミー層；２０ｄｂ…ダミー兼
ラベル層；３０…第１基板（ポリカーボネート）；４０
…第２基板（ポリカーボネート）；５０…接着剤層（紫
外線硬化接着剤）；５１…紫外線硬化樹脂層（第１透明
層）；５２…紫外線硬化樹脂層（第２透明層）；６０…
スペーサ（４０μｍ透明フィルムまたはラベル印刷され
たフィルム；基板間スペーサ）；６１…スペーサ（透明
フィルムまたはラベル印刷されたフィルム）；６２…ス
ペーサ（透明フィルムまたはラベル印刷されたフィル
ム）；７０…中心孔；９０…相変化記録膜；１００…真
空容器；１０１…ギヤ；１０２…カソード板（回転基
台）；１０３１〜１０３４…シャッタ；１０５１〜１０
５４…アノード板（スパッタリング源）；１０６…モニ
タ装置（膜厚計）；１０７１〜１０７４…シャッタアー
ム；１０８…内圧センサ；１１０…基板回転モータ；１
１１…切換スイッチ；１１２…高周波電源装置（スパッ
タリング用電源装置）；１１４１…ロータリーポンプ
（真空ポンプ；排気装置）；１１４２…クライオポンプ
（真空ポンプ；排気装置）；１１４３…排気バルブ；１
１２…スパッタリング用電源装置；１１３１〜１１３３
…ガス排気ポート；１１５…ガス導入ポート；１１６…
アルゴンガスボンベ；１１７…バルブ；１１８…制御バ
ルブ（ガス流コントローラ）；１１９…入口バルブ；１
２０…スパッタリング制御装置（ＣＰＵ）；２００…ス
ピンテーブル；２０２…位置合わせピン；２１０…スピ
ンドルモータ；２２０…紫外線硬化性接着剤（ＵＶ樹脂
液）；２３０…紫外線ランプ／紫外線ランプアレイ（接
着剤硬化手段）；２５０…接着材ディスペンサ；６００
…光学ヘッド；６０２…リニアモータ；６０４…リニア
モータ制御部；６０６…トラック駆動制御部；６０８…
フォーカス駆動制御部；６１０…レーザドライバ；６１
２…変調回路；６１４…情報入力信号原；６１６…プリ
アンプ；６１８…２値化回路；６２０…スペクトラムア
ナライザ；７００…制御ＣＰＵ；８００…スピナー；９
００…搬送ベルトコンベア；ＯＤ…２層光ディスク；Ｌ
Ｂ…ラベル；ＲＬ、ＲＬ１、ＲＬ２…読取レーザ光（波
長約６５０ｎｍ）；ＲＬ１０、ＲＬ４０…レーザ反射
光；ＷＬ…書込レーザ光；Ｔ…無機誘電体膜の透過率；
Ｒ…無機誘電体膜の反射率。
膜）；２０、１０ａ、２０ａ…第２情報記録層（光反射
層／反射膜）；２０ｄ…ダミー層；２０ｄｂ…ダミー兼
ラベル層；３０…第１基板（ポリカーボネート）；４０
…第２基板（ポリカーボネート）；５０…接着剤層（紫
外線硬化接着剤）；５１…紫外線硬化樹脂層（第１透明
層）；５２…紫外線硬化樹脂層（第２透明層）；６０…
スペーサ（４０μｍ透明フィルムまたはラベル印刷され
たフィルム；基板間スペーサ）；６１…スペーサ（透明
フィルムまたはラベル印刷されたフィルム）；６２…ス
ペーサ（透明フィルムまたはラベル印刷されたフィル
ム）；７０…中心孔；９０…相変化記録膜；１００…真
空容器；１０１…ギヤ；１０２…カソード板（回転基
台）；１０３１〜１０３４…シャッタ；１０５１〜１０
５４…アノード板（スパッタリング源）；１０６…モニ
タ装置（膜厚計）；１０７１〜１０７４…シャッタアー
ム；１０８…内圧センサ；１１０…基板回転モータ；１
１１…切換スイッチ；１１２…高周波電源装置（スパッ
タリング用電源装置）；１１４１…ロータリーポンプ
（真空ポンプ；排気装置）；１１４２…クライオポンプ
（真空ポンプ；排気装置）；１１４３…排気バルブ；１
１２…スパッタリング用電源装置；１１３１〜１１３３
…ガス排気ポート；１１５…ガス導入ポート；１１６…
アルゴンガスボンベ；１１７…バルブ；１１８…制御バ
ルブ（ガス流コントローラ）；１１９…入口バルブ；１
２０…スパッタリング制御装置（ＣＰＵ）；２００…ス
ピンテーブル；２０２…位置合わせピン；２１０…スピ
ンドルモータ；２２０…紫外線硬化性接着剤（ＵＶ樹脂
液）；２３０…紫外線ランプ／紫外線ランプアレイ（接
着剤硬化手段）；２５０…接着材ディスペンサ；６００
…光学ヘッド；６０２…リニアモータ；６０４…リニア
モータ制御部；６０６…トラック駆動制御部；６０８…
フォーカス駆動制御部；６１０…レーザドライバ；６１
２…変調回路；６１４…情報入力信号原；６１６…プリ
アンプ；６１８…２値化回路；６２０…スペクトラムア
ナライザ；７００…制御ＣＰＵ；８００…スピナー；９
００…搬送ベルトコンベア；ＯＤ…２層光ディスク；Ｌ
Ｂ…ラベル；ＲＬ、ＲＬ１、ＲＬ２…読取レーザ光（波
長約６５０ｎｍ）；ＲＬ１０、ＲＬ４０…レーザ反射
光；ＷＬ…書込レーザ光；Ｔ…無機誘電体膜の透過率；
Ｒ…無機誘電体膜の反射率。
Claims (33)
- 【請求項１】 所定の光ビームにより読み取られる情報
ピットが形成され、この光ビームに対して透明な第１基
板と；前記第１基板の情報ピット形成面に設けられ、前
記第１基板よりも大きな屈折率を持つ無機誘電体で構成
される第１情報記録層と；前記第１情報記録層を挟んで
前記第１基板と貼り合わされる第２基板と；を備えた情
報記録媒体。 - 【請求項２】 所定の光ビームにより読み取られる情報
ピットが形成され、この光ビームに対して透明な第１基
板と；前記第１基板の情報ピット形成面に設けられ、前
記第１基板よりも大きな屈折率を持つ無機誘電体で構成
される第１情報記録層と；前記光ビームにより読み取ら
れる他の情報ピットが形成された第２基板と；前記第２
基板の情報ピット形成面に設けられ、前記光ビームを反
射する光反射物質で構成される第２情報記録層と；前記
第１情報記録層および前記第２情報記録層が向き合うよ
うにして、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わす
接着層と；を備えた情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記無機誘電体が、シリコンまたはチタ
ン酸化物を含むことを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記無機誘電体が、２０ｎｍないし１０
００ｎｍの厚さを、より好ましくは２０ｎｍないし２８
０ｎｍの厚さを持つことを特徴とする請求項１ないし請
求項３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記光反射物質が、アルミニウムまたは
アルミニウム・モリブデン合金を含むことを特徴とする
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の情報記
録媒体。 - 【請求項６】 前記第１基板が、ポリカーボネートを含
むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか
１項に記載の情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記第１基板および前記第２基板が、そ
れぞれ厚さ０. ６ｍｍのポリカーボネート製円盤で構成
されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいず
れか１項に記載の情報記録媒体。 - 【請求項８】 前記無機誘電体の厚さが、この無機誘電
体中における前記光ビームの波長の１／４波長に基づい
て選択されることを特徴とする請求項１ないし請求項８
のいずれか１項に記載の情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記接着層が、前記無機誘電体の層厚よ
り厚い紫外線硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項
１ないし請求項８のいずれか１項に記載の情報記録媒
体。 - 【請求項１０】 前記第１基板および前記第２基板は、
それぞれ所定の外径と所定内径と所定の厚みを持つ孔開
き円盤形状を持ち、 特定の外径と特定の内径と特定の厚みを持ち、前記第１
基板および前記第２基板の間に同心状に挟まれるスペー
サをさらに備え、 前記接着層が、前記スペーサの位置を避けて前記第１基
板および前記第２基板の間に存在し、前記スペーサによ
って規制される一定の厚さを持つことを特徴とする請求
項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の情報記録媒
体。 - 【請求項１１】 情報がエンボス状ピットとなって刻ま
れている透明な円盤状第１基板と；前記第１基板の屈折
率よりも大きな屈折率を有するものであって、前記第１
基板のエンボス状ピット側に設けられる無機誘電体膜
と；前記第１基板と同形状の第２基板と；前記無機誘電
体膜が前記第２基板と向き合うようにして、前記第１基
板と前記第２基板とを貼合せる接着部と；を備えた情報
記録媒体。 - 【請求項１２】 情報がエンボス状ピットとなって刻ま
れている透明な円盤状第１基板と；前記第１基板の屈折
率よりも大きな屈折率を有するものであって、前記第１
基板のエンボス状ピット側に設けられる無機誘電体膜
と；他の情報がエンボス状ピットとなって刻まれている
円盤状の第２基板と；前記第２基板のエンボス状ピット
側に設けられる反射膜と；前記無機誘電体膜が前記反射
膜と向き合うようにして、前記第１基板と前記第２基板
とを貼合せるものであって、透明な有機材料で構成され
る接着部と；を備えた情報記録媒体。 - 【請求項１３】 前記無機誘電体が、シリコンまたはチ
タン酸化物を含むことを特徴とする請求項１１または請
求項１２に記載の情報記録媒体。 - 【請求項１４】 前記無機誘電体が、２０ｎｍないし１
０００ｎｍの厚さを、より好ましくは２０ｎｍないし２
８０ｎｍの厚さを持つことを特徴とする請求項１１ない
し請求項１３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。 - 【請求項１５】 情報がエンボス状ピットとなって刻ま
れている透明な円盤状第１基板と；前記第１基板の屈折
率（よりも大きな屈折率を有するものであって、前記第
１基板のエンボス状ピット側に設けられる無機誘電体膜
と；他の情報がエンボス状ピットとなって刻まれている
円盤状の第２基板と；前記第２基板のエンボス状ピット
側に設けられるものであって、記録・再生、記録・再生
・消去、またはオーバーライトが可能な記録膜と；前記
無機誘電体膜が前記記録膜と向き合うようにして、前記
第１基板と前記第２基板とを貼合せるものであって、透
明な有機材料で構成される接着部と；を備えた情報記録
媒体。 - 【請求項１６】 前記無機誘電体が、硫化亜鉛と酸化シ
リコンとの混合物を含むことを特徴とする請求項１５に
記載の情報記録媒体。 - 【請求項１７】 情報がエンボス状ピットとなって刻ま
れている透明な円盤状第１基板のピット面上に、この第
１基板の屈折率よりも大きな屈折率を持つ第１所定厚の
無機誘電体膜を形成する第１の工程と；情報がエンボス
状ピットとなって刻まれている円盤状第２基板のピット
面上に、第２所定厚の光反射膜を形成する第２の工程
と；前記第１の工程で得られた前記第１基板の無機誘電
体膜形成面と前記第２の工程で得られた前記第２基板の
光反射膜形成面とを向き合わせ、透明な接着層を介して
前記第１基板と前記第２基板とを貼合せる第３の工程
と；によって２枚貼合せ型情報記録媒体を作る方法。 - 【請求項１８】 前記無機誘電体膜が、シリコンまたは
チタン酸化物を含むことを特徴とする請求項１７に記載
の方法。 - 【請求項１９】 前記無機誘電体膜が、２０ｎｍないし
１０００ｎｍの厚さを、より好ましくは２０ｎｍないし
２８０ｎｍの厚さを持つことを特徴とする請求項１７ま
たは請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】 前記光反射膜が、アルミニウムまたは
アルミニウム・モリブデン合金を含むことを特徴とする
請求項１７ないし請求項１９のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項２１】 前記第１基板が、ポリカーボネートに
より作られていることを特徴とする請求項１７ないし請
求項２０のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２２】 前記第１基板および前記第２基板が、
それぞれ厚さ０. ６ｍｍのポリカーボネート製円盤で制
作されることを特徴とする請求項１７ないし請求項２０
のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２３】 前記無機誘電体膜が、スパッタリング
法または真空蒸着法により形成されることを特徴とする
請求項１７ないし請求項２２のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項２４】 前記光反射膜が、スパッタリング法ま
たは真空蒸着法により形成されることを特徴とする請求
項１７ないし請求項２３のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２５】 情報がエンボス状ピットとなって刻ま
れている透明な円盤状第１基板のピット面上に、この第
１基板の屈折率よりも大きな屈折率を持つ第１所定厚の
無機誘電体膜を形成する第１の工程と；情報がエンボス
状ピットとなって刻まれている円盤状第２基板のピット
面上に、第２所定厚を持ち、非晶質と結晶質との間で可
逆的に相変化する相変化記録膜を形成する第２の工程
と；前記第１の工程で得られた前記第１基板の無機誘電
体膜形成面と前記第２の工程で得られた前記第２基板の
相変化記録膜形成面とを向き合わせ、透明な接着層を介
して前記第１基板と前記第２基板とを貼合せる第３の工
程と；によって２枚貼合せ型情報記録媒体を作る方法。 - 【請求項２６】 前記無機誘電体膜が、硫化亜鉛と酸化
シリコンとの混合物を含むことを特徴とする請求項２５
に記載の方法。 - 【請求項２７】 前記無機誘電体膜が、２０ｎｍないし
１０００ｎｍの厚さを、より好ましくは２０ｎｍないし
２８０ｎｍの厚さを持つことを特徴とする請求項２５ま
たは請求項２６に記載の方法。 - 【請求項２８】 前記第１基板が、ポリカーボネートに
より作られていることを特徴とする請求項２５ないし請
求項２７のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２９】 前記第１基板および前記第２基板が、
それぞれ厚さ０. ６ｍｍのポリカーボネート製円盤で制
作されることを特徴とする請求項２５ないし請求項２７
のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項３０】 前記無機誘電体膜が、スパッタリング
法または真空蒸着法により形成されることを特徴とする
請求項２５ないし請求項２９のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項３１】 前記相変化記録膜が、スパッタリング
法または真空蒸着法により形成されることを特徴とする
請求項２５ないし請求項３０のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項３２】 所定の光ビームにより読み取られる情
報ピットが形成され、この光ビームに対して透明な第１
基板と；前記第１基板の情報ピット形成面に設けられ、
前記第１基板よりも大きな屈折率を持つ材料で構成され
る第１情報記録層と；前記第１情報記録層を挟んで前記
第１基板と貼り合わされる第２基板と；を備えた情報記
録媒体。 - 【請求項３３】 情報がエンボス状ピットとなって刻ま
れている透明な円盤状第１基板と；前記第１基板の屈折
率よりも大きな屈折率を有するものであって、前記第１
基板のエンボス状ピット側に設けられる透明膜と；他の
情報がエンボス状ピットとなって刻まれている円盤状の
第２基板と；前記第２基板のエンボス状ピット側に設け
られるものであって、記録・再生、記録・再生・消去、
またはオーバーライトが可能な記録膜と；前記無機誘電
体膜が前記記録膜と向き合うようにして、前記第１基板
と前記第２基板とを貼合せるものであって、透明な有機
材料で構成される接着部と；を備えた情報記録媒体。
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