CN1164097A - 具有多层信息记录膜的粘合信息记录媒体 - Google Patents

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Abstract

本发明可以从一侧的面上读取2层信息的粘合光盘在跌落冲击或长时间老化的情况下不易产生剥离现象。在本发明中，构成粘合光盘的主要部分是：第1基片(聚碳酸酯)30，其上面形成了可用读取激光(波长650mm)RL读出的信息坑，该基片对上述激光RL是透明的；第1信息记录膜10，它由折射率(折射率2-4)大于第1基片30(折射率1.6)的无机介质(Si等)构成；以及第2基片40，它与第1基片30粘合在一起，把第1信息记录膜10夹在中间。

Description

具有多层信息记录膜的 粘合信息记录媒体
本发明涉及记录地址信息、标题信息、动画信息和声音信息等的信息记录媒体的结构改进。
尤其，本发明涉及这样一种结构的改进，也就是说，在预先把各种信息录制成压纹状皱坑的2块透明基片粘合在一起而构成的高密度光盘中，包含皱坑的信息记录膜，至少其一部分是利用折射率大于粘合基片的材料而制成的。
在处理大量图像信息的多媒体应用等方面，随着市场需求的复杂化和所需信息量的迅猛增加，迫切需要记录媒体能保存更大数量的信息而且能迅速存取信息。光盘是这种信息记录媒体的代表性产品。
当前已经广泛普及的这类光盘产品有：作为音乐等的记录媒体而发展起来的CD激光唱盘、作为计算机数据等的记录媒体而发展起来的CD-ROM(大容量光盘只读存储器)、以及作为电影(动画)等的记录媒体而发展起来的LD(激光视盘)。但是，这些光盘均很难充分适应今后的多媒体用途。
目前正准备广泛普及的新一代主要记录媒体，即数字激光视盘(以下简称DVD光盘)，是能够适应未来大容量需要和高速、灵活存取信息的光盘新秀。
就容量来说，以DVD光盘的一种规格为例，把2块0.6mm厚的透明基片(聚碳酸酯制)粘合在一起而构成的光盘，其两面的总容量约为10GB(千兆字节)，每个单面的容量约为5GB。若采用MPEG(MovingPicture Expert Group：动态图像专家小组)规格进行动态图像压缩，则单面可以录制约135分钟的电影。
DVD光盘由于采用2块基片粘合结构，所以若从过去的光盘(例如LD)的观点来看，则为了全部重放光盘两面的信息，必须在重放时翻转光盘，或者使激光读取头在光盘的表面和背面之间来回移动。这样以来就会产生以下问题：用户要在重放过程中翻转光盘，因此很不方便；或者配备能适应两面重放的激光头，因此造成放像机结构复杂化(即放像机难于小型化，产品成本也要提高)。
为了解决上述问题(必须翻转光盘或者需要复杂的双面放像机构)，DVD光盘可采用下列结构。即与激光头对面的一侧(光盘表面)的记录膜(第1记录膜)使用半透明膜，通过半透明膜也可以读出与激光头位置相反的一面(光盘背面)的记录膜(第2记录膜)的信息。若采用这种结构，则激光头始终位于光盘的一面(表面)即可，只要在第1记录膜和第2记录膜之间切换激光头的焦点即可切换放像的光盘面。
在此情况下，为了很好地读取背面的第2记录膜信息，必须提高光盘表面一侧的第1记录膜的透光率(读取激光的透过率)。另一方面，为了很好地读取表面侧的第1记录膜的信息，第1记录层的反射率(对于与透过光相同的读取激光的反射率)必须要高。
通常，对同样的光来说，高透光率和高反射率是互相矛盾的事项，光盘只能采用透光率和反射率均能达到实用水平的透光/反射膜材料。极薄的金薄膜是这种材料的一个例子。但是，当利用极薄的金薄膜来形成光盘表面侧的第1记录膜时，因为要夹住该金薄膜部分对2块基片进行粘合，所以，很难使该金薄膜部分的机械强度充分满足需要。也就是说，当极薄的金膜介于粘合面之间的双面光盘跌落下来时，其冲击力可能造成粘合的光盘在金薄膜的部分剥离开来。并且，即使没有跌落的冲击力也可能经过长期保存后或者在高温高湿的加速老化试验时使粘合的光盘在金薄膜的部分产生剥离现象。另外，因为金是很昂贵的材料，所以，从光盘制造成本来看，采用金膜也是不利的。
本发明的第1目的在于提供这样一种粘合信息记录媒体，即可以从粘合光盘的单面一侧来读取2块光盘基片上的一层记录膜或两层记录膜的这种光盘，在跌落冲击或长期老化的作用下不易产生剥离现象。
本发明的第2目的在于提供上述粘合信息记录媒体的制造方法。
为了达到上述目的，本发明的信息记录媒体具有：
第1基片(30)，其上形成可由规定的光束(RL)读取的信息坑，基片对该光束(RL)是透明的；
第1信息记录膜(10)，它制做在上述第1基片(30)的信息坑形成面上，由无机介质材料(Si、TiO2、Si2N3或Si3N4)构成，该无机介质的折射率(Si为n＝4，TiO2为n＝2.2，Si3N4为n＝2.0)大于上述第1基片(30)；以及
第2基片(40)，它与上述第1基片(30)粘合在一起，把上述第1信息记录膜夹持在中间。
这种结构的记录媒体，即使不把无机介质(Si、SiO2或Si3N4)膜做得很薄，也能获得对读取光的高透光率和高反射率(参见图6所示的膜厚为20nm(毫微米)或80nm的硅薄膜的透光率T和反射率R)。由于在一定程度上可以确保该无机介质膜的厚度，所以，跌落冲击和老化不易造成剥离。
再者，本发明的信息记录媒体具有：
第1基片(30)，其上形成了可由规定的光束(RL)来读取的信息坑，基片对该光束(RL)是透明的；
第1信息记录膜(10)，它制做在上述第1基片(30)的信息坑形成面上，由无机介质(Si、TiO2或Si3N4)构成，该无机介质具有比上述第一基片(30)大的折射率(Si为n＝4，TiO2为n＝2.2，Si3N4为n＝2.0)；
第2基片(40)，其上形成可由上述光束(RL)读取的其他信息坑；
第2信息记录膜(20)，它制做在上述第2基片(40)的信息坑形成面上，由对上述光束(RL)进行反射的光反射物质(Al、Al·Mo)构成；以及
粘合层(50)，它把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，并使上述第1信息记录膜(10)和上述第2信息记录膜(20)互相面对面。
这种结构的记录媒体，由于能确保无机介质膜具有一定的厚度，所以，在跌落冲击或老化的作用下不易剥离。并且，因为构成第1信息记录膜(10)的无机介质膜对于读取光具有高透光率和高反射率，所以，尽管无机介质膜位于读取光的光路上，也能使第2信息记录膜(20)的信息可读取性能达到实用水平。
再者，本发明的信息记录媒体具有：
透明的圆盘形第1基片(30)，其上录制的信息呈压纹状小坑；
无机介质膜(10)，其折射率(Si为n＝4，TiO2为n＝2.2，Si3N4为n＝2.0)大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约为1.6)，它制作在上述第1基片(30)的压纹状小坑一侧；
形状与上述第1基片(30)相同的第2基片(40)；以及
粘合部(50)，它把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，同时使上述无机介质膜(10)与上述第2基片(40)互相面对面。
再者，本发明的信息记录媒体具有：
透明的圆盘形第1基片(30)，其上录制的信息呈压纹状小坑；
无机介质膜(10)，其折射率(Si为n＝4，TiO2为n＝2.2，Si3N4为n＝2.0)大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约为1.6)，它制作在上述第1基片(30)的压纹状小坑侧；
圆盘形第2基片(40)，其上录制的其他信息呈压纹状小坑；
反射膜(20)，它制作在上述第2基片(40)的压纹状小坑一侧；以及
粘合部(50)，它由透明的有机材料构成，用于把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，同时使上述无机介质膜(10)和上述反射膜(20)互相面对面。
再者，本发明的信息记录媒体具有：
透明的圆盘形第1基片(30)，其上录制的信息呈压纹状小坑；
无机介质膜(10)，其折射率(材料为ZnS，SiO2)大于上述第1基片(30)的折射率(1.55±0.10，聚碳酸酯约为1.6)，它制作在上述第1基片(30)的压纹状小坑一侧；
圆盘形第2基片(40)，其上录制的其他信息呈压纹状小坑；
记录膜(90)，它制作在上述第2基片(40)的压纹状小坑一侧，可以进行录放、录放消除或重录；
粘合部(50)，它由透明的有机材料构成，用于把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，同时使上述无机介质膜(10)与上述记录膜(90)互相面对面。
这种结构的记录膜，因制备了可以读写的记录膜(90)，所以可以构成大容量光盘RAM。
再者，本发明的信息记录媒体制造方法包括以下工序：
第1工序(图13的ST10～ST22)，在录制的信息呈印纹状小坑的透明圆盘形第1基片(30)的坑面上形成第1规定厚度(例如20nm)的无机介质膜(10，例如Si)，该介质膜的折射率(Si约为4)大于第1基片(30)的折射率(1.55±0.10，聚碳酸酯约为1.6)；
第2工序(图14的ST30～ST42)，在录制的信息呈压纹状小坑的圆盘形第2基片(40)上形成第2规定厚度(～100nm)的光反射膜(20)；以及
第3工序(图9～图12的工序或图20的工序)，把在第1工序中制成的第1基片(30)的无机介质膜(10)形成面和在第2工序中制成的第2基片(40)的光反射膜(20)形成面互相对准方向，利用透明的粘合层(50)把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起。
本发明的信息记录媒体具有：
第1基片(30)，其上形成可用规定的光束(RL)来读取的信息坑，基片对该光束是透明的；
第1信息记录膜(10)，它制作在上述第1基片的信息坑形成面上，利用其折射率大于上述第1基片折射率的材料(硅、氮化硅等)构成；
第2基片(40)，它通过规定的粘合层(50)与上述第1基片粘合在一起，把上述第1信息记录膜夹在两块基片之间；
第2信息记录膜(20)，它制做在上述第2基片的信息坑形成面上。
在上述结构的信息记录媒体中。
上述第1基片(30)、第1信息记录膜(10)、粘合层(50)以及第2信息记录膜(20)的物理性能(折射率、厚度等)已按下列目的进行了设定，即从上述第1基片(30)射入上述第2基片(40)的光束(RL)，在上述第1信息记录膜(10)中的反射率以及在上述第2信息记录膜(20)中的反射率均能达到约18％以上。
上述光束(RL)的反射率被设定在约18％～30％的范围内。
并且，可以用氮化硅(Si3N4)来制做上述第1信息记录膜(10)。
另外，可以用40μm～70μm厚度的紫外线固化性树脂来制作上述粘合层(50)。
另一方面，为了达到上述第2个目的，本发明的信息记录媒体制造方法采用以下工序：
第1工序(图13的ST10～ST22)，在录制的信息呈压纹状小坑的透明圆盘状第1基片(30)的坑面上形成第1规定厚度(例如20nm)的无机介质膜(10，例如ZnS·SiO2)，该介质膜折射率(Si约为4)大于第1基片(30)的折射率(1.55±0.10，聚碳酸酯约为1.6)；
第2工序(图15的ST50～ST64)，在录制的信息呈印纹状小坑的、圆盘状第2基片(40)的坑面上，形成第2规定厚度(例如20nm)的相变记录膜(90)，该相变是在非结晶物质和结晶物质之间进行可逆性相变化；
第3工序(图9～图12的工序或图20的工序)，把在上述第1工序中制作的第1基片(30)的无机介质膜(10)形成面和在上述第2工序中制作的第2基片(40)的相变记录膜(90)形成面互相对准方向，通过透明的粘合层(50)把上述第1基片(30)和第2基片(40)粘合在一起。
图1是涉及本发明的一种实施例的粘合型双层光盘从读取激光受光面一侧观看的平面图。
图2是沿图1的(II)-(II)线的部分断面示意(最佳形状)图。
图3是图1的双层光盘(只读)数据记录部(压纹状小坑)的部分断面示意图。
图4是图1的双层光盘(读写两用)数据记录部的部分断面形状示意图。
图5是图1的双层光盘性能鉴定用光盘驱动器结构方框图。
图6是曲线图，它说明图3的第1信息记录膜(折射率n＝4的硅膜)10中的激光束(波长650nm的相干光)的反射率和透过率随第1信息记录膜10的厚度变化而变化的情况。
图7是说明在图3或图4所示结构的粘合型多层光盘上形成第1信息记录膜10或第2信息记录膜20所用的溅射设备的侧视图。
图8是进一步说明图7的设备结构的顶视图。
图9是说明利用图7的设备制成的光盘基片(从图3的示例来看是指具有记录膜10的第1光盘基片30和具有记录膜20的第2光盘基片40)互相粘合设备的动作过程的设备侧面图。
图10是表示在图9的设备中在粘合剂(220)流入后的第1光盘基片(30)上叠放了第2光盘基片(40)的情况的顶视图。
图11是说明在图9的设备中进行旋转匀胶动作时的设备侧面图，重叠在一起的一对基片(基片30和基片40)中间夹持粘合剂(220)，进行高速旋转，从而在基片之间均匀地形成一层粘合剂(220)薄膜。
图12是紫外线照射工序说明图，它表示利用图9～图11的设备而形成的粘合光盘(OD)的粘合剂层(紫外线固化性树脂50)，通过紫外线照射而进行固化。
图13是利用图7的设备来形成双层光盘用的第1信息记录膜10(即无机介质薄膜，在图3中是指基片30的Si膜10；在图4中是指基片30的ZnS·SiO2膜10)的工艺流程图。
图14是利用图7的设备来形成双层光盘用的第2信息记录膜20(铝钼薄膜)的工艺流程图。
图15是利用图7的设备在双层光盘用的一块基片40上形成记录膜(90～94)和反射膜(20)的工艺流程图。
图16是图2的变形例，它表示粘合光盘OD的信息记录膜采用单层结构时的一例的部分断面形状示意图。
图17是图2的另一个变形例，它表示粘合光盘OD的信息记录膜采用单层结构时的另一例的部分断面最佳形状。
图18是图2的另一个变形例，它表示粘合光盘OD的信息记录膜采用4层结构时的部分断面最佳形状。
图19是图2的另一变形例，它表示粘合光盘OD的信息记录膜采用3层结构时的部分断面最佳形状。
图20A～图20D是按照图13～图15的工艺过程而制成的半成品光盘状态的基片30和40从粘合到完成双层光盘OD的制造过程的另一例的说明图。
以下参照附图来说明涉及本发明一个实施例的粘合信息记录媒体。而且为了避免重复说明，在多个附图中对功能相同的部分采用通用的参考符号。
图1是作为本发明的双片粘合信息记录媒体的一例的双层光盘从读取激光受光面一侧观看的平面图。该光盘OD，外径为120mm，具有内径15mm的中心孔70，2块0.6mm厚的基片粘合在一起的厚度为1.2mm。在2块粘合基片上分别形成圆环状的信息记录膜(图1中仅示出了一块基片的第1信息记录膜10)。这些圆环状信息记录膜的内径约为45mm，外径最大尺寸约为117mm。
图2是沿图1的双层光盘OD的(II)-(II)线的部分断面形状示意放大图。如图所示，从读取激光RL(例如波长650nm的半导体激光)入射面来看该光盘OD的结构包括：
第1信息记录膜载体聚碳酸酯基片30(厚度约为0.6mm)；
第1信息记录膜10(折射率大于基片30的半透明膜，厚度为20nm～1000nm)，用于录制第1信息(光盘OD的表面信息)，即在膜的表面上形成压纹状小坑；
对激光RL透明的粘合剂层50(紫外线固化性树脂等)；
第2信息记录膜20(光反射膜，其厚度为40nm以上，例如100nm左右)，用于记录第2信息(光盘OD的背面信息)，即在膜表面上形成压纹状小坑；以及
第2信息记录膜载体聚碳酸酯基片40。
另外，根据需要，在与读取激光RL的受光面30相反的一侧的基片面40上粘贴标签LB，标签上印刷与记录信息(上述第1、第2信息)有关的信息(文字、画、花纹等视觉图像信息)。
图3是表示图1的双层光盘(只读)数据记录部(压纹状小坑)形状的部分断面示意图。其中，构成第1信息记录膜的无机介质10采用折射率n约为4的硅(Si)。该无机介质10也可采用折射率大于聚碳酸酯基片30(其折射率n约为1.6)的其他半透明膜。例如，也可利用折射率n约为2.2的氧化钛(TiO2)来构成无机介质第1信息记录膜10。
第1信息记录膜10也可用折射率n为2.0的氮化硅(Si3N4)来构成。
在这里，要使记录膜10的折射率大于基片30的折射率，其理由是因为要使在记录膜10上聚焦并射入记录膜内的激光RL在记录膜10和基片30的界面(折射率急剧变化的面)上进行反射。(若记录膜10和基片30的折射率相同，则从激光RL来看，记录膜10和基片30是光学上均匀一致的物质，在这一界面上激光不进行反射。于是，几乎没有来自记录层10的反射光，不能读取记录在记录膜10上的第1信息。)
无机介质膜10的厚度可以在20nm～1000nm的范围内选择。最好是在20nm～280nm的范围内选择(决定无机介质膜厚度10的依据，将参照图6进行说明)。
第2信息记录膜用的薄膜20由铝(Al)或铝钼合金(AlMo)等光反射物质构成。
形成第2信息记录膜的铝钼合金薄膜20的厚度选定为40nm以上，即可使记录膜20的激光反射率在实用上充分满足需要(反射率80％以上)。在本实施例中，第2信息记录膜20的厚度设定值选择为100nm左右。
第2信息记录膜20也可只用铝来形成。但使钼、钽、钯、铬、钛和白金等高熔点金属与铝进行合金化，可以大幅度减小第2信息记录膜用的薄膜20的反射率随时间增加而减小的程度(可提高环境可靠性)。
钼具有改善第2信息记录膜20的耐氧化性的功能。但其加入的比例有一定的适当范围，1at％～20at％是其实用范围。铝钼合金薄膜20中钼的比例，最好在1at％～20at％范围内。在本实施例中，把钼的比例设定为20at％。若钼超过20at％，则即使能够确保薄膜20的厚度为40nm以上，也将使作为第2信息记录膜20的激光反射率下降。
为了在双方面重放时使激光读取头(即下述图5的激光头600)不必在光盘的背面和正面之间来回移动，也不必对光盘OD进行翻转，可以进行以下操作。
也就是说，在图3中，当读取第1信息记录膜10(表面信息)时，把激光头的焦点对准到第1信息记录膜10的压纹状坑上。在此状态下，激光头通过检测来自记录膜10的反射光RL10，即可读出光盘表面的信息。另一方面，在读取第2信息记录膜20(背面信息)时，把激光头的焦点对准到第2信息记录膜20的压纹状小坑上。在此状态下，激光头通过检测来自记录膜20的反射光RL20，即可读出光盘背面的信息。
这样，在从光盘的一个面上来读取两个面的信息时，透明粘合层50(紫外线固化性树脂等有机材料)的厚度值按以下要求进行设定，即图中未示出的激光头的物镜调节器移动范围(动作距离)或激光聚焦面以外的地方所产生的反射光，不会对聚焦面上产生的反射光(图3中的RL10或RL20)造成干扰。
也就是说，激光头在拾取来自记录膜10的反射光RL10时，反射光RL20减弱；激光头在拾取来自记录层20的反射光RL20时，反射光RL10减弱，根据这一要求来决定透明粘合层50的厚度。
例如，在激光头中使用波长约为650nm的激光，用紫外线固化性树脂来构成粘合层50时，粘合层50的厚度以40μm～70μm(55μm±15μm)为宜。
而且，若第1信息记录膜(半透明膜)10的反射率(％)太高，则透过记录膜10的光减弱，第2信息记录膜(完全反射膜)20的反射光RL20的强度降低过多。反之，若第1信息记录膜(半透明膜)10的反射率(％)太低，则虽然使反射光RL20的强度很高，也使得记录膜10的反射光RL10的强度降低过多。
在能够充分保证第2信息记录膜(完全反射膜)20的反射光RL20的强度的条件下，第1信息记录膜(半透明膜)10的反射率(％)，以较大时为好。但从实用观点出发，目前该记录膜(半透明膜)10的反射率(％)被设定为18％～30％。(不过，从参照图6进行说明的方法来看，在充分保证反射光RL20的强度的条件下，记录膜10的反射率也可以设定为30％以上。)
透明粘合层50的材料可以使用紫外线(UV)固化性树脂、热熔性性树脂或不带基材的双面胶带等。为了使粘合层50的厚度在整个光盘上均匀地保持在例如50μm，以采用UV树脂或双面胶带为宜。尤其像参照图20进行说明的粘合光盘制造方法那样，利用规定厚度50μm的衬片来控制粘合层50的厚度时，用旋转法涂敷UV树脂，制成粘合光盘。这种方法，效果尤其良好(该透明粘合层50的厚度被设定在55±15μm的范围内。)
粘合聚碳酸酯基片所用的紫外线(UV)固化性树脂，可采用丙烯酸酯树脂。并且，若从对反射膜的影响以及粘合后的可靠性考虑，则UV树脂最好采用环氧或聚氨酯(聚氨基甲酸酯)系树脂。
再者，粘合聚碳酸酯基片所用的UV树脂，其折射率n应当接近聚碳酸酯基片的折射率(约1.6)。具体来说，最好是把该UV树脂的折射率n控制在1.5～1.7的范围内。
第1信息记录膜(半透明膜)10的材质，当采用金(Au)或铜(Cu)时，记录膜10的反射率以18％～30％为宜。这时记录膜10的厚度必须极薄，约为5nm～20nm。但是，当采用这种极薄的金属膜时，记录膜10和粘合层50的界面粘合强度不足，在跌落冲击等作用下基片30和基片40很可能剥离。并且，即使正常地粘合后，也可能在长期保存后或加速老化试验时出现剥离现象。
为了防止这种“剥离”事故，本发明利用硅等无机介质材料来形成第1信息记录膜(半透明膜)10，以便能确保一定的厚度，能使其与粘合层50的界面粘合达到足够的强度。
硅等无机介质，即使有一定厚度(例如，20nm、80nm或160nm)，对激光(波长650nm)RL仍然透明度很高。并且，硅等无机介质膜10，与聚碳酸酯基片30相比折射率n值较大(与聚碳酸酯的n＝1.6相比，硅的n＝4)。因此，在记录膜10上进行聚焦时，激光RL在基片30和记录膜10之间产生较大的反射。
所以，通过适当控制无机介质膜10的厚度，既能保证粘合光盘OD的粘合强度，又能满足记录膜10的高透光率和高反射率要求。
图4是图1的双层粘合光盘OD被作为读写两用光盘时的数据记录部的部分断面示意图。其中，利用硫化锌(ZnS)和二氧化硅(SiO2)的混合物(ZnS·SiO2)来取代图3的硅，形成厚度为20nm的无机介质膜10。
再者，在利用铝(Al)或铝钼合金(Al·Mo)的光反射膜20和紫外线固化性树脂粘合层50之间，设置了这样一种3层结构膜(90～94)，即在两层硫化锌、氧化硅混合物ZnS·SiO2(92、94)之间夹持一层相变记录材料膜90(Ge2Sb2Te5)。各种膜层的厚度可分别选择如下，例如，铝反射膜20为100nm左右，ZnS·SiO2混合膜94为20nm左右，Ge2Sb2Te5相变记录材料膜90为20nm左右，ZnS·SiO2混合膜92为180nm左右。
而且，在基片30上录制只读信息采用刻制压纹状信号的方法，而在读写两用基片40上不采用刻制压纹状信号的方法，而采用刻制连续沟槽的方法，在该沟槽内设置相变记录材料膜90。
图5是图1的双层粘合光盘OD性能鉴定用的光盘驱动器结构方框图。
当被鉴定的光盘OD(下述的多种样品光盘)被放置在该驱动器上时，利用主轴马达210进行旋转控制，使光盘的各个半径位置的线速度均达到一定值，即3.6米/秒(控制线速度为一定值)。
其次，激光头600利用由CPU700控制的激光激励器610进行激励，使功率1mw(毫瓦)的连续激光(重放光)照射到光盘OD上。利用线性电动机602在光盘OD的半径方向上对激光头600进行定位，该线性电动机利用连接在CPU700上的线性电动机控制部604进行控制。激光头600在光盘OD的记录轨迹上的位置由连接在CPU700上的记录轨迹驱动控制部606进行控制。另外，在光盘OD的表面信息记录膜10或背面信息记录膜20上进行聚焦的操作，由连接在CPU700上的聚焦驱动控制部608进行控制。
当样品光盘OD为读写型时(参照图4)，在相变信息记录膜90上记录的信号从信息输入信号源614中输出来。该记录信号输出通过调制电路612加到激光激励器610上。激光激励器610分为数据记录用功率10mw和数据消除用功率4mw这两个档进行强弱调制，对激光头600内的激光二极管进行激励。于是，激光头600把包含4MHz下50％占空比的信号信息的激光(图4的记录写入激光WL)照射到光盘OD上，把该信息记录到光盘OD的相变信息记录膜90内。
从激光头600发射出的激光在处于聚焦状态下的光盘OD的第1信息记录膜10(或第2信息记录膜20)上进行反射，该反射光再次被激光头600检测出来。由激光头600检测出的反射光信息(读取重放信号)由前置放大器616进行放大，由二进制编码电路进行二进制编码，然后输入到频谱分析仪620内。由该频谱分析仪620来测量第1信息记录膜10(或第2信息记录膜20)的重放载波噪声比(C/N比)等，可以对其是否合格进行鉴定。
图6是曲线图，它定性地说明了图3的第1信息记录膜(折射率n＝4的硅膜)10中的激光束(波长650nm的相干光)的反射率R(％)和透过率T(％)，在改变第1信息记录膜10的厚度时是如何进行变化的。该曲线图是根据理论计算(模拟)而求出的，没有考虑现实产品存在的膜厚误差、无机介质膜内的结晶缺陷、畸变、激光入射角偏差等因素。该曲线图中的数值与实际产品相比，或多或少会有一定误差，对此预先加以说明。
像激光一样，相干光有半波长(相位差π)偏差，也就是说，若对具有互相反相成分的光加以合成，则产生相减效应(抵消)，使光的强度降低。另一方面，若对具有互相同相成分的光(没有互相反相成分的光、相位差为π/2以下的光)加以合成，则产生相加效应，使光的强度提高。
一定频率的光的波长与其传播速度成正比，该传播速度与折射率成反比。例如，在折射率为1的空气中，波长650nm的激光，在折射率为4的物质中波长大约变为160nm。因为该半波长部分为80nm，所以，若在传播光路中形成80nm的偏差(记录膜10的往返路经中单程为40nm)，对两种激光(互相反相)加以合成，则两者互相抵消。这种抵消作用，从图3的结构来看，发生在基片30和硅膜10的接合面上的反射光与硅膜10和UV树脂粘合层50的接合面上的反射光之间。这种抵消作用在图6中使得在记录膜10的厚度为40nm的地方反射率R变得极小(最小值)。
而且，在记录层10和基片30的界面上进行反射的光a、和在记录层10和粘合层50的界面上进行反射并在记录膜10内进行往返的光b，从基片30一侧来看的光路长度的差别的大小相当于记录膜厚度10的2倍。所以，光a和光b并非以光路差为零进行相加合成。该光路差为零，是指没有记录膜10。这与没有记录膜的反射光有关。因此，在图6中使膜厚为零时的反射率R变成零。
在记录膜10的厚度从40nm到零的范围内，2种反射光的反相成分减小，同相成分相应增加。总之，在2种激光具有同相成分的记录膜10的厚度范围0～40nm的正中间地方(几乎是在20nm处，按相位差换算时为π/2)，如图6所示，出现了对记录膜10的反射率R的峰值。
另一方面，若从上述反射率最小点(记录膜10的厚度40nm的点)开始在传播光路上形成相当于1/2波长(相位差π)的80nm的偏移(相当于记录膜10的往返路经时单程40nm)，对2种激光(波长650nm)加以合成，则两者可按相加方法进行合成。因此，在图6中，在记录膜10的厚度为80nm的地方，反射率R达到最大值(峰值)。
因为激光进行单波长的单振荡，所以，上述反射率R的峰值和最小值，如图6所示，按一定的周期反复出现。
为了使第1信息记录膜10中的高透光率T和高反射率R同时出现，从图6的示例来看，记录膜10的厚度，可以20nm、80nm或160nm(按照在记录膜10内往返的激光实际光路长度来说为40nm、160nm或320nm)为中心进行选定。并且，在保证第1信息记录膜10和基片30之间的粘合强度来看(即为了防止在记录膜10的部分基片30和40剥离开)，宜采用较厚的记录膜10。
总之，为了同时获得第1信息记录膜10的高透光率T和高反射率R，并且使记录膜10的部分不易产生剥离现象，要把第1信息记录膜10的反射率R的峰值点作为大致的目标，在透光率T降低不太多的条件下，适当地决定记录膜10的厚度。
具体来说，记录膜10的厚度在20nm～1000nm的范围内进行选择。若优先考虑防止跌落冲击等作用造成的基片剥离现象，则厚度应增大，使其接近1000nm(＝1μm)，但为了确保记录膜10的高透光率T(即相对于第2信息记录膜20的读出信号能确保较高的载波噪声比)，记录膜10的厚度应当减小。从“基片不易剥离”和“高载波噪声比”二者兼顾的实用观点出发，记录膜10的厚度宜在20nm～280nm之间适当选择。而且，在该选择范围内选择具体厚度尺寸时，要避开图6的反射率R最低值附近，尽量接近峰值，同时兼顾透光率T。
图7是表示溅射设备主要结构的侧面图，该设备用于在具有图3或图4所示结构的粘合型多层光盘上形成第1信息记录膜10或第2信息记录膜20。图8是图7所示设备的顶视图。
在真空容器100内的顶部附近设置了用于支承聚碳酸酯基片30(或基片40)的圆盘状旋转台(阴极板)102，并使其旋转面呈水平状态。在旋转台102的下面支承基片30(或40)，其上面一侧的轴通过齿轮机构101马达110进行驱动，使其旋转。阴极板102被电气接地，但图中未示出。
在真空容器100内的底部附近，设置了阳极板1051～1054，该阳极板上分别放置溅射源(4种靶材料)并且均面向上部的旋转台102。这些溅射源中，构成光盘无机介质膜(第1信息记录膜)10的靶材(Si或TiO2)被放置在阳极板1051上；构成相变记录膜90的靶材(Ge2Sb2Te5)被放置在阳极板1053上；构成无机介质膜10或构成夹持相变记录膜的透明膜92和94的靶材(ZnS·SiO2)被放置在阳极板1052上；构成光反射膜(第2信息记录膜)20的靶材(Al或Al·Mo)被放置在阳极板1054上。
各阳极板1051～1054，在进行溅射时分别由图中未示出的马达带动其旋转。在各阳极板1051～1054与阴极板102之间配置了可通过摇臂1071～1074的转动而随意打开和关闭的遮挡板1031～1034。
当在基片30上溅射Si或TiO2时，摇臂1071转动，仅仅把遮挡板1031打开。于是，旋转的阳极板1051上的Si或TiO2正面朝向旋转的阴极板102。在此状态下仅阳极板1051上加高频电压，于是在基片30上生成均匀的Si或TiO2薄膜。
当在基片30或40上溅射ZnS·SiO2时，摇臂1702转动，仅使遮挡板1032打开。于是，旋转的阳极板1052上的ZnS·SiO2正面朝向旋转的阳极板102。在此状态下，若仅在阳极板1052上加高频电压，则在基片30或40上形成均匀的ZnS·SiO2薄膜。
当在基片40上溅射Ge2Sb2Te5时，摇臂1073转动，仅使遮挡板1033打开。于是，旋转的阳极板1053上的Ge2Sb2Te5正面朝向旋转的阴极板102。在此状态下，若仅在阳极板1053上加高频电压，则在基片40上生成均匀的Ge2Sb2Te5薄膜。
当在基片40上溅射铝Al或铝钼Al·Mo时，摇臂1074转动，仅使遮挡板1034打开。于是，旋转的阳极板1054上的铝Al或铝钼Al·Mo正面朝向旋转的阴极板102。在此状态下若仅在阳极板1054上加高频电压，则在基片40上生成均匀的铝或铝钼薄膜。
在阳极板1051～1054中的哪一块板上加溅射用高频电压，这取决于切换开关111的切换状态。也就是说，在溅射Si或TiO2时，高频电源设备(RF电源设备)112的高频输出电压，通过切换开关111的的接点b加到阳极板1051上；当溅射ZnS·SiO2时，RF电源设备112的高频输出电压通过切换开关111的接点C加到阳极板1052上；当溅射Ge2Sb2Te5时，RF电源设备112的高频输出电压通过切换开关111的接点d加在阳极板1053上；当溅射铝或铝钼时，RF电源设备112的高频输出电压通过切换开关111的接点a加到阳极板1054上。
切换开关111的接点选择控制和RF电源设备112的高频电压输出控制均由溅射控制装置120内部的CPU来进行。
真空容器100通过排气口1131～1133连接在由控制装置120控制的排气装置(1141～1143)上。该排气装置由回转泵1141、低温泵1142和阀门1143构成。在开始溅射前，若打开阀门1143，则首先由回转泵1141对真空容器100进行排气，然后再由低温泵1142进行排气，使真空容器内达到微乇级的高真空状态。
一旦达到上述高真空状态后，在进行溅射时，作为溅射气体的氩气(惰性气体)从氩气钢瓶116中送出，经过进气口115、入口阀119、控制阀(气流控制器)118和阀门117，微量地(毫乇级)注入真空容器内，氩气的注入量由安装在真空容器100内的内压检测器108(真空计)进行检查。阀门117～119的开闭状态是根据内压检测器108对真空度的检查结果，由控制装置120进行控制。
在阳极板102的附近安装了膜厚计106，用来检测在基片30或40上溅射形成的薄膜(10、20、90、92或94)的厚度。控制装置120通过膜厚计106来控制从溅射源向基片30(或40)的溅射量。也就是说，控制装置120进行程序控制，一边检测溅射在基片30(或40)上的薄膜，一边调节从RF电源装置112向阳极板1051～1054输送的高频功率，使薄膜(10、20、90、92和94)达到规定的组成(或规定的膜厚)。
图9～图12是说明粘合动作过程的粘合设备侧面图，该设备用于粘合由图7的设备制成的光盘基片(从图3的示例来看是指具有记录膜10的第1光盘基片30和具有记录膜20的第2光盘基片40)。
该粘合设备如图9～图11所示，在旋转涂胶机800内具有以下结构部分：
以对位销202为旋转中心的旋转台200；
带动该旋转台旋转的主轴马达210；以及
向旋转台200一侧适当供给UV树脂液220的粘合剂供给器250。
如图9所示，首先把已形成第1信息记录膜10的聚碳酸酯基片30套在对位销202上，使其置于旋转台200上。然后从供胶器250按规定量向基片30的中心部位供给透明的UV树脂液220。
接着，如图10所示，把已形成第2信息记录膜20的聚碳酸酯基片40套在对位销202上，并使其记录膜20的形成面朝向基片30一侧，使基片40下落到旋转台200上的基片30上。
接着，如图11所示，中心部分已夹持了UV树脂液220的基片30和基片40，在主轴马达210的带动下按规定时间和规定转速进行旋转。通过旋转使UV树脂液220从基片30和基片40的中心部分均匀地向周围部分扩散，在基片30和基片40之间形成约50μm厚的粘合剂层(这就叫作UV树脂液旋转涂敷)。扩散到基片30和基片40周围的多余UV树脂液220，在上述旋转涂敷的高速旋转所产生的离心力作用下向外部飞散。然后，在基片30和基片40的周围流出来的UV树脂液220，利用图中未示出的适当装置将其清除掉。
这样均匀地夹持着一层UV树脂液220(粘合层50)的基片30和基片40的粘合光盘，如图12所示被放置在传送带900上并使基片30朝上，在此状态下被传送到灯箱240内的灯阵列230的正下面。基片30和基片40之间的UV树脂液220在UV灯阵列230的紫外线照射下进行固化，变成坚固的粘合层50。这样就制成了粘合光盘。
当大量生产粘合光盘时，可以扩大UV灯阵列230的规模，利用传送带900按规定速度连续地传送(必要时可增加暂停时间)大量光盘，使其在灯阵列下缓缓通过。
图13是利用图7～图8的设备来形成粘合双层光盘用的第1信息记录膜10的工艺流程图。适应该工艺的程序也由图7的溅射控制装置120内部的CPU来执行。
也就是说，控制装置120一边利用内压检测器108来检测真空容器100的内压，一边利用排气装置(1141～1143)对真空容器100进行排气，使其真空度达到5微乇以下(程序步ST10～ST12否)。然后，控制装置120一边利用内压检测器108来检测真空容器100的内压，一边对控制阀门118进行开闭控制，将5毫乇以下的氩气注入真空容器100内(ST14～ST16否)。
利用这样注入的低压氩气作为溅射气体，开始进行无机介质(Si、TiO2等)溅射。
也就是说，控制装置120把遮挡板1031打开，使放置了基片30的阴极板102进行旋转(ST18)，同时，一边旋转放置了靶材Si(或TiO2)的阳极板1051，一边在溅射源(例如Si)上按规定时间加规定的高频功率(ST20)，形成规定厚度的(例如20nm±30％左右或者80nm±30％左右)第1信息记录膜10(ST22是)。
另外，在上述实施形态中，利用向上溅射法(即把基片30放置在靶材的上方)进行了说明。但是，也可以采用侧面溅射法(即把基片30放置在靶材的侧面)。
图14是利用图7～图8的设备来形成粘合双层光盘用的第2信息记录膜20的工艺流程图。与该工艺方法相对应的程序也可由图7的溅射控制装置120的CPU来执行。
也就是说，控制装置120一边利用内检测器108来检测真空容器100的内压，一边利用排气装置(1141～1143)对真空容器100进行排气，使其真空度达到5微乇以下(ST30～ST32否)。然后，控制装置120一边利用内压检测器108来检测真空容器100的内压，一边对控制阀门118进行开闭控制，把5毫乇以下的氩气注入到真空容器100内(ST34～ST36否)。
利用这样注入的低压氩气作为溅射气体，开始进行Al或Al·Mo等的溅射。
也就是说，控制装置120打开遮挡板1034，使放置了基片40的阴极板102进行旋转(ST38)，同时，一边使已放置了靶材Al(或Al·Mo)的阳极板1054进行旋转，一边在溅射源(例如Al·Mo)上接膜层结构顺序(先Al后Mo)和规定时间加规定的高频功率(ST40)，形成规定厚度(例如100nm±30％左右)的激光反射膜20(ST42是)。
而且，在上述实施例中，采用向上溅射法(即把基片40放置在靶材的上方)进行了说明，但也可采用侧面溅射法(即把基片40放在靶材的侧面)。
再者，上面以利用图7设备的溅射法为例进行了说明。但记录膜20也可用真空蒸发法来形成。
图15是利用图7-图8的设备在读写型双层光盘用的基片40上形成记录膜(90-94)和反射膜(20)的工艺流程图。与该工艺相对应的程序也可由图7的溅射控制装置120的CPU来执行。
也就是说，控制装置120一边利用内压检测器108来检测真空容器100的内压，一边利用排气装置(1141-1143)对真空容器100抽真空，使其内部达到5微乇以下(ST50-ST52否)。然后，控制装置120一边利用内压检测器108来检测真空容器100的内压，一边对控制阀门118进行开闭控制，把5毫乇以下的Ar气注入到真空容器100内(ST54-ST56否)。
(1)利用这样注入的低压Ar气作为溅射气体，开始进行例如以Al为靶材的溅射。
也就是说，控制装置120仅仅打开阳极板1054上的遮挡板1034(该阳极板上预先放置靶材Al)，其他遮挡板1031、1032和1033仍保持关闭状态(ST57)。
然后，控制装置120，一边使已放上基片40的阴极板102和已放上靶材Al的阳极板1054进行旋转(ST58)，一边按规定时间在溅射源(A1)上加规定的高频功率(ST60)，形成规定厚度(例如中心值为100nm)的激光反射膜20(ST62是)。这样，在基片40上形成的薄膜中，最初的薄膜20的形成即告结束(ST62是，ST64否)。
(2)接着，利用5毫乇以下的低压Ar气作为溅射气体，开始进行以ZnS·SIO2的混合物为靶材的溅射。
也就是说，控制装置120仅打开已放上靶材ZnS·SiO2的阳极板1052上的遮挡板1032，其他遮挡板1031、1033和1034仍保持关闭状态(ST57)。
然后，控制装置120一边使已放上基片40的阴极板102和已放上靶材ZnS·SiO2的阳极板1052进行旋转(ST58)，一边按规定时间在溅射源(ZnS·SiO2)上加规定的高频功率(ST60)，形成规定厚度(例如中心值为20nm)的ZnS·SiO2膜94(ST62是)。这样，在基片40上形成的薄膜中，第2层膜94的形成即先结束(ST62是，ST64否)。
(3)接着，利用5毫乇以下的低压Ar气作为溅射气体，开始进行以Gt2Sb2Te5为靶材的溅射。
也就是说，控制装置120仅打开已放上靶材Ge2Sb2Te5的阳极板1053上的遮挡板1033，其他遮挡板1031、1032和1034仍保持关闭状态(ST57)。
然后，控制装置120一边使已放上基片40的阴极板102和已放上靶材Ge2Sb2Te5的阳极板1053进行旋转(ST58)，一边按规定时间在溅射源(Ge2Sb2Te5)上加规定的高频功率(ST60)，形成规定厚度(例如中心值为20nm)的Ge2Sb2Te5膜90(ST62是)。这样，在基片40上形成的薄膜中，第3层膜(相变记录膜)90的形成即告结束(ST62是，ST64否)。
(4)最后，利用5毫乇以下的低压Ar气作为溅射气体，开始进行以ZnS和SiO2的混合物为靶材的溅射。
也就是说，控制装置120仅打开已放上靶材ZnS·SiO2的阳极板1052上的遮挡板1032，其他遮挡板1031、1033和1034仍保持关闭状态(ST57)。
然后，控制装置120一边使已放上基片40的阴极板102和已放上靶材ZnS·SiO2的阳极板1052进行旋转(ST58)，一边按规定时间在溅射源(ZnS·SiO2)上加规定的高频功率(ST60)，形成规定厚度(例如中心值为180nm)的ZnS·SiO2膜94(ST62是)。这样，在基片40上形成的薄膜中，第4层膜92以前的溅射形成即全部结束(ST62是，ST64是)。
利用图7-图12的设备，按照图13-图15的方法制作的粘合光盘具体例子(样品)，将在以下的实施例中进行说明。(在上述的实施例中，透明粘合层50的厚度采用了55±15μm的基本中心值50μm。但在以下的实施例中，透明粘合层50的厚度将采用55±15μm的下限值40μm。)
实施例1
本实施例例如按图3的结构利用金属膜(Au等)和无机介质(Si等)来形成第1信息记录膜10，将其分别为样品A和样品B。
首先，准备直径120mm的厚度0.6mm的聚碳酸酯基片(折射率1.6)。根据[现有技术]项目中所介绍的DVD光盘的规格，2层光盘时，在单面上刻制5GB弱的容量的信息。但这次为了便于进行光盘性能鉴定，按照单一频率(即4Mhz，这相当于为达到上述容量所需的最密图形)，预先录制压纹状信号。
将这样的两块基片之中的基片40放置到图7的溅射设备内的旋转台102上。
然后，把排片阀1143完全打开，利用回转泵1141和低温泵1142把真空容器100内的真空度抽到1微乇。接着，打开Ar气钢瓶116的阀门117，打开真空容器100的入口阀119，向真空容器100内注入Ar气。这时，利用气体流量控制器118把Ar气流量调节到20SCCM(每分钟20CC)，然后，把排气阀1143调节到半开，把真空容器100内的Ar气压设定到0.6乇(这时，高于图14的ST36所示的气压)。
接着，接通马达110电源，使旋转台102旋转。把切换开关111拨到阳极板1054一侧，接通13.56MHZ的RF电源112，向阳极板1054输送400W的RF功率，开始对Al靶进行Ar气溅射。
为了使Ar气等离子体能高效率地对Al靶表面进行溅射，要调节回路的匹配状态，进行约2分钟的预溅射，把Al靶表面上附着的氧和杂质蒸发清除干净。然后，使遮挡板1034向箭头方向移动(打开)，开始在光盘基片40上形成Al膜。经过约2分钟后，切断RF电源112，结束溅射，并闭遮挡板1134。其结果在基片40上形成100nm的Al反射膜。
然后，另一块基片30也以同样的方法放置到图7的溅射设备内的旋转台102上，事先把靶材换成Au，按照和Al时相同的工艺来形成金半透明膜10。但和Al时不同的是，RF供应功率为100W，成膜时间为20秒，金膜厚度为12nm。
这样形成金半透明膜10的基片30被放置到图9所示的旋转涂胶机800内，一边使旋转台200按照每分钟20转进行低速旋转，一边使UV树脂液220从供胶器250滴落到金半透明膜10上。然后，如图11所示，使基片40的Al反射面作为与树脂液220相接触的一侧，和基片30重叠在一起，把旋转台200的转速提高到500转/分，进行约2分钟的高速旋转，使UV树脂液220在基片30和基片40之间形成均匀的40μm厚的膜层。
在旋转涂敷后，基片30和基片40已紧密地结合在一起，将其放置到图12所示的UV照射装置的传送带900上，从具有金半透明膜的基片30一侧用UV灯230的2KW紫外线照射约1分钟，使基片间的UV树脂液220进行固化。用上述工艺粘合在一起的光盘样品(10是金膜)就是用于对本发明进行相对鉴定的[样品A之1]。
然后，直径120mm、厚度0.6mm、折射率1.6的相同的2块聚碳酸酯基片(按单一频率4MHz预先录制压纹状信号的称为[样品A之1])，其中，对基片40用同样的溅射法生成100nm的Al反射膜。
另一块基片30首先被放置到溅射设备内。该溅射设备一旦被抽成真空后，注入Ar气，利用高折射率的无机介质材料(折射率为4的Si)作为靶材进行溅射。通过该溅射生成约80nm的Si膜10。形成Si膜时的RF功率为400W。进行3分30秒的溅射。这2块基片30和40，和[样品A之1]完全一样地用厚度40μm的UV树脂进行粘合。
按上述工艺粘合而成的图3结构的光盘样品(10为Si膜)就是涉及本发明一个实施例的[样品B之1]。
对这样制成的[样品A之1]和[样品B之1]，在水泥地上进跌落试验，试验方法是从30cm、50cm、70cm、100cm各种不同高度自然向下跌落。其结果，[样品A之1]在30cm高度的跌落试验时产生剥离。但是，涉及本发明一个实施例的[样品B之1]即使从100cm的高处跌落下来也未剥离。
然后，把这两块样品光盘A之1和B之1分别装到图5所示的光盘鉴定驱动器上，进行性能检测。因为在这2块光盘的两个基片(30、40)上按单一载频4MHz刻制压纹状坑，所以，对该信号进行重放，利用频谱分析仪620来测量4MHz的C/N(载波噪声比)。
首先，把[样品A之1]光盘放置到图5的鉴定用驱动器上，控制主轴马达210使各个半径位置上的线速度达到3.6m/秒的一定值。然后利用激光激励器610从激光头600来照射功率1mw的连续重放光(读取激光RL)，由前置放大器616对该反射光进行放大。被放大后的反射光信号由2进制射编码电路618进行2进制射编码，然后用频频分析仪620来测量C/N。在把激光焦点对准到[样品A之1]的Al反射面20上进行测量时，C/N为58dB。
之后，再把激光焦点对准到[样品A之1]的Au半透明膜10上进行测量，这时C/N为51dB，可以看出噪声的增大。其原因大概是Au半透明膜10太薄(12nm)，金簇(团)呈岛状附着在基片30上，所以形成了噪声。
[样品B之1]也同样是在把激光焦点对准到Al反射面20上时和把焦点对准到Si介质膜10上时，分别测量了C/N，其结果分别为60dB和59dB。也就是说，[样品B之1]在重放记录膜10的记录信息时，设有出现像[样品A之1]那样的噪声增大。所以其记录膜20的重放C/N也优于[样品A之1]。
再者，在另外的测量中，把焦点对准到[样品A之1]的Au半透明膜10上，根据这时反射出来的光量换算出反射率R，R约为28％。对[样品B之1]的Si介质膜10进行同样的测量时，R为23％。可以看出：由于Si膜10的折射率高，所以，尽管Si对激光是透明的，仍能获得适当的反射光量。
另外，虽然从图6曲线图的膜厚80nm来看，反射率R为40％以上，但本实施例1的测量结果，R为23％，其原因是膜厚有偏差等。图6是对反射变化趋势的理论计算结果，而现实产品中的损耗、误差等在图6中没有考虑。例如，Si膜10若在60-100nm范围内变化，则从图6中可以看出，反射率R可降低到20-30％。
实施例2
这是和实施例1完全相同的结果，只是把粘层50从厚度40μm的UV树脂改为40μm的透明双面胶带。其中，记录膜10有两种，一种是厚度为12nm的Au膜；另一种是厚度为80nm的Si膜，它们分别是[样品A之2]和[样品B之2]。
而且，双面胶带，为了防止在粘合时混入气泡，特意在减压条件下进行粘合。对这样制成的2种样品光盘，进行了和实施例1完全相同的自然跌落试验。其结果，[样品A之2]仍然是在30cm高度的跌落试验时发生了剥离，但[样品B之2]即使在100cm高度的跌使落时也未发生剥离。
实施例3
这是与实施例1完全相同的图3的结构，利用折射率2.2的TiO2来代替Si作为高折射率的无机介质膜10，这样制成的样品称为[样品C]。
对该[样品C]进行了与实施例1完全相同的自然跌落试验。其结果，从100cm高处跌落下来，未发生剥离。
再者，对[样品C]与实施例1一样地利用图5的光盘鉴定用的驱动器进行了C/N测量。其结果，把激光焦点对准对TiO2介质面10上时、和把焦点对准到Al反射面20上时，C/N值分别为57dB和60dB。来自TiO2面10的重放光的C/N稍低于Si膜时，其原因是TiO2的折射率稍低于Si的折射率，所以，当焦点对准到TiO2上时，反射率约为20％，稍低于Si的反射率。
在此之前说明了双片粘合光盘，两面均为ROM不盘时的情况。但是，如图4所示，反射膜20也可采用能够录或录、擦、改写的记录膜90。这时，把激光焦点对准到无机介质膜10上，可重放ROM信息；把激光焦点对准到记录膜90上，可录、或录、擦、重录，即可以构成多种不同功能的双层粘合光盘。如果按照本发明采用通过高折射率的无机介质膜10的话，这种结构也可达到完全相同的效果(能防止剥离，C/N值高)。其实施如下。
实施例4
制作了图4所示的结构的双层粘合光盘。也就是说，在基片30上预先刻制最密图形的单一频率4MHz的压纹信号，和实施例1时一样在基片30上形成80nm的Si膜作为无机介质膜10。在另一块在片40上，不刻制压纹信号，而代之以刻制连续的沟槽。把该基片40放置到图7的溅射设备内的旋转台102上。在真空容器100内的阳极板1051-1054上预先放置Si、ZnS·SiO2、Ge2Sb2Te5合金、Al作为靶材。
首先，把排气阀1143完全打开，利用回转泵1141和低温泵1142，把真空容器100的真空度抽到1微乇。然后打开Ar气钢瓶116的阀117，打开真空容器100的入口阀119，把Ar气注入到真空容器100内。利用气体流量控制器118把Ar气流量调节到20SCCM(每分钟20CC流量)。然后，把排气阀1143调节到半开，把真空容器100内的Ar气压设定到0.6乇。
然后，接通马达110，使旋转台102旋转。把切换开关111调到阳极板1054一侧，把13.56MHz的RF功率400W加到Al靶上，进行约2分钟的预溅射，然后打开遮挡板1034，在基片40上形成100nm厚的Al反射膜20，所需时间为2分钟。
然后，为了把Al原子团从真空容器100内排放出去，并闭阀门119，把阀门1143完全打开，使真空容器100内的真空度再次达到10微乇。之后，再次打开阀门119，使Ar气体进入真空容器100内，把排气阀门1143调节到半开，把真空容器100内的压力调整到0.6乇。然后把切换开关111调整到阳极板1052一侧，接通RF电源112，把200W的功率加到ZnS·SiO2靶上，进行约2分钟预溅射后，打开遮挡板1032。经30秒后，接通RF电源，在Al膜20上生成厚度20nm的ZnS·SiO2膜94。
再次关闭阀门119，把排气阀门1143调到全开，把ZnS·SiO2原子团从真空容器100中赶出去。然后再次打开阀门119，使Ar气进入真空容器100内，把压力设定到0.6乇。之后把切换开关111调到阳极板1053一侧，把RF功率100W加到Ge2Sb2Te5靶上。经过约2分钟的预溅射后，打开遮挡板1033，在ZnS·SiO2膜94上，用1分钟时间生成厚度20nm的Ge2Sb2Te5相变记录膜90。
接着，再次关闭阀门119，把排气阀门1143调到全开，把Ge2Sb2Te5原子团从真空容器100中赶出去。以下和前面的工艺一样再次溅射ZnS·SiO2，经过4分30秒的溅射后，切断RF电源112，于是在Ge2Sb2Te5记录膜90上生成厚度180nm的ZnS·SiO2膜92。
这样制成的基片30和基片40，和实施例1一样，通过40μm厚的UV粘合层50粘合在一起，并使无机介质膜10和相变记录膜90互相面对面。这样制成的光盘样品称为[样品D]。
把该[样品D]光盘放置到图5的光盘鉴定驱动器上，进行以下检测。
首先，使主轴马达210旋转，这时光盘各个半径位置上的线速度要保持一定，即3.6m/秒。从激光头600发射出激光，并进行聚焦跟踪，使焦点对准到相变记录膜90上。然后对激光分两档进行强弱调制，一挡是记录用的10mw；另一档是擦去用的功率4mw。按单一频率4MHz进行占空比为50％的记录。
然后发射0.8mw的连续重放弱光，使记录在相变记录膜90上的信号重放出来，利用频谱分析仪620来测量C/N。结果获得58dB的C/N值。与实施例1-实施例3的记录膜20重放时相比，C/N值稍小。这是因为，与实施例1-实施例3的压纹信号重放相比，在相变记录膜90时由于是根据记录标记的非晶体及其周围的晶体(ZnS·SiO2)的反射率变化而检测出信号的，所以，重放信号的幅度本身稍小。这对本发明来说不是本质问题。
其次，在ZnS·SiO2介质膜10上进行聚焦跟踪，把预先录制的4MHz的压纹信号重放出来，对C/N值的测量结果为59dB，与实施例1的C/N相同。并且，跌落试验的结果也和实施例1完全相同(在1m高的跌落试验中没有剥离)。
如上所述，本发明的粘合光盘，适用于下列光盘形式：即带有反射膜20的基片40、和带有高折射率无机介质膜10的基片30，二者通过规定厚度的透明有机粘合层50而粘合在一起，激光等光束从带有无机介质膜10的一侧的基片30射入，其焦点对准到无机介质膜10或反射膜20上，把焦点对准面上的信息读出来。这种双层光盘在双层盘的半透明膜附近没有剥离故障现象，并且也不存在因半透明膜过薄而产生反射率高低不一，该面上的重放信号C/N性能下降的问题，可以获得稳定良好的重放信号。
图16是图2或图3的单面读取型粘合双层光盘的变形例，它表示粘合光盘的信息记录膜为1层结构时的部分断面的变形。
有图16的实施例中，图2或图3的信息记录膜20被不能记录信息的假记录膜20d所取代。当要在光盘中存放的总数据量完全能够集中放入信息记录膜10内时，可以采用图16的实施例(即使仅仅利用信息记录膜10也可确保约5千兆字节的存储容量)。假存储膜20d可以利用被没有实质性内容的一定信息图形(压纹信号)所涂毁的铝系金属膜来构成。(这里，所谓[被没有实质性内容的一定信息图形所涂毁]不仅是指实际上没有记录任何内容，而且也包括利用数据[0]或数据[1]等单调数据把记录面涂毁。)
图17是对图16的结构加以更改而得出的，它表示粘合光盘的信息记录膜采用1层结构时的部分断面的变形。
在图17的实施例中，图2或图3的信息记录膜20被具有标签图形的假记录兼标签记录膜20db所取代。如果最初能够确定由于只读取信息记录膜10部分，该光盘是粘合单层光盘，那么，该光盘重放机初期即可设定为不向假记录兼标签记录膜20db存取信息。在此情况下，因为假记录兼标签记录膜20db也可不对读取激光RL进行反射，所以，假记录兼标签记录膜20db的材料选择范围可以扩大。具体来说，例如可以利用已印刷了标签图形的聚碳酸酯薄膜作为假记录兼档签记录膜20db。
而且，在图16和图17的实施例中，不需要严格控制假记录膜20d或20db的厚度。但包括该假记录膜20d或20db厚度在内的基片40的厚度仍应达到规定值(0.6mm)。
图18是图2或图3单面读取型粘合双层光盘的另一变形例，它表示粘合光盘的信息记录膜采用4层结构时的部分断面变形。
其中，在已形成信息记录膜(Si等)10b的基片30上，通过紫外线固化性树脂层51(与图9的粘合剂220相同的材料即可)，形成信息记录膜(Al等)10a(2层结构)；在已形成信息记录膜(Si等)20b的基片40上，通过紫外线固化性树脂层52(粘合剂220)，形成信息记录膜(Al等)20a(2层结构)。而且，基片30的记录膜10a一侧的面、和基片40的记录膜20a一侧的面，通过粘合剂层50(粘合剂220)粘合在一起。
在图18的实施例中，信息记录膜10a和10b利用来自下侧的读取激光RL1进行读取；信息记录膜20a和20b利用来自上侧的读取光RL2进行读取。
图19是图2或图3的单面读取型粘合双层光盘的另一变形例，它表示粘合光盘的信息记录膜采用3层结构时的部分断面变形。
其中，在已形成了信息记录膜(Si等)10b的基片30上通过紫外线固化性树脂层51(粘合剂220)来形成信息记录膜(Al等)10a(2层结构)；在基片40上形成信息记录膜(Si等)20a(单层结构)。而且，基片30的记录膜10a一侧的面和基片40的记录膜20a一侧的面通过粘合剂层50(粘合剂220)而粘合在一起。
在图19的实施例中，信息记录膜10a和10b可利用来自下侧的读取激光RL1进行的读取；信息记录膜20a和10a可利用来自上侧的读取激光RL2进行读取。
图20说明经过图13-图15的工艺过程而制成的半成品光盘状态的基片30和基片40、从它们互相粘合到制成2层光盘成品的工艺过程(a)-(d)。其中以图3的结构的光盘为例进行说明。
图20(A)中，首先把聚碳酸酯基片(粘合光盘中的一片)30套在旋转台200的定位销202上并使第1信息记录膜(Si膜)10朝上。然后，把厚度40μm的间隔膜片60套在定位销202上。
使基片30与旋转台200贴紧，使间隔膜片60与基片30贴紧。然后，适量地涂敷(或点滴)低粘度紫外线固化性粘合剂220。
该粘合剂220以采用以下材料为宜：粘度300-800毫帕秒(mPa·S)的紫外线(UV)固化性粘合剂、热固化性粘合剂以及厌气性固化型粘合剂等。
图20(B)中，在涂敷或点滴规定数量的粘合剂220之后，立即把聚碳酸酯基片(粘合光盘的另一片)40套到旋转台200的定位销202上，并且使其第2信息记录膜(Al膜或Al·Mo合金膜)20朝下。使基片40贴紧基片30，使涂敷在基片30上的粘合剂220进行扩散展开。(贴紧后不能格外加力把基片40硬压到基片30一侧)。
这时，气泡(或微细灰尘污垢)混入在基片30与基片40之间扩散开的粘合剂220薄膜(即以后的粘合剂层50)中的可能性最大。这时基片30和基片40的间隔大于间隔膜片60的厚度(例如50μm)。在基片之间可能和多余的粘合剂220一起夹杂了一些气泡、灰尘等。
图20(C)中，在基片40贴紧基片30后，使旋转台200按规定速度(100-2000转/分，不必一定要接恒连旋转，也可改变速度)进行高速旋转。于是，基片30和基片40之间的多余粘合剂和气泡、灰尘等一起被高速旋转的离心力甩出到外面。
按规定时间(约10秒，该数字可根据情况适当进行更改)连续高速旋转后，旋转台200的旋转速度改变成低速旋转(例如6转/分)。这时，在基片30和40之间留下约50μm(该数值取决于间隔膜片60的厚度)左右的无气泡的均匀粘合剂膜50。这时，基片30和基片40的合计厚度大体上为1.2mm。
图20(D)中，留下无气泡的均匀粘合剂膜50的粘合光盘，接受紫外线灯230的紫外线照射。当规定时间的紫外线照射结束后，构成记录膜50的粘合剂220被固化到实用强度。这样，基片30和基片40就完全成为一个整体，2层结构的粘合光盘即制作完毕。
而且，在上述工序中，高速旋转的马达210的旋转速度及其高速旋转持续时间，可通过用多个样品进行试验来选择适当数值，以达到粘合剂膜50内无残留气泡而且其厚度为40±5μm以内。
再者，旋转台200的直径要稍小于被制光盘的外径(通常为120mm或80mm)。若使旋转台200的直径小于光盘外径，则可防止从粘合光盘外周流出的粘合剂220再流入到光盘和旋转台200台面之间。
具体的例子是：对直径120mm规格的粘合光盘，旋转台200的直径可设定在115-117mm内；对直径80mm规格的粘合光盘，旋转台200的直径可设定在75-77mm内。
并且，间隔膜片60的具体尺寸可选定为：内径15-16mm，外径20-21mm，可利用厚度约为50μm的高分子薄膜制作。
用于该间隔膜片60的高分子薄膜，在其上面不作任何记录的情况下，可使用聚碳酸酯薄膜、聚对苯二甲酸二乙醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜等。当薄膜上要印刷标签信息时，宜采用聚碳酸酯薄膜等。但是，当进行印刷时要把印刷后的薄膜实际厚度控制在规定的厚度值(例如50μm)上。
若用间隔薄膜60按图20的方法来粘合两块基片，则应使粘合剂膜50的厚度(即其中所通过的激光的光路长度)可以控制在间隔膜片60的厚度值上。例如，夹在基片30和基片40之间的同心状间隔膜片60的厚度，若设定为50μm，则夹在基片30和基片40之间的粘合剂膜50应当能自动地被控制在与间隔膜片60的厚度50μm基本相同的厚度(50±5μm)上。若要增加粘合剂膜50的厚度，则可相应地增加间隔膜片60的厚度。
图16或图17的单面读取型粘合双层光盘，由于不从第2基片40一侧进行读取，所以，可在基片40的面上配置标签LB。另一方面，图18或图19的光盘结构，由于要从基片30和基片40两方面进行读取，所以，不能在光盘上设置像图16或图17所示的大面积标签LB。
在此情况下，利用聚碳酸酯基片30和40是透明体这一性质，在夹持在基片30和40之间的间隔膜片60上印刷与光盘记录信息有关的文字、图形等。这样以来，虽然印刷的肉眼可见信息量是有限的，但光盘中央的间隔薄膜60部分可被用作光盘标签。
在上述任一实施例中，粘合多层光盘的总厚度均被控制在1.2mm。因此，带有UV树脂粘合剂层51的图18或图19的基片30本身的厚度(0.6mm弱)，小于不带粘合剂层51时的基片30本身的厚度(约0.6mm)，二者的相差量正好等于粘合剂层51的厚度(约50μm)。同样，带有UV树脂粘合剂层52的图18的基片40本身的厚度(0.6mm弱)，小于不带粘合剂层52时的基片40本身的厚度(约0.6mm)，二者的相差量正好等于粘合剂层52的厚度(约50μm)。无论是那一种情况，基片30和基片40的厚度(标准值为0.6mm)，均可根据实施例的内容不同而进行适当修改。
再者，在一实施例中使用铝钼合金薄膜作为第2信息记录膜20。但本发明并非仅限于此。根据本发明的实施例不同，第2信息记录膜20，有时实际上可以使用纯铝膜、金膜、钼以外的高熔点高强度，耐氧化性也良好的高熔点金属(钨、钽、镍、钴、白金、铬、钛等)以及铝的合金膜等。但是，第1信息记录膜10的材料仅限于使用折射率大于基片30的透明材料(Si等)。
在本发明中，利用硅等无机介质材料来形成第1信息记录膜(半透明膜)10，要确保一定的膜厚，而且与粘合层50的界面粘接强度要达到足够的程度。硅等无机介质，即使有一定的厚度(例如20nm、80nm、或160nm)也能对激光(波长650nm)RL有很高的透明度(参见图6)。并且，硅等无机介质膜10与聚碳酸酯基片30相比，折射率n较高(聚碳酸酯的n＝1.6，而硅的n＝4)。因此，把焦点对准到记录膜10上时，激光RL在基片30和记录膜10之间反射较大。于是，使无机介质膜10达到一定厚度时，就能确保粘合光盘的粘合强度，同时能满足记录膜10的高透光率和高反射率的要求。
所以，若采用本发明，则可使记录膜10达到足够的厚度，所以，可从一个方面取2层的信息的粘合光盘，在跌落冲击和长时间老化的情况下光盘不易剥离。
再者，若采用本发明，则记录膜10的激光透过率和激光反射率可同时提高，因此，也可以分别提高两层记录信息各自的反射光信号质量。也就是说，可以同时充分提高两层记录信息各自的反射光信息的C/N比(载波噪声比)。

Claims (37)

1.一种信息记录媒体，包括：
第1基片(30)，其上面形成了可用规定光束(RL)读出的信息坑，基片对该光束(RL)是透明的；
第1信息记录膜(10)，它制作在上述第1基片(30)的信息坑形成面上，由折射率(Si的n＝4，TiO2的n＝2.2)大于上述第1基片(30)的无机介质(Si或TiO2)构成；以及
第2基片(40)，它与上述第1基片(30)相粘合，把上述第1信息记录膜(10)夹在中间。
2.一种信息记录媒体，包括：
第1基片(30)，其上面形成了可用规定光束(RL)读出的信息坑，基片对该光束(RL)是透明的；
第1信息记录膜(10)，它制作在上述第1基片(30)的信息坑形成面上，由折射率(Si的n＝4，TiO2的n＝2.2)大于上述第1基片(30)的无机介质(Si或TiO2)构成；
第2基片(40)，其上面形成了可由上述光束(RL)读出的其他信息坑；
第2信息记录膜(20)，它制作在上述第2基片(40)的信息坑形成面上，由能使上述光束(RL)进行反射的光反射物质(Al、Al·Mo)；以及
粘合层(50)，用于把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，并使上述第1信息记录膜(10)和上述第2信息记录膜(20)互相面对面。
3.如权利要求1或2所述的信息记录媒体，其特征在于，上述无机介质(10)包含硅(Si)和二氧化钛(TiO2)。
4.如权利要求1-3中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，上述无机介质(10)的厚度为20nm-1000nm，最好为20nm-280nm。
5.如权利要求1-4中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，光反射物质(20)包括铝(Al)和铝钼合金(Al·Mo)。
6.如权利要求1-5中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，上述第1基片(30)包括聚碳酸酯(折射率n＝1.6)。
7.如权利要求1-5中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，上述第1基片(30)和上述第2基片(40)分别由厚度为0.6mm的聚碳酸酯(折射率n＝1.6)圆盘构成。
8.如权利要求1-7中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，上述无机介质(10)的厚度根据该无机介质(10，折射率为4的Si)中的上述光束(RL)的波长(以折射率4除空气中的波长650nm，结果约为160nm)的1/4波长(40nm)来选择(例如图6的曲线的横坐标膜厚20nm±30％或80nm±30％)。
9.如权利要求1-8中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，上述粘合层(50)包括其厚度(40μm-70μm)大于上述无机介质(10)的膜厚(20nm)的紫外线固化性树脂(图9或图20的220)。
10.如权利要求1-9中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于：
上述第1基片(30)和上述第2基片(40)分别呈中间开口圆盘形状，其规定尺寸分别为：外径120mm或80mm，内径15mm，厚度0.6mm；
还具有间隔膜片(60)，它被夹持在上述第1基片(30)和上述第2基片(40)之间，其中心孔与基片同心，具有特定的外径(21mm)和特定内径(15-16mm)以及特定的厚度(40μm)；
上述粘合层(50)躲开了上述间隔膜片(60)的位置，位于上述第1基片(30)和上述第2基片(40)之间，其一定的厚度按上述间隔膜片(60)决定。
11.一种信息记录媒体，包括：
第1基片(30)，它呈透明的圆盘状，其上面刻制了压纹状坑信息；
无机介质膜(10)，它被制作在上述第1基片(30)的压纹状坑一侧，其折射率(Si约为4，TiO2约为2.2)大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约为1.6)；
第2基片(40)，其形状与上述第1基片(30)相同；以及
粘合层(50)，用于对上述第1基片(30)和上述第2基片(40)进行粘合，并使上述无机介质膜(10)与上述第2基片(40)互相面对面。
12.一种信息记录媒体，包括：
第1基片(30)，它呈透明的圆盘形状，其上面刻制了压纹状坑信息；
无机介质膜(10)，它被制作在上述第1基片(30)的压纹状坑一侧，其折射率(Si约为4，TiO2约为2.2)大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约为1.6)；
第2基片(40)，它呈圆盘形状，其上面刻制了压纹状坑的其他信息；
反射膜(20)，它被制作在上述第2基片(40)的压纹状坑一侧；以及
粘合层(50)，它是由透明的有机材料构成的，用于把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，并使上述无机介质膜(10)与上述反射膜(20)互相面对面。
13.如权利要求11或12所述的信息记录媒体，其特征在于，上述无机介质(10)包括硅(Si)和二氧化钛(SiO2)。
14.如权利要求11-13中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，上述无机介质(10)的厚度为20nm-1000nm，最好为20nm-280nm。
15.一种信息记录媒体，它具有：
第1基片(30)，它呈透明的圆盘形状，其上面刻制了压纹状坑的信息；
无机介质膜(10)，它被制作在上述第1基片(30)的压纹状坑一侧，由ZnS·SiO2构成，其折射率大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约为1.6)；
圆盘状第2基片(40)，其上面刻制了压纹状坑的其他信息；
记录膜(90)，它制作在上述第2基片(40)的压纹状坑一侧，可以录放、录放擦或重录；以及
粘合层(50)，它由透明的有机材料(UV固化性树脂)构成，用于把上述第1基片(30)和第2基片(40)粘合在一起，并使上述无机介质膜(10)与上述记录膜(90)互相面对面。
16.如权利要求15所述的信息记录媒体，其特征在于，上述无机介质(10)包含硫化锌(ZnS)和二氧化硅(SiO2)的混合物(ZnS·SiO2)。
17.一种双层粘合型信息记录媒体的制造方法，其特征在于包括以下工序：
第1工序(图13的ST10～ST22)，在已刻制了压纹状的信息的透明圆盘状第1基片(30)的坑面上，形成第1规定厚度(例如20nm)的无机介质膜(10，例如Si)，该介质膜的折射率(Si约4)大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约1.6)；
第2工序(图14的ST30～ST42)，用于在已刻制了压纹状坑的信息的、圆盘状第2基片(40)的坑面上，形成第2规定厚度(～100nm)的光反射膜(20)；
第3工序(图9～图12的工序或图20的工序)，用于通过透明粘合层(50)把上述第1基片(30)和第2基片(40)粘合在一起，并且使按上述第1工序制成的上述第1基片(30)的无机介质膜(10)形成面、和按上述第2工序制成的上述第2基片(40)的光反射膜(20)形成面互相面对面。
18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，上述无机介质膜(10)包括硅(Si)或二氧化钛(TiO2)。
19.如权利要求17或18所述的制造方法，其特征在于，上述无机介质膜(10)的厚度为20nm-1000nm，最好是20nm-280nm。
20.如权利要求17-19中的任一项所述的制造方法，其特征在于上述光反射膜(20)包括铝(Al)或铝钼合金(Al·Mo)。
21.如权利要求17-20中的任一项所述的制造方法，其特征在于上述第1基片(30)由聚碳酸酯(折射率n＝1.6)制成。
22.如权利要求17-20中的任一项所述的制造方法，其特征在于，上述第1基片(30)和上述第2基片(40)分别由厚度为0.6mm的聚碳酸酯(折射率n＝1.6)圆盘制成。
23.如权利要求17-22中的任一项所述的制造方法，其特征在于上述无机介质膜(10)利用溅射法或真空蒸发法形成。
24.如权利要求17-23中的任一项所述的制造方法，其特征在于，上述光反射膜(20)利用溅射法或真空蒸发法形成。
25.一种双片粘合型信息记录媒体的制造方法，包括以下工序：
第1工序(图13的ST10-ST22)，用于在已刻制了压纹状坑的信息的、透明圆盘状第1基片(30)的坑面上，形成第1规定厚度(例如20nm)的无机介质膜(10，例如ZnS·SiO2)，该介质膜的折射率(Si的为4)大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约1.6)；
第2工序(图15的ST50-ST64)，用于在已刻制了压纹状坑的信息的、圆盘状第2基片(40)的坑面上，形成具有第2规定厚度(例如20nm)可在非晶体和晶体之间进行可逆性相变的相变记录膜(90)；
第3工序(图9-图12的工序或图20的工序)，用于通过透明粘合层(50)把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，并且使按上述第1工序制成的上述第1基片(30)的无机介质膜(90)形成面、与按上述第2工序制成的上述第2基片(40)的相变记录膜(90)形成面互相面对面。
26.如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，上述无机介质膜(10)包括硫化锌(ZnS)和二氧化硅(SiO2)的混合物(ZnS·SiO2)。
27.如权利要求25或26所述的方法，其特征在于上述无机介质膜(10)的厚度为20nm-1000nm，最好是20nm-280nm。
28.如权利要求25-27中的任一项所述的方法，其特征在于，上述第1基片(30)由聚碳酸酯(折射率n＝1.6)制成。
29.如权利要求25-27中的任一项所述的方法，其特征在于，上述第1基片(30)和上述第2基片(40)分别由厚度0.6mm的聚碳酸酯(折射率n＝1.6)圆盘制成。
30.如权利要求25-29中的任一项所述的方法，其特征在于上述无机介质膜(10)利用溅射法或真空蒸发法形成。
31.如权利要求25-30中的任一项所述的方法，其特征在于上述相变记录膜(90)利用溅射法或真空蒸发法形成。
32.一种信息记录媒体，包括：
第1基片(30)，其上面形成了可用规定光束(RL)读出的信息坑，该基片对上述光束(RL)是透明的；
第1信息记录膜(10)，它制作在上述第1基片(30)的信息坑形成面上，由折射率(Si的n＝4，TiO2的n＝2.2)大于上述第1基片(30)的材料(Si或TiO2)构成；以及
第2基片(40)，它和上述第1基片(30)进行粘合，把上述第1信息记录膜(10)夹在中间。
33.一种信息记录媒体，包括：
第1基片(30)，它呈透明的圆盘形状，其上面已刻制了压纹状坑的信息；
透明膜(10)，它制作在上述第1基片(30)的压纹状坑的一侧，由ZnS·SiO2构成，其折射率大于上述第1基片(30)的折射率(聚碳酸酯约为1.6)；
圆盘状第2基片(40)，其上面刻制了压纹状坑的其他信息；
记录膜(90)，它制作在上述第2基片(40)的压纹状坑一侧，可以录放、录放擦或重录(改写)；以及
粘合层(50)，它由透明的有机材料(UV固化性树脂)构成，用于把上述第1基片(30)和上述第2基片(40)粘合在一起，并使上述无机介质膜(10)与上述记录膜(90)互相面对面。
34.一种信息记录媒体，其特征在于包括：
第1基片(30)，其上面形成了可由规定光束(RL)读出的信息坑，所述第1基片对该光束是透明的；
第1信息记录膜(10)，它制作在上述第1基片的信息坑形成面上，由折射率大于上述第1基片的材料(硅、氮化硅等)构成；
第2基片(40)，它通过规定的粘合层(50)与上述第1基片粘合在一起，把上述第1信息记录膜夹在中间；以及
第2信息记录膜(20)，它制作在上述第2基片的信息坑形成面上。
上述第1基片(30)、第1信息记录膜(10)、粘合层(50)以及第2信息记录膜(20)的物理性能(折射率，厚度等)的决定原则是：要保证从上述第1基片(30)射入到上述第2基片(40)侧的上述光束(RL)在上述第1信息膜(10)中的反射率和在上述第2信息记录膜(20)中的反射率均达到约18％以上。
35.如权利要求34中所述的信息记录媒体，其特征在于，上述光束(RL)的反射率被设定为18％-30％。
36.如权利要求34或35所述的信息记录媒体，其特征在于，上述第1信息记录膜(10)包含氮化硅(Si2N3或Si3N4)。
37.如权利要求34-36中的任一项所述的信息记录媒体，其特征在于，上述粘合层(50)包含厚度40μm-70μm的紫外线固化性树脂。
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