ES2210179T3 - Soporte optico de informacion con distintas capas de grabacion. - Google Patents
Soporte optico de informacion con distintas capas de grabacion.Info
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Abstract
Soporte óptico de información para la grabación regrabable mediante un haz (14, 15) de luz láser, comprendiendo dicho soporte un sustrato (1) que tiene dispuesto en un lado del mismo: - una primera pila (8) de grabación que comprende una capa (10) de grabación del tipo de cambio de fase intercalada entre dos capas (9, 11) dieléctricas, - una segunda pila (2) de grabación que comprende una capa (5) de grabación de cambio de fase intercalada entre dos capas (4, 6) dieléctricas, - una capa (7) espaciadora transparente interpuesta entre la primera pila (8) y la segunda pila (2) de grabación, que tiene un grosor mayor que la profundidad de foco del haz (14, 15) de luz láser, y - una capa (3) especular metálica cercana a la segunda pila (2) de grabación y en un lado de la segunda pila (2) de grabación lejano de la capa (7) espaciadora transparente caracterizado porque: - la primera pila (8) de grabación comprende una capa (10) de grabación del tipo de cambio de fase de una clase seleccionadaentre una clase con una cristalización sustancialmente dominada por el crecimiento y una clase con una cristalización sustancialmente dominada por la nucleación, y - la segunda pila (2) de grabación comprende una capa (5) de grabación del tipo de cambio de fase de una clase diferente de la clase elegida para la primera pila (8) de grabación.
Description
Soporte óptico de información con distintas capas
de grabación.
La invención se refiere a un soporte óptico de
información para la grabación regrabable mediante un haz de luz
láser, comprendiendo dicho soporte un sustrato que tiene dispuesto
en un lado del mismo:
- una primera pila de grabación que comprende una
capa de grabación del tipo de cambio de fase intercalada entre dos
capas dieléctricas,
- una segunda pila de grabación que comprende una
capa de grabación del tipo de cambio de fase intercalada entre dos
capas dieléctricas,
- una capa espaciadora transparente, interpuesta
entre las primera y segunda pilas de grabación, que tiene un grosor
mayor que la profundidad de foco del haz de luz láser, y
- una capa especular metálica próxima a la
segunda pila de grabación y a un lado de la segunda pila de
grabación, lejos de la capa espaciadora transparente.
Del documento WO 99/59143 se conoce un soporte
óptico de información de este tipo. Dicho documento describe un
soporte óptico de información para la grabación de doble capa por un
lado.
El almacenamiento óptico de datos basado en el
principio del cambio de fase es atractivo porque combina las
posibilidades de la sobreescritura directa (direct overwrite - DOW)
y una elevada densidad de almacenamiento con una compatibilidad
sencilla con los sistemas de almacenamiento óptico de datos de sólo
lectura. La grabación óptica por cambio de fase supone la formación
de marcas amorfas de grabación de tamaño submicrométrico en una
película cristalina empleando un haz enfocado de luz láser de
potencia relativamente elevada. Durante la grabación de información,
el soporte se mueve con respecto al haz enfocado de luz láser, que
se modula según la información a grabar. Debido a esto, el temple
tiene lugar en la capa de grabación por cambio de fase y provoca la
formación de marcas amorfas de información en las zonas expuestas de
la capa de grabación, que permanece cristalina en las zonas no
expuestas. El borrado de las marcas amorfas se realiza mediante la
recristalización a través del calentamiento con el mismo láser a un
nivel de potencia intermedio sin fundir la capa de grabación. Las
marcas amorfas representan los bits de datos que pueden ser leídos,
por ejemplo, a través del sustrato, por un haz enfocado de luz láser
de baja potencia. Las diferencias de reflexión de las marcas amorfas
con respecto a las zonas cristalinas no expuestas de la capa de
grabación producen una haz modulado de luz láser que es convertido
posteriormente por un detector en una corriente fotónica modulada
según la información digital grabada.
Es un objeto incrementar la capacidad de
almacenamiento de soportes ópticos de grabación tales como el
DVD-Regrabable y el DVR (Digital Video Recorder) en
un disco de una sola cara. Esto puede lograrse reduciendo la
longitud de onda \lambda de la luz láser y/o aumentando la
apertura numérica (numerical aperture - NA) de una lente de
grabación porque el tamaño de punto de la luz láser es proporcional
a (\lambda/NA)^{2}. Como consecuencia de un tamaño de
punto de la luz láser más pequeño, las marcas que se graban son más
pequeñas. Por tanto, la capacidad de almacenamiento de un disco
aumenta porque caben más marcas por unidad de área del disco. Una
opción alternativa es la aplicación de múltiples capas de grabación.
Esto se denomina grabación de capa dual o doble, cuando se emplean
dos capas de grabación en el mismo lado del disco óptico. Cuando se
utilizan más de dos capas de grabación en el mismo lado del disco
óptico, se denomina grabación multicapa.
Para estos discos nuevos, el tiempo de borrado
total (complete erasure time - CET) ha de ser como mucho 60 ns. CET
se define como la duración mínima de un impulso borrador para la
cristalización completa de una marca amorfa en un entorno
cristalino, el cual se mide estáticamente. Para un
DVD-Regrabable, que puede tener una densidad de
grabación de 4,7 GB por disco de 120 mm de diámetro, se necesita una
velocidad binaria de datos de usuario de 33 Mbits/s, y para
DVD-rojo y -azul, en los que rojo y azul se refieren
a la longitud de onda empleada de luz de láser, dicha velocidad
binaria de datos es de 35 Mbits/s y de 50 Mbits/s, respectivamente.
Cada una de estas velocidades binarias de datos pueden traducirse en
un CET máximo, que se encuentra influido por varios parámetros, por
ejemplo, el diseño térmico de las pilas de grabación y los
materiales de la capa de grabación empleados.
Para una grabación de doble capa, la primera pila
de grabación debe ser lo suficientemente transmisiva como para
garantizar unas características apropiadas de lectura/escritura de
la segunda pila de grabación. El soporte conocido a partir del
documento US 6.190.750 tiene una estructura
IP_{1}IM_{1}I^{+}ISIIP_{2}IM_{2} para la grabación
regrabable por cambio de fase, que tiene dos capas metálicas de las
que la primera, M_{1}, es relativamente delgada y tiene una
transmisión óptica elevada, y de las que la segunda, M_{2}, es un
espejo con una elevada reflexión óptica. I representa una capa
dieléctrica, I^{+} representa una capa dieléctrica adicional,
P_{1}, sobre la que incide primero la luz láser, y P_{2}
representan capas de grabación por cambio de fase, y S representa
una capa espaciadora transparente. Las capas metálicas no sólo
sirven como espejo reflectante sino también como disipador de calor
para garantizar una rápida refrigeración para templar la fase amorfa
durante la escritura. El comportamiento de grabación y borrado de
las dos capas P_{1} y P_{2} de grabación, que están hechas del
mismo o muy parecido material, es diferente debido a su posición en
la pila. La capa P_{1} se encuentra presente próxima a una capa
M_{1} metálica relativamente delgada, con una capacidad limitada
de disipación de calor, mientras que la capa P_{2} se encuentra
presente cerca de una capa M_{2} especular metálica relativamente
gruesa, que ocasiona el enfriamiento sustancial de la capa P_{2}
durante la grabación. El comportamiento de enfriamiento de una capa
de grabación determina en gran medida la estrategia de impulsos de
escritura de luz láser y la velocidad requerida de grabación del haz
de luz láser durante la grabación. Además, la capa M_{1} metálica
relativamente delgada inevitablemente bloquea una parte sustancial
de la luz láser, ocasionando una potencia reducida de grabación en
la capa P_{2}.
Una desventaja del soporte conocido es que el
comportamiento de grabación y borrado de las primera y segunda capas
de grabación es sustancialmente diferente. Esto requiere una
estrategia de impulsos de escritura de luz láser y una velocidad de
grabación diferentes para cada una de las capas de grabación, lo que
hace que el aparato de grabación sea más complejo.
Un objeto de la invención es proporcionar un
soporte óptico de información del tipo descrito en el párrafo
inicial, en el que se logra un comportamiento óptimo de grabación y
borrado con una estrategia de impulsos de escritura de luz láser que
es sustancialmente la misma para las capas de grabación y con una
velocidad de grabación que es sustancialmente la misma para las
capas de grabación.
Este objeto se consigue porque
- la primera pila de grabación comprende una capa
de grabación del tipo de cambio de fase de una clase seleccionada
entre una clase con una cristalización dominada sustancialmente por
el crecimiento y una clase con una cristalización dominada
sustancialmente por la nucleación, y
- la segunda pila de grabación comprende una capa
de grabación del tipo de cambio de fase de una clase diferente a la
clase seleccionada para la primera pila de grabación.
El principio del soporte óptico de información de
la invención puede explicarse esquemáticamente mediante, por
ejemplo, la siguiente estructura de capas:
IIP_{1}IISIIP_{2}IIMI
en la que IP_{1}I es la primera capa de
grabación, IP_{2}I es la segunda capa de grabación, en la que I y
S tienen el significado mencionado anteriormente, M es una capa
especular metálica y P_{1} y P_{1} son capas de grabación del
tipo de cambio de fase de una clase distinta. Durante la grabación y
la lectura, el haz de luz láser de una grabadora óptica incide a
través de la primera pila de grabación. El sustrato sobre el que
está dispuesta la estructura de capas puede estar presente, bien
adyacente a la capa M metálica, en cuyo caso el haz de luz láser
entra a través de la primera pila de grabación sin atravesar el
sustrato, bien adyacente a la primera pila de grabación, en cuyo
caso el haz de luz láser entra a través de la primera pila de
grabación tras atravesar la capa de sustrato. Al lado de la
estructura de capas, que se encuentra lejos del sustrato, puede
estar presente una capa de cobertura que protege la estructura de
capas del
entorno.
La invención se basa en la intuición de que la
cinética de cristalización de las capas de grabación debe
corresponder con las propiedades térmicas y/o ópticas de las capas
adyacentes a las capas de grabación mediante la elección de material
para la capa de grabación. Se conocen dos mecanismos de
cristalización: cristalización dominada por el crecimiento o la
dominada por la nucleación. La presencia de un espejo M metálico
hace que la segunda pila de grabación sea una estructura de
enfriamiento relativamente rápido porque M actúa como disipador de
calor, mientras que la primera pila de grabación es una estructura
de enfriamiento relativamente lento debido a la ausencia de un
disipador de calor metálico. Es decir, la velocidad de enfriamiento,
que es importante para templar la fase amorfa durante la escritura,
y la sensibilidad de grabación son diferentes para las pilas de
grabación. Esto puede compensarse mediante la elección de capas de
grabación con propiedades de cristalización sustancialmente
diferentes. Es posible la adición de al menos una capa metálica
transparente, y por tanto relativamente delgada, adyacente a la
primera pila de grabación. La capacidad de disipación de calor de
una capa metálica adicional de este tipo es relativamente reducida.
Por tanto, una capa de ese tipo puede emplearse para realizar un
ajuste fino de la reflexión óptica y para realizar un ajuste fino de
la capacidad de disipación de calor de la primera pila de
grabación.
Durante la DOW, la velocidad a la que pueden
recristalizarse las marcas de grabación de fase amorfas determina la
velocidad de datos, que es inversamente proporcional al CET. Antes
de que pueda escribirse una marca nueva, la marca presente debe
borrarse completamente. Por tanto, la velocidad a la que puede tener
lugar el borrado o la recristalización limita la velocidad de datos
máxima del soporte de grabación. La primera pila de grabación es una
estructura de enfriamiento relativamente lento, y la capa de
grabación debe ser delgada a fin de que se transmita suficiente luz
láser a la segunda pila de grabación.
Cuando el material de cambio de fase de la capa
de grabación de la segunda pila de grabación tiene una
cristalización dominada por la nucleación y tiene un CET
relativamente corto, la elección del material de cambio de fase de
la capa de grabación de la primera pila de grabación es un material
con una cristalización dominada por el crecimiento que tiene un CET
relativamente corto. La elección de un material de cambio de fase
con una cristalización dominada por la nucleación tendrá como
resultado un CET relativamente largo porque, cuando la capa es
delgada, es menos probable que se produzca la nucleación de
cristalitos.
Cuando la segunda pila de grabación tiene un
material de capa de grabación de cambio de fase con una
cristalización dominada por el crecimiento y un CET relativamente
largo, es ventajoso elegir una capa delgada de grabación con una
cristalización dominada por la nucleación en la primera pila de
grabación a fin de ajustarse al comportamiento de la capa de
grabación en la segunda pila de grabación.
Preferiblemente, las capas dieléctricas son una
mezcla de ZnS y SiO_{2}, por ejemplo,
\hbox{(ZnS) _{80} (SiO _{2} ) _{20} .}
Alternativamente, las capas pueden ser de SiO_{2},
Ta_{2}O_{5}, TiO_{2}, ZnS, Si_{3}N_{4}, AlN,
Al_{2}O_{3}, MgO, ZnO, SiC, incluyendo sus composiciones no
estequiométricas. Especialmente, se prefieren Si_{3}N_{4}, AlN,
Al_{2}O_{3}, MgO, ZnO, SiC debido a su buena conductividad
térmica.
Para la capa especular metálica, pueden emplearse
metales tales como Al, Ti, Au, Ni, Cu, Ag, Rh, Pt, Pd, Ni, Co, Mn y
Cr y las aleaciones de estos metales. AlTi, AlCr y AlTa son ejemplos
de aleaciones adecuadas. El grosor de esta capa especular metálica
tiene poca importancia pero, preferiblemente, la transmisión es
prácticamente cero para obtener una reflexión máxima. En la
práctica, se emplea frecuentemente una capa de aproximadamente 100
nm, que tiene una transmisión óptica nula y es fácil de
depositar.
En una realización, la primera pila de grabación
comprende una capa de grabación del tipo de cambio de fase de una
clase elegida de entre una clase con una cristalización
sustancialmente dominada por el crecimiento que comprende un
compuesto de Q, In, Sb y Te, en el que Q se selecciona del grupo de
Ag y Ge, y una clase con una cristalización sustancialmente dominada
por la nucleación que comprende un compuesto de Ge, Sb y Te.
Como capa de grabación con una cristalización
sustancialmente dominada por el crecimiento es útil un compuesto de
Q, In, Sb y Te, en el que Q se selecciona del grupo de Ag y Ge y en
el que la composición atómica del compuesto está definida por la
fórmula Q_{a}In_{b}Sb_{c}Te_{d} y 0 < a \leq 15, 0 <
b \leq 6,55 \leq c \leq 80, 16 \leq d \leq 35, a + b + c
+ d = 100.
Como capa de grabación con una cristalización
sustancialmente dominada por el crecimiento son especialmente útiles
los compuestos descritos en la solicitud de patente internacional WO
01/13370. En esta solicitud se describen compuestos con una
composición atómica que está definida por la fórmula
Q_{a}In_{b}Sb_{c}Te_{d}, donde 2 \leq a \leq 9, 0 < b
\leq 6,55 \leq c \leq 80, 16 \leq d \leq 30, a + b + c +
d = 100 y Q es Ag o Ge. Estos compuestos muestran una velocidad de
cristalización dominada por el crecimiento relativamente
elevada.
Como capa de grabación del tipo de cambio de fase
con una cristalización sustancialmente dominada por la nucleación es
útil el compuesto de Ge, Sb y Te, y en el que la composición atómica
del compuesto está definida por una zona en el diagrama ternario de
composición Ge-Sb-Te, teniendo dicha
zona una forma cuadrangular que tiene los vértices:
Sb_{3}Te_{7}, Ge_{2}Te_{3}, Ge_{3}Te_{2} y SbTe.
Como capa de grabación del tipo de cambio de fase
con una cristalización sustancialmente dominada por la nucleación
son especialmente útiles los compuestos descritos en la patente
estadounidense US 5.896.822. En esta patente se describen compuestos
con una composición atómica que está definida por la fórmula
Ge_{50x}Sb_{40-40x}Te_{60-10x}
y 0,166 \leq x \leq 0,444. Estos compuestos muestran una
velocidad de cristalización dominada por la nucleación
sustancialmente elevada.
La capa de grabación del tipo de cambio de fase
de la primera pila de grabación tiene un grosor entre 5 y 15 nm. Una
capa de grabación más gruesa de la primera pila de grabación tendría
como resultado una transmisión demasiado reducida de la luz láser.
La capa de grabación de la segunda pila de grabación puede ser más
gruesa, por ejemplo, entre 10 y 35 nm.
La capa espaciadora transparente tiene
generalmente un grosor de al menos 10 micrómetros y se encuentra
presente entre las primera y segunda pilas de grabación. El grosor
es mayor que la profundidad de foco del haz de luz láser. La
profundidad de campo del haz de luz láser se determina mediante la
fórmula \lambda/(2(NA)^{2}), donde \lambda es la
longitud de onda de la luz láser y NA es la apertura numérica de la
lente objetivo de lectura/escritura. Un grosor de la capa
espaciadora transparente que sea sustancialmente mayor que esta
profundidad de foco garantiza que las primera y segunda pilas de
grabación estén ópticamente desacopladas, es decir, un haz de luz
láser enfocado sobre la capa de grabación de la primera pila de
grabación no lee/escribe información desde/en la capa de grabación
de la segunda pila de grabación y viceversa. De esta manera, se
dobla la capacidad de almacenamiento con respecto a un soporte de
información de una capa. El material de la capa espaciadora
transparente es, por ejemplo, un adhesivo o resina de acrilato
curados por UV, en la que pueden proporcionarse unas pistas de servo
mediante un proceso de reproducción.
En la primera pila de grabación, la capa
dieléctrica, sobre la que incide primero el haz de luz láser,
protege la capa de grabación de la humedad, protege las capas
colindantes de los daños por calor y óptima el contraste óptico.
Desde el punto de vista de la fluctuación (jitter), el grosor de
esta capa dieléctrica es preferiblemente de al menos 70 nm. La
fluctuación es una medida de la distorsión de la forma de una marca
de grabación y se mide como un desplazamiento temporal de bordes
ascendentes y descendentes en la señal de información. En vista al
contraste óptico, el grosor de esta capa es de manera
preferiblemente sustancial igual a (70 + \lambda/2n) nm, donde
\lambda es la longitud de onda del haz de luz láser y n es el
índice de refracción de la capa dieléctrica. En la segunda pila de
grabación, la capa dieléctrica entre la capa espaciadora
transparente y la capa de grabación tiene, por las mismas razones,
un grosor dentro del mismo intervalo. No obstante, son posibles
desviaciones de estos valores preferidos.
En la segunda pila de grabación, la capa
dieléctrica entre la capa de grabación y la capa especular metálica
tiene un grosor entre 10 y 50 nm, preferiblemente entre 20 y 40 nm.
Cuando esta capa es más delgada que 10 nm, el aislamiento térmico
entre la capa de grabación y la capa especular metálica es demasiado
bajo. Como resultado, aumenta la velocidad de enfriamiento de la
segunda capa de grabación, lo que da lugar a una mala cristalización
y a una mala capacidad de sobreescritura. Cuando esta capa es más
gruesa que 50 nm, el aislamiento térmico entre la capa de grabación
y la capa especular metálica es demasiado elevado. La velocidad de
enfriamiento se reduce y, por tanto, se reduce la velocidad de
temple de la capa de grabación del soporte durante la escritura, lo
que dificulta la formación de marcas amorfas.
La capa dieléctrica de la primera pila de
grabación, que se encuentra presente entre la primera capa de
grabación y la capa espaciadora transparente, se optima para una
transmisión máxima y su grosor depende del índice de refracción n
del material dieléctrico.
El sustrato del soporte de información consiste
en, por ejemplo, policarbonato, metacrilato de polimetilo (PMMA),
poliolefina amorfa o vidrio. En un ejemplo típico, el sustrato tiene
forma de disco y tiene un diámetro de 120 mm y un grosor de 0,6 ó
1,2 mm. Si el haz de luz láser se introduce en el soporte a través
de la cara de entrada del sustrato, la primera pila de grabación se
encuentra presente adyacente al sustrato, y el sustrato es al menos
transparente a la luz láser.
Alternativamente, la luz láser se introduce en el
soporte a través de una capa de cobertura que se encuentra presente
adyacente a la primera pila de grabación. A continuación, se
encuentra presente el sustrato adyacente a la capa especular. Por
ejemplo, en el nuevo disco de Grabación Digital de Vídeo (DVR) con
radio de 60mm se emplea una capa de cobertura. Este disco se escribe
y lee a través de esta capa de cobertura, que debe ser por tanto de
buena calidad óptica. Por ejemplo, un material adecuado como capa de
cobertura es el poli(met)acrilato curado por luz UV.
En el caso de que las pilas de grabación se escriban y lean a través
de la capa de cobertura, el sustrato no tiene por qué ser
necesariamente transparente a la luz láser.
Al menos puede haber presente una pila de
grabación adicional que esté separada de la primera y la segunda
pila de grabación por al menos una capa espaciadora transparente
adicional, siendo la capa de grabación de la pila de grabación
adicional del tipo de cambio de fase y teniendo una cinética de
cristalización que se equipara a la estrategia de impulsos de
escritura de luz láser y la velocidad de grabación de la capa de
grabación de la primera y la segunda pila de grabación.
La superficie del sustrato con forma de disco en
el lado de las pilas de grabación está dotada preferiblemente con
una pista de servo que puede explorarse ópticamente. Frecuentemente,
esta pista de servo es una ranura espiral y se forma en el sustrato
mediante un molde durante un moldeado por inyección o un prensado.
Alternativamente, estas ranuras pueden formarse durante un proceso
de reproducción en la resina sintética de la capa espaciadora
transparente, por ejemplo, un acrilato curable mediante luz UV.
La capa especular metálica y las capas
dieléctricas se han proporcionado mediante una deposición en fase de
vapor o un bombardeo iónico.
La capa de grabación de cambio de fase se ha
aplicado al sustrato por deposición al vacío, deposición al vacío
por haz de electrones, deposición química en fase de vapor,
recubrimiento iónico o bombardeo iónico.
La invención se aclarará con más detalle mediante
una realización ejemplar y con referencia al dibujo adjunto, en el
que la figura 1 muestra una vista esquemática en corte transversal
del soporte óptico de información según la invención. Las
dimensiones no están dibujadas a escala.
Realización
ejemplar
La figura 1 muestra la estructura de capas de un
soporte óptico de información para la grabación regrabable mediante
un haz 14 ó 15 de luz láser. El soporte comprende un sustrato 1. En
lado del sustrato se encuentra presente una primera pila 8 de
grabación que comprende una capa 10 de grabación del tipo de cambio
de fase. La capa 10 de grabación está intercalada entre dos capas 9
y 11 dieléctricas que están hechas, por ejemplo, de
(ZnS)_{80}(SiO_{2})_{20}, con un grosor
de, por ejemplo, 100 nm y 90 nm, respectivamente.
Se encuentra presente una segunda pila 2 de
grabación que comprende una capa 5 de grabación del tipo de cambio
de fase. La capa 5 de grabación está intercalada entre dos capas 4 y
6 dieléctricas que están hechas, por ejemplo, de
(ZnS)_{80}(SiO_{2})_{20}, con un grosor
de, por ejemplo, 25 nm y 95 nm, respectivamente.
Una capa 7 espaciadora transparente está
intercalada entre la primera pila 8 de grabación y la segunda pila 2
de grabación y tiene un grosor mayor que la profundidad de foco del
haz 14 ó 15 de luz láser. La capa 7 espaciadora transparente puede
ser, por ejemplo, un acrilato curado por UV, con un grosor de, por
ejemplo, 50 \mum.
Una capa 3 especular metálica, por ejemplo, hecha
de aluminio, con un grosor de 100 nm, está presente cerca de la
segunda pila 2 de grabación y en el lado de la segunda pila de
grabación opuesto al lado de la capa 7 espaciadora transparente. La
primera pila 8 de grabación comprende una capa 10 de grabación del
tipo de cambio de fase de una clase con una cristalización
sustancialmente dominada por el crecimiento o de una clase con una
cristalización sustancialmente dominada por la nucleación. En esta
realización, la primera pila 8 de grabación comprende una capa 10 de
grabación del tipo de cambio de fase de una clase con una
cristalización sustancialmente dominada por la nucleación que
comprende un compuesto de Ge, Sb y Te. Por ejemplo, es adecuado el
compuesto estequiométrico Gb_{2}Sb_{2}Te_{5}, con un grosor de
7 nm. La segunda pila 2 de grabación comprende una capa 5 de
grabación del tipo de cambio de fase de una clase diferente a la
clase seleccionada para la primera pila 8 de grabación. Por ejemplo,
es adecuado el compuesto de Ge, In, Sb y Te de composición atómica
Ge_{1,9}In_{0,1}Sb_{68}Te_{30}, con un grosor de 15 nm, con
una cristalización sustancialmente dominada por el crecimiento.
El sustrato 1 es un sustrato policarbonado con
forma de disco que tiene un diámetro de 120 mm y un grosor de 0,6
mm.
Una capa 12 de cobertura, hecha de, por ejemplo,
una resina Daicure SD645 curada por UV, con un grosor de 100 \mum,
está presente adyacente a la capa 11 dieléctrica.
El estado cristalino inicial de las capas 5 y 10
de grabación se obtiene mediante el calentamiento de la aleación
amorfa, tal como está depositada, con un haz de láser enfocado en
una grabadora.
Un haz 14 de luz láser para grabar, reproducir y
borrar información, se enfoca sobre la capa 10 de grabación de la
primera pila 8 de grabación y se introduce en la pila 8 a través de
la capa 12 de cobertura. El haz 15 de luz láser se enfoca sobre la
capa 5 de grabación de la segunda pila 2 de grabación.
La primera pila de grabación tiene una
transmisión de aproximadamente un 67% en el estado amorfo y una
transmisión de aproximadamente un 47% en el estado cristalino. La
primera pila de grabación tiene una reflexión de aproximadamente un
1,6% en el estado amorfo y una reflexión de aproximadamente un 8,2%
en el estado cristalino. La segunda pila de grabación tiene una
reflexión efectiva de aproximadamente un 0,9% en el estado amorfo y
una reflexión efectiva de aproximadamente un 8,5% en el estado
cristalino. El término efectivo significa "tal como se ve" a
través de la primera pila de grabación. Las pilas tienen buenas
propiedades de grabación. La fluctuación se encuentra por debajo del
13% hasta 4.000 ciclos de sobreescritura.
La invención proporciona un soporte óptico de
información de cambio de fase regrabable, tal como un
DVD-R o un DVR, con al menos dos capas de grabación
dispuestas en un lado de un sustrato y cuyas capas de grabación
requieren una velocidad de grabación sustancialmente equivalente y
una estrategia de impulsos de escritura de luz láser sustancialmente
equivalente.
Claims (7)
1. Soporte óptico de información para la
grabación regrabable mediante un haz (14, 15) de luz láser,
comprendiendo dicho soporte un sustrato (1) que tiene dispuesto en
un lado del mismo:
- -
- una primera pila (8) de grabación que comprende una capa (10) de grabación del tipo de cambio de fase intercalada entre dos capas (9, 11) dieléctricas,
- -
- una segunda pila (2) de grabación que comprende una capa (5) de grabación de cambio de fase intercalada entre dos capas (4, 6) dieléctricas,
- -
- una capa (7) espaciadora transparente interpuesta entre la primera pila (8) y la segunda pila (2) de grabación, que tiene un grosor mayor que la profundidad de foco del haz (14, 15) de luz láser, y
- -
- una capa (3) especular metálica cercana a la segunda pila (2) de grabación y en un lado de la segunda pila (2) de grabación lejano de la capa (7) espaciadora transparente
caracterizado porque
- -
- la primera pila (8) de grabación comprende una capa (10) de grabación del tipo de cambio de fase de una clase seleccionada entre una clase con una cristalización sustancialmente dominada por el crecimiento y una clase con una cristalización sustancialmente dominada por la nucleación, y
- -
- la segunda pila (2) de grabación comprende una capa (5) de grabación del tipo de cambio de fase de una clase diferente de la clase elegida para la primera pila (8) de grabación.
2. Soporte óptico de información según la
reivindicación 1, caracterizado porque la primera pila (8) de
grabación comprende una capa (10) de grabación de tipo de cambio de
fase de una clase seleccionada entre una clase con una
cristalización sustancialmente dominada por el crecimiento que
comprende un compuesto de Q, In, Sb y Te, en el que Q se selecciona
del grupo de Ag y Ge, y una clase con una cristalización
sustancialmente dominada por la nucleación que comprende una
compuesto de Ge, Sb y Te.
3. Soporte óptico de información según la
reivindicación 2, caracterizado porque la composición atómica
del compuesto de Q, In, Sb y Te está definida por la fórmula
Q_{a}In_{b}Sb_{c}Te_{d} y 0 < a \leq 15, 0 < b
\leq 6,55 \leq c \leq 80, 16 \leq d \leq 35, a + b + c + d
= 100.
4. Soporte óptico de información según la
reivindicación 2, caracterizado porque la composición atómica
del compuesto de Ge, Sb y Te está definida por una zona en el
diagrama ternario de composición
Ge-Sb-Te, teniendo dicha zona una
forma cuadrangular que tiene los vértices: Sb_{3}Te_{7},
Ge_{2}Te_{3}, Ge_{3}Te_{2} y SbTe.
5. Soporte óptico de información según la
reivindicación 4, caracterizado porque la composición atómica
del compuesto de Ge, Sb y Te está definido por la fórmula
Ge_{50x}Sb_{40-40x}Te_{60-10x}
y 0,166 \leq x \leq 0,444.
6. Soporte óptico de información según la
reivindicación 1, 2, 3, 4 ó 5, caracterizado porque la capa
(10) de grabación del tipo de cambio de fase de la primera pila (8)
de grabación tiene un grosor entre 5 y 15 mm y porque la capa (5) de
grabación del tipo de cambio de fase de la segunda pila (2) de
grabación tiene un grosor entre 10 y 35 nm.
7. Soporte óptico de información según la
reivindicación 1, caracterizado porque la capa (7)
espaciadora transparente tiene un grosor de al menos 10
micrómetros.
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