JPH07105065B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH07105065B2 JPH07105065B2 JP63239163A JP23916388A JPH07105065B2 JP H07105065 B2 JPH07105065 B2 JP H07105065B2 JP 63239163 A JP63239163 A JP 63239163A JP 23916388 A JP23916388 A JP 23916388A JP H07105065 B2 JPH07105065 B2 JP H07105065B2
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- light
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と反射層
を有する書き込み可能な光情報記録媒体に関する。
を有する書き込み可能な光情報記録媒体に関する。
［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができる
光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。このような記録層を有する
光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変
形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層の
背後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具体
的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層する、
いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がと
られる。
光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。このような記録層を有する
光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変
形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層の
背後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具体
的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層する、
いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がと
られる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１側
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録されたデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録されたデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体が
情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。この
種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず、
記録データを再生するためのピットを予めプレス等の手
段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上に
Au、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成し、さ
らにこの上を保護層で覆ったものである。
みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体が
情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。この
種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず、
記録データを再生するためのピットを予めプレス等の手
段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上に
Au、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成し、さ
らにこの上を保護層で覆ったものである。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響部
門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパクト
ディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信号
の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化され、
これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレー
ヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパクト
ディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信号
の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化され、
これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレー
ヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記光情報記録媒体は、やはりCDと同じレーザ光を用い
る記録、再生手段であるため、再生に際し、既に広く普
及したCDに準拠することが強く望まれる。
る記録、再生手段であるため、再生に際し、既に広く普
及したCDに準拠することが強く望まれる。
しかしながら、書き込み可能な情報記録媒体は、CDには
無い記録層を有し、さらにこの記録層にピットを形成す
るのを容易にするために、その背後に空隙等を有するた
め、記録層を透過したレーザ光が反射されない。これに
よって、レーザ光の入射側に反射する光量が大幅に減衰
するため、CDに比べてレーザ光の反射率が低く、いわゆ
るCDについての規格を定めた上記CDフォーマットを満足
することが困難である。従って、従来においては、CDに
準拠可能な書き込み可能な光情報記録媒体を提供するこ
とができなかった。
無い記録層を有し、さらにこの記録層にピットを形成す
るのを容易にするために、その背後に空隙等を有するた
め、記録層を透過したレーザ光が反射されない。これに
よって、レーザ光の入射側に反射する光量が大幅に減衰
するため、CDに比べてレーザ光の反射率が低く、いわゆ
るCDについての規格を定めた上記CDフォーマットを満足
することが困難である。従って、従来においては、CDに
準拠可能な書き込み可能な光情報記録媒体を提供するこ
とができなかった。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、高い反射率を有し、かつデータの再生に際し、CD
フォーマットに準拠する出力信号が得られる書き込みが
可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。
ので、高い反射率を有し、かつデータの再生に際し、CD
フォーマットに準拠する出力信号が得られる書き込みが
可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明においては
採用した手段の要旨は、透光性を有する基板上に直接ま
たは他の層を介して光吸収層が形成され、この光吸収層
の上に直接または他の層を介して光反射層が形成された
光情報記録媒体において、根光吸収層の複素屈折率の実
数部nabsが、nabs≧1.8であり、かつその虚数部kabsが
0.001≦kabs≦0.3であることを特徴とする光情報記録媒
体である。
採用した手段の要旨は、透光性を有する基板上に直接ま
たは他の層を介して光吸収層が形成され、この光吸収層
の上に直接または他の層を介して光反射層が形成された
光情報記録媒体において、根光吸収層の複素屈折率の実
数部nabsが、nabs≧1.8であり、かつその虚数部kabsが
0.001≦kabs≦0.3であることを特徴とする光情報記録媒
体である。
［作用］ 上記光情報記録媒体の光吸収層の複素屈折率の実数部n
absと膜厚dabsとレーザ光の波長入よりなるρ＝nabs・d
abs／λと反射率の関係は、第４図にその１例を示した
とおり、周期関数で表される。反射率を高くするために
は第１ピーク（ρ＝０）あるいは第２、第３のピーク付
近を選ぶのが望ましい。第３ピーク以降は、第１、第２
ピークより反射率が低い。
absと膜厚dabsとレーザ光の波長入よりなるρ＝nabs・d
abs／λと反射率の関係は、第４図にその１例を示した
とおり、周期関数で表される。反射率を高くするために
は第１ピーク（ρ＝０）あるいは第２、第３のピーク付
近を選ぶのが望ましい。第３ピーク以降は、第１、第２
ピークより反射率が低い。
また、第１ピークは感度および吸収層に蓄えられる熱エ
ネルギーが、第２ピーク以降より少ない。従って、利用
により適している第２ピークの反射率について、nabsと
の関係の１例を示したのが第５図である。これは、反射
層３をAuで形成し、光吸収層２の上に直接設けた例であ
り、Kabs＝0.06、λ＝780nmを用いて計算により求め
た。
ネルギーが、第２ピーク以降より少ない。従って、利用
により適している第２ピークの反射率について、nabsと
の関係の１例を示したのが第５図である。これは、反射
層３をAuで形成し、光吸収層２の上に直接設けた例であ
り、Kabs＝0.06、λ＝780nmを用いて計算により求め
た。
本件発明者らは、このグラフで示された関係を基礎とし
て、上記光吸収層の複素屈折率の実数部nabsを1.8以上
とすることにより、反射率をCDフォーマットに準拠する
70％以上とすることができることに着目するに至った。
さらに、この光情報記録媒体に、例えば、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射
し、EFM信号を記録した後、これを市販のCDプレーヤで
再生した場合、CDフォーマットに準拠した明瞭なアイパ
ターンが得られ、このアイパターンから求められるI11
／Itopが0.6以上、I3／Itopが0.3〜0.6であることにも
着目するに至った。本件発明は、この着目に基づきなさ
れたものである。
て、上記光吸収層の複素屈折率の実数部nabsを1.8以上
とすることにより、反射率をCDフォーマットに準拠する
70％以上とすることができることに着目するに至った。
さらに、この光情報記録媒体に、例えば、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射
し、EFM信号を記録した後、これを市販のCDプレーヤで
再生した場合、CDフォーマットに準拠した明瞭なアイパ
ターンが得られ、このアイパターンから求められるI11
／Itopが0.6以上、I3／Itopが0.3〜0.6であることにも
着目するに至った。本件発明は、この着目に基づきなさ
れたものである。
さらに、光情報記録媒体が上記のような反射率を有する
ためには、光吸収層の透光性が十分確保されていなけれ
ばならない。例えば、第６図は、反射層にAu膜を用いた
光情報記録媒体において、シアニン系色素からなる光吸
収層の透光性を変え、複素屈折率の実数部をnabs＝2.4
および3.4と一定にしながら、その虚数部kabsを０に近
い値から2.0まで変化させたときの反射率を示す。上記
の条件のもとで高い反射率を維持するためには、光吸収
層の透光性が十分高くなければならず、同層の複素屈折
率の虚数部kabsが0.3以下である必要がある。
ためには、光吸収層の透光性が十分確保されていなけれ
ばならない。例えば、第６図は、反射層にAu膜を用いた
光情報記録媒体において、シアニン系色素からなる光吸
収層の透光性を変え、複素屈折率の実数部をnabs＝2.4
および3.4と一定にしながら、その虚数部kabsを０に近
い値から2.0まで変化させたときの反射率を示す。上記
の条件のもとで高い反射率を維持するためには、光吸収
層の透光性が十分高くなければならず、同層の複素屈折
率の虚数部kabsが0.3以下である必要がある。
［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第３図に示す。同図において、１は、透光性を有
する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照射
されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇華、
変形または変性し、上記透光性基板１の表面にピットを
形成する作用を有する層である。
１図〜第３図に示す。同図において、１は、透光性を有
する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照射
されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇華、
変形または変性し、上記透光性基板１の表面にピットを
形成する作用を有する層である。
既に述べた通り、本発明においては、上記光吸収層２の
複素屈折率の実数部nabsが1.8以上であり、かつその虚
数部kabsが0.001〜0.3であることが必要である。
複素屈折率の実数部nabsが1.8以上であり、かつその虚
数部kabsが0.001〜0.3であることが必要である。
３は、その上に形成されたレーザ光を反射する光反射
層、４は、その外側に設けられた保護層を示す。なお、
第２図は、レーザ光による記録前の状態を、第３図は、
記録後の状態、すなわち、レーザ光の照射時の光吸収層
２の局部的に変化し、エネルギー変換により、基板１の
表面が一部変形され、光学的に変性したピット５が形成
された状態を模式的に示す。
層、４は、その外側に設けられた保護層を示す。なお、
第２図は、レーザ光による記録前の状態を、第３図は、
記録後の状態、すなわち、レーザ光の照射時の光吸収層
２の局部的に変化し、エネルギー変換により、基板１の
表面が一部変形され、光学的に変性したピット５が形成
された状態を模式的に示す。
この光情報記録媒体の具体例について、以下に説明す
る。
る。
（実施例１） 幅0.8μｍ、深さ0.08μｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル
状のプレグループが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。
状のプレグループが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。
この透光性基板１の表面にシリコン系コート剤を約20mn
の厚さにスピンコートし、耐溶剤処理した後、光吸収層
２を形成するための有機色素として、8.5gの下記化学式
で示される可溶性フタロシアニンを、ジメチルホルムア
ミド溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の上にスピ
ンコート法により塗布し、膜厚160nmの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈曲率
は、nabs＝1.9、kabs＝0.05である。
の厚さにスピンコートし、耐溶剤処理した後、光吸収層
２を形成するための有機色素として、8.5gの下記化学式
で示される可溶性フタロシアニンを、ジメチルホルムア
ミド溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の上にスピ
ンコート法により塗布し、膜厚160nmの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈曲率
は、nabs＝1.9、kabs＝0.05である。
さらに、ディスクの全面にスパッタリング法により、膜
厚50nmのAu膜を製膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの保
護層４を形成した。
厚50nmのAu膜を製膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの保
護層４を形成した。
R:−Ｃ（CH3)3、M:Co こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導体レ
ーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM信
号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCDプ
レーヤ（Aurex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で再
生したところ、光ディスクの反射率が73％、アイパター
ンから求められるI11／Itopが0.63、I3／Itopが0.35で
あった。
ーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM信
号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCDプ
レーヤ（Aurex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で再
生したところ、光ディスクの反射率が73％、アイパター
ンから求められるI11／Itopが0.63、I3／Itopが0.35で
あった。
CD規格では、反射率が70％以上、I11／Itopが0.6以上、
I3／Itopが0.3〜0.7と定められており、この実施例によ
る光ディスクは、この規格を満足している。
I3／Itopが0.3〜0.7と定められており、この実施例によ
る光ディスクは、この規格を満足している。
（実施例２） 上記実施例１において、透光性基板１として、表面に2p
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ープを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
シリコン系コート剤をコーティングせずに直接Cr−ビス
１（２ヒドロキシフェニル）アゾ２ヒドロキシナフタレ
ート（オリエント化学（株）製、Oil Black HBB）5.0g
をジクロルエタン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、
厚さ150nmの光吸収層２を形成したこと、光反射層３と
して直接AuとIrとの9:1の合金薄膜からなる光反射層を
設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを製作した。なお、この光ディスクにおける光吸収層
２の複素屈折率の実数部nabsは、2.05、その虚数部kabs
は、0.02である。
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ープを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
シリコン系コート剤をコーティングせずに直接Cr−ビス
１（２ヒドロキシフェニル）アゾ２ヒドロキシナフタレ
ート（オリエント化学（株）製、Oil Black HBB）5.0g
をジクロルエタン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、
厚さ150nmの光吸収層２を形成したこと、光反射層３と
して直接AuとIrとの9:1の合金薄膜からなる光反射層を
設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを製作した。なお、この光ディスクにおける光吸収層
２の複素屈折率の実数部nabsは、2.05、その虚数部kabs
は、0.02である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率が80％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.33である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率が80％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.33である。
（実施例３） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、厚30nmのSiN層をチッソガスによる
反応性スパッタリング法により形成したこと、この上に
6.5gの３、３′−（２−アセトキシエチル）10−ジフェ
ニルアミノ９、11エチレンチアジカーボシアニンパーク
ロレートをアセチルアセトン溶剤10ccに溶解してスピン
コートし、厚さ130nmの光吸収層を形成したこと、及び
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の
実数部nabsは、2.4、その虚数部kabsは、0.06である。
コート剤に代えて、厚30nmのSiN層をチッソガスによる
反応性スパッタリング法により形成したこと、この上に
6.5gの３、３′−（２−アセトキシエチル）10−ジフェ
ニルアミノ９、11エチレンチアジカーボシアニンパーク
ロレートをアセチルアセトン溶剤10ccに溶解してスピン
コートし、厚さ130nmの光吸収層を形成したこと、及び
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の
実数部nabsは、2.4、その虚数部kabsは、0.06である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.61、I3
／Itopが0.32である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.61、I3
／Itopが0.32である。
（実施例４） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、スピンコート法により厚さ60nmのポ
リスチレン樹脂層を形成したこと、さらにスパッタリン
グ法により、この上に厚さ30mmのSiO2層を形成したこ
と、この上に7.0gの３、３′−ジ（３−アセトキシプロ
ピル）５、６、５′、６′−テトラメトキシチアジカー
ボシアニントルエンスルホネートを、ヒドロキシアセト
ン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ140nmの光
吸収層２を形成したこと、光吸収層２の上に直接光反射
層３を真空蒸着法により設けたこと、及び保護層４をビ
スフェノールの硬化型エポキシ樹脂の厚みを５μｍとし
たこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを
製作した。なお、この光ディスクにおける光吸収層２の
複素屈折率の実数部nabsは、2.35、その虚数部kabsは、
0.1である。
コート剤に代えて、スピンコート法により厚さ60nmのポ
リスチレン樹脂層を形成したこと、さらにスパッタリン
グ法により、この上に厚さ30mmのSiO2層を形成したこ
と、この上に7.0gの３、３′−ジ（３−アセトキシプロ
ピル）５、６、５′、６′−テトラメトキシチアジカー
ボシアニントルエンスルホネートを、ヒドロキシアセト
ン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ140nmの光
吸収層２を形成したこと、光吸収層２の上に直接光反射
層３を真空蒸着法により設けたこと、及び保護層４をビ
スフェノールの硬化型エポキシ樹脂の厚みを５μｍとし
たこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを
製作した。なお、この光ディスクにおける光吸収層２の
複素屈折率の実数部nabsは、2.35、その虚数部kabsは、
0.1である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.33である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.33である。
（実施例５） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、スピンコート法により、厚さ60nmの
ポリ酢酸ビニル層を形成したこと、この上に6.7gの１、
１′ジブチル３、３、３′、３′テトラメチル５、５′
ジエトキシインドジカーボシアニンバークロレートをジ
アセトンアルコール溶剤10ccに溶解してスピンコート
し、厚さ135nmの光吸収層を形成したこと、及びこの上
に真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を設けたこと以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。なお、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈
折率の実数部nabsは、2.6、その虚数部kabsは、0.07で
ある。
コート剤に代えて、スピンコート法により、厚さ60nmの
ポリ酢酸ビニル層を形成したこと、この上に6.7gの１、
１′ジブチル３、３、３′、３′テトラメチル５、５′
ジエトキシインドジカーボシアニンバークロレートをジ
アセトンアルコール溶剤10ccに溶解してスピンコート
し、厚さ135nmの光吸収層を形成したこと、及びこの上
に真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を設けたこと以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。なお、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈
折率の実数部nabsは、2.6、その虚数部kabsは、0.07で
ある。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.64、I3
／Itopが0.36である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.64、I3
／Itopが0.36である。
（実施例６） 上記実施例１において、透光性基板１としてガラス基板
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
上記光吸収層２の上にポリブタジエンを10nmの厚さにス
ピンコートした後、この上に真空蒸着法でAu膜からなる
光反射層３を設けたこと以外は、上記実施例１と同様に
して光ディスクを製作した。なお、この光ディスクにお
ける光吸収層２の複素屈折率の実数部nabsは、1.82、そ
の虚数部kabsは、0.04である。
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
上記光吸収層２の上にポリブタジエンを10nmの厚さにス
ピンコートした後、この上に真空蒸着法でAu膜からなる
光反射層３を設けたこと以外は、上記実施例１と同様に
して光ディスクを製作した。なお、この光ディスクにお
ける光吸収層２の複素屈折率の実数部nabsは、1.82、そ
の虚数部kabsは、0.04である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は75％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は75％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
（実施例７） 上記実施例１において、透光性基板１の上に、シリコン
コート剤をコーティングせず直接、8.0gの下記化学式で
示される有機色素をブタノール溶剤10ccに溶解してスピ
ンコートし、厚さ65nmの光吸収層２を形成したこと、光
吸収層２と光反射層３との間に厚さ160nmのSiO2層を介
在させたこと、真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を
設けたこと、光反射層３の上に厚さ20nmのポリブタジエ
ンをコーティングした上に保護層４を設けたこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
なお、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率
の実数部nabcは、2.0、その虚数部kabsは、0.2である。
コート剤をコーティングせず直接、8.0gの下記化学式で
示される有機色素をブタノール溶剤10ccに溶解してスピ
ンコートし、厚さ65nmの光吸収層２を形成したこと、光
吸収層２と光反射層３との間に厚さ160nmのSiO2層を介
在させたこと、真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を
設けたこと、光反射層３の上に厚さ20nmのポリブタジエ
ンをコーティングした上に保護層４を設けたこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
なお、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率
の実数部nabcは、2.0、その虚数部kabsは、0.2である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
R:−Ｃ（CH3)3、M:TiCl2 （実施例８） 上記実施例１において、透光性基板１の上に、シリコン
系コート剤に代えて、膜厚30nmのSiNを反応性スパッタ
リング法によりコーティングしたこと、光吸収層２の上
にシリコン樹脂を膜厚40nmコーティングにより形成した
こと、光反射層３を真空蒸着法で形成したこと、光反射
層３の上に厚さ20nmのビスフェノール硬化型エポキシ樹
脂をコーティングし、この上に保護層４を設けたこと以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
系コート剤に代えて、膜厚30nmのSiNを反応性スパッタ
リング法によりコーティングしたこと、光吸収層２の上
にシリコン樹脂を膜厚40nmコーティングにより形成した
こと、光反射層３を真空蒸着法で形成したこと、光反射
層３の上に厚さ20nmのビスフェノール硬化型エポキシ樹
脂をコーティングし、この上に保護層４を設けたこと以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は77％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は77％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
（実施例９） 上記実施例１において、透光性基板１として、表面に2p
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ープを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
耐溶剤処理せずに直接Cr−ビス１（２ヒドロキシフェニ
ル）アゾ２ヒドロキシナフタレート（オリエント化学
（株）製、Oil Black HBB）5.0gをジクロルエタン溶剤1
0ccに溶解してスピンコートし、厚さ150nmの光吸収層２
を形成したこと、光反射層３として直接Ag膜からなる光
反射層を真空蒸着法により設けたこと以外は、上記実施
例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、この光
ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の実数部nabs
は、2.05、その虚数部kabsは、0.02である。
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ープを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
耐溶剤処理せずに直接Cr−ビス１（２ヒドロキシフェニ
ル）アゾ２ヒドロキシナフタレート（オリエント化学
（株）製、Oil Black HBB）5.0gをジクロルエタン溶剤1
0ccに溶解してスピンコートし、厚さ150nmの光吸収層２
を形成したこと、光反射層３として直接Ag膜からなる光
反射層を真空蒸着法により設けたこと以外は、上記実施
例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、この光
ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の実数部nabs
は、2.05、その虚数部kabsは、0.02である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率が80％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.64、I3
／Itopが0.33である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率が80％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.64、I3
／Itopが0.33である。
（実施例10） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、シリコン樹脂を膜厚20nmにスピンコ
ートで形成したこと、この上に6.5gの３、３′−（２−
アセトキシエチル）10−ジフェニルアミノ９、11エチレ
ンチアジカーボシアニンパークロレートをアセチルアセ
トン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ130nmの
光吸収層２を形成したこと、及び光吸収層２の上に直接
AuとIrとの9:1の合金膜からなる光反射層３を設けたこ
と以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作
した。なお、この光ディスクにおける光吸収層２の複素
屈折率の実数部nabsは、2.4、その虚数部kabsは、0.06
である。
コート剤に代えて、シリコン樹脂を膜厚20nmにスピンコ
ートで形成したこと、この上に6.5gの３、３′−（２−
アセトキシエチル）10−ジフェニルアミノ９、11エチレ
ンチアジカーボシアニンパークロレートをアセチルアセ
トン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ130nmの
光吸収層２を形成したこと、及び光吸収層２の上に直接
AuとIrとの9:1の合金膜からなる光反射層３を設けたこ
と以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作
した。なお、この光ディスクにおける光吸収層２の複素
屈折率の実数部nabsは、2.4、その虚数部kabsは、0.06
である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.31である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.31である。
（実施例11） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤をコーティングせずに、直接この上に7.0gの
３、３′−ジ（３−アセトキシプロピル）５、６、
５′、６′−テトラメトキシチアジカーボシアニントル
エンスルホネートを、ヒドロキシアセトン溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ140nmの光吸収層２を形成
したこと、光反射層３の上にポリサルファイド添加エポ
キシ樹脂を20nmの厚さに塗布し、その上に保護層４を形
成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを製作した。なお、この光ディスクにおける光吸収層
２の複素屈折率の実数部nabsは、2.35、その虚数部kabs
は、0.1である。
コート剤をコーティングせずに、直接この上に7.0gの
３、３′−ジ（３−アセトキシプロピル）５、６、
５′、６′−テトラメトキシチアジカーボシアニントル
エンスルホネートを、ヒドロキシアセトン溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ140nmの光吸収層２を形成
したこと、光反射層３の上にポリサルファイド添加エポ
キシ樹脂を20nmの厚さに塗布し、その上に保護層４を形
成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを製作した。なお、この光ディスクにおける光吸収層
２の複素屈折率の実数部nabsは、2.35、その虚数部kabs
は、0.1である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.63、I3
／Itopが0.32である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.63、I3
／Itopが0.32である。
（実施例12） 上記実施例１において、透光性基板１の上に透光性基板
１の上にシリコン系コート剤をコーティングせずに、直
接この上に6.7gの１、１′ジブチル３、３、３′、３′
テトラメチル５、５′ジェトキシインドジカーボシアニ
ンバークロレートをジアセトンアルコール溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ135nmの光吸収層を形成し
たこと、及びこの上に厚さ60nmのZnS膜を真空蒸着法に
より成膜し、この上に光反射層３を設けたこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の
実数部nabsは、2.6、その虚数部kabsは0.07である。
１の上にシリコン系コート剤をコーティングせずに、直
接この上に6.7gの１、１′ジブチル３、３、３′、３′
テトラメチル５、５′ジェトキシインドジカーボシアニ
ンバークロレートをジアセトンアルコール溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ135nmの光吸収層を形成し
たこと、及びこの上に厚さ60nmのZnS膜を真空蒸着法に
より成膜し、この上に光反射層３を設けたこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の
実数部nabsは、2.6、その虚数部kabsは0.07である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は82％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.33である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は82％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.33である。
（実施例13） 上記実施例１において、透光性基板１としてガラス基板
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
この上に厚さ60nmのSiO2膜をスパッタリング法により成
膜し、この上に光反射層３を設けたことこと以外は、上
記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、
この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の実数
部nabsは、1.82、その虚数部kabsは0.04である。
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
この上に厚さ60nmのSiO2膜をスパッタリング法により成
膜し、この上に光反射層３を設けたことこと以外は、上
記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、
この光ディスクにおける光吸収層２の複素屈折率の実数
部nabsは、1.82、その虚数部kabsは0.04である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.62、I3
／Itopが0.32である。
（比較例１） 上記実施例１において、8.0gの下記化学式で示される有
機色素をエタノール溶剤10ccに溶解してスピンコート
し、厚さ120nmの光吸収層２を形成したこと、及び上記
光吸収層２の上にポリブタジエンを10nmの厚さにスピン
コートした後、この上に真空蒸着法でAu膜からなる光反
射層３を設けたこと以外は、上記実施例11と同様にして
光ディスクを製作した。なお、この光ディスクにおける
光吸収層２の複素屈折率の実数部nabsは1.4、その虚数
部kabsは0.12である。
機色素をエタノール溶剤10ccに溶解してスピンコート
し、厚さ120nmの光吸収層２を形成したこと、及び上記
光吸収層２の上にポリブタジエンを10nmの厚さにスピン
コートした後、この上に真空蒸着法でAu膜からなる光反
射層３を設けたこと以外は、上記実施例11と同様にして
光ディスクを製作した。なお、この光ディスクにおける
光吸収層２の複素屈折率の実数部nabsは1.4、その虚数
部kabsは0.12である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は58％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.64、I3
／Itopが0.30であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は58％、再生
信号のアイパターンから得られるI11／Itopが0.64、I3
／Itopが0.30であった。
この光ディスクは既に述べたCDフォーマットを、光の反
射率の点で満足することができない。
射率の点で満足することができない。
（比較例２） 上記実施例11において、6.7gの１、１′ジエチル３、
３、３′、３′テトラメチルインドトリカーボシアニン
パークロレートをジアセトンアルコール溶剤10ccに溶解
してスピンコートし、厚さ120nmの光吸収層２を形成し
たこと、この上に真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３
なる光反射層３を設けたこと以外は、上記実施例11と同
様にして光ディスクを製作した。なお、この光ディスク
における光吸収層２の複素屈折率の実数部nabsは、2.
6、その虚数部kabsは1.6である。
３、３′、３′テトラメチルインドトリカーボシアニン
パークロレートをジアセトンアルコール溶剤10ccに溶解
してスピンコートし、厚さ120nmの光吸収層２を形成し
たこと、この上に真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３
なる光反射層３を設けたこと以外は、上記実施例11と同
様にして光ディスクを製作した。なお、この光ディスク
における光吸収層２の複素屈折率の実数部nabsは、2.
6、その虚数部kabsは1.6である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は僅か19％
で、再生信号のアイパターンが明瞭でなく、これから得
られるI11／ItopとI3／Itopが何れも測定できなかっ
た。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は僅か19％
で、再生信号のアイパターンが明瞭でなく、これから得
られるI11／ItopとI3／Itopが何れも測定できなかっ
た。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、70％以上と、反射
率が高く、しかも、光吸収層に記録してデータを再生し
た場合に、CDフォーマットに準拠した再生信号が得られ
る書き込み可能な光情報記録媒体が得られる。
率が高く、しかも、光吸収層に記録してデータを再生し
た場合に、CDフォーマットに準拠した再生信号が得られ
る書き込み可能な光情報記録媒体が得られる。
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図のＡ部拡大図、第３図は、
上記Ａ部の記録後の状態の一例を示す断面図、第４図
は、ρ＝nabs・dabs／λと反射率との関係の例を示すグ
ラフ、第５図は、光情報記録媒体の光吸収層におけるn
absと反射率との関係の例を示すグラフ、第６図は、上
記複素屈折率の虚数部kabsと反射率との関係を示すグラ
フである。 １……基板、２……光吸収層、３……反射層、４……保
護層
面斜視図、第２図は、第１図のＡ部拡大図、第３図は、
上記Ａ部の記録後の状態の一例を示す断面図、第４図
は、ρ＝nabs・dabs／λと反射率との関係の例を示すグ
ラフ、第５図は、光情報記録媒体の光吸収層におけるn
absと反射率との関係の例を示すグラフ、第６図は、上
記複素屈折率の虚数部kabsと反射率との関係を示すグラ
フである。 １……基板、２……光吸収層、３……反射層、４……保
護層
Claims (1)
- 【請求項１】透光性を有する基板上に直接または他の層
を介して光吸収層が形成され、この光吸収層の上に直接
または他の層を介して光反射層が形成された光情報記録
媒体において、光吸収層の複素屈折率の実数部nabsが、
nabs≧1.8であり、かつその虚数部kabsが0.001≦kabs≦
0.3であることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239163A JPH07105065B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
| US07/340,528 US5090009A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| AT89106811T ATE125381T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium. |
| DE68923494T DE68923494T3 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium. |
| ES89106811T ES2076942T5 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Medio optico de registro de informacion. |
| EP89106811A EP0353393B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording medium |
| CA000599415A CA1326710C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording medium |
| MYPI89000676A MY106967A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording medium. |
| AU35107/89A AU608158B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording medium |
| DK198902545A DK174000B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Optisk informationsoptegningsmedium |
| PH3870889K PH26094A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording medium |
| KR1019890010426A KR950005964B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 매체 |
| FI893563A FI893563A (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Optiskt dataregistreringsorgan. |
| PT91309A PT91309B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Meio de registo de informacao optica |
| HK86796A HK86796A (en) | 1988-07-30 | 1996-05-16 | Optical information recording system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239163A JPH07105065B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287339A JPH0287339A (ja) | 1990-03-28 |
| JPH07105065B2 true JPH07105065B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17040671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63239163A Expired - Lifetime JPH07105065B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105065B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2858013B2 (ja) * | 1989-08-03 | 1999-02-17 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録方法 |
| JPH0765414A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Hitachi Ltd | 情報記録用媒体 |
| KR100766764B1 (ko) | 2004-07-16 | 2007-10-17 | 미츠비시 가가쿠 메디아 가부시키가이샤 | 광기록 매체 및 광기록 매체의 광기록 방법 |
| WO2007080937A1 (ja) | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 光記録媒体 |
| JP5188422B2 (ja) | 2009-02-27 | 2013-04-24 | オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 | スイッチ装置 |
-
1988
- 1988-09-24 JP JP63239163A patent/JPH07105065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0287339A (ja) | 1990-03-28 |
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