JP2764895B2 - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents
光情報記録媒体とその記録方法Info
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- JP2764895B2 JP2764895B2 JP63270409A JP27040988A JP2764895B2 JP 2764895 B2 JP2764895 B2 JP 2764895B2 JP 63270409 A JP63270409 A JP 63270409A JP 27040988 A JP27040988 A JP 27040988A JP 2764895 B2 JP2764895 B2 JP 2764895B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録
データを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関す
る。
データを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関す
る。
［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができ
る、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Te、B
i、Mn等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロ
シアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光
の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性
させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録す
る。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピットを
形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容
易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一般
に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟んで
２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構造
と呼ばれる積層構造がとられる。
る、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Te、B
i、Mn等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロ
シアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光
の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性
させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録す
る。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピットを
形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容
易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一般
に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟んで
２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構造
と呼ばれる積層構造がとられる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に実用化されている。この種
の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず、記
録データを再生するためのプレピットやプレグループを
予めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板の上に
形成し、この上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる光
反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったもので
ある。
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に実用化されている。この種
の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず、記
録データを再生するためのプレピットやプレグループを
予めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板の上に
形成し、この上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる光
反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったもので
ある。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記書き込み可能な光情報記録媒体は、やはりCDと同
じレーザ光を用いる記録、再生手段であるため、再生に
際し、既に広く普及したCDに準拠することが強く望まれ
る。
じレーザ光を用いる記録、再生手段であるため、再生に
際し、既に広く普及したCDに準拠することが強く望まれ
る。
しかしながら、前者の書き込み可能な光情報記録媒体
は、CDには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にピットを形成するのを容易にするため
の空隙層等を有することから、再生信号が自ずとCDと異
なってくる。このため、いわゆるCDについての規格を定
めた上記CDフォーマットを満足することが困難である。
従って、従来においては、CDに準拠できる書き込み可能
な光情報記録媒体を提供することができなかった。
は、CDには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にピットを形成するのを容易にするため
の空隙層等を有することから、再生信号が自ずとCDと異
なってくる。このため、いわゆるCDについての規格を定
めた上記CDフォーマットを満足することが困難である。
従って、従来においては、CDに準拠できる書き込み可能
な光情報記録媒体を提供することができなかった。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされた
もので、その目的は、情報記録後のその情報再生に際
し、CDフォーマットに準拠する出力信号が得られる書き
込みが可能な光情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適
したその情報記録方法を提供することにある。
もので、その目的は、情報記録後のその情報再生に際
し、CDフォーマットに準拠する出力信号が得られる書き
込みが可能な光情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適
したその情報記録方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明において
採用した第一の手段の要旨は、透光性基板の上に、レー
ザ光の照射により局部的な熱変形を伴う光吸収層と、そ
の背後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記
録媒体において、上記光吸収層と上記光反射層との間
に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質
層が、ロックウェル硬度ASTM785においてM100以上、熱
変形温度ASTM648において100℃（4.6kg/cm2）以上の何
れか少なくとも一方の特性を有する光情報記録媒体であ
る。
採用した第一の手段の要旨は、透光性基板の上に、レー
ザ光の照射により局部的な熱変形を伴う光吸収層と、そ
の背後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記
録媒体において、上記光吸収層と上記光反射層との間
に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質
層が、ロックウェル硬度ASTM785においてM100以上、熱
変形温度ASTM648において100℃（4.6kg/cm2）以上の何
れか少なくとも一方の特性を有する光情報記録媒体であ
る。
さらに、本発明において採用した第二の手段の要旨
は、透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的な
熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射す
る光反射層を有する光情報記録媒体において、レーザ光
が入射する透光性基板に対して、上記光反射層の背後側
に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質
層が、ロックウェル硬度ASTM785において、M100以上、
熱変形温度ASTM648において100℃（4.6kg/cm2）以上の
何れか少なくとも一方の特性を有する光情報記録媒体で
ある。
は、透光性基板の上に、レーザ光の照射により局部的な
熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射す
る光反射層を有する光情報記録媒体において、レーザ光
が入射する透光性基板に対して、上記光反射層の背後側
に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質
層が、ロックウェル硬度ASTM785において、M100以上、
熱変形温度ASTM648において100℃（4.6kg/cm2）以上の
何れか少なくとも一方の特性を有する光情報記録媒体で
ある。
さらに、本発明において採用した第三の手段の要旨
は、透光性基板の上に、レーザ光の照射により熱変形を
伴う光吸収層を有する光情報記録媒体を用い、上記基板
側から入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記録
データ再生用のピットを形成する光情報記録方法におい
て、前記のような光情報記録媒体を使用し、レーザ光の
照射時のそれらの光吸収層の局部的な熱変形により、透
光性基板の表面を一部変形させて、ピットを形成する光
情報記録方法である。
は、透光性基板の上に、レーザ光の照射により熱変形を
伴う光吸収層を有する光情報記録媒体を用い、上記基板
側から入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記録
データ再生用のピットを形成する光情報記録方法におい
て、前記のような光情報記録媒体を使用し、レーザ光の
照射時のそれらの光吸収層の局部的な熱変形により、透
光性基板の表面を一部変形させて、ピットを形成する光
情報記録方法である。
［作用］ 第一と第二の手段による光情報記録媒体及び第三の手
段による光情報記録方法によれば、光吸収層にレーザ光
を照射したとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して発熱
し、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等し
て、局部的な熱変形がもたらされるが、このとき、光吸
収層の背後に熱変形しにくい硬質層を有することから、
上記光吸収層の熱変形を基板の表面で吸収するよう作用
する。このため、基板の表面が局部的に熱変形し、それ
にピットが形成される。
段による光情報記録方法によれば、光吸収層にレーザ光
を照射したとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して発熱
し、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等し
て、局部的な熱変形がもたらされるが、このとき、光吸
収層の背後に熱変形しにくい硬質層を有することから、
上記光吸収層の熱変形を基板の表面で吸収するよう作用
する。このため、基板の表面が局部的に熱変形し、それ
にピットが形成される。
こうして、基板の表面に形成されるピットは、記録層
に形成されるのと異なり、予めプレス等の手段によって
基板の表面に形成されるピットに近似するものである。
また、光吸収層の背後に密着して金属層による光反射層
を設けることもできる。従って、形態的にもCDに近似し
た光情報記録媒体が得られ、CDフォーマットに準拠した
記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
に形成されるのと異なり、予めプレス等の手段によって
基板の表面に形成されるピットに近似するものである。
また、光吸収層の背後に密着して金属層による光反射層
を設けることもできる。従って、形態的にもCDに近似し
た光情報記録媒体が得られ、CDフォーマットに準拠した
記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
［実 施 例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、
第１図〜第３図に示す。同図において、１は、透光性を
有する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照
射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇
華、変形または変性し、当該光吸収層２や基板１の表面
にピットを形成する作用を有する層である。また３は、
その上に形成された光反射層、４は、その外側に設けら
れた保護層を示す。
第１図〜第３図に示す。同図において、１は、透光性を
有する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照
射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇
華、変形または変性し、当該光吸収層２や基板１の表面
にピットを形成する作用を有する層である。また３は、
その上に形成された光反射層、４は、その外側に設けら
れた保護層を示す。
第１図〜第３図で示した実施例は、光吸収層２と光反
射層３との間に、硬質層６が介在されている場合であ
る。また、第４図と第５図で示した実施例は、光反射層
３の背後に硬質層６を配置した場合である。さらに、図
示してはいないが、保護層４に硬質層としての機能を持
たせることができる。何れに場合も、硬質層は、基板よ
り熱変形しにくいもので形成され、かつそのロックウェ
ル硬度ASTM785においてM100以上、熱変形温度ASTM648に
おいて100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一方
の特性を有することが必要である。
射層３との間に、硬質層６が介在されている場合であ
る。また、第４図と第５図で示した実施例は、光反射層
３の背後に硬質層６を配置した場合である。さらに、図
示してはいないが、保護層４に硬質層としての機能を持
たせることができる。何れに場合も、硬質層は、基板よ
り熱変形しにくいもので形成され、かつそのロックウェ
ル硬度ASTM785においてM100以上、熱変形温度ASTM648に
おいて100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一方
の特性を有することが必要である。
第２図と第４図は、レーザ光による記録前の状態を、
第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、光ピック
アップ８からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸
収層２の局部的な熱変形をすることにより、基板１の表
面が一部変形され、ピット５が形成された状態を模式的
に示す。
第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、光ピック
アップ８からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸
収層２の局部的な熱変形をすることにより、基板１の表
面が一部変形され、ピット５が形成された状態を模式的
に示す。
この構成の具体例について、以下に説明する。
（実施例１） 直径46〜117mmφの範囲に、幅0.8μｍ、深さ0.08μ
ｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグルーブが形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内形15mmφのポリカ
ーボネート基板１を射出成形法により成形した。このポ
リカーボネート基板１のロックウェル硬度ASTM D785
は、M75であり、熱変形温度ASTM D648は、132℃であっ
た。
ｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグルーブが形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内形15mmφのポリカ
ーボネート基板１を射出成形法により成形した。このポ
リカーボネート基板１のロックウェル硬度ASTM D785
は、M75であり、熱変形温度ASTM D648は、132℃であっ
た。
光吸収層２を形成するための有機色素として、0.65g
の1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′
ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本
感光色素（株）製、品番NK3219）を、ジアセトンアルコ
ール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚130nmの光吸収層２
を形成した。
の1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′
ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本
感光色素（株）製、品番NK3219）を、ジアセトンアルコ
ール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚130nmの光吸収層２
を形成した。
次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の全面
にスパッタリング法により、膜厚50nmのAu膜を成膜し、
光反射層３を形成した。さらに、この光反射層３の上に
紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照
射して硬化させ、膜厚10μｍの保護層４を形成した。こ
の保護層４の硬化後のロックウェル硬度ASTM785はM90で
あり、熱変形温度ASTM648は、150℃であった。
にスパッタリング法により、膜厚50nmのAu膜を成膜し、
光反射層３を形成した。さらに、この光反射層３の上に
紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照
射して硬化させ、膜厚10μｍの保護層４を形成した。こ
の保護層４の硬化後のロックウェル硬度ASTM785はM90で
あり、熱変形温度ASTM648は、150℃であった。
こうして得られた光ディスクの上記記録可能領域７
に、波長780nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、この
光ディスクを、市販のCDプレーヤ（Aurex XR−V73、再
生光の波長λ＝780nm）で再生したところ、半導体レー
ザの反射率72％、I11/Itopが0.65、I3/Itopが0.35、ブ
ロックエラーレートBLERが3.4×10-3であった。
に、波長780nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、この
光ディスクを、市販のCDプレーヤ（Aurex XR−V73、再
生光の波長λ＝780nm）で再生したところ、半導体レー
ザの反射率72％、I11/Itopが0.65、I3/Itopが0.35、ブ
ロックエラーレートBLERが3.4×10-3であった。
CD規格では、反射率が70％以上、90％以下、I11/Itop
が0.6以上、I3/Itopが0.3〜0.6、ブロックエラーレート
BLERが３×10-2以下と定められており、この実施例によ
る光ディスクは、この規格を満足している。
が0.6以上、I3/Itopが0.3〜0.6、ブロックエラーレート
BLERが３×10-2以下と定められており、この実施例によ
る光ディスクは、この規格を満足している。
さらに、上記記録後の光ディスクの保護層４と光反射
層４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板
１の剥離面を電子顕微鏡で観察したところ、そこに窪み
状のピット５が形成されているのが確認された。
層４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板
１の剥離面を電子顕微鏡で観察したところ、そこに窪み
状のピット５が形成されているのが確認された。
なお、この実施例は、保護層４を硬質層として利用し
た場合の実施例である。
た場合の実施例である。
（実施例２） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に硬質層６として、膜厚50nmのシリコンアクリル層を形
成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜
厚50nmのAg膜を形成し、さらにその上に上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウ
ェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648は、1
35℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、20
0℃であった。
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に硬質層６として、膜厚50nmのシリコンアクリル層を形
成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜
厚50nmのAg膜を形成し、さらにその上に上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウ
ェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648は、1
35℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、20
0℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11/Itopが0.63、I3/Itopが0.33、ブ
ロックエラーレートBLERが3.5×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11/Itopが0.63、I3/Itopが0.33、ブ
ロックエラーレートBLERが3.5×10-3であった。
（実施例３） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン）
の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、こ
の上に硬質層６として、膜厚50nmのエポキシ樹脂層を形
成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜
厚50nmのAu膜を形成し、さらにその上に上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウ
ェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648は、1
32℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ASTM785はM90であり、熱変形温度ASTM648は、140
℃であった。
ポリカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン）
の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、こ
の上に硬質層６として、膜厚50nmのエポキシ樹脂層を形
成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜
厚50nmのAu膜を形成し、さらにその上に上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウ
ェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648は、1
32℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ASTM785はM90であり、熱変形温度ASTM648は、140
℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.32、ブ
ロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.32、ブ
ロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
（実施例４） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に硬質層６として、膜厚50nmのア
クリル樹脂層を形成し、この上に結着性を高めるためエ
ポキシ樹脂をスピンコートしてから、光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらに
この上に上記実施例１と同様の保護層４を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM80であり、
熱変形温度ASTM648は、89℃であった。これに対し、上
記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM100であり、
熱変形温度ASTM648は、100℃であった。
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に硬質層６として、膜厚50nmのア
クリル樹脂層を形成し、この上に結着性を高めるためエ
ポキシ樹脂をスピンコートしてから、光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらに
この上に上記実施例１と同様の保護層４を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM80であり、
熱変形温度ASTM648は、89℃であった。これに対し、上
記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM100であり、
熱変形温度ASTM648は、100℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.31、ブ
ロックエラーレートBLERが7.0×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.31、ブ
ロックエラーレートBLERが7.0×10-3であった。
（実施例５） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６として、
膜厚50nmのポリエステル樹脂層を形成し、その上に光反
射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成
し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂
をスピンコートしてから、上記実施例１と同様の保護層
４を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM
785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、110℃であっ
た。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM
785はM110であり、熱変形温度ASTM648は、115℃であっ
た。
ポリメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６として、
膜厚50nmのポリエステル樹脂層を形成し、その上に光反
射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成
し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂
をスピンコートしてから、上記実施例１と同様の保護層
４を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM
785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、110℃であっ
た。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM
785はM110であり、熱変形温度ASTM648は、115℃であっ
た。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.64、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが8.0×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.64、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが8.0×10-3であった。
（実施例６） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層を形成
し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚
50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高める
ためエポキシ樹脂をスピンコートしてから、上記実施例
１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロッ
クウェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648
は、140℃であった。これに対し、上記硬質層６のロッ
クウェル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648
は、200℃であった。
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層を形成
し、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚
50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高める
ためエポキシ樹脂をスピンコートしてから、上記実施例
１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロッ
クウェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648
は、140℃であった。これに対し、上記硬質層６のロッ
クウェル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648
は、200℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が74％、I11/Itopが0.61、I3/Itopが0.33、ブ
ロックエラーレートBLERが2.3×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が74％、I11/Itopが0.61、I3/Itopが0.33、ブ
ロックエラーレートBLERが2.3×10-3であった。
（実施例７） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚50nmのシリコン樹脂層を形成し、その上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAl膜
を形成し、さらにこの上に、上記実施例１と同様の保護
層４を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度AS
TM785はM90であり、熱変形温度ASTM648は、135℃であっ
た。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM
785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、180℃であっ
た。
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚50nmのシリコン樹脂層を形成し、その上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAl膜
を形成し、さらにこの上に、上記実施例１と同様の保護
層４を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度AS
TM785はM90であり、熱変形温度ASTM648は、135℃であっ
た。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM
785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、180℃であっ
た。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が73％、I11/Itopが0.61、I3/Itopが0.30、ブ
ロックエラーレートBLERが2.0×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が73％、I11/Itopが0.61、I3/Itopが0.30、ブ
ロックエラーレートBLERが2.0×10-3であった。
（実施例８） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAg膜
を形成し、この上に硬質層６として、膜厚50nmのシリコ
ンアクリル層を形成し、さらにこの上に上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウ
ェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648は、1
35℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、20
0℃であった。
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAg膜
を形成し、この上に硬質層６として、膜厚50nmのシリコ
ンアクリル層を形成し、さらにこの上に上記実施例１と
同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウ
ェル硬度ASTM785はM75であり、熱変形温度ASTM648は、1
35℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648は、20
0℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11/Itopが0.64、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが3.7×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11/Itopが0.64、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが3.7×10-3であった。
（実施例９） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリカーボネート基板（三菱ガス価格化学製、ユーピロ
ン）の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した
後、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚
50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に保護層を兼ねる硬
質層６として、膜厚50nmのエポキシ樹脂層を形成した。
なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM75であ
り、熱変形温度ASTM648は、135℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM90であ
り、熱変形温度ASTM648は、140℃であった。
ポリカーボネート基板（三菱ガス価格化学製、ユーピロ
ン）の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した
後、その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚
50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に保護層を兼ねる硬
質層６として、膜厚50nmのエポキシ樹脂層を形成した。
なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM75であ
り、熱変形温度ASTM648は、135℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM90であ
り、熱変形温度ASTM648は、140℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.63、I3/Itopが0.33、ブ
ロックエラーレートBLERが2.7×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.63、I3/Itopが0.33、ブ
ロックエラーレートBLERが2.7×10-3であった。
（実施例10） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸着法
により膜厚50nmのAu膜を形成し、この上に保護層を兼ね
る硬質膜６として、膜厚50nmのアクリル樹脂層を形成し
た。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM80で
あり、熱変形温度ASTM648は、89℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM100で
あり、熱変形温度ASTM648は、100℃であった。
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸着法
により膜厚50nmのAu膜を形成し、この上に保護層を兼ね
る硬質膜６として、膜厚50nmのアクリル樹脂層を形成し
た。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM80で
あり、熱変形温度ASTM648は、89℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM100で
あり、熱変形温度ASTM648は、100℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32、ブ
ロックエラーレートBLERが7.1×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32、ブ
ロックエラーレートBLERが7.1×10-3であった。
（実施例11） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらに
この上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂をスピンコ
ートしてから、保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50
nmのポリエステル樹脂層を形成した。なお、上記基板の
ロックウェル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度AST
M648は、110℃であった。これに対し、上記硬質層６の
ロックウェル硬度ASTM785はM110であり、熱変形温度AST
M648は、115℃であった。
ポリメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらに
この上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂をスピンコ
ートしてから、保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50
nmのポリエステル樹脂層を形成した。なお、上記基板の
ロックウェル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度AST
M648は、110℃であった。これに対し、上記硬質層６の
ロックウェル硬度ASTM785はM110であり、熱変形温度AST
M648は、115℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.65、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが8.3×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.65、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが8.3×10-3であった。
（実施例12） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成
し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂
をスピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層６とし
て、膜厚50nmのシリコンアルキル樹脂層を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM75であり、
熱変形温度ASTM648は、140℃であった。これに対し、上
記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM100であり、
熱変形温度ASTM648は、200℃であった。
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成
し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂
をスピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層６とし
て、膜厚50nmのシリコンアルキル樹脂層を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTM785はM75であり、
熱変形温度ASTM648は、140℃であった。これに対し、上
記硬質層６のロックウェル硬度ASTM785はM100であり、
熱変形温度ASTM648は、200℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.34、ブ
ロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
（実施例13） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAl膜を形成
し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50nm
のシリコン樹脂層を形成した。なお、上記基板のロック
ウェル硬度ASTM785はM90であり、熱変形温度ASTM648
は、135℃であった。これに対し、上記硬質層６のロッ
クウェル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648
は、180℃であった。
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAl膜を形成
し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50nm
のシリコン樹脂層を形成した。なお、上記基板のロック
ウェル硬度ASTM785はM90であり、熱変形温度ASTM648
は、135℃であった。これに対し、上記硬質層６のロッ
クウェル硬度ASTM785はM100であり、熱変形温度ASTM648
は、180℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.32、ブ
ロックエラーレートBLERが2.1×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11/Itopが0.62、I3/Itopが0.32、ブ
ロックエラーレートBLERが2.1×10-3であった。
（比較例） 上記実施例において、紫外線硬化性樹脂により形成さ
れた保護層４の硬化後のロックウェル硬度ASTM D785
を、M60、熱変形温度ASTM D648を4.6kg/cm2、90℃とし
たこと以外は、同実施例と同様にして、光ディスクを製
作した。
れた保護層４の硬化後のロックウェル硬度ASTM D785
を、M60、熱変形温度ASTM D648を4.6kg/cm2、90℃とし
たこと以外は、同実施例と同様にして、光ディスクを製
作した。
この光ディスクに、上記実施例と同様にして波長780n
mの半導体レーザを線速1.2m/secで照射し、EFM信号を記
録したところ、基板１の板面側は、十分明瞭なピットが
確認できなかった。そして、この光ディスクを、上記実
施例１で用いたのと同じCDプレーヤで再生したところ、
光ディスクの反射率が71％、I11/Itopが0.7、I3/Itopが
0.37であったが、ブロックエラーレートBLERが1.5×10
-3であり、上述したCD規格を満足することができなかっ
た。
mの半導体レーザを線速1.2m/secで照射し、EFM信号を記
録したところ、基板１の板面側は、十分明瞭なピットが
確認できなかった。そして、この光ディスクを、上記実
施例１で用いたのと同じCDプレーヤで再生したところ、
光ディスクの反射率が71％、I11/Itopが0.7、I3/Itopが
0.37であったが、ブロックエラーレートBLERが1.5×10
-3であり、上述したCD規格を満足することができなかっ
た。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記
録方法によれば、レーザ光の照射により、基板の表面に
CDに近似した凹状のピットを形成できると共に、光吸収
層の背後に光反射層を密着することもできることから、
CDに近似する層構造をとることができる。これによっ
て、CDフォーマットに準拠した記録可能な光情報記録媒
体が容易に得られる効果がある。
録方法によれば、レーザ光の照射により、基板の表面に
CDに近似した凹状のピットを形成できると共に、光吸収
層の背後に光反射層を密着することもできることから、
CDに近似する層構造をとることができる。これによっ
て、CDフォーマットに準拠した記録可能な光情報記録媒
体が容易に得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前の拡大断面図、
第３図は、第１図の光記録後の拡大断面図、第４図は、
他の実施例を示し光情報記録媒体の拡大断面図、第５図
は、その光記録後の拡大断面図である。 １……基板、２……光吸収層、３……光反射層、４……
保護層、６……硬質層
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前の拡大断面図、
第３図は、第１図の光記録後の拡大断面図、第４図は、
他の実施例を示し光情報記録媒体の拡大断面図、第５図
は、その光記録後の拡大断面図である。 １……基板、２……光吸収層、３……光反射層、４……
保護層、６……硬質層
フロントページの続き (72)発明者 新井 雄治 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−189851（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−219247（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−171689（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−55540（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 G11B 7/00
Claims (4)
- 【請求項１】透光性基板の上に、レーザ光の照射により
局部的な熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光
を反射する光反射層を有する光情報記録媒体において、
上記光吸収層と上記光反射層との間に、同基板より熱変
形しにくい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウェル
硬度ASTM785においてM100以上、熱変形速度ASTM648にお
いて100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一方の
特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】透光性基板の上に、レーザ光の照射により
局部的な熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光
を反射する光反射層を有する光情報記録媒体において、
レーザ光が入射する透光性基板に対して、上記光反射層
の背後側に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有し、
この硬質層が、ロックウェル硬度ASTM785においてM100
以上、熱変形温度ASTM648において100℃（4.6kg/cm2）
以上の何れか少なくとも一方の特性を有することを特徴
とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】透光性基板の上に、レーザ光の照射により
熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射す
る光反射層を有する光情報記録媒体を用い、上記基板側
から入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記録デ
ータ再生用のピットを形成する光情報記録方法におい
て、上記光吸収層と上記光反射層との間に、同基板より
熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウ
ェル硬度ASTM785においてM100以上、熱変形温度ASTM648
において100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一
方の特性を有する光情報記録媒体を使用し、レーザ光の
照射時の光吸収層の局部的な熱変形により、透光性基板
の表面を一部変形させて、ピットを形成することを特徴
とする光情報記録方法。 - 【請求項４】透光性基板の上に、レーザ光の照射により
熱変形を伴う光吸収層と、その背後にレーザ光を反射す
る光反射層を有する光情報記録媒体を用い、上記基板側
から入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、記録デ
ータ再生用のピットを形成する光情報記録方法におい
て、レーザ光が入射する透光性基板に対して、上記光反
射層の背後側に、同基板より熱変形しにくい硬質層を有
し、この硬質層がロックウェル硬度ASTM785においてM10
0以上、熱変形温度ASTM648において100℃（4.6kg/cm2）
以上の何れか少なくとも一方の特性を有する光情報記録
媒体を使用し、レーザ光の照射時の光吸収層の局部的な
熱変形により、透光性基板の表面を一部変形させて、ピ
ットを形成することを特徴とする光情報記録方法。
Priority Applications (29)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270409A JP2764895B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-10-26 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
| US07/340,082 US4990388A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| US07/340,544 US5155723A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording method and medium |
| AT89106873T ATE127265T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische informationsaufzeichnungsmethode und medium. |
| ES89106873T ES2078901T5 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Metodo y medio de registro optico de informacion. |
| EP19890106810 EP0353392B1 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording medium |
| ES89106810T ES2064377T3 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Medio de registro optico de informacion. |
| AT89106810T ATE112649T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium. |
| EP89106873A EP0353394B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording method and medium |
| DE68924016T DE68924016T3 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische Informationsaufzeichnungsmethode und Medium. |
| DE1989618652 DE68918652T2 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium. |
| CA 599417 CA1332466C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording medium |
| CA000599416A CA1331807C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording method and medium |
| MYPI89000677A MY106947A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording method and medium. |
| MYPI89000675A MY104122A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording medium. |
| AU35105/89A AU626071B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording medium |
| AU35108/89A AU626072B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording method and medium |
| DK198902543A DK174110B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Optisk informationsoptegningsmedium |
| DK198902544A DK175044B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Fremgangsmåde og medium til optisk informationsoptegning |
| PH38708A PH26093A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording method and medium |
| PH38708D PH26092A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording medium |
| KR1019890010424A KR950006839B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 매체 |
| KR1019890010425A KR950005034B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 방법 및 매체 |
| FI893562A FI893562A (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Foerfarande och organ foer optisk dataregistrering. |
| FI893561A FI893561A (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Optisk dataregistrering. |
| PT91310A PT91310B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Meio de gravacao optica de informacao |
| PT91311A PT91311B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Processo e meio de gravacao optica de informacao |
| HK114195A HK114195A (en) | 1988-07-30 | 1995-07-13 | Optical information recording medium |
| HK105796A HK105796A (en) | 1988-07-30 | 1996-06-19 | Optical information recording method and medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-191716 | 1988-07-30 | ||
| JP19171688 | 1988-07-30 | ||
| JP63270409A JP2764895B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-10-26 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132649A JPH02132649A (ja) | 1990-05-22 |
| JP2764895B2 true JP2764895B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=26506858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270409A Expired - Lifetime JP2764895B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-10-26 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764895B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4782189B2 (ja) | 2006-03-03 | 2011-09-28 | シャープ株式会社 | 光情報記録媒体及び再生装置 |
| WO2009028593A1 (ja) | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | 超解像光記録媒体、光記録媒体再生装置、光記録媒体再生装置の制御方法、光記録媒体再生装置制御プログラム、並びにそれを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2488711B1 (fr) * | 1980-08-13 | 1985-06-28 | Thomson Csf | Procede thermo-optique d'inscription d'information et support d'information destine a la mise en oeuvre de ce procede |
| JPS58189851A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS59171689A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録方法 |
| JPS62219247A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Canon Inc | 光記録媒体およびその光記録方法 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63270409A patent/JP2764895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02132649A (ja) | 1990-05-22 |
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